DE10328781A1

DE10328781A1 - Stromrichter

Info

Publication number: DE10328781A1
Application number: DE2003128781
Authority: DE
Inventors: Takeshi Nozawa
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2002-07-26
Filing date: 2003-06-26
Publication date: 2004-03-04
Also published as: CN1495990A

Abstract

Ein elektrischer Stromrichter weist eine Reihenschaltung aus Halbleiterschaltelementen auf, die parallel zu einer Gleichstromquelle geschaltet ist, wobei der Stromrichter das jeweilige Ein/Aus-Verhältnis der Halbleiterschaltelemente steuert, um elektrische Energie von der Gleichstomquelle zu einer Last zu liefern. Der Stromrichter umfaßt ferner eine Stromquelle und eine Schutzschaltung, die Gate und Source wenigstens eines der Halbleiterschaltelemente (5) mit einer niedrigen Impedanz verbindet, während der Zeitspanne von Start des Stromrichters bis zum ersten Einschalten des einen Halbleiterschaltelements, und mit einer hohen Impedanz verbindet, nachdem das eine Halbleiterschaltelement zu schalten begonnen hat, um dadurch das eine der Halbleiterschaltelemente daran zu hindern, fehlerhaft zu schalten, und zugleich die Treiberverluste des einen Halbleiterschaltelements zu verringern.

Description

Die Erfindung betrifft einen Stromrichter, der das Einschalt/Ausschalt-Verhältnis von Halbleiterschaltelementen steuert und einer Last von einer Stromversorgung eine Gleichspannung oder eine Wechselspannung liefert. Insbesondere betrifft die Erfindung einen Stromrichter der eine Fehlfunktion der Halbleiterschaltelemente vermeidet.
6 ist ein Blockschaltbild eines herkömmlichen Stromrichters in Form eines Abwärts-Stromrichters. Der in 6 gezeigte Stromrichter enthält eine Gleichstromquelle 1, eine Stromquelle 2, eine Steuerschaltung 3, eine Lastschaltung 4, MOS-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) 5 und 6 als Halbleiterschaltelemente, eine Diode 7, einen Kondensator 8 und Widerstände 9 und 10. Die Lastschaltung 4 ist eine nicht potentialgetrennte Schaltung, die über eine Drossel eine Last speist, oder eine potentialgetrennte Schaltung, die über einen Transformator und einen Gleichrichter eine Last speist. Die Steuerschaltung 3 treibt und steuert den MOSFET 5 auf der Seite hohen Potentials und den MOSFET 6 auf der Seite niedrigen Potentials. Der Kondensator 8 ist zwischen die Stromversorgungsanschlüsse des Teils der Steuerschaltung 3 geschaltet, der den MOSFET 5 steuert. Bei diesem herkömmlichen Stromrichter steuert die Steuerschaltung 3 das Einschalt/Ausschalt-Verhältnis des MOSFETs 5 und dasjenige des MOSFETs 6 und liefert eine Gleichspannung von der Gleichstromquelle 1 an die Last. Da die Arbeitsweise des Stromrichters allgemein bekannt ist, soll sie hier nicht im einzelnen beschrieben werden. Näher erläutert werden sollen nur die Vorgänge, die bei diesem herkömmlichen Stromrichter ausgeführt werden, bis der MOSFET 5 zu schalten beginnt.
Wenn die Steuerschaltung 3 den MOSFET 6 einschaltet, wird die Reihenschaltung aus Diode 7 und Kondensator 8 parallel an die Stromquelle 2 angeschlossen. Als Folge davon lädt sich der Kondensator 8 aus der Stromquelle 2 auf.
Dann wird der MOSFET 6 wieder ausgeschaltet. Wenn die Spannung am Kondensator 8 höher ist als der zur Ansteuerung erforderliche Wert des MOSFETs 5 (nachfolgend als Gateschwellenspannung bezeichnet), wenn die Steuerschaltung 3 den MOSFET 5 einschalten will, wird der MOSFET 5 eingeschaltet. Wenn die Spannung am Kondensator 8 niedriger als die Gateschwellenspannung ist, wird der MOSFET 5 nicht eingeschaltet. Statt dessen wird der Kondensator 8 weiter aufgeladen, wenn der MOSFET 6 erneut eingeschaltet wird. Die Steuerschaltung 3 erreicht eine gewisse Spannung, die zur Ansteuerung des MOSFETs 5 ausreicht, durch ein sogenanntes Ladungspumpen des Kondensators 8, was durch wiederholtes Einschalten und Ausschalten des MOSFETs 6 erfüllt wird. Auf diese Weise beginnt der Stromrichter die Schaltvorgänge zur Lieferung elektrischer Energie an die Last.
MOSFETs haben üblicherweise parasitäre Kapazitäten, wie etwa eine. Eingangskapazität, eine Ausgangskapazität und eine Sperrkapazität (reverse transfer capacitance). 7 zeig das Ersatzschaltbild der MOSFETs unter Berücksichtigung ihrer parasitären Kapazitäten. In 7 sind lediglich die Gleichstromquelle 1 sowie die MOSFETs 5 und 6 gezeigt.
In 7 stellen Kondensatoren 11 und 14 die Kapazität C_GD zwischen Gate und Drain dar, die Kondensatoren 12 und 15 die Kapazität C_GS zwischen Gate und Source und die Kondensatoren 13 und 16 die Kapazität C_DS zwischen Drain und Source. Die Eingangskapazität Ci_SS der MOSFETs ergibt sich zu Ci_ss ≈ C_GS + C_GD. Die Ausgangskapazität Co_SS der MOSFETs ergibt sich zu Co_SS ≈ C_DS + C_GD. Da der Kondensator 8 nicht unmittelbar nach Betriebsbeginn der Steuerschaltung 3, während der MOSFET 6 eingeschaltet ist, ausreichend aufgeladen wird, kann der MOSFET 5 in dieser Periode nicht arbeiten. Während der MOSFET 5 nicht arbeiten kann bleibt die Impedanz an seinem Ausgang hoch.
Sobald der MOSFET 6 mit hoher Geschwindigkeit eingeschaltet wird, das heißt sobald die Spannung zwischen Drain und Source sich mit einer hohen Änderungsrate (dv/dt) ändert, fließt ein Ladestrom Ci_GD × (dv/dt) in die Gate-Source-Kapazität Ci_GS des MOSFETs 5, und die Spannung zwischen Gate und Source des MOSFETs 5 steigt an. Sobald die ansteigende Spannung zwischen Source und Gate die Gateschwellenspannung erreicht, schaltet der MOSFET 5 fehlerhaft ein, das heißt ein fehlerhaftes Einschalten des MOSFETs 5 tritt auf. Wenn der MOSFET 5 in dieser Weise fehlerhaft eingeschaltet wird, fließt ein Kurzschlußstrom von der Gleichstromquelle 1 durch die MOSFETs 5 und 6. Dieser Kurzschlußstrom kann zu einem Durchbruch der MOSFETs 5 und 6 führen. Zur Vermeidung dieses Problems ist ein Widerstand 9 zwischen Gate und Source des MOSFETs 5 eingesetzt, und ein Widerstand 10 ist zwischen Gate und Source des MOSFETs 6 eingesetzt, um die Impedanz zwischen Gate und Source des MOSFETs 5 und diejenige zwischen Gate und Source des MOSFETs 6 zu verringern und zu verhindern, daß die Spannung zwischen Gate und Source des MOSFETs 5 und diejenige zwischen Gate und Source des MOSFETs 6 ansteigt. Somit verhindern die Widerstände 9 und 10 ein fehlerhaftes Einschalten des MOSFETs 5.
Wenn ein Widerstand zwischen Gate und Source des Halbleiterschaltelements geschaltet wird, muß der Widerstandswert um so niedriger sein, je höher das dv/dt des Halbleiterschaltelements ist. Ein niedrigerer Widerstands verursacht jedoch Verluste in der Treiberschaltung (nachfolgend als Treiberverluste bezeichnet) und beeinträchtigt den Wandlungswirkungsgrad des Stromrichters. Dies steht der Erfüllung der immer stärker werdenden Nachfrage nach schneller schattenden MOSFETs entgegen.

Angesichts des voranstehenden ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Stromrichterschaltung zu schaffen, bei der die Treiberverluste für die Halbleiterschaltelemente verringert sind und der Wandlungswirkungsgrad verbessert ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen elektrischen Stromrichter gemäß Patentanspruch 1 bzw. 7 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen. Es zeigen:
1 ein Blockschaltbild eines Stromrichters gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
2 ein Blockschaltbild eines Stromrichters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
3 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise einer Unterspannungs-Sperrschaltung,
4 ein Blockschaltbild eines Stromrichters gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
5 ein Blockschaltbild eines Stromrichters gemäß einem vierten Ausführungsbeispiels der Erfindung,
6 ein Blockschaltbild eines herkömmlichen Stromrichters, und
7 ein Ersatzschaltbild der MOSFETs mit ihren parasitären Kapazitäten.
1 zeigt das Blockschaltbild eines Stromrichters gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Stromrichter dieses ersten Ausführungsbeispiels enthält Schaltungen 17 und 18 zur Verhinderung eines Fehlschaltens. Diese Schaltungen zur Verhinderung eines Fehlschaltens werden nachfolgend als "Schutzschaltung" bezeichnet. Da der Schaltungsaufbau des Stromrichters des ersten Ausführungsbeispiels im übrigen dem des in 6 gezeigten Stromrichters ähnlich ist, sollen lediglich die Unterschiede zwischen den beiden Schaltungen erläutert werden.
Die Schutzschaltungen 17 und 18 in 1 umfassen eine Parallelschaltung aus einem Kondensator und einem Widerstand und eine mit dieser Parallelschaltung in Reihe geschaltete Diode. Wenn die Steuerschaltung 3 den MOSFET 6 einschaltet, fließt ein Strom, der die nicht gezeigte Eingangskapazität Ciss des MOSFETs 5 auflädt. Da Strom sowohl durch den Kondensator in der Schutzschaltung 17 als auch durch die Kapazität C_GS zwischen Gate und Source des MOSFETs 5 in der durch einen Pfeil in 1 angedeuteten Richtung fließt, wird verhindert, daß die Spannung zwischen Gate und Source des MOSFETs 5 ansteigt. Damit wird ein Fehlschalten des MOSFETs 5 verhindert.
In ähnlicher Weise wie gerade beschrieben, wird ein Fehlschalten des MOSFETs 6 durch Aufteilung des Stroms zur Aufladung der parasitären Kapazität einerseits und des Kondensators der Schutzschaltung 18 andererseits verhindert, wenn die Gleichstromquelle 1 beginnt elektrische Leistung abzugeben. Wenn die Steuerschaltung 3 die MOSFETs 5 und 6 einschaltet, werden die Kondensato ren in den Schutzschaltungen 17 und 18 weiter aufgeladen. Die Dioden in den Schutzschaltungen 17 und 18 verhindern, daß in den Kondensatoren der Schutzschaltungen gespeicherte Ladung zur Seite der Steuerschaltung 3 oder zur Seite der MOSFETs 5 und 6 abfließt. Durch Einstellen der Entladungszeitkonstante, die durch Kondensator und Widerstand in den Schutzschaltungen 17 und 18 bestimmt ist, in solcher Weise, daß sie sehr viel länger ist als die Schaltperiode, beginnen Ströme von der Steuerschaltung 3 zu den Schutzschaltungen 17 und 18 zu fließen, wenn die Spannung zum Einschalten die Summe der Kondensatorspannung und der Durchlaßspannung der Diode übersteigt. Damit werden Treiberverluste verringert. Zenerdioden anstelle der normalen Dioden in den Schutzschaltungen 17 und 18 können denselben Effekt haben. Die Reihenfolge von Diode und Parallelschaltung aus Kondensator und Widerstand in den Schutzschaltungen 17 und 18 in 1 kann umgekehrt sein.
2 zeigt ein Blockschaltbild eines Stromrichters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der in 2 gezeigte Stromrichter enthält Schutzschaltungen 19 und 20, die Unterspannungs-Sperrschaltungen (UVLO) 21 und bzw. 22 enthalten, wie sie üblicherweise zur Steuerung von ICs für Stromrichter eingesetzt werden.
3 ist ein Zeitdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise der Unterspannungs-Sperrschaltungen. Gemäß Darstellung in 3 beginnt solch eine Unterspannungs-Sperrschaltung (21 bzw. 22) Spannung auszugeben, wenn die Eingangsspannung eine erste Referenzspannung Va überschreitet, und stoppt die Spannungsausgabe, wenn die Eingangsspannung eine zweite Referenzspannung Vb unterschreitet.
Durch Verbinden dieser Sperrschaltungen 21 und 22 mit der Stromquelle 2 gemäß Darstellung in 2 derart, daß die Steuerschaltung 3 nicht arbeitet, wenn die Sperrschaltungen 21 und 22 keine Spannung abgeben, wird eine Fehlfunktion der Steuerschaltung 3 verhindert, wenn die Spannung der Stromquelle 2 niedrig ist. Die Sperrschaltung 21 liegt parallel zum Kondensator 8, so daß sie an den Transistor 24 eine Spannung niedrigen Pegels anlegt, bis die Spannung am Kondensator 8 einen zum Treiben des MOSFETs 5 ausreichenden gewissen Wert erreicht hat. Wenn die Steuerschaltung 3 den MOSFET 6 einschaltet, fließt ein Ladestrom, der die Eingangskapazität Ci_SS des MOSFETs 5 auflädt. Dadurch, daß der Ladestrom zum Transistor 24 fließt, wird verhindert, daß die Spannung zwischen Gate und Source des MOSFETs 5 ansteigt.
Sobald die Spannung am Kondensator 8 den Wert erreicht, der zur Ansteuerung des MOSFETs 5 erforderlich ist, gibt die Sperrschaltung 21 eine Ausgangsspannung hohen Pegels ab, wodurch der Transistor 24 gesperrt wird. Damit wird jeder Stromfluß im Transistor 24 verhindert, sobald der MOSFET 5 begonnen hat zu schalten, wodurch die Schaltverluste verringert werden.
Da die Abläufe bei der Schutzschaltung 20 unmittelbar, nachdem die Stromquelle 1 eingeschaltet wurde und der MOSFET 6 zu schalten begonnen hat, die gleichen sind wie diejenigen bei der Schutzschaltung 19 mit der Ausnahme, daß die Schutzschaltung 20 den Spannungspegel der Stromquelle 2 erfaßt (anstelle derjenigen über dem Kondensator 8 wie dies bei der Schutzschaltung 19 der Fall ist) braucht die Arbeitsweise der Schutzschaltung 20 nicht weiter erläutert zu werden.
Obwohl beim dargestellten Ausführungsbeispiel Bipolartransistoren als Halbleiterschaltelemente in den Schutzschaltungen 19 und 20 vorgesehen sind, können MOSFETs und dergleichen andere Halbleiterschaltelemente alternativ in den Schutzschaltungen 19 und 20 eingesetzt werden. Obwohl außerdem die Stromrichter des ersten Ausführungsbeispiels und des zweiten Ausführungsbeispiels in Verbindung mit MOSFETs als Halbleiterschaltelemente beschrieben wurden, werden mit dem alternativen Einsatz von IGBTs (Bipolartransistoren mit isoliertem Gate) ähnliche Wirkungen erzielt.
4 ist ein Blockschaltbild eines Stromrichters gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Bei diesem Stromrichter handelt es sich um ein typisches Beispiel eines Aufwärts-Stromrichter. Wie aus 4 ersichtlich, enthält der Stromrichter dieses dritten Ausführungsbeispiels eine Gleichstromquelle 1, eine Stromquelle 2, eine Steuerschaltung 3, eine Lastschaltung 4, einen MOSFET 25 als Halbleiterschaltelement, eine Schutzschaltung 26, eine Drossel 27 und eine Diode 28. Die Steuerschaltung 3 steuert das Einschalt/Ausschalt-Verhältnis des MOSFETs 25 zur Speisung von Gleichspannung aus der Gleichstromquelle 1 zu einer Last. Obwohl die Arbeitsabläufe in diesem Stromrichter bis zu dem Moment, wo der MOSFET 5 zu schalten beginnt, nachfolgend beschrieben werden, brauchen die gesamten Steuervorgängen, die von der Steuerschaltung 3 ausgeführt werden, nicht weiter erläutert zu werden, da sie üblich sind.
Wenn die Gleichstromquelle 1 eine Gleichspannung abgibt bzw. eingeschaltet wird, fließt über die Drossel 27 und den MOSFET 25 ein Ladestrom, der die parasitäre Kapazität des MOSFETs 25 auflädt. Da sich dieser zum Laden der parasitären Kapazität des MOSFETs 25 vorhandene Strom aufteilt und ein Teil zur Kapazität in der Schutzschaltung 26 fließt, wird verhindert, daß die Spannung zwischen Gate und Source des MOSFETs 25 ansteigt und damit verhindert, daß der MOSFET 25 fehlerhaft eingeschaltet wird. Nachdem der MOSFET 25 begonnen hat zu schalten, erlaubt der Stromrichter dieses dritten Ausführungsbeispiels eine Verringerung der Treiberverluste in gleicher Weise wie beim ersten Ausführungsbeispiel. Die Reihenfolge von Diode und Parallelschaltung aus Kondensator und Widerstand in der Schutzschaltung 26 in 4 kann umgekehrt sein.
5 zeigt ein Blockschaltbild eines Stromrichters gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Stromrichter dieses vierten Ausführungsbeispiels ist eine Abwandlung desjenigen des dritten Ausführungsbeispiels von 4.
Anstelle der Schutzschaltung 26 in 4 wird bei dem Stromrichter des vierten Ausführungsbeispiels eine Schutzschaltung 29 aus einer Unterspannungs-Sperrschaltung 30 und einem Transistor 31 verwendet, wie sie in Verbindung mit 2 bereits beschrieben wurde. Da die grundsätzliche Funktionsweise, die Funktionen und Wirkungen des Stromrichters des vierten Ausführungsbeispiels gleich sind wie jene der Stromrichter des dritten bzw. des zweiten Ausführungsbeispiels, erübrigt sich eine weitergehende Erläuterung.
Der Stromrichter gemäß der Erfindung ermöglicht es zu verhindern, daß Halbleiterschaltelemente fehlerhaft schalten, indem beim Arbeitsbeginn des Stromrichters der Ladestrom, der die parasitäre Kapazität der Halbleiterschaltelemente auflädt, zu Schaltungen umgelenkt wird, die verhindern, daß die Halbleiterschaltelemente fehlerhaft schalten (Schutzschaltungen). Der Stromrichter gemäß der Endung, der den Stromfluß in die Schutzschaltungen) verhindert, nachdem eines der Schaltelemente zu schalten begonnen hat, ermöglicht es, die Treiberverluste zu verringern und damit den Wandlungswirkungsgrad zu erhöhen

Claims

Elektrischer Stromrichter mit einer Reihenschaltung aus Halbleiterschaltelementen (5, 6), die parallel zu einer Gleichstromquelle (1) geschaltet ist, umfassend: eine Steuerschaltung (3), die das jeweilige Ein/Aus-Verhältnis der Halbleiterschaltelemente (5, 6) steuert, um elektrische Energie von der Gleichstromquelle (1) zu einer Last liefert, eine Stromquelle (2) für die Steuerschaltung (3), und eine erste Schutzschaltung (17; 19), die Gate und Source eines der Halbleiterschaltelemente (5) mit einer niedrigen Impedanz verbindet, während der Zeitspanne vom Start des Stromrichters bis zum ersten Einschalten des einen Halbleiterschaltelements, und mit einer hohen Impedanz verbindet, nachdem das eine Halbleiterschaltelement zu schalten begonnen hat, um dadurch das eine der Halbleiterschaltelemente daran zu hindern, fehlerhaft zu schalten, und die Treiberverluste des einen Halbleiterschaltelements zu verringern.
Stromrichter nach Anspruch 1, bei dem die erste Schutzschaltung (17) eine Parallelschaltung aus einem Kondensator und einem Widerstand umfaßt, die mit einer Diode in Reihe geschaltet ist, wobei die erste Schutzschaltung (17) zwischen Gate und Source des einen der Halbleiterschaltelemente (5, 6) geschaltet ist.
Stromrichter nach Anspruch 1, bei dem die erste Schutzschaltung (19) eine erste Detektorschaltung (21) umfaßt, die den Spannungspegel der Stromquelle (2) der Steuerschaltung (3) erfaßt, sowie einen Transistor (24) mit einer Basis, die mit dem Ausgang der ersten Detektorschaltung (21) verbunden ist, und einer Emitter-Kollektor-Strecke, die zwischen Gate und Source des einen der Halbleiterschaltelemente (5, 6) geschaltet ist.
Stromrichter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner umfassend eine zweite Schutzschaltung (18; 20), die Gate und Source des anderen der Halbleiterschaltelemente (5, 6) während der Zeitspanne vom Start des Stromrichters bis zum ersten Einschalten des anderen Halbleiterschaltelements (6) mit einer niedrigen Impedanz verbindet, und mit einer hohen Impedanz verbindet, nachdem das andere Halbleiterschaltelement (6) zu schalten begonnen hat, um dadurch das andere Halbleiterschaltelement daran zu hindern, fehlerhaft zu schalten, und die Treiberverluste des anderen der Halbleiterschaltelemente zu verringern.
Stromrichter nach Anspruch 4, bei dem die zweite Schutzschaltung (18) eine Parallelschaltung aus einem Kondensator und einem Widerstand umfaßt, die mit einer Diode in Reihe geschaltet ist, wobei die zweite Schutzschaltung (18) zwischen Gate und Source des anderen der Halbleiterschaltelemente (5, 6) geschaltet ist.
Stromrichter nach Anspruch 4, bei dem die zweite Schutzschaltung (20) eine zweite Detektorschaltung (22) aufweist, die den Spannungspegel der Stromquelle (2) erfaßt, sowie einen Transistor (25) mit einer Basis, die mit dem Ausgang der zweiten Detektorschaltung (22) verbunden ist, und einer Emitter-Kollektor-Strecke, die zwischen Gate und Source des anderen der Halbleiterschaltelemente (5, 6) geschaltet ist.
Stromrichter mit einer Reihenschaltung aus einer Drossel (27) und einem Halbleiterschaltelement (25), die parallel zu einer Gleichstromquelle (1) geschaltet ist, sowie mit einer Diode (28), die zwischen den Verbindungspunkt von Drossel (27) und Halbleiterschaltelement (25) einerseits und eine Last andererseits geschaltet ist, ferner umfassend: eine Steuerschaltung zum Steuern des Ein/Aus-Verhältnisses des Halbleiterschaltelements (25), um elektrische Leistung von der Gleichstromquelle an die Last zu liefern, eine Stromquelle (2) für die Steuerschaltung (3), und eine Schutzschaltung (26; 29), die Gate und Source des Halbleiterschaltelements (25) während der Zeitspanne vom Start des Stromrichters bis zum ersten Einschalten des Halbleiterschaltelements mit einer niedrigen Impedanz verbindet, und mit einer hohen Impedanz verbindet, nachdem das Halbleiterschaltelement zu schalten begonnen hat, wodurch verhindert wird, daß das Halbleiterschaltelement (25) fehlerhaft schaltet, und die Treiberverluste des Halbleiterschaltelements verringert werden.
Stromrichter nach Anspruch 7, bei dem die Schutzschaltung (26) eine Parallelschaltung aus einem Kondensator und einem Widerstand umfaßt, welche mit einer Diode in Reihe geschaltet ist, wobei die Schutzschaltung zwischen Gate und Source des Halbleiterschaltelements (25) geschaltet ist.
Stromrichter nach Anspruch 7, bei dem die Schutzschaltung (29) eine Detektorschaltung (30) aufweist, die den Spannungspegel der Stromquelle (2) erfaßt, sowie einen Transistor (31) mit einer Basis, die mit dem Ausgang der Detektorschaltung (30) verbunden ist, und einer Emitter-Kollektor-Strecke, die zwischen Gate und Source des Halbleiterschaltelements (25) geschaltet ist.