DE10319970A1 - Digitale Hardwareschaltung für stromsparenden Zugriff auf einen RAM-Speicher - Google Patents

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Abstract

Eine Schaltung für den Zugriff auf einen RAM-Speicher (SRAM) umfasst eine Adress-Registerbank (8), welcher eingangsseitig berechnete Adressen zugeleitet werden und die diese Adressen ausgangsseitig an den Adressbus (2) des RAM-Speichers weitergibt. Das Eintakten und die Weitergabe der Adressen in die Adress-Registerbank wird über eine Takt-Ausblendezelle (13) gesteuert. Die Takt-Ausblendezelle unterdrückt in Abhängigkeit von einem ihr zugeleiteten Enable-Signal das eingangsseitig erhaltene Taktsignal oder gibt es an die Adress-Registerbank weiter.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Schaltung für den Zugriff auf einen RAM-Speicher, insbesondere SRAM-Speicher.
  • In zeitgemultiplexten Hardware-Architekturen für variable Datenraten, wie sie beispielsweise in UMTS-(Universal Mobile Telecommunication System-)Basisbandchips eingesetzt werden, werden die SRAM-Speicher aufgrund des Multiplexbetriebs nicht in jedem Zyklus, sondern – abhängig z.B. von der Datenrate – nur in bestimmten Zyklen angesprochen. Selbst wenn der SRAM-Speicher nicht über das Chip-Select (CS) Signal angewählt ist, wird in der für die Adressberechnung des SRAM-Speichers zuständigen arithmetrischen Adressberechnungseinheit in jedem Zeitmultiplexschritt eine Zugriffsadresse berechnet. Änderungen der Zugriffsadresse auf dem Adressbus bewirken auch bei nicht angewähltem (CS = 0) SRAM-Speicher einen Leistungsverbrauch durch die interne Logikschaltung (Adressdecoder) im SRAM-Speicher. Beispielsweise tritt bei dem SRAM C11n des Herstellers Infineon Technologies AG gemäß dem Datenblatt 2002.Q3.v0 (release 02.08.2002) selbst dann, wenn der SRAM-Speicher nicht angewählt ist, ein Stromverbrauch von 30–40% des icc (der Schaltungsstrom icc ist in dem vorstehend genannten Datenblatt definiert) auf, sofern sämtliche Adressen-Pins und 50% der Eingabe-Pins des Dateneingangs umgeschaltet werden. Dieser Stromverbrauch ist darauf zurückzuführen, dass die Eingangs-Kippschaltungen (Input Latches) der Adress- und Dateneingänge bei nicht angewähltem SRAM-Speicher offen sind, wodurch die interne SRAM-Logik Schaltvorgänge in Abhängigkeit von Potentialänderungen an den Eingangs-Pins ausführen kann.
  • Es ist bereits bekannt, für das Schreiben von Daten in den SRAM-Speicher bzw. für das Lesen von Daten aus dem SRAM-Speicher dem SRAM-Speicher externe vorgeschaltete Register einzusetzen. Die Verwendung derartiger externer Eingabe- bzw. Ausgabe-Register ist in keiner weise zwingend, sie wird jedoch für viele Anwendungen empfohlen, da die Verwendung dieser Register gewährleistet, dass die für eine einwandfreie Funktion des SRAM-Speichers zu gewährleistenden Zeitbedingungen beim Schreib- bzw. Lesevorgang eingehalten werden. In der englischsprachigen Literatur haben sich die Begriffe "registered in" bzw. "registered out" für das Konzept eingebürgert, Eingangsdaten über derartig vorgeschaltete Eingabe-Register bzw. Ausgangsdaten über derartige vorgeschaltete Ausgabe-Register dem SRAM-Speicher einzutakten bzw. auszutakten. Diese Eingabe-Register bzw. Ausgabe-Register werden ebenfalls in jedem Zyklus getaktet, selbst dann, wenn keine Eingangsdaten anstehen bzw. keine Ausgangsdaten gelesen werden sollen. Somit tritt bei Verwendung von den SRAM-Speicher ansteuernden Hardware-Schaltungen des Typs „registered out" bzw. „registered in" ein weiterer Leistungsverlust auf, der durch die leistungsverbrauchenden Schaltvorgänge in den genannten Registern verursacht wird.
  • Eine dritte Ursache für einen erhöhten Leistungsverbrauch besteht darin, dass "unnötige" Schaltvorgänge auf den Adress- und Datenbussen zwischen der den SRAM-Speicher ansteuernden Hardware-Schaltung und dem SRAM-Speicher einen Leistungsverbrauch in den Bussen verursachen. Da die SRAM-Speicher vielfach im Bereich der Chip-Peripherie angeordnet sind, können die Busleitungen vergleichsweise lang sein, was einen signifikanten Leistungsverlust in den Adress- und Datenbussen zur Folge hat.
  • Eine naheliegende Möglichkeit zur Überwindung des erstgenannten Problems (Leistungsverlust im SRAM-Speicher) besteht darin, einen SRAM-Speicher zu konzipieren, der bei Schaltvorgängen an seinen Eingangs-Pins bei nicht angewähltem Speicher (CS = 0) keinen durch die Schaltvorgänge hervorgerufenen Leistungsverbrauch zeigt.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den durch Schaltvorgänge an den Eingängen eines RAM-Speichers bewirkten Leistungsverbrauch bei nicht angewähltem Speicher zu vermindern.
  • Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabenstellung wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
  • Ein wesentlicher Gedanke der Erfindung beruht darauf, die Maßnahmen zur Reduzierung des Leistungsverbrauchs nicht innerhalb des RAM-Speichers, sondern im Bereich der Schaltung für den Zugriff auf den RAM-Speicher zu realisieren. Nach Anspruch 1 umfasst die Schaltung für den Zugriff auf den RAM-Speicher ein Mittel zum Berechnen einer Adresse für den RAM-Speicher, sowie eine Adress-Registerbank, welcher eingangsseitig von dem Mittel berechnete Adressen zugeleitet werden und welche ausgangsseitig mit dem Adressbus des RAM-Speichers in Verbindung steht. Die Adress-Registerbank weist einen Steuereingang auf, über welchen das Eintakten einer eingangsseitig an der Adress-Registerbank anliegenden Adresse in die Adress-Registerbank gesteuert wird. Ferner umfasst die Schaltung eine Takt-Ausblendezelle („clock gating cell), die eingangsseitig mit einem Taktsignal und ausgangsseitig mit dem Steuereingang der Adress-Registerbank verbunden ist, und welche in Abhängigkeit von einem der Takt-Ausblendezelle zugeleiteten Enable-Signal das eingangsseitig erhaltene Taktsignal unterdrückt oder an den Steuereingang der Adress-Registerbank weitergibt.
  • Durch die Ansteuerung der Adress-Registerbank über die Takt-Ausblendezelle wird erreicht, dass Schaltvorgänge in der Adress-Registerbank nur dann stattfinden können, wenn auf den RAM-Speicher tatsächlich zugegriffen werden soll. Der ausgangsseitig der Adress-Registerbank angeordnete Adressbus wird nur dann aktualisiert, wenn die Registerbank von der Takt-Ausblendezelle angesteuert und somit der an der Takt-Ausblendezelle anliegende Takt „durchgetaktet" wird. Dadurch kann erreicht werden, dass auf den Adressleitungen des Adressbusses keine unnötigen Schaltvorgänge auftreten. Als Folge davon werden die auf Schaltvorgänge zurückgehenden Leistungsverluste in der Adress-Registerbank (d.h. der „registered out"-Schaltlogik in der erfindungsgemäßen Speicherzugriffsschaltung), dem Adressbus und in dem (nicht angewählten) RAM-Speichervermieden. Insbesondere beim RAM-Speicher wird durch das Stabilhalten der Eingangspotentiale bei nicht angewähltem Speicher eine signifikante Verlustleistungsreduzierung bewirkt, da nunmehr keine auf Schaltvorgänge zurückgehenden Verlustströme mehr auftreten, sondern lediglich wesentlich kleinere Leckströme als weiterhin verbleibende Ursache von Leistungsverlusten zu berücksichtigen sind.
  • Das Ausblenden unnötiger Schalttakte mittels der Takt-Ausblendezelle erfolgt unter Verwendung des Enable-Signals, bei dem es sich vorzugsweise um das Chip-Select-Signal für den RAM-Speicher handeln kann. Dieses steht in jeder Speicherzugriffsschaltung bereits zur Verfügung, d.h. es ist in diesem Fall nicht erforderlich, ein zusätzliches Steuermodul zur Erzeugung des Enable-Signals in die erfindungsgemäße Schaltung aufzunehmen. Die Verwendung anderer geeignet erzeugter Enable-Signale ist jedoch ebenfalls möglich.
  • Vorzugsweise ist die Adress-Registerbank aus einer Mehrzahl von Flip-Flops aufgebaut, wobei die Anzahl der Flip-Flops der Wortbreite der Adresse entspricht, so dass jedes Adressen-Bit genau einem Flip-Flop zugeleitet wird.
  • Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung kennzeichnet sich dadurch, dass das Chip-Select-Signal einem Chip-Select-Register zugeleitet wird, welches ausgangsseitig mit dem Chip-Select-Eingang des RAM-Speichers in Verbindung steht. Das Chip-Select-Register weist dabei einen Steuereingang auf, über welchen das Eintakten des eingangsseitig an dem Chip-Select-Register anliegenden Chip-Select-Signals in das Chip-Select-Register gesteuert wird, wobei dem Steuereingang des Chip-Select-Registers das Taktsignal zugeleitet wird. D.h., dass das Chip-Select-Signal ebenfalls über ein Register (das Chip-Select-Register) in den RAM-Speicher eingetaktet wird. Dadurch wird erreicht, dass das Chip-Select-Signal stets adressenbegleitend (d.h. zum selben Zeitpunkt wie die Adresse) dem RAM-Speicher zugeleitet wird.
  • Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung kennzeichnet sich dadurch, dass eine Dateneingabe-Registerbank, welche eingangsseitig mit dem Datenausgang des RAM-Speichers in Verbindung steht, eingesetzt wird. D.h., dass das Konzept "registered in" für den Datenausgang des RAM-Speichers realisiert wird. Die Dateneingabe-Registerbank weist einen Steuereingang auf, über welchen das Eintakten eines eingangsseitig an der Dateneingabe-Registerbank anliegenden Datums in die Dateneingabe-Registerbank gesteuert wird. Ferner umfasst die Schaltung eine eingangsseitig mit dem Taktsignal und ausgangsseitig mit dem Steuereingang der Dateneingabe-Registerbank verbundene zweite Takt-Ausblendezelle, welche in Abhängigkeit von einem der zweiten Takt-Ausblendezelle zugeleiteten zweiten Enable-Signal das eingangsseitig erhaltene Taktsignal unterdrückt oder an den Steuereingang der Dateneingabe-Registerbank weitergibt.
  • Durch die Erweiterung des erfindungsgemäßen Konzepts auf den Datenausgang des RAM-Speichers wird verhindert, dass die Dateneingabe-Registerbank in jedem Zyklus getaktet werden muss, und es wird erreicht, dass diese Register nur bei einem Lesezugriff auf den RAM-Speicher getaktet und geladen werden müssen.
  • Vorzugsweise wird das zweite Enable-Signal aus dem Read-Enable-Signal und dem Chip-Select-Signal für den RAM-Speicher gewonnen. Dadurch lässt sich gewährleisten, dass das zweite Enable-Signal stets zum richtigen Zeitpunkt auftritt.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist die erfindungsgemäße Schaltung eine Datenausgabe- Registerbank auf, welche ausgangsseitig mit dem Dateneingang des RAM-Speichers in Verbindung steht. Die Datenausgabe-Registerbank weist einen Steuereingang auf, über welchen das Eintakten eines in den RAM-Speicher zu schreibenden Datums in die Datenausgabe-Registerbank gesteuert wird. Ferner umfasst die erfindungsgemäße Schaltung eine eingangsseitig mit dem Taktsignal und ausgangsseitig mit dem Steuereingang der Datenausgabe-Registerbank verbundene dritte Takt-Ausblendezelle, welche in Abhängigkeit von einem der dritten Takt-Ausblendezelle zugeleiteten dritten Enable-Signal das eingangsseitig erhaltene Taktsignal unterdrückt oder an den Steuereingang der Datenausgabe-Registerbank weitergibt. Durch die dritte Takt-Ausblendezelle wird erreicht, dass beim Schreibvorgang Daten, die in den RAM-Speicher geschrieben werden sollen, nur dann in die Datenausgabe-Registerbank geladen werden, wenn ein Schreibzugriff tatsächlich stattfindet. Dies verhindert unnötige Schaltvorgänge auf dem Schreibdatenbus, die andernfalls einen Verlust an Schaltleistung in der internen Logik des RAM-Speichers sowie auf den Leitungen des Schreibdatenbusses hervorrufen würden. Darüber hinaus entfällt das ununterbrochene Takten der Datenausgabe-Registerbank.
  • Das dritte Enable-Signal wird vorzugsweise aus dem Write-Enable-Signal und dem Chip-Select-Signal für den RAM-Speicher gewonnen, wodurch sichergestellt wird, dass genau dann und nur dann, wenn ein Schreibzugriff erfolgen soll, das zu schreibende Datum in die Datenausgabe-Registerbank geladen wird.
  • Mit besonderem Vorteil wird die erfindungsgemäße Schaltung mit einem für den Multiplexbetrieb ausgelegten Mittel zum Berechnen der Adressen für den RAM-Speicher eingesetzt. In Zyklen, in denen aufgrund des Multiplexbetriebs der RAM-Speicher nicht angewählt ist, wird der Energieverbrauch der gesamten Schaltung (Registerbänke, Adress- und Datenbusse, speicherinterne Logik) signifikant gesenkt.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungs- und Implementierungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt:
  • 1 ein Blockschaltbild einer erfindungsgemäßen Schaltung zum Ansteuern eines SRAM-Speichers;
  • 2 ein Diagramm zur Erläuterung des zeitlichen Ablaufs eines Lesevorgangs;
  • 3 eine schematische Darstellung eines Blockschaltbildes eines Implementierungsbeispiels in einem UMTS-Mobilfunkempfänger; und
  • 4 ein Diagramm zur Erläuterung des zeitlichen Ablaufs der Durchführung eines Kopierbefehls, mit welchem Daten von einem ersten SRAM-Speicher in zwei SRAM-Arbeitsspeicher geschrieben werden.
  • 1 zeigt ein digitales Hardware-Modul 1, welches über einen Adressbus 2, eine RAM-Steuerverbindung 3 und einen Lesedatenbus 4 mit einem SRAM-Speicher 5 in Verbindung steht. Das Hardware-Modul 1 ist als Hardware-Block in einem Halbleiter-Chip integriert, der ebenfalls den SRAM-Speicher 5 enthalten kann. Typischerweise ist der SRAM-Speicher 5 in dem Chip unter Abstand zu dem Hardware-Modul 1 angeordnet und befindet sich beispielsweise an der Chip-Peripherie. Die Linie 1a deutet die Modulgrenze des Hardware-Moduls 1 an.
  • Das Hardware-Modul 1 weist eine Logikeinheit 6 auf, welche die Adressen für den SRAM-Speicher 5 durch kombinatorische Logik berechnet. Die Adressen weisen eine Wortbreite von n Bits auf. Die Bits eines Adresswortes werden mit a(n – 1), a(n – 2), ..., a0 bezeichnet und über einen internen Bus 7 der Wortbreite n einer Ausgabe-Registerbank 8 für die Ausgabe der Adresswörter zugeleitet.
  • Die Ausgabe-Registerbank 8 weist n D-Flip-Flops 9 auf. Jeder Flip-Flop 9 erhält an seinem Dateneingang D ein Bit a(n – 1), a(n – 2), ..., a0 des Adresswortes. Der Ausgang Q jedes D-Flip-Flops 9 steht über eine Datenleitung 10 mit dem (externen) Adressbus 2 der Wortbreite n in Verbindung.
  • Neben den Adressworten erzeugt die Logikeinheit 6 auch weitere Signale für die Ansteuerung des SRAM-Speichers 5, nämlich das Chip-Select-(CS-)Signal, das Write-Enable-(wr_en-)Signal und das Read-Enable-(rd_en-)Signal. Diese bekannten Steuersignale für den SRAM-Speicher 5 werden über eine Datenverbindung 11 pro Steuersignal CS, wr_en, rd_en jeweils einem D-Flip-Flop 9' zugeleitet, deren Datenausgänge Q an die externe RAM-Steuerverbindung 3 angebunden sind.
  • Der Lesedatenbus 4 weist in dem hier dargestellten Beispiel ebenfalls die Wortbreite n auf. Er steht mit einer Eingabe-Registerbank 12 in Verbindung, die ihrerseits aus n D-Flip-Flops 9 aufgebaut ist. Jedem D-Flip-Flop 9 wird ein Datenbit d(n – 1), d(n – 2), ..., d0 eines aus dem SRAM-Speicher 5 zu lesenden Datenwortes zugeleitet. Die Weiterverarbeitung der von der Eingabe-Registerbank 12 ausgegebenen Datenwörter in dem Hardware-Modul 1 spielt für die Erfindung keine Rolle und ist in der 1 nicht näher dargestellt.
  • Die Verwendung von Eingabe- und Ausgabe-Registerbänken 8 bzw. 12 zur Ansteuerung eines SRAM-Speichers 5 ist an sich bekannt. Die D-Flip-Flops 9 werden dabei als taktzustandgesteuerte Speicherzellen (Data Registers) eingesetzt, da Q = D gilt, sobald eine steigende Flanke C = 0 → 1 am Takteingang C auftritt.
  • Zur Ansteuerung der Ausgabe-Registerbank 8 ist eine erste Takt-Ausblendezelle (Clock Gating Cell) 13 vorgesehen. Die erste Takt-Ausblendezelle 13 weist einen ersten Eingang 14 auf, über welchen die erste Takt-Ausblendezelle 13 den Systemtakt clk erhält. Einem zweiten Eingang 15 der ersten Takt-Ausblendezelle 13 wird das CS-Signal zugeleitet, welches von der Logikeinheit 6 erzeugt wird. Das Taktsignal clk wird nur dann an einen Ausgang 16 der ersten Takt-Ausblendezelle 13 weitergeleitet, wenn das CS Signal den Wert CS = 1 aufweist. Der Ausgang 16 der ersten Takt-Ausblendezelle 13 ist mit dem Takteingang C der Ausgabe-Registerbank 8 verbunden. Dadurch wird erreicht, dass ein von der Logikeinheit 6 berechnetes Adresswort nur dann in die Ausgabe-Registerbank 8 eingetaktet und auf den externen Adressbus 2 geschaltet wird, wenn der SRAM-Speicher 5 angewählt ist, d.h. wenn CS = 1 gilt.
  • 1 zeigt ferner, dass auch die drei Steuersignale CS, rd_en und wr_en nach dem Konzept "registered out" von der Logikeinheit 6 an den SRAM-Speicher 5 ausgegeben werden. Die RAM-Steuerverbindung 3 weist in dem hier dargestellten Beispiel also die Wortbreite 3 auf.
  • Die zweite Takt-Ausblendezelle 17 wird an einem ersten Eingang 18 mit dem Systemtakt clk versorgt. Ein einem zweiten Eingang 19 vorgeschaltetes D-Flip-Flop 20 liefert das Enable-Signal für die zweite Takt-Ausblendezelle 17. Das Enable-Signal kann durch eine logische Verknüpfung aus den Steuersignalen CS und rd_en gebildet werden. Dadurch wird bewirkt, dass die D-Flip-Flops 9 der Eingabe-Registerbank 12 nur dann getaktet und geladen werden, wenn ein Lesezugriff auf den SRAM-Speicher 5 ausgeführt wird. Der Ausgang 21 der zweiten Takt-Ausblendezelle 17 steht zu diesem Zweck mit den Takteingängen C der D-Flip-Flops 9 der Eingabe-Registerbank 12 in Verbindung.
  • 2 zeigt den zeitlichen Ablauf der Signale bei einer Adressierung des SRAM-Speichers 5. In der obersten Zeile ist der Systemtakt clk aufgetragen. Der Systemtakt clk ist in diesem Beispiel identisch mit dem Multiplex-Takt, d.h. die Schaltung wird im Systemtakt gemultiplext. In jedem Multi plex-Takt wird eine neue Adresse 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, ... berechnet. Dies ist durch das Signal calc_RAM_address angegeben, das über dem internen Adressbus 7 auftritt.
  • Immer wenn auf den SRAM-Speicher 5 zugegriffen werden soll, nimmt das CS-Signal den Wert 1 an. 2 zeigt, dass in dem ersten und vierten Takt CS = 1 gesetzt wird. Das CS-Signal entspricht im vorliegenden Beispiel dem Enable-Signal (enable_out) für die erste Takt-Ausblendezelle 13.
  • Das Signal enclk_out tritt am Ausgang 16 der ersten Takt-Ausblendezelle 13 auf. 2 macht deutlich, dass die Ausgabe-Registerbank 8 nur dann getaktet und geladen wird, wenn ein Zugriff auf den SRAM-Speicher 5 vorgesehen ist.
  • Das Signal RAM_addr_reg_out tritt am Ausgang der Ausgabe-Registerbank 8 und auf dem externen Adressbus 2 auf. Dieses Signal ändert sich nur dann, wenn ein Speicherzugriff erfolgt, im vorliegenden Beispiel nur jeden dritten Multiplex-Takt clk. Es umfasst die Adressen 1, 4.
  • Das Signal Chip_select_reg_out tritt auf der Datenverbindung 3 auf. Es ist das CS-Eingabesignal für den SRAM-Speicher 5. Es ist ersichtlich Adress-begleitend.
  • Das am Eingang 19 der zweiten Takt-Ausblendezelle zugeführte Signal enable_in wird, wie bereits erwähnt, aus dem Signal Chip_select_reg_out und dem Signal rd_en gebildet.
  • Das infolge der Adressierung am Leseausgang des SRAM-Speichers 5 ausgegebene Signal rd_data_bus tritt auf dem Lesedatenbus 4 auf. Die zu den Adressen 1, 4 ausgegebenen Datenwörter sind mit d1 und d4 bezeichnet.
  • Das Eintakten der Datenwörter d1, d4 in die Eingabe-Registerbank 12 erfolgt durch Ansteuerung der Eingabe-Registerbank 12 mittels des Steuersignals enclk_in, welches am Ausgang 21 der zweiten Takt-Ausblendezelle 17 auftritt. Die eingetakteten Datenwörter d1 und d4 stehen dem Hardware-Modul 6 zur weiteren Verarbeitung zur Verfügung und sind in der 2 durch das Signal data_reg_in angegeben. Es wird deutlich, dass die D-Flip-Flops 9 der Eingabe-Registerbank 12 nur dann getaktet und geladen werden, wenn ein Lesezugriff auf den SRAM-Speicher 5 vorgesehen ist und Lesedaten auf dem externen Lesedatenbus 4 bereitstehen.
  • Die in 1 dargestellte Schaltung lässt sich in der Weise erweitern (nicht dargestellt), dass das Hardware-Modul 6 ferner eine Ausgabe-Registerbank für das Schreiben von Daten in den SRAM-Speicher 5 aufweist. Die (nicht dargestellte) Ausgabe-Registerbank entspricht konzeptionell der Eingabe-Registerbank 12, mit dem Unterschied, dass die Datenflussrichtung (wie bei der Ausgabe-Registerbank 8) in entgegengesetzte Richtung zeigt. Das Steuersignal für die Ausgabe-Registerbank zum Schreiben von Daten in den SRAM-Speicher 5 (entspricht dem Steuersignal enclk_in) wird aus dem CS-Signal und dem Write-Enable-Signal wr_en gebildet. Zu diesem Zweck ist eine dritte Takt-Ausblendezelle (nicht dargestellt) vorgesehen, die dieses Steuersignal für die Ausgabe-Registerbank erzeugt. Auf diese Weise wird auch beim Schreibvorgang gewährleistet, dass Daten nur dann in die Ausgabe-Registerbank geladen werden, wenn ein Schreibvorgang vorgenommen werden soll. Eine unnötige Taktung der Ausgabe-Registerbank sowie unnötige Schaltvorgänge auf dem (nicht dargestellten) Schreibdatenbus werden dadurch unterbunden.
  • 3 zeigt ein Implementierungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltung 100 in einem Basisband-Chip eines UMTS-Mobilfunkempfängers. Die Gesamtschaltung, auf die hier nur kurz eingegangen wird, dient zur im Zeitmultiplex-Betrieb durchgeführten Erzeugung von (hier) maximal 47 Spreizcodes. Die Anzahl 47 rührt daher, dass mit der vorliegenden Schaltung eine gewisse Anzahl von physikalischen Kanälen, die (hier) von maximal 6 Basisstationen empfangen werden können, mittels (zeitgemultiplexter) Rake-Finger (nicht dargestellt) demoduliert werden sollen. Hierfür muss jedem aktiven Rake-Finger ein Spreizcode zugeteilt werden.
  • Die Hardware-Schaltung umfasst einen ersten Zustandsgenerator CON_FSM (FSM: Finite State Machine) für die Ablaufsteuerung verschiedenster Datenverarbeitungsprozesse, einen zweiten Zustandsgenerator PROC_FSM für eine Datenverarbeitung, eine Code-Bit-Generator-Gruppe CBG für die Erzeugung von Bits verschiedener Spreizcodes (jeder Spreizcode ist aus einem Channelization-Code und einem Scrambling-Code aufgebaut), ein Ablaufsteuerungs-Register ASR und Multiplexer MUX. Wie durch die Linie 101 angedeutet, sind diese Hardware-Einheiten benachbart zueinander auf dem Basisband-Chip angeordnet. Über diverse Steuerleitungen und Busse stehen drei SRAM-Speicher, nämlich C_RAM, W_RAM1 und W_RAM2 mit der von der Linie 101 umschlossenen Hardware-Schaltung in Verbindung. Die SRAM-Speicher C_RAM, W_RAM1 und W_RAM2 sind Dual-Port-Speicher (Zwei-Tor-Speicher).
  • Die Hardware-Schaltung steht über eine Datenverbindung 110 mit einem digitalen Signalprozessor DSP in Verbindung.
  • Im Folgenden wird ein Prozess betrachtet, durch welchen in dem SRAM-Speicher C_RAM abgelegte Parameter in die beiden SRAM-Arbeitsspeicher W_RAM1 und W_RAM2 kopiert werden. Es handelt sich dabei um Parameter für die Erzeugung der maximal 47 Spreizcodes.
  • Die generelle Funktionsweise der in 3 dargestellten Schaltung, auf die es für die vorliegende Erfindung im Einzelnen nicht ankommt, ist folgende: Im dargestellten Beispiel sind die Parameter für die aktuell zu erzeugenden Scrambling-Codes in dem Arbeitsspeicher W_RAM1 und die Parameter für die aktuell zu erzeugenden Channelization-Codes in dem Arbeitsspeicher W_RAM2 abgelegt. Der zweite Zustandsgenerator PROC_FSM greift über Datenverbindungen 104 und die Multi plexer MUX auf diese beiden Arbeitsspeicher W_RAM1 und W_RAM2 zu und berechnet auf der Basis der ausgelesenen Parameter jeweils gültige Steuerwerte, mit welchen die aktuell benötigte Anzahl von Code-Bit-Generatoren in der Code-Bit-Generator-Gruppe CBG angesteuert werden.
  • Wird eine Umkonfigurierung von Code-Bit-Generatoren erforderlich (z.B. weil ein Handover durchzuführen ist), werden die Parameter für die neuen Scrambling-Codes und neuen Channelization-Codes von dem DSP über die Datenverbindung 110 in den Eingabe-Speicher C_RAM geschrieben. Die Datenverarbeitung in den zeitgemultiplexten Code-Bit-Generatoren bleibt davon zunächst ungestört, da der zweite Zustandsgenerator PROC_FSM und damit auch die Code-Bit-Generatoren in der Code-Bit-Generator-Gruppe CBG die für die Code-Erzeugung (Scrambling-Code und Channelization-Code) benötigten aktuellen Parameter weiterhin aus den Arbeitsspeichern W_RAM1 und W_RAM2 bezieht.
  • Die erfindungsgemäße Hardware-Schaltung 100 führt anschließend das Kopieren der neuen Scrambling-Code-Parameter und Channelization-Code-Parameter von dem Speicher C_RAM in die Speicher W_RAM1 und W_RAM2 durch.
  • Zunächst wird der Multiplexbetrieb der Code-Bit-Generatoren in der Code-Bit-Generator-Gruppe CBG anhand des oberen Teils der 4 erläutert. Für sämtliche in 3 dargestellten Einheiten ist gemäß üblichem Aufbau der Systemtakt clk verfügbar. Die Synchronisation der Multiplexbearbeitung erfolgt über ein Signal processing_sync, welches den Beginn eines Multiplex-Zyklus angibt und dem ersten Zustandsgenerator CON_FSM über eine Steuerleitung 111 mitgeteilt wird. Der erste Zustandsgenerator CON_FSM erzeugt daraufhin ein erstes Signal Gen_phase, welches die Multiplex-Zeitdauer angibt und ein Signal Gen Nr, welches die Nummer des aktuell aktiven Code-Bit-Generators auswählt. Es wird deutlich, dass jeder (zeitgemultiplexte) Code-Bit-Generator der Generator-Nummer 0, 1, 2, 3, ..., 46 gemäß dem Signal Gen_phase genau zwei Taktzyklen clk Prozesszeit bekommt. Nach 47 Multiplex-Zeitdauern ist ein Multiplex-Zyklus beendet, es beginnt der nächste Multiplex-Zyklus.
  • Die beiden Signale Gen_phase und Gen Nr werden sowohl der Schaltung 100 als auch dem zweiten Zustandsgenerator PROC_FSM zugeleitet. Der zweite Zustandsgenerator PROC_FSM steuert also in der vorgegebenen Reihenfolge Gen_Nr = 0, 1, ..., 46, 0 ... alle zwei Zeittakte clk einen anderen Code-Bit-Generator in der Code-Bit-Generator-Gruppe CBG an.
  • Ein von dem Ablaufsteuerungs-Register ASR ausgegebenes Signal cfg_ctrl zeigt an, dass eine neue Konfiguration (Scrambling-Codes und/oder Channelization-Codes) in dem SRAM-Speicher C_RAM abgelegt worden ist und in die Arbeitsspeicher W_RAM1 bzw. W_RAM2 kopiert werden soll. Das Steuersignal cfg_ctrl bezieht sich entsprechend dem Multiplexschema (siehe Signal Gen_Nr) jeweils auf einen bestimmten Code-Bit-Generator, d.h. es zeigt diejenigen Code-Bit-Generatoren an, die bei der Neukonfiguration ihren Spreizcode (d.h. Scrambling-Code und/oder Channelization-Code) aktualisieren müssen.
  • In einer Logikeinheit 106, die der in 1 dargestellten Logikeinheit 6 entspricht, wird in jedem Takt clk eine Adresse A0,1, A0,2, A1,1, A1,2, ..., A3,1, A3,2, ... berechnet. Dies ist durch das Signal C_RAM_RD_Addr dargestellt. Die Adressenberechnung erfolgt ununterbrochen kombinatorisch auf der Basis der beiden Signale Gen_Nr und Gen_Phase. Jede Adresse ist eine Lese-Adresse für den SRAM-Speicher C_RAM zum Auslesen von Daten (Code-Parameter) für einen bestimmten Code-Bit-Generator. In jeder Multiplex-Zeitdauer können zwei Parameterwerte für den betreffenden Code-Bit-Generator ausgelesen werden.
  • Ein Auslesen der Parameterwerte für einen bestimmten Code-Bit-Generator der Nummer Gen_Nr = 0, ..., 46, ist jedoch nur dann erforderlich, wenn dieser Code-Bit-Generator umkonfigu riert werden soll. Diese Information wird durch das Signal cfg_active mitgeteilt. Im vorliegenden Beispiel gilt cfg_active = 1 für Gen Nr = 0, 3 und cfg_active = 0 für Gen_Nr = 1, 2. Das Signal cfg_active wird in der Hardware-Schaltung 100 basierend auf den cfg_ctrl Parametern erzeugt.
  • Dies hat zur Folge, dass die berechneten Adressen A1,1, A1,2, A2,1, A2,2 nicht benötigt werden, da die Code-Bit-Generatoren mit den Nummern Gen_Nr = 1, 2 nicht umkonfiguriert werden müssen.
  • Folglich wird in der anhand 1 und 2 näher erläuterten Weise mittels der Ausgabe-Registerbank 8 (in 4 nicht dargestellt) ein Adress-Signal C_RAM_RD_Addr_o erzeugt, welches über einen externen Adressbus 102 einem Adresseingang AB des SRAM-Speichers C_RAM mitgeteilt wird. Das Signal cfg_active wird dabei als Enable-Signal (vergleichbar dem Signal enable_out in 2) genutzt. D.h., dass die in der Logikeinheit 106 berechneten Adressen A0,1, A0,2, ... nur dann in die (in 4 nicht dargestellte) Ausgabe-Registerbank 8 eingetaktet werden, wenn cfg_active = 1. Sofern cfg_active = 0, werden keine Adressworte in die Ausgabe-Registerbank 8 geladen, und es erfolgen auch keine Schaltvorgänge auf dem externen Adressbus 102.
  • C_CSB_n stellt das Chip-Select-Signal für den SRAM-Speicher C_RAM für den Port B dar (Eingang: CSB). C_CSB_n ist das um ein Takt verzögerte, invertierte Signal cfg_active. Es wird deutlich, dass die Ausgabe-Registerbank nur dann geladen und getaktet wird, wenn cfg_active = 1 gilt.
  • Der Auslesevorgang erfolgt dann wie in 1 gezeigt über eine Eingabe-Registerbank 12 (in 3 nicht dargestellt) in der Hardware-Schaltung 100. Der Datenausgang (Port B) des Speichers C_RAM ist in 3 mit DOB bezeichnet, die über den Lese-Datenbus 107 ausgegebenen Parameter lauten C_RAM_data.
  • Der Schreibvorgang der Parameter in die Speicher W_RAM1 und W_RAM2 erfolgt in Abhängigkeit von dem Chip-Select-Signal W_CSA_n für den Port A der Speicher W_RAM1 und W_RAM2. Das Signal W_CSA_n ist das um einen Taktzyklus verzögerte Signal C_CSB_n. Das Signal W_CSA_n wird den Speichern W_RAM1 und W_RAM2 über eine RAM-Steuerleitung 103 mitgeteilt (Eingang: CSA).
  • Das über den externen Adressbus 102' ausgegebene Adress-Signal W_RAM_WR_addr_o wird den Adresseingängen AA der beiden Speicher W_RAM1 und W_RAM2 für den Port A zugeleitet. Es gibt an, unter welchen Adressen A0,1, A0,2, A3,1, A3,2, ... die aus dem Speicher C_RAM gelesenen Konfigurationsdaten D0,1, D0,2, D3,1, D3,2 gespeichert werden sollen. Die ausgelesenen Parameter D0,1, D0,2, D3,1, D3,2 sind in 4 als Signal C_RAM_data_i dargestellt.
  • Beim Schreibvorgang wird das Signal C_CSB_n (invertiert) als Enable-Signal genutzt, welches entscheidet, ob die Schreib-Adresse W_RAM_WR_Addr (die identisch mit der Adresse C_RAM_RD_Addr ist) in die (in 3 nicht dargestellte) Ausgabe-Registerbank 8 für die Arbeitsspeicher W_RAM1 und W_RAM2 geladen werden soll oder nicht. Dies gewährleistet in der bereits beschriebenen Weise die Stabilisierung des externen Adressbusses 102', wie dies anhand des Signals W_RAM_WR_addr_o in 4 erkennbar ist.
  • Beim Schreibvorgang werden die Datenworte über einen externen Datenbus 105 Dateneingängen DA der Speicher W_RAM1, W_RAM2 zugeleitet. Der externe Datenbus 105 kann ebenfalls in der bereits beschriebenen Weise über eine Ausgabe-Registerbank gegen unnötige Schaltvorgänge geschützt sein.

Claims (14)

  1. Schaltung für den Zugriff auf einen RAM-Speicher, insbesondere SRAM-Speicher, mit – einem Mittel zum Berechnen einer Adresse für den RAM-Speicher (SRAM; C_RAM, W_RAM1, W_RAM2), – einer Adress-Registerbank (8), welcher eingangsseitig von dem Mittel berechnete Adressen (calc_RAM_address) zugeleitet werden und welche ausgangsseitig mit dem Adressbus (2; 102, 102') des RAM-Speichers (SRAM; C_RAM, W_RAM1, W_RAM2) in Verbindung steht, wobei die Adress-Registerbank (8) einen Steuereingang (C) aufweist, über welchen das Eintakten einer eingangsseitig an der Adress-Registerbank anliegenden Adresse in die Adress-Registerbank (8) gesteuert wird, und – einer Takt-Ausblendezelle (13), die eingangsseitig mit einem Taktsignal (clk) und ausgangsseitig mit dem Steuereingang (C) der Adress-Registerbank (8) verbunden ist, und welche in Abhängigkeit von einem der Takt-Ausblendezelle (13) zugeleiteten Enable-Signal (enable_out) das eingangsseitig erhaltene Taktsignal (clk) unterdrückt oder an den Steuereingang (C) der Adress-Registerbank (8) weitergibt.
  2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – das Enable-Signal (enable_out) das Chip-Select-Signal (CS) für den RAM-Speicher ist.
  3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass – die Adress-Registerbank (8) aus einer Mehrzahl von Flip-Flops (9) aufgebaut ist.
  4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass – die Anzahl der Flip-Flops (9) der Wortbreite der Adresse entspricht, wobei jedes Adressen-Bit genau einem Flip-Flop zugeleitet wird.
  5. Schaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Chip-Select-Signal (CS) einem Chip-Select Register (9') zugeleitet wird, welches ausgangsseitig mit dem Chip-Select Eingang des RAM-Speichers (SRAM; C_RAM, W_RAM1, W_RAM2) in Verbindung steht, wobei das Chip-Select Register (9') einen Steuereingang aufweist, über welchen das Eintakten des eingangsseitig an dem Chip-Select Register anliegenden Chip-Select-Signals in das Chip-Select Register gesteuert wird, wobei dem Steuereingang des Chip-Select Registers (9') das Taktsignal (clk) zugeleitet wird.
  6. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch – eine Dateneingabe-Registerbank (12), welche eingangsseitig mit dem Datenausgang des RAM-Speichers (SRAM; C_RAM, W_RAM1, W_RAM2) in Verbindung steht, wobei die Dateneingabe-Registerbank (12) einen Steuereingang aufweist, über welchen das Eintakten eines eingangsseitig an der Dateneingabe-Registerbank anliegenden Datums in die Dateneingabe-Registerbank gesteuert wird, und – eine eingangsseitig mit dem Taktsignal (clk) und ausgangsseitig mit dem Steuereingang (C) der Dateneingabe-Registerbank (12) verbundene zweite Takt-Ausblendezelle (17), welche in Abhängigkeit von einem der zweiten Takt-Ausblendezelle (17) zugeleiteten zweiten Enable-Signal (enable_in) das eingangsseitig erhaltene Taktsignal (clk) unterdrückt oder an den Steuereingang (C) der Dateneingabe-Registerbank (12) weitergibt.
  7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass – das zweite Enable-Signal (enable_in) aus dem Read-Enable-Signal (rd_en) und dem Chip-Select-Signal (CS) für den RAM-Speicher gewonnen wird.
  8. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch – eine Datenausgabe-Registerbank, welche ausgangsseitig mit dem Dateneingang des RAM-Speichers in Verbindung steht, wobei die Datenausgabe-Registerbank einen Steuereingang aufweist, über welchen das Eintakten eines in den RAM-Speicher zu schreibenden Datums in die Datenausgabe-Registerbank gesteuert wird, und – eine eingangsseitig mit dem Taktsignal und ausgangsseitig mit dem Steuereingang der Datenausgabe-Registerbank verbundene dritte Takt-Ausblendezelle, welche in Abhängigkeit von einem der dritten Takt-Ausblendezelle zugeleiteten dritten Enable-Signal das eingangsseitig erhaltene Taktsignal unterdrückt oder an den Steuereingang der Datenausgabe-Registerbank weitergibt.
  9. Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass – das dritte Enable-Signal aus dem Write-Enable-Signal (wr_en) und dem Chip-Select-Signal (CS) für den RAM-Speicher gewonnen wird.
  10. Schaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass – die Datenausgabe-Registerbank und/oder die Dateneingabe-Registerbank (12) aus einer Mehrzahl von Flip-Flops (9) aufgebaut sind.
  11. Schaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass – die Anzahl der Flip-Flops der Wortbreite der Daten entspricht, wobei jedes Bit eines Datums genau einem Flip-Flop (9) zugeleitet wird.
  12. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass – das Mittel zum Berechnen einer Adresse für den RAM-Speicher für den Multiplexbetrieb ausgelegt ist.
  13. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltung in einem Basisband-Chip eines Mobilfunkempfängers enthalten ist.
  14. Schaltung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der RAM-Speicher (SRAM; C_RAM, W_RAM1, W_RAM2) ein SRAM-Speicher zur Bereithaltung des Scrambling-Codes und/oder ein SRAM-Speicher zur Bereithaltung des Channelization-Codes in dem Mobilfunkempfänger ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0273642A2 (de) * 1986-12-19 1988-07-06 Fujitsu Limited Einrichtung zum Lesen von Daten aus einem Speicher
US5036493A (en) * 1990-03-15 1991-07-30 Digital Equipment Corporation System and method for reducing power usage by multiple memory modules

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