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HINTERGRUND
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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Leiterplatte und ein Verfahren zum Fertigen der Leiterplatte.
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In Beziehung stehender Stand der Technik
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Ein FPC-Substrat (FPC: Flexible Printed Circuit oder flexible gedruckte Schaltung) besteht im Allgemeinen aus einem Basisfilm aus Harz und einem Kupferfolienmuster oder dergleichen, das auf dem Basisfilm ausgebildet ist. Dementsprechend ist die Steifigkeit des FPC-Substrats relativ gering. Folglich werden bei einem bekannten Drahtbondsystem Drähte an das FPC-Substrat gebondet, während ein Verstärkungsmaterial auf einer Rückfläche des FPC-Substrats angebracht wird, um das FPC-Substrat zu stützen.
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Doch selbst wenn das Verstärkungsmaterial auf der Rückfläche des FPC-Substrats angebracht ist, ist die Steifigkeit des FPC-Substrats selbst noch relativ gering. Insbesondere wenn ein Kontaktstellenabschnitt mit einer Bonding-Kontaktstelle (Bondpad) hauptsächlich aus Harz oder dergleichen mit einem niedrigen Elastizitätsmodul (E-Modul) besteht, sinkt die Bonding-Kontaktstelle während des Drahtbondens nach innen. Infolgedessen kann eine Last nicht durch eine Kapillare auf die Bonding-Kontaktstelle aufgebracht werden, was zu einem Verbindungsfehler führt.
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Die vorliegende Offenbarung ist geschaffen worden, um das oben beschriebene Problem anzusprechen und zu lösen, und es ist Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine neuartige Leiterplatte bereitzustellen, die in der Lage ist, Verbindungsfehler zu unterdrücken oder zu reduzieren.
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KURZDARSTELLUNG
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Dementsprechend wird gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung eine neuartige Leiterplatte 10 bereitgestellt, die mindestens einen Schaltungsabschnitt 10a und einen vom Schaltungsabschnitt 10a getrennt angeordneten Kontaktstellenabschnitt 10b aufweist. Die Leiterplatte 10 weist einen Basisfilm 11 auf, die sich über den Schaltungsabschnitt 10a und den Kontaktstellenabschnitt 10b erstreckt. Der Basisfilm 11 ist aus einem isolierenden Material aufgebaut. Die Leiterplatte 10 weist ferner ein erstes elektrisches Leitermuster 12 auf, das auf einer vorderen Oberfläche des Basisfilms 11 ausgebildet ist. Das erste elektrische Leitermuster 12 bildet eine Schaltung im Schaltungsabschnitt 10a bzw. eine Bonding-Kontaktstelle 16 im Kontaktstellenabschnitt 10b. Die Bonding-Kontaktstelle (Bondpad) 16 ist über einen Bonddraht 60 mittels einer Kapillare 50 mit einem IC-Chip verbunden. Die Leiterplatte 10 weist ferner einen isolierenden Abdeckfilm 14 auf, der das erste elektrische Leitermuster 12 mit Ausnahme der Bonding-Kontaktstelle 16 im Kontaktstellenabschnitt 10b vollständig bedeckt. Der Kontaktstellenabschnitt 10b weist eine höhere Steifigkeit als der Schaltungsabschnitt auf.
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Daher kann gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung, indem ein Steifigkeitsgrad des Kontaktstellenabschnitts erhöht wird, so dass er höher als der des Schaltungsabschnitts ist, ein Absinken der Bonding-Kontaktstelle während des Drahtbondens reduziert oder unterdrückt werden, während gleichzeitig ein Verbindungsfehler reduziert oder unterdrückt wird und eine geringe Steifigkeit des Schaltungsabschnitts beibehalten wird.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine neuartige Leiterplatte 10 bereitgestellt, die mindestens einen Schaltungsabschnitt 10a und einen vom Schaltungsabschnitt 10a getrennt angeordneten Kontaktstellenabschnitt 10b aufweist. Die Leiterplatte 10 weist einen Basisfilm 11 auf, die sich über den Schaltungsabschnitt 10a und den Kontaktstellenabschnitt 10b erstreckt. Der Basisfilm 11 ist aus einem isolierenden Material aufgebaut. Die Leiterplatte 10 weist ferner ein erstes elektrisches Leitermuster 12, das auf einer vorderen Oberfläche des Basisfilms 11 ausgebildet ist, und einen ersten isolierende Abdeckfilm 14, der das erste elektrische Leitermuster 12 bedeckt, auf.
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Die Leiterplatte 10 weist ferner auf: ein zweites elektrisches Leitermuster 17, das auf einer hinteren Oberfläche des Basisfilms 11 ausgebildet ist; einen zweiten isolierenden Abdeckfilm 19, der das zweite elektrische Leitermuster 17 bedeckt; und mindestens eine Schaltung, die durch das erste elektrische Leitermuster 12 oder das zweite elektrische Leitermuster 17 in dem Schaltungsabschnitt 10a gebildet ist.
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Die Leiterplatte 10 weist ferner eine Bonding-Kontaktstelle 16 auf, die aus einem Teil des ersten elektrischen Leitermusters 12 aufgebaut ist, der von dem ersten Abdeckfilm 14 im Kontaktstellenabschnitt 10b freiliegt. Die Bonding-Kontaktstelle (Bondpad) 16 ist über einen Bonddraht 60 mittels einer Kapillare 50 mit einem IC-Chip verbunden. Der Kontaktstellenabschnitt 10b weist eine höhere Steifigkeit als der Schaltungsabschnitt auf.
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Folglich kann gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung, durch Erhöhung des Steifigkeitsgrades des Kontaktstellenabschnitts über den Steifigkeitsgrad des Schaltungsabschnitts, ein Absinken der Bonding-Kontaktstelle während des Drahtbondens reduziert werden, wohingegen eine geringe Steifigkeit des Schaltungsabschnitts beibehalten wird und gleichzeitig Verbindungsfehler unterdrückt oder reduziert werden.
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Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine neuartige Leiterplatte 10 bereitgestellt, die aufweist: einen Basisfilm 11 aus isolierendem Material; ein erstes elektrisches Leitermuster 12, das auf einer vorderen Oberfläche des Basisfilms 11 ausgebildet ist; und einen ersten isolierenden Abdeckfilm 14, der das erste elektrische Leitermuster 12 bedeckt.
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Die Leiterplatte 10 weist ferner auf: ein zweites elektrisches Leitermuster 17, das auf einer hinteren Oberfläche des Basisfilms 11 ausgebildet ist; einen zweiten isolierenden Abdeckfilm 19, der das zweite elektrische Leitermuster 17 bedeckt; und mindestens eine Schaltung, die durch das erste elektrische Leitermuster 12 oder das zweite elektrische Leitermuster 17 gebildet ist.
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Die Leiterplatte 10 weist ferner eine Bonding-Kontaktstelle 16 auf, die aus einem Teil des ersten elektrischen Leitermusters 12 aufgebaut ist, der von dem ersten Abdeckfilm 14 freiliegt. Die Bonding-Kontaktstelle (Bondpad) 16 ist über einen Bonddraht 60 mittels einer Kapillare 50 mit einem IC-Chip verbunden. Das zweite elektrische Leitermuster 17 ist zumindest vollständig den Kontaktstellenabschnitt 10b bedeckend ausgebildet.
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Folglich kann gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung, durch die Ausbildung des elektrischen Leitermusters, das den Kontaktstellenabschnitt vollständig bedeckt, ein Steifigkeitsgrad des Kontaktstellenabschnitts erhöht werden. Damit kann ein Absinken der Bonding-Kontaktstelle beim Drahtbonden reduziert oder unterdrückt werden, während eine Reduzierung oder Unterdrückung von Verbindungsfehlern ermöglicht wird.
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Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein neuartiges Verfahren zum Fertigen eines FPC-Substrats 10 bereitgestellt, die folgenden Schritte aufweisend: Ausbilden von elektrischen Leiterschichten 12, 17 auf entsprechenden vorderen und hinteren Oberflächen eines Basisfilms 11; Ätzen auf der elektrischen Leiterschicht, die auf der vorderen Oberfläche des Basisfilms 11 angeordnet ist, unter Verwendung eines Resists bzw. Photolacks als ein Schutzfilm, wodurch ein Muster in einer gewünschten Form als ein erstes elektrisches Leitermuster 12 ausgebildet wird; und Befestigen eines Abdeckfilms 14 mit einer Klebeschicht 13 auf einer Seite desselben an einer vorderen Oberfläche des ersten elektrischen Leitermusters 12, die nicht zu einem Abschnitt des ersten elektrischen Leitermusters 12 gehört, der letztendlich zu einer Bonding-Kontaktstelle 16 wird, und einer vorderen Oberfläche des Basisfilms 11, die von dem elektrischen Leitermuster 12 freiliegt, wodurch der Abschnitt freigelegt wird, der letztendlich die Bonding-Kontaktstelle 16 wird.
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Das Verfahren weist ferner die folgenden Schritte auf: Ausbilden einer Metallplattierungsschicht 15 als die Bonding-Kontaktstelle 16 auf einem Abschnitt des ersten elektrischen Leitermusters 12, der von dem Abdeckfilm 14 freiliegt, durch Aufbringen einer elektrolytischen Plattierung; Ätzen auf der elektrischen Leiterschicht, die auf der hinteren Oberfläche des Basisfilms 11 angeordnet ist, unter Verwendung eines Resists als ein Schutzfilm, wodurch ein Muster in einer gewünschten Form gebildet wird, das sich zumindest vollständig unter der Bonding-Kontaktstelle 16 als ein zweites elektrisches Leitermuster 17 erstreckt, und Befestigen eines Abdeckfilms 19 mit einer Klebeschicht 18 auf einer Seite desselben an einer hinteren Oberfläche des zweiten elektrischen Leitermusters 17 und Abschnitten des Basisfilms 11, die von dem elektrischen Leitermuster 17 freigelegt sind.
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Das Verfahren weist ferner die folgenden Schritte auf: Formen des FPC-Substrats 10 in eine gewünschte äußere Form durch Anwendung von Stanzen; Aufbringen einer Klebeschicht 20 auf eine hintere Oberfläche des Abdeckfilms 19 und Einkleben des Abdeckfilms 19 in eine Verstärkungsplatte 30.
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Folglich kann gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung, der das Verfahren zum Fertigen des FPC-Substrats 10 bereitstellt, ein Absinken der Bonding-Kontaktstelle während des Drahtbondens reduziert oder unterdrückt werden, während eine Reduzierung oder Unterdrückung von Verbindungsfehlern ermöglicht wird.
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Figurenliste
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Ein umfassenderes Verständnis für die vorliegende Offenbarung und viele der damit verbundenen Vorteile der vorliegenden Offenbarung wird durch die nachfolgende detaillierte Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erleichtert. In den Zeichnungen zeigt:
- 1 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines FPC-Substrats gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
- 2 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines Prozesses zum Bonden eines Drahtes an einen Halbleiterchip gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
- 3 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines Prozesses zum Bonden eines Drahtes an ein FPC-Substrat gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
- 4 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines Vergleichsbeispiels gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
- 5 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines FPC-Substrats gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
- 6 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines FPC-Substrats gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung; und
- 7 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines FPC-Substrats gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Es wird nun auf die Zeichnungen verwiesen, in denen gleiche Bezugszeichen identische oder entsprechende Teile in den verschiedenen Ansichten bezeichnen, und Abschnitte, die identisch oder gleichwertig sind, sind in jeder der nachfolgend beschriebenen Ausführungsformen mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
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Anfangs ist nachfolgend eine erste Ausführungsform unter Bezugnahme auf 1 beschrieben. Ein FPC-Substrat 10 dieser Ausführungsform weist, wie gezeigt, einen Basisfilm 11, ein elektrisches Leitermuster 12 und eine Klebeschicht 13 auf. Das FPC-Substrat 10 enthält außerdem einen Abdeckfilm 14 und eine Metallplattierungsschicht 15.
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Der Basisfilm 11 ist aus isolierendem Material, wie Polyimid usw., aufgebaut und wird als ein Substrat verwendet, um das elektrische Leitermuster 12 oder dergleichen darauf zu bilden. Ferner ist das elektrische Leitermuster 12 aus leitfähigem Material, wie z. B. einer Kupferfolie usw., aufgebaut und auf einer Oberfläche des Basisfilms 11 ausgebildet. Daher fungiert das elektrische Leitermuster 12 in dieser Offenbarung als ein erstes elektrisches Leitermuster. Dementsprechend sind sowohl auf der vorderen als auch auf der hinteren Oberfläche des Basisfilms 11 jeweilige Schaltungen durch das elektrische Leitermuster 12 und das unten beschriebene elektrische Leitermuster 17 gebildet. D.h., 1 zeigt eine Querschnittsansicht entlang einer Signalleitung, die durch das elektrische Leitermuster 12 gebildet wird.
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Ferner ist die Klebeschicht 13, wie gezeigt, so geformt, dass sie das elektrische Leitermuster 12 im Wesentlichen bedeckt. Die Klebeschicht 13 ist aus isolierendem Material, wie beispielsweise Epoxidharz usw., aufgebaut und verbindet bzw. verklebt (bondet) den Abdeckfilm 14 mit dem elektrischen Leitermuster 12. Folglich fungiert die Klebeschicht 13 in dieser Offenbarung als eine erste Klebeschicht. Der Abdeckfilm 14 ist aus isolierendem Material, wie beispielsweise Polyimid usw., aufgebaut und schützt das elektrische Leitermuster 12. Daher fungiert der Abdeckfilm 14 in dieser Offenbarung als ein erster Abdeckfilm.
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Ferner liegt, wie dargestellt, ein Teil des elektrischen Leitermusters 12 sowohl von der Klebeschicht 13 als auch von dem Abdeckfilm 14 frei. Auf einer Oberfläche des freiliegenden Abschnitts des elektrischen Leitermusters 12 ist eine Metallplattierungsschicht 15 aus Metall, wie Au (Gold) usw., gebildet, die den freiliegenden Abschnitt im Wesentlichen bedeckt. Daher wird durch die Metallplattierungsschicht 15 und das elektrische Leitermuster 12, das sowohl von der Klebeschicht 13 als auch von dem Abdeckfilm 14 freiliegt, eine Bonding-Kontaktstelle 16 gebildet, um das FPC-Substrat 10 mit einem IC-Chip oder dergleichen zu verbinden. Ein Abschnitt des FPC-Substrats 10, in dem eine Schaltung sowohl durch das mit der Abdeckfilm 14 bedeckte elektrische Leitermuster 12 als auch durch ein später beschriebenes elektrisches Leitermuster 17 gebildet wird, ist in der vorliegenden Offenbarung als ein Schaltungsabschnitt 10a bezeichnet. Im Gegensatz dazu ist ein Abschnitt des FPC-Substrats 10, in dem die Bonding-Kontaktstelle 16 ausgebildet ist, im Folgenden als Kontaktstellenabschnitt 10b bezeichnet.
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Ferner enthält das FPC-Substrat 10 neben dem Basisfilm 11 und dem elektrischen Leitermuster 17 oder dergleichen ebenso eine Klebeschicht 18 und einen Abdeckfilm 19. Das elektrische Leitermuster 17 ist aus leitfähigem Material, wie beispielsweise einer Kupferfolie usw., aufgebaut und auf einer hinteren Oberfläche des Basisfilms 11 ausgebildet. Daher fungiert das elektrische Leitermuster 17 in dieser Offenbarung als ein zweites elektrisches Leitermuster. Die Klebeschicht 18 ist so geformt, dass sie das elektrische Leitermuster 17 im Wesentlichen bedeckt. Die Klebeschicht 18 ist aus isolierendem Material, wie beispielsweise Epoxidharz usw., aufgebaut und wird verwendet, um den Abdeckfilm 19 mit dem elektrischen Leitermuster 17 zu verbinden bzw. zu verkleben. Die Klebeschicht 18 fungiert daher in dieser Offenbarung als eine zweite Klebeschicht. Der Abdeckfilm 19 ist aus isolierendem Material, wie beispielsweise Polyimid usw., aufgebaut und schützt das elektrische Leitermuster 17. Daher fungiert der Abdeckfilm 19 in dieser Offenbarung als ein zweiter Abdeckfilm.
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Ferner ist auf einer Oberfläche des Abdeckfilms 19, die einer dem Basisfilm 11 zugewandten Oberfläche gegenüberliegt, eine Klebeschicht 20 gebildet. Die Klebeschicht 20 ist aus isolierendem Material, wie beispielsweise einem Epoxidharz usw., aufgebaut. Die Klebeschicht 20 fungiert daher in dieser Offenbarung als eine dritte Klebeschicht. Ferner ist der Abdeckfilm 19 durch die Klebeschicht 20 mit einer Verstärkungsplatte 30 verbunden bzw. verklebt. Die Verstärkungsplatte 30 ist aus Metall, wie beispielsweise SUS (Steel Use Stainless) usw., aufgebaut und stützt das FPC-Substrat 10 während des Drahtbondens von einer hinteren Oberfläche dieser her.
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Auf diese Weise kann, durch Stützen bzw. Tragen des FPC-Substrats 10 mit der Verstärkungsplatte 30, ein Verbindungsfehler reduziert oder unterdrückt werden. Darüber hinaus ist in dieser Ausführungsform ein Steifigkeitsgrad des Kontaktstellenabschnitts 10b höher als der des Schaltungsabschnitts 10a, um Verbindungsfehler effektiver zu reduzieren oder zu unterdrücken.
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Insbesondere weist der Schaltungsabschnitt 10a, wie gezeigt, eine Mischung auf aus einem ersten Abschnitt, in dem das elektrische Leitermuster 17 gebildet ist, um eine gewünschte Schaltung zu bilden, und einem zweiten Abschnitt, in dem das elektrische Leitermuster 17 nicht gebildet ist, sondern die Klebeschicht 18 an der hinteren Oberfläche des Basisfilms 11 haftet. Im Gegensatz dazu ist das elektrische Leitermuster 17, wie im Kontaktstellenabschnitt 10b gezeigt, vollständig den Kontaktstellenabschnitt 10b bedeckend ausgebildet. D. h., unterhalb der Bonding-Kontaktstelle 16 im FPC-Substrat 10 ist die hintere Oberfläche des Basisfilms 11 vollständig von dem elektrischen Leitermuster 17 bedeckt, und das elektrische Leitermuster 17 weist einen höheren Elastizitätsmodul als die Klebeschicht 18 auf.
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Nachstehend ist ein Verfahren zum Fertigen des FPC-Substrats 10 unter Bezugnahme auf die entsprechenden Zeichnungen im Detail beschrieben. Zunächst wird ein Basisfilm 11 mit elektrisch Leiterschichten vorbereiteten, die vollständig jeweilige vordere und hintere Oberflächen hiervon bedecken. Anschließend wird die auf der vorderen Oberfläche des Basisfilms 11 liegende elektrische Leiterschicht unter Verwendung eines Resists als ein Schutzfilm geätzt, um ein Muster in einer gewünschten Form zu bilden, wodurch das elektrische Leitermuster 12 entsteht. Anschließend wird ein Abdeckfilm 14, der auf einer Seite mit einer Klebeschicht 13 versehen ist, auf einer vorderen Oberfläche des elektrischen Leitermusters 12 und einer vorderen Oberfläche des Basisfilms 11, die in 1 in einer Tiefenrichtung (nicht gezeigt) vom elektrischen Leitermuster 12 aus freiliegt, befestigt. In diesem Moment wird ein Abschnitt des elektrischen Leitermusters 12, der letztendlich zur Bonding-Kontaktstelle 16 wird, freigelegt. Danach wird eine Metallplattierungsschicht 15 als eine Bonding-Kontaktstelle 16 auf einem Abschnitt des elektrischen Leitermusters 12 gebildet, der von dem Abdeckfilm 14 freiliegt, indem eine elektrolytische Beschichtung (Plattierung) oder dergleichen darauf angewandt wird.
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Ferner wird die auf der hinteren Oberfläche des Basisfilms 11 liegende elektrische Leiterschicht unter Verwendung eines Resists als ein Schutzfilm geätzt, um ein Muster in einer gewünschten Form zu bilden, wodurch das elektrische Leitermuster 17 entsteht. Anschließend wird ein Abdeckfilm 19, der auf einer Seite mit einer Klebeschicht 18 versehen ist, auf einer hinteren Oberfläche des elektrischen Leitermusters 17 und vom elektrischen Leitermuster 17 freiliegenden Abschnitten des Basisfilms 11 befestigt. Danach wird das FPC-Substrat 10 durch Stanzen oder dergleichen in eine gewünschte äußere Form gebracht. Anschließend wird eine Klebeschicht 20 auf eine hintere Oberfläche des Abdeckfilms 19 aufgebracht und der Abdeckfilm 19 mit einer Verstärkungsplatte 30 verklebt.
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Danach wird das FPC-Substrat 10, das auf diese Weise mit der Verstärkungsplatte 30 verbunden ist, durch einen Bonddraht mit einem IC-Chip oder dergleichen verbunden, wie in den 2 und 3 gezeigt. D. h., die 2 und 3 zeigen einen Drahtbondingschritt, bei dem das FPC-Substrat 10 mit dem IC-Chip 40 verbunden wird, der mit der Verstärkungsplatte 30 verbunden ist.
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Insbesondere bringt, wie in 2 gezeigt, im Drahtbondingschritt eine Kapillare 50 ein Ende eines Bonddrahtes 60, der durch ihr Inneres verläuft, in Kontakt mit einer Bonding-Kontaktstelle 41 auf dem IC-Chip 40 und übt eine Kraft auf die Bonding-Kontaktstelle 41 aus, um das Ende des Bonddrahtes 60 und die Bonding-Kontaktstelle 41 miteinander zu verbinden. Die Kapillare 50 bewegt sich dann an eine Position oberhalb einer anderen Bonding-Kontaktstelle 16 und bildet dabei eine Schleife des Bonddrahts 60, dessen eines Ende mit der Bonding-Kontaktstelle 41 verbunden ist. Anschließend bringt die Kapillare 50 den Bonddraht 60 in der Nähe einer Öffnung der Kapillare 50 in Kontakt mit der anderen Bonding-Kontaktstelle 16 und übt eine Kraft auf die andere Bonding-Kontaktstelle 16 aus, um den Bonddraht 60 in der Nähe der Öffnung und die andere Bonding-Kontaktstelle 16 miteinander zu verbinden. Auf diese Weise wird das FPC-Substrat 10, wie in 3 gezeigt, über den Bonddraht 60 mit dem IC-Chip 40 verbunden.
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Nachstehend ist ein Vergleichsbeispiel unter Bezugnahme auf 4 beschrieben. Im Gegensatz zum FPC-Substrat 10 dieser Ausführungsform ist im Vergleichsbeispiel auf einer hinteren Oberfläche eines Basisfilms 11 eines FPC-Substrats 100 auch in einem Kontaktstellenabschnitt 10b eine Schaltung intermittierend ausgebildet. D. h., unter einer Bonding-Kontaktstelle 16 befindet sich eine Mischung aus einem ersten Abschnitt, in dem ein elektrisches Leitermuster 17 ausgebildet ist, und einem zweiten Abschnitt, in dem das elektrische Leitermuster 17 nicht ausgebildet ist, sondern eine Klebeschicht 18 an einer hinteren Oberfläche des Basisfilms 11 haftet. Dementsprechend entspricht ein Steifigkeitsgrad des Kontaktstellenabschnitts 10b dem eines Schaltungsabschnitts 10a im Vergleichsbeispiel.
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Wenn jedoch bei einem solchen FPC-Substrat 100 ein Bonddraht 60 mit einer Bonding-Kontaktstelle 16 verbunden wird, sinkt, da die Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b gering ist, die Bonding-Kontaktstelle 16 nach innen, und eine Last kann nicht durch die Kapillare 50 auf die Bonding-Kontaktstelle 16 ausgeübt werden, was einen Verbindungsfehler dazwischen verursacht.
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Im Gegensatz dazu ist in dieser Ausführungsform die Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b höher als die Steifigkeit des Schaltungsabschnitts 10a. Dadurch kann ein Absinken der Bonding-Kontaktstelle 16 während des Drahtbondens reduziert oder unterdrückt werden, während eine Flexibilität der Schaltungseinheit 10a erhalten bleibt, wodurch der Verbindungsfehler dazwischen reduziert oder unterdrückt werden kann.
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Nachfolgend ist eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 5 und die zugehörigen Zeichnungen im Detail beschrieben. Da diese Ausführungsform die erste Ausführungsform nur durch eine unterschiedliche Erhöhung der Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b gegenüber der ersten Ausführungsform verändert, während der Rest des FPC-Substrats im Wesentlichen erhalten bleibt, sind im Folgenden nur unterschiedliche Abschnitte des FPC-Substrats gegenüber der ersten Ausführungsform beschrieben.
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Insbesondere ist, wie in 5 gezeigt, in dieser Ausführungsform auch im Kontaktstellenabschnitt 10b auf einer hinteren Oberfläche des Basisfilms 11 eine Schaltung in der gleichen Weise wie in einem Schaltungsabschnitt 10a gebildet. Ein elektrisches Leitermuster 17, das sich im Kontaktstellenabschnitt 10b befindet, ist jedoch dicker ausgebildet als das elektrische Leitermuster 17 im Schaltungsabschnitt 10a, um eine Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b stärker zu erhöhen als die des Schaltungsabschnitts 10a.
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Ein solches FPC-Substrat 10 kann in ähnlicher Weise hergestellt werden wie in der ersten Ausführungsform, wie unten beschrieben. D. h., es erfolgt ein Mustern (auf einem Basisfilm 11), um ein elektrisches Leitermuster 17 zu erhalten. Anschließend wird leitendes Material auf das elektrische Leitermuster 17 in einem Kontaktstellenabschnitt 10b aufgebracht, um das elektrische Leitermuster 17 des Kontaktstellenabschnitts 10b durch Sputtern oder dergleichen zu verdicken. Hier werden für eine vordere Oberfläche des Basisfilms 11 verschiedene Prozesse in ähnlicher Weise wie in der ersten Ausführungsform durchgeführt. Auch ein Aufkleben des Abdeckfilms 19, ein Stanzprozess und ein Aufkleben eines Ergebnisses des Stanzprozesses auf die Verstärkungsplatte 30 oder dergleichen kann in ähnlicher Weise wie in der ersten Ausführungsform durchgeführt werden.
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So kann selbst in einer Situation, in der eine durch das elektrische Leitermuster 17 gebildete Schaltung im Kontaktstellenabschnitt 10b vorhanden ist, die Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b erhöht werden, indem das elektrische Leitermuster 17 darin dick ausgebildet wird. Daher kann in dieser Ausführungsform im Wesentlichen derselbe Vorteil erzielt werden wie in der ersten Ausführungsform. Obwohl das elektrische Leitermuster 17 des Kontaktstellenabschnitts 10b in dieser Ausführungsform dick ausgebildet ist, kann eine Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b auch dadurch erhöht werden, dass ein elektrisches Leitermuster 12, das sich im Kontaktstellenabschnitt 10b befindet, dicker ausgebildet wird als ein elektrisches Leitermuster 12, das sich im Schaltungsabschnitt 10a befindet.
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Nachfolgend ist eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 6 und die zugehörigen Zeichnungen im Detail beschrieben. Da diese Ausführungsform die erste Ausführungsform nur durch eine unterschiedliche Erhöhung der Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b gegenüber der ersten Ausführungsform verändert, während der Rest des FPC-Substrats der ersten Ausführungsform im Wesentlichen erhalten bleibt, sind im Folgenden nur unterschiedliche Abschnitte des FPC-Substrats gegenüber der ersten Ausführungsform beschrieben.
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Insbesondere ist, wie in 6 gezeigt, in dieser Ausführungsform auch in einem Kontaktstellenabschnitt 10b auf einer hinteren Oberfläche eines Basisfilms 11 eine Schaltung in der gleichen Weise wie in einem Schaltungsabschnitt 10a gebildet. Ferner ist eine Metallplattierungsschicht 15 dicker als die der ersten Ausführungsform ausgebildet, um eine Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b zu erhöhen, so dass diese höher ist als die des Schaltungsabschnitts 10a. Insbesondere beträgt eine Dicke der Metallplattierungsschicht 15 im Allgemeinen etwa 3 µm. In dieser Ausführungsform wird jedoch eine Dicke der Metallplattierungsschicht 15 entweder auf etwa 4 µm oder mehr oder auf etwa 5 µm oder mehr erhöht, um die Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b zu erhöhen, so dass sie höher ist als die Steifigkeit des Schaltungsabschnitts 10a.
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Auf diese Weise kann selbst in einer Situation, in der eine durch das elektrische Leitermuster 17 gebildete Schaltung im Kontaktstellenabschnitt 10b vorhanden ist, eine Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b durch dickes Ausbilden der Metallplattierungsschicht 15 erhöht werden. Infolgedessen kann in dieser Ausführungsform im Wesentlichen der gleiche Vorteil erzielt werden wie in der ersten Ausführungsform.
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Nachfolgend ist eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf 7 und die zugehörigen Zeichnungen im Detail beschrieben. Da diese Ausführungsform die erste Ausführungsform nur durch eine unterschiedliche Erhöhung der Steifigkeit eines Kontaktstellenabschnitts 10b gegenüber der ersten Ausführungsform verändert, während der Rest des FPC-Substrats der ersten Ausführungsform im Wesentlichen erhalten bleibt, sind im Folgenden nur unterschiedliche Abschnitte des FPC-Substrats gegenüber der ersten Ausführungsform beschrieben.
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Insbesondere ist, wie in 7 gezeigt, in dieser Ausführungsform in einem Kontaktstellenabschnitt 10b auf einer hinteren Oberfläche eines Basisfilms 11 wiederum eine Schaltung in der gleichen Weise wie in einem Schaltungsabschnitt 10a gebildet. Außerdem enthält ein FPC-Substrat 10 in dieser Ausführungsform eine Verstärkungsschicht 21 und eine Klebeschicht 22.
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Insbesondere ist die Verstärkungsschicht 21 in dem Kontaktstellenabschnitt 10b auf einer gegenüberliegenden Oberfläche der Klebeschicht 18 zu einer Oberfläche hiervon ausgebildet, die dem Basisfilm 11 zugewandt ist, um den Kontaktstellenabschnitt 10b durch Erhöhung einer Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b zu verstärken. Eine solche Verstärkungsschicht 21 kann aus Metall, wie z. B. Kupfer usw., aufgebaut sein und ist durch die Klebeschicht 18 vom elektrischen Leitermuster 17 isoliert.
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Ferner ist die Klebeschicht 22 so gebildet, dass sie die Verstärkungsschicht 21 und die von der Verstärkungsschicht 21 freiliegende Klebeschicht 18 im Wesentlichen bedeckt. Eine solche Klebeschicht 22 ist aus isolierendem Material, wie z. B. Epoxidharz usw., aufgebaut, um ein Abdeckfilm 19 sowohl mit der Klebeschicht 18 als auch mit der Verstärkungsschicht 21 zu verbinden bzw. zu verkleben. Insbesondere ist der Abdeckfilm 19 auf eine gegenüberliegende Oberfläche der Klebeschicht 22 zu einer Oberfläche hiervon laminiert, die sowohl der Klebeschicht 18 als auch der Verstärkungsschicht 21 zugewandt ist. Folglich wird in dieser Ausführungsform, da die Verstärkungsschicht 21 im Kontaktstellenabschnitt 10b vorgesehen ist, eine Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b erhöht, so dass sie höher ist als die Steifigkeit des Schaltungsabschnitts 10a. Die Klebeschicht 22 fungiert daher in dieser Offenbarung als eine zweite Klebeschicht.
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Ein solches FPC-Substrat 10 kann wie unten beschrieben hergestellt werden. Zunächst erfolgt eine Strukturierung bzw. Musterung (auf einem Basisfilm 11), um ein elektrisches Leitermuster 17 zu erhalten. Anschließend wird durch Beschichtung eine Klebeschicht 18 gebildet, die im Wesentlichen sowohl das elektrische Leitermuster 17 als auch eine vom elektrischen Leitermuster 17 freigelegte hintere Oberfläche des Basisfilms 11 bedeckt. Dann wird eine Verstärkungsschicht 21 auf einer Oberfläche der Klebeschicht 18, die einer dem Basisfilm 11 zugewandten Oberfläche gegenüberliegt, durch Sputtern oder dergleichen gebildet. Danach wird ein Abdeckfilm 19, der auf einer Seite mit einer Klebeschicht 22 versehen ist, sowohl auf der Verstärkungsschicht 21 als auch auf der von der Verstärkungsschicht 21 freiliegenden Klebeschicht 18 angebracht. Hier werden für eine vordere Oberfläche des Basisfilms 11 verschiedene Prozesse in ähnlicher Weise wie in der ersten Ausführungsform durchgeführt. Auch ein Stanzprozess und ein Aufkleben eines Ergebnisses des Stanzprozesses auf die Verstärkungsplatte 30 oder dergleichen kann auf die gleiche Weise wie in der ersten Ausführungsform durchgeführt werden.
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So kann eine Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b durch die Verstärkungsschicht 21 erhöht werden, selbst wenn eine durch das elektrische Leitermuster 17 gebildete Schaltung im Kontaktstellenabschnitt 10b vorhanden ist. Dementsprechend kann gemäß dieser Ausführungsform im Wesentlichen derselbe Vorteil erzielt werden wie in der ersten Ausführungsform. In diesem Fall ist die Verstärkungsschicht 21, wie in 7 dargestellt, vollständig den Kontaktstellenabschnitt 10b bedeckend ausgebildet. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt, und die Verstärkungsschicht 21 kann ebenso nur teilweise in dem Kontaktstellenabschnitt 10b ausgebildet sein. Ferner kann die Verstärkungsschicht 21 auf einer Seite der vorderen Oberfläche des Basisfilms 11 gebildet sein.
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Darüber hinaus ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die oben beschriebene erste bis vierte Ausführungsform beschränkt und umfasst verschiedene Modifikationen dieser Ausführungsformen, solange jede dieser Modifikationen in einen Umfang der unten aufgeführten Ansprüche fällt. Ferner kann jede der oben beschriebenen ersten bis vierten Ausführungsform in geeigneter Weise kombiniert werden, sofern eine Kombination technisch möglich ist. Darüber hinaus sind Elemente, die jede der oben beschriebenen Ausführungsformen bilden, nicht notwendigerweise wesentlich, es sei denn, sie werden anderweitig als besonders wesentlich erwähnt oder grundsätzlich als wesentlich angesehen.
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Daher können verschiedene Modifikationen der vorliegenden Offenbarung möglich sein, wie im Folgenden unter Bezugnahme auf die entsprechenden Zeichnungen beschrieben ist. Erstens kann die vorliegende Offenbarung auf ein einseitiges FPC-Substrat angewandt werden, das ein elektrisches Leitermuster nur auf einer vorderen Oberfläche des Basisfilms 11 aufweist. Die vorliegende Offenbarung ist ebenso auf ein mehrschichtiges FPC-Substrat anwendbar, in dem drei oder mehr Schichten von elektrischen Leitermustern ausgebildet sind. Wenn zum Beispiel das einseitige FPC-Substrat in jeder der zweiten bis vierten Ausführungsform verwendet wird, kann eine Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b in ähnlicher Weise erhöht werden. In einer solchen Situation kann das FPC-Substrat 10 verwendet werden, ohne dass es an der Verstärkungsplatte 30 befestigt ist.
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Zweitens kann in jeder der zweiten bis vierten Ausführungsform das elektrische Leitermuster 17 wie in der ersten Ausführungsform vollständig den Kontaktstellenabschnitt 10b bedeckend ausgebildet sein. Drittens können sowohl in der dritten als auch in der vierten Ausführungsform die jeweiligen elektrischen Leitermuster 12 und 17, die in dem Kontaktstellenabschnitt 10b angeordnet sind, dicker sein als die elektrischen Leitermuster 12 und 17, die in dem Schaltungsabschnitt 10a angeordnet sind, wie in der zweiten Ausführungsform. Viertens kann in der vierten Ausführungsform eine Dicke der Metallplattierungsschicht 15 wie bei der dritten Ausführungsform 4 µm oder mehr betragen. Fünftens können drei oder vier Ausführungsformen der ersten bis vierten Ausführungsform wahlweise kombiniert werden.
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Sechstens kann ein Verbindungsfehler weiter reduziert oder unterdrückt werden, indem die Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b in einer der oben beschriebenen ersten bis vierten Ausführungsform oder einer optionalen Kombination von zwei oder mehr der ersten bis vierten Ausführungsform erhöht wird, während die nachfolgend beschriebene Konfiguration angewandt wird.
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Zum Beispiel ist von dem gesamten FPC-Substrat 10 mindestens eine von der Basisschicht (Basisfilm) 11 und den Klebeschichten 13, 18 und 20 aus einem Material wie einem Epoxidharz usw. mit einem Elastizitätsmodul von etwa 1,5 GPa (Giga-Pascal) oder mehr aufgebaut. Darüber hinaus beträgt, von dem gesamten FPC-Substrat 10, eine Dicke von mindestens einer der Basisschicht (Basisfilm) 11 und der Klebeschichten 13, 18 und 20 10 µm oder weniger. D. h., im Allgemeinen beträgt eine Dicke von jeder dieser Schichten 11, 13, 18 und 20 mehr als etwa 10 µm (Mikrometer) bis etwa 20 µm (Mikrometer). Folglich kann gemäß dieser Modifikation, da die mindestens eine dieser Schichten 11, 13, 18 und 20 auf 10 µm oder weniger verdünnt bzw. in der Dicke verringert ist, ein Absinken der Kapillare noch wirksamer verringert oder unterdrückt werden.
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Dies liegt daran, dass eine Verformung des FPC-Substrats 10 durch die Verringerung eines Harzabschnitts (d. h. des Basisfilms 11 und der Klebeschichten 13, 18 und 20), der einen geringeren Elastizitätsmodul aufweist als das aus einer Kupferfolie aufgebaute elektrische Leitermuster 17, verringert werden kann.
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Als ein weiteres Beispiel ist die vorliegende Offenbarung, obwohl eine Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b in jeder der oben beschriebenen ersten bis vierten Ausführungsform höher ist als eine Steifigkeit des Schaltungsabschnitts 10a, die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. D. h., eine Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b kann im Wesentlichen die gleiche oder eine geringere sein als eine Steifigkeit des Schaltungsabschnitts 10a, solange Verbindungsfehler reduziert oder unterdrückt werden können. Wenn beispielsweise das elektrische Leitermuster 17 wie in der ersten Ausführungsform über den gesamten Kontaktstellenabschnitt 10b gebildet ist, kann ein Absinken der Bonding-Kontaktstelle 16 und damit ein Verbindungsfehler reduziert oder unterdrückt werden, selbst wenn eine Steifigkeit des Kontaktstellenabschnitts 10b geringer ist als eine Steifigkeit des Schaltungsabschnitts 10a.
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Zahlreiche zusätzliche Modifikationen und Variationen der vorliegenden Offenbarung sind im Lichte der obigen Lehren möglich. Es versteht sich daher von selbst, dass die vorliegende Offenbarung im Rahmen der beigefügten Ansprüche auch anders als in der hierin beschriebenen Weise durchgeführt werden kann. Die vorliegende Offenbarung ist beispielsweise nicht auf die oben beschriebene Leiterplatte beschränkt und kann nach Belieben abgeändert werden. Darüber hinaus ist die vorliegende Offenbarung nicht auf das oben beschriebene Verfahren zum Fertigen einer Leiterplatte beschränkt und kann nach Bedarf geändert werden.
