DE102021201607A1

DE102021201607A1 - Trägerablage

Info

Publication number: DE102021201607A1
Application number: DE102021201607.3A
Authority: DE
Inventors: Kentaro Iizuka
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2020-02-20
Filing date: 2021-02-19
Publication date: 2021-08-26
Also published as: JP2021132133A; US11521877B2; CN113277200A; US20210265186A1; JP7461158B2

Abstract

Eine Trägerablage beinhaltet ein Gehäuse, eine Ingotaufnahmevertiefung, die einen Halbleiteringot aufnimmt und eine Waferaufnahmevertiefung, die einen Wafer aufnimmt. Das Gehäuse weist eine obere Wand, eine untere Wand, ein Paar Seitenwände, die die obere Wand und die untere Wand miteinander verbinden, und einen Tunnel auf, der durch die obere Wand, die untere Wand und das Paar Seitenwände ausgebildet ist. Mehrere Hebel, von denen jeder einen Anwendungspunkt, der von einer unteren Oberfläche der Ingotaufnahmevertiefung hervorsteht, einen Wirkungspunkt, der von einer Seitenoberfläche der Ingotaufnahmevertiefung hervorsteht, und einen Drehpunkt aufweist, der zwischen dem Anwendungspunkt und dem Wirkungspunkt ausgebildet ist, sind an dem Gehäuse angebracht, sodass sie um den Drehpunkt gedreht werden können.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Trägerablage, die in einer Waferausbildungsvorrichtung zum Ausbilden eines Wafers aus einem Halbleiteringot verwendet wird.
Beschreibung des Stands der Technik
Bauelemente wie integrierte Schaltungen (ICs), Large Scale Integration Circuits (LSIs) und lichtemittierende Dioden (LEDs) sind an einer funktionalen Schicht ausgebildet, die an einer vorderen Oberfläche eines Wafers gestapelt ist, die ein Material aus Silizium (Si), Saphir (Al₂O₃) oder dergleichen in jeweiligen Bereichen beinhaltet, die durch mehrere sich kreuzende Straßen aufgeteilt sind. Zusätzlich sind Leistungsbauelemente, LEDs und dergleichen an einer funktionalen Schicht ausgebildet, die an einer vorderen Oberfläche eines Wafers gestapelt ist, der ein Material aus Einkristall-Siliziumcarbid (SiC) beinhaltet, in jeweiligen Bereichen, die durch mehrere sich kreuzende Straßen aufgeteilt sind. Der Wafer, der mit den Bauelementen ausgebildet ist, wird einer Bearbeitung entlang der Straßen durch eine Schneidvorrichtung und eine Laserbearbeitungsvorrichtung ausgesetzt und in einzelne Bauelementchips geteilt und die Bauelementchips werden in elektrischen Ausstattungen wie Mobiltelefonen und Personalcomputern verwendet.
Der Wafer, der mit den Bauelementen ausgebildet werden soll, ist im Allgemeinen durch Schneiden eines zylindrischen Ingots in eine dünne Form durch eine Bandsäge ausgebildet. Eine vordere Oberfläche und eine hintere Oberfläche des so geschnittenen Wafers werden poliert und als eine Spiegeloberfläche abgeschlossen (siehe zum Beispiel die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2000-94221 ). Jedoch, wenn der Ingot durch eine Bandsäge geschnitten wird und die vordere Oberfläche und die hintere Oberfläche des Wafers, die so geschnitten werden, poliert werden, wird das meiste (70% bis 80%) des Ingots weggeschmissen, was nicht ökonomisch ist. Insbesondere ist ein Einkristall-SiC-Ingot so hart, dass es schwierig ist, den Ingot durch eine Bandsäge zu schneiden und es dauert eine erhebliche Zeit, sodass die Produktivität gering ist und der Ingot hohe Stückkosten aufweist. Entsprechend existiert ein Problem, dass Wafer effizient hergestellt werden müssen.
In Anbetracht des Vorgenannten wurde eine Technologie vorgeschlagen, bei der ein Laserstrahl einer solchen Wellenlänge, dass sie durch das Einkristall-SiC transmittiert werden kann, auf einem Einkristall-SiC-Ingot aufgebracht wird, wobei der Fokuspunkt des Laserstrahls in dem Einkristall-SiC-Ingot positioniert aufgebracht wird, um eine Ablöseschicht an einer geplanten Schneidebene auszubilden und ein Wafer wird von dem Einkristall-SiC-Ingot entlang der geplanten Teilungsebene, in welcher die Ablöseschicht ausgebildet wurde, abgelöst (siehe zum Beispiel die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2019-106458 ).
DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
In der Waferausbildungsvorrichtung, die in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2019-106458 offenbart ist, werden der Ingot und der Wafer, der von diesem abgelöst wurde, in dem Zustand zwischen Einheiten wie einer Ingotschleifeinheit und einer Laseraufbringungseinheit getragen, in dem sie an einer Trägerablage abgelegt sind. Jedoch weist die Trägerablage ein Problem auf, dass der Ingot instabil bezüglich der Trägerablage ist, wenn der Ingot transportiert wird, während er durch einen Ingotträgerabschnitt getragen ist und der Ingot kann von der Trägerablage fallen.
Entsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung eine Trägerablage bereitzustellen, welche einen Ingot stabil halten kann und verhindern kann, dass der Ingot während eines Tragens desselben herunterfällt.
In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Trägerablage bereitgestellt, die in einer Waferausbildungsvorrichtung zum Ausbilden eines Wafers aus einem Halbleiteringot verwendet werden kann. Die Trägerablage beinhaltet: ein Gehäuse, das eine obere Wand, eine untere Wand, ein Paar Seitenwände, welche die obere Wand und die untere Wand miteinander verbinden, beinhaltet und einen Tunnel, der durch die obere Wand, die untere Wand und das Paar Seitenwände ausgebildet ist; eine Ingotaufnahmevertiefung, die in der oberen Wand des Gehäuses aufgenommen ist, und den Ingot aufnimmt; eine Waferaufnahmevertiefung, die in der unteren Wand des Gehäuses ausgebildet ist und einen Wafer aufnimmt; und mehrere Hebel, die jeweils einen Anwendungspunkt aufweisen, der von einer unteren Oberfläche der Ingotaufnahmevertiefung hervorsteht, einen Wirkungspunkt, der von einer Seitenoberfläche der Ingotaufnahmevertiefung hervorsteht, und einen Drehpunkt, der zwischen dem Anwendungspunkt und dem Wirkungspunkt ausgebildet ist, wobei jeder der Hebel an dem Gehäuse angebracht ist, sodass dieser sich um den Drehpunkt drehen kann. Wenn der Halbleiteringot in der Ingotaufnahmevertiefung aufgenommen ist, werden die Anwendungspunkte der Hebel durch ein Gewicht des Halbleiteringots selbst betätigt und eine Seitenoberfläche des Halbleiteringots wird durch die Punkte durch die Wirkung der Hebel getragen.
Vorzugsweise beinhaltet die Ingotaufnahmevertiefung mehrere Aufnahmevertiefungen, die konzentrisch sind und mehreren Größen von Halbleiteringots entsprechen.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung, da die Anwendungspunkte durch das Gewicht des Ingots selbst betätigt werden und die Seitenoberflächen des Ingots durch die Wirkungspunkte getragen werden, kann der Ingot stabil gehalten werden und daran gehindert werden, während eines Tragens des Ingots herunterzufallen.
Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
Figurenliste

1 ist eine perspektivische Ansicht einer Trägerablage entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
2 ist eine vordere Ansicht eines Hebels, der in 1 dargestellt ist;
3A ist eine Schnittansicht der Trägerablage, die in 1 dargestellt ist, in einem Zustand, in dem ein Ingot mit großem Durchmesser an einer oberen Seite einer Ingotaufnahmevertiefung positioniert ist;
3B ist eine Schnittansicht der Trägerablage, die in 1 dargestellt ist, in einem Zustand, in dem der Ingot mit großem Durchmesser in der Ingotaufnahmevertiefung getragen ist;
4A ist eine Schnittansicht der Trägerablage, die in 1 dargestellt ist, in einem Zustand, in dem ein Ingot mit kleinem Durchmesser an einer oberen Seite der in der Ingotaufnahmevertiefung positioniert ist;
4B ist eine Schnittansicht der Trägerablage, die in 1 dargestellt ist, in einem Zustand, in dem der Ingot mit kleinem Durchmesser in der Ingotaufnahmevertiefung getragen ist;
5 ist eine vordere Ansicht eines Hebels entsprechend einer Modifikation;
6 ist eine perspektivische Ansicht einer Waferausbildungsvorrichtung, bei der die Trägerablage, die in 1 dargestellt ist, verwendet wird; und
7 ist eine perspektivische Ansicht eines Teils der Waferausbildungsvorrichtung, die in 6 dargestellt ist.

DETAILLIERTE BESCHREIBUND DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
Eine Trägerablage entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben. Eine Trägerablage, die als Ganzes mit Bezugszeichen 2 in 1 versehen ist, beinhaltet ein Gehäuse 4, eine Ingotaufnahmevertiefung 6, die einen Halbleiteringot aufnimmt (im Folgenden einfach als ein Ingot bezeichnet) und einen Waferaufnahmeabschnitt 8, der einen Wafer aufnimmt.
Das Gehäuse 4 beinhaltet eine rechteckige obere Wand 10, eine rechteckige untere Wand 12, die an einer unteren Seite der oberen Wand 10 angeordnet ist, ein Paar rechteckige Seitenwände 14, welche die obere Wand und die untere Wand 12 miteinander verbinden, und einen Tunnel 16, der durch die obere Wand 10, die untere Wand 12 und das Paar Seitenwände 14 ausgebildet ist.
Wie in 1 dargestellt, ist die Ingotaufnahmevertiefung 6 in einer oberen Oberfläche der oberen Wand 10 des Gehäuses 4 ausgebildet. Die Ingotaufnahmevertiefung 6 in der vorliegenden Ausführungsform weist eine ringförmige erste Ingotaufnahmevertiefung 6a, die von der oberen Oberfläche der oberen Wand 10 nach unten vertieft ist, und eine kreisförmige zweite Ingotaufnahmevertiefung 6b auf, die hinsichtlich des Durchmessers kleiner als die erste Ingotaufnahmevertiefung 6a ist und weiter nach unten im Vergleich zu der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a vertieft ist. Die erste Ingotaufnahmevertiefung 6a und die zweite Ingotaufnahmevertiefung 6b sind konzentrisch ausgebildet.
Der Durchmesser der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a ist leicht (in der Größenordnung von mehreren Millimetern) größer als der Durchmesser eines zylindrischen Ingots 18, der einen vergleichsweise großen Durchmesser (zum Beispiel einen Durchmesser von 6 Zoll) und der Ingot 18, der einen vergleichsweise großen Durchmesser aufweist, ist in der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a aufgenommen. Der Durchmesser der zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6b ist leicht größer als der des zylindrischen Ingots 20, der einen vergleichsweise kleinen Durchmesser aufweist (zum Beispiel einen Durchmesser von 4 Zoll) und der Ingot 20, der einen vergleichsweise kleinen Durchmesser aufweist, ist in der zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6b aufgenommen.
Folglich beinhaltet die Ingotaufnahmevertiefung 6 in der vorliegenden Ausführungsform die konzentrische erste und zweite Ingotaufnahmevertiefung 6a und 6b entsprechend den zwei Größen der Ingots 18 und 20. Beachte, dass die Ingotaufnahmevertiefung 6 eine einzelne kreisförmige Vertiefung entsprechend einer Größe eines Ingots sein kann oder mehrere konzentrische Aufnahmevertiefungen entsprechend drei oder mehr Größen von Ingots beinhalten kann.
Mit Bezug zu 1 bis 3 sind mehrere (in der vorliegenden Ausführungsform vier) Hebel 22 in der Trägerablage 2 in Abständen in einer umfänglichen Richtung der Ingotaufnahmevertiefung 6 angeordnet. Jeder der Hebel 22 weist einen Anwendungspunkt 24 auf, der von einer unteren Oberfläche der Ingotaufnahmevertiefung 6 hervorsteht, einen Wirkungspunkt 26, der von einer Seitenoberfläche der Ingotaufnahmevertiefung 6 hervorsteht, und einen Drehpunkt 28, der zwischen dem Anwendungspunkt 24 und dem Wirkungspunkt 26 ausgebildet ist.
Wie mit Bezug zu 3A und 3B verstanden wird, ist jeder Hebel 22 in einem Aufnahmeloch 30 angeordnet, das in dem Gehäuse 4 entsprechend der Form des Hebels 22 ausgebildet ist, und ist drehbar an dem Gehäuse 4 durch einen Stift (das Bezugszeichen ist ausgelassen), der durch den Drehpunkt 28 dringt.
Wie in 2, 3A und 3B dargestellt, weist der Hebel 22 in der vorliegenden Ausführungsform einen ersten Abschnitt 22a auf, der sich von dem Drehpunkt 28 nach oben erstreckt, einen zweiten Abschnitt 22b, der sich in einer radialen Richtung der Ingotaufnahmevertiefung 6 von einem oberen Ende des ersten Abschnitts 22a nach Innen erstreckt, einen dritten Abschnitt 22c, der sich in der radialen Richtung der Ingotaufnahmevertiefung 6 von dem Drehpunkt 28 nach Innen erstreckt, einen vierten Abschnitt 22d, der sich von dem dritten Abschnitt 22c zwischen einem in radialer Richtung äußeren Endteil und einem in radialer Richtung inneren Endteil des dritten Abschnitts 22c nach oben erstreckt, einen fünften Abschnitt 22e, der sich in der radialen Richtung von dem vierten Abschnitt 22d zwischen einem oberen Ende und einem unteren Ende des vierten Abschnitts 22d in radialer Richtung nach innen erstreckt, und einen sechsten Abschnitt 22f, der sich von dem in radialer Richtung inneren Endteil des dritten Abschnitts 22c nach oben erstreckt.
Der Anwendungspunkt 24 des Hebels 22 in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet einen ersten Anwendungspunkt 24a, der aus einem oberen Ende des vierten Abschnitts 22d, der von einer unteren Oberfläche der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a hervorsteht, ausgebildet ist, und einen zweiten Anwendungspunkt 24b, der aus einem oberen Ende des sechsten Abschnitts 22f, der von einer unteren Oberfläche der zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6b hervorsteht, ausgebildet ist. Der Wirkungspunkt 26 des Hebels 22 in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet einen ersten Wirkungspunkt 26a, der aus einem inneren Endteil in radialer Richtung des zweiten Abschnitts 22b, der von einer Seitenoberfläche der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a hervorsteht (hervorstehenden kann), ausgebildet ist, und einem zweiten Wirkungspunkt 26b, der aus einem in radialer Richtung inneren Endteil des fünften Abschnitts 22e ausgebildet ist, der von einer Seitenoberfläche der zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6b hervorsteht (hervorstehenden kann).
Der Hebel 22 ist um den Drehpunkt 28 zwischen einer Trägerposition, an welcher eine Seitenoberfläche des Ingots durch den Wirkungspunkt 26 getragen ist, und einer Freigabeposition, bei welcher das Tragen des Ingots freigegeben ist, schwenkbar. Wie in 3A dargestellt, steht an der Freigabeposition der erste Anwendungspunkt 24a von der unteren Oberfläche der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a hervor und der zweite Anwendungspunkt 24b steht von der unteren Oberfläche der zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6b hervor, wobei der erste Wirkungspunkt 26a nicht von der Seitenoberfläche der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a hervorsteht und der zweite Wirkungspunkt 26b auch nicht von der Seitenoberfläche der zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6b hervorsteht.
Wie in 3A dargestellt, weist die Trägerablage 2 in der vorliegenden Ausführungsform ein Positionierungsmittel 32 zusätzlich an dem Gehäuse 4 zum Positionieren des Hebels 22 an der Freigabeposition in dem Fall, in dem der Ingot 18 oder 20 nicht in der ersten oder zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6a oder 6b aufgenommen ist, bereitgestellt ist. Das Positionierungsmittel 32 in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet eine Spiralfeder, die in einem Loch 34 angeordnet ist, das in dem Gehäuse 4 ausgebildet ist, sodass es sich in der radialen Richtung erstreckt, wobei ein Seitenendteil der Spiralfeder mit dem ersten Abschnitt 22a des Hebels 22 verbunden ist und ein Endteil einer anderen Seite der Spiralfeder mit einer Seitenoberfläche des Lochs 34 verbunden ist.
Ferner, mit Bezug zu 3A und 3B, wenn der Ingot 18 mit einem großen Durchmesser in der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a aufgenommen ist, wird der erste Anwendungspunkt 24a des Hebels 22 durch den Ingot 18 gedrückt und nach unten bewegt, wie in 3B dargestellt. Anders ausgedrückt wird der erste Anwendungspunkt 24a durch das Gewicht des Ingots 18 selbst betätigt. Dann wird der Hebel um den Drehpunkt 28 zu der Trägerposition geschwenkt, indem die Kraft des Positionierungsmittels 32 überwunden wird und der erste Wirkungspunkt 26a des Hebels 22 steht von der Seitenoberfläche der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a vor, um die Seitenoberfläche des Ingots 18 zu tragen. In der Trägerablage 2 kann darum der Ingot 18 stabil während eines Tragens des Ingots 18 gehalten werden, sodass der Ingot 18 daran gehindert werden kann, herunterzufallen. Beachte, während jede Anzahl von Hebeln 22 bereitgestellt sein kann, ist es bevorzugt, drei oder mehr Hebel bereitzustellen, damit der Ingot 18 stabil gehalten wird.
Mit Bezug zu 4A und 4B, wenn der Ingot 20 mit einem kleinen Durchmesser in der zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6b aufgenommen wird, wird der zweite Anwendungspunkt 24b durch das Gewicht des Ingots 20 selbst, wie in 4B dargestellt, betätigt (nach unten bewegt). Dann wird der Hebel 22 um den Drehpunkt 28 zu der Trägerposition geschwenkt, indem die Kraft des Positionierungsmittels 32 überwunden wird und der zweite Wirkungspunkt 26b des Hebels 22 steht von der Seitenoberfläche der zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6b hervor, um die Seitenoberfläche des Ingots 20 zu tragen. Folglich weist die Trägerablage 2 die Hebel 22 entsprechend den Größen der Ingots 18 und 20 auf und kann die Ingots 18 und 20 stabil halten.
Andererseits, wenn der Ingot 18 oder 20 von der ersten oder zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6a oder 6b entfernt wird, wirkt das Gewicht des Ingots 18 oder 20 nicht auf den ersten oder zweiten Anwendungspunkt 24a oder 24b (mehr) und darum wird der Hebel 22 um den Drehpunkt 28 zu der Freigabeposition durch das Positionierungsmittel 32 geschwenkt.
Beachte, dass das Positionierungsmittel 32, das eine Kraft auf dem Hebel 22 in Richtung der Freigabeposition aufbringt, die Spiralfeder in der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet, jedoch die Spiralfeder nicht dahingehend einschränkend ist, dass eine Kraft auf den Hebel 22 zu der Freigabeposition in einem solchen Maß aufgebracht wird, dass der Hebel 22 schwingen kann, wenn der Ingot 18 oder 20 in der ersten oder zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6a oder 6b aufgenommen ist, und der erste oder zweite Wirkungspunkt 26a oder 26b die Seitenoberfläche des Ingots 18 oder 20 tragen kann. Das Material des Positionierungsmittels 32 kann ein Metall, ein synthetischer Gummi, ein synthetischer Kunststoff oder dergleichen sein.
Zum Beispiel, in dem Fall, in dem eine Position des Schwerpunkts des Hebels 22 und eine Position des Drehpunkts 28 geeignet angepasst werden, sodass der Hebel 22 an der Freigabeposition positioniert ist, wenn die Ingots 18 und 20 nicht in der ersten und zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6a und 6b aufgenommen sind, muss das Positionierungsmittel nicht zusätzlich an dem Gehäuse 4 bereitgestellt sein.
Während die Hebel 22, die oben beschrieben sind, den Größen von beiden Ingots 18 und 20 entsprechen, können mehrere erste Hebel 36a entsprechend dem Ingot 18 und mehrere zweite Hebel 36b entsprechend der Größe des Ingots 20 in dem Gehäuse 4 in Abständen in der umfänglichen Richtung angeordnet sein, wie in 5 dargestellt.
Obwohl nicht dargestellt, kann eine Konfiguration angepasst werden, in der, wenn der Ingot 18 in der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a aufgenommen ist, ein erster Anwendungspunkt 38a betätigt wird (der erste Hebel 36a wird um einen ersten Drehpunkt 40a gedreht), durch das Gewicht des Ingots 18 selbst und ein erster Wirkungspunkt 42a trägt die Seitenoberfläche des Ingots 18 und, wenn der Ingot 20 in der zweiten Ingotaufnahmevertiefung 6b aufgenommen wird, wird ein zweiter Anwendungspunkt 38b betätigt (der zweite Hebel 36b wird um einen zweiten Drehpunkt 40b geschwenkt), durch das Gewicht des Ingots 20 selbst und ein zweiter Wirkungspunkt 42b trägt die Seitenoberfläche des Ingots 20.
Zusätzlich in dem Fall, in dem die Ingotaufnahmevertiefung 6 eine einzelne kreisförmige Aufnahmevertiefung entsprechend der einen Größe des Ingots ist, werden Hebel entsprechend der einen Größe des Ingots angeordnet, und in dem Fall, in dem die Ingotaufnahmevertiefung 6 konzentrische Aufnahmevertiefungen entsprechend den drei oder mehr Größen der Ingots entspricht, können Hebel entsprechend den drei oder mehr Größen der Ingots angeordnet sein.
Wie in 1 dargestellt, ist der Waferaufnahmeabschnitt 8 in einer oberen Oberfläche der unteren Wand des Gehäuses 4 ausgebildet. Der Waferaufnahmeabschnitt 8 in der vorliegenden Ausführungsform weist einen ringförmigen ersten Waferaufnahmeabschnitt 8a auf, der nach unten von der oberen Oberfläche der unteren Wand 12 vertieft ist, und einen kreisförmigen zweiten Waferaufnahmeabschnitt 8b, der hinsichtlich des Durchmessers kleiner als der erste Waferaufnahmeabschnitt 8a ist und weiter nach unten im Vergleich zu dem ersten Waferaufnahmeabschnitt 8a vertieft ist. Der erste Waferaufnahmeabschnitt 8a und der zweite Waferaufnahmeabschnitt 8b sind konzentrisch ausgebildet.
Der Durchmesser des ersten Waferaufnahmeabschnitts 8a ist leicht größer als der des scheibenförmigen Wafers, der einen vergleichsweise großen Durchmesser aufweist (zum Beispiel einen Durchmesser von 6 Zoll) und ein Wafer mit einem vergleichsweise großen Durchmesser ist in dem ersten Waferaufnahmeabschnitt 8a aufgenommen. Der Durchmesser des zweiten Waferaufnahmeabschnitts 8b ist leicht größer als ein scheibenförmiger Wafer, der einen vergleichsweise kleinen Durchmesser aufweist (zum Beispiel einen Durchmesser von 4 Zoll) und ein Wafer mit einem vergleichsweise kleinen Durchmesser ist in dem zweiten Waferaufnahmeabschnitt 8b aufgenommen.
Folglich beinhaltet der Waferaufnahmeabschnitt 8 in der vorliegenden Ausführungsform den konzentrischen ersten und zweiten Waferaufnahmeabschnitt 8a und 8b entsprechend den zwei Größen der Wafer. Beachte, dass der Waferaufnahmeabschnitt 8 ein einzelner kreisförmiger Aufnahmeabschnitt entsprechend der einen Größe des Wafers sein kann oder mehrere konzentrische Aufnahmeabschnitte entsprechend drei oder mehr Größen von Wafern beinhalten kann.
6 und 7 stellen eine Waferausbildungsvorrichtung 50 dar, welche die Trägerablage 2, die oben beschrieben ist, verwendet. Die Waferausbildungsvorrichtung 50 zum Ausbilden eines Wafers aus einem Ingot beinhaltet: eine Ingotschleifeinheit 52; eine Laseraufbringungseinheit 54; eine Waferablöseeinheit 56; eine Bandfördereinheit 58, die den Ingot trägt, der durch die Trägerablage 2 getragen ist, zu der Ingotschleifeinheit 52, der Laseraufbringungseinheit 54 und der Waferablöseeinheit 56; ein Trägerablagenlager 60; ein Kassettenlager 64, in dem mehrere Kassetten 62, die Wafer aufnehmen, die von dem Ingot abgelöst sind, aufgenommen werden; und ein Aufnahmemittel 66, das die Trägerablage 2 in dem Trägerablagenlager 60 zu der Bandfördereinheit 58 trägt und die Wafer, die in dem Waferaufnahmeabschnitt 8 der Trägerablage 2 getragen sind, in die Kassette 62 in dem Kassettenlager 64 aufnimmt.
Wie in 7 dargestellt, beinhaltet die Ingotschleifeinheit 52 einen Haltetisch 68, der den Ingot unter einem Saugen hält und drehbar ist, und ein Schleifmittel 70, das eine obere Oberfläche des Ingots schleift, der unter einem Saugen durch den Haltetisch 68 gehalten ist, um die Oberfläche flach auszugestalten. Das Schleifmittel 70 weist eine Schleifscheibe 72 auf, die Schleifsteine (nicht dargestellt) aufweist, und ist drehbar. Die Ingotschleifeinheit 52 bringt die Schleifsteine in Kontakt mit der oberen Oberfläche des Ingots, während der Haltetisch 68, der den Ingot unter einem Saugen hält, gedreht wird und die Schleifscheibe 72 gedreht wird, um dadurch die obere Oberfläche des Ingots zu schleifen und die obere Oberfläche flach auszugestalten.
Die Laseraufbringungseinheit 54 beinhaltet einen Haltetisch 74, der den Ingot unter einem Saugen hält und in einer X-Achsen-Richtung bewegt werden kann und drehbar ist, und ein Laseraufbringungsmittel 76, das einen Laserstrahl auf dem Ingot aufbringt, der unter einem Saugen durch den Haltetisch 74 gehalten ist. Das Laseraufbringungsmittel 76 weist einen Lichtsammler 78 auf, der einen gepulsten Laserstrahl, der durch einen Laseroszillator (nicht dargestellt) emittiert wird, sammelt, um den gepulsten Laserstrahl auf dem Ingot aufzubringen, und in der Y-Achsen-Richtung bewegt werden kann.
Die Laseraufbringungseinheit 54 bringt einen Laserstrahl einer solchen Wellenlänge auf, dass sie durch den Ingot transmittiert wird, während ein Fokuspunkt des Laserstrahls an einer Tiefe entsprechend einer Dicke eines Wafers, der ausgebildet werden soll, von der oberen Oberfläche des Ingots aufgebracht wird, während der Haltetisch 74, der den Ingot unter einem Saugen hält, in der X-Achsen-Richtung bewegt wird oder während der Lichtsammler 78 in der Y-Achsen-Richtung bewegt wird, um dadurch eine Ablöseschicht auszubilden, deren Festigkeit in dem Ingot abgesenkt ist.
Die Waferablöseeinheit 56 beinhaltet einen Haltetisch 80, der den Ingot unter einem Saugen hält und in der X-Achsen-Richtung bewegt werden kann, einen Flüssigkeitstankkörper 82, der einen Flüssigkeitssammelraum zusammen mit dem Haltetisch 80 ausbildet, und ein Ultraschallvibrationsgeneratorelement 84, das eine Ultraschallvibration auf dem Ingot aufbringt, der unter einem Saugen durch den Haltetisch 80 gehalten ist und einen Wafer hält, der von dem Ingot abgelöst wird, unter einem Saugen.
Die Waferablöseeinheit 56 betätigt das Ultraschallvibrationsgeneratorelement 84, um eine Ultraschallvibration auf dem Ingot aufzubringen, nachdem eine Flüssigkeit in dem Flüssigkeitsaufnahmeraum aufgenommen wurde, der durch den Haltetisch 80, der den Ingot unter einem Saugen hält, und dem Flüssigkeitstankkörper 82 ausgebildet ist, um dadurch den Wafer von dem Ingot mit der Ablöseschicht als ein Startpunkt abzulösen.
Die Bandfördereinheit 58 beinhaltet einen Vorwärtsbandförderer 86, der die Trägerablage 2 in einer Y1-Richtung trägt, einen Rückwärtsbandförderer 88, der die Trägerablage 2 in einer Y2-Richtung (einer Richtung entgegengesetzt zu der Y1-Richtung) trägt, ein erstes Trägermittel 90, welches die Trägerablage 2 von einem Endpunkt des Vorwärtsbandförderers 86 zu einem Startpunkt des Rückwärtsbandförderers 88 trägt und die Trägerablage 2, die durch den Vorwärtsbandförderer 86 getragen wird, an einer Position stoppt, sodass dieser der Waferablöseeinheit 56 zugewandt ist, und ein zweites Trägermittel 92, welches die Trägerablage 2 von einem Endpunkt des Rückwärtsbandförderers 88 zu einem Startpunkt des Vorwärtsbandförderers 86 trägt.
Zusätzlich beinhaltet die Bandfördereinheit 58 einen vertikal bewegbaren ersten Trägerablagenstopper 94, der die Trägerablage 2 anhält, die durch den Vorwärtsbandförderer 86 gefördert wird, an einer Position, sodass diese der Ingotschleifeinheit 52 zugewandt ist, und einen vertikal bewegbaren zweiten Trägerablagenstopper 96, der die Trägerablage 2, die durch den Vorwärtsbandförderer 86 gefördert wird, an einer Position stoppt, sodass diese der Laseraufbringungseinheit 54 zugewandt ist.
Ferner beinhaltet die Bandfördereinheit 58 ein erstes Übertragungsmittel 98, welches den Ingot zwischen der Trägerablage 2, die durch den ersten Trägerablagenstopper 94 angehalten ist, und der Ingotschleifeinheit 52 überträgt, ein zweites Übertragungsmittel 100, welches den Ingot zwischen der Trägerablage 2, die durch den zweiten Trägerablagenstopper 96 angehalten wurde, und der Laseraufbringungseinheit 54 überträgt, und ein drittes Übertragungsmittel 102, welches den Ingot zwischen der Trägerablage 2, die durch das erste Trägermittel 90 angehalten wurde, und der Waferablöseeinheit 96 überträgt und den Wafer, der von dem Ingot abgelöst wurde, von der Waferablöseeinheit 56 auf die Trägerablage 2 überträgt.
Jedes, das erste, zweite und dritte Übertragungsmittel 98, 100 und 102, die eine gemeinsame Konfiguration aufweisen, beinhaltet einen Gelenksausleger 104, der in der X-Achsen-Richtung, der Y-Achsen-Richtung und einer Z-Achsen-Richtung bewegt werden kann, und ein Saugstück 106, das an einem Spitzenende des Gelenksauslegers angebracht ist, sodass es von oben nach unten umgedreht werden kann. Eine einseitige Oberfläche des Saugstücks 106 ist mit mehreren Sauglöchern (nicht dargestellt) ausgebildet, die mit einem Saugmittel (nicht dargestellt) verbunden sind.
Mit Bezug zu 6 weist das Trägerablagenlager 60 in der vorliegenden Ausführungsform vier Aufnahmeabschnitte 108 auf, die sich in der X-Achsen-Richtung erstrecken. In dem Trägerablagenlager 60 kann die Trägerablage 2 von dieser Seite in der X-Achsen-Richtung in 6 in einen der Aufnahmeabschnitte 108 aufgenommen werden und die Trägerablage 2 in dem Aufnahmeabschnitt 108 kann aus der Tiefenseite in der X-Achsen-Richtung in 6 herausgenommen werden.
Wie in 6 dargestellt, weist das Kassettenlager 64 in der vorliegenden Ausführungsform 16 Aufnahmeabschnitte 116 auf, die in der Y-Achsen-Richtung hervorstehen und die Kassette 62, welche die Wafer aufnimmt, die von dem Ingot abgelöst wurden, ist in jedem der Aufnahmeabschnitte 110 aufgenommen. In dem Kassettenlager 64 kann die Kassette 62 in den Aufnahmeabschnitten 110 von dieser Seite in der Y-Achsen-Richtung in 6 aufgenommen werden und die Wafer können in der Kassette 62 in dem Aufnahmeabschnitt 110 von der Tiefenseite in der Y-Achsen-Richtung in 6 aufgenommen werden.
Wie in 7 dargestellt, beinhaltet das Aufnahmemittel 66 einen Gelenksausleger 112, der in der X-Achsen-Richtung, der Y-Achsen-Richtung und der Z-Achsen-Richtung bewegt werden kann, und ein Saugstück 114, das in einem Spitzenende des Gelenkauslegers 112 angebracht, sodass es von oben nach unten umgedreht werden kann. Eine einseitige Oberfläche des Saugpads 114 ist mit mehreren Sauglöcher (nicht dargestellt) ausgebildet, die mit Saugmitteln (nicht dargestellt) verbunden sind.
Zu dem Zeitpunkt des Ausbildens eines Wafers aus einem Ingot durch die Waferausbildungsvorrichtung 50, wie in 6 dargestellt, werden zuerst einer oder mehr Ingots (in der vorliegenden Ausführungsform vier Ingots mit großem Durchmesser 18) vorbereitet. Als nächstes wird jeder der Ingots 18 in der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a der Trägerablage 2 aufgenommen und eine Seitenoberfläche des Ingots 18 wird durch die ersten Wirkungspunkte 26a getragen, sodass der Ingot 18 nicht von der Trägerablage 2 fallen kann, während der Ingot 18 durch die Waferausbildungsvorrichtung 50 getragen wird. Darauffolgend werden die Trägerablagen 2, welche die Ingots 18 tragen, in den Aufnahmeabschnitten 108 des Trägerablagenlagers 60 aufgenommen.
Als nächstes wird ein erster Trägerschritt zum Tragen des Ingots 18 von dem Trägerablagenlager 60 zu der Laseraufbringungseinheit 54 durchgeführt. Im Allgemeinen weist der Ingot eine Endfläche flach ausgebildet auf, sodass diese das Auftreffen des Laserstrahls in einem Ausbildungsschritt für eine Ablöseschicht, der später beschrieben wird, nicht behindert. In der vorliegenden Ausführungsform wird darum ein Beispiel des Tragens des Ingots 18 von dem Trägerablagenlager 60 zu der Laseraufbringungseinheit 54 in dem ersten Trägerschritt in der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. In dem Fall, in dem die Endfläche des Ingots 18 nicht in einem solchen Maße flach ausgebildet ist, dass sie das Auftreffen des Laserstrahls in dem Ausbildungsschritt für eine Ablöseschicht nicht behindert, kann der Ingot 18 von dem Trägerablagenlager 60 zu der Ingotschleifeinheit 52 in dem ersten Trägerschritt getragen werden.
In dem ersten Trägerschritt wird zuerst der Gelenkausleger 112 des Aufnahmemittels 66 angetrieben und das Saugstück 114 mit den Sauglöchern nach oben gerichtet wird in den Tunnel 116 der Trägerablage 2 eingebracht. Als nächstes wird das Saugstück 114 leicht in dem Tunnel 16 nach oben bewegt und eine untere Oberfläche der oberen Wand 110 der Trägerablage 2 wird unter einem Saugen durch das Saugstück 114 gehalten. Danach wird die Trägerablage 2, die unter einem Saugen durch das Saugstück 114 gehalten ist, von dem Trägerablagenlager 60 auf den Vorwärtsbandförderer 86 getragen.
Nachdem die Trägerablage 2 an dem Vorwärtsbandförderer 86 platziert wurde, wird die Trägerablage 2 in der Yl-Richtung durch den Vorwärtsbandförderer 86 zu der Position, in der diese der Laseraufbringungseinheit 54 zugewandt ist, getragen. In diesem Fall wird der erste Trägerablagenstopper 94 abgesenkt und der zweite Trägerablagenstopper 96 angehoben, sodass die Trägerablage 2 an der Position angehalten ist, an der sie der Laseraufbringungseinheit 54 zugewandt ist.
Als nächstes wird der Gelenksausleger 104 des zweiten Übertragungsmittels 100 angetrieben und der Ingot 18 an der Trägerablage 2 wird unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten. Darauffolgend wird der Ingot 18, der unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten ist, von der Trägerablage 2 auf den Haltetisch 74 der Laseraufbringungseinheit 54 übertragen. Beachte, dass, wenn der Ingot 18 von der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a angehoben wird, das Gewicht des Ingots 18 nicht mehr auf den ersten Anwendungspunkten 24a wirkt und darum jeder Hebel 22 um den Drehpunkt 28 zu der Freigabeposition durch das Positionierungsmittel 32 geschwenkt wird.
Nachdem der erste Trägerschritt durchgeführt wurde, wird der Ausbildungsschritt für eine Ablöseschicht zum Halten des Ingots 18 unter einem Saugen durch den Haltetisch 74 und Aufbringen eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass diese durch den Ingot 18 transmittiert werden kann, auf dem Ingot 18 mit dem Fokuspunkt des Laserstrahls in einer Tiefe entsprechend der Dicke des Wafers, der ausgebildet werden soll, von der oberen Oberfläche des Ingots 18 positioniert, der unter einem Saugen durch den Haltetisch 74 gehalten ist, um dadurch die Ablöseschicht in der Laseraufbringungseinheit 54 auszubilden.
Nachdem der Ausbildungsschritt für eine Ablöseschicht durchgeführt wurde, wird ein zweiter Trägerschritt zum Tragen des Ingots 18, der mit der Ablöseschicht ausgebildet wurde, von der Laseraufbringungseinheit 54 zu der Waferablöseeinheit 56 durchgeführt. In dem zweiten Trägerschritt wird zunächst der Gelenksausleger 104 des zweiten Übertragungsmittels 100 angetrieben und der Ingot 18 an dem Haltetisch 74 wird unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten und die Saugkraft des Haltetischs 74 wird freigegeben. Als nächstes wird der Ingot 18, der unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten ist, von dem Haltetisch 74 zu der ersten Ingotaufnahmevertiefung 6a der Trägerablage 2 übertragen.
Darauffolgend wird die Trägerablage 2 in der Y1-Richtung durch den Vorwärtsbandförderer 86 zu der Position getragen, sodass diese der Waferablöseeinheit 56 zugewandt ist. In diesem Fall wird die Trägerablage 2 an der Position gestoppt, sodass sie der Waferablöseeinheit 56 zugewandt ist, durch das erste Trägermittel 90. Als nächstes wird der Gelenkausleger 104 des dritten Übertragungsmittels 102 angetrieben und der Ingot 18 an der Trägerablage 2 wird unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten. Darauffolgend wird der Ingot 18, der unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten ist, von der Trägerablage 2 auf den Haltetisch 80 der Waferablöseeinheit 56 übertragen.
Nachdem der zweite Trägerschritt durchgeführt wurde, wird ein Ablöseschritt für einen Wafer zum Halten des Ingots 18, der mit der Ablöseschicht ausgebildet ist, unter einem Saugen durch den Haltetisch 80 und Halten der oberen Oberfläche des Ingots 18, der unter einem Saugen durch den Haltetisch 80 gehalten ist, und Ablösen des Wafers von dem Ingot 18 mit der Ablöseschicht als ein Startpunkt an der Waferablöseeinheit 56 durchgeführt.
Nachdem der Waferablöseschritt durchgeführt wurde, wird ein dritter Trägerschritt zum Tragen des Wafers (nicht dargestellt), der von dem Ingot 18 abgelöst wurde, von der Waferablöseeinheit 56 in die Kassette 62 in dem Kassettenlager 64 und Tragen des Ingots 18, von dem der Wafer abgelöst wurde, von der Waferablöseeinheit 56 zu der Ingotschleifeinheit 52 durchgeführt.
In dem dritten Trägerschritt wird zuerst der Gelenkausleger 104 des dritten Übertragungsmittels 102 angetrieben und der Wafer, der von dem Ingot 18 abgelöst wurde, wird unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten. Als nächstes wird der Wafer, der unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten wird, von der Waferablöseeinheit 56 in den Waferaufnahmeabschnitt 8a der Trägerablage 2 aufgenommen.
Darauffolgend wird der Gelenkausleger 104 des dritten Übertragungsmittels 102 angetrieben, der Ingot 18 an dem Haltetisch 80 unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten und die Saugkraft des Haltetischs 80 wird freigegeben. Als nächstes wird der Ingot 18, der unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten ist, von dem Haltetisch 80 in die erste Ingotaufnahmevertiefung 6a der Trägerablage 2 übertragen.
Darauffolgend wird die Trägerablage 2, die den Ingot 18 und den Wafer trägt, von dem Vorwärtsbandförderer 86 auf den Rückwärtsbandförderer 88 durch das erste Trägermittel 90 getragen. Als nächstes wird die Trägerablage 2 in der Y2-Richtung durch den Rückwärtsbandförderer 88 getragen und die Trägerablage 2 wird zu dem zweiten Trägermittel 92 übertragen. Darauffolgend wird die Trägerablage 2 zu dem Vorwärtsbandförderer 86 durch das zweite Trägermittel 92 getragen.
Das zweite Trägermittel 92 wird einmal angehalten, bevor die Trägerablage 2 von dem zweiten Trägermittel 92 auf den Vorwärtsbandförderer 86 übertragen wird. Als nächstes wird der Gelenkausleger 112 des Aufnahmemittels 66 angetrieben und der Wafer, der durch die Trägerablage 2 an dem zweiten Trägermittel 92 getragen ist, wird unter einem Saugen durch das Saugstück 114 gehalten. Dann wird der Wafer, der unter einem Saugen durch das Saugstück 114 gehalten ist, von der Trägerablage 2 entnommen und der Wafer wird in der Kassette 62 des Kassettenlagers 64 aufgenommen.
Darauffolgend wird das zweite Trägermittel 92 betätigt, die Trägerablage 2 von dem zweiten Trägermittel 92 auf dem Vorwärtsbandförderer 86 zu bewegen, worauf die Trägerablage 2 in der Y1-Richtung durch den Vorwärtsbandförderer 86 zu der Position gebracht wird, in der sie der Ingotschleifeinheit 52 zugewandt ist. In diesem Fall wird der erste Trägerablagenstopper 94 angehoben und die Trägerablage 2 wird an der Position angehalten, in der sie der Ingotschleifeinheit 52 zugewandt ist. Als nächstes wird der Gelenksausleger 104 des ersten Übertragungsmittels 98 angetrieben und der Ingot 18 an der Trägerablage 2 wird unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten. Darauffolgend wird der Ingot 18, der unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten ist, von der Trägerablage 2 auf den Haltetisch 86 der Ingotschleifeinheit 52 übertragen.
Nachdem der dritte Trägerschritt durchgeführt wurde, wird ein Ingotschleifschritt zum Halten des Ingots 18 unter einem Saugen, von dem der Wafer abgelöst wurde, durch den Haltetisch 68 und Schleifen der oberen Oberfläche (Ablöseoberfläche) des Ingots 18 unter einem Saugen durch den Haltetisch 68, um die obere Oberfläche flach auszugestalten, an der Ingotschleifeinheit 52 durchgeführt.
Nachdem der Ingotschleifschritt durchgeführt wurde, wird ein vierter Trägerschritt zum Tragen des Ingots 18, der die obere Oberfläche durch die Ingotschleifeinheit 52 flach ausgestaltet aufweist, zu der Laseraufbringungseinheit 54 durchgeführt.
In dem vierten Trägerschritt wird zuerst der Gelenkausleger 104 des ersten Übertragungsmittels 98 angetrieben, der Ingot 18 an dem Haltetisch 68 wird unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten und die Saugkraft des Haltetischs 68 wird freigegeben. Als nächstes wird der Ingot 18, der unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten ist, von dem Haltetisch 68 in die erste Ingotaufnahmevertiefung 6a der Trägerablage 2 übertragen.
Darauffolgend wird die Trägerablage 2 in der Y1-Richtung durch den Vorwärtsbandförderer 86 zu der Position getragen, in der sie der Laseraufbringungseinheit 54 zugewandt ist. Als nächstes wird der Gelenkausleger 104 des zweiten Übertragungsmittels 100 angetrieben und der Ingot 18 an der Trägerablage 2 wird unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten. Darauffolgend wird der Ingot 18, der unter einem Saugen durch das Saugstück 106 gehalten ist, von der Trägerablage 2 auf den Haltetisch 74 der Laseraufbringungseinheit 54 übertragen.
Nachdem der vierte Trägerschritt durchgeführt wurde, wird der oben beschriebene Ausbildungsschritt für eine Ablöseschicht an der Laseraufbringungseinheit 54 durchgeführt. Dann werden der Ausbildungsschritt für eine Ablöseschicht, der Waferablöseschritt, der Ingotschleifschritt und der zweite bis vierte Trägerschritt wiederholt, um eine Anzahl Wafer auszubilden, die aus dem Ingot 18 ausgebildet werden kann, und die Wafer werden in der Kassette 62 in dem Kassettenlager 64 aufgenommen.
In der vorliegenden Ausführungsform wurde jeder Schritt, der durch die Waferausbildungsvorrichtung 50 durchgeführt wurde, unter Bezugnahme auf einen einzelnen Ingot beschrieben. Jedoch, nachdem der erste Trägerschritt zum Tragen des Ingots 18 von dem Trägerablagenlager 60 zu der Laseraufbringungseinheit 54 durchgeführt wurde, kann der erste Trägerschritt wiederholt werden und der Ausbildungsschritt für eine Ablöseschicht, der Waferablöseschritt, der Ingotschleifschritt und der zweite bis vierte Trägerschritt können parallel für mehrere (zum Beispiel vier) Ingots 18 wiederholt werden, sodass eine Anzahl Wafer, die aus den mehreren Ingots 18 ausgebildet wird, erhalten werden kann.
Wie oben beschrieben, werden bei der Trägerablage 2 in der vorliegenden Ausführungsform, die in der oben beschriebenen Waferausbildungsvorrichtung 50 verwendet wird, die Anwendungspunkte 24 durch das Gewicht des Ingots selbst betätigt (nach unten bewegt) und die Wirkungspunkte 26 tragen die Seitenoberfläche des Ingots, weswegen der Ingot stabil gehalten werden kann und daran gehindert werden kann, herunterzufallen, während der Ingot getragen wird.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angehängten Patentansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2000094221 [0003]
JP 2019106458 [0004, 0005]

Claims

Trägerablage zur Verwendung in einer Waferausbildungsvorrichtung zum Ausbilden eines Wafers aus einem Halbleiteringot, wobei die Trägerablage aufweist: ein Gehäuse, das eine obere Wand, eine untere Wand, ein Paar Seitenwände, welche die obere Wand und die untere Wand miteinander verbinden, und einen Tunnel beinhaltet, der durch die obere Wand, die untere Wand und das Paar Seitenwände ausgebildet wird; eine Ingotaufnahmevertiefung, die in der oberen Wand des Gehäuses ausgebildet ist und den Halbleiteringot aufnimmt; eine Waferaufnahmevertiefung, die in der unteren Wand des Gehäuses ausgebildet ist und einen Wafer aufnimmt; und mehrere Hebel, die jeweils einen Anwendungspunkt, der von einer unteren Oberfläche der Ingotaufnahmevertiefung hervorsteht, einen Wirkungspunkt, der von einer Seitenoberfläche der Ingotaufnahmevertiefung hervorsteht, und einen Drehpunkt aufweisen, der zwischen dem Anwendungspunkt und dem Wirkungspunkt ausgebildet ist, wobei jeder Hebel an dem Gehäuse angebracht ist, sodass dieser um den Drehpunkt gedreht werden kann, wobei, wenn der Halbleiteringot in der Ingotaufnahmevertiefung aufgenommen ist, die Anwendungspunkte der Hebel durch das Gewicht des Halbleiteringots selbst betätigt werden und eine Seitenoberfläche des Halbleiteringots durch die Wirkungspunkte der Hebel getragen ist.
Trägerablage nach Anspruch 1, wobei die Ingotaufnahmevertiefung mehrere Aufnahmevertiefungen beinhaltet, die konzentrisch ausgebildet sind und mehreren Größen von Halbleiteringots entsprechen.