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Hintergrund der Erfindung
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Gebiet
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Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Halbleiterherstellungseinrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung.
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Hintergrund
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JP 2013-149809 A offenbart ein Verfahren zur Detektion von Fremdkörpern in einem Ansaugtisch. Der Ansaugtisch umfasst: einen Teilbereich zur Platzierung, auf dem ein Substrat angesaugt und fixiert wird; ein Druckmessmittel, um den Ansaugdruck des Substrats im Teilbereich zur Platzierung zu messen; und eine Bestimmungseinheit, die das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein einer Ansauganomalie des Substrats bestimmt. Das Verfahren zur Detektion von Fremdkörpern umfasst einen Messschritt und einen Bestimmungsschritt. Im Messschritt misst das Druckbestimmungsmittel den Ansaugdruck des Substrats auf der Platzierungsoberfläche. Im Bestimmungsschritt bestimmt die Bestimmungseinheit Fluktuationsdaten und vergleicht diese mit Referenz-Fluktuationsdaten. Die Fluktuationsdaten sind unter den im Messschritt erfassten Ansaugdruckdaten Daten einer Periode vom Beginn der Ansaugung des Substrats bis zu der Zeit, bevor der numerische Wert des Ansaugdrucks stabil wird. Die Referenz-Fluktuationsdaten sind Daten, die erzeugt werden, wenn auf der Platzierungsoberfläche kein Fremdkörper vorhanden ist, und werden vorher in die Bestimmungseinheit gespeichert. Auf diese Weise bestimmt die Bestimmungseinheit das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein einer Ansauganomalie auf der Platzierungsoberfläche, um das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Fremdkörpers auf der Platzierungsoberfläche zu bestimmen.
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Das in
JP 2013-149809 dargestellte Verfahren zur Detektion von Fremdkörpern ist eine Technik, um einen Fremdkörper auf dem Tisch zu detektieren. Daher besteht die Möglichkeit, dass ein Defekt in einem auf dem Tisch montierten Halbleiter-Wafer nicht detektiert werden kann, da die Fluktuation des Ansaugdrucks aufgrund des Defekts übermäßig klein ist.
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Zusammenfassung
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiterherstellungseinrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die einen Defekt in einem Wafer detektieren können.
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Die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung können wie folgt zusammengefasst werden.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Halbleiterherstellungseinrichtung einen Tisch, der einen Montagebereich für einen Wafer auf einer oberen Oberfläche aufweist, eine Vielzahl von Ansaugrohren, die sich vom Montagebereich durch den Tisch zu einer Seite der rückwärtigen Oberfläche des Tisches erstrecken, eine Vakuumpumpe, die mit der Vielzahl von Ansaugrohren verbunden ist und den Wafer über die Vielzahl von Ansaugrohren an den Montagebereich ansaugt, eine Schale, die auf der oberen Oberfläche des Tisches angeordnet ist und den Wafer abdeckt, eine Gaszufuhrleitung, die einen von der oberen Oberfläche des Tisches und der Schale umgebenen Raum unter Druck setzt, und einen Drucksensor auf, der einen Druck in der Vielzahl von Ansaugrohren detektiert.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ein Montieren eines Wafers in einem Montagebereich, der auf einer oberen Oberfläche eines Tisches angeordnet ist, ein Montieren einer Schale auf der oberen Oberfläche des Tisches, um den Wafer abzudecken, ein Zuführen von Gas in einen von der oberen Oberfläche des Tisches und der Schale umgebenen Raum, um den Wafer unter Druck zu setzen, ein Ansaugen des Wafers an den Montagebereich durch eine Vakuumpumpe, die mit einer Vielzahl von Ansaugrohren verbunden ist, die sich vom Montagebereich durch den Tisch zu einer Seite der rückwärtigen Oberfläche des Tisches erstrecken, ein Detektieren des Drucks in der Vielzahl von Ansaugrohren, während der Wafer unter Druck gesetzt wird und der Wafer an den Montagebereich angesaugt wird, und ein Durchführen einer Reinigung, einer Filmausbildung, einer Fotolithografie, einer Ätzung, einer Diffusionsbehandlung oder einer Ionenimplantation auf dem Wafer, nachdem der Druck in der Vielzahl von Ansaugrohren detektiert ist.
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Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung ersichtlicher werden.
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Figurenliste
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- 1 ist eine Draufsicht und eine Vorderansicht einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform.
- 2 ist eine Draufsicht und eine Vorderansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem eine Schale an die Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten Ausführungsform angebracht ist.
- 3 ist eine Draufsicht und eine Vorderansicht einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer Modifikation der ersten Ausführungsform.
- 4 ist eine Draufsicht und eine Vorderansicht einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform.
- 5 ist eine Ansicht, um ein Verfahren zum Inspizieren einer Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform zu erläutern.
- 6 ist ein Flussdiagramm, um ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform zu erläutern.
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Beschreibung von Ausführungsformen
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Halbleiterherstellungseinrichtungen und Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden mit Verweis auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben. Komponenten, die zueinander identisch sind oder einander entsprechen, werden mittels der gleichen Bezugszeichen angegeben, und deren wiederholte Beschreibung wird in einigen Fällen unterlassen.
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Erste Ausführungsform.
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1 ist eine Draufsicht und eine Vorderansicht einer Halbleiterherstellungseinrichtung 100 gemäß einer ersten Ausführungsform. Die Halbleiterherstellungseinrichtung 100 weist auf der oberen Oberfläche einen Tisch 2 mit einem Montagebereich 2a für einen Wafer 1 auf. Der Wafer 1 ist ein Halbleitersubstrat. Die Halbleiterherstellungseinrichtung 100 weist eine Vielzahl von Ansaugleitungen bzw. Ansaugrohren 4 auf, die sich vom Montagebereich 2a durch den Tisch 2 zur Seite der rückwärtigen Oberfläche des Tisches 2 erstrecken. Jedes Ansaugrohr 4 weist einen innerhalb des Tisches 2 angeordneten ersten Teilbereich 4a und einen zweiten Teilbereich 4b auf, der sich von der rückwärtigen Oberfläche des Tisches 2 aus erstreckt und außerhalb des Tisches 2 angeordnet ist. Die Vakuumpumpe 3 ist mit der Vielzahl von Ansaugrohren 4 verbunden und saugt den Wafer 1 über die Vielzahl von Ansaugrohren 4 an den Montagebereich 2a an. Jedes Ansaugrohr 4 ist mit einem Drucksensor 5 versehen. Der Drucksensor 5 detektiert den Druck im Ansaugrohr 4.
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Der Tisch 2 ist virtuell in eine Gitterform unterteilt, um eine Vielzahl von Ansaugflächen 2b zu bilden. Jede der Vielzahl von Ansaugflächen 2b ist mit dem Ansaugrohr 4 versehen. In 1 sind die Positionen von Ansaugmündungen 4c der Vielzahl von Ansaugrohren 4 durch gestrichelte Linien angegeben. Die Ansaugmündungen 4c sind in einer Gitterform im Montagebereich 2a angeordnet. Die Vakuumpumpe 3 saugt den Wafer 1 über Unterdruck bzw. ein Vakuum an jede Ansaugfläche 2b an.
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Der mit dem Ansaugrohr 4 verbundene Drucksensor 5 überwacht den Druck für jede Ansaugfläche 2b. Wenn der Wafer 1 mit einem Defekt 1a wie etwa einem Durchgangsloch angesaugt wird, wird in der Ansaugfläche 2b mit dem Defekt 1a ein vom Druck in der Ansaugfläche 2b ohne einen Defekt 1a verschiedener Druck erhalten. Auf diese Weise kann eine Druckfluktuation durch den Drucksensor 5 detektiert werden, um einen Defekt zu detektieren.
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Die Größe der Ansaugfläche 2b wird entsprechend der Größe des zu detektierenden Defekts 1a bestimmt. Wenn beispielsweise ein Wafer-Durchmesser 8 Zoll (Inches) beträgt und ein Defekt etwa 10 µm bis 1 cm im Quadrat detektiert werden soll, kann die Ansaugfläche nur 1 cm im Quadrat betragen. In diesem Fall beträgt die Anzahl an Ansaugflächen 2b etwa 20 pro Reihe. Dementsprechend reicht es aus, etwa 400 Drucksensoren 5 bereitzustellen. Die Anzahl an Drucksensoren 5 pro Reihe oder als Ganzes kann entsprechend dem Durchmesser des Wafers 1 geändert werden. Wenn beispielsweise der Durchmesser des Wafers 1 4 Zoll (Inches) bis 12 Zoll (Inches) beträgt und die Ansaugfläche 2b 1 cm im Quadrat beträgt, reicht es aus, etwa 10 bis 30 Drucksensoren 5 pro Reihe, somit insgesamt etwa 100 bis 900 Drucksensoren 5, bereitzustellen.
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2 ist eine Draufsicht und eine Vorderansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem eine Schale 6 an der Halbleiterherstellungseinrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform angebracht ist. Die Halbleiterherstellungseinrichtung 100 weist die Schale 6 auf, die auf der oberen Oberfläche des Tisches 2 angeordnet ist und den Wafer 1 abdeckt. Die Schale 6 hat eine Kastenform oder eine Kuppelform. Die Schale 6 steht in dichtem Kontakt mit dem Tisch 2, um so im Inneren Luftdichtigkeit sicherzustellen. Die Schale 6 ist mit einer Gaszufuhrleitung 7 verbunden. Die Gaszufuhrleitung 7 setzt den von der oberen Oberfläche des Tisches 2 und der Schale 6 umgebenen Raum unter Druck. Die Gaszufuhrleitung 7 führt zum Beispiel N2 in die Schale 6 zu.
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Das in der Schale 6 eingeschlossene Gas drückt die gesamte Oberfläche des Wafers 1 gegen den Tisch 2. Somit tritt aufgrund des Defektzustands auf der Oberfläche des Wafers 1 eine Druckfluktuation im Ansaugrohr 4 auf. Wenn der Defekt ein Durchgangsloch ist, entweicht das von der Gaszufuhrleitung 7 zugeführte Gas über den Defekt in das Ansaugrohr 4. Infolgedessen tritt im Ansaugrohr 4 eine Druckfluktuation auf. Daher kann die Detektionsempfindlichkeit für Defekte verbessert werden und kann ein Defekt im Wafer 1 wie etwa ein Durchgangsloch detektiert werden. In der vorliegenden Ausführungsform kann sogar ein winziger Defekt von beispielsweise 10 µm bis 1 cm detektiert werden. Als ein Defekt, der in der vorliegenden Ausführungsform detektiert werden soll, werden beispielsweise ein Durchgangsloch wie etwa ein Mikrorohr, ein Riss, der die rückwärtige Oberfläche des Wafers 1 von dessen vorderer Oberfläche aus erreicht, und dergleichen angenommen.
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Der Wafer 1 ist aus Silizium geschaffen. Alternativ dazu kann der Wafer 1 aus einem Halbleiter mit breiter Bandlücke gebildet sein, der eine größere Bandlücke als Silizium aufweist. Der Halbleiter mit breiter Bandlücke ist beispielsweise Siliziumcarbid, ein Material auf Gallium-Nitrid-Basis oder Diamant. Insbesondere weist Siliziumcarbid viele Kristall-Polymorphismen auf, und es ist schwierig, einen SiC-Kristall mit nur einem Kristall-Polymorphismus zu bilden. Im Vergleich zu Silizium neigt Siliziumcarbid dazu, aufgrund des Einbaus anderer Kristall-Polymorphismen während eines Kristallwachstums einen Defekt zu erzeugen. Daher wird tendenziell ein Durchgangsloch wie etwa ein Mikrorohr gebildet. Deshalb ist die vorliegende Ausführungsform besonders effektiv, wenn der Wafer 1 aus einem Halbleiter mit breiter Bandlücke gebildet ist.
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Ferner ist Silizium oder Siliziumcarbid ein transparentes Material. Aus diesem Grund geht Licht durch den Wafer 1 hindurch und ist es schwierig, den Defekt mit Licht zu detektieren. Im Gegensatz dazu ist es in der vorliegenden Ausführungsform, da der Defekt mittels Druckfluktuation detektiert wird, möglich, den Defekt selbst in dem Wafer 1, durch den Licht hindurchgeht, zu detektieren. Das Mikrorohr ist im Allgemeinen schräg ausgebildet. Somit ist es schwierig, das Mikrorohr mit Licht zu detektieren. Im Gegensatz dazu wird in der vorliegenden Ausführungsform der Defekt detektiert, indem die Ansaugfläche 2b unterteilt und der Wafer 1 mit Vakuum an jede Ansaugfläche 2b angesaugt wird. Daher ist es möglich, die Detektionsempfindlichkeit des Mikrorohrs zu verbessern.
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3 ist eine Draufsicht und eine Vorderansicht einer Halbleiterherstellungseinrichtung 200 gemäß einer Modifikation der ersten Ausführungsform. Als das durch die Gaszufuhrleitung 7 zugeführte Gas kann zusätzlich zu N2 He zugeführt werden. Die Halbleiterherstellungseinrichtung 200 kann auch ein Densitometer 205, das die Konzentration des durch die Gaszufuhrleitung 7 zugeführten He-Gases detektiert, in jedem der Vielzahl von Ansaugrohren 4 enthalten. Das Densitometer 205 ist in jedem Ansaugrohr 4 angeordnet.
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In der Halbleiterherstellungseinrichtung 200 entweicht das He-Gas über den Defekt in das Ansaugrohr 4, so dass sich die Konzentration des He-Gases im Ansaugrohr 4 ändert. Indem der Drucksensor 5 und das Densitometer 205 auf diese Weise gemeinsam genutzt werden, ist es möglich, sogar einen winzigeren Defekt, der durch den Wafer 1 hindurchgeht, zu detektieren. Ferner ist das He-Gas einfach zu handhaben, da es ein im Allgemeinen zur Leckprüfung verwendetes Gas ist. Obgleich das Beispiel, in dem der Drucksensor 5 und das Densitometer 205 gemeinsam genutzt werden, beschrieben wurde, kann allein das Densitometer 205 angeordnet werden.
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Diese Modifikationen können für Halbleiterherstellungseinrichtungen und Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen gemäß den Ausführungsformen unten geeignet verwendet werden. Für die Halbleiterherstellungseinrichtungen und die Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtungen gemäß den Ausführungsformen unten werden indes vorwiegend Unterschiede zur ersten Ausführungsform erläutert, da sie viele Ähnlichkeiten mit der ersten Ausführungsform aufweisen.
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Zweite Ausführungsform.
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4 ist eine Draufsicht und eine Vorderansicht einer Halbleiterherstellungseinrichtung 300 gemäß einer zweiten Ausführungsform. Die Halbleiterherstellungseinrichtung 300 weist einen Drucksensor 5 auf. Die Halbleiterherstellungseinrichtung 300 weist eine Vielzahl von Ventilen 308 auf, die jeweils zwischen einer Vielzahl von Ansaugrohren 4 und einem Drucksensor 5 angeordnet sind. Jede Ansaugfläche 2b und der Drucksensor 5 sind über das Ventil 308 verbunden
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Die Halbleiterherstellungseinrichtung 300 weist ferner einen Detektor 309 auf, der anhand des vom Drucksensor 5 gemessenen Drucks das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Defekts in einem Bereich des Wafers 1 detektiert, den jedes der Vielzahl von Ansaugrohren 4 ansaugt. Der Detektor 309 versetzt die Vielzahl von Ventilen 308 sequentiell in einen offenen Zustand und detektiert anhand des Drucks in dem Ansaugrohr 4, das je einem der Ventile 308 im offenen Zustand entspricht, das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Defekts in einem Bereich des Wafers 1, den das Ansaugrohr 4 ansaugt.
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Der Detektor 309 enthält zum Beispiel eine Öffnungs-/Schließeinheit 309a, eine Messeinheit 309b, eine Bestimmungseinheit 309c und eine Ausgabeeinheit 309d. Die Öffnungs-/Schließeinheit 309 steuert das Öffnen und Schließen der Ventile 308 und schaltet sequentiell die Vielzahl von Ventilen 308 in den offenen Zustand. Die Messeinheit 309 misst den Druck in dem Ansaugrohr 4, das dem Ventil 308 im offenen Zustand entspricht. Die Bestimmungseinheit 309c bestimmt das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Defekts anhand des durch die Messeinheit 309b gemessenen Drucks. Die Ausgabeeinheit 309d gibt das Bestimmungsergebnis der Bestimmungseinheit 309c aus.
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In der Ansaugfläche 2b, die dem Ventil 308 in einem geschlossenen Zustand entspricht, wird der Wafer 1 über Vakuum angesaugt. In der Ansaugfläche 2b, die dem Ventil 308 im offenen Zustand entspricht, wird das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Defekts im Wafer 1 bestimmt. Dies ermöglicht die Inspektion mittels eines Drucksensors 5. Daher können eine Platzeinsparung und Kostensenkung erzielt werden.
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Ähnlich kann die Halbleiterherstellungseinrichtung 300 ein Densitometer 205 aufweisen, und jede Ansaugfläche 2b und das Densitometer 205 können über das Ventil 308 verbunden sein. In diesem Fall detektiert der Detektor 309 das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Defekts in einem Bereich des Wafers 1, den jedes der Vielzahl von Ansaugrohren 4 ansaugt, anhand der durch das Densitometer 205 gemessenen Gaskonzentration. Der Detektor 309 versetzt die Vielzahl von Ventilen 308 sequentiell in den offenen Zustand und detektiert anhand der Gaskonzentration in dem Ansaugrohr 4, das je einem der Ventile 308 im offenen Zustand entspricht, das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Defekts in einem Bereich des Wafers 1, den das Ansaugrohr 4 ansaugt. Zu dieser Zeit misst die Messeinheit 309b die Gaskonzentration in dem Ansaugrohr 4, das dem Ventil 308 im offenen Zustand entspricht. Die Bestimmungseinheit 309c bestimmt anhand der durch die Messeinheit 309b gemessenen Konzentration das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Defekts.
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5 ist eine Ansicht, um ein Verfahren zum Inspizieren einer Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform zu erläutern. Wie durch einen Pfeil 81 in 5 angegeben ist, kann der Defekt der Reihe nach vom peripheren Teilbereich des Wafers 1 hin zu dessen Mitte detektiert werden. Das heißt, der Detektor 309 kann das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Defekts in der Mitte des Wafers 1 detektieren, nachdem das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Defekts im peripheren Teilbereich des Wafers 1 detektiert ist. In dem in 5 veranschaulichten Beispiel wird die Inspektion der Reihe nach in der Umfangsrichtung des Wafers 1 durchgeführt. Im Allgemeinen tritt ein Defekt tendenziell im peripheren Teilbereich des Wafers 1 auf. Dies verhält sich so, da durch Kontakt mit einer Kassette zur Aufbewahrung des Wafers 1 oder einer Vorrichtung zur Montage des Wafers 1 eine physische Spannung auf den peripheren Teilbereich angewendet wird. Indem man die Inspektion vom peripheren Teilbereich aus durchführt, kann daher die Inspektionszeit verkürzt werden und kann die Produktivität verbessert werden.
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Der Detektor 309 der vorliegenden Ausführungsform kann in der Halbleiterherstellungseinrichtung 100 oder der Halbleiterherstellungseinrichtung 200 der ersten Ausführungsform angeordnet werden. In diesem Fall muss die Öffnungs-/ Schließeinheit 309a nicht angeordnet werden.
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Dritte Ausführungsform.
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6 ist ein Flussdiagramm, um ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform zu erläutern. 6 veranschaulicht ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, indem die Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten oder zweiten Ausführungsform genutzt wird. Zunächst wird als Schritt S1 ein Präparationsschritt zum Präparieren des Wafers 1 durchgeführt. Im Präparationsschritt wird ein Ingot aus zum Beispiel Silizium oder Siliziumcarbid in eine vorbestimmte Dicke in Scheiben geschnitten, um den Wafer 1 zu präparieren. In Schritt S1 kann epitaktisches Wachstum auf dem in eine Scheibe geschnittenen Substrat durchgeführt werden, um den Wafer 1 zu präparieren.
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Als Schritt S2 wird als Nächstes der Wafer 1 in einen Produktherstellungsprozess eingebracht. Ein Prozess zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, der der Produktherstellungsprozess ist, umfasst einen in Schritt S3 dargestellten Reinigungsschritt, einen in Schritt S4 dargestellten Filmausbildungsschritt, einen in Schritt S5 dargestellten Fotolithografieschritt, einen in Schritt S6 dargestellten Ätzschritt und einen in Schritt S7 dargestellten Diffusions- und Ionenimplantationsschritt. Für diese Schritte kann ein allgemein bekanntes Herstellungsverfahren genutzt werden. Der Filmausbildungsschritt umfasst eine Oxidation, eine chemische Gasphasenabscheidung (CVD), eine Metallisierung und dergleichen.
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Im Inspektionsschritt unter Verwendung der Halbleiterherstellungseinrichtung 100 wird der Wafer 1 auf dem auf der oberen Oberfläche des Tisches 2 angeordneten Montagebereich 2a montiert. Als Nächstes wird die Schale 6 auf der oberen Oberfläche des Tisches 2 montiert, um den Wafer 1 abzudecken. Danach wird dem von der oberen Oberfläche des Tisches 2 und der Schale 6 umgebenen Raum Gas zugeführt, um den Wafer 1 unter Druck zu setzen. Die Vakuumpumpe 3 saugt den Wafer 1 an den Montagebereich 2a an. Ferner wird der Druck in jedem der Vielzahl von Ansaugrohren 4 detektiert, während der an den Montagebereich 2a angesaugte Wafer 1 mit Gas unter Druck gesetzt wird. Wenn die Halbleiterherstellungseinrichtung 200 oder 300 genutzt wird, wird die Gaskonzentration in jedem der Vielzahl von Ansaugrohren 4 detektiert, während der an den Montagebereich 2a angesaugte Wafer 1 mit Gas unter Druck gesetzt wird. Dadurch wird das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines Defekts im Wafer 1 überprüft.
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Die vorliegende Ausführungsform umfasst einen Inspektionsschritt, der von der Halbleiterherstellungseinrichtung 100, 200 oder 300 vor zumindest einem des Reinigungsschritts, des Filmausbildungsschritts, des Fotolithografieschritts, des Ätzschritts und des Diffusions- und lonenimplantationsschritts durchgeführt wird. Das heißt, nachdem der Druck oder die Gaskonzentration in jedem der Vielzahl von Ansaugrohren 4 detektiert und die Inspektion durchgeführt ist, wird der Wafer 1 einer Reinigung, einer Filmausbildung, einer Fotolithografie, einer Ätzung, einer Diffusionsbehandlung oder einer Ionenimplantation unterzogen. Infolgedessen ist es im Prozess zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen möglich, ein sekundäres Problem wie etwa eine Tischanomalie (engl.: stage abnormality) zu verhindern, die aufgrund einer Prozessierung eines defekten Wafers auftreten kann.
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Indem man den Inspektionsschritt vor jedem Schritt durchführt, können beispielsweise die folgenden Effekte erhalten werden. Indem man den Inspektionsschritt vor dem Reinigungsschritt oder dem Fotolithografieschritt durchführt, ist es möglich, die Korrosion des Tisches aufgrund des Zustroms einer chemischen Lösung aus dem Defekt zu verhindern. Ferner kann die Verunreinigung des nachfolgenden Wafers verhindert werden. Indem man den Inspektionsschritt vor dem Filmausbildungsschritt durchführt, ist es möglich, zu verhindern, dass ein durch Filmausbildung erhaltenes Produkt durch den Defekt gelangt und auf dem Tisch abgeschieden wird. Indem man den Inspektionsschritt vor dem Ätzschritt durchführt, ist es möglich, die Korrosion des Tisches aufgrund des Zustroms eines Ätzgases aus dem Defekt zu verhindern. Ferner kann die Verunreinigung des nachfolgenden Wafers verhindert werden. Indem man den Inspektionsschritt vor dem Diffusions- und Ionenimplantationsschritt durchführt, ist es möglich, zu verhindern, dass der Tisch aufgrund einer Laserbestrahlung des Defekts während eines Laser-Ausheilens oder dergleichen verbrennt.
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Indes können in jeder Ausführungsform erläuterte technische Merkmale zur Nutzung geeignet kombiniert werden.
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In der Halbleiterherstellungseinrichtung und dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann dem von der oberen Oberfläche des Tisches und der Schale umschlossenen Raum Gas zugeführt werden, um den Wafer unter Druck zu setzen. Dementsprechend kann ein Defekt im Wafer detektiert werden.
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Offensichtlich sind viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Offenbarung im Lichte der Lehren möglich. Es versteht sich daher, dass innerhalb des Umfangs der beigefügten Ansprüche die Offenbarung anders als konkret beschrieben in die Praxis umgesetzt werden kann.
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Die gesamte Offenbarung der am 29. März 2021 eingereichten japanischen Patentanmeldung Nr.
2021-055492 , einschließlich Beschreibung, Ansprüche, Zeichnungen und Zusammenfassung, worauf die Priorität gemäß Übereinkommen der vorliegenden Anmeldung basiert, ist in ihrer Gesamtheit durch Verweis einbezogen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- JP 2013149809 A [0002]
- JP 2013149809 [0003]
- JP 2021055492 [0036]
