DE10236404A1 - Verfahren und Herstellung eines Substrates und Substrat - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates und ein Substrat. DOLLAR A Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Substrat sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, bei welchem das Substrat kostengünstig herstellbar sein, gegenüber dem Stand der Technik eine geringere Schichtdicke aufweisen und eine hohe räumliche Auflösung des Tintenstrahldruckprozesses erlauben soll. DOLLAR A Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst, durch ein Verfahren zur Herstellung des Substrates durch Aufbringen von Photolackschichten und deren Behandlung, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte: DOLLAR A - Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer ersten Photolackschicht (3); DOLLAR A - Oberflächenbehandlung der ersten Photolackschicht (3) zur Ausstattung der ersten Photolackschicht (3) mit hoher Oberflächenenergie; DOLLAR A - Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer zweiten Photolackschicht (4), derart, dass die zweite Photolackschicht (4) die erste Photolackschicht (3) teilweise überlagert; DOLLAR A - Absenken der Oberflächenenergie der Substratoberfläche durch eine Oberflächenbehandlung, DOLLAR A - Ablösen der zweiten Photolackschicht (4) DOLLAR A und ein Substrat (1), bei welchem mindestens eine Substratoberfläche aus mindestens einer räumlich strukturierten, nichtkontinuierlichen Photolackschicht besteht, dadurch gekennzeichnet, dass in der Photolackschicht sowohl Bereiche mit hoher Oberflächenenergie (3) als auch Bereiche mit niedriger Oberflächenenergie (5) angeordnet sind und ...

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates und ein Substrat gemäß den Oberbegriffen der Ansprüche 1 und 9.
  • Der Tintenstrahldruckprozess ist einer der wichtigsten Strukturierungsprozesse für die Herstellung von Vollfarbdisplays auf der Basis lichtemittierender halbleitender Polymere (LEPs). Dabei werden kleine Tropfen einer Lösung des entsprechenden Polymers auf ein geeignetes Substrat aufgebracht.
  • Die räumliche Auflösung des Prozesses wird dabei durch die Oberflächeneigenschaften des Substrats massgeblich mitbeeinflusst. Benetzung durch die aufgebrachte Polymertinte darf nur im für den lichtemittierenden Pixel vorgesehenen Bereich (der sog. Pixelfläche) erfolgen, um Farbmischung zu vermeiden.
  • Einer der grundlegenden Lösungsansätze wird in EP 0989778 A1 (Seiko-Epson) beschrieben. Es wird durch geeignete Auswahl der Materialien, welche die Substratoberfläche bilden, ein Kontrast der Oberflächenenergie geschaffen. Die aufgedruckte Tinte kann nur in Bereichen mit hoher Oberflächenenergie verlaufen, während Bereiche mit niedriger Oberflächenenergie als Barriere wirken. Um eine homogene Schicht dicke des Films zu erhalten, ist es weiterhin von Vorteil, über den Rand der Pixelfläche der organischen Leuchtdiode (OLED) hinaus hohe Oberflächenenergie einzustellen. Der sich ausbildende Film wird dann bis zur Randzone homogen und die Schichtdicke nimmt erst ausserhalb der aktiven Zone in Nähe der Barriere merklich ab.
  • Der nötige Kontrast der Oberflächenenergien kann auf verschiedene Art und Weise erreicht werden.
  • EP 0989778 A1 (Seiko Epson) beschreibt eine Zweischichtstruktur der Oberfläche. Durch geeignete Oberflächenbehandlung im Plasma kann die obere Schicht mit niedriger Oberflächenenergie versehen werden, während die untere Schicht aufgrund ihrer chemischen Natur durch die gleiche Behandlung hohe Oberflächenenergie erhält. Die untere Schicht wird typischerweise aus anorganischen Materialien wie Siliziumoxid/Nitrid hergestellt.
  • Die anorganische Schicht wirkt dabei als Randzone mit hoher Oberflächenenergie und erleichtert das Aufbringen homogener Polymerfilme durch den Tintenstrahldruckprozess.
  • Das Aufbringen und Strukturieren dieser Schicht erfordert allerdings Prozesse, die typischerweise in der Halbleiterindustrie verwendet werden. Für die Schichtabscheidung kommen Sputterprozesse und Gasphasenprozesse wie PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) in Frage. Diese Prozesse sind kostenintensiv und verringern damit den durch OLED-Technologie gewonnenen Kostenvorteil. Zudem beinhaltet die zweite Schicht die Ausbildung einer Oberflächentopographie, d.h. die Bereiche mit niedriger Oberflächenenergie (hier "Separatoren" genannt) heben sich mit endlicher Höhe von der Substratoberfläche ab. Durch dieses Höhenprofil kann der abgeschiedene Polymerfilm ein unerwünschtes Dickenprofil ausbilden.
  • JP 09203803 beschreibt die chemische Behandlung der Substratoberfläche, die zuvor mit einem Photolack beschichtet wurde. Im Anschluss daran wird der Photolack durch eine Maske belichtet und entwickelt. In der so entstandenen Struktur haben die Bereiche mit Photolack niedrige Oberflächenenergie, während Bereiche ohne Photolack hohe Oberflächenenergie aufweisen. Die Flanken der Lackstruktur weisen mittlere Oberflächenenergie auf und können dadurch zu einem gewissen Grad einen abrupten Übergang der Oberflächenenergien vermeiden. Eine Randzone mit frei wählbarer Oberflächenenergie und Geometrie stellen sie allerdings nicht dar. Dies ist insofern nachteilig, da das räumliche Auflösungsvermögen des Tintenstrahldruckprozesses durch Bereiche mit mittlerer Oberflächenenergie abnimmt.
  • JP 09230129 beschreibt eine zweistufige Behandlung der Oberfläche. Zuerst wird die gesamte Oberfläche mit niedriger Oberflächenenergie ausgestattet. Durch die Nachbehandlung ausgewählter Teile der Oberfläche mit kurzwelligem Licht wird in diesen Bereichen dann die Oberflächenenergie wieder erhöht. Der erreichbare Kontrast der Oberflächenenergie ist jedoch begrenzt und die nötige Belichtungszeit nicht kompatibel mit einer Massenproduktion.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Substrat sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, wobei das Substrat kostengünstig herstellbar sein, gegenüber dem Stand der Technik eine geringere Schichtdicke aufweisen und eine hohe räumliche Auflösung des Tintenstrahldruckprozesses erlauben soll.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 und die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruches 9 im Zusammenwirken mit den Merkmalen im Oberbegriff. Zweckmäßige Ausge staltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten.
  • Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass unter Zuhilfenahme herkömmlicher, kostensparender Verfahren ein Substrat hergestellt werden kann, das lediglich eine Schicht mit einem beliebig strukturierten Oberflächenkontrast aufweist.
  • Dazu wird auf ein Substrat eine erste Photolackschicht, beispielsweise aus einem herkömmlichen Photolack aufgebracht. Dies kann ein Photolack auf Novolakbasis oder ein Acryllack, Epoxylack oder Polyimidlack sein. Die Photolackschicht wird durch eine Photomaske belichtet und danach entwickelt. Anschließend wird diese erste Schicht thermisch vernetzt und durch eine Oberflächenbehandlung, z.B. mittels einer UV-Ozon – Behandlung oder einer Sauerstoff-Plasmabehandlung, mit hoher Oberflächenenergie versehen. Danach wird eine zweite Photolackschicht, beispielsweise aus einem herkömmlichen Photolack aufgebracht. Diese wird wiederum durch eine Photomaske belichtet und danach entwickelt. Dabei überlagert die zweite Photolackschicht teilweise die erste Photolackschicht. Anschließend wird die Oberflächenenergie der Substratoberfläche durch eine Oberflächenbehandlung, z.B. mittels einer fluorhaltigen Gasmischung, die aus CF4, SF6 oder NF3 bestehen kann, abgesenkt. Dieses Absenken der Oberflächenenergie kann auch durch eine Plasmabehandlung mit dem Gasgemisch Tetrafluormethan-Sauerstoff im Verhältnis 4:1 erfolgen. Zum Schluss wird die zweite Photolackschicht wieder abgelöst. Dies kann durch ein organisches Lösungsmittel wie Aceton oder Tetrahydrofuran erfolgen. Die verbleibende erste Photolackschicht weist durch geeignete Wahl der Photomasken und der Oberflächenbehandlungen eine gewünschte Geometrie und einen gewünschten Kontrast der Oberflächenenergien auf.
  • Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass letztendlich nur eine Schicht zur Realisierung der erforderlichen Substrateigenschaften benötigt wird und nur organische Materialien zum Schichtaufbau verwendet werden. Dadurch kann ein hoher Kontrast der Oberflächenenergie bei einer geringen Schichtdicke erreicht werden.
  • Das Substrat kann aus Glas, Kunststoff, Silizium oder anderem flexiblen oder starren Material bestehen. Die Schichten bestehen aus. Photolack, welcher über eine Photomaske belichtet und dann entwickelt wird. Als Photolack kann ein herkömmlicher Photolack verwendet werden. Ebenfalls möglich ist eine Strukturierung vom Polymeren durch Ätzen mit Hilfe einer Photolackmaske. Das Absenken der Oberflächenenergie kann durch eine geeignete UV-Ozon bzw. Sauerstoff-Plasmabehandlung erfolgen.
  • Das erfindungsgemäße Substrat kann zum Aufdrucken eines leitfähigen Polymers und/oder zum Aufdrucken einer Lösung lichtemittierender Polymere mittels eines Tintenstrahldruckverfahrens verwendet werden. Das leitfähige Polymer kann aus Polyethylendioxothiophen-Polystyrolsulfonsäure (PEDT-PSS) oder Polyanilin bestehen. Die Oberflächenspannung des leitfähigen Polymers kann durch geeignete Zusätze wie Tenside oder niedere Alkohole, wie z.B. Butanole und/oder Propanole, herabgesetzt sein. Die so abgeschiedene Polymerschicht wird durch thermische Behandlung getrocknet.
  • Die lichtemittierenden Polymere können aus der Familie der Polyphenylenvinylene (PPVs) oder der Polyfluorene stammen.
  • Im nachfolgenden Tintenstrahldruckprozeß wird zuerst die Lösung eines geeigneten leitfähigen Polymers aufgedruckt. Die Schicht des leitfähigen Polymers dient einerseits zur besseren Injektion von Defektelektronen (Löcher) in das lichtemittierende Material. Andererseits gleicht die Schicht auch Unebenheiten der Anodenschicht (Indium- Zinnoxid) aus, die sonst zur Verkürzung der Lebensdauer der OLED führen würde.
  • Im Anschluss werden Lösungen lichtemittierender Polymere, speziell aus der Familie der Polyphenylenvinylene (PPVs) und der Polyfluorene (PFOs), mittels des Tintenstrahldruckverfahrens aufgedruckt.
  • Die Weiterverarbeitung erfolgt durch Aufbringen einer metallischen Kathodenschicht mittels Vakuumverdampfen/Sputtern und anschliessender Verkapselung.
  • Die Erfindung soll nachstehend anhand von zumindest teilweise in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Darstellung einer unbehandelten Substratoberfläche,
  • 2 eine Darstellung einer Substratoberfläche mit einer darauf aufgebrachten, belichteten und entwickelten ersten Photolackschicht,
  • 3 eine Darstellung einer Substratoberfläche mit einer ersten und einer zweiten, teilweise darüberliegenden Photolackschicht (jeweils belichtet und entwickelt),
  • 4 eine Darstellung einer Substratoberfläche nach Behandlung zum Absenken der Oberflächenenergie und nach Entfernen der zweiten Photolackschicht,
  • 5 eine Darstellung einer fertig behandelten Substratoberfläche mit einem darüber befindlichen Tintentropfen und
  • 6 eine Draufsicht eines Substrats für ein organisches lichtemittierendes Element mit bereits aufgebrachtem Tintentropfen.
  • Wie aus 1 zu ersehen ist, steht vor der Oberflächebehandlung ein starres oder flexibles Substrat 1 aus Glas, Silizium oder anderem Material zu Verfügung. Das lichtemittierende Polymer (LEP) soll später auf einen bestimmten Bereich 2, die sog. aktive Pixelfläche, aufgedruckt werden. Dieses räumlich präzise Aufbringen des Polymers ist notwendig, um einerseits die Vermischung von Polymeren unterschiedlicher Farben zu vermeiden (sog. Farbmischung) und andererseits die Polymere zur Erzeugung einer bildlichen Darstellung einzeln ansteuern zu können.
  • Auf dieses Substrat 1 wird eine erste Photolackschicht 3 aufgeschleudert und diese durch eine Photomaske belichtet. Danach erfolgt eine Entwicklung und thermische Nachbehandlung sowie eine UV-Ozon bzw: Sauerstoff-Plasmabehandlung. Das so behandelte Substrat ist in 2 dargestellt. Der Photolack 3 wird durch die UV-Ozon bzw. Sauerstoff-Plasmabehandlung mit hoher Oberflächenenergie versehen. Danach wird eine zweite Photolackschicht 4 aufgeschleudert, wie in 3 dargestellt ist. Diese wird wiederum durch eine Photomaske belichtet und entwickelt. Diese zweite Photolackschicht 4 überlagert die Randbereiche der ersten Photolackschicht 3. Danach wird das Substrat 1 einer Plasmabehandlung mit einer fluorhaltigen Gasmischung unterzogen. Als fluorhaltige Gase kommen dabei speziell CF4, SF6 oder NF3 in Frage. Dadurch wird derjenige Teil der ersten Photolackschicht 3, der nicht von der zweiten Photolackschicht 4 überdeckt ist, mit niedriger Oberflächenenergie versehen. Der von der zweiten Schicht 4 überlagerte Teil der ersten Schicht 3 behält jedoch seine vergleichsweise hohe Oberflächenenergie bei. Anschließend wird die zweite Photolackschicht 4 durch geeignete Lösemittel, wie z.B. Aceton oder Tetrahydrofuran, abgelöst. Die nun entstandene Substratoberfläche ist in 4 dargestellt. Sie weist eine partielle Photolackschicht mit Bereichen hoher Oberflächenenergie 3 und niedriger Oberflächenenergie 5 auf. Die Geometrie dieser Bereiche lässt sich durch eine geeignete Wahl der Photomasken beliebig gestalten. Das Verhältnis der Oberflächenenergien der Bereiche hoher Oberflächenenergie 3 zu den Bereichen niedriger Oberflächenenergie 5 läßt sich ebenfalls durch geeignete UV-Ozon bzw. Sauerstoff-Plasmabehandlungen vorteilhaft gestalten. 5 zeigt die behandelte Photolackschicht mit einem darüber befindlichen Tintentropfen, z.B. aus lichtemittierenden halbleitenden Polymeren (LEP's). Dieser wird nun im Bereich der aktiven Pixelfläche 2 und im Randbereich der Photolackschicht mit hoher Oberflächenenergie 3 verlaufen. Durch den Übergang von hoher zu niedriger Oberflächenenergie außerhalb der aktiven Pixelfläche 2 ist eine homogene Schichtdicke über der aktiven Pixelfläche gewährleistet, da ein Abfallen der Schichtdicke im Randbereich der aktiven Pixelfläche 2 nicht erfolgen wird, da dieser Abfall erst in der Nähe des Bereichs mit niedriger Oberflächenenergie 5 eintreten wird. Dadurch wird ein homogen verlaufender Polymerfilm gewährleistet. 6 zeigt eine Draufsicht eines Substrats für ein organisches lichtemittierendes Element nach dem Tintenstrahldruckverfahren. Dabei sind die Pixelfläche 2 und der Bereich des Photolacks 3 mit hoher Oberflächenenergie mit Tinte benetzt. Der Bereich des Photolacks 5 mit niedriger Oberflächenenergie ist hingegen nicht von der Tinte benetzt worden.
  • Nachfolgend wird ein besonders vorteilhaftes Ausführungsbeispiel beschrieben.
  • Ein mit vorstrukturiertem Indium-Zinnoxid beschichtetes Glas wird als Substrat verwendet. Als erste Photolackschicht wird ein Photolack auf Novolakbasis, z.B. JEM 750 der Firma JSR (Japan Synthetic Rubber), in einer Dicke von 500 nm durch Aufschleudern aufgebracht und durch eine geeignete Photomaske belichtet. Nach Entwickeln wird der Lack bei 200°C für eine Stunde thermisch nachbehandelt.
  • Der strukturierte Lack wird im Sauerstoffplasma für 120 Sekunden behandelt. Im Anschluß wird eine zweite Photolackschicht auf Novolakbasis, z.B. AZ6612 der Firma Clariant, durch Aufschleudern aufgebracht. Die Lackschicht wird durch eine geeignete Photomaske belichtet und entwickelt.
  • Das Substrat wird für 120 s einer Plasmabehandlung mit dem Gasgemisch Tetrafluormethan-Sauerstoff im Verhältnis 4:1 unterzogen. Im Anschluß daran wird die zweite Lackschicht mittels eines geeigneten Lösungsmittels wie Aceton oder Tetrahydrofuran abgelöst.
  • Das Substrat wird einer kurzen Nachbehandlung im Sauerstoffplasma unterworfen. Für ein solches Ausführungsbeispiel kann die Ausdehnung der Separatorzone 5 ca. 10–20 μm betragen. Der Zwischenraum zwischen 2 Pixeln kann ca. 30 μm betragen, was einer Auflösung von ca. 130 PPI entspricht. Die Oberflächenenergie kann im Bereich hoher Oberflächenenergie ca. 60–70 dyne/cm, im Bereich niedriger Oberflächenenergie ca. 20–35 dyne/cm betragen.
  • Die Erfindung ist nicht beschränkt auf die hier dargestellten Ausführungsbeispiele. Vielmehr ist es möglich, durch Kombination und Modifikation der genannten Mittel und Merkmale weitere Ausführungsvarianten zu realisieren, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.
  • 1
    Substrat
    2
    Pixelfläche
    3
    erste Photolackschicht mit hoher Oberflächenenergie
    4
    zweite Photolackschicht
    5
    Bereich niedriger Oberflächenenergie in der ersten Photolackschicht
    6
    Tintentropfen

Claims (28)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Substrates durch Aufbringen von Photolackschichten und deren Behandlung, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte: – Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer ersten Photolackschicht (3); – Oberflächenbehandlung der ersten Photolackschicht (3) zur Ausstattung der ersten Photolackschicht (3) mit hoher Oberflächenenergie; – Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer zweiten Photolackschicht (4) derart, dass die zweite Photolackschicht (4) die erste Photolackschicht (3) teilweise überlagert; – Absenken der Oberflächenenergie der Substratoberfläche durch eine Oberflächenbehandlung, – Ablösen der zweiten Photolackschicht (4).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Photolackschicht (3) mittels einer UV-Ozon-Behandlung oder einer Sauerstoff-Plasmabehandlung mit hoher Oberflächenenergie versehen wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Absenken der Oberflächenenergie durch eine Plasmabehandlung mit einer fluorhaltigen Gasmischung erfolgt.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass für das Absenken der Oberflächenenergie eine fluorhaltige Gasmischung, welche speziell CF4, SF6 oder NF3 enthält, verwendet wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass zum Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer ersten Photolackschicht (3) ein herkömmlicher Photolack auf Novolakbasis oder ein Acryllack, Epoxylack oder ein Polyimidlack verwendet wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zum Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer zweiten Photolackschicht (4) ein herkömmlicher Photolack auf Novolakbasis oder ein Acryllack, Epoxylack oder ein Polyimidlack verwendet wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Absenken der Oberflächenenergie durch eine Plasmabehandlung mit dem Gasgemisch Tetrafluormethan-Sauerstoff im Verhältnis 4:1 erfolgt.
  8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Photolackschicht (4) durch organische Lösungsmittel wie Aceton oder Tetrahydrofuran abgelöst wird.
  9. Substrat (1), bei welchem mindestens eine Substratoberfläche aus mindestens einer räumlich strukturierten, nichtkontinuierlichen Photolackschicht besteht, dadurch gekennzeichnet, dass in der Photolackschicht sowohl Bereiche mit hoher Oberflächenenergie (3) als auch Bereiche mit niedriger Oberflächenenergie (5) angeordnet sind und dass die Bereiche (2) ohne Photolack ebenfalls eine hohe Oberflächenenergie aufweisen.
  10. Substrat nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenenergie in den Bereichen hoher Oberflächenenergie 60–70 dyne/cm und in den Bereichen niedriger Oberflächenenergie 20–35 dyne/cm beträgt.
  11. Substrat nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat starr ist.
  12. Substrat nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat flexibel ist.
  13. Substrat nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus Glas, Kunststoff oder Silizium besteht.
  14. Substrat nach Anspruch 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Photolack ein herkömmlicher Photolack auf Novolakbasis oder ein Acryllack, Epoxylack oder Polymidlack ist.
  15. Substrat (1), bei welchem mindestens eine Substratoberfläche aus mindestens einer räumlich strukturierten, nichtkontinuierlichen Photolackschicht besteht, herstellbar durch folgende Verfahrensschritte: – Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer ersten Photolackschicht (3); – Oberflächenbehandlung der ersten Photolackschicht (3) zur Ausstattung der ersten Photolackschicht (3) mit hoher Oberflächenenergie; – Aufbringen, Belichten und Entwickeln einer zweiten Photolackschicht (4) derart, dass die zweite Photolackschicht (4) die erste Photolackschicht (3) teilweise überlagert; – Absenken der Oberflächenenergie der Substratoberfläche durch eine Oberflächenbehandlung, – Ablösen der zweiten Photolackschicht (4).
  16. Substrat nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenenergie der ersten Photolackschicht (3) durch einer UV-Ozon – Behandlung oder einer Sauerstoff-Plasmabehandlung erhöht ist.
  17. Substrat nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenenergie der ersten oder zweiten Photolackschicht (3, 4) durch eine Plasmabehandlung mit einer fluorhaltigen Gasmischung abgesenkt ist.
  18. Substrat nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die fluorhaltige Gasmischung CF4, SF6 oder NF3 enthält.
  19. Substrat nach Anspruch 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Photolackschicht (3) aus einem herkömmlichen Photolack auf Novolakbasis oder aus einem Acryllack, Epoxylack oder Polyimidlack aufgebracht, belichtet und entwickelt ist.
  20. Substrat nach Anspruch 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Photolackschicht (4) aus einem herkömmlichen Photolack auf Novolakbasis oder aus einem Acryllack, Epoxylack oder Polyimidlack aufgebracht, belichtet und entwickelt ist.
  21. Substrat nach Anspruch 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenenergie durch eine Plasmabehandlung mit dem Gasgemisch Tetrafluormethan-Sauerstoff im Verhältnis 4:1 abgesenkt ist.
  22. Substrat nach Anspruch 15 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Photolackschicht (4) durch organische Lösungsmittel wie Aceton oder Tetrahydrofuran abgelöst ist.
  23. Verwendung eines Substrats mit den Merkmalen nach Anspruch 9 bis 22 zum Aufdrucken eines leitfähigen Polymers.
  24. Verwendung eines Substrats nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass das leitfähige Polymer Polyethylendioxothiophen-Polystyrolsulfonsäure (PEDT-PSS) oder Polyanilin ist.
  25. Verwendung eines Substrats nach Anspruch 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenspannung des leitfähigen Polymers durch geeignete Zusätze wie Tenside oder niedere Alkohole herabgesetzt ist.
  26. Verwendung eines Substrats nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die niederen Alkohole Butanole und/oder Propanole sind.
  27. Verwendung eines Substrats mit den Merkmalen nach Anspruch 9 bis 22 zum Aufdrucken einer Lösung lichtemittierender Polymere mittels eines Tintenstrahldruckverfahrens.
  28. Verwendung eines Substrats nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass die lichtemittierenden Polymere aus der Familie der Polyphenylenvinylene (PPVs) oder der Polyfluorene(PFOs) stammen.
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DE (1) DE10236404B4 (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10343351A1 (de) * 2003-09-12 2005-05-04 Samsung Sdi Co Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1729358A1 (de) 2005-06-02 2006-12-06 Samsung SDI Germany GmbH Substrat für den Tintenstrahldruck
EP1791145A2 (de) * 2005-11-25 2007-05-30 Seiko Epson Corporation Elektrochemische Zelle und ihre Herstellungsmethode
EP2109163A1 (de) 2008-04-08 2009-10-14 Alcan Technology & Management Ltd. Substrat mit aufgedruckter Struktur
US7737631B2 (en) 2005-06-02 2010-06-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display with repellant and border areas and method of manufacturing the same
US7833612B2 (en) 2003-09-12 2010-11-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Substrate for inkjet printing and method of manufacturing the same
DE102014224276A1 (de) * 2014-11-27 2016-06-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum hochpräzisen Drucken von Strukturen auf Oberflächen sowie Substrat mit einer eine gedruckte Struktur aufweisenden Oberfläche
DE102020206696A1 (de) 2020-05-28 2021-12-02 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren und Steuergerät zum Herstellen eines Trägerelements zum Aufnehmen einer Probenflüssigkeit, Trägerelement, Trägermodul und Verfahren zum Verwenden eines Trägerelements

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101171190B1 (ko) 2005-11-02 2012-08-06 삼성전자주식회사 표시장치의 제조방법과 이에 사용되는 몰드
KR100772926B1 (ko) * 2006-09-27 2007-11-02 한국전자통신연구원 전도성 고분자 조성물, 이로부터 제조된 전도성 고분자 박막 및 이를 이용한 유기 전자 소자
CN110610976B (zh) * 2019-09-24 2022-01-25 合肥京东方卓印科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09203803A (ja) * 1996-01-25 1997-08-05 Asahi Glass Co Ltd カラーフィルタの製造方法及びそれを用いた液晶表示素子
JP3996979B2 (ja) * 1996-08-08 2007-10-24 キヤノン株式会社 カラーフィルターの製造方法、カラーフィルター及び液晶表示装置
CN100530758C (zh) * 1998-03-17 2009-08-19 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
GB9808806D0 (en) * 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
KR100563638B1 (ko) * 1999-02-24 2006-03-23 인더스트리얼 테크놀로지 리써치 인스티튜트 칼라 필터의 제조방법
JP2001028295A (ja) * 1999-07-14 2001-01-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置の製造方法
EP1122560A1 (de) * 1999-07-28 2001-08-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Verfahren zur herstellung von farbfiltern, farbfilter und flüssigkristall-vorrichtung
KR100697262B1 (ko) * 1999-08-30 2007-03-21 삼성전자주식회사 탑 게이트형 폴리실리콘 박막트랜지스터 기판의 제조방법
CA2395004C (en) * 1999-12-21 2014-01-28 Plastic Logic Limited Solution processing
JP4406991B2 (ja) * 2000-02-24 2010-02-03 パナソニック株式会社 薄膜el素子及びその製造方法
US6677243B2 (en) * 2000-06-02 2004-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing optical element

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10343351B4 (de) * 2003-09-12 2017-01-05 Samsung Display Co., Ltd. Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10343351A1 (de) * 2003-09-12 2005-05-04 Samsung Sdi Co Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung
US7833612B2 (en) 2003-09-12 2010-11-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Substrate for inkjet printing and method of manufacturing the same
US7737631B2 (en) 2005-06-02 2010-06-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display with repellant and border areas and method of manufacturing the same
EP1729358A1 (de) 2005-06-02 2006-12-06 Samsung SDI Germany GmbH Substrat für den Tintenstrahldruck
EP1791145A3 (de) * 2005-11-25 2008-04-09 Seiko Epson Corporation Elektrochemische Zelle und ihre Herstellungsmethode
US8158879B2 (en) 2005-11-25 2012-04-17 Seiko Epson Corporation Electrochemical cell structure and method of fabrication
US8796065B2 (en) 2005-11-25 2014-08-05 Seiko Epson Corporation Electrochemical cell structure and method of fabrication
EP1791145A2 (de) * 2005-11-25 2007-05-30 Seiko Epson Corporation Elektrochemische Zelle und ihre Herstellungsmethode
EP2109163A1 (de) 2008-04-08 2009-10-14 Alcan Technology & Management Ltd. Substrat mit aufgedruckter Struktur
DE102014224276A1 (de) * 2014-11-27 2016-06-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum hochpräzisen Drucken von Strukturen auf Oberflächen sowie Substrat mit einer eine gedruckte Struktur aufweisenden Oberfläche
DE102014224276B4 (de) 2014-11-27 2021-12-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum hochpräzisen Drucken von Strukturen auf Oberflächen sowie Substrat mit einer eine gedruckte Struktur aufweisenden Oberfläche
DE102020206696A1 (de) 2020-05-28 2021-12-02 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren und Steuergerät zum Herstellen eines Trägerelements zum Aufnehmen einer Probenflüssigkeit, Trägerelement, Trägermodul und Verfahren zum Verwenden eines Trägerelements

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KR100528256B1 (ko) 2005-11-15
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