DE10254990A1 - Verfahren zum Entfernen von organischen Rückständen von feinstrukturierten Oberflächen - Google Patents
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Abstract
Ein Verfahren ist vorgesehen zum Entfernen von organischen Rückständen von feinstrukturierten Oberflächen. Die Rückstände werden mithilfe von Ozon verascht.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von organischen Rückständen von feinstrukturierten Oberflächen.
- Als Beispiel soll hier das Entfernen von Photoresistlack-Rückständen von metallischen Spritzgußmatritzen für die Herstellung von CD- oder DVD-Scheiben herangezogen werden, ohne daß die Erfindung insoweit eingeschränkt werden soll.
- Bei der Herstellung von CD's oder DVD's wird zunächst eine Photoresist-Lackschicht auf eine Glasplatte aufgebracht. Diese Lackschicht wird getrocknet. Sie wird anschließend entsprechend dem zu erzielenden, digital dargestellten Tonmuster belichtet und in den durch die Belichtung vorgegebenen Bereichen ausgewaschen. Sodann wird eine dünne leitfähige Schicht aus Metall, beispielsweise Nickel, durch Verdampfen in einem elektrischen Feld auf die Lackschicht aufgebracht, und anschließend auf galvanischem Weg auf die dünne Metallschicht als Startschicht eine etwa eine 300 um starke Metallschicht, zumeist Nickelschicht aufgebracht.
- Die auf diese Weise hergestellte Metallschicht wird im weiteren Verfahren als Spritzgußform für die Herstellung von CD's oder DVD's verwendet. Zu diesem Zweck muß die Metallschicht von der Photoresistlackschicht abgezogen werden. Dabei bleiben erhebliche Teile der Lackschicht an der entstandenen Metallplatte zurück. Es ist relativ einfach, diese Rückstände zu einem großen Teil in einer geeigneten Vorreinigung zu entfernen. In der Grenzschicht zwischen Metall und Photoresistlack hat sich bei dem Verfahren jedoch ein stark vernetzter Photoresistlack gebildet, der in der feinstrukturierten Oberfläche der Metallplatte nur schwer zu erfassen ist.
- Ein Entfernen dieser Rückstände mit Lösungsmitteln ist an sich bekannt, führt jedoch nur zu unbefriedigenden Ergebnissen. Wirkungsvoller, jedoch auch erheblich aufwendiger ist die Reinigung mithilfe von Plasmaöfen oder Excimerlasern.
- Derartige Verfahren haben den Nachteil, daß sie hohe Investitions- und Betriebskosten erfordern und darüber hinaus nur in einem sehr schmalen Bereich einsetzbar sind, wenn zuverlässig verhindert werden soll, daß sie das Grundsubstrat, also im hiesigen Beispiel die Metallplatte, nicht beschädigen.
- Aufgabe der Erfindung ist daher, ein Verfahren zu schaffen, das es mit geringem Aufwand an Investitionen und Betriebskosten gestattet, die organischen Rückstände, die sich auf oder in einer feinstrukturierten Oberfläche befinden, zu veraschen.
- Zur Lösung dieser Aufgabe ist das erfindungsgemäße Verfahren der obigen An dadurch gekennzeichnet, daß die Rückstände mithilfe von Ozon verascht werden.
- Es hat sich überraschenderweise gezeigt, daß die stark oxidierende Wirkung des Ozons ausreicht, um die organischen Rückstände aus der feingliedrigen Oberflächenstruktur zu entfernen, ohne daß diese Oberflächenstruktur Schaden nimmt.
- Das Ozon kann mithilfe wenigstens einer Düse auf die zu reinigende Oberfläche geblasen werden. Eine oder mehrere Düsen können in vorgegebenen Bahnen über die Oberfläche geführt werden, oder die Oberfläche kann an einer oder mehreren Düsen vorbeigeführt werden. Es ist auch möglich, die zu reinigenden Teile in einer Ozonkammer einzuführen, in der Ozon in vorgegebener Konzentration bereitgestellt wird.
- Die Aschenbestandteile können durch anschließendes Absaugen, Ausblasen oder Waschen mit einer geeigneten Spüleinrichtung problemlos entfernt werden.
- Das Ozon kann vorzugsweise in einem relativ einfachen Ozongenerator, der beispielsweise mit elektrostatischer Entladung arbeitet, an Ort und Stelle hergestellt werden. Mit Hilfe derartiger Ozongeneratoren können bei geringen Kosten relativ große Mengen Ozon erzeugt werden. Das ermöglicht kurze Behandlungszeiten.
- Weniger günstig sind dagegen offenbar Verfahren zur Ozonerzeugung, die mit UV-Licht arbeiten. Hier ist die Ozon-Ausbeute relativ gering, und die entstehende Wärme ist für den angestrebten Erfolg zumindest nicht förderlich.
Claims (8)
- Verfahren zum Entfernen von organischen Rückständen von feinstrukturierten Oberflächen, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückstände mithilfe von Ozon verascht werden.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Ozon mithilfe wenigstens einer Düse auf die zu reinigende Oberfläche aufgeblasen wird.
- Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine Düse in vorbestimmten Bahnen über die zu reinigende Oberfläche bewegt wird.
- Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zu reinigende Oberfläche an der wenigstens einen Düse vorbeigeführt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die veraschten Rückstände von der Oberfläche abgesaugt werden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die veraschten Rückstände von der Oberfläche ausgeblasen werden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die veraschten Rückstände mithilfe einer Reinigungslösung ausgespült werden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Ozon während des Reinigungsvorganges in einem Ozongenerator durch elektrostatische Entladung hergestellt wird.
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