DE102022118063A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Metall-Kontakten einer Solarzelle und Solarzelle - Google Patents
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Abstract
Bereitgestellt wird ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur einer Solarzelle, bei dem zunächst an einer Mehrzahl von Stellen eine erste, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension lokal auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht und in einem ersten Feuer- oder Sinter-Prozess gefeuert oder gesintert wird, so dass lokale, voneinander getrennte Halbleiter-Metall-Kontaktbereiche erzeugt werden, und bei dem anschließend so erzeugte lokale, voneinander getrennte Halbleiter-Metall-Kontakte durch ein zweites Aufbringen einer Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension und einen zweiten, separaten Feuer- oder Sinter- oder Aushärtungs-Prozess miteinander zu der Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur der Solarzelle verbunden werden.
Description
- Für die Herstellung möglichst effizienter Solarzellen spielt die elektrische Kontaktierung der Solarzellen durch Herstellung von geeigneten Halbleiter-Metall-Kontakten eine entscheidende Rolle, da Rekombinationsströme am Metall-Halbleiter-Interface die Leistungsfähigkeit moderner Solarzellen beschränken.
- Bekannte Möglichkeiten zur Herstellung dieser Kontakte sind von den Eigenschaften der zu kontaktierenden Halbleiteroberflächen abhängig. Für n+ -dotiertes Silizium (gleichermaßen für per Diffusion dotierte Flächen und dotierte Polysiliziumschichten) ist eine Verwendung von zur Ausbildung des Kontakts lokal aufgebrachten und anschließend in einem Feuer- oder Sinterschritt erhöhten Temperaturen ausgesetzten Silberpasten möglich, die aber wegen ihres hohen Silbergehalts teuer sind. Für eine Kontaktierung von p+ - dotiertem Silizium, insbesondere für p+ dotierte Polysiliziumschichten, werden mit Silberpasten keine guten Ergebnisse erzielt.
- Auch die ebenfalls verfügbaren Silber-Aluminiumpasten und auch Aluminiumpasten führen wegen einer schnellen Legierungsbildung zwischen Aluminium und Silizium nicht zu befriedigen Ergebnissen. Da Aluminium in diesen Pasten in größeren Partikeln, typischerweise mit einem Durchmesser > 1 µm, vorliegt, wird eine mehrere hundert Nanometer tiefe Legierung in das p+ dotierte Silizium oder in die Polysiliziumschicht erzeugt, die mit einer hohen Rekombination verbunden ist. Deshalb wird insbesondere bei der Kontaktierung von p+ -Polysilizium auch eine Metallisierung mittels PVD (Physical Vapor Deposition)- Beschichtung angewendet, die aber einen erheblichen Aufwand mit sich bringt und deshalb ebenfalls teuer ist.
- Diese Probleme bestehen insbesondere auch dann, wenn es sich um Kontakte handelt, bei denen das TOPCon (Tunnel oxide passivating contacts)-Prinzips, bei dem die gesamte Oberfläche mit einer 1-10nm dicken Tunneloxidschicht passiviert wird und der Kontakt über eine darauf angeordnete, typischerweise 50-200um starke p+ -Polysiliziumschicht hergestellt wird. Hier kommt insbesondere das Problem hinzu, dass die Durchdringung der dünnen Tunneloxidschicht vermieden werden muss, um Rekombination an Metallkontakten zu vermeiden.
- Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, ein Verfahren zur kostengünstigen Herstellung von Halbleiter-Metall-Kontakten mit niedrigen Rekombinationsströmen einer Solarzelle und eine Solarzelle mit Halbleiter-Metall-Kontakten mit niedrigen Rekombinationsströmen bereitzustellen. Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und eine Solarzelle mit den Merkmalen des Patentanspruchs 10.
- Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung der Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur einer Solarzelle, wird zunächst an einer Mehrzahl von diskreten Stellen eine erste, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension lokal auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht, die in einem ersten Feuer- oder Sinter-Prozess gefeuert oder gesintert werden, bei dem die Strukturen kurzzeitig (worunter im Rahmen dieser Beschreibung insbesondere ein Zeitraum von typischerweise 30 bis 180 Sekunden verstanden werden soll) einem Temperaturprofil in einem Durchlaufofen ausgesetzt werden, welches typischerweise Spitzen-Temperaturen von über 700°C, meist über 750°C für einige Sekunden erreicht, so dass lokale, voneinander räumlich und/oder elektrisch getrennte Halbleiter-Metall-Kontakte erzeugt werden. Wenn solche lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontakte auf einer Linie angeordnet sind, ergibt sich also beispielsweise eine punktierte oder gestrichelte Linie, die z.B. erzeugt werden kann, indem eine solche Linie mit der ersten, Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht, z.B. per Siebdruck oder per Schablonendruck oder per Dispensing oder per Inkjetting, und anschließend gefeuert oder gesintert oder ausgehärtet wird.
- Mit anderen Worten wird demnach in diesen Schritten des erfindungsgemäßen Verfahrens noch nicht die für den Betrieb der Solarzelle notwendige vollständige Kontaktstruktur geschaffen, sondern diese entsteht erst im weiteren Verlauf des Verfahrens, nämlich dadurch, dass anschließend so erzeugte lokale, voneinander getrennte Halbleiter-Metall-Kontakte durch Aufbringen einer -vorzugsweise aber nicht notwendigerweise zweiten, also anders zusammengesetzten und insbesondere andere Metallpartikel oder andere Glasfritte enthaltenden- Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension und einen zweiten, separaten Feuer- oder Sinter-Prozess miteinander zu der Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur der Solarzelle verbunden werden.
- Wichtig ist dabei zu betonen, dass es sich um einen separaten Feuer- oder Sinterprozess handelt, bei dem die lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontakte bereits erzeugt sind. Untersuchungen der Erfinder haben nämlich gezeigt, dass ein Verfahren, bei dem die erste, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension an diskreten Stellen aufgebracht und mit der zweiten, Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension miteinander verbunden werden, ehe sie gefeuert oder gesintert oder ausgehärtet wurden, nicht zur Ausbildung von Metall-Halbleiterkontakten der gewünschten Qualität führen.
- Angemerkt sei - auch wenn dies eigentlich schon aus der Tatsache hervorgeht, dass das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur einer Solarzelle dient,- dass mit dem Begriff „Halbleiteroberfläche“ nicht die unbehandelte Oberfläche des Siliziumwafers gemeint ist, sondern um die Oberfläche der Solarzelle, die typischerweise durch eine Dielektrikumsschicht gebildet wird.
- Als erste, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension kommen insbesondere Silberpasten, -Tinten oder -Suspensionen mit Glasfritten-Beimischung in Frage, wie sie bislang bereits zur Bildung von Halbleiter-Metall-Kontakten im Fall von n+-Silizium oder -Polysilizium verwendet wurden. Überraschenderweise zeigt sich, dass diese Pasten, Tinten oder Suspensionen für lokale, voneinander getrennte Halbleiter-Metall-Kontakte, die eine gewisse Größe nicht überschreiten auch bei der Kontaktierung anderer Halbleiteroberflächen mit niedrigem Kontaktwiderstand, insbesondere von p+ -Polysilizium verwendet werden können, ohne dass hohe Rekombinationsströme auftreten.
- Insbesondere ist die Fläche der einzelnen lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontakte, die mit der ersten, Metallpartikel enthaltenden Paste beim ersten Feuern oder Sintern geschaffen werden, je Kontakt kleiner als 50000 µm2, vorzugsweise kleiner als 12500 µm2, höchst vorzugsweise kleiner als 4000 µm2, um laterale Ausgleichsströme weitgehend zu vermeiden.
- Bevorzugt ist es aus diesem Grund ferner, wenn die einzelnen lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontakte kreisförmig oder rechteckförmig sind und wenn ihre größte Ausdehnung kleiner als 100µm, vorzugsweise kleiner als 40µm ist.
- In einer anderen Gestaltungsmöglichkeit sind die einzelnen lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontakte strichförmig mit einer Länge, die geringer als 500µm und vorzugsweise geringer als 250µm ist und mit einer Breite, die geringer als 100µm und vorzugsweise geringer als 50µm ist.
- Ferner ist es bemerkenswert, dass als eine zweite, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension Materialien in Frage kommen, welche sonst für die Herstellung von Metall-Halbleiter-Kontakten von Solarzellen eher nicht in Betracht kommen, beispielsweise wegen zu geringer Anfangsfestigkeit. Zudem sind nach dem ersten Feuer- oder Sinterschritt erste und zweite Metallpartikel enthaltende Pasten kombinierbar, für die dies wegen ihres Mischungsverhaltens oder wegen chemischer Reaktionen miteinander normalerweise nicht der Fall ist. So kann die erste Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension auf Silberpartikeln basieren, und die zweiten, Metallpartikel enthaltenden Pasten, Tinten oder Suspensionen, die bei dem Verfahren verwendet werden, um die zunächst erzeugten einzelnen lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontakte elektrisch leitend miteinander zu verbinden, können beispielsweise aluminium- oder kupferhaltig sein. Solche Pasten, Tinten und Suspensionen können sehr gut leitend sein; gleichzeitig sind sie aber sehr viel preisgünstiger als silberhaltige Pasten, so dass das erfindungsgemäße Verfahren selbst in Fällen, in denen die Metall-Halbleiter-Kontaktstrukturen der Solarzelle grundsätzlich auf der Basis einer einzigen silberhaltigen Paste, Tinte oder Suspension hergestellt werden kann, also z.B. bei der Kontaktierung von n+ -Polysiliziumschichten, zu Kostenvorteilen führen kann.
- In einer bevorzugten Weiterbildung des Verfahrens verläuft der zweite Feuer-, Sinter- oder Aushärtprozess bei einer niedrigeren Temperatur als der erste Feuer- oder Sinter-Prozess und welche nicht ausreicht um die oberste Schicht des Substrats, für gewöhnlich eine Dielektrikumsschicht, vollständig zu durchdringen („nicht-durchfeuernd“).
- Besonders vorteilhaft ist es, wenn der erste Feuer- oder Sinter-Prozess ein schneller Prozess ist mit einer Spitzentemperatur von über 700°C ist, die für weniger als 60 Sekunden vorliegt.
- Bevorzugt wird beim Aufbringen der ersten, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension eine silberhaltige Paste, Tinte oder Suspension verwendet, um möglichst gute Eigenschaften der lokalen Kontakte zu erhalten.
- Besonders gute Ergebnisse erzielt man darüber hinaus, wenn beim zweiten Aufbringen einer Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension eine kupferhaltige oder aluminiumhaltige Paste, Tinte oder Suspension verwendet wird.
- Vorzugsweise, aber nicht zwingend werden daher zwei unterschiedliche Pasten, Tinten oder Suspensionen beim ersten Aufbringen und beim zweiten Aufbringen verwendet.
- Die erfindungsgemäße Solarzelle mit einer Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur zeichnet sich dadurch aus, dass mindestens ein Kontakt einer Polarität durch eine Mehrzahl von lokalen, voneinander getrennten, aus einer ersten gefeuerten oder gesinterten, Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension gebildeten Halbleiter-Metall-Kontakten, die miteinander über Leiterabschnitte, die aus einer -vorzugsweise zweiten, also anders zusammengesetzten- gefeuerten oder gesinterten, Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension verbunden sind, gebildet ist. Durch diesen spezifischen Aufbau wird sichergestellt, dass an den Metallkontakten geringe Rekombinationsströme auftreten, und so eine hohe Offene-Klemmen-Spannung (Voc) und ein hoher Energiewandlungswirkungsgrad erzielt werden.
- Anzumerken ist in diesem Zusammenhang, dass dieser Aufbau an der Solarzelle durch Analyse der Struktur der unterschiedlichen Arten von Abschnitten der Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur und von deren Übergangsbereichen nachweisbar ist, beispielsweise dadurch, dass in den Bereichen die im ersten und im zweiten Schritt kontaktiert werden ein unterschiedliches Kontaktinterface entsteht, mit einer unterschiedlichen Flächenanteil von geöffnetem Dielektrikum, oder mit einer unterschiedlichen Anzahl von Silberkristalliten in der Siliziumoberfläche.
- Dabei kann eine solche Solarzelle eine Rückkontakt-Solarzelle sein, bei der verschieden dotierte Bereiche nebeneinander auf der Rückseite der Solarzelle angeordnet werden. Es ist auch möglich, dass mindestens eine Polarität der Solarzelle durch eine passivierende Kontaktstruktur passiviert ist.
- Die Solarzelle kann darüber hinaus auch eine zweiseitige Solarzelle sein, bei der sich der Kontakt für eine Polarität auf der Vorderseite und der Kontakt für die andere Polarität auf der Rückseite befindet, insbesondere kann die Solarzelle eine TOPCon-Solarzelle sein.
- Da aufgrund der Erfindung dieselbe Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension sowohl für n- als auch p- Kontaktbereiche verwendet werden kann, so vereinfacht sich die Aufbringsequenz im Speziellen für Rückkontakt Solarzellen. Es kann mindesten einen Aufbringschritt gespart werden. Wird mit Siebdruck gearbeitet, so wird verhindert, dass unvollständig getrocknete Druckpaste im zweiten Druckschritt durch Reibung des Siebes abgelöst wird. Des Weiteren wird vermieden, dass der Druckprozess für die Herstellung von Kontakte für die zweite Polarität durch bereits gedruckte Strukturen auf der Zelle gestört wird.
- Besonders bevorzugt ist es, wenn die erste, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension silberhaltig ist und/oder wenn die zweite Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension eine kupferhaltige oder aluminiumhaltige Paste, Tinte oder Suspension ist.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren, die ein Ausführungsbeispiel zeigen, näher erläutert. Es zeigt:
-
1 : Drei Stadien bei einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens, -
2 : eine beispielhafte Auswahl möglicher Formen für die erste Metallisierungsschicht, -
3 : zwei mögliche Ausprägungen für Kombinationen der zwei verschiedenen Metallisierungsschichten, und -
4 : verschiedene Rückkontaktsolarzellen gemäß unterschiedlichen Varianten der Erfindung -
1 zeigt drei Stadien bei einer typischen Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, nämlich nach dem Aufbringen der ersten Kontaktschicht (a), dem anschließenden Feuern oder Sintern (b) und dem Aufbringen der zweiten Kontaktschicht mit nachfolgendem Feuer-, Sinter- oder Aushärtprozess bei einer niedrigeren Temperatur (c). - Im Abschnitt (a) der
1 erkennt man einen Siliziumwafer 100, auf dessen Oberfläche eine Schicht dünnes Tunneloxid 101 und eine p+-Polysiliziumschicht 102 sowie ein Dielektrikum 103 angeordnet sind. Auf dieser Dielektrikumsschicht 103 befinden sich eine Mehrzahl von Stellen 200 mit einer aufgebrachten ersten, Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension. - Im Zustand nach dem ersten Feuern oder Sintern, der im Abschnitt (b) der
1 gezeigt ist, entstehen im Bereich dieser Stellen 200 Halbleiter-Metall-Kontaktstellen 201, so dass die Stellen 200 zu lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontaktbereichen werden. - Nachdem ein zweites Aufbringen einer Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension 300 und ein zweiter, separater Feuer- oder Sinter- oder Aushärtungs-Prozess erfolgt ist, wird der im Abschnitt (c) der
1 gezeigte Zustand erreicht, miteinander zu der Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur der Solarzelle verbunden sind, bei der ein optimaler Kontakt unterhalb der ersten Metallisierungsschicht und gleichzeitig eine gute Querleitfähigkeit aufgrund der zweiten Schicht erreicht werden. - Weiter zeigt die
2 , dass statt der rechteckigen Stellen 200 auch rechteckige Stellen 211 in geringerem Abstand, ovale Stellen 212 oder kreisförmige Stellen 213 geschaffen werden können; eine Vielzahl weitere Formen ist möglich. -
3 zeigt zwei mögliche Ausprägungen für die durch das zweite Aufbringen einer Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension 300,310 geschaffene Struktur und die resultierenden Kontakte zwischen den zwei verschiedenen Metallisierungsschichten. Für die zweite Schicht kann, wie in Darstellung (a) der3 gezeigt, eine, aber muss, wie in Darstellung (b) der3 dargestellt, keine durchgängige zweite Leitschicht aufgebracht werden. Erfindungsgemäß können zum Zwecke der Reduktion des Verbrauchs von Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension der zweiten Metallisierungsschicht die gedruckten Muster ebenfalls aus separierten Teilabschnitten 310 bestehen, so dass nach dem zweiten Feuer- Sinter- oder Aushärtprozess in1 , Darstellung (c) eine heterogene Linie entsteht, die abwechselnd aus Abschnitten besteht die aus der ersten Metallpaste 200 und der zweiten Metallpaste 310 gebildet wurden. -
- Bezugszeichenliste
-
- 100
- Siliziumwafer
- 101
- Dünnes Tunneloxid
- 102
- P+-Polysiliziumschicht
- 103
- Dielektrikum
- 110
- p+ -doped region
- 120
- n+ - doped region
- 200
- diskreten Stellen einer ersten, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension
- 201
- Halbleiter-Metall-Kontaktstelle
- 211
- Rechteckige Stelle einer ersten, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension
- 212
- Ovale Stellen einer ersten, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension
- 213
- Kreisförmige Stellen einer ersten, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension
- 210,220
- Linienförmige Leitungsbahn einer ersten, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension
- 300
- Zweite Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension, welche bei Feuer- Sinter- oder Aushärtprozess bei einer niedrigeren Temperatur in Linienform
- 310
- Zweite Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension, welche bei Feuer- Sinter- oder Aushärtprozess bei einer niedrigeren Temperatur, die komplementär aufgebracht ist
Claims (17)
- Verfahren zur Herstellung der Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur einer Solarzelle, bei dem zunächst an einer Mehrzahl von Stellen eine erste, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension lokal auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht und in einem ersten Feuer- oder Sinter-Prozess gefeuert oder gesintert wird, so dass lokale, voneinander getrennte Halbleiter-Metall-Kontaktbereiche erzeugt werden, und bei dem anschließend so erzeugte lokale, voneinander getrennte Halbleiter-Metall-Kontakte durch ein zweites Aufbringen einer Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension und einen zweiten, separaten Feuer- oder Sinter- oder Aushärtungs-Prozess miteinander zu der Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur der Solarzelle verbunden werden.
- Verfahren nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Feuer- oder Sinter- oder Aushärtungs-Prozess bei einer niedrigeren Temperatur verläuft als der erste Feuer- oder Sinter-Prozess. - Verfahren nach
Anspruch 1 oder2 , dadurch gekennzeichnet, dass der erste Feuer- oder Sinter-Prozess ein schneller Prozess mit einer Spitzentemperatur von über 700°C, die für weniger als 60 Sekunden vorliegt, ist. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , dadurch gekennzeichnet, dass die Fläche der einzelnen lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontakte kleiner als 50000 µm2, vorzugsweise kleiner als 12500 µm2, höchst vorzugsweise kleiner als 4000 µm2 ist. - Verfahren nach
Anspruch 4 , dadurch gekennzeichnet, dass die einzelnen lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontakte kreisförmig, oval, oder rechteckförmig, rechteckförmig mit abgerundeten Ecken sind und dass ihre größte Ausdehnung kleiner als 100µm, vorzugsweise kleiner als 40µm ist. - Verfahren nach
Anspruch 4 , dadurch gekennzeichnet, dass die einzelnen lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontakte strichförmig mit einer Länge, die geringer als 500µm und vorzugsweise geringer als 250µm ist und mit einer Breite, die geringer als 100µm und vorzugsweise geringer als 50µm ist. - Verfahren nach
Anspruch 5 oder6 , dadurch gekennzeichnet, dass die einzelnen lokalen, voneinander getrennten Halbleiter-Metall-Kontakte im zweiten Schritt zu einem Muster aus parallelen Linien miteinander verbunden werden. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 1 bis7 , dadurch gekennzeichnet, dass die erste, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension silberhaltig ist. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 1 bis8 , dadurch gekennzeichnet, dass beim zweiten Aufbringen einer Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension eine kupferhaltige oder aluminiumhaltige Paste, Tinte oder Suspension verwendet wird. - Solarzelle mit einer Halbleiter-Metall-Kontaktstruktur, bei der mindestens ein Kontakt einer Polarität durch eine Mehrzahl von lokalen, voneinander getrennten, aus einer ersten gefeuerten oder gesinterten Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension gebildeten Halbleiter-Metall-Kontakten, die miteinander über Leiterabschnitte, die aus einer zweiten gefeuerten oder gesinterte, Metallpartikel enthaltendenden Paste, Tinte oder Suspension verbunden sind, gebildet ist.
- Solarzelle nach
Anspruch 10 , dadurch gekennzeichnet, dass die Solarzelle eine Rückkontakt-Solarzelle ist. - Solarzelle nach
Anspruch 10 , dadurch gekennzeichnet, bei der mindestens eine Polarität der Solarzelle durch eine passivierende Kontaktstruktur passiviert ist. - Solarzelle nach einem der
Ansprüche 10 bis12 , dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiter-Metall-Kontakte beider Polaritäten aus derselben ersten Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension hergestellt sind. - Solarzelle nach
Anspruch 13 , dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiter-Metall-Kontakte beider Polaritäten gemeinsam gedruckt werden. - Solarzelle nach
Anspruch 9 , dadurch gekennzeichnet, dass die Solarzelle eine TOPCon-Solarzelle ist. - Solarzelle nach einem der
Ansprüche 10 bis15 , dadurch gekennzeichnet, dass die erste, Metallpartikel enthaltende Paste, Tinte oder Suspension silberhaltig ist. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 10 bis16 , dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Metallpartikel enthaltenden Paste, Tinte oder Suspension eine kupferhaltige oder aluminiumhaltige Paste, Tinte oder Suspension ist.
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