DE10210286A1 - Bei Niedrigtemperatur gebrannte Porzellangegenstände und elektronische Bauteile - Google Patents

Bei Niedrigtemperatur gebrannte Porzellangegenstände und elektronische Bauteile

Info

Publication number
DE10210286A1
DE10210286A1 DE10210286A DE10210286A DE10210286A1 DE 10210286 A1 DE10210286 A1 DE 10210286A1 DE 10210286 A DE10210286 A DE 10210286A DE 10210286 A DE10210286 A DE 10210286A DE 10210286 A1 DE10210286 A1 DE 10210286A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
porcelain
component
calculated
weight
trioxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10210286A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10210286B4 (de
Inventor
Takeshi Oobuchi
Yoshiaki Naruo
Yoshinori Ide
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Soshin Electric Co Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Publication of DE10210286A1 publication Critical patent/DE10210286A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10210286B4 publication Critical patent/DE10210286B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
    • C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/68—Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan zur Verfügung zu stellen, das eine optimale Brenntemperatur von nicht höher als 1000 DEG C, eine verminderte dielektrische Konstante epsilonr, einen verbesserten Qualitätskoeffizienten und ein geringes Auftreten von Rissen besitzt. DOLLAR A Die Erfindung stellt ein Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan zur Verfügung, das folgendes umfasst: eine Bariumkomponente in einer berechneten Menge von 10 bis 64 Gew.-%, wenn als BaO berechnet, eine Siliciumkomponente in einer berechneten Menge von 20 bis 80 Gew.-% , wenn als SiO¶2¶ berechnet, eine Aluminiumkomponente in einer berechneten Menge von 0,1 bis 20 Gew.-%, wenn als Al¶2¶O¶3¶ berechnet, eine Borkomponente in einer berechneten Menge von 0,3 bis 1,0 Gew.-%, wenn als B¶2¶O¶3¶ berechnet, eine Zinkkomponente in einer berechneten Menge von 0,5 bis 20 Gew.-%, wenn als ZnO berechnet, und eine Busmuthkomponente in einer berechneten Menge von nicht höher als 20 Gew.-%, wenn als Bi¶2¶O¶3¶ berechnet.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan mit einer niedrigen dielektrischen Konstante und einem hohem Qualitätskoeffizienten Q, und auf ein elektronisches Bauteil, das das Porzellan verwendet.
Ein dielektrischer Filter vom Laminattyp ist als ein Hochfrequenzschaltungsfilter verwendet worden, wie etwa ein Oberfilter, Zwischenstufenfilter zur Übertragung, lokales Filter und Zwischenstufenfilter zum Empfang, in einem Hochfrequenzschaltungsfunkinstrument, wie etwa einem zellularen telefon. Beispiele für derartige dielektrische Filter vom Laminattyp sind z. B. in JP 243810/1993A (veröffentlichte Anmeldung) offenbart.
Die dielektrischen Filter vom Laminattyp können wie folgt hergestellt werden. Keramisches Pulver zum Herstellen eines dielektrischen Materials wird geformt, um eine Mehrzahl von Grün-Blättern bereit zu stellen. In einen gegebenen leitenden Paste ist auf jedem Grün-Blatt gedruckt, um eine leitende Pastenschicht mit einem vorbestimmten Elektrodenmuster auf jedem Grün-Blatt zu bilden. Die erhaltenen Grün-Blätter werden dann laminiert, um einen laminierten Körper zu bilden. Der laminierte Körper wird dann erwärmt, so dass die Grün-Blätter und die leitenden Pastenschichten gleichzeitig gesintert und verdichtet werden, um Porzellanschichten und metallische Elektroden darauf bereit zu stellen.
Die Elektrode wird allgemein aus einem metallischen Leiter mit einem niedrigen Schmelzpunkt, wie etwa einem auf Silber basierten Leiter, auf Kupfer basierten Leiter oder auf Nickel basierten Leiter, hergestellt. Ein derartiger metallischer Leiter besitzt einen niedrigen Schmelzpunkt, z. B. nicht höher als 1100°C und manchmal so niedrig wie um 930°C. Es ist daher notwendig, den laminierten Körper bei einer Brenntemperatur zu brennen, die niedriger ist, als der Schmelzpunkt des das Elektrodenmuster zusammensetzenden Metalls.
Es ist erwünscht worden, ein Porzellan mit einer niedrigen optimalen Brenntemperatur (Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan) mit einer reduzierten dielektrischen Konstante sr und verbessertem Qualitätskoeffizienten Q bereit zu stellen. Derartiges Porzellan ist unerlässlich, um die Streukapazität, Verzögerungszeit und Hochfrequenzverlust eines Resonators und gehäusten Kondensators zu vermindern. Der Anmelder hat eine japanische Patentveröffentlichung JP 211,969/2000A eingereicht, und ein bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan offenbart, das eine niedrige Brenntemperatur von nicht höher als 1000°C, eine dielektrische Konstante von nicht mehr als 10 und einen Qualitätskoeffizienten von nicht höher als 2500 aufweist.
In dem in JP 211,969/2000A (EP 1022264A) offenbarten Porzellan, werden spezifizierte Mengen an Zinkoxid und Boroxid zu einer Formulierung für ein bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan vom BaO-SiO2-Al2O3-System zugegeben. Das resultierende Porzellan besitzt eine niedrige optimale Brenntemperatur, eine dielektrische Konstante von nicht mehr als 10 und einen Qualitätskoeffizienten von nicht mehr als 2500. Die Erfinder haben intensive Forschungsarbeiten durchgeführt, um den Qualitätskoeffizienten, unter Beibehaltung der niedrigen optimalen Brenntemperatur und der niedrigen dielektrischen Konstante zu verbessern. Die Erfinder sind jedoch auf die folgenden Probleme gestoßen. Bei dem zuvor beschriebenen Porzellan, wird glasartiges Rohmaterial, das Boroxid enthält, zu der Formulierung für das Porzellan als ein Rohmaterial zum Zuführen von Boroxid gegeben. Es ist notwendig, die Menge an Boroxid in dem glasartigen Rohmaterial zu erhöhen, um die optimale Brenntemperatur des Porzellans zu vermindern. Wenn der Gehalt an Boroxid in dem glasartigen Rohmaterial erhöht wird, besteht jedoch eine Tendenz zur Qualitätminderung. Es ist daher schwierig, den Qualitätskoeffizienten des Porzellans über 2500 weiter zu verbessern. Andererseits kann der Qualitätskoeffizient verbessert werden, in dem der Gehalt an Boroxid vermindert wird. Wenn der Gehalt an Boroxid vermindert wird, können das thermische Expansions- und thermische Kontraktionsverhalten des Porzellans verändert werden, so dass das Porzellan nicht auf verschiedene Arten von elektronischen Bauteilen gemäss den Ergebnissen der Erfinder anwendbar ist. Insbesondere, wenn die z. B. aus Silber hergestellten metallischen Elektroden zwischen den Porzellanschichten, wie zuvor beschrieben, gebildet werden, können Risse in der Porzellanschicht entlang der Grenzfläche zwischen der Porzellanschicht und der Metallelektrode auftreten. Es können auch Leerräume entlang der Grenzschicht der Porzellanschicht und der Metallelektrode gebildet werden. Derartige Defekte können zu ausserhalb der Spezifizierung liefernden Produkten führen und daher die Produktionsausbeute vermindern.
Ein Ziel der Erfindung ist es, ein bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan mit einer optimalen Brenntemperatur von nicht höher als 1000°C, einer verminderten dielektrischen Konstante εr, einem verbesserten Qualitätskoeffizienten und einem geringen Auftreten von Rissen bereit zu stellen.
Die Erfindung stellt ein bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan bereit, das folgendes umfasst: eine Bariumkomponente in einer berechneten Menge von 10 bis 64 Gew.-%, wenn als BaO berechnet, eine Siliciumkomponente in einer berechneten Menge von 20 bis 80 Gew.-%, wenn als SiO2 berechnet, eine Aluminiumkomponente in einer berechneten Menge von 0,1 bis 20 Gew.-%, wenn als Al2O3 berechnet, eine Borkomponente in einer berechneten Menge von 0,3 bis 1,0 Gew.-%, wenn als B2O3 berechnet, eine Zinkkomponente in einer berechneten Menge von 0,5 bis 20 Gew.-%, wenn als ZnO berechnet, und eine Bismuthkomponente in einer berechneten Menge von nicht mehr als 20 Gew.-%, wenn als Bi2O3 berechnet.
Die Erfinder haben eine extensive Forschung durchgeführt und ein Glas mit einem niedrigen Schmelzpunkt, das B2O3 als eine der Rohmaterialien enthält, angewendet, um ein Porzellan mit einer niedrigen optimalen Brenntemperatur bereit zu stellen. Wenn der Gehalt an B2O3 in dem Glas erhöht wird, tendiert der Qualitätskoeffizient Q des resultierten Porzellans jedoch dazu, vermindert zu werden, wie vorstehend beschrieben. Es war daher schwierig, ein Porzellan mit einer niedrigeren optimalen Brenntemperatur und einem höheren Qualitätskoeffizienten Q gleichzeitig zu erhalten. Wenn der Gehalt B2O3 vermindert wird, kann der Qualitätskoeffizient Q beträchtlich verbessert werden. Jedoch kann die thermische Expansion und thermische Kontraktion geändert werden, so dass das Porzellan im allgemeinen nicht zur Verwendung in verschiedenen Arten von elektronischen Teilen geeignet ist. Insbesondere kann in dem Porzellan das Auftreten von Rissen entlang der Grenzfläche zwischen der Porzellanschicht und der Metallelektrode erhöht werden.
Die Erfinder haben, basierend auf den zuvor beschriebenen Ergebnissen, Bi2O3 mit B2O3 in der Formulierung zum Herstellen eines Porzellans angewendet. Gemäß der Entdeckung der Erfinder kann die Kombination aus B2O3 und Bi2O3 gleichzeitig zur Verbesserung des Qualitätskoeffizienten Q eines Porzellans und zum Verhindern von Rissen in dem Porzellan effektiv sein. Die Erfindung basiert auf der Entdeckung.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
In einer bevorzugten Ausführungsform, wird das erfinderische Porzellan unter Verwendung eines B2O3 enthaltenden Glases und einer Bi2O3 enthaltenden Keramik als dessen Rohmaterialien erhalten.
In dem bei Niedrigtemperatur gebrannten Porzellan gemäß der Erfindung, kann der Gehalt der Siliciumkomponente nicht geringer als 20 Gew.-%, wenn als SiO2 berechnet, sein, um die dielektrische Konstante des Porzellans auf einen Wert von nicht höher als 10 zu vermindern. Der Gehalt der Siliciumkomponente, wenn als SiO2 berechnet, kann vorzugsweise nicht geringer als 30 Gew.-% sein, um die dielektrische Konstante weiter zu vermindern. Der Gehalt der Siliciumkomponente, wenn als SiO2 berechnet, kann nicht höher als 80 Gew.-% sein, um die optimale Brenntemperatur des Porzellans zu vermindern. Der Gehalt kann weiter bevorzugt nicht höher als 65 Gew.-% sein, um die optimale Brenntemperatur weiter zu vermindern.
In dem bei Niedrigtemperatur gebrannten Porzellan gemäß der Erfindung kann der Gehalt der Aluminiumkomponente vorzugsweise nicht geringer als 0,1 Gew.-% sein, wenn als Al2O3 berechnet, um den Gehalt an Celsian-Phase mit einer hohen mechanischen Festigkeit in dem Porzellan zu erhöhen, so dass die Festigkeit eines aus dem erfinderischen Porzellan hergestellten Substrats auf einen Wert von nicht geringer als 2000 kg/cm2 (gemessen gemäß JIS R 1601) verbessert werden kann. Der Gehalt der Aluminiumkomponente, wenn als Al2O3 berechnet, kann weiter bevorzugt nicht geringer als 2,0 Gew.-% sein, um die Festigkeit weiter zu verbessern. Der Gehalt der Aluminiumkomponente, wenn als Al2O3 berechnet, kann vorzugsweise nicht höher als 20 Gew.-% sein, und weiter bevorzugt nicht höher als 15 Gew.-%, um die optimale Brenntemperatur des Porzellans zu vermindern.
Bei dem bei Niedrigtemperatur gebrannten Porzellan gemäß der Erfindung kann der Gehalt der Bariumkomponente vorzugsweise nicht geringer als 10 Gew.-%, und weiter bevorzugt nicht geringer als 30 Gew.-% sein, um den Qualitätskoeffizienten Q des Porzellans weiter zu verbessern. Der Gehalt der Bariumkomponente, wenn als BaO berechnet, kann vorzugsweise nicht höher als 64 Gew.-% sein, um die dielektrische Konstante εr nicht höher als 10 zu vermindern. Der Gehalt der Bariumkomponente, wenn als BaO berechnet, kann vorzugsweise nicht höher als 60 Gew.-% sein, um die dielektrische Konstante εr weiter zu vermindern.
Der Gehalt der Zinkkomponente, wenn als ZnO berechnet, kann vorzugsweise nicht geringer als 0,5 Gew.-% (weiter bevorzugt nicht geringer als 2,0 Gew.-%) sein, um den thermischen Expansionskoeffizienten des Porzellans zu vermindern und die Sinterfähigkeit zu verbessern. Das Porzellan kann hierdurch bei einer niedrigeren Brenntemperatur gesintert werden. Der Gehalt der Zinkkomponente, wenn als ZnO berechnet, kann vorzugsweise nicht höher als 20 Gew.-% (weiter bevorzugt nicht höher als 15 Gew.-%) sein, um den Qualitätskoeffizienten Q des Porzellans weiter zu verbessern.
Der Gehalt der Borkomponente, wenn als B2O3 berechnet, kann vorzugsweise nicht höher als 1,0 Gew.-% sein, um den Qualitätskoeffizienten Q des Porzellans auf einen Wert von nicht geringer als 3500 zu verbessern. Der Gehalt der Borkomponente, berechnet als B2O3, kann weiter bevorzugt nicht höher als 0,9 Gew.-% sein, um den Qualitätskoeffizienten Q des Porzellans weiter zu verbessern. Der Gehalt der Borkomponente, berechnet als B2O3, kann vorzugsweise nicht geringer als 0,3 Gew.-% (weiter bevorzugt nicht geringer als 0,4 Gew.-%) sein, um die optimale Brenntemperatur des Porzellans weiter zu vermindern.
Es ist möglich, das Auftreten von Rissbildung in dem Porzellan zu vermindern, indem die Bismuthkomponente zu der Formulierung zur Herstellung des Porzellans gegeben wird. Dieser Effekt ist in jedem der folgenden drei Fälle am auffälligsten.
  • a) Eine Metallelektrode wird auf dem Porzellan gemäß der Erfindung laminiert.
  • b) Eine Metallelektrode wird auf einem zu brennenden Grün- Blatt, das für das erfinderische Porzellan gebrannt wird, kontaktiert und das Grün-Blatt wird gebrannt.
  • c) Eine Metallelektrode wird innerhalb eines Grün-Blattes eingebettet, um das erfinderische Porzellan herzustellen und das grüne Blatt wird gebrannt.
Es ist notwendig, dass die Bismuthkomponente in dem erfindungsgemäßen Porzellan vorhanden ist. Die untere Grenze des Gehalts der Bismuthkomponente ist jedoch nicht besonders begrenzt, so lange die Anwesenheit der Bismuthkomponente mittels eines beliebigen Nachweisverfahrens, einschließlich Fluoreszenz-Röntgen- Analyse, bestätigt werden kann. Der Gehalt der Bismuthkomponente, wenn als Bi2O3 berechnet, kann vorzugsweise nicht geringer als 0,1 Gew.-%, weiter bevorzugt nicht geringer als 0,5 Gew.-%, und insbesondere nicht geringer als 1,0 Gew.-% sein.
Der Gehalt der Bismuthkomponente, wenn als Bi2O3 berechnet, kann vorzugsweise nicht höher als 20 Gew.-%, weiter bevorzugt nicht höher als 15 Gew.-% und insbesondere nicht höher als 10 Gew.-% sein, um den Qualitätskoeffizienten Q weiter zu verbessern.
Jede der zuvor beschriebenen Komponenten kann ein Metall oder dessen Verbindung, wie etwa Oxid, sein. Das erfindungsgemäße Porzellan kann im wesentlichen aus der Bariumkomponente, Siliciumkomponente, Aluminiumkomponente, Borkomponente, Zinkkomponente und Bismuthkomponente zusammengesetzt sein. In diesem Fall kann das Porzellan jedoch unvermeidliche Verunreinigungen enthalten, die von jedem der Rohmaterialien zum Zuführen der vorstehenden Metallkomponenten abgeleitet sind. Alternativ kann das erfindungsgemäße Porzellan eines oder mehrere Metallkomponenten, die sich von den zuvor beschriebenen Komponenten unterscheiden, enthalten. Derartige zusätzliche Metallkomponenten enthalten Metalloxide, wie etwa MgO, CaO, SrO2, Y2O3, V2O5, MnO, Mn2O3, CoO, NiO, Nd2O3, Sm2O3, La2O3 und Metalle, wie etwa Ag, Cu, Ni und Pd beinhalten.
Das Material für die Metallelektrode, die in dem elektronischen Bauteil gemäß der Erfindung verwendet wird, ist nicht besonders begrenzt. Ein derartiges Material kann vorzugsweise Silber, Kupfer, Nickel oder die Legierungen von diesen Metallen sein, weiter bevorzugt Silber oder die Legierung von Silber sein, und insbesondere Silber sein.
Das bei Niedrigtemperatur gebrannte Porzellan gemäß der Erfindung kann mit einem anderen bei Niedrigtemperatur gebrannten Porzellan mit einer dielektrischen Konstante von nicht geringer als 10 und nicht höher als 150 in dem elektronischen Bauteil gemäß der Erfindung integriert sein. Das Porzellan gemäß der Erfindung kann eine erste Schichtzusammensetzung, und das Porzellan mit einer höheren elektrischen Konstante von 10 bis 150 kann eine zweite Schicht, die mit der ersten Schicht verbunden und laminiert ist, zusammensetzen.
Das andere bei Niedrigtemperatur gebrannte Porzellan, das die zweite Schicht bildet, kann vorzugsweise eine der folgenden Zusammensetzungen besitzen:
BaO-TiO2-ZnO-SiO2-B2O3
BaO-TiO2-Bi2O3-Nd2O3-ZnO-SiO2-B2O3
BaO-TiO2-Bi2O3-La2O3-Sm2O3-ZnO-SiO2-B2O3
MgO-CaO-TiO2-ZnO-Al2O3-SiO2-B2O3
Elektronische Bauteile oder Vorrichtungen, die durch die Erfindung angezielt werden, sind nicht besonders begrenzt und beinhalten laminierte dielektrische Filter, vielgeschichtete Schaltplatten, dielektrische Antennen, dielektrische Koppler und dielektrische Kompositmodule. Das Porzellan der Erfindung kann auch auf dielektrische Substrate angewendet werden.
Das bei niedriger Temperatur gebrannte Porzellan gemäß der Erfindung kann vorzugsweise wie folgt hergestellt werden. Ausgangsrohmaterialien der Metallkomponenten werden in einem gegebenen Verhältnis gemischt, um ein gemischtes Pulver zu erhalten, welches dann bei einer Temperatur zwischen 900 und 1100°C erhitzt wird, um einen kalcinierten Körper zu erhalten. Der kalcinierte Körper wird zerpulvert, um ein keramisches Pulver bereit zu stellen. Das keramische Pulver wird geformt, vorzugsweise mit Glaspulver, das aus SiO2, B2O3 und ZnO zusammen gesetzt ist, um ein Grünblatt zu bilden, welches dann bei einer Temperatur von 850 bis 930°C gebrannt wird, um das erfindungsgemäße Porzellan zu erhalten. Jedes der Ausgangsmaterialien für jede Metallkomponente kann das Oxid, Nitrat, Carbonat oder Sulfat von jedem Metallelement sein.
Beispiele Herstellung von Keramikpulver
Pulver-Rohmaterialien aus Bariumcarbonat, Aluminiumoxid, Siliciumoxid, Zinkoxid und Bismuthoxid werden in einem gegebenen Verhältnis abgewogen und nass vermischt, um ein gemischtes Pulver zu erhalten. Das gemischte Pulver wurde dann bei 900°C bis 1100°C kalciniert, um einen kalcinierten Körper zu erhalten, welcher dann zerpulvert wurde, um ein kalciniertes Pulver zu erhalten. Das kalcinierte Pulver wurde einer Röntgendiffraktionsanalyse unterworfen, um die Kristallphasen und die Kristallinität zu messen. Das kalcinierte Pulver wurde dann unter Verwendung einer Kugelmühle in eine vorbestimmte Teilchengröße zermahlen, um keramisches Pulver bereit zu stellen, welches getrocknet wurde.
Herstellung von Glaspulver
Pulvrige Rohmaterialien aus Zinkoxid, Boroxid und Siliciumoxid wurden abgewogen und trocken vermischt, um gemischtes Pulver zu erhalten, welches dann in einem Platintiegel geschmolzen wurde, um eine Schmelze bereit zu stellen. Die Schmelze wurde dann in Wasser zum schnellen Kühlen gegossen, um ein massiges Glas bereit zu stellen. Das Glas wurde nass zerpulvert, um Glaspulver mit einem niedrigen Schmelzpunkt zu erhalten.
Herstellung von Proben zur Bewertung von dielektrischen Eigenschaften
Das so erhaltene Keramikpulver und Glaspulver wurde nass in einem Ionenaustauscher-Wasser mit einem organischen Binder unter Verwendung eines Aluminiumoxidgefäßes und Aluminiumoxidkugeln vermischt, wodurch eine Aufschlämmung bereitgestellt wurde. Die Aufschlämmung wurde dann getrocknet, um ein gemischtes Pulver zu erhalten, welches dann unter Verwendung einer Metallpresse in eine vorbestimmte Gestalt geformt wurde, um einen geformten Körper bereit zu stellen. Der geformte Körper wurde dann bei einer Temperatur von 900 bis 930°C gebrannt, um einen gesinterten Körper zu erhalten, welcher dann in eine vorbestimmte Gestalt bearbeitet wurde. Die dielektrische Konstante εr und der Qualitätskoeffizient Q bei 3 GHz wurde gemessen.
Messung der Substratfestigkeit
Der gesinterte Körper wurde bearbeitet, um eine Probe zur Messung mit Dimensionen von 30 mm × 4 mm × 1 mm bereit zu stellen. Jede Probe wurde der Messung von Substratfestigkeit gemäß "JIS R 1601" unterzogen.
Bandformung
Das Keramikpulver und das Glaspulver, die vorstehend beschrieben wurden, wurden nass in einem organischen Lösungsmittel mit einem Plastifizierungsmittel, einem Dispergiermittel und einem organischen Binder unter Verwendung eines Aluminiumoxidgefäßes und Aluminiumkugeln vermischt, um eine Aufschlämmung zur Formung von Grünblättern bereit zu stellen. Die Aufschlämmung wurde unter Verwendung eines Streichklingenauftragungssystems geformt, um Grünblätter bereit zu stellen, wobei jedes Blatt eine Dicke von 0,03 bis 2 mm besaß.
Bewertung von Rissbildung
Kondensatorelektrodenmuster oder Resonatorelektrodenmuster wurden auf jedem Grün-Blatt unter Verwendung von Ag-Paste siebgedruckt. Eine Mehrzahl der Grünblätter wurde dann laminiert, um einen laminierten Körper zu erhalten, welcher in Chips mit jeweils Dimensionen von 11 mm × 8 mm × 3 mm unter Verwendung eines Substratzerteilers zerschnitten wurde. Jeder Chip wurde dann bei einer Temperatur von 850 bis 930°C für 2 Stunden gebrannt, um jeweils einen gebrannten Körper herzustellen. Jeder gebrannte Körper wurde dann der Bewertung von Rissbildung unterzogen. Die Rissbildung wurde basierend auf eine Bilddatensatz von Ultraschallechoreflexion aus den Rissen mittels eines Ultraschall durchdringenden Untersuchungssystems ("My Scope", hergestellt durch Hitachi Construction Machinery) bewertet.
Experimentelle Ergebnisse
In dem vorstehenden Experiment wurde der Gehalt der Metalle verschiedentlich wie in Tabellen 1 bis 6 gezeigt, variiert. Die vorstehenden Ergebnisse wurden für jede Testprobe gemessen und werden in Tabellen 1 bis 6 gezeigt.
Wie aus Tabelle 1 entnommen werden kann, ist es möglich, die Rissbildung in dem Porzellan zu vermindern, in dem Bi2O3 und B2O3 gleichzeitig zugegeben werden, sogar wenn der Qualitätskoeffizient Q verbessert wird, indem der Gehalt an B2O3 vermindert wird. Insbesondere ist es möglich, einen beträchtlich hohen Qualitätskoeffizienten Q, eine geringe dielektrische Konstante und eine ausreichend große Substratfestigkeit zu erhalten, während die Rissbildung verhindert wird, wenn der Gehalt an Bi2O3 nicht höher als 20 Gew.-% beträgt.
Wie aus Tabelle 2 entnommen werden kann, ist es möglich, indem der Gehalt an BaO auf einen Wert von nicht geringer als 10 Gew.-% und nicht höher als 64 Gew.-% eingestellt wird, ein Porzellan mit einer dielektrischen Konstante von nicht höher als 10, einem hohen Qualitätskoeffizienten Q von nicht geringer als 3500 und einer hohen Substratfestigkeit von nicht geringer als 2000 kg/cm2 zu erhalten, während die Rissbildung verhindert wird.
Wie aus Tabelle 3 entnommen werden kann, ist es möglich, indem der Gehalt an SiO2 von 20 bis 80 Gew.-% eingestellt wird, ein Porzellan mit einer dielektrischen Konstante von nicht höher als 10, einem hohen Qualitätskoeffizienten Q von nicht geringer als 3500 und einer hohen Substratfestigkeit von nicht geringer als 2000 kg/cm2 zu erhalten, während die Rissbildung verhindert wird.
Wie aus Tabelle 4 entnommen werden kann, ist es möglich, indem der Gehalt an Al2O3 von 0,1 bis 20 Gew.-% eingestellt wird, ein Porzellan mit einer dielektrischen Konstante von nicht höher als 10, einem hohen Qualitätskoeffizienten Q von nicht geringer als 3500 und einer hohen Substratfestigkeit von nicht geringer als 2000 kg/cm2 zu erhalten, während die Rissbildung verhindert wird.
Wie aus Tabelle 5 entnommen werden kann, ist es möglich, indem der Gehalt an ZnO von 0,5 bis 20 Gew.-% eingestellt wird, ein Porzellan mit einer dielektrischen Konstante von nicht höher als 10, einem hohen Qualitätskoeffizienten Q von nicht geringer als 3500 und einer hohen Substratfestigkeit von nicht geringer als 2000 kg/cm2 zu erhalten, während die Rissbildung verhindert wird.
Wie aus Tabelle 6 entnommen werden kann, ist es möglich, indem der Gehalt an B2O3 von 0,3 bis 1,0 Gew.-% eingestellt wird, ein Porzellan mit einer dielektrischen Konstante von nicht höher als 10 und einem hohen Qualitätskoeffizienten Q von nicht geringer als 3500 zu erhalten, während die Rissbildung verhindert wird.
Wie vorstehend beschrieben, kann ein bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan zur Verfügung gestellt werden, das eine optimale Brenntemperatur von nicht höher als 1000°C, eine verminderte dielektrische Konstante εr, einen verbesserten Qualitätskoeffizienten Q und ein geringes Vorkommen von Rissen gemäß der Erfindung aufweist.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan zur Verfügung zu stellen, das eine optimale Brenntemperatur von nicht höher als 1000°C, eine verminderte dielektrische Konstante εr, ein verbesserten Qualitätskoeffizienten und ein geringes Auftreten von Rissen besitzt.
Die Erfindung stellt ein bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan zur Verfügung, das folgendes umfasst: eine Bariumkomponente in einer berechneten Menge von 10 bis 64 Gew.-%, wenn als BaO berechnet, eine Siliciumkomponente in einer berechneten Menge von 20 bis 80 Gew.-%, wenn als SiO2 berechnet, eine Aluminiumkomponente in einer berechneten Menge von 0,1 bis 20 Gew.-%, wenn als Al2O3 berechnet, eine Borkomponente in einer berechneten Menge von 0,3 bis 1,0 Gew.-%, wenn als B2O3 berechnet, eine Zinkkomponente in einer berechneten Menge von 0,5 bis 20 Gew.-%, wenn als ZnO berechnet, und eine Bismuthkomponente in einer berechneten Menge von nicht höher als 20 Gew.-%, wenn als Bi2O3 berechnet.

Claims (17)

1. Bei Niedrigtemperatur gebranntes Porzellan, das folgendes umfasst: eine Bariumkomponente in einer berechneten Menge von 10 bis 64 Gew.-%, wenn als BaO berechnet, eine Siliciumkomponente in einer berechneten Menge von 20 bis 80 Gew.-%, wenn als SiO2 berechnet, eine Aluminiumkomponente in einer berechneten Menge von 0,1 bis 20 Gew.-%, wenn als Al2O3 berechnet, eine Borkomponente in einer berechneten Menge von 0,3 bis 1,0 Gew.-%, wenn als B2O3 berechnet, eine Zinkkomponente in einer berechneten Menge von 0,5 bis 20 Gew.-%, wenn als ZnO berechnet, und eine Bismuthkomponente in einer berechneten Menge von nicht höher als 20 Gew.-%, wenn als Bi2O3 berechnet.
2. Porzellan gemäß Anspruch 1, das die Bismuthkomponente in einer berechneten Menge von nicht geringer als 0,1 Gew.-%, wenn als Bi2O3 berechnet, umfasst.
3. Porzellan gemäß Anspruch 1 oder 2, das die Bariumkomponente in einer berechneten Menge von nicht höher als 60 Gew.-%, wenn als BaO berechnet, umfasst.
4. Porzellan gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, das die Siliciumkomponente in einer berechneten Menge von 30 bis 65 Gew.-%, wenn als SiO2 berechnet, umfasst.
5. Porzellan gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, das die Aluminiumkomponente in einer berechneten Menge von 2,0 bis 15 Gew.-%, wenn als Al2O3 berechnet, umfasst.
6. Porzellan gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, das die Borkomponente in einer berechneten Menge von 0,3 bis 0,9 Gew.-%, wenn als B2O3 berechnet, umfasst.
7. Porzellan gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, das im wesentlichen aus der Bariumkomponente, der Siliciumkomponente, der Aluminiumkomponente, der Borkomponente, der Zinkkomponente und der Bismuthkomponente zusammengesetzt ist.
8. Porzellan gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, das eine dielektrische Konstante εr von nicht höher als 10 aufweist.
9. Porzellan gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, das einen Qualitätskoeffizienten Q von nicht geringer als 3500 aufweist.
10. Porzellan gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, das eine Festigkeit von nicht geringer als 2000 kg/cm2 aufweist.
11. Porzellan gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, das unter Verwendung eines B2O3-haltigen Glases und einer Bi2O3- haltigen Keramik als Ausgangsmaterialien hergestellt wurde.
12. Porzellan gemäß Anspruch 11, wobei das Glas SiO2, B2O3 und ZnO enthält.
13. Elektronisches Bauteil, das das bei Niedrigtemperatur gebrannte Porzellan gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12 umfasst.
14. Elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 13, das eine aus einem Metall hergestellte Elektrode umfasst.
15. Elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 13 oder 14, wobei das Metall aus der aus Silber, Kupfer, Nickel, einer silberhaltigen Legierung, einer kupferhaltigen Legierung und einer nickelhaltigen Legierung bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
16. Elektronisches Bauteil gemäß einem der Ansprüche 13 bis 15, das folgendes umfasst:
eine erste Schicht, die aus dem bei Niedrigtemperatur gebranntem Porzellan hergestellt ist, und
eine zweite Schicht, die mit der ersten Schicht verbunden ist,
wobei die zweite Schicht aus einem bei Niedrigtemperatur gebrannten Porzellan mit einer dielektrischen Konstante εr von 10 bis 150 hergestellt ist.
17. Elektronisches Bauteil gemäß einem der Ansprüche 13 bis 16, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einem laminierten dielektrischen Filter, einem vielschichten Schaltbrett, einer dielektrischen Antenne, einem dielektrischen Koppler und einem dielektrischen Kompositmodul zusammengesetzt ist.
DE10210286A 2001-03-09 2002-03-08 Bei Niedrigtemperatur gebrannte Porzellangegenstände und ihre Verwendung für elektronische Bauteile Expired - Fee Related DE10210286B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001066030A JP3838541B2 (ja) 2001-03-09 2001-03-09 低温焼成磁器および電子部品
JP2001066030 2001-03-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10210286A1 true DE10210286A1 (de) 2002-10-24
DE10210286B4 DE10210286B4 (de) 2007-07-19

Family

ID=18924589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10210286A Expired - Fee Related DE10210286B4 (de) 2001-03-09 2002-03-08 Bei Niedrigtemperatur gebrannte Porzellangegenstände und ihre Verwendung für elektronische Bauteile

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6764746B2 (de)
JP (1) JP3838541B2 (de)
CN (1) CN1183057C (de)
DE (1) DE10210286B4 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4248165B2 (ja) * 2001-06-27 2009-04-02 日本碍子株式会社 低温焼成磁器および電子部品
JP2004196649A (ja) * 2002-12-06 2004-07-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 蛍光性ガラス、光増幅用導波路および光増幅モジュール
US7211533B2 (en) * 2005-04-28 2007-05-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Oxide porcelain composition, ceramic multilayer substrate, and ceramic electronic component
JP4967388B2 (ja) * 2006-03-15 2012-07-04 パナソニック株式会社 セラミック積層デバイスの製造方法およびセラミック積層デバイス
JP4840935B2 (ja) * 2007-09-28 2011-12-21 双信電機株式会社 セラミック多層基板
JP5559590B2 (ja) * 2009-11-18 2014-07-23 日本碍子株式会社 セラミックス焼結体、その製造方法及びセラミックス構造体
US10058866B2 (en) 2013-03-13 2018-08-28 Abbott Laboratories Methods and apparatus to mitigate bubble formation in a liquid
US9535082B2 (en) 2013-03-13 2017-01-03 Abbott Laboratories Methods and apparatus to agitate a liquid
CN104003716B (zh) * 2014-05-08 2015-08-26 华南理工大学 一种抗还原低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法
CN107531577B (zh) * 2015-05-15 2020-12-18 株式会社村田制作所 低温烧结陶瓷材料、陶瓷烧结体以及陶瓷电子部件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5673646A (en) * 1979-11-22 1981-06-18 Ohara Inc Optical glass
US4732794A (en) * 1986-10-02 1988-03-22 Mobay Corporation Porcelain enamel composition and substrates coated therewith
US5374909A (en) 1992-02-28 1994-12-20 Ngk Insulators, Ltd. Stripline filter having internal ground electrodes
JP3351600B2 (ja) * 1993-12-14 2002-11-25 日本特殊陶業株式会社 マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
GB9401818D0 (en) * 1994-01-31 1994-03-23 Cookson Group Plc Glass compositions
US5461015A (en) * 1994-08-29 1995-10-24 Raychem Corporation High strength porcelain and method therefor
US5858893A (en) * 1997-08-12 1999-01-12 Motorola Inc. Ceramic composition with low dielectric constant and method of making same
JP3917770B2 (ja) * 1999-01-22 2007-05-23 日本碍子株式会社 低温焼成磁器およびこれを備えた電子部品
US6379805B1 (en) 1999-01-22 2002-04-30 Ngk Insulators, Ltd. Low temperature-fired porcelain articles and electronic parts including such porcelain articles
JP3741556B2 (ja) 1999-01-22 2006-02-01 日本碍子株式会社 低温焼成磁器およびこれを備えた電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
US6764746B2 (en) 2004-07-20
CN1183057C (zh) 2005-01-05
US20020193238A1 (en) 2002-12-19
JP3838541B2 (ja) 2006-10-25
CN1374272A (zh) 2002-10-16
JP2002265267A (ja) 2002-09-18
DE10210286B4 (de) 2007-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60121386T2 (de) Dielektrische Keramikzusammensetzung sowie Verfahren zu ihrer Herstellung und Vorrichtung für Kommunikationsgerät
DE10002812C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Glas-Keramikkörpers, der bei niedrigen Temperaturen sinterfähig ist
DE60101771T2 (de) Keramischer Körper für Hochfrequenzanwendungen, Verwendung des Körpers und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69835044T2 (de) Dielektrische Keramik und monolitischer keramischer Kondensator diese enthaltend
DE112009000012B4 (de) Glaskeramikzusammensetzung, Glaskeramik-Sinterkörper und keramisches Mehrschicht-Elektronikbauteil
DE112008002221B4 (de) Keramikzusammensetzung, Verfahren zum Erzeugen derselben, Keramiksubstrat und Verfahren zum Erzeugen einer keramischen Grünschicht
DE10141910B4 (de) Glaskeramiksinterprodukt und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10109531B4 (de) Keramik mit Hochfrequenzeigenschaften, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE112016001804B4 (de) Niedertemperatur-Einbrand-Keramik, keramischer Sinterkörper und elektronisches Keramikbauteil
DE10157443A1 (de) Glas-Keramikzusammensetzung für ein elektronisches Keramikbauteil, elektronisches Keramikbauteil und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Vielschicht-Keramikbauteils
DE3701973C2 (de)
DE112014002826T5 (de) Keramikelektronikkomponente und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102011006540A1 (de) Dielektische Keramik, Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Keramik und Verfahren zur Herstellung eines Pulvers zur Herstellung einer dielektrischen Keramik
DE60300230T2 (de) Glas-Keramik-Zusammensetzung, Glas-Keramik gesintertes Material und keramisches Mehrschichtsubstrat
DE10210286B4 (de) Bei Niedrigtemperatur gebrannte Porzellangegenstände und ihre Verwendung für elektronische Bauteile
DE102011078218A1 (de) Dielektrische Keramik, Verfahren zum Herstellen von dielektrischer Keramik und elektronisches Bauelement
DE10120641B4 (de) Keramik mit sehr guten Hochfrequenzeigenschaften und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102004010163A1 (de) Dielektrische Zusammensetzung zum Brennen bei niedrigen Temperaturen und elektronische Teile
DE10015689C2 (de) Dielektrische Keramikzusammensetzung, elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US7098160B2 (en) Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component employing the same
DE69834098T2 (de) Laminierte keramische teile
US6893728B2 (en) Low temperature-fired porcelain and electronic parts
DE10049596A1 (de) Dielektrische Keramikzusammensetzung und keramisches Elektronikbauteil
JP2004203646A (ja) 低温焼成磁器および電子部品
DE69839391T2 (de) Leitpaste und nichtreziproke schaltungselemente damit

Legal Events

Date Code Title Description
8180 Miscellaneous part 1

Free format text: ALS MITANMELDER IST NACHZUTRAGEN: SOSHIN ELECTRIC CO., LTD., TOKIO/TOKYO, JP

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: NGK INSULATORS, LTD., NAGOYA, AICHI, JP

Owner name: SOSHIN ELECTRIC CO., LTD., SAKU, NAGANO, JP

8110 Request for examination paragraph 44
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee