CN115763487A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

根据本公开内容的一方面，一种显示装置包括：多个基板，所述多个基板被布设在多个子像素中，并且各自由透明导电氧化物层或氧化物半导体层之一构成；多个晶体管，所述多个晶体管分别被布设在多个基板上，并且分别被设置在多个子像素中；多条数据线，所述多条数据线在多个子像素之间沿列方向延伸，并且被配置成将数据电压传送至多个子像素；以及多个发光元件，所述多个发光元件分别被布设在多个子像素中，并且电连接至多个晶体管，其中，多个基板被布设成相互间隔开，并且其中，多条数据线被布设在其中多个基板相互间隔开的区域中。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年9月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0117763号的优先权，其公开内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开内容涉及显示装置，并且更具体地，涉及不使用塑料基板从而改善湿气传输特性并减少寄生电容的显示装置。

背景技术

作为用于计算机的监视器、电视机、移动电话等的显示装置，存在被配置成自主发射的有机发光显示器(OLED)以及需要单独的光源的液晶显示器(LCD)。

显示装置的应用范围从计算机的监视器和电视机多元化到个人移动装置，并且正在对具有宽显示区域和具有减少的体积和重量的显示装置进行研究。

另外，最近，柔性显示装置作为下一代显示装置引起了人们的关注，该柔性显示装置通过在由具有柔性的柔性塑料材料制成的基板上形成显示元件、线等制成，并且因此甚至可以通过折叠或卷曲来显示图像。

发明内容

本公开内容要实现的目的是提供一种显示装置，该显示装置使用被配置为透明导电氧化物层和氧化物半导体层之一的基板，而不是塑料基板。

本公开内容要实现的另一个目的是提供一种使湿气和氧的渗透最小化的显示装置。

本公开内容要实现的又一个目的是提供一种能够通过除去塑料基板来简化工艺和减少制造成本的显示装置。

本公开内容要实现的又一个目的是提供一种能够通过减少施加至用于传送交流电压的信号线的寄生电容来使噪声最小化的显示装置。

本公开内容要实现的又一个目的是提供一种能够通过增加存储电容器的容量来稳定地操作的显示装置。

本公开内容的目的不限于上面提到的目的，并且上面未提到的其他目的可以由本领域技术人员从以下描述中清楚地理解。

根据本公开内容的一方面，一种显示装置包括：多个基板，被布设在多个子像素中，并且由透明导电氧化物层(transparent conductingoxide layer)或氧化物半导体层之一构成；多个晶体管，分别被布设在多个基板上，并且分别被设置在多个子像素中；多条数据线，在多个子像素之间沿列方向延伸，并且被配置成将数据电压传送至多个子像素；以及多个发光元件，分别被布设在多个子像素中，并且电连接至多个晶体管，其中，多个基板被布设成相互间隔开，并且其中，多条数据线被布设在其中多个基板相互间隔开的区域中。

根据本公开内容的另一个方面，一种显示装置包括：多个基板，由透明导电氧化物层或氧化物半导体层之一构成，并且具有布设有多个子像素的像素区域；分别电连接至多个子像素的多个晶体管；多条信号线，在多个子像素之间沿列方向延伸，并且被配置成传送交流电压；以及多个发光元件，分别被布设在多个子像素中，并且电连接至多个晶体管，其中，多个基板被布设成相互间隔开，并且其中，多条信号线被布设在其中多个基板相互间隔开的区域中。

在详细描述和附图中包括了示例性实施方式的其他详细内容。

根据本公开内容，可以通过使用透明导电氧化物层或氧化物半导体层作为显示装置的基板来容易地控制湿气渗透性。

根据本公开内容，可以通过使用薄膜透明导电氧化物层或薄膜氧化物半导体层作为显示装置的基板来改善显示装置的柔性。

根据本公开内容，薄膜透明导电氧化物层或薄膜氧化物半导体层被用作显示装置的基板。因此，可以减少在显示装置被弯曲或卷曲时出现的应力，从而减少显示装置中的裂纹。

根据本公开内容，可以通过使用透明导电氧化物层或氧化物半导体层作为显示装置的基板来简化显示装置的结构并减少制造成本。

根据本公开内容，可以通过使用透明导电氧化物层或氧化物半导体层作为显示装置的基板来减少基板上出现的静电并改善显示质量。

根据本公开内容，显示装置的基板可以通过真空环境中的沉积过程制造。因此，可以缩短基板制造时间并减少在基板上出现的颗粒和由颗粒引起的缺陷。

根据本公开内容，被配置为透明导电氧化物层或氧化物半导体层的显示装置的基板可以被布设成不与用于传送交流电压的信号线交叠，从而使寄生电容的出现最小化。

根据本公开内容，由透明导电氧化物制成的基板可以被用作电容器，从而改善存储电容器的容量并更稳定地操作显示装置。

根据本公开内容的效果不限于上面例示的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中：

图1是根据本公开内容的实施方式的显示装置的俯视平面图；

图2是根据本公开内容的实施方式的显示装置的示意性截面图；

图3是根据本公开内容的实施方式的显示装置的子像素的电路图；

图4A是根据本公开内容的实施方式的显示装置的放大俯视平面图；

图4B是图4A中的多个基板的放大俯视平面图；

图5是沿图4A中的线V-V'截取的截面图；

图6是根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的截面图；

图7A是根据本公开内容的又一实施方式的显示装置的放大俯视平面图；

图7B是图7A中的多个基板的放大俯视平面图；

图8是根据本公开内容的再一实施方式的显示装置的截面图；

图9A是根据本公开内容的又一实施方式的显示装置的放大俯视平面图；

图9B是图9A中的多个基板的放大俯视平面图；以及

图10是根据本公开内容的另外的实施方式的显示装置的截面图。

具体实施方式

通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开内容的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是可以以各种形式实现。示例性实施方式仅仅作为示例来提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附的权利要求的范围来限定。

在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相似附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释为包含普通误差范围。

当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“旁边”的术语描述两个部分之间的位置关系时，一个或更多个部分可以位于这两个部分之间，除非该术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。

当元件或层布设在另一元件或层“上”时，该元件或层可以直接布设在另一元件或层上或者其他层或其他元件可以置于其间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各个部件，但这些部件不受这些术语限制。这些术语仅仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，下面提到的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。

在整个说明书中，相同附图标记通常表示相同的元件。

为了便于描述，示出了附图中所示出的每个部件的尺寸和厚度，但是本公开内容不限于所示部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或完全地彼此粘附或组合且可以以技术上不同的方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或彼此相关联地实施。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的可伸缩显示装置。

图1是根据本公开内容的实施方式的显示装置的俯视平面图。图2是根据本公开内容的实施方式的显示装置的示意性截面图。为了便于描述，图1仅示出了显示装置100的各种构成元件中的基板110、多个柔性膜160和多个印刷电路板170。

参照图1和图2，基板110是用于支承显示装置100的其他构成元件的支承构件。为了便于描述，图1和图2示出了基板110具有单一图案。基板110以复数设置。也就是说，彼此间隔开的多个基板110可以被布设成支承显示装置100的其他构成元件。将参照图4A至图5更详细地描述多个基板110。

基板110可以由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任一种制成。例如，基板110可以由透明导电氧化物(TCO)、例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)制成。

此外，基板110可以由包含铟(In)和镓(Ga)的氧化物半导体材料、例如诸如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)和铟锡锌氧化物(ITZO)的透明氧化物半导体制成。然而，示例性地提供透明导电氧化物和氧化物半导体的材料和类型。基板110可以由本说明书中未公开的其他透明导电氧化物和氧化物半导体材料制成。然而，本公开内容不限于此。

同时，可以通过以非常小的厚度沉积透明导电氧化物或氧化物半导体来形成基板110。因此，基板110可以具有柔性，因为基板110具有非常小的厚度。此外，包括具有柔性的基板110的显示装置100可以实现为即使显示装置100被折叠或卷曲也可以显示图像的柔性显示装置100。例如，在显示装置100是可折叠显示装置的情况下，基板110可以围绕折叠轴折叠或展开。作为另一示例，在显示装置100是可卷曲显示装置的情况下，显示装置可以围绕辊卷曲并且被储存。因此，通过使用具有柔性的基板110，根据本公开内容的实施方式的显示装置100可以实现为诸如可折叠显示装置或可卷曲显示装置的柔性显示装置100。

此外，根据本公开内容的实施方式的显示装置100可以通过使用由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的基板110来执行激光剥离(LLO)过程。LLO过程是指在制造显示装置100的过程期间通过使用激光将布设在基板110下方的临时基板与基板110分离的过程。因此，基板110是用于进一步促进LLO过程的层，并且因此基板110可以被称为功能性薄膜、功能性薄膜层或功能性基板。下面将更详细地描述LLO过程。

基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。

显示区域AA是显示图像的区域。为了显示图像，在显示区域AA中可以布设包括多个子像素的像素部分120。例如，像素部分120可以包括具有发光元件和驱动电路的多个子像素，从而显示图像。

非显示区域NA是不显示图像的区域。布设用于操作布设在显示区域AA中的子像素的各种线、驱动IC等。例如，诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种驱动IC可以布设在非显示区域NA中。

在基板110的一个端部布设多个柔性膜160。多个柔性膜160电连接至基板110的上述一个端部。多个柔性膜160各自是布设在具有延展性的基膜上的具有各种类型的部件的膜，以向显示区域AA中的多个子像素供应信号。多个柔性膜160各自具有布设在基板110的非显示区域NA中的一个端部并且向显示区域AA中的多个子像素供应数据电压等。其中，图1示出了四个柔性膜160。然而，柔性膜160的数目可以根据设计进行各种改变。然而，本公开内容不限于此。

其中，可以将诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的驱动IC布设在多个柔性膜160上。驱动IC是被配置成处理用于显示图像的数据和处理用于处理数据的驱动信号的部件。根据驱动IC的安装方式，驱动IC可以以诸如玻璃上芯片(COG)方法、膜上芯片(COF)方法和带载封装(TCP)方法的方式布设。在本说明书中，为了便于描述，已经描述了通过膜上芯片方法将驱动IC安装在多个柔性膜160上的构造。然而，本公开内容不限于此。

印刷电路板170连接至多个柔性膜160。印刷电路板170是用于向驱动IC供应信号的部件。可以将用于向驱动IC供应诸如驱动信号、数据电压等各种驱动信号的各种类型的部件布设在印刷电路板170上。其中，图1示出了两个印刷电路板170。然而，印刷电路板170的数目可以根据设计进行各种改变。本公开内容不限于此。

参照图2，在基板110上布设绝缘层IN。绝缘层IN可以抑制从基板110的外部渗透的湿气和/或氧扩散。可以通过控制绝缘层IN的厚度或分层结构来控制显示装置100的湿气传输特性。此外，绝缘层IN防止由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的基板110在与例如像素部分120的其他部件接触时短路。绝缘层IN可以由例如被配置为由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)制成的单层或多层的无机材料制成。然而，本公开内容不限于此。

像素部分120布设在绝缘层IN上。像素部分120可以布设成对应于显示区域AA。像素部分120包括多个子像素并且被配置成显示图像。像素部分120的多个子像素是构成显示区域AA的最小单位。发光元件和驱动电路可以布设在多个子像素中的每一个中。例如，多个子像素中的每一个的发光元件可以是包括阳极、有机发光层和阴极的有机发光元件，或者是包括N型和P型半导体层和发光层的LED。然而，本公开内容不限于此。此外，用于操作多个子像素的驱动电路可以包括驱动元件、例如薄膜晶体管和存储电容器。然而，本公开内容不限于此。下文中，为了便于描述，假设多个子像素中的每一个的发光元件为有机发光元件。然而，本公开内容不限于此。

其中，根据从发光元件发射光的方向，显示装置100可以是顶发光型显示装置或底发光型显示装置。

顶发光型显示装置允许从发光元件发射的光朝向其上布设有发光元件的基板110的上侧传播。为了允许从发光元件发射的光朝向基板110的上侧、即朝向阴极传播，顶发光型显示装置可以具有形成在阳极下部上的反射层。

底发光型显示装置允许从发光元件发射的光朝向其上布设有发光元件的基板110的下侧传播。在底部发光型显示装置的情况下，为了允许从发光元件发射的光朝向基板110的下侧传播，阳极可以仅由透明导电材料制成，而阴极可以由具有高反射率的金属材料制成。

在下文中，为了便于描述，根据本公开内容的实施方式的显示装置100将被描述为底发光型显示装置。然而，本公开内容不限于此。

布设用于覆盖像素部分120的密封层130。密封层130可以密封像素部分120并且保护像素部分120的发光元件免受外部湿气、氧、冲击等的影响。可以通过交替堆叠多个无机材料层和多个有机材料层来形成密封层130。例如，无机材料层可以由无机材料、例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或铝氧化物(AlOx)制成。有机材料层可以由环氧基聚合物或丙烯酸聚合物制成。然而，本公开内容不限于此。此外，密封层130可以被配置为面密封型密封层。例如，可以通过将紫外线可固化或热固性密封剂施加至像素部分120的整个表面上来形成密封层130。然而，密封层130可以具有各种结构并且由各种材料制成。然而，本公开内容不限于此。

此外，在密封层130上可以进一步布设密封基板。密封基板可以由具有高模量和高耐腐蚀性的金属材料制成。例如，密封基板可以由模量高达约200Mpa至900Mpa的材料制成。密封基板可以由诸如铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铁(Fe)以及易于加工成箔或薄膜形式且具有高耐腐蚀性的镍合金的金属材料制成。因此，由于密封基板由金属材料制成，因此密封基板可以以超薄膜的形式实现，并且具有足以抗外部冲击和划痕的保护特性。

密封构件140被布设成围绕像素部分120和密封层130的侧表面。密封构件140可以布设在非显示区域NA中并且布设成围绕布设在显示区域AA中的像素部分120。密封构件140可以布设成围绕像素部分120的侧表面和密封层130的侧表面，从而使得到像素部分120中的湿气的渗透最小化。例如，密封构件140可以布设成覆盖绝缘层IN的顶表面的与突出到像素部分120外部的非显示区域NA交叠的一部分。密封构件140可以布设成覆盖密封层130的侧表面的被布设成围绕像素部分120的一部分。密封构件140可以布设成覆盖密封层130的顶表面的一部分。

密封构件140可以由具有弹性的非导电材料制成，以密封像素部分120的侧表面并增加显示装置100的侧表面的刚性。此外，密封构件140可以由具有粘合性的材料制成。此外，密封构件140还可以包括吸湿剂以用于吸收来自外部的湿气和氧并使湿气通过显示装置100的横向部分的渗透最小化。例如，密封构件140可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚氨酯、环氧树脂或丙烯酸的材料制成。然而，本公开内容不限于此。

在基板110下方布设偏光板150。偏光板150可以选择性地透射光并减少进入基板110的外部光的反射。具体地，显示装置100具有形成在基板110上并应用于半导体元件、线和发光元件的各种金属材料。因此，进入基板110的外部光可以被金属材料反射。外部光的反射可以降低显示装置100的可视性。在这种情况下，可以将用于抑制外部光的反射的偏光板150布设在基板110下方，从而提高显示装置100的室外可视性。可以根据显示装置100的实现方式而除去偏光板150。

其中，虽然在附图中未示出，但是可以将阻挡膜与偏光板150一起布设在基板110下方。阻挡膜可以使存在于基板110外部的湿气和氧到基板110中的渗透最小化，从而保护包括发光元件的像素部分120。然而，可以根据显示装置100的实现方式而除去阻挡膜。然而，本公开内容不限于此。

在下文中，将参照图3至图5更详细地描述像素部分120的多个子像素。

图3是根据本公开内容的实施方式的显示装置的子像素的电路图。

参照图3，用于操作多个子像素SP中的每一个的发光元件OLED的驱动电路包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC。此外，在基板110上布设用于操作驱动电路的多条线，并且所述多条线包括栅极线GL、数据线DL、高电位电源线VDD、感测线SL和参考线RL。

包括在单个子像素SP的驱动电路中的第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3各自包括栅极电极、源极电极和漏极电极。

此外，第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3各自可以为P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。例如，在P型薄膜晶体管中，正空穴从源极电极流向漏极电极，使得电流可以从源极电极流向漏极电极。在N型薄膜晶体管中，电子从源极电极流向漏极电极，使得电流可以从漏极电极流向源极电极。在下文中，假设第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3各自可以是电流从漏极电极流向源极电极的N型薄膜晶体管。然而，本公开内容不限于此。

第一晶体管TR1包括第一有源层、第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极。第一栅极电极连接至第一节点N1。第一源极电极连接至发光元件OLED的阳极。第一漏极电极连接至高电位电源线VDD。第一晶体管TR1可以在第一节点N1的电压高于阈值电压时导通。第一晶体管TR1可以在第一节点N1的电压低于阈值电压时关断。此外，当第一晶体管TR1导通时，驱动电流可以通过第一晶体管TR1传送至发光元件OLED。因此，被配置成控制要供应至发光元件OLED的驱动电流的第一晶体管TR1可以被称为驱动晶体管。

第二晶体管TR2包括第二有源层、第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极。第二栅极电极连接至栅极线GL。第二源极电极连接至第一节点N1。第二漏极电极连接至数据线DL。第二晶体管TR2可以基于来自栅极线GL的栅极电压导通或关断。当第二晶体管TR2导通时，第一节点N1可以充载有来自数据线DL的数据电压。因此，被配置成由栅极线GL导通或关断的第二晶体管TR2可以称为开关晶体管。

第三晶体管TR3包括第三有源层、第三栅极电极、第三源极电极和第三漏极电极。第三栅极电极连接至感测线SL。第三源极电极连接至第二节点N2。第三漏极电极连接至参考线RL。第三晶体管TR3可以基于来自感测线SL的感测电压导通或关断。此外，当第三晶体管TR3导通时，参考电压可以从参考线RL传送至第二节点N2和存储电容器SC。因此，第三晶体管TR3可以被称为感测晶体管。

其中，图3示出了栅极线GL和感测线SL是分开的线。然而，栅极线GL和感测线SL可以实现为单条线。然而，本公开内容不限于此。

存储电容器SC连接在第一晶体管TR1的第一栅极电极与第一源极电极之间。也就是说，存储电容器SC可以连接在第一节点N1与第二节点N2之间。存储电容器SC可以通过在发光元件OLED发射光时维持第一晶体管TR1的第一栅极电极与第一源极电极之间的电位差来向发光元件OLED供应预定驱动电流。存储电容器SC包括多个电容器电极。例如，多个电容器电极中的一个可以连接至第一节点N1，而另一个电容器电极可以连接至第二节点N2。

发光元件OLED包括阳极、发光层和阴极。发光元件OLED的阳极连接至第二节点N2，并且阴极连接至低电位电源线VSS。发光元件OLED可以通过接收来自第一晶体管TR1的驱动电流来发射光。

其中，图3示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置100的子像素SP的驱动电路具有包括三个晶体管和单个存储电容器SC的3T1C结构。然而，晶体管的数目、存储电容器SC的数目以及晶体管与存储电容器之间的连接关系可以根据设计进行各种改变。本公开内容不限于此。

图4A是根据本公开内容的实施方式的显示装置的放大俯视平面图。图4B是图4A中的多个基板的放大俯视平面图。图5是沿图4A中的线V-V'截取的截面图。图4A是构成单个像素的红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的放大俯视平面图。为了便于描述，在图4A中未示出堤部115。为了便于描述，图4B仅示出了显示装置100的各种构成元件中的多个基板110。

参照图4A至图5，根据本公开内容的实施方式的显示装置100包括多个基板110、绝缘层IN、缓冲层111、栅绝缘层112、钝化层113、平坦化层114、堤部115、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器SC、发光元件OLED、栅极线GL、感测线SL、数据线DL、参考线RL、高电位电源线VDD和多个滤色器CF。

参照图4A至图5，多个基板110可以沿列方向延伸并且被布设成彼此间隔开。在这种情况下，多个基板可以被布设成不与诸如传送交流电压的数据线DL和参考线RL的信号线交叠。也就是说，数据线DL和参考线RL可以布设在多个基板110彼此间隔开的区域中。因此，多个基板110可以布设成不与数据线DL和参考线RL交叠。例如，多个基板110可以各自具有与数据线DL和参考线RL的延伸形状对应的边沿，使得多个基板110不与布设在多个基板110之间的数据线DL和参考线RL交叠。然而，多个基板110的形状不限于此。

参照图4A，多个子像素SP布设在多个基板110上。

多个子像素SP包括红色子像素SPR、绿色子像素SPG、蓝色子像素SPB和白色子像素SPW。例如，红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG可以沿行方向顺序布设。然而，多个子像素SP的布置顺序不限于此。

多个子像素SP各自包括发光区域和电路区域。发光区域是可以独立地发射具有单一类型颜色的光的区域。发光元件OLED可以布设在发光区域中。具体地，发光区域可以被定义为多个滤色器CF和阳极AN彼此交叠的区域中的从堤部115露出并被配置成使得从发光元件OLED发射的光可以传播到外部的区域。例如，一并参照图4A和图5，红色子像素SPR的发光区域可以是红色滤色器CFR和阳极AN彼此交叠的区域中从堤部115露出的区域。绿色子像素SPG的发光区域可以是绿色滤色器CFG和阳极AN彼此交叠的区域中的从堤部115露出的区域。蓝色子像素SPB的发光区域可以是蓝色滤色器CF和阳极AN彼此交叠的区域中的从堤部115露出的区域中发射蓝光的蓝色发光区域。在这种情况下，其中没有布设单独的滤色器CF的白色子像素SPW的发光区域可以是与从堤部115露出的阳极AN的一部分交叠的区域中发射白光的白色发光区域。

电路区域是除了发光区域之外的区域。多条线可以布设在电路区域中并且将各种类型的信号传送至用于操作多个发光元件OLED的驱动电路DP。此外，布设有驱动电路DP、多条线和堤部115的电路区域可以是非发光区域。例如，在电路区域中，可以布设有包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC的驱动电路DP、多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL、多条栅极线GL、感测线SL和堤部115。

一并参照图3至图5，绝缘层IN布设在多个基板110上。多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和光阻挡层LS布设在绝缘层IN上。

多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和光阻挡层LS可以布设在多个基板110上的同一层上并且由相同的导电材料制成。例如，多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和光阻挡层LS各自可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料制成。然而，本公开内容不限于此。

多条高电位电源线VDD是用于将高电源电压传送至多个子像素SP的线。多条高电位电源线VDD可以在多个子像素SP之间沿列方向延伸。沿行方向彼此相邻的两个子像素SP可以共享多条高电位电源线VDD中单条高电位电源线VDD。例如，一条高电位电源线VDD可以布设在红色子像素SPR的左侧，并且将高电位电源电压供应至红色子像素SPR和白色子像素SPW中的每一个的第一晶体管TR1。另一条高电位电源线VDD可以布设在绿色子像素SPG的右侧，并且将高电位电源电压供应至蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每一个的第一晶体管TR1。

多条数据线DL包括第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4，所述多条数据线DL是在多个子像素SP之间沿列方向延伸并且将数据电压传送至多个子像素SP的线。第一数据线DL1可以布设在红色子像素SPR与白色子像素SPW之间并且将数据电压传送至红色子像素SPR的第二晶体管TR2。第二数据线DL2可以布设在第一数据线DL1与白色子像素SPW之间，并且将数据电压传送至白色子像素SPW的第二晶体管TR2。第三数据线DL3可以布设在蓝色子像素SPB与绿色子像素SPG之间，并且将数据电压传送至蓝色子像素SPB的第二晶体管TR2。第四数据线DL4可以布设在第三数据线DL3与绿色子像素SPG之间，并且将数据电压传送至绿色子像素SPG的第二晶体管TR2。在这种情况下，数据线DL可以是用于传送交流电压的信号线。因此，传送至数据线DL的信号可能具有摆动形状。

多条参考线RL是在多个子像素SP之间沿列方向延伸并且将参考电压传送至多个子像素SP的线。构成单个像素的多个子像素SP可以共享单条参考线RL。例如，一条参考线RL可以布设在白色子像素SPW与蓝色子像素SPB之间，并且将参考电压传送至红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每一个的第三晶体管TR3。在这种情况下，参考线RL可以是用于传送交流电压的信号线。因此，传送至参考线RL的信号可能具有摆动形状。

一并参照图4A和图5，光阻挡层LS布设在绝缘层IN上。光阻挡层LS可以布设成与多个晶体管TR1、TR2和TR3中的至少第一晶体管TR1的第一有源层ACT1交叠，并且阻止光进入第一有源层ACT1。如果光被发射到第一有源层ACT1，则发生泄漏电流，这可能降低作为驱动晶体管的第一晶体管TR1的可靠性。在这种情况下，当由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的不透明导电材料制成的光阻挡层LS布设成与第一有源层ACT1交叠时，光阻挡层LS可以抑制光从基板110的下侧进入第一有源层ACT1，从而提高第一晶体管TR1的可靠性。然而，本公开内容不限于此。光阻挡层LS可以布设成与第二晶体管TR2的第二有源层ACT2和第三晶体管TR3的第三有源层ACT3交叠。

其中，附图示出了光阻挡层LS是单层。然而，光阻挡层LS可以被设置为多个层。例如，光阻挡层LS可以被设置为布设成彼此交叠的多个层，其中绝缘层IN、缓冲层111、栅绝缘层112和钝化层113中的至少任一个置于其间。

缓冲层111布设在多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和光阻挡层LS上。缓冲层111可以抑制湿气或杂质通过基板110渗透。例如，缓冲层111可以被配置为由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。此外，可以根据基板110的类型或晶体管的类型而除去缓冲层111，但本说明书不限于此。

第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC布设在多个子像素SP中的每一个的缓冲层111上。

首先，第一晶体管TR1包括第一有源层ACT1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1。

第一有源层ACT1布设在缓冲层111上。第一有源层ACT1可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料制成，但本公开内容不限于此。例如，在第一有源层ACT1由氧化物半导体制成的情况下，第一有源层ACT1可以包括沟道区域、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域可以是具有导电性的区域。然而，本公开内容不限于此。

栅绝缘层112布设在第一有源层ACT1上。栅绝缘层112可以是用于使第一栅极电极GE1和第一有源层ACT1绝缘的层并且由绝缘材料制成。例如，栅绝缘层112可以被配置为由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)制成的单层或多层，但本公开内容不限于此。

第一栅极电极GE1布设在栅绝缘层112上以与第一有源层ACT1交叠。第一栅极电极GE1可以由导电材料、例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1布设在栅绝缘层112上并且彼此间隔开。第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以通过形成在栅绝缘层112中的接触孔电连接至第一有源层ACT1。第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以与第一栅极电极GE1布设在同一层上并且由相同的导电材料制成。然而，本公开内容不限于此。例如，第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

第一漏极电极DE1电连接至高电位电源线VDD。例如，红色子像素SPR的第一漏极电极DE1和白色子像素SPW的第一漏极电极DE1可以电连接至红色子像素SPR的左侧处的高电位电源线VDD。蓝色子像素SPB的第一漏极电极DE1和绿色子像素SPG的第一漏极电极DE1可以电连接至绿色子像素SPG的右侧处的高电位电源线VDD。

在这种情况下，为了将第一漏极电极DE1电连接至高电位电源线VDD，还可以布设辅助高电位电源线VDDa。辅助高电位电源线VDDa的一个端部电连接至高电位电源线VDD，而另一个端部电连接至多个子像素SP的每一个的第一漏极电极DE1。例如，在辅助高电位电源线VDDa与第一漏极电极DE1布设在同一层上且由相同材料制成的情况下，辅助高电位电源线VDDa的一个端部可以通过形成在栅绝缘层112和缓冲层111中的接触孔电连接至高电位电源线VDD，而辅助高电位电源线VDDa的另一个端部可以延伸至第一漏极电极DE1并与第一漏极电极DE1形成一体。

在这种情况下，电连接至同一高电位电源线VDD的红色子像素SPR的第一漏极电极DE1和白色子像素SPW的第一漏极电极DE1可以连接至相同的辅助高电位电源线VDDa。蓝色子像素SPB的第一漏极电极DE1和绿色子像素SPG的第一漏极电极DE1也可以连接至相同的辅助高电位电源线VDDa。然而，第一漏极电极DE1和高电位电源线VDD可以借助于其他方法电连接。然而，本公开内容不限于此。

第一源极电极SE1可以通过形成在栅绝缘层112和缓冲层111中的接触孔电连接至光阻挡层LS。此外，第一有源层ACT1的连接至第一源极电极SE1的部分可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接至光阻挡层LS。如果光阻挡层LS浮置，则第一晶体管TR1的阈值电压改变，这可能影响显示装置100的操作。因此，光阻挡层LS可以电连接至第一源极电极SE1，使得可以将电压施加至光阻挡层LS，并且不影响第一晶体管TR1的操作。在本说明书中，已经描述了第一有源层ACT1和第一源极电极SE1两者与光阻挡层LS接触的构造。然而，仅第一源极电极SE1和第一有源层ACT1中的任一个可以与光阻挡层LS直接接触。本公开内容不限于此。

其中，图5示出了栅绝缘层112被图案化为仅与第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1交叠。然而，栅绝缘层112可以形成在基板110的整个表面上。本公开内容不限于此。

第二晶体管TR2包括第二有源层ACT2、第二栅极电极GE2、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2。

第二有源层ACT2布设在缓冲层111上。第二有源层ACT2可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料制成，但本公开内容不限于此。例如，在第二有源层ACT2由氧化物半导体制成的情况下，第二有源层ACT2可以包括沟道区域、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域可以是具有导电性的区域。然而，本公开内容不限于此。

第二源极电极SE2布设在缓冲层111上。第二源极电极SE2可以与第二有源层ACT2形成一体并电连接。例如，可以通过在缓冲层111上形成半导体材料并使半导体材料的一部分导电来形成第二源极电极SE2。因此，半导体材料的不变成导电的部分可以是第二有源层ACT2。半导体材料的变成导电的部分可以是第二源极电极SE2。然而，第二有源层ACT2和第二源极电极SE2可以分开形成。然而，本公开内容不限于此。

第二源极电极SE2电连接至第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1。第一栅极电极GE1可以通过形成在栅绝缘层112中的接触孔电连接至第二源极电极SE2。因此，第一晶体管TR1可以响应于来自第二晶体管TR2的信号而导通或关断。

栅绝缘层112布设在第二有源层ACT2和第二源极电极SE2上。第二漏极电极DE2和第二栅极电极GE2布设在栅绝缘层112上。

第二栅极电极GE2布设在栅绝缘层112上以与第二有源层ACT2交叠。第二栅极电极GE2可以电连接至栅极线GL。第二晶体管TR2可以基于传送至第二栅极电极GE2的栅极电压导通或关断。第二栅极电极GE2可以由导电材料例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

其中，第二栅极电极GE2可以从栅极线GL延伸。也就是说，第二栅极电极GE2可以与栅极线GL形成一体。第二栅极电极GE2和栅极线GL可以由相同的导电材料制成。例如，栅极线GL可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

栅极线GL是用于将栅极电压传送至多个子像素SP的线。栅极线GL可以在横穿多个子像素SP的电路区域的情况下沿行方向延伸。栅极线GL可以沿行方向延伸并且与沿列方向延伸的多条高电位电源线VDD、多条数据线DL和多条参考线RL相交。

第二漏极电极DE2布设在栅绝缘层112上。第二漏极电极DE2可以通过形成在栅绝缘层112中的接触孔电连接至第二有源层ACT2。第二漏极电极DE2可以通过形成在栅绝缘层112和缓冲层111中的接触孔电连接至多条数据线DL中的一条。例如，红色子像素SPR的第二漏极电极DE2可以电连接至第一数据线DL1。白色子像素SPW的第二漏极电极DE2可以电连接至第二数据线DL2。例如，蓝色子像素SPB的第二漏极电极DE2可以电连接至第三数据线DL3。绿色子像素SPG的第二漏极电极DE2可以电连接至第四数据线DL4。第二漏极电极DE2可以由导电材料、例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

第三晶体管TR3包括第三有源层ACT3、第三栅极电极GE3、第三源极电极SE3和第三漏极电极DE3。

第三有源层ACT3布设在缓冲层111上。第三有源层ACT3可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料制成，但本公开内容不限于此。例如，在第三有源层ACT3由氧化物半导体制成的情况下，第三有源层ACT3可以包括沟道区域、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域可以是具有导电性的区域。然而，本公开内容不限于此。

栅绝缘层112布设在第三有源层ACT3上。第三栅极电极GE3、第三源极电极SE3和第三漏极电极DE3布设在栅绝缘层112上。

第三栅极电极GE3布设在栅绝缘层112以与第三有源层ACT3交叠。第三栅极电极GE3可以电连接至感测线SL。第三晶体管TR3可以基于传送至第三晶体管TR3的感测电压导通或关断。第三栅极电极GE3可由导电材料、例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

其中，第三栅极电极GE3可以从感测线SL延伸。也就是说，第三栅极电极GE3可以与感测线SL形成一体。第三栅极电极GE3和感测线SL可以由相同的导电材料制成。例如，感测线SL可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

感测线SL是将感测电压传送至多个子像素SP的线并且在多个子像素SP之间沿行方向延伸。例如，感测线SL可以在多个子像素SP之间的边界处沿行方向延伸并且与沿列方向延伸的多条高电位电源线VDD、多条数据线DL和多条参考线RL相交。

第三源极电极SE3可以通过形成在栅绝缘层112中的接触孔电连接至第三有源层ACT3。第三源极电极SE3可以由导电材料、例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

其中，第三有源层ACT3的与第三源极电极SE3接触的部分可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接至光阻挡层LS。也就是说，第三源极电极SE3可以在第三有源层ACT3置于第三源极电极SE3与光阻挡层LS之间的情况下电连接至光阻挡层LS。因此，第三源极电极SE3和第一源极电极SE1可以通过光阻挡层LS彼此电连接。

第三漏极电极DE3可以通过形成在栅绝缘层112中的接触孔电连接至第三有源层ACT3。第三漏极电极DE3可以由导电材料、例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

第三漏极电极DE3可以电连接至参考线RL。例如，构成单个像素的红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第三漏极电极DE3可以电连接至同一参考线RL。也就是说，构成单个像素的多个子像素SP可以共享单条参考线RL。

在这种情况下，可以布设辅助参考线RLa来通过沿列方向延伸的参考线RL将信号传送至沿行方向并排布设的多个子像素SP。辅助参考线RLa可以沿行方向延伸并且将参考线RL电连接至多个子像素SP中的每一个的第三漏极电极DE3。辅助参考线RLa的一个端部可以通过形成在缓冲层111和栅绝缘层112中的接触孔电连接至参考线RL。此外，辅助参考线RLa的另一个端部可以电连接至多个子像素SP中的每一个的第三漏极电极DE3。在这种情况下，辅助参考线RLa可以与多个子像素SP中的每一个的第三漏极电极DE3形成一体。参考电压可以通过辅助参考线RLa从参考线RL传送至第三漏极电极DE3。然而，辅助参考线RLa可以与第三漏极电极DE3分开形成。然而，本公开内容不限于此。

存储电容器SC布设在多个子像素SP的电路区域中。存储电容器SC可以存储第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1与第一源极电极SE1之间的电压，使得发光元件OLED可以在单帧期间连续保持相同的状态。存储电容器SC包括第一电容器电极SC1、第二电容器电极SC2和第三电容器电极SC3。

第一电容器电极SC1布设在多个子像素SP的每一个中且在绝缘层IN与缓冲层111之间。在布设在基板110上的导电构成元件中，第一电容器电极SC1可以布设成最靠近基板110。第一电容器电极SC1可以由与光阻挡层LS相同的材料制成或与光阻挡层LS形成一体。第一电容器电极SC1可以通过光阻挡层LS电连接至第一源极电极SE1。

缓冲层111布设在第一电容器电极SC1上。第二电容器电极SC2布设在缓冲层111上。第二电容器电极SC2可以布设成与第一电容器电极SC1交叠。第二电容器电极SC2可以与第二源极电极SE2形成一体并电连接至第二源极电极SE2或第一栅极电极GE1。例如，可以通过在缓冲层111上形成半导体材料并使半导体材料的一部分导电来形成第二源极电极SE2和第二电容器电极SC2。因此，半导体材料的不变成导电的部分可以用作第二有源层ACT2。半导体材料的变成导电的部分可以用作第二源极电极SE2或第二电容器电极SC2。此外，如上所述，第一栅极电极GE1通过形成在栅绝缘层112中的接触孔电连接至第二源极电极SE2。因此，第二电容器电极SC2可以与第二源极电极SE2形成一体并电连接至第二源极电极SE2和第一栅极电极GE1。

钝化层113布设在第二电容器电极SC2上。第三电容器电极SC3布设在钝化层113上。第三电容器电极SC3可以布设成与第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2交叠。第三电容器电极SC3可以与阳极AN形成一体并电连接至第一源极电极SE1。

总之，存储电容器SC的第一电容器电极SC1可以与光阻挡层LS形成一体，并电连接至光阻挡层LS、第一源极电极SE1和第三源极电极SE3。此外，第二电容器电极SC2可以与第二源极电极SE2或第二有源层ACT2形成一体，并电连接至第二源极电极SE2和第一栅极电极GE1。另外，第三电容器电极SC3可以与阳极AN形成一体，并电连接至第一源极电极SE1和第三源极电极SE3。因此，彼此交叠的并且缓冲层111置于它们之间的第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2、以及彼此交叠的并且钝化层113置于它们之间的第二电容器电极SC2和第三电容器电极SC3可以在发光元件OLED发射光时通过恒定地保持第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1和第一源极电极SE1的电压来将发光元件OLED保持在恒定状态。

钝化层113被布设在第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC上。钝化层113是用于保护钝化层113下方布设的部件的绝缘层。例如，钝化层113可以被配置为由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。另外，可以根据实施方式除去钝化层113。

多个滤色器CF被布设在多个子像素SP中的每一个的发光区域中，并被设置在钝化层113上。如上所述，根据本公开内容的实施方式的显示装置100是允许从发光元件OLED发射的光传播至发光元件OLED和基板110的下侧的底发光型显示装置。因此，多个滤色器CF可以被布设在发光元件OLED下方。从发光元件OLED发射的光可以通过穿过多个滤色器CF以具有各种颜色的光束的形式来实现。

多个滤色器CF包括红色滤色器CFR、蓝色滤色器CFB和绿色滤色器CFG。红色滤色器CFR可以被布设在多个子像素SP之中的红色子像素SPR的发光区域中。蓝色滤色器CFB可以被布设在蓝色子像素SPB的发光区域中。绿色滤色器CFG可以被布设在绿色子像素SPG的发光区域中。

平坦化层114被布设在钝化层113和多个滤色器CF上。平坦化层114是用于使多个基板110的上部变平的绝缘层，在多个基板110上布设了第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器SC、多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL、多条栅极线GL和多条感测线SL。平坦化层114可以被配置为由有机材料、例如聚酰亚胺或光亚克力制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。

发光元件OLED被布设在多个子像素SP中的每一个的发光区域中。发光元件OLED被布设在多个子像素SP中的每一个的平坦化层114上。发光元件OLED包括阳极AN、发光层EL和阴极CA。

在发光区域EA中的平坦化层114上布设了阳极AN。由于阳极AN向发光层EL供应空穴，因此阳极AN可以由具有高功函数的导电材料制成，并且也可以称为阳极AN。例如，阳极AN可以由透明导电材料、例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成，但是本公开内容不限于此。

其中，阳极AN可以朝向电路区域延伸。阳极AN的一部分可以从发光区域朝向电路区域的第一源极电极SE1延伸，并通过在平坦化层114和钝化层113中形成的接触孔电连接至第一源极电极SE1。因此，发光元件OLED的阳极AN可以延伸至电路区域，并电连接至第一晶体管TR1的第一源极电极SE1或存储电容器SC的第二电容器电极SC2。

发光层EL被布设在发光区域和电路区域中的阳极AN上。发光层EL可以被配置为多个子像素SP中的单层。也就是说，多个子像素SP的发光层EL可以相互连接并相互形成一体。发光层EL可以被配置为单个发光层。发光层EL可以具有其中堆叠了被配置成发射具有不同颜色的光束的多个发光层的结构。发光层EL还可以包括有机层，例如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。

阴极CA被布设在发光区域和电路区域中的发光层EL上。由于阴极CA向发光层EL供应电子，因此阴极CA可以由具有低功函数的导电材料制成。阴极CA可以被配置为多个子像素SP中的单层。也就是说，多个子像素SP的阴极CA可以相互连接并相互形成一体。例如，阴极CA可以由透明导电材料、例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成，或者可以由镱(Yb)的合金制成。阴极CA还可以包括金属掺杂层，但是本说明书不限于此。其中，尽管没有在图4A至图5中示出，但是发光元件OLED的阴极CA可以电连接至低电位电源线VSS，并接收低电位电源电压。

堤部115被布设在阳极AN与发光层EL之间。堤部115被布设成与显示区域AA交叠并覆盖阳极AN的边缘。堤部115可以被布设在相邻子像素SP之间的边界处，并减少从多个子像素SP中的每一个的发光元件OLED发射的光束的颜色的混合。堤部115可以由绝缘材料制成。例如，堤部115可以由基于聚酰亚胺的树脂、基于丙烯酸的树脂或基于苯并环丁烯(BCB)的树脂制成。然而，本公开内容不限于此。

根据本公开内容的实施方式的显示装置100的基板110由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任意一种制成。因此，显示装置100的厚度可以减小。在相关技术中，塑料或玻璃基板主要用作显示装置的基板。为此，塑料或玻璃基板几乎不被形成为薄至预定水平或更少的厚度。相比之下，透明导电氧化物和氧化物半导体可以通过例如溅射的沉积过程允许显示装置具有很小的厚度。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，用于支承显示装置100的几个部件的基板110由透明导电氧化物层或氧化物半导体层制成。因此，可以减少显示装置100的厚度并实现纤薄设计。

其中，通过在比玻璃基板更具柔性的塑料基板上形成发光元件和驱动电路来形成柔性显示装置。然而，如果显示装置过度变形，则显示装置可能会因由变形引起的应力而损害。因此，即使为了进一步改善柔性以减轻对显示装置的应力而减少显示装置的厚度更为有利，但是难以将塑料基板的厚度减少至预定水平或更少，如上所述。

因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体制成，使得可以改善显示装置100的柔性或者减少由显示装置100的变形引起的应力。具体而言，当基板110由透明导电氧化物层或氧化物半导体制成时，基板110可以形成为具有非常薄的膜。在这种情况下，基板110可以称为第一透明薄膜层。因此，包括基板110的显示装置100可以具有高的柔性。因此，显示装置100可以容易弯曲或卷曲。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110由透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的任意一种制成，使得可以改善显示装置100的柔性并减少由显示装置100的变形引起的应力。因此，可以使显示装置100中形成的裂纹最小化。

其中，通过使用塑料基板而不是玻璃基板来实现柔性显示装置，但是与玻璃基板相比，塑料基板增加了静电的可能性。静电可能会影响塑料基板上的各种类型的线和驱动元件，这可能会损害一些部件或劣化显示装置的显示质量。因此，需要用于阻挡和排放使用塑料基板的显示装置上的静电的单独的部件。

在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110可以由透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的任意一种制成，从而减少在基板110上出现静电的可能性。如果基板110由塑料制成并且出现静电，则基板110上的各种类型的线和驱动元件可能会被静电损害，或者静电可能会影响线和部件的操作，这可能会使显示质量恶化。代替地，基板110由透明导电氧化物层或氧化物半导体层制成，可以使在基板110上出现的静电最小化，并简化用于阻挡和排放静电的构造。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110由在静电出现的可能性方面低的透明导电氧化物层或氧化物半导体层中的任意一种制成。因此，可以使由静电引起的损害或显示质量的恶化最小化。

其中，当将塑料基板用作显示装置的基板时，可能会在形成塑料基板的过程期间出现颗粒。例如，在涂敷和固化基板材料以形成塑料基板的过程期间可能出现颗粒。此外，由于颗粒，湿气和氧可能更容易渗透至显示装置中。此外，由于颗粒，几个部件可能会在基板上不均匀形成。因此，在通过涂敷和固化基板材料形成的塑料基板的情况下，颗粒可能会使显示装置中的发光元件劣化，或者使晶体管的特性恶化。

相比之下，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110由透明导电氧化物和氧化物半导体之一制成。因此，可以使外部湿气或氧通过基板110至显示装置100中的渗透最小化。当基板110由透明导电氧化物层或氧化物半导体层制成时，基板110在真空环境中形成，使得颗粒出现的可能性非常低。另外，即使出现颗粒，颗粒的尺寸也很小。因此，可以使湿气和氧至显示装置100中的渗透最小化。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110由减小颗粒出现的可能性并在湿气传输性能方面优异的透明导电氧化物或氧化物半导体制成。因此，可以改善显示装置100和包括有机层的发光元件OLED的可靠性。

此外，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任意一种制成。此外，基板110可以在薄的便宜的阻挡膜被附接至基板110的下部的状态下使用。在基板110由例如具有低湿气传输性能的塑料材料的材料制成的情况下，可以通过附接具有高性能的厚的昂贵的阻挡膜来改善湿气传输性能。然而，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110由在湿气传输性能方面优异的透明导电氧化物或氧化物半导体制成。因此，可以将薄的便宜的阻挡膜附接至基板110的下部。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110由在湿气传输性能方面优异的透明导电氧化物和氧化物半导体中的任意一种制成。因此，可以减少显示装置的制造成本。

在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任意一种制成。因此，可以执行激光剥离(LLO)过程。在制造显示装置100的过程期间，可以通过将具有牺牲层的临时基板附接至基板110的下部在基板110上形成像素部分120。牺牲层可以由例如氢化非晶硅或氢化并掺杂有杂质的非晶硅制成。此外，当在显示装置100被完全制造之后激光束被发射至临时基板的下部时，可以将牺牲层脱氢，并且牺牲层和临时基板可以与基板110分离。在这种情况下，透明导电氧化物和氧化物半导体是可以与牺牲层和临时基板一起经受LLO过程的材料。因此，即使基板110由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任意一种制成，基板110和临时基板也可以容易地分离。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，基板110由可以经受LLO过程的透明导电氧化物层和氧化物半导体中的任意一种制成。因此，甚至可以通过使用相关技术中的过程和设备来容易地制造显示装置100。

另外，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，用于传送交流电压的信号线被布设成不与基板110交叠。因此，可以减少在用于传送交流电压的信号线中出现的寄生电容。

具体而言，当基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体制成时，可能会在基板110与信号线之间出现寄生电容。特别是，在用于传送交流电压的信号线、例如数据线DL或参考线RL中出现大量寄生电容，这可能会导致信号线中的噪声。当寄生电容如上所述的那样出现在例如数据线DL或参考线RL的信号线中时，可能会出现RC延迟。

因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，多个基板110被布设成相互间隔开，并且用于传送交流电压的信号线被布设在其中多个基板110相互间隔开的区域中。因此，由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的基板110被布设成不与用于接收交流电压的信号线交叠。因此，可以使在用于传送交流电压的信号线中出现的寄生电容最小化。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，用于传送交流电压的信号线被布设成不与多个基板110交叠。因此，可以减少在用于传送交流电压的信号线中出现的寄生电容并使由信号线中出现的噪声引起的RC延迟最小化。

图6是根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的截面图。除了存储电容器SC还包括第四电容器电极SC4以外，图6中示出的显示装置600与图1至图5中所示的显示装置100在配置上基本上相同。因此，将省略对相同部件的重复描述。

参照图6，存储电容器SC包括第一电容器电极SC1、第二电容器电极SC2、第三电容器电极SC3和第四电容器电极SC4。第一电容器电极至第三电容器电极SC1、SC2和SC3与图1至图5中所示的第一电容器电极至第三电容器电极SC1、SC2和SC3基本上相同。

第四电容器电极SC4可以是电连接至第二电容器电极SC2的基板110。也就是说，基板110可以用作存储电容器SC的第四电容器电极SC4。在这种情况下，第四电容器电极SC4可以通过在绝缘层IN和缓冲层111中形成的接触孔电连接至第二电容器电极SC2。

根据本公开内容的另一个实施方式的显示装置600包括第一电容器电极SC1、第二电容器电极SC2、第三电容器电极SC3和第四电容器电极SC4。因此，可以在发光元件OLED发射光时通过恒定地保持第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1和第一源极电极SE1的电压来将发光元件OLED保持在恒定状态。

具体而言，存储电容器SC的第一电容器电极SC1可以与光阻挡层LS形成一体，并电连接至光阻挡层LS、第一源极电极SE1和第三源极电极SE3。第二电容器电极SC2可以与第二源极电极SE2或第二有源层ACT2形成一体，并电连接至第二源极电极SE2和第一栅极电极GE1。此外，第三电容器电极SC3可以从发光元件OLED的阳极AN延伸，并电连接至第二电容器电极SC2。第四电容器电极SC4可以是通过在绝缘层IN和缓冲层111中形成的接触孔电连接至第二电容器电极SC2的基板110。在这种情况下，第四电容器电极SC4与第一电容器电极SC1可以在绝缘层IN置于它们之间的情况下交叠，并且第四电容器电极SC4与第一电容器电极SC1一起限定电容器。因此，由于根据本公开内容的实施方式的显示装置600包括第一电容器电极SC1、第二电容器电极SC2、第三电容器电极SC3和第四电容器电极SC4，因此可以另外提供构成存储电容器SC的电容器，例如，包括第一电容器电极SC1和第四电容器电极SC4的电容器。因此，根据本公开内容的实施方式的显示装置600可以减少用于传送交流电压的信号线中出现的寄生电容，增加存储电容器SC的容量，并更稳定地操作发光元件OLED。

图7A是根据本公开内容的又一实施方式的显示装置的放大俯视平面图。图7B是图7A中的多个基板的放大俯视平面图。为了便于描述，图7B仅示出了在显示装置700的各个构成元件之中的多个基板710。除了多个基板710的布置以外，图7A和图7B中所示的显示装置700与图6中所示的显示装置600在配置上基本上相同。因此，将省略对相同部件的重复描述。

参照图7A和图7B，多个基板710可以以矩阵形状布置成分别对应于多个子像素SP。也就是说，多个基板710可以各自被图案化，并可以各自被布设成对应于单个子像素SP。因此，在显示区域AA中，基板710的数目可以等于子像素SP的数目。

在根据本公开内容的实施方式的显示装置700中，多个基板710可以以矩阵形状布置成分别对应于多个子像素SP。因此，可以更稳定地操作用于接收不同信号的多个子像素SP。

具体而言，多个基板710被布设成相互间隔开，并且例如用于传送交流电压的数据线DL或参考线RL的信号线被布设在其中多个基板710相互间隔开的区域中。因此，由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的基板710被布设成不与用于接收交流电压的信号线交叠。因此，可以使在用于传送交流电压的信号线中出现的寄生电容最小化。

另外，在根据本公开内容的实施方式的显示装置700中，多个基板710可以以矩阵形状布置成分别对应于多个子像素SP。也就是说，多个基板710可以分别被图案化并被布设成对应于多个子像素SP。因此，分别布设在多个子像素SP中的多个基板710可以相互电分离。在多个子像素SP中布设的多个第四电容器电极SC4也可以相互电分离。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置700中，多个基板710可以以矩阵形状布置成分别对应于多个子像素SP。因此，可以更稳定地操作用于接收不同信号的多个子像素SP。

图8是根据本公开内容的又一实施方式的显示装置的截面图。除了还设置了光阻挡层连接部LSa以外，图8中所示的显示装置800与图1至图5中所示的显示装置100在配置上基本上相同。因此，将省略对相同部件的重复描述。

参照图8，第一源极电极SE1可以通过在栅绝缘层112和缓冲层111中形成的接触孔电连接至光阻挡层LS。另外，第一有源层ACT1的连接至第一源极电极SE1的一部分可以通过在缓冲层111中形成的接触孔电连接至光阻挡层LS。然而，在本说明书中，已经描述了将光阻挡层LS连接至第一源极电极SE1的配置。然而，光阻挡层LS可以连接至第一漏极电极DE1。本公开内容不限于此。

此外，光阻挡层连接部LSa可以布设在光阻挡层LS上。光阻挡层连接部LSa从光阻挡层LS延伸，并通过在绝缘层IN中形成的接触孔连接至基板110。因此，光阻挡层LS可以通过光阻挡层连接部LSa电连接至基板110。

在根据本公开内容的实施方式的显示装置800中，还在光阻挡层LS上布设了光阻挡层连接部LSa。因此，基板110和光阻挡层LS可以电连接。因此，第一源极电极SE1可以电连接至基板110，从而更稳定地操作第一晶体管TR1。

具体而言，当由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的基板浮置时，第一晶体管的阈值电压改变，这可能会影响显示装置的操作。因此，连接至第一源极电极SE1的光阻挡层LS可以电连接至基板110，从而将等于第一源极电极SE1的电压的电压施加至基板110。因此，可以使在光阻挡层LS的下部上布设的基板110对第一晶体管TR1的操作的影响最小化。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置800中，还在光阻挡层LS上布设了光阻挡层连接部LSa。因此，基板110和光阻挡层LS可以电连接。因此，第一源极电极SE1可以电连接至基板110，从而更稳定地操作第一晶体管TR1。

图9A是根据本公开内容的再一实施方式的显示装置的放大俯视平面图。图9B是图9A中的多个基板的放大俯视平面图。为了便于描述，图9B仅示出了显示装置900的各个构成元件之中的多个基板910。除了多个基板910的布置以外，图9A和图9B中示出的显示装置900与图8中所示的显示装置800在配置上基本上相同。因此，将省略对相同部件的重复描述。

参照图9A和图9B，多个基板910可以以矩阵形状布置成分别对应于多个子像素SP。也就是说，多个基板910可以各自被图案化并可以各自被布设成对应于单个子像素SP。因此，在显示区域AA中，基板910的数目可以等于子像素SP的数目。

在根据本公开内容的实施方式的显示装置900中，多个基板910可以以矩阵形状布置成分别对应于多个子像素SP。因此，可以更稳定地操作用于接收不同信号的多个子像素SP。

具体而言，多个基板910被布设成相互间隔开，并且例如用于传送交流电压的数据线DL或参考线RL的信号线被布设在其中多个基板910相互间隔开的区域中。因此，由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的基板910被布设成不与用于接收交流电压的信号线交叠。因此，可以使在用于传送交流电压的信号线中出现的寄生电容最小化。

另外，在根据本公开内容的实施方式的显示装置900中，多个基板910可以以矩阵形状布置成分别对应于多个子像素SP。也就是说，多个基板910可以分别被图案化并分别被布设成对应于多个子像素SP。因此，在多个子像素SP中分别布设的多个基板910可以相互电分离。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置900中，多个基板910可以以矩阵形状布置成分别对应于多个子像素SP。因此，可以更稳定地操作用于接收不同信号的多个子像素SP。

图10是根据本公开内容的另外的实施方式的显示装置的截面图。除了第三电容器电极SC3以外，图10中所示的显示装置1000与图1至图5中所示的显示装置100在配置上基本上相同。因此，将省略对相同部件的重复描述。

参照图10，存储电容器SC包括第一电容器电极SC1、第二电容器电极SC2和第三电容器电极SC3。第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2与图1至图5中所示的第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2基本上相同。

参照图10，栅绝缘层112可以布设在第二电容器电极SC2上。由与第一栅极电极GE1相同的材料制成的第三电容器电极SC3可以布设在栅绝缘层112上。第三电容器电极SC3可以被布设成与第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2交叠。因此，第三电容器电极SC3可以与第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2一起限定电容器。在这种情况下，发光元件OLED的阳极AN可以被布设成不与第三电容器电极SC3交叠。因此，阳极AN和第三电容器电极SC3不会彼此电干扰。

根据本公开内容的实施方式的显示装置1000包括第一电容器电极SC1、第二电容器电极SC2和第三电容器电极SC3。因此，可以在发光元件OLED发射光时通过恒定地保持第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1和第一源极电极SE1的电压将发光元件OLED保持在恒定状态。

具体而言，存储电容器SC的第一电容器电极SC1可以与光阻挡层LS形成一体，并电连接至光阻挡层LS、第一源极电极SE1和第三源极电极SE3。此外，第二电容器电极SC2可以与第二源极电极SE2或第二有源层ACT2形成一体，并电连接至第二源极电极SE2和第一栅极电极GE1。另外，第三电容器电极SC3可以由与第一栅极电极GE1相同的材料制成，并被布设成与第二电容器电极SC2交叠，从而与第二电容器电极SC2一起限定电容器，其中栅绝缘层112置于第三电容器电极SC3与第二电容器电极SC2之间。因此，彼此交叠的并且缓冲层111置于它们之间的第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2、以及彼此交叠的并且栅绝缘层112置于它们之间的第二电容器电极SC2和第三电容器电极SC3可以在发光元件OLED发射光时通过恒定地保持第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1和第一源极电极SE1的电压将发光元件OLED保持在恒定状态。因此，根据本公开内容的实施方式的显示装置1000包括第一电容器电极SC1、第二电容器电极SC2和第三电容器电极SC3。因此，可以在发光元件OLED发射光时通过恒定地保持第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1和第一源极电极SE1的电压将发光元件OLED保持在恒定状态。因此，可以更稳定地操作发光元件OLED。

本公开内容的示例性实施方式也可以描述如下：

根据本公开内容的一方面，显示装置可以包括：多个基板，被布设在多个子像素中，并且由透明导电氧化物层或氧化物半导体层之一构成；多个晶体管，分别被布设在多个基板上，并且分别被设置在多个子像素中；多条数据线，在多个子像素之间沿列方向延伸，并且被配置成将数据电压传送至多个子像素；以及多个发光元件，分别被布设在多个子像素中，并且电连接至多个晶体管，其中，多个基板被布设成相互间隔开，并且其中，多条数据线被布设在其中多个基板相互间隔开的区域中。

多个基板可以沿列方向延伸。

显示装置还可以包括：光阻挡层，其被布设在多个基板上以与多个晶体管交叠；以及存储电容器，其包括作为多个基板的第四电容器电极、由与光阻挡层相同的材料制成的第一电容器电极、以及由与多个晶体管的有源层相同的材料制成的第二电容器电极，其中，第四电容器电极和第二电容器电极彼此连接。

存储电容器还可以包括第三电容器电极，第三电容器电极由与多个发光元件的阳极相同的材料制成，或者由与多个晶体管的栅极电极相同的材料制成。

多个基板可以相互间隔开，以分别对应于多个子像素。

显示装置还可以包括光阻挡层，该光阻挡层被布设在多个基板上以与多个晶体管交叠。

光阻挡层可以连接至多个晶体管的源极电极或漏极电极，并且多个基板可以连接至光阻挡层。

多个晶体管可以是驱动晶体管。

多个基板可以以矩阵形状布置成分别对应于多个子像素。

显示装置还可以包括多条参考线，上述多条参考线在多个子像素之间沿列方向延伸，并且被配置成将参考电压传送至多个子像素。

多条参考线可以被布设在其中多个基板相互间隔开的区域中。

多个基板的边沿之中的面对多条数据线和多条参考线的边沿可以与多条数据线和多条参考线平行。

根据本公开内容的另一个方面，显示装置可以包括：多个基板，由透明导电氧化物层或氧化物半导体层之一构成，并且具有布设有多个子像素的像素区域；分别电连接至多个子像素的多个晶体管；多条信号线，在多个子像素之间沿列方向延伸，并且被配置成传送交流电压；以及多个发光元件，分别被布设在多个子像素中，并且电连接至多个晶体管，其中，多个基板被布设成相互间隔开，并且其中，多条信号线被布设在其中多个基板相互间隔开的区域中。

显示装置还可以包括：被布设成与多个晶体管交叠的光阻挡层；以及包括多个电容器电极的存储电容器。

多个电容器电极可以包括：作为多个基板的第四电容器电极；由与光阻挡层相同的材料制成的第一电容器电极；以及由与多个晶体管的有源层相同的材料制成的第二电容器电极。

存储电容器还可以包括第三电容器电极，第三电容器电极由与多个发光元件的阳极相同的材料制成，或者由与多个晶体管的栅极电极相同的材料制成。

多个基板可以相互间隔开，以分别对应于多个子像素。

显示装置还可以包括光阻挡层，该光阻挡层被布设在多个基板上以与多个晶体管交叠。

光阻挡层可以连接至多个晶体管的源极电极或漏极电极，并且多个基板可以连接至光阻挡层。

尽管已经参照附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此，并且在不偏离本公开内容的技术构思的情况下，可以以许多不同的形式体现。因此，本公开内容的示例性实施方式仅出于说明性目的被提供，而不旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应该理解的是，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并且不会限制本公开内容。本公开内容的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且其等同范围中的所有技术构思都应被解释为落入本公开内容的范围内。

Claims (15)

1.一种显示装置，包括：

多个基板，所述多个基板被布设在多个子像素中，并且由透明导电氧化物层或氧化物半导体层之一构成；

多个晶体管，所述多个晶体管分别被布设在所述多个基板上，并且分别被设置在所述多个子像素中；

多条数据线，所述多条数据线在所述多个子像素之间沿列方向延伸，并且被配置成将数据电压传送至所述多个子像素；以及

多个发光元件，所述多个发光元件分别被布设在所述多个子像素中，并且电连接至所述多个晶体管，

其中，所述多个基板被布设成相互间隔开，并且

其中，所述多条数据线被布设在其中所述多个基板相互间隔开的区域中。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个基板沿列方向延伸。

3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

光阻挡层，其被布设在所述多个基板上以与所述多个晶体管交叠；以及

多个存储电容器，所述多个存储电容器分别被布设在所述多个子像素中，每个存储电容器包括：作为所述多个基板的第四电容器电极、由与所述光阻挡层相同的材料制成的第一电容器电极、以及由与所述多个晶体管的有源层相同的材料制成的第二电容器电极，其中，所述第四电容器电极和所述第二电容器电极彼此连接。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，每个存储电容器还包括第三电容器电极，所述第三电容器电极由与所述多个发光元件的阳极相同的材料制成，或者由与所述多个晶体管的栅极电极相同的材料制成。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个基板相互间隔开，以分别对应于所述多个子像素。

6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

光阻挡层，其被布设在所述多个基板上以与所述多个晶体管交叠，

其中，所述光阻挡层连接至所述多个晶体管的源极电极或漏极电极，并且所述多个基板连接至所述光阻挡层。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述多个晶体管中的每一者是驱动晶体管。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述多个基板以矩阵形状布置成分别对应于所述多个子像素。

9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

多条参考线，所述多条参考线在所述多个子像素之间沿列方向延伸，并且被配置成将参考电压传送至所述多个子像素，

其中，所述多条参考线被布设在其中所述多个基板相互间隔开的所述区域中。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个基板的边沿之中的面对所述多条数据线和所述多条参考线的边沿与所述多条数据线和所述多条参考线平行。

11.一种显示装置，包括：

多个基板，所述多个基板由透明导电氧化物层或氧化物半导体层之一构成，并且具有布设有多个子像素的像素区域；

分别电连接至所述多个子像素的多个晶体管；

多条信号线，所述多条信号线在所述多个子像素之间沿列方向延伸，并且被配置成传送交流电压；以及

多个发光元件，所述多个发光元件分别被布设在所述多个子像素中，并且电连接至所述多个晶体管，

其中，所述多个基板被布设成相互间隔开，并且

其中，所述多条信号线被布设在其中所述多个基板相互间隔开的区域中。

12.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：

被布设成与所述多个晶体管交叠的光阻挡层；以及

多个存储电容器，每个存储电容器包括多个电容器电极，

其中，所述多个电容器电极包括：

作为所述多个基板的第四电容器电极；

由与所述光阻挡层相同的材料制成的第一电容器电极；以及

由与所述多个晶体管的有源层相同的材料制成的第二电容器电极。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，每个存储电容器还包括第三电容器电极，所述第三电容器电极由与所述多个发光元件的阳极相同的材料制成，或者由与所述多个晶体管的栅极电极相同的材料制成。

14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述多个基板相互间隔开，以分别对应于所述多个子像素。

15.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：

光阻挡层，其被布设在所述多个基板上以与所述多个晶体管交叠，

其中，所述光阻挡层连接至所述多个晶体管的源极电极或漏极电极，并且所述多个基板连接至所述光阻挡层。

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