DE102018125150A1 - Heizplattform, wärmebahndlungs- und herstellungsverfahren - Google Patents

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Hsiao-Hua Peng
Hann-Ru Chen
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Abstract

Es wird eine Heizplattform zum Erwärmen eines Wafers bereitgestellt. Die Heizplattform umfasst einen Stützträger, ein Erfassungsmodul und ein erstes Heizmodul. Der Wafer wird durch den Stützträger gestützt. Das Erfassungsmodul ist eingerichtet, um einen Oberflächenzustand des Wafers, der von dem Stützträger gestützt wird, zu überwachen. Das erste Heizmodul ist an einer Seite des Stützträgers angeordnet. Das erste Heizmodul umfasst mehrere Heizeinheiten, die elektrisch mit dem Erfassungsmodul verbunden sind, und die Heizeinheiten sind in einem Array angeordnet. Ferner werden ein Wärmebehandlungs- und ein Herstellungsverfahren bereitgestellt.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNG
  • Diese Anmeldung beansprucht den Prioritätsvorteil der vorläufigen US-Anmeldung mit der Seriennummer 62/585,537, eingereicht am 14. November 2017. Die Gesamtheit der vorstehend erwähnten Patentanmeldung ist hiermit durch Bezugnahme aufgenommen und zum Teil dieser Spezifikation gemacht.
  • HINTERGRUND
  • Herstellungprozesse des Wafers können einen Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), einen Ätzprozess und einen Prozess des chemisch-mechanischen Polierens (CMP) oder dergleichen umfassen. Bei den vorstehend erwähnten Herstellungsprozessen wird das Prozessergebnis erheblich durch die Temperatur beeinflusst und während des Herstellungsprozesses des Wafers sind Temperatursteuerung und Temperatureinstellung sehr wichtig.
  • Figurenliste
  • Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden am besten durch Lesen der folgenden ausführlichen Beschreibung in Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen verständlich. Es wird darauf hingewiesen, dass gemäß der in der Industrie üblichen Praxis verschiedene Merkmale nicht maßstäblich gezeichnet sind. Tatsächlich können die Abmessungen der verschiedenen Merkmale der klaren Erörterung wegen willkürlich vergrößert oder verkleinert sein.
    • 1 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 2 zeigt eine Draufsicht, die einen Wafer, der auf der Heizplattform aus 1 bereitgestellt ist, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 3 zeigt eine Draufsicht, die ein zweites Heizmodul der Heizplattform aus 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 4A zeigt eine Unteransicht, die ein erstes Heizmodul der Heizplattform aus 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 4B zeigt eine Unteransicht, die ein erstes Heizmodul der Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 4C zeigt eine Unteransicht, die ein erstes Heizmodul der Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 5 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 6 zeigt eine Draufsicht, die ein erstes Heizmodul der Heizplattform aus 5 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 7 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 8 zeigt eine Draufsicht, die ein erstes Heizmodul der Heizplattform aus 7 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 9 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 10 zeigt eine Draufsicht, die ein Kühlmodul der Heizplattform aus 9 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 11 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 12 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 13 zeigt ein Ablaufdiagramm, das ein Herstellungsverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Die folgende Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zur Umsetzung unterschiedlicher Merkmale des bereitgestellten Gegenstands bereit. Spezifische Beispiele von Komponenten und Anordnungen werden nachfolgend beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese stellen selbstverständlich lediglich Beispiele dar und sollen nicht einschränkend sein. Beispielsweise kann die Bildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, in denen das erste und zweite Merkmal in direktem Kontakt ausgebildet sind und kann ebenfalls Ausführungsformen umfassen, in denen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten und zweiten Merkmal ausgebildet sein können, sodass sich das erste und zweite Merkmal nicht in direktem Kontakt befinden. Außerdem kann die vorliegende Offenbarung Bezugszeichen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient dem Zweck der Vereinfachung und Klarheit und erzwingt an sich keine Beziehung zwischen den verschiedenen erörterten Ausführungsformen und/oder Konfigurationen.
  • Ferner können räumlich relative Begriffe, wie beispielsweise „unterhalb“, „unter“, „tiefer“, „über“, „oberer“ und dergleichen hierin zur leichteren Beschreibung verwendet werden, um ein Element oder die Beziehung eines Merkmals mit (einem) weiteren Element(en) oder Merkmal(en) zu beschreiben, wie in den Figuren veranschaulicht ist. Die räumlich relativen Begriffe sollen unterschiedliche Ausrichtungen der Vorrichtung im Einsatz oder im Betrieb zusätzlich zu den in den Figuren dargestellten Ausrichtungen umfassen. Die Vorrichtung kann in anderer Weise (um 90 Grad gedreht oder in anderen Ausrichtungen) ausgerichtet sein und die hier verwendeten räumlich relativen Deskriptoren können dementsprechend interpretiert werden.
  • Herstellungsprozesse des Wafers können einen Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), einen Ätzprozess und einen Prozess des chemisch-mechanischen Polierens (CMP) oder dergleichen umfassen. Bei den vorstehend erwähnten Herstellungsprozessen wird das Prozessergebnis erheblich durch die Temperatur beeinflusst und während des Herstellungsprozesses des Wafers sind Temperatursteuerung und Temperatureinstellung sehr wichtig. Nimmt man den CVD-Prozess als Beispiel, wird die Dickengleichmäßigkeit einer Schicht, die auf dem Wafer abgeschieden wird, erheblich von der Temperatur beeinflusst. Außerdem kann in einigen Situationen, wenn eine aufeinanderfolgend gebildete Schicht auf einer Schicht des Wafers abgeschieden wird, die Dickengleichmäßigkeit der Schicht, die auf dem Wafer gebildet wird, die Dicke der aufeinanderfolgend gebildeten Schicht erheblich beeinflussen und eine niedrige Wafer-Ausbeuterate hervorrufen. Um die Ausbeuterate des Wafers zu verbessern, werden in der folgenden Beschreibung Heizplattformen 100, 100a, 100b, 100c, 100d und 100e vorgestellt, die dafür ausgelegt sind, einen Wafer während des Herstellungsprozesses zu erwärmen. Die Heizplattformen 100, 100a, 100b, 100c, 100d und 100e können den Wafer während des Herstellungsprozesses gleichmäßig Erwärmen oder können den Wafer mit einer spezifischen Wärmeverteilung erwärmen.
  • 1 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 1, kann die Heizplattform 100 in einigen Ausführungsformen einen Stützträger 110, ein Erfassungsmodul, ein erstes Heizmodul 120 und ein zweites Heizmodul 150 umfassen. Der Stützträger 110 kann ein Gestell oder eine Basis sein, wobei ein Wafer 10 auf dem Stützträger 110 positioniert werden kann, um gestützt und/oder vorübergehend befestigt zu werden. Das erste Heizmodul 120 ist an einer Seite des Stützträgers 110 angeordnet. Zum Beispiel ist das erste Heizmodul 120 über dem Stützträger 110 angeordnet. Das zweite Heizmodul 150 kann auf dem Stützträger 110 angeordnet sein und der Wafer 10 ist dafür ausgelegt, auf dem zweiten Heizmodul 150 angeordnet zu werden. Das heißt, dass der Wafer 10 in einigen Ausführungsformen zwischen dem ersten Heizmodul 120 und dem zweiten Heizmodul 150 angeordnet sein kann, und das zweite Heizmodul 150 zwischen dem Wafer 10 und dem Stützträger 110 angeordnet sein kann. Daher kann der Wafer 10 in einigen Ausführungsformen von dem ersten Heizmodul 120, das über dem Wafer 10 angeordnet ist, und dem zweiten Heizmodul 150, das unter dem Wafer 10 angeordnet ist, erwärmt werden. Die Positionen des ersten Heizmoduls 120, des zweiten Heizmoduls 150 und des Wafers 10 sind in dieser Offenbarung jedoch nicht beschränkt.
  • Das Erfassungsmodul ist konfiguriert, um einen Oberflächenzustand des Wafers 10, der von dem Stützträger 110 gestützt wird, zu überwachen. In einigen Ausführungsformen kann das Erfassungsmodul einen Detektor 140 und eine Steuerung 130, die elektrisch mit dem Detektor 140 verbunden ist, umfassen. 2 zeigt eine Draufsicht, die einen Wafer, der auf der Heizplattform aus 1 bereitgestellt ist, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 2 kann der Wafer 10 mehrere Die-Bereiche 12 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann der Wafer 10 ein blanker Wafer, ein Wafer mit darauf ausgebildeten dünnen Schichten oder ein Wafer mit mehreren darauf ausgebildeten Halbleiter-Dies, sein. In jedem der Die-Bereiche 12 können ein oder mehrere Halbleiter-Dies angeordnet sein. Außerdem kann der Oberflächenzustand des Wafers 10 in einigen Ausführungsformen Temperaturen der Die-Bereiche 12 des Wafers 10 sein. In einigen alternativen Ausführungsformen kann der Oberflächenzustand des Wafers 10 eine Topographie einer Oberseite des Wafers 10 sein. Die Art des Oberflächenzustands des Wafers 10 ist in der Offenbarung nicht beschränkt. Mit anderen Worten kann das Erfassungsmodul in einigen Ausführungsformen die Temperaturen, die Topographie oder jeden geeigneten Oberflächenzustand der Die-Bereiche 12 des Wafers 10 erfassen.
  • 3 zeigt eine Draufsicht, die ein zweites Heizmodul der Heizplattform aus 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 3 kann das zweite Heizmodul 150 mindestens einen ringförmigen Hauptheizer und mehrere ringförmige Zusatzheizer 156 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Anzahl des mindestens einen ringförmigen Hauptheizers zwei betragen. Die Anzahl des mindestens einen ringförmigen Hauptheizers ist in der Offenbarung nicht beschränkt. Wie in 3 dargestellt, können die ringförmigen Hauptheizer 152, 154 und die ringförmigen Zusatzheizer 156 in einigen Ausführungsformen außerdem als konzentrische Kreise angeordnet sein. Die Anordnung der ringförmigen Hauptheizer 152, 154 und der ringförmigen Zusatzheizer 156 ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt.
  • Überdies können die ringförmigen Hauptheizer 152, 154 und die ringförmigen Zusatzheizer 156 in einigen Ausführungsformen beispielsweise Heizwiderstände sein. Die Temperaturausgabe von jedem der ringförmigen Hauptheizer 152, 154 kann eingestellt werden, und die Temperaturausgabe von jedem der ringförmigen Zusatzheizer 156 kann nicht eingestellt werden. In einigen alternativen Ausführungsformen kann das zweite Heizmodul 150 nur mehrere ringförmige Hauptheizer 152, 154 umfassen, deren Temperaturausgabe eingestellt werden kann, oder das zweite Heizmodul 150 kann nur mehrere ringförmige Zusatzheizer 156 umfassen, deren Temperaturausgabe nicht eingestellt werden kann. Die Art des zweiten Heizmoduls 150 ist in der Offenbarung nicht beschränkt. Außerdem können die ringförmigen Hauptheizer 152, 154 elektrisch mit einer weiteren Steuerung (nicht dargestellt) verbunden sein. In einigen alternativen Ausführungsformen können die ringförmigen Hauptheizer 152, 154 elektrisch mit dem vorstehend erwähnten Erfassungsmodul verbunden sein.
  • Wie in 2 und 3 dargestellt, kann dadurch, dass sich die Anordnung der ringförmigen Hauptheizer 152, 154 und der ringförmigen Zusatzheizer 156 des zweiten Heizmoduls 150 von der Anordnung der Die-Bereiche 12 des Wafers 10 unterscheiden kann, die Wärmeverteilung, die dem Wafer 10 durch das zweite Heizmodul 150 bereitgestellt wird, ungleichmäßig sein. Mit anderen Worten werden die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 durch das zweite Heizmodul 150 möglicherweise ungleichmäßig erwärmt. Deshalb kann das erste Heizmodul 120 der Heizplattform 100 in einigen Ausführungsformen verwendet werden, sodass der Wafer 10 durch das erste Heizmodul 120 und das zweite Heizmodul 150 der Heizplattform 100 gleichmäßig erwärmt werden kann. In einigen Ausführungsformen kann die Wärmeverteilung des ersten Heizmoduls 120 die Wärmeverteilung des zweiten Heizmoduls 150 so kompensieren, dass die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 gleichmäßig erwärmt werden.
  • In einigen alternativen Ausführungsformen können das erste Heizmodul 120 und das zweite Heizmodul 150 der Heizplattform 100 eine vorbestimmte Wärmeverteilung (d. h. ungleichmäßige Wärmeverteilung) bereitstellen, sodass die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 gemäß aktuellen Anforderungen auf unterschiedliche Temperaturen erwärmt werden können. Wenn zum Beispiel eine Oberseite des Wafers 10 nicht eben ist, können das erste Heizmodul 120 und das zweite Heizmodul 150 eine vorbestimmte Wärmeverteilung (d. h. ungleichmäßige Wärmeverteilung) bereitstellen und die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 können durch das erste Heizmodul 120 und das zweite Heizmodul 150 während des nachfolgenden Prozesses (z. B. Filmabscheidungsprozess, Ätzvprozess, Polierprozess oder dergleichen) erwärmt werden, sodass die Topographie der Oberseite des Wafers 10 reguliert werden kann.
  • 4A zeigt eine Unteransicht, die ein erstes Heizmodul der Heizplattform aus 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 4A kann das erste Heizmodul 120 in einigen Ausführungsformen mehrere Heizeinheiten 122 umfassen, die elektrisch mit dem Erfassungsmodul verbunden sind. Die Heizeinheiten 122 können so gesteuert werden, dass sie unabhängig arbeiten, sodass jeder der Die-Bereiche 12 des Wafers 10 individuell durch eine der Heizeinheiten 122 erwärmt wird. In einigen alternativen Ausführungsformen kann jede der Heizeinheiten 122 mindestens einen der Die-Bereiche 12 erwärmen. In einigen Ausführungsformen kann jede der Heizeinheiten 122 eine UV-Lichtquelle, eine Mikrowellenquelle, eine IR-Lichtquelle oder eine NIR-Lichtquelle umfassen. Die Art der Heizeinheiten 122 ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt.
  • Wie in 4A dargestellt, sind die Heizeinheiten 122 in einem Array angeordnet. In einigen Ausführungsformen kann das Array der Heizeinheiten 122 Reihen der Heizeinheiten 122 umfassen und jede der Reihen der Heizeinheiten 122 kann mindestens zwei der Heizeinheiten 122 umfassen. Zum Beispiel können die Heizeinheiten 122, die unter den Reihen in zwei benachbarten Reihen angeordnet sind, im Wesentlichen entlang der Spaltenrichtung ausgerichtet sein. In einigen Ausführungsformen können die Heizeinheiten 122, die in allen der Reihen angeordnet sind, im Wesentlichen entlang der Spaltenrichtung ausgerichtet sein. Die Anordnung der Heizeinheiten 122 ist in der Offenbarung nicht beschränkt. Außerdem kann in einigen Ausführungsformen die Anzahl der Heizeinheiten 122, die in jeder der Reihen angeordnet sind, gleich oder unterschiedlich sein. Darüber hinaus können in einigen Ausführungsformen beliebige zwei benachbarte Reihen der Heizeinheiten 122 in einem konstanten Abstand beabstandet sein. In einigen alternativen Ausführungsformen können jedoch beliebige zwei benachbarte Reihen der Heizeinheiten 122 in einem unterschiedlichen Abstand beabstandet sein.
  • Gleichermaßen kann das Array der Heizeinheiten 122 in einigen Ausführungsformen Spalten der Heizeinheiten 122 umfassen und jede der Spalten der Heizeinheiten 122 kann mindestens zwei der Heizeinheiten 122 umfassen. Zum Beispiel sind die Heizeinheiten 122, die unter den Spalten in zwei benachbarten Spalten angeordnet sind, im Wesentlich entlang der Reihenrichtung ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen können die Heizeinheiten 122, die in allen der Spalten angeordnet sind, im Wesentlichen entlang der Reihenrichtung ausgerichtet sein. Die Anordnung der Heizeinheiten 122 ist in der Offenbarung nicht beschränkt. In einigen Ausführungsformen kann außerdem die Anzahl der Heizeinheiten 122, die in jeder der Spalten angeordnet sind, gleich oder unterschiedlich sein. Darüber hinaus können in einigen Ausführungsformen beliebige zwei benachbarte Spalten der Heizeinheiten 122 in einem konstanten Abstand beabstandet sein. In einigen alternativen Ausführungsformen können jedoch beliebige zwei benachbarte Spalten der Heizeinheiten 122 in einem unterschiedlichen Abstand beabstandet sein.
  • In einigen Ausführungsformen können die Anzahl, die Abmessungen und/oder die Anordnung der Heizeinheiten 122 dieselben sein wie die Anzahl, die Abmessungen und/oder die Anordnung der Die-Bereiche 12 des Wafers 10. Auf diese Weise kann jeder der Die-Bereiche 12 des Wafers 10 jeweils durch eine der Heizeinheiten 122 erwärmt werden. Da jede der Heizeinheiten 122 eigenständig Wärme bereitstellen kann, können Temperaturen der Die-Bereiche 12 durch die entsprechenden Heizeinheiten 122 genau gesteuert und eingestellt werden. In einigen Ausführungsformen können sich die Anzahl, die Abmessungen und/oder die Anordnung der Heizeinheiten 122 jedoch von der Anzahl, den Abmessungen und/oder der Anordnung der Die-Bereiche 12 des Wafers 10 unterscheiden. Zum Beispiel kann die Abmessung der Heizeinheiten 122 in einigen Ausführungsformen größer sein als die Abmessung der Die-Bereiche 12 des Wafers 10, wobei jede der Heizeinheiten 122 einer Gruppe von Die-Bereichen 12 des Wafers 10 entsprechen kann, die zueinander benachbart sind (z. B. vier Die-Bereiche 12, die in einem 2×2-Array angeordnet sind), sodass die Temperatur der Gruppe von Die-Bereichen 12 durch dieselbe Heizeinheit 122 gesteuert und eingestellt werden kann.
  • In einigen Ausführungsformen kann die Heizplattform 100 in die Prozessanlage zur Bearbeitung des Wafers 10, wie beispielsweise die CVD-Kammer, die Ätzkammer oder die CMP-Anlage, integriert sein. Wie in 1 dargestellt, kann das erste Heizmodul 120 an einem Element 115 (z. B. Innenwand) der Prozessanlage installiert sein und ein Einlass 116 durchläuft das Element 115 und das erste Heizmodul 120, sodass ein Fluid (z. B. ein reaktives Gas) durch den Einlass 116 in die Prozessanlage eingebracht werden kann. Dementsprechend kann in 4A das erste Heizmodul 120 ein Loch 124 aufweisen, das verwendet wird, um einen Raum für den durchlaufenden Einlass 116 bereitzustellen. In einigen alternativen Ausführungsformen kann das Loch 124 des ersten Heizmoduls 120 weggelassen werden.
  • 4B zeigt eine Unteransicht, die ein erstes Heizmodul der Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 4B, ähnelt das Array der ersten Heizeinheiten 122, das in 4A veranschaulicht ist, dem Array der ersten Heizeinheiten 122, das in 4B veranschaulicht ist, mit der Ausnahme, dass die Heizeinheiten 122 im ersten Heizmodul 120' aus 4B, die in zwei benachbarten Reihen unter den Reihen angeordnet sind, versetzt angeordnet sind. Außerdem sind die Heizeinheiten 122, die in ungeraden Reihen angeordnet sind, in einigen Ausführungsformen im Wesentlichen entlang der Spaltenrichtung ausgerichtet und die Heizeinheiten 122, die in geraden Reihen angeordnet sind, sind im Wesentlichen entlang der Spaltenrichtung ausgerichtet. In einigen alternativen Ausführungsformen können die Heizeinheiten 122, die in ungeraden Reihen angeordnet sind, nicht zueinander ausgerichtet sein und können die Heizeinheiten 122, die in geraden Reihen angeordnet sind, nicht zueinander ausgerichtet sein.
  • 4C zeigt eine Unteransicht, die ein erstes Heizmodul der Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezuganhme auf 4C kann das Array der ersten Heizeinheiten 122 im ersten Heizmodul 120" aus 4C Gruppen der Heizeinheiten 122 umfassen und die Gruppen der Heizeinheiten 122 sind jeweils entlang mehrerer konzentrischer Kreisbahnen angeordnet. In 4C beträgt die Anzahl der Gruppen von Heizeinheiten 122 (d. h. die Anzahl der konzentrischen Kreisbahnen) fünf. Die Anzahl der Gruppen der Heizeinheiten 122 ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt. In einigen Ausführungsformen können die Heizeinheiten 122, die auf jeder der konzentrischen Bahnen angeordnet sind, unabhängig gesteuert und eingestellt werden. Daher können diese Heizeinheiten 122 dem Wafer 10 Wärme mit erforderlicher Wärmeverteilung flexibel bereitstellen.
  • In einigen Ausführungsformen kann das Loch 124 des ersten Heizmoduls 120" in der Mitte der konzentrischen Kreisbahnen angeordnet sein. In einigen alternativen Ausführungsformen ist das Loch 124 nicht in der Mitte der konzentrischen Kreisbahnen angeordnet. Darüber hinaus wird in einigen Ausführungsformen die Anzahl der Heizeinheiten 122, die in den konzentrischen Kreisbahnen angeordnet sind, zusammen mit den Radien der konzentrischen Kreisbahnen schrittweise erhöht. Jedoch ist die Anzahl der Heizeinheiten 122, die in den konzentrischen Kreisbahnen angeordnet sind, in der Offenbarung nicht beschränkt. Zudem können die Gruppen der Heizeinheiten 122 in einigen Ausführungsformen jeweils entlang mehrerer Ellipsenbahnen angeordnet sein. In einigen alternativen Ausführungsformen können die Gruppen der Heizeinheiten 122 entlang einer Kombination aus Kreisbahnen und Ellipsenbahnen angeordnet sein. Das Muster von jeder der Gruppen der Heizeinheiten 122 ist in der Offenbarung nicht beschränkt.
  • Mit Rückblick auf 1 sind die Heizeinheiten 122 und das erste Heizmodul 120 jeweils elektrisch mit der Steuerung 130 des Erfassungsmoduls verbunden. Der Detektor 140 des Erfassungsmoduls ist dafür ausgelegt, den Oberflächenzustand des Wafers 10 zu erfassen oder zu überwachen und überträgt anschließend die Information des Oberflächenzustands an die Steuerung 130. Die Steuerung 130 kann die Heizeinheiten 122 gemäß der Information, die durch den Detektor 140 übertragen wurde, steuern, sodass die unterschiedlichen Die-Bereiche 12 des Wafers 10 gleichmäßig durch das erste Heizmodul 120 und das zweite Heizmodul 150 erwärmt werden, oder die unterschiedlichen Die-Bereiche 12 des Wafers 10 mit spezifischer Wärmeverteilung durch das erste Heizmodul 120 und das zweite Heizmodul 150 erwärmt werden.
  • In einigen Ausführungsformen kann der Oberflächenzustand Temperaturen der Die-Bereiche 12 des Wafers 10 sein. Wenn der Wafer 10 ausschließlich durch das zweite Heizmodul 150 erwärmt wird, sind die Temperaturen der unterschiedlichen Die-Bereiche 12 des Wafers 10 möglicherweise nicht gleich. Mit anderen Worten kann es sein, dass der Wafer 10 durch das zweite Heizmodul 150 ungleichmäßig erwärmt wird und eine Oberseite einer Schicht (nicht dargestellt), die auf dem Wafer 10 ausgebildet ist, ist nach dem Herstellungsprozess möglicherweise nicht eben. Um die Dickengleichmäßigkeit einer Schicht, die auf dem Wafer 10 abgeschieden ist, zu verbessern, kann der Detektor 140 in der Lage sein, die Temperaturen der unterschiedlichen Die-Bereiche 12 des Wafers 10 zu erfassen. In einigen Ausführungsformen kann der Detektor 140 ein Temperaturdetektor 140 sein, der einen IR-Sensor, ein Thermoelement oder dergleichen umfasst. Die Art des Detektors 140 ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt. Die Lage des Detektors 140 kann aufgrund der Art des Detektors 140 verändert werden, wobei die Lage des Detektors 140 in der Offenbarung nicht beschränkt ist.
  • In einigen Ausführungsformen kann die Temperaturinformation der Die-Bereiche 12 des Wafers 10, die durch den Detektor 140 erfasst wird, durch die Steuerung 130 analysiert werden, sodass die Steuerung 130 die Heizeinheiten 122 des ersten Heizmoduls 120 steuern kann, um den Die-Bereichen 12 des Wafers 10 Wärme mit einer spezifischen Wärmeverteilung bereitzustellen, um den Temperaturunterschied zwischen den Die-Bereichen 12 des Wafers 10 zu kompensieren. Mit anderen Worten könne die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 jeweils durch die Heizeinheiten 122 gemäß der Information, die durch den Detektor 140 erfasst wird, erwärmt werden.
  • Die Art des Oberflächenzustands des Wafers 10 ist in der Offenbarung nicht beschränkt. In einigen alternativen Ausführungsformen kann der Oberflächenzustand eine Topographie einer Oberseite des Wafers 10 sein. In einigen Ausführungsformen kann der Detektor 140 eine Bilderfassungsvorrichtung sein, die einen CCD-Bildsensor, einen CSMOS-Bildsensor oder dergleichen umfasst. Die Art des Detektors 140 ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt. In einigen Ausführungsformen wird der Detektor 140 zum Erfassen der Topographie der Oberseite des Wafers 10 verwendet und die Topographie-Informationen, die durch den Detektor 140 erfasst werden, können durch die Steuerung 130 analysiert werden. Die Steuerung 130 kann das erste Heizmodul 120 steuern, um gemäß der Topographie-Informationen zu arbeiten, die durch den Detektor 140 erfasst werden. Das erste Heizmodul 120 und das zweite Heizmodul 150 der Heizplattform 100 können eine vorbestimmte Wärmeverteilung (d. h. ungleichmäßige Wärmeverteilung) bereitstellen, sodass die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 auf unterschiedliche Temperaturen erwärmt werden können. Wenn zum Beispiel eine Oberseite des Wafers 10 nicht eben ist, können das erste Heizmodul 120 und das zweite Heizmodul 150 eine vorbestimmte Wärmeverteilung (d. h. ungleichmäßige Wärmeverteilung) bereitstellen und die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 können jeweils durch das erste Heizmodul 120 und das zweite Heizmodul 150 während des nachfolgenden Prozesses (z. B. Filmabscheidungsprozess, Ätzprozess, Polierprozess oder dergleichen) erwärmt werden, sodass die Topographie der Oberseite des Wafers 10 reguliert werden kann.
  • In einigen Ausführungsformen können die Heizeinheiten 122 des ersten Heizmoduls 120 unabhängig gesteuert oder eingestellt werden und die Heizeinheiten 122 des ersten Heizmoduls 120 können in einem Array und/oder kompakt angeordnet werden. Daher kann das erste Heizmodul 120 der Heizplattform 100 dem Wafer 10 Wärme mit erforderlicher Wärmeverteilung flexibel bereitstellen.
  • 5 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 5 ähnelt die Heizplattform 100a, die in 5 veranschaulicht ist, der Heizplattform 100, die in 1 veranschaulicht ist, mit der Ausnahme, dass in 5 ein erstes Heizmodul 120a auf dem Stützträger 110 angeordnet sein kann und das erste Heizmodul 120a zwischen dem Wafer 10 und dem Stützträger 110 angeordnet ist. Außerdem wird das zweite Heizmodul 150 in 5 weggelassen, sodass der Wafer 10 nur durch das erste Heizmodul 120a erwärmt werden kann.
  • 6 zeigt eine Draufsicht, die ein erstes Heizmodul der Heizplattform aus 5 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 5 und 6 benötigt das erste Heizmodul 120a, das in 6 dargestellt ist, kein Loch 124 (in 4A dargestellt) für den Einlass 116, da das erste Heizmodul 120a in 5 nicht an einer Position angeordnet ist, an der der Einlass 116 (in 1 dargestellt) angeordnet ist. Wie in 6 dargestellt, können Abschnitte der Heizeinheiten 122 in dem mittleren Teil des ersten Heizmoduls 120a angeordnet sein, sodass die Anordnung der Heizeinheiten 122 näher an der Anordnung des Die-Bereichs des Wafers 10 liegt. Ebenso können die Heizeinheiten 122 des ersten Heizmoduls 120a in der Heizplattform 100a aus 5 in einem Array angeordnet sein und unabhängig gesteuert oder eingestellt werden, sodass Wärme, die durch die Heizeinheiten 122 bereitgestellt wird, eine spezifische Wärmeverteilung aufweisen kann.
  • 7 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 8 zeigt eine Draufsicht, die ein erstes Heizmodul der Heizplattform aus 7 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 7 und 8 ähnelt die Heizplattform 100b, die in 7 dargestellt ist, der Heizplattform 100, die in 1 dargestellt ist, mit der Ausnahme, dass in 7 das zweite Heizmodul 150 in 1 durch ein erstes Heizmodul 120b ersetzt ist. Das heißt, dass die Heizplattform 100b in einigen Ausführungsformen zwei erste Heizmodule 120, 120b aufweisen kann. Eines von dem ersten Heizmodul 120 in 7 ist als Standort des ersten Heizmoduls 120 in 1 über dem Wafer 10 angeordnet, das andere erste Heizmodul 120b in 7 ist als Standort des zweiten Heizmoduls 150 in 1 auf dem Stützträger 110 angeordnet. In einigen Ausführungsformen wird der Wafer 10 zwischen den zwei ersten Heizmodulen 120, 120b positioniert und durch die zwei ersten Heizmodule 120, 120b erwärmt, sodass Wärme mit genauer Temperatur durch die Heizplattform 100b bereitgestellt werden kann.
  • In einigen Ausführungsformen kann jede der Heizeinheiten 122 des oberen ersten Heizmoduls 120 eine UV-Lichtquelle, eine Mikrowellenquelle, eine IR-Lichtquelle oder eine NIR-Lichtquelle umfassen. Die Art der oberen ersten Heizeinheiten 122 ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt. Wie in 8 dargestellt, kann außerdem jede der Heizeinheiten 122b des unteren ersten Heizmoduls 120b in einigen Ausführungsformen eine Fluidleitung 124b umfassen, die Heizfluid enthält. Das Heizfluid kann Wasser, Dampf oder jedes geeignete Fluid mit hoher Temperatur sein. Die Art des Heizfluids ist in der Offenbarung nicht beschränkt. In einigen alternativen Ausführungsformen kann die Art des oberen ersten Heizmoduls 120 dieselbe sein wie die Art des unteren ersten Heizmoduls 120b. Mit anderen Worten können beide der zwei ersten Heizeinheiten 120, 120b den Wafer 10 durch die UV-Lichtquelle, eine Mikrowellenquelle, eine IR-Lichtquelle oder eine NIR-Lichtquelle erwärmen. Oder beide der zwei ersten Heizmodule 120, 120b können den Wafer 10 durch die Fluidleitung 124b, die Heizfluid enthält, erwärmen. In einigen alternativen Ausführungsformen können beide der zwei ersten Heizmodule 120, 120b den Wafer 10 durch die Heizwiderstände erwärmen. In einigen Ausführungsformen kann zudem jedes der ersten Heizmodule 120, 120b nur eine Art der Heizeinheiten 122, 122b aufweisen. In einigen alternativen Ausführungsformen kann jedoch jedes der ersten Heizmodule 120, 120b unterschiedliche Arten der Heizeinheiten 122, 122b aufweisen. Zum Beispiel kann jedes der ersten Heizmodule 120, 120b mindestens zwei von einer UV-Lichtquelle, einer Mikrowellenquelle, einer IR-Lichtquelle, einer NIR-Lichtquelle, den Heizwiderständen und der Fluidleitung 124b, die Heizfluid enthält, aufweisen.
  • 9 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 10 zeigt eine Draufsicht, die ein Kühlmodul der Heizplattform aus 9 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 9 und 10 ähnelt die Heizplattform 100c, die in 9 dargestellt ist, der Heizplattform 100, die in 1 dargestellt ist, mit der Ausnahme, dass die Heizplattform 100c in 9 ferner ein Kühlmodul 160 umfassen kann. In einigen Ausführungsformen ist das Kühlmodul 160 auf dem Stützträger 110 angeordnet, ist das Kühlmodul 160 zwischen dem Stützträger 110 und dem zweiten Heizmodul 150 angeordnet, und ist das zweite Heizmodul 150 zwischen dem Kühlmodul 160 und dem Wafer 10 angeordnet. Die Lage des Kühlmoduls 160 ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst das Kühlmodul 160 mehrere Kühleinheiten 162, die jeweils elektrisch mit dem Erfassungsmodul verbunden sind. Die Kühleinheiten 162 können durch die Steuerung 130 des Erfassungsmoduls betrieben werden. Wie in 10 dargestellt, kann in einigen Ausführungsformen jede der Kühleinheiten 162 eine Fluidleitung 164 umfassen, die Kühlfluid enthält. Das Kühlfluid kann Wasser, Kältemittel oder jedes geeignete Fluid mit niedriger Temperatur sein. Die Arten der Kühleinheiten 162 und des Kühlfluids sind in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt. Die Kühleinheiten 162 können während des Herstellungsprozesses zum Senken der Temperatur des Wafers 10 betrieben werden, und/oder die Kühleinheiten können nach dem Herstellungsprozess betrieben werden, um den erwärmten Wafer 10 abzukühlen. Zudem können die Kühleinheiten 162 in einem Array angeordnet sein. Da die Kühleinheiten 162 in einem Array angeordnet sein können und unabhängig gesteuert und eingestellt werden können, können diese Kühleinheiten 162 in einigen Ausführungsformen Wärme von den unterschiedlichen Die-Bereichen 12 des Wafers 10 effektiv ableiten.
  • Das Array der Kühleinheiten 162 kann Reihen von Kühleinheiten 162 umfassen, wobei jede der Reihen der Kühleinheiten 162 Abschnitte der Kühleinheiten 162 umfasst. In einigen Ausführungsformen sind die Kühleinheiten 162, die unter den Reihen in zwei benachbarten Reihen angeordnet sind, im Wesentlichen entlang der Spaltenrichtung ausgerichtet. In einigen Ausführungsformen können die Kühleinheiten 162, die in allen der Reihen angeordnet sind, im Wesentlichen entlang der Spaltenrichtung ausgerichtet sein. Die Anordnung der Kühleinheiten 162, die unter den Reihen in zwei benachbarten Reihen angeordnet sind, ist in der Offenbarung nicht beschränkt.
  • Selbstverständlich ist auch die Art des Arrays der Kühleinheiten 162 in der Offenbarung nicht beschränkt. In einigen alternativen Ausführungsformen sind die Kühleinheiten 162, die unter den Reihen in zwei benachbarten Reihen angeordnet sind, versetzt angeordnet. Darüber hinaus kann die Anzahl der Kühleinheiten 162, die in jeder der Reihen angeordnet sind, in einigen Ausführungsformen gleich oder unterschiedlich sein. Außerdem können in einigen Ausführungsformen beliebige zwei benachbarte Reihen der Kühleinheiten 162 in einem konstanten Abstand beabstandet sein. In einigen alternativen Ausführungsformen können jedoch beliebige zwei benachbarte Reihen der Kühleinheiten 162 in unterschiedlichen Abständen beabstandet sein. Außerdem kann das Array der ersten Kühleinheiten 162 in einigen Ausführungsformen Gruppen der Kühleinheiten 162 umfassen, und die Gruppen der Kühleinheiten 162 sind jeweils entlang mehrerer konzentrischer Kreisbahnen angeordnet. Das Muster des Arrays der Kühleinheiten 162 ist in der Offenbarung nicht beschränkt.
  • In einigen Ausführungsformen können die Anzahl, die Abmessung und/oder die Anordnung der Kühleinheiten 162 dieselben sein wie die Anzahl, die Abmessung und/oder die Anordnung des Arrays der Die-Bereiche 12 des Wafers 10. Auf diese Weise können die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 jeweils durch die entsprechenden Kühleinheiten 162 abgekühlt werden. In einigen Ausführungsformen können sich die Anzahl, die Abmessung und/oder die Anordnung der Kühleinheiten 162 jedoch von der Anzahl, der Abmessung und/oder der Anordnung der Die-Bereiche 12 des Wafers 10 unterscheiden. Zum Beispiel kann die Abmessung der Kühleinheit in einigen Ausführungsformen größer sein als die Abmessung des Die-Bereiches des Wafers 10, wobei jede der Kühleinheiten 162 einer Gruppe von Die-Bereichen 12 des Wafers 10 entsprechen kann, die zueinander benachbart sind (z. B. vier Die-Bereiche 12, die in einem 2×2-Array angeordnet sind), sodass die Temperatur der Gruppe von Die-Bereichen 12 durch dieselben Kühleinheiten162 gesteuert und eingestellt werden kann.
  • 11 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 11 kann die Heizplattform 100d aus 11 die Heizplattform 100a aus 5 und das Kühlmodul 160 umfassen. 12 zeigt eine schematische Ansicht, die eine Heizplattform gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 12 kann die Heizplattform 100e aus 12 die Heizplattform 100b aus 7 und das Kühlmodul 160 umfassen. Wie in 9, 11 und 12 dargestellt, weisen die Heizplattformen 100c, 100d und 100e nicht nur das erste Heizmodul 120 oder 120a auf, sondern auch das Kühlmodul 160. Die Heizeinheiten 122 des ersten Heizmoduls 120 oder 120a können unabhängig betrieben werden, um den Die-Bereichen 12 des Wafers 10 Wärme mit spezifischer Wärmeverteilung bereitzustellen. Ebenso können die Kühleinheiten 162 des Kühlmoduls 160 unabhängig betrieben werden, Wärme aus den unterschiedlichen Die-Bereichen 12 des Wafers 10 abzuleiten. Durch die Ausgestaltung der Heizplattformen 100, 100a, 100b, 100c, 100d und 100e kann die Qualität des Wafers 10 verbessert werden und die Ausbeuterate des Wafers 10 kann verbessert werden.
  • Die Heizplattformen 100, 100a, 100b, 100c, 100d und 100e, die vorstehend erwähnt werden, können für die Prozessanlage zur Bearbeitung des Wafers 10, wie beispielsweise die CVD-Kammer, die Ätzkammer oder die CMP-Anlage, verwendet werden. Ein Herstellungsverfahren des Wafers 10 wird in den folgenden Beschreibungen aufgeführt.
  • 13 zeigt ein Ablaufdiagramm, das ein Herstellungsverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Mit Bezugnahme auf 13 kann das Herstellungsverfahren 200 die folgenden Schritte umfassen. Als erstes wird in Schritt 210 ein erster Prozess auf einem Wafer 10 durchgeführt. In einigen Ausführungsformen kann der erste Prozess einen Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), einen Prozess der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), einen Trockenätzprozess, einen Nassätzprozess oder einen Prozess des chemisch-mechanischen Polierens (CMP) umfassen. Die Art des ersten Prozesses ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt. Nach dem Durchführen des ersten Prozesses, kann ein Schicht (nicht dargestellt) auf dem Wafer 10 gebildet sein oder ein Teil einer Schicht (nicht dargestellt) kann von dem Wafer 10 entfernt sein.
  • Anschließend, in Schritt 220, werden nach dem Durchführen des ersten Prozesses Informationen über einen Oberflächenzustand des Wafers 10 erlangt. In einigen Ausführungsformen kann der Oberflächenzustand eine Topographie einer Oberseite des Wafers 10 sein. In einigen alternativen Ausführungsformen kann der Oberflächenzustand Temperaturen mehrerer Bereiche einer Oberseite des Wafers 10 sein. Die Art des Oberflächenzustands ist in der Offenbarung nicht beschränkt.
  • Später, in Schritt 230, wird ein zweiter Prozess auf dem Wafer 10 durchgeführt, wobei auf dem Wafer 10 während des zweiten Prozesses ein Wafer-Heizprozess durch ein Heizmodul gemäß der Information des Oberflächenzustands durchgeführt wird, wobei das Heizmodul mehrere Heizeinheiten 122 umfasst und die Heizeinheiten 122 in einem Array angeordnet sind.
  • In einigen Ausführungsformen kann der zweite Prozess einen Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), einen Prozess der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), einen Trockenätzprozess, einen Nassätzprozess oder einen Prozess des chemisch-mechanischen Polierens (CMP) umfassen. Die Art des zweiten Prozesses ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt. In Schritt 230 können die Heizeinheiten 122 des Heizmoduls unabhängig arbeiten und den Die-Bereichen 12 des Wafers 10 gemäß der Information des Oberflächenzustands Wärme von unterschiedlicher Temperatur bereitstellen.
  • In einigen Ausführungsformen kann das erste Heizmodul 120 verwendet werden, um den Die-Bereichen 12 des Wafers 10 gleichmäßig Wärme bereitzustellen. In einigen alternativen Ausführungsformen kann das erste Heizmodul 120 eine vorbestimmte Wärmeverteilung (d. h. ungleichmäßige Wärmeverteilung) bereitstellen, sodass die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 gemäß aktuellen Anforderungen auf unterschiedliche Temperaturen erwärmt werden können.
  • In einigen Ausführungsformen kann jede der Heizeinheiten 122 eine UV-Lichtquelle, eine Mikrowellenquelle, eine IR-Lichtquelle oder eine NIR-Lichtquelle umfassen. In einigen alternativen Ausführungsformen kann jede der Heizeinheiten 122 einen Heizwiderstand umfassen. In einigen alternativen Ausführungsformen kann jede der Heizeinheiten 122 eine Fluidleitung 124b umfassen, die Heizfluid enthält. Das Heizfluid kann Wasser, Dampf oder jedes geeignete Fluid mit hoher Temperatur sein. Die Art der Heizeinheiten 122 ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt. Außerdem kann die Art der Heizeinheiten 122 in einigen Ausführungsformen dieselbe sein. Dennoch können sich die Arten der Heizeinheiten 122 in einigen Ausführungsformen unterscheiden. Zum Beispiel können die Heizmodule 122 mindestens zwei von einer UV-Lichtquelle, einer Mikrowellenquelle, einer IR-Lichtquelle, einer NIR-Lichtquelle, den Heizwiderständen und der Fluidleitung 124b, die Heizfluid enthält, umfassen.
  • Außerdem wird in Schritt 240 des Herstellungsverfahrens 200 gemäß der Information des Oberflächenzustands ein Wafer-Kühlprozess auf dem Wafer 10 durch ein Kühlmodul 160 durchgeführt, wobei das Kühlmodul 160 mehrere Kühleinheiten 162 umfasst und die Kühleinheiten 162 in einem Array angeordnet sind. In einigen Ausführungsformen kann jede der Kühleinheiten 162 eine Fluidleitung 164 umfassen, die Kühlfluid enthält. Das Kühlfluid kann Wasser, Kältemittel oder jedes geeignete Fluid mit niedriger Temperatur sein. Die Arten der Kühleinheiten 162 und des Kühlfluids in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt.
  • In einigen Ausführungsformen kann der Wafer-Kühlprozess nach dem ersten Prozess oder dem zweiten Prozess durchgeführt werden, sodass die Kühleinheiten 162 verwendet werden können, um den erwärmten Wafer 10 abzukühlen. In einigen alternativen Ausführungsformen kann der Wafer-Kühlprozess während des ersten Prozesses oder des zweiten Prozesses durchgeführt werden. Mit anderen Worten kann der Wafer 10 während des ersten Prozesses oder des zweiten Prozesses durch das Heizmodul erwärmt werden und durch das Kühlmodul 160 abgekühlt werden, wobei durch das Heizmodul und das Kühlmodul 160 eine moderate Temperatur des Wafers 10 bereitgestellt werden kann. In einigen alternativen Ausführungsformen kann der Wafer-Kühlprozess gemeinsam mit einem dritten Prozess durchgeführt werden. In einigen Ausführungsformen kann der dritte Prozess einen Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), einen Prozess der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), einen Trockenätzprozess, einen Nassätzprozess oder einen Prozess des chemisch-mechanischen Polierens (CMP) umfassen. Die Art des dritten Prozesses ist in der Offenbarung jedoch nicht beschränkt. Darüber hinaus kann der Schritt 240 in einigen Ausführungsformen weggelassen werden. Das heißt, der Schritt 240 ist optional.
  • Durch Anwenden des Herstellungsverfahrens 200 kann in einigen Ausführungsformen während des Herstellungsprozesses des Wafers 10 unterschiedlichen Die-Bereichen 12 des Wafers 10 gleichmäßig Wärme bereitgestellt werden. Dementsprechend können Dicken unterschiedlicher Bereiche einer Schicht, die auf dem Wafer 10 gebildet ist, ähnlich oder gleich sein, und die Schicht kann gleichmäßig auf den Wafer 10 gebildet werden. In einigen alternativen Ausführungsformen kann das erste Heizmodul 120 eine vorbestimmte Wärmeverteilung (d. h. ungleichmäßige Wärmeverteilung) bereitstellen, sodass die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 gemäß aktuellen Anforderungen auf unterschiedliche Temperaturen erwärmt werden können. Wenn zum Beispiel eine Oberseite des Wafers 10 nicht eben ist, kann das erste Heizmodul 120 eine vorbestimmte Wärmeverteilung (d. h. ungleichmäßige Wärmeverteilung) bereitstellen und die Die-Bereiche 12 des Wafers 10 können durch das erste Heizmodul 120 während des nachfolgenden Prozesses (z. B. Filmabscheidungsprozess, Ätzprozess, Polierprozess oder dergleichen) erwärmt werden, sodass die Topographie der Oberseite des Wafers 10 reguliert werden kann.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der Offenbarung, wird eine Heizplattform zum Erwärmen eines Wafers bereitgestellt. Die Heizplattform umfasst einen Stützträger, ein Erfassungsmodul und ein erstes Heizmodul. Der Wafer wird durch den Stützträger gestützt. Das Erfassungsmodul ist konfiguriert, um einen Oberflächenzustand des Wafers, der von dem Stützträger gestützt wird, zu überwachen. Das erste Heizmodul ist an einer Seite des Stützträgers angeordnet. Das erste Heizmodul umfasst mehrere Heizeinheiten, die elektrisch mit dem Erfassungsmodul verbunden sind und die Heizeinheiten sind in einem Array angeordnet.
  • Gemäß einigen alternativen Ausführungsformen der Offenbarung umfasst einE Wärmebehandlung die folgenden Schritte. Auf einer Heizplattform wird ein Wafer bereitgestellt. Durch ein Erfassungsmodul der Heizplattform wird ein Oberflächenzustand des Wafers erfasst. Durch ein Heizmodul der Heizplattform wird gemäß einer Information, die durch das Erfassungsmodul erfasst wurde, ein Wafer-Heizprozess durchgeführt, wobei das Heizmodul mehrere Heizeinheiten umfasst und die Heizeinheiten in einem Array angeordnet sind.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der Offenbarung umfasst ein Herstellungsverfahren die folgenden Schritte. Auf einem Wafer wird ein erster Prozess durchgeführt. Nach Durchführen des ersten Prozesses werden Informationen über einen Oberflächenzustand des Wafers erhalten. Es wird ein zweiter Prozess auf dem Wafer durchgeführt, wobei während des zweiten Prozesses auf dem Wafer gemäß der Information des Oberflächenzustands ein Wafer-Heizprozess durch ein Heizmodul durchgeführt wird, wobei das Heizmodul mehrere Heizeinheiten umfasst und die Heizeinheiten in einem Array angeordnet sind.
  • Vorstehend werden Merkmale verschiedener Ausführungsformen herausgestellt, sodass ein Fachmann die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen kann. Fachmänner sollten verstehen, dass sie die vorliegende Offenbarung ohne weiteres als Grundlage für die Gestaltung oder Änderung anderer Prozesse und Strukturen zur Erfüllung der gleichen Zwecke und/oder zur Erzielung der gleichen Vorteile der hierin vorgestellten Ausführungsformen verwenden können. Fachmänner sollten auch erkennen, dass solche gleichwertigen Konstruktionen nicht vom Geist und Umfang der vorliegenden Offenbarung abweichen und dass sie verschiedene Änderungen, Substitutionen und Modifizierungen hierin vornehmen können, ohne vom Geist und Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.

Claims (20)

  1. Heizplattform zum Erwärmen eines Wafers, die Heizplattform umfassend: einen Stützträger, wobei der Wafer durch den Stützträger gestützt wird; ein Erfassungsmodul, das eingerichtet ist, um einen Oberflächenzustand des Wafers, der von dem Stützträger gestützt wird, zu überwachen; und ein erstes Heizmodul, das an einer Seite des Stützträgers angeordnet ist, wobei das erste Heizmodul mehrere Heizeinheiten umfasst, die elektrisch mit dem Erfassungsmodul verbunden sind, und wobei die Heizeinheiten in einem Array angeordnet sind.
  2. Heizplattform nach Anspruch 1, wobei das erste Heizmodul auf dem Stützträger angeordnet ist und sich das erste Heizmodul zwischen dem Wafer und dem Stützträger befindet.
  3. Heizplattform nach Anspruch 1, wobei das erste Heizmodul über dem Stützträger angeordnet ist und sich der Wafer zwischen dem ersten Heizmodul und dem Stützträger befindet.
  4. Heizplattform nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: ein zweites Heizmodul, das auf dem Stützträger angeordnet ist, wobei das erste Heizmodul über dem zweiten Heizmodul angeordnet ist und der Wafer sich zwischen dem ersten Heizmodul und dem zweiten Heizmodul befindet.
  5. Heizplattform nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Array der ersten Heizeinheiten Reihen der Heizeinheiten umfasst und die Heizeinheiten, die unter den Reihen in zwei benachbarten Reihen angeordnet sind, im Wesentlichen ausgerichtet sind.
  6. Heizplattform nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 4, wobei das Array der Heizeinheiten Reihen der Heizeinheiten umfasst, und die Heizeinheiten, die unter den Reihen in zwei benachbarten Reihen angeordnet sind, versetzt angeordnet sind.
  7. Heizplattform nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 4, wobei das Array der Heizeinheiten Gruppen der Heizeinheiten umfasst und die Gruppen der Heizeinheiten jeweils entlang mehrerer konzentrischer Kreisbahnen angeordnet sind.
  8. Heizplattform nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei jede der Heizeinheiten eine UV-Lichtquelle, eine Mikrowellenlichtquelle, eine IR-Lichtquelle oder eine NIR-Lichtquelle umfasst.
  9. Heizplattform nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei jede der Heizeinheiten eine Fluidleitung umfasst, die Heizfluid enthält.
  10. Heizplattform nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: ein Kühlmodul, das auf dem Stützträger angeordnet ist und mehrere Kühleinheiten umfasst, die elektrisch mit dem Erfassungsmodul verbunden sind, wobei die Kühleinheiten in einem Array angeordnet sind.
  11. Heizplattform nach Anspruch 10, wobei jede der Kühleinheiten eine Fluidleitung umfasst, die Kühlfluid enthält.
  12. Wärmebehandlung, umfassend: Bereitstellen eines Wafers auf einer Heizplattform; Erfassen eines Oberflächenzustands des Wafers durch ein Erfassungsmodul der Heizplattform; und Durchführen eines Wafer-Erwärmungsprozesses durch ein Heizmodul der Heizplattform gemäß einer Information, die durch das Erfassungsmodul erfasst wurde, wobei das Heizmodul mehrere Heizeinheiten umfasst und die Heizeinheiten in einem Array angeordnet sind.
  13. Wärmebehandlung nach Anspruch 12, wobei der Oberflächenzustand eine Topographie einer Oberseite des Wafers umfasst und mehrere Bereiche der Oberseite des Wafers jeweils durch Heizeinheiten gemäß der Topographie der Oberseite des Wafers erwärmt werden.
  14. Wärmebehandlung nach Anspruch 12, wobei der Oberflächenzustand Temperaturen mehrerer Bereiche einer Oberseite des Wafers umfasst und die Bereiche der Oberseite des Wafers jeweils durch die Heizeinheiten gemäß den Temperaturen der Bereiche der Oberseite des Wafers erwärmt werden.
  15. Wärmebehandlung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, ferner umfassend: Durchführen eines Wafer-Kühlungsprozesses durch ein Kühlmodul der Heizplattform gemäß einer Information, die durch das Erfassungsmodul erfasst wurde, wobei das Kühlmodul mehrere Kühleinheiten umfasst und die Kühleinheiten in einem Array angeordnet sind.
  16. Herstellungsverfahren, umfassend: Durchführen eines ersten Prozesses auf einem Wafer; Erhalten von Informationen eines Oberflächenzustands des Wafers nach dem Durchführen des ersten Prozesses; und Durchführen eines zweiten Prozesses auf dem Wafer, wobei während des zweiten Prozesses auf dem Wafer gemäß den Informationen des Oberflächenzustands ein Wafer-Erwärmungsprozess durch ein Heizmodul durchgeführt wird, wobei das Heizmodul mehrere Heizeinheiten umfasst und die Heizeinheiten in einem Array angeordnet sind.
  17. Herstellungsverfahren nach Anspruch 16, wobei der erste Prozess einen Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), einen Prozess der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), einen Trockenätzprozess, einen Nassätzprozess oder einen Prozess des chemisch-mechanischen Polierens (CMP) umfasst.
  18. Herstellungsverfahren nach Anspruch 16 oder 17, wobei der zweite Prozess einen Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), einen Prozess der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), einen Trockenätzprozess, einen Nassätzprozess oder einen Prozess des chemisch-mechanischen Polierens (CMP) umfasst.
  19. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, wobei der Oberflächenzustand eine Topographie einer Oberseite des Wafers umfasst und mehrere Bereiche der Oberseite des Wafers während des zweiten Prozesses gemäß der Topographie der Oberseite des Wafers jeweils durch Heizeinheiten erwärmt werden.
  20. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, ferner umfassend: Durchführen eines Wafer-Kühlungsprozesses auf dem Wafer durch ein Kühlmodul gemäß den Informationen über den Oberflächenzustand, wobei das Kühlmodul mehrere Kühleinheiten umfasst und die Kühleinheiten in einem Array angeordnet sind.
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