DE10214101B4 - Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Refreshsignals für eine Speicherzelle einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Refreshsignals für eine Speicherzelle einer Halbleitervorrichtung Download PDF

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Abstract

Vorrichtung (10) zum Erzeugen eines Refreshsignals für eine Speicherzelle einer Halbleiterspeichervorrichtung, wobei die Vorrichtung (10) umfaßt:
– einen Kondensator (C);
– eine Differenzstromguelle (14) zum Bereitstellen eines Kondensatorladestroms (I_DIFF) zum Laden des Kondensators (C), wobei die Differenzstromquelle (14) eine temperaturabhängige Stromquelle (30) zum Bereitstellen eines Stroms (I_TEMP) mit einer temperaturabhängigen Stromstärke und eine temperaturunabhängige Stromquelle (32) zum Bereitstellen eines Stroms (I_CONST) mit einer temperaturunabhängigen Stromstärke umfaßt, und die temperaturabhängige Stromquelle (30) und die temperaturunabhängige Stromquelle (32) derart miteinander verbunden sind, daß die Stromstärke des Kondensatorladestroms (I_DIFF) proportional zu der Differenz der temperaturabhängigen Stromstärke und der temperaturunabhängigen Stromstärke ist; und
– einen Komparator (12) dessen erster Komparatoreingang (24) elektrisch mit dem Kondensator (C) verbunden ist und dessen zweiter Komparatoreingang (26) mit einem Referenzwertgeber zum Bereitstellen einer vorbestimmbaren Referenzspannung (V_REF) verbunden ist, wobei der Komparator (12) zu einem Spannungsvergleich zwischen der an dem Kondensator (C) anliegenden Kondensatorspannung (V_C) und...

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Ausgeben eines Refreshsignals für eine Speicherzelle einer Halbleiterspeichervorrichtung, welche vorzugsweise ein DRAM-Speicher ist.
  • DRAMS bzw. dynamische Halbleiterspeicher umfassen eine Vielzahl von Speicherzellen um Informationen zu speichern. Die Speicherzellen eines DRAMS können ihre Information nur für eine bestimmte Zeit halten. Aus diesem Grund muß in bestimmten Zeitabständen ein Refresh durchgeführt werden. Es sind Vorrichtungen zum Erzeugen eines Refreshsignals für eine Speicherzelle einer Halleiterspeichervorrichtung bekannt, die periodisch ein Refreshsignal erzeugen und an die Speicherzelle ausgeben. Diese Vorrichtungen haben jedoch den Nachteil, daß die Refreshfrequenz bzw. Refreshperiode für alle Betriebstemperaturen der Halbleiterspeichervorrichtung dieselbe ist, und somit insbesondere bei tiefen Temperaturen, für welche eine geringere Refreshfrequenz ausreicht, ein Refreshsignal häufiger als notwendig ausgegeben wird und somit unnötig Strom von der Halbleiterspeichervorrichtung verbraucht wird.
  • Die DE 100 21085 C1 beschreibt eine Refresh-Ansteuerschaltung für einen DRAM, bei welcher ein spannungsgesteuerter Oszillator 110 mit einer positiven Steuerspannung +Ub und einer negativen Steuerspannung –Ub geschaltet wird. Die zwei Steuerspannungen bilden den Ausgang von zwei Operationsverstärkern 113, 114. An dem invertierenden Eingang der Operationsverstärker liegt jeweils eine konstante Spannung an und an dem nicht invertierenden Eingang der Operationsverstärker liegt jeweils eine temperaturabhängige Spannung an, welche mit Hilfe einer Diode 118 erhalten wird. D. Filanovsky: High Precision voltage-to-frequency converter. Proceedings of the 37th Midwest Symposium on Circuits and Systems 1994, Vol. 2, Seiten 1141-1144, beschreibt einen Spannung/Frequenz-Wandler, welcher eine Eingangsstufe umfaßt, in welcher eine Spannung/Strom-Wandlung durchgeführt wird, und einen nachfolgenden stromgesteuerten Multivibrator. Hierbei soll eine möglichst temperaturunabhängige Frequenz ausgegeben werden.
  • US 5 699 024 , JP 2000026726 A , US 6191660 B1 beschreiben jeweils Oszillatoren, die eine möglichst temperaturunabhängige Frequenz erzeugen sollen.
  • Aus diesem Grund ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Erzeugen eines Refreshsignals für eine Speicherzelle einer Halbleiterspeichervorrichtung bereitzustellen, die es auf einfache Weise ermöglichen, die Periodendauer eines Refreshsignals in Abhängigkeit von der Temperatur zu steuern.
    •
  • Diese Aufgabe wird gemäß der vorliegenden Erfindung gelöst durch eine Vorrichtung mit den in Anspruch 1 angegebenen Merkmalen und ein Verfahren mit den in Anspruch 10 angegebenen Merkmalen. Bevorzugte Ausführungsformen sind Inhalt der abhängigen Unteransprüche.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung zum Erzeugen eines Refreshsignals für eine Speicherzelle bzw. ein Speicherzellenfeld einer Halbleiterspeichervorrichtung bereitgestellt, wobei die Vorrichtung umfaßt:
    • – einen Kondensator;
    • – eine Differenzstromquelle zum Bereitstellen eines Kondensatorladestroms zum Laden des Kondensators, wobei die Differenzstromquelle eine temperaturabhängige Stromquelle zum Bereitstellen eines Stroms mit einer temperaturabhängigen Stromstärke und eine temperaturunabhängige bzw. konstante Stromquelle zum Bereitstellen eines Stroms mit einer temperaturunabhängigen bzw. konstanten Stromstärke umfaßt, und die temperaturabhängige Stromquelle und die temperaturunabhängige Stromquelle derart miteinander verbunden sind, daß die Stromstärke des Kondensatorladestroms proportional zu der Differenz der temperaturabhängigen Stromstärke und der temperaturunabhängigen Stromstärke ist; und
    • – einen Komparator dessen erster Komparatoreingang elektrisch mit dem Kondensator verbunden ist und dessen zweiter Komparatoreingang mit einem Referenzwertgeber zum Bereitstellen einer vorbestimmbaren Referenzspannung verbunden ist, wobei der Komparator zu einem Spannungsvergleich zwischen der an dem Kondensator anliegenden Kondensatorspannung und der Referenzspannung und, wenn die Kondensatorspannung die Referenzspannung überschreitet, zum Ausgeben des Refreshsignals ausgelegt ist.
  • Vorzugsweise wird gemäß der vorliegenden Erfindung ferner eine Vorrichtung zum Erzeugen eines Refreshsignals für eine Speicherzelle bzw. ein Speicherzellenfeld einer Halbleiterspeichervorrichtung bereitgestellt, wobei die Vorrichtung umfaßt:
    • – einen Kondensator;
    • – eine Differenzstromquelle zum Bereitstellen eines Kondensatorladestroms zum Laden des Kondensators, wobei die Differenzstromquelle eine temperaturabhängige Stromquelle zum Bereitstellen eines Stroms mit einer temperaturabhängigen Stromstärke und eine temperaturunabhängige bzw. konstante Stromquelle zum Bereitstellen eines Stroms mit einer temperaturunabhängigen bzw. konstanten Stromstärke umfaßt, und die temperaturabhängige Stromquelle und die temperaturunabhängige Stromquelle derart miteinander verbunden sind, daß die Stromstärke des Kondensatorladestroms proportional zu der Differenz der temperaturabhängigen Stromstärke und der temperaturunabhängigen Stromstärke ist; und
    • – einen Komparator dessen erster Komparatoreingang elektrisch mit dem Kondensator verbunden ist und dessen zweiter Komparatoreingang mit einem Referenzwertgeber zum Bereitstellen eines vorbestimmbaren Referenzspannungspotentials verbunden ist, wobei der Komparator zu einem Spannungspotentialvergleich zwischen dem an dem Kondensator anliegenden Kondensatorspannungspotential und dem Referenzspannungspotential und, wenn das Kondensatorspannungspotential das Referenzspannungspotential überschreitet, zum Ausgeben des Refreshsignals ausgelegt ist.
  • Das Refreshsignal löst in der Halbleiterspeichervorrichtung einen Refresh bzw. ein Aktualisieren der Speicherzelle bzw. des Speicherzellenfelds aus. Dadurch, daß der Kondensator mittels eines temperaturabhängigen Stromes geladen wird, kann erreicht werden, daß das von dem Komparator ausgegebene Refreshsignal ebenfalls temperaturabhängig ist.
  • Ferner kann durch die Differenzbildung zwischen dem Strom mit der temperaturabhängigen Stromstärke und dem Strom mit der temperaturunabhängigen Stromstärke die relative Änderung der Stromstärke des Kondensatorladestroms erhöht werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform umfaßt die Vorrichtung ferner einen Schalter zum Zurücksetzen bzw. Entladen des Kondensators. Der Schalter wird bevorzugt so lange geschlossen gehalten bis sich der Kondensator vollständig entladen hat. Jedoch ist es auch denkbar, daß der Kondensator nicht vollständig entladen wird und die Kondensatorspannung lediglich bis zu einem Wert abgesenkt wird, der unter der Referenzspannung liegt.
  • Vorzugsweise steht der Schalter mit dem Komparator derart in Signalverbindung, daß beim Ausgeben des Refreshsignals der Kondensator zurückgesetzt wird.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Strom der temperaturabhängigen Stromquelle ein Strom einer Bandgap-Schaltung der Halbleiterspeichervorrichtung bzw. ist proportional zu diesem.
  • Vorzugsweise umfaßt die temperaturabhängige Stromquelle einen ersten Stromspiegel zum Spiegeln und bevorzugt Vervielfachen, bevorzugt um den Faktor n, des Stroms mit der temperaturabhängigen Stromstärke.
  • Durch eine geeignete Wahl des Faktors n und der temperaturunabhängigen Stromstärke kann eine nahezu beliebige Anpassung des Temperaturgradienten des Refreshsignals erreicht werden.
  • Bevorzugt umfaßt die temperaturabhängige Stromquelle ferner einen zweiten Stromspiegel zum Spiegeln des Ausgangsstroms des ersten Stromspiegels.
  • Weiter bevorzugt umfaßt die temperaturunabhängige Stromquelle einen Stromspiegel zum Spiegeln des Stroms mit der temperaturunabhängigen Stromstärke.
  • Vorzugsweise ist die Speicherzelle eine DRAM-Speicherzelle.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform umfaßt die erfindungsgemäße Vorrichtung ferner eine temperaturunabhängige bzw. konstante Spannungsquelle zum Bereitstellen einer vorbestimmbaren temperaturunabhängigen bzw. konstanten Spannung, wobei eine erste Kondensatorelektrode elektrisch mit der Differenzstromquelle und eine zweite Kondensatorelektrode elektrisch mit der temperaturunabhängigen Spannungsquelle verbunden ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ferner ein Verfahren zum Erzeugen eines Refreshsignals für eine Speicherzelle bzw. ein Speicherzellenfeld einer Halbleiterspeichervorrichtung bereitgestellt, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt
    • – Laden eines Kondensators mittels eines Stroms, welcher proportional ist zu der Differenz zwischen einem Strom mit einer temperaturabhängigen Stromstärke und einem Strom mit einer temperaturunabhängigen bzw. konstante Stromstärke;
    • – Vergleichen der an dem Kondensator anliegenden Kondensatorspannung mit einer vorbestimmbaren vorzugsweise temperaturunabhängigen bzw. konstanten Referenzspannung mittels eines Komparators; und
    • – Ausgeben des Refreshsignals durch den Komparator, wenn die Kondensatorspannung die Referenzspannung überschreitet.
  • Vorzugsweise können anstatt der Kondensatorspannung und der Referenzspannung auch das Kondensatorspannungspotential und das Referenzspannungspotential miteinander verglichen werden.
  • Bevorzugt umfaßt das Verfahren ferner einen Schritt des Zurücksetzens des Kondensators umfaßt, wobei der Schritt des Zurücksetzens im wesentlichen gleichzeitig mit dem Schritt des Ausgebens des Refreshsignals erfolgt.
    •
  • Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der beispielhaften Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform mit Bezug auf die Zeichnung ersichtlich, in der zeigt:
  • 1 eine schematische Ansicht einer Vorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Zunächst wird der Aufbau einer Vorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf 1 beschrieben. 1 zeigt eine schematische Ansicht einer Vorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung 10 umfaßt einen Kondensator C, einen Komparator 12, einen Schalter S und eine Differenzstromquelle 14.
  • Der Kondensator ist an seiner ersten Kondensatorelektrode bzw. seinem ersten Kondensatorpol bzw. -kontakt 16 elektrisch mit der Differenzstromquelle 14 verbunden. Die zweite Kondensatorelektrode bzw. der zweite Kondensatorpol bzw. -kontakt 18 liegt auf Masse bzw. ist geerdet. Ferner ist die erste Kondensatorelektrode 16 elektrisch mit einem ersten Schalterkontakt 20 des Schalters S verbunden. Der zweite Schalterkontakt 22 liegt ebenfalls auf Masse.
  • Des weiteren ist die erste Kondensatorelektrode 16 elektrisch mit dem ersten Komparatoreingang 24 verbunden, d.h. an dem Komparatoreingang 24 liegt die an dem Kondensator C anliegende Spannung V_C an. Am zweiten Komparatoreingang 26 liegt eine temperaturunabhängige bzw. konstante Referenzspannung V_REF an. Das Ausgang 28 des Komparators 12 ist mit dem Schalter S signalverbunden.
  • Alternativ zu der oben beschriebenen Ausführungsform, ist es ferner denkbar, daß die zweite Kondensatorelektrode 18 nicht auf Masse liegt, sondern mit einem vorbestimmbaren Spannungspotential beaufschlagt wird. Beispielsweise kann die zweite Kondensatorelektrode 18 mit einer nicht gezeigten temperaturunabhängigen Spannungsquelle verbunden sein. In diesem Fall, ist der zweite Schalterkontakt 22 elektrisch mit der zweiten Kondensatorelektrode 18 verbunden.
  • Nachfolgend wird der Aufbau der Differenzstromquelle 14 im Detail beschrieben.
  • Die Differenzstromquelle 14 umfaßt eine temperaturabhängige Stromquelle 30 und eine temperaturunabhängige bzw. konstante Stromquelle 32.
  • Die temperaturabhängige Stromquelle 30 umfaßt einen ersten Stromspiegel 34 zum Spiegeln eines Stroms I_BG mit einer temperaturabhängigen Stromstärke. Ferner wird der Strom I_BG und einen Faktor n vervielfacht. Der temperaturabhängige Strom I_BG ist bevorzugt ein Strom einer Bandgapschaltung der Halbleiterspeichervorrichtung. Bandgap-Schaltungen sind im Stand der Technik vielfältig bekannt. In „Hablbleiterschaltungen" von U.Tietze und Ch. Schenk, 10. Auflage, Seiten 558-560, insbesondere 18.29, ist eine beispielhafte Bandgap-Schaltung zum Erzeugen eines temperaturabhängigen Stroms gezeigt.
  • Der erste Stromspiegel 34 umfaßt vorzugsweise zwei n-Kanal Feldeffekttranssistoren, wobei die Kanalbreite des in 1 links angeordneten Feldeffekttransistors bevorzugt n-mal so groß ist wie die Kanalbreite des in 1 rechts angeordneten Feldeffekttranssistors des Stromspiegels 34.
  • Der von dem ersten Stromspiegel 34 gespiegelte und mit dem Faktor n vervielfachte Strom wird durch den zweiten Stromspiegel 36 nochmals gespiegelt. Der zweite Stromspiegel 36 umfaßt vorzugsweise zwei p-Kanal Feldeffekttransistoren. Am Ausgang des zweiten Stromspiegels 36 fließt ein temperaturabhängiger Strom I_TEMP.
  • Die temperaturunabhängige Stromquelle 32 umfaßt einen Stromspiegel 38 zum Spiegeln eines temperaturunabhängigen Stroms. Der Stromspiegel 38 umfaßt vorzugsweise zwei n-Kanal Feldeffekttransistoren. Am Ausgang des Stromspiegels 38 fließt ein temperaturkonstanter bzw. temperaturunabhängiger Strom I_CONST.
  • Der Ausgangsstrom I_DIFF der Differenzstromquelle 14, welcher der Kondensatorladestrom ist, ergibt sich aus der Differenz zwischen I_TEMP und I_CONST bzw. aus Gleichung (1) zu I_DIFF = I_TEMP – I_CONST (1)
  • Nachfolgend wir der Betrieb der Vorrichtung 10 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • Der Kondensator wird mittels des Differenzstroms I_DIFF geladen. Die an dem Kondensator C anliegende Spannung V_C wird durch den Komparator 12 mit einer vorbestimmbaren temperaturunabhängigen Spannung V_REF verglichen. Wenn die an dem Kondensator an C anliegende Spannung V_C den Wert V_REF erreicht oder diesen übersteigt, gibt der Komparator 12 ein Refreshsignal an seinem Ausgangs 28 aus. Gleichzeitig mit dem Ausgabesignal wird der Schalter S geschlossen und der Kondensator C entlädt sich wieder. Nachfolgend wird der Schalter S wieder geöffnet und der oben beschriebene Vorgang läuft erneut ab. Der Kondensator C, der Komparator 12 und der Schalter S bilden somit im wesentlichen einen temperaturabhängigen Oszillator zur Erzeugung des Refreshsignals.
  • Abhängig von der Stärke des Stroms I_DIFF wird der Kondensator schneller oder langsamer geladen, so daß die Kondensatorspannung V_C die Referenzspannung V_REF schneller oder langsamer erreicht und ein Refreshsignal ausgegeben wird.
  • Der Temperaturgradient f des Differenzstroms I_DIFF ist insbesondere abhängig von dem Faktor n des ersten Stromspeigels 34 und der Stromstärke des temperaturunabhängigen Stroms I_CONST. Der Temperaturgradient f läßt sich durch Gleichung (2) bzw. Gleichung (3) ermitteln:
    Figure 00100001
  • Die Zeit T_RS, die benötigt wird, um den Kondensator C bis zu der Referenzspannung V_REF zu laden, und somit die Zeit zwischen zwei Refreshsignalen kann gemäß Gleichung (4) ermittelt werden.
  • Figure 00100002
  • Wie aus Gleichung (4) zu sehen ist, ist T_RS umgekehrt proportional zu der Stromstärke des Differenzstroms, d.h. je größer I_DIFF, desto kürzer ist T_RS. In tiefen Temperaturbereichen ist I_DIFF niedriger als bei hohen Temperaturen, so daß, wenn die Halbleiterspeichervorrichtung bei niedrigeren Temperaturen betrieben wird, ein Refreshsignal seltener ausgegeben wird. Dadurch kann eine Stromersparnis erreicht werden. Hingegen kann es bei hohen Temperaturen nötig sein, ein Refreshsignal häufiger auszugeben. Dies kann durch ein schnelleres Laden des Kondensators C mit einem erhöhten Ladestrom I_DIFF erreicht werden.
    • 10
    Vorrichtung
    12
    Komparator
    14
    Differenzstromquelle
    16
    1. Kondensatorelektrode
    18
    2. Kondensatorelektrode
    20
    1. Schalterkontakt
    22
    2. Schalterkontakt
    24
    1. Komparatoreingang
    26
    2. Komparatoreingang
    28
    Komparatoraungang
    30
    temperaturabhängige Stromquelle
    32
    temperaturunabhängige Stromquelle
    34
    erster Stromspiegel
    36
    zweiter Stromspiegel
    38
    Stromspiegel
    C
    Kondensator
    S
    Schalter
    I_BG
    Bandgapstrom
    I_TEMP
    temperaturabhängiger Strom
    I_CONST
    temperaturunabhängiger Strom
    I_DIFF
    Differenzstrom
    V_REF
    temperaturunabhängige Referenzspannung
    V_C
    Kondensatorspannung

Claims (11)

  1. Vorrichtung (10) zum Erzeugen eines Refreshsignals für eine Speicherzelle einer Halbleiterspeichervorrichtung, wobei die Vorrichtung (10) umfaßt: – einen Kondensator (C); – eine Differenzstromguelle (14) zum Bereitstellen eines Kondensatorladestroms (I_DIFF) zum Laden des Kondensators (C), wobei die Differenzstromquelle (14) eine temperaturabhängige Stromquelle (30) zum Bereitstellen eines Stroms (I_TEMP) mit einer temperaturabhängigen Stromstärke und eine temperaturunabhängige Stromquelle (32) zum Bereitstellen eines Stroms (I_CONST) mit einer temperaturunabhängigen Stromstärke umfaßt, und die temperaturabhängige Stromquelle (30) und die temperaturunabhängige Stromquelle (32) derart miteinander verbunden sind, daß die Stromstärke des Kondensatorladestroms (I_DIFF) proportional zu der Differenz der temperaturabhängigen Stromstärke und der temperaturunabhängigen Stromstärke ist; und – einen Komparator (12) dessen erster Komparatoreingang (24) elektrisch mit dem Kondensator (C) verbunden ist und dessen zweiter Komparatoreingang (26) mit einem Referenzwertgeber zum Bereitstellen einer vorbestimmbaren Referenzspannung (V_REF) verbunden ist, wobei der Komparator (12) zu einem Spannungsvergleich zwischen der an dem Kondensator (C) anliegenden Kondensatorspannung (V_C) und der Referenzspannung (V_REF) und, wenn die Kondensatorspannung (V_C) die Referenzspannung (V_REF) überschreitet, zum Ausgeben des Refreshsignals ausgelegt ist.
  2. Vorrichtung (10) gemäß Anspruch 1, welche ferner einen Schalter (S) zum Zurücksetzen des Kondensators (C) umfaßt.
  3. Vorrichtung (10) gemäß Anspruch 2, wobei der Schalter mit dem Komparator (12) derart in Signalverbindung steht, daß beim Ausgeben des Refreshsignals der Kondensator (C) zurückgesetzt wird.
  4. Vorrichtung (10) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Strom (I_TEMP) der temperaturabhängigen Stromquelle (30) proportional zu einem Strom einer Bandgap-Schaltung (I_BG) der Halbleiterspeichervorrichtung ist.
  5. Vorrichtung (10) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die temperaturabhängige Stromquelle (30) einen ersten Stromspiegel (34) zum Spiegeln und bevorzugt Vervielfachen des Stroms mit der temperaturabhängigen Stromstärke umfaßt.
  6. Vorrichtung (10) gemäß Anspruch 5, wobei die temperaturabhängige Stromquelle (30) einen zweiten Stromspiegel (36) zum Spiegeln des Ausgangsstroms des ersten Stromspiegels (34) umfaßt.
  7. Vorrichtung (10) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die temperaturunabhängige Stromquelle (32) einen Stromspiegel (38) zum Spiegeln des Stroms mit der temperaturunabhängigen Stromstärke umfaßt.
  8. Vorrichtung (10) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Speicherzelle eine DRAM-Speicherzelle ist.
  9. Vorrichtung (10) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, welche ferner eine temperaturunabhängige Spannungsquelle zum Bereitstellen einer vorbestimmbaren temperaturunabhängigen Spannung umfaßt, wobei eine erste Kondensatorelektrode (16) elektrisch mit der Differenzstromquelle (14) und eine zweite Kondensatorelektrode (18) elektrisch mit der temperaturunabhängigen Spannungsquelle verbunden ist.
  10. Verfahren zum Erzeugen eines Refreshsignals für eine Speicherzelle einer Halbleiterspeichervorrichtung, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt: – Laden eines Kondensators (C) mittels eines Stroms (I_DIFF), welcher proportional ist zu der Differenz zwischen einem Strom (I_TEMP) mit einer temperaturabhängigen Stromstärke und einem Strom (I_CONST) mit einer temperaturunabhängigen Stromstärke; – Vergleichen der an dem Kondensator (C) anliegenden Kondensatorspannung (V_C) mit einer vorbestimmbaren' Referenzspannung (V_REF) mittels eines Komparators (12); und – Ausgeben des Refreshsignals durch den Komparator (12), wenn die Kondensatorspannung (V_C) die Referenzspannung (V_REF) überschreitet.
  11. Verfahren gemäß Anspruch 10, welches ferner einen Schritt des Zurücksetzens des Kondensators (C) umfaßt, wobei der Schritt des Zurücksetzens im wesentlichen gleichzeitig mit dem Schritt des Ausgebens des Refreshsignals erfolgt.
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