DE102019112477A1 - Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung - Google Patents

Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102019112477A1
DE102019112477A1 DE102019112477.8A DE102019112477A DE102019112477A1 DE 102019112477 A1 DE102019112477 A1 DE 102019112477A1 DE 102019112477 A DE102019112477 A DE 102019112477A DE 102019112477 A1 DE102019112477 A1 DE 102019112477A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
control
layer
power semiconductor
semiconductor component
load
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102019112477.8A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102019112477B4 (de
Inventor
Nadja Kolb
Christian Göbl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron Elektronik GmbH and Co KG filed Critical Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Priority to DE102019112477.8A priority Critical patent/DE102019112477B4/de
Priority to CN202010379006.XA priority patent/CN111933601A/zh
Priority to CN202020748075.9U priority patent/CN212113702U/zh
Publication of DE102019112477A1 publication Critical patent/DE102019112477A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102019112477B4 publication Critical patent/DE102019112477B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung vorgestellt, wobei das Leistungshalbleiterbauelement auf einer ersten Hauptseite mit einer Normalenrichtung eine Lastanschlussfläche und eine Steueranschlussfläche mit einer Steueranschlussflächenbegrenzung aufweist, wobei die Kontakteinrichtung ausgebildet als ein Schichtstapel mit einer ersten und einer zweiten elektrisch leitenden Schicht und einer dazwischen angeordneten ersten elektrisch isolierenden Schicht, wobei die erste elektrisch leitenden Schicht eine erste Lastteilschicht und eine erste Steuerleitschicht aufweist, wobei die erste Lastteilschicht mit der Lastanschlussfläche und die Steuerteilschicht mit der Steueranschlussfläche elektrisch leitend verbunden ist, wobei die die zweite elektrisch leitenden Schicht eine zweite Lastteilschicht und eine zweite Steuerleitschicht aufweist, wobei diese einen ersten Abschnitt aufweist, der in Normalenrichtung mit der Steueranschlussfläche fluchtet, einen zweiten Abschnitt aufweist, dessen Steuerteilleitschichtbegrenzung in Projektion in Normalenrichtung seitlich zur Steueranschlussflächenbegrenzung versetzt ist und einen dritten Abschnitt aufweist, der den ersten und zweiten Abschnitt miteinander verbindet und wobei die erste isolierende Schicht zwischen der ersten und zweiten Lastteilschicht eine erste Durchkontaktierung, sowie zwischen der ersten und zweiten Steuerleitschicht eine zweite Durchkontaktierung aufweist.

Description

  • Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung, wobei das Leistungshalbleiterbauelement auf seiner ersten Hauptseite eine Lastanschlussfläche und eine Steueranschlussfläche aufweist. Die Kontakteinrichtung ist dazu vorgesehen zwischen diese Anschlussflächen und einer fachüblichen Verbindungseinrichtung angeordnet zu werden.
  • Aus der DE 10 2014 117 246 A1 ist ein Verfahren zum Herstellen eines Substratadapters bekannt, der insbesondere zum Kontaktieren von Halbleiterelementen dient, umfassend die Schritte: Strukturieren eines elektrisch leitenden Metallelements; zumindest abschnittsweises Ummanteln des strukturierten Metallelements mit einem elektrisch isolierenden Material, insbesondere Kunststoff, und Aufbringen eines Kontaktierungsmaterials auf eine erste Seite des Metallelements.
  • Bei verschiedenen Anwendungen von Leistungshalbleiterbauelementen, insbesondere auf Basis von Siliziumcarbid, SiC, ist es schwierig die Anschlussflächen der Oberseite derart zu verbinden, dass die hierfür verwendete Verbindungseinrichtung die Lastanschlussfläche eine ausreichende Stromtragfähigkeit aufweisen. Bei der Verwendung neuartiger Verbindungseinrichtungen, insbesondere derartiger die auf Folientechnologie basieren, kann auch die Verbindung zur Steueranschlussfläche abhängig von deren Position auf der Oberfläche schwierig auszugestalten sein. Dies betrifft sowohl stoff- wie auch kraftschlüssige Verbindungen in unterschiedlicher Ausprägung.
  • In Kenntnis des Standes der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde ein Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung vorzugstellen, das größere Freiheiten bei der konkreten Ausgestaltung von Verbindungen zu einer Verbindungseinrichtung ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung, wobei das Leistungshalbleiterbauelement auf einer ersten Hauptseite mit einer Normalenrichtung eine Lastanschlussfläche und eine Steueranschlussfläche mit einer Steueranschlussflächenbegrenzung aufweist, wobei die Kontakteinrichtung ausgebildet als ein Schichtstapel mit einer ersten und einer zweiten elektrisch leitenden Schicht und einer dazwischen angeordneten ersten elektrisch isolierenden Schicht, wobei die erste elektrisch leitenden Schicht eine erste Lastteilschicht und eine erste Steuerleitschicht aufweist, wobei die erste Lastteilschicht mit der Lastanschlussfläche und die Steuerteilschicht mit der Steueranschlussfläche elektrisch leitend verbunden ist, wobei die die zweite elektrisch leitenden Schicht eine zweite Lastteilschicht und eine zweite Steuerleitschicht aufweist, wobei diese einen ersten Abschnitt aufweist, der in Normalenrichtung mit der Steueranschlussfläche fluchtet, einen zweiten Abschnitt aufweist, dessen Steuerteilleitschichtbegrenzung in Projektion in Normalenrichtung seitlich zur Steueranschlussflächenbegrenzung versetzt ist und einen dritten Abschnitt aufweist, der den ersten und zweiten Abschnitt miteinander verbindet und wobei die erste isolierende Schicht zwischen der ersten und zweiten Lastteilschicht eine erste Durchkontaktierung, sowie zwischen der ersten und zweiten Steuerleitschicht eine zweite Durchkontaktierung aufweist.
  • Hierbei ist es vorteilhaft, wenn in Projektion in Normalenrichtung die Steueranschlussflächenbegrenzung und die zweite Steuerteilleitschichtbegrenzung sich nicht überlappen.
  • Ebenso vorteilhaft ist es, wenn in Projektion in Normalenrichtung im Bereich der zweiten Steuerteilschicht keine ersten Durchkontaktierungen angeordnet sind.
  • Es kann bevorzugt sein, wenn mittelbar oder unmittelbar auf der zweiten elektrisch leitenden Schicht eine zweite elektrisch isolierende Schicht und auf dieser eine dritte leitende Schicht mit einer dritten Lastteilschicht und einer dritten Steuerteilschicht mit einer dritten Steuerteilleitschichtbegrenzung angeordnet ist, wobei in Normalenrichtung diese dritte Steuerteilleitschichtbegrenzung mit dem zweiten Abschnitt der zweiten Steuerlastschicht fluchtet und wobei die zweite isolierende Schicht zwischen der zweiten und dritten Lastteilschicht eine dritte Durchkontaktierung, sowie zwischen zwischen der zweiten und dritten Steuerleitschicht eine vierte Durchkontaktierung aufweist.
  • Es kann vorteilhaft sein, wenn in Projektion in Normalenrichtung N die Steueranschlussflächenbegrenzung und die dritte Steuerteilleitschichtbegrenzung sich nicht überlappen.
  • In einer Ausführungsform kann es vorteilhaft sein, wenn in Projektion in Normalenrichtung im Bereich der zweiten Steuerteilschicht keine vierten Durchkontaktierungen angeordnet sind. Alternativ hierzu kann es vorteilhaft sein, wenn, die zweite elektrisch isolierende und die dritte elektrisch leitende Schicht als Abschnitte einer Verbindungseinrichtung zwischen dem Leistungshalbleiterbauelement und einem weiteren Leistungshalbleiterbauelement oder einer weiteren Leiterbahn eines Substrats ausgebildet sind.
  • Grundsätzlich ist es bevorzugt, wenn die elektrisch leitenden Schichten als Metallfolien und die elektrisch isolierenden Schichten als Kunststofffolien ausgebildet sind.
  • Es kann auch vorteilhaft sein, wenn die elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten Lastteilschicht und der Lastanschlussfläche und zwischen der ersten Steuerteilschicht und der Steueranschlussfläche jeweils als stoff- oder kraftschlüssige Verbindung ausgebildet ist.
  • Bevorzugt ist es, wenn die Kontakteinrichtung eine Fixiereireinrichtung aufweist, die mit dem Leistungshalbleiterbauelement oder einem Substrat mittels einer lokal begrenzten Klebeverbindung stoffschlüssig verbunden ist.
  • Ebenfalls bevorzugt ist es, wenn die Fixiereinrichtung als ein Abschnitt der ersten oder zweiten elektrisch leitenden Schicht ausgebildet ist.
  • Schließlich kann es vorteilhaft sein, wenn in Projektion in Normalenrichtung die Fixiereinrichtung in einem Eckbereich des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist.
  • Selbstverständlich können, sofern dies nicht explizit oder per se ausgeschlossen ist oder dem Gedanken der Erfindung widerspricht, die jeweils im Singular genannten Merkmale, insbesondere die jeweiligen Durchkontaktierungen, mehrfach in der erfindungsgemäßen Kontakteinrichtung vorhanden sein.
  • Es versteht sich, dass die verschiedenen Ausgestaltungen der Erfindung, einzeln oder in beliebigen Kombinationen realisiert sein können, um Verbesserungen zu erreichen. Insbesondere sind die vorstehend und im Folgenden genannten und erläuterten Merkmale nicht nur in den angegebenen Kombinationen, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung einsetzbar, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Weitere Erläuterungen der Erfindung, vorteilhafte Einzelheiten und Merkmale, ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der in den 1 bis 7 schematisch dargestellten Ausführungsbeispiele der Erfindung, oder von jeweiligen Teilen hiervon.
    • 1 zeigt in Explosionsdarstellung eine Anordnung mit einem erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelement mit Kontakteinrichtung.
    • 2 zeigt in Schnittansicht schematisch unterschiedliche Schichten einer fünflagigen Kontakteinrichtung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements.
    • 3 zeigt in Schnittansicht eine erste Ausgestaltung einer fünflagigen Kontakteinrichtung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements.
    • 4 zeigt in Schnittansicht eine erste Ausgestaltung einer dreilagigen Kontakteinrichtung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements.
    • 5 zeigt in Schnittansicht eine zweite Ausgestaltung einer fünflagigen Kontakteinrichtung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements.
    • 6 zeigt in Draufsicht die einzelnen Schichten der ersten Ausgestaltung einer fünflagigen Kontakteinrichtung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements.
    • 7 zeigt in Draufsicht eine Alternative zur erste elektrisch isolierenden Lage der ersten Ausgestaltung einer fünflagigen Kontakteinrichtung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements.
  • 1 zeigt in Explosionsdarstellung eine Anordnung mit einem auf einem Substrat 1 angeordneten erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelement 2 mit einer Kontakteinrichtung 3 und mit einer Verbindungseinrichtung 5. Das Substrat 1 ist ohne Beschränkung der Allgemeinheit ein, auf dem technischen Gebiet der Leistungselektronik fachübliches, Substrat mit einem Isolierstoffkörper 10 und hierauf angeordneten metallischen Leiterbahnen 12,14.
  • Auf einer dieser Leiterbahnen 12 ist ein schaltbares Leistungshalbleiterbauelement 2, hier in Transistor, genauer ein IGBT, angeordnet und mit seiner der Leiterbahn zugewandten Seite, der zweiten Hauptseite, elektrisch leitend mit dieser verbunden. Auf seiner der Leiterbahn 12 abgewandten Seite, der ersten Hauptseite 200, weist diese Leistungshalbleiterbauelement 2 eine Steueranschlussfläche 22 und einer Lastanschlussfläche 20 auf, wobei dei Steueranschlussfläche 22 einen signifikant kleineren, also maximal 10%, Flächeninhalt im Vergleich zur Lastanschlussfläche 20 aufweist. Die Steueranschlussfläche 22 ist hier ein Zentralgate des IGBTs und weist eineSteueranschlussflächenbegrenzung 220 auf. Die erste Hauptseite 200 definiert hierbei eine Normalenrichtung N, die senkrecht von der ersten Hauptseite 200 und somit hier auch vom Substrat 1 weg gerichtet ist.
  • Die Kontakteinrichtung 3 ist hier nur funktional dargestellt. Sie weist auf ihrer dem Leistungshalbleiterbauelement 2 zugewandten Seite eine Kontaktfläche zur Verbindung mit der Steueranschlussfläche 22 und eine Kontaktfläche zur Verbindung mit der Lastanschlussfläche 20 auf. Weiterhin weist sie auf ihrer dem Leistungshalbleiterbauelement 2 abwandten und der Verbindungseinrichtung 5 zugewandten Seite eine Kontaktfläche zur Verbindung mit einer Laststromleiterbahn 50 und eine Kontaktfläche zur Verbindung mit einer Steuerstromleiterbahn 52 auf. Die Kontaktfläche zu Verbindung mit der Steueranschlussfläche 22 und die Kontaktfläche zur Verbindung mit der Steuerstromleiterbahn 52 sind in Projektion in Normalenrichtung N nebeneinander und nicht überlappend angeordnet. Die Kontakteinrichtung 3 ist dazu ausgebildet ihre beiden der Steueranschlussfläche 22 zugeordneten Kontaktflächen elektrisch leitend miteinander zu verbinden. In dieser Ausgestaltung wird das Zentralgate des Leistungshalbleiterbauelements 2 mittels der Kontakteinrichtung 3 aus Sicht der Verbindungseinrichtung 5 zu einem Rand- oder genauer Eckgate quasi umverdrahtet, was mit einem Pfeil 6 der den Gatestrompfad repräsentiert dargestellt ist. Virtuell, also aus Sicht der Verbindungseinrichtung 5 auf das Leistungshalbleiterbauelement 2 mit Kontakteinrichtung 3, ist somit die Steueranschlussfläche, das Gate, nicht in der Position der Mitte, wie ohne Kontakteinrichtung 3, sondern in einer Ecke des Leistungshalbleiterbauelements 2 angeordnet.
  • Die Verbindungseinrichtung 5 selbst weist eine elektrisch isolierende Folie 54 auf, auf deren dem Substrat 1 samt Leistungshalbleiterbauelement 2 zugewandten Seite die Steuerstromleiterbahn 52 und die Laststromleiterbahn 50 angeordnet sind und aus einer strukturierten elektrisch leitenden Folie ausgebildet sind. Auf der dem Substrat 1 abgewandten Seite weist die elektrisch isolierende Folie 54 eine weitere aus einer elektrisch leitenden Folie ausgebildete Leiterbahn 56 auf. Eine derartige Verbindungseinrichtung 5 entspricht im Grund dem Stand der Technik.
  • 2 zeigt in Schnittansicht schematisch unterschiedliche Schichten einer fünflagigen Kontakteinrichtung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements. Dies Lagen sind ausgebildet als ein Schichtstapel mit einer ersten, einer zweiten und einer dritten elektrisch leitenden Schicht 31, 32, 33 und jeweils einer dazwischen angeordneten ersten bzw. zweiten elektrisch isolierenden Schicht 41,42.
  • 3 zeigt in Schnittansicht eine erste Ausgestaltung einer fünflagigen Kontakteinrichtung 3 eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements 2. Die einzelnen Schichten entsprechen denjenigen unter 2 beschriebenen. Das Leistungshalbleiterbauelement 2 ist hier wiederum, wie unter 1 beschrieben ein IGBT mit einem Zentralgate, das die Steueranschlussfläche 22 ausbildet. Das Leistungshalbleiterbauelement 2 weist somit auf seiner ersten Hauptseite 200 mit der Normalenrichtung N eine Lastanschlussfläche 20 und eine Steueranschlussfläche 22 mit einer Steueranschlussflächenbegrenzung 220 auf.
  • Die erste elektrisch leitende Schicht 31 der Kontakteinrichtung 3 weist eine erste Lastteilschicht 310 und eine erste Steuerleitschicht 312 auf, in anderen Worten die erste leitende Schicht ist in sich strukturiert. Dies gilt im Weiteren auch für alle anderen leitenden Schichten der Kontakteinrichtung 3. Die erste Lastteilschicht 310 ist mit der Lastanschlussfläche 20 und die Steuerteilschicht 312 ist mit der Steueranschlussfläche 22 elektrisch leitend verbunden.
  • Die zweite elektrisch leitende Schicht 32 weist eine zweite Lastteilschicht 320 und eine zweite Steuerleitschicht 322 auf. Die zweite Steuerleitschicht 322 weist drei Abschnitte 3220,3222,3224 auf. Der erste Abschnitt 3220 fluchtet in Normalenrichtung N mit der Steueranschlussfläche 22 und damit auch mit der ersten Steuerleitschicht 310 der ersten elektrisch leitenden Schicht 31. Der zweite Abschnitt 3224 weist ein Steuerteilleitschichtbegrenzung 3226 auf und ist in Projektion in Normalenrichtung N seitlich zur Steueranschlussfläche 22 und deren Steueranschlussflächenbegrenzung 220 versetzt und weist keinen Überlappungsbereich damit auf. Der dritte Abschnitt 3222 verbindet den ersten und zweiten Abschnitt 3220,3224 miteinander, vgl. jeweils auch 6 und dort jeweils in Richtung A-A.
  • Die zwischen der ersten und zweiten leitenden Schicht 32,33 angeordnete erste elektrisch isolierende Schicht 41 weist erste und zweite Durchkontaktierungen 410,412 auf. Die ersten Durchkontaktierungen 410 bilden eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten Lastteilschicht 310 und der zweiten Lastteilschicht 320 aus. Diese ersten Durchkontaktierungen 410 sind großflächig, allerdings in Projektion in Normalenrichtung N betrachtet nicht im Bereich der zweiten Steuerleitschicht 322, verteilt angeordnet. Die zweiten Durchkontaktierungen 412 bilden die elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten Steuerleitschicht 312 und dem ersten Abschnitt 3220 der zweiten Steuerleitschicht 322 aus und sind folglich in Projektion in Normalenrichtung N nur innerhalb der Steueranschlussflächenbegrenzung 220 angeordnet.
  • Die dritte elektrisch leitenden Schicht 33 weist eine dritte Lastteilschicht 330 und eine dritte Steuerleitschicht 332 auf. Die dritte Steuerleitschicht 332 weist eine dritte Steuerteilleitschichtbegrenzung 3320 auf, die in Projektion in Normalenrichtung N die Steueranschlussflächenbegrenzung 220 nicht überlappt, allerdings mit dem zweiten Abschnitt 3224 der zweiten Steuerleitschicht 322 und seiner Steuerteilleitschichtbegrenzung 3226 in Projektion in Normalenrichtung N fluchtet.
  • Die zwischen der zweiten und dritten leitenden Schicht 32,33 angeordnete zweite elektrisch isolierende Schicht 42 weist wiederum erste und zweite Durchkontaktierungen 420,422 auf. Die ersten Durchkontaktierungen 420 bilden eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Lastteilschicht 320 und der dritten Lastteilschicht 330 aus. Diese ersten Durchkontaktierungen 420 sind großflächig, allerdings in Projektion in Normalenrichtung N betrachtet nicht im Bereich der zweiten Steuerleitschicht 322, verteilt angeordnet. Die zweiten Durchkontaktierungen 420 bilden die elektrisch leitende Verbindung zwischen dem zweiten Abschnitt 3224 der zweiten Steuerleitschicht 320 und der dritten Steuerleitschicht 332 aus.
  • Die gesamte Kontakteinrichtung 3 ist in Projektion in Normalenrichtung N innerhalb der Fläche des Leistungshalbleiterbauelements 2 angeordnet und überlappt somit dessen Rand an keiner Stelle.
  • 4 zeigt in Schnittansicht eine erste Ausgestaltung einer dreilagigen Kontakteinrichtung 3 eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements in Kombination mit einer Verbindungseinrichtung 5. Die erste und zweite elektrisch leitende Schicht 31,32, wie auch die erste elektrisch isolierende Schicht 41, sind identisch denjenigen der Ausgestaltung der fünflagigen Kontakteinrichtung gemäß 3 ausgebildet.
  • Das jeweilige Analogon zur dritten elektrisch leitenden Schicht 33, wie auch zur zweiten elektrisch isolierenden Schicht 42 ist hier nicht Teil einer expliziten Kontakteinrichtung, sondern Teil einer Verbindungseinrichtung 5, wie sie im Grunde in 1 dargestellt ist.
  • Funktional sind somit beide Ausgestaltungen identisch, allerdings überlappen hier die zweite elektrisch leitende Schicht 32, die als elektrisch isolierende Folienschicht 542 der Verbindungseinrichtung 5 und auch die dritte elektrisch leitende Schicht 33, die hier als Steuerstromleiterbahn 532 bzw. Laststromleiterbahn 530 einer elektrisch leitenden Folie der Verbindungseinrichtung 5 ausgebildet sind, die eigentliche Kontakteinrichtung 3 und damit auch das Leistungshalbleiterbauelement seitlich.
  • 5 zeigt in Schnittansicht eine zweite Ausgestaltung einer fünflagigen Kontakteinrichtung 3 eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements. Diese ist im Grunde spiegelbildlich, mit einer Spiegelfläche, die der zweiten leitenden Schicht 32 entspricht, zur Kontakteinrichtung gemäß 3 ausgebildet. Diese zweite Ausgestaltung einer fünflagigen Kontakteinrichtung 3 ist somit dazu ausgebildet eine am Rand- oder in einer Ecke angeordneten Steueranschlussfläche eines Leistungshalbleiterbauelements zu einer virtuell zentral gelegenen Steueranschlussfläche umzuverdrahten, während die erste Ausgestaltung der fünflagigen Kontakteinrichtung gemäß 3 genau die umgekehrte Umverdrahtung ausbildet.
  • 6 zeigt in Draufsicht die einzelnen Schichten der ersten Ausgestaltung einer fünflagigen Kontakteinrichtung 3 eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements gemäß 3. Links oben dargestellt ist die erste elektrisch leitenden Schicht 31, die hier in die erste Lastteilschicht 310 und in die erste Steuerleitschicht 312 strukturiert ist. Die erste Steuerleitschicht 312 ist hierbei zentral und von der ersten Lastleitschicht 310 umgebend angeordnet und weist eine Ausdehnung auf, die identisch ist der Steueranschlussfläche eines zu verbindenden Leistungshalbleiterbauelements bzw. dessen Steueranschlussflächenbegrenzung 220, vgl. 3.
  • Links unten dargestellt ist die dritte elektrisch leitende Schicht 33, die hier in die dritte Lastteilschicht 330 und in die dritte Steuerleitschicht 332 strukturiert ist und somit die umverdrahtete Kontaktkonfiguration des Leistungshalbleiterbauelements darstellt.
  • Links mittig dargestellt ist die zweite elektrisch leitenden Schicht 32, die hier in die zweite Lastteilschicht 320 und in die zweite Steuerleitschicht 322 strukturiert ist. Die zweite Steuerleitschicht 322 weist, wie oben bereits beschrieben, drei Abschnitte auf. Der erste Abschnitt 3220 fluchtet in Normalenrichtung N mit der ersten Steuerleitschicht 312 der ersten elektrisch leitenden Schicht 31, während der zweite Abschnitt 3224 in Normalenrichtung N mit der dritten Steuerleitschicht 332 fluchtet. Der dritte Abschnitt 3222 verbindet den ersten und zweiten Abschnitt 3220, 3224 miteinander.
  • Rechts oben dargestellt ist die erste elektrisch isolierende Schicht 41, die hier erste und zweite Durchkontaktierungen 410,412 aufweist. Die zweiten Durchkontaktierungen 412 bilden die elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten Steuerleitschicht 312 und dem ersten Abschnitt 3220 der zweiten Steuerleitschicht 322 aus. Die ersten Durchkontaktierungen 410 bilden die elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten Lastleitschicht 310 und der zweiten Lastleitschicht 320 aus. Sämtliche erste Durchkontaktierungen 410 sind ausnahmslos in einem Bereich angeordnet, der in Projektion in Normalenrichtung N, die hier aus der Zeichenebene herausragt, nicht innerhalb und zudem beabstandet von der zweiten Steuerleitschicht 322 liegt.
  • Rechts unten dargestellt ist die zweite elektrisch isolierende Schicht 42, die hier ebenfalls erste und zweite Durchkontaktierungen 420,422 aufweist. Die zweiten Durchkontaktierungen 422 bilden die elektrisch leitende Verbindung zwischen dem zweiten Abschnitt 3224 der zweiten Steuerleitschicht 322 und der dritten Steuerleitschicht 332 aus. Die ersten Durchkontaktierungen 420 bilden die elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Lastleitschicht 320 und der dritten Lastleitschicht 330 aus. Sämtliche ersten Durchkontaktierungen 420 sind wiederum ausnahmslos in einem Bereich angeordnet, der in Projektion in Normalenrichtung N nicht innerhalb und zudem beabstandet von der zweiten Steuerleitschicht 322 liegt.
  • Anhand eines Vergleichs der ersten mit der dritten elektrisch leitenden Schicht 31,33 kann die Wirkungsweise der Kontakteinrichtung 3 sehr klar verdeutlicht werden. Die Anschlusslage einer Steueranschlussfläche eines Leistungshalbleiterbauelements wird vom Zentrum in eine Ecke umverdrahtet. Beim Leistungshalbleiterbauelement liegt die Steueranschlussfläche zentral, während nach der Umverdrahtung mittels der Kontakteinrichtung die virtuelle Steueranschlussfläche nun in einer der Ecken angeordnet ist. Somit ist hier die Lastanschlussfläche, die nun zentral nicht mehr unterbrochen ist, des umverdrahteten Leistungshalbleiterbauelement mit Kontakteinrichtung leichter einer weiteren Kontaktierung zugänglich.
  • 7 zeigt in Draufsicht eine Alternative zur erste elektrisch isolierenden Lage 41 der ersten Ausgestaltung einer fünflagigen Kontakteinrichtung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelements. Diese erste elektrisch isolierende Lage 41 weist, ohne Beschränkung der Allgemeinheit, in drei der vier Eckbereiche eine ösenartige Fixiereinrichtung 414 auf. Die jeweilig Fixiereinrichtung 414 weist eine durchgehende Ausnehmung auf, in der ein Klebstoff angeordnet werden kann, der eine Klebeverbindung zwischen der elektrisch isolierenden Lage und einem der Kontakteinrichtung zugeordneten Leistungshalbleiterbauelement 2 ausbildet um die Kontakteirichtung temporär oder dauerhaft zu fixieren. Eine temporäre Fixierung mittels der Klebeverbindung ist ausreichend, wenn weitere Fixierungen, z.B. durch eine Druck-, Lot- oder Sinterverbindung zwischen dem Leistungshalbleiterbauelement und der Kontakteinrichtung vorgesehen sind.
  • Die gesamte Kontakteinrichtung, mit Ausnehme der Fixiereinrichtung 414 ist in Projektion in Normalenrichtung innerhalb der Fläche des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet und überlappt somit dessen Rand nur an drei räumlich eng begrenzten Stellen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102014117246 A1 [0002]

Claims (12)

  1. Leistungshalbleiterbauelement (2) mit einer Kontakteinrichtung (3), wobei das Leistungshalbleiterbauelement auf einer ersten Hauptseite (200) mit einer Normalenrichtung (N) eine Lastanschlussfläche (20) und eine Steueranschlussfläche (22) mit einer Steueranschlussflächenbegrenzung (220) aufweist, wobei die Kontakteinrichtung (3) ausgebildet als ein Schichtstapel mit einer ersten und einer zweiten elektrisch leitenden Schicht (31, 32) und einer dazwischen angeordneten ersten elektrisch isolierenden Schicht (41), wobei die erste elektrisch leitende Schicht (31) eine erste Lastteilschicht (310) und eine erste Steuerleitschicht (312) aufweist, wobei die erste Lastteilschicht (310) mit der Lastanschlussfläche (20) und die Steuerteilschicht (312) mit der Steueranschlussfläche (22) elektrisch leitend verbunden ist, wobei die zweite elektrisch leitenden Schicht (32) eine zweite Lastteilschicht (320) und eine zweite Steuerleitschicht (322) aufweist, wobei diese einen ersten Abschnitt (3220) aufweist, der in Normalenrichtung (N) mit der Steueranschlussfläche (22) fluchtet, einen zweiten Abschnitt (3224) aufweist, dessen Steuerteilleitschichtbegrenzung (3226) in Projektion in Normalenrichtung (N) seitlich zur Steueranschlussflächenbegrenzung (22) versetzt ist und einen dritten Abschnitt (3222) aufweist, der den ersten und zweiten Abschnitt (3220, 3224) miteinander verbindet und wobei die erste isolierende Schicht (41) zwischen der ersten und zweiten Lastteilschicht (310, 320) eine erste Durchkontaktierung (410), sowie zwischen der ersten und zweiten Steuerleitschicht (312, 322) eine zweite Durchkontaktierung (412) aufweist.
  2. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei in Projektion in Normalenrichtung (N) die Steueranschlussflächenbegrenzung (220) und die zweite Steuerteilleitschichtbegrenzung (3226) sich nicht überlappen.
  3. Leistungshalbleiterbauelement nach eine der Ansprüche 1 oder 2, wobei in Projektion in Normalenrichtung (N) im Bereich der zweiten Steuerteilschicht (322) keine ersten Durchkontaktierungen (410) angeordnet sind.
  4. Leistungshalbleiterbauelement nach eine der Ansprüche 1 bis 3, wobei mittelbar oder unmittelbar auf der zweiten elektrisch leitenden Schicht (32) eine zweite elektrisch isolierende Schicht (42) und auf dieser eine dritte leitende Schicht (33) mit einer dritten Lastteilschicht (330) und einer dritten Steuerteilschicht (332) mit einer dritten Steuerteilleitschichtbegrenzung (3320) angeordnet ist, wobei in Normalenrichtung (N) diese dritte Steuerteilleitschichtbegrenzung (3320) mit dem zweiten Abschnitt (3224) der zweiten Steuerlastschicht (322) fluchtet und wobei die zweite isolierende Schicht (42) zwischen der zweiten und dritten Lastteilschicht (320, 330) eine dritte Durchkontaktierung (420), sowie zwischen zwischen der zweiten und dritten Steuerleitschicht (322, 332) eine vierte Durchkontaktierung (422) aufweist.
  5. Leistungshalbleiterbauelement nach eine der Ansprüche 1 bis 3, wobei in Projektion in Normalenrichtung (N) die Steueranschlussflächenbegrenzung (220) und die dritte Steuerteilleitschichtbegrenzung (3320) sich nicht überlappen.
  6. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei in Projektion in Normalenrichtung (N) im Bereich der zweiten Steuerteilschicht (322) keine vierten Durchkontaktierungen (422) angeordnet sind.
  7. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei die zweite elektrisch isolierende und die dritte elektrisch leitende Schicht (42, 33) als Abschnitte (530, 532, 542) einer Verbindungseinrichtung (5) zwischen dem Leistungshalbleiterbauelement (2) und einem weiteren Leistungshalbleiterbauelement oder einer weiteren Leiterbahn (14) eines Substrats (1) ausgebildet sind.
  8. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitenden Schichten (31, 32, 33) als Metallfolien und die elektrisch isolierenden Schichten (41, 42) als Kunststofffolien ausgebildet sind.
  9. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten Lastteilschicht (310) und der Lastanschlussfläche (20) und zwischen der ersten Steuerteilschicht (312) und der Steueranschlussfläche (22) jeweils als stoff- oder kraftschlüssige Verbindung ausgebildet ist.
  10. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kontakteinrichtung (3) eine Fixiereireinrichtung (414) aufweist, die mit dem Leistungshalbleiterbauelement (2) oder einem Substrat (1) mittels einer lokal begrenzten Klebeverbindung stoffschlüssig verbunden ist.
  11. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 10, wobei die Fixiereinrichtung (414) als ein Abschnitt der ersten oder zweiten elektrisch leitenden Schicht (41) ausgebildet ist.
  12. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 11, wobei in Projektion in Normalenrichtung (N) die Fixiereinrichtung (414) in einem Eckbereich des Leistungshalbleiterbauelements (2) angeordnet ist.
DE102019112477.8A 2019-05-13 2019-05-13 Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung Active DE102019112477B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019112477.8A DE102019112477B4 (de) 2019-05-13 2019-05-13 Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung
CN202010379006.XA CN111933601A (zh) 2019-05-13 2020-05-07 具有接触装置的功率半导体部件
CN202020748075.9U CN212113702U (zh) 2019-05-13 2020-05-07 具有接触装置的功率半导体部件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019112477.8A DE102019112477B4 (de) 2019-05-13 2019-05-13 Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102019112477A1 true DE102019112477A1 (de) 2020-11-19
DE102019112477B4 DE102019112477B4 (de) 2024-03-14

Family

ID=73018825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019112477.8A Active DE102019112477B4 (de) 2019-05-13 2019-05-13 Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung

Country Status (2)

Country Link
CN (2) CN212113702U (de)
DE (1) DE102019112477B4 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022212323A1 (de) 2022-11-18 2024-05-23 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leistungselektronikmodul, Verfahren zum Herstellen eines Leistungselektronikmoduls

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070235810A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-11 Delgado Eladio C Power semiconductor module and fabrication method
DE102010039824A1 (de) * 2010-08-26 2012-03-01 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungsbaugruppe mit einer flexiblen Verbindungseinrichtung
DE102015120157A1 (de) * 2015-11-20 2017-05-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einer Mehrzahl von Potentialflächen

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014117246B4 (de) 2014-11-25 2018-11-15 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zum Herstellen eines Substratadapters, Substratadapter und Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterelements

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070235810A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-11 Delgado Eladio C Power semiconductor module and fabrication method
DE102010039824A1 (de) * 2010-08-26 2012-03-01 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungsbaugruppe mit einer flexiblen Verbindungseinrichtung
DE102015120157A1 (de) * 2015-11-20 2017-05-24 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einer Mehrzahl von Potentialflächen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Y. Xiao, et. al. „Flip-chip Flex-Circuit Packaging für Power Electronics" ; Published in: Proceedings of the 13th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, IPSD '01 (IEEE Cat. No.01CH37216); 7 June 2001; ISBN: 4-88686-056-7 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022212323A1 (de) 2022-11-18 2024-05-23 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leistungselektronikmodul, Verfahren zum Herstellen eines Leistungselektronikmoduls

Also Published As

Publication number Publication date
CN111933601A (zh) 2020-11-13
DE102019112477B4 (de) 2024-03-14
CN212113702U (zh) 2020-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102017115883B4 (de) Leistungselektronisches Submodul mit Gleich- und Wechselspannungsanschlusselementen und Anordnung hiermit
DE102014106570A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit Schalteinrichtung und Anordnung hiermit
DE102015120157A1 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einer Mehrzahl von Potentialflächen
DE102010039824A1 (de) Leistungsbaugruppe mit einer flexiblen Verbindungseinrichtung
EP3273474A1 (de) Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung
DE102018104972A1 (de) Leiterplattenelement mit integriertem elektronischen Schaltelement, Stromrichter und Verfahren zum Herstellen eines Leiterplattenelements
EP0773587A2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Leistingshalbleitermoduls
DE202012012767U1 (de) Leistungshalbleitermodulsystem
DE2619339A1 (de) Matrixschalter
DE102015114188A1 (de) Leistungselektronisches Submodul mit einem zweiteiligen Gehäuse
EP3273473A1 (de) Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung
WO2000052769A1 (de) Piezoelektrischer aktor
DE102014114828A1 (de) Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul, mit einer Gleichspannungsverschienung und mit einer Kondensatoreinrichtung
DE102019112477A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit einer Kontakteinrichtung
DE102011078806A1 (de) Leistungselektronisches System mit einer Kühleinrichtung
DE102016115373B4 (de) Schaltungsanordnung mit einer Verbindungseinrichtung und mit einer Leiterplatte
DE102013102828B4 (de) Leistungsbaugruppe mit einer als Folienverbund ausgebildeten Verbindungseinrichtung
DE102017117667A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit einer auf eine Schalteinrichtung einwirkender Druckeinrichtung
DE102008026347A1 (de) Leistungselektronische Anordnung mit einem Substrat und einem Grundkörper
DE102019117476A1 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einem Anschlusselement
DE102019107080B4 (de) Anordnung mit einer Leiterplatte und einem zu entwärmenden Leistungshalbleiterbauelement
DE102022129449A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit einer auf eine Schalteinrichtung einwirkenden Druckeinrichtung
DE102022111579A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer leistungselektronischen Schalteinrichtung und leistungselektronische Schalteinrichtung
DE102021211643A1 (de) Elektronikvorrichtung
DE102019118421A1 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einem Verbindungsmittel und mit einem Leistungshalbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division