DE102021125416A1

DE102021125416A1 - Optoelektronisches bauteil, optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung von optoelektronischen bauteilen oder optoelektronischen vorrichtungen

Info

Publication number: DE102021125416A1
Application number: DE102021125416.7A
Authority: DE
Inventors: Siegfried Herrmann
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2021-09-30
Filing date: 2021-09-30
Publication date: 2023-03-30
Also published as: WO2023052219A1; DE112022003263A5

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben umfassend- einen optoelektronischen Halbleiterchip (2),- ein Steuerelement (6), das zum Steuern eines elektrischen Stroms und/oder einer elektrischen Spannung des optoelektronischen Halbleiterchips (2) vorgesehen ist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) und das Steuerelement (6) übereinander angeordnet und mechanisch und elektrisch leitend miteinander verbunden sind, und- eine erste Anschlusselektrode (10) und eine zweite Anschlusselektrode (11), die zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauteils (1) von außen vorgesehen sind, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) und das Steuerelement (6) jeweils mit einer der ersten und zweiten Anschlusselektroden (10, 11) elektrisch leitend verbunden sind.Ferner werden eine optoelektronische Vorrichtung (18) und ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Bauteils (1) oder zumindest einer optoelektronischen Vorrichtung (18) angegeben.

Description

Es werden ein optoelektronisches Bauteil, eine optoelektronische Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Bauteils oder zumindest einer optoelektronischen Vorrichtung angegeben. Beispielsweise sind das optoelektronische Bauteil und die optoelektronische Vorrichtung dafür geeignet, elektromagnetische Strahlung, etwa im sichtbaren bis infraroten Spektralbereich, zu emittieren.
Es sind beispielsweise Aktiv-Matrix-Displays bekannt, die eine Matrix von Dünnschichttransistoren enthalten, mit denen Bildpunkte des Displays angesteuert werden. Jedem einzelnen Bildpunkt kann dabei eine Schaltung mit aktiven Komponenten, etwa Transistoren, und Stromversorgungsanschlüssen zugeordnet sein. Bisherige Aktiv-Matrix-Displays werden zum Beispiel dadurch realisiert, dass ein Anschlussträger, beispielsweise ein Silizium-Anschlussträger, mit integrierten aktiven Komponenten und Stromversorgungsanschlüssen bereitgestellt wird und auf diesem eine Mehrzahl von Leuchtdioden angeordnet werden, die eine Mehrzahl von Bildpunkten beziehungsweise Pixeln darstellen. Hierbei soll aus Kostengründen eine möglichst hohe Integrationsdichte der aktiven Komponenten im Anschlussträger erreicht werden, so dass wenig Spielraum bei der Wahl der Pixelabstände besteht, die etwa im Submikrometerbereich liegen. Es ist jedoch wünschenswert, die Pixelabstände anwendungsbezogen mehr variieren zu können, so dass skalierbare optoelektronische Vorrichtungen realisiert werden können.
Eine zu lösende Aufgabe besteht vorliegend unter anderem darin, ein kompaktes optoelektronisches Bauteil anzugeben, das eine bessere Skalierbarkeit ermöglicht. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht vorliegend unter anderem darin, eine optoelektronische Vorrichtung mit besserer Skalierbarkeit anzugeben. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht unter anderem darin, ein effizientes Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Bauteils oder einer derartigen optoelektronischen Vorrichtung anzugeben.
Diese Aufgaben werden unter anderem durch ein optoelektronisches Bauteil, eine optoelektronische Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Bauteils oder zumindest einer optoelektronischen Vorrichtung mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst.
Weitere Vorteile und Ausgestaltungen eines optoelektronischen Bauteils, einer optoelektronischen Vorrichtung und eines Verfahrens zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Bauteils oder zumindest einer optoelektronischen Vorrichtung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines optoelektronischen Bauteils umfasst dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich um einen strahlungsemittierenden oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip handeln.
Der optoelektronische Halbleiterchip kann eine erste Hauptfläche und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche sowie zumindest eine Seitenfläche aufweisen, welche die erste Hauptfläche mit der zweiten Hauptfläche verbindet. Beispielsweise handelt es sich bei der ersten Hauptfläche um eine Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip einen Halbleiterkörper sowie ein erstes und zweites Anschlusselement zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers. Dabei können das erste Anschlusselement an der ersten Hauptfläche und das zweite Anschlusselement an der zweiten Hauptfläche angeordnet sein.
Der Halbleiterkörper kann einen ersten und zweiten Halbleiterbereich unterschiedlicher Leitfähigkeit und eine zwischen dem ersten und zweiten Halbleiterbereich angeordnete aktive Zone aufweisen, die zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang vorgesehen ist. Der erste und zweite Halbleiterbereich sowie die aktive Zone können jeweils aus einer oder mehreren Halbleiterschichten gebildet sein. Bei den Halbleiterschichten kann es sich um epitaktisch auf einem Aufwachssubstrat abgeschiedene Schichten handeln. Das Aufwachssubstrat kann nach dem Aufwachsen der Halbleiterschichten im Halbleiterkörper verbleiben oder zumindest teilweise abgelöst werden. Der erste Halbleiterbereich kann an der ersten Hauptfläche und der zweite Halbleiterbereich an der zweiten Hauptfläche des Halbleiterkörpers angeordnet sein.
Für die Halbleiterbereiche beziehungsweise Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers kommen beispielsweise auf Arsenid-, Phosphid- oder Nitrid-Verbindungshalbleitern basierende Materialien in Betracht. „Auf Arsenid-, Phosphid- oder Nitrid-Verbindungshalbleitern basierend“ bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichten Al_nGa_mIn_1-n-mAs, Al_nGa_mIn_1-n-mP oder Al_nGa_mIn_1- _n-mN enthalten, wobei 0 < n < 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n+m < 1 gilt. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des Al_nGa_mIn_1-n-mAs-, Al_nGa_mIn_1-n- _mP- oder Al_nGa_mIn_1-n-mN-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, As bzw. P bzw. N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
Weiterhin kann das optoelektronische Bauteil ein Steuerelement umfassen, das zum Steuern eines elektrischen Stroms und/oder einer elektrischen Spannung des optoelektronischen Halbleiterchips vorgesehen ist. Ferner können der optoelektronische Halbleiterchip und das Steuerelement mechanisch und elektrisch leitend miteinander verbunden sein. Beispielsweise handelt es sich bei dem Steuerelement um ein Halbleiterbauteil. Damit kommen für das Steuerelement die gleichen Herstellungs- und Anschlussmethoden in Frage wie für den optoelektronischen Halbleiterchip.
Beispielsweise kann der optoelektronische Halbleiterchip mittels des Steuerelements eingeschaltet werden, so dass dieser Strahlung emittiert beziehungsweise detektiert. Außerdem kann der optoelektronische Halbleiterchip mittels des Steuerelements ausgeschaltet werden, so dass dieser keine Strahlung emittiert beziehungsweise detektiert. Mit dem integrierten Steuerelement ist das optoelektronische Bauteil kompakt ausgebildet und beispielsweise für die Verwendung als Bildpunkt in einem Aktiv-Matrix-Display mit dynamischer Ansteuerung geeignet.
Der optoelektronische Halbleiterchip und das Steuerelement können übereinander angeordnet sein. Dabei bedeutet „übereinander“ beispielsweise, dass der optoelektronische Halbleiterchip und das Steuerelement in einer vertikalen Richtung, die quer, insbesondere senkrecht, zu einer Haupterstreckungsebene eines Trägers verläuft, auf dem diese angeordnet werden können, aufeinander folgen.
Ferner kann das optoelektronische Bauteil eine erste Anschlusselektrode und eine zweite Anschlusselektrode aufweisen, die zur elektrischen Kontaktierung des Bauteils von außen vorgesehen sind, wobei der optoelektronische Halbleiterchip und das Steuerelement jeweils durch eine der ersten und zweiten Anschlusselektroden elektrisch kontaktiert werden. Es werden also zur elektrischen Versorgung der einzelnen Komponenten nicht jeweils eigene Elektroden gebraucht. Vielmehr können die einzelnen Komponenten durch gemeinsame Anschlusselektroden elektrisch versorgt werden. Beispielsweise kann die erste Anschlusselektrode durch ein erstes Anschlusselement des zumindest einen Steuerelements oder des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips gebildet werden. Weiterhin kann die zweite Anschlusselektrode durch ein zweites Anschlusselement des zumindest einen Steuerelements oder des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips gebildet werden. Für die Anschlusselemente kommen elektrisch leitfähige Materialien, insbesondere Metalle wie Au und Cu, in Frage.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil

- einen optoelektronischen Halbleiterchip,
- ein Steuerelement, das zum Steuern eines elektrischen Stroms und/oder einer elektrischen Spannung des optoelektronischen Halbleiterchips vorgesehen ist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip und das Steuerelement übereinander angeordnet und mechanisch und elektrisch leitend miteinander verbunden sind, und
- eine erste Anschlusselektrode und eine zweite Anschlusselektrode, die zur elektrischen Kontaktierung des Bauteils von außen vorgesehen sind, wobei der optoelektronische Halbleiterchip und das Steuerelement jeweils durch eine der ersten und zweiten Anschlusselektroden elektrisch kontaktiert werden.

Gemäß zumindest einer vorteilhaften Ausgestaltung weist das optoelektronische Bauteil laterale Abmessungen auf, die Werte im einstelligen oder zweistelligen Mikrometerbereich annehmen. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauteil laterale Abmessungen von 10 µm aufweisen, wobei Abweichungen von ± 10% möglich sind. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich um eine MikroLED handeln. Das Steuerelement kann ebenfalls laterale Abmessungen aufweisen, die Werte im einstelligen oder zweistelligen Mikrometerbereich annehmen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ragt das Steuerelement lateral nicht über den optoelektronischen Halbleiterchip hinaus. Dabei bezeichnet „lateral“ beispielsweise zumindest eine laterale Richtung, wobei diese parallel zu der Haupterstreckungsrichtung eines möglichen Trägers und senkrecht zur vertikalen Richtung verläuft. Die lateralen Abmessungen werden parallel zu den lateralen Richtungen bestimmt.
Das Steuerelement kann lateral versetzt zu dem optoelektronischen Halbleiterchip angeordnet sein. Dabei bedeutet „lateral versetzt“ beispielsweise, dass ein lateraler Abstand zwischen einer Hauptachse des optoelektronischen Halbleiterchips und einer Hauptachse des Steuerelements besteht. Beispielsweise kann das Steuerelement der ersten Hauptfläche beziehungsweise der Strahlungsaustrittsfläche beziehungsweise Strahlungseintrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips in einer Hauptstrahlrichtung nachgeordnet sein. Dabei kann das Steuerelement lateral versetzt zum optoelektronischen Halbleiterchip angeordnet sein, so dass die erste Hauptfläche höchstens teilweise durch das Steuerelement bedeckt und damit Strahlungsverluste reduziert werden. Alternativ können das Steuerelement und der optoelektronische Halbleiterchip ohne lateralen Versatz zueinander angeordnet sein. Dies kann beispielsweise der Fall sein, wenn sich das Steuerelement auf einer der Strahlungsaustrittsfläche beziehungsweise Strahlungseintrittsfläche abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips befindet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die erste Anschlusselektrode und die zweite Anschlusselektrode zumindest bereichsweise auf einander gegenüberliegenden Seiten des Bauteils angeordnet. Dieser Aufbau entspricht beispielsweise dem Aufbau einer Vertikaldiode.
Alternativ können die erste Anschlusselektrode und die zweite Anschlusselektrode auf derselben Seite des Bauteils angeordnet sein. Dieser Aufbau entspricht beispielsweise dem Aufbau einer Horizontaldiode.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Steuerelement eine Widerstandsschicht mit variablem elektrischem Widerstand auf, wobei die Widerstandsschicht ein Oxid enthält. Beispielsweise kommen für die Widerstandsschicht ZnO und/oder NiO in Frage. Vorzugsweise ist die Widerstandsschicht aus einem nicht leitenden Oxid gebildet, das Störstellen aufweist, deren elektrischer Widerstand durch eine Veränderung einer elektrischen Spannung zwischen zwei Extremwerten variiert werden kann. Ein derartiges Steuerelement folgt dem Prinzip eines sogenannten ReRAM (Resistive Random Access Memory) wie es beispielsweise in dem Artikel „Array-level stability enhancement of 50 nm Al_xO_y ReRam“, Iwasaki et al., Solid State Electronics 114 (2015)1-8, beschrieben ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Steuerelement einen Transistor auf. Für den Transistor kommen MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)-Transistortypen wie n-Kanal-MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) oder dreidimensionale Transistoren wie FinFETs (Fin Field Effect Transistors) in Frage. Bei dieser und auch anderen Ausführungsformen kann das optoelektronische Bauteil eine dritte Anschlusselektrode aufweisen, die zur elektrischen Kontaktierung des Bauteils von außen vorgesehen ist. Dabei ist jeweils eine der drei Anschlusselektroden für einen Source-Kontakt, einen Gate-Kontakt und einen Drain-Kontakt vorgesehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der optoelektronische Halbleiterchip und das Steuerelement mittels eines elektrisch leitenden Verbindungsmittels elektrisch leitend miteinander verbunden, wobei das Verbindungsmittel zumindest eines der folgenden Materialien enthält: Metall, Metallverbindung, Kunststoffmaterial, TCO (Transparent Conductive Oxide).
Gemäß zumindest einer Ausführungsform einer optoelektronischen Vorrichtung umfasst diese zumindest ein optoelektronisches Bauteil der oben genannten Art und einen Träger, auf dem das zumindest eine optoelektronische Bauteil angeordnet ist. Der Träger kann einen Grundkörper aufweisen, der beispielsweise ein Halbleitermaterial, etwa Silizium, enthält oder daraus besteht.
Weiterhin kann die optoelektronischen Vorrichtung eine erste elektrische Kontaktstruktur aufweisen, mit welcher die erste Anschlusselektrode des zumindest einen optoelektronischen Bauteils elektrisch leitend verbunden ist. Darüber hinaus kann die optoelektronischen Vorrichtung eine zweite elektrische Kontaktstruktur aufweisen, mit welcher die zweite Anschlusselektrode des zumindest einen optoelektronischen Bauteils elektrisch leitend verbunden ist. Sollte das optoelektronische Bauteil eine dritte Anschlusselektrode aufweisen, so kann die optoelektronischen Vorrichtung entsprechend eine dritte elektrische Kontaktstruktur aufweisen, mit welcher die dritte Anschlusselektrode elektrisch leitend verbunden ist. Die elektrischen Kontaktstrukturen können auf dem Grundkörper angeordnet sein.
Zumindest eine der elektrischen Kontaktstrukturen kann ein Teil des Trägers sein. Für die Kontaktstrukturen kommen elektrisch leitfähige Materialien, insbesondere Metalle wie Au und Cu in Frage.
Beispielsweise handelt es sich bei einer dem Träger abgewandten Seite der optoelektronischen Vorrichtung um eine Strahlungsaustrittsseite der optoelektronischen Vorrichtung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Vorrichtung ist das Steuerelement auf der dem Träger abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips des zumindest einen optoelektronische Bauteils angeordnet.
Alternativ kann das Steuerelement zwischen dem Träger und dem optoelektronischen Halbleiterchip des zumindest einen optoelektronische Bauteils angeordnet sein.
Die optoelektronischen Bauteile sind mittels der integrierten Steuerelemente jeweils einzeln ansteuerbar. Ferner sind die lateralen Abstände zwischen den optoelektronischen Bauteilen frei wählbar, so dass die optoelektronische Vorrichtung skalierbar ist und beispielsweise hohe Pixeldichten erreicht werden können.
Das nachfolgend beschriebene Verfahren ist für die Herstellung zumindest eines optoelektronischen Bauteils der oben genannten Art oder zumindest einer optoelektronischen Vorrichtung der oben genannten Art geeignet. Im Zusammenhang mit dem Bauteil oder der Vorrichtung beschriebene Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Bauteils oder zumindest einer optoelektronischen Vorrichtung umfasst dieses das Bereitstellen zumindest eines Steuerelements. Weiterhin kann das Verfahren das Bereitstellen zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips aufweisen. Dabei kann der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip auf einem ablösbaren Zwischenträger angeordnet sein. Ferner kann das Verfahren das Anordnen des zumindest einen Steuerelements auf dem zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip und das mechanische und elektrische Verbinden des zumindest einen Steuerelements mit dem zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip umfassen. Darüber hinaus kann das Verfahren das Definieren, das heißt das Bestimmen oder Ausbilden, zumindest einer ersten Anschlusselektrode und zumindest einer zweiten Anschlusselektrode umfassen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Bauteils oder zumindest einer optoelektronischen Vorrichtung umfasst dieses folgende Schritte:

- Bereitstellen zumindest eines Steuerelements,
- Bereitstellen zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips,
- Anordnen des zumindest einen Steuerelements auf dem zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip und mechanisches und elektrisch leitendes Verbinden des zumindest einen Steuerelements mit dem zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip,
- Definieren zumindest einer ersten Anschlusselektrode und zumindest einer zweiten Anschlusselektrode.

Beispielsweise werden die Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird zur Herstellung der zumindest einen optoelektronischen Vorrichtung zumindest eine der beiden elektrischen Kontaktstrukturen nach dem Anordnen des zumindest einen optoelektronischen Bauteils auf dem Träger hergestellt.
Das optoelektronische Bauteil/die optoelektronische Vorrichtung eignet sich besonders für Aktiv-Matrix-Displays, MikroLED-Displays, Sende-Empfangsmodule und Frontscheinwerfer in Applikationen wie etwa Videobrillen, Virtual Reality Projektoren und der Datenübertragung. Das optoelektronische Bauteil/die optoelektronische Vorrichtung zeichnet sich durch eine hohe Pixeldichte, einen geringen Energieverbrauch und eine vergleichsweise einfache elektrische Schaltung aus.
Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Es zeigen:

1 und 3 bis 6 schematische Querschnittsansichten von optoelektronischen Bauteilen gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen,
2A schematische Querschnittsansichten und 2B bis 2I schematische perspektivische Ansichten von Steuerelementen gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen,
7A eine schematische Querschnittsansicht und 7B eine schematische Draufsicht einer optoelektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel,
8 eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Vorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
9A bis 9D verschiedene Schritte eines Verfahrens zur Herstellung von optoelektronischen Bauteilen oder optoelektronischen Vorrichtungen gemäß einem Ausführungsbeispiel.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht notwendigerweise als maßstabsgerecht anzusehen; vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
In 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils 1 dargestellt. Das optoelektronische Bauteil 1 umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip 2 mit einer ersten Hauptfläche 2A und einer der ersten Hauptfläche 2A gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche 2B sowie mehreren Seitenflächen 2C, welche die erste Hauptfläche 2A mit der zweiten Hauptfläche 2B verbinden.
Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip 2 kann es sich um einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2 handeln, der einen Halbleiterkörper 3 mit einer zur Strahlungsemission vorgesehenen aktiven Zone aufweist. Dabei kommen für den Halbleiterkörper 3 beziehungsweise die darin enthaltenen Halbleiterschichten, wie bereits oben erwähnt, auf Arsenid-, Phosphid- oder Nitrid-Verbindungshalbleitern basierende Materialien in Frage. Der optoelektronische Halbleiterchip 2 kann zur elektrischen Kontaktierung ein erstes Anschlusselement (nicht dargestellt), das an der ersten Hauptfläche 2A angeordnet ist, umfassen sowie ein zweites Anschlusselement 5, das an der zweiten Hauptfläche 2B angeordnet ist.
Das optoelektronische Bauteil 1 umfasst ferner ein Steuerelement 6, das zum Steuern eines elektrischen Stroms und/oder einer elektrischen Spannung des optoelektronischen Halbleiterchips 2 vorgesehen ist. Das Steuerelement 6 kann eine erste Hauptfläche 6A und ein erstes Anschlusselement 7 aufweisen, das an der ersten Hauptfläche 6A angeordnet ist. Ferner kann das Steuerelement 6 eine zweite Hauptfläche 6B und ein zweites Anschlusselement 8 aufweisen, das an der zweiten Hauptfläche 6B angeordnet ist. Darüber hinaus weist das Steuerelement 6 mehrere Seitenflächen 6C auf, welche die erste Hauptfläche 6A mit der zweiten Hauptfläche 6B verbinden.
Der optoelektronische Halbleiterchip 2 und das Steuerelement 6 sind mechanisch mittels eines Verbindungsmittels (nicht dargestellt), beispielsweise mittels eines Lots oder eines Klebers, miteinander verbunden. Weiterhin sind der optoelektronische Halbleiterchip 2 und das Steuerelement 6 elektrisch leitend miteinander verbunden. Dabei können der optoelektronische Halbleiterchip 2 und das Steuerelement 6 beispielsweise eine Serienschaltung bilden.
Der optoelektronische Halbleiterchip 2 und das Steuerelement 6 sind übereinander angeordnet, wobei das Steuerelement 6 in einer vertikalen Richtung V auf den optoelektronischen Halbleiterchip 2 folgt und der ersten Hauptfläche 2A des optoelektronischen Halbleiterchips 2 in der vertikalen Richtung V nachgeordnet ist. Dabei kann eine Hauptstrahlrichtung des optoelektronischen Halbleiterchips 2 parallel zur vertikalen Richtung V verlaufen.
Weiterhin ist das Steuerelement 6 lateral versetzt zu dem optoelektronischen Halbleiterchip 2 angeordnet. Das bedeutet, dass ein lateraler Abstand c zwischen einer Hauptachse H1 des optoelektronischen Halbleiterchips 2 und einer Hauptachse H2 des Steuerelements 6, die jeweils parallel zur vertikalen Richtung V verlaufen, besteht. „Lateral“ bedeutet hierbei parallel zu einer lateralen Richtung L1, die quer, insbesondere senkrecht, zur vertikalen Richtung V verläuft. Dabei wird die erste Hauptfläche 2A, bei der es sich um eine Strahlungsaustrittsfläche handeln kann, nur teilweise durch das Steuerelement 6 bedeckt, so dass Strahlungsverluste reduziert werden können.
Das optoelektronische Bauteil 1 umfasst eine erste Anschlusselektrode 10 und eine zweite Anschlusselektrode 11, die zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauteils 1 von außen vorgesehen sind. Dabei wird das Steuerelement 6 durch die erste Anschlusselektrode 10 elektrisch kontaktiert, während der Halbleiterchip 2 durch die zweite Anschlusselektrode 11 elektrisch kontaktiert wird. Bei der ersten Anschlusselektrode 10 handelt es sich hierbei um das erste Anschlusselement 7 des Steuerelements 6, während es sich bei der zweiten Anschlusselektrode 11 um das zweite Anschlusselement 5 des Halbleiterchips 2 handelt. Die erste Anschlusselektrode 10 kann einen n-seitigen Kontakt und die zweite Anschlusselektrode 11 kann einen p-seitigen Kontakt des Bauteils 1 bilden. Die erste Anschlusselektrode 10 und die zweite Anschlusselektrode 11 sind auf einander gegenüberliegenden Seiten des Bauteils 1, nämlich einer Vorderseite 1A und einer Rückseite 1B, angeordnet.
Das optoelektronische Bauteil 1 kann eine Passivierung 12 aufweisen, welche die Seitenflächen 2C des Halbleiterchips 2 bedeckt und für eine elektrische Isolierung an den Seitenflächen 2C sorgt. Die Passivierung 12 kann ein dielektrisches Material, etwa SiO2, enthalten.
Weiterhin weist das optoelektronische Bauteil 1 ein Verkapselungselement 13 auf, welches dem optoelektronischen Halbleiterchip 2 lateral nachgeordnet ist und mit der ersten und zweiten Hauptfläche 2A, 2B des Halbleiterchips 2 bündig abschließt. Ferner schließt das Verkapselungselement 13 mit einer Seitenfläche 6C des Steuerelements 6 bündig ab. Für das Verkapselungselement 13 kommen dielektrische, strahlungsdurchlässige Materialien, etwa Spin-On-Glass, in Frage.
Ferner kann das optoelektronische Bauteil 1 ein Kontaktelement 14 aufweisen, das dem Halbleiterchip 2 vertikal und dem Steuerelement 6 lateral nachgeordnet ist, wobei das Kontaktelement 14 lateral mit dem Verkapselungselement 13 und vertikal mit der ersten Hauptfläche 6A des Steuerelements 6 bündig abschließt.
Damit weist das optoelektronische Bauteil 1 mit Vorteil ebene Seitenflächen 1C sowie ebene Oberflächen an der Vorder- und Rückseite 1A, 1B auf.
Für das Kontaktelement 14 kommen beispielsweise transparente elektrisch leitende Materialien wie etwa TCOs (Transparent Conductive Oxides) in Frage. Das Kontaktelement 14 ist mit der ersten Anschlusselektrode 10 elektrisch leitend verbunden und verbessert den elektrischen Kontakt zum Halbleiterchip 2. Zwischen dem Steuerelement 6 und dem Kontaktelement 14 ist mit Vorteil eine elektrische Isolierschicht 15 angeordnet.
Das optoelektronische Bauteil 1 gleicht in seinem Aufbau einer Vertikaldiode. Es weist mit dem integrierten Steuerelement 6 eine kompakte Form mit lateralen Abmessungen auf, die Werte im einstelligen oder zweistelligen Mikrometerbereich annehmen, wobei die lateralen Abmessungen parallel zu der lateralen Richtung L1 und zu einer weiteren lateralen Richtung L2 (nicht dargestellt) bestimmt werden, die senkrecht zur lateralen Richtung L1 und zur vertikalen Richtung V verläuft. Auch der optoelektronische Halbleiterchip 2 kann laterale Abmessungen aufweisen, die Werte im einstelligen oder zweistelligen Mikrometerbereich annehmen. Beispielsweise handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip 2 um eine MikroLED.
Mittels des Steuerelements 6 ist das optoelektronische Bauteil 1 beziehungsweise der optoelektronische Halbleiterchip 2 einzeln ansteuerbar und beispielsweise für die Verwendung als Bildpunkt in einem Aktiv-Matrix-Display mit dynamischer Ansteuerung geeignet.
In Verbindung mit den 2A bis 2I werden verschiedene Ausführungsbeispiele eines Steuerelements 6 beschrieben.
Wie in 2A dargestellt, kann das Steuerelement 6 eine Widerstandsschicht 9 mit variablem elektrischem Widerstand aufweisen. Die Widerstandsschicht 9 enthält beispielsweise ein nicht leitendes Oxid, etwa ZnO und/oder NiO, mit Störstellen 9A, deren elektrischer Widerstand durch eine Veränderung einer elektrischen Spannung zwischen zwei Extremwerten (vgl. 2A links: kleiner elektrischer Widerstand, 2B: großer elektrischer Widerstand) variiert werden kann. Ein derartiges Steuerelement 6 folgt dem Prinzip eines sogenannten ReRAM (Resistive Random Access Memory) wie es beispielsweise in dem Artikel „Array-level stability enhancement of 50 nm Al_xO_y ReRam“, Iwasaki et al., Solid State Electronics 114 (2015)1-8 beschrieben ist. Ein solches Steuerelement 6 ermöglicht beispielsweise eine schnelle Modulation der Helligkeit des Halbleiterchips 2 und ist mit geringen Schaltströmen und Spannungen verbunden, so dass durch die Schaltung geringe Leistungsverluste auftreten. Das Steuerelement 6 ist im Betrieb programmierbar, wobei seine Programmierzeit Bruchteile von Sekunden beträgt und klein ist gegenüber einer Leuchtdauer des Halbleiterchips 2.
Ferner kann das Steuerelement 6 einen Transistor 16 nach Art der in den 2B bis 2I dargestellten Transistoren aufweisen. Dabei kann das optoelektronische Bauteil 1 eine dritte Anschlusselektrode 25 aufweisen (vgl. 2H), die zur elektrischen Kontaktierung des Bauteils 1 von außen vorgesehen ist. Die 2B bis 2G zeigen MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), die mehr als ein Gate aufweisen, wobei 2B einen sogenannten Flexfet, 2C einen sogenannten Pi-Gate-Transistor, 2D einen sogenannten Tri-Gate-Transistor, 2E einen sogenannten FinFET, 2F einen sogenannten Ω-Gate-Transistor und 2G einen sogenannten GAAFET darstellt. 2H zeigt einen sogenannten n-Kanal-MOSFET. 2I zeigt einen FinFET.
3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils 1, bei dem der optoelektronische Halbleiterchip 2 wie beim ersten Ausführungsbeispiel von einem Verkapselungselement 13 seitlich umgeben ist. Das Steuerelement 6 folgt in der vertikalen Richtung V auf die erste Hauptfläche 2A des Halbleiterchips 2 und ist lateral versetzt zum Halbleiterchip 2 angeordnet, wobei das Steuerelement 6 mit einer Seitenfläche 13C des Verkapselungselements 13 bündig abschließt. Zwischen dem Steuerelement 6 und dem Halbleiterchip 2 ist ein Verbindungsmittel 17 angeordnet, das mit einer Seitenfläche 6C des Steuerelements 6 bündig abschließt und für das beispielsweise ein TCO in Frage kommt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das optoelektronische Bauteil 1 an seiner Vorderseite 1A stufenförmig ausgebildet.
Darüber hinaus weist das optoelektronische Bauteil 1 sämtliche in Verbindung mit den weiteren Ausführungsbeispielen genannte Eigenschaften, Merkmale und Vorteile auf.
4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils 1, bei dem der optoelektronische Halbleiterchip 2 von einem Verkapselungselement 13 seitlich umgeben ist. Das Steuerelement 6 ist auf der zweiten Hauptfläche 2B des Halbleiterchips 2 angeordnet. Dabei ist der Halbleiterchip 2 dem Steuerelement 6 in der vertikalen Richtung V nachgeordnet, wobei das optoelektronische Bauteil 1 in seinem Aufbau einer Vertikaldiode gleicht. Das Steuerelement 6 ragt lateral nicht über den optoelektronischen Halbleiterchip 2 hinaus und ist seitlich teilweise von dem Verkapselungselement 13 bedeckt. Auf der ersten Hauptfläche 2A des Halbleiterchips 2 ist ein Kontaktelement 14 angeordnet, das als erste Anschlusselektrode 10 dient, die beispielsweise mit der p-Seite des Halbleiterchips 2 elektrisch leitend verbunden ist. Für das Kontaktelement 14 kommen beispielsweise elektrisch leitende, strahlungsdurchlässige Materialien wie TCOs in Frage. Ein zweites Anschlusselement 8 des Steuerelements 6, das an einer Rückseite 1B des Bauteils 1 angeordnet ist, dient dabei als zweite Anschlusselektrode 11.
Darüber hinaus weist das optoelektronische Bauteil 1 sämtliche in Verbindung mit den weiteren Ausführungsbeispielen genannte Eigenschaften, Merkmale und Vorteile auf.
5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils 1, bei dem die erste Anschlusselektrode 10 und die zweite Anschlusselektrode 11 auf derselben Seite, beispielsweise der Rückseite 1B des Bauteils 1, angeordnet sind. Der Halbleiterchip 2 weist an der zweiten Hauptfläche 2B ein zweites Anschlusselement 5 auf, das als zweite Anschlusselektrode 11 dient. Dabei kann das zweite Anschlusselement 5 einen p-seitigen Anschluss des Halbleiterchips 2 bilden. Ferner weist der Halbleiterchip 2 eine Vertiefung im Halbleiterkörper 3 auf, welche sich ausgehend von der zweiten Hauptfläche 2B durch die aktive Zone 3A des Halbleiterkörpers 3 hindurch erstreckt und vor der ersten Hauptfläche 2A endet. In der Vertiefung ist das erste Anschlusselement 4 des Halbleiterchips 2 angeordnet, welches beispielsweise einen n-seitigen Anschluss des Halbleiterchips 2 bildet. Das Steuerelement 6 ist auf der zweiten Hauptfläche 2B des Halbleiterchips 2, lateral versetzt zu diesem angeordnet, wobei das Steuerelement 6 lateral nicht über den Halbleiterchip 2 und vertikal nicht über das zweite Anschlusselement 5 hinausragt. Das erste Anschlusselement 4 des Halbleiterchips 2 ist mit dem zweiten Anschlusselement 8 des Steuerelements 6 elektrisch leitend verbunden. Das erste Anschlusselement 7 des Steuerelements 6 bildet eine erste Anschlusselektrode 10 des optoelektronischen Bauteils 1. Das optoelektronische Bauteil 1 gleicht in seinem Aufbau einer Horizontaldiode.
Darüber hinaus weist das optoelektronische Bauteil 1 sämtliche in Verbindung mit den weiteren Ausführungsbeispielen genannte Eigenschaften, Merkmale und Vorteile auf.
6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils 1, bei dem die erste Anschlusselektrode 10 und die zweite Anschlusselektrode 11 auf derselben Seite, beispielsweise der Rückseite 1B des Bauteils 1, angeordnet sind. Im Vergleich zu dem vorausgehenden Ausführungsbeispiel ist das Steuerelement 6 ohne lateralen Versatz zum Halbleiterchip 2 angeordnet. Das Steuerelement 6 ist auf der zweiten Hauptfläche 2B des Halbleiterchips 2 mittig angeordnet.
Darüber hinaus weist das optoelektronische Bauteil 1 sämtliche in Verbindung mit den weiteren Ausführungsbeispielen genannte Eigenschaften, Merkmale und Vorteile auf.
7A und 7B zeigen ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Vorrichtung 18, die mehrere optoelektronische Bauteile 1 wie beispielsweise in Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel der 1 beschrieben aufweist.
Ferner umfasst die optoelektronische Vorrichtung 18 einen Träger 19, auf dem die optoelektronischen Bauteile 1 jeweils mit ihrer Rückseite 1B angeordnet sind. Dabei sind die Steuerelemente 6 jeweils auf der dem Träger 19 abgewandten Seite der optoelektronischen Halbleiterchips 2 angeordnet.
Der Träger 19 umfasst einen Grundkörper 20, der beispielsweise ein Halbleitermaterial, etwa Silizium, enthält oder daraus besteht.
Weiterhin umfasst die optoelektronische Vorrichtung 18 eine erste elektrische Kontaktstruktur 21, mit welcher die ersten Anschlusselektroden 10 der optoelektronischen Bauteile 1 jeweils elektrisch leitend verbunden sind. Die erste elektrische Kontaktstruktur 21 erstreckt sich jeweils von der Vorderseite 1A der optoelektronischen Bauteile 1 bis zum Träger 19.
Ferner umfasst die optoelektronische Vorrichtung 18 eine zweite elektrische Kontaktstruktur 22, mit welcher die zweiten Anschlusselektroden 11 der optoelektronischen Bauteile 1 jeweils elektrisch leitend verbunden sind. Die zweite elektrische Kontaktstruktur 22 ist auf dem Grundkörper 20 angeordnet und kann ein Teil des Trägers 19 sein.
Zur elektrischen Isolation zwischen den elektrischen Kontaktstrukturen 21, 22 weist die optoelektronische Vorrichtung 18 eine elektrische Isolierschicht 23 auf, die beispielsweise ein dielektrisches Material wie Al2O3 enthält.
Bei der optoelektronischen Vorrichtung 18 handelt es sich beispielsweise um ein Aktiv-Matrix-Display, insbesondere ein MikroLED-Display. Mittels der elektrischen Kontaktstrukturen 21, 22 und der Steuerelemente 6 ist es möglich, dass die Halbleiterchips 2 auf einfache Weise, insbesondere ohne Transistorsubmount und mit weniger Ansteuerleitungen pro Halbleiterchip 2, angesteuert werden und gleichzeitig und unabhängig voneinander leuchten. Sind die Steuerelemente 6 als ReRAMs ausgebildet, so kann der Widerstand der Bauteile 1 zum selektiven Ansteuern im Betrieb jeweils entsprechend programmiert werden.
Wie aus 7B hervorgeht, können die optoelektronischen Bauteile 1 mit lateralen Abständen a im Mikrometerbereich, vorzugsweise mit Werten größer als 1 µm, angeordnet werden. Ferner können die optoelektronischen Bauteile 1 laterale Abmessungen b von 10 µm aufweisen, wobei Abweichungen von ± 10% möglich sind. Dabei werden die lateralen Abstände a und lateralen Abmessungen b parallel zu den lateralen Richtungen L1, L2 bestimmt, wobei diese jeweils parallel zu einer Haupterstreckungsrichtung beziehungsweise Haupterstreckungsebene des Trägers 19 verlaufen.
Darüber hinaus weist die optoelektronische Vorrichtung 18 sämtliche in Verbindung mit den weiteren Ausführungsbeispielen genannte Eigenschaften, Merkmale und Vorteile auf.
8 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Vorrichtung 18, die mehrere optoelektronische Bauteile 1 wie beispielsweise in Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel der 4 beschrieben aufweist. Dabei sind die Steuerelemente 6 jeweils zwischen dem Träger 19 und den optoelektronischen Halbleiterchips 2 angeordnet.
Darüber hinaus weist die optoelektronische Vorrichtung 18 sämtliche in Verbindung mit den weiteren Ausführungsbeispielen genannte Eigenschaften, Merkmale und Vorteile auf.
9A bis 9D zeigen verschiedene Schritte eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zur Herstellung von wie oben, beispielsweise in Verbindung mit 5, beschriebenen optoelektronischen Bauteilen 1 oder optoelektronischen Vorrichtungen 18.
Dabei umfasst das Verfahren den Schritt des Bereitstellens von Steuerelementen 6 (vgl. 9A).
Weiterhin umfasst das Verfahren den Schritt des Bereitstellens von optoelektronischen Halbleiterchips 2 beispielsweise auf einem ablösbaren Zwischenträger 24 (vgl. 9B).
Ferner umfasst das Verfahren den Schritt des Anordnens der Steuerelemente 6 jeweils auf einem optoelektronischen Halbleiterchip 2. Dabei können die Steuerelemente 6 mittels eines Transferverfahrens auf den Halbleiterchips 2 angeordnet werden. Ferner umfasst das Verfahren den Schritt des mechanischen und elektrischen Verbindens der Steuerelemente 6 mit dem jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchip 2 (vgl. 9C).
Darüber hinaus umfasst das Verfahren das Definieren von ersten Anschlusselektroden 10 und zweiten Anschlusselektroden 11, wobei die ersten Anschlusselektroden 10 durch die ersten Anschlusselemente 7 der Steuerelemente 6 und die zweiten Anschlusselektroden 11 durch die zweiten Anschlusselemente 5 der Halbleiterchips 2 gebildet werden können. Die so hergestellten optoelektronischen Bauteile 1 können einzeln oder gemeinsam auf einem Träger 19 angeordnet werden (vgl. 9D). Dabei sind die lateralen Abstände zwischen den optoelektronischen Bauteilen 1 frei wählbar, so dass mittels der optoelektronischen Bauteile 1 skalierbare optoelektronische Vorrichtungen 18 hergestellt werden können.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste

1: optoelektronisches Bauteil
1A: Vorderseite
1B: Rückseite
1C: Seitenfläche
2: optoelektronischer Halbleiterchip
2A: erste Hauptfläche
2B: zweite Hauptfläche
2C: Seitenfläche
3: Halbleiterkörper
3A: aktive Zone
4: erstes Anschlusselement des Halbleiterchips
5: zweites Anschlusselement des Halbleiterchips
6: Steuerelement
6A: erste Hauptfläche
6B: zweite Hauptfläche
6C: Seitenfläche
7: erstes Anschlusselement des Steuerelements
8: zweites Anschlusselement des Steuerelements
9: Widerstandsschicht
9A: Störstelle
10: erste Anschlusselektrode
11: zweite Anschlusselektrode
12: Passivierung
13: Verkapselungselement
13C: Seitenfläche
14: Kontaktelement
15: elektrische Isolierschicht
16: Transistor
17: Verbindungsmittel
18: optoelektronische Vorrichtung
19: Träger
20: Grundkörper
21: erste elektrische Kontaktstruktur
22: zweite elektrische Kontaktstruktur
23: elektrische Isolierschicht
24: Zwischenträger
25: dritte Anschlusselektrode
a, c: lateraler Abstand
b: laterale Abmessung
L, L1, L2: laterale Richtung
V: vertikale Richtung
H1, H2: Hauptachse

Claims

Optoelektronisches Bauteil (1) umfassend - einen optoelektronischen Halbleiterchip (2), - ein Steuerelement (6), das zum Steuern eines elektrischen Stroms und/oder einer elektrischen Spannung des optoelektronischen Halbleiterchips (2) vorgesehen ist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) und das Steuerelement (6) übereinander angeordnet und mechanisch und elektrisch leitend miteinander verbunden sind, und - eine erste Anschlusselektrode (10) und eine zweite Anschlusselektrode (11), die zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauteils (1) von außen vorgesehen sind, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) und das Steuerelement (6) jeweils durch eine der ersten und zweiten Anschlusselektroden (10, 11) elektrisch kontaktiert werden.
Optoelektronisches Bauteil (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, das laterale Abmessungen (b) aufweist, die Werte im einstelligen oder zweistelligen Mikrometerbereich annehmen.
Optoelektronisches Bauteil (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Steuerelement (6) lateral nicht über den optoelektronischen Halbleiterchip (2) hinausragt.
Optoelektronisches Bauteil (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Steuerelement (6) lateral versetzt zu dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauteil (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Anschlusselektrode (10) und die zweite Anschlusselektrode (11) zumindest bereichsweise auf einander gegenüberliegenden Seiten des Bauteils (1) angeordnet sind.
Optoelektronisches Bauteil (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste Anschlusselektrode (10) und die zweite Anschlusselektrode (11) auf derselben Seite des Bauteils (1) angeordnet sind.
Optoelektronisches Bauteil (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Steuerelement (6) eine Widerstandsschicht (9) mit variablem elektrischem Widerstand aufweist, und die Widerstandsschicht (9) ein Oxid enthält.
Optoelektronisches Bauteil (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Steuerelement (6) einen Transistor (16) aufweist.
Optoelektronisches Bauteil (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, das eine dritte Anschlusselektrode (25) aufweist, die zur elektrischen Kontaktierung des Bauteils (1) von außen vorgesehen ist.
Optoelektronisches Bauteil (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) und das Steuerelement (6) mittels eines elektrisch leitenden Verbindungsmittels (17) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, wobei das Verbindungsmittel (17) zumindest eines der folgenden Materialien enthält: Metall, Metallverbindung, Kunststoffmaterial, TCO.
Optoelektronische Vorrichtung (18) umfassend - zumindest ein optoelektronisches Bauteil (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, - einen Träger (19), auf dem das zumindest eine optoelektronische Bauteil (1) angeordnet ist, - eine erste elektrische Kontaktstruktur (21), mit welcher die erste Anschlusselektrode (10) des zumindest einen optoelektronischen Bauteils (1) elektrisch leitend verbunden ist, und - eine zweite elektrische Kontaktstruktur (22), mit welcher die zweite Anschlusselektrode (11) des zumindest einen optoelektronischen Bauteils (1) elektrisch leitend verbunden ist.
Optoelektronische Vorrichtung (18) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Steuerelement (6) auf einer dem Träger (19) abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips (2) des zumindest einen optoelektronische Bauteils (1) angeordnet ist.
Optoelektronische Vorrichtung (18) gemäß Anspruch 11, wobei das Steuerelement (6) zwischen dem Träger (19) und dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) des zumindest einen optoelektronische Bauteils (1) angeordnet ist.
Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Bauteils (1) oder zumindest einer optoelektronischen Vorrichtung (18) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, umfassend folgende Schritte: - Bereitstellen zumindest eines Steuerelements (6), - Bereitstellen zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips (2), - Anordnen des zumindest einen Steuerelements (6) auf dem zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) und mechanisches und elektrisch leitendes Verbinden des zumindest einen Steuerelements (6) mit dem zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (2), - Definieren zumindest einer ersten Anschlusselektrode (10) und zumindest einer zweiten Anschlusselektrode (11).
Verfahren gemäß dem vorhergehenden Anspruch, wobei zur Herstellung der zumindest einen optoelektronischen Vorrichtung (18) zumindest eine der beiden elektrischen Kontaktstrukturen (21, 22) nach dem Anordnen des zumindest einen optoelektronischen Bauteils (1) auf dem Träger (19) hergestellt wird.