DE10325151A1 - Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beeinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas - Google Patents

Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beeinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beeinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas für die lithographische Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere zur Erzeugung und/oder Reflexion von EUV-Strahlungg für die EUV-Lithographie. Erfindungsgemäß ist ein Magnetmittel (10) zur Erzeugung mindestens eine inhomogenen Magnetfeldes (11) als Mittel zur gezielten Abschirmung von Ladungsträgern des Plasmas (3) von mindestens einer Fläche der Vorrichtung (1; 5; 12) und/oder eines anderen Bauteils (5; 12) vorgesehen. Hierdurch wird die Lebensdauer der Vorrichtung und/oder anderer Bauteile erhöht.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • In der Halbleitertechnologie ist es notwendig, immer kleinere Strukturen auf einem Substrat zu erzeugen. Für die lithographische Strukturierung von Dimensionen unter 50 nm wird derzeit die sog. "Extreme Ultraviolett Lithographie" (EUVL)-Technologie mit Wellenlängen im weichen Röntgenstrahlenbereich (10–15 nm) entwickelt. Eine Anlage dieser Technologie ist z.B. aus dem Artikel von D.A. Tichenor et al. "System Integration and Performance of the EUV-Engineering Test-Stand", Emerging Lithographic Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, S. 19 bis 37, (2001) bekannt. In diesem Artikel wird die Erzeugung der EUV-Strahlung durch ein Xenon-Plasma beschrieben.
  • In der apparativen Ausgestaltung werden als Vorrichtung zur Beeinflussung beispielsweise Mehrlagen-Reflexionsspiegel für Illuminator, Abbildungsoptik und Maske eingesetzt, um die emittierte Strahlung aufzufangen. Diese Mehrlagen-Reflexionsspiegel bestehen in der Regel aus 40 bis 50 Mo/Si-Doppelschichten mit einer Dicke von jeweils 6,8 nm, entsprechend der halben Wellenlänge der verwendeten EUV-Strahlung.
  • Als Strahlungsquellen zur Erzeugung des Plasmas sind "Laser Produced Plasma" (LPP) – Quellen und "Discharge Produced Plasma" (DPP) -Quellen bekannt (siehe z.B. Vanine and Moors, "Extreme Ultraviolet Sources for Lithography Applications", Emerging Lithographic Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, S. 203 bis 214, (2001); Lebert et al. "Comparision of Different Source Concepts for EVUL", Emerging Lithographic Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, S. 215 bis 225, (2001) und Moyer et al. "Laser Produced Plasma (LPP) Scale-up and Commerzialisation", Emerging Lithographic Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, S. 249 bis 254, (2001)).
  • In einer evakuierten Vakuumkammer des Illuminators (auch Kondensor genannt), die EUV-Quelle und Kondensorspiegel enthält, wird eine Substanz (meist Xenon) im Falle einer LPP-Quelle mittels eines Laserpulses (typischerweise Nd:YAG) oder im Falle einer DPP-Quelle mittels einer elektrischen Entladung hoch ionisiert. Das Plasma ist auf den Laserfokusbereich beschränkt und emittiert Licht im gewünschten EUV-Bereich. Die Mehrlagenspiegel des Illuminators, insbesondere der erste Kondensorspiegel, sind dem Beschuss durch vielfach geladene Ionen ausgesetzt.
  • Dadurch entsteht das Problem, dass durch Sputter- und Implantationseffekte, sowie durch Elektronen und Ionen unterstützte Abscheide- und Oxidationsprozesse besonders die Spiegelvorrichtungen und die Gasauslassdüsen der Plasmaquellen während des Betriebs der Plasmaquellen erheblich geschädigt werden und ihre Lebensdauer begrenzt wird. Mittelwert und Homogenität der Reflektivität der Spiegel nehmen dadurch schnell ab und die Rauhigkeit zu. Die Folge sind hohe Kosten wegen des notwendigen Austausches der Mehrlagenspiegel (insbesondere des ersten Kondensorspiegels) und der Quellenkomponenten (z.B. Düsen).
  • Bislang wurde diesem Problem nur dadurch entgegengewirkt, dass für die Vorrichtung geeignete inerte Materialien ausgewählt wurden. Die plasmainduzierten Abscheidungen von kohlenstoffhaltigen Schichten können durch dosierte oxidierende Zugaben von z. B. Wasser oder Alkoholen kompensiert werden. Dabei dürfen beispielsweise die Mehrlagenspiegel nicht durch übermäßige Oxidation geschädigt werden.
  • Das Problem der bekannten Lösungen ist es, dass bislang nicht dem Ionenbeschuss entgegengewirkt wurde. Damit bleibt das Problem bestehen und die Vorrichtung weiterhin dem Ionenbeschuss und dem Verschleiß ausgesetzt.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, dem Ionenbeschuss der Vorrichtung und/oder anderer Bauteile selbst entgegenzuwirken, also die Ursache zu bekämpfen. Dadurch soll die Lebensdauer der Vorrichtung und/oder anderer Bauteile erhöht und die Betriebskosten gesenkt werden.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruch 1 gelöst.
  • Die erfindungsgemäße Lösung zeichnet sich dadurch aus, dass die Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas für die lithographische Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere zur Erzeugung und/oder Reflexion von EUV-Strahlung für die EUV-Lithographie, ein Magnetmittel zur Erzeugung mindestens eines inhomogenen Magnetfeldes als Mittel zur gezielten Abschirmung von Ladungsträgern des Plasmas von mindestens einer Fläche der Vorrichtung und / oder eines anderen Bauteils aufweist.
  • Durch das inhomogene Magnetfeld werden die Ladungsträger des Plasmas auf Spiralbahnen um die magnetischen Feldlinien gezwungen. Eine geeignete Ausrichtung und Abstimmung des Magnetfeldes bzw. der Magnetfelder hält die Ladungsträger gezielt z.B. von Flächen der Vorrichtung fern.
  • Aufgrund der temperaturbedingten statistischen Energieverteilung der Ladungsträger im Plasma können eventuell Ladungsträger eine so hohe Geschwindigkeit aufweisen, dass sie die Vorrichtung trotz des Magnetfeldes erreichen. Auch diese Ladungsträger werden aber durch das inhomogene Magnetfeld zumindest abgebremst, bevor sie das zu schützende Bauteil erreichen und dort dementsprechend weniger Schaden anrichten. Die Lebensdauer der Vorrichtung wird erhöht und die Kosten der EUV-Lithographie werden gesenkt.
  • Bevorzugt werden die Ladungsträger das Plasmas am inhomogenen Magnetfeld gespiegelt, d.h. ihre lineare Vorwärtsbewegung wird umgekehrt. Beim Eindringen in Bereiche zunehmender Magnetfeldstärke werden die Ladungsträger abgebremst. Dadurch werden sie wieder an den Ort des Plasmas zurückbewegt und die Aufenthaltsdauer der Ladungsträger im Bereich des EUV-Plasmas wird erhöht. Dies vergrößert die Stoßwahrscheinlichkeit der Elektronen mit den Atomen und Ionen des Plasmas und somit den Energieübertrag der Elektronen auf die Atome bzw. Ionen. Der Ionisationsgrad des Plasmas, die Rekombination der Ionen mit den Elektronen und dadurch die Strahlungsleistung des Plasmas wird verbessert. Bewegen sich die Ladungsträger in Bereiche abnehmender Magnetfeldstärke, so werden diese beschleunigt und entlang der Magnetfeldlinien aus dem kritischen Bereich der Vorrichtung entfernt.
  • Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn mindestens ein Magnetfeld so lokalisiert und erzeugt wird, dass die Funktion der Vorrichtung von Wirkungen des Magnetmittels abgeschirmt ist. Dies geschieht durch eine entsprechende Anordnung der/des Magnetmittels, z.B. neben oder hinter dem/den Bauteil/en.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung weisen als Magnetmittel mindestens einen Permanentmagneten, mindestens eine Spule, mindestens eine Spule mit einem Polschuh und/oder mindestens einen Elektromagneten auf. Mit diesem Mittel kann ein besonders starkes Magnetfeld erzeugt werden. Auch ist vorteilhaft, wenn mindestens ein Magnetmittel einen supraleitenden Magneten aufweist.
  • Dabei ist es vorteilhaft, wenn mindestens ein Magnetmittel in und/oder an einem Einlassmittel für eine plasmabildende Substanz angeordnet ist. Dieses Einlassmittel ist beispielsweise ein Düse. Die Gestaltung des Einlassmittels hängt u.a. von dem Aggregatzustand des Targets (gas, flüssig oder fest) ab.
  • Das inhomogene Magnetfeld kann besonders effizient zum Schutz der Vorrichtung dienen, wenn mindestens ein Magnetmittel konzentrisch zur Eintrittsrichtung der plasmabildenden Substanz angeordnet ist. Dabei wird beispielsweise das Einlassmittel der Vorrichtung geschützt, wenn die Vorrichtung ein Einlassmittel aufweist, sowie gegebenenfalls eine um das Einlassmittel angebrachte Spiegelvorrichtung.
  • Bevorzugt ist mindestens ein zum Einlassmittel azentrisches Magnetmittel vorgesehen. Dies kann alternativ oder zusätzlich als Magnetmittel eingesetzt werden, um ein inhomogenes Magnetfeld zu erzeugen oder ein Magnetfeld zu verstärken.
  • Mit Vorteil dient mindestens eine Spiegelvorrichtung zum Auffangen der vom Plasma emittierten EUV-Strahlung.
  • Bevorzugt weist die Spiegelvorrichtung mindestens teilweise eine Mehrlagenschicht auf.
  • Bevorzugte Ausgestaltungen des Strahlungssystems sehen vor, dass mindestens ein Magnetmittel auf der vom Plasma abgewandten Seite der Spiegelvorrichtung ausgebildet ist. Dadurch wird die Spiegelfunktion der Spiegelvorrichtung nicht durch ein Material im Strahlengang beeinträchtigt.
  • Besonders bevorzugt sind mehrere auf der vom Plasma abgewandten Seite der Spiegelvorrichtung ausgebildete Magnetmittel zumindest teilweise der Form der Spiegelvorrichtung angepasst. Beispielsweise können Permanentmagneten so hergestellt werden, dass sie sich der Form der Spiegelvorrichtung anpassen.
  • Mit Vorteil sind die zumindest teilweise der Form der Spiegelvorrichtung angepassten Magnetmittel in geringem Abstand zur Spiegelvorrichtung angeordnet. So werden unerwünschte Wechselwirkungen zwischen der Spiegelvorrichtung und den Magnetmitteln minimiert, wie beispielsweise die Verzerrung der Spiegelvorrichtung durch die Gewichtskraft der Magnetmittel.
  • Zur vorteilhaften Erzeugung eines geeigneten inhomogenen Magnetfeldes weisen die zumindest teilweise der Form der Spiegelvorrichtung angepassten Magnetmittel alle mit dergleichen magnetischen Polung zur Spiegelvorrichtung. Dadurch wird verhindert, dass sich die Feldlinien der Magnetmittel auf engem Raum kurzschließen und dadurch Teilchen in einen Bereich zwischen zwei von benachbarten, unterschiedlich gepolten Magnetmitteln erzeugten Magnetfeldern im wesentlichen ungebremst eindringen können.
  • Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung weist ein Magnetmittel mit einer Steuerungsvorrichtung zur Erzeugung eines zeitlich veränderlichen, insbesondere gepulsten Magnetfeldes auf. Das Plasma lässt sich durch zeitlich und räumlich veränderliche Magnetfelder besonders effizient einschnüren.
  • Eine vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung weist ein Lasermittel und/oder ein bespielsweiese elektrisches Entladungsmittel zur Erzeugung des Plasmas aus einem gasförmigen, festen oder flüssigem Targetmittel, insbesondere Xenon, Lithium, Gold und/oder Zinn auf.
  • Ein vorteilhaftes Lasermittel ist ein gepulster Nd:YAG Laser.
  • In Vorteilhafterweise wird das Plasma vor der Austrittsöffnung eines Einlassmittels gebildet, insbesondere vor einer Düse.
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung mit einem Magnetmittel, das konzentrisch um ein Einlassmittel angeordnet ist;
  • 2a in einem Diagramm die Abhängigkeit der Elektronzyklotronradien von der Elektronenenergie und der magnetischen Induktion;
  • 2b in einem Diagramm die Abhängigkeit der Xenonionenzyklotronradien vom Ionisationszustand der Xenonionen und der magnetischen Induktion;
  • 3 eine schematische Darstellung von positiv geladenen Ionen in einem inhomogenen Magnetfeld;
  • 4 eine schematisch dargestellte Anordnung von Magnetmitteln auf der Rückseite einer Spiegelvorrichtung, hier als planarer Mehrlagenspiegel dargestellt, als Vorrichtung zur Beeinflussung von EUV-Strahlung;
  • 5a eine schematische Darstellung einer aus Segmenten zusammengesetzten Spiegelvorrichtung als Vorrichtung mit Magnetmitteln, die der Form der Spiegelvorrichtung angepasst sind in perspektivischer Ansicht; und
  • 5b eine schematische Darstellung der Spiegelvorrichtung der 5a in axialer Draufsicht.
  • Bevor auf die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung eingegangen wird, sollen anhand der 2a, 2b und 3 die physikalischen Grundlagen erläutert werden.
  • In 3 ist ein Schnitt durch ein in etwa kegelförmig und um eine nicht dargestellte Mittelachse kreissymmetrisch ausgebildetes, statisches inhomogenes Magnetfeld 11 schematisch dargestellt. Die Figur zeigt die bekannte Bewegung eines ersten positiv geladenen Ions I1 und eines zweiten positiv geladenen Ions I2.
  • Die durch Pfeile dargestellten Feldlinien des Magnetfeldes 11 verdichten sich in Richtung der Verjüngung des Kegels, die Magnetfeldstärke nimmt in Richtung der Verjüngung zu. Das Magnetfeld weist demnach einen Gradienten auf. Das erste positiv geladene Ion I1 bewegt sich in einer durch einen Pfeil dargestellten Spiralbewegung in Richtung auf die Verstärkung des Magnetfeldes 11. Die Spiralbewegung kommt durch die Überlagerung einer Kreisbewegung und einer Liniearbewegung zustande und wird durch die Lorentzkraft KL = qv⊥Bverursacht. Dabei bezeichnet KL den Betrag der Lorentzkraft in Richtung der Verbreiterung des Kegels, q die Ladung des Ions, v⊥ die Geschwindigkeitskomponente des Ions, die senkrecht auf dem Magnetfeld steht, und B die magnetische Induktion am Ort des Ions I1.
  • Setzt man den Betrag der Lorentzkraft KL gleich dem Betrag der Zentrifugalkraft KZ = mv2⊥ /r(wobei m für die Masse des Ions steht), so ergibt sich der Radius r der Kreisbahn zu
    Figure 00080001
  • Die Überlagerung dieser Kreisbewegung mit der zum Magnetfeld B parallelen Geschwindigkeitskomponente v führt zu einer Spiralbahn um die magnetischen Feldlinien. Das kreisende Ion weist ein magnetisches Moment
    Figure 00090001
    auf, welches eine adiabatische Invariante, d.h. konstant ist für hinreichend langsam veränderliche Magnetfelder.
  • Bewegt sich ein Teilchen wie das Ion I1 in 3 in einen Bereich größerer Feldstärke, so nehmen die senkrechte Geschwindigkeit v⊥ und der senkrechte Anteil der kinetische Energie E⊥ = ½mv⊥ zu, während wegen der Energieerhaltung die Vorwärtsbewegung entlang der Feldlinien verzögert wird und der parallele Anteil der kinetischen Energie abnimmt. Da sich die kinetische Energie so verlagert, dass der parallele Geschwindigkeitsanteil durch das Magnetfeld in einen senkrechten Geschwindigkeitsanteil umgewandelt wird, nennt man die wirkende Kraft auch "Spiegelkraft", welche bei axialer Symmetrie des Magnetfeldes durch
    Figure 00090002
    gegeben ist (vgl. hierzu S. D. Pinches, "Nonlinear Interactions of Fast Particles with Alfen Waves in Tokamaks", http://www.rzg.mpg.de/~sip/thesis/thesis.html). Die z-Richtung ist hierbei die Richtung, in die sich das Magnetfeld verstärkt. An der Bewegung des Ions I1 ist die Wirkung der Spiegelkraft daran zu erkennen, dass die Höhe der Spiralbahn abnimmt, wobei die Kreisbahn selbst enger wird.
  • Das zweite positiv geladene Ion I2 bewegt sich in Richtung abnehmender Feldstärke, wobei die Höhe der Spiralbahnen sowie der Kreisbahnradius zunimmt.
  • Bei hinreichend großem Gradienten des Magnetfeldes und v⊥/v-Verhältnis wird die parallele Geschwindigkeitskomponente v des Ions gleich Null und wächst mit entgegengesetzten Vorzeichen wieder an, d.h. das Teilchen wird reflektiert und in die Richtung kleinerer Felder bewegt.
  • Die Spiegelkraft wirkt gleichermaßen auf Teilchen mit positiver und negativer Ladung.
  • Die 2a zeigt in einem Diagramm die Abhängigkeit der Elektronzyklotronradien von der Elektronenenergie und der magnetischen Induktion. Dabei ist auf der x-Achse die Elektronenenergie zwischen 0 eV und 35 eV aufgetragen, auf der y-Achse der Elektronzyklotronradius zwischen 0 μm und 20 μm. Es sind insgesamt vier Verläufe dargestellt, in Abhängigkeit von der magnetischen Induktion B. Für eine magnetische Induktion B von einem Tesla liegen die Radien für etwa 1 eV bei ca. 3 μm, für 30 eV bei etwas über 18 μm. Mit steigender magnetischer Induktion werden die Radien kleiner, bei 10 Tesla ist der größte errechnete Elektronzyklotronradius bei einer Elektronenergie von 30 eV kleiner als 2 μm.
  • Dem Diagram der 2a kann entnommen werden, dass bei typischen Elektronenenergiewerten im Plasma von 1-10 eV ein B-Feld von 1 Tesla ausreicht, um die Elektronenradien auf maximal ca. 10 μm zu halten. Damit sind die Radien wesentlich kleiner als die Dimension des Plasmas (ca. 1 mm) und der Reichweite der magnetischen Felder. Die Folge ist eine große Anzahl von Kreisbewegungen der Elektronen im Magnetfeld. Sie werden im Magnetfeld gehalten, bis sie mit Ionen rekombinieren oder das Magnetfeld entlang der Feldlinien im Bereich abnehmender Feldstärke verlassen.
  • Ähnliches gilt für die positiven Ionen, beispielsweise die zur EUV-Strahlung häufig verwendeten Xenonionen. Der Magneteffekt ist hier schwächer ausgeprägt, was sich in größeren Zyklotronradien zeigt.
  • Die 2b zeigt in einem Diagramm die Abhängigkeit der Xenonionenzyklotronradien von der Ionisationsstufe der Xenonionen und der magnetischen Induktion. Auf der x-Achse ist die Ionisationsstufe zwischen 0 und 12 aufgetragen, auf der y-Achse die Xenonionenzyklotronradien zwischen 0 μm und 400 μm. Dabei wurden die Berechnungen für kalte Xenonionen durchgeführt, die eine Energie von 0.05 eV aufweisen, was einer Temperatur von etwa 580 K entspricht.
  • Auch hier sind die Radien für eine magnetische Induktion von 1 Tesla am größten und liegen zwischen 370 μm und 40 μm, je nach Ionisationsstufe. Dabei sind die Radien umso kleiner, je höher die Ionisationsstufe ist. Bei stärkeren Magnetfeldern wie etwa bei 10 Tesla sind die Radien kleiner als 40 μm. Diese kalten Xenonionen werden ebenfalls im Plasma gehalten. Bei heißen Xenonionen (mit Energien von 30 eV, entsprechend einer Temperatur von 3,5·105 K) liegen die Radien im Millimeterbereich. Deswegen verlassen diese Xenonionen zwar das Plasma, werden aber durch die Magnetfelder über den gesamten Abstand zwischen Plasma und zu schützendem Bauteil abgelenkt, abgebremst oder sogar reflektiert, so dass deren schädigende Wirkung gemindert wird. Die Abstände von Plasma und Kollektorspiegel liegen üblicherweise im Dezimeterbereich.
  • Die 1 zeigt in einer schematische Darstellung eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
  • Die Vorrichtung ist hier ein Strahlungssystem 1, das hier eine Strahlungsquelle und zugehörige Komponenten, wie eine Spiegelvorrichtung zur Fokussierung der Strahlung aufweist.
  • In der Mitte befindet sich das Plasma 3, welches beispielsweise auf Xenon basiert, das als Strahl über ein Einlassmittel 12 (hier als Austrittsdüse ausgestaltet) zugeführt und beispielsweise wie bei einer LPP-Quelle durch einen gepulsten Laserstrahl angeregt wird.
  • Diese Austrittsdüse 12 ist konzentrisch von einem ferromagnetischen Permanentmagneten 10 als Magnetmittel umgeben, der ein durch Magnetfeldlinien dargestelltes inhomogenes Magnetfeld 11 erzeugt. Hier weist der magnetische Nordpol des Permanentmagneten in Richtung Plasma, allerdings könnte dies ebenso gut der magnetische Südpol sein. Das Magnetfeld 11 ist am stärksten am Ort der Austrittsdüse 12 und wird schwächer entlang der Strahlrichtung des durch die Austrittsdüse 12 eingelassenen Strahls 15. Im besonderen verlaufen die Magnetfeldlinien des Magnetfeldes 11 auch durch das Plasma 3.
  • Konzentrisch um die Austrittsdüse 12 ist ein im Wesentlichen halbkugelförmiger oder parabolischer Kollektorspiegel 5 als Spiegelvorrichtung angebracht. Dieser Kollektorspiegel 5 ist vorzugsweise ein Mehrlagenspiegel und dient zum Bündeln der durch das Plasma 3 emittierten EUV-Strahlung.
  • Ein als Xen+ bezeichnetes Xenonion bewegt sich auf einer durch einen Pfeil dargestellten Spiralbahn um eine Magnetfeldlinie vom Plasma 3 weg in eine Richtung, in der es nicht mehr in Kontakt zum Kollektorspiegel 5 treten kann.
  • Zwei mit e– bezeichnete Elektronen bewegen sich ebenfalls in immer größer werdenden Spiralbahnen um jeweils eine Feldlinie von Plasma weg, auf die der Austrittsdüse 12 gegenüberliegende Seite und in Richtung abnehmender Magnetfeldstärke.
  • Die Spiegelkraft wirkt auf Elektronen ebenso wie auf Ionen in die gleiche Richtung und ist vom Vorzeichen der Ladung unabhängig.
  • In einer anderen Ausgestaltungsform weist das Strahlungssystem zusätzlich oder alternativ auch azentrisch ein oder mehrere Magnetmittel auf, die ein inhomogenes Magnetfeld erzeugen. Durch diese Magnetmittel kann die Abschirmwirkung verstärkt werden.
  • Eine andere, nicht dargestellte Ausgestaltungsform umfasst ein Einlassmittel wie die Einlassdüse 12 mit Magnetmitteln ohne Spiegelvorrichtung.
  • Die 4 zeigt eine schematisch dargestellte Anordnung von von Ferromagneten 10 als Magnetmittel auf der Rückseite einer Spiegelvorrichtung, hier als planarer Mehrlagenspiegel 5 dargestellt, als erfindungsgemäße Vorrichtung zur Beeinflussung von EUV-Strahlung.
  • Der Mehrlagenspiegel 5 ist in der 4 planar dargestellt, obwohl er eigentlich wie in 1 eine konkave, insbesondere sphärische oder parabolische Form aufweist. Auf der dem Plasma abgewandten Seite des Mehrlagenspiegels 5 sind einige Ferromagneten 10 so angeordnet, dass sie alle mit dergleichen Polung (hier mit dem magnetischen Nordpol) in Richtung zum Mehrlagenspiegel 5 weisen und ein inhomogenes Magnetfeld 11 auf der dem (hier nicht dargestellten) Plasma zugewandten Seite des Mehrlagenspiegels 5 erzeugen.
  • Die Magnetfeldlinien sind in der Zeichnung als Pfeile dargestellt. Das Magnetfeld 11 ist am stärksten an den den Ferromagneten gegenüberliegenden Stellen auf der dem Plasma zugewandten Seite des Mehrlagenspiegels an den Stellen, an denen die Magnetfeldlinien am engsten beeinander liegen und nimmt in Richtung zum Plasma ab. Damit ergibt sich wie in 1 eine reflektierende Wirkung des inhomogenen Magnetfelds 11 auf Ladungsträger des Plasmas.
  • Durch die parallele Ausrichtung der Ferromagneten 10 wird verhindert, dass sich die Feldlinien zwischen den Ferromagneten auf kurzem Wege schließen und dadurch dort Bereiche kleiner Feldgradienten entstehen, die nur geringe Spiegelkräfte auf geladene Teilchen ausüben.
  • Die Ferromagnete 10 haben hier eine zylindrische Form und sind in geringem Abstand zum Mehrlagenspiegel 5 angeordnet. Dabei sind sie so ausgestaltet, dass sie sich seiner Außenform anpassen. Ein direkter Kontakt der Ferromagnete 10 mit dem Mehrlagenspiegel 5 ist nicht vorhanden, um Verzerrungen durch ihre Gewichtskraft und die magnetischen Kräfte zwischen den Ferromagneten zu vermeiden. Ebenso enthält der Mehrlagenspiegel 5 keine ferromagnetischen Bestandteile, damit kein Wechselwirkung zwischen den Ferromagneten 10 und dem Mehrlagenspiegel 5 entsteht. Obwohl kein mechanischer Kontakt besteht, ist der Abstand möglichst gering gehalten, damit das Magnetfeld 11 vor dem Mehrlagenspiegel 5 möglichst stark ist.
  • In einer anderen, nicht dargestellten Ausgestalltungsform weist die Vorrichtung wie in 1 eine Strahlungsquelle, eine Einlassdüse und eine Spiegelvorrichtung auf, wobei die Ferromagneten aus 4 zusätzlich oder alternativ zu den Magnetmitteln der 1 angebracht sein.
  • Die 5a und 5b zeigen eine schematische Darstellung eines aus Segmenten zusammengesetzten Kollektorspiegels 5 als Vorrichtung mit Ferromagneten 10 als Magnetmittel in perspektivischer Ansicht bzw. in axialer Draufsicht. Der hier dargestellte Kollektorspiegel 5 ist aus mehreren Segmenten zusammengesetzt, die separat und in jeweils schmalen Abständen zueinander gehaltert werden. Insgesamt ist der Kollektorspiegel 5 wieder in etwa halbkreisförmig ausgebildet. In 5a ist nur ein Ferromagnet 10 dargestellt, um die prinzipielle Anordnung zu zeigen. In einer tatsächlichen Ausgestaltung kann beispielsweise jedes Segment des Kollektorspiegels 5 mit einem Ferromagneten versehen sein, oder aber auch unabhängig von den Kollektorspiegeln 5 mehrere Ferromagneten 10 auf der dem Plasma abgewandten Seite des Kollektorspiegels 5 angebracht sein.
  • In 5b ist zudem noch der Verlauf der Feldlinien des inhomogenen Magnetfeldes 11 durch Pfeile dargestellt. Wieder sind alle Ferromagneten 10 parallel gepolt. Die Form der Feldlinien entspricht der aus 4, wobei allerdings hier der Kollektorspiegel 5 in seiner richtigen Form dargestellt ist und das Magnetfeld 11 dementsprechend verformt ist.
  • Die Ferromagneten 10 sind möglichst nahe am Kollektorspiegel 5 angeordnet, ohne ihn zu berühren. Das resultierende inhomogene Magnetfeld 11, welches in der Nähe des Kollektorspiegels 5 stärker als in Richtung zum nicht dargestellten Plasma ist, spiegelt positive und negative Ladungsträger und schützt dadurch den Mehrlagenspiegel 5.
  • Eine möglichst spitze Ausgestaltung der Pole der Ferromagneten 10 resultiert in großen Magnetfeldgradienten und Spiegelkräften.
    •
    • 1
    Strahlungssystem
    3
    Plasma
    5
    Spiegelvorrichtung
    10
    Magnetmittel
    11
    inhomogenes Magnetfeld
    12
    Einlassmittel
    15
    Strahl
    I1
    erstes positiv geladenes Ion
    I2
    zweites positiv geladenes Ion

Claims (18)

  1. Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas für die lithographische Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere zur Erzeugung und/oder Reflexion von EUV-Strahlung für die EUV-Lithographie, gekennzeichnet durch ein Magnetmittel (10) zur Erzeugung mindestens eines inhomogenen Magnetfeldes (11) als Mittel zur gezielten Abschirmung von Ladungsträgern des Plasmas (3) von mindestens einer Fläche der Vorrichtung (1; 5; 12) und/oder eines anderen Bauteils (5; 12).
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ladungsträger des Plasmas (3) am inhomogenen Magnetfeld (11) gespiegelt werden.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Magnetfeld so lokalisiert und erzeugt wird, dass die Funktion der Vorrichtung (1; 5; 12) von Wirkungen des Magnetmittel (10) abgeschirmt ist.
  4. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Magnetmittel (10) mindestens einen Permanentmagneten, mindestens eine Spule, mindestens eine Spule mit einem Polschuh und/oder mindestens einen Elektromagneten aufweist.
  5. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Magnetmittel (10) einen supraleitenden Magneten aufweist.
  6. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Magnetmittel (10) in und/oder an einem Einlassmittel (12) für eine plasmabildende Substanz angeordnet ist.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Magnetmittel (10) konzentrisch zur Eintrittsrichtung der plasmabildenden Substanz angeordnet ist.
  8. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche gekennzeichnet durch mindestens ein zum Einlassmittel (12) azentrisches Magnetmittel (10).
  9. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, gekennzeichnet durch mindestens eine Spiegelvorrichtung (5) zum Auffangen der vom Plasma (3) emittierten EUV-Strahlung.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelvorrichtung (5) mindestens teilweise eine Mehrlagenschicht aufweist.
  11. Vorrichuntung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Magnetmittel (10) auf der vom Plasma (3) abgewandten Seite der Spiegelvorrichtung (5) ausgebildet ist.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Magnetmittel (10) auf der vom Plasma (3) abgewandten Seite der Spiegelvorrichtung (5) der Strahlungsquelle (1) ausgebildet sind, die zumindest teilweise der Form der Spiegelvorrichtung (5) angepasst sind.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest teilweise der Form der Spiegelvorrichtung (5) angepassten Magnetmittel (10) in geringem Abstand zur Spiegelvorrichtung (5) angeordnet sind.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest teilweise der Form der Spiegelvorrichtung (5) angepassten Magnetmittel (10) alle mit der gleichen magnetischen Polung zur Spiegelvorrichtung (5) weisen.
  15. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Magnetmittel (10) eine Steuerungsvorrichtung zur Erzeugung eines zeitlich veränderlichen, insbesondere gepulsten inhomogenen Magnetfeldes (11) aufweist.
  16. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, gekennzeichnet durch ein Lasermittel und/oder ein Entladungsmittel zur Erzeugung des Plasmas (3) aus einem gasförmigen, festen oder flüssigem Targetmittel, insbesondere Xenon, Lithium, Gold und/oder Zinn.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Lasermittel als gepulster Nd:YAG Laser ausgebildet ist.
  18. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma (3) vor der Austrittsöffnung eines Einlassmittels (12) ausgebildet ist, insbesondere vor einer Düse.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10325151B4 (de) * 2003-05-30 2006-11-30 Infineon Technologies Ag Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beeinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas
JP4954584B2 (ja) * 2006-03-31 2012-06-20 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置
US8901521B2 (en) 2007-08-23 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Module and method for producing extreme ultraviolet radiation
NL1036803A (nl) * 2008-09-09 2010-03-15 Asml Netherlands Bv Radiation system and lithographic apparatus.
JP5559562B2 (ja) 2009-02-12 2014-07-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光光源装置
DE102011086328A1 (de) 2011-11-15 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel zum Einsatz zur Führung von Beleuchtungs- und Abbildungslicht in der EUV-Projektionslithografie
IL226105A (en) * 2013-01-16 2014-05-28 Orteron T O Ltd A device and method to produce a strange plasma
US10266802B2 (en) * 2013-01-16 2019-04-23 Orteron (T.O) Ltd. Method for controlling biological processes in microorganisms

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1929240A1 (de) * 1968-06-12 1969-12-18 Int Standard Electric Corp Gesteuerter thermo-nuklearer Reaktor mit einer magnetischen Falle
US4152625A (en) * 1978-05-08 1979-05-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Plasma generation and confinement with continuous wave lasers
US4553256A (en) * 1982-12-13 1985-11-12 Moses Kenneth G Apparatus and method for plasma generation of x-ray bursts
US4635282A (en) * 1984-02-14 1987-01-06 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. X-ray source and X-ray lithography method
US4837794A (en) * 1984-10-12 1989-06-06 Maxwell Laboratories Inc. Filter apparatus for use with an x-ray source
DE3688946T2 (de) * 1985-04-30 1994-01-13 Nippon Telegraph & Telephone Röntgenstrahlungsquelle.
US5680429A (en) * 1995-01-18 1997-10-21 Shimadzu Corporation X-ray generating apparatus and X-ray microscope

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4028547A (en) * 1975-06-30 1977-06-07 Bell Telephone Laboratories, Incorporated X-ray photolithography
US4746799A (en) * 1986-07-30 1988-05-24 Mcmillan Michael R Atomic jet radiation source
JPH05243112A (ja) * 1991-07-10 1993-09-21 Ims Ionen Mikrofab Syst Gmbh イオン光学描写装置
US6744060B2 (en) * 1997-05-12 2004-06-01 Cymer, Inc. Pulse power system for extreme ultraviolet and x-ray sources
US6815700B2 (en) * 1997-05-12 2004-11-09 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
JPH10335096A (ja) * 1997-06-03 1998-12-18 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US6989546B2 (en) * 1998-08-19 2006-01-24 Ims-Innenmikrofabrikations Systeme Gmbh Particle multibeam lithography
DE19930755A1 (de) * 1999-07-02 2001-01-04 Jens Christiansen Hochfrequenz angeregte Gaslaser mit Plasmaeinschluß durch magnetische Multipolfelder
US6377651B1 (en) * 1999-10-11 2002-04-23 University Of Central Florida Laser plasma source for extreme ultraviolet lithography using a water droplet target
JP3433151B2 (ja) 2000-01-31 2003-08-04 株式会社日立製作所 レーザプラズマｘ線源
US6873113B2 (en) * 2000-04-13 2005-03-29 Tokyo Electron Limited Stand alone plasma vacuum pump
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
US7180081B2 (en) * 2000-06-09 2007-02-20 Cymer, Inc. Discharge produced plasma EUV light source
US6904073B2 (en) * 2001-01-29 2005-06-07 Cymer, Inc. High power deep ultraviolet laser with long life optics
US6870320B2 (en) * 2000-08-17 2005-03-22 Gesellschaft Fuer Schwerionenforschung Gmbh Device and method for ion beam acceleration and electron beam pulse formation and amplification
US6611106B2 (en) * 2001-03-19 2003-08-26 The Regents Of The University Of California Controlled fusion in a field reversed configuration and direct energy conversion
US6922019B2 (en) * 2001-05-17 2005-07-26 The Regents Of The University Of California Microwave ion source
US6876154B2 (en) * 2002-04-24 2005-04-05 Trikon Holdings Limited Plasma processing apparatus
US6825475B2 (en) * 2002-09-19 2004-11-30 Applied Materials Israel, Ltd. Deflection method and system for use in a charged particle beam column
SG129259A1 (en) * 2002-10-03 2007-02-26 Asml Netherlands Bv Radiation source lithographic apparatus, and device manufacturing method
US7002168B2 (en) * 2002-10-15 2006-02-21 Cymer, Inc. Dense plasma focus radiation source
US6806651B1 (en) * 2003-04-22 2004-10-19 Zond, Inc. High-density plasma source
DE10325151B4 (de) * 2003-05-30 2006-11-30 Infineon Technologies Ag Vorrichtung für die Erzeugung und/oder Beeinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas
US7423275B2 (en) * 2004-01-15 2008-09-09 Intel Corporation Erosion mitigation for collector optics using electric and magnetic fields

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1929240A1 (de) * 1968-06-12 1969-12-18 Int Standard Electric Corp Gesteuerter thermo-nuklearer Reaktor mit einer magnetischen Falle
US4152625A (en) * 1978-05-08 1979-05-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Plasma generation and confinement with continuous wave lasers
US4553256A (en) * 1982-12-13 1985-11-12 Moses Kenneth G Apparatus and method for plasma generation of x-ray bursts
US4635282A (en) * 1984-02-14 1987-01-06 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. X-ray source and X-ray lithography method
US4837794A (en) * 1984-10-12 1989-06-06 Maxwell Laboratories Inc. Filter apparatus for use with an x-ray source
DE3688946T2 (de) * 1985-04-30 1994-01-13 Nippon Telegraph & Telephone Röntgenstrahlungsquelle.
US5680429A (en) * 1995-01-18 1997-10-21 Shimadzu Corporation X-ray generating apparatus and X-ray microscope

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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