DE102018215271A1 - PROCESSING METHOD FOR A WAFER - Google Patents

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Abstract

Ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer beinhaltet: einen Ausrichtungsschritt zum Detektieren einer Ausrichtungsmarkierung durch ein Versiegelungsmaterial durch eine Aufnahmeeinheit für sichtbares Licht von der vorderen Oberflächenseite des Wafers und Detektieren einer Teilungslinie, die laserbearbeitet werden soll, basierend auf der Ausrichtungsmarkierung; und einen Teilungsschritt für eine laserbearbeitete Nut zum Emittieren eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass er durch das Versiegelungsmaterial absorbiert wird, entlang der Teilungslinie von der vorderen Oberflächenseite des Wafers und Teilen des Wafers durch eine Ablationsbearbeitung in einzelne Bauelementchips, von denen jeder seine vordere Oberfläche und vier Seitenoberflächen durch das Versiegelungsmaterial umgeben aufweist. Der Ausrichtungsschritt wird durchgeführt, während ein Bereich, der durch das Aufnahmemittel für sichtbares Licht aufgenommen werden soll, mit Licht durch ein geneigtes Leuchtmittel geneigt bestrahlt wird.

Figure DE102018215271A1_0000
A processing method for a wafer includes: an alignment step of detecting an alignment mark by a sealing material through a visible light pickup unit from the front surface side of the wafer and detecting a division line to be laser-processed based on the alignment mark; and a laser processed groove dividing step for emitting a laser beam of such a wavelength as to be absorbed by the sealing material along the division line from the front surface side of the wafer and dividing the wafer by ablation processing into individual device chips each having its front surface and having four side surfaces surrounded by the sealing material. The alignment step is performed while an area to be picked up by the visible light pickup means is irradiated with light inclined by an inclined lamp.
Figure DE102018215271A1_0000

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Technisches GebietTechnical area

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Bearbeiten eines Wafers um eine 5S-geformte Packung auszubilden.The present invention relates to a processing method for a wafer for processing a wafer to form a 5S-shaped package.

Beschreibung des Stands der TechnikDescription of the Related Art

Als ein Aufbau zum Realisieren von Miniaturisierung und einer höheren Dichte verschiedener Bauelemente wie Large-Scale-Integrated-Circuits (LSIs) und Flashspeicher eines NAND-Typs wurde zum Beispiel eine Chip-Größenpackung (chip-size package; CSP), in welcher Bauelementchips in Chipgröße verpackt sind, praktisch verwendet und weit in Mobiltelefonen, Smartphones und dergleichen eingesetzt. Darüber hinaus wurde in den vergangenen Jahren aus dem CSP ein CSP, in dem nicht nur eine vordere Oberfläche, sondern alle Seitenoberflächen eines Chips mit einem Versiegelungsmaterial versiegelt sind, das heißt, dass eine sogenannte 5S-geformte Packung entwickelt und praktisch verwendet wurde.As a construction for realizing miniaturization and a higher density of various devices such as large-scale integrated circuits (LSIs) and NAND-type flash memories, for example, a chip-size package (CSP) in which device chips in FIG Chip size are packaged, practically used and widely used in mobile phones, smart phones and the like. Moreover, in recent years, the CSP has become a CSP in which not only a front surface but all side surfaces of a chip are sealed with a sealing material, that is, a so-called 5S-molded package has been developed and put to practical use.

Die konventionelle 5S-geformte Packung wird durch die folgenden Schritte hergestellt.

  1. (1) Ausbilden von Bauelementen (Schaltung) und externen Verbindungsanschlüssen, die Erhöhung genannt werden, an einer vorderen Oberfläche eines Halbleiterwafers (im Folgenden manchmal einfach als Wafer bezeichnet).
  2. (2) Schneiden des Wafers entlang Teilungslinien von einer vorderen Oberflächenseite des Wafers, um geschnittene Nuten auszubilden, die jeweils eine Tiefe entsprechend den fertigen Dicken von jedem der Bauelementchips aufweisen.
  3. (3) Versiegeln der vorderen Oberfläche des Wafers mit einem Versiegelungsmaterial, das Ruß enthält.
  4. (4) Schleifen einer hinteren Oberflächenseite des Wafers auf eine fertige Dicke eines jeden der Bauelementchips, um das Versiegelungsmaterial in den geschnittenen Nuten freizulegen.
  5. (5) Durchführen einer Ausrichtung, in welcher, da die vordere Oberfläche des Wafers mit dem Versiegelungsmaterial, das Ruß enthält, versiegelt ist, das Versiegelungsmaterial an einem umfänglichen Abschnitt der vorderen Oberfläche des Wafers entfernt wird, um die Ausrichtungsmarkierungen wie Zielmuster freizulegen, und die Teilungslinien, die geschnitten werden sollen, werden basierend auf den Ausrichtungsmarkierungen detektiert.
  6. (6) Schneiden des Wafers entlang der Teilungslinien von der vorderen Oberflächenseite des Wafers basierend auf der Ausrichtung und Teilen des Wafers in 5S-geformte Packungen, von denen jede die vordere Oberfläche und eine Seitenoberfläche mit dem Versiegelungsmaterial versiegelt aufweist.
The conventional 5S-molded package is prepared by the following steps.
  1. (1) Formation of components (circuit) and external connection terminals called elevation on a front surface of a semiconductor wafer (hereinafter sometimes referred to simply as a wafer).
  2. (2) cutting the wafer along dividing lines from a front surface side of the wafer to form cut grooves each having a depth corresponding to the finished thicknesses of each of the device chips.
  3. (3) Seal the front surface of the wafer with a sealing material containing soot.
  4. (4) grinding a back surface side of the wafer to a finished thickness of each of the device chips to expose the sealing material in the cut grooves.
  5. (5) Performing alignment in which, since the front surface of the wafer is sealed with the sealing material containing carbon black, the sealing material on a peripheral portion of the front surface of the wafer is removed to expose the alignment marks such as target pattern, and the Dividing lines to be cut are detected based on the alignment marks.
  6. (6) Cutting the wafer along the dividing lines from the front surface side of the wafer based on the orientation and dividing the wafer into 5S-formed packages, each of which has the front surface and a side surface sealed with the sealing material.

Da die vordere Oberfläche des Wafers mit dem Versiegelungsmaterial, das Ruß enthält, wie oben beschrieben, versiegelt ist, können die Bauelemente und dergleichen, die in der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, nicht mit dem bloßen Auge erkannt werden. Um eine Ausrichtung durch Lösen dieses Problems zu ermöglichen, hat der vorliegende Erfinder einer Technik entwickelt, in welcher, wie in dem obigen Absatz 5 beschrieben, das Versiegelungsmaterial an dem umfänglichen Abschnitt der vorderen Oberfläche des Wafers entfernt wird, um die Ausrichtungsmarkierungen wie Zielmuster freizulegen, und basierend auf diesen Zielmustern wird die Teilungslinie, die geschnitten werden soll, detektiert, sodass eine Ausrichtung durchgeführt wird (siehe die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2013-074021 und die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2016-015438 ).Since the front surface of the wafer is sealed with the sealing material containing carbon black as described above, the components and the like formed in the front surface of the wafer can not be recognized by the naked eye. In order to facilitate alignment by solving this problem, the present inventor has developed a technique in which, as in the above paragraph 5 10, the sealing material on the peripheral portion of the front surface of the wafer is removed to expose the alignment marks such as target patterns, and based on these target patterns, the division line to be cut is detected to be aligned (refer to FIGS Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-074021 and the Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2016-015438 ).

DARSTELLUNG DER ERFINDUNGPRESENTATION OF THE INVENTION

Jedoch entsprechend dem Ausrichtungsverfahren, das in den oben genannten Patentdokumenten beschrieben ist, wird ein Schritt zum Entfernen des Versiegelungsmaterials an dem umfänglichen Abschnitt des Wafers mit einer Schneidklinge einer großen Breite zum Schneiden der Kante, die an einer Spindel befestigt ist, anstelle einer Schneidklinge zum Teilen benötigt und es ist arbeitsaufwendig, die Schneidklinge zu ersetzen und das Versiegelungsmaterial an dem umfänglichen Abschnitt durch Kantenschneiden zu entfernen, wodurch eine geringe Produktivität verursacht wird.However, according to the alignment method described in the above patent documents, a step of removing the sealing material at the peripheral portion of the wafer with a large-width cutting blade for cutting the edge fixed to a spindle instead of a cutting blade for dividing and it is labor intensive to replace the cutting blade and to remove the sealing material at the peripheral portion by edge cutting, thereby causing low productivity.

Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitzustellen, in dem ein Ausrichtungsschritt durch das Versiegelungsmaterial, das Ruß enthält, das aufgebracht ist, um eine vordere Oberfläche des Wafers zu beschichten, durchgeführt werden kann.It is therefore an object of the present invention to provide a wafer processing method in which an alignment step can be performed by the sealing material containing carbon black applied to coat a front surface of the wafer.

In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Bearbeiten eines Wafers bereitgestellt, in dem jedes der Bauelemente, das mehrere Erhöhungen aufweist, in jedem der Bereiche einer vorderen Oberfläche ausgebildet ist, die durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien aufgeteilt ist, die in einer sich kreuzenden Weise ausgebildet sind. Das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer beinhaltet: einen Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut zum Ausbilden geschnittener Nuten, die jeweils eine Tiefe aufweisen, die einer Dicke von jedem der Bauelementchips entsprechen, durch eine Schneidklinge entlang der Teilungslinien von einer vorderen Oberflächenseite des Wafers; einen Versiegelungsschritt zum Versiegeln der vorderen Oberfläche des Wafers inklusive der geschnittenen Nuten mit einem Versiegelungsmaterial, nachdem der Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut durchgeführt wurde; einen Schleifschritt zum Schleifen des Wafers von einer hinteren Oberflächenseite des Wafers auf eine fertige Dicke eines jeden der Bauelementchips, um das Versiegelungsmaterial in den geschnittenen Nuten freizulegen, nachdem der Versiegelungsschritt durchgeführt wurde; einen Ausrichtungsschritt zum Detektieren einer Ausrichtungsmarkierung durch das Versiegelungsmaterial durch ein Aufnahmemittel für sichtbares Licht von der vorderen Seite des Wafers und Detektieren der Teilungslinie, die laserbearbeitet werden soll, basierend auf der Ausrichtungsmarkierung, nachdem der Schleifschritt durchgeführt wurde; und einen Teilungsschritt zum Emittieren eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass er in dem Versiegelungsmaterial absorbiert wird, entlang der Teilungslinien von der vorderen Oberflächenseite des Wafers, und Teilen des Wafers in einzelne Bauelementchips durch eine Ablationsbearbeitung, die jeweils die vordere Oberfläche und vier Seitenoberflächen durch das Versiegelungsmaterial umgeben aufweisen, nachdem der Ausrichtungsschritt durchgeführt wurde. Der Ausrichtungsschritt wird durchgeführt, während ein Bereich, der durch das Aufnahmemittel für sichtbares Licht aufgenommen werden soll, mit Licht durch ein geneigtes Leuchtmittel geneigt bestrahlt wird.In accordance with one aspect of the present invention, there is provided a wafer processing method for processing a wafer in which each of the devices having a plurality of ridges is formed in each of the front surface areas divided by a plurality of intersecting division lines; which are formed in a crossing manner. The processing method for a wafer includes: a cut groove forming step for forming cut grooves; each having a depth corresponding to a thickness of each of the device chips, through a cutting blade along the division lines from a front surface side of the wafer; a sealing step of sealing the front surface of the wafer including the cut grooves with a sealing material after performing the cut groove forming step; a grinding step of grinding the wafer from a back surface side of the wafer to a finished thickness of each of the device chips to expose the sealing material in the cut grooves after the sealing step has been performed; an alignment step for detecting an alignment mark by the sealing material by a visible light pickup means from the front side of the wafer and detecting the division line to be laser-processed based on the alignment mark after the grinding step is performed; and a dividing step of emitting a laser beam of a wavelength such that it is absorbed in the sealing material along the division lines from the front surface side of the wafer, and dividing the wafer into discrete component chips by ablation processing, respectively passing through the front surface and four side surfaces Having sealed sealing material after the alignment step has been performed. The alignment step is performed while an area to be picked up by the visible light pickup means is irradiated with light inclined by an inclined lamp.

Entsprechend dem Bearbeitungsverfahren für einen Wafer der vorliegenden Erfindung während der Wafer mit Licht durch das geneigte Leuchtmittel bestrahlt wird, wird die Ausrichtungsmarkierung, die in dem Wafer ausgebildet ist, durch das Versiegelungsmaterial durch das Aufnahmemittel für sichtbares Licht detektiert und die Ausrichtung kann basierend auf der Ausrichtungsmarkierung durchgeführt werden. Darum kann der Ausrichtungsschritt einfach durchgeführt werden, ohne das Versiegelungsmaterial an dem umfänglichen Abschnitt der vorderen Oberfläche des Wafers zu entfernen, wie im Stand der Technik.According to the processing method for a wafer of the present invention, while the wafer is irradiated with light by the inclined illuminant, the alignment mark formed in the wafer is detected by the sealing material through the visible light receiving means and the orientation can be based on the alignment mark be performed. Therefore, the alignment step can be easily performed without removing the sealing material at the peripheral portion of the front surface of the wafer as in the prior art.

Entsprechend durch Emittieren des Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass dieser in dem Versiegelungsmaterial absorbiert werden kann, entlang der Teilungslinien von der vorderen Oberflächenseite des Wafers ist es möglich, den Wafer durch eine Ablationsbearbeitung in die einzelnen Bauelementchips zu teilen, von denen jeder seine obere Oberfläche und vier Seitenoberflächen mit dem Versiegelungsmaterial umgeben aufweist.Accordingly, by emitting the laser beam of such a wavelength that it can be absorbed in the sealing material along the division lines from the front surface side of the wafer, it is possible to divide the wafer by ablation processing into the individual device chips, each of which has its upper surface and having four side surfaces surrounded by the sealing material.

Das obige und andere Merkmale, Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.The above and other features, objects, and advantages of the present invention and the manner of practicing the same will become clearer and the invention itself understood by studying the following description and appended claims with reference to the attached figures which illustrate a preferred embodiment of the invention.

Figurenlistelist of figures

  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers; 1 Fig. 12 is a perspective view of a semiconductor wafer;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut zeigt; 2 Fig. 15 is a perspective view showing a cut groove forming step;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Versiegelungsschritt zeigt; 3 Fig. 15 is a perspective view showing a sealing step;
  • 4 ist eine partielle, seitliche Schnittansicht, die einen Schleifschritt zeigt; 4 Fig. 16 is a partial side sectional view showing a grinding step;
  • 5 ist eine Schnittansicht, die einen Ausrichtungsschritt zeigt; 5 Fig. 10 is a sectional view showing an alignment step;
  • 6A ist eine Schnittansicht, die einen Teilungsschritt zeigt; und 6A Fig. 10 is a sectional view showing a dividing step; and
  • 6B ist eine vergrößerte Schnittansicht, die den Teilungsschritt zeigt. 6B Fig. 10 is an enlarged sectional view showing the dividing step.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMDETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT

Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird detailliert im Folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben. Mit Bezug zu 1 ist eine perspektivische Ansicht einer vorderen Oberflächenseite eines Halbleiterwafers (im Folgenden einfach als Wafer bezeichnet) 11 gezeigt, der dazu geeignet ist, durch ein Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung bearbeitet zu werden. In einer vorderen Oberfläche 11a des Halbleiterwafers 11 sind mehrere Teilungslinien (Straßen) 13 in einem Gittermuster ausgebildet und ein Bauelement 15 wie eine integrierte Schaltung IC oder ein LSI ist in jedem der Bereiche ausgebildet, die durch die Teilungslinien 13, die sich orthogonal kreuzen, aufgeteilt sind.An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the figures. In reference to 1 FIG. 15 is a perspective view of a front surface side of a semiconductor wafer (hereinafter referred to simply as a wafer) 11 which is adapted to be processed by a machining method of the present invention. In a front surface 11a of the semiconductor wafer 11 are several dividing lines (roads) 13 formed in a grid pattern and a device 15 like an integrated circuit IC or an LSI is formed in each of the areas passing through the dividing lines 13 , which intersect orthogonally, are divided.

Jedes Bauelement 15 weist mehrere Elektrodenerhöhungen (im Folgenden einfach als Erhöhungen bezeichnet) 17 an seiner vorderen Oberfläche auf, und der Wafer 11 beinhaltet an der an seiner vorderen Oberfläche einen Bauelementbereich 19, in dem mehrere Bauelemente 15, die jeweils mehrere Erhöhungen 17 aufweisen, ausgebildet sind, und einen umfänglichen Randbereich 21, der den Bauelementbereich 19 umgibt.Every component 15 has a plurality of electrode elevations (hereinafter simply referred to as elevations) 17 on its front surface, and the wafer 11 includes at its front surface a device area 19 in which several components 15 each having multiple elevations 17 have, are formed, and a peripheral edge region 21 that the component area 19 surrounds.

In einem Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird zuerst ein Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut zum Ausbilden geschnittener Nuten, die jeweils eine Tiefe entsprechend einer fertigen Dicke von jedem Bauelementchip aufweisen, durch eine Schneidklinge entlang der Teilungslinie 13 von der vorderen Oberflächenseite des Wafers 11 als ein erster Schritt durchgeführt. Der Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut wird mit Bezug zu 2 beschrieben.In a processing method for a wafer according to an embodiment of the present invention, first A cut groove forming step for forming cut grooves each having a depth corresponding to a finished thickness of each component chip by a cutting blade along the dividing line 13 from the front surface side of the wafer 11 performed as a first step. The step of forming a cut groove will be referred to 2 described.

Eine Schneideinheit 10 beinhaltet eine Schneidklinge 14, die entfernbar an einem Spitzenabschnitt einer Spindel 12 befestigt ist, und eine Ausrichtungseinheit 16, die ein Aufnahmemittel für sichtbares Licht (Aufnahmeeinheit für sichtbares Licht) 18 aufweist. Die Aufnahmeeinheit 18 für sichtbares Licht weist ein Mikroskop und eine Kamera auf, die sichtbares Licht aufnimmt.A cutting unit 10 includes a cutting blade 14 Removable at a tip portion of a spindle 12 is attached, and an alignment unit 16 incorporating a visible light pick-up device (visible light pick-up unit) 18 having. The recording unit 18 for visible light has a microscope and a camera that receives visible light.

Vor dem Durchführen des Ausbildungsschritts für eine geschnittene Nut wird eine Ausrichtung durchgeführt, bei der die vordere Oberfläche des Wafers 11 zuerst mit sichtbaren Licht durch die Aufnahmeeinheit 18 für sichtbares Licht aufgenommen wird, Ausrichtungsmarkierungen wie Zielmuster, die in jedem Bauelement 15 ausgebildet sind, werden detektiert, und die Teilungslinie 13, die geschnitten werden soll, wird basierend an den Ausrichtungsmarkierungen detektiert.Prior to performing the cut groove forming step, alignment is performed in which the front surface of the wafer 11 first with visible light through the recording unit 18 For visible light, alignment marks such as target patterns are included in each component 15 are formed are detected, and the division line 13 which is to be cut is detected based on the alignment marks.

Nachdem die Ausrichtung durchgeführt wurde, wird ein Ausbildungsschritt für eine Nut durchgeführt, in welchem die Schneidklinge 15, die mit hoher Geschwindigkeit in einer Richtung eines Pfeils R1 gedreht wird, dazu gebracht wird, in den Wafer 11 bis zu einer Tiefe, welche der fertigen Dicke von jedem der Bauelementchips entspricht, entlang der Teilungslinie 13 von der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 zu schneiden, und ein Einspanntisch (nicht dargestellt), an dem der Wafer 11 angesaugt gehalten ist, wird für eine Bearbeitung in einer Richtung eines Pfeils X1 zugeführt, wodurch eine geschnittene Nut 23 entlang der Teilungslinie 13 ausgebildet wird.After the alignment is performed, a groove formation step is performed in which the cutting blade 15 moving at high speed in a direction of an arrow R1 is rotated, brought into the wafer 11 to a depth corresponding to the finished thickness of each of the device chips along the dividing line 13 from the front surface side 11a of the wafer 11 to cut, and a chuck table (not shown) to which the wafer 11 is sucked for processing in one direction of an arrow X1 fed, creating a cut groove 23 along the dividing line 13 is trained.

Der Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut wird sequenziell entlang den Teilungslinien 13 durchgeführt, die sich in einer ersten Richtung erstrecken, während die Schneideeinheit 10 in eine Indexzufuhr in einer Richtung orthogonal zu der Richtung X1 der Zufuhr für eine Bearbeitung um den Abstand der Teilungslinie 13 versetzt wird. Als nächstes wird der Einspanntisch (nicht dargestellt) um 90° gedreht und dann wird derselbe Ausbildungsschritt für eine Nut wie oben sequenziell entlang der Teilungslinien 13 durchgeführt, die sich in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung erstrecken.The cut groove forming step becomes sequential along the dividing lines 13 performed, which extend in a first direction, while the cutting unit 10 in an index feed in a direction orthogonal to the direction X1 the feed for processing by the pitch of the dividing line 13 is offset. Next, the chuck table (not shown) is rotated by 90 °, and then the same groove formation step as above is sequentially performed along the division lines 13 performed extending in a second direction orthogonal to the first direction.

Nachdem der Ausbildungsschritt für eine Nut durchgeführt wurde, wird ein Versiegelungsschritt durchgeführt, in dem, wie in 3 dargestellt, ein Versiegelungsmaterial 20 an der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 aufgebracht wird, um die vordere Oberfläche 11a des Wafers 11, der die geschnittenen Nuten 23 beinhaltet, mit einem Versiegelungsmaterial zu versiegeln. Da das Versiegelungsmaterial 20 flüssig ist, wenn der Versiegelungsschritt durchgeführt wird, werden die geschnittenen Nuten 23 mit dem Versiegelungsmaterial 20 gefüllt.After the formation step for a groove is performed, a sealing step is performed in which, as in FIG 3 shown, a sealing material 20 on the front surface 11a of the wafer 11 is applied to the front surface 11a of the wafer 11 who cut the grooves 23 involves sealing with a sealing material. Because the sealing material 20 is liquid, when the sealing step is performed, the cut grooves 23 with the sealing material 20 filled.

Als das Versiegelungsmaterial 20 wird eine Zusammensetzung, die 10,3% Epoxid-Kunststoff oder Epoxid-Kunststoff plus Phenol-Kunststoff, 85,3% Silica-Füllstoff, 0,1% bis 0,2% Ruß und 4,2% bis 4,3% anderer Inhaltsstoffe in Massenprozent enthält. Beispiele der anderen Inhaltsstoffe beinhalten Metallhydroxide, Antimontrioxid, Siliciumdioxid und dergleichen.As the sealing material 20 Being a composition that is 10.3% epoxy plastic or epoxy plastic plus phenolic plastic, 85.3% silica filler, 0.1% to 0.2% carbon black and 4.2% to 4.3% others Contains ingredients in percent by mass. Examples of the other ingredients include metal hydroxides, antimony trioxide, silica and the like.

Wenn die vordere Oberfläche 11a des Wafers 11 mit dem Versiegelungsmaterial 20 bedeckt und versiegelt wird und das eine solche Zusammensetzung aufweist, verursacht der Ruß, der in einer extrem kleinen Menge in dem Versiegelungsmaterial 20 enthalten ist, dass das Versiegelungsmaterial 20 schwarz ist, und entsprechend ist es normalerweise schwierig, die vordere Seite 11a des Wafers 11 durch das Versiegelungsmaterial 20 zu sehen.If the front surface 11a of the wafer 11 with the sealing material 20 is covered and sealed and having such a composition causes the soot in an extremely small amount in the sealing material 20 included is that the sealing material 20 is black, and accordingly it is usually difficult to get the front side 11a of the wafer 11 through the sealing material 20 to see.

Hier ist der Ruß in das Versiegelungsmaterial 20 hauptsächlich zum Verhindern eines elektrostatischen Zerstörens der Bauelemente 15 gemischt und vorliegend wird kein Versiegelungsmaterial, das keinen Ruß enthält, kommerziell verwendet. Das Verfahren zum Aufbringen des Versiegelungsmaterials 20 ist nicht besonders beschränkt; jedoch ist es gewünscht, das Versiegelungsmaterial 20 bis zu einer Höhe von jeder der Erhöhungen 17 aufzubringen, und danach wird das Versiegelungsmaterial 20 einem Ätzen ausgesetzt, um die Endabschnitte der Erhöhungen 17 freizulegen.Here is the soot in the sealing material 20 mainly for preventing electrostatic destruction of the components 15 mixed and present, no sealing material containing no carbon black is used commercially. The method of applying the sealing material 20 is not particularly limited; however, it is desired to have the sealing material 20 up to a height of each of the elevations 17 and then the sealing material 20 subjected to etching around the end portions of the ridges 17 expose.

Nachdem der Versiegelungsschritt durchgeführt wurde, wird ein Schleifschritt durchgeführt, in dem der Wafer 11 von einer hinteren Oberflächenseite 11b des Wafers 11 auf eine fertige Dicke eines jeden der Bauelementchips geschliffen wird, um das Versiegelungsmaterial 20 in den geschnittenen Nuten freizulegen. Dieser Schleifschritt wird mit Bezug zu 4 beschrieben. Ein Oberflächenschutzband 22 ist an der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 angebracht und der Wafer 11 wird durch einen Einspanntisch 24 einer Schleifvorrichtung durch das Oberflächenschutzband 22 angesaugt und gehalten.After the sealing step has been performed, a grinding step is performed in which the wafer 11 from a rear surface side 11b of the wafer 11 is ground to a finished thickness of each of the component chips to the sealing material 20 to expose in the cut grooves. This grinding step will be referred to 4 described. A surface protection tape 22 is on the front surface 11a of the wafer 11 attached and the wafer 11 is through a chuck table 24 a grinding device through the surface protective tape 22 sucked and held.

Eine Schleifeinheit 26 beinhaltet eine Spindel 30, die drehbar in einem Spindelgehäuse 28 aufgenommen ist, und drehend durch einen Motor, der nicht dargestellt ist, angetrieben wird, eine Scheibenbefestigung 32, die an einer Spitze der Spindel 30 fixiert ist, und eine Schleifscheibe 34, die entfernbar an der Scheibenbefestigung 32 befestigt ist. Die Schleifscheibe 34 weist eine ringförmige Scheibenbasis 36 und mehrere Schleifsteine 38 auf, die an einem äußeren Umfang eines unteren Endes der Scheibenbasis 36 gesichert sind.A grinding unit 26 includes a spindle 30 rotatable in a spindle housing 28 is received, and rotationally driven by a motor, which is not shown, a disc attachment 32 attached to a tip of the spindle 30 is fixed, and a grinding wheel 34 Removable at the disc fitting 32 is attached. The grinding wheel 34 has an annular disc base 36 and several grindstones 38 on an outer periphery of a lower end of the disk base 36 are secured.

In dem Schleifschritt, während der Einspanntisch 24 in einer Richtung eines Pfeils a mit zum Beispiel 300 Umdrehungen pro Minute gedreht wird, wird die Schleifscheibe 34 in einer Richtung eines Pfeils b zum Beispiel mit 6000 Umdrehungen pro Minute gedreht und ein Zufuhrmechanismus für eine Schleifeinheit (nicht dargestellt) wird angetrieben, um die Schleifsteine 38 der Schleifscheibe 34 in Kontakt mit der hinteren Oberfläche 11b des Wafers 11 zu bringen.In the grinding step, while the chuck table 24 in a direction of an arrow a is rotated at, for example, 300 revolutions per minute, the grinding wheel becomes 34 rotated in a direction of an arrow b, for example, at 6000 revolutions per minute, and a feeding unit for a grinding unit (not shown) is driven to rotate the grindstones 38 the grinding wheel 34 in contact with the back surface 11b of the wafer 11 bring to.

Danach wird die hintere Oberfläche 11b des Wafers 11 geschliffen, während die Schleifscheibe 34 in eine Schleifzufuhr um eine vorbestimmte Menge nach unten mit einer vorbestimmten Schleifzufuhrgeschwindigkeit versetzt wird. Während eine Dicke des Wafers 11 durch ein Messmittel für eine Dicke eines Kontakttyps oder eines nicht-Kontakttyps gemessen wird, wird der Wafer 11 auf eine vorbestimmte Dicke zum Beispiel 100 µm geschliffen, wodurch das in die geschnittenen Nuten gefüllte Versiegelungsmaterial 20 freigelegt wird.After that, the back surface becomes 11b of the wafer 11 sanded while the grinding wheel 34 is set in a grinding supply by a predetermined amount down with a predetermined grinding feed speed. While a thickness of the wafer 11 is measured by a measuring means for a thickness of a contact type or a non-contact type, the wafer becomes 11 ground to a predetermined thickness, for example 100 μm, whereby the sealing material filled in the cut grooves 20 is exposed.

Nachdem der Schleifschritt durchgeführt wurde, wird ein Ausrichtungsschritt durchgeführt, in dem die vordere Oberfläche 11a des Wafers 11 durch das Versiegelungsmaterial 20 durch das Ausnahmemittel für sichtbares Licht von der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 aufgenommen wird, mindestens zwei Ausrichtungsmarkierungen wie Zielmuster, die in der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 ausgebildet sind, werden detektiert und die Teilungslinie 13, die laserbearbeitet werden soll, wird basierend auf diesen Ausrichtungsmarkierungen detektiert.After the grinding step has been performed, an alignment step is performed in which the front surface 11a of the wafer 11 through the sealing material 20 by the visible light exception device from the front surface 11a of the wafer 11 at least two alignment marks, such as target patterns, in the front surface 11a of the wafer 11 are formed are detected and the division line 13 which is to be laser-processed is detected based on these alignment marks.

Der Ausrichtungsschritt wird detailliert mit Bezug zu 5 beschrieben. Vor dem Durchführen des Ausrichtungsschritts wird die hintere Oberflächenseite 11b des Wafers 11 an einem Teilungsband T angebracht, dessen äußerer umfänglicher Abschnitt an einem ringförmigen Rahmen F angebracht ist. In dem Ausrichtungsschritt, wie in 5 dargestellt, wird der Wafer 11 durch den Einspanntisch 40 einer Laserbearbeitungsvorrichtung durch das Teilungsband T angesaugt und gehalten und das Versiegelungsmaterial 20, das die vordere Oberfläche 11a des Wafers 11 versiegelt, liegt nach oben frei. Danach wird der ringförmige Rahmen F durch Klemmen mit Klemmen 42 fixiert.The alignment step will be described in detail with reference to 5 described. Before performing the alignment step, the back surface side becomes 11b of the wafer 11 attached to a dividing band T whose outer peripheral portion is attached to an annular frame F. In the alignment step, as in 5 shown, the wafer 11 through the chuck table 40 a laser processing device sucked and held by the dividing belt T and the sealing material 20 that the front surface 11a of the wafer 11 sealed, is exposed to the top. Thereafter, the annular frame F by clamping with terminals 42 fixed.

In dem Ausrichtungsschritt wird die vordere Oberfläche 11a des Wafers 11 durch ein Aufnahmeelement wie ein Ladungsgekoppeltes Bauelement (CCD) einer Aufnahmeeinheit 18A für sichtbares Licht einer Laserbearbeitungsvorrichtung ähnlich zu der Aufnahmeeinheit 18 für sichtbares Licht der Schneidvorrichtung aufgenommen. Jedoch, da die Inhaltsstoffe wie Silica-Füllstoffe und Ruß in dem Versiegelungsmaterial 20 enthalten sind und ferner eine vordere Oberfläche des Versiegelungsmaterials uneben ist, sogar falls die vordere Oberfläche 11a des Wafers 11 durch das Versiegelungsmaterial 20 durch eine vertikale Beleuchtung der Aufnahmeeinheit 18a für sichtbares Licht aufgenommen wird, ist das aufgenommene Bild unscharf, was es schwierig macht, die Ausrichtungsmarkierungen wie Zielmuster zu erkennen.In the alignment step, the front surface becomes 11a of the wafer 11 by a receiving element such as a charge-coupled device (CCD) of a receiving unit 18A for visible light of a laser processing apparatus similar to the receiving unit 18 recorded for visible light of the cutting device. However, since the ingredients such as silica fillers and carbon black in the sealing material 20 and further, a front surface of the sealing material is uneven, even if the front surface 11a of the wafer 11 through the sealing material 20 by a vertical illumination of the recording unit 18a is recorded for visible light, the captured image is out of focus, making it difficult to recognize the alignment marks such as target patterns.

Im Hinblick darauf kann in dem Ausrichtungsschritt der vorliegenden Ausführungsform durch geneigtes Bestrahlen eines Bereichs, der aufgenommen werden soll, mit Licht von einem geneigten Lichtmittel 31 zusätzlich zu der vertikalen Beleuchtung der Aufnahmeeinheit 18a für sichtbares Licht das Unschärfe-Problem des aufgenommenen Bilds verbessert werden, wodurch eine Detektion der Ausrichtungsmarkierungen ermöglicht wird. Die Lichtbestrahlung von dem geneigten Lichtmittel 31 ist vorzugsweise weißes Licht und ein Einfallswinkel an der vorderen Oberfläche 11a des Wafers 11 ist vorzugsweise in einem Bereich von 30° bis 60°. Vorzugsweise beinhaltet die Aufnahmeeinheit 18A für sichtbares Licht eine Belichtungssteuerung, durch welche die Belichtungszeit oder dergleichen angepasst werden kann.In view of this, in the alignment step of the present embodiment, by inclining irradiation of a region to be photographed with light from a tilted light means 31 in addition to the vertical illumination of the recording unit 18a for visible light, the blurring problem of the captured image is improved, thereby enabling detection of the alignment marks. The light irradiation from the inclined light means 31 is preferably white light and an angle of incidence on the front surface 11a of the wafer 11 is preferably in a range of 30 ° to 60 °. Preferably, the receiving unit includes 18A for visible light, an exposure control by which the exposure time or the like can be adjusted.

Als nächstes wird der Einspanntisch 40 um θ gedreht, sodass eine gerade Linie, die diese Ausrichtungsmarkierungen verbindet, parallel zu der Richtung X1 einer Zufuhr für eine Bearbeitung ist, und ferner wird die Schneideinheit 10, die in 2 dargestellt ist, in der Richtung orthogonal zu der Richtung X1 für eine Zufuhr für ein Bearbeiten um einen Abstand zwischen der Ausrichtungsmarkierung und dem Zentrum der Teilungslinien 13 bewegt, wodurch die Teilungslinie 13, die laserbearbeitet werden soll, detektiert wird.Next is the chuck table 40 rotated by θ such that a straight line connecting these alignment marks is parallel to the direction X1 a feeder for machining, and further the cutting unit 10 , in the 2 is shown in the direction orthogonal to the direction X1 for a feed for editing by a distance between the alignment mark and the center of the division lines 13 moves, causing the division line 13 , which is to be laser-processed, is detected.

Nachdem der Ausrichtungsschritt durchgeführt wurde, wird ein Teilungsschritt für eine laserbearbeite Nut durchgeführt, indem ein Laserstrahl LB einer solchen Wellenlänge (zum Beispiel 355 nm), dass er durch das Versiegelungsmaterial 20 absorbiert wird, von einem Laserkopf (Lichtkollektor) 46 der Laserbearbeitungsvorrichtung entlang der Teilungslinien 13 von der vorderen Oberflächenseite 11a des Wafers 11 aufgebracht wird, um laserbearbeitete Nuten 25, die in 6B dargestellt sind, durch eine Ablationsbearbeitung auszubilden, wodurch der Wafer 11 in einzelne Bauelementchips 27, die jeweils ihre vordere Oberfläche 11a und vier Seitenoberflächen durch das Versiegelungsmaterial 20 umgeben aufweisen, geteilt wird.After the alignment step is performed, a laser working groove dividing step is performed by passing a laser beam LB of such a wavelength (for example, 355 nm) through the sealing material 20 absorbed by a laser head (light collector) 46 the laser processing device along the dividing lines 13 from the front surface side 11a of the wafer 11 is applied to laser machined grooves 25 , in the 6B are formed by ablation, whereby the wafer 11 in individual component chips 27 , each one their front surface 11a and four side surfaces through the sealing material 20 surrounded, is shared.

Dieser Teilungsschritt wird sequenziell entlang der Teilungslinien 13 durchgeführt, die sich in einer ersten Richtung erstrecken, worauf der Einspanntisch 40 um 90° gedreht wird, und der Teilungsschritt wird dann sequenziell entlang der Teilungslinien 13 durchgeführt, die sich in der zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung erstrecken, wodurch der Wafer 11 in einzelne Bauelementchips 27 geteilt werden kann, von denen jeder seine vordere Oberfläche 11a und vier Seitenoberflächen mit dem Versiegelungsmaterial 20 versiegelt aufweist, wie in 6B dargestellt. This division step is sequential along the dividing lines 13 carried out, which extend in a first direction, whereupon the chuck table 40 is rotated by 90 °, and the division step then becomes sequential along the division lines 13 performed in the second direction orthogonal to the first direction, whereby the wafer 11 in individual component chips 27 can be shared, each of which has its front surface 11a and four side surfaces with the sealing material 20 has sealed, as in 6B shown.

Da der Strahldurchmesser des Laserstrahls LB, der in dem Teilungsschritt verwendet wird, kleiner als eine Breite der Schneidklinge 14 ist, die in dem Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut verwendet wird, sind die Seitenoberflächen von jedem der Bauelementchips 27 mit dem Versiegelungsmaterial 20 bei der Ausbildung der laserbearbeiteten Nuten 25, die in 6B dargestellt ist, versiegelt.Since the beam diameter of the laser beam LB used in the dividing step is smaller than a width of the cutting blade 14 that is used in the cut groove forming step are the side surfaces of each of the device chips 27 with the sealing material 20 in the formation of the laser-machined grooves 25 , in the 6B is shown, sealed.

Der Bauelementchip 27, der in dieser Weise hergestellt wurde, kann an einer Hauptplatine durch Flip-Chip-Verbinden befestigt werden, indem der Bauelementchip von oben nach unten umgedreht wird und die Erhöhungen jeweils mit leitenden Pads der Hauptplatine verbunden werden.The component chip 27 , which has been manufactured in this way, can be attached to a motherboard by flip-chip connection by the device chip is turned over from top to bottom and the ridges are respectively connected to conductive pads of the motherboard.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Umfang der Erfindung ist durch die angehängten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Umfangs der Ansprüche fallen, werden darum durch die Erfindung umfasst.The present invention is not limited to the details of the preferred embodiments described above. The scope of the invention is defined by the appended claims, and all changes and modifications that fall within the equivalence of the scope of the claims are therefore embraced by the invention.

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Claims (1)

Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Bearbeiten eines Wafers, in dem jedes Bauelement, das mehrere Erhöhungen aufweist, in jedem der Bereiche einer vorderen Oberfläche ausgebildet ist, die durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien aufgeteilt ist, die in einer sich kreuzenden Weise ausgebildet sind, wobei das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer umfasst: einen Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut zum Ausbilden geschnittener Nuten, die jeweils eine Tiefe entsprechend einer fertigen Dicke eines jeden der Bauelementchips aufweisen, durch eine Schneidklinge entlang der Teilungslinien von einer vorderen Oberflächenseite des Wafers; einen Versiegelungsschritt zum Versiegeln der vorderen Oberfläche des Wafers inklusive der geschnittenen Nuten mit einem Versiegelungsmaterial, nachdem der Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut durchgeführt wurde; einen Schleifschritt zum Schleifen des Wafers von einer hinteren Oberflächenseite des Wafers auf die fertige Dicke von jedem der Bauelementchips, um das Versiegelungsmaterial in den geschnittenen Nuten freizulegen, nachdem der Versiegelungsschritt durchgeführt wurde; einen Ausrichtungsschritt zum Detektieren einer Ausrichtungsmarkierung durch das Versiegelungsmaterial durch ein Aufnahmemittel für sichtbares Licht von der vorderen Oberflächenseite des Wafers und Detektieren der Teilungslinie, die laserbearbeitet werden soll, basierend auf der Ausrichtungsmarkierung, nachdem der Schleifschritt durchgeführt wurde; und einen Teilungsschritt zum Emittieren eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass er durch das Versiegelungsmaterial absorbiert wird, entlang der Teilungslinien von der vorderen Oberflächenseite des Wafers und Teilen des Wafers durch eine Ablationsbearbeitung in einzelne Bauelementchips, von denen jeder seine vordere Oberfläche und vier Seitenoberflächen durch das Versiegelungsmaterial umgeben aufweist, nachdem der Ausrichtungsschritt durchgeführt wurde, wobei der Ausrichtungsschritt durchgeführt wird, während ein Bereich, der durch das Aufnahmemittel für sichtbares Licht aufgenommen werden soll, mit Licht durch ein geneigtes Leuchtmittel geneigt bestrahlt wird.A wafer processing method of processing a wafer, in which each device having a plurality of ridges is formed in each of the front surface areas divided by a plurality of intersecting division lines formed in an intersecting manner, the processing method for a wafer includes: a cut groove forming step for forming cut grooves, each having a depth corresponding to a finished thickness of each of the device chips, through a cutting blade along the dividing lines from a front surface side of the wafer; a sealing step of sealing the front surface of the wafer including the cut grooves with a sealing material after performing the cut groove forming step; a grinding step of grinding the wafer from a back surface side of the wafer to the finished thickness of each of the device chips to expose the sealing material in the cut grooves after the sealing step is performed; an alignment step of detecting an alignment mark by the sealing material through a visible light-receiving means from the front surface side of the wafer and detecting the division line to be laser-processed based on the alignment mark after the grinding step is performed; and a dividing step for emitting a laser beam of such a wavelength as to be absorbed by the sealing material along the dividing lines from the front surface side of the wafer and dividing the wafer by ablation processing into individual component chips, each of which has its front surface and four side surfaces through the sealing material surrounded after the alignment step has been performed, wherein the aligning step is performed while an area to be picked up by the visible light pickup means is irradiated with light inclined by an inclined lamp.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220002907U (en) 2021-06-03 2022-12-12 성기봉 Internet phone based on wired/wireless communication
KR20240000467U (en) 2022-09-01 2024-03-08 성기봉 How to use smart camera latitude and longitude R value data

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013074021A (en) 2011-09-27 2013-04-22 Disco Abrasive Syst Ltd Alignment method
JP2016015438A (en) 2014-07-03 2016-01-28 株式会社ディスコ Alignment method

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0756877B2 (en) * 1990-01-24 1995-06-14 三菱電機株式会社 Lead flatness measuring device for semiconductor device
JP2001127206A (en) 1999-08-13 2001-05-11 Citizen Watch Co Ltd Manufacturing method of chip-scale package and manufacturing method of ic chip
JP2003165893A (en) 2001-11-30 2003-06-10 Shin Etsu Chem Co Ltd Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device
JP2003321594A (en) 2002-04-26 2003-11-14 Hitachi Chem Co Ltd Epoxy resin molding material for sealing and electronic part device
US6649445B1 (en) * 2002-09-11 2003-11-18 Motorola, Inc. Wafer coating and singulation method
JP2004200258A (en) 2002-12-17 2004-07-15 Shinko Electric Ind Co Ltd Device and method for inspecting bump
JP2009158763A (en) * 2007-12-27 2009-07-16 Disco Abrasive Syst Ltd Protective film coating apparatus
JP5895332B2 (en) 2010-04-01 2016-03-30 株式会社ニコン Position detection apparatus, overlay apparatus, position detection method, and device manufacturing method
JP2014003274A (en) * 2012-05-25 2014-01-09 Nitto Denko Corp Method for manufacturing semiconductor device and underfill material
JP6157890B2 (en) 2013-03-26 2017-07-05 日東電工株式会社 Underfill material, sealing sheet, and method for manufacturing semiconductor device
JP6557081B2 (en) * 2015-07-13 2019-08-07 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2017028160A (en) * 2015-07-24 2017-02-02 株式会社ディスコ Machining method for wafer
JP2017054888A (en) * 2015-09-08 2017-03-16 株式会社ディスコ Processing method for wafer
JP2017092125A (en) * 2015-11-05 2017-05-25 株式会社ディスコ Processing method for wafer
JP2017103405A (en) * 2015-12-04 2017-06-08 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP6608694B2 (en) * 2015-12-25 2019-11-20 株式会社ディスコ Wafer processing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013074021A (en) 2011-09-27 2013-04-22 Disco Abrasive Syst Ltd Alignment method
JP2016015438A (en) 2014-07-03 2016-01-28 株式会社ディスコ Alignment method

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