JPH0756877B2 - Lead flatness measuring device for semiconductor device - Google Patents

Lead flatness measuring device for semiconductor device

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JPH0756877B2
JPH0756877B2 JP1538690A JP1538690A JPH0756877B2 JP H0756877 B2 JPH0756877 B2 JP H0756877B2 JP 1538690 A JP1538690 A JP 1538690A JP 1538690 A JP1538690 A JP 1538690A JP H0756877 B2 JPH0756877 B2 JP H0756877B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、パツケージの各側辺から下方に引出され、
先端部が外側方に折曲げられた多数のリードの、下面の
不揃いを検出するための、半導体装置のリード平坦性測
定装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention draws downward from each side of a package,
The present invention relates to a lead flatness measuring device for a semiconductor device, which is used to detect the unevenness of the lower surface of a large number of leads whose tips are bent outward.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

表面実装形のパツケージ形の半導体装置では、各側辺か
ら出されたリードの下面は、絶縁基板上の各電極上には
んだ接続されるが、その各下面の不揃いの差が大きいと
接続不良となる。そこで、各リード下面の平坦性測定が
必要となる。
In the surface mount type package type semiconductor device, the lower surface of the lead extending from each side is soldered to each electrode on the insulating substrate, but if the difference in the unevenness of each lower surface is large, the connection may be defective. Become. Therefore, it is necessary to measure the flatness of the lower surface of each lead.

第6図は従来の半導体装置のリード平坦性測定装置の構
成模式図である。図において、1は表面実装形の半導体
装置で、樹脂封止のパツケージの各側辺1aから多数のリ
ード2が下方に出され、先端部が外側方に水平に折曲げ
られている。3は半導体装置1が各リード2の下面で上
面に載せられる載置台、4は各リード2端面2aと載置台
3の側面3aとを照射光4aで照射する4個の照明装置、5
は半導体装置1の側辺1aと各リード2の端面2a及び載置
台の側面3a部を撮像し、画像情報6を出す4台の撮像装
置、7は対応する撮像装置5に接続された画像情報6が
入力され、各リード2の下面高さ情報8を出力するリー
ド下面高さ検出手段、9は各リード下面高さ情報8が入
力され各リード下面の平坦性を検出するリード平坦性検
出手段である。
FIG. 6 is a schematic diagram of the configuration of a conventional lead flatness measuring device for a semiconductor device. In the figure, reference numeral 1 denotes a surface-mounting type semiconductor device, in which a large number of leads 2 are extended downward from each side 1a of a resin-sealed package, and a tip portion thereof is horizontally bent outward. 3 is a mounting table on which the semiconductor device 1 is placed on the upper surface of the lower surface of each lead 2; 4 is an illuminating device for irradiating the end surface 2a of each lead 2 and the side surface 3a of the mounting table 3 with irradiation light 4a;
Are four image pickup devices that image the side 1a of the semiconductor device 1, the end face 2a of each lead 2 and the side face 3a of the mounting table, and output image information 6, and 7 is the image information connected to the corresponding image pickup device 5. 6 is input, and lead lower surface height detecting means for outputting lower surface height information 8 of each lead 2, 9 is lead flatness detecting means for inputting each lead lower surface height information 8 and detecting flatness of each lead lower surface. Is.

次に、上記従来装置の動作を説明する。Next, the operation of the above conventional device will be described.

載置台3の上面に被測定の半導体装置1が各リード2の
下面で接し載せられている。照明装置4の照明光4aが各
リード2の端面2aと載置台3の側面3aに照射し、反射光
が撮像装置5に入り、画像情報6に変換し出力する。こ
の画像情報6を受けた各リード下面高さ検出手段7は、
各リード2の下面と載置台3の上面とのすき間t(第7
図,第8図参照)を検出し、リード下面高さ情報8とし
て出力する。このリード下面高さ情報8をリード平坦性
検出手段9に入力して集計し、一番高いリード高さH
(第8図参照)を検出し、半導体装置1のリード平坦性
とする。
The semiconductor device 1 to be measured is placed on the upper surface of the mounting table 3 in contact with the lower surfaces of the leads 2. The illuminating light 4a of the illuminating device 4 irradiates the end surface 2a of each lead 2 and the side surface 3a of the mounting table 3, and the reflected light enters the image pickup device 5, is converted into image information 6, and is output. The lead lower surface height detecting means 7 that has received the image information 6
The gap t between the lower surface of each lead 2 and the upper surface of the mounting table 3 (7th
(See FIGS. 8A and 8B) is detected and output as the lead bottom surface height information 8. This lead bottom surface height information 8 is input to the lead flatness detecting means 9 and tabulated, and the highest lead height H is obtained.
(See FIG. 8) is detected and the lead flatness of the semiconductor device 1 is determined.

しかしながら、第7図に示すように、各リード2の端面
2aは、垂直面の外、傾斜面になつているものがある。
However, as shown in FIG. 7, the end surface of each lead 2 is
2a has an inclined surface in addition to the vertical surface.

第7図(a)では、リード2の端面2aは垂直面をなして
おり、照明装置4からの照射光7aによる適度な反射光4b
が撮像装置5に入射する。これにより、第8図(a)に
示すように、リード2の端面2aと載置台側面3aとの画像
が撮られ、リード2の下面すき間t、つまり、リード下
面高さHが精度高く撮像され、画像情報6が出力され
る。
In FIG. 7 (a), the end surface 2 a of the lead 2 is a vertical surface, and an appropriate reflected light 4 b due to the irradiation light 7 a from the illumination device 4 is provided.
Enters the imaging device 5. As a result, as shown in FIG. 8 (a), images of the end surface 2a of the lead 2 and the mounting table side surface 3a are taken, and the lower surface clearance t of the lead 2, that is, the lower surface height H of the lead 2 is accurately taken. , Image information 6 is output.

次に、第7図(b)のように、リード2の端面2aが上向
きに傾斜している場合は、照射光4aを上方に反射し撮像
装置5には入射しなく、あるいはごくわずかの入射量と
なる。したがつて、第8図(b)に示すように、リード
2の端面2aは明確に撮像されず、すき間t、つまり、リ
ード2下面高さHは検出されない。
Next, as shown in FIG. 7 (b), when the end surface 2a of the lead 2 is inclined upward, the irradiation light 4a is reflected upward and does not enter the image pickup device 5, or a very small amount of incidence. It becomes the amount. Therefore, as shown in FIG. 8B, the end surface 2a of the lead 2 is not clearly imaged, and the gap t, that is, the height H of the lower surface of the lead 2 is not detected.

また、第7図(c)のように、リード2の端面2aが下向
きに傾斜しておれば、照射光4aを斜下向きに全反射し、
撮像装置5に入射する。このため、第8図(c)に示す
ように、ハレーシヨンを起こし、すきまt、したがつ
て、リード2下面高さHは精度良く検出されなく、高さ
hのように誤つて検出されるおそれがある。
Further, as shown in FIG. 7C, if the end surface 2a of the lead 2 is inclined downward, the irradiation light 4a is totally reflected obliquely downward,
It is incident on the imaging device 5. For this reason, as shown in FIG. 8 (c), halation may occur, the clearance t, and accordingly, the lower surface height H of the lead 2 may not be detected accurately, and may be erroneously detected like the height h. There is.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

上記従来の半導体装置のリード平坦性測定装置では、リ
ード2の端面2aが垂直方向に対して傾斜しているものが
あると、リード2下面高さが精度良く検出できないとい
う問題点があつた。
The conventional lead flatness measuring device for a semiconductor device described above has a problem that the bottom surface height of the lead 2 cannot be accurately detected if the end surface 2a of the lead 2 is inclined with respect to the vertical direction.

また、半導体装置の各側辺に対応し、それぞれ照明装置
4,撮像装置5及びリード下面高さ検出手段7を要し、設
備が高価になるという問題点があつた。
In addition, it corresponds to each side of the semiconductor device.
4. Since the image pickup device 5 and the lead lower surface height detecting means 7 are required, there is a problem that the equipment becomes expensive.

この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、各リードの端面が垂直方向に対し傾斜してい
ても、リード下面高さが精度高く検出され、照明装置と
撮像装置の組が2組でよい、半導体装置のリード平坦性
測定装置を得ることを目的としている。
The present invention has been made to solve such a problem, and even if the end faces of each lead are inclined with respect to the vertical direction, the height of the bottom face of the lead is detected with high accuracy, and the illuminating device and the imaging device It is an object of the present invention to obtain a lead flatness measuring device for a semiconductor device, which requires only two sets.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

この発明にかかる半導体装置のリード平坦性測定装置
は、載置台に透明載置板を設け、この透明載置板上に半
導体装置をリード下面で接して載せ、載置板上面には、
各リード群の端面から所定寸法外方に離して遮光帯パタ
ーンを形成しており、載置台は回転駆動手段により回転
されるようにしている。
The lead flatness measuring apparatus for a semiconductor device according to the present invention is provided with a transparent mounting plate on a mounting table, and the semiconductor device is mounted on the transparent mounting plate so that the leads are in contact with the lower surface of the mounting plate.
A light-shielding band pattern is formed at a predetermined distance outward from the end surface of each lead group, and the mounting table is rotated by the rotation driving means.

また、半導体装置の一側辺分のリード群の端部に対し、
上方から撮像する第1の撮像装置と、斜め上側方から撮
像する第2の撮像装置とを配置し、上記一側辺分のリー
ド群の端部に対し、下方から照射し第1の撮像装置に対
応する第1の照明装置と、下方から斜め上側方に照射し
第2の撮像装置に対応する第2の撮像装置とを配置して
いる。
Also, with respect to the end portion of the lead group for one side of the semiconductor device,
A first image pickup device for picking up an image from above and a second image pickup device for picking up from an obliquely upper side are arranged, and an end portion of the lead group for one side is irradiated from below and the first image pickup device. The first illuminating device corresponding to No. 1 and the second imaging device corresponding to the second imaging device that irradiates obliquely upward from below are arranged.

さらに、第1の撮像装置からの画像情報が入力され、リ
ード端と遮光帯パターン間のほぼ水平距離情報を出力す
る第1のリード端距離検出手段と、第2の撮像装置から
の画像情報が入力され、リード端と遮光帯パターン間の
傾斜距離情報を出力する第2のリード端距離検出手段と
を設けている。
Further, the image information from the second image pickup device and the first lead end distance detecting means for inputting the image information from the first image pickup device and outputting substantially horizontal distance information between the lead end and the light-shielding band pattern are displayed. Second lead end distance detecting means is provided which outputs the information on the inclination distance between the lead end and the shading band pattern which is input.

これら第1及び第2のリード端距離検出手段からの情報
がリード下面高さ検出手段に入力され、リード下面高さ
情報として出力する。この情報を半導体装置の各側辺の
リード群ごとに記憶装置で記憶し、この情報をリード平
坦性検出装置に入れ、リード下面の透明載置板上面から
の高さにより、リード平坦性を検出するようにしたもの
である。
The information from the first and second lead end distance detecting means is input to the lead lower surface height detecting means and output as lead lower surface height information. This information is stored in a storage device for each lead group on each side of the semiconductor device, and this information is put into a lead flatness detector to detect the lead flatness by the height of the lower surface of the lead from the upper surface of the transparent mounting plate. It is something that is done.

〔作用〕[Action]

この発明においては、載置台を90゜宛回転しては半導体
装置の一側辺ごとのリード群を第1,第2の撮像装置で撮
像し、第1及び第2のリード端距離検出手段で、リード
端の遮光帯パターンとの水平距離及び斜め距離情報を出
力し、これらの情報によりリード下面高さ検出手段で高
さ情報にして出力する。この高さ情報を記憶装置に入
れ、各側辺分宛記憶し、これらの情報をリード平坦性検
出手段に入れ、最大高さを見出しリード下面の平坦性を
検出する。
In the present invention, the mounting table is rotated by 90 °, and the lead group for each side of the semiconductor device is imaged by the first and second image pickup devices, and the first and second lead end distance detection means are used. , Information about the horizontal distance from the light-shielding band pattern at the lead end and diagonal distance information is output, and height information is output by the lead lower surface height detection means based on these information. This height information is stored in a storage device and stored for each side, and this information is stored in the lead flatness detecting means to find the maximum height and detect the flatness of the lower surface of the lead.

このように、2組の照明装置及び撮像装置とにより、各
側辺のリード群下面に対する平坦性が検出される。
In this way, the flatness of each side with respect to the lower surface of the lead group is detected by the two sets of the illumination device and the imaging device.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明による半導体装置のリード平坦性検出
装置の一実施例を示す構成模式図である。図において、
表面実装形の半導体装置1は、樹脂封止のパツケージか
ら各側辺1aから多数のリード2が下向きに出され、先端
部が外側方に水平に折曲げられている。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a lead flatness detecting device for a semiconductor device according to the present invention. In the figure,
In the surface-mounting type semiconductor device 1, a large number of leads 2 are downwardly extended from each side 1a from a resin-sealed package, and a tip portion is horizontally bent outward.

10は載置台で、回転可能に支持手段(図示は略す)で支
持されている。11は載置台10の繰抜き部10aに固定され
た透明載置板で、載せられる半導体装置1の各側辺のリ
ード2群の端面2aに対し、所定の距離をあけ遮光帯パタ
ーン11aが上面に形成されている。12は駆動電動機で、
ベルト13を介し載置台10を90゜宛回転させる。透明載置
板11上の半導体装置1の一側辺分のリード2の端部に対
し、下方から上向きに照射する第1の照明装置14aと、
斜め上外側向きに照射する第2の照明装置14bとが配置
されている。15aは第1の照明装置14aの上方に対応し、
リード2端部を撮像する第1の撮像装置で、画像情報16
aを出力する。15bは第2の照明装置14bの斜め上外側に
対応し、リード2端部を傾斜角をつけて撮像する第2の
撮像装置で、画像情報16bを出力する。
10 is a mounting table, which is rotatably supported by a supporting means (not shown). Reference numeral 11 denotes a transparent mounting plate fixed to the drawing-out portion 10a of the mounting table 10. A light shielding band pattern 11a is provided on the transparent surface of the semiconductor device 1 at a predetermined distance from the end surface 2a of the lead 2 group on each side. Is formed in. 12 is a drive motor,
The mounting table 10 is rotated by 90 ° via the belt 13. A first illuminating device 14a for irradiating the ends of the leads 2 on one side of the semiconductor device 1 on the transparent mounting plate 11 from below to above;
A second illuminating device 14b that illuminates obliquely upward and outward is provided. 15a corresponds to the upper side of the first lighting device 14a,
With the first image pickup device for picking up an image of the end of the lead 2, the image information 16
Output a. Reference numeral 15b is a second image pickup device corresponding to the diagonally upper outer side of the second lighting device 14b and picks up an image of the end portion of the lead 2 with an inclination angle, and outputs image information 16b.

17aは画像情報16aが入れられ、リード2端と遮光帯パタ
ーン11aとのほぼ水平距離を検出する第1のリード端距
離検出手段、17bは画像情報16bが入れられ、リード2端
と遮光帯パターン11aとの傾斜距離を検出する第2のリ
ード端距離検出手段、19は水平距離情報18aと傾斜距離
情報18bが入力され、リード2下面の透明載置板11上か
らの高さを算出するリード下面高さ検出手段、21はリー
ド下面高さ検出手段19からの高さ情報20を入力し、各側
辺のリード2の群ごとの高さ情報を区分21a〜21dに記憶
する記憶装置、23は記憶装置21からの各リード2群の高
さ情報22が入力され、リード下面の高さの差により最大
値をとりリード平坦性として出力するリード平坦性検出
手段である。
Image information 16a is entered in 17a, first lead end distance detecting means for detecting a substantially horizontal distance between the lead 2 end and the light-shielding band pattern 11a, and image information 16b is entered in 17b. Second lead end distance detecting means for detecting the inclination distance from 11a, 19 is a lead to which the horizontal distance information 18a and inclination distance information 18b are input and which calculates the height of the lower surface of the lead 2 from the transparent mounting plate 11 A bottom surface height detecting means, 21 is a storage device for receiving the height information 20 from the lead bottom surface height detecting means 19 and storing the height information for each group of the leads 2 on each side in the sections 21a to 21d. Is a lead flatness detecting means which receives the height information 22 of each lead 2 group from the storage device 21, takes the maximum value due to the difference in height of the lower surface of the lead, and outputs it as the lead flatness.

第2図は第1図の透明載置板11上の半導体装置1のリー
ド2端部に対する、光学系の位置関係を示す。透明載置
板11上面に対し、Pは垂直線、θaは撮像装置15aの中
心軸線の仰角、θbは撮像装置15bの中心軸線の仰角を
示す。Lはリード2端と遮光帯パターン11a内端との水
平距離、Hは透明載置板11上面に対するリード2下面の
高さ(すき間)を示す。第2図の透明載置板11上の半導
体装置1を、第3図に平面図で示す。なお、リード2下
面が透明載置板11に接しているものは、高さHは0とな
る。
FIG. 2 shows the positional relationship of the optical system with respect to the ends of the leads 2 of the semiconductor device 1 on the transparent mounting plate 11 of FIG. With respect to the upper surface of the transparent mounting plate 11, P is a vertical line, θa is an elevation angle of the central axis of the imaging device 15a, and θb is an elevation angle of the central axis of the imaging device 15b. L indicates the horizontal distance between the end of the lead 2 and the inner end of the light-shielding band pattern 11a, and H indicates the height (gap) of the lower surface of the lead 2 with respect to the upper surface of the transparent mounting plate 11. The semiconductor device 1 on the transparent mounting plate 11 of FIG. 2 is shown in plan view in FIG. The height H is 0 when the lower surface of the lead 2 is in contact with the transparent mounting plate 11.

次に動作を説明する。Next, the operation will be described.

第1図のように、半導体装置1を透明載置板11上に載せ
る。第1及び第2の照明装置14a及び14bにより、一側辺
のリード2の群部を下方側から第1及び第2の撮像装置
15a及び15bの方向に照射する。第1の撮像装置15aは、
ほぼ垂直方向から各リード2と遮光帯パターン11aが陰
影となるように撮像し、その画像信号16aを出力する。
この画像を第4図に示す。
As shown in FIG. 1, the semiconductor device 1 is mounted on the transparent mounting plate 11. By the first and second illumination devices 14a and 14b, the group portion of the lead 2 on one side is arranged from the lower side to the first and second imaging devices.
Irradiate in the directions of 15a and 15b. The first imaging device 15a is
The leads 2 and the light-shielding band pattern 11a are imaged so as to be shaded from a substantially vertical direction, and the image signal 16a is output.
This image is shown in FIG.

第2の撮像装置15bは、斜め上側方から各リード2と遮
光帯パターン11aが陰影となるように撮像し、その画像
信号16bを出力する。この画像を第5図に示す。
The second image pickup device 15b picks up an image from the diagonally upper side so that each lead 2 and the light-shielding band pattern 11a are shaded, and outputs the image signal 16b. This image is shown in FIG.

第1のリード端距離検出手段17aは、画像信号16aが入力
され、リード2端と遮光帯パターン11aが内端との距離L
a(第2図参照)を検出しその距離情報18aを出力する。
第2のリード端距離検出手段17bは、画像信号16bが入力
され、リード2端と遮光帯パターン11a内端との傾斜距
離Lb(第2図参照)を検出しその距離情報18bを出力す
る。
The image signal 16a is input to the first lead end distance detecting means 17a, and the distance L between the end of the lead 2 and the inner end of the light-shielding band pattern 11a is L.
It detects a (see FIG. 2) and outputs the distance information 18a.
The second lead end distance detecting means 17b receives the image signal 16b, detects the inclination distance Lb (see FIG. 2) between the end of the lead 2 and the inner end of the light-shielding band pattern 11a, and outputs the distance information 18b.

ついで、リード下面高さ検出手段19は、距離情報18a,18
bが入力され、設定された既知の水平距離L,仰角θa,θ
bから、リード2下面の透明載置板11上面からの高さH
を演算検出し、その高さ情報20を出力する。
Then, the lead lower surface height detecting means 19 detects the distance information 18a, 18
b is input and the set horizontal distance L and elevation angle θa, θ
From b, the height H of the lower surface of the lead 2 from the upper surface of the transparent mounting plate 11
Is calculated and detected, and the height information 20 is output.

この高さ情報20が入れられた記憶装置21は、撮像装置15
a,15bが撮像した半導体装置1のその辺のリード2下面
高さHを、区分21aに記憶する。
The storage device 21 in which the height information 20 is stored is the imaging device 15
The height H of the lower surface of the lead 2 on that side of the semiconductor device 1 captured by a and 15b is stored in the section 21a.

つづいて、駆動電動機12により載置台10を90゜回転し、
半導体装置1の次の側辺のリード2の群が第1及び第2
の撮像装置15a,15bの所定の撮像位置に至つたところで
停止する。上記と同様の動作により、次の側辺のリード
2下面高さHを区分21bに記憶する。他の辺のリード2
の群も同様の動作の繰返しで、リード2下面高さHを区
分21c,21dに記憶する。
Next, the drive motor 12 rotates the mounting table 10 90 °,
The group of leads 2 on the next side of the semiconductor device 1 has first and second groups.
When the image pickup device 15a, 15b reaches a predetermined image pickup position, it stops. By the same operation as above, the lower surface height H of the lead 2 on the next side is stored in the section 21b. Lead 2 on the other side
The same operation is repeated for the group (2), and the lower surface height H of the lead 2 is stored in the sections 21c and 21d.

次に、リード平坦性検出手段23は、記憶装置21からの各
側辺の高さ情報22が入力され、一番値の大きいものを選
んで出力し、これを半導体装置1のリード平坦性とす
る。
Next, the lead flatness detecting means 23 receives the height information 22 of each side from the storage device 21, selects the one having the largest value and outputs it, and uses this as the lead flatness of the semiconductor device 1. To do.

次に、上記リード2下面の透明載置板11上面からの高さ
Hの検出について、さらに詳細に説明する。
Next, the detection of the height H of the lower surface of the lead 2 from the upper surface of the transparent mounting plate 11 will be described in more detail.

第1の撮像装置15aの画像情報16aは、第4図のようにな
り、リード端距離検出手段17aは、リード2端と遮光帯1
1aのすき間の距離Laを検出する。第2の撮像装置15bの
画像情報16bは、第5図のようになり、リード2端と遮
光帯11aの傾斜すき間の距離Lbを検出する。
The image information 16a of the first image pickup device 15a is as shown in FIG. 4, and the lead end distance detecting means 17a includes the lead 2 end and the light-shielding band 1.
Detect the gap distance La of 1a. The image information 16b of the second image pickup device 15b is as shown in FIG. 5, and detects the distance Lb between the end of the lead 2 and the inclined gap between the light shielding band 11a.

第2図において、光学系の位置関係から次式が成立す
る。
In FIG. 2, the following equation is established from the positional relationship of the optical system.

La=Lsinθa+Hcosθa ……(1) Lb=Lsinθb+Hcosθb ……(2) ここで、θaが90゜以下で、90゜と等しいか又は90゜に
近い値で、かつ、L≫>Hならば、Hcosθb≒0とな
る。よつて(1)式は La≒Lsinθa ……(3)となる。
La = Lsinθa + Hcosθa (1) Lb = Lsinθb + Hcosθb (2) where θa is 90 ° or less and is equal to 90 ° or close to 90 °, and L >> H, Hcosθb≈ It becomes 0. Therefore, equation (1) becomes La ≈ Lsinθa (3).

(3)式と(2)式とにより、 H={Lb−La(sinθa/sinθb)}/cosθb……(4) となる。From the expressions (3) and (2), H = {Lb−La (sin θa / sin θb)} / cos θb (4)

第1の撮像装置15aは透明載置板11上面に対し90゜近く
の仰角に配置されており、かつ、θa,θbが既知であ
り、リード下面高さ検出手段19は、リード端距離La,Lb
とθa,θbとにより、リード2下面の透明載置板11上面
からの高さHを演算検出する。
The first image pickup device 15a is arranged at an elevation angle of about 90 ° with respect to the upper surface of the transparent mounting plate 11, and θa and θb are known, and the lead lower surface height detecting means 19 uses the lead end distance La, Lb
And θa, θb, the height H of the lower surface of the lead 2 from the upper surface of the transparent mounting plate 11 is calculated and detected.

なお、上記実施例では、駆動電動機12から載置台10への
回転伝達手段として、ベルト手段によつたが、これに限
らず、例えば歯車手段によつてもよい。
In the above embodiment, the belt transmission means is used as the rotation transmission means from the drive motor 12 to the mounting table 10, but the rotation transmission means is not limited to this, and may be gear means, for example.

また、上記実施例では、半導体装置1の四側辺からそれ
ぞれリード2の群を出したが、対向する二側辺,又は三
側辺からそれぞれリード群を出した場合にも適用できる
ものである。
Further, in the above-mentioned embodiment, the groups of the leads 2 are respectively output from the four side edges of the semiconductor device 1, but the present invention can also be applied to the case where the lead groups are respectively output from the opposing two side edges or the three side edges. .

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように、この発明によれば、回転される載置台に
透明載置板を設け、この透明載置板上面には、載置する
被測定の半導体装置の各側辺のリード群の端面に対し外
方に間隔をあけた遮光帯パターンを形成し、第1の照明
装置で一側辺分のリード端部を下方から上向に照射し、
第2の照明装置で、一側辺分のリード端部を下方から上
外側に傾斜照射し、第1の撮像装置でリード端部をほぼ
垂直上方から撮像し画像情報を出し、第2の撮像装置で
リード端部を斜め上方外側から撮像し画像情報を出すよ
うにしている。第1の撮像装置からの情報を第1のリー
ド端距離検出手段に入れ、リード端と遮光帯間のほぼ水
平距離を検出し、第2の撮像装置からの情報を第2のリ
ード端距離検出手段に入れ、リード端と遮光帯間の傾斜
距離を検出し、これらリード端の水平距離情報と傾斜距
離情報とを高さ検出手段に入れ、透明載置板上面からの
リード下面高さを演算検出するようにしてある。この高
さ情報を画像装置に入れ、各リード下面の高さを記憶
し、これら高さ情報をリード平坦性検出手段に入れ、す
べてのリード下面高さから平坦性を検出するようにした
ので、精度の高い平坦性が確実に得られる。
As described above, according to the present invention, the rotating mounting table is provided with the transparent mounting plate, and the transparent mounting plate has an upper surface on which end faces of the lead groups on the respective sides of the semiconductor device to be measured to be mounted. A light-shielding band pattern is formed outwardly with respect to the above, and the first lighting device irradiates the lead end portion for one side upward from below,
The second illumination device obliquely irradiates the lead end portion for one side from the lower side to the upper outer side, and the first image pickup device picks up the image of the lead end portion from substantially vertically above and outputs the image information. The device is configured to image the lead end from the diagonally upper outer side to output image information. The information from the first image pickup device is put into the first lead end distance detecting means to detect a substantially horizontal distance between the lead end and the light-shielding band, and the information from the second image pickup device is detected to the second lead end distance. Device, the inclination distance between the lead end and the light-shielding band is detected, the horizontal distance information and the inclination distance information of the lead end are placed in the height detecting means, and the height of the lower surface of the lead from the upper surface of the transparent mounting plate is calculated. It detects it. Since this height information is put in the image device and the height of each lead lower surface is stored, these height information is put in the lead flatness detecting means, and the flatness is detected from all the lead lower surface heights. Highly accurate flatness is surely obtained.

また、照明装置,撮像装置及びリード端距離検出手段は
2組宛でよく、載置台を回転することにより各側辺のリ
ード群の高さが検出され、従来装置に比べ安価にでき
る。
Further, the illumination device, the image pickup device, and the lead end distance detection means may be provided for two sets, and the height of the lead group on each side is detected by rotating the mounting table, which is less expensive than the conventional device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例による半導体装置のリード
平坦性測定装置の構成模式図、第2図は第1図のリード
端部に対する光学系の配置図、第3図は第2図のリード
端部と透明載置板との部分平面図、第4図は第2図の第
1の撮像装置によるリード端部の画像を示す部分平面
図、第5図は第2図の第2の撮像装置によるリード端部
の画像を示す部分平面図、第6図は従来の半導体装置の
リード平坦性測定装置の構成模式図、第7図(a),
(b)及び(c)は第6図のリード端面が垂直,上向き
傾斜及び下向き傾斜の場合の照射光と反射光の関係を示
す側面図、第8図(a),(b)及び(c)はそれぞれ
第7図(a),(b)及び(c)の場合の画像情報を示
す部分正面図である。 1……半導体装置、2……リード、2a……端面、10……
載置台、10a……繰抜き部、11……透明載置板、11a……
遮光帯パターン、12……駆動電動機、13……ベルト、14
a……第1の照明装置、14b……第2の照明装置、15a…
…第1の撮像装置、15b……第2の撮像装置、16a,16b…
…画像情報、17a……第1のリード端距離検出手段、17b
……第2のリード端距離検出手段、18a,18b……距離情
報、19……リード下面高さ検出手段、20……高さ情報、
21……記憶装置、22……高さ情報、23……リード平坦性
検出手段 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a schematic diagram of the configuration of a lead flatness measuring apparatus for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a layout diagram of an optical system with respect to the lead end portion of FIG. 1, and FIG. 4 is a partial plan view of the lead end and the transparent mounting plate, FIG. 4 is a partial plan view showing an image of the lead end by the first image pickup device of FIG. 2, and FIG. 5 is a second plan of FIG. FIG. 6 is a partial plan view showing an image of a lead end portion by an imaging device, FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a conventional lead flatness measuring device of a semiconductor device, FIG. 7 (a),
6 (b) and 6 (c) are side views showing the relationship between the irradiation light and the reflected light when the lead end surface of FIG. 6 is vertical, tilted upward and tilted downward, and FIGS. 8 (a), 8 (b) and 8 (c). 7A and 7B are partial front views showing image information in the cases of FIGS. 7A, 7B and 7C, respectively. 1 ... Semiconductor device, 2 ... Lead, 2a ... End face, 10 ...
Mounting table, 10a …… Drawing section, 11 …… Transparent mounting plate, 11a ……
Shading band pattern, 12 …… Drive motor, 13 …… Belt, 14
a ...... first lighting device, 14b ... second lighting device, 15a ...
... first imaging device, 15b ... second imaging device, 16a, 16b ...
... Image information, 17a ... First lead end distance detecting means, 17b
...... Second lead end distance detecting means, 18a, 18b ...... Distance information, 19 ...... Lead bottom surface height detecting means, 20 ...... Height information,
21 ... Storage device, 22 ... Height information, 23 ... Lead flatness detecting means In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding portions.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】表面実装形の半導体装置の各側辺のリード
下面の高さの差により平坦性を検出する装置において、 中央部が繰抜かれており、回転駆動手段により所要回転
角度位置にされる回転載置台、 この載置台の繰抜き部に固定されており、上面には、載
せられる半導体装置の各側辺のリード群端から外方に所
定の間隔をあけ遮光帯パターンが形成された透明載置
板、 上記一側辺分のリード群と遮光帯パターン部を、透明載
置板上面に対しリードの引出方向線上で、大きい仰角で
上方から撮像する第1の撮像装置と、小さい仰角で斜め
上方から撮像する第2の撮像装置、 上記第1の撮像装置に下方から対向しリード群部を下方
から照射する第1の照明装置、 上記第2の撮像装置に斜め下方から対向しリード群部を
斜め下方から照射する第2の照明装置、 上記第1の撮像装置からの画像情報が入れられ、リード
端と遮光帯パターン間のほぼ水平距離を検出する第1の
リード端距離検出手段、 上記第2の撮像装置からの画像情報が入れられ、リード
端と遮光帯パターン間の傾斜距離を検出する第2のリー
ド端距離検出手段、 上記第1及び第2のリード端距離検出手段からそれぞれ
距離情報が入れられ、上記透明載置板上面からのリード
下端面高さを演算検出するリード下面高さ検出手段、 このリード下面高さ検出手段からの高さ情報が入力さ
れ、各側辺のリード群ごとの高さを記憶しておく記憶装
置、 及びこの記憶装置からの各高さ情報が入力され、その最
大高さによりリード下面平坦性として出力するリード平
坦性検出手段を備えた半導体装置のリード平坦性測定装
置。
1. A device for detecting flatness based on a difference in height of leads undersides of respective sides of a surface-mount type semiconductor device, wherein a central portion is hollowed out and is rotated to a required rotation angle position by a rotation driving means. The rotary mounting table, which is fixed to the drawing-out part of the mounting table, has a light-shielding band pattern formed on the upper surface thereof with a predetermined distance outward from the end of the lead group on each side of the semiconductor device to be mounted. A transparent mounting plate, a first image pickup device for imaging the lead group and the light-shielding band pattern portion for the one side from above at a large elevation angle with respect to the top surface of the transparent mounting plate, and a small elevation angle. A second illuminating device that obliquely images from above, a first illuminating device that faces the first imaging device from below and irradiates the lead group from below, and a lead that obliquely faces the second imaging device from below. Irradiate the group from diagonally below Illumination device, first lead end distance detecting means for detecting substantially horizontal distance between the lead end and the light-shielding band pattern, and image information from the second image pickup device. Information is input, distance information is input from second lead end distance detecting means for detecting the inclination distance between the lead end and the light-shielding band pattern, and distance information is input from each of the first and second lead end distance detecting means, and the transparent mounting is performed. The lead lower surface height detecting means for calculating and detecting the height of the lower end surface of the lead from the upper surface of the mounting plate, the height information from the lead lower surface height detecting means is inputted, and the height for each lead group on each side is stored. 1. A lead flatness measuring device for a semiconductor device, comprising: a storage device to be stored; and lead flatness detecting means for inputting height information from the storage device and outputting it as a lead underside flatness according to the maximum height.
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