DE102023120960A1 - Anzeigevorrichtung - Google Patents

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DE102023120960A1
DE102023120960A1 DE102023120960.4A DE102023120960A DE102023120960A1 DE 102023120960 A1 DE102023120960 A1 DE 102023120960A1 DE 102023120960 A DE102023120960 A DE 102023120960A DE 102023120960 A1 DE102023120960 A1 DE 102023120960A1
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Hoiyong Kwon
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LG Display Co Ltd
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LG Display Co Ltd
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Abstract

Es wird eine Anzeigevorrichtung geschaffen. Die Anzeigevorrichtung umfasst ein erstes Substrat, das eine aktive Fläche, die mehrere Unterpixel enthält, und eine nicht aktive Fläche, die die aktive Fläche einschließt und entweder aus einem durchsichtigen leitenden Oxid oder aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, enthält, eine anorganische Schicht, die am ersten Substrat angeordnet ist, eine Planarisierungsschicht, die an der anorganischen Schicht angeordnet ist, eine Bank, die an der Planarisierungsschicht angeordnet ist, eine Haftschicht, die an der anorganischen Schicht, der Planarisierungsschicht und der Bank angeordnet ist, und ein zweites Substrat, das an der Haftschicht angeordnet ist, wobei die Bank eine erste Bank, die in einer Fläche angeordnet ist, die mit dem ersten Substrat überlappt, und eine zweite Bank, die derart angeordnet ist, dass sie eine Seitenoberfläche der ersten Bank umschließt, enthält, um eine Feuchtigkeitseindringverhinderungscharakteristik zu verbessern und Risse, die an einer Außenumfangsfläche erzeugt werden, zu verringern.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2022-0103431 , eingereicht am 18. August 2022 im Koreanischen Amt für geistiges Eigentum, deren Offenbarung hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen ist.
  • HINTERGRUND
  • Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung und insbesondere auf eine Anzeigevorrichtung, die kein Kunststoffsubstrat verwendet, um eine Feuchtigkeitseindringverhinderungscharakteristik zu verbessern und Risse, die an einer Außenumfangsfläche erzeugt werden, zu verringern.
  • Beschreibung des verwandten Gebiets
  • Als Anzeigevorrichtungen, die für einen Computermonitor, einen Fernseher oder ein Mobiltelefon verwendet werden, sind eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED-Vorrichtung), die eine selbstemittierende Vorrichtung ist, und eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD-Vorrichtung), die eine getrennte Lichtquelle erfordert, bekannt.
  • Ein anwendbarer Bereich der Anzeigevorrichtung wird zu persönlichen digitalen Assistenten sowie Computermonitoren und Fernsehern diversifiziert und eine Anzeigevorrichtung mit einer großen Anzeigevorrichtungsfläche und einem verringerten Volumen und Gewicht wird untersucht. Ferner erhält jüngst eine flexible Anzeigevorrichtung, die durch Bilden eines Anzeigevorrichtungselements und einer Verdrahtungsleitung an einem flexiblen Substrat wie z. B. Kunststoff, der ein flexibles Material ist, hergestellt wird, damit sie in der Lage ist, Bilder anzuzeigen, obwohl die Anzeigevorrichtung geklappt oder gerollt wird, Aufmerksamkeit als eine Anzeigevorrichtung der nächsten Generation.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, die entweder eine durchsichtige leitende Oxidschicht und oder eine Oxidhalbleiterschicht statt eines Kunststoffsubstrats als Substrat verwendet.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, in der Risse eines Substrats und einer anorganischen Schicht, die an einer Außenumfangsfläche der Anzeigevorrichtung erzeugt werden, verringert werden.
  • Eine nochmals weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, in der ein Dichtungselement entfernt ist, um eine Einfassungsfläche zu verringern. Aufgaben der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben erwähnten Aufgaben beschränkt und weitere Aufgaben, die oben nicht erwähnt werden, können durch Fachleute aus den folgenden Beschreibungen klar verstanden werden.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen gegeben.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Anzeigevorrichtung geschaffen. Die Anzeigevorrichtung umfasst ein erstes Substrat, das eine aktive Fläche, die mehrere Unterpixel enthält, und eine nicht aktive Fläche, die die aktive Fläche einschließt und entweder aus einem durchsichtigen leitenden Oxid oder aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, enthält, eine anorganische Schicht, die am ersten Substrat angeordnet ist, eine Planarisierungsschicht, die an der anorganischen Schicht angeordnet ist, eine Bank, die an der Planarisierungsschicht angeordnet ist, eine Haftschicht, die an der anorganischen Schicht, der Planarisierungsschicht und der Bank angeordnet ist, und ein zweites Substrat, das an der Haftschicht angeordnet ist, wobei die Bank eine erste Bank, die in einer Fläche angeordnet ist, die mit dem ersten Substrat überlappt, und eine zweite Bank, die derart angeordnet ist, dass sie eine Seitenoberfläche der ersten Bank umschließt und/oder berührt, um eine Feuchtigkeitseindringverhinderungscharakteristik zu verbessern und Risse, die an einer Außenumfangsfläche erzeugt werden, zu verringern, umfasst.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen umfasst die Anzeigevorrichtung ein erstes Substrat, das eine aktive Fläche, die mehrere Unterpixel enthält, und eine nicht aktive Fläche, die die aktive Fläche einschließt und entweder aus einem durchsichtigen leitenden Oxid oder aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, besitzt, eine anorganische Schicht, die am ersten Substrat angeordnet ist, eine Planarisierungsschicht, die an der anorganischen Schicht angeordnet ist, eine Bank, die an der Planarisierungsschicht angeordnet ist, eine Haftschicht, die an der anorganischen Schicht, der Planarisierungsschicht und der Bank angeordnet ist, und ein zweites Substrat, das an der Haftschicht angeordnet ist, wobei die Bank eine erste Bank, die in einer Fläche angeordnet ist, die mit dem ersten Substrat überlappt, und eine zweite Bank, die derart angeordnet ist, dass sie eine Seitenoberfläche der ersten Bank umschließt, enthält.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Bank derart angeordnet sein, dass sie die anorganische Schicht, die Planarisierungsschicht und die Seitenoberfläche des ersten Substrats umschließt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Bank an derselben Schicht wie das erste Substrat auf einer Außenseite des ersten Substrats angeordnet sein.
  • Somit kann die untere Oberfläche der zweiten Bank auf demselben Niveau wie das untere Niveau des ersten Substrats liegen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anzeigevorrichtung ferner eine flexible dünne Schicht umfassen, die auf einer Seite der nicht aktiven Fläche am ersten Substrat angeordnet ist. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Bank in der nicht aktiven Fläche in einem Seitenabschnitt mit Ausnahme der eine Seite, in der die erste flexible dünne Schicht angeordnet ist, angeordnet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann ein Ende der zweiten Bank auf derselben Ebene wie ein Ende der Haftschicht angeordnet sein oder auf einer Innenseite vom Ende der Haftschicht angeordnet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die erste Bank und die zweite Bank verschiedene Dichten aufweisen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Bank einen gerissenen Abschnitt enthalten.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Bank in einem Zustand sein, in dem zerbröckelte Pulver angesammelt sind.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die erste Bank und die zweite Bank einteilig gebildet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die erste Bank und die zweite Bank derart angeordnet sein, dass sie voneinander beabstandet sind.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Bank von dem ersten Substrat und der anorganischen Schicht beabstandet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Haftschicht in einen getrennten Raum zwischen der zweiten Bank und dem ersten Substrat und der anorganischen Schicht gefüllt sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann eine Breite des getrennten Raums zwischen dem ersten Substrat und der zweiten Bank 100 µm oder weniger sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann ein Ende der zweiten Bank an der Planarisierungsschicht angeordnet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Haftschicht in den getrennten Raum zwischen der ersten Bank und der zweiten Bank gefüllt sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können das erste Substrat und die zweite Bank voneinander beabstandet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Planarisierungsschicht ein Ende der anorganischen Schicht abdecken und derart angeordnet sein, dass sie von der zweiten Bank beabstandet ist. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Haftschicht in einen getrennten Raum zwischen der zweiten Bank und der Planarisierungsschicht gefüllt sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Bank einen ersten Teil, der mit der zweiten Bank verbunden ist, und einen zweiten Teil, der vom ersten Teil beabstandet sein kann, enthalten.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Bank derart angeordnet sein, dass sie näher bei der aktiven Fläche ist als der erste Teil.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der erste Teil von der anorganischen Schicht beabstandet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Haftschicht in einen getrennten Raum zwischen dem ersten Teil und der anorganischen Schicht gefüllt sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann ein Ende der anorganischen Schicht auf der Außenseite vom Ende der Planarisierungsschicht vorstehen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Planarisierungsschicht durch ein Acrylmaterial konfiguriert sein und kann die Bank aus Polyimid gebildet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können ein Ende des ersten Substrats und ein Ende der anorganischen Schicht auf der Innenseite vom Ende des zweiten Substrats angeordnet sein. Gemäß der vorliegenden Offenbarung werden eine durchsichtige leitfähige Oxidschicht und eine Oxidhalbleiterschicht als Substrat der Anzeigevorrichtung verwendet, um eine Feuchtigkeitsdurchlässigkeit einfach zu steuern und eine Flexibilität zu verbessern.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist eine Bank auf einer Außenseite des ersten Substrats angeordnet, um ein vorläufiges Substrat einfach abzutrennen.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung werden Risse der anorganischen Schicht und des ersten Substrats, die von einem Außenumfangsabschnitt der Anzeigevorrichtung erzeugt werden, verringert, um die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung zu verbessern.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird ein Dichtungselement, das an einem Außenumfangsabschnitt der Anzeigevorrichtung angeordnet ist, entfernt, um eine nicht aktive Fläche zu verringern. Die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung wird in rollbaren Fernseher- oder Bildschirmvorrichtungen verwendet, die einen Kasten besitzen, in/aus dem die Anzeigetafel ein- oder ausgerollt wird.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das erste Substrat dünner als die Planarisierungsschicht, als die erste und/oder die zweite Bank, als die Haftschicht und dünner als das zweite Substrat sein. Das erste Substrat kann eine ähnliche Dicke wie die Schichten der anorganischen Schichten 110 besitzen.
  • Die Wirkungen gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die Inhalte beschränkt, die oben veranschaulicht sind, und in der vorliegenden Spezifikation sind mehrere verschiedene Wirkungen enthalten.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die oben beschriebenen und weitere Aspekte, Merkmale und weitere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden genauen Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen deutlicher verstanden; es zeigen:
    • 1 eine Draufsicht einer Anzeigevorrichtung einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 2 eine schematische Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 3 einen Schaltplan eines Unterpixels einer Anzeigevorrichtung einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 4 eine vergrößerte Draufsicht einer Anzeigevorrichtung einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 5 eine Querschnittansicht, die entlang einer Linie V-V' von 4 genommen wurde;
    • 6A eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 6B eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung einer Beispielausführungsform der Offenbarung;
    • 7A eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 7B eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 8A eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 8B eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 9A eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 9B eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 10A eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 10B eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 11A eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung; und
    • 11B eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • GENAUE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORM
  • Vorteile und Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Eigenschaften werden unter Bezugnahme auf beispielhafte Ausführungsformen, die unten zusammen mit den begleitenden Zeichnungen genau beschriebenen sind, deutlich. Allerdings ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die beispielhaften Ausführungsformen beschränkt, die hier offenbart sind, sondern wird in verschiedenen Formen implementiert werden. Die beispielhaften Ausführungsformen sind lediglich beispielhaft vorgesehen, derart, dass Fachleute die Offenbarungen der vorliegenden Offenbarung und den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen können.
  • Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Zahlen und dergleichen, die in den begleitenden Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht sind, sind lediglich Beispiele und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Ähnliche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen überall in der Spezifikation ähnliche Elemente. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung eine genaue Erläuterung bekannter in Beziehung stehender Techniken ausgelassen sein, um ein unnötiges Verschleiern des Gegenstands der vorliegenden Offenbarung zu vermeiden. Die Begriffe wie z. B. „Enthalten“, „Aufweisen“ und „bestehen aus“, die hier verwendet werden, sind im Allgemeinen vorgesehen, um zu ermöglichen, dass weitere Komponenten hinzugefügt werden, sofern die Begriffe nicht mit dem Begriff „lediglich“ verwendet werden. Jegliche Bezüge auf den Singular können den Plural enthalten, sofern es nicht ausdrücklich anders angegeben ist.
  • Komponenten werden derart interpretiert, dass sie einen üblichen Fehlerbereich enthalten, selbst wenn er nicht ausdrücklich angegeben ist.
  • Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen unter Verwendung von Begriffen wie z. B. „an“, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können ein oder mehrere Teile zwischen den zwei Teilen positioniert sein, sofern die Begriffe nicht mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet werden.
  • Wenn ein Element oder eine Schicht „an“ einem weiteren Element oder einer weiteren Schicht angeordnet ist, kann eine weitere Schicht oder ein weiteres Element direkt an dem weiteren Element oder dazwischen angeordnet sein.
  • Obwohl die Begriffe „erste“, „zweite“ und dergleichen zum Beschreiben von verschiedenen Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe begrenzt. Diese Begriffe werden lediglich zum Unterscheiden einer Komponente von den weiteren Komponenten verwendet. Deshalb kann eine erste Komponente, die unten erwähnt werden soll, in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung eine zweite Komponente sein.
  • Ähnliche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen überall in der Spezifikation ähnliche Elemente.
  • Eine Größe und eine Dicke jeder Komponente, die in der Zeichnung veranschaulicht ist, sind zur Vereinfachung der Beschreibung veranschaulicht und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke der Komponente, die veranschaulicht sind, beschränkt.
  • Die Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig aneinandergehängt oder kombiniert werden und können auf technisch verschiedene Weisen ineinandergreifen und betrieben werden und die Ausführungsformen können unabhängig oder in Verbindung miteinander ausgeführt werden.
  • Im Folgenden wird eine Anzeigevorrichtung gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf begleitende Zeichnungen genau beschrieben.
  • 1 ist eine Draufsicht einer Anzeigevorrichtung einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 2 ist eine schematische Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Zur Vereinfachung der Beschreibung sind in 1 unter verschiedenen Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 lediglich ein erstes Substrat 101, mehrere flexible dünne Schichten 160 und mehrere gedruckte Leiterplatten 170 veranschaulicht.
  • Unter Bezugnahme auf 1 und 2 ist das erste Substrat 101 ein Trägerelement, das weitere Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 trägt. Das erste Substrat 101 kann aus einem eines durchsichtigen leitenden Oxids und eines Oxidhalbleiters gebildet sein. Zum Beispiel kann das erste Substrat 101 aus einem durchsichtigen leitenden Oxid (TCO) wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder Indiumzinnzinkoxid (ITZO) gebildet sein.
  • Ferner kann das erste Substrat 101 aus einem Oxidhalbleitermaterial, das aus Indium (In) und Gallium (Ga) gebildet ist, z. B. ein durchsichtiger Oxidhalbleiter wie z. B. Indiumgalliumzinkoxid (IGZO), Indiumgalliumoxid (IGO) und Indiumzinnzinkoxid (ITZO), gebildet sein. Allerdings ist ein Typ eines Materials des durchsichtigen leitenden Oxids und des Oxidhalbleiters veranschaulichend, derart, dass das erste Substrat 101 durch ein weiteres durchsichtiges leitendes Oxid und Oxidhalbleitermaterial gebildet sein kann, die in der Spezifikation nicht beschrieben wurden, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Währenddessen kann das erste Substrat 101 durch Abscheiden des durchsichtigen leitenden Oxids oder eines Oxidhalbleiters mit einer sehr geringen Dicke gebildet sein. Deshalb kann, da das erste Substrat 101 derart gebildet ist, dass es eine sehr geringe Dicke aufweist, das Substrat eine Flexibilität besitzen. Eine Anzeigevorrichtung 100, die das erste Substrat 101, das eine Flexibilität besitzt, enthält, kann als eine flexible Anzeigevorrichtung 100 implementiert sein, die ein Bild selbst in einem geklappten oder einem gerollten Zustand anzeigen kann. Zum Beispiel kann, wenn die Anzeigevorrichtung 100 eine klappbare Anzeigevorrichtung ist, das erste Substrat 101 in Bezug auf eine Klappachse eingeklappt oder ausgeklappt werden. Als ein weiteres Beispiel kann, wenn die Anzeigevorrichtung 100 eine rollbare Anzeigevorrichtung ist, die Anzeigevorrichtung gelagert werden, indem sie um das Rollelement gerollt wird. Entsprechend verwendet die Anzeigevorrichtung 100 der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein erstes Substrat 101, das eine Flexibilität besitzt, um als eine flexible Anzeigevorrichtung 100 wie eine klappbare Anzeigevorrichtung und/oder eine rollbare Anzeigevorrichtung implementiert zu werden.
  • Ferner verwendet die Anzeigevorrichtung 100 der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein erstes Substrat 101, das aus einem durchsichtigen leitenden Oxid oder einem Oxidhalbleiter gebildet ist, um einen Laserabhebeprozess (LLO-Prozess) durchzuführen. Der LLO-Prozess bezieht sich auf einen Prozess des Trennens eines vorläufigen Substrats unter dem ersten Substrat 101 und des ersten Substrats 101 unter Verwendung eines Lasers während des Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung 100. Entsprechend ist das erste Substrat 101 eine Schicht zum einfacheren Durchführen des LLO-Prozesses, derart, dass sie als eine Funktionsdünnschicht, eine Funktionsdünnschicht oder ein Funktionssubstrat bezeichnet werden kann. Der LLO-Prozess wird unten ausführlicher beschrieben.
  • Das erste Substrat 101 enthält eine aktive Fläche AA und eine nicht aktive Fläche NA.
  • Die aktive Fläche AA ist eine Fläche, in der Bilder angezeigt werden. In der aktiven Fläche AA kann eine Pixeleinheit 120, die durch mehrere Unterpixel konfiguriert ist, angeordnet sein, um Bilder anzuzeigen. Zum Beispiel ist die Pixeleinheit 120 durch mehrere Unterpixel konfiguriert, die jeweils eine Leuchtdiode und eine Ansteuerschaltung zum Anzeigen von Bildern enthalten.
  • Die nicht aktive Fläche NA ist eine Fläche, in der kein Bild angezeigt wird, während in der aktiven Fläche AA verschiedene Verdrahtungsleitungen und/oder integrierte Ansteuerschaltungen zum Ansteuern der Unterpixel angeordnet sind. Zum Beispiel können in der nicht aktiven Fläche NA verschiedene integrierte Ansteuerschaltungen wie z. B. eine integrierte Gate-Ansteuerschaltung und eine integrierte Datenansteuerschaltung angeordnet sein.
  • Eine oder mehrere von flexiblen dünnen Schichten 160 können an einem Ende des ersten Substrats 101 angeordnet sein. Die mehreren flexiblen dünnen Schichten 160 sind mit einem Ende des ersten Substrats 101 elektrisch verbunden. Die mehreren flexiblen dünnen Schichten 160 sind durch dünne Schichten gebildet, in denen verschiedene Komponenten an einer dünnen Basisschicht angeordnet sind, die eine Flexibilität besitzt, um ein Signal zu den mehreren Unterpixeln der aktiven Fläche AA zuzuführen. Ein Ende der mehreren flexiblen dünnen Schichten 160 ist in der nicht aktiven Fläche NA des ersten Substrats 101 angeordnet, um eine Datenspannung zu den mehreren Unterpixeln der aktiven Fläche AA zuzuführen. Währenddessen kann, obwohl veranschaulicht ist, dass die mehreren flexiblen dünnen Schichten 160 in 1 vier ist, die Anzahl von flexiblen dünnen Schichten 160 abhängig vom Entwurf variieren, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Währenddessen kann eine integrierte Ansteuerschaltung wie z. B. eine integrierte Gate-Ansteuerschaltung oder eine integrierte Datenansteuerschaltung an den mehreren flexiblen dünnen Schichten 160 angeordnet sein. Die integrierte Ansteuerschaltung ist eine Komponente, die Daten zum Anzeigen von Bildern und/oder ein Ansteuersignal zum Verarbeiten der Daten verarbeitet. Die integrierte Ansteuerschaltung kann abhängig von einem Befestigungsverfahren durch eine Chip-auf-Glas-Technik (COG-Technik), eine Chip-auf-dünner-Schicht-Technik (COF-Technik) oder eine Bandträgerbaugruppentechnik (TCP-Technik) angeordnet sein. In der vorliegenden Spezifikation wird zur Vereinfachung der Beschreibung beschrieben, dass die integrierte Ansteuerschaltung an den mehreren flexiblen dünnen Schichten 160 in einer Chip-auf-dünner-Schicht-Weise montiert ist, jedoch nicht darauf beschränkt ist.
  • Die gedruckte Leiterplatte 170 ist mit den mehreren flexiblen dünnen Schichten 160 verbunden. Die gedruckte Leiterplatte 170 ist eine Komponente, die Signale zur integrierte Ansteuerschaltung liefert. Verschiedene Komponenten können in der gedruckten Leiterplatte 170 angeordnet sein, um verschiedene Ansteuersignale wie z. B. ein Ansteuersignal oder eine Datenspannung zur integrierte Ansteuerschaltung zuzuführen. Währenddessen kann, obwohl zwei gedruckte Leiterplatten 170 in 1 veranschaulicht sind, die Anzahl von gedruckten Leiterplatten 170 abhängig vom Entwurf variieren und ist nicht darauf beschränkt.
  • Unter Bezugnahme auf 2 ist eine anorganische Schicht 110 am ersten Substrat 101 angeordnet. Die anorganische Schicht 110 kann mehrere anorganische Schichten sein, die eine untere Pufferschicht 116, eine obere Pufferschicht 111, eine Gate-Isolationsschicht 112 und eine Passivierungsschicht 113 enthalten, was unten beschrieben werden soll. Die anorganische Schicht 110 wird unten unter Bezugnahme auf 4 bis 6B ausführlicher beschrieben.
  • Eine Bank 115 ist an der anorganischen Schicht 110 angeordnet. Die Bank 115 kann in der nicht aktiven Fläche NA derart angeordnet sein, dass sie das erste Substrat 101 umschließt. Die Bank 115 wird unten unter Bezugnahme auf 4 bis 6B ausführlicher beschrieben.
  • Die Pixeleinheit 120 ist an der anorganischen Schicht 110 angeordnet. Die Pixeleinheit 120 kann derart angeordnet sein, dass sie der aktiven Fläche AA entspricht. Die Pixeleinheit 120 ist eine Komponente, die mehrere Unterpixel enthält, um Bilder anzuzeigen. Die mehreren Unterpixel der Pixeleinheit 120 sind durch eine Minimaleinheit gebildet, die die aktive Fläche AA konfiguriert, und eine Leuchtdiode und eine Ansteuerschaltung können in jedem der mehreren Unterpixel angeordnet sein. Zum Beispiel kann die Leuchtdiode jedes der mehreren Unterpixel eine organische Leuchtdiode enthalten, die eine Anode, eine organische Emissionsschicht und eine Kathode enthält, oder eine LED, die Halbleiterschichten des N-Typs und des P-Typs und eine Emissionsschicht enthält, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die Ansteuerschaltung zum Ansteuern der mehreren Unterpixel kann ein Ansteuerelement wie z. B. einen Dünnschichttransistor oder einen Speicherkondensator enthalten, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Im Folgenden wird zur Vereinfachung der Beschreibung angenommen, dass die Leuchtdiode jedes der mehreren Unterpixel eine organische Leuchtdiode ist, jedoch ist sie nicht darauf beschränkt.
  • Währenddessen kann die Anzeigevorrichtung 100 abhängig von einer Abstrahlrichtung von Licht, das von der Leuchtdiode abgestrahlt wird, durch einen oben abstrahlenden Typ oder einen unten abstrahlenden Typ konfiguriert sein.
  • Gemäß dem oben abstrahlenden Typ wird Licht, das von der Leuchtdiode abgestrahlt wird, zu einem oberen Abschnitt des ersten Substrats 101, an dem die Leuchtdiode angeordnet ist, abgestrahlt. Im Falle des oben abstrahlenden Typs kann eine reflektierende Schicht unter der Anode gebildet sein, um zu ermöglichen, dass das Licht, das von der organischen Leuchtdiode abgestrahlt wird, zum oberen Abschnitt des ersten Substrats 101, d. h. zur Kathode, läuft.
  • Gemäß dem unten abstrahlenden Typ wird Licht, das von der Leuchtdiode abgestrahlt wird, zu einem unteren Abschnitt des ersten Substrats 101 abgestrahlt, an dem die Leuchtdiode angeordnet ist. Im Falle des unten abstrahlenden Typs kann die Anode lediglich aus einem durchsichtigen Leitermaterial gebildet sein und kann die Kathode aus dem Metallmaterial gebildet sein, das einen hohen Reflexionsgrad besitzt, um zu ermöglichen, dass das Licht, das von der Leuchtdiode abgestrahlt wird, zum unteren Abschnitt des ersten Substrats 101 läuft.
  • Im Folgenden wird zur Vereinfachung der Beschreibung die Beschreibung unter der Annahme vorgenommen, dass die Anzeigevorrichtung 100 einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung des unten abstrahlenden Typs ist, jedoch ist sie nicht darauf beschränkt.
  • Eine Haftschicht 130 ist derart angeordnet, dass sie die Pixeleinheit 120 abdeckt. Die Haftschicht 130 dient dazu, das erste Substrat 101 und ein zweites Substrat 140 zu verbinden, und umschließt die Pixeleinheit 120, um die Leuchtdiode der Pixeleinheit 120 vor externer Feuchtigkeit, Sauerstoff und Stößen zu schützen. Die Haftschicht 130 kann durch eine Gleitringdichtungsweise konfiguriert sein. Zum Beispiel kann die Haftschicht 130 durch Bilden eines ultravioletten oder wärmehärtbaren Dichtungsmittels an der gesamten Oberfläche der Pixeleinheit 120 gebildet sein. Allerdings kann die Struktur der Haftschicht 130 durch verschiedene Verfahren und Materialien gebildet werden, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Währenddessen ist das zweite Substrat 140, das einen hohen Modul besitzt und aus einem Metallmaterial, das eine starke Korrosionsbeständigkeit besitzt, gebildet ist, an der Haftschicht 130 angeordnet. Zum Beispiel kann das zweite Substrat 140 aus einem Material gebildet sein, das einen hohen Modul etwa im Bereich von 200 bis 900 MPa besitzt. Das zweite Substrat kann aus einem Metallmaterial, das eine hohe Korrosionsbeständigkeit besitzt und in Form einer Folie oder einer Dünnschicht einfach zu verarbeiten ist, wie z. B. Aluminium (Al), Nickel (Ni), Chrom (Cr), Eisen (Fe) und ein Legierungsmaterial von Nickel gebildet sein. Deshalb kann, da das zweite Substrat 140 aus einem Metallmaterial gebildet ist, das zweite Substrat 140 als eine ultradünne Schicht implementiert sein und eine starke Beständigkeit gegen externe Stöße und Kratzer bereitstellen.
  • Ein Polarisator 150 ist unter dem ersten Substrat 101 angeordnet. Der Polarisator 150 leitet wahlweise Licht weiter, um die Reflexion von externem Licht zu verringern, das auf das erste Substrat 101 einfällt. Speziell sind in der Anzeigevorrichtung 100 verschiedene Metallmaterialien, die auf Halbleitervorrichtungen, Verdrahtungsleitungen und Leuchtdioden aufgebracht werden, am ersten Substrat 101 gebildet. Deshalb kann das externe Licht, das auf das erste Substrat 101 einfällt, vom Metallmaterial reflektiert werden, derart, dass die Sichtbarkeit der Anzeigevorrichtung 100 aufgrund der Reflexion des externen Lichts verringert werden kann. Zum jetzigen Zeitpunkt ist der Polarisator 150, der die Reflexion von externem Licht hemmt, unter dem ersten Substrat 101 angeordnet, um eine Sichtbarkeit im Freien der Anzeigevorrichtung 100 zu erhöhen. Allerdings kann der Polarisator 150 abhängig von einem Implementierungsbeispiel der Anzeigevorrichtung 100 ausgelassen sein.
  • Obwohl sie in der Zeichnung nicht veranschaulicht ist, kann unter dem ersten Substrat 101 eine dünne Sperrschicht zusammen mit dem Polarisator 150, d. h. zwischen dem Polarisator 150 und dem Substrat 101, angeordnet sein. Die dünne Sperrschicht minimiert das Eindringen der Feuchtigkeit und des Sauerstoffs außerhalb des ersten Substrats 101 in das erste Substrat 101, um die Pixeleinheit 120, die eine Leuchtdiode enthält, zu schützen. Allerdings kann die dünne Sperrschicht abhängig von einem Implementierungsbeispiel der Anzeigevorrichtung 100 ausgelassen sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Im Folgenden werden die mehreren Unterpixel der Pixeleinheit 120 unter Bezugnahme auf 3 bis 6B ausführlicher beschrieben.
  • 3 ist ein Schaltplan eines Unterpixels einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Unter Bezugnahme auf 3 enthalten die Ansteuerschaltung zum Ansteuern der Leuchtdiode OLED der mehreren Unterpixel SP einen ersten Transistor TR1, einen zweiten Transistor TR2, einen dritten Transistor TR3 und einen Speicherkondensator SC. Um die Ansteuerschaltung anzusteuern, sind mehrere Verdrahtungsleitungen, die eine Gate-Leitung GL, eine Datenleitung DL, eine Hochpotentialstromleitung VDD, eine Erfassungsleitung SL und eine Bezugsleitung RL enthalten, am ersten Substrat 101 angeordnet.
  • Jeder des ersten Transistors TR1, des zweiten Transistors TR2 und des dritten Transistors TR3, die in der Ansteuerschaltung eines Unterpixels SP enthalten sind, enthält eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode.
  • Der erste Transistor TR1, der zweite Transistor TR2 und der dritte Transistor TR3 können Dünnschichttransistoren des P-Typs oder Dünnschichttransistoren des N-Typs sein. Zum Beispiel kann, da im Dünnschichttransistor des P-Typs Löcher von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode flie-ßen, der Strom von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen. Da im Dünnschichttransistor des N-Typs Elektronen von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen, kann der Strom von der Drain-Elektrode zur Source-Elektrode fließen. Im Folgenden wird die Beschreibung unter der Annahme vorgenommen, dass der erste Transistor TR1, der zweite Transistor TR2 und der dritte Transistor TR3 Dünnschichttransistoren des N-Typs sind, in denen der Strom von der Drain-Elektrode zur Source-Elektrode fließt, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Der erste Transistor TR1 enthält eine erste Gate-Elektrode, eine erste Source-Elektrode und eine erste Drain-Elektrode. Die erste Gate-Elektrode ist mit einem ersten Knoten N1 verbunden, die erste Source-Elektrode ist mit der Anode der Leuchtdiode OLED verbunden und die erste Drain-Elektrode ist mit der Hochpotentialstromleitung VDD verbunden. Wenn eine Spannung des ersten Knotens N1 größer als eine Schwellenwertspannung ist, ist der erste Transistor TR1 eingeschaltet, und wenn die Spannung des ersten Knotens N1 kleiner als die Schwellenwertspannung ist, kann der erste Transistor TR1 ausgeschaltet sein. Wenn der erste Transistor TR1 eingeschaltet ist, kann ein Ansteuerstrom mittels des ersten Transistors TR1 zur Leuchtdiode OLED weitergeleitet werden. Deshalb kann der erste Transistor TR1, der den Ansteuerstrom steuert, der zur Leuchtdiode OLED weitergeleitet wird, als ein Ansteuertransistor bezeichnet werden.
  • Der zweite Transistor TR2 enthält eine zweite Gate-Elektrode, eine zweite Source-Elektrode und eine zweite Drain-Elektrode. Die zweite Gate-Elektrode ist mit der Gate-Leitung GL verbunden, die zweite Source-Elektrode ist mit dem ersten Knoten N1 verbunden und die zweite Drain-Elektrode ist mit der Datenleitung DL verbunden. Der zweite Transistor TR2 kann auf der Grundlage einer Gate-Spannung von der Gate-Leitung GL ein- oder ausgeschaltet werden. Wenn der zweite Transistor TR2 eingeschaltet wird, kann eine Datenspannung von der Datenleitung DL in den ersten Knoten N1 geladen werden. Deshalb kann der zweite Transistor TR2, der durch die Gate-Leitung GL eingeschaltet oder ausgeschaltet wird, auch als ein Schalttransistor bezeichnet werden.
  • Der dritte Transistor TR3 enthält eine dritte Gate-Elektrode, eine dritte Source-Elektrode und eine dritte Drain-Elektrode. Die dritte Gate-Elektrode ist mit der Erfassungsleitung SL verbunden, die dritte Source-Elektrode ist mit dem zweiten Knoten N2 verbunden und die dritte Drain-Elektrode ist mit der Bezugsleitung RL verbunden. Der dritte Transistor TR3 kann auf der Grundlage einer Erfassungsspannung von der Erfassungsleitung SL ein- oder ausgeschaltet werden. Wenn der dritte Transistor TR3 eingeschaltet ist, kann eine Bezugsspannung von der Bezugsleitung RL zu dem zweiten Knoten N2 und dem Speicherkondensator SC weitergeleitet werden. Deshalb kann der dritte Transistor TR3 auch als ein Erfassungstransistor bezeichnet werden.
  • Währenddessen können, obwohl in 3 veranschaulicht ist, dass die Gate-Leitung GL und die Erfassungsleitung SL getrennte Verdrahtungsleitungen sind, die Gate-Leitung GL und die Erfassungsleitung SL als eine Verdrahtungsleitung implementiert sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Der Speicherkondensator SC ist zwischen der ersten Gate-Elektrode und der ersten Source-Elektrode des ersten Transistors TR1 verbunden. Das heißt, der Speicherkondensator SC kann zwischen dem ersten Knoten N1 und dem zweiten Knoten N2 verbunden sein. Der Speicherkondensator SC erhält eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Gate-Elektrode und der ersten Source-Elektrode des ersten Transistors TR1 aufrecht, während die Leuchtdiode OLED Licht abstrahlt, derart, dass ein konstanter Ansteuerstrom zur Leuchtdiode OLED geliefert werden kann. Der Speicherkondensator SC enthält mehrere Kondensatorelektroden und z. B. ist eine der mehreren Kondensatorelektroden mit dem ersten Knoten N1 verbunden und kann die weitere mit dem zweiten Knoten N2 verbunden sein.
  • Die Leuchtdiode OLED enthält eine Anode, eine Emissionsschicht und eine Kathode. Die Anode der Leuchtdiode OLED ist mit dem zweiten Knoten N2 verbunden und die Kathode ist mit der Niederpotentialstromleitung VSS verbunden. Die Leuchtdiode OLED wird mit einem Ansteuerstrom vom ersten Transistor TR1 versorgt, um Licht abzustrahlen.
  • Währenddessen wird in 3 beschrieben, dass die Ansteuerschaltung des Unterpixels SP der Anzeigevorrichtung 100 der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine 3T1C-Struktur besitzt, die drei Transistoren und einen Speicherkondensator SC enthält. Allerdings können die Anzahl und eine Verbindungsbeziehung der Transistoren und des Speicherkondensators in verschiedenen Weisen variieren, die vom Entwurf abhängen und nicht darauf beschränkt sind. 4 ist eine vergrößerte Draufsicht einer Anzeigevorrichtung einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 5 ist eine Querschnittansicht, die entlang der Linie V-V' von 4 genommen wurde. 6A ist eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 6B ist eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vor einem LLO-Prozess. 4 ist eine vergrößerte Draufsicht eines roten Unterpixels SPR, eines weißen Unterpixels SPW, eines blauen Unterpixels SPB und eines grünen Unterpixels SPG, die ein Pixel konfigurieren. In 4 ist zur Vereinfachung der Beschreibung die Bank 115 ausgelassen und sind Kanten der mehreren Farbfilter CF mit einer fetten durchgezogenen Linie veranschaulicht. 6A und 6B sind Querschnittansichten, die entlang der Linie VI-VI' von 1 genommen wurden. 6A ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand vor einem LLO-Prozess eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 4 bis 6B enthält die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein erstes Substrat 101, eine anorganische Schicht 110, eine Planarisierungsschicht 114, eine Bank 115, einen ersten Transistor TR1, einen zweiten Transistor TR2, einen dritten Transistor TR3, einen Speicherkondensator SC, eine Leuchtdiode OLED, eine Gate-Leitung GL, eine Erfassungsleitung SL, eine Datenleitung DL, eine Bezugsleitung RL, eine Hochpotentialstromleitung VDD, mehrere Farbfilter CF, eine Haftschicht 130 und ein zweites Substrat 140.
  • Unter Bezugnahme auf 4 enthalten die mehreren Unterpixel SP ein rotes Unterpixel SPR, ein grünes Unterpixel SPG, ein blaues Unterpixel SPB und ein weißes Unterpixel SPW. Zum Beispiel können das rote Unterpixel SPR, das weiße Unterpixel SPW, das blaue Unterpixel SPB und das grüne Unterpixel SPG in einer Zeilenrichtung sequenziell angeordnet sein. Allerdings ist die Anordnungsreihenfolge der mehreren Unterpixel SP nicht darauf beschränkt.
  • Jedes der mehreren Unterpixel SP enthält eine Emissionsfläche und eine Schaltungsfläche. Die Emissionsfläche ist eine Fläche, in der ein Farblicht unabhängig abgestrahlt werden kann und in dem die Leuchtdiode OLED angeordnet sein kann. Speziell kann in einer Fläche, in der die mehreren Farbfilter CF und die Anode AN überlappen, eine Fläche, die aus der Bank 115 freigelegt ist, um zu ermöglichen, das Licht, das von der Leuchtdiode OLED abgestrahlt wird, zur Außenseite läuft, als eine Emissionsfläche definiert sein. Zum Beispiel kann unter Bezugnahme auf 4 und 5 gemeinsam eine Emissionsfläche des roten Unterpixels SPR eine Fläche sein, die aus der Bank 115 in einer Fläche freigelegt ist, in der der rote Farbfilter CFR und die Anode AN überlappen. Eine Emissionsfläche des grünen Unterpixels SPG kann eine Fläche sein, die aus der Bank 115 in einer Fläche freigelegt ist, in der der grüne Farbfilter CFG und die Anode AN überlappen. Eine Emissionsfläche des blauen Unterpixels SPB kann eine Fläche sein, die aus der Bank 115 in einer Fläche freigelegt ist, in der der blaue Farbfilter CFB und die Anode AN überlappen. Zum jetzigen Zeitpunkt kann in einer Emissionsfläche des weißen Unterpixels SPW, in der kein getrennter Farbfilter CF angeordnet ist, eine Fläche, die mit einem Teil der Anode AN, der aus der Bank 115 freigelegt ist, überlappt, eine weiße Emissionsfläche sein, die weißes Licht abstrahlt.
  • Die Schaltungsfläche ist eine Fläche mit Ausnahme der Emissionsfläche und einer Ansteuerschaltung DP zum Ansteuern der mehreren Leuchtdioden OLED und mehrere Verdrahtungsleitungen, die verschiedene Signale zur Ansteuerschaltung DP weiterleiten, können angeordnet sein. Die Schaltungsfläche, in der die Ansteuerschaltung DP, die mehreren Verdrahtungsleitungen und die Bank 115 angeordnet sind, kann eine Nichtemissionsfläche sein. Zum Beispiel können in der Schaltungsfläche die Ansteuerschaltung DP, die den ersten Transistor TR1, den zweiten Transistor TR2, den dritten Transistor TR3 und den Speicherkondensator SC enthält, mehrere Hochpotentialstromleitungen VDD, mehrere Datenleitungen DL, mehrere Bezugsleitungen RL, mehrere Gate-Leitungen GL, eine Erfassungsleitung SL und die Bank 115 angeordnet sein.
  • Unter Bezugnahme auf 3 bis 6B gemeinsam ist eine anorganische Schicht 110 am ersten Substrat 101 angeordnet. Die anorganische Schicht 110 kann mehrere Schichten enthalten, die durch ein anorganisches Material konfiguriert sind, das am ersten Substrat 101 angeordnet ist. Zum Beispiel kann die anorganische Schicht 110 eine untere Pufferschicht 116, eine obere Pufferschicht 111, eine Gate-Isolationsschicht 112 und eine Passivierungsschicht 113 enthalten, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die anorganische Schicht 110 kann derart angeordnet sein, dass sie ein Ende des ersten Substrats 101 freilegt. Zum Beispiel kann ein Ende der anorganischen Schicht 110 im Ende des ersten Substrats 101 angeordnet sein. Mit anderen Worten deckt die anorganische Schicht 110 das erste Substrat 101 nicht vollständig ab.
  • Allerdings ist sie nicht darauf beschränkt und das Ende der anorganischen Schicht 110 kann mit dem Ende des ersten Substrats 101 übereinstimmen.
  • Die untere Pufferschicht 116 ist am ersten Substrat 101 angeordnet. Die untere Pufferschicht 116 kann hemmen, dass Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff, die von der Außenseite des ersten Substrats 101 eindringen, verbreiten werden. Die Feuchtigkeitseindringcharakteristik der Anzeigevorrichtung 100 kann durch Steuern einer Dicke oder einer Laminierungsstruktur der unteren Pufferschicht 116 gesteuert werden. Ferner kann die untere Pufferschicht 116 verhindern, dass ein kurzer Fehler verursacht wird, wenn das erste Substrat 101, das aus einem durchsichtigen leitenden Oxid oder einem Oxidhalbleiter gebildet ist, mit den weiteren Konfigurationen wie z. B. der Pixeleinheit 120 in Kontakt ist. Die untere Pufferschicht 116 kann aus einem anorganischen Material gebildet sein und kann z. B. durch eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) und Siliziumnitrid (SiNx) konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die mehreren Hochpotentialstromleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL, die mehreren Bezugsleitungen RL und die Lichtabschirmschicht LS sind an der unteren Pufferschicht 116 angeordnet.
  • Die mehreren Hochpotentialstromleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL, die mehreren Bezugsleitungen RL und die Lichtabschirmschicht LS sind an derselben Schicht am ersten Substrat 101 angeordnet und können aus demselben Leitermaterial gebildet sein. Zum Beispiel können die mehreren Hochpotentialstromleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL, die mehreren Bezugsleitungen RL und die Lichtabschirmschicht LS durch ein Leitermaterial wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die mehreren Hochpotentialstromleitungen VDD sind Verdrahtungsleitungen, die das Hochpotentialstromsignal zu jedem der mehreren Unterpixel SP weiterleiten. Die mehreren Hochpotentialstromleitungen VDD können zwischen den mehreren Unterpixeln SP in einer Spaltenrichtung verlaufen und zwei Unterpixel SP, die in der Zeilenrichtung zueinander benachbart sind, können eine Hochpotentialstromleitung VDD unter den mehreren Hochpotentialstromleitungen VDD gemeinsam verwenden. Zum Beispiel ist eine Hochpotentialstromleitung VDD auf einer linken Seite des roten Unterpixels SPR angeordnet, um eine Hochpotentialversorgungsspannung zum ersten Transistor TR1 jedes des roten Unterpixels SPR und des weißen Unterpixels SPW zuzuführen. Die weitere Hochpotentialstromleitung VDD ist auf einer rechten Seite des grünen Unterpixels SPG angeordnet, um eine Hochpotentialversorgungsspannung zum ersten Transistor TR1 jedes des blauen Unterpixels SPB und des grünen Unterpixels SPG zuzuführen.
  • Die mehreren Datenleitungen DL sind Leitungen, die zwischen den mehreren Unterpixeln SP in einer Spaltenrichtung verlaufen, um eine Datenspannung zu jedem der mehreren Unterpixel SP weiterzuleiten, und enthalten eine erste Datenleitung DL1, eine zweite Datenleitung DL2, eine dritte Datenleitung DL3 und eine vierte Datenleitung DL4. Die erste Datenleitung DL1 ist zwischen dem roten Unterpixel SPR und dem weißen Unterpixel SPW angeordnet, um eine Datenspannung zum zweiten Transistor TR2 des roten Unterpixels SPR weiterzuleiten. Die zweite Datenleitung DL2 ist zwischen der ersten Datenleitung DL1 und dem weißen Unterpixel SPW angeordnet, um die Datenspannung zum zweiten Transistor TR2 des weißen Unterpixels SPW weiterzuleiten. Die dritte Datenleitung DL3 ist zwischen dem blauen Unterpixel SPB und dem grünen Unterpixel SPG angeordnet, um eine Datenspannung zum zweiten Transistor TR2 des blauen Unterpixels SPB weiterzuleiten. Die vierte Datenleitung DL4 ist zwischen der dritten Datenleitung DL3 und dem grünen Unterpixel SPG angeordnet, um die Datenspannung zum zweiten Transistor TR2 des grünen Unterpixels SPG weiterzuleiten.
  • Die mehreren Bezugsleitungen RL verlaufen zwischen den mehreren Unterpixeln SP in der Spaltenrichtung, um eine Bezugsspannung zu jedem der mehreren Unterpixel SP weiterzuleiten. Die mehreren Unterpixel SP, die ein Pixel bilden, können eine Bezugsleitung RL gemeinsam verwenden. Zum Beispiel ist eine Bezugsleitung RL zwischen dem weißen Unterpixel SPW und dem blauen Unterpixel SPB angeordnet, um eine Bezugsspannung zu einem dritten Transistor TR3 jedes des roten Unterpixels SPR, des weißen Unterpixels SPW, des blauen Unterpixels SPB und des grünen Unterpixels SPG weiterzuleiten.
  • Unter Bezugnahme auf 4 und 5 gemeinsam ist eine Lichtabschirmschicht LS an der unteren Pufferschicht 116 angeordnet. Die Lichtabschirmschicht LS ist derart angeordnet, dass sie mit der ersten aktiven Schicht ACT1 mindestens des ersten Transistors TR1 unter den mehreren Transistoren TR1, TR2 und TR3 überlappt, um Licht zu blockieren, das auf die erste aktive Schicht ACT1 einfällt. Wenn Licht auf die erste aktive Schicht ACT1 gestrahlt wird, wird ein Leckstrom erzeugt, derart, dass die Zuverlässigkeit des ersten Transistors TR1, der ein Ansteuertransistor ist, geschwächt werden kann. Zum jetzigen Zeitpunkt kann, wenn die Lichtabschirmschicht LS, die durch ein lichtundurchlässiges Leitermaterial wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert ist, derart angeordnet ist, dass sie mit der ersten aktiven Schicht ACT1 überlappt, Licht, das vom unteren Abschnitt des ersten Substrats 101 auf die erste aktive Schicht ACT einfällt, blockiert werden. Entsprechend kann die Zuverlässigkeit des ersten Transistors TR1 verbessert werden. Allerdings ist sie nicht darauf beschränkt und die Lichtabschirmschicht LS kann derart angeordnet sein, dass sie mit der zweiten aktiven Schicht ACT2 des zweiten Transistors TR2 und der dritten aktiven Schicht ACT3 des dritten Transistors TR3 überlappt.
  • Währenddessen kann, obwohl in der Zeichnung veranschaulicht ist, dass die Lichtabschirmschicht LS eine einzelne Schicht ist, die Lichtabschirmschicht LS durch mehrere Schichten gebildet sein. Zum Beispiel kann die Lichtabschirmschicht LS zwischen den anorganischen Schichten 110 gebildet sein, d. h. aus mehreren Schichten gebildet sein, die derart angeordnet sind, dass sie mit der unteren Pufferschicht 116 und/oder der oberen Pufferschicht 111 und/oder der Gate-Isolationsschicht 112 und/oder der Passivierungsschicht 113 dazwischen miteinander überlappen.
  • Die obere Pufferschicht 111 ist an den mehreren Hochpotentialstromleitungen VDD, den mehreren Datenleitungen DL, den mehreren Bezugsleitungen RL und der Lichtabschirmschicht LS angeordnet. Die obere Pufferschicht 111 kann ein Eindringen von Feuchtigkeit oder Verunreinigungen durch das erste Substrat 101 verringern. Zum Beispiel kann die obere Pufferschicht 111 durch eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten von Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Ferner kann die obere Pufferschicht 111 abhängig von einem Typ eines ersten Substrats 101 oder einem Typ eines Transistors ausgelassen sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • In jedem der mehreren Unterpixel SP sind der erste Transistor TR1, der zweite Transistor TR2, der dritte Transistor TR3 und der Speicherkondensator SC an der oberen Pufferschicht 111 angeordnet. Zunächst enthält der erste Transistor TR1 eine erste aktive Schicht ACT1, eine erste Gate-Elektrode GE1, eine erste Source-Elektrode SE1 und eine erste Drain-Elektrode DE1.
  • Die erste aktive Schicht ACT1 ist an der oberen Pufferschicht 111 angeordnet. Die erste aktive Schicht ACT1 kann aus einem Halbleitermaterial wie z. B. einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium oder Polysilizium gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel ist, wenn die erste aktive Schicht ACT1 aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, die erste aktive Schicht ACT1 durch einen Kanalbereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich gebildet und können der Source-Bereich und der Drain-Bereich ist Leiterbereiche sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt. Die Gate-Isolationsschicht 112 ist an der ersten aktiven Schicht ACT1 angeordnet. Die Gate-Isolationsschicht 112 ist eine Schicht zum elektrischen Isolieren der ersten Gate-Elektrode GE1 von der ersten aktiven Schicht ACT1 und kann aus einem Isolationsmaterial gebildet sein. Zum Beispiel kann die Gate-Isolationsschicht 112 durch eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten von Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die erste Gate-Elektrode GE1 ist an der Gate-Isolationsschicht 112 derart angeordnet, dass sie mit der ersten aktiven Schicht ACT1 überlappt. Die erste Gate-Elektrode GE1 kann durch ein Leitermaterial wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Eine erste Source-Elektrode SE1 und eine erste Drain-Elektrode DE1, die voneinander beabstandet sind, sind an der Gate-Isolationsschicht 112 angeordnet. Die erste Source-Elektrode SE1 und die erste Drain-Elektrode DE1 können mit der ersten aktiven Schicht ACT1 durch ein Kontaktloch, das an der Gate-Isolationsschicht 112 gebildet ist, elektrisch verbunden sein. Die erste Source-Elektrode SE1 und die erste Drain-Elektrode DE1 können an derselben Schicht wie die erste Gate-Elektrode GE1 angeordnet sein, um aus demselben Leitermaterial gebildet zu werden, sind jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel können die erste Source-Elektrode SE1 und die erste Drain-Elektrode DE1 durch Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Drain-Elektrode DE1 ist mit den Hochpotentialstromleitungen VDD elektrisch verbunden. Zum Beispiel können die ersten Drain-Elektroden DE1 des roten Unterpixels SPR und des weißen Unterpixels SPW mit der Hochpotentialstromleitung VDD auf der linken Seite des roten Unterpixels SPR elektrisch verbunden sein. Die ersten Drain-Elektroden DE1 des blauen Unterpixels SPB und des grünen Unterpixels SPG können mit der Hochpotentialstromleitung VDD auf der rechten Seite des grünen Unterpixels SPG elektrisch verbunden sein.
  • Zum jetzigen Zeitpunkt kann ferner eine Hilfshochpotentialstromleitung VDDa angeordnet sein, um die erste Drain-Elektrode DE1 mit der Hochpotentialstromleitung VDD elektrisch zu verbinden. Ein Ende der Hilfshochpotentialstromleitung VDDa ist mit der Hochpotentialstromleitung VDD elektrisch verbunden und das weitere Ende kann mit der ersten Drain-Elektrode DE1 jedes der mehreren Unterpixel SP elektrisch verbunden sein. Zum Beispiel ist, wenn die Hilfshochpotentialstromleitung VDDa aus demselben Material an derselben Schicht wie die erste Drain-Elektrode DE1 gebildet ist, ein Ende der Hilfshochpotentialstromleitung VDDa mit der Hochpotentialstromleitung VDD durch ein Kontaktloch, das in der Gate-Isolationsschicht 112 und der oberen Pufferschicht 111 gebildet ist, elektrisch verbunden. Das weitere Ende der Hilfshochpotentialstromleitung VDDa verläuft zur ersten Drain-Elektrode DE1, um mit der ersten Drain-Elektrode DE1 einteilig gebildet zu sein.
  • Zum jetzigen Zeitpunkt können die erste Drain-Elektrode DE1 des roten Unterpixels SPR und die erste Drain-Elektrode DE1 des weißen Unterpixels SPW, die mit denselben Hochpotentialstromleitungen VDD verbunden sind, mit derselben Hilfshochpotentialstromleitung VDDa elektrisch verbunden sein. Die erste Drain-Elektrode DE1 des blauen Unterpixels SPB und die erste Drain-Elektrode DE1 des grünen Unterpixels SPG kann auch mit derselben Hilfshochpotentialstromleitung VDDa verbunden sein. Allerdings können die erste Drain-Elektrode DE1 und die Hochpotentialstromleitung VDD durch ein weiteres Verfahren elektrisch verbunden sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Source-Elektrode SE1 kann mit der Lichtabschirmschicht LS durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden sein, das an der Gate-Isolationsschicht 112 und der oberen Pufferschicht 111 gebildet ist. Ferner kann ein Teil der ersten aktiven Schicht ACT1, der mit der ersten Source-Elektrode SE1 elektrisch verbunden ist, mit der Lichtabschirmschicht LS durch ein Kontaktloch verbunden sein, das an und der oberen Pufferschicht 111 gebildet ist. Wenn die Lichtabschirmschicht LS auf schwebendes Potential gesetzt ist, fluktuiert eine Schwellenwertspannung des ersten Transistors TR1 derart, dass das Ansteuern der Anzeigevorrichtung 100 beeinträchtigt wird. Entsprechend ist die Lichtabschirmschicht LS mit der ersten Source-Elektrode SE1 elektrisch verbunden, um eine Spannung an die Lichtabschirmschicht LS anzulegen, und das Ansteuern des ersten Transistors TR1 muss nicht beeinflusst werden. Allerdings kann in der vorliegenden Spezifikation, obwohl beschrieben wurde, dass sowohl die erste aktive Schicht ACT1 als auch die erste Source-Elektrode SE1 mit der Lichtabschirmschicht LS in Kontakt ist, lediglich eine der ersten Source-Elektrode SE1 und der ersten aktiven Schicht ACT1 in direktem Kontakt mit der Lichtabschirmschicht LS sein. Allerdings ist sie nicht darauf beschränkt.
  • Währenddessen kann, obwohl in 5 veranschaulicht ist, dass die Gate-Isolationsschicht 112 an der gesamten Oberfläche des ersten Substrats 101 gebildet ist, die Gate-Isolationsschicht 112 derart gemustert sein, dass sie lediglich mit der ersten Gate-Elektrode GE1, der ersten Source-Elektrode SE1 und der ersten Drain-Elektrode DE1 überlappt, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Der zweite Transistor TR2 enthält eine zweite aktive Schicht ACT2, eine zweite Gate-Elektrode GE2, eine zweite Source-Elektrode SE2 und eine zweite Drain-Elektrode DE2.
  • Die zweite aktive Schicht ACT2 ist an der oberen Pufferschicht 111 angeordnet. Die zweite aktive Schicht ACT2 kann aus einem Halbleitermaterial wie z. B. einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium oder Polysilizium gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann, wenn die zweite aktive Schicht ACT2 aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, die zweite aktive Schicht ACT2 durch einen Kanalbereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich gebildet sein und können der Source-Bereich und der Drain-Bereich Leiterbereiche sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die zweite Source-Elektrode SE2 ist an der oberen Pufferschicht 111 angeordnet. Die zweite Source-Elektrode SE2 kann mit der zweiten aktiven Schicht ACT2 einteilig gebildet sein, damit sie elektrisch miteinander verbunden sind. Zum Beispiel ist das Halbleitermaterial an der oberen Pufferschicht 111 gebildet und ist ein Teil des Halbleitermaterials leitend gestaltet, um die zweite Source-Elektrode SE2 zu bilden. Deshalb kann ein Teil des Halbleitermaterials, der nichtleitend gestaltet ist, eine zweite aktive Schicht ACT2 sein und kann ein leitender Teil als eine zweite Source-Elektrode SE2 dienen. Allerdings können die zweite aktive Schicht ACT2 und die zweite Source-Elektrode SE2 getrennt gebildet sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die zweite Source-Elektrode SE2 ist mit der ersten Gate-Elektrode GE1 des ersten Transistors TR1 elektrisch verbunden. Die erste Gate-Elektrode GE1 kann mit der zweiten Source-Elektrode SE2 durch ein Kontaktloch, das an der Gate-Isolationsschicht 112 gebildet ist, elektrisch verbunden sein. Entsprechend kann der erste Transistor TR1 durch ein Signal vom zweiten Transistor TR2 eingeschaltet oder ausgeschaltet werden.
  • Die Gate-Isolationsschicht 112 ist an der zweiten aktiven Schicht ACT2 und der zweiten Source-Elektrode SE2 angeordnet. Die zweite Drain-Elektrode DE2 und die zweite Gate-Elektrode GE2 sind an der Gate-Isolationsschicht 112 angeordnet.
  • Die zweite Gate-Elektrode GE2 ist an der Gate-Isolationsschicht 112 derart angeordnet, dass sie mit der zweiten aktiven Schicht ACT2 überlappt. Die zweite Gate-Elektrode GE2 kann mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein und der zweite Transistor TR2 kann auf der Grundlage der Gate-Spannung, die zur zweiten Gate-Elektrode GE2 weitergeleitet wird, eingeschaltet oder ausgeschaltet werden. Die zweite Gate-Elektrode GE2 kann durch ein Leitermaterial wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Währenddessen kann sich die zweite Gate-Elektrode GE2 von der Gate-Leitung GL erstrecken. Das heißt, die zweite Gate-Elektrode GE2 kann mit der Gate-Leitung GL einteilig gebildet sein und die zweite Gate-Elektrode GE2 und die Gate-Leitung GL können aus demselben Leitermaterial gebildet sein. Zum Beispiel kann die Gate-Leitung GL durch Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Gate-Leitung GL ist eine Verdrahtungsleitung, die die Gate-Spannung zu jedem der mehreren Unterpixel SP weiterleitet und schneidet die Schaltungsfläche der mehreren Unterpixel SP, um in der Zeilenrichtung zu verlaufen. Die Gate-Leitung GL verläuft in der Zeilenrichtung, um die mehreren Hochpotentialstromleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL und die mehreren Bezugsleitungen RL, die in der Spaltenrichtung verlaufen, zu schneiden.
  • Die zweite Drain-Elektrode DE2 ist an der Gate-Isolationsschicht 112 angeordnet. Die zweite Drain-Elektrode DE2 ist mit der zweiten aktiven Schicht ACT2 durch ein Kontaktloch, das in der Gate-Isolationsschicht 112 gebildet ist, elektrisch verbunden und kann mit einer der mehreren Datenleitungen DL durch ein Kontaktloch elektrisch, das in der Gate-Isolationsschicht 112 und der oberen Pufferschicht 111 gebildet ist, gleichzeitig verbunden sein. Zum Beispiel ist die zweite Drain-Elektrode DE2 des roten Unterpixels SPR mit der ersten Datenleitung DL1 elektrisch verbunden und kann die zweite Drain-Elektrode DE2 des weißen Unterpixels SPW mit der zweiten Datenleitung DL2 elektrisch verbunden sein. Zum Beispiel ist die zweite Drain-Elektrode DE2 des blauen Unterpixels SPB mit der dritten Datenleitung DL3 elektrisch verbunden und kann die zweite Drain-Elektrode DE2 des grünen Unterpixels SPG mit der vierten Datenleitung DL4 elektrisch verbunden sein. Die zweite Drain-Elektrode DE2 kann durch ein Leitermaterial wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Der dritte Transistor TR3 enthält eine dritte aktive Schicht ACT3, eine dritte Gate-Elektrode GE3, eine dritte Source-Elektrode SE3 und eine dritte Drain-Elektrode DE3.
  • Die dritte aktive Schicht ACT3 ist an der oberen Pufferschicht 111 angeordnet. Die dritte aktive Schicht ACT3 kann aus einem Halbleitermaterial wie z. B. einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium oder Polysilizium gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel ist, wenn die dritte aktive Schicht ACT3 aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, die dritte aktive Schicht ACT3 durch einen Kanalbereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich gebildet und können der Source-Bereich und der Drain-Bereich Leiterbereiche sein, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Gate-Isolationsschicht 112 ist an der dritten aktiven Schicht ACT3 angeordnet. Die dritte Gate-Elektrode GE3, die dritte Source-Elektrode SE3 und die dritte Drain-Elektrode DE3 sind an der Gate-Isolationsschicht 112 angeordnet.
  • Die dritte Gate-Elektrode GE3 ist an der Gate-Isolationsschicht 112 angeordnet, derart, dass sie mit der dritten aktiven Schicht ACT3 überlappt. Die dritte Gate-Elektrode GE3 kann mit der Erfassungsleitung SL elektrisch verbunden sein und der dritte Transistor TR3 kann auf der Grundlage der Erfassungsspannung, die zum dritten Transistor TR3 weitergeleitet wird, eingeschaltet oder ausgeschaltet werden. Die dritte Gate-Elektrode GE3 kann durch ein Leitermaterial wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Währenddessen kann sich die dritte Gate-Elektrode GE3 von der Erfassungsleitung SL erstrecken. Das heißt, die dritte Gate-Elektrode GE3 kann mit der Erfassungsleitung SL einteilig gebildet sein und die dritte Gate-Elektrode GE3 und die Erfassungsleitung SL können aus demselben Leitermaterial gebildet sein. Zum Beispiel kann die Erfassungsleitung SL durch Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Erfassungsleitung SL leitet eine Erfassungsspannung zu jedem der mehreren Unterpixel SP weiter und verläuft zwischen den mehreren Unterpixeln SP in einer Zeilenrichtung. Zum Beispiel verläuft die Erfassungsleitung SL bei einer Begrenzung zwischen den mehreren Unterpixeln SP in der Zeilenrichtung, um die mehreren Hochpotentialstromleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL und die mehreren Bezugsleitungen RL, die in der Spaltenrichtung verlaufen, zu schneiden.
  • Die dritte Source-Elektrode SE3 kann mit der dritten aktiven Schicht ACT3 durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden sein, das an der Gate-Isolationsschicht 112 gebildet ist. Die dritte Source-Elektrode SE3 kann durch ein Leitermaterial wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Ferner kann ein Teil der dritten aktiven Schicht ACT3, die mit der dritten Source-Elektrode SE3 in Kontakt ist, mit der Lichtabschirmschicht LS durch ein Kontaktloch, das in der oberen Pufferschicht 111 gebildet ist, elektrisch verbunden sein. Das heißt, die dritte Source-Elektrode SE3 kann mit der Lichtabschirmschicht LS mit der dritten aktiven Schicht ACT3 dazwischen elektrisch verbunden sein. Deshalb können die dritte Source-Elektrode SE3 und die erste Source-Elektrode SE1 mittels der Lichtabschirmschicht LS elektrisch miteinander verbunden sein.
  • Die dritte Drain-Elektrode DE3 kann mit der dritten aktiven Schicht ACT3 durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden sein, das an der Gate-Isolationsschicht 112 gebildet ist. Die dritte Drain-Elektrode DE3 kann durch ein Leitermaterial wie z. B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder eine Legierung davon konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die dritte Drain-Elektrode DE3 kann mit der Bezugsleitung RL elektrisch verbunden sein. Zum Beispiel können die dritten Drain-Elektroden DE3 des roten Unterpixels SPR, des weißen Unterpixels SPW, des blauen Unterpixels SPB und des grünen Unterpixels SPG mit derselben Bezugsleitung RL elektrisch verbunden sein. Das heißt, die mehreren Unterpixel SP, die ein Pixel bilden, können eine Bezugsleitung RL gemeinsam verwenden.
  • Zum jetzigen Zeitpunkt kann eine Hilfsbezugsleitung RLa derart angeordnet sein, dass sie die Bezugsleitung RL, die in der Spaltenrichtung verläuft, zu den mehreren Unterpixeln SP weiterleitet, die in der Zeilenrichtung parallel angeordnet sind. Die Hilfsbezugsleitung RLa verläuft in der Zeilenrichtung, um die Bezugsleitung RL und die dritte Drain-Elektrode DE3 jedes der mehreren Unterpixel SP elektrisch zu verbinden. Ein Ende der Hilfsbezugsleitung RLa kann mit der Bezugsleitung RL durch ein Kontaktloch, das in der oberen Pufferschicht 111 und der Gate-Isolationsschicht 112 gebildet ist, elektrisch verbunden sein. Das weitere Ende der Hilfsbezugsleitung RLa kann mit der dritten Drain-Elektrode DE3 jedes der mehreren Unterpixel SP elektrisch verbunden sein. In diesem Fall kann die Hilfsbezugsleitung RLa mit der dritten Drain-Elektrode DE3 jedes der mehreren Unterpixel SP einteilig gebildet sein und kann eine Bezugsspannung von der Bezugsleitung RL zur dritten Drain-Elektrode DE3 mittels der Hilfsbezugsleitung RLa weitergeleitet werden. Allerdings kann die Hilfsbezugsleitung RLa von der dritten Drain-Elektrode DE3 getrennt gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Der Speicherkondensator SC ist in der Schaltungsfläche der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Der Speicherkondensator SC kann eine Spannung zwischen der ersten Gate-Elektrode GE1 und der ersten Source-Elektrode SE1 des ersten Transistors TR1 speichern, um zu ermöglichen, dass die Leuchtdiode OLED einen konstanten Zustand für einen Rahmen kontinuierlich aufrechterhält. Der Speicherkondensator SC enthält eine erste Kondensatorelektrode SC1 und eine zweite Kondensatorelektrode SC2.
  • In jedem der mehreren Unterpixel SP ist die erste Kondensatorelektrode SC1 zwischen der unteren Pufferschicht 116 und der oberen Pufferschicht 111 angeordnet. Die erste Kondensatorelektrode SC 1 kann derart angeordnet sein, dass sie unter den leitfähigen Komponenten, die am ersten Substrat 101 angeordnet sind, am nächsten bei dem ersten Substrat 101 ist. Die erste Kondensatorelektrode SC1 kann mit der Lichtabschirmschicht LS einteilig gebildet sein und kann mit der ersten Source-Elektrode SE1 mittels der Lichtabschirmschicht LS elektrisch verbunden sein.
  • Die obere Pufferschicht 111 ist an der ersten Kondensatorelektrode SC1 und der zweiten Kondensatorelektrode SC2 angeordnet ist an der oberen Pufferschicht 111 angeordnet. Die zweite Kondensatorelektrode SC2 kann derart angeordnet sein, dass sie mit der ersten Kondensatorelektrode SC1 überlappt. Die zweite Kondensatorelektrode SC2 ist mit der zweiten Source-Elektrode SE2 einteilig gebildet, um mit der zweiten Source-Elektrode SE2 und der ersten Gate-Elektrode GE1 elektrisch verbunden zu sein. Zum Beispiel ist das Halbleitermaterial an der oberen Pufferschicht 111 gebildet und ist ein Teil des Halbleitermaterials leitfähig gemacht, um die zweite Source-Elektrode SE2 und die zweite Kondensatorelektrode SC2 zu bilden. Entsprechend wirkt ein Teil des Halbleitermaterials, das nicht leitfähig gemacht ist, als eine zweite aktive Schicht ACT2 und kann der leitfähig gemachte Teil als eine zweite Source-Elektrode SE2 und die zweite Kondensatorelektrode SC2 wirken. Wie oben beschrieben ist, ist die erste Gate-Elektrode GE1 mit der zweiten Source-Elektrode SE2 durch das Kontaktloch, das in der Gate-Isolationsschicht 112 gebildet ist, elektrisch verbunden. Entsprechend ist die zweite Kondensatorelektrode SC2 mit der zweiten Source-Elektrode SE2 einteilig gebildet, um mit der zweiten Source-Elektrode SE2 und der ersten Gate-Elektrode GE1 elektrisch verbunden zu sein.
  • Zusammenfassend ist die erste Kondensatorelektrode SC1 des Speicherkondensators SC mit der Lichtabschirmschicht LS einteilig gebildet, um mit der Lichtabschirmschicht LS, der ersten Source-Elektrode SE1 und der dritten Source-Elektrode SE3 elektrisch verbunden zu sein. Entsprechend ist die zweite Kondensatorelektrode SC2 mit der zweiten Source-Elektrode SE2 und der aktiven Schicht ACT2 einteilig gebildet, um mit der zweiten Source-Elektrode SE2 und der ersten Gate-Elektrode GE1 elektrisch verbunden zu sein. Entsprechend erhalten die erste Kondensatorelektrode SC1 und die zweite Kondensatorelektrode SC2, die mit der oberen Pufferschicht 111 dazwischen überlappen, die Spannung der ersten Gate-Elektrode GE1 und der ersten Source-Elektrode SE1 des ersten Transistors TR1 ständig aufrecht, um den konstanten Zustand der Leuchtdiode OLED aufrechtzuerhalten.
  • Die Passivierungsschicht 113 ist an dem ersten Transistor TR1, dem zweiten Transistor TR2, dem dritten Transistor TR3 und dem Speicherkondensator SC angeordnet. Die Passivierungsschicht 113 ist eine Isolationsschicht zum Schützen von Komponenten unter der Passivierungsschicht 113. Zum Beispiel kann die Passivierungsschicht 113 durch eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten von Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Ferner kann die Passivierungsschicht 113 abhängig von der beispielhaften Ausführungsform ausgelassen sein.
  • Mehrere Farbfilter CF sind in der Emissionsfläche jedes der mehreren Unterpixel SP an der Passivierungsschicht 113 angeordnet. Wie oben beschrieben ist, ist die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein unten abstrahlender Typ, in dem Licht, das von der Leuchtdiode OLED abgestrahlt wird, auf den unteren Abschnitt der Leuchtdiode OLED und das erste Substrat 101 gerichtet ist. Deshalb können die mehreren Farbfilter CF unter der Leuchtdiode OLED angeordnet sein. Licht, das von der Leuchtdiode OLED abgestrahlt wird, durchläuft die mehreren Farbfilter CF und kann als verschiedene Lichtfarben implementiert sein.
  • Die mehreren Farbfilter CF enthalten einen roten Farbfilter CFR, einen blauen Farbfilter CFB und einen grünen Farbfilter CFG. Der rote Farbfilter CFR kann in einer Emissionsfläche eines roten Unterpixels SPR der mehreren Unterpixel SP angeordnet sein, der blaue Farbfilter CFB kann in einer Emissionsfläche des blauen Unterpixels SPB angeordnet sein und der grüne Farbfilter CFG kann in einer Emissionsfläche des grünen Unterpixels SPG angeordnet sein.
  • Die Planarisierungsschicht 114 ist an der Passivierungsschicht 113 und den mehreren Farbfiltern CF angeordnet.
  • Die Planarisierungsschicht 114 ist eine Isolationsschicht, die einen oberen Abschnitt des ersten Substrats 101 ebnet, an dem der erste Transistor TR1, der zweite Transistor TR2, der dritte Transistor TR3, der Speicherkondensator SC, die mehreren Hochpotentialstromleitungen VDD, die mehreren Datenleitungen DL, die mehreren Bezugsleitungen RL, die mehreren Gate-Leitungen GL und die mehreren Erfassungsleitungen SL angeordnet sind. Die Planarisierungsschicht 114 kann aus einem organischen Material gebildet sein und kann z. B. durch eine acrylbasierte einzelne Schicht oder mehrere Schichten konfiguriert sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Leuchtdiode OLED ist in einer Emissionsfläche jedes der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Die Leuchtdiode OLED ist an der Planarisierungsschicht 114 in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet. Die Leuchtdiode OLED enthält eine Anode AN, eine Emissionsschicht EL und eine Kathode CA.
  • Die Anode AN ist an der Planarisierungsschicht 114 in der Emissionsfläche angeordnet. Die Anode AN liefert Löcher zur Emissionsschicht EL, derart, dass die Anode aus einem Leitermaterial gebildet sein kann, das eine hohe Austrittsarbeit aufweist. Zum Beispiel kann die Anode AN aus einem durchsichtigen Leitermaterial wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Währenddessen kann die Anode AN sich zur Schaltungsfläche erstrecken. Ein Teil der Anode AN kann von der Emissionsfläche zur ersten Source-Elektrode SE1 der Schaltungsfläche verlaufen und kann mit der ersten Source-Elektrode SE1 durch ein Kontaktloch, das in der Planarisierungsschicht 114 und der Passivierungsschicht 113 gebildet ist, elektrisch verbunden sein. Entsprechend verläuft die Anode AN der Leuchtdiode OLED zu der Schaltungsfläche, die mit der ersten Source-Elektrode SE1 des ersten Transistors TR1 und der zweiten Kondensatorelektrode SC2 des Speicherkondensators SC elektrisch verbunden werden soll.
  • In der Emissionsfläche und der Schaltungsfläche ist die Emissionsschicht EL an der Anode AN angeordnet. Die Emissionsschicht EL kann als eine Schicht über den mehreren Unterpixeln SP gebildet sein. Das heißt, die Emissionsschichten EL der mehreren Unterpixel SP sind miteinander verbunden, derart, dass sie einteilig gebildet sind. Die Emissionsschicht EL kann durch eine Emissionsschicht konfiguriert sein oder kann eine Struktur besitzen, in der mehrere Emissionsschichten, die Licht verschiedener Farbe abstrahlen, laminiert sind. Die Emissionsschicht EL kann ferner eine organische Schicht wie z. B. eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht enthalten.
  • Die Kathode CA ist an der Emissionsschicht EL in der Emissionsfläche und der Schaltungsfläche angeordnet. Die Kathode CA liefert Elektronen zur Emissionsschicht EL, derart, dass die Kathode aus einem Leitermaterial gebildet sein kann, das eine niedrige Austrittsarbeit besitzt. Die Kathode CA kann als eine Schicht über den mehreren Unterpixeln SP gebildet sein. Das heißt, sämtliche Kathoden CA der mehreren Unterpixel SP sind verbunden, derart, dass sie einteilig gebildet sind. Zum Beispiel kann die Kathode CA aus einem durchsichtigen Leitermaterial wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) oder einer Ytterbiumlegierung (Yb-Legierung) gebildet sein und kann ferner eine Metalldotierungsschicht enthalten, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Obwohl es in 4 und 6A nicht veranschaulicht ist, ist die Kathode CA der Leuchtdiode OLED mit der Niederpotentialstromleitung VSS elektrisch verbunden, der eine Niederpotentialversorgungsspannung zugeführt werden soll.
  • Die Bank 115 ist zwischen der Anode AN und der Emissionsschicht EL angeordnet. Die Bank 115 ist derart angeordnet, dass sie mit der aktiven Fläche AA überlappt und die Kante der Anode AN abdeckt. Die Bank 115 ist bei der Begrenzung zwischen den Unterpixeln SP angeordnet, die zueinander benachbart sind, um die Mischung von Licht, das von der Leuchtdiode OLED jedes der mehreren Unterpixel SP abgestrahlt wird, zu verringern. Die Bank 115 kann aus einem Isolationsmaterial gebildet sein und z. B. aus Polyimid gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Währenddessen kann die Bank 115 eine erste Bank 115a und eine zweite Bank 115b enthalten. Die erste Bank 115a und die zweite Bank 115b können mit demselben Material einteilig gebildet sein. Die erste Bank 115a ist in einer Fläche angeordnet, die mit dem ersten Substrat 101 überlappt, und die zweite Bank 115b ist in einer Fläche angeordnet, die mit dem ersten Substrat 101 nicht überlappt. Bevorzugt ist die erste Bank 115a in einer Fläche angeordnet, die mit dem ersten Substrat überlappt und von der Nichtanzeigefläche NOA beginnt und sich in die Anzeigevorrichtungsfläche erstreckt. Die zweite Bank 115b ist lediglich in einer Fläche der Nichtanzeigefläche NOA, insbesondere in der Außenfläche der Nichtanzeigefläche NOA angeordnet. Deshalb verläuft die zweite Bank 115b von einer Außenkante der Anzeigevorrichtung entweder bis sie die erste Bank 115a berührt oder mindestens unter das zweite Substrat 140. Deshalb kann die zweite Bank 115b derart angeordnet sein, dass sie eine Seitenoberfläche der ersten Bank 115a, die anorganische Schicht 110, die Planarisierungsschicht 114 und das erste Substrat 101 umschließt. Die erste Bank 115a ist in der Fläche angeordnet, die mit dem ersten Substrat 101 überlappt, derart, dass die Bank 115, die in 5 veranschaulicht ist, der ersten Bank 115a entspricht. Die Bank 115, die in der nicht aktiven Fläche NA angeordnet ist, wird unter Bezugnahme auf 6A und 6B genau beschrieben.
  • Unter Bezugnahme auf 6B sind in der nicht aktiven Fläche NA der Polarisator 150, das erste Substrat 101, die anorganische Schicht 110, die Planarisierungsschicht 114, die Bank 115, die Kathode CA, die Haftschicht 130 und das zweite Substrat 140 sequenziell angeordnet. Die nicht aktive Fläche NA, die in 6B veranschaulicht ist, ist eine nicht aktive Fläche NA eines Seitenabschnitts mit Ausnahme einer Seite, in der die flexible dünne Schicht 160 am ersten Substrat 101 angeordnet ist.
  • Um den Herstellungsprozess zu beschreiben, ist unter Bezugnahme auf 6A ein vorläufiges Substrat SUB unter dem ersten Substrat 101 mit einer größeren Fläche als das erste Substrat 101 angeordnet, um eine Bodenoberfläche des ersten Substrats 101 abzudecken. Das vorläufige Substrat SUB ist ein Substrat, das das erste Substrat 101 und Komponenten, die am ersten Substrat 101 angeordnet sind, während des Herstellungsprozesses der Anzeigevorrichtung 100 trägt. Das vorläufige Substrat SUB kann aus einem Material gebildet sein, das eine Steifigkeit besitzt. Zum Beispiel kann das vorläufige Substrat SUB aus Glas gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Eine Opferschicht SL ist am vorläufigen Substrat SUB angeordnet. Die Opferschicht SL ist eine Schicht, die gebildet ist, um das vorläufige Substrat SUB und das erste Substrat 101 einfach voneinander zu trennen. Deshalb ist die Opferschicht SL mit derselben Fläche wie das erste Substrat 101 angeordnet und kann mit einer kleineren Fläche als das vorläufige Substrat SUB gebildet sein. Ein Laser wird vom unteren Abschnitt des vorläufigen Substrats SUB auf die Opferschicht SL gestrahlt, um die Opferschicht SL zu dehydrieren und das vorläufige Substrat SUB und die Opferschicht SL vom ersten Substrat 101 zu trennen. Zum Beispiel kann die Opferschicht SL hydriertes amorphes Silizium oder amorphes Silizium, das hydriert und mit Störstellen dotiert ist, verwenden.
  • Das erste Substrat 101 ist an der Opferschicht SL angeordnet. Das erste Substrat 101 kann mit derselben Fläche angeordnet sein, um die Opferschicht SL vollständig zu überlappen.
  • Eine anorganische Schicht 110 ist am ersten Substrat 101 angeordnet. Ein Ende der anorganischen Schicht 110 kann auf der Innenseite vom Ende des ersten Substrats 101 in der nicht aktiven Fläche NA angeordnet sein. Allerdings ist sie nicht darauf beschränkt und das Ende der anorganischen Schicht 110 kann auf derselben Ebene wie das Ende des ersten Substrats 101 angeordnet sein.
  • Die Planarisierungsschicht 114 ist an der anorganischen Schicht 110 angeordnet. Ein Ende der Planarisierungsschicht 114 kann auf der Innenseite vom Ende der organischen Schicht 110 in der nicht aktiven Fläche NA angeordnet sein.
  • Die Bank 115 ist an dem vorläufigen Substrat SUB, dem ersten Substrat 101, der organischen Schicht 110 und der Planarisierungsschicht 114 angeordnet. Die Bank 115 ist derart angeordnet, dass sie die gesamte Oberfläche des vorläufigen Substrats SUB abdeckt. Zum jetzigen Zeitpunkt ist eine Fläche der Bank 115, die mit dem ersten Substrat 101 überlappt, als die erste Bank 115a definiert und kann eine Fläche, die nicht mit dem ersten Substrat 101 überlappt, als die zweite Bank 115b definiert sein. Deshalb kann die zweite Bank 115b in der nicht aktiven Fläche NA mit dem vorläufigen Substrat SUB in direktem Kontakt sein.
  • Die Kathode CA, die Haftschicht 130 und das zweite Substrat 140 können an der Bank 115 angeordnet sein. Die Haftschicht 130 kann in einer Fläche, in der die Kathode CA nicht angeordnet ist, mit der Bank 115 in Kontakt sein. Deshalb ist ein Teil der zweiten Bank 115b in Kontakt mit der Haftschicht 130 und der weitere Teil muss nicht mit der Haftschicht 130 in Kontakt sein. Die Kathode CA ist bevorzugt an der ersten Bank 115a angeordnet.
  • Als nächstes können das erste Substrat 101 und das vorläufige Substrat SUB mittels des LLO-Prozesses voneinander getrennt werden. Die Opferschicht SL kann hydriertes amorphes Silizium oder hydriertes amorphes Silizium, das mit Störstellen dotiert ist, verwenden. Wenn der Laser vom unteren Abschnitt des vorläufigen Substrats SUB zu dem vorläufigen Substrat SUB und der Opferschicht SL abgestrahlt wird, wird der Wasserstoff der Opferschicht SL dehydriert und können die Opferschicht SL und das vorläufige Substrat SUB vom ersten Substrat 101 getrennt werden. Während des LLO-Prozesses kann das vorläufige Substrat SUB, das auf der Außenseite des ersten Substrats 101 und der zweiten Bank 115b angeordnet ist, getrennt werden. Wenn in einer Fläche auf der Außenseite der Opferschicht, eine Schicht angeordnet ist, die aus einem Material gebildet ist, das einen niedrigen Laserabsorptionsgrad besitzt, durchläuft ein Laser, der während des LLO abgestrahlt wird, die entsprechende Schicht, derart, dass es aufgrund des Haftvermögens mit dem vorläufigen Substrat schwierig sein kann, das vorläufige Substrat zu trennen. Obwohl die entsprechende Schicht vom vorläufigen Substrat SUB getrennt ist, wird ein Reißen erzeugt, derart, dass die anorganische Schicht oder das erste Substrat auch reißen kann. Die Bank 115, d. h. die zweite Bank 115b, ist aus Polyimid gebildet, das ein Material ist, das einen relativ hohen Laserabsorptionsgrad besitzt, um den Laser zu absorbieren. Deshalb wird die zweite Bank 115b verformt, derart, dass sie während des LLO-Prozesses zerbröckelt oder reißt. Deshalb kann ein Teil des vorläufigen Substrats SUB, der mit der zweiten Bank 115b in Kontakt ist, während des LLO-Prozesses einfach abgetrennt werden.
  • Wenn der LLO-Prozess abgeschlossen ist, verbleiben, wie in 6B veranschaulicht ist, das erste Substrat 101 und die zweite Bank 115b. Wie oben beschrieben ist, wird die zweite Bank 115b verformt, derart, dass sie während des LLO-Prozesses zerbröckelt oder reißt. Deshalb verbleibt ein Teil der zweiten Bank 115b, der mit der Haftschicht 130 in Kontakt ist, in einem an der Haftschicht 130 angebrachten Zustand, jedoch kann ein Teil, der nicht mit der Haftschicht 130 in Kontakt ist, während des Prozesses des Entfernens des vorläufigen Substrats SUB gemeinsam entfernt werden. Das heißt, ein Teil der zweiten Bank 115b, der nicht mit der Haftschicht 130 in Kontakt ist, wird durch eine äußere Kraft abgetrennt, derart, dass, wie in 6B veranschaulicht ist, schließlich lediglich die zweite Bank 115b, die mit der Haftschicht 130 in Kontakt ist, verbleibt.
  • Als nächstes wird der Polarisator 150 unter der zweiten Bank 115b und dem ersten Substrat 101 angeordnet.
  • Unter Bezugnahme auf 6B kann die zweite Bank 115b an derselben Schicht wie das erste Substrat 101 auf der Außenseite des ersten Substrats 101 angeordnet sein. Die zweite Bank 115b kann derart, dass sie die erste Bank 115a, die Planarisierungsschicht 114, die anorganische Schicht 110 und das erste Substrat 101 umschließt, in der nicht aktiven Fläche angeordnet sein und kann in der nicht aktiven Fläche NA in einem Seitenabschnitt mit Ausnahme einer Seite angeordnet sein, in der die flexible dünne Schicht 160 angeordnet ist. Mit anderen Worten ist in Flächen, in denen die flexiblen dünnen Schichten 160 überlappen oder sich der Anzeigevorrichtung zum Verbinden der gedruckten Leiterplatten 170 mit einem Teil der anorganischen Schichten 110 nähern, keine zweite Bank vorgesehen.
  • Ein Ende der zweiten Bank 115b kann auf derselben Ebene wie das Ende der Haftschicht 130 angeordnet sein. Wie oben beschrieben ist, kann die Haftschicht 130 die zweite Bank 115b, die zerbröckelt oder gerissen ist, halten, derart, dass das Ende der zweiten Bank 115b auf derselben Ebene wie das Ende der Haftschicht 130 angeordnet sein kann. Allerdings kann, wenn ferner ein Teil der zweiten Bank 115b abgetrennt wird, das Ende der zweiten Bank 115b auf der weiter innen liegenden Seite als das Ende der Haftschicht 130 angeordnet sein.
  • Die erste Bank 115a und die zweite Bank 115b können verschiedene Dichten aufweisen. Wie oben beschrieben wird, wird der LLO-Prozess an der zweiten Bank 115b in einem Zustand durchgeführt, in dem die Opferschicht nicht darunter angeordnet ist, jedoch wird der LLO-Prozess an der ersten Bank 115a in einem Zustand durchgeführt, in dem die Opferschicht darunter angeordnet ist. Deshalb wird ein Großteil des Lasers, der auf die erste Bank 115a gerichtet ist, durch die Opferschicht absorbiert, derart, dass die erste Bank 115a als eine einzelne Schicht aufrechterhalten werden kann, ohne zu zerbröckeln oder zu reißen. Allerdings ist im Falle der zweite Bank 115b die Opferschicht nicht unter der zweiten Bank 115b angeordnet und ein Werkstoff der zweiten Bank 115b besitzt einen relativ hohen Laserabsorptionsgrad, derart, dass die zweite Bank 115b während des LLO-Prozesses zerbröckeln oder reißen kann. Deshalb kann schließlich die zweite Bank 115b im gleichen Zustand sein, in dem die erste Bank 115a gerissen ist, oder in einem gleichen Zustand, in dem sich Pulver, das durch ein Zerbröckeln der ersten Bank 115a gebildet wird, ansammelt. Entsprechend kann die Dichte der zweiten Bank 115b von der Dichte der ersten Bank 115a verschieden und kleiner als die Dichte der ersten Bank 115a sein.
  • In der Anzeigevorrichtung 100 der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist das erste Substrat 101 aus einem eines durchsichtigen leitenden Oxids und eines Oxidhalbleiters gebildet, um eine Dicke der Anzeigevorrichtung 100 zu verringern. Im verwandten Gebiet wurde hauptsächlich das Kunststoffsubstrat als das Substrat der Anzeigevorrichtung verwendet. Allerdings wird das Kunststoffsubstrat durch Beschichten und Härten eines Substratmaterials bei einer hohen Temperatur gebildet, derart, dass Probleme dahingehend auftreten, dass es lange dauert und schwierig ist, die Dicke derart zu bilden, dass sie kleiner als ein vorgegebenes Niveau ist. Dagegen können das durchsichtige leitende Oxid und der Oxidhalbleiter durch den Abscheidungsprozess wie z. B. Sputtern derart gebildet werden, dass sie eine sehr geringe Dicke aufweisen. Deshalb ist in der Anzeigevorrichtung 100 der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, das erste Substrat 101, das verschiedene Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 trägt, durch eine durchsichtige leitende Oxidschicht oder die Oxidhalbleiterschicht konfiguriert, um eine Dicke der Anzeigevorrichtung 100 zu verringern und einen schlanken Entwurf zu implementieren.
  • Entsprechend ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 aus einem durchsichtigen leitenden Oxid oder einem Oxidhalbleiter gebildet, um die Flexibilität der Anzeigevorrichtung 100 zu verbessern und die Beanspruchung verringern, die erzeugt wird, wenn die Anzeigevorrichtung 100 verformt wird. Speziell kann, wenn das erste Substrat 101 durch die durchsichtige leitende Oxidschicht oder den Oxidhalbleiter konfiguriert ist, das erste Substrat 101 als eine sehr dünne Schicht gebildet sein. In diesem Fall kann das erste Substrat 101 auch als eine erste durchsichtige Dünnschicht bezeichnet werden. Entsprechend kann die Anzeigevorrichtung 100, die ein erstes Substrat 101 enthält, eine hohe Flexibilität aufweisen und kann die Anzeigevorrichtung 100 einfach gebogen oder gerollt werden. Deshalb ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 durch die durchsichtige leitende Oxidschicht oder den Oxidhalbleiter gebildet, um die Flexibilität der Anzeigevorrichtung 100 zu verbessern. Entsprechend kann auch die Beanspruchung, die erzeugt wird, wenn die Anzeigevorrichtung 100 verformt wird, abgebaut werden, derart, dass die Risse, die in der Anzeigevorrichtung 100 verursacht werden, minimiert werden können.
  • Ferner ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 aus einer einer durchsichtigen leitenden Oxidschicht und einer Oxidhalbleiterschicht gebildet, um die Wahrscheinlichkeit des Erzeugens der statischen Elektrizität im ersten Substrat 101 zu verringern. Wenn das erste Substrat 101 aus Kunststoff gebildet ist, derart, dass die statische Elektrizität erzeugt wird, werden verschiedene Verdrahtungsleitungen und Ansteuerelemente am ersten Substrat 101 beschädigt oder wird das Ansteuern aufgrund der statischen Elektrizität beeinflusst, derart, dass die Anzeigevorrichtungsqualität verschlechtert werden kann. Stattdessen kann, wenn das erste Substrat 101 aus der durchsichtigen leitenden Oxidschicht oder der Oxidhalbleiterschicht gebildet ist, die statische Elektrizität, die im ersten Substrat 101 erzeugt wird, minimiert werden, und eine Konfiguration zum Blockieren und Entladen der statische Elektrizität kann vereinfacht werden. Entsprechend ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 aus der durchsichtigen leitenden Oxidschicht oder dem Oxidhalbleiter gebildet, die eine niedrige Wahrscheinlichkeit des Erzeugens der statischen Elektrizität besitzen. Dadurch kann die Beschädigung oder die Anzeigevorrichtungsqualitätsverschlechterung aufgrund der statischen Elektrizität minimiert werden.
  • Ferner ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 aus einem des durchsichtigen leitenden Oxids und des Oxidhalbleiters gebildet, um das Eindringen der Feuchtigkeit oder des Sauerstoffs der Außenseite in die Anzeigevorrichtung 100 mittels des ersten Substrats 101 zu minimieren. Wenn das erste Substrat 101 aus der durchsichtigen leitenden Oxidschicht oder dem Oxidhalbleiter gebildet ist, wird das erste Substrat 101 in einer Unterdruckumgebung gebildet, derart, dass die Fremdstofferzeugungswahrscheinlichkeit wesentlich niedriger ist. Ferner ist, obwohl der Fremdstoff erzeugt wird, die Größe des Fremdstoffs sehr klein, derart, dass das Eindringen der Feuchtigkeit und des Sauerstoffs in die Anzeigevorrichtung 100 minimiert werden kann. Entsprechend ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 aus einem durchsichtigen leitenden Oxid oder dem Oxidhalbleiter gebildet, die eine niedrige Wahrscheinlichkeit des Erzeugens der Fremdstoffe und eine exzellente Feuchtigkeitseindringverhinderungs-Leistungsfähigkeit besitzen. Dadurch kann die Zuverlässigkeit der Leuchtdiode OLED, die eine organische Schicht enthält, und der Anzeigevorrichtung 100 verbessert werden.
  • In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist das erste Substrat 101 aus einem eines durchsichtigen leitenden Oxids und eines Oxidhalbleiters gebildet und kann nach dem Anbringen einer dünnen Sperrschicht, die dünn und billig ist, unter dem ersten Substrat 101 verwendet werden. Wenn das erste Substrat 101 aus einem Material, das eine niedrige Feuchtigkeitseindring-Leistungsfähigkeit besitzt, z. B. Kunststoff, gebildet ist, kann die Feuchtigkeitseindringverhinderungs-Leistungsfähigkeit durch Anbringen einer hohen dünnen Leistungsfähigkeitssperrschicht ergänzt werden. Allerdings ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 aus einem durchsichtigen leitenden Oxid oder einem Oxidhalbleiter gebildet, die eine exzellente Feuchtigkeitseindringverhinderungs-Leistungsfähigkeit besitzen, derart, dass eine dünne und eine billige Sperrschicht unter dem ersten Substrat 101 angebracht werden kann. Entsprechend ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 durch eines des durchsichtigen leitenden Oxids oder des Oxidhalbleiters konfiguriert, die eine exzellente Feuchtigkeitseindringverhinderungs-Leistungsfähigkeit besitzen, um die Herstellungskosten der Anzeigevorrichtung zu verringern.
  • Ferner ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 aus einem eines durchsichtigen leitenden Oxids und eines Oxidhalbleiters gebildet, um einen Laserabhebeprozess (LLO-Prozess) durchzuführen. Wenn die Anzeigevorrichtung 100 hergestellt wird, wird ein vorläufiges Substrat SUB, in dem eine Opferschicht gebildet ist, unter dem ersten Substrat 101 angebracht und kann dann eine Pixeleinheit 120 am ersten Substrat 101 gebildet werden. Die Opferschicht kann ein hydriertes amorphes Silizium oder ein amorphes Silizium, das hydriert und mit Störstellen dotiert ist, verwenden. Nach Abschluss der Herstellung der Anzeigevorrichtung 100 wird dann, wenn ein Laser vom unteren Abschnitt des vorläufigen Substrats SUB ausgestrahlt wird, der Wasserstoff der Opferschicht dehydriert und können die Opferschicht und das vorläufige Substrat SUB vom ersten Substrat 101 getrennt werden. Zum jetzigen Zeitpunkt sind das durchsichtige leitende Oxid und der Oxidhalbleiter Materialien, die den LLO-Prozess mit der Opferschicht und dem vorläufigen Substrat SUB durchführen können. Deshalb kann, obwohl das erste Substrat 101 aus einem des durchsichtigen leitenden Oxids oder des Oxidhalbleiters gebildet ist, das erste Substrat 101 einfach vom vorläufigen Substrat SUB getrennt werden. Entsprechend ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 durch die durchsichtige leitende Oxidschicht oder den Oxidhalbleiter konfiguriert, die den LLO-Prozess durchführen können. Deshalb kann die Anzeigevorrichtung 100 mit dem bestehenden Prozess und Gerät einfach hergestellt werden.
  • Währenddessen kann, wenn das erste Substrat, das durch die durchsichtige leitende Oxidschicht oder den Oxidhalbleiter konfiguriert ist, verwendet wird, wie oben beschrieben ist, das erste Substrat für den LLO-Prozess in der gesamten Fläche der Anzeigevorrichtung angeordnet sein. Das heißt, das erste Substrat kann in der gesamten aktiven Fläche und nicht aktiven Fläche der Anzeigevorrichtung angeordnet sein. Zum jetzigen Zeitpunkt sind das erste Substrat und die anorganische Schicht an einer Außenfläche der Anzeigevorrichtung angeordnet. Allerdings können, wenn das erste Substrat und die anorganische Schicht in der Außenfläche angeordnet sind, das erste Substrat und die anorganische Schicht einfach reißen, derart, dass sie aufgrund der äußeren Einwirkung beschädigt werden. Ferner können, wenn eine äußere Kraft auf eine Begrenzung des zweiten Substrats, das eine relativ hohe Steifigkeit besitzt, ausgeübt wird, das erste Substrat und die anorganische Schicht in einer Fläche, die einer Begrenzung des zweiten Substrats entspricht, derart reißen, dass sie beschädigt sind. Deshalb kann ein Problem eines Feuchtigkeitseindringens durch die anorganische Schicht auftreten und kann die Zuverlässigkeit geschwächt werden. Außerdem können sich, wenn die Risse im ersten Substrat und der anorganischen Schicht erzeugt werden, die Risse zur weiteren Komponente ausbreiten und können speziell dann, wenn die Risse sich zur Verdrahtungsleitung oder einer Schaltungskonfiguration ausbreiten, Ansteuerfehler auftreten.
  • In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Bank 115 derart konfiguriert sein, dass sie die zweite Bank 115b enthält, die derart angeordnet ist, dass sie die anorganische Schicht 110, die Planarisierungsschicht 114 und eine Seitenoberfläche des ersten Substrats 101 umschließt. Entsprechend kann während des LLO-Prozesses der LLO-Prozess einfach durch das vorläufige Substrat SUB, durch das Laserlicht weitergeleitet wird, und die zweite Bank 115b, die den Laser absorbiert, durchgeführt werden. Zum jetzigen Zeitpunkt kann die Bank 115 durch ein Material konfiguriert sein, das einen hohen Absorptionsgrad für den Laser besitzt. Wenn die Planarisierungsschicht, die aus einem Acrylharz gebildet ist, das einen niedrigen Absorptionsgrad für den Laser besitzt, in direktem Kontakt mit dem vorläufigen Substrat ist, durchläuft der Laser einen Großteil des vorläufigen Substrats und der Planarisierungsschicht, derart, dass das vorläufige Substrat und die Planarisierung nicht einfach getrennt werden müssen. Allerdings wird ähnlich der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Bank 115, die aus Polyimid gebildet ist, das einen hohen Absorptionsgrad für den Laser besitzt, in direktem Kontakt mit dem vorläufigen Substrat SUB ist, der Laser durch die Bank 115 absorbiert, derart, dass die Bank 115 zerbröckeln oder reißen kann. Deshalb verbleibt während des Prozesses des Entfernens des vorläufigen Substrats SUB lediglich die zweite Bank 115b, die mit der Haftschicht 130 in Kontakt ist, unter den Bänken 115 und ein Abschnitt, der nicht mit der Haftschicht 130 in Kontakt ist, kann entfernt werden.
  • Deshalb kann in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der LLO-Prozess einfach durchgeführt werden, ohne das erste Substrat 101 und die anorganische Schicht im Außenabschnitt der Anzeigevorrichtung 100 anzuordnen. Deshalb müssen in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 und die anorganische Schicht 110 nicht im Au-ßenabschnitt der Anzeigevorrichtung 100 angeordnet sein. Ferner müssen das erste Substrat 101 und die anorganische Schicht 110 nicht angeordnet sein, selbst in der Fläche, die der Begrenzung des zweiten Substrats 140 entspricht. Deshalb müssen das erste Substrat 101 und die anorganische Schicht 110 durch die Auswirkung von der Außenseite der Anzeigevorrichtung 100 und eine Beanspruchung, die auf die Begrenzung des zweiten Substrats 140 ausgeübt wird, nicht beschädigt oder gerissen werden. Entsprechend kann in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Zuverlässigkeit verbessert werden und kann auch der Ansteuerfehler aufgrund der Risse verringert werden.
  • Ferner wird in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Dichtungselement, das auf der Außenseite der zweiten Bank 115b und der Haftschicht 130 angeordnet ist, entfernt, um die Einfassungsfläche zu verringern. Im Allgemeinen ist in der Anzeigevorrichtung das Dichtungselement derart angeordnet, dass es eine Seitenoberfläche der Pixeleinheit und der Haftschicht umschließt. Deshalb wird die Einfassung um so viel erhöht, wie die Fläche, in der das Dichtungselement angeordnet ist. In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird während des LLO-Prozesses des Entfernens des vorläufigen Substrats SUB die Bank, die auf der Außenseite der Haftschicht 130 angeordnet ist, entfernt, derart, dass die Notwendigkeit der Anordnung des Dichtungselements entfernt werden kann. Deshalb kann im Vergleich zu dem Fall, dass das Dichtungselement angeordnet ist, die Einfassungsfläche verringert werden.
  • 7A ist eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 7B ist eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Differenzen zwischen einer Anzeigevorrichtung 700 von 7A und 7B und der Anzeigevorrichtung 100 von 1 bis 6A sind lediglich eine Bank 715 und eine Haftschicht 730, jedoch ist die weitere Konfiguration im Wesentlichen gleich, derart, dass eine redundante Beschreibung unterlassen wird.
  • Um einen Herstellungsprozess einer Anzeigevorrichtung 700 zu beschreiben, ist unter Bezugnahme auf 7A eine Bank 715 an einem vorläufigen Substrat SUB, einem ersten Substrat 101, einer anorganischen Schicht 110 und einer Planarisierungsschicht 114 angeordnet.
  • Die Bank 715 enthält eine erste Bank 715a und eine zweite Bank 715b. Eine Fläche der Bank 715, die mit dem ersten Substrat 101 überlappt, ist als die erste Bank 715a definiert und eine Fläche, die nicht mit dem ersten Substrat 101 überlappt, kann als die zweite Bank 715b definiert sein.
  • Die erste Bank 715a und die zweite Bank 715b können derart angeordnet sein, dass sie voneinander beabstandet sind.
  • Ein Ende der ersten Bank 715a kann auf einer weiter innen liegenden Seite als ein Ende der anorganischen Schicht 110 angeordnet sein. Ein Ende der zweiten Bank 715b kann derart angeordnet sein, dass sie mit dem vorläufigen Substrat SUB in der nicht aktiven Fläche NA in Kontakt ist. Deshalb können die anorganische Schicht 110 und ein Teil einer Deckoberfläche des ersten Substrats 101 zwischen der ersten Bank 715a und der zweiten Bank 715b freigelegt sein.
  • Die zweite Bank 715b kann derart angeordnet sein, dass sie vom ersten Substrat 101 beabstandet ist. Zum Beispiel kann eine Breite W eines getrennten Raums zwischen dem ersten Substrat 101 und der zweiten Bank 715b 100 µm oder weniger sein. Ferner kann die zweite Bank 715b auch derart angeordnet sein, dass sie von der anorganischen Schicht 110, die auf der Innenseite des Endes des ersten Substrats 101 angeordnet ist, beabstandet ist.
  • Die Kathode CA, die Haftschicht 730 und das zweite Substrat 140 können an der Bank 715 angeordnet sein. Die Haftschicht 730 kann derart gebildet sein, dass sie in den getrennten Raum zwischen der zweiten Bank 715b und dem ersten Substrat 101 und der anorganischen Schicht 110 gefüllt ist. Zum Beispiel kann die Haftschicht 730 eine Seitenoberfläche der ersten Bank 715a und eine Deckoberfläche des vorläufigen Substrats SUB, eine Seitenoberfläche der anorganischen Schicht 110 und das erste Substrat 101, das durch die erste Bank 715a freigelegt ist, abdecken.
  • Als nächstes können das erste Substrat 101 und das vorläufige Substrat SUB mittels des LLO-Prozesses voneinander getrennt werden. In der Fläche, in der das erste Substrat 101 angeordnet ist, ist die Opferschicht SL zwischen dem ersten Substrat 101 und dem vorläufigen Substrat SUB angeordnet, derart, dass das erste Substrat 101 und das vorläufige Substrat SUB einfach getrennt werden können.
  • Die zweite Bank 715b wird während des LLO-Prozesses verformt, derart, dass sie zerbröckelt oder reißt. Deshalb kann ein Teil des vorläufigen Substrats SUB, der mit der zweiten Bank 715B in Kontakt ist, während des LLO-Prozesses einfach abgetrennt werden.
  • Wenn der LLO-Prozess abgeschlossen ist, wie in 7B veranschaulicht ist, verbleiben das erste Substrat 101 und die zweite Bank 715b. Wie oben beschrieben ist, wird die zweite Bank 715b während des LLO-Prozesses verformt, derart, dass sie zerbröckelt oder reißt. Deshalb verbleibt ein Teil der zweiten Bank 715b, der mit der Haftschicht 730 in Kontakt ist, in einem Zustand, in dem er an der Haftschicht 730 angebracht ist, jedoch kann ein Teil, der mit der Haftschicht 730 nicht in Kontakt ist, während des Prozesses des Entfernens des vorläufigen Substrats SUB gemeinsam entfernt werden. Das heißt, ein Teil der zweiten Bank 715b, der mit der Haftschicht 730 nicht in Kontakt ist, wird durch eine äußere Kraft abgetrennt, derart, dass, wie in 7B veranschaulicht ist, schließlich, lediglich die zweite Bank 715b, die mit der Haftschicht 730 in Kontakt ist, verbleibt.
  • Während des LLO-Prozesses können das vorläufige Substrat SUB und die Haftschicht 730 einfach getrennt werden. Das vorläufige Substrat SUB und die Haftschicht 730 sind durch ein Haftvermögen der Haftschicht 730 angebracht. Allerdings ist, wie oben beschrieben ist, dann, wenn eine Breite W des getrennten Raums zwischen dem ersten Substrat 101 und der zweiten Bank 715b 100 µm oder weniger ist, eine Kontaktfläche der Haftschicht 730 und des vorläufigen Substrats SUB sehr klein. Deshalb können das vorläufige Substrat SUB und die Haftschicht 730 einfach getrennt werden.
  • Als nächstes wird der Polarisator 150 unter der zweiten Bank 715b und dem ersten Substrat 101 angeordnet. Währenddessen kann die Haftschicht 730 derart implementiert sein, dass sie zwischen dem ersten Substrat 101 und der zweiten Bank 715b vorsteht. Zum Beispiel kann die Haftschicht 730 eine Vorsprungsform besitzen, die zwischen das erste Substrat 101 und die zweite Bank 715b gefüllt werden soll, und tatsächlich von Bodenoberflächen der zweiten Bank 715b und des ersten Substrats 101 mit einer Dicke von einigen zehn nm vorstehen. Deshalb kann der Polarisator 150 die Vorsprungsform der Haftschicht 730 ebnen.
  • In der Anzeigevorrichtung 700 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist die Bank 715 derart konfiguriert, dass sie die zweite Bank 715b enthält, die auf einer Außenseite des ersten Substrats 101 angeordnet ist. Deshalb wird der LLO-Prozess durchgeführt, ohne das erste Substrat 101 und die anorganische Schicht 110 auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 700 anzuordnen, um die Zuverlässigkeit zu verbessern. Ferner kann auch der Ansteuerfehler verringert werden, der durch die Risse verursacht wird.
  • Ferner wird in der Anzeigevorrichtung 700 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Dichtungselement, das auf der Außenseite der zweiten Bank 715b und der Haftschicht 730 angeordnet ist, entfernt, um die Einfassungsfläche zu verringern.
  • Ferner ist in der Anzeigevorrichtung 700 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die zweite Bank 715b von der anorganischen Schicht 110 beabstandet, um die Risse der anorganischen Schicht 110 die auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 700 erzeugt wird, zu verringern. Wie oben beschrieben ist, kann die zweite Bank 715b während des LLO-Prozesses zerbröckeln oder reißen. Zum jetzigen Zeitpunkt können sich die Risse durch die Streumaterialien zur anorganischen Schicht der zweiten Bank ausbreiten. Deshalb sind in der Anzeigevorrichtung 700 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die anorganische Schicht 110 und die zweite Bank 715b voneinander beabstandet, um die Risse oder die Beschädigung der anorganischen Schicht 110 aufgrund der Streumaterialien der Bank 715, die während des LLO-Prozesses erzeugt werden, zu blockieren.
  • 8A ist eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 8B ist eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Differenzen zwischen einer Anzeigevorrichtung 800 von 8A und 8B und der Anzeigevorrichtung 100 von 1 bis
  • 6A sind lediglich eine Planarisierungsschicht 814, eine Bank 814 und eine Haftschicht 830, jedoch ist die weitere Konfiguration im Wesentlichen gleich, derart, dass eine redundante Beschreibung unterlassen wird.
  • Um den Herstellungsprozess zu beschreiben, ist unter Bezugnahme auf 8A die Planarisierungsschicht 814 an dem vorläufigen Substrat SUB, dem ersten Substrat 101 und der anorganischen Schicht 110 angeordnet.
  • Ein Ende der Planarisierungsschicht 814 kann auf der weiter außen liegenden Seite als das Ende der anorganischen Schicht 110 und des ersten Substrats 101 in der nicht aktiven Fläche NA angeordnet sein. Zum Beispiel kann die Planarisierungsschicht 814 die Seitenoberfläche des ersten Substrats 101 und der anorganischen Schicht 110 an der anorganischen Schicht 110 abdecken und kann mit dem vorläufigen Substrat SUB auf der Außenseite des ersten Substrats 101 in Kontakt sein.
  • Eine Bank 815 ist an der Planarisierungsschicht 814 angeordnet.
  • Eine Fläche der Bank 815, die mit dem ersten Substrat 101 überlappt, ist als eine erste Bank 815a definiert, und eine Fläche, die mit dem ersten Substrat 101 nicht überlappt, kann als eine zweite Bank 815b definiert sein.
  • Die erste Bank 815a und die zweite Bank 815b können derart angeordnet sein, dass sie voneinander beabstandet sind.
  • Das Ende der ersten Bank 815a kann auf der Weiter innen liegenden Seite als ein Ende der anorganischen Schicht 110 und ein Ende des ersten Substrats 101 an der Planarisierungsschicht 814 angeordnet sein. Zum Beispiel kann die erste Bank 815a in Kontakt mit der Planarisierungsschicht 814 sein, die an der anorganischen Schicht 110 und dem ersten Substrat 101 angeordnet ist.
  • Die zweite Bank 815b kann an derselben Schicht wie das erste Substrat 101 auf der Außenseite des ersten Substrats 101 angeordnet sein. Ferner kann ein Ende der zweiten Bank 815b an der Planarisierungsschicht 814 angeordnet sein. Deshalb kann die zweite Bank 815b das Ende der Planarisierungsschicht 814 abdecken. Zum jetzigen Zeitpunkt kann die zweite Bank 815b derart angeordnet sein, dass sie mit der Planarisierungsschicht 814 und dem vorläufigen Substrat SUB in Kontakt ist. Deshalb kann ein Ende der zweiten Bank 815b mit dem vorläufigen Substrat SUB in der nicht aktiven Fläche NA auf der Außenseite der Planarisierungsschicht 814, die in der nicht aktiven Fläche NA angeordnet ist, in Kontakt sein.
  • Deshalb kann ein Teil einer Deckoberfläche der Planarisierungsschicht 814 zwischen der ersten Bank 815a und der zweiten Bank 815b freigelegt sein.
  • Die Kathode CA, die Haftschicht 830 und das zweite Substrat 140 können an der Bank 815 angeordnet sein. Die Haftschicht 830 kann derart gebildet sein, dass sie in einen getrennten Raum zwischen der ersten Bank 815a und der zweiten Bank 815b gefüllt ist.
  • Als nächstes können das erste Substrat 101 und das vorläufige Substrat SUB mittels des LLO-Prozesses getrennt werden. In der Fläche, in der das erste Substrat 101 angeordnet ist, ist die Opferschicht SL zwischen dem ersten Substrat 101 und dem vorläufigen Substrat SUB angeordnet, derart, dass das erste Substrat 101 und das vorläufige Substrat SUB einfach getrennt werden können.
  • Die zweite Bank 815b wird während des LLO-Prozesses verformt, derart, dass sie zerbröckelt oder reißt. Deshalb kann ein Teil des vorläufigen Substrats SUB, der mit der zweiten Bank 815b in Kontakt ist, während des LLO-Prozesses einfach getrennt werden.
  • Ferner kann, wenn die zweite Bank 815b derart angeordnet ist, dass sie mit der Planarisierungsschicht 814 am vorläufigen Substrat SUB in Kontakt, die zweite Bank 815b Licht absorbieren, das das vorläufige Substrat SUB und die Planarisierungsschicht 814 durchläuft. Deshalb kann eine Grenzfläche der zweiten Bank 815b und der Planarisierungsschicht 814 während des Prozesses des Entfernens des vorläufigen Substrats SUB getrennt werden.
  • Wenn der oben beschriebene LLO-Prozess abgeschlossen ist, wie in 8B veranschaulicht ist, verbleiben das erste Substrat 101 und die zweite Bank 815b. Wie oben beschrieben ist, wird die zweite Bank 815b verformt, derart, dass sie während des LLO-Prozesses zerbröckelt oder reißt. Deshalb verbleibt ein Teil der zweiten Bank 815b, die mit der Haftschicht 830 in Kontakt ist, in einem Zustand, in dem er an der Haftschicht 830 angebracht ist, jedoch kann ein Teil, der mit der Haftschicht 830 nicht in Kontakt ist, während des Prozesses des Entfernens des vorläufigen Substrats SUB entfernt werden. Das heißt, ein Teil der zweiten Bank 815b, der mit der Haftschicht 830 nicht in Kontakt ist, wird durch eine äußere Kraft abgetrennt, derart, dass, wie in 8B veranschaulicht ist, schließlich lediglich die zweite Bank 815b, die mit der Haftschicht 830 in Kontakt ist, verbleibt.
  • Als nächstes wird der Polarisator 150 unter der zweiten Bank 815b, der Planarisierungsschicht 814 und dem ersten Substrat 101 angeordnet.
  • Unter Bezugnahme auf 8B wird die Planarisierungsschicht 814, die mit dem vorläufigen Substrat SUB in Kontakt ist, während des LLO-Prozesses entfernt, derart, dass, wie in 8B veranschaulicht ist, ein erster Raum 880 vorhanden sein kann, der ein leerer Raum ist, der durch das erste Substrat 101, den Polarisator 150, die zweite Bank 815b und die Planarisierungsschicht 814 eingeschlossen ist. Allerdings ist er nicht darauf beschränkt und der erste Raum 880 kann durch eine Haftschicht gefüllt sein, die für den Anhaftungsprozess des Polarisators 150 verwendet wird.
  • Die Planarisierungsschicht 814 kann die Seitenoberfläche der anorganischen Schicht 110 in einer Fläche, die mit der anorganischen Schicht 110 und dem ersten Substrat 101 überlappt, umschließen. Die Kathode CA, die Haftschicht 830 und das zweite Substrat 140 können an der Bank 815 angeordnet sein. Die Haftschicht 830 kann in einen getrennten Raum zwischen der ersten Bank 815a und der zweiten Bank 815b gefüllt sein. Zum Beispiel kann die Haftschicht 830 eine Deckoberfläche der Planarisierungsschicht 814 abdecken, die zwischen der ersten Bank 815a und der zweiten Bank 815b freigelegt ist.
  • In der Anzeigevorrichtung 800 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist die Bank 815 konfiguriert, die zweite Bank 815b zu enthalten, die auf einer Außenseite des ersten Substrats 101 angeordnet ist. Deshalb wird der LLO-Prozess durchgeführt, ohne das erste Substrat 101 und die anorganische Schicht 110 auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 800 anzuordnen, um die Zuverlässigkeit zu verbessern. Ferner kann auch der Ansteuerfehler, der durch die Risse verursacht wird, verringert werden.
  • Ferner wird in der Anzeigevorrichtung 800 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Dichtungselement, das auf der Außenseite der zweiten Bank 815b und der Haftschicht 830 angeordnet ist, entfernt, um die Einfassungsfläche zu verringern.
  • Ferner ist in der Anzeigevorrichtung 800 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die zweite Bank 815b von der anorganischen Schicht 110 beabstandet, um die Risse der anorganischen Schicht 110, die auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 800 erzeugt wird, zu verringern. Wie oben beschrieben ist, kann die zweite Bank 815b während des LLO-Prozesses zerbröckeln oder reißen. Zum jetzigen Zeitpunkt können sich die Risse durch die Streumaterialien der zweiten Bank zur anorganischen Schicht ausbreiten. Deshalb sind in der Anzeigevorrichtung 800 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die anorganische Schicht 110 und die zweite Bank 815b voneinander beabstandet, um die Risse oder die Beschädigung der anorganischen Schicht 110 aufgrund der Streumaterialien der Bank 815, die während des LLO-Prozesses erzeugt werden, zu blockieren.
  • In der Anzeigevorrichtung 800 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist die Planarisierungsschicht 814 in einen Raum gefüllt, der durch das erste Substrat 101 und die zweite Bank 815b freigelegt ist, um den LLO-Prozess einfach durchzuführen. Das heißt, wenn die Planarisierungsschicht 814 mit dem vorläufigen Substrat SUB auf der Außenseite des ersten Substrats 101 in Kontakt ist, können, obwohl eine Breite W des getrennten Raums zwischen dem ersten Substrat 101 und der zweiten Bank 815b nicht zu 100 µm oder weniger miniaturisiert wird, das vorläufige Substrat SUB und das erste Substrat 101 einfach getrennt werden. Deshalb ist es nicht nötig, eine Prozessmarge zum Sicherstellen eines Raums zwischen dem ersten Substrat 101 und der zweiten Bank 815b einzustellen, derart, dass der Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung 800 einfacher durchgeführt werden kann.
  • 9A ist eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 9B ist eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Differenzen zwischen einer Anzeigevorrichtung 900 von 9A und 9B und der Anzeigevorrichtung 100 von 1 bis
  • 6A sind lediglich eine Bank 915 und eine Haftschicht 930, jedoch ist die weitere Konfiguration im Wesentlichen gleich, derart, dass eine redundante Beschreibung unterlassen wird.
  • Um einen Herstellungsprozess zu beschreiben, ist unter Bezugnahme auf 9A eine Bank 915 an einem vorläufigen Substrat SUB, einem ersten Substrat 101, einer anorganischen Schicht 110 und einer Planarisierungsschicht 141 angeordnet.
  • Die Bank 915 enthält eine erste Bank 915a und eine zweite Bank 915b. Eine Fläche der Bank 915, die mit dem ersten Substrat 101 überlappt, ist als die erste Bank 915a definiert, und eine Fläche, die mit dem ersten Substrat 101 nicht überlappt, kann als die zweite Bank 915b definiert sein.
  • Die erste Bank 915a enthält einen ersten Teil 915a-1, der mit der zweiten Bank 915b verbunden ist, und einen zweiten Teil 915a-2, der vom ersten Teil 915a-1 beabstandet ist und derart angeordnet ist, dass er näher bei der aktiven Fläche AA ist als der erste Teil 915a-1.
  • Der erste Teil 915a-1 der ersten Bank 915 kann am ersten Substrat 101 angeordnet sein, das durch die anorganische Schicht 110 freigelegt ist. Das heißt, der erste Teil 915a-1 kann das Ende des ersten Substrats 101 abdecken. Ferner kann der erste Teil 915a-1 derart angeordnet sein, dass er von der Planarisierungsschicht 114 beabstandet ist. Zum jetzigen Zeitpunkt kann, wenn ein Ende der anorganischen Schicht 110 von einem Ende der Planarisierungsschicht 114 zur Außenseite vorsteht, der erste Teil 915a-1 derart angeordnet sein, dass er von der anorganischen Schicht 110 beabstandet ist. Der zweite Teil 915a-2 der ersten Bank 915 kann in einer Fläche angeordnet sein, die mit dem ersten Substrat 101 überlappt. Zum jetzigen Zeitpunkt kann das Ende des zweiten Teils 915a-2 zwischen einem Ende der Kathode CA und dem Endes der Planarisierungsschicht 114 angeordnet sein. Wie in 9A und 9B veranschaulicht ist, kann der zweite Teil 915a-2 in einer Fläche angeordnet sein, die mit der Kathode CA überlappt.
  • Die zweite Bank 915b kann derart angeordnet sein, das sie mit dem vorläufigen Substrat SUB in Kontakt ist. Zum jetzigen Zeitpunkt kann die zweite Bank 915b derart angeordnet sein, dass sie mit dem ersten Teil 915a-1, der am ersten Substrat 101 angeordnet ist, verbunden ist.
  • Die Kathode CA, die Haftschicht 930 und das zweite Substrat 140 können an der Bank 915 angeordnet sein. Die Haftschicht 930 kann derart gebildet sein, dass sie in einen getrennten Raum zwischen dem ersten Teil 915a-1 und der anorganischen Schicht 110 gefüllt ist.
  • Als nächstes können das erste Substrat 101 und das vorläufige Substrat SUB mittels des LLO-Prozesses getrennt werden. In der Fläche, in der das erste Substrat 101 angeordnet ist, ist die Opferschicht SL zwischen dem ersten Substrat 101 und dem vorläufigen Substrat SUB angeordnet, derart, dass das erste Substrat 101 und das vorläufige Substrat SUB einfach getrennt werden können.
  • Die zweite Bank 915b wird während des LLO-Prozesses verformt, derart, dass sie zerbröckelt oder reißt. Deshalb kann ein Teil des vorläufigen Substrats SUB, das mit der zweiten Bank 915b in Kontakt ist, während des LLO-Prozesses einfach getrennt werden.
  • Wenn der LLO-Prozess abgeschlossen ist, verbleiben, wie in 9B veranschaulicht ist, das erste Substrat 101 und die zweite Bank 915b. Wie oben beschrieben ist, wird die zweite Bank 915b verformt, derart, dass sie während des LLO-Prozesses zerbröckelt oder reißt. Deshalb verbleibt ein Teil der zweiten Bank 915b, der mit der Haftschicht 930 in Kontakt ist, in einem Zustand, dass er an der Haftschicht 930 angebracht ist, jedoch kann ein Teil, der mit der Haftschicht 930 nicht in Kontakt ist, während des Prozesses des Entfernens des vorläufigen Substrats SUB gemeinsam entfernt werden. Das heißt, ein Teil der zweiten Bank 915b, der mit der Haftschicht 930 nicht in Kontakt ist, wird durch eine äußere Kraft abgetrennt, derart, dass, wie in 9B veranschaulicht ist, schließlich lediglich die zweite Bank 915b, die mit der Haftschicht 930 in Kontakt ist, verbleibt.
  • Als nächstes wird der Polarisator 150 unter der zweiten Bank 915b und dem ersten Substrat 101 angeordnet.
  • In der Anzeigevorrichtung 900 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist die Bank 915 konfiguriert, eine zweite Bank 915b zu enthalten, die auf einer Außenseite des ersten Substrats 101 angeordnet ist. Deshalb wird der LLO-Prozess durchgeführt, ohne das erste Substrat 101 und die anorganische Schicht 110 auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 900 anzuordnen, um die Zuverlässigkeit zu verbessern. Ferner kann auch der Ansteuerfehler, der durch die Risse verursacht wird, verringert werden.
  • Ferner wird in der Anzeigevorrichtung 900 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Dichtungselement, das auf der Außenseite der zweiten Bank 915b und der Haftschicht 930 angeordnet ist, entfernt, um die Einfassungsfläche zu verringern.
  • Ferner ist in der Anzeigevorrichtung 900 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die zweite Bank 915b von der anorganischen Schicht 110 beabstandet, um die Risse der anorganischen Schicht 110, die auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 900 erzeugt werden, zu verringern. Wie oben beschrieben ist, kann die zweite Bank 915b während des LLO-Prozesses zerbröckeln oder reißen. Zum jetzigen Zeitpunkt können sich die Risse durch die Streumaterialien der zweiten Bank zur anorganischen Schicht ausbreiten. Deshalb sind in der Anzeigevorrichtung 900 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die anorganische Schicht 110 und die zweite Bank 915b beabstandet, um die Risse oder die Beschädigung der anorganischen Schicht 110 aufgrund des Streumaterials der Bank 915, das während des LLO-Prozesses erzeugt wird, zu blockieren.
  • Ferner ist in der Anzeigevorrichtung 900 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Bank 915 derart angeordnet, dass sie das Ende des ersten Substrats 101 abdeckt, um den LLO-Prozess einfach durchzuführen. Unter Bezugnahme auf 9A ist eine Deckoberfläche des vorläufigen Substrats SUB lediglich mit der Opferschicht SL und der Bank 915 in Kontakt, ist jedoch nicht mit der weiteren organischen Schicht oder der Haftschicht in Kontakt. Deshalb wird während des LLO-Prozesses in einer Fläche, in der das erste Substrat 101 und die Opferschicht SL angeordnet sind, das vorläufige Substrat SUB vom ersten Substrat 101 einfach getrennt und kann von der zweiten Bank 915b in einer Fläche einfach getrennt werden, in der die zweite Bank 915 angeordnet ist. Deshalb kann in der Anzeigevorrichtung 900 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der LLO-Prozess einfach durch Anordnen des ersten Substrats 101 und der Bank 915 durchgeführt werden und ein Rissfehler der weiteren Komponente muss nicht verursacht werden.
  • 10A ist eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 10B ist eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Differenzen zwischen einer Anzeigevorrichtung 1000 von 10A und 10B und der Anzeigevorrichtung 900 von 9A und 9B sind lediglich eine Bank 1015, eine anorganische Schicht 1010, eine Planarisierungsschicht 1014 und eine Haftschicht 1030, jedoch ist die weitere Konfiguration im Wesentlichen gleich, derart, dass eine redundante Beschreibung unterlassen wird.
  • Um den Herstellungsprozess zu beschreiben, ist unter Bezugnahme auf 10A eine anorganische Schicht 1010 an dem vorläufigen Substrat SUB und dem ersten Substrat 101 angeordnet.
  • Um eine freigelegte Fläche des ersten Substrats 101 zu erhöhen, kann die anorganische Schicht 1010 derart angeordnet sein, dass sie in der Nähe eines Endes der Kathode CA ist, die in der nicht aktiven Fläche NA angeordnet ist.
  • Die Planarisierungsschicht 1014 ist an der anorganischen Schicht 1010 angeordnet. Die Planarisierungsschicht 1014 kann derart angeordnet sein, dass sie ein Ende der anorganischen Schicht 1010 abdeckt. Die Planarisierungsschicht 1014 kann derart angeordnet sein, dass sie mit einer Deckoberfläche der anorganischen Schicht 1010 und einem Teil des ersten Substrats 101, der durch die anorganische Schicht 1010 freigelegt ist, überlappt. Deshalb kann die Planarisierungsschicht 1014 derart angeordnet sein, dass sie die Deckoberfläche und eine Seitenoberfläche der anorganischen Schicht 1010 umschließt, während sie die anorganische Schicht 1010 versiegelt.
  • Eine Bank 1015 ist an der Planarisierungsschicht 1014 angeordnet. Die Bank 1015 enthält eine erste Bank 1015a und eine zweite Bank 1015b. Die erste Bank 1015a kann in einer Fläche angeordnet sein, die mit dem ersten Substrat 101 überlappt. Zum jetzigen Zeitpunkt kann das Ende der ersten Bank 1015a zwischen einem Ende der Kathode CA und dem Ende der Planarisierungsschicht 1014 angeordnet sein. Wie in 10A und 10B veranschaulicht ist, kann die erste Bank 1015a in einer Fläche angeordnet sein, die mit der Kathode CA überlappt.
  • Die zweite Bank 1015b kann derart angeordnet sein, dass sie mit dem vorläufigen Substrat SUB in Kontakt ist. Zum jetzigen Zeitpunkt kann die zweite Bank 1015b am ersten Substrat 101 angeordnet sein, das durch die anorganische Schicht 1010 freigelegt ist. Das heißt, die zweite Bank 1015b kann das Ende des ersten Substrats 101 abdecken. Ferner kann die zweite Bank 1015b derart angeordnet sein, dass sie von der Planarisierungsschicht 1014 beabstandet ist. Zum Beispiel kann eine Oberfläche des vorläufigen Substrats SUB zwischen der Planarisierungsschicht 1014 und der zweiten Bank 1015b freigelegt sein.
  • Die Kathode CA, die Haftschicht 1030 und das zweite Substrat 140 können an der Bank 1015 angeordnet sein.
  • Die Haftschicht 1030 kann derart gebildet sein, dass sie in einem getrennten Raum zwischen der zweiten Bank 1015b und der Planarisierungsschicht 1014 gefüllt ist. Zum Beispiel kann die Haftschicht 1030 eine Seitenoberfläche der zweiten Bank 1015b, eine Seitenoberfläche der Planarisierungsschicht 1014 und einer Deckoberfläche des vorläufigen Substrats SUB, die durch die zweite Bank 1015b und die Planarisierungsschicht 1014 freigelegt ist, abdecken.
  • Als nächstes kann das SUB mittels des LLO-Prozesses getrennt werden. In der Fläche, in der das erste Substrat 101 angeordnet ist, wird das erste Substrat 101 zusammen mit dem vorläufigen Substrat SUB aus der Fläche entfernt, in der die Haftschicht 1030, die Planarisierungsschicht 1014 und die zweite Bank 1015b mit dem ersten Substrat 101 in Kontakt sind. In der verbleibenden Fläche können das erste Substrat 101 und das vorläufige Substrat SUB einfach getrennt werden.
  • Die zweite Bank 1015b wird während des LLO-Prozesses verformt, derart, dass sie zerbröckelt oder reißt. Deshalb kann ein Teil des vorläufigen Substrats SUB, der mit der zweiten Bank 1015b in Kontakt ist, während des LLO-Prozesses einfach getrennt werden.
  • Als nächstes wird der Polarisator 150 unter der zweiten Bank 1015b und dem ersten Substrat 101 angeordnet.
  • Unter Bezugnahme auf 10B ist der Polarisator 150 unter dem ersten Substrat 101 angeordnet. Zum jetzigen Zeitpunkt ist in 10B veranschaulicht, dass der Polarisator 150 derart angeordnet ist, dass er zur Haftschicht 1030 vorsteht, jedoch ist er nicht darauf beschränkt und eine Fläche, aus der das erste Substrat 101 entfernt wird, kann durch einen Klebstoff, der das erste Substrat 101 und den Polarisator 150 verbindet, gefüllt werden.
  • In der Anzeigevorrichtung 1000 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist die Bank 1015 derart konfiguriert, dass sie eine zweite Bank 1015b enthält, die auf einer Außenseite des ersten Substrats 101 angeordnet ist. Deshalb wird der LLO-Prozess durchgeführt, ohne das erste Substrat 101 und die anorganische Schicht 1010 auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 1000 anzuordnen, um die Zuverlässigkeit zu verbessern. Ferner kann auch der Ansteuerfehler, der durch die Risse verursacht wird, verringert werden.
  • Ferner wird in der Anzeigevorrichtung 1000 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Dichtungselement, das auf der Außenseite der zweiten Bank 1015b und der Haftschicht 1030 angeordnet ist, entfernt, um die Einfassungsfläche zu verringern.
  • Ferner ist in der Anzeigevorrichtung 1000 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die zweite Bank 1015b von der anorganischen Schicht 1010 beabstandet, um die Risse der anorganischen Schicht 1010, die auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 1000 erzeugt werden, zu verringern. Wie oben beschrieben ist, kann die zweite Bank 1015 während des LLO-Prozesses zerbröckeln oder reißen. Zum jetzigen Zeitpunkt können sich die Risse durch die Streumaterialien der zweiten Bank zur anorganischen Schicht ausbreiten. Deshalb sind in der Anzeigevorrichtung 1000 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die anorganische Schicht 1010 und die zweite Bank 1015b beabstandet, um die Risse oder die Beschädigung der anorganischen Schicht 1010 aufgrund des Streumaterials der Bank 1015, die während des LLO-Prozesses erzeugt werden, zu blockieren.
  • Speziell ist in der Anzeigevorrichtung 1000 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Planarisierungsschicht 1014 derart angeordnet, dass sie ein Ende der anorganischen Schicht 1010 abdeckt, um die Beschädigung der anorganischen Schicht 1010 zu verringern. Obwohl die zweite Bank von der anorganischen Schicht auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung beabstandet ist, können die Risse sich zur anorganischen Schicht ausbreiten. Deshalb ist in der Anzeigevorrichtung 1000 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Planarisierungsschicht 1014 derart angeordnet, dass sie ein Ende der anorganischen Schicht 1010 auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 1000 abdeckt. Deshalb ist es möglich, die anorganische Schicht vor der äußeren Einwirkung oder dem Streumaterial der Bank 1015 effizient zu schützen.
  • 11A ist eine Querschnittansicht zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 11B ist eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Differenzen zwischen einer Anzeigevorrichtung 1100 von 11A und 11B und der Anzeigevorrichtung 1000 von 10A und 10B sind lediglich eine Planarisierungsschicht 1114, eine zweite Bank 1115b und eine Haftschicht 1130, jedoch ist die weitere Konfiguration im Wesentlichen gleich, derart, dass eine redundante Beschreibung unterlassen wird.
  • Um den Herstellungsprozess zu beschreiben, ist unter Bezugnahme auf 11A die Planarisierungsschicht 1114 an dem vorläufigen Substrat SUB, dem ersten Substrat 101 und der anorganischen Schicht 1010 angeordnet.
  • Die Planarisierungsschicht 1114 kann derart angeordnet sein, dass sie ein Ende der anorganischen Schicht 1010 abdeckt. Deshalb kann die Planarisierungsschicht 1114 derart angeordnet sein, dass sie mit einer Deckoberfläche der anorganischen Schicht 1010 und einem Teil des ersten Substrats, der durch die anorganische Schicht 1010 freigelegt ist, überlappt. Deshalb kann die Planarisierungsschicht 1114 derart angeordnet sein, dass sie die Deckoberfläche und die Seitenoberfläche der anorganischen Schicht 1010 umschließt, während sie die anorganische Schicht 1010 versiegelt.
  • Eine Bank 1115 ist an der Planarisierungsschicht 1114 angeordnet. Die Bank 1115 enthält eine erste Bank 1015a und eine zweite Bank 1115b.
  • Die erste Bank 1015a kann in einer Fläche angeordnet sein, die mit dem ersten Substrat 101 überlappt.
  • Die zweite Bank 1115b kann derart angeordnet sein, dass sie mit dem vorläufigen Substrat SUB in Kontakt ist. Zum jetzigen Zeitpunkt kann die zweite Bank 1115b an dem ersten Substrat 101, das durch die anorganische Schicht 1010 freigelegt ist, angeordnet sein. Das heißt, die zweite Bank 1115b kann das Ende des ersten Substrats 101 abdecken. Die zweite Bank 1115b kann mit einer Seitenoberfläche der Planarisierungsschicht 1114 in Kontakt sein und ein Ende der zweiten Bank 1115b kann am ersten Substrat 101 und der Planarisierungsschicht 1114, die durch die anorganische Schicht 1010 freigelegt sind, angeordnet sein.
  • Ferner kann die zweite Bank 1115b derart angeordnet sein, dass sie von der ersten Bank 1015a beabstandet ist. Zum Beispiel kann die Bank 1115 derart gebildet sein, dass sie einen Teil einer Deckoberfläche der Planarisierungsschicht 1114 zwischen der ersten Bank 1015a und der zweiten Bank 1115b freilegt. Die Kathode CA, die Haftschicht 1130 und das zweite Substrat 140 können an der Bank 1115 angeordnet sein.
  • Die Haftschicht 1130 kann derart gebildet sein, dass sie in einen getrennten Raum zwischen der ersten Bank 1015a und der zweiten Bank 1115b gefüllt ist. Deshalb kann die Haftschicht 1130 mit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht 1114, die zwischen der ersten Bank 1015a und der zweiten Bank 1115b freigelegt ist, in Kontakt sein.
  • Als nächstes können das erste Substrat 101 und das vorläufige Substrat SUB mittels des LLO-Prozesses getrennt werden. In der Fläche, in der das erste Substrat 101 angeordnet ist, wird das erste Substrat 101 zusammen mit dem vorläufigen Substrat SUB von einer Fläche entfernt, in der die Planarisierungsschicht 1114 und die zweite Bank 1115b mit dem ersten Substrat 101 in Kontakt sind. In der verbleibenden Fläche können das erste Substrat 101 und das vorläufige Substrat SUB einfach getrennt werden.
  • Die zweite Bank 1115b wird während des LLO-Prozesses verformt, derart, dass sie zerbröckelt oder reißt. Deshalb kann ein Teil des vorläufigen Substrats SUB, der mit der zweiten Bank 1115b in Kontakt ist, während des LLO-Prozesses einfach getrennt werden.
  • Als nächstes wird der Polarisator 150 unter der zweiten Bank 1115b und dem ersten Substrat 101 angeordnet.
  • Unter Bezugnahme auf 11B ist der Polarisator 150 unter dem ersten Substrat 101 angeordnet. In 11B ist veranschaulicht, dass der Polarisator 150 derart angeordnet ist, dass er zu der zweiten Bank 1115b und der Planarisierungsschicht 1114 vorsteht, jedoch ist er nicht darauf beschränkt und eine Fläche, von der das erste Substrat 101 entfernt wird, kann durch einen Klebstoff, der das erste Substrat 101 und den Polarisator 150 verbindet, gefüllt werden.
  • In der Anzeigevorrichtung 1100 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist die Bank 1115 derart konfiguriert, dass sie die zweite Bank 1115b, die auf einer Außenseite des ersten Substrats 101 angeordnet ist, enthält. Deshalb wird der LLO-Prozess durchgeführt, ohne das erste Substrat 101 und die anorganische Schicht 1010 auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 1000 anzuordnen, um die Zuverlässigkeit zu verbessern. Ferner wird auch der Ansteuerfehler, der durch die Risse verursacht wird, verringert.
  • Ferner wird in der Anzeigevorrichtung 1100 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Dichtungselement, das auf der Außenseite der zweiten Bank 1115b und der Haftschicht 1130 angeordnet ist, entfernt, um die Einfassungsfläche zu verringern.
  • Ferner ist in der Anzeigevorrichtung 1100 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die zweite Bank 1115b von der anorganischen Schicht 1010 beabstandet, um die Risse der anorganischen Schicht 1010, die auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 1100 erzeugt werden, zu verringern. Wie oben beschrieben ist, kann die zweite Bank 1115b während des LLO-Prozesses zerbröckeln oder reißen. Zum jetzigen Zeitpunkt können sich die Risse durch die Streumaterialien der zweiten Bank zur anorganischen Schicht ausbreiten. Deshalb sind in der Anzeigevorrichtung 1100 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die anorganische Schicht 1010 und die zweite Bank 1115b beabstandet, um die Risse oder die Beschädigung der anorganischen Schicht 1010 aufgrund des Streumaterials der Bank 1115, die während des LLO-Prozesses erzeugt werden, zu blockieren. Speziell ist in der Anzeigevorrichtung 1100 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Planarisierungsschicht 1114 derart angeordnet, dass sie ein Ende der anorganischen Schicht 1010 abdeckt, um die Beschädigung der anorganischen Schicht 1010 zu verringern. Obwohl die zweite Bank auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung von der anorganischen Schicht beabstandet ist, können die Risse sich auch zur anorganischen Schicht ausbreiten. Deshalb ist in der Anzeigevorrichtung 1100 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Planarisierungsschicht 1114 derart angeordnet, dass sie ein Ende der anorganischen Schicht 1010 auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung 1100 abdeckt. Deshalb ist es möglich, die anorganische Schicht 1010 vor der äußeren Einwirkung oder dem Streumaterial der Bank 1115 effizient zu schützen.
  • Ferner ist in der Anzeigevorrichtung 1100 gemäß einer nochmals weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Planarisierungsschicht 1114 statt der Haftschicht 1130 derart angeordnet, dass sie mit dem ersten Substrat 101 in Kontakt ist, um den LLO-Prozess einfach durchzuführen.
  • Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen genau beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt und kann in vielen verschiedenen Formen verkörpert sein, ohne vom technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Deshalb sind die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung lediglich zur Veranschaulichung bereitgestellt, jedoch nicht dazu vorgesehen, das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung zu begrenzen. Der Umfang des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Deshalb ist zu verstehen, dass die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in allen Aspekten veranschaulichend sind und die vorliegende Offenbarung nicht begrenzen. Der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sollte auf der Grundlage der folgenden Ansprüche ausgelegt werden und alle technischen Konzepte im ihnen entsprechenden Umfang sollen als in den Umfang der vorliegenden Offenbarung fallend ausgelegt werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020220103431 [0001]

Claims (15)

  1. Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: ein erstes Substrat (101), das eine aktive Fläche (AA), die mehrere Unterpixel (SP) enthält, und eine nicht aktive Fläche (NA), die die aktive Fläche (AA) einschließt und entweder aus einem durchsichtigen leitenden Oxid (TCO) und aus einem Oxidhalbleiter gebildet ist, enthält; eine anorganische Schicht (110), die am ersten Substrat (101) angeordnet ist; eine Planarisierungsschicht (114), die an der anorganischen Schicht (110) angeordnet ist; eine Bank (115), die an der Planarisierungsschicht (114) angeordnet ist; eine Haftschicht (130), die an der anorganischen Schicht (110), der Planarisierungsschicht (114) und der Bank (115) angeordnet ist; und ein zweites Substrat (140), das an der Haftschicht (130) angeordnet ist, wobei die Bank (115) eine erste Bank (115a), die in einer Fläche, die mit dem ersten Substrat (101) überlappt, angeordnet ist, und eine zweite Bank (115b), die derart angeordnet ist, dass sie eine Seitenoberfläche der ersten Bank (115a) umschließt, enthält.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die zweite Bank (115b) derart angeordnet ist, dass sie die anorganische Schicht (110), die Planarisierungsschicht (114) und die Seitenoberfläche des ersten Substrats (101) umschließt.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die zweite Bank (115b) an derselben Schicht wie das erste Substrat (101) auf einer Außenseite des ersten Substrats (101) angeordnet ist.
  4. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner Folgendes umfasst: eine flexible dünne Schicht (160), die auf einer Seite der nicht aktiven Fläche (NA) am ersten Substrat (101) angeordnet ist, wobei die zweite Bank (115b) in der nicht aktiven Fläche (NA) in einem Seitenabschnitt mit Ausnahme der einen Seite angeordnet ist, in der die erste flexible dünne Schicht angeordnet ist.
  5. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Ende der zweiten Bank (115b) auf derselben Ebene wie ein Ende der Haftschicht (130) angeordnet ist oder auf einer Innenseite vom Ende der Haftschicht (130) angeordnet ist.
  6. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Bank (115a) und die zweite Bank (115b) verschiedene Dichten aufweisen und/oder die zweite Bank (115b) einen gerissenen Abschnitt enthält und/oder die zweite Bank (115b) in einem Zustand ist, in dem zerbröckelte Pulver angesammelt sind.
  7. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Bank (115a) und die zweite Bank (115b) einteilig gebildet sind und/oder die erste Bank (115a) und die zweite Bank (115b) derart angeordnet sind, dass sie voneinander beabstandet sind.
  8. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Bank (115b) von dem ersten Substrat (101) und der anorganischen Schicht (110) beabstandet ist und die Haftschicht (130) in einen getrennten Raum zwischen der zweiten Bank (115b) und dem ersten Substrat (101) und der anorganischen Schicht (110) gefüllt ist, wobei bevorzugt eine Breite des getrennten Raums zwischen dem ersten Substrat (115a) und der zweiten Bank (115b) 100 µm oder weniger ist.
  9. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, wobei ein Ende der zweiten Bank (115b) an der Planarisierungsschicht (114) angeordnet ist, die Haftschicht (130) in den getrennten Raum zwischen der ersten Bank (115a) und der zweiten Bank (115b) gefüllt ist und das erste Substrat (101) und die zweite Bank (115b) voneinander beabstandet sind.
  10. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7-9, wobei die Planarisierungsschicht (114) ein Ende der anorganischen Schicht (110) abdeckt und derart angeordnet ist, dass sie von der zweiten Bank (115b) beabstandet ist.
  11. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7-10, wobei die Haftschicht (130) in einen getrennten Raum zwischen der zweiten Bank (115b) und der Planarisierungsschicht (114) gefüllt ist.
  12. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Bank (115a) einen ersten Teil (915a-1), der mit der zweiten Bank (115b) verbunden ist, und einen zweiten Teil (915a-2), der vom ersten Teil (915a-1) beabstandet ist und derart angeordnet ist, dass er näher bei der aktiven Fläche (AA) ist als der erste Teil (915a-1), enthält.
  13. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei der erste Teil (915a-1) von der anorganischen Schicht (110) beabstandet ist, die Haftschicht (930) in einen getrennten Raum zwischen dem ersten Teil (915a-1) und der anorganischen Schicht (110) gefüllt ist und ein Ende der anorganischen Schicht (110) auf der Außenseite vom Ende der Planarisierungsschicht (114) vorsteht.
  14. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Planarisierungsschicht (114) durch ein Acrylmaterial konfiguriert ist und/oder die Bank (115) aus Polyimid gebildet ist.
  15. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Ende des ersten Substrats (101) und ein Ende der anorganischen Schicht (110) auf der Innenseite vom Ende des zweiten Substrats (140) angeordnet sind.
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