DE10260851A1 - Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung für Leistungsbauelemente - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung für Leistungsbauelemente Download PDF

Info

Publication number
DE10260851A1
DE10260851A1 DE10260851A DE10260851A DE10260851A1 DE 10260851 A1 DE10260851 A1 DE 10260851A1 DE 10260851 A DE10260851 A DE 10260851A DE 10260851 A DE10260851 A DE 10260851A DE 10260851 A1 DE10260851 A1 DE 10260851A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heat sink
metal
cooling device
base plate
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10260851A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10260851B4 (de
Inventor
Christoph Ruf
Sven Kittelberger
Stefan Keil
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE10260851A priority Critical patent/DE10260851B4/de
Publication of DE10260851A1 publication Critical patent/DE10260851A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10260851B4 publication Critical patent/DE10260851B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3731—Ceramic materials or glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung für ein Leistungsbauelement mit folgenden Verfahrensschritten: DOLLAR A A) Auflöten des Leistungsbauelementes auf eine ein lötfähiges Material enthaltende Oberfläche eines Kühlkörpers aus einer mit einem Metall infiltrierten Keramik und DOLLAR A B) Aufkleben des Kühlkörpers auf eine Grundplatte mittels eines wärmeleitenden Klebstoffes; DOLLAR A und auf eine Kühlvorrichtung für ein Leistungsbauelement (1), insbesondere zur Verwendung in einem elektronischen Steuergerät, umfassend einen mit einem Metall infiltrierten Keramikkörper als Kühlkörper (2) dessen Oberfläche auf einer Seite klebbar und auf einer anderen Seite (3) lötfähig ist, wobei das zu kühlende Leistungsbauelement (1) auf die lötfähige Oberfläche (3) des Kühlkörpers (2) aufgelötet ist und der Kühlkörper (2) mit der klebbaren Oberfläche mittels eines wärmeleitenden Klebstoffes (4) auf einer Grundplatte (5) befestigt ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Aufgrund der starken Wärmeentwicklung moderner Leistungsbauelemente sind Kühlvorrichtungen für auf Substraten angeordnete elektronische Leistungsbauelemente erforderlich. Dabei soll eine möglichst effektive Wärmeabfuhr gewährleistet sein. Insbesondere in elektronischen Steuergeräten von Kraftfahrzeugen ist eine effektive Kühlung der darin enthaltenen Leistungsbauelemente notwendig zur Vermeidung von Fehlfunktionen der Steuerelektronik.
  • In vielen Fällen ist es außerdem erforderlich, das Gehäuse der wärmeerzeugenden Leistungsbauelemente von dem die Wärme ableitenden Kühlelement elektrisch zu isolieren. Ein direktes Auflöten des Leistungsbauelementes auf das Kühlelement (zum Beispiel die Grundplatte eines elektronischen Steuergerätes) ist daher nicht möglich. Eine elektrisch isolierende Schicht erschwert jedoch den Wärmeübergang von dem Leistungsbauelement auf das Kühlelement, so dass ein Wärmestau entstehen kann, der eine Überhitzung und Beschädigung des Leistungsbauelementes zur Folge hat.
  • Stand der Technik
  • Zur Lösung der oben genannten Probleme wird in DE-A 197 52 797 vorgeschlagen, dass die bei einer kurzzeitig auftretenden Wärmepulsbelastung in dem Leistungsbauelement erzeugte Wärme zunächst auf eine als Wärmesenke dienende Wärmeleitplatte abgeleitet wird, sich dort verteilt und anschließend über eine elektrisch isolierende wärmeleitende Schicht an das Kühlelement abgegeben wird. Als Wärmeleitplatte wird eine Metallplatte aus Kupfer verwendet.
  • Aus DE-A 198 59 739 ist ebenfalls eine solche Kühlvorrichtung bekannt, bei der die von einem Bauelement erzeugte Wärme direkt durch eine metallische Lotschicht an eine Wär meleitplatte abgegeben werden kann und sich zunächst in der Wärmeleitplatte verteilt. Von der Wärmeleitplatte wird die Wärme über eine wärmeleitende und elektrisch isolierende Schicht (zum Beispiel einen Wärmeleitkleber) an das eigentliche Kühlelement weitergegeben. Dabei wird als Wärmeleitplatte eine aus Kupfer bestehende Metallplatte eingesetzt.
  • Im Stand der Technik werden die Leistungsbauelemente durch Löten auf einer anwendungsspezifisch dimensionierten Wärmeleitplatte befestigt, die dann als Kühlkörper dient, um die z. B. bei einem abrupten Belastungswechsel in dem Leistungsbauelement kurzzeitig entstehende Verlustwärme zwischenzuspeichern und auf eine größere Grundfläche weiterzuleiten. Aufgrund der sehr verschiedenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Kupfer (Wärmeleitplatte) einerseits und Silizium (Leistungsbauelement) andererseits sind die Lötverbindungen zwischen Wärmeleitplatte und Leistungsbauelement mechanischen Spannungen ausgesetzt. Dadurch wird die Realisierung zuverlässiger Lötverbindungen bei dieser Montagetechnik auf relativ kleine Leistungshalbleiterflächen begrenzt. Die Lotschicht wird bei Temperaturwechseln (zum Beispiel von – 40°C auf + 150°C) stark beansprucht durch die verschieden starke Wärmeausdehnung der beiden über die Lotschicht verbundenen Bauteile.
  • Darstellung der Erfindung
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung bzw. die erfindungsgemäße Kühlvorrichtung vermeiden die im Stand der Technik auftretenden Nachteile und ermöglichen es, insbesondere bei kurzzeitigen Erwärmungen des Bauelementes eine effiziente Wärmeableitung zu erreichen. In vorteilhafter Weise können auch Leistungsbauelemente mit größeren Grundflächen, zum Beispiel mit ihrer gesamten Unterseite vollflächig auf einen Kühlkörper aufgelötet werden, so dass ein besonders guter und schneller Wärmeübergang von dem Leistungsbauelement auf den als Wärmesenke dienenden Kühlkörper ermöglicht wird, ohne die Lotschicht bei Temperaturwechseln zu stark mechanisch zu beanspruchen. Es können somit beispielsweise auf einer Aluminium-Grundplatte eines Steuergerätes größere Leistungsbauelemente als im Stand der Technik montiert werden. Folglich kann durch die vorliegende Erfindung die Leistungsfähigkeit solcher elektronischer Komponenten erheblich gesteigert werden.
  • Diese Vorteile werden erfindungsgemäß erreicht durch ein Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung für ein Leistungsbauelement mit folgenden Verfahrensschritten:
    • A) Auflöten des Leistungsbauelementes auf eine ein lötfähiges Material enthaltende Oberfläche eines Kühlkörpers aus einer mit einem Metall infiltrierten Keramik und
    • B) Aufkleben des Kühlkörpers auf eine Grundplatte mittels eines wärmeleitenden Klebstoffes.
  • Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Kühlvorrichtung wird vorzugsweise in einem elektronischen Steuergerät eingesetzt.
  • Zur Herstellung des in dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten Kühlkörpers wird ein Metall in einen Keramikkörper infiltriert. Der Metall-infiltrierte Keramikkörper dient in der fertigen Kühlvorrichtung als Kühlkörper zum Zwischenspeichern und Weiterleiten der Verlustwärme eines darauf angeordneten Leistungsbauelementes. Der Wärmeausdehnungskoeffizient dieses Keramik-Kühlkörpers unterscheidet sich viel weniger vom Silizium-Wärmeausdehnungskoeffizienten, als derjenige von Kupfer. Die Infiltration ist ein Prozess, bei dem die Poren des Keramikbauteils mit niedriger schmelzendem Metall oder einer Metalllegierung gefüllt werden. Die Metall-Infiltration kann mit unterschiedlichen, im Stand der Technik bekannten Verfahren durchgeführt werden (zum Beispiel Reaktivinfiltration, Schleuderguss). Vorzugsweise werden poröse Keramikvorformlinge (Preforms) beim Gießen des Kühlkörpers von der Metallschmelze infiltriert, wobei ein nahtloser Übergang zwischen Metall und Keramik erreicht wird. Durch die in dem Kühlkörper enthaltenen Anteile an Metall und an Keramik (z.B. 20-35% Al und 65-80% SiC) kann der Ausdehnungskoeffizient des Kühlkörpers weitgehend an den Ausdehnungskoeffizienten des zu kühlenden Leistungsbauelementes angepasst werden.
  • Eine Oberfläche auf einer Seite des Kühlkörpers enthält ein lötfähiges Material, um das Leistungsbauelement in Schritt A) des erfindungsgemäßen Verfahrens auf den Kühlkörper löten zu können.
  • Eine andere Oberfläche (üblicherweise die der lötfähigen Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche) des Kühlkörpers ist klebbar, damit der Kühlkörper mit dieser Oberfläche im Schritt B) mittels eines Klebstoffes auf einer Grundplatte aufklebbar ist.
  • In Schritt A) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das zu kühlende Leistungsbauelement auf die das lötfähige Material enthaltende Oberfläche des Kühlkörpers aufgelötet. Dies erfolgt gemäß einem im Stand der Technik bekannten geeigneten Lötverfahren. Vorzugsweise wird das Leistungsbauelement durch Vakuumlöten auf den Kühlkörper aufgelötet. Durch die erfindungsgemäße Verwendung eines Metall-infiltrierten Keramikkörpers als Kühlkörper, dessen Wärmedehnungskoeffizient ähnlich demjenigen des Leistungsbauelementes ist, wird in vorteilhafter Weise eine starke mechanische Belastung dieser Lötstellen vermieden.
  • In Schritt B) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Kühlkörper mit seiner klebbaren Oberfläche mittels Klebstoff auf eine Grundplatte geklebt. Der Klebstoff hat dabei mehrere Funktionen. Außer zum mechanischen Verbinden des Kühlkörpers mit der Grundplatte dient er auch zur Wärmeübertragung von dem Kühlkörper auf die Grundplatte. Er muss folglich gute Wärmetransporteigenschaften aufweisen. Ferner kann der Klebstoff eine größere Differenz der Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen Kühlkörper (aus Metallinfiltrierter Keramik) und Grundplatte (meist aus Metall) ausgleichen, sofern er geeignete elastische Eigenschaften aufweist, insbesondere eine hohe Reißdehnung. Des weiteren ist der in einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendete Klebstoff elektrisch isolierend, um eine elektrische Isolation zwischen der Grundplatte und dem auf dem Kühlkörper angeordneten Leistungsbauelement zu erhalten.
  • Die Reihenfolge der Verfahrensschritte A) und B) des erfindungsgemäßen Verfahrens kann auch vertauscht werden.
  • Zusätzlich zu dem Kühlkörper wird vorzugsweise mindestens ein bestückter Schaltungsträger elektrisch isoliert auf die Grundplatte aufgeklebt oder anders befestigt. In einem elektronischen Steuergerät enthalten diese bestückten Schaltungsträger zum Beispiel Teile der Steuerelektronik. Anschließend werden Kühlkörper, Schaltungsträger und Leistungsbauelement elektrisch verbunden, vorzugsweise realisiert durch Drahtbondtechnik.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Oberfläche des Kühlkörpers vor Verfahrensschritt A) auf einer Seite mit einem lötfähigen Material beschichtet. Die Oberfläche des Kühlkörpers wird geeignet beschichtet, um das Leistungsbauelement in Schritt A) des erfindungsgemäßen Verfahrens auf den Kühlkörper löten zu können. Dies kann mittels eines im Stand der Technik bekannten Verfahrens erfolgen, beispielsweise durch chemische Abscheidung des lötfähigen Materials auf der Kühlkörperoberfläche. Weitere mögliche Beschichtungsverfahren sind das Sputtern, das Aufdampfen, das Dickschichtpasten Drucken und andere im Stand der Technik bekannte Verfahren. Die so mit lötfähigem Material beschichtete Oberfläche kann sich beispielsweise auf der der klebbaren Oberfläche gegenüberliegenden Seite des Kühlkörpers befinden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Oberfläche des Kühlkörpers mit einer Gold- und Nickelschicht durch chemische Abscheidung beschichtet, um eine lötfähige Schicht herzustellen. Das Gold dient dabei als Oxidations schutz für das Nickel. Vorzugsweise beträgt die Nickelschichtdicke auf der Kühlkörperoberfläche 1 bis 10μm, besonders bevorzugt 3 bis 5μm. Vorzugsweise beträgt die Goldschichtdicke auf der Kühlkörperoberfläche 50 bis 500nm, besonders bevorzugt 100 bis 300nm. Ein weiteres mögliches lötfähiges Material, mit dem der Kühlkörper auf einer Seite beschichtet werden kann, ist Kupfer.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das für die Infiltration in den Keramikkörper verwendete Metall auf einer Oberfläche auf einer Seite des Kühlkörpers weitgehend entfernt. Dies erfolgt, damit der Kühlkörper mit dieser weitgehend metallfreien Oberfläche im späteren Schritt B) mittels eines Klebstoffes auf einer Grundplatte aufklebbar ist. Dieses Entfernen des Metalls ist daher insbesondere dann notwendig, wenn der wärmeleitende Klebstoff nicht zum Kleben von metallhaltigen Oberflächen geeignet ist. Es sind aber auch Wärmeleitkleber im Stand der Technik bekannt, die zum Kleben einer Metalloberfläche (z.B. Aluminiumoberfläche) geeignet sind, für die kein Entfernen des Metalls von der Kühlkörperoberfläche erforderlich ist. Auf dem Kühlkörper ist z.B. eine Metalloberfläche vorhanden, wenn die beim Infiltrieren der Keramik mit Metall verwendete Gießform mit Metallschmelze überfüllt wurde, so dass sich eine durchgängige Metallschicht auf dem Kühlkörper bildete. Die Metalloberfläche kann beispielsweise durch spanende Verfahren, die im Stand der Technik bekannt sind, entfernt werden.
  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist weiterhin eine Kühlvorrichtung für ein Leistungsbauelement, insbesondere zur Verwendung in einem elektronischen Steuergerät, umfassend einen mit einem Metall infiltrierten Keramikkörper als Kühlkörper, dessen Oberfläche auf einer Seite klebbar und auf einer anderen Seite lötfähig ist, wobei das zu kühlende Leistungsbauelement auf die lötfähige Oberfläche des Kühlkörpers aufgelötet ist und der Kühlkörper mit der klebbaren Oberfläche mittels eines wärmeleitenden Klebstoffes auf einer Grundplatte befestigt ist. Die erfindungsgemäße Kühlvorrichtung kann gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weisen der Kühlkörper und das Leistungsbauelement thermische Ausdehnungskoeffizienten auf, die weniger als 10∙10–6 1/K voneineiander abweichen, besonders bevorzugt weniger als 5∙10–6 1/K. Durch diese Anpassung der Ausdehnungskoeffizienten aneinander wird ein Auflöten auch großer Leistungsbauelemente auf den Kühlkörper ermöglicht, wobei die Lötverbindung auch bei großen Temperaturschwankungen stabil bleibt.
  • Unterschiede zwischen den Ausdehnungskoeffizienten des Kühlkörpers und der Grundplatte werden bei der vorliegenden Erfindung vorzugsweise durch den dazwischenliegen den Klebstoff ausgeglichen, der dazu geeignete elastische Eigenschaften aufweist, insbesondere eine hohe Reißdehnung.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht der mit einem Metall infiltrierte Keramikkörper aus einer mit Aluminium infiltrierten SiC- oder Al2O3-Keramik. Der Wärme-Ausdehnungskoeffizient von Aluminium-infiltriertem SiC oder Al2O3 (in erfindungsgemäßen Kühlkörpern) weicht weniger von dem von Silizium (in einem Leistungshalbleiter) ab, als der Ausdehnungskoeffizient von Kupfer (in Kühlkörpern im Stand der Technik). Kupfer besitzt einen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 16,5∙10–6 1/K. Ein Halbleiterbauteil besitzt einen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 2-3∙10–6 1/K. Der Ausdehnungskoeffizient des erfindungsgemäßen Kühlkörpers kann durch die Zusammensetzung der Metall-infiltrierten Keramik eingestellt werden (z.B. 20-35% Al in 65-80% SiC). Daher sind solche Metall-infiltrierten Keramiken besser als mit dem Leistungshalbleiter verlötbare Kühlkörper geeignet, als beispielsweise Kupferplatten.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Klebstoff elektrisch isolierend. Dadurch wird eine elektrische Isolation des Leistungsbauelements (und des Kühlkörpers) gegenüber der Grundplatte erreicht. In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist zumindest die Oberfläche der Grundplatte elektrisch isolierend. Falls die Grundplatte und der Kühlkörper bereits auf andere Weise gegeneinander elektrisch isoliert sind (beispielsweise durch eine Isolierschicht auf der Grundplatte) braucht der Klebstoff keine elektrisch isolierenden Eigenschaften aufzuweisen.
  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein elektronisches Steuergerät, umfassend mindestens eine erfindungsgemäße Kühlvorrichtung, wobei eine Gehäuseplatte des Steuergeräts als Grundplatte dient und der Kühlkörper und das Leistungsbauelement mit mindestens einem eine Steuerelektronik enthaltenden Schaltungsträger über elektrische Leiter verbunden sind. Solche Steuergeräte werden beispielsweise in der Kraftfahrzeugtechnik eingesetzt.
  • Zeichnung
  • Anhand der Zeichnung wird die Erfindung nachstehend näher erläutert.
  • Es zeigt:
  • 1 eine erfindungsgemäße Kühlvorrichtung zur Kühlung eines Leistungsbauelementes.
  • Ausführungsvarianten
  • 1 zeigt eine erfindungsgemäße Kühlvorrichtung zur Kühlung eines Leistungsbauelementes, beispielsweise eines Leistungshalbleiters.
  • Das Leistungsbauelement 1 ist auf einen Metall-infiltrierten Keramikkühlkörper 2 bzw. dessen mit lötfähigem Material bedeckte Oberfläche 3 aufgelötet. Der Metall-infiltrierte Keramikkühlkörper 2 ist dabei vorzugsweise eine mit Aluminium-infiltrierte SiC- oder Al2O3-Keramikplatte. Leistungsbauelemente sind beispielsweise Leistungshalbleiter wie Leistungstransistoren, Leistungsdioden, IGBT's und ASIC's. Vorzugsweise wird das wärmeerzeugende Leistungsbauelement 1 auf einer Seite vollflächig auf den Kühlkörper 2 aufgelötet, um einen besonders guten und schnellen Wärmeübergang von dem Bauelement 1 auf den als Wärmesenke dienenden Kühlkörper 2 zu erreichen. Die mit lötfähigem Material bedeckte Oberfläche 3 des Kühlkörpers 2 enthält vorzugsweise eine Schicht aus Nickel und Gold. Diese Schicht aus lötfähigem Material umfasst zum Beispiel eine Nickelschicht mit einer Dicke von bevorzugt 1 bis 10μm, besonders bevorzugt 3 bis 5μm, und eine Goldschicht mit einer Dicke von bevorzugt 50 bis 500nm, besonders bevorzugt 100 bis 300nm.
  • Der Metall-infiltrierte Keramikkühlkörper 2 ist mit seiner Unterseite mittels eines Klebstoffes 4 auf einer Grundplatte 5 befestigt. Der Klebstoff 4 weist eine gute Wärmeleitfähigkeit auf, vorzugsweise > 0,5W/mK, damit er die Wärme aus dem Kühlkörper 2 gut und schnell an die Grundplatte 5 weiterleitet. Ferner weist er eine hohe Reißdehnung auf, vorzugsweise > 40%, damit die verschiedenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Grundplatte 5 und des Kühlkörpers 2 ausgeglichen werden können. Des weiteren ist der Klebstoff 4 nicht elektrisch leitfähig, damit er den Kühlkörper 2 bzw. das darauf angeordnete Leistungsbauelement 1 von der Grundplatte 5 elektrisch isoliert. In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Klebstoff ein wärmeleitender Silikonoder Epoxydharzklebstoff insbesondere ein wärmeleitend gefüllter Klebstoff. Ein wärmeleitend gefüllter Silikonklebstoff weist z. B. eine Wärmeleitfähigkeit von 1 bis 2W/mK und eine Reißdehnung von > 50% auf.
  • Die Unterseite des Metall-infiltrierten Keramikkühlkörpers 2 muss für den Klebstoff 4 klebbar sein. Sie ist daher beispielsweise weitgehend von dem Metall befreit, durch das der Keramikkühlkörper 2 infiltriert wurde.
  • Vorzugsweise handelt es sich bei der Grundplatte 5 um eine Aluminiumgrundplatte. Sie kamt aber auch eine Kupfer- oder Stahlplatte sein. Die Grundplatte 5 ist in einem elektronischen Steuergerät zum Beispiel eine Gehäuseplatte des Steuergerätes. Auf der Grundplatte des Steuergerätes können aufgrund der Vorzüge der erfindungsgemäßen Kühlvorrichtung größere Leistungshalbleiter als im Stand der Technik montiert werden und somit die Leistungsfähigkeit solcher elektronischer Komponenten erheblich gesteigert werden. Damit kann der Anwendungsbereich insbesondere von Aluminiumgrundplatten zur Kühlung und als Schaltungsträger in elektronischen Steuergeräten erheblich erweitert werden.
  • Bei der in 1 dargestellten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Kühlkörper 2 in eine Vertiefung 6 in der Grundplatte 5 eingelassen. Dadurch weist die gesamte in 1 gezeigte Anordnung eine geringe Bauhöhe auf, da die Baugruppe aus Leistungsbauelement 1, Kühlkörper 2 incl. lötfähigem Material und Klebstoff 4 zumindest teilweise in dieser Vertiefung 6 in der Grundplatte 5 versenkt wird. Diese wenig Platz beanspruchende Bauweise ist besonders vorteilhaft, wenn die erfindungsgemäße Kühlvorrichtung im elektronischen Steuergerät eines Kraftfahrzeuges eingesetzt wird.
  • Das Leistungsbauelement 1 ist Teil einer nur schematisch dargestellten, sich auf der Grundplatte 5 befindenden elektrischen Schaltung. Diese wird in 1 durch einen Schaltungsträger 7 repräsentiert, der ebenfalls durch eine Klebeschicht 8 auf der Grundplatte 5 befestigt ist. Bei der Klebeschicht 8 kann es sich um den gleichen Klebstoff 4 handeln, mit dem der Kühlkörper 2 auf die Grundplatte 5 aufgeklebt ist. Die elektrischen Verbindungen zwischen dem Metall-infiltrierten Kühlkörper 2 und dem Schaltungsträger 7 bzw. zwischen dem Leistungsbauelement 1 und dem Schaltungsträger 7 werden vorzugsweise durch Bond-Drahtverbindungen 9 realisiert.
    • 1
    Leistungsbauelement
    2
    Metall-infiltrierter Keramikkühlkörper
    3
    mit lötfähigem Material bedeckte Oberfläche des Kühlkörpers
    4
    Klebstoff
    5
    Grundplatte
    6
    Vertiefung in der Grundplatte
    7
    Schaltungsträger
    8
    Klebeschicht
    9
    Bond-Drahtverbindungen

Claims (13)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung für ein Leistungsbauelement mit folgenden Verfahrensschritten: A) Auflöten des Leistungsbauelementes auf eine ein lötfähiges Material enthaltende Oberfläche eines Kühlkörpers aus einer mit einem Metall infiltrierten Keramik und B) Aufkleben des Kühlkörpers auf eine Grundplatte mittels eines wärmeleitenden Klebstoffes.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vor Schritt A) eine Oberfläche des Kühlkörpers mit dem lötfähigen Material beschichtet wird.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Kühlkörpers mit einer Gold- und Nickelschicht durch chemische Abscheidung beschichtet wird.
  4. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vor Schritt B) auf einer Oberfläche des Kühlkörpers das Metall weitgehend entfernt wird.
  5. Kühlvorrichtung für ein Leistungsbauelement (1), insbesondere zur Verwendung in einem elektronischen Steuergerät, umfassend einen mit einem Metall infiltrierten Keramikkörper als Kühlkörper (2), dessen Oberfläche auf einer Seite klebbar und auf einer anderen Seite (3) lötfähig ist, wobei das zu kühlende Leistungsbauelement (1) auf die lötfähige Oberfläche (3) des Kühlkörpers (2) aufgelötet ist und der Kühlkörper (2) mit der klebbaren Oberfläche mittels eines wärmeleitenden Klebstoffes (4) auf einer Grundplatte (5) befestigt ist.
  6. Kühlvorrichtung gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper (2) und das Leistungsbauelement (1) Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, die weniger als 10∙10–6 1/K voneineiander abweichen.
  7. Kühlvorrichtung gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der mit einem Metall infiltrierte Keramikkörper (2) aus einer mit Aluminium infiltrierten SiC- oder Al2O3-Keramik besteht.
  8. Kühlvorrichtung gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper (2) auf seiner klebbaren Oberfläche weitgehend frei von Metall ist.
  9. Kühlvorrichtung gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper (2) auf seiner lötfähigen Oberfläche (3) eine Beschichtung aus lötfähigem Material aufweist.
  10. Kühlvorrichtung gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung aus lötfähigem Material Ni und Au enthält.
  11. Kühlvorrichtung gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Klebstoff (4) elektrisch isolierend ist.
  12. Kühlvorrichtung gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte eine Aluminium-Platte ist.
  13. Elektronisches Steuergerät, umfassend mindestens eine Kühlvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 5 bis 12 wobei eine Gehäuseplatte des Steuergeräts als Grundplatte (5) dient und der Kühlkörper (2) und das Leistungsbauelement (1) mit mindestens einem eine Steuerelektronik enthaltenden Schaltungsträger (7) über elektrische Leiter verbunden sind.
DE10260851A 2002-12-23 2002-12-23 Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung für Leistungsbauelemente, Kühlvorrichtung und elektronisches Steuergerät Expired - Fee Related DE10260851B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10260851A DE10260851B4 (de) 2002-12-23 2002-12-23 Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung für Leistungsbauelemente, Kühlvorrichtung und elektronisches Steuergerät

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10260851A DE10260851B4 (de) 2002-12-23 2002-12-23 Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung für Leistungsbauelemente, Kühlvorrichtung und elektronisches Steuergerät

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10260851A1 true DE10260851A1 (de) 2004-07-08
DE10260851B4 DE10260851B4 (de) 2013-07-18

Family

ID=32477960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10260851A Expired - Fee Related DE10260851B4 (de) 2002-12-23 2002-12-23 Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung für Leistungsbauelemente, Kühlvorrichtung und elektronisches Steuergerät

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10260851B4 (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005062600A1 (de) * 2005-12-27 2007-07-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Positionierung elektronischer Leistungsbauteile auf einer Grundplatte, Positionierungsvorrichtung sowie integriertes elektronisches Bauteil
DE102008040466A1 (de) 2008-07-16 2010-01-21 Robert Bosch Gmbh Leistungselektronikeinrichtung
DE202010000020U1 (de) 2010-01-11 2010-04-15 Loewe Opta Gmbh Elektronikbaugruppe
DE102010000035A1 (de) 2010-01-11 2011-07-14 Loewe Opta GmbH, 96317 Elektronikbaugruppe
DE102014203225A1 (de) * 2014-02-24 2015-01-29 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung und Verfahren zur Abfuhr der Wärmeverluste von elektrischen Bauelementen hoher Pulsleistung
DE102014107742A1 (de) * 2014-06-03 2015-12-03 Lisa Dräxlmaier GmbH Vorlademodul und Vorladeschaltung
EP2575169A3 (de) * 2011-09-30 2016-11-09 Robert Bosch Gmbh Fügehilfe für ein Leistungsmodul
DE102019122511A1 (de) * 2019-08-21 2021-02-25 Seg Automotive Germany Gmbh Stromrichtereinheit und elektrische Maschine

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3523061A1 (de) * 1985-06-27 1987-01-02 Siemens Ag Halbleiter-chip-anordnung
AT408153B (de) * 1998-09-02 2001-09-25 Electrovac Metall-matrix-composite- (mmc-) bauteil
DE19859739A1 (de) * 1998-12-23 2000-07-06 Bosch Gmbh Robert Kühlvorrichtung, insbesondere zur Verwendung in einem elektronischen Steuergerät
JP2003152145A (ja) * 2001-08-31 2003-05-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体放熱用基板とその製造方法及びパッケージ

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005062600A1 (de) * 2005-12-27 2007-07-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Positionierung elektronischer Leistungsbauteile auf einer Grundplatte, Positionierungsvorrichtung sowie integriertes elektronisches Bauteil
DE102008040466A1 (de) 2008-07-16 2010-01-21 Robert Bosch Gmbh Leistungselektronikeinrichtung
WO2010006912A1 (de) * 2008-07-16 2010-01-21 Robert Bosch Gmbh Leistungselektronikeinrichtung
CN102099910B (zh) * 2008-07-16 2014-07-23 罗伯特·博世有限公司 功率电子装置
DE202010000020U1 (de) 2010-01-11 2010-04-15 Loewe Opta Gmbh Elektronikbaugruppe
DE102010000035A1 (de) 2010-01-11 2011-07-14 Loewe Opta GmbH, 96317 Elektronikbaugruppe
EP2575169A3 (de) * 2011-09-30 2016-11-09 Robert Bosch Gmbh Fügehilfe für ein Leistungsmodul
DE102014203225A1 (de) * 2014-02-24 2015-01-29 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung und Verfahren zur Abfuhr der Wärmeverluste von elektrischen Bauelementen hoher Pulsleistung
DE102014107742A1 (de) * 2014-06-03 2015-12-03 Lisa Dräxlmaier GmbH Vorlademodul und Vorladeschaltung
DE102014107742B4 (de) 2014-06-03 2019-01-31 Lisa Dräxlmaier GmbH Vorlademodul und Vorladeschaltung
DE102019122511A1 (de) * 2019-08-21 2021-02-25 Seg Automotive Germany Gmbh Stromrichtereinheit und elektrische Maschine

Also Published As

Publication number Publication date
DE10260851B4 (de) 2013-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4811166A (en) Heat dissipating member for mounting a semiconductor device and electrical circuit unit incorporating the member
US5981085A (en) Composite substrate for heat-generating semiconductor device and semiconductor apparatus using the same
DE10062108B4 (de) Leistungsmodul mit verbessertem transienten Wärmewiderstand
EP0805494B1 (de) Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise
RU2198949C2 (ru) Композитный материал, способ его получения, излучающая тепло панель для полупроводникового прибора, полупроводниковый прибор (варианты), диэлектрическая панель и электростатическое поглощающее устройство
DE102007046021A1 (de) Halbleiteranordnung, Halbleitermodul und Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips mit einem Keramiksubstrat
JPH0261539B2 (de)
DE102009026480A1 (de) Modul mit einer gesinterten Fügestelle
DE102005032076B3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsmoduls
DE10260851B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Kühlvorrichtung für Leistungsbauelemente, Kühlvorrichtung und elektronisches Steuergerät
DE102011076774A1 (de) Baugruppe mit einem Träger und einem Kühlkörper
DE102011080299B4 (de) Verfahren, mit dem ein Schaltungsträger hergestellt wird, und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE8908678U1 (de) Leistungsbaugruppe
US5311399A (en) High power ceramic microelectronic package
EP0170012B1 (de) Metall-Keramik-Verbundelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102018115509A1 (de) Wärmedissipationsvorrichtung, Halbleiterpackagingsystem und Verfahren zum Herstellen derselben
US6529379B1 (en) Article exhibiting enhanced adhesion between a dielectric substrate and heat spreader and method
DE102017102389A1 (de) Leistungselektronikmodule
DE102004055534B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit einer elektrisch isolierenden und thermisch gut leitenden Schicht
US12028963B2 (en) Printed circuit board module, printed circuit board element, heatsink, heat-conducting element and method of producing a thermally conductive layer
EP0459283A1 (de) Halbleiterbauelement, befestigt an einem keramischen Substrat
DE102011076773A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
DE19730865C2 (de) Anordnung mit einem Kühlkörper aus einem Aluminiumwerkstoff und zu kühlende Elemente
DE102018208844B3 (de) Kühlkörper, Leistungselektronikmodul mit einem Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung des Kühlkörpers
DE10042839B4 (de) Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R084 Declaration of willingness to licence
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023360000

Ipc: H01L0023373000

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023360000

Ipc: H01L0023373000

Effective date: 20130312

R020 Patent grant now final

Effective date: 20131019

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee