DE102020105618A1 - Ölpumpenschieber mit variabler verdrängung und bogenfeder - Google Patents
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Abstract
Eine Kraftfahrzeug-Verstellpumpe umfasst einen Pumpenkörper mit einer Pumpenwelle, die sich durch den Pumpenkörper erstreckt. Ein Rotor ist mit der Pumpenwelle verbunden und dreht sich gemeinsam mit der Pumpenwelle. Der Rotor hat mehrere radial nach außen gerichtete Schlitze. Ein Schaufelträgerring trägt mehrere Schaufeln, die einzeln gleitend in einem der Schlitze des Rotors aufgenommen werden. Ein Schieber ist drehbar mit dem Pumpenkörper verbunden, wobei sich der Rotor und der Flügelstützring in einer Innenwand des Schiebers befinden. Eine Bogenfederteller, die ein Vorspannungselement definiert, berührt den Schieber direkt, um den Schieber so vorzuspannen, dass er sich um einen Krümmungsbogen dreht.
Description
- EINLEITUNG
- Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf Öl- und Hydraulikflüssigkeitspumpen und insbesondere auf Verstellpumpen, die in PKW- und LKW-Systemen verwendet werden.
- In Kraftfahrzeugen wird üblicherweise eine Verstellpumpe verwendet, um unter Druck stehendes Öl zu verschiedenen Motorkomponenten zu fördern. Bekannte Verstellpumpen, die zu diesem Zweck eingesetzt werden, werden direkt durch die Rotation einer Motorkomponente, wie z.B. einer Welle, in Rotation versetzt und ändern daher ihre Drehzahl mit der sich ändernden Motordrehzahl. Pumpen mit variabler Verdrängung bieten eine variable Ölfördermenge.
- Bekannte Pumpen mit variabler Verdrängung, die für diese Funktion verwendet werden, verwenden eine Druckfeder, die eine Vorspannungskraft liefert, um die Fördermenge der Pumpe zu variieren. Druckfedern sind einfach und erfordern nur geringe oder gar keine Einstellung, erfordern aber oft den Einbau von verstärkten Federsitzflächen außerhalb des für einen Gleitabschnitt der Pumpe erforderlichen Raumes. Die Federsitzflächen und ein Abstand, der die Ausdehnung und Kontraktion der Feder ermöglicht, erhöhen das Gewicht und die Kosten der Pumpe und vergrößern den für die Pumpe erforderlichen Raum. Darüber hinaus biegt sich die Druckfeder während des Betriebs aus der Achse und erfordert in der Regel ein zentrales Ausrichtungselement, um die Federkraft über den gesamten Betriebsbereich der Druckfeder konstant zu halten. Darüber hinaus ist die Auslenkung der Druckfeder über einen Bereich zwischen 30 % und 70 % Auslenkung nicht linear, wodurch ein ungleichmäßiger Pumpenausgangsstrom über diesen Federbetriebsbereich entsteht.
- Während also die derzeitigen Fahrzeugölsystem-Verstellpumpen ihren Zweck erfüllen, besteht ein Bedarf an einer neuen und verbesserten Verstellpumpe und einem Verfahren zum Betrieb einer Verstellpumpe für den Betrieb des Ölsystems von Fahrzeugen.
- BESCHREIBUNG
- Nach mehreren Gesichtspunkten umfasst eine Verstellpumpe einen Pumpenkörper mit einer durch den Pumpenkörper verlaufenden Pumpenwelle. Die Pumpenwelle dreht sich in Bezug auf eine Längsachse der Pumpenwelle. Ein Schieber ist drehbar mit dem Pumpenkörper verbunden. Einen Bogenfederteller, die ein Vorspannungselement definiert, berührt den Schieber direkt, um den Schieber so vorzuspannen, dass er sich um einen Krümmungsbogen innerhalb des Pumpenkörpers dreht.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Spannstift in einer Spannstiftvertiefung des Schiebers positioniert, wobei der Spannstift den Schieber drehbar mit einer Innenwand des Pumpenkörpers verbindet.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird der Bogenfederteller an einem Ende des Bogenfedertellers zwischen dem Spannstift und dem Pumpenkörper verankert.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält der Schieber eine Dichtung, die in einem Dichtungshohlraum positioniert ist. Eine von dem Bogenfederteller erzeugte Kraft ist gleich einer entgegengesetzt gerichteten Druckkraft, die gegen eine Fläche des Schiebers zwischen dem Dichtungshohlraum und dem Spannstifthohlraum wirkt.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist ein Rotor mit der Pumpenwelle verbunden und dreht sich gemeinsam mit der Pumpenwelle, wobei der Rotor mehrere radial nach außen gerichtete Schlitze aufweist.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung trägt ein Lamellenstützring mehrere Lamellen, wobei die Lamellen einzeln gleitend in einem der Schlitze des Rotors aufgenommen werden und sich die Lamellen mit dem Lamellenstützring durch Drehung des Rotors drehen.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst der Schieber eine kreisförmige Innenwand, wobei der Rotor und der Flügelstützring innerhalb der Innenwand des Schiebers positioniert sind.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung haben die Schaufeln ein äußeres Ende, das in direktem Kontakt mit der Innenwand des Schiebers gehalten wird, während sich der Schaufelstützring mit dem Rotor mitdreht.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine Achse des Flügelstützrings in Bezug auf die Längsachse der Pumpenwelle außermittig positioniert, so dass die Drehung des Flügelstützrings bei gedrehten Positionen des Schlittens einen unrunden Weg in Bezug auf die Längsachse der Pumpenwelle definiert.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung berührt der Bogenfederteller direkt den Schieber an einem freien Ende des Bogenfedertellers, der eine konvexe Oberfläche definiert.
- Nach mehreren Gesichtspunkten umfasst eine Verstellpumpe einen Pumpenkörper mit einer durch den Pumpenkörper verlaufenden Pumpenwelle. Ein Rotor ist mit der Pumpenwelle verbunden und dreht sich gemeinsam mit der Pumpenwelle. Der Rotor hat mehrere radial nach außen gerichtete Schlitze. Ein Schaufelträgerring trägt mehrere Schaufeln, die einzeln gleitend in einem der Schlitze des Rotors aufgenommen werden. Ein Schieber ist drehbar mit dem Pumpenkörper verbunden, wobei sich der Rotor und der Flügelstützring in einer Innenwand des Schiebers befinden. Einen Bogenfederteller, der ein Vorspannungselement definiert, berührt den Schieber direkt, um den Schieber so vorzuspannen, dass er sich um einen Krümmungsbogen dreht.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Spannstift in einer Spannstiftvertiefung des Schiebers positioniert, wobei der Spannstift den Schieber drehbar mit einer Innenwand des Pumpenkörpers verbindet. Der Spannstift verankert den Bogenfederteller am Pumpenkörper an einem Ende des Bogenfedertellers zwischen dem Spannstift und dem Pumpenkörper.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst der Schieber einen Dichtungshohlraum mit einer Dichtung, die innerhalb des Dichtungshohlraums positioniert ist und eine Innenwand des Pumpenkörpers berührt, wobei die Dichtung das Eindringen von Flüssigkeit in eine äußere Kammer, die zwischen dem Schieber und dem Pumpenkörper positioniert ist, begrenzt.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine durch den Bogenfederteller erzeugte Belastungskraft gleich einer entgegengesetzt gerichteten Druckkraft, die gegen eine Oberfläche des Schiebers in der äußeren Kammer wirkt.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung hat ein erstes Ende des Bogenfedertellers einen konvex geformten Teil in direktem Gleitkontakt mit einem gekrümmten Außenwandteil des Schiebers, der dazu dient, den Reibungskontakt zwischen dem Bogenfederteller und dem Schieber zu minimieren.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält der Bogenfederteller ein zweites Ende, das in einem Schlitz sitzt, der in einer Wand des Pumpenkörpers geschaffen wurde.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung drehen sich die Pumpenwelle und der Rotor in Bezug auf eine Längsachse der Pumpenwelle, wobei der Flügelstützring einen unrunden Bewegungsweg definiert, wenn sich die Pumpenwelle um die Längsachse dreht.
Eine Verstellpumpe umfasst nach mehreren Gesichtspunkten einen Pumpenkörper mit einer durch den Pumpenkörper verlaufenden Pumpenwelle. Die Pumpenwelle dreht sich in Bezug auf eine Längsachse der Pumpenwelle. Der Rotor ist mit der Pumpenwelle verbunden und dreht sich zusammen mit der Pumpenwelle in Bezug auf die Längsachse der Pumpenwelle. Der Rotor hat mehrere radial nach außen gerichtete Schlitze. Ein Lamellenstützring trägt mehrere Lamellen, die einzeln gleitend in einer der Nuten des Rotors aufgenommen und durch Kontakt zwischen den Lamellen und dem Rotor während der Drehung des Rotors gedreht werden. Der Schaufelträgerring bewegt sich auf einer unrunden Bewegungsbahn, wenn sich die Pumpenwelle um die Längsachse dreht. Ein Schieber ist drehbar mit dem Pumpenkörper verbunden, wobei sich der Rotor und der Flügelstützring in einer Innenwand des Schiebers befinden. Einen Bogenfederteller, der ein Vorspannglied definiert, den Schieber direkt berührt, um den Schieber so vorzuspannen, dass er sich um einen Krümmungsbogen dreht. Eine durch den Bogenfederteller erzeugte Vorspannkraft wirkt auf die Pumpenwelle und widersetzt sich der Gesamtdruckkraft einer Flüssigkeit in einer äußeren Kammer zwischen Schieber und Pumpenkörper. - In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Spannstift in einer Spannstiftvertiefung des Schiebers positioniert. Der Spannstift verbindet den Schieber drehbar mit einer Innenwand des Pumpenkörpers. Der Bogenfederteller umfasst ein erstes Ende, das eine konvexe Oberfläche definiert, die direkt mit dem Schieber in Kontakt kommt, und ein zweites Ende, das zwischen dem Spannstift und dem Pumpenkörper am Pumpenkörper verankert ist.
- In einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält der Bogenfederteller ein erstes Ende, das eine konvexe Oberfläche definiert, die direkt mit dem Schieber in Kontakt steht, und ein zweites Ende, das in einem Schlitz sitzt, der in einer Wand des Pumpenkörpers erzeugt wurde.
- Weitere Anwendungsbereiche werden sich aus der hier gegebenen Beschreibung ergeben. Es sollte verstanden werden, dass die Beschreibung und die spezifischen Beispiele nur zur Veranschaulichung dienen und nicht den Umfang der vorliegenden Offenbarung einschränken sollen.
- Figurenliste
- Die hier beschriebenen Zeichnungen dienen nur zur Veranschaulichung und sollen den Umfang der vorliegenden Offenbarung in keiner Weise einschränken.
-
1 ist eine Draufsicht auf eine Verstellpumpe mit einem nach einem exemplarischen Aspekt abgenommenen Pumpendeckel; -
2 ist eine perspektivische Ansicht der Verstellpumpe aus1 von oben; -
3 ist eine perspektivische Ansicht einer Bogenfeder für die Verstellpumpe aus1 ; -
4 ist eine perspektivische Ansicht der Bogenfeder von3 , die außerdem einen Spannstift zeigt, der einen Drehpunkt für die Bogenfeder darstellt; -
5 ist eine Draufsicht auf die Verstellpumpe aus1 , die in einer vollständig vorgespannten und gedrehten Position eines Schiebers gezeigt wird; -
6 ist eine frontale, perspektivische Ansicht der Bogenfeder von3 ; und -
7 ist eine Frontalansicht eines Schiebers der Verstellpumpe aus FIG: 1. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Die folgende Beschreibung hat lediglich beispielhaften Charakter und soll die gegenwärtige Offenbarung, Anwendung oder Verwendung nicht einschränken.
- Unter Bezugnahme auf
1 bietet ein Verstellpumpensystem10 der vorliegenden Offenbarung eine Verstellpumpe12 mit einem Pumpenkörper14 , der z.B. aus lasergeschnittenem, gehärtetem und dampfbehandeltem Stahl oder aus Schmiedestahl oder einem pulverisierten Metall hergestellt ist. Die Verstellpumpe12 wird mit abgenommenem Enddeckel gezeigt, um die inneren Komponenten sichtbar zu machen. Ein Rotor16 ist mit einer Pumpenwelle18 verbunden und dreht sich durch axiale Drehung mit dieser. Die Pumpenwelle18 kann durch ein Rotationsbauteil (nicht abgebildet) eines Kraftfahrzeugmotors19 , schematisch dargestellt, gedreht werden und ändert daher die Drehzahl direkt mit einer Änderung der Drehzahl in Umdrehungen pro Minute des Motors19 . Die Pumpenwelle18 und damit der Rotor16 drehen sich in Bezug auf eine auf den Betrachter gerichtete Längsachse20 , wie in1 dargestellt. - Der Rotor
16 trägt mehrere Schaufeln, die in Bezug auf die Längsachse20 radial nach außen gerichtet sind. Die Lamellen können in ihrer Menge variieren und umfassen unter anderem eine erste Lamelle22 , eine zweite Lamelle24 , eine dritte Lamelle26 , eine vierte Lamelle28 , eine fünfte Lamelle30 , eine sechste Lamelle32 und eine siebte Lamelle34 . Die Schaufeln sind einzeln verschiebbar in einem von mehreren Schaufelschlitzen des Rotors16 angeordnet, so wie z.B. die erste Schaufel22 verschiebbar in einem ersten Schaufelschlitz36 angeordnet ist. Während der Drehung der Pumpenwelle18 werden die Flügel, wie der erste Flügel22 , abwechselnd radial nach außen38 in Bezug auf die Längsachse20 und entgegengesetzt radial nach innen40 in Bezug auf die Längsachse20 verschoben. Die Drehung des Rotors16 , der die Schaufeln dreht, erzeugt eine Pumpwirkung für eine Flüssigkeit wie das in der Verstellpumpe12 aufgenommene Motoröl. Die Schaufeln haben ein äußeres Ende42 , das während der Drehung des Rotors16 direkt mit einer kreisförmigen Innenwand44 eines Schiebers46 in Kontakt kommen kann oder innerhalb eines Freiraums von diesem gehalten wird. - Der Schieber
46 ist im Pumpenkörper14 mit einem Spannstift48 drehbar gelagert, wobei der Spannstift48 einen Drehpunkt für die Hin- und Herdrehung des Schiebers46 in Bezug auf einen Drehbogen50 definiert. Ein Vorspannglied, das nach mehreren Gesichtspunkten einen Bogenfederteller52 z.B. aus Federstahl definiert, ist an einem Ende am Spannstift48 verankert und berührt an einem freien Ende des Bogenfedertellers52 direkt den Schieber46 , um den Schieber46 um den Drehbogen50 in entgegengesetzter Drehrichtung, wie in1 gesehen, vorzuspannen. Die hydraulischen Kräfte im Pumpenkörper14 wirken der Vorspannkraft entgegen, die durch den Bogenfederteller52 während des Betriebs der Verstellpumpe12 erzeugt wird. - Das vom Motor
19 abgegebene Niederdrucköl wird über eine Strömungsleitung56 zur Verstellpumpe12 geleitet und in einen Niederdruck-Ansaugraum60 geleitet. Aus dem Niederdruck-Ansaugraum60 wird das Öl sowohl oberhalb als auch unterhalb der gegenüberliegenden Enden des Dias46 (auf den Betrachter zu und von ihm weg, wie in1 dargestellt) geleitet, wo das Öl in einen Strömungskanal62 des Dias46 fließt. Der Strömungskanal62 befindet sich zwischen der kreisförmigen Innenwand44 des Schiebers46 und einer äußeren Umfangswand64 des Rotors16 . Der Strömungskanal62 vergrößert sich kontinuierlich von einem Eintrittsende zu einem Mittelpunkt66 des Strömungskanals62 , der sich beispielsweise in der Nähe der für die zweite Schaufel24 gezeigten temporären Position befindet. Von der Mitte66 nimmt der Durchflusskanal62 dann kontinuierlich im Durchgangsbereich zu einem sich verjüngenden geometrischen Auslass68 ab, wo das durch die Rotation der Flügel unter Druck gesetzte Öl aus der Verstellpumpe12 austritt. Eine Öldruckregeleinrichtung70 , wie z.B. ein Ölsteuer-Regelventil, die mit einem Ölkanal in Verbindung steht, kommuniziert über einen Kanalanschluss72 mit einer Außenkammer74 . Die äußere Kammer74 ist zwischen dem Schieber46 und dem Pumpenkörper14 vorgesehen, um Platz für einen freien Bewegungsbogen des Schiebers46 zu schaffen, wenn sich der Schieber46 in Bezug auf den Spannstift48 dreht. - Der Öldruck im Ölkanal und damit am Kanalanschluss
72 ist im Allgemeinen anders als der Öldruck am Niederdruck-Saugrohr60 . Um zu verhindern, dass Öl in der Außenkammer74 mit dem Niederdruck-Ansaugraum60 in einem Strömungsweg zwischen einer Außenwand76 des Schiebers46 und einem Innenwandteil78 des Pumpenkörpers14 ausgetauscht wird, ist ein Dichtungselement80 zwischen der Außenwand76 und dem Innenwandteil78 angeordnet. Das Dichtungselement80 wird in einem Dichtungshohlraum82 zusammen mit einem Vorspannelement84 aus z.B. einem elastischen Material positioniert, das das Dichtungselement80 kontinuierlich in Kontakt mit dem Innenwandabschnitt78 vorspannt. Das Dichtungselement80 und das Vorspannelement84 drehen sich daher gemeinsam mit dem Schieber46 , wenn sich der Schieber46 in Bezug auf die durch den Spannstift48 definierte Drehachse dreht. - Unter Bezugnahme auf
2 und wiederum auf1 berühren die Flügel, wie z.B. der beispielhafte zweite Flügel24 , direkt die Flügelstützringe86 , und wenn die Flügelstützringe86 in eine achsenfremde Position in Bezug auf die Längsachse20 der Pumpenwelle18 verschoben werden, werden die Flügel abwechselnd dazu veranlasst, sich innerhalb der Flügelschlitze, wie z.B. dem ersten Flügelschlitz36 , nach innen und nach außen zu verschieben. Die beiden Schaufelträgerringe86 sind gleitend auf den entgegengesetzten Seiten des Rotors16 angeordnet. Die Schaufeln erhöhen den Öldruck und erzeugen während der Rotation des Rotors16 einen Ölstrom, indem das am Niederdruck-Einlasshohlraum60 aufgenommene Öl durch den Strömungskanal62 und über den Auslass68 verdrängt wird, wenn die Schaufelstützringe86 gegenüber der Längsachse20 der Pumpenwelle18 aus der Achse verschoben werden. - Zur Einleitung des Pumpvorgangs wird die Achse der beiden Flügelstützringe
86 durch Drehen des Schiebers46 unter Verwendung der Vorspannkraft des Bogenfedertellers52 in eine achsenfremde Position in Bezug auf die Längsachse20 der Pumpenwelle18 verschoben. Wie bereits erwähnt, stehen die äußeren Enden der Schaufeln42 in direktem Gleitkontakt mit der kreisförmigen Innenwand44 des Schiebers46 oder sind in einem Mindestabstand zu dieser angeordnet. Die Schaufeln haben auch ein inneres Ende88 , das die Schaufelträgerringe86 direkt berührt (von denen nur einer in dieser Ansicht gezeigt ist). Da die Schaufeln gleich lang sind, durchlaufen die Schaufelträgerringe86 eine nach außen gerichtete Position in Bezug auf die Längsachse20 , während die Pumpenwelle18 um die Längsachse20 rotiert, eine nach innen gerichtete Bewegungsbahn90 . Die Schaufeln verschieben sich innerhalb des Schaufelschlitzes, in dem die einzelnen Schaufeln angeordnet sind, während sich die Schaufelträgerringe86 drehen, radial nach innen oder radial nach außen. Zum Beispiel ist die erste Schaufel22 in den36 dargestellt, während die fünfte Schaufel30 in einer im Wesentlichen vollständig radial nach innen versetzten Position innerhalb ihres Schaufelschlitzes dargestellt ist. Dadurch wird eine größere Oberfläche der ersten Schaufel22 am Mittelpunkt66 innerhalb des Strömungskanals62 freigelegt. Die Lamellenschlitze, wie der erste Lamellenschlitz36 , enthalten auch einen Flüssigkeitseintritt und -austritt durch den Kanal92 , damit das Öl in die Schlitze hinein oder aus ihnen heraus fließen kann, um eine freie Gleitbewegung der Lamelle innerhalb des jeweiligen Lamellenschlitzes zu ermöglichen. - Um den Reibungskontakt zwischen dem Bogenfederteller
52 und dem Schieber46 zu minimieren, definiert ein freies erstes Ende94 des Bogenfedertellers52 eine Kurve mit einem konvex geformten Abschnitt, der in direktem Kontakt mit einem gekrümmten Außenwandabschnitt96 des Schiebers46 steht. Ein geformtes zweites Ende98 des Bogenfedertellers52 berührt direkt den Spannstift48 und wird in der Einbaulage des Bogenfedertellers52 zwischen dem Spannstift48 und einer Innenwand100 des Pumpenkörpers14 kraftschlüssig gefangen. - Unter Bezugnahme auf
3 und wiederum auf1 und2 , bietet der konvex geformte Teil des freien ersten Endes94 des Bogenfedertellers52 eine konvexe Oberfläche102 . Das geformte zweite Ende98 des Bogenfedertellers52 bietet eine konkave Oberfläche104 zur Aufnahme des Spannstiftes48 . Zwischen dem freien ersten Ende84 und dem geformten zweiten Ende88 des Bogenfedertellers52 erstreckt sich eine gekrümmte Wand106 . - Unter Bezugnahme auf
4 und erneut auf1 bis3 ahmt ein Krümmungsradius der konkaven Fläche104 des geformten zweiten Endes98 des Bogenfedertellers52 einen Krümmungsradius108 des Spannstifts48 nach. Dadurch wird sichergestellt, dass der Kontakt zwischen der konkaven Oberfläche104 und einer Außenfläche des Spannstifts48 aufrechterhalten wird. - Unter Bezugnahme auf
5 und erneut auf1 bis4 ist eine Vorspannkraft110 , die durch den zur Pumpenwelle18 hin wirkenden Bogenfederteller52 erzeugt wird, kleiner, gleich oder größer als eine Gesamtdruckkraft112 der Flüssigkeit in der äußeren Kammer74 , die gleich und entgegengesetzt zur Vorspannkraft des Bogenfedertellers52 wirkt, um den Schieber46 gegen die Vorspannkraft des Bogenfedertellers52 zu bewegen. Die Gesamtdruckkraft112 , die z.B. als mehrfache Druckkraftpfeile dargestellt ist, wird durch den Ölrückführdruck erzeugt, der am Kanalanschluss72 vom Motorhauptkanal (nicht abgebildet) anliegt und die Außenkammer74 unabhängig vom Öldruck, der in den Niederdruck-Einlassraum60 geleitet wird, unter Druck setzt. Nach mehreren Gesichtspunkten erstreckt sich ein Stoß oder Anschlag114 vom äußeren Wandteil116 des Dias46 nach außen. Der Anschlag114 berührt direkt den inneren Wandabschnitt78 des Pumpenkörpers14 und definiert eine maximale Rotationsposition des Schiebers46 . - Nach mehreren Gesichtspunkten berührt das zweite Ende
98 des Bogenfedertellers52 direkt den Spannstift48 und wird in der Einbaulage des Bogenfedertellers52 kraftschlüssig zwischen dem Spannstift48 und einer Innenwand118 des Pumpenkörpers14 gefangen. Nach weiteren Gesichtspunkten wird das zweite Ende98 des Bogenfedertellers52 so modifiziert, dass es in einem in der Wand des Pumpenkörpers14 geschaffenen Schlitz120 reibschlüssig eingefangen wird. In jeder ihrer Konfigurationen ist der Bogenfederteller52 in einer zweiten äußeren Kammer122 positioniert, die sich zwischen dem Schieber46 und dem Pumpenkörper14 befindet und die unter Druck stehender Flüssigkeit wie dem in den Niederdruck-Ansaugraum60 eintretenden Niederdruck-Öl ausgesetzt ist. - Unter Bezugnahme auf
6 und wiederum auf1 bis5 werden eine Belastungslänge, eine Dicke und eine Breite des Bogenfedertellers52 unter Verwendung der bekannten Gleichungen 1, 2 und 3 unten für einen in Biegung belasteten Kragträger bei einem Elastizitätsmodul des gewählten Materials bestimmt. Die Belastungslänge wird auf der Grundlage eines Abstands124 zwischen einem ersten Berührungspunkt126 des ersten Endes94 des Bogenfedertellers52 mit dem Außenwandteil96 des Schiebers46 (wie in2 dargestellt) und einem zweiten Berührungspunkt128 der konkaven Fläche104 des zweiten Endes98 des Bogenfedertellers52 mit dem Spannstift48 für die in5 gezeigte Einbaukonfiguration des Bogenfedertellers52 bestimmt. Eine Federdicke130 und eine Federbreite132 fließen ebenfalls in die Bestimmung der Belastbarkeit des Bogenfedertellers52 ein.124 ) - E= Elastizitätsmodul, und
- I = Trägheitsmoment
- Bezogen auf
7 und nochmals auf5 und6 ist die aufgebrachte Kraft F (Vorspannkraft110 ) des Bogenfedertellers52 mindestens gleich der Gesamtdruckkraft112 , die zum Bewegen des Schiebers46 gegen die Vorspannkraft110 des Bogenfedertellers52 wirkt. Wie oben erwähnt, wird die Gesamtdruckkraft112 , die unten als Fp definiert ist, als Rückkopplungsdruck von der Hauptgalerie des Motors erzeugt. Die Gesamtdruckkraft112 kann aus Gleichung 4 wie folgt berechnet werden: - P = Rückkopplungsdruck; und
- A = Fläche, über die der Druck wirkt, definiert als eine Fläche
134 des Schiebers46 , über die der Rückführdruck wirkt, zwischen dem Dichtungshohlraum82 und einem Spannstifthohlraum136 , in dem der Spannstift48 sitzt. - Während sich die vorliegende Offenbarung auf hydraulische Verstellpumpen richtet, die in Ölsystemen von Kraftfahrzeugmotoren verwendet werden, kann die Verstellpumpe der vorliegenden Offenbarung auch in anderen Systemen wie Auflade-, Servolenkungs-, Klimaanlagen- und Automatikgetriebepumpen verwendet werden.
- Eine Verstellpumpe der vorliegenden Offenbarung bietet mehrere Vorteile. Dazu gehört die Bereitstellung eines Bogenfederteller-Vorspannungselements, das kleiner als herkömmliche Spiralfedern ist, wodurch der Platzbedarf der Verstellpumpe reduziert wird. Der Bogenfederteller bietet eine besser vorhersehbare lineare Federkraft als eine gewickelte Feder. Die Durchbiegung des Bogenfedertellers ist linearer als bei einer Spiralfeder, insbesondere innerhalb einer Durchbiegung von 30% bis 70% der Spiralfeder, wodurch eine linearere Pumpenleistung erzielt wird. Gewicht und Kosten werden auch für die Verstellpumpe der vorliegenden Offenbarung reduziert, da eine Schraubenfederhalterung nicht erforderlich ist.
- Die Beschreibung der vorliegenden Offenbarung ist lediglich beispielhafter Natur, und Abweichungen, die nicht vom Kern der vorliegenden Offenbarung abweichen, sollen in den Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung fallen. Solche Abweichungen sind nicht als eine Abweichung vom Geist und Umfang der vorliegenden Offenbarung zu betrachten.
Claims (10)
- Eine Kraftfahrzeug-Verstellpumpe, umfassend: einen Pumpenkörper mit einer durch den Pumpenkörper verlaufenden Pumpenwelle, wobei sich die Pumpenwelle in Bezug auf eine Längsachse der Pumpenwelle dreht; einem Schieber, der drehbar mit dem Pumpenkörper verbunden ist; und einen Bogenfederteller, der ein Vorspannungselement definiert, das direkt mit dem Schieber in Kontakt steht, um den Schieber so vorzuspannen, dass er sich in einem Krümmungsbogen innerhalb des Pumpenkörpers dreht.
- Die Kraftfahrzeug-Verstellpumpe nach
Anspruch 1 , ferner enthaltend einen in einer Spannstiftvertiefung des Schiebers positionierten Spannstift, wobei der Spannstift den Schieber drehbar mit einer Innenwand des Pumpenkörpers verbindet. - Die Kraftfahrzeug-Verstellpumpe nach
Anspruch 2 , wobei der Bogenfederteller an einem Ende des Bogenfedertellers zwischen dem Spannstift und dem Pumpenkörper verankert ist. - Die Kraftfahrzeug-Verstellpumpe nach
Anspruch 2 , wobei der Schieber eine in einem Dichtungshohlraum positionierte Dichtung aufweist und wobei eine durch den Bogenfederteller erzeugte Belastungskraft gleich einer entgegengesetzt gerichteten Druckkraft ist, die gegen eine Oberfläche des Schiebers zwischen dem Dichtungshohlraum und dem Spannstifthohlraum wirkt. - Die Kraftfahrzeug-Verstellpumpe nach
Anspruch 1 , ferner umfassend einen mit der Pumpenwelle verbundenen und mit der Pumpenwelle mitdrehenden Rotor, wobei der Rotor mehrere radial nach außen gerichtete Schlitze aufweist. - Die Kraftfahrzeug-Verstellpumpe nach
Anspruch 5 , ferner enthaltend einen Flügelstützring, der mehrere Flügel trägt, wobei die Flügel einzeln gleitend in einem der Schlitze des Rotors aufgenommen werden und sich die Flügel durch die Drehung des Rotors mit dem Flügelstützring drehen. - Die Kraftfahrzeug-Verstellpumpe nach
Anspruch 6 , wobei der Schieber eine kreisförmige Innenwand aufweist, wobei der Rotor und der Flügelstützring innerhalb der Innenwand des Schiebers angeordnet sind. - Die Kraftfahrzeug-Verstellpumpe nach
Anspruch 7 , wobei die Flügel ein äußeres Ende haben, das in direktem Kontakt mit der Innenwand des Schiebers gehalten wird, während sich der Flügel stützring mit dem Rotor mitdreht. - Die Kraftfahrzeug-Verstellpumpe nach
Anspruch 7 , wobei eine Achse des Flügelstützrings in Bezug auf die Längsachse der Pumpenwelle außeraxial angeordnet ist, wobei die Drehung des Flügelstützrings bei gedrehten Positionen des Schiebers einen unrunden Weg in Bezug auf die Längsachse der Pumpenwelle definiert. - Die Kraftfahrzeug-Verstellpumpe nach
Anspruch 1 , wobei der Bogenfederteller an einem Ende des Bogenfedertellers, das eine konvexe Oberfläche definiert, direkt mit dem Schieber in Kontakt kommt.
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US11088033B2 (en) | 2016-09-08 | 2021-08-10 | International Business Machines Corporation | Low resistance source-drain contacts using high temperature silicides |
US10020401B2 (en) * | 2016-11-29 | 2018-07-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for straining a transistor gate through interlayer dielectric (ILD) doping schemes |
US10177006B2 (en) * | 2016-11-30 | 2019-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process for making multi-gate transistors and resulting structures |
US10325911B2 (en) * | 2016-12-30 | 2019-06-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10685884B2 (en) | 2017-07-31 | 2020-06-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device including a Fin-FET and method of manufacturing the same |
CN109817524B (zh) * | 2017-11-22 | 2022-02-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
KR102279939B1 (ko) | 2017-11-27 | 2021-07-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US10748760B2 (en) * | 2017-11-30 | 2020-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Varying temperature anneal for film and structures formed thereby |
DE102018124675A1 (de) | 2017-11-30 | 2019-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Glühen von Film bei unterschiedlichen Temperaturen und dadurch ausgebildete Strukturen |
US10685842B2 (en) * | 2018-05-18 | 2020-06-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control |
US11450526B2 (en) | 2018-05-30 | 2022-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Cyclic spin-on coating process for forming dielectric material |
US11227918B2 (en) * | 2018-07-31 | 2022-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Melt anneal source and drain regions |
US10867842B2 (en) * | 2018-10-31 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for shrinking openings in forming integrated circuits |
US11177320B2 (en) * | 2019-01-08 | 2021-11-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Variable resistance memory device and method of fabricating the same |
US11056573B2 (en) * | 2019-06-14 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Implantation and annealing for semiconductor device |
US11527444B2 (en) * | 2019-09-25 | 2022-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Air spacer formation for semiconductor devices |
US11862559B2 (en) | 2020-07-31 | 2024-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structures and methods of forming the same |
US11522062B2 (en) * | 2020-08-14 | 2022-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing an etch stop layer and an inter-layer dielectric on a source/drain region |
US20220293471A1 (en) * | 2021-03-10 | 2022-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fin Field-Effect Transistor Device and Method |
Family Cites Families (9)
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---|---|---|---|---|
US5124271A (en) * | 1990-06-20 | 1992-06-23 | Texas Instruments Incorporated | Process for fabricating a BiCMOS integrated circuit |
US9159409B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-10-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for providing complimentary state retention |
US8803242B2 (en) * | 2011-09-19 | 2014-08-12 | Eta Semiconductor Inc. | High mobility enhancement mode FET |
US8847281B2 (en) * | 2012-07-27 | 2014-09-30 | Intel Corporation | High mobility strained channels for fin-based transistors |
US8932911B2 (en) * | 2013-02-27 | 2015-01-13 | GlobalFoundries, Inc. | Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with capping layers between metal contacts and interconnects |
US9153693B2 (en) * | 2013-06-13 | 2015-10-06 | Globalfoundries Inc. | FinFET gate with insulated vias and method of making same |
US9269786B2 (en) * | 2013-09-26 | 2016-02-23 | Globalfoundries Inc. | Silicon nitride layer deposited at low temperature to prevent gate dielectric regrowth high-K metal gate field effect transistors |
US9553174B2 (en) * | 2014-03-28 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Conversion process utilized for manufacturing advanced 3D features for semiconductor device applications |
US9634141B1 (en) * | 2015-10-14 | 2017-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interlayer dielectric film in semiconductor devices |
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