DE102021214847A1 - Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds, Bauteilverbund und Maschine - Google Patents

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Benjamin Zillmann
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Robert Bosch GmbH
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds (10) umfassend ein Substrat (12) und ein Formstück (14), wobei das Formstück (14) mittels eines additiven Herstellungsverfahrens auf dem Substrat (12) hergestellt wird. Ferner betrifft die Erfindung einen elektronischen Bauteilverbund (10) umfassend ein Substrat (12) und ein Formstück (14), wobei das Formstück (14) ein additiv hergestelltes Formstück (14) ist.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds, einen Bauteilverbund umfassend ein Substrat und ein Formstück und eine Maschine zur Herstellung eines Bauteilverbunds.
  • Aus der US 2007/0007643 A1 ist ein Halbleiter-Mehrchip-Aufbau bekannt, der ein Substrat, einen auf dem Substrat montierten ersten Halbleiterchip und einen direkt über dem ersten Halbleiterchip angeordneten zweiten Halbleiterchip umfasst. Der Aufbau enthält ferner einen Abstandshalter, der zwischen dem Substrat und dem zweiten Halbleiterchip angeordnet ist, um einen vertikalen Abstand zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiterchip aufrechtzuerhalten und den zweiten Halbleiterchip mit dem Substrat elektrisch zu verbinden.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Vorteile der Erfindung
  • Die erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds umfassend ein Substrat und ein Formstück, wobei das Formstück mittels eines additiven Herstellungsverfahrens auf dem Substrat hergestellt wird, hat den Vorteil, dass das Formstück einfach und damit kostengünstig hergestellt werden kann. Gleichzeitig hat das Verfahren den Vorteil, dass Eigenschaften des Formstücks einfach durch die Wahl des Materials und/oder der Prozessparameter zu dessen Herstellung eingestellt werden können. Besonders vorteilhaft ist dabei, dass durch die unmittelbare Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung des Formstücks mit dem Substrat bei der Herstellung des Formstücks ein sonst bei unabhängig vom Substrat hergestellten Formteilen, beispielsweise Stanzteilen, notwendiger zusätzlicher Verbindungsschritt entfällt. Durch die reduzierte Zahl an Herstellungsschritten ist das Verfahren einfach und damit kostengünstig.
  • Vorzugsweise ist das Formstück ein Abstandshalter (Spacer) zur Beabstandung von zwei Bauelementen, insbesondere dem elektronischen Bauelement von dem Substrat und/oder einem zweiten Substrat von dem Substrat. In einer Variante ist das Formstück alternativ oder zusätzlich als elektrischer Kontakt zur elektrischen Kontaktierung und/oder als Wärmeübertrager zur Übertragung von Wärme von einer Quelle zu einer Senke ausgebildet.
  • Besonders vorteilhaft ist, dass das Formstück aus Silber und/oder einer Silberlegierung und/oder Kupfer und/oder einer Kupferlegierung besteht und/oder dass das Formstück durch Aufschmelzen von Pulver aus Silber und/oder einer Silberlegierung und/oder Kupfer und/oder einer Kupferlegierung hergestellt wird. Diese Materialien haben den Vorteil, dass diese eine hohe thermische Leitfähigkeit und eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweisen. Indem ein additives Herstellungsverfahren verwendet wird, ist es durch geeignete Wahl der Prozessparameter möglich, schädliche Eigenspannungen zu reduzieren. Die verwendeten Materialien Silber und Kupfer weisen sowohl eine hohe elektronische Leitfähigkeit als auch eine hohe thermische Leitfähigkeit auf, so dass damit der Wirkungsgrad des Formstücks, insbesondere als Abstandshalter, bezüglich der elektrischen und/oder der thermischen Leitfähigkeit hoch ist. Zudem hat die Verarbeitung der genannten Materialien durch das additive Herstellungsverfahren den Vorteil, dass durch die Vermeidung von Eigenspannungen die stoffschlüssige Verbindung zuverlässig ist und kein Risiko einer Delamination besteht.
  • Vorteilhaft ist, dass das Formstück schichtweise aus Pulver in einem Pulverbett auf dem Substrat mittels eines Energiestrahls hergestellt wird. Dies ermöglicht es, komplexe, dreidimensionale Formstücke aufzubauen, die an das Substrat und/oder das elektronische Bauelement angepasst sind, da der Energiestrahl, insbesondere in Form eines Laserstrahls und/oder eines Elektronenstrahls, einfach abgelenkt werden kann und so eine vorbestimmte Fläche abgescannt werden kann.
  • Besonders vorteilhaft ist, dass eine erste Schicht des Formstücks derart hergestellt wird, dass die erste Schicht stoffschlüssig mit dem Substrat verbunden ist. Dies hat den Vorteil, dass kein zusätzlicher Verfahrensschritt zur Verbindung des Formstücks mit dem Substrat erforderlich ist.
  • Vorteilhaft ist ferner, dass das Substrat eine Leiterplatte, insbesondere eine Niedertemperatur-Einbrand-Keramik-Leiterplatte, ist. Niedertemperatur-Einbrand-Keramiken (LTCC, Low Temperature Cofired Ceramics) sind Leiterplatten mit insbesondere Mehrlagenschaltungen auf der Basis von gesinterten Keramikträgern, die bei maximalen Temperaturen von 850°C bis 900°C gesintert werden.
  • Besonders vorteilhaft ist, dass als additives Herstellungsverfahren das selektive Laserschmelzen und/oder das selektive Elektronenstrahlschmelzen verwendet wird. Beide additive Verfahren ermöglichen es in vorteilhafter Weise, das Formstück schnell und zuverlässig aufzubauen.
  • Vorteilhaft ist ferner, dass der elektronische Bauteilverbund in einer Aufbaukammer hergestellt wird, wobei die Aufbaukammer auf eine vorbestimmte Temperatur, die vorzugsweise höher als die Umgebungstemperatur ist, temperiert ist und/oder dass elektronischen Bauteilverbund auf einer Aufbauplatte hergestellt wird, wobei die Aufbauplatte auf eine vorbestimmte Vorheiztemperatur temperiert ist. Dies hat zum einen den Vorteil, dass die Herstellung des Formstücks schnell erfolgen kann, da das Pulver bereits vorerwärmt ist. Ferner hat dies den Vorteil, dass der zusätzliche Energieeintrag in das Substrat beim Aufschmelzen gering ist, da nur eine kleine Energiedifferenz notwendig ist, um das bereits vorerwärmte Pulver zu schmelzen. Dies trägt zu einer thermischen Schonung des Substrats bei. Ferner trägt dies dazu bei, dass die thermischen Spannungen im Formteil gering sind, so dass die stoffschlüssige Verbindung zwischen dem Formstück und dem Substrat fest und widerstandsfähig ist.
  • Besonders vorteilhaft ist, dass Prozessparameter des additiven Herstellungsverfahrens derart gewählt sind, dass bei minimalem Energieeintrag in das Substrat das Pulver gerade noch aufgeschmolzen wird. Prozessparameter sind die Leistung des Energiestrahls, insbesondere die Leistung des Laserstrahls, und/oder die Vorschubgeschwindigkeit des Energiestrahls, insbesondere die Scangeschwindigkeit des Laserstrahls, und/oder der Spotdurchmesser des Energiestrahls, insbesondere der Laserstrahlspot, und/oder die vorbestimmte Temperatur der Aufbaukammer und/oder eine Vorheiztemperatur der Aufbauplatte. Die derart gewählten Prozessparameter mit einem minimal notwendigen Energieeintrag tragen ebenfalls zur thermischen Schonung des Substrate und des Formstücks bei. Ferner trägt dies zur Energieeinsparung bei der Herstellung des Formstücks bei.
  • Die Erfindung betrifft ferner einen elektronischen Bauteilverbund umfassend ein Substrat und ein Formstück, wobei das Formstück ein additiv hergestelltes Formstück ist. Insbesondere ist der elektronische Bauteilverbund durch das vorstehend beschriebene Verfahren hergestellt worden. Vorzugsweise ist das Formstück durch die additive Herstellung stoffschlüssig mit dem Substrat verbunden. Insbesondere ist das Formstück aus Silber und/oder einer Silberlegierung und/oder Kupfer und/oder einer Kupferlegierung und/oder einer Kombination davon. Vorzugsweise ist das Substrat eine Leiterplatte, insbesondere eine Niedertemperatur-Einbrand-Keramik-Leiterplatte. Insbesondere umfasst der elektronische Bauteilverbund ein elektronisches Bauelement und/oder ein zweites Substrat, wobei das elektronischen Bauelement und/oder das zweite Substrat mittels des Formstücks mit dem Substrat elektrisch und/oder thermisch kontaktiert ist. Vorzugsweise ist das elektronischen Bauelement und/oder das zweite Substrat mit dem Formstück verlötet. Das elektronische Bauelement ist insbesondere ein Mikrochip und/oder ein Leistungshalbleiter. Insbesondere ist das zweite Substrat eine Leiterplatte, insbesondere eine Niedertemperatur-Einbrand-Keramik-Leiterplatte.
  • Die Erfindung betrifft ferner eine Maschine zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds umfassend ein Substrat und ein Formstück, insbesondere den beschriebenen Bauteilverbund, wobei die Maschine ausgebildet ist, das Formstück mittels eines additiven Herstellungsverfahrens herzustellen. Insbesondere ist die Maschine ausgebildet, den elektronischen Bauteilverbund mittels des beschriebenen Verfahrens herzustellen. Die Maschine umfasst insbesondere eine Aufbaukammer und/oder eine Aufbauplatte und/oder einen Beschichter zum Aufbringen von Pulver und/oder eine Schmelzeinrichtung zum selektiven Aufschmelzen des Pulvers und/oder eine Entpulverungseinrichtung zum Entfernen des überschüssigen und nicht aufgeschmolzenen Pulvers und/oder eine Bestückungseinrichtung zum positionsrichtigen und/oder lagerichtigen Auflegen des elektronischen Bauelements auf das Formstück und/oder eine Löteinrichtung zum Verlöten des elektronischen Bauelements mit dem Formstück.
  • Die Vorteile des Verfahrens geltend entsprechend für den elektronischen Bauteilverbund und die Maschine zur Herstellung des elektronischen Bauteilverbunds.
  • Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen mit Bezug zu den Figuren und aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Figurenliste
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen anhand mehrerer Figuren dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Es zeigen:
    • 1 einen elektronischen Bauteilverbund, und
    • 2 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds.
  • Beschreibung von Ausführungsbeispielen
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds, insbesondere eines mikroelektronischen Bauteilverbunds, umfassend ein Substrat und ein Formstück beschrieben, wobei das Formstück mittels eines additiven Herstellungsverfahrens auf dem Substrat hergestellt wird. Ferner wird ein elektronischer Bauteilverbund umfassend ein Substrat und ein Formstück beschrieben, wobei das Formstück ein additiv hergestelltes Formstück ist.
  • Im Weiteren wird die Herstellung eines als Formstück ausgebildeten Abstandshalters (Spacer) durch Verwendung von selektivem Laserschmelzen (Selective Laser Melting, SLM) und Silberpulver und/oder Kupferpulver beschrieben. Aufgrund der herausragenden thermischen und elektrischen Leitfähigkeit werden Pulver aus Silber und/oder Kupfer sowie deren Legierungen verwendet. Durch vorgewählte Prozessparameter des selektiven Laserschmelzens und einer vorgewählten Temperaturführung, beispielsweise durch Vorheizen der Aufbaukammer, wird eine gute Haftung des Abstandshalters auf dem Substrat, insbesondere auf einer Niedertemperatur-Einbrand-Keramik-Platine (Low temperature cofired ceramics, LTCC), gewährleistet, so dass eine in Bezug zur Platine ungünstige Wärmeausdehnung des Abstandshalters kompensiert werden kann und Eigenspannungen während des Aufbaus des Abstandshalters reduziert werden. Hierbei wird ausgenutzt, dass sowohl Silber als auch Kupfer eine niedrige Streckgrenze haben, welche bei Prozess-Temperaturen weiter deutlich herabgesetzt wird. Durch plastische Verformung und Kriechvorgänge während des additiven Aufbaus werden so entstehende Eigenspannungen im Abstandshalter auf ein unkritisches Maß reduziert. Dabei wird das Formstück, insbesondere der Abstandshalter (Spacer), direkt auf das Substrat mittels additiver Fertigung aufgebracht. Das Herstellungsverfahren ist ausgestaltet, den Energieeintrag durch den Energiestrahl in das Substrat durch Variation der Prozessparameter möglichst gering zu halten, aber gleichzeitig so hoch, um aus dem Pulver ein dichtes Endbauteil zu erzeugen. Die Prozessparameter sind dabei beim selektiven Laserschmelzen die Laserleistung und/oder Hedge und/oder Geschwindigkeit und/oder Spotdurchmesser und/oder Vorheiztemperatur der Aufbauplatte. Die Prozessparameter werden in Abhängigkeit des Materials und der Eigenschaften des verwendeten Pulvers, wie Pulvergröße, gewählt.
  • 1 zeigt einen elektronischen Bauteilverbund 10 umfassend ein Substrat 12 und ein Formstück 14. Das Formstück 14 ist ein additiv hergestelltes Formstück 14. Dabei ist das Formstück 14 mittels der additiven Herstellung unmittelbar stoffschlüssig mit dem Substrat 12 verbunden. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel ist das Formstück 14 aus Silber und/oder einer Silberlegierung und/oder Kupfer und/oder einer Kupferlegierung. Ferner ist das Substrat 12 eine Leiterplatte. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel ist das Substrat 12 eine Niedertemperatur-Einbrand-Keramik-Leiterplatte. Ferner umfasst der elektronischen Bauteilverbund 10 ein elektronisches Bauelement 16, wobei das elektronischen Bauelement 16 mittels des Formstücks 14 mit dem Substrat 12 sowohl elektrisch als auch thermisch kontaktiert ist. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel ist das elektronischen Bauelement 16 mit dem Formstück 14 über eine Lötverbindung verbunden. Ferner umfasst das Substrat 12 Kontaktflächen 18, wobei auf den Kontaktflächen 18 ein Bonddraht 20 aufgebracht, insbesondere aufgelötet, ist, derart, dass die Kontaktfläche 18 über den Bonddraht 20 mit nicht gezeigten Kontaktflächen auf oder an dem elektronischen Bauelement 16 elektrisch verbunden sind. Die Herstellung des beschriebenen elektronischen Bauteilverbunds 10 und insbesondere des additiv hergestellten Formstücks 14 wird nachfolgend mit Bezug auf die 2 beschrieben.
  • 2 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds nach der 1. In einem ersten optionalen Verfahrensschritt 30 wird eine Aufbaukammer, in welcher der elektronische Bauteilverbund hergestellt wird, auf eine vorbestimmte Temperatur temperiert, wobei die vorbestimmte Temperatur höher als die Umgebungstemperatur ist. Alternativ oder zusätzlich wird in diesem ersten optionalen Verfahrensschritt 30 eine Aufbauplatte, auf welche der elektronische Bauteilverbund hergestellt wird, auf eine vorbestimmte Vorheiztemperatur temperiert. Dabei ist die vorbestimmte Temperatur der Aufbaukammer und/oder die Vorheiztemperatur derart gewählt, dass diese wenigstens 100 °C, insbesondere wenigstens 200 °C, niedriger als die Schmelztemperatur des Pulvers ist. In einem zweiten Verfahrensschritt 32 wird das Substrat bereitgestellt. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das Substrat in einer Aufbaukammer auf einer Aufbauplatte bereitgestellt. Das Substrat ist insbesondere eine Niedertemperatur-Einbrand-Keramik-Leiterplatte. In einem dritten Verfahrensschritt 34 wird eine erste Pulverschicht auf das Substrat aufgebracht. Das Pulver wird aus einem Pulverreservoir mittels eines Rakels auf das Substrat aufgetragen. Das Material des Pulvers ist Silber und/oder eine Silberlegierung und/oder Kupfer und/oder eine Kupferlegierung oder eine Kombination davon. In einem vierten Verfahrensschritt 36 wird die aufgebrachte erste Pulverschicht mittels eines Laserstrahls selektiv dort aufgeschmolzen, wo das Formstück auf dem Substrat aufgebracht werden soll. Die Form des Formstücks und die erste Schicht des Formstücks sind dabei durch einen digitalen Datensatz vorbestimmt. In diesem vierten Verfahrensschritt 36 wird die so hergestellte erste Schicht des Formstücks gleichzeitig stoffschlüssig mit dem Substrat verbunden. In einer Variante des bevorzugten Ausführungsbeispiels wird das Pulver alternativ oder zusätzlich mit einem Elektronenstrahl selektiv aufgeschmolzen. Dabei sind die Prozessparameter des additiven Herstellungsverfahrens, insbesondere die Leistung des Energiestrahls und/oder die Vorschubgeschwindigkeit des Energiestrahls und/oder der Spotdurchmesser des Energiestrahls und/oder die vorbestimmte Temperatur der Aufbaukammer und/oder eine Vorheiztemperatur der Aufbauplatte, derart gewählt, dass bei minimalem Energieeintrag in das Substrat die Pulverschicht gerade noch aufgeschmolzen wird und sich mit dem Substrat stoffschlüssig verbindet. In einer an den vierten Verfahrensschritt 36 anschließenden Entscheidung 38 wird geprüft, ob das Formstück fertig gestellt ist oder nicht. Falls festgestellt wird, dass das Formstück noch nicht 40 fertig gestellt ist, wird mit dem dritten Verfahrensschritt 34 fortgefahren. In dem dritten Verfahrensschritt 34 und dem vierten Verfahrensschritt 36 wird auf die bereits hergestellt erste Schicht iterativ eine oder mehrere weitere Schichten aufgebracht, indem auf die zuletzt hergestellt Schicht Pulver aufgetragen und das Pulver selektiv aufgeschmolzen wird, wobei die weiteren hergestellten Schichten jeweils mit den darunter liegenden bereits hergestellten Schichten stoffschlüssig verbunden werden. Falls in der Entscheidung 38 die Antwort ja 42 ist, also festgestellt wird, dass das Formstück fertig gestellt ist, wird der fünfte Verfahrensschritt 44 durchgeführt. In diesem fünften Verfahrensschritt 44 wird das Substrat mit dem hergestellten Formstück entpulvert und somit der Bauteilverbund von nicht aufgeschmolzenen Pulver gereinigt. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel erfolgt das Entpulvern durch eine Absaugeinrichtung. In einem daran anschließenden sechsten Verfahrensschritt 46 wird ein elektronisches Bauelement bereitgestellt und auf dem hergestellten Formstück in einer vorbestimmten Position und Ausrichtung positioniert. Anschließend wird in dem sechsten Verfahrensschritt 46 das elektronischen Bauelement mit dem Formstück durch eine Lötverbindung stoffschlüssig verbunden. In einer Variante werden in dem sechsten Verfahrensschritt 46 weitere Kontaktflächen des Substrats über einen Bonddraht mit Kontaktflächen des elektronischen Bauelements elektrisch verbunden. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das Formstück durch das additive Herstellungsverfahren des selektiven Laserschmelzens hergestellt. In einer Variante wird das Formstück durch selektives Elektronenstrahlschmelzen hergestellt. Dabei werden die Prozessparameter des pulverbasierten, additiven Herstellungsverfahrens derart gewählt, dass bei minimalem Energieeintrag in das Substrat das Pulver gerade noch aufgeschmolzen wird. Die Prozessparameter sind dabei die Leistung des Energiestrahls und/oder die Vorschubgeschwindigkeit des Energiestrahls und/oder der Spotdurchmesser des Energiestrahls und/oder die vorbestimmte Temperatur der Aufbaukammer und/oder eine Vorheiztemperatur der Aufbauplatte oder eine Kombination davon.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 20070007643 A1 [0002]

Claims (15)

  1. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds (10) umfassend ein Substrat (12) und ein Formstück (14), dadurch gekennzeichnet, dass das Formstück (14) mittels eines additiven Herstellungsverfahrens auf dem Substrat (12) hergestellt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Formstück (14) durch Aufschmelzen von Silber und/oder einer Silberlegierung und/oder Kupfer und/oder einer Kupferlegierung hergestellt wird.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Formstück (14) schichtweise aus Pulver in einem Pulverbett auf dem Substrat (12) mittels eines Energiestrahls hergestellt wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Schicht des Formstücks (14) derart hergestellt wird, dass die erste Schicht stoffschlüssig mit dem Substrat (12) verbunden ist.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (12) eine Leiterplatte, insbesondere eine Niedertemperatur-Einbrand-Keramik-Leiterplatte, ist.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das additive Herstellungsverfahren ein pulverbasiertes additives Herstellungsverfahren, insbesondere ein selektives Laserschmelzen und/oder ein selektives Elektronenstrahlschmelzen, ist.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der elektronischen Bauteilverbund (10) in einer Aufbaukammer hergestellt wird, wobei die Aufbaukammer auf eine vorbestimmte Temperatur, die vorzugsweise höher als die Umgebungstemperatur ist, temperiert ist.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der elektronische Bauteilverbund (10) auf einer Aufbauplatte hergestellt wird, wobei die Aufbauplatte auf eine vorbestimmte Vorheiztemperatur temperiert ist.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Prozessparameter des additiven Herstellungsverfahrens, insbesondere die Leistung des Energiestrahls und/oder die Vorschubgeschwindigkeit des Energiestrahls und/oder der Spotdurchmesser des Energiestrahls und/oder die vorbestimmte Temperatur der Aufbaukammer und/oder die Vorheiztemperatur der Aufbauplatte, derart gewählt sind, dass bei minimal erforderlichem Energieeintrag in das Substrat (12) das Pulver gerade noch aufgeschmolzen wird.
  10. Elektronischer Bauteilverbund (10) umfassend ein Substrat (12) und ein Formstück (14), insbesondere hergestellt durch ein Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Formstück (14) ein additiv hergestelltes Formstück (14) ist.
  11. Elektronischer Bauteilverbund (10) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Formstück (14) durch die additive Herstellung stoffschlüssig mit dem Substrat (12) verbunden ist.
  12. Elektronischer Bauteilverbund (10) nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Formstück (14) aus Silber und/oder einer Silberlegierung und/oder Kupfer und/oder einer Kupferlegierung ist.
  13. Elektronischer Bauteilverbund (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (12) eine Leiterplatte, insbesondere eine Niedertemperatur-Einbrand-Keramik-Leiterplatte, ist.
  14. Elektronischer Bauteilverbund (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der elektronische Bauteilverbund (10) ein elektronisches Bauelement (16) und/oder ein zweites Substrat umfasst, wobei das elektronischen Bauelement (16) und/oder das zweite Substrat mittels des Formstücks (14) mit dem Substrat (12) elektrisch und/oder thermisch kontaktiert ist.
  15. Maschine zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds (10) umfassend ein Substrat (12) und ein Formstück (14), insbesondere zur Herstellung eines elektronischen Bauteilverbunds (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Maschine ausgebildet ist, das Formstück (14) mittels eines additiven Herstellungsverfahrens, insbesondere mittels des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 9, auf dem Substrat (12) herzustellen.
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