DE102021108532A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements Download PDF

Info

Publication number
DE102021108532A1
DE102021108532A1 DE102021108532.2A DE102021108532A DE102021108532A1 DE 102021108532 A1 DE102021108532 A1 DE 102021108532A1 DE 102021108532 A DE102021108532 A DE 102021108532A DE 102021108532 A1 DE102021108532 A1 DE 102021108532A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrically conductive
semiconductor chip
optoelectronic semiconductor
conductive ball
optoelectronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102021108532.2A
Other languages
English (en)
Inventor
Gunnar Petersen
Thomas Schwarz
Daniel Leisen
Tobias Gebuhr
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102021108532.2A priority Critical patent/DE102021108532A1/de
Priority to PCT/EP2022/059001 priority patent/WO2022214479A1/de
Publication of DE102021108532A1 publication Critical patent/DE102021108532A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • H01L2224/21—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms of an individual HDI interconnect
    • H01L2224/214—Connecting portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect not connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the semiconductor or solid-state body being mounted in a cavity or on a protrusion of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/24247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the HDI interconnect not connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the semiconductor or solid-state body being mounted in a cavity or on a protrusion of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Oberseite und einer Unterseite. An der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ist eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet. Eine erste elektrisch leitende Kugel ist auf der elektrischen Kontaktfläche angeordnet.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
  • Es ist bekannt, optoelektronische Halbleiterchips optoelektronischer Bauelemente mit Bonddrähten zu kontaktieren. Dabei muss der Bonddraht mit einer gewissen minimalen Schleifenhöhe angeordnet werden, um einen Kurzschluss zwischen dem Bonddraht und einer Kante des optoelektronischen Halbleiterchips zu verhindern. Gleichzeitig muss eine Beschädigung des Bonddrahts verhindert werden, was eine ausreichende Größe des optoelektronischen Bauelements erfordert. Dadurch sind der Miniaturisierung derartiger optoelektronischer Bauelemente Grenzen gesetzt.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement und durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
  • Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Oberseite und einer Unterseite. An der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ist eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet. Eine erste elektrisch leitende Kugel ist auf der elektrischen Kontaktfläche angeordnet.
  • Vorteilhafterweise ermöglicht dieses optoelektronische Bauelement eine einfache und zuverlässige elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips über die erste elektrisch leitende Kugel. Dadurch bewirkt die erste elektrisch leitende Kugel einen Abstand zwischen der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips und einer den optoelektronischen Halbleiterchip kontaktierenden Zuleitung. Durch diesen Abstand kann die Gefahr eines Kurzschlusses reduziert werden. Außerdem kann der Abstand eine reduzierte Abschattung des durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts durch die elektrische Zuleitung bewirken. Vorteilhafterweise kann das optoelektronische Bauelement mit sehr kompakten äußeren Abmessungen ausgebildet werden.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip derart auf einer Oberseite eines Trägers angeordnet, dass die Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips der Oberseite des Trägers zugewandt ist. Dabei ist eine zweite elektrisch leitende Kugel neben dem optoelektronischen Halbleiterchip auf der Oberseite des Trägers angeordnet. Die erste elektrisch leitende Kugel und die zweite elektrisch leitende Kugel sind durch eine planare Leiterbahn elektrisch leitend miteinander verbunden. Die planare Leiterbahn ist dabei an einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip abgewandten Seite der ersten elektrisch leitenden Kugel angeordnet. Vorteilhafterweise ist der optoelektronische Halbleiterchip dieses optoelektronischen Bauelements über die erste elektrisch leitende Kugel, die planare Leiterbahn und die zweite elektrisch leitende Kugel elektrisch mit dem Träger verbunden. Damit ist der optoelektronische Halbleiterchip elektrisch kontaktiert. Die elektrische Kontaktierung mittels der planaren Leiterbahn kann sehr kompakte äußere Abmessungen aufweisen und ist vorteilhafterweise einfach und kostengünstig herstellbar. Die zweite elektrisch leitende Kugel kann einen sich durch das optoelektronische Bauelement erstreckenden Durchkontakt bilden.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die zweite elektrisch leitende Kugel einen größeren Durchmesser auf als die erste elektrisch leitende Kugel. Dadurch kann es beispielsweise erreicht werden, dass die planare Leiterbahn im Wesentlichen parallel zu der Oberseite des Trägers orientiert ist.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist auf der zweiten elektrisch leitenden Kugel eine dritte elektrisch leitende Kugel angeordnet. Auch eine Anordnung von mehr als zwei übereinander angeordneten, elektrisch leitenden Kugeln ist möglich. Vorteilhafterweise kann dadurch eine gro-ße Höhe des Kugelstapels bei einer nur geringen lateralen Ausdehnung erreicht werden, also ein großes Aspektverhältnis. Dadurch kann das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise mit besonders kompakten äußeren Abmessungen ausgebildet werden.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind der optoelektronische Halbleiterchip, die erste elektrisch leitende Kugel und die zweite elektrisch leitende Kugel zumindest teilweise in einen Einbettungskörper eingebettet. Dabei ist die planare Leiterbahn an einer von dem Träger abgewandten Oberseite des Einbettungskörpers angeordnet. Damit dient der Einbettungskörper als Träger für die planare Leiterbahn. Gleichzeitig bewirkt der Einbettungskörper eine elektrische Isolierung zwischen der planaren Leiterbahn und den Außenkanten des optoelektronischen Halbleiterchips. Der Einbettungskörper kann auch als tragendes Element des optoelektronischen Bauelements dienen. Zusätzlich kann der Einbettungskörper weitere Funktionen übernehmen, beispielsweise eine Wellenlängenkonversion.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist auf der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ein wellenlängenkonvertierendes Element angeordnet. Dabei ist das wellenlängenkonvertierende Element zumindest teilweise in den Einbettungskörper eingebettet. Das wellenlängenkonvertierende Elemente kann dazu vorgesehen sein, von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Vorteilhafterweise ergibt sich durch die Einbettung des wellenlängenkonvertierenden Elements in den Einbettungskörper ein kompaktes und robustes optoelektronisches Bauelement.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist zumindest ein Abschnitt des Einbettungskörpers ein wellenlängenkonvertierendes Material auf. Das wellenlängenkonvertierende Material kann dazu ausgebildet sein, von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Dadurch, dass zumindest ein Abschnitt des Einbettungskörpers selbst das wellenlängenkonvertierende Material aufweist, kann das optoelektronische Bauelement sehr kompakte äußere Abmessungen aufweisen.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips eine Antibenetzungsschicht angeordnet. Dabei weist die Antibenetzungsschicht im Bereich der elektrischen Kontaktfläche eine Aussparung auf. Die erste elektrisch leitende Kugel ist in der Aussparung angeordnet. Vorteilhafterweise wird durch die Antibenetzungsschicht ein unerwünschter Kurzschluss zwischen der ersten elektrisch leitenden Kugel und anderen Bereichen des optoelektronischen Halbleiterchips als der elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips verhindert.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Antibenetzungsschicht durch eine Passivierungsschicht gebildet. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch eine besonders einfache Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements.
  • Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer Oberseite und einer Unterseite, wobei an der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet ist, und zum Anordnen einer ersten elektrisch leitenden Kugel auf der elektronischen Kontaktfläche.
  • Dieses Verfahren ermöglicht die Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit kompakten äußeren Abmessungen. Die auf der elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnete erste elektrisch leitende Kugel ermöglicht eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips mittels einer von der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips beabstandeten Leitung. Dadurch wird ein Kurzschluss zwischen dieser Leitung und dem optoelektronischen Halbleiterchip verhindert. Außerdem ergibt sich dadurch eine nur geringe Abschattung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierter elektromagnetischer Strahlung durch die Zuleitung.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel ein Montagematerial auf der elektrischen Kontaktfläche angeordnet, insbesondere ein Klebstoff oder eine Sinterpaste. Vorteilhafterweise fixiert das Montagematerial die erste elektrisch leitende Kugel an der elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und stellt eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der elektrischen Kontaktfläche und der ersten elektrisch leitenden Kugel her.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel mit einem Vakuumgreifer. Vorteilhafterweise wird dadurch eine präzise Anordnung der ersten elektrisch leitenden Kugel ermöglicht.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel Schritte zum Anordnen einer Schablone über der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips, wobei die Schablone im Bereich der elektrisch leitenden Kontaktfläche eine Aussparung aufweist, und zum Hineinfallenlassen der ersten elektrisch leitenden Kugel in die Aussparung der Schablone. Vorteilhafterweise kann bei diesem Verfahren auch eine Schablone mit mehreren Aussparungen verwendet werden, wodurch es ermöglicht wird, mehrere elektrisch leitende Kugeln in einem gemeinsamen Arbeitsschritt zu platzieren.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die erste elektrisch leitende Kugel mit einer Lotbeschichtung bereitgestellt. Dabei umfasst das Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel Schritte zum Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel in einer Düse, zum Schmelzen der Lotbeschichtung mittels eines Laserstrahls und zum Ausstoßen der ersten elektrisch leitenden Kugel aus der Düse in Richtung der elektrischen Kontaktfläche. Vorteilhafterweise ermöglicht auch dieses Verfahren eine präzise Platzierung der ersten elektrisch leitenden Kugel auf der elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der optoelektronische Hableiterchip in einem Waferverbund bereitgestellt. Dabei werden nach dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel weitere Schritte durchgeführt zum Zerteilen des Waferverbunds, um den optoelektronischen Halbleiterchip zu vereinzeln, und zum Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips auf einer Oberseite eines Trägers derart, dass die Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips der Oberseite des Trägers zugewandt ist. Vorteilhafterweise können bei diesem Verfahren auf allen optoelektronischen Halbleiterchips des Waferverbunds elektrisch leitende Kugel angeordnet werden, bevor der Waferverbund zerteilt wird. Dadurch wird eine schnelle und kostengünstige Massenproduktion ermöglicht.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel und vor dem Zerteilen des Waferverbunds ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Elements an einer Oberseite des Waferverbunds. Vorteilhafterweise ermöglicht es dieses Verfahren, auf allen optoelektronischen Halbleiterchips des Waferverbunds gleichzeitig ein wellenlängenkonvertierendes Element auszubilden.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der optoelektronische Halbleiterchip als vereinzelter optoelektronischer Halbleiterchip bereitgestellt. Vor dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel wird ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips auf einer Oberseite eines Trägers derart, dass die Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips der Oberseite des Trägers zugewandt ist. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine Verwendung eines bereits vereinzelten optoelektronischen Halbleiterchips.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Elements auf der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips. Das wellenlängenkonvertierende Element kann beispielsweise als Plättchen ausgebildet sein und mittels eines Platzierprozesses angeordnet werden.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen einer zweiten elektrisch leitenden Kugel neben dem optoelektronischen Halbleiterchip auf der Oberseite des Trägers. Nach dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel wird ein weiterer Schritt durchgeführt zum Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Kugel und der zweiten elektrisch leitenden Kugel durch eine planare Leiterbahn. Dabei wird die planare Leiterbahn an einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip abgewandten Seite der ersten elektrisch leitenden Kugel angeordnet. Vorteilhafterweise wird dadurch eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und dem Träger über die erste elektrisch leitende Kugel, die planare Leiterbahn und die zweite elektrisch leitende Kugel hergestellt. Die planare Leiterbahn kann dabei vorteilhafterweise einfach, kostengünstig und mit kompakten Abmessungen ausgebildet werden.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Herstellen der elektrisch leitenden Verbindung ein weiterer Schritt durchgeführt zum Herstellen eines Einbettungskörpers. Dabei werden der optoelektronische Halbeiterchip, die erste elektrisch leitende Kugel und die zweite elektrisch leitende Kugel zumindest teilweise in den Einbettungskörper eingebettet. Die planare Leiterbahn wird an einer von dem Träger abgewandten Oberseite des Einbettungskörpers angeordnet. Damit kann der Einbettungskörper vorteilhafterweise eine tragende Komponente des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements bilden. Der Einbettungskörper dient gleichzeitig einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips, der ersten elektrisch leitenden Kugel und der zweiten elektrisch leitenden Kugel und als Träger für die planare Leiterbahn. Gleichzeitig verhindert der Einbettungskörper auch einen elektrischen Kurzschluss zwischen der planaren Leiterbahn und anderen Teilen des optoelektronischen Halbleiterchips als der elektrischen Kontaktfläche.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematischer Darstellung:
    • 1 ein erstes optoelektronisches Bauelement;
    • 2 eine Aufsicht auf eine erste Variante eines optoelektronischen Halbleiterchips;
    • 3 eine Aufsicht auf eine zweite Variante eines optoelektronischen Halbleiterchips;
    • 4 ein zweites optoelektronisches Bauelement;
    • 5 einen Waferverbund;
    • 6 ein drittes optoelektronisches Bauelement;
    • 7 ein viertes optoelektronisches Bauelement;
    • 8 einen zum Anordnen einer elektrisch leitenden Kugel verwendeten Vakuumgreifer;
    • 9 eine zum Anordnen einer elektrisch leitenden Kugel verwendete Schablone; und
    • 10 eine zum Anordnen einer elektrisch leitenden Kugel verwendete Düse.
  • 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines ersten optoelektronischen Bauelements 10. Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) und ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Das erste optoelektronische Bauelement 10 könnte auch als anderes optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise als Laser-Bauelement oder als lichtdetektierendes optoelektronisches Bauelement.
  • Das erste optoelektronische Bauelement 10 weist einen optoelektronischen Halbleiterchip 100 auf. Im dargestellten Beispiel ist der optoelektronische Halbleiterchip 100 als oberflächenemittierender Leuchtdiodenchip (LED-Chip) ausgebildet.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 100 könnte aber beispielsweise auch ein anderer Leuchtdiodenchip, ein Laserchip oder ein anderer optoelektronischer Halbleiterchip sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren, beispielsweise sichtbares Licht.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 100 weist ein Substrat 130 auf. An einer Oberseite des Substrats 130 ist im Bereich einer Mesa 140 ein pn-Übergang 145 ausgebildet. Im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 100 wird im Bereich des pn-Übergangs 145 elektromagnetische Strahlung emittiert. Im in 1 gezeigten Beispiel umfasst die Mesa 140 nicht die gesamte Oberseite des Substrats 130. Im Bereich neben der Mesa 140 ist der pn-Übergang 145 entfernt worden.
  • Zwischen dem Substrat 130 und dem pn-Übergang 145 ist eine Metallisierung 150 angeordnet, die in 1 nicht detailliert dargestellt ist. Die Metallisierung 150 erstreckt sich auch in Bereiche neben der Mesa 140. Über der Metallisierung 150 und dem pn-Übergang 145 ist eine Antibenetzungsschicht 160 angeordnet. Die Antibenetzungsschicht 160 kann beispielsweise durch eine Passivierungsschicht 170 gebildet sein.
  • Der in 1 beispielhaft dargestellte optoelektronische Halbleiterchip 100 weist eine an einer Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnete elektrische Kontaktfläche 110 auf. Eine weitere elektrische Kontaktfläche 120 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist an einer der Oberseite 101 gegenüberliegenden Unterseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ausgebildet.
  • Im dargestellten Beispiel ist die an der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ausgebildete elektrische Kontaktfläche 110 seitlich neben der Mesa 140 angeordnet. Es wäre jedoch auch möglich, die elektrische Kontaktfläche 110 in einem Eckbereich der Mesa 140 oder auch im Zentrum der Mesa 140 auszubilden.
  • Die die Antibenetzungsschicht 160 bildende Passivierungsschicht 170 weist im Bereich der elektrischen Kontaktfläche 110 eine Aussparung 165 auf, so dass die Metallisierung 150 im Bereich der elektrischen Kontaktfläche 110 zugänglich ist. Falls neben der Passivierungsschicht 170 noch eine zusätzliche Antibenetzungsschicht 160 vorgesehen ist, so weisen beide Schichten im Bereich der elektrischen Kontaktfläche 110 Aussparungen auf.
  • Auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist ein wellenlängenkonvertierendes Element 400 angeordnet. Das wellenlängenkonvertierende Element 400 kann beispielsweise als Plättchen ausgebildet sein. Das wellenlängenkonvertierende Element 400 kann beispielsweise ein keramisches Material oder ein Matrixmaterial wie Silikon aufweisen. Darin kann ein wellenlängenkonvertierendes Material eingebettet sein. Das wellenlängenkonvertierende Element 400 kann beispielsweise mittels eines Klebstoffs an der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 befestigt sein. Im in 1 gezeigten Beispiel entspricht die laterale Größe des wellenlängenkonvertierenden Elements 400 etwa der der Mesa 140 des optoelektronischen Halbleiterchips 100. Das wellenlängenkonvertierende Element 400 ist auf der Mesa 140 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. Das wellenlängenkonvertierende Element ist dazu ausgebildet, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 an seiner Oberseite 101 abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren.
  • Auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist eine erste elektrisch leitende Kugel 200 angeordnet. Die erste elektrisch leitende Kugel 200 ist mittels eines Montagematerials 115 an der elektrischen Kontaktfläche 110 befestigt und elektrisch leitend mit der elektrischen Kontaktfläche 110 verbunden. Das Montagematerial 115 kann beispielsweise ein Lot, ein elektrisch leitender Klebstoff oder eine elektrisch leitende Sinterpaste sein.
  • Die erste elektrisch leitende Kugel 200 kann beispielsweise Kupfer (Cu), Nickel (Ni), Aluminium (Al), Gold (Au) oder Silber (Ag) aufweisen. Dabei kann die erste elektrisch leitende Kugel 200 vollständig aus Metall bestehen oder einen von einem Metallmantel umhüllten Kunststoffkern aufweisen. Die erste elektrisch leitende Kugel kann auch mehrschichtig aufgebaut sein und beispielsweise einen Kupferkern aufweisen, der mit einer Nickelbeschichtung versehen ist. An ihrer Außenseite kann die erste elektrisch leitende Kugel 200 eine Lotbeschichtung aufweisen. Diese Lotbeschichtung kann auch das Montagematerial 115 bilden.
  • Die erste elektrisch leitende Kugel 200 weist einen Durchmesser 201 auf, der so bemessen ist, dass eine von der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 abgewandte Kugeloberseite 202 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 etwa in einer gemeinsamen Ebene mit einer von der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angewandten Oberseite 401 des wellenlängenkonvertierenden Elements 400 angeordnet ist. Die Kugeloberseite 202 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 kann auch leicht über die Oberseite 401 des wellenlängenkonvertierenden Elements 400 erhaben sein. Der Durchmesser 201 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 ist also so bemessen, dass die Dicke des wellenlängenkonvertierenden Elements 400 ausgeglichen wird. Der Durchmesser 201 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 kann beispielsweise zwischen 20 µm und 150 µm liegen.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 100 ist derart auf einer Oberseite 301 eines Trägers 300 angeordnet, dass die Unterseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 der Oberseite 301 des Trägers 300 zugewandt ist. Der Träger 300 ist in 1 nur schematisch dargestellt und kann beispielsweise als Leiterrahmen ausgebildet sein. In diesem Fall weist der Träger 300 mehrere Leiterrahmenabschnitte auf, die elektrisch gegeneinander isoliert sind. Der Träger 300 kann aber beispielsweise auch als keramischer Träger ausgebildet sein und an seiner Oberseite 301 mehrere elektrisch voneinander isolierte Metallisierungen aufweisen. Der an der Unterseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ausgebildete weitere elektrische Kontakt 120 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist elektrisch leitend mit einem Abschnitt des Trägers 300 verbunden.
  • Neben dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 ist eine zweite elektrisch leitende Kugel 210 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet und elektrisch leitend mit einem weiteren Abschnitt des Trägers 300 verbunden. Dabei ist die zweite elektrisch leitende Kugel 210 von dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 beabstandet.
  • Die zweite elektrisch leitende Kugel 210 weist einen Durchmesser 211 auf, der im dargestellten Beispiel größer als der Durchmesser 201 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 ist. Der Durchmesser 211 der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 ist so bemessen, dass eine von der Oberseite 301 des Trägers 300 abgewandte Kugeloberseite 212 der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 etwa in einer gemeinsamen, zu der Oberseite 301 des Trägers 300 parallelen, Ebene mit der Kugeloberseite 202 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 angeordnet ist. Der Durchmesser 211 der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 kann beispielsweise zwischen 150 µm und 300 µm betragen.
  • Für den Aufbau und die Materialien der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 bestehen dieselben Optionen wie vorstehend für die erste elektrisch leitende Kugel 200 beschrieben. Der Aufbau der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 kann dem der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 entsprechen. Die erste elektrisch leitende Kugel 200 und die zweite elektrisch leitende Kugel 210 können aber auch unterschiedlich aufgebaut sein.
  • Das erste optoelektronische Bauelement 10 weist einen Einbettungskörper 500 auf. Der Einbettungskörper 500 ist an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet. Falls der Träger 300 mehrere voneinander beabstandete Abschnitte aufweist, so kann sich der Einbettungskörper 500 auch zwischen diese Abschnitte des Trägers 300 erstrecken, so dass die einzelnen Abschnitte des Trägers 300 durch den Einbettungskörper 500 zusammengehalten werden. Der optoelektronische Halbleiterchip 100, die erste elektrisch leitende Kugel 200, das wellenlängenkonvertierende Element 400 und die zweite elektrisch leitende Kugel 210 sind jeweils zumindest teilweise in den Einbettungskörper 500 eingebettet.
  • Der Einbettungskörper 500 weist eine von der Oberseite 301 des Trägers 300 abgewandte Oberseite 501 auf, die etwa parallel zu der Oberseite 301 des Trägers 300 orientiert ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 100, das wellenlängenkonvertierende Element 400, die erste elektrisch leitende Kugel 200 und die zweite elektrisch leitende Kugel 210 sind derart in den Einbettungskörper 500 eingebettet, dass die Oberseite 401 des wellenlängenkonvertierenden Elements 400, die Kugeloberseite 202 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und die Kugeloberseite 212 der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 an der Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 freiliegen, also nicht durch den Einbettungskörper 500 bedeckt sind.
  • Der Einbettungskörper 500 kann beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxid aufweisen. Die Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 kann zweckmäßigerweise reflektierend ausgebildet sein. Der Einbettungskörper 500 kann beispielsweise ein durch ein Formverfahren (Moldverfahren) ausgebildeter Formkörper sein.
  • An der Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 ist eine planare Leiterbahn 600 angeordnet. Die planare Leiterbahn 600 stellt eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 her. Dabei kontaktiert die planare Leiterbahn 600 die Kugeloberseite 202 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und die Kugeloberseite 212 der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210. Dadurch besteht eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und dem elektrisch leitend mit der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 verbundenen Abschnitt des Trägers 300. Die elektrisch leitende Verbindung erstreckt sich über die erste elektrisch leitende Kugel 200, die planare Leiterbahn 600 und die zweite elektrisch leitende Kugel 210.
  • Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise als oberflächenmontierbares SMD-Bauelement ausgebildet sein. Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise als QFN-Bauelement ausgebildet sein.
  • Zur Herstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 kann zunächst der optoelektronische Halbleiterchip 100 als bereits vereinzelter optoelektronischer Halbleiterchip bereitgestellt werden. Der vereinzelte optoelektronische Halbleiterchip wird derart an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet, dass die Unterseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 der Oberseite 301 des Trägers 300 zugewandt ist.
  • Der Träger 300 kann dabei mit einer Vielzahl gleichartiger Träger 300 in einem Trägerverbund bereitgestellt sein. In diesem Fall wird auf jedem Träger 300 des Trägerverbunds ein optoelektronischer Halbleiterchip 100 angeordnet. Die nachfolgend beschriebene weitere Bearbeitung erfolgt dann für alle Träger 300 des Trägerverbunds und für alle darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 100 gleichartig und gemeinsam. Zum Abschluss der Bearbeitung wird der Trägerverbund zerteilt, um eine Mehrzahl gleichartiger optoelektronischer Bauelemente 10 zu erhalten.
  • Nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 100 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 wird die erste elektrisch leitende Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet.
  • Ebenfalls nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 100 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 wird das wellenlängenkonvertierende Element 400 auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. Das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Elements 400 auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 kann vor oder nach dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 erfolgen.
  • Zusätzlich wird die zweite elektrisch leitende Kugel 210 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet. Es ist zweckmäßig, die zweite elektrisch leitende Kugel 210 nach dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 anzuordnen. Das Anordnen der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 kann aber auch vor dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips auf der Oberseite 301 des Trägers 300 erfolgen. Das Anordnen der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 kann vor oder nach dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 und vor oder nach dem Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Elements 400 auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 erfolgen.
  • Nach der Montage der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 können eine oder beide der Kugeln 200, 210 wahlweise mit einer reflektierenden Beschichtung versehen werden, beispielsweise mit einer Beschichtung, die TiO2-Partikel aufweist. Diese Beschichtung kann beispielsweise durch elektrophoretische Abscheidung aufgebracht werden.
  • Anschließend wird der Einbettungskörper 500 hergestellt. Dabei werden der optoelektronische Halbleiterchip 100, das wellenlängenkonvertierende Element 400, die erste elektrisch leitende Kugel 200 und die zweite elektrisch leitende Kugel 210 zumindest teilweise in den Einbettungskörper eingebettete. Das Herstellen des Einbettungskörpers 500 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) erfolgen, beispielsweise durch Spritzpressen (transfer molding), Spritzgießen (injection molding) oder durch Formpressen (compression molding). Dabei werden der optoelektronische Halbleiterchip 100, das wellenlängenkonvertierende Element 400, die erste elektrisch leitende Kugel 200 und die zweite elektrisch leitende Kugel 210 zumindest teilweise durch das Material des Einbettungskörpers 500 umformt.
  • In einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt wird die planare Leiterbahn 600 an der Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 angeordnet. Die planare Leiterbahn 600 stellt dabei eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 her, indem die planare Leiterbahn 600 die Kugeloberseite 202 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und die Kugeloberseite 212 der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 kontaktiert. Die planare Leiterbahn 600 kann beispielsweise aus Silber (Ag) oder aus Kupfer (Cu) ausgebildet werden, beispielsweise durch Drucken einer Silberpaste, durch galvanisches Abscheiden von Kupfer oder durch Sputtern.
  • Nach dem Herstellen des Einbettungskörpers 500 und vor dem Herstellen der planaren Leiterbahn 600 können die Kugeloberseite 202 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und die Kugeloberseite 212 der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 freigelegt und/oder angeschliffen werden. Bei diesem Schritt kann auch eine zuvor angeordnete reflektierende Beschichtung von der Kugeloberseite 202, 212 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und/oder der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 entfernt werden. Anschließend können die Kugeloberseiten 202, 212 wahlweise beschichtet werden, beispielsweise mit Silber (Ag) oder einem anderen Material.
  • 2 zeigt in schematischer Darstellung eine Aufsicht auf die Oberseite 101 einer ersten Variante des optoelektronischen Halbleiterchips 100. In 2 ist erkennbar, dass die durch die Passivierungsschicht 170 gebildete Antibenetzungsschicht 160 im Bereich der elektrischen Kontaktfläche 110 mehrere Aussparungen 165 aufweist, in denen jeweils die Metallisierung 150 freiliegt. Zur Herstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 kann in jeder Aussparung 165 der Antibenetzungsschicht 160 jeweils eine erste elektrisch leitende Kugel 200 angeordnet werden. In dem in 2 gezeigten Beispiel sind vier Aussparungen 165 vorgesehen. Es kann aber auch lediglich eine Aussparung 165 oder eine andere Zahl von Aussparungen 165 vorgesehen sein.
  • 3 zeigt in schematischer Darstellung eine Aufsicht auf die Oberseite 101 einer anderen Variante des optoelektronischen Halbleiterchips 100. Bei der in 3 gezeigten Variante ist die Aussparung 165 in der Antibenetzungsschicht 160 als Langloch ausgebildet. Dadurch können bei der in 3 gezeigten Variante mehrere erste elektrisch leitenden Kugeln 200 in der einen Aussparung 165 angeordnet werden, um die elektrische Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 zu kontaktieren.
  • In den in 1 bis 3 gezeigten Beispielen ist die elektrische Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 neben der Mesa 140 an der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. Die elektrische Kontaktfläche 110 kann aber auch im Bereich der Mesa 140 an der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet sein, beispielsweise in einem Eckbereich der Mesa 140 oder in der Mitte der Mesa.
  • Bei den in 1 bis 3 gezeigten Beispielen ist die weitere elektrische Kontaktfläche 120 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 an der Unterseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ausgebildet. Es ist jedoch auch möglich, dass auch die weitere elektrische Kontaktfläche 120 an der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ausgebildet ist. In diesem Fall kann die weitere elektrische Kontaktfläche 120 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 auf die gleiche Weise elektrisch kontaktiert werden wie die elektrische Kontaktfläche 110, also über mindestens eine auf der weiteren elektrischen Kontaktfläche 120 angeordnete elektrisch leitende Kugel, eine planare Leiterbahn und eine neben dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnete weitere elektrisch leitende Kugel.
  • 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines zweiten optoelektronischen Bauelements 20. Das zweite optoelektronische Bauelement 20 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 der 1 auf. Für entsprechende Komponenten werden daher in 4 dieselben Bezugszeichen verwendet wie in 1. Nachfolgend wird lediglich beschrieben, wodurch sich das zweite optoelektronische Bauelement 20 von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 unterscheidet. Im Übrigen trifft die vorstehende Beschreibung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 und des Verfahrens zu seiner Herstellung auch auf das zweite optoelektronische Bauelement 20 der 4 zu.
  • Das zweite optoelektronische Bauelement 20 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 dadurch, dass das wellenlängenkonvertierende Element 400 bei dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 die Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 vollflächig bedeckt. Dabei ist die auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnete erste elektrisch leitende Kugel 200 in das wellenlängenkonvertierende Element 400 eingebettet. Der Durchmesser 201 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 ist so bemessen, dass die Kugeloberseite 202 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 an der Oberseite 401 des wellenlängenkonvertierenden Elements 400 freiliegt. Das wellenlängenkonvertierende Element 400 ist zumindest teilweise in den Einbettungskörper 500 eingebettet.
  • Zur Herstellung des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 wird der optoelektronische Halbleiterchip 100 in einem Waferverbund 900 bereitgestellt, der in 5 in einer schematischen geschnittenen Seitenansicht dargestellt ist. Der Waferverbund 900 umfasst mehrere gleichartige optoelektronische Halbleiterchips 100. Die Oberseiten 101 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 bilden gemeinsam eine Oberseite 901 des Waferverbunds 900.
  • In einem ersten Bearbeitungsschritt wird bei jedem optoelektronischen Halbleiterchip 100 des Waferverbunds 900 mindestens eine erste elektrisch leitende Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 an der Oberseite 101 des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet.
  • Anschließend wird bei jedem optoelektronischen Halbleiterchip 100 des Waferverbunds 900 das wellenlängenkonvertierende Element 400 an der Oberseite 101 ausgebildet, wobei die mindestens eine erste elektrisch leitende Kugel 200 in das jeweilige wellenlängenkonvertierende Element 400 eingebettet wird. Die wellenlängenkonvertierenden Elemente 400 der mehreren optoelektronischen Halbleiterchips 100 des Waferverbunds 900 können mittels eines Beschichtungsverfahrens als zusammenhängende Schicht an der Oberseite 901 des Waferverbunds 900 ausgebildet werden.
  • Nach dem Ausbilden des wellenlängenkonvertierenden Elements 400 kann ein Schritt zum Freilegen der Kugeloberseite 202 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 erfolgen. Dies kann beispielsweise durch einen nasschemischen Ätzprozess oder einen Plasmaätzprozess erfolgen. Alternativ ist auch ein mechanisches Verfahren möglich, beispielsweise ein Schleifen, Lappen oder Polieren.
  • Anschließend wird der Waferverbund 900 zerteilt, um die einzelnen optoelektronischen Halbleiterchips 100 mit den jeweils an der Oberseite 101 angeordneten wellenlängenkonvertierenden Elementen 400 zu vereinzeln. Ein vereinzelter optoelektronischer Halbleiterchip 100 mit dem an der Oberseite 101 angeordneten wellenlängenkonvertierenden Element 400 und der mindestens einen, auf der elektrischen Kontaktfläche 110 angeordneten und in das wellenlängenkonvertierende Element 400 eingebetteten, ersten elektrisch leitenden Kugel 200 wird anschließend an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet.
  • Die weitere Herstellung des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 erfolgt wie oben für das erste optoelektronische Bauelement 10 der 1 beschrieben. Die zweite elektrisch leitende Kugel 210 wird neben dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet. Anschließend wird der Einbettungskörper 500 so hergestellt, dass der optoelektronische Halbleiterchip 100, das wellenlängenkonvertierende Elemente 400 mit der darin eingebetteten ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und die zweite elektrisch leitende Kugel 210 zumindest teilweise in den Einbettungskörper 500 eingebettet werden. Dann wird die planare Leiterbahn 600 hergestellt und bildet eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210.
  • 6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines dritten optoelektronischen Bauelements 30. Das dritte optoelektronische Bauelement 30 weist große Übereinstimmungen mit dem anhand der 1 beschriebenen ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf. Daher sind entsprechende Komponenten in 6 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 1. Nachfolgend wird beschrieben, wodurch sich das dritte optoelektronische Bauelement 30 von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 unterscheidet. Im Übrigen gilt die vorstehende Beschreibung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 und des Verfahrens zum Herstellen des ersten optoelektronischen Bauelements 10 auch für das dritte optoelektronische Bauelement 30.
  • Bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 ist der optoelektronische Halbleiterchip 100 als Dünnfilmchip ausgebildet. Die elektrische Kontaktfläche 110 ist in der Mitte der Mesa 140 an der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. Alternativ kann der optoelektronische Halbleiterchip 100 bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 aber auch so ausgebildet sein, wie bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10.
  • Bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 ist kein wellenlängenkonvertierendes Element 400 an der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. Stattdessen ist der Einbettungskörper 500 bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 in einen reflektierenden Abschnitt 520 und einen wellenlängenkonvertierenden Abschnitt 510 unterteilt. Der reflektierende Abschnitt 520 des Einbettungskörpers 500 grenzt an die Oberseite 301 des Trägers 300 an und weist ein reflektierendes Material auf, beispielsweise ein Epoxid oder ein Silikon. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 ist derart in den reflektierten Abschnitt 520 des Einbettungskörpers eingebettet, dass seine Oberseite 101 nicht durch das Material des reflektierenden Abschnitts 520 bedeckt ist und etwa bündig mit einer von dem Träger 300 abgewandten Oberseite des reflektierenden Abschnitts 520 abschließt.
  • Der wellenlängenkonvertierende Abschnitt 510 des Einbettungskörpers 500 ist auf der Oberseite des reflektierenden Abschnitts 520 angeordnet und erstreckt sich von der Oberseite des reflektierenden Abschnitts 520 bis zu Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500. Dabei bedeckt der wellenlängenkonvertierende Abschnitt 510 des Einbettungskörpers 500 auch die Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100. Die auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnete erste elektrisch leitende Kugel 200 ist in den wellenlängenkonvertierenden Abschnitt 510 des Einbettungskörpers 500 eingebettet, wobei die Kugeloberseite 202 freiliegt.
  • Der wellenlängenkonvertierende Abschnitt 510 weist ein wellenlängenkonvertierendes Material 515 auf. Das wellenlängenkonvertierende Material 515 kann beispielsweise ein Matrixmaterial und einen darin eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Stoff aufweisen. Das Matrixmaterial kann beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxid sein. Das wellenlängenkonvertierende Material 515 des wellenlängenkonvertierenden Abschnitts 510 ist dazu ausgebildet, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 an seiner Oberseite 101 abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren.
  • Bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 ist auf der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 eine dritte elektrisch leitende Kugel 220 angeordnet. Die dritte elektrisch leitende Kugel 220 ist derart an der Kugeloberseite 212 der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 angeordnet, dass eine Kugelunterseite 223 der dritten elektrisch leitenden Kugel der Kugeloberseite 212 der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 zugewandt ist. Eine der Kugelunterseite 223 der dritten elektrisch leitenden Kugel 220 gegenüberliegende Kugeloberseite 222 der dritten elektrisch leitenden Kugel 220 liegt an der Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 frei. Der Durchmesser 211 der zweiten elektrische leitenden Kugel 210 und ein Durchmesser 221 der dritten elektrisch leitenden Kugel 220 sind so bemessen, dass der durch die zweite elektrisch leitende Kugel 210 und die dritte elektrisch leitende Kugel 220 gebildete Kugelstapel eine der Dicke des Einbettungskörpers 500 entsprechende Höhe aufweist. Der Durchmesser 221 der dritten elektrisch leitenden Kugel 220 kann beispielsweise etwa dem Durchmesser 201 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 entsprechen.
  • Für den Aufbau und das Material der dritten elektrisch leitenden Kugel 220 bestehen dieselben Optionen wie für die erste elektrisch leitende Kugel 200. Die dritte elektrisch leitende Kugel 220 kann gleich wie die erste elektrisch leitende Kugel 200 und/oder wie die zweite elektrisch leitende Kugel 210 oder anders ausgebildet sein.
  • Der durch die zweite elektrisch leitende Kugel 210 und die dritte elektrisch leitende Kugel 220 gebildete Kugelstapel kann eine große Höhe bei vergleichsweise kleinen lateralen Abmessungen aufweisen, also ein großes Aspektverhältnis. Es ist möglich, einen mehr als zwei elektrisch leitende Kugeln umfassenden Kugelstapel auszubilden, also auf der dritten elektrisch leitenden Kugel 220 noch eine oder mehrere weitere elektrisch leitende Kugeln anzuordnen. Alternativ kann bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 aber auch anstelle des durch die zweite elektrisch leitende Kugel 210 und die dritte elektrisch leitende Kugel 220 gebildeten Kugelstapels lediglich eine zweite elektrisch leitende Kugel 210 mit entsprechend größerem Durchmesser 211 verwendet werden.
  • Auch bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 ist die planare Leiterbahn 600 an der Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 angeordnet. Dabei stellt die planare Leiterbahn 600 eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten leitenden Kugel 200 und der dritten elektrisch leitenden Kugel 220 her. Da die dritte elektrisch leitende Kugel 220 elektrisch leitend mit der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 verbunden ist, besteht damit auch eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und der zweiten elektrisch leitende Kugel 210.
  • Bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 ist über der Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 und der planaren Leiterbahn 600 eine Schutzschicht 700 angeordnet. Die Schutzschicht 700 weist ein Material auf, das für durch den optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierte und durch den wellenlängenkonvertierenden Abschnitt 510 des Einbettungskörpers 500 konvertierte elektromagnetische Strahlung eine hohe Transparenz aufweist. Beispielsweise kann die Schutzschicht 700 ein Silikon oder ein Epoxid aufweisen. Die Schutzschicht 700 kann einem Schutz der planaren Leiterbahn 600 und des wellenlängenkonvertierenden Abschnitts 510 des Einbettungskörpers 500 dienen. Die Schutzschicht 700 kann aber auch entfallen.
  • Bei der Herstellung des dritten optoelektronischen Bauelements 30 kann die erste elektrisch leitende Kugel 200 vor oder nach dem Vereinzeln des optoelektronischen Halbleiterchips 100 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet werden. Die erste elektrisch leitende Kugel 200 kann also noch im Waferverbund des optoelektronischen Halbleiterchips 100 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 angeordnet werden. Anschließend wird der optoelektronische Halbleiterchip 100 durch Zerteilen des Waferverbunds vereinzelt und auf der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet. Alternativ wird der optoelektronische Halbleiterchip 100 zuerst durch Zerteilen des Waferverbunds vereinzelt und auf der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet. Bei dieser Variante wird die erste elektrisch leitende Kugel 200 erst danach auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet.
  • Vor oder nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 100 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 wird die zweite elektrisch leitende Kugel 210 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet. Das Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Elements auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 entfällt bei der Herstellung des dritten optoelektronischen Bauelements 30.
  • Anschließend wird der reflektierende Abschnitt 520 des Einbettungskörpers 500 ausgebildet. Der reflektierende Abschnitt 520 des Einbettungskörpers 500 kann beispielsweise durch ein Formverfahren ausgebildet werden, wobei der optoelektronische Halbleiterchip 100 und die zweite elektrisch leitende Kugel 210 in den reflektierenden Abschnitt 520 des Einbettungskörpers 500 eingebettet werden.
  • Anschließend wird die dritte elektrisch leitende Kugel 220 auf der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 angeordnet. Möglich ist aber auch, die dritte elektrisch leitende Kugel 220 bereits vor dem Ausbilden des reflektierenden Abschnitts 520 des Einbettungskörpers 500 auf der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 anzuordnen. Ebenfalls möglich ist, die erste elektrisch leitende Kugel 200 erst nach dem Ausbilden des reflektierenden Abschnitts 520 des Einbettungskörpers 500 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 anzuordnen.
  • Anschließend wird der wellenlängenkonvertierende Abschnitt 510 des Einbettungskörpers 500 hergestellt. Dabei werden die erste elektrisch leitende Kugel 200 und die dritte elektrisch leitende Kugel 220 in den wellenlängenkonvertierenden Abschnitt 510 des Einbettungskörpers 500 eingebettet. Das Ausbilden des wellenlängenkonvertierenden Abschnitts 510 kann beispielsweise durch ein Formverfahren erfolgen.
  • In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird die planare Leiterbahn 600 hergestellt. Anschließend wird die Schutzschicht 700 über der Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 und der planaren Leiterbahn 600 ausgebildet.
  • 7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines vierten optoelektronischen Bauelements 40. Das vierte optoelektronische Bauelement 40 weist Übereinstimmungen mit dem anhand der 1 beschriebenen ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf. Entsprechende Komponenten sind daher in 7 mit denselben Bezugszeichen bezeichnet wie in 1. Nachfolgend wird beschrieben, wodurch sich das vierte optoelektronische Bauelement 40 von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 unterscheidet. Im Übrigen gilt die Beschreibung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 und des Verfahrens zur Herstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 auch für das vierte optoelektronische Bauelement 40.
  • Bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 ist der optoelektronische Halbleiterchip 100 als volumenemittierender Saphirchip ausgebildet. Das Substrat 130 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist dabei als Saphir-Substrat ausgebildet. Im Betrieb des vierten optoelektronischen Bauelements 40 emittiert der optoelektronische Halbleiterchip 100 elektromagnetische Strahlung auch durch die Oberflächen des Substrats 130 in seitliche Richtung.
  • Die elektrische Kontaktfläche 110 ist bei dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 im Bereich der Mesa 140 angeordnet. Auch die weitere elektrische Kontaktfläche 120 kann bei dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 an der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet sein. In diesem Fall ist die weitere elektrisch Kontaktfläche 120 auf analoge Weise elektrisch kontaktiert wie die elektrische Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100.
  • Bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 weist der gesamte Einbettungskörper 500 ein wellenlängenkonvertierendes Material 515 auf, das dazu ausgebildet ist, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Damit kann bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 auch im Bereich des Substrats 130 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 emittierte elektromagnetische Strahlung durch das wellenlängenkonvertierende Material 515 des Einbettungskörpers 500 konvertiert werden. Ein weiteres wellenlängenkonvertierendes Element ist bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 nicht vorgesehen. Das wellenlängenkonvertierende Material 515 des Einbettungskörpers 500 bedeckt stattdessen auch die Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100. Die erste elektrisch leitende Kugel 200, die zweite elektrisch leitende Kugel 210 und der optoelektronische Halbleiterchip 100 sind in den Einbettungskörper 500 eingebettet. Dabei sind die Kugeloberseite 202 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und die Kugeloberseite 212 der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 an der Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 zugänglich, also nicht durch das Material des Einbettungskörpers 500 bedeckt.
  • Die planare Leiterbahn 600 ist auch bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 an der Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 angeordnet und stellt eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 her.
  • Bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 ist über der Oberseite des Einbettungskörpers 500 und der planaren Leiterbahn 600 noch eine Schutzschicht 700 angeordnet, die einem Schutz des Einbettungskörpers 500 und der planaren Leiterbahn 600 dient. Die Schutzschicht 700 kann aber auch entfallen. Die Schutzschicht 700 weist ein Material auf, das für durch den optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierte und durch das wellenlängenkonvertierende Material 515 des Einbettungskörpers 500 konvertierte elektromagnetische Strahlung eine hohe Transparenz aufweist.
  • Bei der Herstellung des vierten optoelektronischen Bauelements 40 kann das Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 vor dem Vereinzeln des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und vor dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 100 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 noch im Waferverbund des optoelektronischen Halbleiterchips 100 erfolgen. Alternativ kann das Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 erst nach dem Vereinzeln des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 100 an der Oberseite 301 des Trägers 300 erfolgen.
  • Das Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Elements an der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 entfällt bei der Herstellung des vierten optoelektronischen Bauelements 40.
  • Nach dem Anordnen der zweiten elektrisch leitenden Kugel auf der Oberseite 301 des Trägers, dem Herstellen des Einbettungskörpers 500 und dem Herstellen der planaren Leiterbahn 600 erfolgt bei der Herstellung des vierten optoelektronischen Bauelements 40 noch ein weiterer Verfahrensschritt zum Anordnen der Schutzschicht 700 über der Oberseite 501 des Einbettungskörpers 500 und der planaren Leiterbahn 600. Dieser Verfahrensschritt kann aber auch entfallen.
  • 8 zeigt eine stark schematisierte Darstellung eines Vakuumgreifers 800, der zum Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 an der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 genutzt werden kann. In 8 ist der optoelektronische Halbleiterchip 100 beispielhaft als vereinzelter optoelektronischer Halbleiterchip dargestellt und kann in dem gezeigten Verfahrensstand bereits auf der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 kann in dem in 8 gezeigten Verfahrensstand auch bereits derart in einen Abschnitt des Einbettungskörpers 500 eingebettet sein, dass die Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 noch freiliegt und zugänglich ist.
  • Das anhand der 8 beschriebene Verfahren kann allerdings auch genutzt werden, wenn sich der optoelektronische Halbleiterchip 100 noch in dem in 5 gezeigten Waferverbund 900 befindet. In diesem Fall kann das in 8 dargestellte Verfahren genutzt werden, um erste elektrisch leitende Kugeln 200 auf den elektrischen Kontaktflächen 110 aller optoelektronischen Halbleiterchips 100 des Waferverbunds 900 anzuordnen.
  • Das anhand der 8 beschriebene Verfahren kann analog auch genutzt werden, um die zweite elektrisch leitende Kugel 210 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 einzuordnen. Das Verfahren kann auch genutzt werden, um die dritte elektrisch leitende Kugel 220 auf der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 anzuordnen.
  • Vor dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 kann bereits das Montagematerial 115 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 angeordnet worden sein. In diesem Fall kann das Montagematerial 115 beispielsweise ein elektrisch leitender Klebstoff oder eine elektrisch leitende Sinterpaste sein. Das Montagematerial 115 kann beispielsweise unter Verwendung einer Schablone auf die elektrische Kontaktfläche 110 gedruckt worden sein. Das Montagematerial 115 kann auch durch Nadeldosieren (dispensing) oder durch berührungsloses Nadeldosieren (jetting) auf der elektrischen Kontaktfläche 110 angeordnet worden sein.
  • Das zur Fixierung der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 genutzte Montagematerial 115 kann auch ein Lot sein, das beispielsweise in Form einer Lotbeschichtung der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 bereitgestellt wird. In diesem Fall kann vor der Anordnung der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 bereits ein Flussmittel auf der elektrischen Kontaktfläche 110 angeordnet worden sein. Das Flussmittel kann beispielsweise unter Verwendung eines Siebs auf die elektrische Kontaktfläche 110 gedruckt oder auf die elektrische Kontaktfläche 110 gesprüht worden sein. Ein weiteres Montagematerial auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist dann nicht zwingend erforderlich.
  • Der Vakuumgreifer 800 ermöglicht es, die erste elektrisch leitende Kugel 200 aus einem Vorratsbehältnis zu entnehmen und präzise auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 zu platzieren. Der Vakuumgreifer 800 kann dazu ausgebildet sein, mehrere elektrisch leitende Kugeln 200 parallel auf den elektrischen Kontaktflächen 110 mehrerer optoelektronischer Halbleiterchips 100 zu platzieren.
  • Wird als Montagematerial 115 ein Lot verwendet, so kann dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 ein Verfahrensschritt zum Aufschmelzen des Lots nachfolgen. Anschließend kann noch eine Reinigung erfolgen. Wird das Montagematerial 115 durch einen Klebstoff oder eine Sinterpaste gebildet, so kann dem Platzieren der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 ein Verfahrensschritt zum Aushärten des Montagematerials 115 nachfolgen. Das Aushärten des Montagematerials 115 kann beispielsweise in einem Ofen erfolgen.
  • 9 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines alternativen Verfahrens zum Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf dem elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100. Bis auf die nachfolgend beschriebenen Unterschiede gilt die vorstehende Beschreibung des anhand der 8 erläuterten Verfahrens auch für das in 9 dargestellte Verfahren.
  • Bei dem in 9 gezeigten Verfahren wird kein Vakuumgreifer zum Platzieren der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 verwendet. Stattdessen wird eine Schablone 810 über der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. Die Schablone 810 weist eine Aussparung 820 auf, die über der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Hableiterchips 100 platziert wird. Die Aussparung 820 weist einen Durchmesser auf, der etwas größer als der Durchmesser 201 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 ist. Sollen mehrere erste elektrisch leitende Kugeln gleichzeitig auf den elektrischen Kontaktflächen 110 mehrerer optoelektronischer Halbleiterchips 100 angeordnet werden, so kann die Schablone 810 eine entsprechende Anzahl von Aussparungen 820 aufweisen.
  • Anschließend wird die erste elektrisch leitende Kugel 200 in die Aussparung 820 der Schablone 810 hinein fallengelassen. Hierzu können beispielsweise mehrere erste elektrisch leitende Kugeln 200 über die Schablone 810 gerollt werden, bis die ersten elektrisch leitenden Kugeln 200 in die mehreren Aussparung 820 der Schablone 810 hineingefallen sind.
  • Der übrige Ablauf des in 9 dargestellten Verfahrens entspricht dem des Verfahrens der 8.
  • Es ist möglich das anhand der 9 beschriebene Verfahren dahingehend zu variieren, dass anstelle der Schablone 810 ein magnetisches System zur Positionierung der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 genutzt wird. In diesem Fall wird unter der Unterseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 eine Platte angeordnet, die im Bereich der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 einen magnetischen oder magnetisierbaren Bereich aufweist. Die erste elektrisch leitende Kugel 200 weist in diesem Fall ein magnetisches Material auf, beispielsweise Nickel. Wird die erste elektrisch leitende Kugel 200 dann über die Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 gerollt, so richtet sie sich durch das Magnetfeld im Bereich der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 aus.
  • 10 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer weiteren Verfahrensvariante zum Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100. Auch bei dem in 10 gezeigten Verfahren kann der optoelektronische Halbleiterchip 100 vereinzelt, gemeinsam mit weiteren optoelektronischen Halbleiterchips 100 auf der Oberseite 301 des Trägers 300 oder in dem Waferverbund 900 angeordnet vorliegen. Das in 10 gezeigte Verfahren eignet sich entsprechend auch zum Anordnen der zweiten elektrisch leitenden Kugel 210 und zum Anordnen der dritten elektrisch leitenden Kugel 220.
  • Bei der in 10 gezeigten Verfahrensvariante weist die erste elektrisch leitende Kugel 200 eine Lotbeschichtung 203 auf. Vor dem Anordnen der ersten elektrischen leitenden Kugel 200 auf der elektrischen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 kann bereits ein Flussmittel auf die elektrische Kontaktfläche 110 aufgebracht worden sein, beispielsweise durch ein Druckverfahren unter Verwendung eines Siebs oder durch Sprühen.
  • Die erste elektrisch leitende Kugel 200 wird in einer Düse 830 angeordnet. Anschließend wird die Lotbeschichtung 203 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 aufgeschmolzen, beispielsweise mittels eines Laserstrahls 840. Dann wird die erste elektrisch leitende Kugel 200 aus der Düse 830 in Richtung der elektrischen Kontaktfläche 110 ausgestoßen. Auf der elektrischen Kontaktfläche 110 erstarrt die zuvor verflüssigte Lotbeschichtung 203 der ersten elektrisch leitenden Kugel 200 und stellt eine mechanische und elektrisch leitende Verbindung zur elektrischen Kontaktfläche 110 her.
  • Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    erstes optoelektronisches Bauelement
    20
    zweites optoelektronisches Bauelement
    30
    drittes optoelektronisches Bauelement
    40
    viertes optoelektronisches Bauelement
    100
    optoelektronischer Halbleiterchip
    101
    Oberseite
    102
    Unterseite
    110
    elektrische Kontaktfläche
    115
    Montagematerial
    120
    weitere elektrische Kontaktfläche
    130
    Substrat
    140
    Mesa
    145
    pn-Übergang
    150
    Metallisierung
    160
    Antibenetzungsschicht
    165
    Aussparung
    170
    Passivierungsschicht
    200
    erste elektrisch leitende Kugel
    201
    Durchmesser
    202
    Kugeloberseite
    203
    Lotbeschichtung
    210
    zweite elektrisch leitende Kugel
    211
    Durchmesser
    212
    Kugeloberseite
    220
    dritte elektrisch leitende Kugel
    221
    Durchmesser
    222
    Kugeloberseite
    223
    Kugelunterseite
    300
    Träger
    301
    Oberseite
    400
    wellenlängenkonvertierendes Element
    401
    Oberseite
    500
    Einbettungskörper
    501
    Oberseite
    510
    wellenlängenkonvertierender Abschnitt
    515
    wellenlängenkonvertierendes Material
    520
    reflektierender Abschnitt
    600
    planare Leiterbahn
    700
    Schutzschicht
    800
    Vakuumgreifer
    810
    Schablone
    820
    Aussparung
    830
    Düse
    840
    Laserstrahl
    900
    Waferverbund
    901
    Oberseite

Claims (20)

  1. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (100) mit einer Oberseite (101) und einer Unterseite (102), wobei an der Oberseite (101) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) eine elektrische Kontaktfläche (110) ausgebildet ist, wobei eine erste elektrisch leitende Kugel (200) auf der elektrischen Kontaktfläche (110) angeordnet ist.
  2. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) gemäß Anspruch 1, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (100) derart auf einer Oberseite (301) eines Trägers (300) angeordnet ist, dass die Unterseite (102) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) der Oberseite (301) des Trägers (300) zugewandt ist, wobei eine zweite elektrisch leitende Kugel (210) neben dem optoelektronischen Halbleiterchip (100) auf der Oberseite (301) des Trägers (300) angeordnet ist, wobei die erste elektrisch leitende Kugel (200) und die zweite elektrisch leitende Kugel (210) durch eine planare Leiterbahn (600) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, wobei die planare Leiterbahn (600) an einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip (100) abgewandten Seite (202) der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) angeordnet ist.
  3. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) gemäß Anspruch 2, wobei die zweite elektrisch leitende Kugel (210) einen größeren Durchmesser (211) aufweist als die erste elektrisch leitende Kugel (200).
  4. Optoelektronisches Bauelement (30) gemäß einem der Ansprüche 2 und 3, wobei auf der zweiten elektrisch leitenden Kugel (210) eine dritte elektrisch leitende Kugel (220) angeordnet ist.
  5. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (100), die erste elektrisch leitende Kugel (200) und die zweite elektrisch leitende Kugel (210) zumindest teilweise in einen Einbettungskörper (500) eingebettet sind, wobei die planare Leiterbahn (600) an einer von dem Träger (300) abgewandten Oberseite (501) des Einbettungskörpers (500) angeordnet ist.
  6. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 5, wobei auf der Oberseite (101) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) ein wellenlängenkonvertierendes Element (400) angeordnet ist, wobei das wellenlängenkonvertierende Element (400) zumindest teilweise in den Einbettungskörper (500) eingebettet ist.
  7. Optoelektronisches Bauelement (20, 30, 40) gemäß Anspruch 5, wobei zumindest ein Abschnitt (510) des Einbettungskörpers (500) ein wellenlängenkonvertierendes Material (515) aufweist.
  8. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Antibenetzungsschicht (160) an der Oberseite (101) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) angeordnet ist, wobei die Antibenetzungsschicht (160) im Bereich der elektrischen Kontaktfläche (110) eine Aussparung (165) aufweist, wobei die erste elektrisch leitende Kugel (200) in der Aussparung (165) angeordnet ist.
  9. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) gemäß Anspruch 8, wobei die Antibenetzungsschicht (160) durch eine Passivierungsschicht (170) gebildet ist.
  10. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40) mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (100) mit einer Oberseite (101) und einer Unterseite (102), wobei an der Oberseite (101) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) eine elektrische Kontaktfläche (110) ausgebildet ist; - Anordnen einer ersten elektrisch leitenden Kugel (200) auf der elektrischen Kontaktfläche (110).
  11. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei vor dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) ein Montagematerial (115), insbesondere ein Klebstoff oder eine Sinterpaste, auf der elektrischen Kontaktfläche (110) angeordnet wird.
  12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 und 11, wobei das Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) mit einem Vakuumgreifer (800) erfolgt.
  13. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 und 11, wobei das Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) die folgenden Schritte umfasst: - Anordnen einer Schablone (810) über der Oberseite (101) des optoelektronischen Halbleiterchips (100), wobei die Schablone (810) im Bereich der elektrischen Kontaktfläche (110) eine Aussparung (820) aufweist; - Hineinfallenlassen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) in die Aussparung (820) der Schablone (810).
  14. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei die erste elektrisch leitende Kugel (200) mit einer Lotbeschichtung (203) bereitgestellt wird, wobei das Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) die folgenden Schritte umfasst: - Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) in einer Düse (830); - Schmelzen der Lotbeschichtung (203) mittels eines Laserstrahls (840); - Ausstoßen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) aus der Düse (830) in Richtung der elektrischen Kontaktfläche (110).
  15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (100) in einem Waferverbund (900) bereitgestellt wird, wobei nach dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) die folgenden Schritte durchgeführt werden: - Zerteilen des Waferverbunds (900), um den optoelektronischen Halbleiterchip (100) zu vereinzeln; - Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips (100) auf einer Oberseite (301) eines Trägers (300) derart, dass die Unterseite (102) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) der Oberseite (301) des Trägers (300) zugewandt ist.
  16. Verfahren gemäß Anspruch 15, wobei nach dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) und vor dem Zerteilen des Waferverbunds (900) der folgende Schritt durchgeführt wird: - Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Elements (400) an einer Oberseite (901) des Waferverbunds (900).
  17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (100) als vereinzelter optoelektronischer Halbleiterchip (100) bereitgestellt wird, wobei vor dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) der folgende Schritt durchgeführt wird: - Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips (100) auf einer Oberseite (301) eines Trägers (300) derart, dass die Unterseite (102) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) der Oberseite (301) des Trägers (300) zugewandt ist.
  18. Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips (100) der folgende Schritt durchgeführt wird: - Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Elements (400) auf der Oberseite (101) des optoelektronischen Halbleiterchips (100).
  19. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips (100) der folgende Schritt durchgeführt wird: - Anordnen einer zweiten elektrisch leitenden Kugel (210) neben dem optoelektronischen Halbleiterchip (100) auf der Oberseite (301) des Trägers (300); wobei nach dem Anordnen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) der folgende Schritt durchgeführt wird: - Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) und der zweiten elektrisch leitenden Kugel (210) durch eine planare Leiterbahn (600), wobei die planare Leiterbahn (600) an einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip (100) abgewandten Seite (202) der ersten elektrisch leitenden Kugel (200) angeordnet wird.
  20. Verfahren gemäß Anspruch 19, wobei vor dem Herstellen der elektrisch leitenden Verbindung der folgende Schritt durchgeführt wird: - Herstellen eines Einbettungskörpers (500), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (100), die erste elektrisch leitende Kugel (200) und die zweite elektrisch leitende Kugel (210) zumindest teilweise in den Einbettungskörper (500) eingebettet werden, wobei die planare Leiterbahn (600) an einer von dem Träger (300) abgewandten Oberseite (501) des Einbettungskörpers (500) angeordnet wird.
DE102021108532.2A 2021-04-06 2021-04-06 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements Withdrawn DE102021108532A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102021108532.2A DE102021108532A1 (de) 2021-04-06 2021-04-06 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
PCT/EP2022/059001 WO2022214479A1 (de) 2021-04-06 2022-04-05 Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102021108532.2A DE102021108532A1 (de) 2021-04-06 2021-04-06 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102021108532A1 true DE102021108532A1 (de) 2022-10-06

Family

ID=81580374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102021108532.2A Withdrawn DE102021108532A1 (de) 2021-04-06 2021-04-06 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102021108532A1 (de)
WO (1) WO2022214479A1 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005011846A1 (de) 2005-03-15 2006-10-12 Ledarts Opto Corp. Leuchtdiode mit Flip-Chip-Anordnung
DE102014219794A1 (de) 2014-09-30 2016-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrisches Bauelement und Verfahren zum Erzeugen eines elektrischen Bauelements
US20200185582A1 (en) 2018-12-05 2020-06-11 Azurewave Technologies, Inc. Flip-chip light-emitting module
DE102019119371A1 (de) 2019-07-17 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8067831B2 (en) * 2005-09-16 2011-11-29 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with planar interconnects
US9111896B2 (en) * 2012-08-24 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package-on-package semiconductor device
US9793198B2 (en) * 2014-05-12 2017-10-17 Invensas Corporation Conductive connections, structures with such connections, and methods of manufacture
US10770636B2 (en) * 2018-02-14 2020-09-08 Epistar Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005011846A1 (de) 2005-03-15 2006-10-12 Ledarts Opto Corp. Leuchtdiode mit Flip-Chip-Anordnung
DE102014219794A1 (de) 2014-09-30 2016-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrisches Bauelement und Verfahren zum Erzeugen eines elektrischen Bauelements
US20200185582A1 (en) 2018-12-05 2020-06-11 Azurewave Technologies, Inc. Flip-chip light-emitting module
DE102019119371A1 (de) 2019-07-17 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022214479A1 (de) 2022-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2462633B1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement
DE10201781B4 (de) Hochfrequenz-Leistungsbauteil und Hochfrequenz-Leistungsmodul sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE112013004223B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102016110862B4 (de) Modul und Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Modulen
WO2014060355A2 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen halbleiterbauteilen
EP2297780B1 (de) Optoelektronisches modul mit einem trägersubstrat und einer mehrzahl von strahlung emittierenden halbleiterbauelementen und verfahren zu dessen herstellung
DE112015000703B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102012113003A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2014019861A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil mit saphir-flip-chip
WO2012034764A1 (de) Galvanisch beschichtetes optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronisches halbleiterbauteils
WO2014127934A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
WO2009079983A1 (de) Leuchtdiodenchip mit überspannungsschutz
WO2005086224A1 (de) Halbleiterbauteil mit einem dünnen halbleiterchip und einem steifen verdrahtungssubstrat sowie verfahren zur herstellung und weiterverarbeitung von dünnen halbleiterchips
WO2015124609A1 (de) Herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE102016103059A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE102019119371A1 (de) Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils
EP2452547B1 (de) Elektronisches bauteil
DE19820319A1 (de) Halbleiterbaustein und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2606514B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE112012001078B4 (de) Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger
WO2017167792A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl von halbleiterchips, solcher halbleiterchip und modul mit einem solchen halbleiterchip
WO2014127953A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zu seiner herstellung
DE102021108532A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2022248247A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und paneel
WO2014048699A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee