DE10236404A1 - Verfahren und Herstellung eines Substrates und Substrat - Google Patents
Verfahren und Herstellung eines Substrates und Substrat Download PDFInfo
- Publication number
- DE10236404A1 DE10236404A1 DE10236404A DE10236404A DE10236404A1 DE 10236404 A1 DE10236404 A1 DE 10236404A1 DE 10236404 A DE10236404 A DE 10236404A DE 10236404 A DE10236404 A DE 10236404A DE 10236404 A1 DE10236404 A1 DE 10236404A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photoresist layer
- surface energy
- substrate
- photoresist
- substrate according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates und ein Substrat gemäß den Oberbegriffen der Ansprüche 1 und 9.
- Der Tintenstrahldruckprozess ist einer der wichtigsten Strukturierungsprozesse für die Herstellung von Vollfarbdisplays auf der Basis lichtemittierender halbleitender Polymere (LEPs). Dabei werden kleine Tropfen einer Lösung des entsprechenden Polymers auf ein geeignetes Substrat aufgebracht.
- Die räumliche Auflösung des Prozesses wird dabei durch die Oberflächeneigenschaften des Substrats massgeblich mitbeeinflusst. Benetzung durch die aufgebrachte Polymertinte darf nur im für den lichtemittierenden Pixel vorgesehenen Bereich (der sog. Pixelfläche) erfolgen, um Farbmischung zu vermeiden.
- Einer der grundlegenden Lösungsansätze wird in
EP 0989778 A1 (Seiko-Epson) beschrieben. Es wird durch geeignete Auswahl der Materialien, welche die Substratoberfläche bilden, ein Kontrast der Oberflächenenergie geschaffen. Die aufgedruckte Tinte kann nur in Bereichen mit hoher Oberflächenenergie verlaufen, während Bereiche mit niedriger Oberflächenenergie als Barriere wirken. Um eine homogene Schicht dicke des Films zu erhalten, ist es weiterhin von Vorteil, über den Rand der Pixelfläche der organischen Leuchtdiode (OLED) hinaus hohe Oberflächenenergie einzustellen. Der sich ausbildende Film wird dann bis zur Randzone homogen und die Schichtdicke nimmt erst ausserhalb der aktiven Zone in Nähe der Barriere merklich ab. - Der nötige Kontrast der Oberflächenenergien kann auf verschiedene Art und Weise erreicht werden.
-
EP 0989778 A1 (Seiko Epson) beschreibt eine Zweischichtstruktur der Oberfläche. Durch geeignete Oberflächenbehandlung im Plasma kann die obere Schicht mit niedriger Oberflächenenergie versehen werden, während die untere Schicht aufgrund ihrer chemischen Natur durch die gleiche Behandlung hohe Oberflächenenergie erhält. Die untere Schicht wird typischerweise aus anorganischen Materialien wie Siliziumoxid/Nitrid hergestellt. - Die anorganische Schicht wirkt dabei als Randzone mit hoher Oberflächenenergie und erleichtert das Aufbringen homogener Polymerfilme durch den Tintenstrahldruckprozess.
- Das Aufbringen und Strukturieren dieser Schicht erfordert allerdings Prozesse, die typischerweise in der Halbleiterindustrie verwendet werden. Für die Schichtabscheidung kommen Sputterprozesse und Gasphasenprozesse wie PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) in Frage. Diese Prozesse sind kostenintensiv und verringern damit den durch OLED-Technologie gewonnenen Kostenvorteil. Zudem beinhaltet die zweite Schicht die Ausbildung einer Oberflächentopographie, d.h. die Bereiche mit niedriger Oberflächenenergie (hier "Separatoren" genannt) heben sich mit endlicher Höhe von der Substratoberfläche ab. Durch dieses Höhenprofil kann der abgeschiedene Polymerfilm ein unerwünschtes Dickenprofil ausbilden.
-
JP 09203803 -
JP 09230129 - Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Substrat sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, wobei das Substrat kostengünstig herstellbar sein, gegenüber dem Stand der Technik eine geringere Schichtdicke aufweisen und eine hohe räumliche Auflösung des Tintenstrahldruckprozesses erlauben soll.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1
- Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass unter Zuhilfenahme herkömmlicher, kostensparender Verfahren ein Substrat hergestellt werden kann, das lediglich eine Schicht mit einem beliebig strukturierten Oberflächenkontrast aufweist.
- Dazu wird auf ein Substrat eine erste Photolackschicht, beispielsweise aus einem herkömmlichen Photolack aufgebracht. Dies kann ein Photolack auf Novolakbasis oder ein Acryllack, Epoxylack oder Polyimidlack sein. Die Photolackschicht wird durch eine Photomaske belichtet und danach entwickelt. Anschließend wird diese erste Schicht thermisch vernetzt und durch eine Oberflächenbehandlung, z.B. mittels einer UV-Ozon – Behandlung oder einer Sauerstoff-Plasmabehandlung, mit hoher Oberflächenenergie versehen. Danach wird eine zweite Photolackschicht, beispielsweise aus einem herkömmlichen Photolack aufgebracht. Diese wird wiederum durch eine Photomaske belichtet und danach entwickelt. Dabei überlagert die zweite Photolackschicht teilweise die erste Photolackschicht. Anschließend wird die Oberflächenenergie der Substratoberfläche durch eine Oberflächenbehandlung, z.B. mittels einer fluorhaltigen Gasmischung, die aus CF4, SF6 oder NF3 bestehen kann, abgesenkt. Dieses Absenken der Oberflächenenergie kann auch durch eine Plasmabehandlung mit dem Gasgemisch Tetrafluormethan-Sauerstoff im Verhältnis 4:1 erfolgen. Zum Schluss wird die zweite Photolackschicht wieder abgelöst. Dies kann durch ein organisches Lösungsmittel wie Aceton oder Tetrahydrofuran erfolgen. Die verbleibende erste Photolackschicht weist durch geeignete Wahl der Photomasken und der Oberflächenbehandlungen eine gewünschte Geometrie und einen gewünschten Kontrast der Oberflächenenergien auf.
- Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass letztendlich nur eine Schicht zur Realisierung der erforderlichen Substrateigenschaften benötigt wird und nur organische Materialien zum Schichtaufbau verwendet werden. Dadurch kann ein hoher Kontrast der Oberflächenenergie bei einer geringen Schichtdicke erreicht werden.
- Das Substrat kann aus Glas, Kunststoff, Silizium oder anderem flexiblen oder starren Material bestehen. Die Schichten bestehen aus. Photolack, welcher über eine Photomaske belichtet und dann entwickelt wird. Als Photolack kann ein herkömmlicher Photolack verwendet werden. Ebenfalls möglich ist eine Strukturierung vom Polymeren durch Ätzen mit Hilfe einer Photolackmaske. Das Absenken der Oberflächenenergie kann durch eine geeignete UV-Ozon bzw. Sauerstoff-Plasmabehandlung erfolgen.
- Das erfindungsgemäße Substrat kann zum Aufdrucken eines leitfähigen Polymers und/oder zum Aufdrucken einer Lösung lichtemittierender Polymere mittels eines Tintenstrahldruckverfahrens verwendet werden. Das leitfähige Polymer kann aus Polyethylendioxothiophen-Polystyrolsulfonsäure (PEDT-PSS) oder Polyanilin bestehen. Die Oberflächenspannung des leitfähigen Polymers kann durch geeignete Zusätze wie Tenside oder niedere Alkohole, wie z.B. Butanole und/oder Propanole, herabgesetzt sein. Die so abgeschiedene Polymerschicht wird durch thermische Behandlung getrocknet.
- Die lichtemittierenden Polymere können aus der Familie der Polyphenylenvinylene (PPVs) oder der Polyfluorene stammen.
- Im nachfolgenden Tintenstrahldruckprozeß wird zuerst die Lösung eines geeigneten leitfähigen Polymers aufgedruckt. Die Schicht des leitfähigen Polymers dient einerseits zur besseren Injektion von Defektelektronen (Löcher) in das lichtemittierende Material. Andererseits gleicht die Schicht auch Unebenheiten der Anodenschicht (Indium- Zinnoxid) aus, die sonst zur Verkürzung der Lebensdauer der OLED führen würde.
- Im Anschluss werden Lösungen lichtemittierender Polymere, speziell aus der Familie der Polyphenylenvinylene (PPVs) und der Polyfluorene (PFOs), mittels des Tintenstrahldruckverfahrens aufgedruckt.
- Die Weiterverarbeitung erfolgt durch Aufbringen einer metallischen Kathodenschicht mittels Vakuumverdampfen/Sputtern und anschliessender Verkapselung.
- Die Erfindung soll nachstehend anhand von zumindest teilweise in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
- Es zeigen:
-
1 eine Darstellung einer unbehandelten Substratoberfläche, -
2 eine Darstellung einer Substratoberfläche mit einer darauf aufgebrachten, belichteten und entwickelten ersten Photolackschicht, -
3 eine Darstellung einer Substratoberfläche mit einer ersten und einer zweiten, teilweise darüberliegenden Photolackschicht (jeweils belichtet und entwickelt), -
4 eine Darstellung einer Substratoberfläche nach Behandlung zum Absenken der Oberflächenenergie und nach Entfernen der zweiten Photolackschicht, -
5 eine Darstellung einer fertig behandelten Substratoberfläche mit einem darüber befindlichen Tintentropfen und -
6 eine Draufsicht eines Substrats für ein organisches lichtemittierendes Element mit bereits aufgebrachtem Tintentropfen. - Wie aus
1 zu ersehen ist, steht vor der Oberflächebehandlung ein starres oder flexibles Substrat1 aus Glas, Silizium oder anderem Material zu Verfügung. Das lichtemittierende Polymer (LEP) soll später auf einen bestimmten Bereich2 , die sog. aktive Pixelfläche, aufgedruckt werden. Dieses räumlich präzise Aufbringen des Polymers ist notwendig, um einerseits die Vermischung von Polymeren unterschiedlicher Farben zu vermeiden (sog. Farbmischung) und andererseits die Polymere zur Erzeugung einer bildlichen Darstellung einzeln ansteuern zu können. - Auf dieses Substrat
1 wird eine erste Photolackschicht3 aufgeschleudert und diese durch eine Photomaske belichtet. Danach erfolgt eine Entwicklung und thermische Nachbehandlung sowie eine UV-Ozon bzw: Sauerstoff-Plasmabehandlung. Das so behandelte Substrat ist in2 dargestellt. Der Photolack3 wird durch die UV-Ozon bzw. Sauerstoff-Plasmabehandlung mit hoher Oberflächenenergie versehen. Danach wird eine zweite Photolackschicht4 aufgeschleudert, wie in3 dargestellt ist. Diese wird wiederum durch eine Photomaske belichtet und entwickelt. Diese zweite Photolackschicht4 überlagert die Randbereiche der ersten Photolackschicht3 . Danach wird das Substrat1 einer Plasmabehandlung mit einer fluorhaltigen Gasmischung unterzogen. Als fluorhaltige Gase kommen dabei speziell CF4, SF6 oder NF3 in Frage. Dadurch wird derjenige Teil der ersten Photolackschicht3 , der nicht von der zweiten Photolackschicht4 überdeckt ist, mit niedriger Oberflächenenergie versehen. Der von der zweiten Schicht4 überlagerte Teil der ersten Schicht3 behält jedoch seine vergleichsweise hohe Oberflächenenergie bei. Anschließend wird die zweite Photolackschicht4 durch geeignete Lösemittel, wie z.B. Aceton oder Tetrahydrofuran, abgelöst. Die nun entstandene Substratoberfläche ist in4 dargestellt. Sie weist eine partielle Photolackschicht mit Bereichen hoher Oberflächenenergie3 und niedriger Oberflächenenergie5 auf. Die Geometrie dieser Bereiche lässt sich durch eine geeignete Wahl der Photomasken beliebig gestalten. Das Verhältnis der Oberflächenenergien der Bereiche hoher Oberflächenenergie3 zu den Bereichen niedriger Oberflächenenergie5 läßt sich ebenfalls durch geeignete UV-Ozon bzw. Sauerstoff-Plasmabehandlungen vorteilhaft gestalten.5 zeigt die behandelte Photolackschicht mit einem darüber befindlichen Tintentropfen, z.B. aus lichtemittierenden halbleitenden Polymeren (LEP's). Dieser wird nun im Bereich der aktiven Pixelfläche2 und im Randbereich der Photolackschicht mit hoher Oberflächenenergie3 verlaufen. Durch den Übergang von hoher zu niedriger Oberflächenenergie außerhalb der aktiven Pixelfläche2 ist eine homogene Schichtdicke über der aktiven Pixelfläche gewährleistet, da ein Abfallen der Schichtdicke im Randbereich der aktiven Pixelfläche2 nicht erfolgen wird, da dieser Abfall erst in der Nähe des Bereichs mit niedriger Oberflächenenergie5 eintreten wird. Dadurch wird ein homogen verlaufender Polymerfilm gewährleistet.6 zeigt eine Draufsicht eines Substrats für ein organisches lichtemittierendes Element nach dem Tintenstrahldruckverfahren. Dabei sind die Pixelfläche2 und der Bereich des Photolacks3 mit hoher Oberflächenenergie mit Tinte benetzt. Der Bereich des Photolacks5 mit niedriger Oberflächenenergie ist hingegen nicht von der Tinte benetzt worden. - Nachfolgend wird ein besonders vorteilhaftes Ausführungsbeispiel beschrieben.
- Ein mit vorstrukturiertem Indium-Zinnoxid beschichtetes Glas wird als Substrat verwendet. Als erste Photolackschicht wird ein Photolack auf Novolakbasis, z.B. JEM 750 der Firma JSR (Japan Synthetic Rubber), in einer Dicke von 500 nm durch Aufschleudern aufgebracht und durch eine geeignete Photomaske belichtet. Nach Entwickeln wird der Lack bei 200°C für eine Stunde thermisch nachbehandelt.
- Der strukturierte Lack wird im Sauerstoffplasma für 120 Sekunden behandelt. Im Anschluß wird eine zweite Photolackschicht auf Novolakbasis, z.B. AZ6612 der Firma Clariant, durch Aufschleudern aufgebracht. Die Lackschicht wird durch eine geeignete Photomaske belichtet und entwickelt.
- Das Substrat wird für 120 s einer Plasmabehandlung mit dem Gasgemisch Tetrafluormethan-Sauerstoff im Verhältnis 4:1 unterzogen. Im Anschluß daran wird die zweite Lackschicht mittels eines geeigneten Lösungsmittels wie Aceton oder Tetrahydrofuran abgelöst.
- Das Substrat wird einer kurzen Nachbehandlung im Sauerstoffplasma unterworfen. Für ein solches Ausführungsbeispiel kann die Ausdehnung der Separatorzone
5 ca. 10–20 μm betragen. Der Zwischenraum zwischen 2 Pixeln kann ca. 30 μm betragen, was einer Auflösung von ca. 130 PPI entspricht. Die Oberflächenenergie kann im Bereich hoher Oberflächenenergie ca. 60–70 dyne/cm, im Bereich niedriger Oberflächenenergie ca. 20–35 dyne/cm betragen. - Die Erfindung ist nicht beschränkt auf die hier dargestellten Ausführungsbeispiele. Vielmehr ist es möglich, durch Kombination und Modifikation der genannten Mittel und Merkmale weitere Ausführungsvarianten zu realisieren, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.
-
- 1
- Substrat
- 2
- Pixelfläche
- 3
- erste Photolackschicht mit hoher Oberflächenenergie
- 4
- zweite Photolackschicht
- 5
- Bereich niedriger Oberflächenenergie in der ersten Photolackschicht
- 6
- Tintentropfen
Claims (28)
- Verfahren zur Herstellung eines Substrates durch Aufbringen von Photolackschichten und deren Behandlung, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte: – Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer ersten Photolackschicht (
3 ); – Oberflächenbehandlung der ersten Photolackschicht (3 ) zur Ausstattung der ersten Photolackschicht (3 ) mit hoher Oberflächenenergie; – Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer zweiten Photolackschicht (4 ) derart, dass die zweite Photolackschicht (4 ) die erste Photolackschicht (3 ) teilweise überlagert; – Absenken der Oberflächenenergie der Substratoberfläche durch eine Oberflächenbehandlung, – Ablösen der zweiten Photolackschicht (4 ). - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Photolackschicht (
3 ) mittels einer UV-Ozon-Behandlung oder einer Sauerstoff-Plasmabehandlung mit hoher Oberflächenenergie versehen wird. - Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Absenken der Oberflächenenergie durch eine Plasmabehandlung mit einer fluorhaltigen Gasmischung erfolgt.
- Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass für das Absenken der Oberflächenenergie eine fluorhaltige Gasmischung, welche speziell CF4, SF6 oder NF3 enthält, verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass zum Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer ersten Photolackschicht (
3 ) ein herkömmlicher Photolack auf Novolakbasis oder ein Acryllack, Epoxylack oder ein Polyimidlack verwendet wird. - Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zum Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer zweiten Photolackschicht (
4 ) ein herkömmlicher Photolack auf Novolakbasis oder ein Acryllack, Epoxylack oder ein Polyimidlack verwendet wird. - Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Absenken der Oberflächenenergie durch eine Plasmabehandlung mit dem Gasgemisch Tetrafluormethan-Sauerstoff im Verhältnis 4:1 erfolgt.
- Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Photolackschicht (
4 ) durch organische Lösungsmittel wie Aceton oder Tetrahydrofuran abgelöst wird. - Substrat (
1 ), bei welchem mindestens eine Substratoberfläche aus mindestens einer räumlich strukturierten, nichtkontinuierlichen Photolackschicht besteht, dadurch gekennzeichnet, dass in der Photolackschicht sowohl Bereiche mit hoher Oberflächenenergie (3 ) als auch Bereiche mit niedriger Oberflächenenergie (5 ) angeordnet sind und dass die Bereiche (2 ) ohne Photolack ebenfalls eine hohe Oberflächenenergie aufweisen. - Substrat nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenenergie in den Bereichen hoher Oberflächenenergie 60–70 dyne/cm und in den Bereichen niedriger Oberflächenenergie 20–35 dyne/cm beträgt.
- Substrat nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat starr ist.
- Substrat nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat flexibel ist.
- Substrat nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus Glas, Kunststoff oder Silizium besteht.
- Substrat nach Anspruch 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Photolack ein herkömmlicher Photolack auf Novolakbasis oder ein Acryllack, Epoxylack oder Polymidlack ist.
- Substrat (
1 ), bei welchem mindestens eine Substratoberfläche aus mindestens einer räumlich strukturierten, nichtkontinuierlichen Photolackschicht besteht, herstellbar durch folgende Verfahrensschritte: – Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer ersten Photolackschicht (3 ); – Oberflächenbehandlung der ersten Photolackschicht (3 ) zur Ausstattung der ersten Photolackschicht (3 ) mit hoher Oberflächenenergie; – Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer zweiten Photolackschicht (4 ) derart, dass die zweite Photolackschicht (4 ) die erste Photolackschicht (3 ) teilweise überlagert; – Absenken der Oberflächenenergie der Substratoberfläche durch eine Oberflächenbehandlung, – Ablösen der zweiten Photolackschicht (4 ). - Substrat nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenenergie der ersten Photolackschicht (
3 ) durch einer UV-Ozon – Behandlung oder einer Sauerstoff-Plasmabehandlung erhöht ist. - Substrat nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenenergie der ersten oder zweiten Photolackschicht (
3 ,4 ) durch eine Plasmabehandlung mit einer fluorhaltigen Gasmischung abgesenkt ist. - Substrat nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die fluorhaltige Gasmischung CF4, SF6 oder NF3 enthält.
- Substrat nach Anspruch 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Photolackschicht (
3 ) aus einem herkömmlichen Photolack auf Novolakbasis oder aus einem Acryllack, Epoxylack oder Polyimidlack aufgebracht, belichtet und entwickelt ist. - Substrat nach Anspruch 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Photolackschicht (
4 ) aus einem herkömmlichen Photolack auf Novolakbasis oder aus einem Acryllack, Epoxylack oder Polyimidlack aufgebracht, belichtet und entwickelt ist. - Substrat nach Anspruch 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenenergie durch eine Plasmabehandlung mit dem Gasgemisch Tetrafluormethan-Sauerstoff im Verhältnis 4:1 abgesenkt ist.
- Substrat nach Anspruch 15 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Photolackschicht (
4 ) durch organische Lösungsmittel wie Aceton oder Tetrahydrofuran abgelöst ist. - Verwendung eines Substrats mit den Merkmalen nach Anspruch 9 bis 22 zum Aufdrucken eines leitfähigen Polymers.
- Verwendung eines Substrats nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass das leitfähige Polymer Polyethylendioxothiophen-Polystyrolsulfonsäure (PEDT-PSS) oder Polyanilin ist.
- Verwendung eines Substrats nach Anspruch 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenspannung des leitfähigen Polymers durch geeignete Zusätze wie Tenside oder niedere Alkohole herabgesetzt ist.
- Verwendung eines Substrats nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die niederen Alkohole Butanole und/oder Propanole sind.
- Verwendung eines Substrats mit den Merkmalen nach Anspruch 9 bis 22 zum Aufdrucken einer Lösung lichtemittierender Polymere mittels eines Tintenstrahldruckverfahrens.
- Verwendung eines Substrats nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass die lichtemittierenden Polymere aus der Familie der Polyphenylenvinylene (PPVs) oder der Polyfluorene(PFOs) stammen.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10236404A DE10236404B4 (de) | 2002-08-02 | 2002-08-02 | Verfahren zur Herstellung eines Substrates |
KR10-2003-0015598A KR100528256B1 (ko) | 2002-08-02 | 2003-03-13 | 기판과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
JP2003173463A JP4092261B2 (ja) | 2002-08-02 | 2003-06-18 | 基板の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US10/627,683 US7015501B2 (en) | 2002-08-02 | 2003-07-28 | Substrate and organic electroluminescence device using the substrate |
CNB031586759A CN100492714C (zh) | 2002-08-02 | 2003-08-01 | 衬底和采用该衬底的有机电致发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10236404A DE10236404B4 (de) | 2002-08-02 | 2002-08-02 | Verfahren zur Herstellung eines Substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10236404A1 true DE10236404A1 (de) | 2004-02-19 |
DE10236404B4 DE10236404B4 (de) | 2008-01-10 |
Family
ID=30469600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10236404A Expired - Lifetime DE10236404B4 (de) | 2002-08-02 | 2002-08-02 | Verfahren zur Herstellung eines Substrates |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100528256B1 (de) |
DE (1) | DE10236404B4 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10343351A1 (de) * | 2003-09-12 | 2005-05-04 | Samsung Sdi Co | Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP1729358A1 (de) | 2005-06-02 | 2006-12-06 | Samsung SDI Germany GmbH | Substrat für den Tintenstrahldruck |
EP1791145A2 (de) * | 2005-11-25 | 2007-05-30 | Seiko Epson Corporation | Elektrochemische Zelle und ihre Herstellungsmethode |
EP2109163A1 (de) | 2008-04-08 | 2009-10-14 | Alcan Technology & Management Ltd. | Substrat mit aufgedruckter Struktur |
US7737631B2 (en) | 2005-06-02 | 2010-06-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display with repellant and border areas and method of manufacturing the same |
US7833612B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-11-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Substrate for inkjet printing and method of manufacturing the same |
DE102014224276A1 (de) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum hochpräzisen Drucken von Strukturen auf Oberflächen sowie Substrat mit einer eine gedruckte Struktur aufweisenden Oberfläche |
DE102020206696A1 (de) | 2020-05-28 | 2021-12-02 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren und Steuergerät zum Herstellen eines Trägerelements zum Aufnehmen einer Probenflüssigkeit, Trägerelement, Trägermodul und Verfahren zum Verwenden eines Trägerelements |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101171190B1 (ko) | 2005-11-02 | 2012-08-06 | 삼성전자주식회사 | 표시장치의 제조방법과 이에 사용되는 몰드 |
KR100772926B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2007-11-02 | 한국전자통신연구원 | 전도성 고분자 조성물, 이로부터 제조된 전도성 고분자 박막 및 이를 이용한 유기 전자 소자 |
CN110610976B (zh) * | 2019-09-24 | 2022-01-25 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09203803A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Asahi Glass Co Ltd | カラーフィルタの製造方法及びそれを用いた液晶表示素子 |
JP3996979B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2007-10-24 | キヤノン株式会社 | カラーフィルターの製造方法、カラーフィルター及び液晶表示装置 |
CN100530758C (zh) * | 1998-03-17 | 2009-08-19 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
GB9808806D0 (en) * | 1998-04-24 | 1998-06-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Selective deposition of polymer films |
KR100563638B1 (ko) * | 1999-02-24 | 2006-03-23 | 인더스트리얼 테크놀로지 리써치 인스티튜트 | 칼라 필터의 제조방법 |
JP2001028295A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
EP1122560A1 (de) * | 1999-07-28 | 2001-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Verfahren zur herstellung von farbfiltern, farbfilter und flüssigkristall-vorrichtung |
KR100697262B1 (ko) * | 1999-08-30 | 2007-03-21 | 삼성전자주식회사 | 탑 게이트형 폴리실리콘 박막트랜지스터 기판의 제조방법 |
CA2395004C (en) * | 1999-12-21 | 2014-01-28 | Plastic Logic Limited | Solution processing |
JP4406991B2 (ja) * | 2000-02-24 | 2010-02-03 | パナソニック株式会社 | 薄膜el素子及びその製造方法 |
US6677243B2 (en) * | 2000-06-02 | 2004-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing optical element |
-
2002
- 2002-08-02 DE DE10236404A patent/DE10236404B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-13 KR KR10-2003-0015598A patent/KR100528256B1/ko active IP Right Grant
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10343351B4 (de) * | 2003-09-12 | 2017-01-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10343351A1 (de) * | 2003-09-12 | 2005-05-04 | Samsung Sdi Co | Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7833612B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-11-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Substrate for inkjet printing and method of manufacturing the same |
US7737631B2 (en) | 2005-06-02 | 2010-06-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display with repellant and border areas and method of manufacturing the same |
EP1729358A1 (de) | 2005-06-02 | 2006-12-06 | Samsung SDI Germany GmbH | Substrat für den Tintenstrahldruck |
EP1791145A3 (de) * | 2005-11-25 | 2008-04-09 | Seiko Epson Corporation | Elektrochemische Zelle und ihre Herstellungsmethode |
US8158879B2 (en) | 2005-11-25 | 2012-04-17 | Seiko Epson Corporation | Electrochemical cell structure and method of fabrication |
US8796065B2 (en) | 2005-11-25 | 2014-08-05 | Seiko Epson Corporation | Electrochemical cell structure and method of fabrication |
EP1791145A2 (de) * | 2005-11-25 | 2007-05-30 | Seiko Epson Corporation | Elektrochemische Zelle und ihre Herstellungsmethode |
EP2109163A1 (de) | 2008-04-08 | 2009-10-14 | Alcan Technology & Management Ltd. | Substrat mit aufgedruckter Struktur |
DE102014224276A1 (de) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum hochpräzisen Drucken von Strukturen auf Oberflächen sowie Substrat mit einer eine gedruckte Struktur aufweisenden Oberfläche |
DE102014224276B4 (de) | 2014-11-27 | 2021-12-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum hochpräzisen Drucken von Strukturen auf Oberflächen sowie Substrat mit einer eine gedruckte Struktur aufweisenden Oberfläche |
DE102020206696A1 (de) | 2020-05-28 | 2021-12-02 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren und Steuergerät zum Herstellen eines Trägerelements zum Aufnehmen einer Probenflüssigkeit, Trägerelement, Trägermodul und Verfahren zum Verwenden eines Trägerelements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100528256B1 (ko) | 2005-11-15 |
DE10236404B4 (de) | 2008-01-10 |
KR20040012439A (ko) | 2004-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69829643T2 (de) | Polymere organische elektroluminezente Pixel-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung | |
DE60114494T2 (de) | Organisches elektrolumineszentes Element und Verfahren zur Herstellung desselben | |
CN100530760C (zh) | 薄膜构图的衬底及其表面处理 | |
DE60119311T2 (de) | Verfahren zur erzeugung einer farbelektrooptischen vorrichtung | |
DE2953117A1 (en) | Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns | |
DE102009044337A1 (de) | Arraysubstrat für ein Display sowie Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE10240105B4 (de) | Herstellung organischer elektronischer Schaltkreise durch Kontaktdrucktechniken | |
DE10117663A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien | |
EP0910128A2 (de) | Herstellung von organischen elektrolumineszierenden Bauteilen | |
DE10236404A1 (de) | Verfahren und Herstellung eines Substrates und Substrat | |
EP1095413B1 (de) | Herstellung von strukturierten elektroden | |
DE10133686C2 (de) | Organisches, elektrolumineszierendes Display und dessen Herstellung | |
WO2003007664A1 (de) | Organisches, farbiges, elektrolumineszierendes display und dessen herstellung | |
EP1658647B1 (de) | Integrierte schaltung mit einem organischen halbleiter und verfahren zur herstellung einer integrierten schaltung | |
DE10219122B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Hartmasken | |
DE102005005937A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Maskenanordnung sowie Verwendung der Maskenanordnung | |
DE10351195B4 (de) | Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE602005005651T2 (de) | Verfahren zur strukturierung eines funktionalen materials auf ein substrat | |
DE102005024920B4 (de) | Organischer Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10343351B4 (de) | Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102010013755A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Strukturen mit negativen Flanken | |
EP1610399A1 (de) | Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung | |
WO2004055922A2 (de) | Verfahren zur herstellung von organischen feldeffekttransistoren mit top-kontakt-architektur aus leitfähigen polymeren | |
DE10142683A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht auf einem Halbleitersubstrat | |
WO2003046961A2 (de) | Photolithographisches verfahren zum ausbilden einer struktur in einem halbleitersubstrat |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8181 | Inventor (new situation) |
Inventor name: SCHAEDIG, MARKUS, 15711 KOENIGS WUSTERHAUSEN, DE Inventor name: KUBIAK, MICHAEL, 13059 BERLIN, DE Inventor name: REHDECKER, MICHAEL, DR., 12524 BERLIN, DE |
|
8181 | Inventor (new situation) |
Inventor name: SCHAEDIG, MARKUS, 15711 KOENIGS WUSTERHAUSEN, DE Inventor name: KUBIAK, MICHAEL, 13059 BERLIN, DE Inventor name: REDECKER, MICHAEL, DR., 12524 BERLIN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO. LTD., SUWON, GYEONG, KR |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GULDE HENGELHAUPT ZIEBIG & SCHNEIDER, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD., YONGIN-CITY, KR Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO. LTD., SUWON, GYEONGGI, KR Effective date: 20120921 Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD., KR Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO. LTD., SUWON, KR Effective date: 20120921 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GULDE & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWALTSKANZL, DE Effective date: 20120921 Representative=s name: GULDE HENGELHAUPT ZIEBIG & SCHNEIDER, DE Effective date: 20120921 |
|
R071 | Expiry of right |