DE102021006403A1 - LED-Modul und Beleuchtungseinrichtung - Google Patents

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Jeongeun Yun
Chohui Kim
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Abstract

Es wird ein Leuchtdioden(LED)-Modul geschaffen, das eingerichtet ist, weißes Licht zu emittieren. Das LED-Modul umfasst: eine blaue Leuchtdiode (30), die eingerichtet ist, blaues Licht mit einer ersten Peakwellenlänge von 420 nm bis 465 nm zu emittieren; mindestens ein Wellenlängenumwandlungsmaterial (54, 56), das eingerichtet ist, einen Teil des blauen Lichts in umgewandeltes Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln; und eine Nahinfrarot-Lichtquelle, die eingerichtet ist, ein zusätzliches Licht mit einer zweiten Peakwellenlänge in einem Bereich von 740 nm bis 900 nm und einer Halbwertsbreite (FWHM) von 120 nm oder weniger zu emittieren. Das umgewandelte Licht, ein anderer Teil des blauen Lichts und das zusätzliche Licht kombinieren sich miteinander, um das weiße Licht zu bilden.

Description

  • HINTERGRUND
  • 1. Gebiet
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung betreffen ein Leuchtdioden(LED)-Modul und eine Beleuchtungseinrichtung.
  • 2. Beschreibung der verwandten Technik
  • Im Allgemeinen kann eine LED-Beleuchtungseinrichtung ein LED-Modul umfassen, das mindestens einen LED-Chip umfasst, der Licht einer spezifischen Wellenlänge emittiert.
  • Insbesondere kann eine LED-Beleuchtungseinrichtung (z. B. eine Weißlichteinrichtung) eingerichtet sein, weißes Licht zu emittieren. Eine Weißlichteinrichtung, die LEDs verwendet, kann LED-Chips verschiedener Wellenlängen umfassen oder kann ein LED-Modul umfassen, in dem ein Wellenlängenumwandlungsmaterial, wie beispielsweise ein Leuchtstoff, mit mindestens einem LED-Chip kombiniert ist.
  • In den letzten Jahren wurde lebens- (oder menschen-)freundliches Licht gefordert, das biologische Effekte auf Menschen und lebende Organismen sowie konventionelle Lichtfunktionen berücksichtigt.
  • KURZFASSUNG
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist, ein LED-Modul und eine Beleuchtungseinrichtung, die eine Photobiomodulationsfunktion aufweist, zu schaffen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen wird ein Leuchtdioden(LED)-Modul geschaffen, das eingerichtet ist, weißes Licht zu emittieren. Das LED-Modul umfasst: eine blaue Leuchtdiode, die eingerichtet ist, blaues Licht mit einer ersten Peakwellenlänge von 420 nm bis 465 nm zu emittieren; mindestens ein Wellenlängenumwandlungsmaterial, das eingerichtet ist, einen Teil des blauen Lichts in umgewandeltes Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln; und eine Nahinfrarot-Lichtquelle, die eingerichtet ist, ein zusätzliches Licht mit einer zweiten Peakwellenlänge in einem Bereich von 740 nm bis 900 nm und einer Halbwertsbreite (FWHM) von 120 nm oder weniger zu emittieren, wobei sich das umgewandelte Licht, ein anderer Teil des blauen Lichts und das zusätzliche Licht kombinieren, um das weiße Licht zu bilden.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen wird ein Leuchtdioden(LED)-Modul geschaffen. Das LED-Modul umfasst: eine erste Lichtquelle umfassend mindestens eine Leuchtdiode, wobei die erste Lichtquelle eingerichtet ist, ein erstes Licht in einem sichtbaren Band zu emittieren; und eine zweite Lichtquelle, die eingerichtet ist, ein zweites Licht zu emittieren, das eine Peakwellenlänge in einem Bereich von 740 nm bis 900 nm aufweist.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen wird ein Leuchtdioden(LED)-Modul geschaffen. Das LED-Modul umfasst: ein Package-Substrat; eine Leuchtdiode, die auf dem Package-Substrat montiert ist und eingerichtet ist, ein erstes Licht innerhalb eines Wellenlängenbands für sichtbares Licht zu emittieren; eine Wellenlängenumwandlungseinheit umfassend mindestens ein Wellenlängenumwandlungsmaterial, das eingerichtet ist, durch das erste Licht angeregt zu werden, sodass es ein zweites Licht mit einer Peakwellenlänge in einem Bereich von 740 nm bis 900 nm emittiert; und einen Wellenlängenfilter, der auf der Wellenlängenumwandlungseinheit angeordnet ist und eingerichtet ist, das erste Licht zu blockieren und das zweite Licht zu transmittieren.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen wird eine Leuchtdioden(LED)-Beleuchtungseinrichtung geschaffen. Die LED-Beleuchtungseinrichtung umfasst: eine erste LED-Lichtquelle, die eingerichtet ist, weißes Licht zu emittieren; eine zweite LED-Lichtquelle, die eingerichtet ist, ein Licht zu emittieren, das eine Peakwellenlänge in einem Bereich von 740 nm bis 900 nm aufweist; und einen Treiber-Controller, der eingerichtet ist, einen Strom zu steuern, der an jeweils der ersten LED-Lichtquelle und der zweiten LED-Lichtquelle angelegt wird.
  • Figurenliste
  • Die vorstehenden und andere Aspekte, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen klar ersichtlich sein. Es zeigen:
    • 1 eine schematische Querschnittsansicht, die ein LED-Modul gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 2A ein Emissionsspektrum von weißem Licht, das von einem LED-Modul emittiert wird, gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 2B ein Emissionsspektrum von weißem Licht, das von einem LED-Modul emittiert wird, gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 3A ein Wirkungsspektrum zum Stimulieren einer Geschwindigkeit von DNA-Synthese in Zellen;
    • 3B einen Graph, der eine Hauteindringtiefe gemäß einer Wellenlänge darstellt;
    • 4 das ATP-Wirkungsspektrum, das in beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eingesetzt wird;
    • 5 ein Graph, der ein Emissionsspektrum eines Nahinfrarot(NIR)-Wellenlängenumwandlungsmaterials darstellt, das in einem LED-Module gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einsetzbar ist;
    • 6 stellt Emissionsspektren von weißem Licht, das von LED-Modulen emittiert wird, gemäß Beispielen und Vergleichsbeispielen der vorliegenden Offenbarung dar;
    • 7A eine erste schematische Querschnittsansicht, die einen Leuchtdioden-Chip darstellt, der in einer ein weißes Licht emittierenden Einrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eingesetzt wird;
    • 7B eine zweite schematische Querschnittsansicht, die den Leuchtdioden-Chip darstellt, der in der ein weißes Licht emittierenden Einrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eingesetzt wird;
    • 8 ein Emissionsspektrum von weißem Licht einer ein weißes Licht emittierenden Einrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 9 ein Emissionsspektrum von weißem Licht einer ein weißes Licht emittierenden Einrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 10 eine schematische Querschnittsansicht, die ein LED-Modul gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 11A eine schematische Querschnittsansicht, die ein LED-Modul gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 11B eine schematische Querschnittsansicht, die ein LED-Modul gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 12 ein Blockschaltbild einer LED-Beleuchtungseinrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 13 eine perspektivische Ansicht eines LED-Moduls gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 14 eine seitliche Querschnittsansicht des LED-Moduls gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 15 eine seitliche Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine ein weißes Licht emittierenden Einrichtung darstellt, die in dem LED-Lichtemittierungsmodul aus 13 eingesetzt werden kann;
    • 16 eine seitliche Querschnittsansicht, die ein erstes und ein zweites LED-Package, die in dem LED-Modul eingesetzt werden können, gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 17 eine schematische perspektivische Ansicht einer flachen Panel-Beleuchtungseinrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung; und
    • 18 eine perspektivische Explosionsansicht, die eine Beleuchtungseinrichtung vom Glühbirnen-Typ gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Nachfolgend werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
  • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein LED-Modul gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Bezug nehmend auf 1 kann ein LED-Modul 100 gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform ein Package-Substrat 10, eine Leuchtdiode (LED) 30, die sich auf dem Package-Substrat 10 befindet, und eine Wellenlängenumwandlungseinheit 50 umfassen. Das LED-Modul 100 kann ferner ein Paar Lead-Frames 11 und 12 umfassen, die elektrisch mit der LED 30 verbunden sind, eine Seitenwandreflektionseinheit 20, die eine Becherform aufweist, und einen leitfähigen Draht 33, der die LED 30 (z. B. eine blaue LED) und die Lead-Frames 11 und 12 verbindet. In dieser Beschreibung ist bei der Verwendung des Begriffs „LED-Modul“ „LED-Package“ mit umfasst.
  • Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann das Package-Substrat 10 aus einem undurchsichtigen Harz oder einem Harz mit einer hohen Reflexionskraft ausgebildet sein. Das Package-Substrat 10 kann zum Beispiel auch ein Harz umfassen, das ein stark reflektierendes Pulver umfasst (z. B. TiO2). Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann das Package-Substrat 10 aus einer Keramik bestehen, das es Wärme erlaubt, einfach ausgestrahlt zu werden. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann das Package-Substrat 10 eine Platine sein, die ein Verdrahtungsmuster aufweist, welches die Lead-Frames 11 und 12 ersetzt.
  • Die Seitenwandreflektionseinheit 20 kann sich auf dem Package-Substrat 10 und den Lead-Frames 11 und 12 befinden und kann einen Hohlraum zum Aufnehmen der LED 30 aufweisen. Die Seitenwandreflektionseinheit 20 kann eine Becherform aufweisen, um eine Reflektionseffizienz von Licht zu verbessern; sie ist allerdings nicht darauf beschränkt. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann die Seitenwandreflektionseinheit 20 auch integral mit dem Package-Substrat 10 ausgebildet sein. Die Seitenwandreflektionseinheit 20 und das Package-Substrat 10 können zum Beispiel aus dem gleichen Material (z. B. einem Harz, das ein stark reflektierendes Pulver beinhaltet) durch den gleichen Prozess (z. B. Spritzgießen) ausgebildet sein.
  • Das LED-Modul 100 gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann ein LED-Modul sein, das eingerichtet ist, weißes Licht zu emittieren.
  • Die LED 30 kann eine blaue LED sein, die eine epitaktische Halbleiterschicht umfasst, die eingerichtet ist, ein blaues Licht zu emittieren. Blaues Licht, das von der LED 30 emittiert wird, kann eine Peakwellenlänge in einem Bereich von 420 nm bis 465 nm aufweisen. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann das blaue Licht eine Peakwellenlänge in einem Bereich von 430 nm bis 455 nm haben.
  • Die Wellenlängenumwandlungseinheit 50 kann sich auf einem optischen Pfad der LED 30 befinden und kann eine Mehrzahl von Wellenlängenumwandlungsmaterialien umfassen, die in einem transparenten Harz 52 verteilt sind. Die Mehrzahl von Wellenlängenumwandlungsmaterialien kann ein erstes bis drittes Wellenlängenumwandlungsmaterial 54, 56 und 58 umfassen, die durch blaues Licht angeregt werden, das von der LED 30 erzeugt wird, um Licht mit unterschiedlichen Wellenlängen zu emittieren. Das transparente Harz 52 kann zum Beispiel als Epoxid, Silikon, modifiziertes Silikon, Urethanharz, Oxetanharz, Acrylharz, Polykarbonat, Polyimid und Kombinationen daraus hergestellt sein. Anstelle das erste bis dritte Wellenlängenumwandlungsmaterial 54, 56 und 58 in dem transparenten Harz 52 zu verteilen, kann das transparente Harz 52 bei einigen beispielhaften Ausführungsformen direkt auf eine Oberfläche der LED 30 aufgetragen sein (siehe erste LED-Lichtquelle 100' in 15).
  • Das erste Wellenlängenumwandlungsmaterial 54 und das zweite Wellenlängenumwandlungsmaterial 56, die in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingesetzt werden, können eingerichtet sein, jeweils ein erstes und ein zweites Licht unterschiedlicher Farben in einem Wellenlängenband für sichtbares Licht zu emittieren. Das erste und das zweite Licht können mit einer Einheit mit nicht umgewandeltem Blaulicht kombiniert werden, um ein gewünschtes weißes Licht zu emittieren. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann eine Peakwellenlänge des ersten Lichts von 520 nm bis 560 nm reichen und eine Peakwellenlänge des zweiten Lichts kann von 600 nm bis 660 nm reichen. Das erste Wellenlängenumwandlungsmaterial 54 kann zum Beispiel (Ga,Gd,Y,Lu)3Al5O12:Ce3+, La3Si6N11:Ce3+, (Sr,Ca,Ba)Si2O2N2:Eu2+, (Sr,Ba)2SiO4:Eu2+, β-SiAlON:Eu2+ oder eine Kombination daraus umfassen. Das zweite Wellenlängenumwandlungsmaterial 56 kann (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+, CaAlSiN3:Eu2+, KxSiFy:Mn4+(2≤x≤3,4≤y≤7) (nachfolgend als KSF bezeichnet) oder eine Kombination daraus umfassen.
  • Das so erhaltene weiße Licht weißt einen Farb-Rendering-Index (CRI) von 70 oder mehr auf und ein Wellenlängenumwandlungsmaterial und ein Mischungsverhältnis desselben kann auf geeignete Weise ausgewählt werden, sodass es eine angemessene Farbtemperatur aufweist. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann die Farbtemperatur (CCT) des weißen Lichts in einem Bereich von 1.800 bis 6.500 K ausgelegt sein.
  • Ein drittes Wellenlängenumwandlungsmaterial (z. B. Wellenlängenumwandlungsmaterial 58), das in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingesetzt wird, kann eingerichtet sein, Licht in einem Nahinfrarotband zu emittieren. Licht in dem Nahinfrarotband kann eine Peakwellenlänge von 740 nm bis 900 nm haben. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann Licht in dem Nahinfrarotband eine Peakwellenlänge von 750 nm bis 850 nm aufweisen. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann Licht in dem Nahinfrarotband eine Halbwertsbreite (FWHM) von 120 nm oder weniger aufweisen.
  • 2A stellt ein Emissionsspektrum von weißem Licht, das von einem LED-Modul emittiert wird, gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dar.
  • Bezug nehmend auf 2A ist ein Spektrum 2 von weißem Licht gezeigt, das von einem LED-Modul ähnlich wie dem LED-Modul 100, das in 1 gezeigt ist, emittiert wird. Insbesondere kann das LED-Modul gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform einen blauen LED-Chip mit einer Peakwellenlänge von 448 nm umfassen und kann eine Struktur haben, die einen Leuchtstoff CaAl12-xO19:xCr3+ (0≤x≤1) (siehe 5) als drittes Wellenlängenumwandlungsmaterial für Nahinfrarotlicht verwendet, zusammen mit (Ga,Gd,Y,Lu)3Al5O12:Ce3+ und CaAlSiN3:Eu2+ als jeweils erstes und zweites Wellenlängenumwandlungsmaterial. Ein Spektrum 2 dagegen stellt ein Spektrum von weißem Licht dar, das von dem LED-Modul emittiert wird, in dem nur das dritte Wellenlängenumwandlungsmaterial in dem oben beschriebenen LED-Modul 100 ausgelassen wird.
  • In dem Spektrum 1 von weißem Licht gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann eine Peakintensität zwischen 740 nm und 900 nm 4,5 % oder mehr einer Peakintensität in einem blauen Band (z. B. 420 nm bis 465 nm) betragen und bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann sie 7 % oder mehr betragen.
  • In dem Spektrum 1 von weißem Licht kann die Intensität eines Nahinfrarotbands durch das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 erhöht werden. Eine Lichtverstärkung in dem Nahinfrarotband gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsfonn kann durch eine integrierte Menge an Licht von 750 nm bis 850 nm wiedergegeben werden. Eine integrierte Lichtmenge von 750 nm bis 850 nm gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann um mindestens ein 1,3-faches im Vergleich zu einer integrierten Lichtmenge von 750 nm bis 850 nm erhöht werden, bevor das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 aufgebracht wird. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann die Menge an integriertem Licht von 750 nm bis 850 nm um ein zweifaches oder mehr erhöht werden.
  • Wie oben beschrieben, kann das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 bei der vorliegenden Ausführungsform eine positive biologische Wirkung haben, wie beispielsweise die Erzeugung von ATP fördern, indem die Intensität des Bands von 740 nm bis 900 nm in weißem Licht erhöht wird.
  • Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann Licht eine hohe Intensität in einem Band von 740 nm bis 900 nm haben, der durch das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 etwas von dem Wellenlängenband für sichtbares Licht beabstandet ist, wobei eine biologische Verbesserungseffizienz berücksichtigt wird. Wie in 2A gezeigt, kann das Spektrum 1 von weißem Licht gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform mindestens ein Tal zwischen aufeinanderfolgenden Peakwellenlängen in einem Wellenlängenband für sichtbares Licht haben.
  • Indessen wird ein Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 durch einen Teil des Lichts, das von der LED 30 emittiert wird, angeregt, um es in eine Wellenlänge umzuwandeln, die etwas niedriger sein kann als die des Wellenlängenbands für sichtbares Licht des Spektrums 2 für weißes Licht. Wie oben beschrieben, kann eine Beleuchtungsstärke von Beleuchtungslicht (z. B. weißes Licht) durch das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 etwas verringert werden.
  • 2B stellt ein Spektrum 3 eines Beispiels dar, in dem CaAlSiN3:Eu2+, das als zweites Wellenlängenumwandlungsmaterial (roter Leuchtstoff) verwendet wird, als KSF-Leuchtstoff in dem LED-Modul gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform verwendet wird, die in 2A eingesetzt wird.
  • Bezug nehmend auf 2B, ähnlich wie bei dem Spektrum der vorherigen beispielhaften Ausführungsform, ist es möglich, eine Wirkung zur Förderung einer ATP-Erzeugung zu schaffen, indem die Intensität eines Wellenlängenbands von 740 nm bis 900 nm erhöht wird (z. B. eine Peakwellenlänge von 785 nm), da ein Leuchtstoff CaAl12xO19:xCr3+ (0≤x≤1), ein Nahinfrarot-Wellenlängenumwandlungsmaterial, in einem Wellenlängenband von 740 nm bis 900 nm (z. B. 785 nm) eingeführt wird.
  • Im Nachfolgenden wird eine Wellenlängenbedingung des Nahinfrarotstrahls, die in der vorliegenden Offenbarung erforderlich ist, zusammen mit einer positiven biologischen Wirkung, die eine Verstärkung des Nahinfrarotbands verwendet, im Detail beschrieben.
  • Im Allgemeinen ist bekannt, dass Licht in dem Nahinfrarotband durch Cytochrom-c-Oxidase absorbiert wird, das in einer inneren mitochondrialen Membran vorliegt, um eine Erzeugung von ATP (Adenosintriphosphat) zu fördern, das eine Quelle für Energie in Zellen ist.
  • Ein Wirkungsspektrum 4 zum Stimulieren einer Rate von DNA-Synthese in Zellen kann durch Absorbieren von Chromophoren von Cytochrom-c-Oxidase ausgedrückt werden, wie in 3A gezeigt (siehe 1, Artikel „Multiple Roles of Cytochrome c Oxidase in Mammalian Cells Under Action of Red and IR-A Radiation“ von Tiina I. Karu). Bezug nehmend auf 3A hat dieses Wirkungsspektrum 4 vier Absorptions-Peaks 620 nm, 680 nm, 760 nm und 820 nm, die in einer roten bis Nahinfrarotregion bedeutsam sind.
  • Trotz diesem Wirkungsspektrum 4 kann sich ein Spektrum, das eine Erzeugung von ATP tatsächlich beeinträchtigt, abhängig von einer Hauttransmissionsrate ändern. Diese Hauttransmissionsrate kann als Hauteindringtiefe gemäß einer Wellenlänge definiert sein. Bezug nehmend auf Graph 5 aus 3B hat die Hauteindringtiefe gemäß der Wellenlänge einen Peak in einem Band von 820 nm, ist in einem Infrarotband relativ hoch, erscheint aber in einem Wellenlängenband für sichtbares Licht relativ niedrig.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfassen ein Verfahren zum Definieren eines Spektrums, das berechnet wird, indem ein Wirkungsspektrum von Cytochrom-c-Oxidase (siehe 3A) mit einer Hauteindringtiefe (siehe 3B) gemäß einer Wellenlänge als ATP-Wirkungsspektrum multipliziert wird. Das ATP-Wirkungsspektrum aus Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist in 4 gezeigt.
  • Bezug nehmend auf 4 weist das ATP-Wirkungsspektrum eine ähnliche Peakwellenlänge wie vier Absorptions-Peaks des Wirkungsspektrum von Cytochrom-c-Oxidase auf, aber die vier Peaks können jeweils durch die Hauttransmissionsrate zu den Peaks 626 nm, 674 nm, 766 nm und 810 nm schwanken. Zudem kann das ATP-Wirkungsspektrum in einem sichtbaren Band von 626 nm und 674 nm relativ niedrig erscheinen und kann in einem Nahinfrarotband von 766 nm und 810 nm und einem Band in der Nähe davon relativ hoch erscheinen.
  • Unter Berücksichtigung einer solchen praktischen Wirkungseffizienz kann eine „effektive ATP-Wirksamkeitsbandbreite (EA)“ von dem ATP-Wirkungsspektrum, das in 4 gezeigt ist, als Nahinfrarotband (EOA) definiert sein, das auf 740 nm bis 900 nm zentriert ist. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann ein effektives ATP-Wirksamkeitsband auch auf einen Bereich EA1 mit Licht einer Peakwellenlänge von 750 nm bis 850 nm eingestellt sein. Dieses effektive ATP-Wirksamkeitsband (Bereich EA0 oder Bereich EA1) kann einen Einfluss eines grundlegenden Beleuchtungslichts (z. B. weißes Licht oder farbiges Licht) durch ein die ATP-Erzeugung förderndes Licht gemäß der vorliegenden Offenbarung reduzieren, indem das Nahinfrarotband derart ausgewählt wird, dass das Wellenlängenband für sichtbares Licht mit einer niedrigen Effizienz auf ein Minimum reduziert wird.
  • Bei der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58, das eingeführt wird, um die Erzeugung von ATP zu fördern, durch das blaue Licht angeregt werden, sodass es eingerichtet ist, ein drittes Licht zu emittieren, welches das oben beschriebene effektive ATP-Wirksamkeitsband EA abdeckt. Das dritte Licht kann eine Peakwellenlänge von 740 nm bis 900 nm haben. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann das dritte Licht, das durch das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 umgewandelt wurde, eine Peakwellenlänge von 750 nm bis 850 nm haben. Das dritte Licht kann in menschliche Haut eindringen und wird durch Cytochrom-c-Oxidase in Zellen absorbiert, wodurch wesentlich dazu beigetragen wird, die Erzeugung von ATP zu fördern, welches eine Energiequelle in Zellen ist.
  • In der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann eine Lichtquelle zum Schaffen von Licht in dem Nahinfrarotband mit einem Wellenlängenumwandlungsmaterial ausgebildet sein, wie beispielsweise einem anorganischen Leuchtstoff und/oder einem Quantenpunkt. Das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 kann zum Beispiel Leuchtstoff CaAl12-xO19:xCr3+ (0≤x≤1) umfassen.
  • 5 stellt ein Spektrum 6 eines dritten Lichts (Erregerlicht: eine Peakwellenlänge von 448 nm) von einem Leuchtstoff CaAl12-xO19:xCr3+ dar, der in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform als Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 verwendet werden kann.
  • Bezug nehmend auf 5 weist ein Spektrum 6 eines dritten Lichts eine maximale Peakwellenlänge von etwa 785 nm und eine Halbwertsbreite (FWHM) von etwa 95 nm auf. Da dieses Spektrum 6 eine hohe Menge an Licht in dem oben beschriebenen effektiven ATP- Wirksamkeitsband von 740 nm bis 900 nm aufweist, kann ein Spektrum an weißem Licht eine integrierte Menge an Licht in dem effektiven ATP-Wirksamkeitsband (EA) erhöhen, wie unter Bezugnahme auf 2 beschrieben, um eine biologischen Wirkung zu beeinflussen, welche die Erzeugung von ATP, einer Energiequelle in Zellen, fördert. Zudem kann der Leuchtstoff, der in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingesetzt wird, einen Neben-Peak bei 690 nm in dem Spektrum 6 des dritten Lichts aufweisen.
  • Wenn ein Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 als Nahinfrarot-Lichtquelle verwendet wird, wird ein Teil des Lichts, das von der LED 30 emittiert wird, als Erregerlicht des Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 verwendet, sodass das Spektrum des Wellenlängenbands für sichtbares Licht allgemein gesenkt werden kann. Das heiß, eine Beleuchtungsstärke von Beleuchtungslicht (z. B. weißes Licht) kann durch das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 etwas verringert werden.
  • Wie oben beschrieben, kann das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingerichtet sein, ein Licht mit einer Peakwellenlänge von 740 nm bis 900 nm und einer Halbwertsbreite (FWHM) von 120 nm oder weniger zu emittieren.
  • In dem Spektrum 6 des dritten Lichts, das in 5 gezeigt ist, kann eine integrierte Lichtmenge in einem Infrarotband (700 nm oder mehr) basierend auf einer Wellenlänge von 700 nm höher sein als eine integrierte Lichtmenge in einem Wellenlängenband für sichtbares Licht (700 nm oder weniger), um einen ATP-Erzeugungsförderungseffekt zu verbessern. Obwohl nicht darauf beschränkt, kann die integrierte Lichtmenge des Wellenlängenbands für sichtbares Licht von 700 nm oder weniger 20 % oder weniger der integrierten Lichtmenge des gesamten Spektrums des dritten Lichts betragen oder sie kann bei einigen beispielhaften Ausführungsformen 10 % oder weniger betragen.
  • Bei der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform wird ein Wellenlängenumwandlungsmaterial, wie beispielsweise ein Leuchtstoff, als Nahinfrarot-Lichtquelle verwendet, aber es kann auch andere Arten an Leuchtstoff umfassen. Zum Beispiel zusätzlich zu Ca(Al12-x-y,Gay)O19:xCr3+ (0≤x≤1, 0≤y≤6) umfassend den Leuchtstoff des vorherigen Beispiels kann Lu3Al5O12:Ce3+,Cr3+, La3MgZrO6:Cr3+, LiInSi2O6:Cr3+, LiZnSnO:Cr3+, ScBO3:Cr3 oder eine Kombination daraus umfasst sein. Zudem kann das Nahinfrarot-Wellenlängenumwandlungsmaterial zusätzlich zu Leuchtstoffen, welche die oben beschriebene Zusammensetzung haben, Quantenpunkte umfassen. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann die Nahinfrarot-Lichtquelle einen LED-Chip umfassen (siehe 10 und 11B).
  • 6 stellt ein Emissionsspektrum von weißem Licht, das von einem LED-Modul emittiert wird, gemäß einem Beispiel und einem Vergleichsbeispiel dar.
  • Es wurden weiße LED-Module gemäß einem Beispiel und einem Vergleichsbeispiel gemäß der vorliegenden Offenbarung hergestellt. Zuerst wurde bei dem weißen LED-Modul gemäß dem Vergleichsbeispiel ein weißes LED-Modul, das weißes Licht mit einem Farb-Rendering-Index von 80 emittiert, hergestellt durch Mischen von grünem und roten Leuchtstoff zusammen mit einem blauen LED-Chip mit einer Peakwellenlänge von 448 nm. Weißes Licht gemäß dem Vergleichsbeispiel weist in 6 ein Spektrum B1 auf.
  • Im Gegensatz dazu wurde bei dem weißen LED-Modul gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform ein weißes LED-Modul mit einem Farb-Rendering-Index 80 ähnlich wie bei dem Vergleichsbeispiel hergestellt, indem grüner und roter Leuchtstoff mit einem Leuchtstoff CaAl12-xO19:xCr3+ kombiniert wurden, was eine Nahinfrarot-Lichtquelle ist. Das weiße Licht gemäß dem Beispiel weist ein Spektrum auf, das in 6 mit „A2“ gekennzeichnet ist.
  • Wenn eine Region, in der ein Weißlichtspektrum (B1) des Vergleichsbeispiels mit dem in 4 gezeigten ATP-Wirkungsspektrum überlappt (definiert als Produkt der zwei Spektren), 100 ist, wurde herausgefunden, dass eine Region, in der ein Weißlichtspektrum (A2) des Beispiels mit dem ATP-Wirkungsspektrum überlappt, 250 ist. Hinsichtlich der Beleuchtungsstärke kann bestätigt werden, dass, indem ein Wellenlängenumwandlungsmaterial (z. B. CaAl12-xO19:xCr3+) als Nahinfrarot-Lichtquelle verwendet wird, diese leicht gesenkt wird, indem ein Teil eines Erregerlichts verwendet wird, aber ein effektives Licht, das dem ATP-Wirkungsspektrum entspricht, um ein 2-faches oder mehr stark erhöht wird.
  • 7A und 7B sind schematische Querschnittsansichten, die einen Licht emittierenden Chip darstellen, der in einer ein weißes Licht emittierenden Einrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eingesetzt wird.
  • Bezug nehmend auf 7A umfasst ein LED-Chip 30A, der in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingesetzt wird, ein Substrat 31 und ein Halbleiterlaminat S, das sich auf dem Substrat 31 befindet. Das Halbleiterlaminat S kann eine Halbleiterschicht 34 eines ersten Leitfähigkeitstyps umfassen, eine aktive Schicht 35 und eine Halbleiterschicht 36 eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die aufeinanderfolgend auf dem Substrat 31 angeordnet sind. Eine Pufferschicht 32 kann zusätzlich zwischen dem Substrat 31 und der Halbleiterschicht 34 des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet sein.
  • Das Substrat 31 kann ein isolierendes Substrat wie beispielsweise Saphir sein. Allerdings sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt und das Substrat 31 kann ein leitfähiges oder ein Halbleitersubstrat sein und zudem isolierende Eigenschaften haben. Das Substrat 31 kann, zusätzlich zu Saphir, zum Beispiel SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2 und GaN sein. Eine Unebenheit P kann auf einer oberen Fläche des Substrats 31 ausgebildet sein. Die Unebenheit P kann eine Qualität eines Einkristallwachstums verbessern, während eine Lichtextraktionseffizienz verbessert wird.
  • Die Pufferschicht 32 kann undotiertes InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1) umfassen. Die Pufferschicht 32 kann zum Beispiel GaN, AlN, AlGaN oder InGaN sein. Gemäß Ausführungsformen kann eine Mehrzahl von Schichten als Pufferschicht 32 kombiniert werden oder die Zusammensetzung derselben kann allmählich geändert werden.
  • Die Halbleiterschicht 34 des ersten Leitfähigkeitstyps kann ein Nitridhalbleiter sein, der n-leitendes AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤) erfüllt, und n-leitende Verunreinigungen können Si sein. Zum Beispiel kann die Halbleiterschicht 34 des ersten Leitfähigkeitstyps n-leitendes GaN sein. Die Halbleiterschicht 36 des zweiten Leitfähigkeitstyps kann eine Nitridhalbleiterschicht sein, die InxAlyGa1-x-yN vom p-Typ erfüllt, und p-leitende Verunreinigungen können Mg sein. Zum Beispiel kann die Halbleiterschicht 36 des zweiten Leitfähigkeitstyps in einer einschichtigen Struktur implementiert sein, aber sie kann eine mehrschichtige Struktur mit unterschiedlichen Zusammensetzungen haben, wie in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform.
  • Die aktive Schicht 35 kann eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW) aufweisen, bei der eine Quantentopfschicht und eine Quantenbarriereschicht abwechselnd gestapelt sind. Die Quantentopfschicht und die Quantenbarriereschicht können zum Beispiel InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1 und 0≤x+y≤1) mit unterschiedlichen Zusammensetzungen sein. In einem spezifischen Beispiel kann die Quantentopfschicht InxGa1-xN (0≤x≤1) sein und die Quantenbarriereschicht kann GaN oder AlGaN sein. Die Dicke der Quantentopfschicht und der Quantenbarriereschicht kann jeweils von 1 nm bis 50 nm reichen. Die aktive Schicht 35 ist möglicherweise nicht auf eine mehrfache Quantentopfstruktur beschränkt und kann eine einfache Quantentopfstruktur sein.
  • Eine erste Elektrode 39a und eine zweite Elektrode 39b können jeweils auf einer mesa-geätzten Region der Halbleiterschicht 34 des ersten Leitfähigkeitstyps und der Halbleiterschicht 36 des zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet sein, sodass sie auf der gleichen Fläche positioniert sind. Die erste Elektrode 39a ist nicht darauf beschränkt, und kann ein Material umfassen wie beispielsweise Ag, Ni, Al, Cr, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au oder dergleichen, und kann in einer einzelnen Schicht oder zwei oder mehr Schichten eingesetzt werden. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann die zweite Elektrode 39b eine transparente Elektrode sein, wie beispielsweise ein transparentes, leitfähiges Oxid oder ein transparentes, leitfähiges Nitrid, oder sie kann auch Graphen umfassen. Die zweite Elektrode 39b kann mindestens ein Element von Al, Au, Cr, Ni, Ti und Sn umfassen.
  • Bezug nehmend auf 7B versteht es sich, dass der LED-Chip 30B gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform dem LED-Chip 30A, der in 7A gezeigt ist, ähnlich ist, mit Ausnahme einer Elektrodenstruktur und einer dazu gehörigen Struktur. Bezüglich einer Beschreibung der Komponenten der vorliegenden Ausführungsform, außer anderweitig angegeben, sei auf die Beschreibung von Komponenten verwiesen, die gleich dem in 6A gezeigten LED-Chip 30A sind oder diesem ähnlich sind.
  • Der LED-Chip 30B umfasst eine erste Elektrode 42 und eine zweite Elektrode 44, die jeweils mit der Halbleiterschicht 34 des ersten Leitfähigkeitstyps und der Halbleiterschicht 36 des zweiten Leitfähigkeitstyps verbunden sind. Die erste Elektrode 42 kann eine Verbindungselektrodeneinheit 42a umfassen, die durch die Halbleiterschicht 36 des zweiten Leitfähigkeitstyps und die aktive Schicht 35 hindurchtritt und mit der Halbleiterschicht 34 des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, und ein erstes Elektroden-Pad 42b, das mit der Verbindungselektrodeneinheit 42a verbunden ist. Die Verbindungselektrodeneinheit 42a kann die gleiche Struktur aufweisen wie eine leitfähige Durchkontaktierung. Die Verbindungselektrodeneinheit 42a kann durch die Isoliereinheit 41 umgeben sein, sodass sie von der aktiven Schicht 35 und der Halbleiterschicht 36 des zweiten Leitfähigkeitstyps elektrisch getrennt ist. Die Verbindungselektrodeneinheit 42a kann in einer Region angeordnet sein, in welcher das Halbleiterlaminat S geätzt ist. Die Anzahl, Form, Zwischenraum oder Kontaktfläche mit der Halbleiterschicht 34 des ersten Leitfähigkeitstyps kann zweckmäßig derart konzipiert sein, sodass die Verbindungselektrodeneinheit 42a einen Kontaktwiderstand reduziert. Zudem kann die Verbindungselektrodeneinheit 42a derart auf dem Halbleiterlaminat S angeordnet sein, dass Zeilen und Spalten gebildet werden, wodurch ein Stromfluss verbessert wird. Die zweite Elektrode 44 kann eine ohmsche Kontaktschicht 44a und ein zweites Elektroden-Pad 44b auf der Halbleiterschicht 36 des zweiten Leitfähigkeitstyps umfassen.
  • Bei der Verbindungselektrodeneinheit 42a und der ohmschen Kontaktschicht 44a kann ein leitfähiges Material mit einer ohmschen Eigenschaft in Bezug auf die Halbleiterschicht 34 des ersten Leitfähigkeitstyps und die Halbleiterschicht 36 des zweiten Leitfähigkeitstyps eine einschichtige oder mehrschichte Struktur haben. Sie kann zum Beispiel durch einen Prozess gebildet werden, in dem mindestens ein Metall, wie beispielsweise Ag, Al, Ni und Cr und ein transparentes, elektrisch leitfähiges Oxid (Transparent Conductive Oxide, TCO) wie beispielsweise ITO abgeschieden oder gesputtert werden.
  • Das erste Elektroden-Pad 42b und das zweite Elektroden-Pad 44b können jeweils mit der Verbindungselektrodeneinheit 42a und der ohmschen Kontaktschicht 44a verbunden sein, sodass sie als externe Anschlüsse des LED-Chips 30B dienen. Das erste Elektroden-Pad 42b und das zweite Elektroden-Pad 44b können zum Beispiel Au, Ag, Al, Ti, W, Cu, Sn, Ni, Pt, Cr, NiSn, TiW, AuSn oder eutektische Materialien derselben sein.
  • Das erste Elektroden-Pad 42b und das zweite Elektroden-Pad 44b können in der gleichen Richtung angeordnet sein und können auf einem Lead-Frame oder dergleichen in sogenannter Flip-Chip-Art montiert sein. Unterdessen können die erste Elektrode 42 und die zweite Elektrode 44 durch die Isoliereinheit 41 elektrisch voneinander getrennt sein. Die Isoliereinheit 41 kann ein beliebiges Material sein, das elektrische Isoliereigenschaften aufweist, und es kann ein beliebiges Material mit elektrischen Isoliereigenschaften verwendet werden, aber es kann auch ein Material mit einer niedrigen Lichtabsorptionsrate verwendet werden. Zum Beispiel können Siliziumoxid oder Siliziumnitrid verwendet werden. Gemäß Ausführungsformen kann eine lichtreflektierende Struktur ausgebildet werden, indem ein lichtreflektierendes Pulver in einem lichtdurchlässigen Material verteilt wird. Alternativ kann die Isoliereinheit 41 eine mehrschichtige reflektierende Struktur aufweisen, bei der eine Mehrzahl von Isolierschichten mit unterschiedlichen Brechungsindexen abwechselnd gestapelt ist. Die mehrschichtige reflektierende Struktur kann zum Beispiel ein Bragg-Spiegel (Distributed Bragg Reflector, DBR) sein, bei dem eine erste isolierende Schicht mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite isolierende Schicht mit einem zweiten Brechungsindex abwechselnd gestapelt sind.
  • In der mehrschichtigen reflektierenden Struktur kann eine Mehrzahl von isolierenden Schichten mit unterschiedlichen Brechungsindexen 2 bis 100 Mal wiederholt gestapelt sein. Zum Beispiel können in der mehrschichtigen reflektierenden Struktur eine Mehrzahl von isolierenden Schichten 3 bis 70 Mal wiederholt gestapelt sein, und ferner 4 bis 50 Mal wiederholt gestapelt sein. Jede der Mehrzahl von isolierenden Schichten der mehrschichtigen reflektierenden Struktur kann ein Oxid oder Nitrid sein, wie beispielsweise SiO2, SiN, SiOxNy, TiO2, Si3N4, Al2O3, TiN, AlN, ZrO2, TiAIN, TiSiN und Kombinationen daraus. Die Brechungsindexe der ersten und zweiten isolierenden Schichten können in einem Bereich von etwa 1,4 bis etwa 2,5 bestimmt werden und können einen Wert aufweisen, der niedriger ist als der Brechungsindex der Halbleiterschicht 34 des ersten Leitfähigkeitstyps und der Brechungsindex des Substrats 31, aber sie können auch einen niedrigeren Wert haben als der Brechungsindex der Halbleiterschicht 34 des ersten Leitfähigkeitstyps und einen höheren als der Brechungsindex des Substrats 31. Der LED-Chip 30A und der LED-Chip 30B, die oben beschrieben sind, können als LED 130 (z. B. blaue LED) einer ein weißes Licht emittierenden Einrichtung (z. B. LED-Modul 100 oder LED-Modul 100A) verwendet werden.
  • Die Nahinfrarot-Lichtquelle zum Fördern einer Erzeugung von ATP gemäß der vorliegenden Offenbarung kann vorteilhaft mit verschiedenen weißen Beleuchtungslichtquellen kombiniert werden. 8 und 9 stellen Emissionsspektren von weißem Licht einer ein weißes Licht emittierenden Einrichtung gemäß verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dar.
  • Bezug nehmend auf 8 ist ein Spektrum W1 von weißem Licht zur Reduzierung einer Blaulichtgefährdung (Blue Light Hazard, BLH) durch Einsatz eines relativ weichen zweiten blauen Lichts zusammen mit dem ersten blauen Licht gezeigt.
  • Das weiße Licht kann BLH reduzieren, indem ein Intensitätsverhältnis des ersten und des zweiten blauen Lichts gesteuert wird und kann durch eine Kombination des ersten Wellenlängenumwandlungsmaterials 54 und des zweiten Wellenlängenumwandlungsmaterials 56 einen Farb-Rendering-Index erhöhen. Zum Beispiel kann eine Peakintensität des zweiten blauen Lichts 50 % oder mehr im Vergleich zu der Peakintensität des ersten blauen Lichts betragen. Für einen BLH-Reduzierungseffekt kann ein Peakintensitätsverhältnis der zwei Einheiten von blauem Licht 70 % oder mehr betragen, und ferner kann die Peakintensität des zweiten blauen Lichts derart ausgewählt werden, dass sie größer ist als die Peakintensität des ersten blauen Lichts.
  • Wie in 8 gezeigt, kann durch Hinzufügen einer Nahinfrarot-Lichtquelle (NIR) mit einer Peakintensität von 740 nm bis 900 nm eine positive Biowirkung geschaffen werden, wie beispielsweise das Fördern einer Erzeugung von ATP. Die Nahinfrarot-Lichtquelle (NIR) kann ein Wellenlängenumwandlungsmaterial oder eine LED umfassen. Die Intensität des Peaks des Lichts, das durch die Nahinfrarot-Lichtquelle (NIR) erzeugt wird, kann 4,5 % oder mehr der Intensität des Maximalpeaks in dem blauen Band (z. B. 420 nm bis 465 nm) betragen und kann in einigen beispielhaften Ausführungsformen 7 % oder mehr betragen.
  • Durch Kombinieren eines ersten und eines zweiten Wellenlängenumwandlungsmaterials, die eingerichtet sind, ein erstes Licht mit einer Peakwellenlänge von 520 nm bis 560 nm (z. B. cyan, grün oder gelb) und ein zweites Licht mit einer Peakwellenlänge von 590 nm bis 655 nm zu emittieren, kann bei der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform zusammen mit einem ersten blauen Licht mit einer Peakwellenlänge von 430 nm bis 455 nm (z. B. einem LED-Chip) und einem zweiten blauen Licht mit einer Peakwellenlänge von 465 nm bis 495 nm (z. B. einem LED-Chip oder einem Wellenlängenumwandlungsmaterial) ein weißes Licht bereitgestellt werden, das einen Farb-Rendering-Index (CRI) von 80 oder mehr aufweist und dabei menschenfreundlich ist.
  • Das weiße Licht gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann eine leicht höhere Farbtemperatur von 4.000 K aufweisen. Wie oben beschrieben, kann ein menschenfreundliches weißes Licht mit einer hohen Farbtemperatur von 3.000 K oder mehr bereitgestellt werden, indem ein ausreichendes blaues Licht verwendet wird, da BLH reduziert werden kann. Da das Nahinfrarotlicht verstärkt ist, kann es zudem zur Förderung einer Erzeugung von ATP beitragen.
  • Bezug nehmend auf 9 ist ein Spektrum W2 von weißem Licht gezeigt, in dem blaues Licht, das eine melanopisch empfindliche Bandbreite ist, wie gezeigt reduziert ist.
  • Indem die Intensität des melanopisch empfindlichen Bands gesenkt wird, insbesondere in einem Band von 465 nm bis 495 nm, können ein grünes und ein rotes Wellenlängenumwandlungsmaterial verwendet werden, um einen Farb-Rendering-Index von 80 % oder mehr zu erhalten, während ein melanopisch-fotopisches Verhältnis des weißen Lichts W2 auf so niedrig wie 0,37 gesteuert wird. Um das weiße Licht unter diesen Bedingungen zu implementieren, kann das grüne Wellenlängenumwandlungsmaterial eingerichtet sein, Licht mit einer Peakwellenlänge von 535 nm bis 550 nm zu emittieren und das rote Wellenlängenumwandlungsmaterial kann eingerichtet sein, Licht mit einer Peakwellenlänge von 610 nm bis 660 nm zu emittieren. Insbesondere kann das grüne Wellenlängenumwandlungsmaterial ein Licht mit einer Halbwertsbreite (FWHM) von 60 nm oder weniger emittieren, um eine Region von 465 nm bis 495 nm in dem Spektrum des endgültigen weißen Lichts zu reduzieren. Das grüne Wellenlängenumwandlungsmaterial kann zum Beispiel β-Si6-zAlzOzN8-z:Eu2+ z(0,01≤z≤5,99) umfassen.
  • Wie in 9 gezeigt, kann ähnlich wie bei der vorherigen beispielhaften Ausführungsform eine Nahinfrarot-Lichtquelle (NIR) mit einer Peakintensität bei 740 nm bis 900 nm hinzugefügt werden, um eine positive Biowirkung bereitzustellen, wie beispielsweise das Fördern einer Erzeugung von ATP. Die Nahinfrarot-Lichtquelle (NIR) kann ein Wellenlängenumwandlungsmaterial oder eine LED umfassen. Ein Peak von Licht, das durch die Nahinfrarot-Lichtquelle (NIR) erzeugt wird, kann eine Intensität von 4,5 % oder mehr des Maximalpeaks in dem blauen Band (z. B. 420 nm bis 465 nm) betragen und kann in einigen beispielhaften Ausführungsformen 7 % oder mehr betragen.
  • Das weiße Licht gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform ist mit einer Farbtemperatur von 2.200 K dargestellt, kann aber derart implementiert sein, dass es verschiedene Farbtemperaturbereiche aufweist. Sowie die Farbtemperatur steigt, kann das melanopisch-photonische Verhältnis tendenziell steigen. Das weiße Licht kann derart implementiert werden, dass es ein relativ niedriges melanopisches Verhältnis in einem Bereich von 1.800 K bis 4.000 K beträgt. Zum Beispiel kann das weiße Licht ein melanopisches Verhältnis in einem Bereich von 0,1 bis 0,65 in dem Bereich von 1.800 K bis 4.000 K aufweisen.
  • Wie oben beschrieben, ist es möglich, eine ausreichende Beleuchtung mit weißem Licht mit einem hohen Farb-Rendering-Index bereitzustellen, während ein Ausstoß des Hormons Melatonin gefördert wird, und gleichzeitig ein Nahinfrarotlicht zu verstärken, wodurch zur Förderung der Erzeugung von ATP beigetragen wird.
  • Die Nahinfrarot-Lichtquelle für Photobiomodulation kann mit einer weißen Beleuchtungslichtquelle kombiniert werden, um eine weiße Beleuchtungseinrichtung (oder ein weißes LED-Modul) mit verbesserten biologischen Funktionen bereitzustellen. Die Nahinfrarot-Lichtquelle kann zusätzlich zu einem Wellenlängenumwandlungsmaterial, wie beispielsweise einen Leuchtstoff oder einen Quantenpunkt, der eine Erregerlichtquelle verwendet, einen Nahinfrarot-LED-Chip umfassen. 10 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein LED-Modul, das einen zusätzlichen LED-Chip für Nahinfrarotlicht umfasst, als beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Bezug nehmend auf 10 versteht es sich, dass ein LED-Modul 100A gemäß der vorliegenden Ausführungsform dem in 1 gezeigten LED-Modul ähnlich ist, mit Ausnahme der Tatsache, dass ein zusätzlicher LED-Chip (z. B. eine Nahinfrarot-LED 40) anstelle eines Wellenlängenumwandlungsmaterials (z. B. Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 in 1) als Nahinfrarot-Lichtquelle eingesetzt wird. Eine Beschreibung der Komponenten der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann sich auf die Beschreibung der gleichen oder ähnlichen Komponenten des LED-Moduls 100, das in 1 gezeigt ist, beziehen, außer anderweitig spezifiziert.
  • Eine Wellenlängenumwandlungseinheit 50A, die in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingesetzt wird, umfasst ein erstes Wellenlängenumwandlungsmaterial 54, das ein erstes Licht mit einer Peakwellenlänge von 520 nm bis 560 nm emittiert, ein zweites Wellenlängenumwandlungsmaterial 56, das Licht mit einer Peakwellenlänge von 600 nm bis 650 nm emittiert, und ein transparentes Harz 52, in dem das erste Wellenlängenumwandlungsmaterial 54 und das zweite Wellenlängenumwandlungsmaterial 56 verteilt sind.
  • Das LED-Modul 100A gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann zusätzlich zu der LED 30 (z. B. blaue LED) eine Nahinfrarot-LED 40 umfassen. Die Nahinfrarot-LED 40 kann eingerichtet sein, Licht mit einer Wellenlänge in einem Nahinfrarotband zu emittieren. Licht in dem Nahinfrarotband, das in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingesetzt wird, kann eine Peakwellenlänge von 740 nm bis 900 nm haben. In einem Spektrum des endgültigen weißen Lichts kann die Peakintensität bei 740 nm bis 900 nm 4,5 % oder mehr des Maximalpeaks in dem blauen Band (z. B. 420 nm bis 465 nm) betragen und kann in einigen beispielhaften Ausführungsformen 7 % oder mehr betragen.
  • Wie oben beschrieben, ist es möglich, einen positiven biologischen Effekt zu schaffen, wie beispielsweise, die Erzeugung von ATP zu fördern, indem ein Licht in dem Nahinfrarotband verstärkt wird. In der vorliegenden beispielhaften Ausführungsfonn ist die Nahinfrarot-LED 40 als eine einzelne dargestellt, aber in einigen beispielhaften Ausführungsformen kann eine Mehrzahl von den Nahinfrarot-LEDs 40 ausgebildet sein, die eingerichtet sind, Licht unterschiedlicher Peakwellenlängen in einem Bereich von 740 nm bis 900 nm zu emittieren. Zum Beispiel kann die Mehrzahl von Nahinfrarot-LEDs unter Berücksichtigung des in 4 gezeigten ATP-Wirkungsspektrums einen ersten LED-Chip mit einer Peakwellenlänge von 620 nm bis 720 nm und eine zweite LED mit einer Peakwellenlänge von 720 nm bis 900 nm umfassen.
  • In der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform ist die Nahinfrarot-LED 40 in einer Gestalt dargestellt, die durch eine Wellenlängenumwandlungseinheit 50A umgeben ist, zusammen mit der LED 30, aber in einer anderen beispielhaften Ausführungsform kann die Nahinfrarot-LED 40 separat von der Wellenlängenumwandlungseinheit 50A angeordnet sein (14).
  • Das LED-Modul (oder eine Beleuchtungseinrichtung) gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform veranschaulicht eine Ausgestaltung, bei der eine Nahinfrarot-Lichtquelle für Photobiomodulation mit einer weißen Beleuchtungslichtquelle kombiniert ist, aber sie kann auf ähnliche Art und Weise bei anderen farbigen (blauen, grünen oder roten) LED-Modulen angewendet werden, die mindestens einen LED-Chip umfassen. Ein solches LED-Modul ist in 11A und 11B dargestellt.
  • Bezug nehmend auf 11A kann ein LED-Modul 100B gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform ein Package-Substrat 10, eine Leuchtdiode (LED) 30, die sich auf dem Package-Substrat 10 befindet, und eine Wellenlängenumwandlungseinheit 50B, die ein Wellenlängenumwandlungsmaterial aufweist, umfassen. Das LED-Modul 100B kann ferner ein Paar Lead-Frames 11 und 12 umfassen, die elektrisch mit der LED 30 verbunden sind, eine Seitenwandreflektionseinheit 20, die eine Becherform aufweist, und einen leitfähigen Draht 33, der die LED 30 und die Lead-Frames 11 und 12 verbindet.
  • Die LED 30, die in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingesetzt wird, kann eine epitaktische Halbleiterschicht umfassen, die eingerichtet ist, farbiges Licht in anderen Wellenlängenbändern für sichtbares Licht zusätzlich zu blauem Licht zu emittieren. Zum Beispiel kann die LED 30 eingerichtet sein, blaues, gelbes, grünes, oranges oder rotes Licht zu emittieren.
  • Die Wellenlängenumwandlungseinheit 50B kann sich auf einem optischen Pfad der LED 30 befinden und kann das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 (ein Nahinfrarot-Wellenlängenumwandlungsmaterial) umfassen, das in einem transparenten Harz 52 verteilt ist. Das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 kann eingerichtet sein, Licht in dem Nahinfrarotband zu emittieren. Das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 kann Licht in dem Nahinfrarotband unter Verwendung des Lichts der LED 30 als Erregerlicht bereitstellen. Das Licht in dem Nahinfrarotband kann eine Peakwellenlänge von 740 nm bis 900 nm aufweisen. Das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 kann zum Beispiel Ca(Al12-x-y,Gay)O19:xCr3+ (0≤x≤1, 0≤y≤6), Lu3Al5O12:Ce3+,Cr3+, La3MgZrO6:Cr3+, LiInSi2O6:Cr3+, LiZnSnO:Cr3+ und ScBO3:Cr3+ oder eine Kombination daraus umfassen. Die Wellenlängenumwandlungseinheit 50B kann zusätzlich andere Wellenlängenumwandlungsmaterialien gemäß dem gewünschten farbigen Licht umfassen.
  • Wie oben beschrieben, ist es möglich, einen positiven biologischen Effekt zu schaffen, wie beispielsweise, die Erzeugung von ATP zu fördern, indem ein Licht in dem Nahinfrarotband verstärkt wird. Insbesondere kann das Licht in dem Nahinfrarotband durch Cytochrom-c-Oxidase absorbiert werden, das in Zellen vorhanden ist, um die Erzeugung von ATP zu fördern, das eine Quelle von Energie in Zellen ist.
  • Bezug nehmend auf 11B versteht es sich, dass ein LED-Modul 100C gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform dem in 11A dargestellten LED-Modul 100B ähnlich ist, mit Ausnahme der Tatsache, dass ein zusätzlicher LED-Chip (z. B. eine Nahinfrarot-LED 40) anstelle eines Nahinfrarot-Wellenlängenumwandlungsmaterials (z. B. Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 in 11A) als Nahinfrarot-Lichtquelle eingesetzt wird. Bezüglich einer Beschreibung der Komponenten der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform, außer anderweitig angegeben, sei auf die Beschreibung der gleichen oder ähnlichen Komponenten des LED-Moduls 100B, das in 11A gezeigt ist, verwiesen.
  • Das LED-Modul 100C gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann zusätzlich zu den anderen farbigen LEDs (z. B. LED 30) eine Nahinfrarot-LED 40 umfassen. Die Nahinfrarot-LED 40 kann, wie oben beschrieben, eingerichtet sein, eine Wellenlänge in dem Nahinfrarotband zu emittieren. Licht in dem Nahinfrarotband, das in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingesetzt wird, kann eine Peakwellenlänge von 740 nm bis 900 nm haben. In dem Spektrum des endgültigen weißen Lichts kann die Peakintensität bei 740 nm bis 900 nm 4,5 % oder mehr des Maximalpeaks in dem blauen Band (z. B. 420 nm bis 465 nm) betragen und kann in einigen beispielhaften Ausführungsformen 7 % oder mehr betragen.
  • Wie oben beschrieben, ist es möglich, einen positiven biologischen Effekt zu schaffen, wie beispielsweise, die Erzeugung von ATP zu fördern, indem ein Licht in dem Nahinfrarotband verstärkt wird.
  • Das LED-Modul (oder eine Beleuchtungseinrichtung) gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann in einer Form implementiert sein, die fähig ist, selektiv eine biologische Funktion durchzuführen. Zum Beispiel kann die erste LED-Lichtquelleneinheit als grundlegende Lichtquelle bereitgestellt werden, zum Beispiel von weißem Licht, und die zweite LED-Lichtquelleneinheit kann als LED-Modul (oder eine Beleuchtungseinrichtung) bereitgestellt sein, die als Nahinfrarot-Lichtquelle bereitgestellt ist, um eine Funktion zur Förderung der ATP-Erzeugung in einer bestimmten Umgebung durchzuführen.
  • 12 ist ein Blockschaltbild einer LED-Beleuchtungseinrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bezug nehmend auf 12 kann eine LED-Beleuchtungseinrichtung 200 gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eine Treibersteuereinheit 220 (z. B. einen Treiber-Controller), eine Lichtquelleneinheit 230 und eine Leistungszufuhreinheit 240 umfassen. Die Lichtquelleneinheit 230 oder die Treibersteuereinheit 220 und die Lichtquelleneinheit 230 können als ein Modul eingerichtet sein.
  • Eine erste LED-Lichtquelle 230A kann als grundlegende Lichtquelle bereitgestellt sein, die, zum Beispiel, weißes Licht (z. B. siehe Spektrum W1 in 8 oder Spektrum W2 in 9) bereitstellt, und eine zweite LED-Lichtquelle 230B kann aus einer LED gebildet sein, die als Nahinfrarot-Lichtquelle bereitgestellt ist, um eine Funktion zur Förderung der ATP-Erzeugung in einer bestimmten Umgebung durchzuführen. Die LED, welche die zweite LED-Lichtquelle 230B bildet, kann ein Nahinfrarotlicht von 740 nm bis 900 nm bereitstellen.
  • Die Leistungszufuhreinheit 240 kann einer Lichtquellen-Treibereinheit 225 Wechsel- oder Gleichstromleistung der Treibersteuereinheit 220 zuführen. Die Treibersteuereinheit 220 kann die Lichtquellen-Treibereinheit 225 und eine Treibersignal-Steuereinheit 221 umfassen, die ein Treibersignal zum Steuern der Lichtquellen-Treibereinheit 225 bereitstellt. Die Lichtquellen-Treibereinheit 225 kann mit der Leistungszufuhreinheit 240 verbunden sein, um Leistung zu empfangen, und kann einen Strom, der durch ein Treibersignal der Treibersignal-Steuereinheit 221 gesteuert wird, einer ersten LED-Lichtquelle 230A und einer zweiten LED-Lichtquelle 230B der Lichtquelleneinheit 230 zuführen. Bei der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann die Lichtquellen-Treibereinheit 225 mit unterschiedlichen Strömen unabhängig von der ersten LED-Lichtquelle 230A und der zweiten LED-Lichtquelle 230B gesteuert werden.
  • Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann die Treibersteuereinheit 220 ferner ein Kommunikationsmodul umfassen, das Daten überträgt und empfängt, die Farbeigenschaften aufweisen, wie beispielsweise eine Farbtemperatur, die innerhalb oder außerhalb der LED-Beleuchtungseinrichtung 200 gemessen werden. Die Treibersteuereinheit 220 kann ferner eine Signalverarbeitungseinheit umfassen, die Daten von einem Beleuchtungsstärkensensor, einem Bewegungssensor und/oder einem Bildsensor verarbeitet, um die verarbeiteten Daten an die LED-Beleuchtungseinrichtung 200 oder nach außen zu senden bzw. von dort zu empfangen.
  • Gemäß Ausführungsformen kann die Treibersteuereinheit 220 als Controller implementiert sein, der mindestens einen Prozessor und einen Speicher, der Computeranweisungen speichert, aufweist. Die Computeranweisungen, wenn sie durch mindestens einen Prozessor ausgeführt werden, können eingerichtet sein, die Treibersteuereinheit 220 zu veranlassen, eine beliebige Anzahl seiner Funktionen durchzuführen, die in der vorliegenden Offenbarung beschrieben sind.
  • Bezug nehmend auf 13-15 kann bei der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform die erste LED-Lichtquelle 230A eine weiße LED (z. B. eine LED-Quelle 100') und eine Nahinfrarot-LED (z. B. eine LED-Lichtquelle 200') gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfassen, und in einer spezifischen Umgebung oder durch Auswahl eines Nutzers kann der angelegte Strom der Nahinfrarot-LED zweckmäßig angepasst werden, um eine biologische Funktion durch die Lichtquellen-Treibereinheit 225 anzupassen.
  • 13 und 14 sind jeweils perspektivische und seitliche Querschnittsansichten eines lichtemittierenden LED-Moduls (oder einer Beleuchtungseinrichtung) gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 15 ist eine seitliche Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine LED-Lichtquelle 100' und eine zweite LED-Lichtquelle 200' darstellt, die in dem LED-Lichtemittierungsmodul (einer Beleuchtungseinrichtung) aus 13 eingesetzt werden können.
  • Bezug nehmend auf 13 und 14 kann ein Lichtquellenmodul 1000 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat (z. B. eine Platine 1100) umfassen, eine erste LED-Lichtquelle 100' und eine zweite LED-Lichtquelle 200', die auf der Platine 1100 montiert ist, einen Damm 1200, der die erste LED-Lichtquelle 100' und die zweite LED-Lichtquelle 200' umgibt, eine Verkapselungseinheit 1300, welche die erste LED-Lichtquelle 100' und die zweite LED-Lichtquelle 200' bedeckt, und einen Treibersteuer-Chip 1400. Sowohl die erste LED-Lichtquelle 100' als auch die zweite LED-Lichtquelle 200' können eine Mehrzahl an ersten und zweiten ein weißes Licht emittierenden Vorrichtungen umfassen, die zuvor in beispielhaften Ausführungsformen beschrieben wurden. Zudem kann die in 12 dargestellte Treibersteuereinheit 220 als Treibersteuer-Chip 1400 implementiert sein.
  • Die Platine 1100 kann ein leitfähiges und ein isolierendes Material umfassen und ein Metallmuster 1155, das mit der ersten LED-Lichtquelle 100' und der zweiten LED-Lichtquelle 200' verbunden ist, und eine Anschlusseinheit 1150, die mit einem Metallmuster 1155 verbunden ist, können auf einer oberen Fläche desselben angeordnet sein.
  • Die Platine 1100 kann zum Beispiel eine Platine (Printed Circuit Board, PCB) vom Typ FR4 sein, und kann ein organisches Harz umfassen, das Epoxid, Triazin, Silikon, Polyimid und dergleichen enthält, oder eine Keramik, wie beispielsweise SiN, AlN, AlN, Al2O3 oder dergleichen, oder ein Metall und eine Metallverbindung. Die Platine 1100 kann eine PCB, MCPCB, MPCB, FPCB, CCL, MCCL oder dergleichen umfassen.
  • Das Metallmuster 1155 kann mit der ersten LED-Lichtquelle 100' und der zweiten LED-Lichtquelle 200' elektrisch verbunden sein und kann mit einer externen Leistungsquelle durch die Anschlusseinheit 1150 verbunden sein, sodass ein elektrisches Signal an der ersten LED-Lichtquelle 100' und der zweiten LED-Lichtquelle 200' angelegt ist. Das Metallmuster 1155 und die Anschlusseinheit 1150 kann eine Form eines leitfähigen dünnen Films aufweisen und kann zum Beispiel aus Kupferfolie gebildet sein.
  • Jede der Mehrzahl von der ersten LED-Lichtquelle 100' und der zweiten LED-Lichtquelle 200' kann sich auf der Platine 1100 befinden. Die erste LED-Lichtquelle 100' und die zweite LED-Lichtquelle 200' können einen LED-Chip (z. B. blauen LED-Chip 30' in 15) mit einer Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine dazwischen angeordnete aktive Schicht umfassen. Die erste LED-Lichtquelle 100' kann als grundlegende Lichtquelle bereitgestellt werden, zum Beispiel von weißem Licht, und die zweite LED-Lichtquelle 200' kann aus einer LED gebildet sein, die als Nahinfrarot-Lichtquelle bereitgestellt ist, um eine Funktion zur Förderung der ATP-Erzeugung in einer bestimmten Umgebung durchzuführen. Die LED, welche die zweite LED-Lichtquelle 200' bildet, kann ein Nahinfrarotlicht von 740 nm bis 900 nm bereitstellen. Die erste LED-Lichtquelle 100' und die zweite LED-Lichtquelle 200' sind in 15 dargestellt.
  • Bezug nehmend auf 15 weist die erste LED-Lichtquelle 100', die in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingesetzt wird, eine Chip-Scale-Package-Form auf, und die zweite LED-Lichtquelle 200' ist als Nahinfrarot-LED-Chip dargestellt. Der Nahinfrarot-LED-Chip kann auch als GaAs-basierte Halbleiterepitaxie implementiert sein.
  • Bezug nehmend auf 15 kann die Mehrzahl von den ersten LED-Lichtquellen 100' gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform einen blauen LED-Chip 30' umfassen, der blaues Licht emittiert, eine erste Elektrode 150a und eine zweite Elektrode 150b, die sich auf einer unteren Fläche des blauen LED-Chips 30' befinden, eine reflektierende Schicht 160, welche eine Seitenfläche des blauen LED-Chips 30' umgibt, und eine Wellenlängenumwandlungseinheit 170, die sich auf einer oberen Fläche des blauen LED-Chips 30' befindet.
  • Die erste Elektrode 150a und die zweite Elektrode 150b kann aus einem leitfähigen Material bestehen und kann mit einem ersten Elektrodenmuster 1120a und einem zweiten Elektrodenmuster 1120b der Platine 1100 durch jeweils eine erste Kugel Sa und eine zweite Kugel Sb elektrisch verbunden sein. Die reflektierende Schicht 160 kann Licht, das von dem blauen LED-Chip 30' emittiert wird, auf die Seitenfläche reflektieren, damit es nach oben gerichtet wird. Die reflektierende Schicht 160 kann ein lichtreflektierendes Material umfassen und kann zum Beispiel ein weißes Pulver umfassen, wie beispielsweise SiO2, TiO2 oder Al2O3. Die Wellenlängenumwandlungseinheit 170 kann ein erstes und ein zweites Wellenlängenumwandlungsmaterial zum Umwandeln eines Teils von blauem Licht, das von dem blauen LED-Chip 30' emittiert wird, in eine andere Wellenlänge umfassen.
  • Die zweite LED-Lichtquelle 200' kann eine Mehrzahl von Nahinfrarot-LED-Chips 40' umfassen, die eingerichtet sind, Licht mit verschiedenen Peakwellenlängen in einem Bereich von 740 nm bis 900 nm in Nahinfrarotstrahlen zu emittieren. Zum Beispiel kann die Mehrzahl von Nahinfrarot-LED-Chips 40' unter Berücksichtigung des in 4 gezeigten ATP-Wirkungsspektrums einen ersten LED-Chip mit einer Peakwellenlänge von 620 nm bis 720 nm und einen zweiten LED-Chip mit einer Peakwellenlänge von 720 nm bis 900 nm umfassen.
  • Der Damm 1200 kann derart angeordnet sein, dass er die erste LED-Lichtquellen 100' und die zweite LED-Lichtquelle 200' auf der Platine 1100 umgibt, um eine interne lichtemittierende Region zu definieren. Der Damm 1200 kann derart angeordnet sein, dass er über der oberen Fläche der Platine 1100 hervorsteht und kann eine Ringform aufweisen. Allerdings sind die Formen der Platine 1100 und des Damms 1200 in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform nicht auf jeweils eine rechteckige und eine kreisförmige Form beschränkt, und entsprechend kann die Anordnung der ersten LED-Lichtquelle 100' und der zweiten LED-Lichtquelle 200' unterschiedlich verändert werden. Zudem kann in einigen beispielhaften Ausführungsformen der Damm 1200 ebenfalls ausgelassen werden.
  • Die Verkapselungseinheit 1300 kann ein Inneres des Raums ausfüllen, der durch den Damm 1200 unterteilt ist, und kann die erste LED-Lichtquelle 100' und die zweite LED-Lichtquelle 200' bedecken. Die Verkapselungseinheit 1300 kann in Kuppelform ausgebildet sein, die nach oben konvex ist, um einen Richtungswinkel von Licht, das extern emittiert wird, anzupassen; sie ist aber nicht darauf beschränkt. Die Verkapselungseinheit 1300 kann aus einem Material, das Licht transmittiert, hergestellt sein, sodass Licht, das durch die erste LED-Lichtquelle 100' und die zweite LED-Lichtquelle 200' erzeugt wird, extern emittiert werden kann. Als lichttransmittierendes Material kann zum Beispiel ein Harz, wie beispielsweise Silikon, Epoxid oder dergleichen verwendet werden. Die Verkapselungseinheit 1300 kann ausgebildet werden, indem ein Harz auf die Platine 1100 gespritzt wird und es durch Erwärmen, Bestrahlung von Licht oder verstrichene Zeit ausgehärtet wird. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann die Verkapselungseinheit 1300 ein lichtreflektierendes Material umfassen, um Licht zu streuen, das extern emittiert wird. Als lichtreflektierendes Material kann zum Beispiel weißes Pulver, wie beispielsweise SiO2, TiO2, oder Al2O3, verwendet werden. Allerdings kann in einigen beispielhaften Ausführungsformen die Verkapselungseinheit 1300 ebenfalls ausgelassen werden und die erste LED-Lichtquelle 100' und die zweite LED-Lichtquelle 200' können jeweils auch eine Linse umfassen.
  • 16 ist eine seitliche Querschnittsansicht, die ein erstes und ein zweites LED-Package, die in dem LED-Lichtemittierungsmodul eingesetzt werden können, gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Ein LED-Lichtemittierungsmodul gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform kann ein erstes LED-Package 100W umfassen, das eingerichtet ist, ein weißes Licht zu emittieren, und ein zweites LED-Package 100B', das eingerichtet ist, Licht mit einer Peakwellenlänge von 740 nm bis 900 nm zu emittieren. Zum Beispiel kann in dem Lichtquellenmodul 1000 gemäß der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform die erste LED-Lichtquelle 100' durch das erste LED-Package 100W ersetzt werden und die zweite LED-Lichtquelle 200' kann durch das zweite LED-Package 100B' ersetzt werden.
  • Das erste LED-Package 100W kann als Lichtquelle verstanden werden, bei der ein Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 für ein Nahinfrarotlicht aus dem in 1 gezeigten LED-Modul 100 ausgelassen wird. Für eine detaillierte Beschreibung jeder Komponente des ersten LED-Packages 100W kann die Beschreibung des in 1 gezeigten LED-Moduls 100 zurate gezogen werden.
  • Das erste LED-Package 100W, das in der vorliegenden beispielhaften Ausführungsform eingesetzt wird, kann eine erste (d. h. blaues Licht) emittierende Diode (z. B. LED 30) umfassen, die auf einem Package-Substrat 10 montiert ist und eingerichtet ist, blaues Licht mit einer Peakwellenlänge von 420 nm bis 465 nm zu emittieren, und eine Wellenlängenumwandlungseinheit 50' mit einem ersten Wellenlängenumwandlungsmaterial 54 und einem zweiten Wellenlängenumwandlungsmaterial 56, die durch das blaue Licht angeregt wird, um sie jeweils in grünes Licht und rotes Licht umzuwandeln. Das nicht umgewandelte blaue Licht und das umgewandelte grüne Licht und rote Licht können kombiniert werden, um ein endgültiges weißes Licht zu emittieren. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann das Wellenlängenumwandlungsmaterial, das in der Wellenlängenumwandlungseinheit 50' eingeführt wird, ein Wellenlängenumwandlungsmaterial (z. B. gelb) oder drei oder mehr Wellenlängenumwandlungsmaterialien (z. B. ein hinzugefügtes oranges Wellenlängenumwandlungsmaterial) umfassen.
  • Das zweite LED-Package 100 B' kann als Lichtquelle verstanden werden, die ferner eine Wellenlängenauswahlfiltereinheit 60 (z. B. einen Wellenlängenauswahlfilter) in dem in 11A gezeigten LED-Modul 100B umfasst. Für eine detaillierte Beschreibung jeder Komponente des zweiten LED-Packages 100B' kann eine detaillierte Beschreibung des in 11A gezeigten LED-Moduls 100B zurate gezogen werden.
  • Das zweite LED-Package 100B', das in dieser Ausführungsform eingesetzt wird, kann eine zweite LED (z. B. einen blauen LED-Chip 30') umfassen, die auf dem Package-Substrat 10 montiert ist und eingerichtet ist, ein Licht einer spezifischen Wellenlänge zu emittieren, eine Wellenlängenumwandlungseinheit 50B mit einem Nahinfrarot-Wellenlängenumwandlungsmaterial (z. B. dem Wellenlängenumwandlungsmaterial 58), das durch Licht einer spezifischen Wellenlänge angeregt wird und ein Nahinfrarotlicht mit einer Peakwellenlänge von 740 nm bis 900 nm emittiert, und eine Wellenlängenauswahlfiltereinheit 60, die sich auf der Wellenlängenumwandlungseinheit 50B befindet.
  • Die zweite LED kann eine blaue Leuchtdiode sein, die eingerichtet ist, blaues Licht mit einer Peakwellenlänge von 420 nm bis 465 nm zu emittieren. Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann die zweite LED die gleiche blaues Licht emittierende Diode sein wie die LED 30 des ersten LED-Packages 100W. Die Wellenlängenauswahlfiltereinheit 60 kann eingerichtet sein, das nicht umgewandelte spezifische Licht (z. B. blaues Licht) zu blockieren und das Nahinfrarotlicht zu transmittieren. Zum Beispiel kann die Wellenlängenauswahlfiltereinheit 60 eine Struktur aufweisen, bei der zwei Arten von dielektrischen Schichten unterschiedliche Brechungsindexe aufweisen, die abwechseln gestapelt sind.
  • Das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 kann Ca(Al12-x-y,Gay)O19:xCr3+ (0≤x≤1, 0≤y≤6) umfassen. Es ist nicht darauf beschränkt und das Wellenlängenumwandlungsmaterial 58 kann mindestens einen Leuchtstoff umfassen, der aus einer Gruppe, bestehend aus Lu3Al5O12:Ce3+,Cr3+, La3MgZrO6:Cr3+, LiInSi2O6:Cr3+, LiZnSnO:Cr3+ und ScBO3:Cr3+ ausgewählt wird.
  • Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann das zweite LED-Package 100B' als funktionale Lichtquelle verwendet werden, um die ATP-Erzeugung zu fördern. Das zweite LED-Package 100B' ist möglicherweise nicht mit einer LED-Lichtquelle kombiniert, die ein grundlegendes Beleuchtungslicht emittiert (z. B. ein LED-Modul mit weißem Licht oder ein LED-Modul mit farbigem Licht, wie beispielsweise das erste LED-Package 100W) und kann allein verwendet werden und als Nahultraviolettlicht-LED-Modul bereitgestellt sein.
  • 17 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch eine flache Panel-Beleuchtungseinrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt, und 18 ist eine perspektivische Explosionsansicht, die eine Beleuchtungseinrichtung vom Glühbirnen-Typ gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Bezug nehmend auf 17 kann eine flache Beleuchtungseinrichtung 4100 ein Lichtquellenmodul 4110, eine Leistungszufuhrvorrichtung 4120 und ein Gehäuse 4130 umfassen. Die Leistungszufuhrvorrichtung 4120 kann eine Treibersteuereinheit (z.B. eine Treibersteuereinheit 220 aus 12) umfassen.
  • Das Lichtquellenmodul 4110 kann ein Lichtquellen-Array umfassen und kann derart gebildet sein, dass es eine insgesamt flache Gestalt erzielt. Die Lichtquelle(n), welche das Lichtquellenmodul 4110 bildet bzw. bilden, kann bzw. können eingerichtet sein, zum Beispiel das in 1, 10, 11A und 11B und 16 gezeigte LED-Modul zu umfassen, oder das Lichtquellenmodul 4110 kann mit dem in 13 gezeigten Lichtquellenmodul 1000 (z. B. LED-Modul) implementiert sein.
  • Die Leistungszufuhrvorrichtung 4120 kann eingerichtet sein, dem Lichtquellenmodul 4110 Leistung zuzuführen. Das Gehäuse 4130 kann einen Aufnahmeraum aufweisen, der ausgebildet ist, das Lichtquellenmodul 4110 und die Leistungszufuhrvorrichtung 4120 darin aufzunehmen, und kann in einer hexaedrischen Form ausgebildet sein, die auf einer Seite offen ist; es ist aber nicht darauf beschränkt. Das Lichtquellenmodul 4110 kann derart angeordnet sein, dass es durch eine offene Seite des Gehäuses 4130 Licht emittiert. Anders als die vorliegende beispielhafte Ausführungsform kann sich mindestens ein Abschnitt von Leuchtstoffen der Wellenlängenumwandlungsmaterialien, die in der ein weißes Licht emittierenden Einrichtung eingesetzt werden, auf anderen Komponenten (z. B. einer Lichtführungsplatte, einer Diffusionsplatte und einer Linse) der flachen Beleuchtungseinrichtung 4100 neben der ein weißes Licht emittierenden Einrichtung befinden.
  • 18 ist eine perspektivische Explosionsansicht, die eine Beleuchtungseinrichtung vom Glühbirnen-Typ gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Bezug nehmend auf 18 kann eine Beleuchtungseinrichtung 4300 vom Glühbirnen-Typ einen Sockel 4210, eine Leistungszufuhreinheit 4220, eine Wärmeableitungseinheit 4230, ein Lichtquellenmodul 4240 und eine optische Einheit 4330 umfassen.
  • Der Sockel 4210 kann derart eingerichtet sein, dass er durch eine existierende Beleuchtungseinrichtung austauschbar ist. Leistung, die der Beleuchtungseinrichtung 4300 vom Glühbirnen-Typ zugeführt wird, kann durch den Sockel 4210 angelegt werden. Wie dargestellt, kann die Leistungszufuhreinheit 4220 getrennt und in einer ersten Leistungszufuhreinheit 4221 und einer zweiten Leistungszufuhreinheit 4222 zusammengebaut werden. Die Wärmeableitungseinheit 4230 kann eine interne Wärmeableitungseinheit 4231 und eine externe Wärmeableitungseinheit 4232 umfassen, und die interne Wärmeableitungseinheit 4231 kann direkt mit dem Lichtquellenmodul 4240 und/oder der Leistungszufuhreinheit 4220 verbunden sein, wodurch Wärme an die externe Wärmeableitungseinheit 4232 übertragen werden kann. Die optische Einheit 4330 kann linsenförmig sein und kann eingerichtet sein, Licht, das durch das Lichtquellenmodul 4240 emittiert wird, gleichmäßig zu verteilen.
  • Das Lichtquellenmodul 4240 kann eine Leistung von der Leistungszufuhreinheit 4220 empfangen und Licht an die Abdeckungseinheit 4330 emittieren. Das Lichtquellenmodul 4240 kann eine oder mehrere Lichtquellen 4241, eine Platine 4242 und einen Controller 4243 umfassen, und der Controller 4243 kann Treiberinformationen der einen oder mehreren Lichtquellen 4241 speichern. Die eine oder die mehreren Lichtquellen 4241, welche das Lichtquellenmodul 4240 bildet bzw. bilden, kann bzw. können eingerichtet sein, zum Beispiel das in 1, 10, 11A und 11B und 16 gezeigte LED-Modul zu umfassen, oder das Lichtquellenmodul 4240 kann mit dem in 13 gezeigten Lichtquellenmodul 1000 (z. B. LED-Modul) implementiert sein.
  • In der Beleuchtungseinrichtung 4300 vom Glühbirnen-Typ gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann eine reflektierende Einheit 4310 über dem Lichtquellenmodul 4240 umfasst sein und die reflektierende Einheit 4310 kann Blendlicht reduzieren, indem Licht von dem Lichtquellenmodul 4240 einheitlich zu der Seite und den Rückseiten gespreizt wird.
  • Ein Kommunikationsmodul 4320 kann über der reflektierenden Einheit 4310 montiert sein und eine Heimnetzwerkkommunikation kann durch das Kommunikationsmodul 4320 implementiert sein. Das Kommunikationsmodul 4320 kann zum Beispiel ein drahtloses Kommunikationsmodul sein, das Zigbee®, Wi-Fi oder Li-Fi verwendet, und kann ein Ein-/Ausschalten einer Beleuchtungseinrichtung durch ein Smartphone oder einen drahtlosen Controller steuern, und kann ein Licht, das innerhalb und außerhalb des Hauses installiert ist, steuern, wie beispielsweise ein Ein-/Ausschalten einer Beleuchtungseinrichtung und eine Steuerung von Helligkeit durch ein Smartphone oder einen drahtlosen Controller. Zudem kann das Li-Fi-Kommunikationsmodul, das die sichtbare Lichtwellenlänge der Beleuchtungseinrichtung verwendet, die innerhalb und außerhalb des Hauses installiert ist, verwendet werden, um elektronische Produkte und Fahrzeugsysteme innerhalb und außerhalb des Hauses zu steuern, wie beispielsweise Fernseher, Kühlschränke, Klimaanlagen, Türschlösser und Personenkraftwagen. Die reflektierende Einheit 4310 und das Kommunikationsmodul 4320 können durch die optische Einheit 4330 bedeckt sein, die linsenförmig sein kann.
  • Wie oben offenbart, kann gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung durch Kombinieren einer Nahinfrarot-Lichtquelle, die ein ATP-Wirkungsspektrum aufweist (z. B. eine Peakwellenlänge von 740 nm bis 900 nm), mit einer grundlegenden Beleuchtungslichtquelle (z. B. weißem oder farbigem Beleuchtungslicht) ein LED-Modul und eine Beleuchtungseinrichtung mit einer biologischen Energieverbesserungsfunktion bereitgestellt werden.
  • Während beispielhafte Ausführungsformen gezeigt und vorstehend beschrieben worden sind, wird für den Fachmann ersichtlich sein, dass Modifikationen und Variationen vorgenommen werden könnten, ohne sich von dem Umfang der vorliegenden Offenbarung zu entfernen.

Claims (20)

  1. Leuchtdioden(LED)-Modul, das eingerichtet ist, weißes Licht zu emittieren, wobei das LED-Modul aufweist: eine blaue Leuchtdiode (30), die eingerichtet ist, blaues Licht mit einer ersten Peakwellenlänge von 420 nm bis 465 nm zu emittieren; mindestens ein Wellenlängenumwandlungsmaterial (54, 56), das eingerichtet ist, einen Teil des blauen Lichts in umgewandeltes Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln; und eine Nahinfrarot-Lichtquelle, die eingerichtet ist, ein zusätzliches Licht mit einer zweiten Peakwellenlänge in einem Bereich von 740 nm bis 900 nm und einer Halbwertsbreite (FWHM) von 120 nm oder weniger zu emittieren, wobei sich das umgewandelte Licht, ein anderer Teil des blauen Lichts und das zusätzliche Licht kombinieren, um das weiße Licht zu bilden.
  2. LED-Modul nach Anspruch 1, wobei in einem Spektrum des weißen Lichts das weiße Licht eine Peakintensität in dem Bereich von 740 nm bis 900 nm hat, und die Peakintensität größer gleich 4,5 % einer Peakintensität des blauen Lichts ist.
  3. LED-Modul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Nahinfrarot-Lichtquelle ein Nahinfrarot-Wellenlängenumwandlungsmaterial (58) umfasst, das eingerichtet ist, durch das blaue Licht angeregt zu werden, um das zusätzliche Licht mit der zweiten Peakwellenlänge in dem Bereich von 740 nm bis 900 nm und der Halbwertsbreite von 120 nm oder weniger zu emittieren.
  4. LED-Modul nach Anspruch 3, wobei das Nahinfrarot-Wellenlängenumwandlungsmaterial (58) mindestens einen Leuchtstoff ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Ca(Al12-x-y,Gay)O19:xCr3+ (0≤x≤1, 0≤y≤6), Lu3Al5O12:Ce3+, Cr3+, La3MgZrO6:Cr3+, LiInSi2O6:Cr3+, LiZnSnO:Cr3+ und ScBO3:Cr3+ aufweist.
  5. LED-Modul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Nahinfrarot-Lichtquelle mindestens eine Nahinfrarot-LED (40; 40') aufweist, die eingerichtet ist, das zusätzliche Licht mit der zweiten Peakwellenlänge in dem Bereich von 740 nm bis 900 nm und der Halbwertsbreite von 120 nm oder weniger zu emittieren.
  6. LED-Modul nach Anspruch 5, wobei die mindestens eine Nahinfrarot-LED eine Mehrzahl von Nahinfrarot-LEDs (40') ist, die eingerichtet sind, Licht mit jeweiligen Peakwellenlängen in dem Bereich von 740 nm bis 900 nm, die sich voneinander unterscheiden, zu emittieren.
  7. LED-Modul nach Anspruch 6, wobei die Mehrzahl von Nahinfrarot-LEDs (40') eine erste LED aufweist, die eingerichtet ist, ein erstes Licht mit einer Peakwellenlänge in einem Bereich von 620 nm bis 720 nm zu emittieren, und eine zweite LED, die eingerichtet ist, ein zweites Licht mit einer Peakwellenlänge in einem Bereich von 720 nm bis 900 nm zu emittieren.
  8. LED-Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei es in einem Spektrum des weißen Lichts mindestens ein Tal zwischen einer Peakwellenlänge in dem Bereich von 740 nm bis 900 nm und einer benachbarten Peakwellenlänge in einem Wellenlängenband für sichtbares Licht gibt.
  9. LED-Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das weiße Licht einen Farb-Rendering-Index (CRI) von 70 oder mehr hat.
  10. LED-Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das weiße Licht eine Farbtemperatur (CCT) in einem Bereich von 1800 bis 6500 K hat.
  11. LED-Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das mindestens eine Wellenlängenumwandlungsmaterial (54, 56) ein erstes Wellenlängenumwandlungsmaterial (54) aufweist, das eingerichtet ist, durch das blaue Licht angeregt zu werden, um ein erstes Licht mit einer Peakwellenlänge in einem Bereich von 520 nm bis 560 nm zu emittieren, und ein zweites Wellenlängenumwandlungsmaterial (56) aufweist, das eingerichtet ist, durch das blaue Licht angeregt zu werden, um ein zweites Licht mit einer Peakwellenlänge in einem Bereich von 600 nm bis 650 nm zu emittieren.
  12. LED-Modul nach Anspruch 11, wobei das erste Wellenlängenumwandlungsmaterial (54) und das zweite Wellenlängenumwandlungsmaterial (56) einen Leuchtstoff und/oder einen Quantenpunkt aufweisen.
  13. LED-Modul nach Anspruch 12, wobei das erste Wellenlängenumwandlungsmaterial mindestens einen Leuchtstoff aus einer Gruppe, bestehend aus (Ga,Gd,Y,Lu)3Al5O12:Ce3+, La3Si6N11:Ce3+, (Sr,Ca,Ba)Si2O2N2:Eu2+, (Sr,Ba)2SiO4:Eu2+ und β-SiAlON:Eu 2+ aufweist.
  14. LED-Modul nach Anspruch 12 oder 13, wobei das zweite Wellenlängenumwandlungsmaterial (56) mindestens einen Leuchtstoff aus einer Gruppe, bestehend aus (Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+, CaAlSiN3:Eu2+ und KxSiFy:Mn4+(2≤x≤3, 4≤y≤7) aufweist.
  15. Leuchtdioden(LED)-Modul aufweisend: eine erste Lichtquelle aufweisend mindestens eine Leuchtdiode, wobei die erste Lichtquelle eingerichtet ist, ein erstes Licht in einem sichtbaren Band zu emittieren; und eine zweite Lichtquelle, die eingerichtet ist, ein zweites Licht zu emittieren, das eine Peakwellenlänge in einem Bereich von 740 nm bis 900 nm aufweist.
  16. LED-Modul nach Anspruch 15, wobei die zweite Lichtquelle ein Wellenlängenumwandlungsmaterial (58) aufweist, das eingerichtet ist, durch das erste Licht angeregt zu werden, um das zweite Licht mit der Peakwellenlänge in dem Bereich von 740 nm bis 900 nm zu emittieren.
  17. LED-Modul nach Anspruch 16, wobei das Wellenlängenumwandlungsmaterial (58) mindestens einen Leuchtstoff ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Ca(Al12-x-y,Gay)O19:xCr3+ (0≤x≤1, 0≤y≤6), Lu3Al5O12:Ce3+, Cr3+, La3MgZrO6:Cr3+, LiInSi2O6:Cr3+, LiZnSnO:Cr3+ und ScBO3:Cr3+ aufweist.
  18. LED-Modul nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die erste Lichtquelle und die zweite Lichtquelle zusammen als einzelnes Package ausgebildet sind, wobei die erste Lichtquelle aufweist: die mindestens eine Leuchtdiode, wobei die mindestens eine Leuchtdiode eine blaue Leuchtdiode (30) aufweist, die eingerichtet ist, blaues Licht mit einer Peakwellenlänge in einem Bereich von 420 nm bis 465 nm zu emittieren; ein Package-Substrat (10), auf dem die blaue Leuchtdiode (30) montiert ist; mindestens ein erstes Wellenlängenumwandlungsmaterial (54, 56), das eingerichtet ist, durch einen ersten Teil des blauen Lichts angeregt zu werden, um den ersten Teil des blauen Lichts in umgewandeltes Licht einer anderen Farbe umzuwandeln; wobei die zweite Lichtquelle ein zweites Wellenlängenumwandlungsmaterial (58) ist, das eingerichtet ist, durch einen zweiten Teil des blauen Lichts angeregt zu werden, um das zweite Licht mit der Peakwellenlänge in dem Bereich von 740 nm bis 900 nm zu emittieren, und wobei sich das umgewandelte Licht, ein anderer Teil des blauen Lichts und das zweite Licht kombinieren, um weißes Licht zu bilden.
  19. LED-Modul nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die erste Lichtquelle ein erstes LED-Package (100W) ist und die zweite Lichtquelle ein zweites LED-Package (100B') ist, wobei das erste LED-Package (100W) aufweist: die mindestens eine Leuchtdiode, wobei die mindestens eine Leuchtdiode eine erste Leuchtdiode (30) aufweist, die eingerichtet ist, blaues Licht mit einer Peakwellenlänge in einem Bereich von 420 nm bis 465 nm zu emittieren; ein erstes Package-Substrat (10), auf dem die erste Leuchtdiode (30) montiert ist, und mindestens ein erstes Wellenlängenumwandlungsmaterial (54, 56), das eingerichtet ist, durch einen Teil des blauen Lichts angeregt zu werden, den Teil des blauen Lichts in umgewandeltes Licht einer anderen Farbe umzuwandeln, und sich ein anderer Teil des blauen Lichts und das konvertierte Licht kombinieren, um weißes Licht zu bilden, und wobei das zweite LED-Package (100B') aufweist: eine zweite Leuchtdiode (30'), die eingerichtet ist, Licht einer ersten Wellenlänge zu emittieren; und ein zweites Wellenlängenumwandlungsmaterial (58), das eingerichtet ist, durch das Licht der ersten Wellenlänge angeregt zu werden, das zweite Licht mit der Peakwellenlänge in dem Bereich von 740 nm bis 900 nm zu emittieren.
  20. Leuchtdioden(LED)-Modul aufweisend: ein Package-Substrat (10); eine Leuchtdiode (30'), die auf dem Package-Substrat (10) montiert ist und eingerichtet ist, ein erstes Licht innerhalb eines Wellenlängenbands für sichtbares Licht zu emittieren; eine Wellenlängenumwandlungseinheit (50B) aufweisend mindestens ein Wellenlängenumwandlungsmaterial (58), das eingerichtet ist, durch das erste Licht angeregt zu werden, sodass es ein zweites Licht mit einer Peakwellenlänge in einem Bereich von 740 nm bis 900 nm emittiert; und einen Wellenlängenfilter (60), der auf der Wellenlängenumwandlungseinheit (52B) angeordnet ist und eingerichtet ist, das erste Licht zu blockieren und das zweite Licht zu transmittieren.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115597014A (zh) * 2022-10-21 2023-01-13 广州市巨宏光电有限公司（Cn） 一种健康照明灯
CN116083087B (zh) * 2022-12-02 2024-04-19 河北大学 一种蓝光激发的近红外荧光粉及其制备方法
KR102584316B1 (ko) 2023-03-10 2023-10-06 한국건설기술연구원 스펙트럼 확장형 도로전광표지 제어 시스템 및 이를 이용하는 교통정보 취득장치

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1758169A3 (de) 1996-08-27 2007-05-23 Seiko Epson Corporation Trennverfahren, Verfahren zur Übertragung eines Dünnfilmbauelements, und unter Verwendung des Übertragungsverfahrens hergestelltes Flüssigkristall-Anzeigebauelement
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
EP1420463A4 (de) 2001-08-22 2008-11-26 Sony Corp Nitrid-halbleiterelement und verfahren zu seiner herstellung
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20060038198A1 (en) 2004-08-23 2006-02-23 Chua Janet B Y Device and method for producing output light having a wavelength spectrum in the visible range and the infrared range using a fluorescent material
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR20090055891A (ko) 2007-11-29 2009-06-03 주식회사 웰스킨 피부용 엘이디 광 조사기
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US8426871B2 (en) 2009-06-19 2013-04-23 Honeywell International Inc. Phosphor converting IR LEDs
KR20140000090A (ko) 2012-06-22 2014-01-02 아이필유(주) 실내용 ｌｅｄ 조명장치 조절 방법 및 다기능 실내용 ｌｅｄ 조명
KR101345583B1 (ko) 2012-08-03 2013-12-30 한국교통대학교산학협력단 업-컨버전 형광체, 이를 이용한 ｌｅｄ 패키지 및 백라이트 유닛
JP6356606B2 (ja) * 2012-10-04 2018-07-11 株式会社東芝 歯科用照明装置
US9407838B2 (en) 2013-04-23 2016-08-02 Cedars-Sinai Medical Center Systems and methods for recording simultaneously visible light image and infrared light image from fluorophores
WO2014210588A1 (en) 2013-06-28 2014-12-31 North Carolina State University Systems and methods for determining sleep patterns and circadian rhythms
JP2015211150A (ja) * 2014-04-28 2015-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換部材及びこれを用いた照明装置
US10646685B2 (en) 2014-05-09 2020-05-12 Rensselaer Polytechnic Institute Luminous roof for NICU incubators for regulating circadian rhythms in infants and for providing high visibility of infant anatomy for healthcare staff
US20160369955A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-22 CoreLed Systems, LLC Enhanced color rendering lens for white leds
JP7107307B2 (ja) 2017-05-11 2022-07-27 三菱ケミカル株式会社 発光装置、および蛍光体
US10808171B2 (en) * 2018-01-30 2020-10-20 Lextar Electronics Corporation Infrared emitting fluoride phosphor and infrared light emitting device
US10991855B2 (en) * 2018-04-16 2021-04-27 Lextar Electronics Corporation White light emitting device
CN109192843B (zh) * 2018-07-10 2019-08-13 旭宇光电（深圳）股份有限公司 植物生长用发光二极管
KR20200006652A (ko) * 2018-07-10 2020-01-21 삼성디스플레이 주식회사 잉크조성물, 그 제조 방법, 및 이를 이용한 양자점-폴리머 복합체 패턴 제조방법
US11396628B2 (en) 2018-09-10 2022-07-26 Nichia Corporation Near-infrared light emitting fluorescent material
KR20200036116A (ko) 2018-09-27 2020-04-07 한양대학교 에리카산학협력단 Led 실내 조명
JP7102321B2 (ja) * 2018-11-15 2022-07-19 株式会社日立ハイテク 広帯域光源装置、及び生化学分析装置
JP2020136672A (ja) * 2019-02-21 2020-08-31 シャープ株式会社 発光装置
EP3935135B1 (de) * 2019-04-12 2022-07-06 Lumileds LLC Neuartige nir-breitband emittierende leuchtstoffe für die infrarotspektroskopie
KR102121266B1 (ko) 2019-07-26 2020-06-26 주식회사 올릭스 근적외 성분을 포함하는 고연색 백색 발광 소자

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CN114695627A (zh) 2022-07-01
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