DE102022124858A1

DE102022124858A1 - Halbleitervorrichtung, verfahren zum testen derselben und verfahrenzum gestalten derselben

Info

Publication number: DE102022124858A1
Application number: DE102022124858.5A
Authority: DE
Inventors: Hiroko Yoshinaga
Original assignee: Renesas Electronics Corp
Current assignee: Renesas Electronics Corp
Priority date: 2021-09-30
Filing date: 2022-09-27
Publication date: 2023-03-30
Also published as: JP2023050669A; KR20230046969A; CN115910963A; US20230095204A1

Abstract

Eine Signalverzögerung etc. in einem Signalpfad von einem Elektrodenpad zu einem Funktionsblock wird reduziert. Ein Eingangs-Ausgangs-Block A und ein Eingangs-Ausgangs-Block B sind mit Elektrodenpads verbunden. Ein Funktionsblock A ist mit den Elektrodenpads über den Eingangs-Ausgangs-Block A verbunden. Ein Funktionsblock B ist mit den Elektrodenpads über den Eingangs-Ausgangs-Block B verbunden. Der Funktionsblock A und der Funktionsblock B sind an einander gegenüberliegenden Positionen angeordnet, um den Eingangs-Ausgangs-Block A und den Eingangs-Ausgangs-Block B sandwichartig einzuschließen.

Description

QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
Die Offenbarung der japanischen Patentanmeldung Nr. 2021-160890, eingereicht am 30. September 2021, einschließlich der Beschreibung, der Zeichnungen und der Zusammenfassung, ist hierin durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit aufgenommen.
HINTERGRUND
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Testen und zum Gestalten der Halbleitervorrichtung und betrifft zum Beispiel eine Halbleitervorrichtung mit einer Vielzahl von Funktionsblöcken, ein Verfahren zum Testen und zum Gestalten einer solchen Halbleitervorrichtung.
Im Folgenden ist eine offenbarte Technik aufgeführt.
[Patentdokument 1] Japanische ungeprüfte Patentanmeldung Veröffentlichungsnr. 2001-34650
Als Stand der Technik offenbart das Patentdokument 1 ein Verfahren zum Gestalten einer Halbleitervorrichtung. In Patentdokument 1 kombiniert die Halbleitervorrichtung eine Vielzahl von Makrozellen, indem verschiedene Elementschaltungen auf dem Halbleiterchip angeordnet werden. Die Halbleitervorrichtung hat eine Vielzahl von Pads, die in vorgegebenen Intervallen entlang ihrer Au-ßenperipherie angeordnet sind. Weiter hat die Halbleitervorrichtung einen Ana-Iog-Digital(AD - Analog to Digital)-Wandler, der in dem Mittelteil des Chips angeordnet ist, und eine Eingangs-Ausgangs-Pufferzelle, die an der Außenperipherie des Chips angeordnet ist. Der AD-Wandler und die Eingangs-Ausgangs-Pufferzelle sind miteinander verbunden und die Eingangs-Ausgangs-Pufferzelle und das Pad sind miteinander verbunden.
ZUSAMMENFASSUNG
In letzter Zeit werden mit zunehmender Leistung und Funktionalität von elektronischen Vorrichtungen häufig eine Vielzahl von Funktionsblöcken auf einem Halbleiterchip montiert. Bei einem solchen Halbleiterchip kann, um die Anzahl der auf dem Halbleiterchip montierten Pads zu reduzieren, ein Pad zum Eingeben und Ausgeben des Signals jedes Funktionsblocks nach außen von einer Vielzahl von Funktionsblöcken gemeinsam genutzt werden. In Patentdokument 1 wird nicht berücksichtigt, dass ein Pad von einer Vielzahl von Funktionsblöcken gemeinsam genutzt wird. In Patentdokument 1 ist, wenn ein Pad von einer Vielzahl von Funktionsblöcken gemeinsam genutzt wird, die Länge der Verdrahtung von dem Pad zu einem Funktionsblock länger als die Länge der Verdrahtung von dem Pad zu dem anderen Funktionsblock.
Andere Aufgaben und neuartige Merkmale werden aus der Beschreibung dieser Spezifikation und den beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist ein Halbleitervorrichtung vorgesehen. Die Halbleitervorrichtung umfasst erste und zweite Eingangs-Ausgangs-Blöcke, einen ersten Funktionsblock und einen zweiten Funktionsblock. Der erste Funktionsblock ist mit jedem einer Vielzahl von Elektrodenpads über den ersten Eingangs-Ausgangs-Block verbunden. Der zweite Funktionsblock ist mit jedem der Vielzahl von Elektrodenpads über den zweiten Eingangs-Ausgangs-Block verbunden. In der Halbleitervorrichtung sind der erste Funktionsblock und der zweite Funktionsblock an einander gegenüberliegenden Positionen angeordnet, um den ersten und den zweiten Eingangs-Ausgangs-Block sandwichartig einzuschließen.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist es in dem Signalpfad von dem Elektrodenpad zu dem ersten Funktionsblock über den ersten Eingangs-Ausgangs-Block und in dem Signalpfad von dem Elektrodenpad zu dem zweiten Funktionsblock über den zweiten Eingangs-Ausgangs-Block möglich, den Widerstand und die Kapazität, die mit jedem Signalpfad verbunden sind, zu reduzieren.
Figurenliste

1 ist ein Blockdiagramm, das einen Teil einer Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigt.
2 ist ein Schaltungsdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der Halbleitervorrichtung zeigt.
3 ist ein Querschnittsdiagramm, das einen A-A-Querschnitt von 1 zeigt.
4 ist eine Draufsicht, die ein Layout-Beispiel eines Halbleiterchips zeigt.
5 ist eine Draufsicht, die ein weiteres Layout-Beispiel eines Halbleiterchips zeigt.
6 ist eine Draufsicht, die noch ein weiteres Layout-Beispiel eines Halbleiterchips zeigt.
7 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren zum Gestalten einer Halbleitervorrichtung zeigt.
8 ist ein Blockdiagramm, das ein Konfigurationsbeispiel eines Computers zeigt.
9 ist ein Blockdiagramm, das eine Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigt.
10 ist ein Blockdiagramm, das eine Halbleitervorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung zeigt.
11 ist ein Blockdiagramm, das schematisch einen Test für eine Halbleitervorrichtung zeigt.
12 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel eines Layouts einer Halbleitervorrichtung zeigt, die in der Studie verwendet wird.
13 ist ein Blockdiagramm, das einen Teil eines Halbleiterchips zeigt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Vor der Beschreibung der Ausführungsbeispiele wird der Hintergrund beschrieben, der zu den folgenden Ausführungsbeispielen führt. 12 zeigt ein Beispiel eines Layouts einer Halbleitervorrichtung (Halbleiterchip), die in der Studie verwendet wird. Dieser Halbleiterchip 200 umfasst eine Vielzahl von Elektrodenpads 201, einen Eingangs-Ausgangs-Block (Eingangs-Ausgangs-Schaltung) 202 und einen eine interne Logik bildenden Bereich 203. Die Vielzahl von Elektrodenpads 201 an dem peripheren Teil des Halbleiterchips 200 ist Seite an Seite in der X-Richtung und der Y-Richtung angeordnet. In dem Halbleiterchip 200 ist die Vielzahl von Elektrodenpads 201 auf der Eingangs-Ausgangs-Schaltung 202 gestapelt und angeordnet, um die Chipfläche zu reduzieren.
Eine Vielzahl von Funktionsblöcken ist in dem die interne Logik bildenden Bereich 203 angeordnet. Die Vielzahl von Funktionsblöcken umfasst, ist aber nicht darauf beschränkt, eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU - Central Processing Unit), einen Direktzugriffsspeicher (RAM - Random Access Memory), einen Nur-Lese-Speicher (ROM - Read Only Memory) und Peripherieschaltungen. In dem Beispiel von 12 sind ein Funktionsblock (Funktionsblock A) 211 und ein Funktionsblock (Funktionsblock B) 212 in dem die interne Logik bildenden Bereich 203 angeordnet. Zumindest ein Teil der Vielzahl von Elektrodenpads 201 wird von der Vielzahl von Funktionsblöcken gemeinsam genutzt.
13 zeigt einen Teil des oben angeführten Halbleiterchips. In diesem Fall werden die zwei Elektrodenpads 251 und 252 von dem Funktionsblock A 211 und dem Funktionsblock B 212 gemeinsam genutzt. Die Elektrodenpads 251 und 252 entsprechen den in 12 gezeigten Elektrodenpads 201. Die Elektrodenpads 251 und 252 sind jeweils mit der Eingangs-Ausgangs-Schaltung (Eingangs-Ausgangs-Schaltung A) 221 des Funktionsblocks A 211 und der Eingangs-Ausgangs-Schaltung (Eingangs-Ausgangs-Schaltung B) 222 des Funktionsblocks B 212 verbunden. Die Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 und die Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 umfassen einen Block, der mit dem Elektrodenpad 251 verbunden ist, bzw. einen Block, der mit dem Elektrodenpad 252 verbunden ist. Die Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 und die Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 an dem peripheren Teil des Halbleiterchips 200 sind Seite an Seite in der X-Richtung angeordnet.
In 13 sind die Elektrodenpads 251 auf der Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 gestapelt und das Elektrodenpad 252 ist auf der Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 gestapelt. Das Elektrodenpad 251 ist mit der Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 über einen Kontakt verbunden und ist mit der Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 über eine Verdrahtung 261 verbunden. Andererseits ist das Elektrodenpad 252 mit der Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 über einen Kontakt verbunden und mit der Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 über eine Verdrahtung 262 verbunden. Der Funktionsblock A 211 ist mit der Eingangs-Ausgangs-Schaltung 221 verbunden. Der Funktionsblock B 212 ist mit der Eingangs-Ausgangs-Schaltung 222 verbunden.
Hier können in dem Halbleiterchip ein Spannungsabfall, eine Änderung des Signaländerungszeitpunkts und Rauschen in der Verdrahtung zum Verbinden des Elektrodenpads und der Eingangs-Ausgangs-Schaltung und der Verdrahtung zum Verbinden des Funktionsblocks und der Eingangs-Ausgangs-Schaltung auftreten. Bei der Gestaltung des Halbleiterchips 200 wird zur Reduzierung von Rauschen oder dergleichen die Gestaltung so ausgeführt, dass die Verdrahtung keinen Widerstand und keine Kapazität hat. In dem Beispiel von 13 ist das Elektrodenpad 251 auf der Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 gestapelt, und das Elektrodenpad 251 und die Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 sind auf der Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 verbunden. Weiter ist das Elektrodenpad 252 auf der Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 gestapelt und das Elektrodenpad 252 und die Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 sind auf der Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 verbunden.
Jedoch sind das Elektrodenpad 251 und die Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222, um ein Kurzschließen des Elektrodenpads 252 zu vermeiden, unter Verwendung der Verdrahtung 261 verbunden, die durch den äußeren Bereich der Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 und der Eingangs-Ausgangs-Schaltung B verläuft. Das Elektrodenpad 252 und die Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 sind ebenfalls unter Verwendung der Verdrahtung 262 verbunden, die durch den äußeren Bereich der Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 und der Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 verläuft. In dem Beispiel von 13 sind der mit dem Elektrodenpad 251 verbundene Block und der mit dem Elektrodenpad 252 verbundene Block der Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 in der X-Richtung angeordnet. Daher ist es insbesondere unmöglich, die Verdrahtungslänge der Verdrahtung 261 zu verkürzen, und in der Verdrahtung 261 tritt ein Spannungsabfall auf und es tritt auch Rauschen auf. Wenn die Eingangs-Ausgangs-Schaltung A 221 und die Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 Seite an Seite in der Y-Richtung angeordnet sind, sind die Verdrahtungslängen der Verdrahtungen 261 und 262 kürzer als die Verdrahtungslänge in dem Fall des Beispiels von 13. In diesem Fall wird jedoch die Verdrahtungslänge der Verdrahtung zwischen der Eingangs-Ausgangs-Schaltung B 222 und dem Funktionsblock B 212 länger. Der aktuelle Erfinder hat sich auf die oben beschriebenen Probleme konzentriert und ist dazu gekommen, die folgenden Ausführungsbeispiele zu konzipieren.
Ausführungsbeispiele, auf die Mittel zum Lösen der obigen Probleme angewendet werden, werden unten im Detail unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Zur Klarheit der Erläuterung werden die folgende Beschreibung und die Zeichnungen in geeigneter Weise ausgelassen und vereinfacht. In jeder Zeichnung sind die gleichen Elemente mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und deren wiederholte Beschreibung wird nach Bedarf weggelassen.
In den folgenden Ausführungsbeispielen erfolgt die Beschreibung, wenn es der Einfachheit halber erforderlich ist, durch Aufteilen in eine Vielzahl von Abschnitten oder Ausführungsbeispielen, aber außer wenn dies spezifisch angegeben ist, sind diese nicht unabhängig voneinander, und eines bezieht sich auf das modifizierte Beispiel, Detail, zusätzliche Beschreibung oder dergleichen eines Teils oder des gesamten anderen. Weiter wird in den folgenden Ausführungsbeispielen, wenn auf die Anzahl von Elementen etc. (einschließlich der Anzahl, des numerischen Werts, der Quantität, des Bereichs etc.) Bezug genommen wird, außer in dem Fall, in dem es insbesondere angegeben ist, oder in dem Fall, in dem es offensichtlich auf die spezifische Anzahl im Prinzip eingeschränkt ist, ist die Anzahl nicht auf die spezifische Anzahl beschränkt und kann größer oder kleiner als die spezifische Anzahl sein.
Darüber hinaus ist es unnötig anzumerken, dass in den folgenden Ausführungsbeispielen die konstituierenden Elemente (einschließlich Elementschritten und dergleichen) nicht notwendigerweise wesentlich sind, außer in dem Fall, in dem sie spezifisch spezifiziert sind, und in dem Fall, in dem sie im Prinzip als offensichtlich wesentlich angesehen werden. In ähnlicher Weise wird in den folgenden Ausführungsbeispielen, wenn auf die Formen, Positionsbeziehungen und dergleichen von Komponenten und dergleichen Bezug genommen wird, angenommen, dass die Formen und dergleichen im Wesentlichen angenähert oder ähnlich sind zu den Formen und dergleichen, mit Ausnahme für den Fall, in dem sie spezifisch angegeben sind, und den Fall, in dem sie im Prinzip als offensichtlich angesehen werden, und dergleichen. Gleiches gilt für die oben angeführte Anzahl und dergleichen (einschließlich Anzahl, numerischer Wert, Quantität und Bereich).
Erstes Ausführungsbeispiel
1 zeigt einen Teil einer Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. Eine Halbleitervorrichtung 100 umfasst einen Funktionsblock A 101, einen Funktionsblock B 102, einen Eingangs-Ausgangs-Block A 111, einen Eingangs-Ausgangs-Block B 112, ein Elektrodenpad 121 und ein Elektrodenpad 122. Der Funktionsblock A 101 und der Funktionsblock B 102 sind Schaltungsblöcke zum Durchführen jeweils einer vorgegebenen Funktion. Der Funktionsblock A 101 und der Funktionsblock B 102 umfassen jeweils Schaltungselemente wie Logikelemente, aktive Elemente und Speicherelemente.
Der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 umfasst eine Eingangs-Ausgangs-Schaltung für den Funktionsblock A 101. Der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 umfasst eine Eingangs-Ausgangs-Schaltung für den Funktionsblock B 102. Die Elektrodenpads 121 und 122 sind Pads für einen Signal-Eingang und -Ausgang, die jeweils von dem Funktionsblock A 101 und dem Funktionsblock B 102 gemeinsam genutzt werden. Sowohl der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 als auch der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 umfasst einen mit dem Elektrodenpad 121 verbundenen Block und einen mit dem Elektrodenpad 122 verbundenen Block. Das Elektrodenpad 121 ist mit einem Block des Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und einem Block des Eingangs-Ausgangs-Blocks B 112 verbunden. Weiter ist das Elektrodenpad 122 mit dem anderen Block des Eingangs-Ausgangs-Blocks A 111 und dem anderen Block des Eingangs-Ausgangs-Blocks B 112 verbunden. Der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 ist mit dem Funktionsblock A 101 verbunden. Der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 ist mit dem Funktionsblock B 102 verbunden. Die Elektrodenpads 121 und 122 sind jeweils mit dem Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und dem Eingangs-Ausgangs-Block B 112 auf dem Eingangs-Ausgangs-Block verbunden.
2 zeigt eine Schaltungskonfiguration der Halbleitervorrichtung 100. Signale, die von den Elektrodenpads 121 und 122 eingegeben werden, werden in den Eingangs-Ausgangs-Block A 111 bzw. den Eingangs-Ausgangs-Block B 112 verteilt. Der Signaleingang von dem Elektrodenpad 121 wird in den Funktionsblock A 101 über den Eingangs-Ausgangs-Block A 111 eingegeben, wird in den Funktionsblock B 102 über den Eingangs-Ausgangs-Block B 112 eingegeben. Der Signaleingang von dem Elektrodenpad 122 wird in den Funktionsblock A 101 über den Eingangs-Ausgangs-Block A 111 eingegeben, wird in den Funktionsblock B 102 über den Eingangs-Ausgangs-Block B 112 eingegeben.
Ein Selektor 115 gibt selektiv ein von dem Funktionsblock A 101 ausgegebenes Signal und ein von dem Funktionsblock B 102 ausgegebenes Signal in Reaktion auf ein Steuersignal aus. Der Selektor 115 wählt das von dem Funktionsblock A 101 ausgegebene Signal aus, wenn die Signale, die von den Elektrodenpads 121 und 122 eingegeben werden, durch den Funktionsblock A 101 verwendet werden. Der Selektor 115 wählt das von dem Funktionsblock B 102 ausgegebene Signal aus, wenn die Signale, die von den Elektrodenpads 121 und 122 eingegeben werden, durch den Funktionsblock B 102 verwendet werden.
Oben wurde das Beispiel beschrieben, bei dem die von den Elektrodenpads 121 und 122 eingegebenen Signale in den Funktionsblock A 101 und in den Funktionsblock B 102 eingegeben werden und der Selektor 115 einen der Ausgänge des Funktionsblocks A 101 und den Ausgang des Funktionsblocks B 102 auswählt. Das vorliegende Ausführungsbeispiel ist jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann die Auswahl von Signalen an den Eingangsseiten der Funktionsblöcke durchgeführt werden und ein Selektor kann zwischen den Elektrodenpads 121 und 122 und den Funktionsblöcken A 101 und B 102 angeordnet sein. In diesem Fall gibt der Selektor selektiv die Signaleingänge von den Elektrodenpads 121 und 122 an den Funktionsblock A 101 oder den Funktionsblock B 102 aus.
Die Elektrodenpads 121 und 122 sind an Positionen gebildet, die mit einem des Eingangs-Ausgangs-Blocks A 111 und des Eingangs-Ausgangs-Blocks B 112 überlappen. Wie in 1 gezeigt, ist in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel das Elektrodenpad 121 auf der oberen Schicht des Eingangs-Ausgangs-Blocks A 111 angeordnet. Weiter ist das Elektrodenpad 122 auf der oberen Schicht des Eingangs-Ausgangs-Blocks B 112 angeordnet. In anderen Worten, das Elektrodenpad 121 ist auf dem Eingangs-Ausgangs-Block A 111 gestapelt und angeordnet, und das Elektrodenpad 122 ist auf dem Eingangs-Ausgangs-Block B 112 gestapelt und angeordnet. Der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 sind Seite an Seite in Y-Richtung angeordnet. Weiter sind der Funktionsblock A 101 und der Funktionsblock B 102 so angeordnet, dass sie den Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und den Eingangs-Ausgangs-Block B 112 von der Y-Richtung sandwichartig einschließen. In anderen Worten, der Funktionsblock A 101 und der Funktionsblock B 102 sind so angeordnet, dass sie einander in der Y-Richtung gegenüberliegen und den Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und den Eingangs-Ausgangs-Block B 112 sandwichartig einschließen.
3 zeigt einen A-A-Querschnitt von 1. Das Elektrodenpad 122 ist zum Beispiel in einer Aluminium-(AL)-Schicht gebildet, die die oberste Schicht der Verdrahtungsschicht ist. Eine Verdrahtung 151 ist in der AL-Schicht gebildet, zieht ein Signal, das von dem Elektrodenpad 122 eingegeben wird, zu einem Bereich, in dem der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 ausgebildet ist. Der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 umfasst ein Gate 152 und eine Diffusionsschicht 155. Die Verdrahtung 151 ist mit dem Gate 152 über einen Kontakt verbunden, der in der Verdrahtungsschicht ausgebildet ist. Der Ausgang des Eingangs-Ausgangs-Blocks A 111 ist mit einer in der AL-Schicht ausgebildeten Verdrahtung 161 über einen in der Verdrahtungsschicht ausgebildeten Kontakt verbunden. Der Funktionsblock A 101 umfasst ein Gate 171 und eine Diffusionsschicht 175. Die Verdrahtung 161 ist mit dem Gate 171 über einen Kontakt verbunden.
Der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 umfasst ein Gate 153 und eine Diffusionsschicht 156. Das Elektrodenpad 122 ist in einem Bereich, in dem der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 ausgebildet ist, mit dem Gate 153 über einen in der Verdrahtungsschicht ausgebildeten Kontakt verbunden. Der Ausgang des Eingangs-Ausgangs-Blocks B 112 ist mit einer in der AL-Schicht ausgebildeten Verdrahtung 162 über einen in der Verdrahtungsschicht ausgebildeten Kontakt verbunden. Der Funktionsblock B 102 umfasst ein Gate 172 und eine Diffusionsschicht 176. Die Verdrahtung 162 ist mit dem Gate 172 über einen Kontakt verbunden.
Im Folgenden wird ein Layout-Beispiel des Halbleiterchips mit der in 1 gezeigten Struktur beschrieben. 4 zeigt ein Layout-Beispiel eines Halbleiterchips, der den in 1 gezeigten Teil der Halbleitervorrichtung umfasst. In dem Beispiel von 4 umfasst ein Halbleiterchip 150a den Funktionsblock A 101, den Funktionsblock B 102, CPU0 - CPU3 (130 - 133) und RAMs 135 und 136. Weiter umfasst der Halbleiterchip 150a eine Vielzahl von Elektrodenpads 140, die an dem peripheren Teil in der X-Richtung und der Y-Richtung angeordnet sind, und einen Eingangs-Ausgangs-Block 141. In dem Halbleiterchip 150a sind die Elektrodenpads 140 auf der oberen Schicht des Eingangs-Ausgangs-Blocks 141 angeordnet, ähnlich zu dem Halbleiterchip 200, der in 12 gezeigt ist. Die Elektrodenpads 121 und 122 für den Funktionsblock A 101 und den Funktionsblock B 102 sind im Inneren des Chips angeordnet. In dem Beispiel von 4 sind der Funktionsblock A 101, der Funktionsblock B 102, der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 in einem Bereich auf dem Halbleiterchip 150a angeordnet, der sich im Mittelteil in X-Richtung und dem Endteil in der Y-Richtung befindet.
5 zeigt ein weiteres Layout-Beispiel eines Halbleiterchips, der den Teil der in 1 gezeigten Halbleitervorrichtung umfasst. In einem Halbleiterchip 150b, der in 5 gezeigt ist, sind der Funktionsblock A 101, der Funktionsblock B 102, der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 in dem Eckteil des Halbleiterchips angeordnet. Die Anordnung der CPU0 - CPU3 (130 - 133) und der RAMs 135 und 136 in dem Halbleiterchip 150b kann ähnlich zu ihrer Anordnung in dem Halbleiterchip 150a sein.
Im Vergleich des in 4 gezeigten Halbleiterchips 150a mit dem in 5 gezeigten Halbleiterchip 150b ist der Halbleiterchip 150a in der Lage, die Anzahl der Elektroden 140 und der Eingangs-Ausgangs-Blöcke 141, die an dem peripheren Teil des Chips angeordnet sind, im Vergleich zu dem Halbleiterchip 150b zu erhöhen. Wenn daher eine große Anzahl der Elektrodenpads 140 anzuordnen sind, wie in dem Halbleiterchip 150a, können der Funktionsblock A 101, der Funktionsblock B 102, der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 an dem Endteil des Mittelteils des Chips angeordnet werden.
Jedoch sind in dem Halbleiterchip 150a der Funktionsblock A 101, der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 zwischen der CPU1 (131) und dem RAM 136 angeordnet. Wenn daher eine Verdrahtung (Digitalsignalverdrahtung), die die CPU1 (131) und den RAM 136 verbindet, ausgebildet wird, ist es schwierig, die Verdrahtung linear auszubilden. In vielen Fällen muss die Digitalsignalverdrahtung den Funktionsblock A 101, den Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und den Eingangs-Ausgangs-Block B 112 umgehen. Daher tritt in dem Halbleiterchip 150a eine Verdrahtungsüberfüllung auf und der Freiheitsgrad des Grundrisses nimmt ab. Im Gegensatz dazu gibt es in dem Halbleiterchip 150b keinen Einfluss des Umwegs der Digitalsignalverdrahtung und einen hohen Freiheitsgrad des Grundrisses in dem Halbleiterchip 150b. Daher können, wenn der Freiheitsgrad des Grundrisses priorisiert wird, wie in dem Halbleiterchip 150b, der Funktionsblock A 101, der Funktionsblock B 102, der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 in dem Eckbereich des Chips angeordnet werden.
Wie in den 4 und 5 gezeigt, sind in den Halbleiterchips 150a und 150b die Elektrodenpads 121 und 122 innerhalb des Chips ausgebildet. Wenn der Halbleiterchip 150a oder 150b mit einem Packagesubstrat durch Drähte verbunden ist, sind die Längen der Drähte, die mit den Elektrodenpads 121 und 122 verbunden sind, länger als die Länge des Drahts, der mit dem an dem peripheren Teil angeordneten Elektrodenpad verbunden ist. In diesem Fall steigt zum Beispiel das Risiko eines Drahtflusses während der Formgebung und ein Kurzschluss zwischen Drähten kann auftreten.
6 zeigt ein weiteres Layout-Beispiel eines Halbleiterchips, das die Halbleitervorrichtung 100 umfasst. Ein in 6 gezeigter Halbleiterchip 150c ist ein Halbleiterchip, der mit einem Packagesubstrat Flip-Chip-verbunden ist. Der Halbleiterchip 150c umfasst eine Vielzahl von Elektrodenpads 140, die gleichmäßig auf der gesamten Oberfläche des Chips angeordnet sind. Wenn ein Halbleiterchip eine Flip-Chip-Packaging hat, besteht kein Risiko eines Drahtflusses, selbst wenn die Elektrodenpads 121 und 122 innerhalb des Chips angeordnet sind. Daher ist die Struktur des vorliegenden Ausführungsbeispiels mit der Flip-Chip-Packaging kompatibel.
Im Übrigen kann in dem Fall des Flip-Chip-Packaging, wenn die Pads nicht gleichmäßig angeordnet sind, das Harz, das den Halbleiterchip und den Rahmen des Packages füllt, nicht gleichmäßig eingespritzt werden, und der Chip und das Package können nicht in engen Kontakt gebracht werden. Daher, wie in 6 gezeigt, kann das Elektrodenpad an einer Position angeordnet sein, an der das Elektrodenpad den Funktionsblock A 101 oder den Funktionsblock B 102 überlappt. Die Elektrodenpads 145 - 147, die an den Positionen angeordnet sind, die den Funktionsblock A 101 oder den Funktionsblock B 102 überlappen, können Dummy-Elektrodenpads sein, die nirgendwo verbunden sind.
7 zeigt ein Verfahren zum Gestalten der Halbleitervorrichtung 100. In einem Funktionsblock-Anordnungsprozess werden, um mit dem Grundriss des Halbleiterchips übereinzustimmen, die Funktionsblöcke angeordnet (Schritt S1). Dann wird jeder Eingangs-Ausgangs-Block so angeordnet, dass er sandwichartig zwischen der Vielzahl von Funktionsblöcken liegt, die dieselben Elektrodenpads gemeinsam nutzen, und die Positionen der Eingangs-Ausgangs-Blöcke werden so angepasst, dass die Eingangs-Ausgangs-Blöcke in einer Richtung ausgerichtet sind, zum Beispiel in Y-Richtung (Schritt S2). Anschließend werden die von der Vielzahl von Funktionsblöcken gemeinsam genutzten Elektrodenpads auf einem der Eingangs-Ausgangs-Blöcke angeordnet (Schritt S3). Die Elektrodenpads und die Eingangs-Ausgangs-Blöcke werden auf kürzestem Weg verbunden (Schritt S4) und die Funktionsblöcke und die Eingangs-Ausgangs-Blöcke werden auf kürzestem Weg verbunden (Schritt S5).
Es sollte angemerkt werden, dass das in 7 gezeigte Verfahren zur Gestaltung durch einen Computer durchgeführt werden kann. 8 zeigt ein Konfigurationsbeispiel eines Computers. Ein Computer 500 umfasst einen oder mehrere Prozessoren 501 und einen oder mehrere Speicher 502. Der Speicher 502 speichert ein Programm. Das Programm umfasst Anweisungen (oder Softwarecode), die den Computer 500 veranlassen, jeden Schritt des Verfahrens zur Gestaltung durchzuführen, das in 7 gezeigt wird. In dem Computer 500 führt der Prozessor 501 jeden Schritt des in 7 gezeigten Verfahrens zur Gestaltung durch Lesen des Programms aus dem Speicher 502 und Ausführen der Verarbeitung gemäß dem gelesenen Programm durch.
Das obige Programm kann auf einem nichtflüchtigen computerlesbaren Medium oder einem materiellen Speichermedium gespeichert sein. Auf beispielhafte Weise, aber nicht darauf beschränkt, umfasst ein computerlesbares Medium oder ein materielles Speichermedium RAM, ROM, Flash-Speicher, Festkörperlaufwerk (SSD - solid-state drive), andere Speichertechnologien, Compact Disc (CD)-ROM, DVD (Digital Versatile Disc), Blu-ray(eingetragene Marke)-Disk, andere optische Plattenspeicher, Magnetkassetten, Magnetbänder, Magnetplattenspeicher und andere magnetische Speichervorrichtungen. Das Programm kann auf einem nichtflüchtigen computerlesbaren Medium oder einem Kommunikationsmedium übertragen werden. Auf beispielhafte Weise und nicht einschränkend kann ein nichtflüchtiges computerlesbares Medium oder ein Kommunikationsmedium elektrische, optische, akustische oder andere Formen von sich ausbreitenden Signalen umfassen.
Wirkung
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind der Funktionsblock A 101 und der Funktionsblock B 102 so angeordnet, dass sie einander gegenüberliegen und den Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und den Eingangs-Ausgangs-Block B 112 sandwichartig einschließen. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel können die Elektrodenpads 121 und 122, die von den zwei Funktionsblöcken gemeinsam genutzt werden, mit dem Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und dem Eingangs-Ausgangs-Block B 112 durch Kurzstreckenverdrahtungen verbunden sein.
Weiter können der Eingangs-Ausgangs-Block A111 und der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 mit dem Funktionsblock A 101 und dem Funktionsblock B 102 durch Kurzstreckenverdrahtungen verbunden sein. Daher ist es möglich, den Widerstand und die Kapazität der Verdrahtungen von den Elektrodenpads 121 und 122 zu dem Funktionsblock A 101 und dem Funktionsblock B 102 zu optimieren, und es ist somit möglich, einen Spannungsabfall und Rauschen in dem Signalpfad zu reduzieren. Weiter sind in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Elektrodenpads 121 und 122 auf einem der Eingangs-Ausgangs-Blöcke gestapelt. Daher ist es in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel möglich, eine Vergrö-ßerung des Verdrahtungsbereichs des Halbleiterchips zu unterdrücken.
Zweites Ausführungsbeispiel
9 zeigt eine Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. Eine Halbleitervorrichtung 100a gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst einen Funktionsblock C 103 und einen Eingangs-Ausgangs-Block C 113 zusätzlich zu der Konfiguration der Halbleitervorrichtung 100, die in dem in 1 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel beschrieben ist. Der Eingangs-Ausgangs-Block C 113 umfasst eine Eingangs-Ausgangs-Schaltung für den Funktionsblock C 103. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel werden die Elektrodenpads 121 und 122 von dem Funktionsblock A 101, dem Funktionsblock B 102 und dem Funktionsblock C 103 gemeinsam genutzt. Andere Konfigurationen können die gleichen wie die Konfiguration der Halbleitervorrichtung 100 sein, die in dem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben ist.
Der Eingangs-Ausgangs-Block A 111, der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 und der Eingangs-Ausgangs-Block C 113 sind in einer Reihe entlang der Y-Richtung angeordnet. Der Eingangs-Ausgangs-Block C 113 ist zum Beispiel zwischen dem Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und dem Eingangs-Ausgangs-Block B 112 angeordnet. Das Elektrodenpad 121 ist auf einem der drei Eingangs-Ausgangs-Blöcke ausgebildet, zum Beispiel dem Eingangs-Ausgangs-Block A 111. Das Elektrodenpad 122 ist auf einem der drei Eingangs-Ausgangs-Blöcke ausgebildet, zum Beispiel dem Eingangs-Ausgangs-Block B 112. Der Funktionsblock A 101 und der Funktionsblock B 102 sind so angeordnet, dass sie einander gegenüberliegen und um den Eingangs-Ausgangs-Block in der Y-Richtung sandwichartig einzuschließen. Der Funktionsblock C103 ist Seite an Seite in der X-Richtung in Bezug auf den Eingangs-Ausgangs-Block C113 angeordnet.
Das Elektrodenpad 121 ist in einem Bereich vorgesehen, in dem der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 und der Eingangs-Ausgangs-Block C 113 ausgebildet sind, zum Beispiel unter Verwendung einer Verdrahtung der obersten Schicht der Verdrahtungsschicht. Das Elektrodenpad 122 ist in einem Bereich vorgesehen, in dem der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und der Eingangs-Ausgangs-Block C 113 ausgebildet sind, zum Beispiel unter Verwendung einer Verdrahtung der obersten Schicht der Verdrahtungsschicht. Die Elektrodenpads 121 und 122 sind mit einem Gate in jedem Eingangs-Ausgangs-Block über einen Kontakt verbunden, der in der Verdrahtungsschicht vorgesehen ist.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist eine Verdrahtung zu dem Funktionsblock C 103 etwas länger als die Verdrahtungen zu dem Funktionsblock A 101 und dem Funktionsblock B 102. Jedoch kann die Länge der Verdrahtung zu jedem Funktionsblock verkürzt werden im Vergleich zu dem Fall, in dem drei Funktionsblöcke und drei Eingangs-Ausgangs-Blöcke Seite an Seite in der X-Richtung angeordnet sind. Somit ist es in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel, auch wenn die Anzahl von Funktionsblöcken auf mehr als 2 erhöht wird, ähnlich zu dem ersten Ausführungsbeispiel, möglich, den Widerstand und die Kapazität der Verdrahtung zu optimieren, und es ist möglich, einen solchen Spannungsabfall und Rauschen in dem Signalpfad zu reduzieren.
Die Anzahl der mit den Elektrodenpads 121 und 122 verbundenen Funktionsblöcke ist nicht besonders auf die oben beschriebene Anzahl beschränkt. Zum Beispiel kann eine Halbleitervorrichtung vier Funktionsblöcke umfassen. In diesem Fall kann der Eingangs-Ausgangs-Block für den vierten Funktionsblock (Funktionsblock D) zwischen dem Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und dem Eingangs-Ausgangs-Block B 112 angeordnet sein. Der Funktionsblock D kann auf der gegenüberliegenden Seite in der X-Richtung angeordnet sei, zum Beispiel mit dem Eingangs-Ausgangs-Block des Funktionsblocks C 103 sandwichartig dazwischen angeordnet.
Drittes Ausführungsbeispiel
10 zeigt eine Halbleitervorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. Eine Halbleitervorrichtung 100b gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst Testelektrodenpads (Testpads) 125 und 126 zusätzlich zu der Konfiguration der Halbleitervorrichtung 100, die in dem in 1 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel beschrieben ist. Die Testpads 125 und 126 sind jeweils elektrisch mit den Elektrodenpads 121 und 122 verbunden. Das Testpad 125 ist auf dem Eingangs-Ausgangs-Block B 112 ausgebildet und das Testpad 126 ist auf dem Eingangs-Ausgangs-Block A 111 ausgebildet. Andere Konfigurationen können die gleichen wie die Konfiguration der in dem ersten Ausführungsbeispiel beschriebenen Halbleitervorrichtung 100 sein.
Im Allgemeinen kann bei einem Testen von Halbleiterchips eine Testnadel die Elektrodenpads beschädigen. Zum Beispiel tritt in dem Fall, in dem die Elektrodenpads 121 und 122 beschädigt werden, wahrscheinlich ein Adhäsionsausfall beim Bonden der Bonddrähte auf. Um dies zu vermeiden, werden in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Testpads 125 und 126 während des Testens verwendet. Die Testpads 125 und 126 werden durch die Testnadel beschädigt. Da jedoch die Elektrodenpads 121 und 122 nicht beschädigt werden, ist es möglich, einen solchen Adhäsionsausfall des Bonddrahts zu vermeiden.
Im Folgenden wird angenommen, dass das Elektrodenpad 121 und das Testpad 125 ein Elektrodenpad für einen Signaleingang sind und dass das Elektrodenpad 122 und das Testpad 126 ein Elektrodenpad für einen Signalausgang sind. In dem Eingangs-Ausgangs-Block A 111 sind das Elektrodenpad 121 und das Testpad 125 mit dem Eingangspuffer verbunden und das Elektrodenpad 122 und das Testpad 126 sind mit dem Ausgangspuffer verbunden. In dem Eingangs-Ausgangs-Block B 112 sind das Elektrodenpad 121 und das Testpad 125 mit dem Eingangspuffer verbunden, und das Elektrodenpad 122 und das Testpad 126 sind mit dem Ausgangspuffer verbunden.
11 zeigt schematisch einen Test für die Halbleitervorrichtung 100b. In dem Fall eines Wechselstrom-(AC - Alternate Current)-Abtasttests werden die Testnadeln 401 und 402 mit dem Testpad 125 für die Eingangsschaltung bzw. dem Testpad 126 für die Ausgangsschaltung kontaktiert, um den Test durchzuführen. In 11 wird angenommen, dass der zu testende Funktionsblock ein Funktionsblock A 101 ist. Ein Abtastmuster (Testsignal) wird von der Testnadel 401 in das Testpad 125 eingegeben. Das Abtastmuster wird in den Funktionsblock A 101 über den Eingangs-Ausgangs-Block A 111 eingegeben. Die Logikschaltung des Funktionsblocks A 101 arbeitet mit der Frequenz des Produkts und gibt das Operationsergebnis aus. Das Operationsergebnis (Ausgangssignal) des Funktionsblocks A 101 wird von dem Testpad 126 über den Eingangs-Ausgangs-Block A 111 ausgegeben. Ein Tester 400 akquiriert das Operationsergebnis (Signalmuster) über die Nadel 402. Der Tester 400 bestimmt, ob der Funktionsblock A 101 normal arbeitet oder nicht, indem bestimmt wird, ob das Signalmuster (Signalwert), das von dem Testpad 126 erlangt wird, und der erwartete Wert übereinstimmen oder nicht.
Wenn der Widerstand und die Kapazität der Verdrahtung in dem Signalpfad von dem Testpad 125 zu dem Funktionsblock A 101 groß sind, tritt eine Verzögerung in dem Eingangsabtastmuster auf. Als Ergebnis kann der erwartete Wert nicht in den Flip-Flops im Funktionsblock A 101 gespeichert werden, der mit der Frequenz des Produkts arbeitet. In diesem Fall weicht das von dem Tester schließlich erkannte Ergebnis von dem erwarteten Wert ab, und das Ergebnis verschlechtert sich.
Wenn weiter der Widerstand und die Kapazität der Verdrahtung in dem Signalpfad von dem Funktionsblock A 101 zu dem Testpad 126 groß sind, tritt eine Verzögerung in dem Signalausgang von dem Testpad 126 auf. In diesem Fall weicht das von dem Tester schließlich erkannte Ergebnis von dem erwarteten Wert ab, und das Ergebnis verschlechtert sich. Im Übrigen, obwohl die Abtastperiode in dem Tester angepasst werden kann, ist eine Anpassung zur Abtastzeit nicht einfach, da die Herstellungsvariation für jeden Halbleiterchip unterschiedlich ist.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel, hinsichtlich der Testpads 125 und 126, ähnlich zu den Elektrodenpads 121 und 122, können die Testpads 125 und 126 mit dem Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und dem Eingangs-Ausgangs-Block B 112 durch Kurzstreckenverdrahtungen verbunden sein. Weiter können der Eingangs-Ausgangs-Block A 111 und der Eingangs-Ausgangs-Block B 112 mit dem Funktionsblock A 101 und dem Funktionsblock B 102 durch Kurzstreckenverdrahtungen verbunden sein. Daher ist es möglich, den Widerstand und die Kapazität der Verdrahtungen von den Testpads 125 und 126 zu dem Funktionsblock A 101 und dem Funktionsblock B 102 zu optimieren, und es ist möglich, den Spannungsabfall und das Rauschen in dem Signalpfad zum Testen zu reduzieren. Als Ergebnis ist es möglich, die Wahrscheinlichkeit zu reduzieren, dass die Halbleitervorrichtung in dem Test als defekt bestimmt wird, und es ist möglich, die Verschlechterung des Ergebnisses zu unterdrücken.
Obwohl die von dem Erfinder der vorliegenden Erfindung gemachte Erfindung insbesondere basierend auf den Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, und es ist unnötig zu erwähnen, dass verschiedene Modifikationen vorgesehen werden können, ohne vom Wesentlichen abzuweichen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 200134650 [0004]

Claims

Halbleitervorrichtung, die aufweist: eine Vielzahl von Elektrodenpads; einen ersten Eingangs-Ausgangs-Block, der mit der Vielzahl von Elektrodenpads gekoppelt ist; einen zweiten Eingangs-Ausgangs-Block, der mit der Vielzahl von Elektrodenpads gekoppelt ist; einen ersten Funktionsblock, der mit jedem der Vielzahl von Elektrodenpads über den ersten Eingangs-Ausgangs-Block gekoppelt ist; und einen zweiten Funktionsblock, der mit jedem der Vielzahl von Elektrodenpads über den zweiten Eingangs-Ausgangs-Block gekoppelt ist, wobei die ersten und zweiten Funktionsblöcke an einander gegenüberliegenden Positionen angeordnet sind, um die ersten und zweiten Eingangs-Ausgangs-Blöcke sandwichartig einzuschließen.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei jeder der Vielzahl von Elektrodenpads an einer Position gebildet ist, die mit einem der ersten und zweiten Eingangs-Ausgangs-Blöcke überlappt.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der erste Funktionsblock, der zweite Funktionsblock, der erste Eingangs-Ausgangs-Block und der zweite Eingangs-Ausgangs-Block in einem Bereich auf einem Halbleiterchip angeordnet sind, der sich in einem Mittelteil in einer ersten Richtung und einem Endteil in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung befindet.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Funktionsblock, der zweite Funktionsblock, der erste Eingangs-Ausgangs-Block und der zweite Eingangs-Ausgangs-Block in einem Eckteil eines Halbleiterchips angeordnet sind.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Vielzahl von Elektrodenpads ein erstes Elektrodenpad und ein zweites Elektrodenpad umfasst, wobei das erste Elektrodenpad an einer Position ausgebildet ist, die mit einem der ersten und zweiten Eingangs-Ausgangs-Blöcke überlappt, und wobei das zweite Elektrodenpad an einer Position ausgebildet ist, die mit dem anderen der ersten und zweiten Eingangs-Ausgangs-Blöcke überlappt.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Vielzahl von Elektrodenpads ein Teil einer Vielzahl von Elektrodenpads ist, die auf einer gesamten Oberfläche eines Halbleiterchips ausgebildet ist.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 6, wobei die Vielzahl von Elektrodenpads, die auf der gesamten des Halbleiterchips ausgebildet ist, ein Dummy-Elektrodenpad umfasst, das nicht mit den ersten und zweiten Eingangs-Ausgangs-Blöcken gekoppelt ist, und wobei das Dummy-Elektrodenpad an einer Position ausgebildet ist, die mit den ersten und zweiten Eingangs-Ausgangs-Blöcken überlappt.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, die weiter aufweist: einen dritten Eingangs-Ausgangs-Block, der mit der Vielzahl von Elektrodenpads gekoppelt ist; und einen dritten Funktionsblock, der mit jedem der Vielzahl von Elektrodenpads über den dritten Eingangs-Ausgangs-Block gekoppelt ist.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 8, wobei die ersten und zweiten Funktionsblöcke an einander gegenüberliegenden Positionen angeordnet sind, um den ersten, den zweiten und den dritten Eingangs-Ausgangs-Block sandwichartig einzuschließen.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, die weiter eine Vielzahl von Testelektrodenpads aufweist, die während des Testens verwendet werden, und wobei jedes der einer Vielzahl von Testelektrodenpads mit der Vielzahl von Elektrodenpads gekoppelt ist.
Die Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 10, wobei die Vielzahl von Elektrodenpads ein Elektrodenpad für einen Signaleingang und ein Elektrodenpad für einen Signalausgang umfasst, und wobei die Vielzahl von Testelektrodenpads ein Testelektrodenpad umfassen, das mit dem Elektrodenpad für den Signaleingang gekoppelt ist, und ein Testelektrodenpad, das mit dem Elektrodenpad für den Signalausgang gekoppelt ist.
Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 11, das aufweist: Kontaktieren einer ersten Testnadel mit dem Testelektrodenpad, das mit dem Elektrodenpad für den Signaleingang gekoppelt ist; Eingeben eines Testsignals von der ersten Nadel in den ersten oder zweiten Funktionsblock über die ersten und zweiten Eingangs-Ausgangs-Blöcke; Kontaktieren einer zweiten Testnadel mit dem Testelektrodenpad, das mit dem Elektrodenpad für den Signalausgang gekoppelt ist; Erhalten, von der zweiten Nadel, eines Ausgangssignals, das von dem ersten oder zweiten Funktionsblock über die ersten und zweiten Eingangs-Ausgangs-Blöcke ausgegeben wird; und Vergleichen des Ausgangssignals mit einem erwarteten Wert des Testsignals, um zu bestimmen, ob der erste oder zweite Funktionsblock normal arbeitet.
Verfahren zum Gestalten einer Halbleitervorrichtung, das unter Verwendung eines Computers durchgeführt wird, das aufweist: der Computer ordnet erste und zweite Funktionsblöcke an, die eine Vielzahl von Elektrodenpads gemeinsam nutzen; der Computer ordnet erste und zweite Eingangs-Ausgangs-Blöcke so an, dass sie sandwichartig zwischen den ersten und zweiten Funktionsblöcken eingeschlossen sind; der Computer ordnet eine Vielzahl von Elektrodenpads an, die von den ersten und zweiten Funktionsblöcken verwendet werden; der Computer koppelt die Vielzahl von Elektrodenpads mit dem ersten bzw. zweiten Eingangs-Ausgangs-Block; der Computer koppelt den ersten Funktionsblock mit dem ersten Eingangs-Ausgangs-Block; und der Computer koppelt den zweiten Funktionsblock mit dem zweiten Eingangs-Ausgangs-Block.