DE102022207640A1 - Wafer-teilungsverfahren - Google Patents

Wafer-teilungsverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102022207640A1
DE102022207640A1 DE102022207640.0A DE102022207640A DE102022207640A1 DE 102022207640 A1 DE102022207640 A1 DE 102022207640A1 DE 102022207640 A DE102022207640 A DE 102022207640A DE 102022207640 A1 DE102022207640 A1 DE 102022207640A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
dividing
protective sheet
front surface
start point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102022207640.0A
Other languages
English (en)
Inventor
Namsun Choi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE102022207640A1 publication Critical patent/DE102022207640A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

Ein Wafer-Teilungsverfahren zum Teilen eines Wafers entlang jeder von mehreren vorgesehenen Teilungslinien, die in einem Gittermuster an einer vorderen Oberfläche des Wafers angeordnet sind, beinhaltet ein Ausbilden eines Teilungsstartpunktes, der als ein Teilungsstartpunkt des Wafers entlang jeder der Teilungslinien dient, das Anhaften einer Schutzfolie, die aus einem olefinbasierten Kunststoff hergestellt ist und eine Oberfläche ohne darin verwendeten Kunststoff aufweist, an dem Wafer in einer solchen Weise, dass die eine Oberfläche in engen Kontakt mit der vorderen Oberfläche des Wafers gebracht wird, ein Tragen des Wafers durch einen Tragtisch in einer solchen Weise, dass die vordere Oberfläche des Wafers und der Tragtisch einander gegenüberliegen, und ein Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer von einer Seite der hinteren Oberfläche des Wafers, um dadurch den Wafer an den Teilungsstartpunkten zu teilen.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Wafer-Teilungsverfahren zum Teilen eines Wafers, der eine vordere Oberfläche aufweist, an der mehrere vorgesehene Teilungslinien in einem Gittermuster festgelegt sind, entlang der vorgesehenen Teilungslinien.
  • Beschreibung des verwandten Standes der Technik
  • Als ein Verfahren zum Teilen eines solchen Wafers wie beispielsweise eines Saphirwafers oder eines Siliziumwafers in einzelne Chips ist eine Technologie zum Ausführen eines Ritzschritts und eines Brechschritts am Wafer bekannt (siehe beispielsweise die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2009-148982 ). Konkret wird zunächst eine Oberfläche des Wafers unter Verwendung einer Ritzeinrichtung (auch Ritzwerkzeug genannt) wie beispielsweise einer Ritzeinrichtung mit Diamantspitze entlang mehrerer vorgesehener Teilungslinien geritzt, die an der einen Oberfläche des Wafers festgelegt sind (Ritzschritt).
  • Der Wafer wird dann von einer Tragbasis einer Brechvorrichtung auf eine solche Weise getragen, dass die Tragbasis und die eine Oberfläche des Wafers einander zugewandt sind. Danach wird eine Klinge der Brechvorrichtung gegen die andere Oberfläche des Wafers gedrückt, wodurch eine äußere Kraft auf den Wafer aufgebracht wird. Durch ein Drücken der Klinge gegen die andere Oberfläche des Wafers entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien wird der Wafer entlang der vorgesehenen Teilungslinien in mehrere Chips geteilt (Brechschritt). Es ist zu beachten, dass an der einen Oberfläche (vordere Oberfläche) des Wafers Bauelemente wie beispielsweise Leuchtdioden (LEDs) oder integrierte Schaltkreise (ICs) in jeweiligen Bereichen ausgebildet werden könnten, die durch die mehreren vorgesehenen Teilungslinien in einem Gittermuster abgegrenzt sind.
  • Im Brechschritt wird der Wafer so an der Trageinrichtung platziert, dass die vordere Oberfläche des Wafers nach unten gerichtet ist. Um Schäden an den Bauelementen im Brechschritt zu verringern, besteht daher eine Möglichkeit darin, die vordere Oberfläche des Wafers nach dem Ritzschritt, aber vor dem Brechschritt mit einer Schutzfolie aus einem Kunststoff abzudecken. Im folgenden Brechschritt wird die vordere Oberfläche des Wafers dazu gebracht, der Tragbasis zugewandt zu sein, wobei die Schutzfolie dazwischen angeordnet wird. Der Brechschritt veranlasst manchmal eine Reibung zwischen der vorderen Oberfläche des Wafers und der Schutzfolie, was zu einer Anhaftung von Schmutzpartikeln in der Form von feinem Pulver an der vorderen Oberfläche des Wafers führt. Wird beispielsweise eine Schutzfolie aus Polyethylenterephthalat verwendet, veranlasst die Reibung zwischen dem Wafer und der Schutzfolie, dass Schmutzpartikel des die Schutzfolie ausbildenden Kunststoffs an der vorderen Oberfläche des Wafers anhaften.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung entstand in Anbetracht des beschriebenen Problems auf, und es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Menge an Schmutzpartikeln zu reduzieren, die von der Schutzfolie stammt und die an der vorderen Oberfläche des Wafers anhaftet, wenn der Wafer geteilt wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Wafer-Teilungsverfahren eines Teilens eines Wafers mit einer vorderen Oberfläche, an der mehrere vorgesehene Teilungslinien in einem Gittermuster angeordnet sind und Bauelemente in jeweiligen Bereichen ausgebildet sind, die durch die mehreren vorgesehenen Teilungslinien unterteilt sind, entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien bereitgestellt. Das Wafer-Teilungsverfahren umfasst einen Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt eines Ausbildens eines Teilungsstartpunkts entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien, wobei der Teilungsstartpunkt eine geringere mechanische Festigkeit aufweist als diejenige in den Bereichen, in denen die Bauelemente ausgebildet sind, und als ein Startpunkt für eine Teilung des Wafers dient, einen Schutzfolien-Anhaftschritt, nach dem Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt, eines Anhaftens einer Schutzfolie, die aus einem olefinbasierten Kunststoff hergestellt ist und eine Oberfläche aufweist, in der kein Haftmittel verwendet wird, an dem Wafer auf eine solche Weise, dass die eine Oberfläche in engen Kontakt mit der vorderen Oberfläche des Wafers gebracht wird, einen Trageschritt, nach dem Schutzfolien-Anhaftschritt, eines Tragens des Wafers durch einen Tragtisch auf eine solche Weise, dass die vordere Oberfläche des Wafers und der Tragtisch einander zugewandt sind, und einen Teilungsschritt, nach dem Trageschritt, eines Aufbringens einer äußeren Kraft auf den Wafer von einer Seite der hinteren Oberfläche des Wafers, um dadurch den Wafer an den Teilungsstartpunkten zu teilen.
  • Bevorzugt wird der Wafer in dem Trageschritt durch den Tragtisch getragen, der eine Elastizität aufweist.
  • Weiter bevorzugt wird auf den Wafer im Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt ein gepulster Laserstrahl mit einer durch den Wafer transmittierbaren Wellenlänge aufgebracht, wobei ein fokussierter Spot des Laserstrahls innerhalb des Wafers positioniert wird, während der fokussierte Spot des Laserstrahls und der Wafer entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien relativ zueinander bewegt werden, um dadurch eine modifizierte Schicht, die als der Teilungsstartpunkt dient, entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien auszubilden.
  • Bei dem Wafer-Teilungsverfahren gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird nach dem Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt eine Schutzfolie, die aus einem olefinbasierten Kunststoff hergestellt ist und eine Oberfläche ohne darin verwendetes Haftmittel aufweist, veranlasst, an dem Wafer in einer solchen Weise anzuhaften, dass die eine Oberfläche in engen Kontakt mit der vorderen Oberfläche des Wafers gebracht wird (Schutzfolien-Anhaftschritt). Nach dem Schutzfolien-Anhaftschritt wird der Trageschritt ausgeführt, und dann wird der Teilungsschritt ausgeführt. Der Teilungsschritt wird in dem Zustand ausgeführt, in dem die Schutzfolie und die vordere Oberfläche des Wafers in engem Kontakt miteinander stehen. Daher kann eine Reibung zwischen der Schutzfolie und dem Wafer verringert werden. Da die Schutzfolie aus einem olefinbasierten Kunststoff hergestellt ist, ist es außerdem möglich, selbst wenn eine gewisse Reibung zwischen der Schutzfolie und dem Wafer auftritt, die Menge an Schmutzpartikeln zu verringern, die von der Schutzfolie stammen und die an der vorderen Oberfläche des Wafers anhaften, verglichen mit dem Fall, dass eine aus Polyethylenterephthalat, das relativ spröde ist, hergestellte Schutzfolie verwendet wird.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, sowie die Weise ihrer Umsetzung werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Flussdiagramm zur Erläuterung eines Wafer-Teilungsverfahrens;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht einer Wafereinheit;
    • 3 ist ein Diagramm zur Erläuterung eines Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritts;
    • 4 ist ein Diagramm zur Erläuterung eines Schutzfolien-Anhaftschritts;
    • 5 ist ein Diagramm zur Erläuterung eines Trageschritts; und
    • 6 ist ein Diagramm zur Erläuterung eines Teilungsschritts.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben. 1 ist ein Flussdiagramm zur Erläuterung Verfahrens zum Teilen eines Wafers 11 (vgl. 2). Zunächst erfolgt eine Beschreibung des teilenden Wafers 11 in einer scheibenförmigen Form. 2 ist eine perspektivische Ansicht einer Wafereinheit 21, die den Wafer 11 aufweist. Der Wafer 11 ist beispielsweise hauptsächlich aus Silizium ausgebildet und weist eine vordere Oberfläche 11a und eine hintere Oberfläche 11b auf, die beide eine im Wesentlichen kreisförmige Form aufweisen. Der Wafer 11 weist beispielsweise eine Dicke (d. h. eine Distanz von der vorderen Oberfläche 11a zur hinteren Oberfläche 11b) von 75 um und einen Durchmesser von etwa 200 mm (acht Zoll) auf. An der vorderen Oberfläche 11a sind mehrere vorgesehene Teilungslinien 13 in einer sich orthogonal kreuzenden Weise (d.h. in einem Gittermuster) festgelegt.
  • In jeweiligen Bereichen, die durch die mehreren vorgesehenen Teilungslinien 13 unterteilt sind, sind Bauelemente 15 wie ICs und Large-Scale-Integration (LSI)-Schaltungen ausgebildet, und die vordere Oberfläche 11a weist daher feine Unregelmäßigkeiten auf, die auf Ausgestaltungen, Formen und dergleichen der Bauelemente 15 zurückzuführen sind. Es ist zu beachten, dass das Material des Wafers 11 nicht auf Silizium beschränkt ist und der Wafer 11 auch aus einem anderen Verbindungshalbleiter, Saphir oder Glas hergestellt sein könnte. Ferner ist der Wafer 11 hinsichtlich seiner Form, Ausgestaltung, Größe und dergleichen nicht beschränkt, und die Bauelemente 15 sind hinsichtlich Art, Menge, Form, Ausgestaltung, Größe, Anordnung und dergleichen nicht speziell beschränkt.
  • Wenn der Wafer 11 geteilt werden soll, wird eine Wafereinheit 21 ausgebildet, bei welcher der Wafer 11 durch ein aus Kunststoff hergestelltes Teilungsband 17 an einem metallischen Ringrahmen 19 getragen wird. Das Teilungsband 17 ist ein kreisförmiges Band, das einen Durchmesser aufweist, der größer ist als derjenige des Wafers 11. Das Teilungsband 17 weist einen geschichteten Aufbau auf, der beispielsweise eine Basismaterialschicht und eine Haftmittelschicht (Klebschicht) aufweist. An der gesamten Oberfläche einer Seite der Basismaterialschicht ist die Haftmittelschicht aus einem Kunststoff mit einer Haftfähigkeit wie beispielsweise einem ultraviolett (UV) härtbaren Kunststoff oder einem wärmehärtenden Kunststoff ausgebildet. Der Wafer 11 wird an einen im Wesentlichen zentralen Abschnitt des Teilungsbands 17 geklebt, und eine Oberfläche des Ringrahmens 19 wird an einen äußeren Umfangsabschnitt des Teilungsbands 17 geklebt. Nachdem die Wafereinheit 21 auf diese Weise ausgebildet ist, werden unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung 2 Teilungsstartpunkte in dem Wafer 11 ausgebildet (Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt S10).
  • Als nächstes erfolgt eine Beschreibung der Laserbearbeitungsvorrichtung 2, die in dem Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt S10 verwendet wird, unter Bezugnahme auf 3. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 weist einen scheibenförmigen Einspanntisch 4 auf, der eine im Wesentlichen ebene Halteoberfläche 4a aufweist. Die Halteoberfläche 4a empfängt einen Unterdruck, der von einer Ansaugquelle (nicht dargestellt) wie beispielsweise einem Ejektor erzeugt und transmittiert wird. Der Einspanntisch 4 ist an einem unteren Abschnitt davon mit einer Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) verbunden und um eine vorgegebene Drehachse drehbar. Unterhalb der Drehantriebsquelle ist ein (nicht dargestellter) Bearbeitungszufuhrmechanismus von einem Kugelgewindespindeltyp vorgesehen. Der Bearbeitungszufuhrmechanismus bewegt den Einspanntisch 4 und die Drehantriebsquelle in einer Bearbeitungszufuhrrichtung 6.
  • Unterhalb des Bearbeitungszufuhrmechanismus ist ein Indexzufuhrmechanismus (nicht dargestellt) von einem Kugelgewindespindeltyp vorgesehen. Der Indexzufuhrmechanismus bewegt den Bearbeitungszufuhrmechanismus, den Einspanntisch 4 und die Drehantriebsquelle gemeinsam in einer Indexzufuhrrichtung, welche die Bearbeitungszufuhrrichtung 6 innerhalb einer horizontalen Ebene orthogonal schneidet. Am Einspanntisch 4 sind seitlich entlang einer Umfangsrichtung des Einspanntisches 4 mehrere Klemmmechanismen 8 angeordnet. Die Klemmmechanismen 8 klemmen jeweils den Ringrahmen 19, wenn die Halteoberfläche 4a den Wafer 11 unter Ansaugen durch das Teilungsband 17 hält.
  • Oberhalb der Halteoberfläche 4a ist ein Kopfabschnitt 12 einer Laserstrahl-Aufbringeinheit 10 vorgesehen. Der Kopfabschnitt 12 weist eine Fokussierlinse auf (nicht dargestellt), und ein gepulster Laserstrahl, der von einem Laseroszillator (nicht dargestellt) der Laserstrahl-Aufbringeinheit 10 emittiert wird, wird vom Kopfabschnitt 12 auf die Halteoberfläche 4a aufgebracht. Dieser gepulste Laserstrahl, der mit 14 bezeichnet ist, weist eine Wellenlänge auf, die durch den Wafer 11 transmittierbar ist. Es ist zu beachten, dass in der Nähe des Kopfabschnitts 12 eine Mikroskopkameraeinheit (nicht dargestellt) vorgesehen ist, die ein vorgegebenes optisches System und einen vorgegebenen Abbildungssensor (z.B. einen Festkörper-Bildsensor) aufweist, um eine Abbildung der vorderen Oberfläche 11a aufzunehmen.
  • Als nächstes wird der Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt S10 beschrieben. 3 ist ein Diagramm zur Erläuterung des Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritts S10. Im Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt S10 wird zunächst die hintere Oberfläche 11b des Wafers 11 von der Halteoberfläche 4a über das Teilungsband 17 unter Ansaugen gehalten, und die Klemmmechanismen 8 klemmen jeweils den Ringrahmen 19. Die Mikroskopkameraeinheit nimmt dann eine Abbildung von zwei getrennten Positionen an einer vorgesehenen Teilungslinie 13 an der vorderen Oberfläche 11a auf, die nach oben hin freiliegt, um eine Ausrichtung auszuführen. Gemäß den Ergebnissen der Ausrichtung wird die Drehantriebsquelle betätigt, um die eine vorgesehene Teilungslinie 13 und die Bearbeitungszufuhrrichtung 6 im Wesentlichen parallel zueinander festzulegen.
  • Der Einspanntisch 4 wird dann in der Bearbeitungszufuhrrichtung 6 relativ zu einem fokussierten Spot 14a des Laserstrahls 14 so bewegt, dass sich der fokussierte Spot 14a entlang der einen vorgesehenen Teilungslinie 13 bewegt, während er im Inneren des Wafers 11 an einer vorgegebenen Tiefe positioniert wird. Wenn der fokussierte Spot 14a und der Wafer 11 auf diese Weise relativ zueinander entlang der einen vorgesehenen Teilungslinie 13 bewegt werden, wird innerhalb des Wafers 11 eine modifizierte Schicht (Teilungsstartpunkt) 23 ausgebildet, wobei die modifizierte Schicht 23 eine geringere mechanische Festigkeit aufweist als diejenige in den Bereichen, in denen die Bauelemente 15 ausgebildet sind, und als ein Startpunkt für eine Teilung des Wafers 11 dient. In dem Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt S10 werden beispielsweise Bearbeitungsbedingungen wie folgt festgelegt:
    • Wellenlänge des Laserstrahls: 1064 nm
    • Mittlere Ausgabe: 0.3 W
    • Puls-Wiederholfrequenz: 80 kHz
    • Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit: 300 mm/s
    • Anzahl an Durchgängen: 2
  • Es ist zu beachten, dass die Anzahl an Durchgängen die Anzahl an Aufbringungen des Laserstrahls 14 bedeutet, die entlang einer vorgesehenen Teilungslinie 13 ausgeführt wird. Beispielsweise wird bei einer ersten Aufbringung (d.h. einem ersten Durchgang) die Aufbringung des Laserstrahls 14 entlang einer vorgesehenen Teilungslinie 13 ausgeführt, wobei der fokussierte Spot 14a in einer Tiefe von etwa 50 um von der vorderen Oberfläche 11a positioniert wird, um eine modifizierte Schicht 23 auszubilden.
  • Danach wird bei einer zweiten Aufbringung (d.h. einem zweiten Durchgang) die Aufbringung entlang derselben vorgesehenen Teilungslinie 13 ausgeführt, wobei der fokussierte Spot 14a in einer Tiefe von etwa 25 um von der vorderen Oberfläche 11a positioniert wird, um eine weitere modifizierte Schicht 23 auszubilden. Auf diese Weise wird entlang einer vorgesehenen Teilungslinie 13 jeweils eine modifizierte Schicht 23 in verschiedenen Tiefen innerhalb des Wafers 11 ausgebildet. Nachdem die modifizierten Schichten 23, deren Anzahl der Anzahl der Durchgänge entspricht, entlang der einen vorgesehenen Teilungslinie 13 ausgebildet sind, wird der Einspanntisch 4 um eine vorgegebene Länge in Indexzufuhrrichtung indexzugeführt. Eine ähnliche Bearbeitung wird ausgeführt, um modifizierte Schichten 23 entlang einer anderen vorgesehenen Teilungslinie 13 neben der einen vorgesehenen Teilungslinie 13 auszubilden.
  • Nachdem modifizierte Schichten 23 entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 13, die sich in einer Richtung erstrecken, ausgebildet sind, wird der Einspanntisch 4 um 90 Grad gedreht, und eine ähnliche Bearbeitung wird ausgeführt, um modifizierte Schichten 23 entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 13 auszubilden, die sich in einer anderen Richtung, welche die eine Richtung orthogonal schneidet, erstrecken. Es ist zu beachten, dass, obwohl bei der Ausbildung der modifizierten Schichten 23 Risse (nicht dargestellt) so ausgebildet werden, dass sie sich von den modifizierten Schichten 23 in Richtung der vorderen Oberfläche 11a und der hinteren Oberfläche 11b erstrecken, die Risse an diesem Punkt nicht die vordere Oberfläche 11a und die hintere Oberfläche 11b erreichen.
  • Nach dem Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt S10 wird eine kreisförmige Schutzfolie 25 mit einer Oberfläche 25a, in der kein Haftmittel verwendet wird, veranlasst, an der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 auf eine solche Weise anzuhaften, dass die eine Oberfläche 25a in engen Kontakt mit der vorderen Oberfläche 11a gebracht wird (Schutzfolien-Anhaftschritt S20). 4 ist ein Diagramm zum Erläutern des Schutzfolien-Anhaftschritts S20. Die Schutzfolie 25 ist in der vorliegenden Ausführungsform aus einem olefinbasierten Kunststoff hergestellt. Der olefinbasierte Kunststoff beinhaltet Polyolefin wie beispielsweise Polyethylen (PE) oder Polypropylen (PP), von die jeweils eine hochmolekulare Verbindung ist, die unter Verwendung von von Alkenen als ein Monomer synthetisiert wird, und beinhaltet auch ein Copolymer aus einem Alkenmonomer und einer anderen Art von Monomeren wie beispielsweise ein Ethylen-Vinylacetat-Copolymer. Die dem olefinbasierten Kunststoff hergestellte Schutzfolie 25 weist im Wesentlichen (beispielsweise im Vergleich zu einer Schutzfolie aus Polyethylenterephthalat) als mechanische Eigenschaften eine relativ hohe Dehnungsrate und eine relativ hohe Flexibilität auf.
  • Wenn die Schutzfolie 25 gegen die vordere Oberfläche 11a des Wafers 11 gedrückt wird, wirkt eine elektrostatische Kraft, eine intermolekulare Kraft, ein Unterdruck-Sog oder dergleichen, um die eine Oberfläche 25a der Schutzfolie 25 in engen Kontakt mit der vorderen Oberfläche 11a zu bringen, obwohl die eine Oberfläche 25a keine Haftmittelschicht aufweist. Es ist zu beachten, dass die vorliegende Ausführungsform den vorteilhaften Effekt dahingehend bietet, dass dadurch, dass kein Haftmittel verwendet wird, um eine Haftmittelschicht an der einen Oberfläche 25a der Schutzfolie 25 auszubilden, kein Haftmittel an der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 zurückbleibt, nachdem die Schutzfolie 25 von dem Wafer 11 abgezogen wurde.
  • Im Schutzfolien-Anhaftschritt S20 wird eine Schutzfolie 25 mit einer vorgegebenen Größe aus einer Folienrolle (nicht dargestellt) ausgeschnitten, die durch ein Aufwickeln der Schutzfolie 25 in eine Rollenform erhalten wurde, und die ausgeschnittene Schutzfolie 25 wird gegen die vordere Oberfläche 11a gedrückt. Nachdem beispielsweise ein Bediener die Schutzfolie 25 in der vorgegebenen Form an der vorderen Oberfläche 11a platziert hat, wird ein scheibenförmiger Drückkörper (nicht dargestellt), dessen Durchmesser größer ist als der des Wafers 11, auf eine vorgegebene Temperatur erwärmt und der erwärmte Drückkörper wird gegen die Schutzfolie 25 gedrückt. Es ist zu beachten, dass eine ähnliche Bearbeitung auch automatisch durch eine vorgegebene Vorrichtung (nicht dargestellt) ausgeführt werden könnte.
  • Die Schutzfolie 25 weist beispielsweise eine kreisförmige Form und einen Durchmesser auf, der größer ist als derjenige des Wafers 11. Wenn die Schutzfolie 25, deren Durchmesser größer ist als der des Wafers 11, in engen Kontakt mit dem Wafer 11 gebracht wird, haftet ein ringförmiger Bereich an der einen Oberfläche 25a der Schutzfolie 25, der in Bezug auf den Wafer 11 in dessen radialer Richtung nach außen positioniert ist, an der Haftmittelschicht des Teilungsbands 17. Wäre der Durchmesser der Schutzfolie 25 kleiner als derjenige des Wafers 11, würde die Schutzfolie 25 an einem Tragtisch 24 (siehe 5) anhaften, der in einem nachfolgenden Schritt verwendet werden soll, was dazu führen könnte, dass die Schutzfolie 25 unbeabsichtigt von der vorderen Oberfläche 11a abgezogen wird. Da die Schutzfolie 25 in der vorliegenden Ausführungsform jedoch einen größeren Durchmesser als der Wafer 11 aufweist, können ein solches unbeabsichtigtes Abziehen der Schutzfolie 25 von der vorderen Oberfläche 11a und eine unbeabsichtigte Anhaftung der Schutzfolie 25 am Tragtisch 24 verhindert werden.
  • Es ist zu beachten, dass der Durchmesser der Schutzfolie 25 größer sein könnte als ein Innendurchmesser des Ringrahmens 19. In diesem Fall wird ein Teil der Schutzfolie 25 in engen Kontakt mit dem Ringrahmen 19 gebracht. Dadurch kann im Bereich des engen Kontakts zwischen der Schutzfolie 25 und dem Ringrahmen 19 ein Abzieh-Startpunkt festgelegt werden, der beim Abziehen der Schutzfolie 25 in einem folgenden Schritt verwendet werden soll. Da an dem Ringrahmen 19 keine Haftmittelschicht vorgesehen ist, ist es einfacher, die Schutzfolie 25 aufgrund des im Bereich des engen Kontakts zwischen der Schutzfolie 25 und dem Ringrahmen 19 festgelegten Abzieh-Startpunkts abzuziehen als in einem Fall, in dem ein Abzieh-Startpunkt in einem Bereich festgelegt wird, in dem die Schutzfolie 25 und das Teilungsband 17 miteinander verbunden sind.
  • Nach dem Schutzfolien-Anhaftschritt S20 wird die Wafereinheit 21 einer Brechvorrichtung 20 (siehe 5) zum Teilen des Wafers 11 zugeführt, wobei die modifizierten Schichten 23 als die Teilungsstartpunkte verwendet werden. Wie in 5 dargestellt, weist die Brechvorrichtung 20 einen Rahmenkörper 22 in einer relativ flachen, mit einem Boden versehenen zylindrischen Form auf. In einem zentralen Abschnitt des Rahmenkörpers 22 ist der scheibenförmig ausgebildete Tragtisch 24 angeordnet, der aus Gummi ausgebildet ist und eine Elastizität aufweist. Ein Durchmesser des Tragtisches 24 ist größer als derjenige des Wafers 11, aber kleiner als der Innendurchmesser des Ringrahmens 19. Ferner weist der Tragtisch 24 eine obere Oberfläche 24a des Tragtisches 24 auf, die höher positioniert ist als eine obere Oberfläche 22a des Rahmenkörpers 22.
  • Ein Vorsprung 22b zum Verhindern einer Positionsabweichung des Ringrahmens 19 in einer horizontalen Richtung ist an einem Abschnitt einer inneren Oberfläche des Rahmenkörpers 22 vorgesehen, wobei der Abschnitt in Bezug auf den Tragtisch 24 nach außen positioniert ist. Der Vorsprung 22b ist beispielsweise in einer ringförmigen Form entlang einer Umfangsrichtung des Rahmenkörpers 22 ausgebildet. Nachdem der Ringrahmen 19 so angeordnet ist, dass seine Innenseite mit einer Außenseite des Vorsprungs 22b Kontakt aufnimmt, wird oberhalb des Ringrahmens 19 ein ringförmiges Drückelement 26 angeordnet, dessen Außendurchmesser im Wesentlichen dem Innendurchmesser des Rahmenkörpers 22 entspricht. Der Ringrahmen 19 wird von dem Drückelement 26 und der inneren Bodenoberfläche der unteren Oberfläche des Rahmenkörpers 22 geklemmt. Es ist zu beachten, dass, obwohl beim Klemmen des Ringrahmens 19 durch das Drückelement 26 und den Rahmenkörper 22 eine gewisse Zugspannung auf das Teilungsband 17 in einer sich radial aufweitenden Richtung wirkt, diese Zugspannung allein nicht ausreicht, um den Wafer 11 zu teilen.
  • Oberhalb des Tragtisches 24 ist eine zylindrische Walze 28 (vgl. 6) aus rostfreiem Stahl vorgesehen. Eine Länge der Walze 28 in ihrer Längsrichtung ist beispielsweise gleich oder größer als der Durchmesser des Wafers 11, aber gleich oder kleiner als der Innendurchmesser des Ringrahmens 19.
  • Die Walze 28 ist in einer vorgegebenen Richtung innerhalb einer horizontalen Ebene rollend beweglich. Ferner kann die Bewegungsrichtung der Walze 28 um 90 Grad relativ zum Rahmenkörper 22 innerhalb der horizontalen Ebene gedreht werden.
  • Eine Höhe eines unteren Endes der Walze 28 ist an einer vorgegebenen Position über dem Tragtisch 24 fixiert, während die Walze 28 auf eine rollende Weise bewegt wird. Es ist zu beachten, dass die Höhe des unteren Endes der Walze 28 nach Bedarf eingestellt werden kann. Durch ein Einstellen der Höhe des unteren Endes der Walze 28 in Bezug auf die obere Oberfläche 24a ist es möglich, einen Drückbetrag der Walze 28 gegen den Wafer 11 einzustellen. Der Wafer 11, der dem Schutzfolien-Anhaftschritt S20 unterzogen wurde, wird von dem Tragtisch 24 so getragen, dass die vordere Oberfläche 11a und die obere Oberfläche 24a einander zugewandt sind (Trageschritt S30). 5 ist ein Diagramm zum Erläutern des Trageschritts S30.
  • Im Trageschritt S30 wird der Ringrahmen 19 an einer horizontalen Position durch den Vorsprung 22b befestigt und an einer vertikalen Position durch das Drückelement 26 und den Rahmenkörper 22 positioniert. Nach dem Trageschritt S30 wird die Walze 28 in Bezug auf die obere Oberfläche 24a rollend bewegt, sodass von der Seite der hinteren Oberfläche 11b eine äußere Kraft auf den Wafer 11 aufgebracht wird. Dementsprechend wird der Wafer 11 in mehrere Chips (nicht dargestellt) geteilt (Teilungsschritt S40).
  • 6 ist ein Diagramm zur Erläuterung des Teilungsschritts S40. In dem Teilungsschritt S40 wird zunächst die Walze 28 rollend bewegt, wobei ihre Bewegungsrichtung parallel zu den vorgesehenen Teilungslinien 13 festgelegt ist, die sich in der einen Richtung erstrecken. Dadurch wird auf jede der vorgesehenen Teilungslinien 13, die sich in der einen Richtung erstrecken, eine äußere Kraft in einer im Wesentlichen gleichmäßigen Weise aufgebracht, sodass sich Risse nacheinander von den jeweiligen modifizierten Schichten 23 in Richtung der vorderen Oberfläche 11a und der hinteren Oberfläche 11b über die gesamten vorgesehenen Teilungslinien 13 erstrecken, die sich in der einen Richtung von einem Ende zum anderen Ende davon erstrecken.
  • Die Bewegungsrichtung der Walze 28 wird dann in der horizontalen Ebene relativ zum Rahmenkörper 22 um 90 Grad gedreht, sodass die Bewegungsrichtung im Wesentlichen parallel zu den vorgesehenen Teilungslinien 13 festgelegt wird, die sich in der anderen Richtung orthogonal zu der einen Richtung erstrecken. Die Walze 28 wird in diesem Zustand rollend bewegt. Dadurch wird an jede der vorgesehenen Teilungslinien 13, die sich in der anderen Richtung erstrecken, auf eine im Wesentlichen gleichmäßige Weise eine äußere Kraft aufgebracht. Wenn solche äußeren Kräfte aufgebracht werden, erstrecken sich Risse fortschreitend von den jeweiligen modifizierten Schichten 23 in Richtung der vorderen Oberfläche 11a und der hinteren Oberfläche 11b über die gesamten vorgesehenen Teilungslinien 13, die sich in der anderen Richtung von einem Ende zu den anderen Ende davon erstrecken. Die entlang der jeweiligen vorgesehenen Teilungslinien 13 ausgebildeten Risse erreichen somit die vordere Oberfläche 11a und die hintere Oberfläche 11b, und dementsprechend wird der Wafer 11 in mehrere Chips geteilt.
  • Da der Teilungsschritt S40 in der vorliegenden Ausführungsform in dem Zustand ausgeführt wird, in dem die eine Oberfläche 25a der Schutzfolie 25 und die vordere Oberfläche 11a des Wafers 11 in engem Kontakt miteinander stehen, kann eine Reibung zwischen der Schutzfolie 25 und dem Wafer 11 reduziert werden. Da die Schutzfolie 25 aus einem olefinbasierten Kunststoff hergestellt ist, ist es zusätzlich möglich, selbst wenn eine gewisse Reibung zwischen der Schutzfolie 25 und dem Wafer 11 auftritt, die Menge an Schmutzpartikeln, die von der Schutzfolie 25 stammen und die an der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 anhaften, im Vergleich zu dem Fall eines Verwendens einer Schutzfolie aus Polyethylenterephthalat, die relativ spröde ist, zu reduzieren. Nach dem Teilungsschritt S40 wird die Wafereinheit 21 aus der Brechvorrichtung 20 entnommen und die Schutzfolie 25 von dem Wafer 11 abgezogen (Schutzfolien-Abziehschritt S50). Das Abziehen der Schutzfolie 25 könnte manuell durch einen Bediener ausgeführt werden oder automatisch durch eine Abziehvorrichtung (nicht dargestellt).
  • Nach dem Schutzfolien-Abziehschritt S50 wird die Haftfähigkeit des Teilungsbands 17 verringert (Haftfähigkeits-Verringerungsschritt S60). Beispielsweise werden im Fall eines Verwendens eines UV-härtbaren Kunststoffs als die Haftmittelschicht des Teilungsbands 17 UV-Strahlen auf das Teilungsband 17 aufgebracht. Alternativ dazu wird im Fall eines Verwendens eines wärmehärtenden Kunststoffs als die Haftmittelschicht die Haftfähigkeit durch ein Erwärmen des Teilungsbands 17 auf eine vorgegebene Temperatur verringert. Nach dem Haftfähigkeits-Verringerungsschritt S60 wird das Teilungsband 17 unter Verwendung einer Aufweitvorrichtung (nicht dargestellt) aufgeweitet, um Lücken zwischen den Chips zu vergrößern (Aufweitungsschritt S70). Danach wird jeder der Chips unter Verwendung einer Greifeinrichtung oder dergleichen aufgenommen (Aufnahmeschritt S80).
  • Die Ausgestaltungen und Verfahren, die sich auf die oben beschriebene Ausführungsform beziehen, können in geeigneter Weise modifiziert werden, ohne den Rahmen des Gegenstands der vorliegenden Erfindung zu sprengen. Beispielsweise könnte die vordere Oberfläche 11a in dem Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt S10 anstelle der Ausbildung der modifizierten Schichten 23 entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien 13 unter Verwendung einer Ritzeinrichtung, wie beispielsweise einer Ritzeinrichtung mit Diamantspitze, geritzt werden, um dadurch Teilungsstartpunkte an der vorderen Oberfläche 11a auszubilden.
  • Es ist zu beachten, dass im Falle eines Verwendens einer Schutzfolie 25, die eine relativ große Dicke (beispielsweise 50 um oder mehr) aufweist, nicht unbedingt der gesamte Tragtisch 24 aus Gummi ausgebildet sein muss. Beispielsweise könnte der Tragtisch 24 teilweise aus Metall wie beispielsweise Edelstahl hergestellt sein. Aber auch im Fall eines Verwendens des teilweise aus Metall ausgebildeten Tragtisches 24 ist es vorteilhaft, wenn an einem obersten Abschnitt des Tragtisches 24 eine kreisförmige elastische Schicht aus Gummi angeordnet ist, um eine Beschädigung der Bauelemente 15 sicherer zu verhindern.
  • Darüber hinaus könnte im Teilungsschritt S40 anstelle eines Verwendens der Walze 28 eine lineare Klinge oder eine Brechstange entlang der Positionen, die den vorgesehenen Teilungslinien 13 entsprechen, nacheinander gegen die hintere Seite der hinteren Oberfläche 11b gedrückt werden, um dadurch äußere Kräfte auf den Wafer 11 auszuüben.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2009148982 [0002]

Claims (3)

  1. Wafer-Teilungsverfahren zum Teilen eines Wafers mit einer vorderen Oberfläche, an der mehrere vorgesehene Teilungslinien in einem Gittermuster angeordnet sind und Bauelemente in jeweiligen Bereichen ausgebildet sind, die durch die mehreren vorgesehenen Teilungslinien unterteilt sind, entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien, wobei das Wafer-Teilungsverfahren umfasst: einen Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt eines Ausbildens eines Teilungsstartpunkts entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien, wobei der Teilungsstartpunkt eine geringere mechanische Festigkeit aufweist als diejenige in den Bereichen, in denen die Bauelemente ausgebildet sind, und als ein Startpunkt für eine Teilung des Wafers dient; einen Schutzfolien-Anhaftschritt, nach dem Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt, eines Anhaftens einer Schutzfolie, die aus einem olefinbasierten Kunststoff hergestellt ist und eine Oberfläche aufweist, an der kein Haftmittel verwendet wird, an dem Wafer auf eine solche Weise, dass die eine Oberfläche in engen Kontakt mit der vorderen Oberfläche des Wafers gebracht wird; einen Trageschritt, nach dem Schutzfolien-Anhaftschritt, eines Tragens des Wafers durch einen Tragtisch auf eine solche Weise, dass die vordere Oberfläche des Wafers und der Tragtisch einander zugewandt sind; und einen Teilungsschritt, nach dem Trageschritt, eines Aufbringens einer äußeren Kraft auf den Wafer von einer Seite der hinteren Oberfläche des Wafers, um dadurch den Wafer an den Teilungsstartpunkten zu teilen.
  2. Wafer-Teilungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Wafer in dem Trageschritt durch den Tragtisch getragen wird, der eine Elastizität aufweist.
  3. Wafer-Teilungsverfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei auf den Wafer im Teilungsstartpunkt-Ausbildungsschritt ein gepulster Laserstrahl mit einer durch den Wafer transmittierbaren Wellenlänge aufgebracht wird, wobei ein fokussierter Spot des Laserstrahls innerhalb des Wafers positioniert wird, während der fokussierte Spot des Laserstrahls und der Wafer entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien relativ zueinander bewegt werden, um dadurch eine modifizierte Schicht, die als der Teilungsstartpunkt dient, entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien auszubilden.
DE102022207640.0A 2021-08-02 2022-07-26 Wafer-teilungsverfahren Pending DE102022207640A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021126527A JP2023021579A (ja) 2021-08-02 2021-08-02 ウェーハの分割方法
JP2021-126527 2021-08-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102022207640A1 true DE102022207640A1 (de) 2023-02-02

Family

ID=84890194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102022207640.0A Pending DE102022207640A1 (de) 2021-08-02 2022-07-26 Wafer-teilungsverfahren

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230030317A1 (de)
JP (1) JP2023021579A (de)
KR (1) KR20230019786A (de)
CN (1) CN115701650A (de)
DE (1) DE102022207640A1 (de)
TW (1) TW202307945A (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009148982A (ja) 2007-12-20 2009-07-09 Daitron Technology Co Ltd ブレーキング装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009148982A (ja) 2007-12-20 2009-07-09 Daitron Technology Co Ltd ブレーキング装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230030317A1 (en) 2023-02-02
TW202307945A (zh) 2023-02-16
JP2023021579A (ja) 2023-02-14
CN115701650A (zh) 2023-02-10
KR20230019786A (ko) 2023-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005047110B4 (de) Waferteilungsverfahren und -teilungsvorrichtung
DE102016224214B4 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
EP2028164B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trennen einer Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere Einzelplatten mittels Laser
DE102015220379A1 (de) Wasser-Bearbeitungsverfahren
DE102017202498A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102012212095A1 (de) Laserbearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE102015221485A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102016224033B4 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE102017219344B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102020209874B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102020201866A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102020207070A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102020200439A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102014209555A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102019219077A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102021212640A1 (de) Spanntisch und laserbearbeitungsvorrichtung
DE102019217093A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102020204300A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102019215999A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102020205820A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102019217091A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102020201864A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102015203961A1 (de) Plattenformobjekt-Bearbeitungsverfahren
DE102022207640A1 (de) Wafer-teilungsverfahren
DE102020211390B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed