DE102023126649A1

DE102023126649A1 - Elektronisches bauteil

Info

Publication number: DE102023126649A1
Application number: DE102023126649.7A
Authority: DE
Inventors: Yoji Tozawa; Masashi SHIMOYASU; Akihiko OIDE; Daiki Kato; Makoto Yoshino; Takashi Endo; Takuya Kodama; Akira Akasaka; Ken Itoh
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2022-10-05
Filing date: 2023-09-29
Publication date: 2024-04-11
Also published as: CN117854898A; US20240120142A1; JP2024054584A

Abstract

Das elektronische Bauteil beinhaltet einen Elementkörper, einen Innenleiter, eine Abdeckschicht und eine Leiterschicht. Der Innenleiter ist in dem Elementkörper angeordnet. Die Abdeckschicht ist auf einer Außenfläche des Elementkörpers angeordnet und hat eine elektrische Isoliereigenschaft. Die Leiterschicht ist auf der Abdeckschicht angeordnet und ist elektrisch mit dem Innenleiter verbunden. Die Leiterschicht beinhaltet einen Teil. Der Teil ragt in Richtung des Elementkörpers durch die Abdeckschicht und ist physikalisch und elektrisch mit dem Innenleiter verbunden. Die Leiterschicht ist elektrisch mit dem Innenleiter verbunden.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
BEREICH DER ERFINDUNG
Die vorliegende Offenbarung betrifft ein elektronisches Bauteil.
BESCHREIBUNG DER VERWANDTEN TECHNIK
Bekannte elektronische Bauteile beinhalten einen Elementkörper, einen Innenleiter und eine Leiterschicht (siehe zum Beispiel die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 2014-27071 ). Der Innenleiter ist in dem Elementkörper angeordnet. Die Leiterschicht ist auf dem Elementkörper angeordnet und mit dem Innenleiter elektrisch verbunden.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Das elektronische Bauteil, das eine Abdeckschicht auf einer Außenfläche des Elementkörpers beinhaltet, neigt dazu, die mechanische Festigkeit des Elementkörpers zu erhöhen. Die Leiterschicht ist auf der Abdeckschicht angeordnet. Die Abdeckschicht hat in der Regel eine elektrische Isoliereigenschaft. Daher kann das elektronische Bauteil, das die Abdeckschicht beinhaltet, die physikalische und elektrische Konnektivität zwischen dem Innenleiter und der Leiterschicht verringern.
Ein Ziel eines Aspekts der vorliegenden Offenbarung ist, ein elektronisches Bauteil bereitzustellen, das eine Abnahme in der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen einem Innenleiter und einer Leiterschicht verhindert.
Ein elektronisches Bauteil gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet einen Elementkörper, einen Innenleiter, eine Abdeckschicht und eine Leiterschicht. Der Innenleiter ist in dem Elementkörper angeordnet. Die Abdeckschicht ist auf einer Außenfläche des Elementkörpers angeordnet und hat eine elektrische Isoliereigenschaft. Die Leiterschicht ist auf der Abdeckschicht angeordnet und ist elektrisch mit dem Innenleiter verbunden. Die Leiterschicht beinhaltet einen Teil. Der Teil der Leiterschicht ragt in Richtung des Elementkörpers durch die Abdeckschicht und ist physikalisch und elektrisch mit dem Innenleiter verbunden.
In dem einen Aspekt beinhaltet die Leiterschicht den Teil. Daher verhindert der eine Aspekt eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Innenleiter und der Leiterschicht.
In dem einen Aspekt kann die Außenfläche eine Endfläche beinhalten, an der der Innenleiter freiliegt, und die Abdeckschicht kann auf der Endfläche angeordnet sein.
In dem einen Aspekt kann der Innenleiter ein an der Endfläche freiliegendes Ende beinhalten. Der Teil der Leiterschicht kann das Ende des Innenleiters bedecken, wenn das Ende und der Teil in einer Richtung orthogonal zur Endfläche betrachtet werden.
Die Konfiguration, bei der der Teil der Leiterschicht das Ende des Innenleiters bedeckt, verbindet den Innenleiter und die Leiterschicht zuverlässig physikalisch und elektrisch.
In dem einen Aspekt kann eine Öffnung in der Abdeckschicht an einer Position ausgebildet sein, die dem Teil der Leiterschicht entspricht. Eine Kante, die in der Abdeckschicht enthalten ist und die Öffnung definiert, kann auf der Endfläche positioniert sein, wenn sie in der Richtung orthogonal zur Endfläche betrachtet wird.
Die Konfiguration, bei der die Kante der Abdeckschicht auf der Endfläche positioniert ist, wenn sie in der Richtung orthogonal zur Endfläche betrachtet wird, positioniert den Teil zuverlässig auf der Endfläche. Die Konfiguration verhindert daher zuverlässig eine Abnahme in der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen der Leiterschicht und dem Innenleiter.
In dem einen Aspekt kann eine Öffnung in der Abdeckschicht an einer Position ausgebildet sein, die dem Teil in der Abdeckschicht entspricht. Die Endfläche kann einen ersten Bereich beinhalten, der von der Abdeckschicht durch die Öffnung freigelegt ist, und einen zweiten Bereich, der von der Abdeckschicht bedeckt ist. Der erste Bereich kann gegenüber dem zweiten Bereich zurückgesetzt sein.
Die Konfiguration, bei der der erste Bereich gegenüber dem zweiten Bereich zurückgesetzt ist, vergrößert eine Verbindungsfläche zwischen dem Elementkörper und der Leiterschicht. Daher stärkt die Konfiguration die physikalische Konnektivität zwischen der Leiterschicht und dem Elementkörper. Als ein Ergebnis verhindert die Konfiguration zuverlässiger eine Abnahme in der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Innenleiter und der Leiterschicht.
In dem einen Aspekt kann eine Öffnung in der Abdeckschicht an einer Position ausgebildet sein, die dem Teil entspricht. Die Endfläche kann einen ersten Bereich beinhalten, der von der Abdeckschicht durch die Öffnung freigelegt ist, und einen zweiten Bereich, der von der Abdeckschicht bedeckt ist. Eine Oberflächenrauheit des ersten Bereichs kann größer sein als eine Oberflächenrauheit des zweiten Bereichs.
Die Konfiguration, bei der die Oberflächenrauheit des ersten Bereichs größer ist als die Oberflächenrauheit des zweiten Bereichs, vergrößert einen Flächeninhalt des Elementkörpers im ersten Bereich und vergrößert die Verbindungsfläche zwischen dem Elementkörper und der Leiterschicht. Daher stärkt die Konfiguration die physikalische Konnektivität zwischen der Leiterschicht und dem Elementkörper. Als ein Ergebnis verhindert die Konfiguration zuverlässiger eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Innenleiter und der Leiterschicht.
In dem einen Aspekt kann die Außenfläche eine Seitenfläche beinhalten, die an die Endfläche angrenzt, und die Abdeckschicht kann kontinuierlich auf der Endfläche und der Seitenfläche angeordnet sein.
Die Konfiguration, bei der die Abdeckschicht kontinuierlich auf der Endfläche und der Seitenfläche angeordnet ist, verbessert zuverlässig die mechanische Festigkeit des Elementkörpers.
In einem Aspekt kann die Abdeckschicht eine Dicke von 1 bis 3 um haben.
Die Konfiguration, bei der die Abdeckschicht die oben genannte Dicke aufweist, verbessert die mechanische Festigkeit des Elementkörpers zusätzlich.
Die vorliegende Offenbarung wird durch die nachstehende detaillierte Beschreibung und die beigefügten Zeichnungen, die nur zur Veranschaulichung dienen und daher nicht als Einschränkung der vorliegenden Offenbarung zu betrachten sind, besser verständlich.
Der weitere Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung wird aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung ersichtlich. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die detaillierte Beschreibung und die spezifischen Beispiele, während sie Beispiele der Offenbarung angeben, nur zur Veranschaulichung gegeben werden, da verschiedene Änderungen und Modifikationen innerhalb des Geistes und des Umfangs der Offenbarung für den Fachmann aus dieser detaillierten Beschreibung ersichtlich werden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein elektronisches Bauteil gemäß einem Beispiel zeigt;
2 ist eine Ansicht, die eine Querschnittskonfiguration des elektronischen Bauteils gemäß dem vorliegenden Beispiel zeigt;
3 ist eine perspektivische Explosionsansicht einer Spule;
4 ist eine Ansicht, die eine Querschnittskonfiguration des elektronischen Bauteils gemäß dem vorliegenden Beispiel zeigt;
5 ist eine Ansicht, die eine Querschnittskonfiguration des elektronischen Bauteils gemäß dem vorliegenden Beispiel zeigt;
6 ist eine Ansicht, die eine Querschnittskonfiguration einer Endfläche zeigt; und
7 ist eine Ansicht, die eine Querschnittskonfiguration eines elektronischen Bauteils gemäß einer Modifikation des vorliegenden Beispiels zeigt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Nachfolgend werden Beispiele der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben. In der folgenden Beschreibung werden gleiche Elemente oder Elemente mit gleichen Funktionen mit den gleichen Referenznummern bezeichnet und überlappende Erklärungen werden weggelassen.
Ein elektronisches Bauteil ED1 gemäß dem vorliegenden Beispiel wird unter Bezugnahme auf die 1 bis 6 beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die das elektronische Bauteil gemäß dem vorliegenden Beispiel zeigt. 2 ist eine Ansicht, die eine Querschnittskonfiguration des elektronischen Bauteils gemäß dem vorliegenden Beispiel zeigt; 3 ist eine perspektivische Explosionsansicht einer Spule; 4 und 5 sind Ansichten, die eine Querschnittskonfiguration des elektronischen Bauteils gemäß dem vorliegenden Beispiel zeigen. 6 ist eine Ansicht, die eine Querschnittskonfiguration einer Endfläche zeigt. Das elektronische Bauteil ED1 beinhaltet zum Beispiel ein mehrlagiges Spulenbauteil.
Wie in 1 und 2 dargestellt, beinhaltet das elektronische Bauteil ED1 einen Elementkörper 1, eine Spule 10, eine Abdeckschicht 20 und Leiterschichten 30a und 30b. Die Spule 10 und die Leiterschichten 30a und 30b haben elektrische Leiteigenschaften. Die Spule 10 ist in dem Elementkörper 1 angeordnet. Die Abdeckschicht 20 ist auf einer Außenfläche des Elementkörpers 1 angeordnet. Die Leiterschichten 30a und 30b sind auf der Abdeckschicht 20 angeordnet und sind elektrisch mit der Spule 10 verbunden. In 2 wird auf eine Schraffur verzichtet, um die einzelnen Elemente deutlich darzustellen.
Der Elementkörper 1 hat beispielsweise die Form eines rechteckigen Parallelepipeds. Die Außenfläche des Elementkörpers 1 beinhaltet ein Paar einander gegenüberliegende Endflächen 1a und 1b und eine Seitenfläche 1c, die die Endflächen 1a und 1b verbindet. Die Seitenfläche 1c grenzt an die Endflächen 1a und 1b. Die Seitenfläche 1c beinhaltet ein Paar einander gegenüberliegender Seitenflächen 1c1 und 1c2 und ein Paar einander gegenüberliegender Seitenflächen 1c3 und 1c4. Die Endflächen 1a und 1b, die Seitenflächen 1c1 und 1c2 sowie die Seitenflächen 1c3 und 1c4 haben beispielsweise eine rechteckige Form. Eine „Form eines rechteckigen Parallelepipeds“ in der vorliegenden Beschreibung beinhaltet eine Form eines rechteckigen Parallelepipeds, bei der Eckpositionen und Kantenpositionen abgeschrägt sind, oder eine Form eines rechteckigen Parallelepipeds, bei der Eckpositionen und Kantenpositionen abgerundet sind. Eine „rechteckige Form“ in der vorliegenden Beschreibung beinhaltet zum Beispiel eine Form, bei der jede Ecke abgeschrägt ist, oder eine Form, bei der jede Ecke abgerundet ist.
Die Endflächen 1a und 1b liegen sich in einer ersten Richtung D1 gegenüber. Die Endflächen 1a und 1b definieren beide Enden des Elementkörpers 1 in der ersten Richtung D1. Die Endflächen 1a und 1b sind zum Beispiel orthogonal zur ersten Richtung D1. Die Seitenflächen 1c1 und 1c2 grenzen an die Endflächen 1a und 1b an und liegen sich in einer zweiten Richtung D2 gegenüber. Die zweite Richtung D2 schneidet die erste Richtung D1. Die Seitenflächen 1c1 und 1c2 definieren beiden Enden des Elementkörpers 1 in der zweiten Richtung D2. Die Seitenflächen 1c1 und 1c2 sind beispielsweise orthogonal zur zweiten Richtung D2. Die Seitenflächen 1c3 und 1c4 grenzen an die Endflächen 1a und 1b und die Seitenflächen 1c1 und 1c2 an und liegen sich in einer dritten Richtung D3 gegenüber. Die dritte Richtung D3 schneidet die erste Richtung D1 und die zweite Richtung D2. Die Seitenflächen 1c3 und 1c4 definieren beiden Enden des Elementkörpers 1 in der dritten Richtung D3. Die Seitenflächen 1c3 und 1c4 sind beispielsweise orthogonal zur dritten Richtung D3. Im vorliegenden Beispiel sind die erste Richtung D1, die zweite Richtung D2 und die dritte Richtung D3 orthogonal zueinander.
Die Endflächen 1a und 1b erstrecken sich in der zweiten Richtung D2, um die Seitenfläche 1c1 und die Seitenfläche 1c2 zu verbinden. Die Endflächen 1a und 1b erstrecken sich in der dritten Richtung D3, um die Seitenfläche 1c3 und die Seitenfläche 1c4 zu verbinden. Die Seitenflächen 1c1 und 1c2 erstrecken sich in der ersten Richtung D1, um die Endfläche 1a und die Endfläche 1b zu verbinden. Die Seitenflächen 1c1 und 1c2 erstrecken sich in die dritte Richtung D3, um die Seitenfläche 1c3 und die Seitenfläche 1c4 zu verbinden. Die Seitenflächen 1c3 und 1c4 erstrecken sich in die erste Richtung D1, um die Endfläche 1a und die Endfläche 1b zu verbinden. Die Seitenflächen 1c3 und 1c4 erstrecken sich in die zweite Richtung D2, um die Seitenfläche 1c1 und die Seitenfläche 1c2 zu verbinden. Die Endflächen 1a und 1b, die Seitenflächen 1c1 und 1c2 sowie die Seitenflächen 1c3 und 1c4 können indirekt aneinander angrenzen. In diesem Fall ist ein Kantenteil zwischen den Endflächen 1a und 1b, den Seitenflächen 1c1 und 1c2 und den Seitenflächen 1c3 und 1c4 positioniert.
Eine Länge des Elementkörpers 1 in der ersten Richtung D1 ist beispielsweise 1,6 mm. Eine Länge des Elementkörpers 1 in der zweiten Richtung D2 ist zum Beispiel 0,8 mm. Die Länge des Elementkörpers 1 in der dritten Richtung D3 ist zum Beispiel 0,8 mm. Bei dem Elementkörper 1 ist beispielsweise die erste Richtung D1 eine Längsseitenrichtung.
Der Elementkörper 1 beinhaltet zum Beispiel eine Vielzahl von Isolatorschichten. Der Elementkörper 1 ist zum Beispiel durch Laminieren der Vielzahl von Isolatorschichten ausgebildet. Im vorliegenden Beispiel ist eine Richtung, in der die Vielzahl von Isolatorschichten laminiert wird, die zweite Richtung D2. Die Vielzahl der Isolatorschichten ist so weit integriert, dass Grenzen zwischen den Isolatorschichten visuell nicht erkennbar sind. Jede Isolatorschicht beinhaltet zum Beispiel ein magnetisches Material. Das magnetische Material beinhaltet zum Beispiel ein Ni-Cu-Zn-basiertes Ferritmaterial, ein Ni-Cu-Zn-Mgbasiertes Ferritmaterial, ein Cu-Zn-basiertes Ferritmaterial oder ein Ni-Cu-basiertes Ferritmaterial. Das magnetische Material kann zum Beispiel eine Fe-Legierung beinhalten. Jede Isolatorschicht kann ein nichtmagnetisches Material beinhalten. Das nichtmagnetische Material beinhaltet zum Beispiel ein Glaskeramikmaterial oder ein dielektrisches Material. Das Glaskeramikmaterial beinhaltet zum Beispiel Glas und Aluminiumoxid. Das in dem Glaskeramikmaterial enthaltene Glas beinhaltet zum Beispiel Strontium, Kalzium, Aluminiumoxid oder Siliziumoxid. Jede Isolatorschicht wird beispielsweise aus einem gesinterten Körper aus einer Grünfolie gebildet, die das oben beschriebene Material beinhaltet.
Wie in 2 und 3 gezeigt, beinhaltet die Spule 10 eine Vielzahl von Spulenleitern 10b, 10c, 10d, 10e, 10f und 10g. Die Spule 10 beinhaltet eine Vielzahl von Durchgangslochleitern 11b bis 11f. Durchgangslochleiter 11b bis 11f haben elektrische Leiteigenschaften. Die einander angrenzenden Spulenleiter 10b und 10c sind durch den Durchgangslochleiter 11b elektrisch verbunden. Die einander benachbarten Spulenleiter 10c und 10d sind durch den Durchgangslochleiter 11c elektrisch verbunden. Die einander benachbarten Spulenleiter 10d und 10e sind durch den Durchgangslochleiter 11d elektrisch verbunden. Die einander benachbarten Spulenleiter 10e und 10f sind durch den Durchgangslochleiter 11e elektrisch verbunden. Die einander benachbarten Spulenleiter 10f und 10g sind durch den Durchgangslochleiter 11f elektrisch verbunden.
Die Vielzahl der Spulenleiter 10b bis 10g sind elektrisch miteinander verbunden und in dem Elementkörper 1 angeordnet. Im vorliegenden Beispiel ist eine axiale Richtung der Spule 10 die zweite Richtung D2. Die aneinander angrenzenden Spulenleiter der Spulenleiter 10b bis 10g sind so angeordnet, dass sie sich in der ersten Richtung D1 gesehen zumindest teilweise überlappen. Die Spule 10 hat zum Beispiel eine Spiralform. Zum Beispiel sind die Spulenleiter 10b bis 10g in der Reihenfolge Spulenleiter 10b, Spulenleiter 10c, Spulenleiter 10d, Spulenleiter 10e, Spulenleiter 10f und Spulenleiter 10g angeordnet. Der Spulenleiter 10b grenzt zum Beispiel an die Seitenfläche 1c1 an. Der Spulenleiter 10g grenzt zum Beispiel an die Seitenfläche 1c2 an.
Die Vielzahl der Spulenleiter 10b, 10c, 10d, 10e, 10f und 10g sind zum Beispiel in einem Innenleiter beinhaltet.
Der Spulenleiter 10b beinhaltet ein an der Endfläche 1b freiliegendes Ende 12d. Der Spulenleiter 10b ist an der Endfläche 1b durch das Ende 12d freigelegt. Der Spulenleiter 10b ist durch das Ende 12d physikalisch und elektrisch mit der Leiterschicht 30b verbunden. Ein Ende der Spule 10 ist physikalisch und elektrisch mit der Leiterschicht 30b verbunden.
Der Spulenleiter 10g beinhaltet ein an der Endfläche 1a freiliegendes Ende 12c. Der Spulenleiter 10g ist an der Endfläche 1a durch das Ende 12c freigelegt. Der Spulenleiter 10g ist durch das Ende 12c physikalisch und elektrisch mit der Leiterschicht 30a verbunden. Das andere Ende der Spule 10 ist physikalisch und elektrisch mit der Leiterschicht 30a verbunden.
Die Spule 10 ist elektrisch mit der Leiterschicht 30a und der Leiterschicht 30b verbunden.
Die Vielzahl der Spulenleiter 10b bis 10g ist beispielsweise als gesinterter Körper aus einer leitfähigen Paste, die ein leitfähiges Material enthält, konfiguriert. Die Durchgangslochleiter 11b bis 11f sind beinhaltet als beispielsweise ein leitfähiges Material und sind als gesinterter Körper aus einer leitfähigen Paste, die ein leitfähiges Material enthält, konfiguriert. Das leitende Material, das in den Spulenleitern 10b bis 10g und den Durchgangslochleitern 11b bis 11f beinhaltet ist, beinhaltet beispielsweise Ag, Pd, Au, Pt, Cu, Ni, Al, Mo oder W. Das leitende Material kann eine Ag-Pd-Legierung, eine Ag-Cu-Legierung, eine Ag-Au-Legierung oder eine Ag-Pt-Legierung beinhalten.
Wie in 1 und 2 gezeigt, ist die Abdeckschicht 20 auf der Außenfläche des Elementkörpers 1 angeordnet. Die Abdeckschicht 20 hat eine elektrische Isoliereigenschaft. Im vorliegenden Beispiel ist die Abdeckschicht 20 auf der gesamten Außenfläche des Elementkörpers 1 angeordnet. Die Abdeckschicht 20 ist auf den Endflächen 1a und 1b angeordnet. Die Abdeckschicht 20 ist kontinuierlich auf den Endflächen 1a und 1b und der Seitenfläche 1c angeordnet. Die Abdeckschicht 20 ist auf der gesamten Seitenfläche 1c angeordnet. Die Abdeckschicht 20 kann auf einem Teil der Seitenfläche 1c angeordnet sein. Die Abdeckschicht 20 beinhaltet einen auf der Endfläche 1a positionierten Abdeckteil, einen auf der Endfläche 1b positionierten Abdeckteil und einen auf der Seitenfläche 1c positionierten Abdeckteil. Der auf der Seitenfläche 1c angeordnete Abdeckteil ist kontinuierlich mit dem auf der Endfläche 1a angeordneten Abdeckteil und ist kontinuierlich mit dem auf der Endfläche 1b angeordneten Abdeckteil. Die in der Abdeckschicht 20 enthaltenen Abdeckteile können einstückig miteinander ausgebildet sein. Wenn beispielsweise der an der Endfläche 1a positionierte Abdeckteil einen ersten Abdeckteil beinhaltet, beinhaltet der an der Seitenfläche 1c positionierte Abdeckteil einen zweiten Abdeckabteil. Wenn zum Beispiel der an der Endfläche 1b positionierte Abdeckteil den ersten Abdeckteil beinhaltet, beinhaltet der an der Seitenfläche 1c positionierte Abdeckteil den zweiten Abdeckteil.
Die Abdeckschicht 20 beinhaltet zum Beispiel Glas. Das in der Abdeckschicht 20 enthaltene Glas beinhaltet zum Beispiel SiO₂ oder B₂O₃. Wenn die Abdeckschicht 20 Glas beinhaltet, wird die Abdeckschicht 20 durch Auftragen einer Glasaufschlämmung auf die Oberflächen 1a, 1b und 1c des Elementkörpers 1 gebildet. Die Glasaufschlämmung beinhaltet zum Beispiel Glaspulver, ein Bindemittelharz und ein Lösungsmittel. Die Dicke der Abdeckschicht 20 ist zum Beispiel 1 bis 3 um. Das in der Abdeckschicht 20 enthaltene Glas beinhaltet zum Beispiel amorphes Glas.
Die Dicke der Abdeckschicht 20 wird zum Beispiel durch das folgende Verfahren erhalten.
Es wird eine Querschnittsfotografie der Abdeckschicht 20 aufgenommen. Eine Querschnittsfotografie des auf der Endfläche 1a positionierten Abdeckteils ist zum Beispiel eine Fotografie eines Querschnitts der Abdeckschicht 20, wenn das elektronische Bauteil ED1 entlang einer Ebene orthogonal zur Endfläche 1a geschnitten wird. Eine Querschnittsfotografie des auf der Endfläche 1b positionierten Abdeckteils ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts der Abdeckschicht 20, wenn das elektronische Bauteil ED1 entlang einer Ebene orthogonal zur Endfläche 1b geschnitten wird. Eine Querschnittsfotografie des auf der Seitenfläche 1c1 positionierten Abdeckteils ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts der Abdeckschicht 20, wenn das elektronische Bauteil ED1 entlang einer Ebene orthogonal zur Seitenfläche 1c1 geschnitten wird. Eine Querschnittsfotografie des auf der Seitenfläche 1c2 positionierten Abdeckteils ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts der Abdeckschicht 20, wenn das elektronische Bauteil ED1 entlang einer Ebene orthogonal zur Seitenfläche 1c2 geschnitten wird. Eine Querschnittsfotografie des auf der Seitenfläche 1c3 positionierten Abdeckteils ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts der Abdeckschicht 20, wenn das elektronische Bauteil ED1 entlang einer Ebene orthogonal zur Seitenfläche 1c3 geschnitten wird. Eine Querschnittsfotografie des auf der Seitenfläche 1c4 positionierten Abdeckteils ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts der Abdeckschicht 20, wenn das elektronische Bauteil ED1 entlang einer Ebene orthogonal zur Seitenfläche 1c4 geschnitten wird.
Die aufgenommene Querschnittsfotografie wird mit Hilfe einer Software einer Bildverarbeitung unterzogen. Anhand der Bildverarbeitung wird eine Grenze der Abdeckschicht 20 bestimmt und die Dicke des Abdeckteils auf der aufgenommenen Querschnittsfotografie berechnet. Die Dicke des Abdeckteils kann eine durchschnittliche Dicke des Abdeckteils auf dem aufgenommenen Querschnittsfoto sein.
Die Dicke der Abdeckschicht 20 kann ein Durchschnittswert der Dicken aller Abdeckteile sein.
Im vorliegenden Beispiel ist die Leiterschicht 30a auf der Abdeckschicht 20 angeordnet, die auf der Endfläche 1a angeordnet ist. Die Leiterschicht 30b ist auf der Abdeckschicht 20 angeordnet, die auf der Endfläche 1b angeordnet ist. Die Leiterschichten 30a und 30b sind in der ersten Richtung D1 voneinander getrennt. Die Leiterschichten 30a und 30b beinhalten Bereiche, die einander in der ersten Richtung D1 gegenüberliegen, wobei der Elementkörper 1 zwischen der Leiterschicht 30a und der Leiterschicht 30b angeordnet ist.
Die Leiterschicht 30a ist zum Beispiel auf der Abdeckschicht 20 angeordnet, die auf einem Teil der Seitenfläche 1c angeordnet ist. In der Konfiguration, in der die Leiterschicht 30a auf der Abdeckschicht 20 angeordnet ist, die auf einem Teil der Seitenfläche 1c angeordnet ist, bedeckt die Leiterschicht 30a einen zwischen der Endfläche 1a und der Seitenfläche 1c angeordneten Kantenteil und einen an beiden Enden des Kantenteils angeordneten Eckteil. Die Leiterschicht 30b ist beispielsweise auf der Abdeckschicht 20 angeordnet, die sich auf einem Teil der Seitenfläche 1c befindet. In der Konfiguration, in der die Leiterschicht 30b auf der Abdeckschicht 20 angeordnet ist, die auf einem Teil der Seitenfläche 1c angeordnet ist, bedeckt die Leiterschicht 30b einen zwischen der Endfläche 1b und der Seitenfläche 1c angeordneten Kantenteil und einen an beiden Enden des Kantenteils angeordneten Eckteil.
Die Leiterschichten 30a und 30b beinhalten zum Beispiel eine gesinterte Metallschicht. Die gesinterte Metallschicht wird durch Sintern der auf die Oberflächen 1a, 1b und 1c des Elementkörpers 1 aufgetragenen Leitpaste gebildet. Die gesinterte Metallschicht wird zum Beispiel durch Sintern eines in der Leitpaste beinhalteten Metallpulvers gebildet. Die gesinterte Metallschicht beinhaltet ein leitfähiges Material aus einem Edelmetall oder einer Edelmetalllegierung. Das Edelmetall beinhaltet zum Beispiel Ag, Pd, Au oder Pt. Die Edelmetalllegierung beinhaltet zum Beispiel eine Ag-Pd-Legierung. Die gesinterte Metallschicht kann ein unedles Metall oder eine unedle Metalllegierung beinhalten. Das unedle Metall beinhaltet zum Beispiel Cu oder Ni. Die leitende Paste beinhaltet beispielsweise die oben beschriebene Art von Metallpulver, ein Glaskomponente, ein organisches Bindemittel und ein organisches Lösungsmittel. Das in den Leiterschichten 30a und 30b enthaltene leitende Material kann das gleiche sein wie das in den Spulenleitern 10b bis 10g und den Durchgangslochleitern 11b bis 11f enthaltene leitende Material. Die Spulenleiter 10b bis 10g, die Durchgangslochleiter 11b bis 11f und die Leiterschichten 30a und 30b können unterschiedliche leitfähige Materialien beinhalten. Die Dicken der Leiterschichten 30a und 30b sind zum Beispiel 10 bis 50 pm.
In dem elektronischen Bauteil ED1 ist auf jeder der Leiterschichten 30a und 30b eine plattierte Schicht PL angeordnet. Die plattierte Schicht PL ist auf jeder der Leiterschichten 30a und 30b ausgebildet, um jede der Leiterschichten 30a und 30b abzudecken. Im vorliegenden Beispiel bilden die Leiterschichten 30a und die plattierte Schicht PL eine Außenelektrode, und die Leiterschichten 30b und die plattierte Schicht PL bilden eine Außenelektrode. Die plattierte Schicht PL beinhaltet zum Beispiel eine zweischichtige Struktur. In der Konfiguration, in der die plattierte Schicht PL eine zweischichtige Struktur aufweist, beinhaltet eine erste Schicht beispielsweise eine Niplattierte Schicht, eine Sn-plattierte Schicht, eine Cuplattierte Schicht oder eine Au-plattierte Schicht. Eine zweite Schicht, die auf der ersten Schicht gebildet wird, beinhaltet beispielsweise eine Sn-plattierte Schicht, eine Sn-Ag-Legierungs-plattierte Schicht, eine Sn-Bi-Legierungs-plattierte Schicht oder eine Sn-Cu-Legierungs-plattierte Schicht. Die plattierte Schicht PL kann eine Schichtstruktur mit drei oder mehr Schichten beinhalten. Die plattierte Schicht PL kann nicht auf den Leiterschichten 30a und 30b ausgebildet sein.
Als nächstes wird die Verbindung zwischen der Spule 10 und den Leiterschichten 30a und 30b beschrieben.
Wie in den 2 und 4 gezeigt, ist bei dem elektronischen Bauteil ED1 das Ende 12c an der Endfläche 1a freigelegt. Die Leiterschicht 30a beinhaltet einen Teil 30c. Der Teil 30c ragt in Richtung des Elementkörpers 1 durch den Abdeckteil der Abdeckschicht 20, die auf der Endfläche 1a positioniert ist. Der Teil 30c ragt durch die Abdeckschicht 20. Das heißt, der Teil 30c dringt durch die Abdeckschicht 20 hindurch. Wenn das Ende 12c und der Teil 30c in der ersten Richtung D1 betrachtet werden, bedeckt der Teil 30c das Ende 12c. Im vorliegenden Beispiel bedeckt der Teil 30c das gesamte Ende 12c. Das Ende 12c ist physikalisch und elektrisch mit dem Teil 30c verbunden. Der Teil 30c ist physikalisch mit dem Spulenleiter 10g verbunden. Der Teil 30c ist physikalisch und elektrisch mit dem Spulenleiter 10g verbunden. Der Teil 30c kann einen Teil des Endes 12c abdecken. In diesem Fall ist der Teil des Endes 12c physikalisch mit dem Teil 30c verbunden. Im vorliegenden Beispiel beinhaltet die Leiterschicht 30a einen Teil, der auf der Abdeckschicht 20 positioniert ist. Wenn beispielsweise der auf der Abdeckschicht 20 positionierte Teil einen ersten Teil beinhaltet, beinhaltet der Teil 30c einen zweiten Teil. In 4 fällt die erste Richtung D1 beispielsweise mit einer Richtung orthogonal zur Endfläche 1a zusammen, und die Schraffur wird weggelassen, um die einzelnen Elemente deutlich darzustellen.
Wie in den 2 und 5 gezeigt, ist bei dem elektronischen Bauteil ED1 das Ende 12d an der Endfläche 1b freigelegt. Die Leiterschicht 30b beinhaltet einen Teil 30d. Der Teil 30d ragt in Richtung des Elementkörpers 1 durch den Abdeckteil der Abdeckschicht 20, die auf der Endfläche 1b angeordnet ist. Der Teil 30d ragt durch die Abdeckschicht 20. Das heißt, der Teil 30d dringt durch die Abdeckschicht 20 hindurch. Wenn das Ende 12d und der Teil 30d in der ersten Richtung D1 betrachtet werden, bedeckt der Teil 30d das Ende 12d. Im vorliegenden Beispiel bedeckt der Teil 30d das gesamte Ende 12d. Das Ende 12d ist physikalisch und elektrisch mit dem Teil 30d verbunden. Der Teil 30d ist physikalisch mit dem Spulenleiter 10g verbunden. Der Teil 30d ist physikalisch und elektrisch mit dem Spulenleiter 10b verbunden. Der Teil 30d kann einen Teil des Endes 12d abdecken. In diesem Fall ist der Teil des Endes 12d physikalisch mit dem Teil 30d verbunden. Im vorliegenden Beispiel beinhaltet die Leiterschicht 30b einen auf der Abdeckschicht 20 positionierten Teil. Wenn der auf der Abdeckschicht 20 positionierte Teil beispielsweise einen ersten Teil beinhaltet, beinhaltet der Teil 30d einen zweiten Teil.
Die Spule 10 ist elektrisch mit dem Teil 30c und dem Teil 30d verbunden. In 5 fällt die erste Richtung D1 beispielsweise mit einer Richtung orthogonal zur Endfläche 1b zusammen, und auf eine Schraffur wird verzichtet, um die einzelnen Elemente deutlich darzustellen.
Im vorliegenden Beispiel ist eine Vielzahl von Öffnungen 20c und 20d in der Abdeckschicht 20 ausgebildet. Die Öffnung 20c ist in dem Abdeckteil der Abdeckschicht 20 ausgebildet, der auf der Endfläche 1a positioniert ist. Die Öffnung 20d ist in dem Abdeckteil der Abdeckschicht 20 ausgebildet, der auf der Endfläche 1b positioniert ist. Die Öffnungen 20c und 20d werden zum Beispiel durch Bestrahlung der Abdeckschicht 20 mit einem Laserstrahl gebildet.
Der Teil 30c ist in der Öffnung 20c angeordnet. Der Teil 30c ragt durch den Abdeckteil der Abdeckschicht 20, der auf der Endfläche 1a positioniert ist, in die Öffnung 20c. Wenn der auf der Endfläche 1a positionierte Abdeckteil in der ersten Richtung D1 betrachtet wird, ist das Ende 12c in der Öffnung 20c positioniert. Das Ende 12c liegt an dem auf der Endfläche 1a positionierten Abdeckteil frei. Ein Teil des Endes 12c kann in der Öffnung 20c positioniert sein. Ein Teil des Endes 12c kann an dem auf der Endfläche 1a positionierten Abdeckteil freigelegt sein. Eine ebene Form des Teils 30c entspricht zum Beispiel einer Form der Öffnung 20c.
Der Teil 30d ist in der Öffnung 20d positioniert. Der Teil 30d ragt durch den Abdeckteil der Abdeckschicht 20, der auf der Endfläche 1b positioniert ist, in die Öffnung 20d. Wenn der auf der Endfläche 1b positionierte Abdeckteil in der ersten Richtung D1 betrachtet wird, befindet sich das Ende 12d in der Öffnung 20d. Das Ende 12d liegt an dem auf der Endfläche 1b positionierten Abdeckteil frei. Ein Teil des Endes 12d kann in der Öffnung 20d positioniert sein. Ein Teil des Endes 12d kann an dem auf der Endfläche 1b positionierten Abdeckteil freiliegen. Eine ebene Form des Teils 30d entspricht zum Beispiel einer Form der Öffnung 20d.
Im vorliegenden Beispiel erstrecken sich die Öffnungen 20c und 20d in der dritten Richtung D3. Die Öffnungen 20c und 20d können sich zum Beispiel in einer Richtung erstrecken, die orthogonal zur ersten Richtung D1 und zur zweiten Richtung D2 verläuft und die dritte Richtung D3 schneidet.
Eine Länge der Öffnung 20c in der zweiten Richtung D2 ist beispielsweise gleich oder größer als eine Länge des Endes 12c in der zweiten Richtung D2. Die Länge der Öffnung 20c in der zweiten Richtung D2 ist zum Beispiel 100 bis 600 um. Die Länge des Endes 12c in der zweiten Richtung D2 ist zum Beispiel 40 bis 400 um.
Eine Länge der Öffnung 20c in der dritten Richtung D3 ist zum Beispiel gleich oder größer als die Länge des Endes 12c in der dritten Richtung D3. Die Länge der Öffnung 20c in der dritten Richtung D3 ist zum Beispiel 100 bis 600 um. Die Länge des Endes 12c in der dritten Richtung D3 ist zum Beispiel 40 bis 400 um.
Ein Verhältnis zwischen einer Fläche der Öffnung 20c und der freiliegenden Fläche des Endes 12c ist zum Beispiel 100 bis 500 %. Die Öffnung 20c hat zum Beispiel eine rechteckige Form, wenn sie in der ersten Richtung D1 betrachtet wird.
Die Länge von jeder der Öffnung 20c und des Endes 12c in der zweiten Richtung D2 wird zum Beispiel durch das folgende Verfahren erhalten.
Eine Querschnittsfotografie des Abdeckteils der Abdeckschicht 20, der auf der Endfläche 1a und dem Ende 12c positioniert ist, wird aufgenommen. Die Querschnittsfotografie ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts des auf der Endfläche 12c und der Endfläche 1a positionierten Abdeckteils, wenn das elektronische Bauteil ED1 an einer Position, die die Endfläche 12c beinhaltet, entlang einer Ebene orthogonal zu den Seitenflächen 1c1 und 1c2 geschnitten wird. Das aufgenommene Querschnittsfoto wird mit Hilfe einer Software einer Bildverarbeitung unterzogen. Eine Grenze zwischen dem Ende 12c und der Abdeckschicht 20 wird auf der Grundlage eines Ergebnisses der Bildverarbeitung bestimmt, und die Längen der Öffnung 20c und des Endes 12c in der zweiten Richtung D2 auf der erfassten Querschnittsfotografie werden berechnet.
Die Länge von jeder der Öffnung 20c und des Endes 12c in der dritten Richtung D3 wird zum Beispiel durch das folgende Verfahren erhalten.
Eine Querschnittsfotografie des Abdeckteils der Abdeckschicht 20, der auf der Endfläche 1a und dem Ende 12c positioniert ist, wird aufgenommen. Die Querschnittsfotografie ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts des auf dem Ende 12c und der Endfläche 1a positionierten Abdeckteils, wenn das elektronische Bauteil ED1 an einer Position, die das Ende 12c beinhaltet, entlang einer Ebene parallel zu den Seitenflächen 1c1 und 1c2 geschnitten wird. Das aufgenommene Querschnittsfoto wird mit Hilfe einer Software einer Bildverarbeitung unterzogen. Von der Bildverarbeitung wird eine Grenze zwischen dem Ende 12c und der Abdeckschicht 20 bestimmt, und die Länge der Öffnung 20c und des Endes 12c in der dritten Richtung D3 auf der aufgenommenen Querschnittsfotografie wird berechnet.
Die freiliegende Fläche des Endes 12c wird zum Beispiel aus dem Produkt der Länge des Endes 12c in der zweiten Richtung D2 und der Länge des Endes 12c in der dritten Richtung D3 erhalten. Die Fläche der Öffnung 20c wird zum Beispiel aus dem Produkt der Länge der Öffnung 20c in der zweiten Richtung D2 und der Länge der Öffnung 20c in der dritten Richtung D3 erhalten.
Eine Länge der Öffnung 20d in der zweiten Richtung D2 ist beispielsweise gleich oder größer als eine Länge des Endes 12d in der zweiten Richtung D2. Die Länge der Öffnung 20d in der zweiten Richtung D2 ist zum Beispiel 100 bis 600 um. Die Länge des Endes 12d in der zweiten Richtung D2 ist zum Beispiel 40 bis 400 um.
Die Länge der Öffnung 20d in der dritten Richtung D3 ist zum Beispiel gleich oder größer als die Länge des Endes 12d in der dritten Richtung D3. Die Länge der Öffnung 20d in der dritten Richtung D3 ist zum Beispiel 100 bis 600 um. Die Länge des Endes 12d in der dritten Richtung D3 ist zum Beispiel 40 bis 400 um.
Ein Verhältnis zwischen einer Fläche der Öffnung 20d und einer freiliegenden Fläche des Endes 12d ist zum Beispiel 100 bis 500 %. Die Öffnung 20d hat zum Beispiel eine rechteckige Form, wenn sie in der ersten Richtung D1 betrachtet wird.
Die Länge der Öffnung 20d in der zweiten Richtung D2 kann gleich oder verschieden von der Länge der Öffnung 20c in der zweiten Richtung D2 sein. Die Länge der Öffnung 20d in der dritten Richtung D3 kann gleich oder verschieden von der Länge der Öffnung 20c in der dritten Richtung D3 sein.
Die Länge von jeder der Öffnung 20d und des Endes 12d in der zweiten Richtung D2 wird zum Beispiel durch das folgende Verfahren erhalten.
Eine Querschnittsfotografie des Abdeckteilseils der Abdeckschicht 20, der auf der Endfläche 1b und dem Ende 12d positioniert ist, wird aufgenommen. Die Querschnittsfotografie ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts des auf der Endfläche 12d und der Endfläche 1b positionierten Abdeckteils, wenn das elektronische Bauteil ED1 an einer Position, die die Endfläche 12d beinhaltet, entlang einer Ebene orthogonal zu den Seitenflächen 1c1 und 1c2 geschnitten wird. Das aufgenommene Querschnittsfoto wird mit Hilfe einer Software einer Bildverarbeitung unterzogen. Von der Bildverarbeitung wird eine Grenze zwischen dem Ende 12d und der Abdeckschicht 20 bestimmt, und die Länge von jeder der Öffnung 20d und des Endes 12d in der zweiten Richtung D2 auf der erfassten Querschnittsfotografie wird berechnet.
Die Länge von jeder der Öffnung 20d und des Endes 12d in der dritten Richtung D3 wird zum Beispiel durch das folgende Verfahren erhalten.
Eine Querschnittsfotografie des Abdeckteils der Abdeckschicht 20, der auf der Endfläche 1b und dem Ende 12d positioniert ist, wird aufgenommen. Die Querschnittsfotografie ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts des auf der Endfläche 12d und der Endfläche 1b positionierten Abdeckteils, wenn das elektronische Bauteil ED1 an einer Position, die die Endfläche 12d beinhaltet, entlang einer Ebene parallel zu den Seitenflächen 1c1 und 1c2 geschnitten wird. Das aufgenommene Querschnittsfoto wird mit Hilfe einer Software einer Bildverarbeitung unterzogen. Von der Bildverarbeitung wird eine Grenze zwischen dem Ende 12d und der Abdeckschicht 20 bestimmt, und die Länge der Öffnung 20d und des Endes 12d in der dritten Richtung D3 auf der aufgenommenen Querschnittsfotografie wird berechnet.
Die freiliegende Fläche des Endes 12d wird zum Beispiel aus dem Produkt der Länge des Endes 12d in der zweiten Richtung D2 und der Länge des Endes 12d in der dritten Richtung D3 erhalten. Die Fläche der Öffnung 20d wird zum Beispiel aus dem Produkt der Länge der Öffnung 20d in der zweiten Richtung D2 und der Länge der Öffnung 20d in der dritten Richtung D3 erhalten.
Eine Kante 20e der Abdeckschicht 20, die die Öffnung 20c definiert, ist auf der Endfläche 1a positioniert, wenn sie in einer Richtung orthogonal zur Endfläche 1a betrachtet wird. Daher befindet sich die gesamte Kante 20e innerhalb einer Außenkante der Endfläche 1a, wenn sie in der Richtung orthogonal zur Endfläche 1a betrachtet wird. Die Länge der Öffnung 20c in der zweiten Richtung D2 ist zum Beispiel kleiner als eine Länge der Endfläche 1a in der zweiten Richtung D2. Die Länge der Öffnung 20c in der dritten Richtung D3 ist zum Beispiel kleiner als eine Länge der Endfläche 1a in der dritten Richtung D3. Ein Verhältnis der Fläche der Öffnung 20c zu einer Fläche der Endfläche 1a ist beispielsweise 3 bis 50 %.
Die Endfläche 1a beinhaltet einen Bereich E1a und einen Bereich E2a. Der Bereich E1a wird von der Abdeckschicht 20 durch die Öffnung 20c freigelegt. Der Bereich E2a ist mit der Abdeckschicht 20 bedeckt. Im vorliegenden Beispiel umgibt der Bereich E2a den Bereich E1a, wenn man ihn in der Richtung orthogonal zur Endfläche 1a betrachtet. Der Bereich E1a ist gegenüber dem Bereich E2a zurückgesetzt. Die Endfläche 1a ist an einer Position zurückgesetzt, die der Öffnung 20c entspricht. Der Bereich E1a wird zum Beispiel durch Bestrahlung der Abdeckschicht 20 mit einem Laserstrahl gebildet. In der Konfiguration, in der die Öffnung 20c so ausgebildet ist, dass sie durch die Abdeckschicht 20 ragt, kann der Bereich E1a mit einem Laserstrahl bestrahlt werden. Der Bereich E1a hat zum Beispiel eine rechteckige Form, wenn man ihn in der ersten Richtung D1 betrachtet. Wenn der Bereich E1a beispielsweise einen ersten Bereich beinhaltet, beinhaltet der Bereich E2a einen zweiten Bereich. Wenn der Bereich E1a beispielsweise einen zweiten Flächenbereich beinhaltet, beinhaltet der Bereich E2a einen ersten Flächenbereich.
Eine Kante 20f der Abdeckschicht 20, die die Öffnung 20d definiert, ist auf der Endfläche 1b positioniert, wenn sie in einer Richtung orthogonal zur Endfläche 1b betrachtet wird. Daher ist die gesamte Kante 20f innerhalb einer Außenkante der Endfläche 1b positioniert, wenn man sie in der Richtung orthogonal zur Endfläche 1b betrachtet. Die Länge der Öffnung 20d in der zweiten Richtung D2 ist zum Beispiel kleiner als eine Länge der Endfläche 1b in der zweiten Richtung D2. Die Länge der Öffnung 20d in der dritten Richtung D3 ist zum Beispiel kleiner als eine Länge der Endfläche 1b in der dritten Richtung D3. Ein Verhältnis der Fläche der Öffnung 20d zu einer Fläche der Endfläche 1b ist beispielsweise 3 bis 50 %.
Das Verhältnis der Fläche der Öffnung 20d zur Fläche der Endfläche 1b kann gleich oder unterschiedlich zum Verhältnis der Fläche der Öffnung 20c zur Fläche der Endfläche 1a sein.
Die Endfläche 1b beinhaltet einen Bereich E1b und einen Bereich E2b. Der Bereich E1b wird von der Abdeckschicht 20 durch die Öffnung 20d freigelegt. Der Bereich E2b ist mit der Abdeckschicht 20 bedeckt. Im vorliegenden Beispiel umgibt der Bereich E2b den Bereich E1b, wenn man ihn in der Richtung orthogonal zur Endfläche 1b betrachtet. Der Bereich E1b ist gegenüber dem Bereich E2b zurückgesetzt. Die Endfläche 1b ist an einer Position zurückgesetzt, die der Öffnung 20d entspricht. Der Bereich E1b wird zum Beispiel durch Bestrahlung der Abdeckschicht 20 mit einem Laserstrahl gebildet. In der Konfiguration, in der die Öffnung 20d so ausgebildet ist, dass sie durch die Abdeckschicht 20 ragt, kann der Bereich E1b mit einem Laserstrahl bestrahlt werden. Der Bereich E1b hat zum Beispiel eine rechteckige Form, wenn man ihn in der ersten Richtung D1 betrachtet. Wenn der Bereich E1b beispielsweise einen ersten Bereich beinhaltet, beinhaltet der Bereich E2b einen zweiten Bereich. Wenn der Bereich E1b beispielsweise einen zweiten Flächenbereich beinhaltet, beinhaltet der Bereich E2b einen ersten Flächenbereich.
Wie in 6 dargestellt, ist im vorliegenden Beispiel eine Oberflächenrauheit des Bereichs E1a größer als eine Oberflächenrauheit des Bereichs E2a. Beispielsweise kann eine Bestrahlung des Bereichs E1a mit einem Laserstrahl den Unterschied in der Oberflächenrauheit zwischen dem Bereich E1a und dem Bereich E2a bewirken. Die Oberflächenrauheit des Bereichs E1a wird beispielsweise durch die Bestrahlung des Bereichs E1a mit einem Laserstrahl größer als die Oberflächenrauheit des Bereichs E2a. Der Bereich E2a wird nicht mit einem Laserstrahl bestrahlt. Die Oberflächenrauheiten der Bereiche E1a und E2a werden beispielsweise durch die maximalen Höhen (Rz) der Bereiche E1a beziehungsweise E2a definiert. Die maximale Höhe (Rz) ist in JIS B 0601:2001 (ISO 4287:1997) definiert.
Die Oberflächenrauheit jedes der Bereiche E1a und E2a wird beispielsweise durch das folgende Verfahren erhalten.
Es wird eine Querschnittsfotografie der Bereiche E1a und E2a aufgenommen. Die Querschnittsfotografie ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts der Endfläche 1a, wenn das elektronische Bauteil ED1 an einer Position, die die Bereiche E1a und E2a beinhaltet, entlang einer Ebene parallel zu den Seitenflächen 1c1 und 1c2 geschnitten wird. Das aufgenommene Querschnittsfoto wird mit Hilfe einer Software einer Bildverarbeitung unterzogen. Von der Bildverarbeitung wird eine Begrenzung der Endfläche 1a bestimmt und die Oberflächenrauheit jedes der Bereiche E1a und E2a auf der aufgenommenen Querschnittsfotografie berechnet. In 6 wird auf eine Schraffur verzichtet, um die einzelnen Elemente deutlich darzustellen.
Obwohl nicht gezeigt, ist im vorliegenden Beispiel die Oberflächenrauheit des Bereichs E1b größer als die Oberflächenrauheit des Bereichs E2b. Zum Beispiel kann die Bestrahlung des Bereichs E1b mit einem Laserstrahl den Unterschied in der Oberflächenrauheit zwischen dem Bereich E1b und dem Bereich E2b hervorrufen. Die Oberflächenrauheit des Bereichs E1b wird beispielsweise durch die Bestrahlung des Bereichs E1b mit einem Laserstrahl größer als die Oberflächenrauheit des Bereichs E2b. Der Bereich E2b wird nicht mit einem Laserstrahl bestrahlt.
Die Oberflächenrauheit jedes der Bereiche E1b und E2b wird beispielsweise durch das folgende Verfahren erhalten.
Es wird eine Querschnittsfotografie der Bereiche E1b und E2b aufgenommen. Die Querschnittsfotografie ist beispielsweise eine Fotografie eines Querschnitts der Endfläche 1b, wenn das elektronische Bauteil ED1 an einer Position geschnitten wird, die die Bereiche E1b und E2b entlang einer Ebene parallel zu den Seitenflächen 1c1 und 1c2 beinhaltet. Das aufgenommene Querschnittsfoto wird mit Hilfe einer Software einer Bildverarbeitung unterzogen. Von der Bildverarbeitung wird eine Begrenzung der Endfläche 1b bestimmt und die Oberflächenrauheit jedes der Bereiche E1b und E2b auf der aufgenommenen Querschnittsfotografie berechnet.
Eine Konfiguration eines elektronischen Bauteils ED2 gemäß einer Modifikation des vorliegenden Beispiels wird unter Bezugnahme auf 7 beschrieben. 7 ist eine Ansicht, die eine Querschnittskonfiguration eines elektronischen Bauteils gemäß einer Modifikation des vorliegenden Beispiels zeigt. Das elektronische Bauteil ED2 beinhaltet die gleiche Konfiguration wie das oben beschriebene elektronische Bauteil ED1 auf, außer dass das elektronische Bauteil ED2 eine leitfähige Harzschicht CL beinhaltet.
Das elektronische Bauteil ED2 beinhaltet eine Vielzahl von leitfähigen Harzschichten CL. In der vorliegenden Modifikation beinhaltet das elektronische Bauteil ED2 ein Paar von leitfähigen Harzschichten CL. Jede des Paares von leitfähigen Harzschichten CL ist in der entsprechenden Leiterschicht 30a oder 30b der Leiterschichten 30a und 30b angeordnet. Die leitende Harzschicht CL bedeckt die gesamte entsprechende Leiterschicht 30a oder 30b. Die leitfähige Harzschicht CL ist an einem Endteil der Abdeckschicht 20 mit dieser in Kontakt. Die leitende Harzschicht CL ist in Kontakt mit der entsprechenden Leiterschicht 30a oder 30b. Die leitfähige Harzschicht CL ist zwischen der entsprechenden Leiterschicht 30a oder 30b und der plattierten Schicht PL positioniert. Die leitende Harzschicht CL ist in Kontakt mit der plattierten Schicht PL. Die leitfähige Harzschicht CL ist auf der entsprechenden Leiterschicht 30a oder 30b ausgebildet. Die Leiterschichten 30a und 30b beinhalten metallische Substratschichten. In 7 wird auf eine Schraffur verzichtet, um die einzelnen Elemente deutlich darzustellen.
Die leitfähige Harzschicht CL kann nur einen Teil der entsprechenden Leiterschicht 30a oder 30b bedecken. In der Konfiguration, in der die leitende Harzschicht CL nur einen Teil der entsprechenden Leiterschicht 30a oder 30b bedeckt, ist die plattierte Schicht PL auf der leitenden Harzschicht CL und auf einem an der leitenden Harzschicht CL freigelegten Bereich in jeder der Leiterschichten 30a und 30b angeordnet. In dieser Konfiguration ist die plattierte Schicht PL in Kontakt mit der Leiterschicht 30a oder 30b.
Die leitfähige Harzschicht CL beinhaltet ein Harz und eine Vielzahl von leitfähigen Partikeln. Das Harz beinhaltet zum Beispiel ein wärmehärtendes Harz. Das wärmehärtende Harz beinhaltet zum Beispiel ein Phenolharz, ein Acrylharz, ein Silikonharz, ein Epoxidharz oder ein Polyimidharz. Die leitfähigen Teilchen beinhalten zum Beispiel Metallteilchen oder metallbeschichtete Teilchen. Die Metallteilchen beinhalten zum Beispiel Silberteilchen oder Kupferteilchen.
Die leitfähige Harzschicht CL wird zum Beispiel durch Aushärten einer leitfähigen Harzpaste gebildet, die auf die entsprechende Leiterschicht 30a oder 30b aufgetragen wird. Die leitfähige Harzpaste beinhaltet zum Beispiel ein Harz, eine Vielzahl von leitfähigen Partikeln und ein organisches Lösungsmittel.
Wie oben beschrieben, beinhalten die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 jeweils den Elementkörper 1, die Vielzahl von Spulenleitern 10b bis 10g, die Abdeckschicht 20 und die Leiterschichten 30a und 30b. Die Vielzahl der Spulenleiter 10b bis 10g sind in dem Elementkörper 1 angeordnet. Die Abdeckschicht 20 ist auf der Außenfläche des Elementkörpers 1 angeordnet und hat eine elektrische Isoliereigenschaft. Die Leiterschichten 30a und 30b sind auf der Abdeckschicht 20 angeordnet und elektrisch mit der Vielzahl der Spulenleiter 10b bis 10g verbunden. Die Leiterschicht 30a beinhaltet einen Teil 30c. Der Teil 30c ragt durch die Abdeckschicht 20 in Richtung des Elementkörpers 1 und ist physikalisch und elektrisch mit dem Spulenleiter 10g verbunden. Die Leiterschicht 30b beinhaltet einen Teil 30d. Der Teil 30d ragt durch die Abdeckschicht 20 in Richtung des Elementkörpers 1 und ist physikalisch und elektrisch mit dem Spulenleiter 10b verbunden.
In den elektronischen Bauteilen ED1 und ED2 beinhaltet die Leiterschicht 30a den Teil 30c, und die Leiterschicht 30b beinhaltet den Teil 30d. Daher verhindern die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenbauteil 10g als Innenleiter und der Leiterschicht 30a und verhindern eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen der Leiterschicht 30b und dem Spulenbauteil 10b als Innenleiter.
In den elektronischen Bauteilen ED1 und ED2 beinhaltet der Spulenleiter 10g das an der Endfläche 1a freiliegende Ende 12c. Der Teil 30c bedeckt das Ende 12c, wenn das Ende 12c und der Teil 30c in der ersten Richtung D1 betrachtet werden. Daher verbinden die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 den Spulenleiter 10g und die Leiterschicht 30a zuverlässig physikalisch und elektrisch.
Der Spulenleiter 10b beinhaltet das an der Endfläche 1b freiliegende Ende 12d. Der Teil 30d bedeckt das Ende 12d, wenn das Ende 12d und der Teil 30d in der ersten Richtung D1 betrachtet werden. Daher verbinden die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 den Spulenleiter 10b und die Leiterschicht 30b zuverlässig physikalisch und elektrisch.
In den elektronischen Bauteilen ED1 und ED2 ist die Öffnung 20c in der Abdeckschicht 20 an einer Position ausgebildet, die dem Teil 30c entspricht. Die in der Abdeckschicht 20 enthaltene Kante 20e, die die Öffnung 20c definiert, ist in der ersten Blickrichtung D1 auf der Endfläche 1a positioniert. Daher positionieren die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 den Teil 30c zuverlässig auf der Endfläche 1a. Als ein Ergebnis verhindern die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 zuverlässig eine Abnahme in der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenleiter 10g und der Leiterschicht 30a.
In der Abdeckschicht 20 ist die Öffnung 20d in der Abdeckschicht 20 an einer Position ausgebildet, die dem Teil 30d entspricht. Die in der Abdeckschicht 20 enthaltene Kante 20f, die die Öffnung 20d definiert, ist in der ersten Richtung D1 gesehen auf der Endfläche 1b positioniert. Daher positionieren die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 den Teil 30d zuverlässig auf der Endfläche 1b. Als ein Ergebnis verhindern die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 zuverlässig eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenleiter 10b und der Leiterschicht 30b.
In den elektronischen Bauteilen ED1 und ED2 beinhaltet die Endfläche 1a den Bereich E2a und den Bereich E1a, der gegenüber dem Bereich E2a zurückgesetzt ist. Die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 vergrößern einen Verbindungsbereich zwischen dem Elementkörper 1 und der Leiterschicht 30a. Daher verstärken die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 die physikalische Konnektivität zwischen der Leiterschicht 30a und dem Elementkörper 1. Als ein Ergebnis verhindern die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 zuverlässiger eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenleiter 10g und der Leiterschicht 30a.
Die Endfläche 1b beinhaltet den Bereich E2b und den Bereich E1b, der gegenüber dem Bereich E2b zurückgesetzt ist. Die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 vergrößern einen Verbindungsbereich zwischen dem Elementkörper 1 und der Leiterschicht 30b. Daher verstärken die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 die physikalische Konnektivität zwischen der Leiterschicht 30b und dem Elementkörper 1. Als ein Ergebnis verhindern die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 zuverlässiger eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenleiter 10b und der Leiterschicht 30b.
In den elektronischen Bauteilen ED1 und ED2 ist die Oberflächenrauheit des Bereichs E1a größer als die Oberflächenrauheit des Bereichs E2a. Die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 vergrößern den Flächeninhalt des Elementkörpers im Bereich E1a und vergrößern die Verbindungsfläche zwischen dem Elementkörper 1 und der Leiterschicht 30a. Daher verstärken die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 die physikalische Konnektivität zwischen der Leiterschicht 30a und dem Elementkörper 1. Als ein Ergebnis verhindern die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 zuverlässiger eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenleiter 10g und der Leiterschicht 30a.
Die Oberflächenrauheit des Bereichs E1b ist größer als die Oberflächenrauheit des Bereichs E2b. Die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 vergrößern einen Flächeninhalt des Elementkörpers im Bereich E1b und vergrößern die Verbindungsfläche zwischen dem Elementkörper 1 und der Leiterschicht 30b. Daher verstärken die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 die physikalische Konnektivität zwischen der Leiterschicht 30b und dem Elementkörper 1. Als ein Ergebnis verhindern die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 zuverlässiger eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenleiter 10b und der Leiterschicht 30b.
Das Ende 12c kann mit der Abdeckschicht 20 bedeckt sein, selbst wenn es an der Endfläche 1a freiliegt. In der Konfiguration, in der das Ende 12c mit der Abdeckschicht 20 bedeckt ist, neigt das Ende 12c dazu, nicht physikalisch oder elektrisch mit der Leiterschicht 30a verbunden zu sein. In der Konfiguration, in der die Öffnung 20c in der Abdeckschicht 20 ausgebildet ist, ist das Ende 12c jedoch leicht physikalisch und elektrisch mit der Leiterschicht 30a verbunden, die durch die Abdeckschicht 20 herausragt. Die Öffnung 20c wird zum Beispiel durch Bestrahlung der Abdeckschicht 20 mit einem Laserstrahl gebildet. Auch in einer Konfiguration, in der das Ende 12c an der Endfläche 1a nicht freiliegt, zum Beispiel wenn die Endfläche 1a abgeschabt ist, kann das Ende 12c an der Endfläche 1a freigelegt werden. Das an der Endfläche 1a freiliegende Ende 12c ist leicht physikalisch und elektrisch mit der Leiterschicht 30a verbunden, die durch die Abdeckschicht 20 ragt. Die Endfläche 1a wird zum Beispiel durch Bestrahlung der Endfläche 1a mit einem Laserstrahl abgeschabt, nachdem die Öffnung 20c durch Bestrahlung der Abdeckschicht 20 mit einem Laserstrahl gebildet wurde.
Das Ende 12d kann mit der Abdeckschicht 20 bedeckt sein, auch wenn es an der Endfläche 1b freiliegt. In der Konfiguration, in der das Ende 12d mit der Abdeckschicht 20 bedeckt ist, neigt das Ende 12d dazu, nicht physikalisch oder elektrisch mit der Leiterschicht 30b verbunden zu sein. In der Konfiguration, in der die Öffnung 20d in der Abdeckschicht 20 ausgebildet ist, ist das Ende 12d jedoch leicht physikalisch und elektrisch mit der Leiterschicht 30b verbunden, die durch die Abdeckschicht 20 herausragt. Die Öffnung 20d wird zum Beispiel durch Bestrahlung der Abdeckschicht 20 mit einem Laserstrahl gebildet. Auch in einer Konfiguration, in der das Ende 12d an der Endfläche 1b nicht freiliegt, zum Beispiel wenn die Endfläche 1b abgeschabt ist, kann das Ende 12d an der Endfläche 1b freigelegt sein. Das an der Endfläche 1b freiliegende Ende 12d ist leicht physikalisch und elektrisch mit der Leiterschicht 30b verbunden, die durch die Abdeckschicht 20 ragt. Die Endfläche 1b wird zum Beispiel durch Bestrahlung der Endfläche 1b mit einem Laserstrahl abgeschabt, nachdem die Öffnung 20d durch Bestrahlung der Abdeckschicht 20 mit einem Laserstrahl gebildet wurde.
Bei den elektronischen Bauteilen ED1 und ED2 ist die Abdeckschicht 20 kontinuierlich auf der Endfläche 1a und der Seitenfläche 1c angeordnet. Daher verbessern die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 zuverlässig die mechanische Festigkeit des Elementkörpers 1.
Die Abdeckschicht 20 ist kontinuierlich auf der Endfläche 1b und der Seitenfläche 1c angeordnet. So verbessern die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 zuverlässig die mechanische Festigkeit des Elementkörpers 1.
Bei den elektronischen Bauteilen ED1 und ED2 hat die Abdeckschicht 20 eine Dicke von 1 bis 3 um. Daher verbessern die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 die mechanische Festigkeit des Elementkörpers 1 weiter.
Obwohl das Beispiel und die Modifikation der vorliegenden Offenbarung oben beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht notwendigerweise auf das oben beschriebene Beispiel und die Modifikation beschränkt, und verschiedene Modifikationen können vorgenommen werden, ohne vom Kern der Offenbarung abzuweichen.
Der Bereich E1a kann gegenüber dem Bereich E2a nicht zurückgesetzt sein. Die Konfiguration, bei der der Bereich E1a gegenüber dem Bereich E2a zurückgesetzt ist, verhindert zuverlässiger eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenleiter 10g und der Leiterschicht 30a, wie oben beschrieben.
Der Bereich E1b kann gegenüber dem Bereich E2b nicht zurückgesetzt sein. Die Konfiguration, bei der der Bereich E1b gegenüber dem Bereich E2b zurückgesetzt ist, verhindert zuverlässiger eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenleiter 10b und der Leiterschicht 30b, wie oben beschrieben.
Die Oberflächenrauheit des Bereichs E1a kann nicht größer sein als die Oberflächenrauheit des Bereichs E2a. Die Konfiguration, bei der die Oberflächenrauheit des Bereichs E1a größer ist als die Oberflächenrauheit des Bereichs E2a, verhindert zuverlässiger eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenleiter 10g und der Leiterschicht 30a, wie oben beschrieben.
Die Oberflächenrauheit des Bereichs E1b kann nicht größer sein als die Oberflächenrauheit des Bereichs E2b. Die Konfiguration, bei der die Oberflächenrauheit des Bereichs E1b größer ist als die Oberflächenrauheit des Bereichs E2b, verhindert zuverlässiger eine Abnahme der physikalischen und elektrischen Konnektivität zwischen dem Spulenleiter 10b und der Leiterschicht 30b, wie oben beschrieben.
Die Abdeckschicht 20 kann nicht kontinuierlich auf den Endflächen 1a und 1b und der Seitenfläche 1c angeordnet sein. Die Konfiguration, bei der die Abdeckschicht 20 kontinuierlich auf den Endflächen 1a und 1b und der Seitenfläche 1c angeordnet ist, verbessert die mechanische Festigkeit des Elementkörpers 1 wie oben beschrieben. In einer Konfiguration, in der die Abdeckschicht 20 nicht kontinuierlich auf den Endflächen 1a und 1b und der Seitenfläche 1c angeordnet ist, kann die leitfähige Harzschicht CL mit dem Elementkörper 1 an dessen Abdeckteil in Kontakt sein.
Im vorliegenden Beispiel und in der Modifikation wurde das mehrschichtige Spulenbauteil als ein Beispiel für die elektronischen Bauteile ED1 und ED2 beschrieben, aber das anwendbare elektronische Bauteil ist nicht auf das mehrschichtige Spulenbauteil beschränkt. Beispiele für das anwendbare elektronische Bauteil beinhalten ein mehrschichtiges elektronisches Bauteil wie ein mehrschichtiges Kondensatorbauteil, ein mehrschichtiges Induktorbauteil, ein mehrschichtiges Varistorbauteil, ein mehrschichtiges Feststoffbatteriebauteil, ein mehrschichtiges Thermistorbauteil oder ein mehrschichtiges Verbundbauteil, oder ein anderes elektronisches Bauteil als das mehrschichtige elektronische Bauteil.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 201427071 [0002]

Claims

Ein elektronisches Bauteil, aufweisend: einen Elementkörper; einen Innenleiter, der in dem Elementkörper angeordnet ist; eine Abdeckschicht, die auf einer Außenfläche des Elementkörpers angeordnet ist und eine elektrische Isoliereigenschaft aufweist; und eine Leiterschicht, die auf der Abdeckschicht angeordnet und elektrisch mit dem Innenleiter verbunden ist, wobei die Leiterschicht einen Teil beinhaltet, der durch die Abdeckschicht in Richtung des Elementkörpers ragt und physikalisch und elektrisch mit dem Innenleiter verbunden ist.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 1, wobei die Außenfläche eine Endfläche beinhaltet, an der der Innenleiter freiliegt, und die Abdeckschicht auf der Endfläche angeordnet ist.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 2, wobei der Innenleiter ein an der Endfläche freiliegendes Ende beinhaltet, und der Teil der Leiterschicht das Ende des Innenleiters bedeckt, wenn das Ende und der Teil in einer Richtung orthogonal zur Endfläche betrachtet werden.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 2 oder 3, wobei eine Öffnung in der Abdeckschicht an einer Position ausgebildet ist, die dem Teil der Leiterschicht entspricht, und eine in der Abdeckschicht enthaltene und die Öffnung definierende Kante auf der Endfläche liegt, wenn man sie in einer zur Endfläche orthogonalen Richtung betrachtet.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 2 oder 3, wobei eine Öffnung in der Abdeckschicht an einer Position ausgebildet ist, die dem Teil der Leiterschicht entspricht, die Endfläche einen ersten Bereich, der von der Abdeckschicht durch die Öffnung freigelegt ist, und einen zweiten Bereich beinhaltet, der mit der Abdeckschicht bedeckt ist, und der erste Bereich ist gegenüber dem zweiten Bereich zurückgesetzt.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 2 oder 3, wobei eine Öffnung in der Abdeckschicht an einer Position ausgebildet ist, die dem Teil der Leiterschicht entspricht, die Endfläche einen ersten Bereich, der von der Abdeckschicht durch die Öffnung freigelegt ist, und einen zweiten Bereich beinhaltet, der mit der Abdeckschicht bedeckt ist, und eine Oberflächenrauheit des ersten Bereichs größer ist als die Oberflächenrauheit des zweiten Bereichs.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Außenfläche ferner eine Seitenfläche beinhaltet, die an die Endfläche angrenzt, und die Abdeckschicht kontinuierlich auf der Endfläche und der Seitenfläche angeordnet ist.
Das elektronische Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Abdeckschicht eine Dicke von 1 bis 3 um hat.
Ein elektronisches Bauteil, aufweisend: einen Elementkörper; einen Innenleiter, der in dem Elementkörper angeordnet ist; eine Abdeckschicht, die auf dem Elementkörper angeordnet ist und eine elektrische Isoliereigenschaft aufweist; und eine Leiterschicht, die elektrisch mit dem Innenleiter verbunden ist und einen ersten Teil auf der Abdeckschicht und einen zweiten Teil beinhaltet, der die Abdeckschicht durchdringt und physikalisch mit dem Innenleiter verbunden ist.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 9, wobei der Elementkörper eine Endfläche beinhaltet, an der der Innenleiter freiliegt, und die Abdeckschicht einen Abdeckteil auf der Endfläche beinhaltet.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 10, wobei der Innenleiter ein an der Endfläche freiliegendes Ende beinhaltet, und der zweite Teil der Leiterschicht das Ende des Innenleiters bedeckt, wenn das Ende und der zweite Teil in einer Richtung orthogonal zur Endfläche betrachtet werden.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 10 oder 11, wobei das Abdeckteil mit einer Öffnung an einer Position ausgebildet ist, die dem zweiten Teil entspricht, und eine Kante beinhaltet, die die Öffnung definiert und auf der Endfläche positioniert ist, wenn er in einer Richtung orthogonal zur Endfläche betrachtet wird.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 10 oder 11, wobei die Abdeckschicht mit einer Öffnung an einer Position ausgebildet ist, die dem zweiten Teil der Leiterschicht entspricht, und die Endfläche einen ersten Flächenbereich, der mit der Abdeckschicht bedeckt ist, und einen zweiten Flächenbereich beinhaltet, der von der Abdeckschicht durch die Öffnung freigelegt und gegenüber dem ersten Flächenbereich zurückgesetzt ist.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 10 oder 11, wobei die Abdeckschicht mit einer Öffnung an einer Position ausgebildet ist, die dem zweiten Teil der Leiterschicht entspricht, und die Endfläche einen ersten Flächenbereich, der mit der Abdeckschicht bedeckt ist, und einen zweiten Flächenbereich beinhaltet, der von der Abdeckschicht durch die Öffnung freiliegt und eine Oberflächenrauheit aufweist, die größer ist als die Oberflächenrauheit des ersten Flächenbereichs.
Das elektronische Bauteil nach Anspruch 10 oder 11, wobei der Elementkörper ferner eine Seitenfläche beinhaltet, die an die Endfläche angrenzt, und die Abdeckschicht einen ersten Abdeckteil auf der Endfläche und einen zweiten Abdeckteil auf der Seitenfläche beinhaltet, wobei der erste Abdeckteil und der zweite Abdeckteil kontinuierlich miteinander sind.