DE102014219794A1 - Elektrisches Bauelement und Verfahren zum Erzeugen eines elektrischen Bauelements - Google Patents

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Abstract

Es wird ein oberflächenmontierbares Bauelement mit einer Montageseite und einer ersten Seite beschrieben, wobei das Bauelement einen Halbleiter-Chip, einen Formkörper und eine elektrisch leitende Struktur umfasst; der Formkörper die Seitenflächen des Halbleiter-Chips und der elektrisch leitenden Struktur umgibt und eine laterale elektrische Isolierung zwischen der elektrisch leitenden Struktur und dem Halbleiter-Chip bildet; an der Montageseite ein erster und ein zweiter Anschlusskontakt zur Oberflächenmontage angeordnet sind; an der ersten Seite eine Schichtenfolge, ein erster elektrischer Kontakt des Halbleiter-Chips und eine erste Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur angeordnet sind, und wobei ein elektrischer Leiter den ersten Kontakt und die erste Anschlussfläche elektrisch leitend verbindet; an der Montageseite der erste Anschlusskontakt eine zweite Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur bedeckt; und ein erster Umfang der ersten Anschlussfläche und/oder ein zweiter Umfang der zweiten Anschlussfläche kleiner ist, als ein dritter Umfang einer zwischen der ersten und zweiten Anschlussfläche angeordneten Schnittfläche der elektrisch leitenden Struktur.

Description

  • Der hier beschriebene Gegenstand betrifft ein elektrisches Bauelement mit einem Halbleiter-Chip, einem Formkörper und einer elektrisch leitenden Struktur sowie ein Verfahren zum Erzeugen eines elektrischen Bauelements.
  • Bei der Herstellung von elektrischen Bauelementen kann Formmasse eingesetzt werden, um einen mechanische Träger für die Chips zu formen. So ist zum Beispiel aus dem Dokument DE 10 2009 036 621 A1 ein optoelektronisches Halbleiter-Bauelement bekannt, bei dem aus Formmasse ein die Seitenflächen des Chips bedeckender Formkörper gebildet wird, wobei zumindest die Oberseite des Chips frei bleibt oder freigelegt wird. An der Unterseite des Bauelements sind Anschlusskontakte für die Oberflächenmontage des Bauelements angeordnet. Auf der freiliegenden Oberseite des eingebetteten Chips können ein Licht emittierender Bereich sowie ein oder mehrere Kontakte des Chips vorgesehen sein. Zudem können Durchkontaktierungen in dem Formkörper angeordnet sein. Die Durchkontaktierungen können vorgesehen sein, die an der freiliegenden Seite des Bauelements angeordneten Kontakte des eingebetteten Chips elektrisch leitend mit den an der Unterseite des Bauelements angeordneten Anschlusskontakten des Bauelements elektrisch leitend zu verbinden. Das Einbringen der Durchkontaktierungen in den Formkörper ist bisher allerdings mit vergleichsweise hohen Aufwand und Kosten verbunden.
  • Eine Aufgabe besteht somit darin, Bauelemente mit elektrisch leitenden Strukturen bereitzustellen, wobei die elektrisch leitentenden Strukturen effektiv in den Formkörper des Bauelements eingebracht werden können. Zudem besteht eine Aufgabe darin, ein Verfahren zum Erzeugen der Bauelemente bereitzustellen.
  • Vorgeschlagene Lösung
  • Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements mit einer Montageseite und einer der Montageseite gegenüberliegend angeordneten ersten Seite vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines temporären Trägers mit einer Klebeschicht; ein Bereitstellen einer Schablone mit einer Vielzahl von Aussparungen; ein Aufbringen einer Vielzahl elektrisch leitender Strukturen auf die Schablone, wobei die Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen im Wesentlichen ungeordnet auf die Schablone aufgebracht wird; ein Verteilen der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen auf die Aussparungen der Schablone, wobei in den Aussparungen jeweils eine elektrisch leitende Struktur angeordnet ist; ein Aufbringen der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen auf die Klebeschicht; ein Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiter-Chips auf die Klebeschicht, wobei die Halbleiter-Chips mit einer im Bauelement an einer ersten Seite des Bauelements angeordneten Schichtenfolge des Halbleiter-Chips auf die Klebeschicht aufgebracht werden; ein Einbetten der Halbleiter-Chips und der elektrisch leitenden Strukturen in einen Formkörper, wobei der Formkörper die elektrisch leitenden Strukturen und die Halbleiter-Chips elektrisch isoliert; ein Trennen des Formkörpers von der Klebeschicht und dem temporären Träger; und ein elektrisches Verbinden eines an der ersten Seite des Bauelements angeordneten ersten Kontakts des Halbleiter-Chips mit einer an der ersten Seite des Bauelements angeordneten ersten Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur.
  • Die elektrisch leitenden Strukturen werden mit Hilfe einer Schablone auf den temporären Träger aufgebracht. Mit der Schablone können die elektrisch leitenden Strukturen effektiv positioniert und auf den temporären Träger aufgebracht werden. Insbesondere kann eine Vielzahl von elektrisch leitenden Strukturen im Wesentlichen parallel zueinander, also in gemeinsamen Arbeitsschritten, verarbeitet werden. Die parallele Handhabung der elektrisch leitenden Strukturen ermöglicht zum Beispiel im Vergleich zu einem seriellen Aufbringen elektrisch leitender Strukturen eine schnellere und günstigere Herstellung der Bauelemente.
  • Die elektrisch leitenden Strukturen können ungeordnet bereitgestellt werden. Durch Bewegen der elektrisch leitenden Strukturen und/oder der Schablone relativ zueinander können sich die elektrisch leitenden Strukturen auf die Aussparungen verteilen. Die Bewegungen der elektrisch leitenden Strukturen können unkontrolliert erfolgen. Das Zusammenspiel der Bewegung der elektrisch leitenden Strukturen und der Schablone kann auch als Selbstjustierung der elektrisch leitenden Strukturen bezeichnet werden.
  • Ferner wird ein oberflächenmontierbares Bauelement mit einer Montageseite und einer der Montageseite gegenüberliegend angeordneten ersten Seite vorgeschlagen, wobei das Bauelement einen Halbleiter-Chip, einen elektrisch isolierenden Formkörper und eine elektrisch leitende Struktur umfasst; der Formkörper die vertikal zwischen der Montageseite und der ersten Seite angeordneten Seitenflächen des Halbleiter-Chips und der elektrisch leitenden Struktur umgibt und eine laterale elektrische Isolierung zwischen der elektrisch leitenden Struktur und dem Halbleiter-Chip bildet; an der Montageseite des Bauelements ein erster und ein zweiter Anschlusskontakt zur Oberflächenmontage des Bauelements angeordnet sind; an der ersten Seite des Bauelements eine Schichtenfolge, ein erster elektrischer Kontakt des Halbleiter-Chips und eine erste Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur angeordnet sind, und wobei ein elektrischer Leiter den ersten Kontakt des Halbleiter-Chips und die erste Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur elektrisch leitend verbindet; die elektrisch leitende Struktur ein Vollkörper ist; an der Montageseite der erste Anschlusskontakt eine zweite Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur bedeckt; und wobei ein erster Umfang der ersten Anschlussfläche und/oder ein zweiter Umfang der zweiten Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur kleiner ist, als ein dritter Umfang einer zwischen der ersten und zweiten Anschlussfläche angeordneten Schnittfläche der elektrisch leitenden Struktur.
  • Elektrisch leitende Strukturen die unterschiedliche Umfänge aufweisen, können eine effektive Erzeugung der Bauelemente ermöglichen. Zum Beispiel können beim Bewegen der elektrisch leitenden Strukturen relativ zu der Schablone die unterschiedlichen vertikalen Umfänge der elektrisch leitenden Strukturen das Verteilen auf die Aussparungen und das Ausrichten in den Aussparungen einer Schablone begünstigen. Insbesondere kann die Form der elektrisch leitenden Struktur mit unterschiedlichen Umfängen geeignet sein, dass sich die elektrisch leitenden Strukturen beim Bewegen relativ zur Schablone selbst justieren.
  • Weitere Ausgestaltungen
  • Die elektrisch leitende Struktur kann zum Beispiel aus Aluminium, Kupfer, Eisen, Zinn, Zink, Gold oder einer diese Metalle enthaltenden Legierung geformt sein. Ferner kann die elektrisch leitende Struktur aus einem metallisierten Glas geformt sein. Das Material der elektrisch leitenden Struktur kann sich von dem Material des elektrischen Leiters an der ersten Seite des Bauelements unterscheiden. Zwischen dem Material der elektrisch leitenden Struktur und dem Material des elektrischen Leiters kann eine Grenzfläche oder ein Übergangsbereich angeordnet sein. Der an der ersten Seite des Bauelements angeordnete elektrische Leiter, der den ersten Kontakt und die erste Anschlussfläche elektrisch leitend verbindet, kann zum Beispiel eine Metallschicht sein. Ferner kann der elektrische Leiter zum Beispiel ein Bonddraht sein.
  • Die erste Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur kann zum Beispiel gekrümmt sein. Die zweite Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur kann zum Beispiel gekrümmt sein. Die Mantelfläche der elektrisch leitenden Struktur kann in vertikaler Richtung von der ersten Anschlussfläche zur zweiten Anschlussfläche gekrümmt sein. Die Höhe der elektrisch leitenden Struktur kann größer als die Höhe des Formkörpers sein. Zum Beispiel kann die elektrisch leitende Struktur den Formkörper an der ersten Seite und/oder an der Montageseite überragen.
  • Die elektrisch leitende Struktur kann zum Beispiel eine Kugel sein oder eine von einer Kugel abgeleitete Form aufweisen. Eine von einer Kugel abgeleitete Form kann zum Beispiel eine Form sein, die durch plastisches Umformen einer Kugel oder durch einen Materialabtrag von einer Kugel erzeugt wird, wobei die Ausgangsform noch erkenntlich ist. Eine von einer Kugel abgeleitete Form kann zum Beispiel eine Halbkugel, ein Kugelsegment, eine Kugelschicht, eine Quetschkugel oder eine einseitig oder zweiseitig abgeflachte Kugel sein. Die elektrisch leitende Struktur kann ferner rotationssymmetrisch sein.
  • Das elektrische Bauelement kann zum Beispiel ein optoelektronisches Bauelement sein. Ferner kann das Bauelement zum Beispiel eine LED sein.
  • Das Verteilen der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen auf die Aussparungen der Schablone kann ein Bewegen der elektrisch leitenden Strukturen relativ zu der Schablone umfassen. Die Bewegung der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen relativ zur Schablone kann im Wesentlichen frei sein. Als freie Bewegung kann zum Beispiel eine Bewegung bezeichnet werden, die abgesehen durch die Begrenzung der Bewegung durch die Oberfläche der Schablone ungeführt ist. Das Verteilen der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen auf die Aussparungen kann zum Beispiel selbstjustierend erfolgen.
  • Die Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen kann nach dem Aufbringen auf die Klebeschicht in die Klebeschicht gedrückt werden. Durch das Drücken in die Klebeschicht können zum Beispiel Bauelemente erzeugt werden, bei denen die elektrisch leitenden Strukturen den Formkörper überragen.
  • Die erste Anschlussfläche der elektrisch leitenden Struktur kann durch das Aufbringen einer Oberflächenmetallisierung elektrisch leitend mit dem ersten Kontakt des Halbleiter-Chips verbunden werden. Ferner kann Drahtbonden vorgesehen sein, um den ersten Kontakt und die erste Anschlussfläche zu verbinden.
  • Die Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen kann vor dem Aufbringen auf die Klebeschicht plastisch verformt werden. Für das plastische Verformen der elektrisch leitenden Strukturen kann zum Beispiel Pressen vorgesehen sein.
  • Die Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen kann nach dem Einbetten in den Formkörper durch einen Materialabtrag bearbeitet werden. Für den Materialabtrag kann zum Beispiel Schleifen vorgesehen sein.
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele anhand der Figuren näher erläutert. Die gleichen Bezugszeichen werden für gleichartige oder gleich wirkende Elemente bzw. Eigenschaften in allen Figuren verwendet. Die Figuren sind nicht maßstabsgetreu.
  • Es zeigen:
  • 1a eine schematische Darstellung eines Querschnitts eines ersten Bauelements;
  • 1b eine schematische Draufsicht auf die erste Seite des ersten Bauelements;
  • 2a–2g schematische Darstellungen unterschiedlicher Verfahrensschritte zum Erzeugen eines Bauelements;
  • 3a–3c schematische Darstellungen unterschiedlicher Verfahrensschritte zum Erzeugen eines Bauelements;
  • 4a eine schematische Darstellung eines Querschnitts eines zweiten Bauelements;
  • 4b eine schematische Draufsicht auf die erste Seite des zweiten Bauelements;
  • 5a eine schematische Darstellung eines Querschnitts eines dritten Bauelements;
  • 5b eine schematische Draufsicht auf die erste Seite des dritten Bauelements;
  • 6a eine schematische Darstellung eines Querschnitts eines vierten Bauelements;
  • 6b eine schematische Draufsicht auf die erste Seite des vierten Bauelements;
  • 7a eine schematische Darstellung eines Querschnitts eines fünften Bauelements; und
  • 7b eine schematische Draufsicht auf die erste Seite des fünften Bauelements.
  • Detaillierte Beschreibung von Ausführungsbeispielen
  • Der Begriff „elektrisches Bauelement“ kann zum Beispiel optoelektronische Bauelemente, Logik-Bauelemente und Leistungs-Bauelemente umfassen. Nachfolgend wird die vorgeschlagene Lösung am Beispiel eines optoelektronischen Bauelements erläutert, wobei die für das optoelektronische Bauelement erläuterten Merkmale auch für andere Bauelement-Typen geeignet sind.
  • Optoelektronische Bauelemente können zum Beispiel Bauelemente umfassen, die dazu eingerichtet sind, elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder elektromagnetische Strahlung zu detektieren. Nachfolgend wird die vorgeschlagene Lösung am Beispiel einer Licht emittierenden Diode (LED) erläutert, wobei die für eine LED erläuterten Merkmale auch bei anderen elektrischen Bauelementen vorgesehen sein können.
  • Die 1a zeigt eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein erstes Bauelement. Die 1b zeigt eine schematische Draufsicht auf die erste Seite des in 1a dargestellten ersten Bauelements. Das dargestellte Bauelement 10 hat in etwa eine quadratische Form. Bei der Darstellung der 1a ist an der Oberseite des Bauelements 10 eine erste Seite 2 angeordnet. Beim Beispiel der LED kann an der ersten Seite 2 die erzeugte elektromagnetische Strahlung abgestrahlt werden. Allgemein kann an der ersten Seite des Bauelements eine Schichtenfolge angeordnet sein. An der Unterseite des in 1a dargestellten Bauelements 10 ist eine Montageseite 4 angeordnet. Die erste Seite 2 und die Montageseite 4 sind gegenüberliegend angeordnet. An der Montageseite 4 sind zumindest ein erster und ein zweiter Anschlusskontakt 6, 8 vorgesehen, mit denen das Bauelement 10 als oberflächenmontierbares Bauelement (engl. surface mount device, SMD) auf einem Schaltungsträger befestigt werden kann. Bei dem dargestellten Bauelement 10 sind die erste Seite 2 und die Montageseite 4 im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet.
  • Das Bauelement 10 umfasst einen optoelektronischen Chip 11, einen Formkörper 12 und eine elektrisch leitende Struktur 13, wobei der Chip 11 und die elektrisch leitende Struktur 13 in den Formkörper 12 eingebettet sind. Der Formkörper 12 bildet eine elektrische Isolierung zwischen dem Chip 11 und der elektrisch leitenden Struktur 13.
  • Der Formkörper 12 kann als Unterstützungsstruktur für den Chip 11 vorgesehen sein. Zum Beispiel kann der Formkörper 12 als mechanischer Träger für den Chip 11 vorgesehen sein. Zudem kann der Formkörper 12 die Fläche des Bauelements 10 im Vergleich zur Grundfläche des Chips 11 vergrößern. Dies kann zum Beispiel in Hinblick auf Wärmespreizung und/oder Wärmeabfuhr gewünscht sein. Der Formkörper 12 kann zur mechanischen, elektrischen und/oder thermischen Anbindung des Chips 11 an eine elektronische Baugruppe vorgesehen sein. Zum Beispiel kann der Formkörper 12 die elektrische Kontaktierung des Chips 11 vereinfachen.
  • Der Formkörper 12 ist aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet. Als Material für den Formkörper 12 kann zum Beispiel Epoxidharz, Silikon, Epoxid-Silikonhybrid-Material, Glas oder Glaskeramik vorgesehen sein. Der Formkörper 12 kann in Abhängigkeit von der jeweiligen Anwendung zum Beispiel mit Quarzglas, Titanoxid, Konverterpartikeln und/oder Streupartikeln hochgefüllt sein. Durch die Wahl geeigneter Füllpartikel kann in Hinblick auf die jeweilige Anwendung ein weißer, schwarzer, konvertierender oder transparenter Formkörper bereitgestellt werden.
  • Der in 1a dargestellte optoelektronische Chip 11 umfasst ein Substrat 14, einen ersten Kontakt 15 und eine Schichtenfolge 16. Das Substrat 14 kann zum Beispiel aus einem Halbleitermaterial oder einem anderen Trägermaterial für optoelektronische Bauelemente, wie zum Beispiel Saphir oder Silizium, geformt sein. Der erste Kontakt 15 und die Schichtenfolge 16 sind auf einer ersten Seite des Substrats 14 angeordnet. Die erste Seite des Substrats 14 ist an der ersten Seite 2 des Bauelements 10 angeordnet. Der erste Kontakt 15 kann zum Beispiel eine Metallschicht sein. Als Material für den ersten Kontakt 15 kann zum Beispiel Aluminium oder Gold gewählt werden. An einer der ersten Seite des Substrats 14 gegenüberliegenden zweiten Seite des Substrats 14 kann ein zweiter Kontakt des Chips 11 angeordnet sein. Alternativ dazu kann der zweite Kontakt auch an der ersten Seite des Substrates 14 angeordnet sein. Die Schichtenfolge 16 kann eine Vielzahl von Schichten umfassen, die zum Beispiel mit Epitaxieverfahren auf die erste Seite des Substrats 14 aufgebracht wurden. Bei dem Beispiel einer LED ist die Schichtenfolge 16 dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Die von der Schichtenfolge 16 emittierte elektromagnetische Strahlung kann nachstehend vereinfacht auch als Licht bezeichnet werden, wobei der Begriff „Licht“ auch elektromagnetische Strahlung im für den Menschen nicht sichtbaren nahen ultravioletten und nahen infraroten Wellenlängenbereich bezeichnen soll.
  • Bei der Darstellung der 1a liegen die erste Seite des Substrats 14 und die Oberseite des Formkörpers 12 in einer Ebene. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann die Oberseite des Formkörpers zum Beispiel auch mit der Oberseite der Schichtenfolge 16 in einer Ebene liegen. Die Oberseite der Schichtenfolge 16 ist frei von dem Formkörper 12. Bei dem in 1a dargestellten Ausführungsbeispiel liegen an der Montageseite 4 die Unterseite des Substrates 14 und die Unterseite des Formkörpers 12 im Wesentlichen in einer Ebene. Die zweite Seite des Chips 11 ist frei von dem Formkörper. Der dargestellte Chip 12 erstreckt sich in vertikaler Richtung, also zwischen der ersten Seite 2 und der Montageseite 4, vollständig durch den Formkörper 12. Die Höhe des dargestellten Formkörpers 12 entspricht im Wesentlichen der Höhe des Chips 11. Mit der dargestellten Form des Bauelements 10 können zum Beispiel sehr flache Bauelemente realisiert werden. In anderen Ausführungsbeispielen kann zum Beispiel auch die zweite Seite des Chips 11 in die Formmasse 12 eingebettet sein.
  • Die elektrisch leitende Struktur 13 ist lateral beabstandet zum Chip 11 in den Formkörper 12 eingebettet. Die elektrisch leitende Struktur 13 durchdringt den Formkörper 12 in vertikaler Richtung, also zwischen der ersten Seite und der Montageseite, vollständig. Die Bezeichnungen lateral und vertikal beziehen sich dabei auf die in 1a dargestellte Anordnung.
  • Die den Formkörper 12 vertikal durchdringende elektrisch leitende Struktur 13 ist vorgesehen, den an der ersten Seite 2 angeordneten ersten Kontakt 15 des Chips 11 durch den Formkörper 12 hindurch mit dem an der Montagefläche 4 angeordneten ersten Anschlusskontakt 6 elektrisch leitend zu verbinden. Die elektrisch leitende Struktur 13 kann eine Durchkontaktierung von der ersten Seite 2 zur gegenüberliegend angeordneten Montageseite 4 bilden. Im Unterschied zu Durchkontaktierungen die zum Beispiel bei Leiterplatten verwendet werden, wird die elektrisch leitende Struktur 13 nicht durch eine Oberflächenmetallisierung einer Aussparung gebildet, sondern durch das Einbetten eines Vollkörpers in den Formkörper 12.
  • An der ersten Seite 2 ist ein Bereich der elektrisch leitenden Struktur 13 nicht in den Formkörper 12 eingebettet. Der an der ersten Seite 2 nicht von dem Formkörper 12 bedeckte Bereich der elektrisch leitenden Struktur 13 wird als erste Anschlussfläche 20 bezeichnet. Die erste Anschlussfläche 20 ist beabstandet zu dem ersten Kontakt 15 des Chips 11 angeordnet und über einen elektrischen Leiter mit dem ersten Kontakt 15 elektrisch leitend verbunden. Der elektrische Leiter kann zum Beispiel die in 1a dargestellt Metallschicht 18 sein. An der Montageseite 4 ist ein Bereich der elektrisch leitenden Struktur 13 nicht in den Formkörper 12 eingebettet. Der an der Montageseite 4 nicht von dem Formkörper 12 bedeckte Bereich der elektrisch leitenden Struktur 13 wird als zweite Anschlussfläche 22 bezeichnet.
  • Bei dem in 1a dargestellten Ausführungsbeispiel sind die erste und die zweite Anschlussfläche 20, 22 der elektrisch leitenden Struktur 13 gekrümmt. Die erste und die zweite Anschlussfläche 20, 22 der elektrisch leitenden Struktur 13 überragen den Formkörper 12 an der ersten Seite 2 und an der Montageseite 4. In weiteren Ausführungsbeispielen können die erste und/oder zweite Anschlussflächen 20, 22 der elektrisch leitenden Struktur 13 flach sein. Die flachen Anschlussflächen 20, 22 der elektrisch leitenden Struktur 13 und die Oberflächen des Formkörpers 12 können in einer Ebene angeordnet sein. Ferner kann eine der Anschlussflächen gekrümmt sein und die Oberfläche des Formkörpers überragen und die andere Anschlussfläche mit der Oberfläche des Formkörpers 12 in einer Ebene liegen.
  • Die erste Anschlussfläche 20 hat einen ersten Umfang U1. Die zweite Anschlussfläche 22 hat einen zweiten Umfang U2. Der erste und der zweiten Umfang U1 und U2 sind in 1b durch die gestrichelten Kreise angedeutet. Der erste Umfang U1 und die Oberfläche des Formkörpers 12 an der ersten Seite 2 liegen in einer Ebene S1. Der zweite Umfang U2 und die Oberfläche des Formkörpers 12 an der Montageseite 4 liegen in einer Ebene S2. Allgemein sind der erste und/oder der zweite Umfang U1, U2 kleiner als ein dritter Umfang U3. Der dritte Umfang U3 bezeichnet den Umfang einer Schnittfläche einer angenommenen Schnittebene Sa und der elektrisch leitenden Struktur 13. Die angenommene Schnittebene Sa ist zwischen einer durch den ersten Umfang U1 aufgespannten Ebene und einer durch den zweiten Umfang U2 aufgespannten Ebene angeordnet. Die angenommene Schnittebene Sa kann parallel zu der durch den ersten Umfang U1 aufgespannten Ebene angeordnet sein. Zur Veranschaulichung sind in 1a die erste Ebene S1 für den ersten Umfang U1 der ersten Anschlussfläche 20 und die zweite Ebene S2 für den zweiten Umfang U2 der zweiten Anschlussfläche 22 eingezeichnet.
  • Die elektrisch leitende Struktur kann zum Beispiel rotationssymmetrisch zu einer Normalen der ersten oder zweiten Ebene sein. Bei dem in 1a dargestellten Ausführungsbeispiel ist die elektrisch leitende Struktur 13 zum Beispiel eine Kugel. Der dritte Umfang U3 der Kugel ist ungefähr in der Mitte des Formkörpers 12 maximal. Somit sind beim in den 1a und 1b dargestellten Ausführungsbeispiel der erste und der zweite Umfang U1, U2 kleiner als der dritte Umfang U3. Bei dem Ausführungsbeispiel der 1a und 1b sind der erste Umfang U1 und der zweite Umfang U2 ungefähr gleich groß.
  • Die elektrisch leitende Struktur 13 kann aus Metall oder einer Metalllegierung gebildet sein. Zum Beispiel kann die elektrisch leitende Struktur 13 aus Aluminium, Kupfer, Eisen, Zinn, Zink oder einer diese Metalle enthaltenden Legierung gebildet sein. Ferner kann für die elektrisch leitende Struktur 13 auch ein metallisierter Isolator wie zum Beispiel metallisiertes Glas verwendet werden.
  • Bei dem in 1a dargestellten Bauelement ist zur elektrischen Verbindung des ersten Kontakts 15 des Chips 11 mit der elektrisch leitenden Struktur 13 an der ersten Seite 2 eine Metallschicht 18 angeordnet. Die Metallschicht 18 liegt auf dem ersten Kontakt 15, dem Formkörper 12 und auf der ersten Anschlussfläche 20 auf. Die Metallschicht 18 kann die erste Anschlussfläche 20 vollständig bedecken. Die Metallschicht 18 kann der Form der ersten Anschlussfläche 20 im Wesentlichen folgen. Die erste Metallschicht 18 kann in dem Bereich über der ersten Anschlussfläche 20 gekrümmt sein. Die Metallschicht 18 kann zum Beispiel aus Nickel, Palladium, Titan, Silber, Aluminium, Gold, Rhodium, Kupfer oder einer Legierung, die zumindest eines dieser Metalle enthält, gebildet sein. Das Material der Metallschicht 18 kann sich von dem Material der elektrisch leitenden Struktur 13 unterscheiden. In dem Randbereich des Chips 11 kann zwischen der Metallschicht 18 und dem Substrat 14 ein Isolator 24 angeordnet sein. Die Metallschicht 18 kann die erste Seite 2 des Formkörpers 12 vollständig oder annähernd vollständig bedecken und zusätzlich zur Funktion als elektrischer Leiter auch als Reflektor vorgesehen sein. Alternativ zu der Metallschicht 18 kann für die elektrische Verbindung der ersten Anschlussfläche 20 und des ersten Kontakts 15 zum Beispiel ein Bonddraht vorgesehen sein.
  • An der Montageseite 4 sind der erste und der zweiter Anschlusskontakt 6, 8 angeordnet. Der erste und zweite Anschlusskontakt 6, 8 sind elektrisch voneinander isoliert. Der erste und der zweite Anschlusskontakt 6, 8 sind zur Oberflächenmontage des Bauelements 10 vorgesehen. Der erste und zweite Anschlusskontakt 6, 8 können zum Beispiel Lotpads sein. Der erste Anschlusskontakt 6 liegt auf der zweiten Anschlussfläche 22 der elektrisch leitenden Struktur 13 auf. Der erste Anschlusskontakt 6 kann die zweite Anschlussfläche 22 vollständig bedecken. Der zweite Anschlusskontakt 8 ist mit einem an der zweiten Seite des Substrats 14 angeordneten zweiten Kontakt des Chips 11 elektrisch leitend verbunden. In Ausführungsbeispielen bei denen die zweite Seite des Chips 11 in den Formkörper 12 eingebettet ist, kann an der ersten Seite des Chips 11 ein zweiter Kontakt vorgesehen sein. Ein etwaig an der ersten Seite 2 des Bauelements angeordneter zweiter Kontakt des Chips 11 kann über eine zweite elektrisch leitende Struktur durch den Formkörper 12 hindurch mit dem an der Montagefläche 4 angeordneten zweiten Anschlusskontakt 8 verbunden sein.
  • Das in den 1a und 1b dargestellte Bauelement 10 umfasst ferner eine Schutzdiode 26. Die Schutzdiode 26 ist lateral neben dem Chip 11 und der elektrisch leitenden Struktur 13 angeordnet. Die Schutzdiode ist in den Formkörper 12 eingebettet. Die Schutzdiode 26 ist mit einem nicht dargestellten dritten Anschlusskontakt und der Metallschicht 18 elektrisch leitend verbunden und dazu eingerichtet, elektrische Pulse, die das Bauelement 10 beschädigen können, abzuleiten.
  • Nachstehend wird in Verbindung mit den 2a–2g ein Verfahren zum Erzeugen eines Bauelements 10 beschrieben. Die 2a–2g zeigen schematische Darstellungen unterschiedlicher Verfahrensschritte.
  • Die 2a ist eine seitliche Schnittdarstellung. In 2a ist ein temporärer Träger 32 mit einer Klebeschicht 34 dargestellt. Oberhalb des temporären Trägers 32 ist eine erste Schablone 36 angeordnet. Der temporäre Träger 32 dient während des Einbettens des Chips 11 als Auflage. Als temporärer Träger 32 kann zum Beispiel ein Halbleiter-Wafer, eine Keramik-, eine Glas- oder eine Metallplatte vorgesehen sein. Die Klebeschicht 34 kann zum Beispiel eine Klebfolie sein. Die aufgebrachte Klebeschicht 34 kann eine Dicke von 1 µm bis 150 µm aufweisen. Insbesondere kann die Klebeschicht 34 eine Dicke von 10 µm bis 50 µm aufweisen. Der temporäre Träger 32 und/oder die Klebeschicht 34 sind ausschließlich für die Herstellung des Bauelements vorgesehen und sind im Endprodukt nicht mehr enthalten.
  • Die erste Schablone 36 umfasst eine Oberfläche 38 und eine Vielzahl von Aussparungen 40. Die Aussparungen 40 sind beabstandet zueinander auf der Oberfläche 38 verteilt. Die Aussparungen 40 sind eingerichtet, jeweils eine der elektrisch leitenden Strukturen 13 aufzunehmen. Die Aussparungen 40 sind an die Form und die Größe der elektrisch leitenden Strukturen 13 angepasst. Die Aussparungen 40 in der ersten Schablone 36 sind Löcher, die die erste Schablone vollständig durchdringen. Der Durchmesser der Löcher kann über die gesamte Höhe der Löcher konstant sein. Ferner kann sich der Durchmesser der Löcher von der Oberfläche 38 zu der dem temporären Träger 32 zugewandten Seite verjüngen.
  • Die Anordnung der Aussparungen 40 in der ersten Schablone 36 entspricht der Anordnung mit der die elektrisch leitenden Strukturen 13 auf die Klebeschicht 34 des temporären Trägers 32 aufgebracht werden sollen. Die Genauigkeit der Anordnung der Aussparungen 40 bestimmt die Genauigkeit mit der die elektrisch leitenden Strukturen 13 auf den temporären Träger 32 aufgebracht werden können.
  • 2b ist eine Draufsicht auf die in 2a dargestellte Anordnung. Eine Vielzahl elektrisch leitender Strukturen 13 wird auf die erste Schablone 36 aufgebracht. Bei dem in 2b dargestellten Ausführungsbeispiel werden die elektrisch leitenden Strukturen 13 am Rand der Oberfläche 38 auf die erste Schablone 36 aufgebracht. Die elektrisch leitenden Strukturen 13 werden im Wesentlichen ungeordnet auf die erste Schablone 36 aufgebracht. Im Wesentlichen ungeordnet kann dabei zum Beispiel bedeuten, dass die elektrisch leitenden Strukturen 13 als Schüttgut auf die erste Schablone 36 aufgebracht werden. Die elektrisch leitenden Strukturen 13 können ferner im Wesentlichen gleichzeitig auf die erste Schablone 36 aufgebracht werden. Im Wesentlichen gleichzeitig kann dabei bedeuten, dass die elektrisch leitenden Strukturen nicht einzeln sondern in Gruppen auf die Schablone aufgebracht werden.
  • Die auf die erste Schablone 36 aufgebrachten elektrisch leitenden Strukturen 13 werden relativ zur Oberfläche der ersten Schablone 36 bewegt. Zum Bewegen der elektrisch leitenden Strukturen 13 kann zum Beispiel die erste Schablone 36 mit dem Träger 32 gekippt werden. Durch das Kippen der ersten Schablone 36 mit dem Träger 32 bewegen sich die elektrisch leitenden Strukturen 13 von dem linken Rand zum rechten Rand der ersten Schablone 36. Dies ist in 2c angedeutet. Während der Bewegung können die elektrisch leitenden Strukturen 13 in die Aussparungen 40 fallen. Bei der in 2a dargestellten ersten Schablone 36 fallen die elektrisch leitenden Strukturen 13 in gewisser Weise durch die erste Schablone 36 und landen auf der Klebeschicht 34. Somit werden die elektrisch leitenden Strukturen 13 beim Verteilen auf die Aussparungen 40 der ersten Schablone 36 auf die Klebeschicht 34 aufgebracht. Da eine Vielzahl elektrisch leitender Strukturen 13 während eines Arbeitsschrittes gemeinsam auf die Klebeschicht 34 aufgebracht wird, kann das Aufbringen auch als paralleles Aufbringen der elektrisch leitenden Strukturen bezeichnet werden.
  • Durch die Gewichtskraft der elektrisch leitenden Strukturen 13 werden die elektrisch leitenden Strukturen 13 in den Aussparungen 40 der ersten Schablone 36 fixiert. Zusätzlich können die elektrisch leitenden Strukturen 13 durch die Klebeschicht 34 fixiert werden. Durch wiederholtes Kippen in unterschiedliche Richtungen können die elektrisch leitenden Strukturen 13 so lange bewegt werden, bis in allen Aussparungen 40 eine elektrisch leitende Struktur 13 aufgenommen ist. Da dieser Vorgang im Wesentlichen unkontrolliert und ungerichtet erfolgen kann, kann die Verteilung der elektrisch leitenden Strukturen auf die Aussparungen 40 auch als Selbstanordnung oder Selbstjustierung bezeichnet werden. Die elektrisch leitenden Strukturen können sich auf der Oberfläche 38 frei bewegen. Neben der für das erste Ausführungsbeispiel beschriebenen Kugelform ist eine Vielzahl weiterer Formen für die beschriebene Selbstanordnung oder Selbstjustierung geeignet. Insbesondere eignen sich rotationssymmetrische oder rundete Formen, da diese in den Aussparungen weniger verkanten als eckige Formen.
  • Die elektrisch leitenden Strukturen 13 können zusätzlich in die Klebeschicht 34 gedrückt werden. Durch das Drücken der elektrisch leitenden Strukturen 13 in die Klebeschicht 34 kann zum Beispiel die Fixierung der elektrisch leitenden Strukturen 13 auf der Klebeschicht verbessert werden. Ferner kann zum Beispiel verhindert werden, dass die elektrisch leitenden Strukturen 13 durch die beim Erzeugen des Formkörpers 12 auftretenden Kräfte auf der Klebeschicht 34 verschoben werden. Ferner kann die Anschlussfläche vergrößert werden, da der von der Klebeschicht 34 bedeckte Teil der elektrisch leitenden Struktur 13 beim Einbetten in den Formkörper 12 nicht von dem Formkörper 12 bedeckt wird. Die elektrisch leitenden Strukturen 13 können nach oder vor dem Entfernen der ersten Schablone in die Klebeschicht 34 gedrückt werden.
  • Nach dem Aufbringen der elektrisch leitenden Strukturen 13 auf die Klebeschicht 34 wird die erste Schablone 36 entfernt.
  • Vor oder nach dem Aufbringen der elektrisch leitenden Strukturen 13 auf die Klebeschicht 34 wird eine Vielzahl von Halbleiter-Chips 11 auf die Klebeschicht 34 aufgebracht. Die Chips 11 werden mit der Oberseite der Schichtenfolge 16 auf die Klebeschicht 34 aufgebracht. Die Chips 11 werden in der Regel einzeln und nacheinander auf die Klebeschicht 34 gelegt. Dies kann auch als serielles Aufbringen einer Vielzahl von Chips 11 bezeichnet werden.
  • In 2d ist die auf die Klebeschicht aufgebrachte Vielzahl der Chips 11 und die Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen 13 angedeutet. Die bei der 2d rechts dargestellte elektrisch leitende Struktur 13 wurde in die Klebeschicht 34 gedrückt.
  • Bei der Darstellung der 2e sind die Chips 11 und die elektrisch leitenden Strukturen 13 in den Formkörper 12 eingebettet. Zum Einbetten des Chips 12 kann zum Beispiel ein Formpressvorgang (engl. Compression-Molding) oder ein Spritzpressvorgang vorgesehen sein. Zum Beispiel kann ein Film-Unterstützter-Spritzpressvorgang (engl. Film-Assisted-Transfer-Molding) vorgesehen sein. Die Chips 11 und die elektrisch leitenden Strukturen 13 werden gleichzeitig in den Formkörper 12 eingebettet.
  • In 2f ist das Bauelement nach einem Materialabtrag dargestellt. Der Materialabtrag kann zum Beispiel durch Schleifen erfolgen. Durch den Materialabtrag kann die Rückseite des Substrats 14 freigelegt werden. Ferner kann bei dem Materialabtrag auch Material der elektrisch leitenden Struktur 13 entfernt werden. Zum Beispiel kann die elektrisch leitenden Struktur 13 nach dem Materialabtrag ein Kugelsegment oder, so wie in 2f dargestellt, eine Halbkugel sein.
  • In weiteren Ausführungsbeispielen kann die Größe der elektrisch leitenden Struktur 13 auch so gewählt werden, dass die elektrisch leitende Struktur 13 durch den Materialabtrag nicht verändert wird. Zum Beispiel kann die Höhe der elektrisch leitenden Struktur ungefähr der Höhe des Chips 11 entsprechen. Ferner kann auch auf den Materialabtrag verzichtet werden. Zum Beispiel kann beim Einbetten der Chips 11 und der elektrisch leitenden Strukturen 13 ein Teil des Formwerkzeuges oder eine Folie direkt an der zweiten Seite des Chips 11 und der zweiten Anschlussfläche 22 der elektrisch leitenden Struktur 13 anliegen. In Abhängigkeit von der Anwendung für die das Bauelement 10 vorgesehen ist, kann der Formkörper 12 die zweite Seite des Chips 11 bedecken. Wenn die zweite Seite des Chips 11 nicht in den Formkörper 12 eingebettet ist, können an der Montagefläche 4 der Formkörper 12 und der Chips 11 im Wesentlichen in einer Ebene liegen. Unabhängig davon ob ein Materialabtrag vorgesehen ist oder der Formkörper 12 an der Montageseite 4 den Chip 11 bedeckt, erstreckt sich im Bauelement die elektrisch leitende Struktur 13 in vertikaler Richtung vollständig durch den Formkörper 12.
  • In 2g ist der Formkörper 12 mit dem eingebetteten Chips 11 und elektrisch leitenden Strukturen 13 nach dem Trennen von dem Träger 32 und der Klebeschicht 34 dargestellt. Nach dem Trennen werden auf der ersten Seite 2 und der Montageseite 4 elektrisch leitende Materialien aufgebracht. Zum Beispiel kann mit einem Beschichtungsprozess eine Metallschicht 18 auf die erste Seite 2 aufgebracht werden. Die durch die Beschichtung aufgebrachte Metallschicht 18 kann zum Beispiel durch Fotolithographie und Ätzen strukturiert werden. An der Montageseite 4 können vor oder nach dem Trennen von dem temporären Träger 32 und der Klebeschicht 34 Anschlusskontakte 6, 8 für die Oberflächenmontage aufgebracht werden.
  • Die Formkörper 12 können vereinzelt werden. Nach dem Vereinzeln der Formkörper können die Bauelemente zumindest einen Halbleiter-Chip 11 und zumindest eine elektrisch leitende Struktur 13 aufweisen.
  • In den 3a–3c ist eine Variante des in Verbindung mit den 2a–2g beschriebenen Verfahrens dargestellt. In 3a ist eine zweite Schablone 46 dargestellt. Im Unterschied zu der ersten Schablone 36 weist die Aussparung 40 bei der zweiten Schablone 46 einen Boden 48 auf. In dem Boden 48 ist mindestens eine Öffnung 50 angeordnet. Über die Öffnung 50 kann die Aussparung 40 mit einer Unterdruckquelle verbunden werden. Für das Aufbringen der elektrisch leitenden Strukturen 13 auf die zweite Schablone 46 können die elektrisch leitenden Strukturen 13 unter der zweiten Schablone 46 ungeordnet bereitgestellt werden.
  • Die zweite Schablone 46 kann über einer eine Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen 13 angeordnet werden, so dass die elektrisch leitenden Strukturen durch den Unterdruck in die Aussparungen 40 gesaugt werden. Um dies zu vereinfachen können die elektrisch leitenden Strukturen 13 und/oder die zweite Schablone 46 relativ zueinander bewegt werden. Zum Bewegen der elektrisch leitenden Strukturen relativ zu der zweiten Schablone 46 kann zum Beispiel ein Ultraschallschwinger vorgesehen sein. Auch hier erfolgt die Verteilung der elektrisch leitenden Strukturen 13 auf die Aussparungen 40 durch Selbstjustierung der elektrisch leitenden Strukturen 13. Nachdem in allen Aussparungen 40 eine elektrisch leitende Struktur 13 angeordnet ist, können die elektrisch leitenden Strukturen 13 gleichzeitig auf die Klebeschicht 34 aufgebracht werden.
  • Vor dem Aufbringen der elektrisch leitenden Strukturen 13 können die elektrisch leitenden Strukturen 13 plastisch verformt werden. Dies ist in 3b dargestellt. Zum Beispiel kann die zweite Schablone 46 als ein erster Teil eines Presswerkzeuges ausgestaltet sein. Ein zweiter Teil 52 des Presswerkzeuges kann von unten gegen die zweite Schablone gedrückt werden. Die Höhe der Kavitäten in dem Presswerkzeug kann kleiner als die ursprüngliche Höhe der elektrisch leitenden Struktur 13 sein. Beim Schließen des Presswerkzeuges kann die elektrisch leitende Struktur 13 plastisch verformt werden. Zum Beispiel können die Kavitäten des Presswerkzeuges so geformt sein, dass die elektrisch leitenden Strukturen 13 in abgerundete Kegelstümpfe umgeformt werden. Ferner können die elektrisch leitenden Strukturen 13 zum Beispiel zu Quetschkugeln, einseitig abgeflachten Kugeln oder zweiseitig abgeflachten Kugel umgeformt werden.
  • Ein plastisches Umformen der elektrisch leitenden Strukturen kann zum Beispiel vorgesehen sein, um die erste und/oder zweite Anschlussfläche 20, 22 der elektrisch leitenden Struktur 13 zu vergrößern. Dies kann zum Beispiel bei kugelförmigen elektrisch leitenden Strukturen 13 vorgesehen sein. Eine große erste und/oder zweite Anschlussfläche 20, 22 kann vorgesehen sein, um die Kontaktfläche zwischen der elektrisch leitenden Struktur 13 und der Metallschicht 18 beziehungsweise des ersten Anschlusskontakts 6 zu erhöhen. Ferner kann eine große erste und/oder zweite Anschlussfläche 20, 22 vorgesehen sein, um die Fläche mit der die elektrisch leitende Struktur 13 an der Klebeschicht 34 anliegt zu erhöhen. Dadurch kann zum Beispiel verhindert werden, dass die elektrisch leitende Struktur 13 während dem Einbetten in den Formkörper 12 verschoben wird.
  • In 3c ist dargestellt, wie die plastisch verformten elektrisch leitenden Strukturen 13 auf die Klebeschicht aufgebracht werden. Da die elektrisch leitenden Strukturen 13 im Wesentlichen gleichzeitig auf die Klebeschicht 34 aufgebracht werden, kann das Aufbringen auch als paralleles Aufbringen bezeichnet werden.
  • Die in Verbindung mit den 3a–3c beschriebenen plastisch verformten elektrisch leitenden Strukturen 13 können nach dem Aufbringen auf die Klebeschicht 34 mit den in Verbindung mit den 2d–2g beschriebenen Schritten weiter verarbeitet werden. Zum Beispiel können die plastisch verformten elektrisch leitenden Strukturen in die Klebeschicht 34 gedrückt werden und dann zusammen mit den Chips 11 gemeinsam in einen Formkörper eingebettet werden.
  • In 4a ist ein zweites Bauelement schematisch dargestellt. Die 4a ist eine Schnittdarstellung in Seitenansicht des zweiten Bauelements 60. Das zweite Bauelement 60 unterscheidet sich insbesondere durch die Form der elektrisch leitenden Struktur 13 vom ersten Bauelement 10.
  • Beim zweiten Bauelement 60 hat die elektrisch leitende Struktur 13 die Form einer Halbkugel. Die erste Anschlussfläche 20 ist gekrümmt und überragt an der ersten Seite 2 des Bauelements 60 die Oberfläche des Formkörpers 12. Die Montageseite 4 wurde durch einen Materialabtrag bearbeitet. Die zweite Anschlussfläche 22 ist eben und liegt mit der an der Montageseite 4 angeordneten Oberfläche des Formkörpers 12 in einer Ebene.
  • Bei dem in 4a dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel ist der zweite Umfang U2 größer als der erste Umfang U1. Ferner ist der zweite Umfang U2 größer als der dritte Umfang U3. Der erste Umfang U1 ist kleiner als der dritte Umfang U3. Die unterschiedlichen Umfänge sind in 4b dargestellt.
  • Das zweite Bauelement 60 weist ferner ein Auskoppelelement 62 auf. Das Auskoppelelement 62 kann zum Beispiel aus einem Silikon- oder Epoxidharz geformt sein. Das Auskoppelelement 62 kann die Form einer Linse aufweisen. Das Auskoppelelement 62 ist für das von der Schichtenfolge 16 emittierte Licht transparent. In den Auskoppelelement 62 können ferner nicht dargestellte Konversions – und/oder Streupartikel enthalten sein. Das Auskoppelement 62 ist unabhängig von der Form der elektrisch leitenden Struktur 13. Somit kann das Auskoppelelement 62 auch bei anderen Ausführungsbeispielen vorgesehen sein.
  • In 5a ist ein drittes Bauelement schematisch dargestellt. Die 5a ist eine Schnittdarstellung in Seitenansicht eines dritten Bauelements 70. Das dritte Bauelement 70 unterscheidet sich durch die Form der elektrisch leitenden Struktur 13 vom dem ersten und zweiten Bauelement 10, 60.
  • Beim dritten Bauelement 70 hat die elektrisch leitende Struktur 13 die Form einer plastisch verformten Kugel. Die plastisch verformte Kugel kann zum Beispiel mit den in Verbindung mit den 3a–3c erläuterten Schritten verformt werden. Die erste Anschlussfläche 20 ist eben und liegt an der ersten Seite 2 des Bauelements 60 mit der Oberfläche des Formkörpers 12 in einer Ebene. Die zweite Anschlussfläche 22 ist eben und liegt an der Montageseite 4 mit der Oberfläche des Formkörpers 12 in einer Ebene.
  • Bei dem in 5a dargestellten dritten Ausführungsbeispiel ist der zweite Umfang U2 kleiner als der erste Umfang U1. Ferner ist der zweite Umfang U2 kleiner als der dritte Umfang U3. Der erste Umfang U1 ist größer als der dritte Umfang U3. Die unterschiedlichen Umfänge sind in 5b dargestellt.
  • In 6a ist ein viertes Bauelement schematisch dargestellt. Die 6a ist eine Schnittdarstellung in Seitenansicht eines vierten Bauelements 80. Das vierte Bauelement 80 unterscheidet sich durch die Form der elektrisch leitenden Struktur 13 vom dem ersten, zweiten und dritten Bauelement 10, 60, 70.
  • Beim vierten Bauelement 80 hat die elektrisch leitende Struktur 13 die Form einer Stumpfteilkugel. Diese Form kann zum Beispiel durch Materialabtrag an der ersten Seite 2 und der Montageseite 4 erzeugt werden. Die erste Anschlussfläche 20 ist eben und liegt an der ersten Seite 2 des Bauelements 70 mit der Oberfläche des Formkörpers 12 in einer Ebene. Die zweite Anschlussfläche 22 ist eben und liegt an der Montageseite 4 mit der Oberfläche des Formkörpers 12 in einer Ebene.
  • Bei dem in 6a dargestellten vierten Ausführungsbeispiel ist der zweite Umfang U2 größer als der erste Umfang U1. Ferner ist der erste Umfang U1 kleiner als der dritte Umfang U3. Der zweite Umfang U2 ist größer als der dritte Umfang U3. Die unterschiedlichen Umfänge sind in 6b dargestellt.
  • In 7a ist ein fünftes Bauelement schematisch dargestellt. Die 7a ist eine Schnittdarstellung in Seitenansicht eines fünften Bauelements 90. Das fünfte Bauelement 90 unterscheidet sich durch die Form der elektrisch leitenden Struktur 13 vom dem ersten, zweiten, dritten und vierten Bauelement 10, 60, 70, 80.
  • Beim fünften Bauelement 90 hat die elektrisch leitende Struktur 13 die Form einer Doppelquetsch-Kugel. Diese Form kann zum Beispiel durch plastisches Verformen einer Kugel erzeugt werden. Die erste Anschlussfläche 20 ist eben und liegt an der ersten Seite 2 des Bauelements 70 mit der Oberfläche des Formkörpers 12 in einer Ebene. Die zweite Anschlussfläche 22 ist eben und liegt an der Montageseite 4 mit der Oberfläche des Formkörpers 12 in einer Ebene.
  • Bei dem in 7as dargestellten fünften Ausführungsbeispiel sind der erste Umfang U1 und der zweite Umfang U2 ungefähr gleich groß. Ferner ist der erste Umfang U1 und der zweite Umfang U2 kleiner als der dritte Umfang U3. Die unterschiedlichen Umfänge sind in 7b dargestellt.
  • Das elektrische Bauelement und das Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements wurden zur Veranschaulichung des zugrundeliegenden Gedankens anhand einiger Ausführungsbeispiele beschrieben. Die Ausführungsbeispiele sind dabei nicht auf bestimmte Merkmalskombinationen beschränkt. Auch wenn einige Merkmale und Ausgestaltungen nur im Zusammenhang mit einem besonderen Ausführungsbeispiel oder einzelnen Ausführungsbeispielen beschrieben wurden, können sie jeweils mit anderen Merkmalen aus anderen Ausführungsbeispielen kombiniert werden. Es ist ebenso möglich, in Ausführungsbeispielen einzelne dargestellte Merkmale oder besondere Ausgestaltungen wegzulassen oder hinzuzufügen, soweit die allgemeine technische Lehre realisiert bleibt.
  • Auch wenn die Schritte des Verfahrens zum Herstellen des elektrischen Bauelements in einer bestimmten Reihenfolge beschrieben sind, so ist es selbstverständlich, dass jedes der in dieser Offenbarung beschriebenen Verfahren in jeder anderen, sinnvollen Reihenfolge durchgeführt werden kann, wobei auch Verfahrensschritte ausgelassen oder hinzugefügt werden können, soweit nicht von dem Grundgedanken der beschriebenen technischen Lehre abgewichen wird.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102009036621 A1 [0002]

Claims (15)

  1. Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements (10, 60, 70, 80, 90) mit einer Montageseite (4) und einer der Montageseite (4) gegenüberliegend angeordneten ersten Seite (2), mit – Bereitstellen eines temporären Trägers (32) mit einer Klebeschicht (34); – Bereitstellen einer Schablone (36, 46) mit einer Vielzahl von Aussparungen (40); – Aufbringen einer Vielzahl elektrisch leitender Strukturen (13) auf die Schablone (36, 46), wobei die Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) im Wesentlichen ungeordnet auf die Schablone (36, 46) aufgebracht wird; – Verteilen der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) auf die Aussparungen (40) der Schablone (36, 46), wobei in den Aussparungen (40) jeweils eine elektrisch leitende Struktur (13) angeordnet ist; – Aufbringen der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) auf die Klebeschicht (34); – Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiter-Chips (11) auf die Klebeschicht (34), wobei die Halbleiter-Chips (11) mit einer im Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) an der ersten Seite (2) des Bauelements angeordneten Schichtenfolge (16) des Halbleiter-Chips (11) auf die Klebeschicht (34) aufgebracht werden; – Einbetten der Halbleiter-Chips (11) und der elektrisch leitenden Strukturen (13) in einen Formkörper (12), wobei der Formkörper (12) die elektrisch leitenden Strukturen (13) und die Halbleiter-Chips (11) elektrisch isoliert; – Trennen des Formkörpers (12) von der Klebeschicht (34) und dem temporären Träger (32); und – elektrisches Verbinden eines an der ersten Seite (2) des Bauelements (10, 60, 70, 80, 90) angeordneten ersten Kontakts (15) des Halbleiter-Chips (11) mit einer an der ersten Seite (2) des Bauelements angeordneten ersten Anschlussfläche (20) der elektrisch leitenden Struktur (13).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Verteilen der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) auf die Aussparungen (40) der Schablone (36, 46) ein Bewegen der elektrisch leitenden Strukturen (13) relativ zu der Schablone (36, 46) umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Bewegung der Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) relativ zur Schablone (36, 46) im Wesentlichen frei ist.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) nach dem Aufbringen auf die Klebeschicht (34) in die Klebeschicht (34) gedrückt wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste Anschlussfläche (20) der elektrisch leitenden Struktur (13) durch das Aufbringen einer Oberflächenmetallisierung (18) elektrisch leitend mit dem ersten Kontakt (15) des Halbleiter-Chips (11) verbunden wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) vor dem Aufbringen auf die Klebeschicht (34) plastisch verformt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Vielzahl der elektrisch leitenden Strukturen (13) nach dem Umformen mit Formmasse (12) durch einen Materialabtrag bearbeitet wird.
  8. Oberflächenmontierbares Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) mit einer Montageseite (4) und einer der Montageseite (4) gegenüberliegend angeordneten ersten Seite (2), wobei – das Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) einen Halbleiter-Chip (11), einen elektrisch isolierenden Formkörper (12) und eine elektrisch leitende Struktur (13) umfasst; – der Formkörper (12) die vertikal zwischen der Montageseite (4) und der ersten Seite (2) angeordneten Seitenflächen des Halbleiter-Chips (11) und der elektrisch leitenden Struktur (13) umgibt und eine laterale elektrische Isolierung zwischen der elektrisch leitenden Struktur (13) und dem Halbleiter-Chip (11) bildet; – an der Montageseite (4) des Bauelements (10, 60, 70, 80, 90) ein erster und ein zweiter Anschlusskontakt (6, 8) zur Oberflächenmontage des Bauelements (10, 60, 70, 80, 90) angeordnet sind; – an der ersten Seite (2) des Bauelements eine Schichtenfolge (16), ein erster elektrischer Kontakt (15) des Halbleiter-Chips (11) und eine erste Anschlussfläche (20) der elektrisch leitenden Struktur (13) angeordnet sind, und wobei ein elektrischer Leiter den ersten Kontakt (15) des Halbleiter-Chips (11) und die erste Anschlussfläche (20) der elektrisch leitenden Struktur (13) elektrisch leitend verbindet; – die elektrisch leitende Struktur (13) ein Vollkörper ist; – an der Montageseite (4) der erste Anschlusskontakt (6) eine zweite Anschlussfläche (22) der elektrisch leitenden Struktur (13) bedeckt; – wobei ein erster Umfang (U1) der ersten Anschlussfläche (20) und/oder ein zweiter Umfang (U2) der zweiten Anschlussfläche (22) der elektrisch leitenden Struktur (13) kleiner ist, als ein dritter Umfang (U3) einer zwischen der ersten und zweiten Anschlussfläche (20, 22) angeordneten Schnittfläche der elektrisch leitenden Struktur (13).
  9. Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) nach Anspruch 8, wobei die erste und/oder die zweite Anschlussfläche (20, 22) der elektrisch leitenden Struktur (13) gekrümmt ist.
  10. Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) nach einem der Ansprüche 8 oder 9, wobei die elektrisch leitende Struktur (13) aus Aluminium, Kupfer, Eisen, Zinn, Zink, Gold oder einer diese Metalle enthaltenden Legierung geformt ist oder die elektrisch leitende Struktur (13) aus einem metallisierten Glas geformt ist.
  11. Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die Höhe der elektrisch leitenden Struktur (13) größer als die Höhe des Formkörpers ist.
  12. Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei der an der ersten Seite (2) des Bauelements angeordnete elektrisch Leiter, der den ersten Kontakt (15) und die erste Anschlussfläche (20) elektrisch leitend verbindet, eine Metallschicht (18) ist.
  13. Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei die elektrisch leitende Struktur (13) eine Kugel ist oder eine von einer Kugel abgeleitete Form aufweist.
  14. Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) nach einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei die Mantelfläche der elektrisch leitenden Struktur (13) in vertikaler Richtung von der ersten Anschlussfläche (20) zur zweiten Anschlussfläche (22) gekrümmt ist.
  15. Bauelement (10, 60, 70, 80, 90) nach einem der Ansprüche 8 bis 14, wobei die elektrisch leitende Struktur (13) eine Form aufweist, die geeignet ist, beim Aufbringen und Bewegen der elektrisch leitenden Strukturen (13) auf einer Schablone (36, 46) mit Aussparungen (40), die elektrisch leitenden Strukturen (13) durch Verteilen der elektrisch leitenden Strukturen auf die Aussparungen (40) die elektrisch leitenden Strukturen (13) selbst zu justieren.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021108532A1 (de) 2021-04-06 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002359323A (ja) * 2001-03-26 2002-12-13 Nec Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
DE10130290A1 (de) * 2001-06-26 2003-01-09 Pac Tech Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Substratanordnung
DE102009036621A1 (de) 2009-08-07 2011-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement
US20110127678A1 (en) * 2008-06-20 2011-06-02 Il Kwon Shim Integrated circuit packaging system with embedded circuitry and post
US8269335B2 (en) * 2008-10-21 2012-09-18 Panasonic Corporation Multilayer semiconductor device and electronic equipment

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6253992B1 (en) 1998-03-18 2001-07-03 Tessera, Inc. Solder ball placement fixtures and methods
US20090108053A1 (en) 2007-10-26 2009-04-30 Huddleston Wyatt A Solder Ball Placement Vacuum Tool
US7727813B2 (en) 2007-11-26 2010-06-01 Infineon Technologies Ag Method for making a device including placing a semiconductor chip on a substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002359323A (ja) * 2001-03-26 2002-12-13 Nec Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
DE10130290A1 (de) * 2001-06-26 2003-01-09 Pac Tech Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Substratanordnung
US20110127678A1 (en) * 2008-06-20 2011-06-02 Il Kwon Shim Integrated circuit packaging system with embedded circuitry and post
US8269335B2 (en) * 2008-10-21 2012-09-18 Panasonic Corporation Multilayer semiconductor device and electronic equipment
DE102009036621A1 (de) 2009-08-07 2011-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021108532A1 (de) 2021-04-06 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

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