DE10206919A1

DE10206919A1 - Verfahren zur Erzeugung einer Abdeckung, Verfahren zum Herstellen eines gehäusten Bauelements

Info

Publication number: DE10206919A1
Application number: DE10206919A
Authority: DE
Inventors: Andreas Meckes; Robert Aigner; Klaus Guenter Oppermann; Martin Franosch; Marc Strasser
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2002-02-19
Filing date: 2002-02-19
Publication date: 2003-08-28
Also published as: EP1474356B1; US7288435B2; EP1474356A2; WO2003070624A2; DE50300607D1; US20050079686A1; WO2003070624A3

Abstract

Bei einem Verfahren zum Erzeugen einer Abdeckung für einen Bereich (30) eines Substrats (10) wird zunächst eine Rahmenstruktur (18) in dem Bereich (30) des Substrats (10) erzeugt, und wird dann eine Deckelstruktur (20) auf der Rahmenstruktur (18) angebracht, so daß der Bereich (30) unterhalb der Deckelstruktur abgedeckt ist. Damit können einfach und preisgünstig herstellbar sensible Bauelemente (14) vor äußeren Einflüssen und insbesondere vor einem Vergußmaterial zum Vergießen des gesamten gehäusten Bauelements, das sich ergibt, wenn ein vereinzelter Chip (26) vergossen wird, geschützt werden.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf gehäuste Bauelemente und insbesondere auf gehäuste Bauelemente, die mechanisch empfindliche Komponenten enthalten. Eine mechanisch empfindliche Komponente bzw. ein aktiver Bereich ist beispielsweise ein SAW- oder BAW-Filter oder ein mikromechanisches Element.

In zunehmendem Maße spielen mikromechanische Bauelemente eine größere Rolle, wenn insbesondere an Drehratensensoren, Beschleunigungssensoren, etc. gedacht wird. Hier ist ein mechanisch aktives Teil, wie z. B. eine abhängig von der Beschleunigung auslenkbare Masse oder ein in eine Anregungsschwingung versetzbarer Schwinger bei einem Drehratensensor, oder allgemein ein Sensor oder Aktor zusammen mit einer integrierten Schaltung zum Ansteuern und/oder Auswerten des Bauelements gehäust. Auch andere Elemente, deren Charakteristika durch ein Vergußgehäuse beeinträchtigt werden, wie z. B. Bulk-Acoustic-Wave-Filter (BAW-Filter) oder Surface- Acoustic-Wave-Filter (SAW-Filter), sind entweder alleine oder zusammen mit einer integrierten Schaltung zum Ansteuern oder Auslesen gehäust.

Übliche Häusungskonzepte, wie z. B. ein Eingießen oder Moulding in Kunststoff oder Harz ist dahingehend nachteilhaft, da die mechanischen Eigenschaften mechanisch empfindlicher Teile beeinträchtigt werden können, oder da, wie im Falle von BAW- oder SAW-Filtern auch das Material an der Oberfläche der BAW- Resonatoren Einfluß auf die Charakteristika des Filters hat.

Zum Schutz mechanischer Strukturen wurden bisher Wafer mit entsprechenden Strukturen, d. h. Filtern, Resonatoren, Sensoren oder Aktoren, etc., mit einem zweiten Wafer gebondet, in den an den Stellen der Struktur Gruben und Löcher geätzt sind, so daß die Gruben des zweiten Wafers Hohlräume über den empfindlichen Strukturen des ersten Wafers bildet, und die Löcher im zweiten Wafer (Deckelwafer) Kontaktpads des ersten Wafers zugänglich machen. Dadurch sind die empfindlichen Strukturen geschützt. Alternativ werden auch Keramikgehäuse eingesetzt, welche jedoch teuer sind.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein kosteneffektives und dennoch sicheres Konzept zum Häusen von sensiblen Bauelementen zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Erzeugung einer Abdeckung nach Anspruch 1, durch ein Verfahren zum Herstellen eines gehäusten Bauelements nach Patentanspruch 17 oder durch eine Bauelement nach Patentanspruch 18 gelöst.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß eine Abdeckung für ein in irgendeiner Weise sensibles Bauelement kostengünstig und kompatibel mit dem sonstigen Herstellungsprozeß hergestellt werden kann, wenn statt der einstückigen Ausführung eine zweistückige Abdeckung unter Verwendung einer Rahmenstruktur auf dem Systemwafer, auf dem auch die zu schützenden Bauelemente angeordnet sind, und einer Deckelstruktur gebildet wird. Die Deckelstruktur kann unter Verwendung eines Trägerwafers auf die Rahmenstruktur aufgesetzt werden, wonach der Trägerwafer beispielsweise unter Verwendung einer Opferschicht entfernt wird und die Deckelstruktur zurückbleibt. Zur Verbindung der Deckelstruktur und der Rahmenstruktur kann beispielsweise eine Klebstoffschicht eingesetzt werden.

Als Material für die Rahmenstruktur und die Deckelstruktur wird ein photostrukturierbares Material und insbesondere ein relativ dickes Epoxidharz verwendet. Dieses Epoxidharz, das in flüssigem Zustand auf den Wafer aufgeschleudert wird. ist im ausgehärteten Zustand stabil und gut verarbeitbar, kann zudem gut geklebt werden und ist im Vergleich zu einem Silizium-Wafer oder einem Quarz-Wafer erheblich preisgünstiger. Wenn das Epoxidharz für die Deckelstruktur mittels einer Opferschicht an einem Trägerwafer angeordnet wird, hat es ferner den Vorteil, daß die Opferschicht selektiv gelöst werden kann, so daß nur die Deckelschicht auf dem Systemwafer und insbesondere auf der Rahmenstruktur des Systemwafers zurückbleibt. Die selektive Lösbarkeit hat ferner den Vorteil, daß der Trägerwafer nicht durch den Lösungsprozeß der Opferschicht angegriffen wird und somit wiederverwendet werden kann, so daß eine weitere Kostenreduzierung möglich ist.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen detailliert erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Querschnitt durch eine erfindungsgemäßes Bauelement vor dem Zusammenfügen eines Systemwafers und eines Trägerwafers; und
Fig. 2 einen Querschnitt durch das erfindungsgemäße Bauelement nach dem Zusammenfügen des Systemwafers und des Trägerwafers und nach dem Lösen der Opferschicht.
Fig. 1 zeigt einen Systemwafer 10 und einen Trägerwafer 12, wobei auf dem Systemwafer 10 Bauelemente 14 angeordnet sind, die über Kontaktpads 16 kontaktierbar sind. Die Bauelemente 14 können entweder als diskrete Elemente auf dem Systemwafer 10 aufgebracht werden, beispielsweise durch Kleben, Flip-Chip-Montage etc., oder können in dem Systemwafer 10 integriert sein. Die Bauelemente sind beispielsweise BAW- oder SAW-Filter, Resonatoren, Sensoren oder Aktoren oder allgemein Bauelemente, die einen zu schützen Bereich 14 enthalten, d. h. der mit einer erfindungsgemäßen Abdeckung zu versehen ist. Um die Bauelemente 14 herum ist eine Rahmenstruktur 18 angeordnet, die je nach Anwendung entweder die Bauelemente vollständig umgibt., oder die Bauelemente beispielsweise in der Draufsicht nur an zwei Seiten umgibt. Die Rahmenstruktur 18 kann auch, wenn sie die Bauelemente vollständig umgibt, unterbrochen sein. Sie muß lediglich so ausgestaltet sein, daß sie eine Deckelstruktur 20 tragen kann. Wenn die Rahmenstruktur unterbrochen ist, schützt sie allerdings nicht gegen eine Vergußmasse, so daß falls Schutz gegen eine Vergußmasse gewünscht wird, eine ununterbrochene Rahmenstruktur bevorzugt wird.
Die Deckelstruktur 20 ist mittels einer Opferschicht 22 an dem Trägerwafer 12 befestigt. Eine Abdeckung der aktiven Bereiche der Bauelemente 14 wird erreicht, indem der Trägerwafer 12 auf den Systemwafer gesetzt wird, und zwar in einer solchen Ausrichtung, wie sie durch Pfeile 24 dargestellt ist.
Es sei darauf hingewiesen, daß wie in der Halbleitertechnik üblich, eine Waferverarbeitung bevorzugt wird, derart, daß eine Vielzahl von gleichartigen "Chips" auf einmal hergestellt wird, und daß dann, nach der Herstellung eine Vereinzelung stattfindet. Ein Chip ist durch gestrichelte Linien dargestellt und mit 26 bezeichnet. Im Sinne der vorliegenden Erfindung wird ein Chip 26, d. h. eine Anordnung mit zu schützendem Bauelement und darum gebildetem Rahmen samt Deckel, auch als gehäustes Bauelement bezeichnet.
Fig. 2 zeigt die integrierte Schaltung von Fig. 1, jedoch nach dem Aufsetzen des Trägerwafers 12 auf den Systemwafer, und zwar so, daß die Deckelstruktur 20 auf der Rahmenstruktur 18 aufsitzt. Damit die Deckelstruktur und die Rahmenstruktur aufeinander aufsitzen, wird es bevorzugt, die Rahmenstruktur und die Deckelstruktur durch einen Bondprozeß miteinander zu verbinden. Alternativ kann entweder auf die Rahmenstruktur oder auf die Deckelstruktur an den entsprechenden Stellen oder ganzflächig eine Kleberschicht 28 aufgebracht werden, die dazu dient, die Deckelstruktur 20 mit der Rahmenstruktur 18 als Verbindungsschicht mechanisch zu verbinden.
Aus Fig. 2 ist zu sehen, daß nach dem Aufsetzen des Trägerwafers und nach dem Lösen der Opferschicht 22 von Fig. 1 der Trägerwafer abgenommen werden kann, so daß die aktiven Bereiche der Bauelemente 14 in Hohlräumen 30 angeordnet sind, die sich ergeben, wenn der Deckel 20 auf den Rahmen 18 aufgesetzt wird. Eine abschließende Fertigung der Chips 26 zu einem gehäusten Bauelement, die in einem System eingesetzt werden kann, besteht darin, daß der Wafer an den punktierten Linien vereinzelt wird, so daß sich die einzelnen Chips 26 ergeben, daß dann der Chip 26 beispielsweise in einen Anschlußleitungsrahmen gelegt wird, um die Kontaktpads mit Bonddrähten nach außen zu führen, und daß dann der Chip mit kontaktiertem Anschlußleitungsrahmen in Kunststoff, Harz etc. vergossen wird, um eine fertiges Bauelement zu erhalten.
Die Abdeckung, die durch die Deckelstruktur 20 und die Rahmenstruktur 18 gebildet ist, hat den Vorteil, daß die Vergußmasse außerhalb des Hohlraums 30 gehalten wird, so daß das Bauelement 14 innerhalb des Hohlraums 30 nicht durch die Vergußmasse beeinträchtigt wird. Dies hat zum einen den Vorteil, daß keine mechanischen Teile gestört oder unbrauchbar gemacht werden, und daß auch die Umgebung z. B. eines BAW- oder SAW- Filters genau definiert ist, und zwar durch den Hohlraum 30 und die umgebende Abdeckung (Deckel 20 und Rahmen 18) aus einem bekannten Material, das hinsichtlich seiner Geometrie und Beschaffenheit vorbekannt ist und ohne weiteres reproduzierbar ist.
Bei einem ersten Ausführungsbeispiel zur Herstellung des Systemwafers werden die Bauelemente 14 in dem Systemwafer 10 prozessiert oder alternativ auf demselben aufgebracht. Anschließend wird mittels photolithographischer Verfahren die Rahmenstruktur 18 auf dem Systemwafer erstellt, und zwar so, daß Kontaktpads 16 zum Kontaktieren der Bauelemente 14 außerhalb der Rahmenstruktur sind, damit sie später noch kontaktiert werden können. Bei Flip-Chip Montage können die Kontaktpads mit einem eigenen Rahmen, als Inseln, auch innerhalb des Rahmens, der die aktive Fläche des Chips umgibt, angeordnet sein.
Als Material für die Rahmenstruktur 18 wird photostrukturierbares Epoxidharz, wie z. B. SU-8, bevorzugt. Je nach Höhe der aktiven Bereiche der Bauelemente 14 muß auch die Höhe der Rahmenstruktur 18, d. h. der Abstand der Oberkante der Rahmenstruktur 18 zu der Oberkante des Systemwafers 10 gewählt werden. Höhen größer als 5 µm für die Rahmenstruktur aus photostrukturierbarem Epoxidharz sind möglich.
Zur Herstellung des Trägerwafers wird zunächst ein "nackter" Trägerwafer 12 bereitgestellt. Dieser wird dann ganzflächig mit einer Opferschicht 22 bedeckt, um dann, auf der Opferschicht 22, die Deckelstruktur 20 zu erstellen. Die Deckelstruktur 20 besteht vorzugsweise ebenfalls aus photostrukturierbarem Epoxidharz oder aus einem ähnlichen Material.
Alle Materialien, die leicht aufgetragen, strukturiert und später gebondet werden können und gleichzeitig im fertig verarbeiteten Zustand eine hohe Stabilität haben, werden bevorzugt. Beispiele sind photostrukturierbares Epoxidharz, Photoimid, andere Polymere oder auch Metalle.
Die Dicke der Deckelstruktur 20 hängt von den zu überdeckenden Bereichen ab. Muß ein sehr großes Bauelement bedeckt werden, so wird die Deckelstruktur 20 dicker gewählt als wenn ein relativ schmales kleines Bauelement überdeckt werden muß. Die Dicke der Deckelstruktur beträgt bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung mehr als 5 µm.
Der Rahmen hat eine bevorzugte Dicke von ca. 5-15 µm, der Deckel von ca. 25-50 µm. Hierbei spielt das Verhältnis Dicke zu Spannweite eine wichtige Rolle und sollte >= 1 : 20 betragen. Typische Dicken sind 5-100 µm. Typische Spannweiten sind 50-1000 µm, bevorzugt 100-300 µm.
Die Strukturierung der Deckelstruktur 20 und der Rahmenstruktur 18 kann hinsichtlich des Systemwafers 10 und des Trägerwafers 12 ähnlich geschehen. Zunächst wird das Epoxidharz wie ein gewöhnlicher Photolack aufgeschleudert, belichtet und entwickelt. Im Gegensatz zum Photolack erreicht das Epoxidharz jedoch eine hohe und dauerhafte Härte, die es zumindest ermöglicht, daß die Abdeckung den Kräften widersteht, die auftreten, wenn der Chip vergossen wird. Wenn Rahmen und Deckel entsprechend stärker gewählt werden, kann ein abschließender Verguß der Schaltung auch entfallen. Dies wird jedoch von der einzelnen Anwendung abhängen.
Es sei darauf hingewiesen, daß die Deckelstruktur 20 so strukturiert ist, daß die Kontaktpads frei bleiben. Es ist nicht unbedingt erforderlich, daß die Kanten der Deckelstruktur annähernd bündig mit den Kanten der Rahmenstruktur sind, so lange die Kontaktpads für eine spätere Kontaktierung frei bleiben, und so lange sich ein Hohlraum 30 ergibt, der ausreichend widerstandsfähig gegenüber einem Eindringen der Vergußmasse oder Fremdstoffen ist. Soll das gehäuste Bauelement in einer aggressiven Umgebung angewendet werden, so kann das System aus Rahmen und Abdeckung selbstverständlich auch hermetisch dicht gemacht werden (z. B. durch Aufdampfen einer Metallschicht).
Die Verbindung der Deckelstruktur mit der Rahmenstruktur kann entweder mit Hilfe einer zusätzlichen Klebeschicht (28) erfolgen oder durch Bonden der Deckelstruktur auf die Rahmenstruktur. Wenn Deckel und Rahmen beispielsweise aus Epoxidharz hergestellt sind, so ergibt sich eine besonders einfache und kostengünstige Verbindung dadurch, daß Rahmen und/oder Deckel bei der Strukturierung nicht vollständig ausgehärtet (vernetzt) werden, und damit "klebrig" bleiben. Durch Zusammenfügen und vollständiges Vernetzen (unter Anpressdruck und erhöhter Temperatur oder photochemisch angeregt) wird dann eine feste Verbindung erzielt.
Ist eine feste Verbindung zwischen Rahmenstruktur 18 und Deckelstruktur 20 erreicht, so wird beim erfindungsgemäßen Verfahren die Opferschicht 22 gelöst, um dann, wie es in Fig. 2 durch einen Pfeil 32 dargestellt ist, den Trägerwafer abzunehmen.
Alternativ zu der separaten Strukturierung des Trägerwafers 12 bzw. der Deckelstruktur 20 auf dem Trägerwafer 12 kann auch ein Trägerwafer 12 mit Opferschicht 22 und vollflächiger Deckelschicht 20 verwendet werden und auf die Rahmenstrukturen 18 des Systemwafers aufgesetzt und mit derselben verbunden werden, um dann zunächst die Opferschicht zu lösen, und um dann den Trägerwafer abzunehmen. Hierauf hat dann eine Strukturierung der Deckelstruktur stattzufinden, dahingehend, daß diese in den Bereichen, wo die Kontaktpads 16 sind, entfernt wird, wie z. B. durch Photostrukturierungstechniken.
In beiden Alternativen kann der Trägerwafer 12 erneut zur Erfüllung derselben Funktion verwendet werden. Dies führt zu einer Kosteneinsparung, die auch darauf zurückzuführen ist, daß auf billiges Epoxidharz gegenüber teueren Silizium- oder Quarzwafern zurückgegriffen werden kann. Aufgrund genauerer Strukturierbarkeit und geringerer Vorhaltemaße in Verbindung mit einem geeigneten Bondprozeß wird bei der Verbindung von Epoxidharz zu Epoxidharz eine geringere Bondfläche im Vergleich zu einer Silizium-Silizium oder Silizium-Glas-Bondverbindung benötigt. Dies führt dazu, daß Schaltungen dichter auf einem Wafer angeordnet werden können, so daß auch die Schaltungsausbeute pro vorgegebener Wafergröße erhöht werden kann.
Der abschließende Aufbau der Chips, um ein gehäustes Bauelement zu erhalten, kann dann, wie es ausgeführt worden ist, in einem Standard-Kunststoff-Gehäuse erfolgen.
Die vorliegende Erfindung ist dahingehend vorteilhaft, daß photostrukturierbares Epoxidharz zur Erzeugung eines Hohlraums über empfindlichen Bauelementen verwendet werden kann, wobei dieses zunächst auf zwei verschiedenen Wafern, d. h. dem Systemwafer und dem Trägerwafer, aufgebracht wird, um dann beide Wafer an der Oberkante der Rahmenstruktur 18 und der Unterkante der Deckelstruktur 20 miteinander zu verbinden, um dann nach Lösen der Opferschicht 22 den Trägerwafer wieder zu entfernen und für die Erzeugung einer weiteren Abdeckstruktur wiederzuverwenden.
Als Material für die Opferschicht können beliebige Materialien verwendet werden. Für die vorliegende Erfindung wird es bevorzugt, eine auflösbare oder ätzbare Opferschicht zu nehmen, die so lösbar oder ätzbar ist, daß der Trägerwafer 12 selbst und die Deckelstruktur 20 nach dem Aufbringen auf die Rahmenstruktur (Fig. 2) nicht oder nur unwesentlich beim Auflösen/Ätzen der Opferschicht beeinträchtigt werden. Beispiele für Materialien sind andere Kunststoffe als für Rahmen und Deckel, andere Lacke, Wachs, oder Metalle, Dielektrika etc. Die einzige Forderung ist eine chemische Selektivität hinsichtlich Lösbarkeit/Ätzbarkeit zum Deckel- und Rahmenmaterial sowie der oberen Schicht.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß das Packaging, d. h. das Erzeugen der Abdeckung für die sensiblen Bauelemente 14 bereits auf Waferebene stattfindet und nicht an einzelnen Bauelementen sequenziell. Bezugszeichenliste 10 Systemwafer
12 Trägerwafer
14 Bauelemente
16 Kontaktpads
18 Rahmenstruktur
20 Deckelstruktur
22 Opferschicht
24 Ausrichtungspfeile
26 vereinzelte Schaltung
28 Verbindungsschicht
30 Bereich unter der Abdeckung
32 Wegbewegung des Trägerwafers

Claims

1. Verfahren zum Erzeugen einer Abdeckung für einen Bereich eines Substrats (10), mit folgenden Schritten:
Erzeugen einer Rahmenstruktur (18) in dem Bereich des Substrats; und
Anbringen einer Deckelstruktur (20) auf der Rahmenstruktur (18), so daß der Bereich zwischen der Deckelstruktur (20) und dem Substrat abgedeckt ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des Erzeugens der Rahmenstruktur (18) folgende Schritte aufweist:
Aufbringen eines strukturierbaren Materials in dem Bereich des Substrats (10); und
Strukturieren des strukturierbaren Materials, um die Rahmenstruktur (18) in dem Bereich des Substrats zu erzeugen.

3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das strukturierbare Material ein photostrukturierbares Material ist.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, bei dem der Schritt des Strukturierens des Materials folgende Schritte aufweist:
Belichten des strukturierbaren Materials;
Entwickeln des strukturierbaren Materials; und
Entfernen des durch die Belichtung definierten Materials, um die Rahmenstruktur in dem Bereich des Substrats zu erhalten.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Schritt des Anbringens der Deckelstruktur (20) auf der Rahmenstruktur (18) folgende Schritte aufweist:
Bereitstellen eines Trägersubstrats (12);
Aufbringen eines strukturierbaren Materials auf dem Trägersubstrat;
Strukturieren des strukturierbaren Materials, um die Deckelstruktur zu erzeugen; und
Verbinden der Deckelstruktur (20) mit der Rahmenstruktur (18), so daß der Bereich (30) zwischen der Deckelstruktur (20) und dem Substrat (10) abgedeckt ist; und
Trennen der Deckelstruktur (20) von dem Trägersubstrat (12).

6. Verfahren nach Anspruch 5,
bei dem das Trägersubstrat (12) eine Opferschicht aufweist, auf der das strukturierbare Material aufgebracht ist, und
bei dem der Schritt des Trennens der Deckelstruktur von dem Trägersubstrat den Schritt des Entfernens der Opferschicht aufweist.

7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, bei dem der Schritt des Verbindens ein Bonden und/oder Verkleben (28) der Deckelstruktur (20) und der Rahmenstruktur (18) aufweist.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Schritt des Anbringens der Deckelstruktur auf der Rahmenstruktur folgende Schritte aufweist:
Bereitstellen eines Trägersubstrats (12);
Aufbringen eines strukturierbaren Materials auf das Trägersubstrat (12);
Verbinden des strukturierbaren Materials auf dem Trägersubstrat mit der Rahmenstruktur (18) auf dem Substrat (10);
Trennen des strukturierbaren Materials von dem Trägersubstrat; und
Strukturieren des strukturierbaren Materials (20), so daß ein Bereich des Substrats (10), an dem Kontaktanschlußflächen (16) vorgesehen sind, freigelegt wird.

9. Verfahren nach Anspruch 8,
bei dem das Trägersubstrat eine Opferschicht (22) umfaßt, auf der das strukturierbare Material (20) angeordnet ist, und
bei dem im Schritt des Trennens des strukturierbaren Materials (20) die Opferschicht (22) von dem Trägersubstrat (12) gelöst wird.

10. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei dem im Schritt des Verbindens ein Bonden und/oder Kleben des strukturierbaren Materials (20) und der Rahmenstruktur (18) durchgeführt wird.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 10, bei dem im Schritt des Strukturierens das strukturierbare Material photolithographisch bearbeitet wird.

12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Substrat (10) ein Chip-Substrat ist.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem das Substrat ein Wafer ist.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem das strukturierbare Material für die Rahmenstruktur (18) und für die Deckelstruktur (20) gleiche Materialien sind.

15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das strukturierbare Material der Rahmenstruktur (18) und/oder der Deckelstruktur (20) Epoxidharz und insbesondere Epoxidharz von Typ SU-8 ist.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, bei dem das Substrat (10) ferner derart bearbeitet wird, daß außerhalb der Rahmenstruktur (18) Kontaktanschlußflächen (16) vorhanden sind, die nicht in dem Bereich (30) zwischen der Deckelstruktur (20) und dem Substrat (10) enthalten sind.

17. Verfahren zum Herstellen eines gehäusten Bauelements, mit folgenden Schritten:
Bereitstellen eines Substrats (10) mit einem Bauelement (14);
Erzeugen einer Abdeckung für einen Bereich des Substrats, in dem Bauelement angeordnet ist, nach einem der Ansprüche 1 bis 16; und
Fertigstellen des gehäusten Bauelements durch Aufbringen eines Materials, das nicht in den Bereich (30) zwischen der Deckelstruktur (20) und dem Substrat (10) eindringt.

18. Gehäustes Bauelement mit folgenden Merkmalen:
einem Systemwafer (10) mit einem Bauelement (14);
einer Rahmenstruktur (18) um das Bauelement (14); einer Deckelstruktur (20), die mit der Rahmenstruktur (18) verbunden ist, um das Bauelement (14) abzudecken; und
einer Verbindungsschicht (28) zum mechanischen Verbinden der Rahmenstruktur (18) mit der Deckelstruktur (20).

19. Verfahren nach Anspruch 18, bei dem die Rahmenstruktur (18) und die Deckelstruktur (20) aus einem photolithographisch strukturierbaren Material gebildet sind.

20. Gehäustes Bauelement nach Anspruch 18 oder 19, bei dem Kontaktanschlußflächen (16) außerhalb des Bereichs (30) vorhanden sind.

21. Gehäustes Bauelement nach einem der Ansprüche 18 bis 20,
bei dem die Rahmenstruktur (18) eine Höhe von mehr als 5 µm aufweist, und/oder
bei dem die Deckelstruktur (20) eine Höhe von mehr als 5 µm aufweist.

22. Schaltung nach einem der Ansprüche 18 bis 21, die ferner ein Vergußmaterial aufweist, das um die Rahmenstruktur (18) herum angeordnet ist, das jedoch nicht innerhalb der Rahmenstruktur (18) vorhanden ist.