DE10323295A1 - Vakuumbeschichtungsanlage zur Beschichtung von Substraten - Google Patents

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    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations

Abstract

Der Erfindung, die eine Vakuumbeschichtungsanlage zur Beschichtung von Substraten mit einer ersten Prozesskammer einschließlich einer ersten Prozessstation, einer Ein- und Ausgabeschleuse und einem Antriebsmittel zur Bewegung des Substrats betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, den apparatetechnischen Aufwand und den Platzbedarf für den Antrieb der Substrate und der Abschirmbleche zu verringern und gleichzeitig günstigere Bewegungsabläufe für eine verbesserte Schichtenvariation und Schichtqualität zu gestalten. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass das Antriebsmittel ein Vakuumroboter (5) ist, der in der ersten Prozesskammer (1) angeordnet ist und zur Prozessstation und der Ein- und Ausgabeschleuse bewegbar ist (Fig. 1).

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vakuumbeschichtungsanlage zur Beschichtung von Substraten mit einer ersten Prozesskammer einschließlich einer ersten Prozessstation, einer Ein- und Ausgabeschleuse und einem Antriebsmittel zur Bewegung des Substrats.
  • In der industriellen Fertigung sind sowohl In-Line-Beschichtungsanlagen wie auch kompakte Cluster-Beschichtungsanlagen dieser Art zum Beispiel für die PVD-Beschichtung (Physical Vapour Deposition) bekannt. Mit diesem PVD-Verfahren werden keramische oder andere Hartstoff-Schichten auf ein metallisches Substrat aufgedampft, wobei das Schichtmaterial in einem physikalischen Prozess unter Vakuumbedingungen aus einem Target einer Magnetron-Sputterquelle herausgelöst wird.
  • Bei den In-Line-PVD-Beschichtungsanlagen sind die Behandlungseinheiten, wie zum Beispiel eine Eingabeschleuse, eine oder mehrere Prozesskammern mit einer oder mehreren Prozessstationen und einer Ausgabeschleuse in Bewegungsrichtung des Substrates nacheinander angeordnet. Das Antriebsmittel für die Bewegung der Substrate ist meist ein Transportrollenbandsystem, welches durch alle Behandlungseinheiten hindurch führt.
  • Die nacheinander bestückten Substrate passieren die Behandlungseinheiten der Beschichtungsanlage geradlinig und in einheitlicher Geschwindigkeit, was zu einer sehr guten Schichtenhomogenität führt. Es ist jedoch apparatetechnisch sehr aufwendig und technologisch schwierig Variationen in den Schichteigenschaften bei Substraten mit Mehrfachschichten zu realisieren. So ist es für die Einstellung einer besonders großen Schichtdicke von einem Material erforderlich, geringe Transportbandgeschwindigkeiten zu fahren und/oder mehrere gleichartige Sputterquellen oder gar Beschichtungskammern hintereinander zu schalten. An den übrigen aktiven oder inaktiven Prozessstationen, kann es dabei zu unnötig langen Verweilzeiten der Substrate kommen. Die Realisierung verschiedener Schichteigenschaften mit ein und derselben Inline-Beschichtungsanlage ist daher nicht immer wirtschaftlich.
  • Die als Cluster ausgeführten PVD-Beschichtungsanlagen besitzen ein zentrale Handlerkammer und daran angeflanscht mindestens eine Prozesskammer und eine Substratschleuse. Mittels eines sogenannten Handlers, einem Vakuumroboter, der in der zentralen Vakuumkammer positioniert ist, werden zu beschichtende Teile individuell entsprechend des programmierten Beschichtungsablaufes von der Schleuse zu der jeweiligen Prozesskammer transportiert und an ein weiteres Antriebssystem übergeben und umgekehrt. Innerhalb der Prozesskammer werden diese Substrate mittels des weiteren Antriebes relativ zu den Targets der Sputterquellen bewegt, um eine einzustellende Schichteigenschaft, insbesondere eine gleichmäßige Schichtdicke zu erzielen. Mit der programmierbaren Zuordnung der einzelnen Substrate zu den verschiedenen Prozesskammern in der Reihenfolge und Verweildauer ergibt sich eine Vielzahl an Beschichtungsvariationen. Die Relativbewegung zwischen Substrat und Sputterquelle in der jeweiligen Prozesskammer wird in der Regel durch eine Drehbewegung eines angetriebenen Drehtellers, auf dem die Substrate angeordnet sind, realisiert. Bei einem abwechselnden Betrieb mehrerer Sputterquellen in einer Prozesskammer werden weitere mechanische Antriebe zur Bewegung von Blenden, z.B. Drehblenden, zwecks Abschirmung der inaktiven Sputterquellen erforderlich, um deren Kontamination mit Sputtermaterial zu vermeiden.
  • Nachteilig an diesen Cluster Beschichtungsanlagen ist der apparatetechnische Aufwand und Platzbedarf für die spezifischen Antriebe einerseits für den Substrattransport und andererseits für die Relativbewegung der Substrate an den jeweiligen Sputterquellen und des weiteren gegebenenfalls für die Bewegung der Abschirmbleche. Darüber hinaus erzeugt die Drehbewegung der Substrate relativ zu den Sputterquellen Probleme bei der Homogenität der Schichtdickenverteilung auf den Substraten. Der zentrisch angetriebene Drehteller erzeugt eine kreisförmige Bewegung, mit der die Substrate die Targetflächen mehrerer strahlenförmig um den Drehpunkt des Drehtellers angeordneter Sputterquellen in einem bestimmten Abstand überstreichen. Dabei entsteht eine Abhängigkeit der Schichtdickenverteilung auf dem Substrat vom Radius der Rotationsbewegung jeden Flächenpunktes des Substrates. Diese zwar geringe Inhomogenität in der Schichtdickenverteilung genügt jedoch heutigen Qualitätsansprüchen häufig nicht mehr. Darüber hinaus werden gewöhnlich Beschichtungsquellen mit einer runden Targetfläche im Rotationsfeld des Drehtellers angeordnet, um größere Leerräume zwischen den Beschichtungsquellen, die bei der strahlenförmigen Anordnung von Beschichtungsquellen mit rechteckiger Targetfläche entstehen würden, platzsparend zu vermeiden. Damit geht jedoch einher, dass bedingt durch die runden Abmaße der Targets und die geringere Sputterrate im Außenkreis der Targets die Schichtdickenverteilung auf den Substraten zusätzlich ungünstig beeinflusst wird.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde bei einer Vakuumbeschichtungsanlage zur Beschichtung von Substraten den apparatetechnische Aufwand und den Platzbedarf für den Antrieb der Substrate und der Abschirmbleche zu verringern und gleichzeitig günstigere Bewegungsabläufe für eine verbesserte Schichtenvariation und Schichtqualität zu gestalten.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass das Antriebsmittel zur Bewegung des Substrates ein Vakuumroboter ist, der in der ersten Prozesskammer angeordnet und zur Prozessstation und der Ein- und Ausgabeschleuse bewegbar ist. Der erfindungsgemäße Vakuumroboter übernimmt neben der Funktion, die Substrate zwischen der Schleuse und der Prozessstation zu bewegen, die Erzeugung der Relativbewegung des Substrates in Beziehung zu der Beschichtungsquelle. Damit ist es möglich, die gesonderten Antriebe für die Relativbewegung der Substrate in den Prozesskammern der Cluster- Beschichtungsanlagen einzusparen. Zum Schutze des Vakuumroboters vor Kontamination mit Beschichtungsmaterial werden dazu dessen Bestandteile mit Schutzblechen ausgestattet. Damit wird zum einen die Beschichtungsanlage gegenüber den Cluster- Beschichtungsanlagen wesentlich kompakter und wegen der geringeren mechanischen Antriebssysteme weniger störanfällig. Zum anderen können die Substrate im Vergleich zu den Substraten in den In-Line-Beschichtungsanlagen individueller behandelt werden. Die ansteuerbare Führung des Roboterarmes mit dem daran befestigten Substrat kann neben kreisförmigen Bewegungen auch lineare Bewegungen des Substrates beschreiben, so dass die Relativbewegung des Substrates zur Beschichtungsquelle keine solche rotationsabhängige Abweichungen wie bei der Cluster-Beschichtungsanlage erfährt. Im Ergebnis dieser Bewegungen des erfindungsgemäßen Vakuumroboters und seiner Anordnung werden die verschiedensten homogenen Schichtdicken von hoher Qualität erzielt.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist die erfindungsgemäße Vakuumbeschichtungsanlage als ein Cluster mit einer Handlerkammer und einer zweiten Prozesskammer ausgeführt, wobei die Handlerkammer zugleich die erste Prozesskammer ist. In der zentralen, ersten Prozesskammer ist erfindungsgemäß der Vakuumroboter gemeinsam mit mindestens einer Prozessstation installiert. In Erweiterung dieser Vakuumbeschichtungsanlage können an Flanschen der Prozesskammerwand weitere Prozesskammern mit weiteren Prozessstationen, wie zum Beispiel übliche Prozesskammern der Cluster- Beschichtungsanlagen angeordnet sein, die ebenfalls durch den Vakuumroboter mit Substraten bestückt werden. Somit kann in einer solchen Beschichtungsanlage einen höhere Anzahl an technologischen Prozessen als bisher vereint werden und ihre Einsatzfähigkeit erweitert werden.
  • Bei einer weiteren Ausführung ist eine zweite Prozessstation angeordnet und weisen die Prozessstationen Beschichtungsquellen auf, die wechselseitig abdeckbar sind. Hier ist es möglich, neben der zweiten Prozessstation noch weitere Prozessstationen mit den gleichen Merkmalen anzuordnen. Mit als Blenden gearteten Schutzabdeckungen für die Beschichtungsquellen wird es möglich, in der gleichen Prozesskammer Beschichtungen durch mehrere Beschichtungsquellen mit verschiedenen Beschichtungsmaterialien nacheinander durchzuführen, ohne dass dabei die inaktive Beschichtungsquelle mit Fremdbeschichtungsmaterial kontaminiert wird.
  • Darüber hinaus ist es zweckmäßig, dass der Vakuumroboter zur Bewegung mindestens einer Abdeckblende mit dieser in Wirkverbindung steht. Übernimmt der Vakuumroboter die Führung und Positionierung der Abdeckblenden für die unaktiven Beschichtungsquellen, können auch die speziellen mechanischen Antriebe hierfür, wie zum Beispiel Drehblenden, entfallen. Der Vakuumroboter kann gegebenenfalls sämtliche mechanische Aufgaben in der Vakuumkammer übernehmen, so auch die Positionierung von Abdeckblechen für Ventile und/oder Gasaustrittsöffnungen.
  • Eine vorteilhafte Ausgestaltung sieht vor, dass der Vakuumroboter mindestens einen ansteuerbaren mehrgliedrigen Faltarm aufweist. Damit kann insbesondere auch die lineare Bewegung des Vakuumroboterarmes mit dem daran gehaltenen Substrat in allen Koordinaten und zu nahezu allen Punkten der Vakuumkammer realisiert werden. Dies erlaubt neben einer entfernten Anordnung von Beschichtungsquellen in gegebenenfalls angeflanschten Prozesskammern gleichzeitig auch eine Anordnung von Beschichtungsquellen innerhalb der zentralen Prozesskammer nahe dem zentralen Standort des Vakuumroboters und in jeglicher Ausrichtung, so dass die Vakuumbeschichtungsanlage an Variabilität und Kompaktheit gewinnt. In einer Variation der erfindungsgemäßen Vakuumbeschichtungsanlage werden die Bewegungsabläufe mehrerer Substrate durch die gleichzeitige Verwendung zwei oder mehrere mehrgliedrige Vakuumroboterarme angesteuert, so dass mehrere Substratbehandlungsprozesse gleichzeitig an verschiedenen Prozessorten in der Vakuumbeschichtungsanlage betrieben werden können.
  • Des weiteren ist es vorteilhaft, dass die Prozessstation eine Beschichtungsquelle mit einer rechteckigen Targetfläche aufweist. Die Beschichtungsquellen mit rechteckiger Targetfläche können zu einem Block mit geringen Leerräumen aneinander gereiht werden. Neben dem Vorteil der ökonomischen Raumausnutzung, womit eine hohe Konzentration von Prozessorten innerhalb einer Vakuumkammer erreicht wird, entfallen hierdurch die beschriebenen Störungen in der Schichtdickenverteilung, die bei der Verwendung von Targetflächen mit rundem Grundriss auftreten. Der Vakuumroboter kann ein Substrat in exakt rechtwinkliger Ausrichtung zu den Kantenlinien des jeweiligen rechteckigen Targetgrundrisses über jede der Beschichtungsquellen führen, so dass gleichmäßige Verweilzeiten für die Beschichtung aller Substratflächenpunkte erzeugt werden und somit eine Schichtdickenhomogenität mit einer weiteren erheblichen Qualitätssteigerung erzielt wird.
  • Eine weitere Ausgestaltung sieht vor, dass die erste Prozesskammer mindestens eine Ausbuchtung zum Einschwenken von Substraten und/oder zur Aufnahme von Substraten aufweist. Diese Ausbuchtungen ermöglichen die Substrate vollständig geradlinig über die Targets der Beschichtungsquellen, insbesondere über die am Rand der Vakuumkammer positionierten Targets hinweg zu bewegen, so dass keine Einbuße an der homogenen Schichtenqualität entsteht. Darüber hinaus ist es technologisch von Vorteil, dass in den Ausbuchtungen Substrate im Verlauf eines Beschichtungszyklus zwischengelagert werden können, ohne dass die Substrate einzeln die Schleusen passieren müssen.
  • Darüber hinaus ist es dienlich, dass die erste Prozesskammer einen runden Querschnitt aufweist. Somit bietet die Cluster-Beschichtungsanlage das größtmögliche Platzangebot für die Anflanschung der peripheren Prozesskammern.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vakuumbeschichtungsanlage ist die Bewegungsgeschwindigkeit des Faltarmes programmierbar und steuerbar. Damit ist es möglich verschiedene Geschwindigkeitsprofile insbesondere bei der Relativbewegung des Substrates über die Targetfläche während des Beschichtungsprozesses zu realisieren und dabei bestimmte Schichtdickenprofile zu erzeugen, wie zum Beispiel Schichten mit keilförmigem Querschnitt.
  • Ergänzend ist es günstig, dass der Vakuumroboter ansteuerbar höhenverstellbar ist. Somit kann der Abstand des Substrates zum Target in situ und sogar während des Beschichtungsprozesses ohne weiteren technischen Aufwand variiert werden.
  • Darüber hinaus ist es dienlich, dass der Faltarm thermisch entkoppelt ist. Damit wird eine thermische Belastung des Vakuumroboters durch die auf das Substrat einwirkende und auf den Faltarm weitergeleitete, thermische Prozessenergie weitestgehend vermieden.
  • In einem folgenden Ausführungsbeispiel soll die erfindungsgemäße Vakuumbeschichtungsanlage näher beschrieben werden. Die zugehörige Zeichnung zeigt eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Vakuumbeschichtungsanlage für eine Waferbeschichtung in der Draufsicht.
  • In einer zentralen ersten Prozesskammer 1 sind sechs Längsmagnetrons als Beschichtungsquellen 2, welche Targetflächen 3 mit einem rechteckigen Grundriss aufweisen, eingesetzt. Diese können sowohl im Kammerboden 4 als auch im nicht dargestellten Deckelflansch der zentralen Prozesskammer 1 angeordnet sein. Den Längsmagnetrons gegenüberliegend, im Zentrum der zentralen Prozesskammer 1 befindet sich der Vakuumroboter 5 (körperlich nicht dargestellt). Dargestellt sind in 1 nur die beiden mehrgliedrigen Faltarme 6 des Vakuumroboters 5. Der Vakuumroboter 5 kann das Substrat 7, hier z.B. einen Wafer, aus einer nicht dargestellten Schleuse holen, die an einem der beiden für Ein- und Ausgabeschleuse vorgesehenen Flansche 8 montiert wird. Zum Prozessieren bewegt der Vakuumroboter 5 das Substrat 7 in einem bestimmten Abstand über die Targetfläche 3 der Längsmagnetrons und zugleich linear und rechtwinklig zu den Kantenlinien der rechteckigen Targetfläche 3. Damit das Substrat 7 vollständig geradlinig über die Targetfläche 3 hinweg bewegt werden kann, gibt es Ausbuchtungen 9 in der zentralen Prozesskammer 1 zum Einschwenken der vom Vakuumroboter 5 bewegten Substrate 7. Gleichzeitig dienen die Ausbuchtungen 9 als Ablagemöglichkeit für die Substrate 7. Zum Abschotten der nicht aktiven Längsmagnetrons zum Schutze vor Fremdbeschichtung werden Abdeckbleche (nicht dargestellt) über die Targetflächen 3 positioniert, die ebenfalls mittels des Vakuumroboters 5 gehandelt werden. Bei einem Einsatz von sechs Längsmagnetrons werden fünf Abdeckbleche benötigt, die entsprechend dem abwechselnden Betrieb der Längsmagnetrons nur ihre Position über den sechs Targetflächen 3 verändern, so dass für die Abdeckbleche keine gesonderte Ablagemöglichkeit vorgesehen werden muss. An weiteren Flanschen 10 kann eine spezielle, zweite und weitere Prozesskammern 11, wie z.B. Ätzkammern peripher angeordnet werden.
  • 1
    erste Prozesskammer
    2
    Beschichtungsquelle
    3
    Targetfläche
    4
    Kammerboden
    5
    Vakuumroboter
    6
    mehrgliedriger Faltarm
    7
    Substrat
    8
    für Ein- und Ausgabeschleuse vorgesehener Flansch
    9
    Ausbuchtung
    10
    Flansch
    11
    Zweite Prozesskammer

Claims (11)

  1. Vakuumbeschichtungsanlage zur Beschichtung von Substraten mit einer ersten Prozesskammer einschließlich einer ersten Prozessstation, einer Ein- und Ausgabeschleuse und einem Antriebsmittel zur Bewegung des Substrats, dadurch gekennzeichnet, dass das Antriebsmittel ein Vakuumroboter (5) ist, der in der ersten Prozesskammer (1) angeordnet ist und zur Prozessstation und der Ein- und Ausgabeschleuse bewegbar ist.
  2. Vakuumbeschichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbeschichtungsanlage als ein Cluster mit einer Handlerkammer und einer zweiten Prozesskammer (11) ausgeführt ist, wobei die Handlerkammer zugleich die erste Prozesskammer (1) ist.
  3. Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Prozessstation angeordnet ist und dass die Prozessstationen Beschichtungsquellen (2) aufweisen, die wechselseitig abdeckbar sind.
  4. Vakuumbeschichtungsanlage nach Anspruch 3 dadurch gekennzeichnet, dass der Vakuumroboter (5) zur Bewegung mindestens einer Abdeckblende mit dieser in Wirkverbindung steht.
  5. Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Vakuumroboter (5) mindestens einen ansteuerbaren mehrgliedrigen Faltarm (6) aufweist.
  6. Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozessstation eine Beschichtungsquelle (2) mit einer rechteckigen Targetfläche (3) aufweist.
  7. Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Prozesskammer (1) mindestens eine Ausbuchtung (9) zum Einschwenken von Substraten (7) und/oder zur Aufnahme von Substraten (7) aufweist.
  8. Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Prozesskammer (1) einen runden Querschnitt aufweist.
  9. Vakuumbeschichtungsanlage nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegungsgeschwindigkeit des Faltarmes (6) programmierbar und steuerbar ist.
  10. Vakuumbeschichtungsanlage nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Vakuumroboter (5) ansteuerbar höhenverstellbar ist.
  11. Vakuumbeschichtungsanlage nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Faltarm (6) thermisch entkoppelt ist.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5215789A (en) * 1990-09-12 1993-06-01 Micron Technology, Inc. Process for deposition of inorganic materials
US5314538A (en) * 1991-04-22 1994-05-24 Semiconductor Process Laboratory Apparatus for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
DE19835154A1 (de) * 1998-08-04 2000-02-10 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten in einer Vakuumkammer

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6562141B2 (en) * 2000-07-03 2003-05-13 Andrew Peter Clarke Dual degas/cool loadlock cluster tool

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5215789A (en) * 1990-09-12 1993-06-01 Micron Technology, Inc. Process for deposition of inorganic materials
US5314538A (en) * 1991-04-22 1994-05-24 Semiconductor Process Laboratory Apparatus for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
DE19835154A1 (de) * 1998-08-04 2000-02-10 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten in einer Vakuumkammer

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