WO2003057618A2 - Verfahren zum erzeugen einer schutzabdeckung für ein bauelement - Google Patents

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WO2003057618A2
WO2003057618A2 PCT/EP2002/014194 EP0214194W WO03057618A2 WO 2003057618 A2 WO2003057618 A2 WO 2003057618A2 EP 0214194 W EP0214194 W EP 0214194W WO 03057618 A2 WO03057618 A2 WO 03057618A2
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polymer layer
sacrificial
substrate
component
wafer
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PCT/EP2002/014194
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Robert Aigner
Martin Franosch
Andreas Meckes
Klaus-Guenter Oppermann
Marc Strasser
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Infineon Technologies Ag
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Publication date
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Publication of WO2003057618A3 publication Critical patent/WO2003057618A3/de
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    • B81C2203/01—Packaging MEMS
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    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0145—Hermetically sealing an opening in the lid

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing such a protective cover for the components at the wafer level.
  • Components are conventionally produced on and / or in a substrate, with the substrate comprising the component being arranged in a protected manner in an injection-molded housing after the component has been finished. With this arrangement, the substrate and the component are completely embedded in the material of the injection-molded housing, at least in the region of the component.
  • This procedure is disadvantageous for components whose function is impaired by this material, and which therefore require a free space for proper functionality, as is required, for example, with the above-mentioned BAW filters, resonators, sensors and actuators.
  • a wafer with the corresponding structures for the components is produced (system wafer), which is connected to a second wafer (lid wafer), which has corresponding pits and holes, which were produced, for example, by etching the same, for example by a bonding process.
  • the pits of the second wafer will form cavities over the sensitive structures of the first wafer, the connection points (contact pads) of the first wafer being accessible through the holes in the second wafer. This protects the sensitive structures.
  • a ceramic housing can also be used.
  • the object of the present invention is to create a simplified method for producing a protective cover for components, which allows the protective cover to be produced in a simple manner without the separate processing of further wafers and / or Substrates is required.
  • the present invention provides a method of creating a protective cover for a device, a substrate is provided which comprises the component, the method comprising the following steps:
  • the present invention is based on the knowledge that the complex manner of producing protective covers for components, which is known in the prior art, can be dispensed with by including the production of the protective cover in the “ongoing” manufacturing process for the components
  • a sensitive area of a component is produced using a sacrificial layer process and a sealing process with different polymer materials.
  • the final strength of this “on-chip” lid is sufficiently large for further processing in standard packaging processes, ie processes in which the chips are introduced into housings are going to use.
  • the method according to the invention is applied at the wafer level, in order to enable the creation of a protective cover according to the method according to the invention in a simple manner for a large number of components formed in the wafer.
  • Preferred developments of the present application are defined in the subclaims.
  • FIG. 1 shows the representation of a component with a protective cover, which was produced in accordance with a first exemplary embodiment of the present invention
  • FIGS. 2A-2H show the individual manufacturing steps of the method according to the invention in accordance with a first exemplary embodiment
  • 3A-3C show the manufacturing steps of the method according to the invention in accordance with a second exemplary embodiment.
  • a substrate 102 which comprises a component region 104.
  • the component for which a protective cover is to be produced according to the method according to the invention is formed in the component region 104 of the substrate 102.
  • the component can be a component completely arranged within the substrate 102, or a component that is partially exposed on a surface of the substrate 102.
  • the term substrate is to be understood such that it already contains the finished processed components, and to simplify the illustration, only one component region is indicated schematically in the figures, without going into the more precise structure of the individual components.
  • the components mentioned are, for example, BAW filters, resonators, sensors and / or actuators.
  • a sacrificial structure which can no longer be seen in FIG. 1, is first applied to the substrate 102 and has covered at least the sensitive region of the component region 104.
  • a polymer layer 106 was then produced which at least surrounds the sacrificial structure.
  • An opening 108 was formed in the polymer layer 106 to expose a portion of the sacrificial structure.
  • the sacrificial structure was then removed, so that the cavity 110 shown in FIG. 1 resulted above the component region 104.
  • the opening 108 was closed, in the exemplary embodiment shown in FIG. 1 by applying a further polymer layer 112 on the first polymer layer 106.
  • the problems occurring in the prior art are solved by dispensing with the use of a further substrate or a further wafer.
  • a sacrificial layer for example a photo-structurable resist
  • the sacrificial layer is then coated with the polymer layer 106 so that the sacrificial layer is completely covered with it. It is important to ensure that a solvent that may be used for structuring the polymer layer does not dissolve or dissolve the sacrificial layer.
  • the first polymer layer 106 is to be applied with a thickness which has a high final strength and hardness.
  • material for the Polymer layer can be used, for example, SU-8 from MicroChem, USA.
  • the thickness of the applied first polymer layer 106 is preferably less than 20 ⁇ .
  • the polymer layer is then structured and provided with a few holes 108 over the sacrificial layer, so that the sacrificial layer can be dissolved through these holes. In connection with the dissolution of the sacrificial layer, however, it must be ensured that the solvent used here neither dissolves nor completely dissolves the material of the polymer layer.
  • the resulting protective structure is then covered with the further polymer layer 112 and, if appropriate, completely enclosed by the same.
  • the materials of the first polymer layer and the further polymer layer can be the same.
  • the other polymer layer should also be as thick
  • the further polymer layer is structured in order to expose contact pads (connection surfaces) and, in the case of wafers, saw lines.
  • the sacrificial layer can be a photoresist.
  • the sacrificial layer can also be made of metal, e.g. B. copper, titanium, A- aluminum, or be formed from an oxide, for example silicon dioxide (Si0 2 ).
  • a laminated, photostructurable film can also be used instead of the further polymer layer 112.
  • FIG. 2 A first, preferred exemplary embodiment of the present invention is described in more detail below with reference to FIG. 2, in which a plurality of components on a wafer are provided with a protective cover. To simplify the illustration, only the relevant steps for producing the protective cover are shown in FIG. 2, but not the components formed in the wafer. For the following description, the term “wafer” is used inter alia with the meaning that all the necessary components have already been processed here.
  • the wafer 114 is shown, which has a first surface 114a and a second surface 114b, which lies opposite the first surface 114a.
  • a sacrificial layer 116 is formed on the first surface 114a of the wafer 114, for example made of a photoresist, a metal or an oxide layer.
  • the sacrificial layer 116 is now exposed using a mask 118, as is indicated by the arrows shown in FIG. 2A.
  • the mask 118 defines those areas which should subsequently remain above the sensitive areas of the wafer 114.
  • the sacrificial layer 116 is structured, for example by developing the sacrificial layer, so that the layer shown in FIG.
  • FIG. 2B shows the structure consisting of the wafer 114 and consisting of two sacrificial structures 116a and 116b arranged above the sensitive regions of the components in the wafer.
  • the sacrificial layer 116 structured in this way is then coated with a first polymer layer 106 by applying this to the first surface 114a and to the sacrificial structures 116a and 116b, as shown in FIG. 2C.
  • the first polymer layer 106 is preferably deposited on the wafer 114 with a thickness of less than 20 ⁇ m.
  • the polymer layer 106 is exposed using a further mask 120.
  • the mask 120 defines areas in which openings are later formed in the first polymer layer 106 to the sacrificial structures 116a and 116b, and the mask 120 also defines additional pad areas and saw lines for a later separation of the wafer into individual elements.
  • the exposed areas of the polymer layer 106 defined by the mask 120 are crosslinked by the exposure.
  • the non-crosslinked areas of the polymer layer 106 are removed in a subsequent development step, so that the structure shown in FIG. 2E results.
  • the first polymer layer 106 was structured so that the openings 108a are now formed which expose a part of the sacrificial structure 116a.
  • Openings 108b were also created, which expose part of the sacrificial structure 116b.
  • a saw line 122 as well as a connection area 124 were exposed on the wafer 114. Contact is subsequently made to the components generated in the wafer via the connection region 124.
  • a further polymer layer 112 is deposited on the structure shown in FIG. 2F in the exemplary embodiment shown, as shown in FIG. 2G.
  • the further polymer layer 112 is produced from the same material as the first polymer layer 106, but in other exemplary embodiments it can also be formed by a different material. As can be seen, the application of the further polymer layer 112 closes the openings 108a and 108b.
  • the further polymer layer 112 is structured using a third mask 126, the third mask 126 defining the connection regions 124 and saw line 122 already described with reference to FIG. 2E.
  • the exposed areas of the further polymer layer 112 are crosslinked, and the non-crosslinked areas are removed in a subsequent development step, so that the final structure of the wafer shown in FIG. 2H results.
  • the wafer 114 can then also be separated in order to generate the individual elements. These individual elements are then contacted and arranged in appropriate housings.
  • the solvent used there should be selected such that the material of the sacrificial layer is not dissolved or dissolved. Likewise, when removing the sacrificial layer, it must be ensured that the solvent used there does not dissolve or dissolve the polymer material of the first polymer layer 106.
  • FIG. 3A shows a structure which results after the first polymer layer has been opened.
  • 3A shows a substrate 102, in which an active region 104 of a component arranged therein is shown schematically.
  • the sacrificial layer 116 is here, for example, made of copper and arranged on a first surface 102a of the substrate, and covers the active region 104 of the component comprised in the substrate.
  • connection metallization 126 is formed on the first surface 102a of the substrate 102, which is preferably formed here from the same material, namely copper (Cu), as the sacrificial layer / sacrificial structure 116.
  • Cu copper
  • UBM gold
  • a second UBM 128b e.g. made of gold (Au).
  • the second UMB 128b extends from one to the other as shown in FIG. 3A
  • the second UBM 128b has an opening 130 which exposes the sacrificial layer 116.
  • the first polymer layer 106 comprises openings 108a and 108b in the area of the UBMs 128a and 128b.
  • the sacrificial layer 116 is removed by applying a solvent to it, only the sacrificial layer 116 being removed due to the opening 130, but not the metallization 126, which is protected by the first UBM 128a.
  • the openings 108a and 108b are closed by a solder paste 132a, 132b, as shown in FIG. 3B, in which the resultant Ending cavity 110 is shown above the active region 104 of the device of the substrate 102.
  • FIG. 3C shows a top view of the structure shown in FIG. 3B and again illustrates the areas exposed by the sacrificial layer 116. 3C, the area shown in broken lines is the area that is exposed by the sacrificial layer 116.
  • connection 128a and 128b Corresponding contacting of the component in the substrate to the outside takes place via the connections 128a and 128b.
  • the solder paste can be applied, for example, by the known reflow process after the sacrificial layer has been etched free.
  • the thickness of the applied polymer material layers is preferably between 1 ⁇ m and 100 ⁇ m. Furthermore, the thickness of the applied polymer material layers is preferably between 1 ⁇ m and 20 ⁇ m.

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

Bei einem Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement, bei dem ein Substrat (102) vorgesehen ist, welches das Bauelement umfasst, wird zunächst eine Opferstruktur auf dem Substrat (102) erzeugt. Die Opferstruktur bedeckt zumindest einen Bereich des Substrats (102), welcher das Bauelement umfasst. Anschließend wird eine Polymerschicht (106) abgeschieden, die zumindest die zumindest eine Opferstruktur umfasst. Dann wird eine Öffnung (108) in der Polymerschicht (106) gebildet, um einen Abschnitt der Opferstruktur freizulegen. Anschließend wird die Opferstruktur entfernt und die gebildete Öffnung (108) in der Polymerschicht (106) wird verschlossen.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement, und insbesondere auf die Erzeugung einer Schutzabdeckung für Bauelemente, die Bereiche enthalten, deren Funktion durch Spritz- guss-Gehäuse beeinträchtigt würde, wie beispielsweise BAW- Filter (BAW = Bulk Acoustic Wave = akustische Volumenwelle) , Resonatoren, Sensoren und/oder Aktoren. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zum Erzeugen einer solchen Schutzabdeckung für die Bauelemente auf Wafer- Ebene .
Herkömmlicherweise werden Bauelemente auf und/oder in einem Substrat erzeugt, wobei nach der Fertigstellung des Bauelements das Substrat, welches das Bauelement umfasst, in einem Spritzguss-Gehäuse geschützt angeordnet wird. Bei dieser Anordnung, ist das Substrat und das Bauelement zumindest im Bereich des Bauelements vollständig in das Material des Spritz- guss-Gehäuses eingebettet. Diese Vorgehensweise ist für Bauelemente nachteilhaft, deren Funktion durch dieses Material beeinträchtigt wird, die also für eine ordnungsgemäße Funktionsfähigkeit einen Freiraum benötigen, wie dies beispielsweise bei den oben erwähnten BAW-Filtern, Resonatoren, Sensoren und Aktoren erforderlich ist.
Ein Ansatz, der im Stand der Technik bekannt ist, um diese Problematik mit Spritzguss-Gehäusen zu lösen, besteht darin, ein „Gegensubstrat" vorzusehen, in das eine entsprechende Öffnung eingebracht ist, so dass beim Zusammenfügen des Bauelementsubstrats und des Gehäusesubstrats der Hohlraum im Be- reich des Bauelements in dem Bauelementsubstrat angeordnet ist, so dass hier keine Beeinträchtigung der Funktionalität des Bauelements mehr auftritt. Auf Wafer-Ebene wird entspre- chend ein Wafer mit den entsprechenden Strukturen für die Bauelemente erzeugt (Systemwafer) , der mit einem zweiten Wafer (Deckelwafer) , der entsprechende Gruben und Löcher aufweist, die beispielsweise durch Ätzen desselben hergestellt wurden, verbunden wird, beispielsweise durch einen Bond- Vorgang. Auf diese Art und Weise werden die Gruben des zweiten Wafers Hohlräume über den empfindlichen Strukturen des ersten Wafers bilden, wobei durch die Löcher im zweiten Wafer die Anschlussstellen (Kontaktpads) des ersten Wafers zugäng- lieh sind. Hierdurch werden die empfindlichen Strukturen geschützt.
Alternativ zu den gerade beschriebenen Vorgehensweisen kann auch ein Keramikgehäuse verwendet werden.
Der Nachteil der oben beschriebenen, bekannten Lösungen zur Sicherstellung der Funktionsfähigkeit der Bauelemente besteht darin, dass hier stets ein zweites Substrat bzw. ein zweiter Wafer zu strukturieren ist, was eine von dem ersten Wafer ge- trennte Prozessierung und Bearbeitung erforderlich macht. Dies führt zu einer sehr aufwendigen Gesamtherstellung und erhöht ferner die Anforderungen hinsichtlich der erforderlichen Prozessgenauigkeit.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein vereinfachtes Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für Bauelemente zu schaffen, welches auf einfache Art und Weise die Erzeugung einer Schutzabdeckung ermöglicht, ohne dass eine getrennte Prozes- sierung weiterer Wafer und/oder Substrate erforderlich ist.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst.
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement, wobei ein Substrat vorgesehen ist, welches das Bauelement umfasst, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:
(a) Erzeugen zumindest einer Opferstruktur auf dem Substrat, wobei die Opferstruktur zumindest einen Bereich des Substrats bedeckt, welcher das Bauelement umfasst;
(b) Abscheiden einer Polymerschicht, die zumindest eine Opferstruktur umschließt;
(c) Bilden zumindest einer Öffnung in der Polymerschicht, um einen Abschnitt der Opferstruktur freizulegen;
(d) Entfernen der Opferstruktur; und
(e) Verschließen der in der Polymerschicht gebildeten Öffnung.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass auf die im Stand der Technik bekannte aufwendige Art und Weise der Erzeugung von Schutzabdeckungen für Bauelemente verzichtet werden kann, indem die Erzeugung der Schutzabdeckung in den „laufenden" Herstellungsprozess für die Bauelemente einbezogen wird. Der Hohlraum über einem empfindlichen Bereich eines Bauelements wird unter Verwendung eines Opferschichtprozesses und eines Verschlussprozesses mit verschiedenen Polymermaterialien erzeugt. Die Endfestigkeit dieses „on-chip" Deckels ist ausreichend groß, um eine weitere Verarbeitung in Standard Packaging-Verfahren, also Verfahren bei denen die Chips in Gehäuse eingebracht werden, zu verwenden.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wird das erfindungsgemäße Verfahren auf Wafer- Ebene angewandt, um so auf einfache Art und Weise die Erzeu- gung einer Schutzabdeckung gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren für eine Vielzahl von in dem Wafer gebildeten Bauelementen zu ermöglichen. Bevorzugte Weiterbildungen der vorliegenden Anmeldung sind in den Unteransprüchen definiert.
Nachfolgend werden anhand der beiliegenden Zeichnungen bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 die Darstellung eines Bauelements mit Schutzdeckel, welches gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde;
Fig. 2A - 2H die einzelnen Herstellungsschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß einem ersten Ausführungsbei- spiel; und
Fig. 3A - 3C die Herstellungsschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel.
In der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden für die in den verschiedenen Zeichnungen dargestellten, ähnlichen Elemente gleiche Bezugszeichen verwendet.
Anhand der Fig. 1 ist ein Element 100 gezeigt, welches gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde.
Bei dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist ein Sub- strat 102 vorgesehen, welches einen Bauelementbereich 104 umfasst. In dem Bauelementbereich 104 des Substrats 102 ist das Bauelement gebildet, für welches eine Schutzabdeckung gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren zu erzeugen ist. Bei dem Bauelement kann es sich um ein vollständig innerhalb des Sub- strats 102 angeordnetes Bauelement handeln, oder um ein Bauelement, welches teilweise an einer Oberfläche des Substrats 102 freiliegt. Im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung ist der Begriff Substrat so zu verstehen, dass dieser bereits die fertig prozessierten Bauelemente enthält, und zur Vereinfachung der Darstellung ist in den Figuren lediglich schematisch ein Bauelementbereich angedeutet, ohne auf die genauere Struktur der einzelnen Bauelemente einzugehen. Bei den genannten Bauelementen handelt es sich beispielsweise um BAW- Filter, Resonatoren, Sensoren und/oder Aktoren.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird zunächst eine, in Fig. 1 nicht mehr zu sehende Opferstruktur auf dem Substrat 102 aufgebracht, die zumindest den empfindlichen Bereich des Bauelementbereichs 104 bedeckt hat. Erfindungsgemäß wurde anschließend eine Polymerschicht 106 erzeugt, die die Opferstruktur zumindest umschließt. In der Polymerschicht 106 wur- de eine Öffnung 108 gebildet, um einen Abschnitt der Opferstruktur freizulegen. Anschließend wurde die Opferstruktur entfernt, so dass sich der in Fig. 1 gezeigte Hohlraum 110 über dem Bauelementbereich 104 ergeben hat. Abschließend wurde die Öffnung 108 verschlossen, bei dem in Fig. 1 darge- stellten Ausführungsbeispiel durch Aufbringen einer weiteren Polymerschicht 112 auf der ersten Polymerschicht 106.
Erfindungsgemäß werden die im Stand der Technik auftretenden Probleme dadurch gelöst, dass auf die Verwendung eines weite- ren Substrats bzw. eines weiteren Wafers verzichtet wird.
Stattdessen wird eine Opferschicht, beispielsweise ein photo- strukturierbarer Resist, auf dem Substrat/dem Wafer 102 aufgetragen und anschließend strukturiert, so dass die Opferschicht lediglich in den Bereichen, die später durch die Schutzabdeckung geschützt werden sollen, zurückbleibt. Die Opferschicht wird dann mit der Polymerschicht 106 überzogen, so dass die Opferschicht vollständig damit bedeckt ist. Hierbei ist darauf zu achten, dass ein gegebenenfalls für eine Strukturierung der Polymerschicht eingesetztes Lösungsmittel die Opferschicht nicht an- oder auflöst. Ferner ist die erste Polymerschicht 106 mit einer Dicke aufzubringen, welche eine große Endfestigkeit und Härte aufweist. Als Material für die Polymerschicht kommt beispielsweise SU-8 der Firma MicroChem, USA in Betracht. Vorzugsweise beträgt die Dicke der aufgebrachten ersten Polymerschicht 106 weniger als 20 μ . Die Polymerschicht wird dann strukturiert und über der Opferschicht mit einigen Löchern 108 versehen, so dass durch diese Löcher hindurch die Opferschicht aufgelöst werden kann. Im Zusammenhang mit der Auflösung der Opferschicht ist jedoch sicherzustellen, dass das hier verwendete Lösungsmittel das Material der Polymerschicht weder anlöst noch ganz auflöst.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung werden anschließend die sich ergebenden Strukturen, welche den dicken Schutzlack (Polymerschicht) aufweisen, getrocknet. Sofern die entstandenen Hohlräume 110 empfindlich sind und beim Trockenvorgang dazu neigen, anzukleben (sti- cking) , so kann auch ein Trockenverfahren in einem Überkriti- schen-Punkt-Trockner gewählt werden (SCPD = Super Critical Point Dryer) .
Wie bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel wird dann die sich so ergebende Schutzstruktur mit der weiteren Polymerschicht 112 überzogen, und gegebenenfalls vollständig von derselben eingeschlossen. Die Materialien der ersten Polymerschicht und der weiteren Polymerschicht können gleich sein. Die weitere Polymerschicht sollte ebenso als dicke
Schicht aufgetragen werden, vorzugsweise mit einer Dicke von weniger als 20 μm. Dies stellt sicher, dass am Ende des Prozesses die Schichtfolge mit ausreichend großer Härte und Endfestigkeit vorliegt. Abschließend erfolgt gemäß einem weite- ren Ausführungsbeispiel eine Strukturierung der weiteren Polymerschicht (Verschlussschicht) , um Kontakt-Pads (Anschlussflächen) und, im Fall von Wafern, Sägelinien freizulegen.
Hinsichtlich der Opferschicht ist festzuhalten, dass diese im einfachsten Fall ein Photolack sein kann. Alternativ kann die Opferschicht jedoch auch aus Metall, z. B. Kupfer, Titan, A- luminium, oder aus einem Oxid, beispielsweise Siliziumdioxid (Si02) , gebildet sein.
Alternativ zu der oben beschriebenen Verschlusstechnik der Löcher 108 (siehe Fig. 1) , kann anstelle der weiteren Polymerschicht 112 auch eine auflaminierte, photostrukturierbare Folie verwendet werden.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, kann der Verschluss der Öffnungen mittels Metallpaste, z. B. durch Siebdruck, erfolgen, was insbesondere in Kombination mit Flip-Chip-Bumps (Bumps = Kontakthöcker) vorteilhaft ist.
Nachfolgend wird anhand der Fig. 2 ein erstes, bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung näher beschrieben, bei dem eine Mehrzahl von Bauelementen auf einem Wafer mit einer Schutzabdeckung versehen werden. Zur Vereinfachung der Darstellung werden in Fig. 2 lediglich die relevanten Schritte zur Erzeugung der Schutzabdeckung gezeigt, nicht jedoch die in dem Wafer gebildeten Bauelemente. Für die nachfolgende Beschreibung wird der Begriff „Wafer" unter anderem mit der Bedeutung verwendet, dass hier bereits alle erforderlichen Bauelemente fertig prozessiert sind.
In Fig. 2A ist der Wafer 114 gezeigt, der eine erste Oberfläche 114a und eine zweite Oberfläche 114b, die der ersten 0- berflache 114a gegenüberliegt, aufweist. Auf der ersten Oberfläche 114a des Wafers 114 ist eine Opferschicht 116 gebildet, beispielsweise aus einem Photolack, einem Metall oder einer Oxidschicht. In einem ersten Verfahrensschritt wird nun unter Verwendung einer Maske 118 die Opferschicht 116 belichtet, wie dies durch die in Fig. 2A gezeigten Pfeile angedeutet ist. Durch die Maske 118 werden diejenigen Bereich definiert, welche nachfolgend über den empfindlichen Bereichen des Wafers 114 verbleiben sollen. Nachfolgend zu der Belichtung wird die Opferschicht 116 strukturiert, beispielsweise durch Entwickeln der Opferschicht, so dass sich die in Fig. 2B dargestellte Struktur bestehend aus dem Wafer 114 und bestehend aus zwei oberhalb der empfindlichen Bereiche der Bauelemente in dem Wafer angeordneten Opferstrukturen 116a und 116b ergibt. Anschließend wird die so strukturierte Opfer- Schicht 116 mit einer ersten Polymerschicht 106 überzogen, indem diese auf die erste Oberfläche 114a sowie auf die Opferstrukturen 116a und 116b aufgebracht wird, wie dies in Fig. 2C gezeigt ist. Vorzugsweise wird die erste Polymerschicht 106 mit einer Dicke von weniger als 20 μm auf dem Wa- fer 114 abgeschieden.
In einem nachfolgenden Schritt (siehe Fig. 2D) wird unter Verwendung einer weiteren Maske 120 die Polymerschicht 106 belichtet. Die Maske 120 definiert Bereiche, in denen später Öffnungen in der ersten Polymerschicht 106 zu den Opferstrukturen 116a und 116b gebildet werden, und ferner werden durch die Maske 120 zusätzlich Anschlussflächenbereiche sowie Sägelinien für eine spätere Vereinzelung des Wafers in Einzelelemente definiert. Die durch die Maske 120 definierten, frei- liegenden Bereiche der Polymerschicht 106 werden durch die Belichtung vernetzt. Die nicht-vernetzten Bereiche der Polymerschicht 106 werden in einem nachfolgenden Entwicklungsschritt entfernt, so dass sich die in Fig. 2E gezeigte Struktur ergibt. Wie zu erkennen ist, wurde die erste Polymer- Schicht 106 strukturiert, so dass nun die Öffnungen 108a gebildet sind, die einen Teil der Opferstruktur 116a freilegen. Ebenso wurden die Öffnungen 108b erzeugt, welche einen Teil der Opferstruktur 116b freilegen. Zusätzlich wurde eine Sägelinie 122 ebenso wie ein Anschlussbereich 124 auf dem Wafer 114 freigelegt. Über den Anschlussbereich 124 erfolgt später eine Kontaktierung der in dem Wafer erzeugten Bauelemente.
Über die in der Polymerschicht 106 erzeugten Löcher 108a und 108b wird die darunterliegende Opferstruktur 116a bzw. 116b herausgelöst, und so die in Fig. 2F dargestellten Hohlräume 110a, 110b erzeugt. Um die Öffnungen 108a und 108b zu verschließen, wird auf die in Fig. 2F dargestellte Struktur bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine weitere Polymerschicht 112 abgeschieden, wie dies in Fig. 2G gezeigt ist. Die weitere Polymer- schicht 112 ist bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel aus dem gleichen Material hergestellt wie die erste Polymerschicht 106, kann jedoch bei anderen Ausführungsbeispielen auch durch ein anderes Material gebildet sein. Wie zu erkennen ist, wird durch das Aufbringen der weiteren Polymerschicht 112 ein Ver- schluss der Öffnungen 108a und 108b erreicht. In einem anschließenden Schritt wird unter Verwendung einer dritten Maske 126 die weitere Polymerschicht 112 strukturiert, wobei die dritte Maske 126 die bereits der anhand der Fig. 2E beschriebenen Anschlussbereiche 124 und Sägelinie 122 definiert. Die belichteten Bereiche der weiteren Polymerschicht 112 werden vernetzt, und die nicht-vernetzten Bereiche werden in einem nachfolgenden Entwicklungsschritt entfernt, so dass sich die in Fig. 2H dargestellte abschließende Struktur des Wafers ergibt.
In einem weiteren, nicht dargestellten Verfahrensschritt kann der Wafer 114 dann auch noch vereinzelt werden, um so die Einzelelemente zu erzeugen. Diese Einzelelemente werden dann kontaktiert und in entsprechenden Gehäusen angeordnet.
Hinsichtlich der oben beschriebenen Strukturierungsschritte ist darauf hinzuweisen, dass beim Strukturieren der ersten Polymerschicht 106 das dort eingesetzte Lösungsmittel so gewählt sein sollte, dass es zu keiner An- bzw. Auflösung des Materials der Opferschicht kommt. Ebenso ist beim Entfernen der Opferschicht sicherzustellen, dass das dort eingesetzte Lösungsmittel das Polymermaterial der ersten Polymerschicht 106 nicht an- oder auflöst.
Nachfolgend wird anhand der Fig. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens anhand der Herstellung einer Schutzabdeckung für ein Bauelement auf einem Sub- strat näher erläutert. In Fig. 3A ist eine Struktur gezeigt, die sich nach dem Öffnen der ersten Polymerschicht ergibt. In Fig. 3A ist ein Substrat 102 gezeigt, in dem schematisch ein aktiver Bereich 104 eines darin angeordneten Bauelements ge- zeigt ist. Die Opferschicht 116 ist hier z.B. aus Kupfer hergestellt und auf einer ersten Oberfläche 102a des Substrats angeordnet, und überdeckt den aktiven Bereich 104 des in dem Substrat umfassten Bauelements. Ferner ist eine Anschlussmetallisierung 126 auf der ersten Oberfläche 102a des Substrats 102 gebildet, die hier vorzugsweise aus dem gleichen Material, nämlich Kupfer (Cu) , wie die Opferschicht/Opferstruktur 116 gebildet ist. Dies hat den Vorteil, dass durch das Abscheiden und Strukturieren eine Kupferschicht gleichzeitig die Opferstruktur 116 und die Metallisierung 126 gebildet werden. Auf der Anschlussmetallisierung 126 ist eine erste
UBM 128a (UBM = Under Bump Metallisierung = Untermetallisierung für das Lotmaterial), z.B. aus Gold (Au), gebildet. Ferner ist auf einem Abschnitt der Opferschicht 116 eine zweite UBM 128b, z.B. aus Gold (Au), gebildet. Die zweite UMB 128b erstreckt sich, wie in Fig. 3A gezeigt ist, von einer dem
Substrat 102 abgewandten Oberfläche der Opferschicht 116 auf die erste Oberfläche 102a des Substrats 102. Um ein späteres Entfernen der Opferschicht 116 zu ermöglichen, weist die zweite UBM 128b eine Öffnung 130 auf, welche die Opferschicht 116 freilegt. Wie ferner zu erkennen ist, umfasst die erste Polymerschicht 106 im Bereich der UBMs 128a und 128b Öffnungen 108a und 108b.
In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird die Opfer- Schicht 116 durch Anwenden eines Lösungsmittels auf dieselbe entfernt, wobei lediglich die Opferschicht 116 aufgrund der Öffnung 130 entfernt wird, nicht jedoch die Metallisierung 126, welche durch die erste UBM 128a geschützt ist. Die Öffnungen 108a und 108b werden bei dem in Fig. 3 gezeigten Aus- führungsbeispiel durch eine Lötpaste 132a, 132b verschlossen, wie dies in Fig. 3B gezeigt ist, in der auch der sich erge- bende Hohlraum 110 oberhalb des aktiven Bereichs 104 des Bauelements des Substrats 102 gezeigt ist.
Fig. 3C zeigt eine Aufsicht der in Fig. 3B gezeigten Struktur und verdeutlich nochmals die durch die Opferschicht 116 freigelegten Bereiche. Genauer gesagt ist in Fig. 3C der gestrichelt gezeigte Bereich derjenige, der durch die Opferschicht 116 freigelegt wird.
Über die Anschlüsse 128a und 128b erfolgt eine entsprechende Kontaktierung des Bauelements in dem Substrat nach außen. Die Lötpaste kann beispielsweise durch das bekannte Reflow- Verfahren aufgebracht werden, nachdem die Opferschicht freigeätzt wurde.
Obwohl oben bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung erläutert wurden, ist die vorliegende Erfindung natürlich nicht hierauf beschränkt.
Anstelle der beschriebenen Polymermaterialien können auch andere geeignete Materialien wie beispielsweise abgeschiedene Schichten aus Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Metalle, Metallverbindungen.
Die Dicke der aufgebrachten Polymermaterialschichten liegt vorzugsweise zwischen 1 μm und 100 μm. Weiterhin vorzugsweise liegt die Dicke der aufgebrachten Polymermaterialschichten zwischen 1 μm und 20 μm.
Bezugs zeichenliste
100 Element
102 Substrat
104 Bauelementbereich
106 Polymerschicht
108, 108a, 108b Öffnung
110, 110a, 110b Hohlraum
112 weitere Polymerschicht
114 Wafer
114a erste Oberfläche des Wafers
114b zweite Oberfläche des Wafers
116 Opferschicht
116a, 116b OpferStruktur
118, 120 Maske
122 Sägelinie
124 Anschlussbereich
126 Anschlussmetallisierung
128a, 128b UBM
130 Öffnung
132a, 132b Lötpaste

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement, wobei ein Substrat (102; 114) vorgesehen ist, wel- ches das Bauelement umfasst, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:
(a) Erzeugen zumindest einer Opferstruktur (116a, 116b) auf dem Substrat (102; 114) , wobei die Opferstruktur (116a, 116b) zumindest einen Bereich des Substrats (102; 114) bedeckt, welcher das Bauelement umfasst;
(b) Abscheiden einer Polymerschicht (106) , die zumindest die zumindest eine Opferstruktur (116a, 116b) umschließt;
(c) Bilden zumindest einer Öffnung (108; 108a, 108b) in der Polymerschicht (106) , um einen Abschnitt der Opferstruktur (116a, 116b) freizulegen;
(d) Entfernen der Opferstruktur (116a, 116b) ; und
(e) Verschließen der in der Polymerschicht (106) gebildeten Öffnung (108; 108a, 108b) .
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt (c) folgende Schritte umfasst:
(c.l.) Belichten der Polymerschicht (106) unter Verwendung einer Maske (120) , um vernetzte Bereiche der Polymerschicht (106) zu erzeugen, wobei die Maske (118) zumindest eine Öffnung (108a, 108b) definiert; und
(c.2.) Entfernen der nicht-vernetzten Bereiche der Polymerschicht (106) .
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schritte (b) und (c) folgende Schritte umfassen: (b.l.) Abscheiden der Polymerschicht (106) auf dem Substrat (102; 114) und auf der Opferstruktur (116a, 116b);
(c.l.) Belichten der Polymerschicht (106) unter Verwendung einer Maske (120), die die zumindest eine Öffnung (108; 108a, 108b) in der Polymerschicht (106) und einen die Opferstruktur (116a, 116b) umgebenden Bereich der Polymerschicht (106) definiert, wobei das Belichten der Polymerschicht (106) ver- netzte Bereiche in der Polymerschicht (106) erzeugt; und
(c.2) Entfernen der nicht-vernetzten Bereiche der Polymerschicht (106) .
4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Maske (120) ferner einen freiliegenden Anschlussbereich (124) für das Bauelement definiert, der durch das Entfernen der nicht-vernetzten Bereiche der Polymerschicht (106) freigelegt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Schritt (a) folgende Schritte umfasst:
(a.l.) Abscheiden einer Opferschicht (116) auf dem Substrat (102; 114); und
(a.2.) Strukturieren der abgeschiedenen Opferschicht (116), um die zumindest eine Opferstruktur (116a, 116b) zu erhalten.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der Schritt (d) folgende Schritte umfasst:
Ätzen der Opferstruktur (116a, 116b) .
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Schritt (e) folgende Schritte umfasst: (e.l.) Aufbringen einer weiteren Polymerschicht (112) auf der sich nach dem Schritt (d) ergebenden Struktur; und
(e.2.) Strukturieren der weiteren Polymerschicht (112) derart, dass die weitere Polymerschicht (112) die im Schritt (e) abgeschiedene Polymerschicht (106) bedeckt, wodurch die zumindest eine Öffnung (108a, 108b) in der ersten Polymerschicht (106) durch das Material der zweiten Polymerschicht
(112) verschlossen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Polymerschicht (106) und die weitere Polymerschicht (112) aus dem gleichen Material bestehen.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der
Schritt (e) das Auflaminieren und photolithographische Strukturieren einer Folie auf der sich nach dem Schritt (d) ergebenden Struktur umfasst, um die zumindest eine Öffnung zu verschließen.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Schritt (e) das Verschließen der Öffnung (108a, 108b) durch eine Metallpaste (132a, 132b) umfasst.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Opferstruktur (116a, 116b) aus einem Material hergestellt ist, das einen Photolack, ein Metall oder ein Oxid umfasst.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Polymerschicht (106) aus SU-8 besteht.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem das Bauelement ein BAW-Filter, ein Resonator, ein Sensor oder ein Aktor ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem das Substrat ein Wafer (114) ist, der eine Mehrzahl gleicher oder unterschiedlicher Bauelemente umfasst,
wobei im Schritt (a) für jedes der Bauelemente ein Opferstruktur (116a, 116b) erzeugt wird, indem eine Opferschicht (116) auf dem Wafer (114) aufgebracht und strukturiert wird,
wobei im Schritt (b) und im Schritt (c) die Polymerschicht (106) auf den Wafer (114) aufgebracht und strukturiert wird, um für jedes Bauelement zumindest eine Öffnung (108a, 108b) zu schaffen,
wobei im Schritt (d) alle Opferstrukturen (114a, 114b) ent- fernt werden, und
wobei im Schritt (e) die Öffnungen (108a, 108b) verschlossen werden.
15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem der Wafer (114) abschließend in einzelne Elemente zerteilt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, bei dem das Strukturieren der Polymerschicht (106) die Festlegung von Trennli- nien (126) auf dem Wafer (114) umfasst.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, bei dem die sich nach dem Schritt (d) ergebende Struktur vor dem Schritt (e) getrocknet wird.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6939734B2 (en) 2003-04-11 2005-09-06 Infineon Technologies Ag Method for producing a protective cover for a device
US6955950B2 (en) * 2002-01-11 2005-10-18 Infineon Technologies Ag Method for generating a protective cover for a device
US8304845B2 (en) 2005-12-20 2012-11-06 Robert Bosch Gmbh Method for sealing an opening
CN111473893A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 中光电智能感测股份有限公司 力量传感器
US11506549B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Coretronic Mems Corporation Force sensor

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10316777B4 (de) * 2003-04-11 2005-11-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement
DE10353767B4 (de) 2003-11-17 2005-09-29 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur Häusung einer mikromechanischen Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben
US7424198B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-09 Idc, Llc Method and device for packaging a substrate
US20070275502A1 (en) * 2006-05-26 2007-11-29 Stephen George Air cavity wafer level packaging assembly and method
US8212351B1 (en) * 2006-10-02 2012-07-03 Newport Fab, Llc Structure for encapsulating microelectronic devices
US7960200B2 (en) * 2007-04-24 2011-06-14 Maxim Integrated Products, Inc. Orientation-dependent etching of deposited AlN for structural use and sacrificial layers in MEMS
KR101572045B1 (ko) * 2014-04-14 2015-11-27 한국과학기술원 소자 패키징 방법 및 이를 이용한 소자 패키지
US10263587B2 (en) 2016-12-23 2019-04-16 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Packaged resonator with polymeric air cavity package
US10511285B1 (en) 2017-02-28 2019-12-17 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Anchored polymeric package for acoustic resonator structures
US10804875B2 (en) 2017-09-29 2020-10-13 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Polymer lid wafer-level package with an electrically and thermally conductive pillar
DE102019112940B4 (de) 2018-06-29 2022-09-29 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtungen mit Aussparungen in einem Verkapselungsmaterial und zugehörige Herstellungsverfahren

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5548099A (en) * 1994-09-13 1996-08-20 Martin Marietta Corporation Method for making an electronics module having air bridge protection without large area ablation
US6136212A (en) * 1996-08-12 2000-10-24 The Regents Of The University Of Michigan Polymer-based micromachining for microfluidic devices
US20010004085A1 (en) * 1999-12-15 2001-06-21 Gueissaz Fran?Ccedil;Ois Method for hermetically encapsulating microsystems in situ
WO2001092842A2 (en) * 2000-05-30 2001-12-06 Ic Mechanics, Inc. Manufacture of mems structures in sealed cavity using dry-release mems device encapsulation

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4987101A (en) * 1988-12-16 1991-01-22 International Business Machines Corporation Method for providing improved insulation in VLSI and ULSI circuits
JPH08162899A (ja) * 1994-12-09 1996-06-21 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
JP3390554B2 (ja) * 1994-12-21 2003-03-24 株式会社日立国際電気 弾性表面波装置及びその製造方法
US5771902A (en) * 1995-09-25 1998-06-30 Regents Of The University Of California Micromachined actuators/sensors for intratubular positioning/steering
JPH09172339A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
WO1998055876A1 (de) * 1997-06-06 1998-12-10 Robert Bosch Gmbh Adhäsionshemmende schutzschicht für ein mikromechanisches bauelement
DE19732250A1 (de) * 1997-07-26 1999-01-28 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung metallischer Mikrostrukturen
DE10200869A1 (de) * 2002-01-11 2003-07-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement
DE10316776B4 (de) * 2003-04-11 2005-03-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5548099A (en) * 1994-09-13 1996-08-20 Martin Marietta Corporation Method for making an electronics module having air bridge protection without large area ablation
US6136212A (en) * 1996-08-12 2000-10-24 The Regents Of The University Of Michigan Polymer-based micromachining for microfluidic devices
US20010004085A1 (en) * 1999-12-15 2001-06-21 Gueissaz Fran?Ccedil;Ois Method for hermetically encapsulating microsystems in situ
WO2001092842A2 (en) * 2000-05-30 2001-12-06 Ic Mechanics, Inc. Manufacture of mems structures in sealed cavity using dry-release mems device encapsulation

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ELDERSTIG H ET AL: "Spin deposition of polymers over holes and cavities" SENSORS AND ACTUATORS A, ELSEVIER SEQUOIA S.A., LAUSANNE, CH, Bd. 46, Nr. 1-3, Januar 1995 (1995-01), Seiten 95-97, XP004303460 ISSN: 0924-4247 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1996, no. 10, 31. Oktober 1996 (1996-10-31) -& JP 08 162899 A (KOKUSAI ELECTRIC CO LTD), 21. Juni 1996 (1996-06-21) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1996, no. 11, 29. November 1996 (1996-11-29) -& JP 08 181564 A (KOKUSAI ELECTRIC CO LTD), 12. Juli 1996 (1996-07-12) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1997, no. 10, 31. Oktober 1997 (1997-10-31) -& JP 09 172339 A (KOKUSAI ELECTRIC CO LTD), 30. Juni 1997 (1997-06-30) *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6955950B2 (en) * 2002-01-11 2005-10-18 Infineon Technologies Ag Method for generating a protective cover for a device
US6939734B2 (en) 2003-04-11 2005-09-06 Infineon Technologies Ag Method for producing a protective cover for a device
US8304845B2 (en) 2005-12-20 2012-11-06 Robert Bosch Gmbh Method for sealing an opening
CN111473893A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 中光电智能感测股份有限公司 力量传感器
CN111473893B (zh) * 2019-01-24 2022-03-29 中光电智能感测股份有限公司 力量传感器
US11506549B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Coretronic Mems Corporation Force sensor

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Publication number Publication date
US6955950B2 (en) 2005-10-18
US20050048757A1 (en) 2005-03-03
EP1463684A2 (de) 2004-10-06
WO2003057618A3 (de) 2004-01-15
DE10200869A1 (de) 2003-07-31

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