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TECHNISCHES GEBIET
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Diese
Erfindung betrifft im Allgemeinen das Gebiet der Halbleiterbauteilherstellung
und betrifft insbesondere ein Verfahren und eine Vorrichtung zum
Steuern der Photolithographieüberlagerungsjustierung
mit vorwärtsgekoppelter Überlagerungsinformation.
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HINTERGRUND DER VORLIEGENDEN
ERFINDUNG
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Es
gibt ein ständiges
Bestreben in der Halbleiterindustrie, die Qualität, Zuverlässigkeit und den Durchsatz
für integrierte
Schaltungsbauelemente, beispielsweise Mikroprozessoren, Speicherbausteine
und dergleichen zu erhöhen.
Dieses Bestreben wird durch Forderungen der Verbraucher nach Computern
und elektronischen Geräten
mit höherer
Qualität,
die zuverlässiger
arbeiten, noch weiter bestärkt. Dieses
Erfordernis führte
zu einer ständigen
Verbesserung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, beispielsweise
Transistoren, sowie bei der Herstellung integrierter Schaltungselemente
mit derartigen Transistoren. Ferner wird durch die Reduzierung der
Defekte bei der Herstellung der Komponenten eines typischen Transistors
auch der Gesamtkostenaufwand pro Transistor sowie der Kostenaufwand
für integrierte
Schaltungsbauelemente mit derartigen Transistoren verringert.
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Die
Technologien, auf denen die Halbleiterprozessanlagen basieren, haben
in den letzten Jahren große
Aufmerksamkeit erfahren, woraus sich substanzielle Verbesserungen
ergaben. Trotz der Fortschritte, die auf diesen Bereich erzielt
wurden, unterliegen jedoch viele der Prozessanlagen, die gegenwärtig kommerziell
erhältlich
sind, gewissen Einschränkungen.
Insbesondere fehlen derartigen Prozessanlagen häufig fortschrittliche Prozessdatenüberwachungsmöglichkeiten,
etwa die Fähigkeit,
angefallene bzw. historische Parameterdaten in einer anwenderfreundlichen
Darstellung bereitzustellen, sowie eine Ereignisaufzeichnung, eine
Echtzeitgraphikanzeige sowohl momentaner Prozessparameter als auch
von Prozessparametern des gesamten Durchlaufs, und die Möglichkeiten
einer Fernüberwachung,
d. h. lokal am Ort und weltweit. Diese Beschränkungen können zu einer nicht optimalen
Kontrolle kritischer Prozessparameter führen, etwa dem Durchsatz, der
Genauigkeit, der Stabilität
und Wiederholbarkeit, von Prozesstemperaturen, mechanischen Anlagenparametern
und dergleichen. Diese Schwankungen zeigen sich als Fluktuationen
innerhalb eines einzelnen Durchlaufs, als Fluktuationen von Durchlauf
zu Durchlauf und als Fluktuationen von Anlage zu Anlage, die sich
zu Abweichungen in der Produktqualität und dem Leistungsverhalten
fortpflanzen können,
wohingegen ein ideales Überwachungs-
und Diagnosesystem für
derartige Anlagen Mittel zur Überwachung
dieser Schwankungen, sowie ebenso Mittel zur Optimierung der Steuerung
kritischer Parameter bereitstellen würde.
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Halbleiterbauelemente
werden aus Scheiben aus einem halbleitenden Material hergestellt.
Es werden Materialschichten hinzugefügt, entfernt und/oder behandelt
während
der Herstellung, um die elektrischen Schaltungen zu schaffen, die
das Bauelement bilden. Die Herstellung umfasst im Wesentlichen vier
grundlegende Vorgänge.
Obwohl es lediglich vier grundlegende Vorgänge gibt, können diese in hundert unterschiedlichen
Arten kombiniert werden, abhängig
von dem speziellen Herstellungsprozess.
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Die
vier Vorgänge,
die typischerweise bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen
angewendet werden sind:
Beschichten oder Hinzufügen dünner Schichten
aus diversen Materialien auf einer Scheibe, aus der ein Halbleiterbauelement
hergestellt wird;
Strukturieren oder Entfernen ausgewählter Bereiche der
hinzugefügten
Schichten;
Dotieren oder Einbringen spezifizierter Mengen an Dotierstoffen
in die Scheibenoberfläche
durch Öffnungen
in den hinzugefügten
Schichten; und
Wärmebehandeln
oder Aufheizen und Abkühlen
der Materialien, um die gewünschten
Effekte in der bearbeiteten Scheibe hervorzurufen.
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In
dem Maße
wie Technologiefortschritte kleine kritische Abmessungen für Halbleiterbauelemente
ermöglichen,
steigt auch die Notwendigkeit zur Reduzierung von Fehlern dramatisch
an. Die korrekte Ausbildung von Teilbereichen innerhalb eines Halbleiterbauelements
ist ein wichtiger Faktor bei der Sicherstellung des richtigen Verhaltens
des hergestellten Halbleiterbauelements. Kritische Abmessungen der
Teilbereiche müssen
im Allgemeinen innerhalb vorbestimmter akzeptabler Fehlergrenzen
liegen, damit die Halbleiterbauelemente in akzeptabler Herstellungsqualität vorliegen.
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Ein
wichtiger Aspekt der Halbleiterherstellung ist die Überlagerungskontrolle
bzw. Steuerung. Die Überlagerungssteuerung
beinhaltet das Messen der Fehljustierung zwischen zwei aufeinanderfolgend strukturierten
Schichten auf der Oberfläche
eines Halbleiterbauelements. Im Allgemeinen ist die Minimierung
von Fehljustierungsfehlern wichtig, um sicherzustellen, dass die
mehreren Schichten der Halbleiterbauelemente miteinander verbunden
sind und somit ihre Funktion erfüllen
können.
In dem Maße
wie die Technologie kleinere kritische Abmessungen für Halbleiterbauelemente
ermöglicht,
steigt die Notwendigkeit zur Verringerung der Justierungsfehler
deutlich an.
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Im
Allgemeinen wird ein Satz aus Photolithographieschritten an einem
Los an Scheiben durchgeführt,
wobei eine Halbleiterherstellungsanlage verwendet wird, die überlicherweise
als eine Belichtungsanlage oder ein Einzelbildbelichter bzw. Stepper
bezeichnet wird. Die Herstellungsanlage kommuniziert mit einer Herstellungsumgebung
oder einem Netzwerk für
Prozessmodule. Die Herstellungsanlage ist im Allgemeinen mit einer
Anlagenschnittstelle verbunden. Die Anlagenschnittstelle ist mit
einer Maschinenschnittstelle verbunden, mit der der Einzelbildbelichter
verbunden ist, wodurch die Kommunikation zwischen dem Einzelbildbelichter
und der Herstellungsumgebung ermöglicht
wird. Die Maschinenschnittstelle kann im Wesentlichen ein Teil eines
fortschrittlichen Prozesssteuerungs-(APC)Systems sein. Das APC-System
initiiert ein Steuerskript, das ein Softwareprogramm sein kann,
das automatisch die Daten abruft, die zum Ausführen eines Herstellungsprozesses
erforderlich sind. Die Eingangsparameter, die den Herstellungsprozess
steuern, werden periodisch auf manuelle Weise überarbeitet. In dem Maße wie Herstellungsprozesse
mit höherer
Genauigkeit erforderlich werden, werden auch verbesserte Verfahren
benötigt,
um die Eingangsparameter, die die Herstellungsprozesse steuern,
in einer mehr automatisierteren und zeiteffizienteren Weise zu aktualisieren.
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Typische Überlagerungssteuerungstechniken
verwenden eine Rückkopplungssteuerungsmesstechnik,
wobei nach dem Strukturieren einer Schicht aus Photolackmaterial
Messdaten gesammelt werden, um eine Fehljustierung oder einen Überlagerungsfehler
zwischen der Photolackschicht und der darunter liegenden Schicht bzw.
den Schichten zu messen. Die Rückkopplung,
die durch die Überlagerungsfehlermessung
erzeugt wird, kann einer Prozesssteuerung zum Aktualisieren der
Steuersignale der Photolithographieanlagen für nachfolgend prozessierte
Scheiben zur Verfügung
gestellt werden. Der Überlagerungsfehler
kann auch in einem Fehlererfassungsschema benutzt werden, wobei
Scheiben mit Überlagerungsfehlern,
die einen vorbestimmten Schwellwert übersteigen, erneut bearbeitet
werden, indem die fehlerhafte Photolackschicht entfernt und eine
neue strukturiert wird.
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WO 01/84382 A1 offenbart
ein Verfahren zum Bewerten und Steuern eines Lithographieprozesses,
wobei eine Eigenschaft eines auf einer Scheibe gebildeten Lackes
gemessen wird und es wird ein Parameter eines Prozessmoduls, das
zum Ausführen
eines lithographischen Schrittes ausgebildet ist, in Reaktion auf
die Messung geändert,
um die internen Schwankungen kritischer Strukturelemente der Scheibe
zu verringern.
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US 6,304,999 B1 offenbart
ein Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe, wobei Fehler,
etwa Justierfehler, während
des Bearbeitens gemessen werden und die Messungen verwendet werden,
um Steuereingangsparameter für
ein Herstellungsmodell des Lithographieprozesses zu ändern.
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Bei
den Rückkopplungsüberlagerungsverfahren
wird eine Homogenität
zwischen der Scheibe auf der der Überlagerungsfehler gemessen
wird, und den nachfolgenden mittels der Photolithographieanlage
zu strukturierenden Scheiben angenommen. In dem Maße wie sich
die Scheibenprozesstechniken von einem Steuerungsverfahren von Los
zu Los zu einer Steuerung von Scheibe zu Scheibe hinentwickeln,
wird diese Annahme immer weniger gültig. Eine spezielle Scheibe,
ein spezielles Los oder eine Teilmenge von Scheiben in einem Los
muss nicht notwendigerweise identische Überlagerungseigenschaften in
Bezug auf die darunter liegenden Schichten aufweisen. Ein Steuerungsvorgang
kann während
der Bearbeitung der Scheiben in einem Los vorgenommen worden sein,
um Überlagerungsfehler
zu verringern oder um eine Fehlerbedingung zu korrigieren (d. h.
eine erneute Bearbeitung). Daher führt unter Umständen das
Steuern der Überlagerungsparameter
lediglich auf der Grundlage von Rückkopplungsmessdaten nicht
notwendigerweise zu einer ausreichenden Verringerung der Überlagerungsschwankungen.
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Die
vorliegende Erfindung zielt darauf ab, ein oder mehrere der zuvor
dargelegten Probleme zu lösen
oder zumindest deren Auswirkungen zu verringern.
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ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
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Ein
Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in einem Verfahren zum Steuern
eines Photolithographieprozesses gesehen. Das Verfahren umfasst
das Bilden einer ersten Schicht auf einer ausgewählten Scheibe. Ein erster Überlagerungsfehler,
der mit der ersten Schicht verknüpft
ist, wird sodann gemessen. Es wird mindestens ein Parameter in einem
Prozessrezept zum Ausführen
eines Photolithographieprozesses an einer zweiten Schicht, die auf
der ersten Schicht gebildet wird, auf der Grundlage mindestens der
ersten Überlagerungsfehlermessung
bestimmt.
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Ein
weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung wird in einer Prozesslinie
gesehen, die einen Photolithographie-Einzelbelichter und eine Überlagerungsmessanlage
und eine Steuerung umfasst. Der Photolithographie-Einzelbelichter
ist so ausgebildet, um Scheiben entsprechend einem Prozessrezept
zu bearbeiten. Die Überlagerungsmessanlage
ist ausgebildet, Überlagerungsfehler,
die mit dem Bearbeiten der Scheiben in dem Photolithographie-Einzelbildbelichter
verknüpft
sind, zu messen. Die Steuerung ist ausgebildet, eine erste Überlagerungsfehlermessung,
die mit der Ausbildung einer ersten Schicht auf einer ausgewählten Scheibe
verknüpft
ist, zu empfangen und mindestens einen Parameter in dem Prozessrezept
zur Ausführung
eines Photolithographieprozesses an einer zweiten Schicht, die auf
der ausgewählten
Scheibe gebildet wird, auf der Grundlage mindestens der ersten Überlagerungsfehlermessung
zu bestimmen.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die
Erfindung kann mit Bezug zu der folgenden Beschreibung verstanden
werden, wenn diese in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen
studiert wird, wobei gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente bezeichnen
und wobei:
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1 eine
vereinfachte Ansicht einer anschaulichen Prozesslinie zur Bearbeitung
von Scheiben gemäß einer
anschaulichen Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung ist;
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2 eine
Ansicht einer beispielhaften Teststruktur ist, die zum Messen von Überlagerungsfehlern
in der Prozesslinie aus 1 benutzbar ist; und
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3 ein
vereinfachtes Flussdiagramm eines Verfahrens zum Steuern der Photolithographieüberlagerungsjustierung
ist, wobei vorwärtsgekoppelte Überlagerungsinformationen
gemäß einer
weiteren anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung verwendet sind.
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Obwohl
die Erfindung diversen Modifizierungen und alternativen Formen unterliegen
kann, werden dennoch spezielle Ausführungsformen davon beispielhaft
in den Zeichnungen gezeigt und werden im Weiteren im Detail beschrieben.
Es sollte jedoch selbstverständlich
sein, dass durch die Beschreibung spezieller Ausführungsformen
hierin nicht beabsichtigt ist, die Erfindung auf die speziellen
offenbarten Formen einzuschränken,
sondern im Gegenteil die Erfindung soll alle Modifizierungen, Äquivalente
und Alternativen abdecken, die im Grundgedanken und Bereich der
Erfindung liegen, wie sie durch die angefügten Patentansprüche definiert
ist.
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ART BZW. ARTEN ZUM AUSFÜHREN DER
ERFINDUNG
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Im
Weiteren sind anschauliche Ausführungsformen
der Erfindung beschrieben. Der Einfachheit halber sind nicht alle
Merkmale einer tatsächlichen Implementierung
in dieser Beschreibung erläutert.
Es ist jedoch zu beachten, dass bei der Entwicklung einer derartigen
tatsächlichen
Ausführungsform
zahlreiche implementationsspezifische Entscheidungen getroffen werden
müssen,
um die speziellen Ziele der Entwickler, etwa die Verträglichkeit
mit systembezogenen und geschäftsbezogenen
Rahmenbedingungen zu erreichen, die sich von Anwendung zu Anwendung
unterscheiden können.
Ferner soll betont werden, dass ein derartiger Entwicklungsaufwand komplex
und zeitaufwendig sein kann, aber dennoch eine Routine darstellt
für den
Fachmann, wenn er im Besitz der vorliegenden Offenbarung ist.
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Die Überlagerungssteuerung
ist ein wichtiger Aspekt bei der Halbleiterherstellung. Insbesondere beinhaltet
die Überlagerungssteuerung
das Messen von Justierfehlern zwischen Halbleiterschichten während der
Herstellungsprozesse. Verbesserungen bei der Überlagerungssteuerung würden zu
deutlichen Verbesserungen hinsichtlich der Qualität und der
Effizienz in Halbleiterherstellungsprozessen führen. Die vorliegende Erfindung
stellt ein Verfahren zum Implementieren einer automatischen Fehlerkorrektur zur
Steuerung eines Überlagerungsfehlers
bereit.
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In 1 ist
eine vereinfachte Ansicht einer anschaulichen Prozesslinie 100 zum
Bearbeiten von Scheiben 110 gemäß einer anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Prozesslinie 100 weist
eine Photolithographieanlage 120 zur Herstellung eines
Musters in einer Photolackschicht, die auf der Scheibe 110 gebildet
ist, auf. Die Photolithographieanlage 120 umfasst eine Bahn 122,
die mit einem Einzelbildbelichter bzw. Stepper 124 gekoppelt
ist. Die Bahn 122 schleudert Photolackmaterial auf die
Scheibe 110 und führt
einen Vorerwärmungsvorgang
an der Photolackschicht durch. Der Einzelbildbelichter 124 belichtet
die Photolackschicht, um ein Muster in der Photolackschicht zu bilden.
Die Bahn 122 führt
dann einen Nachbelichtungsausbackprozess (d. h. wenn dies für die Art
des verwendeten Photolacks erforderlich ist) durch und bringt eine
Entwicklerlösung
auf, um die belichteten Bereiche des Photolacks (d. h. für Lackmaterial
eines Positivlacks) zu entfernen, um damit ein Muster in der Photolackschicht
zu erzeugen. Die Photolackschicht wird typischerweise als eine Maske
für einen
nachfolgenden Ätzprozess
verwendet, der ausgeführt
wird, um Strukturelemente auf der Scheibe 110 zu bilden, oder
diese wird als eine Maske zum Ausführen eines Implantationsprozesses
verwendet (beispielsweise zum Dotieren eines Substrats, um aktive
Gebiete zu bilden).
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Die
Prozesslinie
100 umfasst ferner eine Überlagerungsmessanlage
130,
die ausgebildet ist, Überlagerungsfehler
in Photolackmustern, die von der Photolithographieanlage
120 gebildet
werden, zu bestimmen. Im Allgemeinen kann die Überlagerungsmessanlage
130 eine
beliebige Art einer Anlage sein, die in der Lage ist, einen Überlagerungsfehler
zu messen. Z. B. kann die Überlagerungsmessanlage
130 eine
optische Inspektionsstation aufweisen, etwa ein 5200XP Überlagerungsmesssystem,
das von KLA-Tencor, Corporation, San Jose, CA, angeboten wird. Die Überlagerungsmessanlage
130 kann
auch einen Überlagerungsfehler
unter Anwendung der Streumessung messen, wie dies in der US-Patentanmeldung
09/894,546 mit dem Titel „Verfahren
und Vorrichtung zum Steuern der Photolithographieüberlagerungsjustierung” beschrieben
ist, die im Namen von J. Broc Stirton eingereicht und deren Anmelder der
gleiche Anmelder wie bei der vorliegenden Patentanmeldung ist vgl.
US-Patentveröffentlichung
US 6 458 605 B1 .
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Eine
Steuerung 140 ist vorgesehen, um den Einzelbildbelichter 124 auf
der Grundlage von vorwärtsgekoppelten Überlagerungsmessdaten
zu steuern, die von der Überlagerungsmessanlage 130 ermittelt
werden. In einigen Ausführungsformen
kann die Steuerung 140 den Einzelbildbelichter 124 auf der
Grundlage von vorwärtsgekoppelten
und rückgekoppelten Überlagerungsmessdaten
steuern. Es ist eine Datenspeicherung 150 vorgesehen, um Überlagerungsmessdaten
in Verbindung mit den von der Überlagerungsmessanlage 130 gemessenen
Scheiben 110 zu speichern. Beispielsweise können die Überlagerungsmessdaten
gespeichert und durch die Scheiben-ID und/oder die Los-ID (Identifikation) – abhängig von
der verfügbaren
Auflösung – indiziert
werden. Selbstverständlich
kann die Prozesslinie 100 mehrere Photolithographieanlagen 120,
die Überlagerungsdaten
erzeugen und mehrere Überlagerungsmessanlagen 130 mit
einer gemeinsamen oder einzelnen Steuerung 140 enthalten.
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Die
Steuerung 140 stellt das Prozessrezept des Einzelbildbelichters 124 ein,
um Überlagerungsfehler
zu korrigieren. In der dargestellten Ausführungsform ist die Steuerung 140 ein
Computer, der mit einer Software programmiert ist, um die beschriebenen
Funktionen zu implementieren. Wie der Fachmann jedoch erkennen kann,
kann ebenso eine Hardwaresteuerung verwendet werden, die zum Einrichten
der speziellen Funktionen ausgebildet ist. Des weiteren kann die
Steuerung 140 eine Einzelsteuerung sein, diese kann in
eine Anlage integriert sein, etwa in die Photolithographieanlage 120 oder die Überlagerungsmessanlage 130,
oder sie kann ein Teil eines Systems sein, das die Vorgänge in einer
Herstellungsfabrik für
integrierte Schaltungen steuert.
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Teile
der Erfindung und der entsprechenden detaillierten Beschreibung
sind in Begriffen von Software oder Algorithmen und symbolischen
Darstellungen von Operationen an Datenbits innerhalb eines Computerspeichers
dargestellt. Diese Beschreibungen und Darstellungen sind jene, mit
denen die Fachleute in effizienter Weise den Inhalt ihrer Arbeit
anderen Fachleuten vermitteln. Ein Algorithmus wird in dem hierin
verwendeten Sinne und in dem allgemein verwendeten Sinne als eine
selbstkonsistente Abfolge von Schritten betrachtet, die zu einem
gewünschten
Ergebnis führen.
Die Schritte sind solche, die eine physikalische Manipulation physikalischer
Größen erfordern.
Typischerweise, obwohl dies nicht notwendig ist, nehmen diese Größen die
Form optischer, elektrischer oder magnetischer Signale an, die gespeichert, übertragen,
kombiniert, verglichen oder anderweitig manipuliert werden können. Es
hat sich gelegentlich als günstig
erwiesen, im Prinzip aus Gründen
der gemeinsamen Anwendung, diese Signale als Bits, Werte, Elemente,
Symbole, Zeichen, Terme, Zahlen und dergleichen zu bezeichnen.
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Es
sollte jedoch bedacht werden, dass alle diese und ähnliche
Begriffe mit den entsprechenden physikalischen Größen verknüpft werden
sollten und lediglich bequeme Zeichen sind, die diesen Größen zugeordnet
werden. Sofern dies nicht explizit anderweitig dargelegt ist, oder
dies aus der Erläuterung
offensichtlich wird, bezeichnen Begriffe wie etwa „Bearbeiten” oder „Berechnen” oder „Ausrechnen” oder „Bestimmen” oder „Anzeigen” oder dergleichen
die Aktionen und Prozesse eines Computersystems oder eines ähnlichen
elektronischen Rechengerätes,
das Daten, die als physikalische, elektronische Größen in den
Register und Speichern des Computersystems vorhanden sind, manipuliert
und in andere Daten transformiert, die in ähnlicher Weise als physikalische
Größen innerhalb
der Speicher oder Register des Computersystems oder anderer derartiger
Informationsspeichereinheiten, Übertragungs-
oder Anzeigevorrichtungen repräsentiert
sind.
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Ein
beispielhaftes Softwaresystem, das so ausgebildet werden kann, um
die Funktionen der Steuerung 140 in der beschriebenen Weise
auszuführen,
ist das von KLA-Tencor, Inc., angebotene Katalystsystem. Das Katalystsystem
verwendet Systemtechnologien, die verträglich sind mit der internationalen
Plattform für
Halbleiterausstattung und Materialien und computerintegrierte Herstellung
(SEMI) (CIM) und die auf der Grundlage der Plattform für fortschrittliche
Prozesssteuerung (APC) basiert. CIM (SEMI E81-0699-provisorische Spezifizierungen
für die
CIM-Plattform-Domain-Architektur) und APC (SEMI E93-0999-provisorische
Spezifizierung für CIM-Plattform
für fortschrittliche
Prozesssteuerungskomponenten) Spezifizierungen sind öffentlich
von SEMI erhältlich.
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Die
Scheiben 110 werden in dem Einzelbildbelichter 124 unter
Anwendung mehrerer Steuereingangssignale bearbeitet. In der dargestellten
Ausführungsform
enthalten die Steuereingangssignale, die zum Konfigurieren des Einzelbildbelichters 124 verwendet
werden, ein X-Bewegungssignal, ein Y-Bewegungssignal, ein X-Ausdehnungsscheibenmaßstabssignal,
ein Y-Ausdehnungsscheibenmaßstabssignal,
ein Retikelvergrößerungssignal,
ein Retikelrotationssignal, ein Scheibenrotationssignal und ein Scheibenorthognalitätsabweichungssignal.
Im Allgemeinen betreffen Fehler, die mit dem Retikalvergrößerungssignal
und dem Retikelrotationssignal verknüpft sind, einen speziellen
Belichtungsprozess auf der Oberfläche der Scheibe 110,
die gerade in der Belichtungsanlage bearbeitet wird. Die Steuerung 140 ist
ausgebildet, die Steuereingangssignale auf der Grundlage von Überlagerungsfehlermessungen, die
von der Überlagerungsmessanlage 130 ausgeführt werden,
von Durchlauf zu Durchlauf zu aktualisieren.
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Wenn
der Einzelbildbelichter 124 die Bearbeitung einer Scheibe 110 beendet,
so wird die Scheibe 110 durch die Überlagerungsmessanlage 130 untersucht.
Die Scheibe 110 kann vor dem Entwickeln der Photolackschicht
(d. h. unter Anwendung des latenten Photolackbildes) oder nach dem
Entwicklungsprozess (d. h. unter Anwendung des Photolackmusters)
untersucht werden. Die Überlagerungsmessanlage 130 liefert
ein Messergebnis der Fehljustierung, die in dem vorhergehenden Belichtungsschritt
vorhanden war. Der Betrag der Fehljustierung steht mit der Fehljustierung
in dem Photolithographieprozess in Beziehung, der zwischen zwei
auf der Scheibe 110 ausgebildeten Schichten auftrat.
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Teststrukturen
zum Messen von Überlagerungsfehlern
sind dem Fachmann gut vertraut. Beispielsweise zeigt 2 eine
beispielhafte Teststruktur 200. Die Teststruktur 200 kann
auf einem Gebiet der Scheibe 110 gebildet werden, das normalerweise nicht
für die
Herstellung von Bauelementen verwendet wird (beispielsweise im Randgebiet,
in dem Identifizierungscodierungen typischerweise eingeritzt sind
oder in den Schneidelinien zwischen den Chipflächen). Ein erstes Feld 210 kann
als eine darunter liegende Schicht strukturiert werden und ein zweites Feld 220 kann
in der Photolackschicht strukturiert werden, die durch die Photolithographieanlage 120 gebildet
und strukturiert wird. Ein Überlagerungsfehler
kann in X-Richtung und in Y-Richtung gemessen werden, indem die
Abstände
zwischen den Seiten der Felder 210, 220 ermittelt
werden. Um z. B. den Überlagerungsfehler
in der X-Richtung zu messen, kann der Abstand zwischen den Seiten 211, 221 mit dem
Abstand zwischen den Seiten 212, 222 verglichen
werden. Der Überlagerungsfehler
ist die Hälfte der
Differenz zwischen den gemessenen Abständen. Wenn der Abstand zwischen
den Seiten 211, 221 0.05 μm beträgt und der Abstand zwischen
den Seiten 212, 222 0.03 μm beträgt, dann beträgt der Überlagerungsfehler
in der X-Richtung (0.05–0.03)/2
+ 0.01 μm.
Ein Abstand von 0.04 μm
für jede
Seitengruppe würde
einen Übertragungsfehler
von 0 repräsentieren.
Ein ähnlicher
Ablauf kann zur Bestimmung des Überlagerungsfehlers
in der Y-Richtung verwendet werden.
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Die Überlagerungsmessanlage 130 speichert
den Überlagerungsfehler
für die
gemessene Scheibe 110 in dem Datenspeicher 150.
Es können unterschiedliche Überlagerungsfehlermessergebnisse
für jede
auf der Scheibe 110 ausgebildete Schicht erzeugt werden.
Die Übertagerungsfehlermessdaten können durch
die Scheiben/Los-ID und die entsprechende Schicht indiziert werden.
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Es
sei wieder auf 1 verwiesen; der von der Steuerung 140 angewendete
Prozess zum Bestimmen der Steuerungsaktivitäten für die Photolithographieanlage 120 wird
nun detaillierter beschrieben. Im Allgemeinen berücksichtigt
die Steuerung 140 Überlagerungsfehlerdaten
aus vorhergehenden Schichten, wenn die Überlagerungseinstellung für den Einzelbildbelichter 124 für eine momentane Schicht
bestimmt werden. Diese Berücksichtigung vorhergehender Überlagerungsfehlermessergebnisse
wird hierin als eine Vorwärtskopplungssteuerungstechnik
bezeichnet. Abhängig
von der speziellen Implementierung kann die Steuerung 140 Steuerungsaktivitäten für einzelne
Scheiben oder für
Lose von Scheiben bestimmen. Wenn die Steuerung auf Loseebene ausgeführt wird,
können
die vorwärtsgekoppelten Überlagerungsfehlerdaten
mit einer oder mehreren Scheiben in dem Los verknüpft sein,
die gemessen wurden. Wenn die Steuerung auf einer Scheibenebene
ausgeführt
wird, kann jede Scheibe ein zugehöriges vorwärtsgekoppeltes Überlagerungsfehlermessergebnis
aufweisen. Es können selbstverständlich auch
andere Abstufungen benutzt werden. Beispielsweise kann eine Mittelwertbildungs-
oder Interpolationsbildung für
Scheiben angewendet werden, für
die keine speziellen vorwärtsgekoppelten Überlagerungsfehlerdaten
verfügbar
sind.
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Vor
dem Bearbeiten einer ausgewählten Scheibe
in der Photolithographieanlage 120 greift die Steuerung 140 auf
den Datenspeicher 150 zu, um den für die zuvor bearbeitete Schicht
gemessenen Überlagerungsfehler
zu bestimmen. In einigen Fällen weisen
nicht alle Scheiben in dem Los den gleichen Überlagerungsfehler auf, da
eine Rückkopplungssteuerungsaktivität während des
Bearbeitens des Loses zur Verringerung des Überlagerungsfehlers stattgefunden
haben kann. In ähnlicher
Weise weisen unterschiedliche Lose, die mit der gleichen Photolithographieanlage 120 bearbeitet
wurden, unter Umständen
nicht den gleichen Überlagerungsfehler
auf Grund vorhergehender Rückkopplungssteuerungsaktivitäten auf.
Der vorwärtsgekoppelte Überlagerungsfehler
wird berücksichtigt,
wenn Steuerungsaktivitäten
für die
aktuelle Photolackschicht bestimmt werden, die mittels der Photolithographieanlage
momentan gebildet wird, um diesen Überlagerungsfehlerschwankungen
von Scheibe zu Scheibe oder von Los zu Los Rechnung zu tragen.
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In
einem einfachen Steuerungsbeispiel wird der vorwärtsgekoppelte Überlagerungsfehler
als ein direkter Offset- bzw. Versatz für die Rückkopplungsüberlagerungsbestimmungen verwendet.
Wenn z. B. die prozessnachgeschaltete Rückkopplung andeutet, dass ein
erste Scheibe einen Überlagerungsfehler von
+0.03 μm
in einer Richtung für
die momentane Schicht aufweist, kann eine typische Rückkopplungssteuerungsaktivität versuchen,
die Einstellungen des Einzelbildbelichters 124 so zu justieren,
um diesen Überlagerungsfehler
für eine
zweite Scheibe zu reduzieren. Zu berücksichtigen ist jedoch, dass
die zweite Scheibe eine darunter liegende Schicht besaß, die einen Überlagerungsfehler
von +0.02 μm
im Vergleich zu der darunter liegenden Schicht der ersten Scheibe aufweist.
Wenn keine Kontrollaktivität
an der zweiten Scheibe vorgenommen würde, betrüge der Überlagerungsfehler in der momentanen
Schicht +0.03 – +0.02
= +0.01 μm
auf Grund der Differenz zwischen den Überlagerungsfehlern der darunter
liegenden Schicht für
die erste und für
die zweite Scheibe. Wenn der Steuerungsvorgang den Einzelbildbelichter 124 auf
der Grundlage lediglich des rückgekoppelten Überlagerungsfehlermessergebnisses
von der ersten Scheibe zu steuern hätte, betrüge der resultierende Überlagerungsfehler
(d. h. unter Voraussetzung einer perfekten Steuerung) 0 – +0.02
= –0.02 μm. Somit
kann ohne Berücksichtigung
des vorwärtsgekoppelten Überlagerungsfehlers
aus der vorhergehenden Schicht die Rückkopplungsfehlersteuerungstechnik
tatsächlich
den Überlagerungsfehler
vergrößern.
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Die
Steuerung 140 kann das Rezept des Einzelbildbelichters 124 für eine aktuelle
Scheibe sowie für
nachfolgende Scheiben auf der Grundlage der vorwärtsgekoppelten Überlagerungsfehlerdaten
für die
aktuelle Scheibe und den rückgekoppelten Überlagerungsfehlerdaten
für die
vorhergehende Scheibe einstellen. Die Steuerung 140 kann
mit einem Todband-Bereich versehen sein, in welchem keine Korrekturen
durchgeführt
werden. Die vorwärtsgekoppelten
und rückgekoppelten Überlagerungsfehler können mit
einem vorbestimmten Satz an Schwellwertparametern verglichen werden.
In einer Ausführungsform
enthält
das Todband einen Bereich von Fehlerwerten, die mit Steuereingangssignalen
verknüpft
sind, die in der Nähe
eines Satz entsprechender vorbestimmter Sollwerte angesiedelt sind.
Wenn die vorwärtsgekoppelten
und die rückgekoppelten Überlagerungsfehler,
die von der Überlagerungsmessanlage 130 ermittelt
werden, kleiner als ihre entsprechenden vorbestimmten Schwellwerte
sind, so wird dieser spezielle Fehler als in dem Todband liegend
betrachtet und die Steuerung 140 nimmt keine Änderung
an den Überlagerungssteuereingangsgrößen vor.
Ein wesentlicher Zweck des Todbandes besteht darin, übermäßige Steuerungsaktivitäten zu vermeiden,
um damit ein inadäquates „Zittern” des Halbleiterherstellungsprozesses
zu vermeiden.
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Wenn
die Steuerung 140 bestimmt, dass eine Überlagerungsfehlerbedingung,
die einem Überlagerungssteuereingangssignal
entspricht, nicht innerhalb des Todbandes liegt, werden die vorwärtsgekoppelten
und rückgekoppelten Überlagerungsfehler
verwendet, um dieses Überlagerungssteuereingangssignal
für einen
Photolithographieprozess zu aktualisieren, der an der aktuellen
Scheibe, einer nachfolgenden Scheibe innerhalb des Loses oder eines
nachfolgenden Loses von Scheiben ausgeführt wird. Die Steuerung 140 bestimmt
eine Schrittgröße für das Ändern des
Wertes des Überlagerungssteuereingangssignals
entsprechend einem Steuerungsmodell. Die folgende Gleichung 1 stellt
eine beispielhafte Steuerungsgleichung zum Bestimmen einer Änderung
eines Überlagerungssteuereingangssignals
bereit. neue Einstellung = alte Einstellung – ((Gewichtung
1) × (rückgekoppelter Überlagerungsfehlerwert)) – ((Gewichtung
2) × (vorwärtsgekoppelter Überlagerungsfehlerwert)) (1)
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Wie
in Gleichung 1 gezeigt ist, bestimmt die Steuerung 140 die
neue Einstellung des Überlagerungssteuereingangssignals
durch Subtrahieren der Größe der alten
Einstellung des Überlagerungssteuereingangssignals
von den Produkten der Gewichte der rückgekoppelten und vorwärtsgekoppelten Überlagerungsfehlerwerte.
Die Gewichte sind vorbestimmte Verstärkungsparameter, die dem Fehlerwert eines
speziellen Überlagerungssteuereingangssignals
zugeordnet sind. Die speziellen Werte für die Gewichte können durch
Steuerungssimulation oder Experimente bestimmt werden.
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Obwohl
die Gewichtungswerte verwendet werden können, um teilweise die Schrittgröße der Änderung
bei der Einstellung des Überlagerungssteuereingangssignals
zu steuern, können
die Werte der Gewichte dennoch nicht ausreichend sein, um eine übermäßig große Schrittweite
zu vermeiden. Anders ausgedrückt,
selbst wenn optimale Gewichtungswerte einem speziellen Fehlersignal
zugeordnet wären,
kann eine berechnete Schrittweite einer Änderung in der Einstellung
eines Steuereingangssignals zu groß sein, so dass diese bewirken
könnte, dass
die Steuerung einer Halbleiterherstellungsanlage in einer übermäßig unruhigen
Weise ausgeführt wird.
Folglich kann die Steuerung 140 die berechnete Schrittweite
mit einer vorbestimmten maximalen Schrittweite vergleichen, die
für eine Änderung
in der Einstellung des Überlagerungssteuereingangssignals
zulässig
ist, wodurch somit die Schrittweite beschränkt wird.
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Ein
Verfahren zur Anwendung der aktualisierten Überlagerungssteuereingangssignale
wird eingerichtet, indem parallele Steuerungsroutinen bzw. Steuerungsthreads
angewendet werden. Parallele Steuerungsroutinen können durch
die Steuerung 140 eingerichtet werden. Parallele Steuerungsroutinen
sind ein wesentlicher Teil des Steuerungsschemas einer Halbleiterherstellungsanlage,
etwa des Einzelbildbelichters 124. Jede Steuerroutine arbeitet wie
eine separate Steuerung und unterscheidet sich durch diverse Prozessbedingungen.
Für die Überlagerungssteuerung
sind die parallelen Prozessroutinen durch eine Kombination unterschiedlicher
Bedingungen getrennt, zu denen die Halbleiterherstellungsanlage
(beispielsweise der Einzelbildbelichter 124), der momentan
das Scheibenlos bearbeitet, das Halbleiterprodukt, der Halbleiterherstellungsvorgang und
die Halbleiterherstellungsanlage, die die Halbleiterscheibe oder
das Los bei einer vorhergehenden Schicht der Scheibe bearbeitete.
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Parallele
Steuerungsroutinen berücksichtigen
unterschiedliche Halbleiterherstellungsprozessbedingungen, die den Überlagerungsfehler
in unterschiedlicher Weise beeinflussen. Durch Isolieren jeweils
der einzigartigen Halbleiterherstellungsprozessbedingungen in der
jeweiligen eigenen Steuerungsroutine kann die Steuerung genauer
die Bedingungen bewerten, unter denen ein nachfolgendes Halbleiterscheibenlos
in der Steuerungsroutine bearbeitet wird. Da die Fehlermessung relevanter
ist, können Änderungen
an den Überlagerungssteuereingangssignalen,
die auf dem Fehler basieren, besser geeignet sein. Die Implementierung
des Steuerungsschemas, das durch die vorliegende Erfindung beschrieben
ist, kann zu einer Reduzierung des Überlagerungsfehlers führen.
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Nach
der Bearbeitung einer Scheibe 110 liefert die Überlagerungsmessanlage 130 ein
rückgekoppeltes
Messergebnis für
den Steuerungsfehler. Jedes der Fehlermessergebnisse entspricht
einem der Überlagerungssteuereingangssignale.
Die Steuerung 140 bestimmt eine Steuerungsaktivität für eine nachfolgende
Scheibe auf der Grundlage dieses rückgekoppelten Messergebnisses
und vorwärtsgekoppelter Überlagerungsfehlerdaten
für die
nachfolgende Scheibe. Die Steuerung 140 kann diverse Vorverarbeitungen
oder Datenmanipulationsaktivitäten durchführen, wenn
eine Steuerungsaktivität
bestimmt wird. Eine von diesen derartigen Vorverarbeitungsaktivitäten ist
das Aussondern von Ausreißern. Das
Aussondern von Ausreißern
ist eine grobe Fehlerprüfung,
die angewendet wird, um sicherzustellen, dass die gemessenen Überlagerungsfehler
vernünftig
sind im Hinblick auf die historische Entwicklung des Halbleiterherstellungsprozesses.
Dieser Vorgang beinhaltet das Vergleichen jedes rückgekoppelten
und vorwärtsgekoppelten Überlagerungsfehlers mit
entsprechend bestimmten Grenzparametern. In einer Ausführungsform
wird, selbst wenn nur eine der vorbestimmten Grenzen überschritten
wird, der Fehlerdatensatz der gesamten Halbleiterscheibe oder des
Loses, verworfen. Um die Grenzen für das Zurückweisen von Ausreißern zu
bestimmen, werden Tausende tatsächlicher
Halbleiterherstellungsfabrikationsdatenpunkte gesammelt. Die Standardabweichung
für jeden
Fehlerparameter dieser Datensammlung wird sodann berechnet. Der
Grenzschwellwert wird als ein Vielfaches der Standardabweichung
(positiv oder negativ) ausgewählt.
Die Auswahl der Grenze für
das Verwerfen von Ausreißern
hilft dass nur die Datenpunkte, die deutlich außerhalb der normalen Betriebsbedingungen
des Prozesses liegen, verworfen werden.
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Eine
zweite Vorbearbeitungsfunktion, die die Steuerung 140 ausführen kann,
besteht in einer Glättung
oder Filterung der Daten. Die Überlagerungsfehlermessdaten
unterliegen einem gewissen Maß an
Streuung. Das Filtern der rückgekoppelten Überlagerungsfehlerdaten
führt zu
einer genaueren Bewertung des Fehlers der Überlagerungssteuereingangssignaleinstellungen.
In einer Ausführungsform wird
in der Steuerung 140 ein exponentiell gewichteter gleitender
Durchschnitts-(EWMA)Filter verwendet, um die Daten zu glätten, obwohl
andere Filterverfahren verwendet werden können. Die Gleichung für einen
EWMA-Filter ist in Gleichung 2 dargestellt. neuer Durchschnitt = (Gewichtung) × (aktuelles
Messergebnis) + (1 – Gewichtung) × (vorhergehender EWMA-Durchschnitt) (2)
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Der
Gewichtungswert ist ein einstellbarer Parameter, der verwendet werden
kann, um das Maß an
Filterung einzustellen und nimmt im Allgemeinen einen Wert zwischen
0 und 1 an. Der Gewichtungsfaktor repräsentiert das „Vertrauen” in die
Genauigkeit der aktuellen Datenpunkte. Wenn die Messung als genau
erachtet wird, sollte der Gewichtungsfaktor nahe bei 1 liegen. Wenn
es einen deutlichen Anteil an Schwankungen in dem Prozess für vorhergehende Prozessdurchläufe gab,
so ist eine Zahl näher
bei 0 geeigneter. Der neue Durchschnittswert wird aus den aktuellen
Messergebnissen, dem Gewichtungsfaktor und dem letzten berechneten
Durchschnittswert berechnet. In dem EWMA-Filterprozess können der vorhergehende
Durchschnittswert, der Gewichtungsfaktor und der aktuelle Messwert
in der oben beschriebenen Weise verwendet werden, oder alternativ
können
lediglich einige der Daten (d. h. die jüngsten Daten) verwendet werden,
um den Durchschnitt zu berechnen.
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Die
Herstellungsumgebung in der Halbleiterherstellungsstätte sorgt
für einige
einzigartige Herausforderungen. Die Reihenfolge, mit der die Halbleiterscheibenlose
in den Anlagen prozessiert werden, etwa in dem Einzelbildbelichter 142,
muss nicht notwendigerweise der Reihenfolge entsprechen, in der die Überlagerungsmessanlage 130 den Überlagerungsfehler
misst. Eine derartige Situation könnte Datenpunkte hervorbringen,
die dem EWMA-Durchschnittswert nicht der Reihenfolge entsprechend
hinzuaddiert werden. Ferner können
Scheiben mehr als ein mal untersucht werden, um die Fehlermessergebnisse
zu verifizieren. Ohne ein Zurückhalten
der Daten könnten
beide Messwertablesungen zu dem EWMA-Durchschnittswert beitragen,
was eine unerwünschte
Eigenschaft ist. Ferner können
einige der parallelen Steuerungsroutine ein geringes Volumen aufweisen,
so dass der vorhergehende Durchschnittswert so überschrieben ist, dass dieser
nicht in genauer Weise den Fehler bei den Überlagerungssteuereingangssignaleinstellungen repräsentiert.
Aus diesen Grünen
kann die Steuerung 140 auf gespeicherte Daten zugreifen,
um den mittels dem EWMA gefilterten Fehler zu berechnen. Halbleiterscheibenlosdaten
einschließlich
der Losanzahl, dem Zeitpunkt, an dem das Los in dem Einzelbildbelichter 124 bearbeitet
wurde, und die mehreren Fehlerabschätzungen sind in dem Datenspeicher 150 unter
dem Namen der parallelen Steuerungsroutine gespeichert. Wenn ein
neuer Satz aus Überlagerungsfehlerdaten
gesammelt wird, wird der Datenstapel von dem Datenspeicher abgerufen
und analysiert. Die Loszahl des aktuellen Halbleiterscheibenloses,
das momentan bearbeitet wird, wird mit jenem auf dem Stapel verglichen.
Wenn die Loszahl mit dort vorhandenen Daten übereinstimmt, werden die Fehlermessergebnisse
ersetzt. Ansonsten wird der Datenpunkt im aktuellen Stapel in chronologischer
Ordnung entsprechend den Zeitperioden, wenn die Lose mittels des
Einzelbildbelichters 124 bearbeitet wurden, hinzugefügt. In einigen
Ausführungsformen
können
die Datenpunkte nach einer vorbestimmten Zeitdauer (beispielsweise
48 Stunden) ablaufen.
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Wie
zuvor beschrieben ist, kann die Steuerung 140 unter Anwendung
einer APC-Plattform
eingerichtet werden. Die Anwendung der Steuerungsstrategie, wie
sie durch die vorliegende Erfindung gelehrt wird, wobei die APC-Plattform
verwendet wird, kann eine Reihe von Softwarekomponenten erfordern.
Zusätzlich
zu Komponenten innerhalb der APC-Plattform kann ein Computerskript
für jede
der Halbleiterherstellungsanlagen, die in dem Steuerungssystem beteiligt
ist, etwa dem Einzelbildbelichter 124, geschrieben werden.
Wenn eine Halbleiterherstellungsanlage in dem Steuerungssystem gestartet
wird, initiiert diese im Allgemeinen ein Steuerungsskript, um die
durch die Steuerung 140 eingerichteten Aktivitäten auszuführen. Die
zuvor beschriebenen Steuerungsverfahren sind im Wesentlichen in
diesen Steuerungsskripten definiert und werden damit ausgeführt.
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Die
Steuerung 140 kann eine Steuerungstechnik für eine Vielzahl
von Steuerungsparametern für
den Einzelbildbelichter 124 einschließlich eines X-Bewegungsparameters,
eines Y-Bewegungsparameters, eines X-Ausdehnungsscheibenmaßstabparameters,
eines Y-Ausdehnungsscheibenmaßstabparameters,
eines Retikelvergrößerungsparameters, eines
Retikelrotationsparameters, eines Scheibenrotationsparameters und
eines Scheibenorthogonalitätsabweichungsparameters
implementieren. Das Überlagerungssteuerungsmodell
kann empirisch unter Anwendung allgemein bekannter linearer oder nicht
linearer Verfahren entwickelt werden. Das Steuerungsmodell kann
auf einer relativ einfachen Gleichung beruhen, wie sie zuvor beschrieben
ist (beispielsweise linear, exponentiell, gewichteter Durchschnitt,
etc.), oder es kann ein komplexeres Modell sein, etwa ein neuronales
Netzwerkmodell, ein Modell mit Hauptkomponentenanalyse (PCA) oder
ein Modell mit Projektion auf latente Strukturen (PLS). Die spezielle
Implementierung des Modells kann in Abhängigkeit der ausgewählten Modellierungstechnik
variieren.
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Überlagerungsmodelle
können
von der Steuerung 140 erzeugt werden, oder alternativ können diese
von einer anderen Prozesseinheit (nicht gezeigt) entwickelt und
nach deren Entwicklung in der Steuerung 140 gespeichert
werden. Das Überlagerungsmodell
kann unter Anwendung des Einzelbildbelichters 124 oder
unter Anwendung einer anderen Anlage (nicht gezeigt) mit ähnlichen
Betriebseigenschaften entwickelt werden. Zum Zwecke der Darstellung
wird angenommen, dass das Überlagerungsmodell
durch die Steuerung 140 oder eine andere Prozesseinheit
auf der Grundlage des tatsächlichen
Verhaltens des Einzelbildbelichters 124, wie es von der Überlagerungsmessanlage 130 gemessen wird,
erzeugt und aktualisiert wird. Das Überlagerungsmodell kann auf
der Grundlage historischer Daten, die aus diversen Prozessdurchläufen des
Einzelbildbelichters 124 gewonnen wurden, trainiert werden.
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3 ist
ein vereinfachtes Flussdiagramm eines Verfahrens zum Steuern eines
Photolithographieprozesses gemäß einer
weiteren anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Im Block 300 wird eine erste
Schicht auf einer ausgewählten
Scheibe gebildet. Im Block 310 wird ein erster Überlagerungsfehler,
der mit der ersten Schicht verknüpft
ist, gemessen. Im Block 320 wird mindestens ein Parameter
in einem Prozessrezept zur Bildung einer zweiten Schicht auf der
ersten Scheibe auf der Grundlage zumindest der ersten Überlagerungsfehlermessung
bestimmt.
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Das
Steuern des Überlagerungsfehlers
auf der Grundlage von rückgekoppelten
und vorwärtsgekoppelten
Messergebnissen aus der Überlagerungsmessanlage 130,
wie dies zuvor beschrieben ist, besitzt zahlreiche Vorteile. Der
Einzelbildbelichter 124 kann so gesteuert werden, um den
Betrag der auftretenden Schwankung zu reduzieren. Ein reduzierte Schwankung
verringert die Wahrscheinlichkeit, dass ein Bauteil beeinträchtigt ist
oder verworfen werden muss. Folglich werden die Qualität der in
der Prozesslinie 100 hergestellten Bauelemente und die
Effizienz der Prozesslinie 100 erhöht.
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Die
zuvor offenbarten speziellen Ausführungsformen sind lediglich
beispielhafter Natur, da die Erfindung in unterschiedlichen, aber äquivalenten Weisen,
die dem Fachmann beim Vorliegen der hierin offenbarten Lehren offenkundig
sind, modifiziert und praktiziert werden kann. Somit sind keine
Einschränkungen
auf die Details des Aufbaus oder der Gestaltung, wie sie hierin
gezeigt sind, beabsichtigt, sofern diese nicht in den nachfolgenden
Patentansprüchen
beschrieben sind. Es ist daher offensichtlich, dass die speziellen
offenbarten Ausführungsformen
geändert
oder modifiziert werden können
und dass alle derartigen Modifizierungen als im Grundgedanken und
im Schutzbereich der Erfindung liegend betrachtet werden. Daher
ist der angestrebte Schutzbereich durch die nachfolgenden Patentansprüche definiert.
