DE10319521A1 - Method and device for treating disc-shaped substrates - Google Patents

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Abstract

Um eine im Wesentlichen gleichmäßige Behandlung aller Bereich von scheibenförmigen Substraten zu ermöglichen, sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, vor, bei dem eine Vielzahl von Substraten mit einem Führungselemente aufweisenden Substratträger in ein Behandlungsbecken eingeleitet wird, um die Substrate zu behandeln. Im Behandlungsbecken werden die Substrate durch wenigstens zwei sich im Wesentlichen senkrecht zu der Ebene der Substrate erstreckende Rollen derart aufgenommen, dass sie nicht mehr auf dem Substratträger aufliegen, aber die Führungselemente des Substratträgers die Substrate seitlich führen, um ein Kippen derselben zu verhindern, und die Substrate werden ferner während der Behandlung über wenigstens eine der Rollen wenigstens einmal bezüglich ihrer Ausgangsposition gedreht.In order to enable a substantially uniform treatment of all areas of disk-shaped substrates, the present invention provides a method and an apparatus for treating disk-shaped substrates, in particular semiconductor wafers, in which a multiplicity of substrates with a substrate carrier having guide elements is introduced into a treatment basin to treat the substrates. In the treatment tank, the substrates are taken up by at least two rollers which extend essentially perpendicular to the plane of the substrates such that they no longer lie on the substrate carrier, but the guide elements of the substrate carrier guide the substrates laterally to prevent them from tipping over, and that Substrates are also rotated at least once with respect to their starting position over at least one of the rollers during the treatment.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern.The The present invention relates to a method and an apparatus for treating disc-shaped Substrates, especially semiconductor wafers.

Während der Herstellung von Halbleiterwafern müssen diese unterschiedlichen Prozessschritte durchlaufen. Einer dieser Schritte ist beispielsweise das Entfernen von organischem Photoresist nach einem photolithografischen Behandlungsschritt. Bei einem bekannten Verfahren zum Entfernen des Photoresist werden die Halbleiterwafer in eine flüssige Chemikalie eingetaucht, um das Photoresist zu entfernen. Dabei werden die Wafer üblicherweise als Charge ohne Träger in ein seitliche Führungselemente aufweisendes Behandlungsbecken eingesetzt, wie es beispielsweise in der auf dieselbe Anmelderin zurückgehenden DE-A-197 38 147 beschrieben ist. Dadurch, dass die Wafer ohne Substratträger in das Behandlungsbecken eingesetzt werden, kann das Gesamtvolumen des Behandlungsbeckens und somit der Chemikalienverbrauch reduziert werden.These different process steps have to go through during the production of semiconductor wafers. One of these steps is, for example, the removal of organic photoresist after a photolithographic treatment step. In a known method for removing the photoresist, the semiconductor wafers are immersed in a liquid chemical to remove the photoresist. The wafers are usually used as a batch without a carrier in a treatment basin having lateral guide elements, as is the case, for example, in the same applicant DE-A-197 38 147 is described. The fact that the wafers are inserted into the treatment basin without a substrate carrier can reduce the total volume of the treatment basin and thus the consumption of chemicals.

Bei einem alternativen Verfahren zum Entfernen des Photoresist werden die Halbleiterwafer in einer Wasserdampf-Ozongasatmosphäre behandelt, wie es beispielsweise in der auf dieselbe Anmelderin zurückgehenden DE-A-100 07 439 beschrieben ist. Bei diesem Verfahren ist zum Erreichen einer gleichmäßigen Wasserdampf-Ozongasatmosphäre innerhalb einer Behandlungskammer ein gewisses Volumen erforderlich. Darüber hinaus ist es von Vorteil, wenn die zu behandelnden Wafer von den Wänden der Prozesskammer beabstandet sind, da hier Inhomogenitäten der Prozessatmosphäre auftreten können. Daher werden die Wafer bei diesem Verfahren mit einem Substratträger in das Behandlungsbecken eingebracht.In an alternative method of removing the photoresist, the semiconductor wafers are treated in a water vapor ozone gas atmosphere, as described, for example, in the same applicant DE-A-100 07 439 is described. With this method, a certain volume is required to achieve a uniform water vapor ozone gas atmosphere within a treatment chamber. In addition, it is advantageous if the wafers to be treated are spaced from the walls of the process chamber, since inhomogeneities in the process atmosphere can occur here. In this process, the wafers are therefore introduced into the treatment tank with a substrate carrier.

Dabei ergibt sich jedoch das Problem, dass im Bereich der Kontaktstellen zwischen den Wafern und dem Substratträger keine vollständige Entfernung des Photoresist erfolgt und daher Rückstände des Photoresist in diesem Bereich verbleiben können. Dies kann zu einer erheblichen Verschlechterung nachfolgender Prozesse führen.there However, the problem arises that in the area of the contact points no complete removal between the wafers and the substrate carrier of the photoresist and therefore residues of the photoresist in it Area can remain. This can cause subsequent processes to deteriorate significantly to lead.

Ausgehend von dem zuvor genannten Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zu schaffen, das bzw. die eine im Wesentlichen gleichmäßige Behandlung aller Bereiche von scheibenförmigen Substraten ermöglicht.outgoing the present state of the art lies in the foregoing The invention is therefore based on the object of a method and an apparatus to create an essentially uniform treatment all areas of disc-shaped Allows substrates.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einem Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem scheibenförmigen Substrat, insbesondere von Halbleiterwafern, bei dem wenigstens ein Substrat mit einem Führungselemente aufweisenden Substratträger in ein Behandlungsbecken eingesetzt wird und wenigstens ein Behandlungsfluid in das Behandlungsbecken eingeleitet wird, um das wenigstens eine Substrat zu behandeln, dadurch gelöst, dass das wenigstens eine Substrat im Becken durch wenigstens zwei sich im Wesentlichen senkrecht zu der Ebene des wenigstens einen Substrats erstreckende Rollen derart aufgenommen wird, dass es nicht auf dem Substratträger aufliegt, aber die Führungselemente des Substratträgers das wenigstens eine Substrat seitlich führt, um ein Kippen zu verhindern und das wenigstens eine Substrat während der Behandlung über wenigstens eine der Rollen zumindest einmal bezüglich seiner Ausgangsposition derart gedreht wird, dass die zunächst im Bereich der Führungselemente liegenden Bereiche des wenigstens einen Substrats außerhalb der Führungselemente angeordnet sind. Eine Drehung des wenigstens einen Substrats bezüglich seiner Ausgangsposition ermöglicht eine Behandlung in unterschiedlichen Positionen. Hierdurch kann eine gleichmäßigere Behandlung des wenigstens einen Substrats erfolgen, insbesondere kann verhindert werden, dass im Bereich der Führungselemente des Substratträgers Rückstände verbleiben, da das wenigstens eine Substrat keine Bereiche besitzt, die über die gesamte Behandlung hinweg im Bereich von Führungselementen des Substratträgers liegen. Durch die wenigstens zwei Rollen ist es ferner möglich, das wenigstens eine Substrat derart aufzunehmen, dass es mit seinem Außenumfang ausschließlich die Rollen kontaktiert und somit keine Umfangsreibung zwischen Substrat und Substratträger auftritt. Bei der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird eine Vielzahl von im wesentlichen parallel zueinander angeordneten Substraten gleichzeitig behandelt.According to the invention Object in a method for treating at least one disk-shaped substrate, in particular of semiconductor wafers, in which at least one substrate a guide having substrate carrier is used in a treatment basin and at least one treatment fluid is introduced into the treatment basin by at least one Treat substrate, solved that the at least one Substrate in the basin by at least two essentially perpendicular rollers extending to the plane of the at least one substrate is recorded in such a way that it does not rest on the substrate carrier, but the leadership elements of the substrate carrier which guides at least one substrate laterally to prevent tipping and the at least one substrate during the treatment over at least one of the rollers at least once with respect to its starting position is rotated such that the first in the area of the guide elements lying areas of the at least one substrate outside the guide elements arranged are. A rotation of the at least one substrate with respect to it Starting position allows treatment in different positions. This can a more even treatment of the at least one substrate, in particular can be prevented be that in the area of leadership of the substrate carrier Residues remain since the at least one substrate has no areas that over the entire treatment lie in the area of guide elements of the substrate carrier. The at least two roles also make it possible to use the at least one Record substrate in such a way that it with its outer circumference exclusively contacted the rollers and therefore no circumferential friction between the substrate and substrate support occurs. In the preferred embodiment of the invention a plurality of substantially parallel to each other Treated substrates simultaneously.

Vorzugsweise werden die Substrate jeweils mehrmals um ungefähr 180° gedreht. Bei einer Ausführungsform der Erfindung werden die Substrate vor ihrer Entnahme aus dem Behandlungsbecken in ihre Ausgangsposition gedreht, so dass eine ggf. zuvor erfolgte Ausrichtung der Substrate beibehalten wird.Preferably the substrates are each rotated several times through approximately 180 °. In one embodiment According to the invention, the substrates are removed from the treatment basin rotated into their starting position, so that one, if applicable, was carried out previously Alignment of the substrates is maintained.

Bei der derzeit bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält das Behandlungsfluid wenigstens Wasserdampf und Ozon, um eine Entfernung organischer Verunreinigungen, wie beispielsweise eines Photoresists auf Halbleiterwafern zu ermöglichen.at the currently preferred embodiment of the invention the treatment fluid at least water vapor and ozone for removal organic contaminants such as a photoresist on semiconductor wafers.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Substrate abwechselnd im und entgegen dem Uhrzeigersinn gedreht. Dabei wird wenigstens eine der Rollen über eine hin und her bewegliche Kolben-/Zylinderanordnung angetrieben. Die Kolben-/Zylinderanordnung kann durch ihre Hin- und Herbewegung auf einfache Weise die entgegengesetzten Drehrichtungen der Rolle bewirken. Dabei besitzt die Kolben-/Zylinderanordnung durch ihre vorgegebenen Endpositionen den Vorteil, dass die Drehung der Rolle auf einfache Weise exakt gesteuert werden kann. Für einen gleichmäßigen Antrieb, insbesondere während der Anfangsphase einer Drehung, wird die Kolben-/Zylinderanordnung hydraulisch betätigt.According to a further preferred embodiment of the invention, the substrates are rotated alternately clockwise and counterclockwise. At least one of the roles is over powered a reciprocating piston / cylinder assembly. The piston / cylinder arrangement can simply cause the opposite directions of rotation of the roller due to its reciprocating movement. The piston / cylinder arrangement has the advantage, due to its predetermined end positions, that the rotation of the roller can be precisely controlled in a simple manner. The piston / cylinder arrangement is actuated hydraulically for a uniform drive, in particular during the initial phase of a rotation.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Drehung der beiden Rollen derart synchronisiert, dass sie an ihren Umfangsflächen eine gleiche Umfangsgeschwindigkeit besitzen, um eine Relativbewegung zwischen den Rollen und den Wafern zu vermeiden.at a preferred embodiment the rotation of the two rollers is synchronized in such a way that that they have a on their peripheral surfaces have the same peripheral speed to make a relative movement between the rolls and the wafers.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird auch bei einer Vorrichtung zum Behandeln von wenigstens einem scheibenförmigen Substrat, insbesondere Halbleiterwafern, mit einem Behandlungsbecken, einem in das Behandlungsbecken einsetzbaren Substratträger mit Führungselementen zur seitlichen Führung des wenigstens einen Substrats und wenigstens einer Einrichtung zum Einbringen zumindest eines Behandlungsfluids in das Becken dadurch gelöst, dass wenigstens zwei Rollen im Behandlungsbecken vorgesehen sind, die so angeordnet sind, dass sich das wenigstens eine Substrat in seiner Behandlungsposition derart darauf abstützt, dass es nicht auf dem Substratträger aufliegt, aber durch die Führungselemente des Substratträgers seitlich geführt ist, um ein seitliches Kippen zu verhindern, und dass eine Einrichtung zum Drehen wenigstens einer der Rollen vorgesehen ist. Durch diese Vorrichtung ergeben sich schon die unter Bezugnahme auf das Verfahren genannten Vorteile.The The object underlying the invention is also in a device for treating at least one disk-shaped substrate, in particular Semiconductor wafers, with a treatment basin, one in the treatment basin usable substrate carrier with guide elements for lateral guidance of the at least one substrate and at least one device for introducing at least one treatment fluid into the basin solved, that at least two rollers are provided in the treatment basin, which are arranged so that the at least one substrate is in its Treatment position based on it so that it is not on the substrate carrier rests, but through the guide elements of the substrate carrier laterally guided is to prevent sideways tipping and that a facility is provided for rotating at least one of the rollers. Through this device there are already those mentioned with reference to the method Benefits.

Vorzugsweise weist die Einrichtung zum Drehen wenigstens einer der Rollen eine hin und her bewegbare Kolben-/Zylinderanordnung auf. Dabei weist die Kolben-/Zylinderanordnung vorzugsweise eine Vielzahl von Zähnen auf, die mit Zähnen an einem Zahnrad der wenigstens einen angetriebenen Rolle in Eingriff stehen, um eine direkte und einfache Übertragung der Hin- und Herbewegung in eine Drehbewegung der wenigstens einen Rolle vorzusehen. Vorzugsweise ist die Kolben-/Zylinderanordnung so bemessen, dass ein kompletter Hub der Kolben-/Zylinderanordnung eine 360° Drehung wenigstens einer der Rollen bewirkt, um eine einfache und genaue Steuerung der Drehung der Rolle und somit der Substrate vorzusehen.Preferably the device for rotating at least one of the rollers reciprocating piston / cylinder arrangement. It points the piston / cylinder arrangement preferably has a large number of teeth, the one with teeth on a gear of the at least one driven roller in engagement stand for a direct and easy transfer of the float to provide in a rotational movement of the at least one roller. Preferably the piston / cylinder arrangement is dimensioned so that a complete Stroke of the piston / cylinder arrangement a 360 ° rotation of at least one of the Rolling causes easy and precise control of the rotation the role and thus the substrates.

Für einen gleichmäßigen und insbesondere zu Beginn der Drehung ruckfreien Antrieb, wird die Kolben-/Zylinderanordnung vorzugsweise hydraulisch angetrieben. Um die Gefahr einer Verunreinigung der Prozessatmosphäre sowie der Substrate zu verhindern, verwendet die Kolben-/Zylinderanordnung vorzugsweise deionisiertes Wasser als Hydraulikflüssigkeit.For one uniform and especially at the start of the rotation, the piston / cylinder arrangement becomes jerk-free preferably hydraulically driven. To the risk of contamination the process atmosphere to prevent as well as the substrates uses the piston / cylinder arrangement preferably deionized water as hydraulic fluid.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung entspricht der Außenumfang der wenigstens einen angetriebenen Rolle dem halben Umfang des Substrats, so dass eine vollständige Drehung der Rolle eine 180° Drehung der Substrate bewirkt. Bei einer Ausführungsform der Erfindung besitzen die Rollen unterschiedliche Durchmesser, um den Raumbedarf für die Rollen zu reduzieren, insbesondere für den Fall, bei dem der Außenumfang der wenigstens einen angetriebenen Rolle dem halben Umfang der Substrate entspricht und somit einen relativ großen Durchmesser besitzt.at a preferred embodiment the invention corresponds to the outer circumference the at least one driven roller half the circumference of the substrate, so a complete Rotation of the roller a 180 ° turn of the substrates. In one embodiment of the invention the rollers have different diameters to accommodate the space required for the rollers to reduce, especially for the case where the outer circumference the at least one driven roller half the circumference of the substrates corresponds and thus has a relatively large diameter.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist eine Synchronisationsvorrichtung zwischen den wenigstens zwei Rollen vorgesehen, die die Drehung der Rollen derart synchronisiert, dass sie an ihren Umfangsflächen eine gleichmäßige Umfangsgeschwindigkeit besitzen. Hierdurch wird eine Reibung zwischen den Substraten und den Rollen vermieden.at a particularly preferred embodiment the invention is a synchronization device between the at least two rollers are provided which rotate the rollers in such a way synchronized that they have a uniform peripheral speed on their peripheral surfaces have. This will cause friction between the substrates and avoided the roles.

Vorzugsweise weisen die Rollen in Achsrichtung jeweils eine im Wesentlichen ebene Oberfläche auf, um eine glatte Auflagefläche für die Substrate vorzusehen. Hierdurch ist eine besondere Ausrichtung der Substrate bezüglich der Rollen nicht notwendig. Darüber hinaus sind die Oberflächen der Rollen vorzugsweise aus einem abriebfesten Material. Bei einer Ausführungsform der Erfindung sind die Rollen im Bereich einer Mittelöffnung des Substratträgers angeordnet. Vorzugsweise weist die Einrichtung zum Einbringen zumindest eines Behandlungsfluids wenigstens eine Einlassöffnung oberhalb der Rollen auf. Dabei könnten eine oder mehrere Einlsassöffnungen vorgesehen sein, die als Düsen einer Sprühvorrichtung ausgebildet sind, um Behandlungsfluid fein zu versprühen. Hierdurch kann ein Behandlungsfluidnebel erzeugt werden.Preferably the rollers each have a substantially flat axis Surface on, around a smooth contact surface for the To provide substrates. This is a special focus of the Substrates regarding the roles are not necessary. About that beyond are the surfaces the rollers preferably made of an abrasion-resistant material. At a embodiment of the invention are the roles in the area of a central opening of the substrate carrier arranged. The device for insertion preferably has at least of a treatment fluid at least one inlet opening above the rollers on. Doing so one or more inlet openings be provided as nozzles a spray device are designed to spray treatment fluid finely. hereby a treatment fluid mist can be generated.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist wenigstens eine der Rollen eine Abflachung auf. Die Abflachung ermöglicht eine gute Definition der Endposition der Drehung und ermöglicht einen tieferen sitz von Substraten in dem Substratträger, wenn die Abflachung zu den Substraten weist.at a further embodiment According to the invention, at least one of the rollers has a flattened portion. The flattening enables a good definition of the end position of the rotation and allows one Deeper seating of substrates in the substrate support when the flattening is too the substrates.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem scheibenförmigen Substrat, insbesondere von Halbleiterwafern, bei dem wenigstens ein Substrat in einen Führungselemente aufweisenden Substratträger in einem Behandlungsbecken eingesetzt wird und wenigstens ein Behandlungsfluid in das Behandlungsbecken eingeleitet wird, dadurch gelöst, dass das wenigstens eine Substrat im Becken durch wenigsten zwei sich im wesentlichen senkrecht zu der Ebene des wenigstens einen Substrats erstreckende Rollen derart aufgenommen wird, dass es in Vertikalrichtung nicht auf dem Substratträger aufliegt aber die Führungselemente des Substratträgers das wenigstens eine Substrat seitlich führen, um ein Kippen zu verhindern, und das wenigstens eine Substrat während der Behandlung über wenigstens eine der Rollen wenigstens einmal bezüglich seiner Ausgangsposition derart gedreht wird, dass die zunächst im Bereich der Führungselemente liegende Bereiche des wenigstens einen Substrats außerhalb der Führungselemente angeordnet sind.The object on which the invention is based is thereby achieved in a method for treating at least one disk-shaped substrate, in particular semiconductor wafers, in which at least one substrate is used in a substrate carrier having guide elements in a treatment tank and at least one treatment fluid is introduced into the treatment tank solved that the at least one substrate in the basin is received by at least two rollers extending essentially perpendicular to the plane of the at least one substrate such that it does not rest on the substrate carrier in the vertical direction but the guide elements of the substrate carrier guide the at least one substrate laterally, in order to prevent tipping and the at least one substrate is rotated at least once with respect to its starting position during the treatment via at least one of the rollers in such a way that the regions of the at least one substrate which are initially in the region of the guide elements are arranged outside the guide elements.

Die Vorrichtung ist insbesondere für das Entfernen von Photoresist von Halbleiterwafern in einer Wasserdampf-Ozongasatmosphäre geeignet.The Device is especially for removing photoresist from semiconductor wafers in a water vapor ozone gas atmosphere.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert; es zeigen:The In the following, the invention is illustrated on the basis of preferred exemplary embodiments explained in more detail with reference to the figures; show it:

1 eine schematische Darstellung einer Behandlungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung; 1 a schematic representation of a treatment device according to the present invention;

2 eine vergrößerte Darstellung eines Substratträgers, der in Kombination mit der vorliegenden Erfindung einsetzbar ist; 2 an enlarged view of a substrate carrier which can be used in combination with the present invention;

3 eine schematische Darstellung für einen Rollenantrieb gemäß der vorliegenden Erfindung; 3 is a schematic representation for a roller drive according to the present invention;

4 eine schematische Darstellung für eine Synchronisationseinheit für zwei Rollen; 4 a schematic representation for a synchronization unit for two roles;

5 eine schematische Draufsicht auf eine Rollenanordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 5 is a schematic plan view of a roller assembly according to an embodiment of the present invention;

6 eine schematische Darstellung eines alternativen Rollenantriebs gemäß der vorliegenden Erfindung; 6 is a schematic representation of an alternative roller drive according to the present invention;

7 eine schematische Darstellung für ein alternatives Rollenpaar gemäß der vorliegenden Erfindung. 7 is a schematic representation of an alternative pair of roles according to the present invention.

1 zeigt eine schematische Darstellung einer Vorrichtung 1 zum Behandeln von Halbleiterwafern 2. Obwohl in 1 nur ein Halbleiterwafer dargestellt ist, sind eine Vielzahl von Halbleiterwafern 2 vorgesehen, die senkrecht zur Blattebene hintereinander angeordnet sind. 1 shows a schematic representation of a device 1 for treating semiconductor wafers 2 , Although in 1 only one semiconductor wafer is shown are a variety of semiconductor wafers 2 provided, which are arranged one behind the other perpendicular to the plane of the sheet.

Die Behandlungsvorrichtung 1 weist ein Behandlungsbecken 4 auf, das über einen doppelten Deckelmechanismus 6 verschließbar ist. Das Behandlungsbecken 4 besitzt vier Düsenanordnungen 10 zum Einbringen von Wasserdampf in den Behandlungsbehälter 4. Die Düsenanordnungen 10 sind über entsprechende Leitungen mit einer Wasserdampfgenerator 12 verbunden, der über eine Leitung 14 mit deionisiertem Wasser (DI-Wasser) versorgt wird. Statt des Wasserdampfgenerators ist es auch möglich allgemein einen Heißwasseranschluß zu verwenden, sofern dieser eine ausreichende Temperatur vorsieht. In diesem Fall könnte das deionisierte Wasser direkt aus einer entsprechenden Anschlussleitung entnommen werden. Dabei würde das heiße DI-Wasser über die Düsenanordnungen 10 fein innerhalb des Beckens 4 verteilt. Der dabei entstehende feine Nebel könnte dann durch Wärmezufuhr innerhalb des Beckens 4 in Dampf umgewandelt werden.The treatment device 1 has a treatment pool 4 on that via a double lid mechanism 6 is lockable. The treatment pool 4 has four nozzle arrangements 10 for introducing water vapor into the treatment tank 4 , The nozzle arrangements 10 are on corresponding lines with a steam generator 12 connected, via a line 14 is supplied with deionized water (DI water). Instead of the steam generator, it is also generally possible to use a hot water connection, provided that it provides a sufficient temperature. In this case, the deionized water could be taken directly from an appropriate connection line. The hot DI water would flow through the nozzle arrangements 10 fine within the pelvis 4 distributed. The resulting fine mist could then be caused by the supply of heat within the pool 4 be converted into steam.

Im Behandlungsbecken 4 ist ferner ein langgestreckter Diffusor 16 vorgesehen, der sich senkrecht zur Blattebene erstreckt. Der Diffusor 16 ist über entsprechende Leitungen mit dem Wasserdampfgenerator 12 (bzw. einem Heißwasseranschluß) sowie einem Ozongenerator 18 verbunden. Der Ozongenerator 18 wird über eine Leitung 20 mit Sauerstoff versorgt.In the treatment pool 4 is also an elongated diffuser 16 provided that extends perpendicular to the sheet plane. The diffuser 16 is via corresponding lines with the steam generator 12 (or a hot water connection) and an ozone generator 18 connected. The ozone generator 18 is over a line 20 oxygenated.

Innerhalb des Behandlungsbeckens 4 ist ferner Rollenpaar 22 mit einer ersten Rolle 23 und einer zweiten Rolle 24 vorgesehen. Die Rollen erstrecken sich wiederum senkrecht zur Blattebene. Die Rolle 23 besitzt einen größeren Durchmesser als die Rolle 24, wie in 1 deutlich zu erkennen ist. Dabei besitzt die Rolle 23 einen Außenumfang, der der Hälfte des Außenumfangs der zu behandelnden Halbleiterwafer 2 entspricht. Die Rollen 23, 24 sind auf entgegengesetzten Seiten einer vertikalen Mittelebene der Halbleiterwafer 2 angeordnet, wenn diese in das Behandlungsbecken 4 eingesetzt sind, wie in 1 dargestellt ist. Das Rollenpaar 22 ist innerhalb des Behandlungsbekkens 4 stationär angeordnet, wobei die einzelnen Rollen jedoch über eine Antriebsvorrichtung, die nachfolgend unter Bezugnahme auf 3 näher erläutert wird, gedreht werden können. Das Behandlungsbecken 4 besitzt an seinem Boden einen Auslass 26, der mit einer Leitung 28 in Verbindung steht und über den Behandlungsfluid abgelassen werden kann.Inside the treatment pool 4 is also a pair of roles 22 with a first role 23 and a second role 24 intended. The rollers in turn extend perpendicular to the sheet plane. The role 23 has a larger diameter than the roller 24 , as in 1 is clearly recognizable. It has the role 23 an outer circumference that is half the outer circumference of the semiconductor wafers to be treated 2 equivalent. The roles 23 . 24 are on opposite sides of a vertical median plane of the semiconductor wafers 2 arranged when this is in the treatment basin 4 are used as in 1 is shown. The pair of rollers 22 is within the treatment pool 4 arranged stationary, the individual rollers, however, via a drive device, the following with reference to 3 is explained in more detail, can be rotated. The treatment pool 4 has an outlet on its bottom 26 with a wire 28 communicates and can be drained via the treatment fluid.

Im oberen Bereich des Behandlungsbeckens 4 ist ferner eine mit dem Dekkelmechanismus 6 gekoppelte Absaugeinrichtung 30 vorgesehen. Die Absaugeinrichtung 30 besitzt eine Pumpe 31 sowie eine Vorrichtung zum Abbauen von Ozon 32, wie beispielsweise einen Katalysator oder eine entsprechend andere Vorrichtung hierzu. Ein Beispiel für eine Absaugeinrichtung ist beispielsweise in der auf dieselbe Anmelderin zurückgehenden DE-A-100 07 439 beschrieben, auf die hier Bezug genommen wird, um Wiederholungen zu vermeiden.In the upper area of the treatment basin 4 is also one with the lid mechanism 6 coupled suction device 30 intended. The suction device 30 has a pump 31 and a device for depleting ozone 32 , such as a catalyst or a corresponding other device for this. An example of a suction device is, for example, that of the same applicant DE-A-100 07 439 described here to avoid repetition.

Außerhalb des Behandlungsbeckens 4 sind Infrarotheizelemente 35 vorgesehen, welche geeignet sind, das Behandlungsbecken 4 sowie eine innerhalb des Behandlungsbeckens 4 befindliche Prozessatmosphäre zu erhitzen. Beispielsweise sind die Infrarotheizelemente 35 in der Lage einen im Behandlungsbecken 4 befindlichen feinen Nebel aus DI-Wasser zu erhitzen, um so Wasserdampf zu erzeugen. Dies ist beispielsweise notwendig, wenn statt Wasserdampf DI-Wasser in feiner Nebelform in das Behandlungsbecken 4 eingeleitet wird.Outside the treatment pool 4 are infrared heating elements 35 provided, which are suitable for the treatment basin 4 as well as one inside the treatment pool 4 to heat the process atmosphere. For example, the infrared heating elements 35 able one in the treatment pool 4 heat the fine mist from DI water in order to generate water vapor. This is necessary, for example, if instead of water vapor DI water in a fine mist form in the treatment basin 4 is initiated.

In 1 ist ferner ein Substratträger 37 dargestellt, der zum Be- und Entladen der Halbleiterwafer 2, sowie zum seitlichen Halten derselben innerhalb des Behandlungsbeckens 4 dient.In 1 is also a substrate carrier 37 shown, for loading and unloading the semiconductor wafer 2 , as well as to hold it laterally within the treatment basin 4 serves.

Der Substratträger 37 ist in größerer Einzelheit in 2 dargestellt. Er besteht im wesentlichen aus zwei Endplatten 38, von denen in 2 nur eine dargestellt ist. Die Endplatten 38 sind über insgesamt vier Zahnstangen 39 miteinander verbunden. Die Zahnstangen 39 weisen jeweils ein im wesentlichen rundes Stangenelement 40 sowie eine Vielzahl von sich hiervon erstreckenden Zähnen 42 auf. Die Zähne 42 besitzen jeweils eine sich von der Stange 40 zu einer Spitze verjüngende Querschnittsform, wie in 2 zu erkennen ist. Die Spitzen der Zähne 42 der vier Zahnstangen 39 sind auf einen gemeinsamen Punkt 44 ausgerichtet, der einem Mittelpunkt eines in dem Substratträger 37 aufgenommenen Halbleiterwafers 2 entspricht.The substrate carrier 37 is in more detail in 2 shown. It essentially consists of two end plates 38 , of which in 2 only one is shown. The end plates 38 are over a total of four racks 39 connected with each other. The racks 39 each have an essentially round rod element 40 and a plurality of teeth extending therefrom 42 on. The teeth 42 each have one off the shelf 40 tapering cross-sectional shape, as in 2 can be seen. The tips of the teeth 42 of the four racks 39 are on a common point 44 aligned, which is a center point of one in the substrate carrier 37 recorded semiconductor wafer 2 equivalent.

Die Zähne 42 besitzen eine gewisse Höhe, so dass selbst dann, wenn ein Halbleiterwafer nicht auf den Zahnstangen 39 aufliegt, eine seitliche Führung für die Halbleiterwafer 2 vorgesehen werden kann, um ein Kippen derselben zu verhindern.The teeth 42 have a certain height, so even if a semiconductor wafer is not on the racks 39 is a lateral guide for the semiconductor wafer 2 can be provided to prevent the same from tipping.

3 zeigt eine schematische Darstellung eines Rollenantriebs 46 der vorliegenden Erfindung, der im Behandlungsbecken 4 angeordnet ist, jedoch in 1 nicht zu erkennen ist. 3 shows a schematic representation of a roller drive 46 of the present invention in the treatment pool 4 is arranged, however in 1 is not recognizable.

3 zeigt schematisch die Rollen 23, 24 sowie ihre jeweiligen Wellen 48, 49, die, wie nachfolgend näher anhand der 5 erläutert wird, drehbar im Behandlungsbecken 4 gelagert sind. 3 zeigt eine Endansicht auf die Rollenanordnung 22. 3 shows the roles schematically 23 . 24 as well as their respective waves 48 . 49 which, as detailed below using the 5 is explained, rotatable in the treatment pool 4 are stored. 3 shows an end view of the roller assembly 22 ,

Die Welle 48 besitzt an ihrem einen Ende einen Zahnkranz, der integral ausgebildet ist, oder z. B. durch ein an der Welle 48 befestigtes Zahnrad gebildet werden kann. Der Zahnkranz ist durch eine verdickte Darstellung der Welle 48 dargestellt.The wave 48 has at one end a ring gear which is integrally formed, or z. B. by a on the shaft 48 attached gear can be formed. The ring gear is through a thickened representation of the shaft 48 shown.

3 zeigt ferner schematisch eine Antriebseinheit 46, die als Kolben-/Zylinderanordnung ausgebildet ist. Die Kolben-/Zylinderanordnung besitzt einen schematisch dargestellten Zylinder 52 mit einem darin verschiebbar angeordneten Kolben 54. An dem Kolben 54 ist eine Kolbenstange 56 vorgesehen, die in einem Teilbereich 58 mit Zähnen versehen ist, die mit den Zähnen des Zahnkranzes 50 in Eingriff stehen, wie in 3 angedeutet ist. Durch den Eingriff der Zähne des Zahnkranzes 50 und des Bereichs 58 der Stange 56 bewirkt eine Längsverschiebung des Kolbens 54 eine Drehung der Rolle 23. Die Kolben-/Zylinderanordnung besitzt Endanschläge, welche eine Linearbewegung des Kolbens 54 begrenzen. Die jeweiligen Komponenten der Kolben-/Zylinderanordnung sowie der Rolle 23 einschließlich Welle 48 und Zahnkranz 50 sind derart bemessen, dass eine vollständige Bewegung des Kolbens 54 zwischen den Endanschlägen der Kolben-/Zylinderanordnung eine 360°-Drehung der Rolle 23 bewirkt. Die Anfangs- und Endposition des Kolbens 54 und somit der Start und das Ende der Drehbewegung der Rolle 23 kann über einen entsprechenden Sensor abgefühlt werden. Beispielsweise kann ein Kontaktgeber (z.B. ein Magnet) am Kolben vorgesehen sein. 3 also schematically shows a drive unit 46 , which is designed as a piston / cylinder arrangement. The piston / cylinder arrangement has a schematically represented cylinder 52 with a piston slidably disposed therein 54 , On the piston 54 is a piston rod 56 provided that in a partial area 58 is provided with teeth that match the teeth of the ring gear 50 engage as in 3 is indicated. By engaging the teeth of the ring gear 50 and the area 58 the rod 56 causes a longitudinal displacement of the piston 54 a roll of the roll 23 , The piston / cylinder assembly has end stops which cause linear movement of the piston 54 limit. The respective components of the piston / cylinder arrangement and the roller 23 including wave 48 and ring gear 50 are dimensioned so that a complete movement of the piston 54 a 360 ° rotation of the roller between the end stops of the piston / cylinder arrangement 23 causes. The start and end position of the piston 54 and thus the start and end of the rotating movement of the roll 23 can be sensed using an appropriate sensor. For example, a contactor (eg a magnet) can be provided on the piston.

Die Kolben-/Zylinderanordnung besitzt eine Kammer 60, die mit einem Hydraulikfluid, bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel DI-Wasser, über eine entsprechende Leitung 62 beaufschlagt werden kann. Durch Einleiten von DI-Wasser in die Kammer 60 bzw. Ausleiten desselben kann der Kolben 54 in bekannter Weise hin und her bewegt werden. Natürlich ist es auch möglich, DI-Wasser auf gegenüberliegenden Seiten des Kolbens 54 ein- bzw. auszuleiten, um dessen Bewegung zu steuern.The piston / cylinder arrangement has a chamber 60 with a hydraulic fluid, in the preferred embodiment DI water, via a corresponding line 62 can be applied. By introducing DI water into the chamber 60 The piston can discharge or discharge the same 54 be moved back and forth in a known manner. Of course, it is also possible to use DI water on opposite sides of the piston 54 lead in or out to control its movement.

4 zeigt schematisch eine Synchronisationseinheit 64 zum Synchronisieren der Drehung der Rollen 23 und 24. Die 4 stellt eine Endansicht der Rollenanordnung 22 dar, und zwar von der entgegengesetzten Seite bezüglich 3. In 4 sind wiederum die Wellen 48, 49 der Rollen 23, 24 zu erkennen. Wie durch eine verdickte Darstellung der Wellen angedeutete ist, besitzen die Wellen 48, 49 in ihren Endbereichen jeweils einen Zahnkranz 66, 67, der entweder integral mit den Wellen 48 bzw. 49 ausgebildet ist, oder durch Anbringung eines entsprechenden Zahnrades an den Wellen 48, 49 vorgesehen wird. Die Zahnkränze 66, 67 stehen mit einem Zahnrad 69 in Ein griff, das über eine Welle 70 drehbar im Behandlungsbecken 4 gelagert ist. Die Zahnkränze 66, 67 sowie das Zahnrad 69 sind derart bemessen, dass eine Drehung der beiden Rollen 23, 24 derart synchronisiert ist, das sie an ihren Umfangsflächen eine gleiche Umfangsgeschwindigkeit besitzen. 4 schematically shows a synchronization unit 64 to synchronize the rotation of the rollers 23 and 24 , The 4 represents an end view of the roller assembly 22 from the opposite side 3 , In 4 are the waves again 48 . 49 of roles 23 . 24 to recognize. As indicated by a thickened representation of the waves, the waves have 48 . 49 a ring gear in each of its end regions 66 . 67 that is either integral with the shafts 48 respectively. 49 is formed, or by attaching a corresponding gear on the shafts 48 . 49 is provided. The sprockets 66 . 67 stand with a gear 69 in a handle that over a wave 70 rotatable in the treatment basin 4 is stored. The sprockets 66 . 67 as well as the gear 69 are dimensioned such that the two rollers rotate 23 . 24 is synchronized so that they have the same peripheral speed on their peripheral surfaces.

5 zeigt eine schematische Draufsicht auf die Rollenanordnung 22. Die gesamte in 5 gezeigte Rollenanordnung einschließlich des Rollenantriebs 46 sowie der Synchronisationseinheit 64 sind innerhalb des Behandlungsbekkens 4 angeordnet. Dabei sind die Wellen 48, 49 an ihren entgegengesetzten Endbereichen jeweils drehbar an entsprechenden Befestigungselementen 74, 75 im Behandlungsbecken 4 angebracht. An dem Befestigungselement 75 ist darüber hinaus über die Welle 70 das Zahnrad 69 drehbar gelagert. 5 shows a schematic plan view of the roller arrangement 22 , The whole in 5 shown roller arrangement including the roller drive 46 and the synchronization unit 64 are within the treatment pool 4 arranged. Here are the waves 48 . 49 at their opposite end areas each rotatable on corresponding fasteners 74 , 75 in the treatment pool 4 appropriate. On the fastener 75 is beyond the wave 70 the gear 69 rotatably mounted.

Obwohl die Synchronisationseinrichtung 64 und der Rollenantrieb 46 an entgegengesetzten Enden der Rollen 23, 24 dargestellt sind, können diese natürlich auch an demselben Ende vorgesehen sein. Auch ist die genaue Anordnung der jeweiligen Elemente zueinander nur beispielhaft zu sehen.Although the synchronization device 64 and the roller drive 46 at opposite ends of the rollers 23 . 24 are shown, these can of course also be provided at the same end. The exact arrangement of the respective elements in relation to one another can only be seen as an example.

6 zeigt eine alternative Ausführungsform eines Rollenantriebs 46, wobei in 6 dieselben Bezugszeichen verwendet werden wie in 3, sofern dieselben oder äquivalente Bauteile bezeichnet werden. 6 shows an alternative embodiment of a roller drive 46 , where in 6 the same reference numerals are used as in 3 , provided the same or equivalent components are designated.

6 zeigt eine Endansicht auf die Rollenanordnung 22. Wiederum besitzt die Rolle 23 einen Zahnkranz 50 auf der Welle 48. 6 shows an end view of the roller assembly 22 , Again has the role 23 a ring gear 50 on the wave 48 ,

Der Rollenantrieb 46 besitzt eine Kolben-/Zylinderanordnung mit einem Zylinder 52 und einem Kolben 54, die dazwischen eine Kammer 60 bilden, die über eine Leitung 62 mit Hydraulikflüssigkeit beaufschlagt werden kann, um einen Längsverschiebung des Kolbens 54 innerhalb des Zylinders 52 zu bewirken. Der Kolben 54 besitzt eine Kolbenstange 80, die über ein Brückenelement 82 mit einer sich parallel zur Kolbenstange 80 erstreckenden Antriebsstange 84 verbunden ist. Die Kolbenstange 80, das Brückenelement 82 sowie die Antriebsstange 84 bilden eine U-Form, wobei die Antriebsstange 84 eine we sentlich größere Länge als die Kolbenstange 80 besitzt. An ihrem vom Brükkenelement 82 entfernt gelegenen Ende besitzt die Antriebsstange 84 einen Teilbereich 86 mit Zähnen, die mit dem Zahnkranz 50 in Eingriff stehen.The roller drive 46 has a piston / cylinder arrangement with a cylinder 52 and a piston 54 that have a chamber in between 60 form that over a line 62 Hydraulic fluid can be applied to a longitudinal displacement of the piston 54 inside the cylinder 52 to effect. The piston 54 has a piston rod 80 that have a bridge element 82 with one parallel to the piston rod 80 extending drive rod 84 connected is. The piston rod 80 , the bridge element 82 as well as the drive rod 84 form a U shape, with the drive rod 84 a much longer length than the piston rod 80 has. On her from the bridge element 82 distal end has the drive rod 84 a section 86 with teeth that with the ring gear 50 are engaged.

Nachfolgend wird nunmehr der Betrieb der Behandlungsvorrichtung 1 anhand der Figuren näher erläutert.The operation of the treatment device now follows 1 explained in more detail with reference to the figures.

Vor Beginn einer Waferbehandlung wird zunächst das Behandlungsbecken 4 geöffnet und eine Charge von Wafern 2 wird mit einem Substratträger 37 in das Behandlungsbecken 4 eingesetzt. Dabei wird der Substratträger derart eingesetzt, dass die Wafer 2 auf den Rollen 23, 24 aufstehen und in Vertikalrichtung ausschließlich durch die Rollen getragen werden. Die Wafer 2 stehen somit mit ihrem vollen Gewicht auf den Rollen 23, 24 auf. Dabei werden die Wafer 2 jedoch nur leicht bezüglich des Substratträgers 37 angehoben, so dass sie weiterhin seitlich durch die Zähne 42 des Substratträgers 37 geführt sind. Hierdurch wird ein Kippen der Wafer 2 verhindert.Before starting a wafer treatment, the treatment tank is first 4 opened and a batch of wafers 2 comes with a substrate support 37 into the treatment pool 4 used. The substrate carrier is used in such a way that the wafers 2 on the rolls 23 . 24 stand up and are carried in the vertical direction exclusively by the rollers. The wafers 2 stand with their full weight on the wheels 23 . 24 on. The wafers 2 but only slightly with respect to the substrate support 37 raised so that it continues sideways through the teeth 42 of the substrate carrier 37 are led. This will cause the wafer to tilt 2 prevented.

Anschließend wird das Behandlungsbecken 4 geschlossen, und es wird in bekannter Weise eine Wasserdampf-Ozongasatmosphäre in dem Behandlungsbecken 4 erzeugt. Während der Behandlung der Wafer 2 werden diese nunmehr über die Rollen 23, 24 um 180° bezüglich ihrer Ausgangsposition gedreht. Nach einer bestimmten Behandlungszeit werden die Wafer 2 wiederum um 180° in ihre Ausgangsposition zurückgedreht. Die Drehung wird jeweils über den Rollenantrieb 46 bewirkt, der durch einen vollen Hub des Kolbens 54 der Kolben-/Zylinderanordnung eine 360°-Drehung der Rolle 23 bewirkt. Da der Umfang der Rolle 23 der Hälfte des Umfangs der Wafer 2 entspricht, bewirkt eine vollständige Drehung der Rolle 23 einer 180°-Drehung der Wafer 2.Then the treatment basin 4 closed, and there is a water vapor ozone gas atmosphere in the treatment tank in a known manner 4 generated. During the treatment of the wafers 2 these are now over the roles 23 . 24 rotated by 180 ° with respect to their starting position. After a certain treatment time, the wafers 2 are again turned back to their starting position by 180 °. The rotation is done via the roller drive 46 caused by a full stroke of the piston 54 the piston / cylinder arrangement a 360 ° rotation of the roller 23 causes. Because the scope of the role 23 half the circumference of the wafers 2 corresponds to a complete rotation of the roller 23 a 180 ° rotation of the wafers 2 ,

Die Hin- und Herdrehung der Wafer 2 kann während der Behandlung mehrfach erfolgen, wobei die Wafer 2 zwischen aufeinanderfolgenden Drehungen in entgegengesetzte Richtungen jedoch jeweils stationär gehalten werden.The back and forth rotation of the wafers 2 can be done several times during the treatment, the wafer 2 be held stationary between successive rotations in opposite directions.

Dabei werden die Wafer 2 vorzugsweise jeweils für annähernd gleiche Zeiträume in ihren jeweils um 180° verdrehten Positionen behandelt. Abschließend werden die Wafer 2 in ihre Ausgangsposition zurückgedreht, was zweckmäßig ist, um das gesamte System in seine Ausgangsstellung zurückzubringen. Insbesondere ist dies auch vorteilhaft, wenn die Wafer 2 vorausgerichtet waren, bevor sie in das Behandlungsbecken eingesetzt wurden. Die Prozessgasatmosphäre wird abgesaugt, und anschließend wird das Behandlungsbecken 4 geöffnet. Die Wafer 2 werden nun samt Substratträger aus dem Behandlungsbecken 4 entnommen.The wafers 2 preferably treated for approximately the same periods in their respective positions rotated by 180 °. Finally, the wafers 2 rotated back to its original position, which is useful to bring the entire system back to its original position. In particular, this is also advantageous if the wafer 2 were prepared before being placed in the treatment basin. The process gas atmosphere is suctioned off, and then the treatment tank 4 open. The wafers 2 are now together with the substrate carrier from the treatment pool 4 taken.

7 zeigt eine alternative Ausführungsform eines Rollenpaars 22 zur Verwendung in einem Behandlungsbecken gemäß 1. In 7 werden dieselben Bezugszeichen verwendet wie in den vorhergehenden Figuren, sofern dieselben oder äquivalente Bauteile beschrieben werden. 7 shows an alternative embodiment of a pair of rollers 22 for use in a treatment basin according to 1 , In 7 the same reference numerals are used as in the previous figures, provided the same or equivalent components are described.

Das Rollenpaar 22 besteht aus zwei Rollen 23 und 24, die unterschiedliche Durchmesser besitzen, und auf denen ein Wafer 2 aufstehen kann. Die größere der beiden Rollen besitzt eine Abflachung 90, wie in 7 zu erkennen ist. Ansonsten entspricht das Rollenpaar 22 dem zuvor beschriebenen Rollenpaar 22 und es kann mit einem der zuvor beschriebenen Antriebsvorrichtungen in der zuvor beschriebenen Art und Weise angetrieben werden.The pair of rollers 22 consists of two roles 23 and 24 that have different diameters and on which a wafer 2 can get up. The larger of the two rollers has a flat surface 90 , as in 7 can be seen. Otherwise, the pair of roles corresponds 22 the previously described pair of roles 22 and it can be driven with one of the drive devices described above in the manner described above.

Während des Betriebs stehen die Wafer sowohl in ihrer Ausgangsposition als auch nach einer vollständigen Drehung der Rolle 23 jeweils mit der Abflachung in Kontakt. Die Abflachung definiert somit die Endpositionen der hin und her Drehung der Rolle 23. Wenn die Wafer die Abflachung 90 kontaktieren liegen sie in Vertikalrichtung etwas tiefer als wenn sie den runden Außenumfang der Rolle 23 kontaktieren, wodurch ein besserer Halt der Wafer in dem Substratträger gewährleistet wird. Dies gilt insbesondere wenn die unter Bezugnahme auf 2 beschriebenen Führungszähne nur eine geringe Höhe aufweisen..During operation, the wafers are in their initial position as well as after a complete rotation of the roll 23 always in contact with the flattening. The flattening thus defines the end positions of the back and forth rotation of the roller 23 , If the wafer is flattening 90 contact them in the vertical direction slightly lower than if they touch the round outer circumference of the roll 23 contact, which ensures a better hold of the wafer in the substrate carrier. This is especially true when referring to 2 described guide teeth have only a small height ..

Obwohl die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben wurde, ist sie nicht auf die konkret dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise müssen die Wafer 2 nicht jeweils um genau 180° gedreht werden, obwohl dies vorteilhaft sein kann, um Flüssigkeitsansammlungen an Grenzflächen zwischen dem Wafer und darauf befindlichen Schichten, wie z. B. Photoresist, zu vermeiden. Bevorzugt sollte die Drehung 180° ± 10° betragen, obwohl auch andere Drehungen möglich sind. Darüber hinaus könnte der Substratträger auch stationär im Behandlungsbekken angeordnet sein, wobei in diesem Fall die Wafer mit einer entsprechenden Handhabungsvorrichtung derart in den Substratträger eingesetzt wird, dass sie in Vertikalrichtung ausschließlich durch die Rollen getragen werden.Although the invention has been described with reference to preferred exemplary embodiments of the invention, it is not restricted to the specifically illustrated exemplary embodiments. For example, the wafers 2 cannot be rotated exactly 180 ° each, although this can be advantageous in order to prevent liquid accumulations at interfaces between the wafer and layers thereon, such as e.g. B. photoresist to avoid. The rotation should preferably be 180 ° ± 10 °, although other rotations are also possible. In addition, the substrate carrier could also be arranged stationary in the treatment basin, in which case the wafer with a corresponding handling device is inserted into the substrate carrier in such a way that it is carried in the vertical direction exclusively by the rollers.

Die jeweiligen Merkmale der unterschiedlichen Ausführungsbeispiele können in jeder kompatiblen Art und Weise frei miteinander kombiniert werden.The respective features of the different exemplary embodiments can be found in any compatible way can be freely combined.

Claims (23)

Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem scheibenförmigen Substrat, insbesondere von Halbleiterwafern, bei dem wenigstens ein Substrat mit einem Führungselemente aufweisenden Substratträger in ein Behandlungsbecken eingesetzt wird und wenigstens ein Behandlungsfluid in das Behandlungsbecken eingeleitet wird, um das wenigstens eine Substrat zu behandeln, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Substrat im Becken durch wenigsten zwei sich im wesentlichen senkrecht zu der Ebene des wenigstens einen Substrats erstreckende Rollen derart aufgenommen wird, dass es nicht mehr auf dem Substratträger aufliegt aber die Führungselemente des Substratträgers das wenigstens eine Substrat seitlich führen, um ein Kippen zu verhindern, und das wenigstens eine Substrat während der Behandlung über wenigstens eine der Rollen wenigstens einmal bezüglich seiner Ausgangsposition derart gedreht wird, dass die zunächst im Bereich der Führungselemente liegende Bereiche des wenigstens einen Substrats außerhalb der Führungselemente angeordnet sindMethod for treating at least one disk-shaped substrate, in particular semiconductor wafers, in which at least one substrate with a substrate carrier having guide elements is inserted into a treatment tank and at least one treatment fluid is introduced into the treatment tank in order to treat the at least one substrate, characterized in that the at least one substrate in the basin is received by at least two rollers which extend substantially perpendicular to the plane of the at least one substrate such that it no longer rests on the substrate carrier but the guide elements of the substrate carrier guide the at least one substrate laterally in order to tilt it prevent, and the at least one substrate is rotated at least once with respect to its starting position during the treatment over at least one of the rollers in such a way that the regions of the at least one egg lying initially in the region of the guide elements NEN substrate are arranged outside the guide elements Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vielzahl von im wesentlichen parallel zueinander angeordneten Substraten gleichzeitig behandelt wird.Process for treating at least one substrate according to claim 1, characterized in that a plurality of substrates arranged essentially parallel to one another simultaneously is treated. Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate jeweils mehrmals um ungefähr 180° gedreht werden.Process for treating at least one substrate according to claim 1 or 2, characterized in that the substrates each several times around Rotated 180 ° become. Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate vor ihrer Entnahme in ihre Ausgangsposition gedreht werden.Process for treating at least one substrate according to one of the preceding claims, characterized in that the substrates are rotated to their starting position before they are removed become. Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Behandlungsfluid wenigstens Wasserdampf und ein reaktives Gas, insbesondere Ozon enthält.Process for treating at least one substrate according to one of the preceding claims, characterized in that the treatment fluid is at least water vapor and a reactive one Contains gas, especially ozone. Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate abwechselnd im und entgegen dem Uhrzeigersinn gedreht werden.Process for treating at least one substrate according to one of the preceding claims, characterized in that the substrates are rotated alternately clockwise and counterclockwise become. Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine der Rollen über eine hin und her beweglichen Kolben-/Zylinder-Anordnung angetrieben wird.Process for treating at least one substrate according to one of the preceding claims, characterized in that at least one of the roles over a reciprocating piston / cylinder assembly is driven. Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Drehung der beiden Rollen derart synchronisiert wird, dass sie an ihren Umfangsflächen eine gleiche Umfangsgeschwindigkeit besitzen.Process for treating at least one substrate according to one of the preceding claims, characterized in that the rotation of the two rollers is synchronized in such a way that them on their peripheral surfaces have the same peripheral speed. Vorrichtung zum Behandeln von wenigstens einem scheibenförmigen Substrat, insbesondere von Halbleiterwafern, mit einem Behandlungsbecken; einem in das Behandlungsbecken einsetzbaren Substratträger mit Führungselementen zur seitlichen Führung des wenigstens einen Substrats; und wenigstens einer Einrichtung zum Einbringen wenigstens eines Behandlungsfluids in das Becken, gekennzeichnet durch wenigstens zwei Rollen im Behandlungsbecken, die derart angeordnet sind, dass sich das wenigstens eine Substrat in seiner Behandlungsposition derart darauf abstützt, dass das wenigstens eine Substrat nicht auf dem Substratträger aufliegt aber durch die Führungselemente des Substratträgers seitlich geführt ist, um ein seitliches kippen zu verhindern; und eine Einrichtung zum Drehen wenigstens einer der Rollen.Device for treating at least one disk-shaped substrate, in particular of semiconductor wafers, with a treatment basin; one substrate carrier with guide elements for lateral guidance of the at least one substrate; and at least one facility for introducing at least one treatment fluid into the basin, marked by at least two roles in the treatment pool that such are arranged so that the at least one substrate in its Treatment position based on it that the at least one The substrate does not rest on the substrate carrier but through the guide elements of the substrate carrier led to the side is to prevent tipping sideways; and An institution for turning at least one of the rollers. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zum Drehen wenigstens einer der Rollen eine hin und her bewegbare Kolben-/Zylinder-Anordnung aufweist.Device according to claim 9, characterized in that the means for rotating at least one of the rollers one has reciprocable piston / cylinder arrangement. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Kolben-/Zylinder-Anordnung eine Vielzahl von Zähnen aufweist, die mit Zähnen an einem Zahnrad der wenigstens einen angetriebenen Rolle in Eingriff stehen.Apparatus according to claim 10, characterized in that the piston / cylinder arrangement has a large number of teeth, the one with teeth on a gear of the at least one driven roller in engagement stand. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Kolben-/Zylinder-Anordnung hydraulisch angetrieben ist.Device according to one of claims 10 to 11, characterized in that that the piston / cylinder arrangement is hydraulically driven. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Kolben-/Zylinder-Anordnung deionisiertes Wasser als Hydraulikflüssigkeit verwendet.Device according to claim 12, characterized in that the piston / cylinder assembly is deionized water as hydraulic fluid used. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass ein kompletter Hub der Kolben-/Zylinder-Anordnung eine 360° Drehung wenigstens einer der Rollen bewirkt.Device according to one of claims 12 or 13, characterized in that that a complete stroke of the piston / cylinder arrangement is a 360 ° rotation causes at least one of the roles. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Außenumfang der wenigstens einen angetriebenen Rolle dem halben Umfang der Substrate entspricht.Device according to claim 12, characterized in that the outer circumference the at least one driven roller half the circumference of the substrates equivalent. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Rollen unterschiedliche Durchmesser besitzen.Device according to one of claims 9 to 15, characterized in that that the rollers have different diameters. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 16, gekennzeichnet durch eine Synchronisationsvorrichtung zwischen den wenigstens zwei Rollen, die die Drehung der Rollen derart synchronisiert, dass sie an ihren Umfangsflächen eine gleiche Umfangsgeschwindigkeit besitzen.Device according to one of claims 9 to 16, characterized by a synchronization device between the at least two Rollers that synchronize the rotation of the rollers so that they on their peripheral surfaces have the same peripheral speed. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Rollen in Achsrichtung jeweils eine im wesentlichen ebene Oberfläche aufweisen.Device according to one of claims 9 to 17, characterized in that that the rollers each have an essentially flat surface in the axial direction. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächen der Rollen aus einem abriebfesten Material sind.Device according to one of claims 9 to 18, characterized in that that the surfaces of the Rolls are made of an abrasion-resistant material. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Rollen im Bereich einer Mittelöffnung des Substratträgers angeordnet sind.Device according to one of claims 9 to 19, characterized in that that the rollers are arranged in the region of a central opening of the substrate carrier are. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zum Einbringen wenigstens eines Behandlungsfluids wenigstens eine Einlassöffnung Oberhalb der Rollen aufweist.Device according to one of claims 9 to 20, characterized in that that the device for introducing at least one treatment fluid at least an inlet opening Has above the rollers. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine der Rollen eine Abflachung aufweist.Device according to one of claims 9 to 21, characterized in that that at least one of the rollers has a flat. Verfahren zum Behandeln von wenigstens einem scheibenförmigen Substrat, insbesondere von Halbleiterwafern, bei dem wenigstens ein Substrat in einen Führungselemente aufweisenden Substratträger in einem Behandlungsbecken eingesetzt wird und wenigstens ein Behandlungsfluid in das Behandlungsbecken eingeleitet wird, um das wenig stens eine Substrat zu behandeln, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Substrat im Becken durch wenigsten zwei sich im wesentlichen senkrecht zu der Ebene des wenigstens einen Substrats erstreckende Rollen derart aufgenommen wird, dass es in Vertikalrichtung nicht auf dem Substratträger aufliegt aber die Führungselemente des Substratträgers das wenigstens eine Substrat seitlich führen, um ein Kippen zu verhindern, und das wenigstens eine Substrat während der Behandlung über wenigstens eine der Rollen wenigstens einmal bezüglich seiner Ausgangsposition derart gedreht wird, dass die zunächst im Bereich der Führungselemente liegende Bereiche des wenigstens einen Substrats außerhalb der Führungselemente angeordnet sind.Method for treating at least one disk-shaped substrate, in particular of semiconductor wafers, in which at least one substrate into a guide elements having substrate carrier is used in a treatment basin and at least one treatment fluid is introduced into the treatment basin, at least one To treat substrate characterized in that the at least one substrate in the basin by at least two in the substantially perpendicular to the plane of the at least one substrate extending rollers is added so that it is vertical not on the substrate carrier but the guide elements rest of the substrate carrier guide the at least one substrate sideways to prevent tipping, and the at least one substrate during the treatment over at least one of the rollers at least once with respect to its starting position is rotated such that the first in the area of the guide elements lying areas of the at least one substrate outside of the guide elements are arranged.
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