DE102018124126A1

DE102018124126A1 - Licht-emittierende Vorrichtung

Info

Publication number: DE102018124126A1
Application number: DE102018124126.7A
Authority: DE
Inventors: Yasuo Kato; Yuichi Hamada; Kensaku Hamada; Takanori AKAISHI
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2017-09-28
Filing date: 2018-09-28
Publication date: 2019-03-28
Also published as: KR20190037165A; KR102653166B1; US10622531B2; CN109599476A; US20190097107A1

Abstract

Eine lichtemittierende Vorrichtung umfasst ein lichtemittierendes Element mit einer Kontaktelektrode und ein Metallelement, das über einen Draht mit der Kontaktelektrode verbunden ist. Der Draht weist eine Schichtstruktur auf, die mindestens ein Kernmaterial einschließt, das Kupfer als eine Hauptkomponente enthält, eine Zwischenschicht, die Palladium als eine Hauptkomponente enthält, und eine Oberflächenschicht, die Silber als eine Hauptkomponente enthält. Die Zwischenschicht ist zwischen dem Kernmaterial und der Oberflächenschicht angeordnet.

Description

HINTERGRUND
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine lichtemittierende Vorrichtung.
Ein umhüllter Draht mit einem Drahtkernmaterial, welches Kupfer als Hauptbestandteil enthält und mit einer Substanz mit hohem Reflexionsvermögen beschichtet ist, wurde vorgeschlagen als ein Draht zum Verbinden einer Kontaktelektrode eines lichtemittierenden Halbleiterelements (im Folgenden auch einfach als ein „lichtemittierendes Element“ bezeichnet) an eine Elektrode einer Baugruppe.
ZUSAMMENFASSUNG
Beispielsweise in der ungeprüften japanischen Patentanmeldung Nr. 2007-80990 - obwohl Kupfer als das Drahtkernmaterial verwendet wird und Silber verwendet wird, um die Lichtextraktionseffizienz zu erhöhen, - neigt jedoch das Kupfer in dem Kernmaterial dazu, in das Silber in der Oberflächenschicht thermisch zu diffundieren.
Als ein weiteres Beispiel schlägt die ungeprüfte japanische Patentanmeldung Nr. 2012 - 039079 einen ummantelten Kupferdraht vor, bei dem das Kernmaterial aus Kupfer besteht, eine Zwischenschicht aus Palladium besteht und eine Oberflächenschicht aus Silber besteht.
Bei diesen ummantelten Drähten neigt die Lichtextraktionseffizienz dazu, sich über einen längeren Zeitraum zu verringern.
Eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schließt ein lichtemittierendes Element mit einer Kontaktelektrode ein, sowie ein Metallelement, das über einen Draht mit der Kontaktelektrode verbunden ist. Der Draht weist eine Schichtstruktur auf, die mindestens folgendes einschließt: ein Kernmaterial, das Kupfer als eine Hauptkomponente enthält, eine Zwischenschicht, die Palladium als eine Hauptkomponente enthält, und eine Oberflächenschicht, die Silber als eine Hauptkomponente enthält.
Die Zwischenschicht ist zwischen dem Kernmaterial und der Oberflächenschicht angeordnet.
Es ist möglich, eine lichtemittierende Vorrichtung zu erhalten, mit der die Lichtextraktionseffizienz nicht abnimmt, wenn die lichtemittierende Vorrichtung für eine längere Zeitperiode betrieben wird.
Figurenliste
Es zeigen:

1 A und 1 B schematische Querschnittsansichten, die eine lichtemittierende Vorrichtung einer Ausführungsform darstellen;
2 eine schematische Querschnittsansicht, die einen mehrschichtigen Bonddraht einer Ausführungsform darstellt;
3 A eine SEM-Mikroaufnahme bei 1.000-facher Vergrößerung, die die Oberfläche des Bonddrahts in Beispiel 1 darstellt;
3 B eine SEM-Mikroaufnahme bei 5.000-facher Vergrößerung, die die Oberfläche des Bonddrahts in Beispiel 1 darstellt; und
4 eine Querschnitts-Mikroaufnahme, aufgenommen durch FIB-SEM, die eine Querschnittsansicht des Bonddrahts in Beispiel 1 darstellt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Figuren entsprechend erläutert. Die Montagekomponente, die nachstehend erläuterte lichtemittierende Vorrichtung, dient jedoch zur Verkörperung des technischen Konzepts der vorliegenden Erfindung, und sofern nicht speziell angegeben, ist die vorliegende Erfindung nicht auf das Folgende beschränkt. Außerdem sind in der vorliegenden Beschreibung die in den Ansprüchen offenbarten Elemente niemals auf die Elemente in der Ausführungsform beschränkt. Insbesondere, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben, beschränken die Größen, Materialien, Formen und relativen Positionen der Bestandteile, die in der Ausführungsform beschrieben sind, den Umfang der vorliegenden Offenbarung auf die zuvor erwähnten Beschreibungen nicht, sondern stellen lediglich Beispiele zur Veranschaulichung bereit. Es ist anzumerken, dass es Fälle gibt, in denen Größen oder Positionsbeziehungen von Elementen, die in jeder Figur dargestellt sind, übertrieben sind, um die Beschreibungen zu verdeutlichen.
Wie in den 1 A (in der das Versiegelungselement 6 der Kürze halber nicht gezeigt ist) und 1 B gezeigt, weist eine lichtemittierende Vorrichtung 100 ein Gehäuse 10, ein auf dem Gehäuse 10 angeordnetes lichtemittierendes Element 3 und Drähte 1 auf. Das Gehäuse 10 weist Metallelemente 2 auf, die als ein Paar positiver und negativer Elektroden funktionieren, und ein Harzformteil 4, das die Metallelemente 2 zusammenhält. Das lichtemittierende Element 3 hat eine gestapelte Halbleiterstruktur 32 mit einer lichtemittierenden Schicht, und Kontaktelektroden 31, die auf der oberen Oberfläche der gestapelten Struktur 32 ausgebildet sind. Die Drähte 1 verbinden die Metallelemente 2 und die Kontaktelektroden 31. Die Metallelemente 2 fungieren als Montageelemente, auf denen das lichtemittierende Element 3 angebracht ist. Die Metallelemente 2 wirken auch als ein Paar von positiven und negativen Elektroden zum Zuführen von Energie zu dem lichtemittierenden Element 3 über die Drähte 1.
Wie in der schematischen Querschnittsansicht von 2 gezeigt, weist der Draht 1 in dieser Ausführungsform ein Kernmaterial 11 auf, das Kupfer als Hauptkomponente enthält, eine Zwischenschicht 12, die Palladium als Hauptkomponente enthält, und eine Oberflächenschicht 13, die Silber als Hauptkomponente enthält. Der Durchmesser des Kernmaterials 11, dessen Hauptbestandteil Kupfer ist, beträgt beispielsweise 10 µm bis 30 µm. Die Dicke der Zwischenschicht 12, deren Hauptbestandteil Palladium ist, beträgt beispielsweise 30 nm bis 100 nm. Die Dicke der Oberflächenschicht 13, deren Hauptbestandteil Silber ist, beträgt beispielsweise 40 nm bis 300 nm.
Draht 1
Die Drähte 1 verbinden die Metallelemente 2 und die Kontaktelektroden 31 des lichtemittierenden Elements 3 elektrisch miteinander. Der Draht 1 ist in 2 dargestellt. Der Draht 1 in dieser Ausführungsform weist eine Schichtstruktur auf, die zumindest das Kernmaterial 11 enthält, welches Kupfer als Hauptkomponente enthält, die Zwischenschicht 12, deren Hauptkomponente Palladium ist und welche die Oberfläche des Kernmaterials 11 beschichtet, und die Oberflächenschicht 13, deren Hauptkomponente Silber ist und welche die Oberfläche der Zwischenschicht 12 beschichtet.
Das Kernmaterial 11 enthält Kupfer als seine Hauptkomponente und vorzugsweise enthält es mindestens 95% Kupfer und besonders bevorzugt mindestens 97% Kupfer. Das Kernmaterial 11 kann in geeigneter Weise mit Au, Ag, Zn, Sn, V, B, Ti, Mg, P, S oder einem anderen solchen Zusatzstoff dotiert sein, oder mit einer Legierung, abhängig von der Bindungsfähigkeit, der Leichtigkeit der Kugelbildung, der geeigneten Dehnung, der geeigneten Schleifenform, der geeigneten Härte und anderen derartigen Produktivitätsfaktoren sowie der Form der lichtemittierenden Vorrichtung 100 usw. Der Durchmesser des Kernmaterials 11 kann in geeigneter Weise entsprechend der Form, der Ausgabe usw. der lichtemittierenden Vorrichtung 100 ausgewählt werden. Der Durchmesser des Kernmaterials 11 beträgt zum Beispiel vorzugsweise mindestens 10 µm und nicht mehr als 30 µm.
Die Zwischenschicht 12 enthält vorzugsweise Palladium als Hauptkomponente und vorzugsweise mindestens 90% Palladium, besonders bevorzugt mindestens 95% Palladium. Die Zwischenschicht 12 enthält vorzugsweise mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, die Cu, Te, Ge, Se, Au und Ag enthält. Die Zwischenschicht 12 kann in geeigneter Weise mit einem Additiv oder einer Legierung dotiert sein, abhängig von der Wärmebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, Bindungsfähigkeit, Leichtigkeit der Kugelbildung, der geeigneten Verlängerung, der geeigneten Schleifenform, der geeigneten Härte und anderen solchen Produktivitätsfaktoren sowie die Form der lichtemittierenden Vorrichtung 100. Die Zwischenschicht 12 kann zum Beispiel eine Spurenmenge von Se, Ge, Bi, Te oder dergleichen enthalten, von der erwartet wird, dass sie die Wärmebeständigkeit verbessert. In dem Fall, in dem die Palladium-Zwischenschicht durch Galvanisieren hergestellt wird, kann die Plattierungslösung eine sein, zu der diese Additive hinzugefügt worden sind.
Die Oberflächenschicht enthält vorzugsweise mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, die Pd, Au, Se, S, C, N und O enthält. Alternativ ist es besonders bevorzugt, dass die Oberflächenschicht 13 Silber, gebildet aus hochreinem Silber als Hauptbestandteil enthält, das nichts anderes als unvermeidbare Verunreinigungen enthält. Die Oberflächenschicht 13 kann eine Spurenmenge von Additiven wie Se, S oder dergleichen enthalten, um die Wärmebeständigkeit und Lichtreflexion zu verbessern. In dem Fall, in dem eine Oberflächenschicht 13, die Silber als Hauptbestandteil aufweist, durch Galvanisieren hergestellt wird, kann die Silberplattierungslösung eine solche sein, der eine Selenverbindung und / oder eine Schwefelverbindung in geeigneter Weise als Additiv hinzugefügt worden ist.
Das Verfahren zum Herstellen des Drahtes 1 ist wie folgt. Zuerst wird ein Kernmaterial 11 mit einem Durchmesser größer als der Durchmesser des angestrebten Drahtes vorbereitet, Plattierungsschichten, die dicker als die angestrebte Zwischenschicht und Oberflächenschicht sind, werden gebildet, und dann wird ein Drahtziehen durchgeführt. Das Kernmaterial, die Zwischenschicht, die Oberflächenschicht und der Draht werden unter Verwendung der gleichen Namen für diese Komponenten sowohl vor als auch nach dem Drahtziehen beschrieben.
Das Kernmaterial 11, das üblicherweise einen Durchmesser von 2 bis 6 mm aufweist, ist zu einer Spule gewickelt und hat als Hauptbestandteil Kupfer, das zuerst mit Palladium in einer Dicke von wenigen Mikrometern (was als die Zwischenschicht 12 dient) galvanisiert wird, wonach dieses Produkt mit Silber in einer Dicke von einigen Mikrometern (das als die Oberflächenschicht 13 dient) galvanisiert wird. Der auf diese Weise hergestellte Draht mit einem Durchmesser von wenigen Millimetern kann wiederholt durch eine Drahtziehmatrize mit einer geeigneten Lochform gezogen werden, während er einer Wärmebehandlung unterzogen wird, um beispielsweise einen Draht mit einem Durchmesser von 10 bis 30 µm herzustellen. Es ist vorzuziehen, die Plattierungsdicke von Palladium oder Silber, die in dem Plattierungsschritt vor dem Drahtziehen gebildet wurde, in Abhängigkeit von dem Ausmaß des nachfolgenden Drahtziehens einzustellen. Da das Drahtziehen somit durchgeführt wird, während das Material erwärmt wird, wird Wärme in der Nähe der Grenzflächen zwischen dem Kernmaterial 11, der Zwischenschicht 12 und der Oberflächenschicht 13 interdiffundieren, so dass eine gewisse Legierungsmenge auftritt. Der Legierungsgrad wird vorzugsweise eingestellt, indem die Bedingungen, wie die Temperatur und die Dauer der Wärmebehandlung, eingestellt werden und dadurch die Eigenschaften des Drahtes 1 eingestellt werden.
Der gewünschte Draht 1 kann unter Verwendung eines Kernmaterials 11 hergestellt werden, das einen Durchmesser von 25 µm aufweist und Kupfer als Hauptbestandteil aufweist, und dem Galvanisieren von diesem mit der Zwischenschicht 12 (die Palladium enthält) und dann mit der Oberflächenschicht 13 (die Silber enthält), ohne das Drahtziehen durchzuführen.
Gehäuse 10
Die lichtemittierende Vorrichtung 100 in dieser Ausführungsform weist das Gehäuse 10 auf, das mindestens die Metallelemente 2 aufweist. Das Gehäuse 10 kann Metallelemente 2 und eine isolierende Basis 4 aufweisen.
Beispielsweise weist das Gehäuse 10 eine viereckige äußere Umfangsform in der Draufsicht auf und hat einen ausgesparten Abschnitt mit einer Öffnung auf seiner oberen Oberfläche. Zum Beispiel ist der ausgesparte Abschnitt derart gestaltet, dass die Öffnung, in welcher die Metallelemente 2 an der Bodenfläche freiliegen, in der Draufsicht eine quadratische Form aufweist. Ein Abschnitt des Paares von Metallelementen 2 ist als ein äußerer Anschlussabschnitt an der unteren Oberfläche des Gehäuses 10 freigelegt. Die Form des Gehäuses 10 in der Draufsicht kann etwas anderes als viereckig sein, wie eine Rechteckform, eine polygonale Form oder eine Kombination davon. In dem Fall, in dem das Gehäuse 10 der lichtemittierenden Vorrichtung 100 einen ausgesparten Abschnitt aufweist, können die Innenflächen der Seitenwandabschnitte des ausgesparten Abschnitts in einem Winkel vorgesehen sein, der zu der Bodenfläche geneigt ist, wie in 1 B gezeigt, oder in einem im Wesentlichen vertikalen Winkel, oder kann eine abgestufte Oberfläche auf diesen Innenflächen aufweisen. Die Höhe der Wände, die Form der Öffnung usw. können ebenfalls in geeigneter Weise ausgewählt werden, je nach Anliegen oder beabsichtigter Anwendung. Es ist vorzuziehen, die Metallelemente 2 innerhalb des ausgesparten Abschnitts vorzusehen, und ein Metallelement kann wie in dieser Ausführungsform zusätzlich zu der Bodenfläche an den Seitenwandabschnitten vorgesehen sein.
Metallelement 2
Das Metallelement 2 kann als ein lichtreflektierendes Element fungieren, das eine hohe Reflexion des Lichts von dem lichtemittierenden Element 3 aufweist. Beispielsweise weist das Metallelement 2 eine gold- oder silberhaltige Schicht auf seiner Oberfläche auf und wird der lichtemittierenden Vorrichtung 100 bereitgestellt, so dass das von dem lichtemittierenden Element 3 oder einem Wellenlängenumwandlungselement (welches im Folgenden besprochen wird) emittierte Licht effizient reflektiert wird.
In dem Fall, in dem das Metallelement 2 als ein lichtreflektierendes Element verwendet wird, kann es in irgendeiner Form in der lichtemittierenden Vorrichtung 100 verwendet werden, solange es das von dem lichtemittierenden Element 3 emittierte Licht reflektieren kann. Zum Beispiel, wie in 1 A usw. gezeigt, kann es unter dem lichtemittierenden Element 3 angeordnet sein, oder es kann in der Form eines Reflektors vorgesehen sein, der das lichtemittierende Element 3 umgibt. Auch kann das Metallelement 2 einen Leiterrahmen mit einer flachen Form darstellen, wie in 1 A usw. gezeigt, oder kann eine Verdrahtung sein, die auf einer isolierenden Basis ausgebildet ist. Das Metallelement 2 kann auch als ein Montageelement dienen, an dem das lichtemittierende Element 3 angebracht ist, ein Wärmeableitungselement zum Ableiten von Wärme, und ein Metallelement, das mit dem lichtemittierenden Element 3 elektrisch verbunden ist. Daher weist das Metallelement 2 vorzugsweise ausgezeichnete Wärmeableitungseigenschaften, elektrische Leitfähigkeit und Haftungseigenschaften auf, wie durch seine Funktion vorgegeben.
Die Oberfläche des Metallelements 2 weist vorzugsweise ein Reflexionsvermögen von mindestens 70% und bevorzugter mindestens 80% in Bezug auf Licht auf, dessen Wellenlänge in dem sichtbaren Lichtband liegt. Dies verbessert die Lichtextraktionseffizienz. Die Oberfläche ist auch vorzugsweise hochglänzend mit einer Helligkeit von mindestens 0,5, vorzugsweise mindestens 1,0 und besonders bevorzugt mindestens 1,6. Die Helligkeit auf die hier Bezug genommen wird, ist eine Zahl, die von Licht erhalten wird, das senkrecht bei einer 45° Bestrahlung empfangen wird, unter Verwendung eines Mikrooberflächen-Farbdifferenzmessers VSR 300A, hergestellt von Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. Die Oberfläche des Metallelements enthält vorzugsweise mindestens ein Element, ausgewählt aus Ag, Au, Pd, Rh und Pt. Es ist besonders bevorzugt, dass die Oberfläche des Metallelements eine Schicht ist, die Au oder Ag enthält.
Die Au- oder Ag-haltige Schicht des Metallelements 2 kann über die gesamte Oberfläche des Metallelements 2 vorgesehen sein oder kann teilweise auf der Oberfläche des Metallelements 2 vorgesehen sein. Das heißt, zumindest teilweise kann die Oberfläche des Metallelements 2 mit einer Au- oder Ag-haltigen Schicht versehen sein. Zum Beispiel ist das bei der in den 1 A und 1 B gezeigten lichtemittierenden Vorrichtung 100 bevorzugt, in dem Fall, in dem das Metallelement 2 auf der Bodenfläche des ausgesparten Abschnitts freigelegt ist, und eine Ag-haltige Schicht mit hohem Reflexionsvermögen auf der Oberfläche des Metallelements 2 in dem Abschnitt vorgesehen ist, welcher mit dem Licht von dem lichtemittierenden Element 3 bestrahlt wird. Auch müssen von dem Metallelement 2 der eingebettete Abschnitt, der in dem Seitenwandabschnitt der Basis 4 eingebettet ist, der äußere Anschlussabschnitt, der an der Außenseite der Basis 4 freiliegt, und der Befestigungsabschnitt, der auf der unteren Oberflächenseite der lichtemittierenden Vorrichtung 100 freiliegt, nicht mit einer Au- oder Ag-haltigen Schicht auf ihrer Oberfläche versehen sein. Wenn somit eine Au- oder Ag-haltige Schicht für einen Abschnitt des Metallelements 2 bereitgestellt wird, wird dies durch Abdecken und Schützen des Abschnitts, in dem keine Au- oder Ag-haltige Schicht gebildet ist, mit einem Resist, Schutzband oder dergleichen zu dem Zeitpunkt der Filmbildung erreicht.
Die Au- oder Ag-haltige Schicht des Metallelements 2 kann über den gesamten Bereich die gleiche Dicke aufweisen oder die Dicke kann variieren. Die Kosten können reduziert werden, indem die Dicke der Au- oder Ag-haltigen Schicht teilweise reduziert wird. Zum Beispiel kann die Au- oder Ag-haltige Schicht auf den oberen und unteren Oberflächen des Metallelements 2 bereitgestellt werden, und die Dicke auf einer Seite kann dicker sein als die auf der anderen. Das Bereitstellen einer dicken Au- oder Ag-haltigen Schicht auf der oberen Oberfläche des Metallelements 2, auf der das lichtemittierende Element 3 angeordnet ist, und in der Nähe des lichtemittierenden Elements 3, ist vom Standpunkt der Verbesserung der Lichtextraktionseffizienz bevorzugt. Da die Au- oder Ag-haltige Schicht mit hohem Reflexionsgrad nicht an der unteren Oberfläche des Metallelements vorgesehen ist, kann die Menge an Au, Ag oder einem anderen derartigen Material verringert werden, und die Kosten des Metallelements 2 können verringert werden.
Um eine Au- oder Ag-haltige Schicht auf der Oberfläche des Metallelements 2 zu bilden, ist das Plattieren im Hinblick auf die Massenproduktivität ein bevorzugtes Verfahren. Insbesondere während des Bildens der Schicht durch Galvanisieren, kann die Helligkeit verbessert werden durch die Verwendung eines auf Selen basierenden Aufhellers, eines auf Antimon basierenden Aufhellers, eines auf Schwefel basierenden Aufhellers, eines Titanadditivs, eines Bleiadditivs, eines Arsen-Aufhellers, eines organischen Aufhellers oder eines anderen solcher Aufheller oder Additive. Dies ermöglicht es, ein Metallelement 2 mit hohem Glanz zu erhalten, während es immer noch eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit aufweist.
Auch um das Lichtreflexionsvermögen des Metallelements 2 zu erhöhen, ist die Ebenheit des Basismaterials vorzugsweise so hoch wie möglich. Zum Beispiel ist es bevorzugt, dass die Oberflächenrauhigkeit Ra 0,5 µm oder weniger beträgt. Folglich kann die Ebenheit der Au- oder Ag-haltigen Schicht, die auf dem Basismaterial vorgesehen ist, erhöht werden, und das Lichtreflexionsvermögen des Metallelements 2 kann vorzugsweise verbessert werden. Die Ebenheit des Basismaterials kann verbessert werden, indem Verfahren wie Walzen, physikalisches Polieren, chemisches Polieren und dergleichen durchgeführt werden.
Basis 4
Das Gehäuse 10 der lichtemittierenden Vorrichtung 100 umfasst die Basis 4. Die Basis 4 ist ein Element, das auf einem Harz basiert und das Paar von Metallelementen 2 zusammenhält.
Die Basis 4 kann ein thermohärtendes Harz oder ein thermoplastisches Harz sein, und es ist besonders bevorzugt, ein thermohärtendes Harz zu verwenden. Das thermohärtende Harz ist vorzugsweise eines mit einer niedrigeren Gaspermeabilität als das Harz, das für das Versiegelungselement 6 (wie im Folgenden beschrieben werden wird) verwendet wird, wobei spezifische Beispiele davon Folgendes einschließen: Epoxidharz-Zusammensetzungen, Silikonharz-Zusammensetzungen, modifizierte Epoxidharz-Zusammensetzungen, so wie ein silikonmodifiziertes Epoxidharz, modifizierte Silikonharz-Zusammensetzungen, so wie ein epoxymodifiziertes Silikonharz, Polyimidharz-Zusammensetzungen, modifizierte Polyimidharz-Zusammensetzungen, Urethanharze, modifizierte Urethanharze und dergleichen. Es ist bevorzugt, die Durchlässigkeit von Licht durch das Einmischen von Mikropartikeln einzustellen, so wie TiO₂, SiO₂, Al₂O₃, MgO, MgCO₃, CaCO₃, Mg(OH)₂, Ca(OH)₂ als einen Füllstoff in das Basismaterial der Basis 4 einzumischen, um etwa 60% oder mehr - und bevorzugter etwa 90% - des Lichts von dem lichtemittierenden Element zu reflektieren.
Die Basis 4 ist nicht auf eine Basis beschränkt, die auf einem Harz wie vorstehend beschrieben basiert, und kann statt dessen aus einem anorganischen Material wie einer Keramik, Glas, Metall oder dergleichen gebildet sein. Dies ermöglicht es, eine sehr zuverlässige lichtemittierende Vorrichtung 100 mit einer geringeren Abnutzung usw. zu erhalten.
Lichtemittierendes Element 3
Wie zum Beispiel in 1 A gezeigt, kann das lichtemittierende Element 3 auf dem Metallelement 2 angeordnet sein, das an der Bodenfläche des ausgesparten Abschnitts des Gehäuses 10 freiliegt. Das lichtemittierende Element 3 ist vorzugsweise auf einem Metallelement 2 mit hohem Reflexionsvermögen und / oder Hochglanz montiert. Dies verbessert die Lichtextraktionseffizienz der lichtemittierenden Vorrichtung 100.
Das lichtemittierende Element 3 kann aus Halbleiter-Lichtemissionselementen der gewünschten Wellenlänge ausgewählt werden. Das lichtemittierende Element 3 hat eine gestapelte Struktur 32, die mit einer Halbleiterschicht, welche eine lichtemittierende Schicht oder dergleichen enthält, sowie mit Kontaktelektroden 31 ausgestattet ist. Bei der gestapelten Struktur 32 kann - in dem Fall, in dem ein lichtemittierendes Element 3, das zum Beispiel blaues oder grünes Licht emittiert - GaP oder ein Halbleiter auf Nitridbasis, so wie InGaN, GaN, AIGaN oder dergleichen verwendet werden. In dem Fall, in dem es ein rotes lichtemittierendes Element ist, kann GaAlAs oder dergleichen für die gestapelte Struktur 32 verwendet werden. Ferner kann ein lichtemittierendes Element 3, das aus anderen Materialien besteht, verwendet werden. Die Zusammensetzung, die Emissionsfarbe, die Größe, die Anzahl usw. der zu verwendenden lichtemittierenden Elemente 3 können entsprechend der Anwendung geeignet ausgewählt werden.
In dem Fall, in dem die lichtemittierende Vorrichtung 100 ein Wellenlängen-Umwandlungselement aufweist, wird ein Nitridhalbleiter, der Licht mit einer kurzen Wellenlänge emittieren kann, welches das Wellenlängen-Umwandlungselement effizient anregen kann, als die gestapelte Struktur 32 des lichtemittierenden Elements 3 bevorzugt. Die gestapelte Struktur 32 des lichtemittierenden Elements 3 kann eine beliebige von verschiedenen Emissionswellenlängen aufweisen, die entsprechend dem Material der Halbleiterschicht und dem Mischkristallverhältnis von dieser ausgewählt sind. Das lichtemittierende Element 3 kann nicht nur Licht in dem sichtbaren Lichtband ausgeben, sondern auch ultraviolettes Licht und infrarotes Licht.
Das lichtemittierende Element 3 hat positive und negative Kontaktelektroden 31, die mit dem Metallelement 2 elektrisch verbunden sind. Diese positiven und negativen Elektroden können auf einer Seite vorgesehen sein oder können sowohl auf der oberen als auch auf der unteren Oberfläche des lichtemittierenden Elements 3 vorgesehen sein. Es ist bevorzugt, dass die Oberfläche der Kontaktelektrode aus mindestens einem von Al, Pd, Pt, Rh, Ru und dergleichen hergestellt ist. Das Metallelement 2, das als ein leitendes Element dient, und das lichtemittierende Element 3 können miteinander nur durch den Draht 1 verbunden sein, oder zusätzlich zu dem Draht 1 kann ein leitfähiges Verbindungselement 5 als ein Verbindungselement 5 zum Verbinden von diesen verwendet werden.
In dem Fall, in dem eine Vielzahl von lichtemittierenden Elementen 3 bereitgestellt wird, können die Kontaktelektroden 31 der lichtemittierenden Elemente 3 durch die Drähte 1 miteinander verbunden sein. Auch in dem Fall, in dem eine Vielzahl von lichtemittierenden Elementen 3 vorgesehen ist, wie in den 1 A und 1 B gezeigt, ist es auch möglich, Verbindungsleitungen für jedes der lichtemittierenden Elemente 3 vorzusehen.
Verbindungselement 5
Das Verbindungselement 5 ist ein Element zum Befestigen und Anbringen des lichtemittierenden Elements 3 an dem Gehäuse 10. In Bezug auf bevorzugte Materialien kann das leitfähige Verbindungselement 5 Folgendes sein: ein leitfähiger Klebstoff, so wie Ag, Au, Pd und dergleichen, ein eutektisches Lötmaterial, so wie Au-Sn oder Sn-Ag-Cu, ein Material zum Hartlöten, so wie ein Metall mit niedrigem Schmelzpunkt, eine Verbindung zwischen den Materialien unter Verwendung eines Films oder von Partikeln aus Cu, Ag, Au oder dergleichen. Das isolierende Verbindungselement 5 kann eine Epoxidharz-Zusammensetzung, eine Silikonharz-Zusammensetzung, eine Polyimidharz-Zusammensetzung, eine modifizierte Version eines dieser Harze, ein Hybrid aus diesen Harzen oder dergleichen sein. Wenn eines dieser Harze verwendet wird, kann, unter Berücksichtigung einer durch Licht oder Wärme von dem lichtemittierenden Element 3 verursachten Verschlechterung, eine Metallschicht mit hohem Reflexionsvermögen, wie ein AI-Film oder ein Ag-Film, oder ein dielektrischer reflektierender Film der Befestigungsfläche des lichtemittierenden Elements 3 bereitgestellt werden.
Versiegelungselement 6
Die lichtemittierende Vorrichtung 100 kann ein Versiegelungselement 6 aufweisen. Das Versiegelungselement 6 wird bereitgestellt, um Elemente wie das lichtemittierende Element 3, das Metallelement 2 und den Draht 1 abzudecken, und ein Schutzfilm (der im Folgenden beschrieben werden wird) schützt die abgedeckten Elemente vor Staub, Feuchtigkeit, äußerer Krafteinwirkung und ähnlichem, und dieser verbessert die Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung 100. Insbesondere ist das Bereitstellen des Versiegelungselements 6 über dem Schutzfilm, nach dem Bilden des Schutzfilms, bevorzugt, da der Schutzfilm geschützt werden kann, so dass die Zuverlässigkeit weiter verbessert wird.
Das Versiegelungselement 6 ist vorzugsweise lichtdurchlässig, so dass es das Licht von dem lichtemittierenden Element 3 übertragen kann, und ist lichtbeständig, so dass es nicht leicht durch Licht abgebaut wird. Beispiele für spezielle Materialien umfassen Silikonharz-Zusammensetzungen, modifizierte Silikonharz-Zusammensetzungen, modifizierte Epoxyharz-Zusammensetzungen, Fluorharz-Zusammensetzungen und andere derartige isolierende Harz-Zusammensetzungen, die lichtdurchlässig genug sind, um das Licht von dem lichtemittierenden Element übertragen zu können. Ein Hybridharz, das mindestens eine Harzart mit einem Siloxangerüst als eine Basis enthält, wie Dimethylsilikon, Phenylsilikon mit niedrigem Phenylgehalt, Silikonharze auf Fluorbasis und dergleichen können ebenfalls verwendet werden.
Wenn das Versiegelungselement 6 ein Harz ist, kann das Verfahren zum Ausbilden des Versiegelungselements 6 eines sein von: Vergießen (Tropfen), Formpressen, Drucken, Spritzpressen, Auftragen durch einen Strahl, Sprühbeschichten oder dergleichen. Im Falle eines Gehäuses 10 mit einem ausgesparten Abschnitt, wie in den 1 A und 1 B gezeigt, ist das Vergießen ein bevorzugtes Verfahren, und in dem Fall, in dem ein flaches Gehäuse verwendet wird, sind das Formpressen und das Spritzpressen bevorzugte Verfahren.
Wie in 1 B gezeigt, kann das Versiegelungselement 6 so vorgesehen sein, dass es die Innenseite des ausgesparten Abschnitts der Basis 4 ausfüllt.
Die Form der äußeren Oberfläche des Versiegelungselements 6 kann entsprechend den Lichtverteilungsmerkmalen und dergleichen, die für die lichtemittierende Vorrichtung 100 erforderlich sind, verschieden gewählt werden. Zum Beispiel können die Richtmerkmale und die Lichtextraktionseffizienz der lichtemittierenden Vorrichtung eingestellt werden, indem der oberen Oberfläche eine konvexe Linsenform, eine konkave Linsenform, eine Fresnel-Linsenform, eine aufgeraute Oberfläche oder dergleichen gegeben wird.
Das Versiegelungselement 6 kann ein Färbemittel, ein Lichtdiffusionsmittel, ein Metallelement, verschiedene Füllstoffe, ein Wellenlängen-Umwandlungselement usw. enthalten.
Das Wellenlängen-Umwandlungselement ist ein Material, das die Wellenlänge des Lichts des lichtemittierenden Elements 3 umwandelt. In dem Fall, in dem das von dem lichtemittierenden Element 3 emittierte Licht blaues Licht ist, kann ein Yttrium-Aluminium-Granat-basierter Phosphor (im Folgenden als „YAG:Ce“ bezeichnet), der eine Art von Aluminiumoxid-basiertem Phosphor ist, vorteilhaft verwendet werden. Da ein YAG:Ce - Phosphor etwas von dem blauen Licht von dem lichtemittierenden Element absorbiert und gelbes Licht emittiert, das in der Farbe komplementär wird, kann eine lichtemittierende Vorrichtung 100 mit hoher Ausgangsleistung, die weißes Mischlicht emittiert, relativ einfach gebildet werden.
Schutzfilm
Die lichtemittierende Vorrichtung 100 kann ferner einen Schutzfilm aufweisen. Der Schutzfilm ist ein isolierendes Element, das das Metallelement 2, den Draht 1 und dergleichen bedeckt. Genauer gesagt ist der Schutzfilm ein Element, das zumindest die silberhaltige Schicht bedeckt, die auf der Oberfläche des Drahts 1 oder des Metallelements 2 vorgesehen ist, und das hauptsächlich eine Verfärbung oder Korrosion der silberhaltigen Schicht auf der Oberfläche des Drahtes 1 und des Metallelements 2 unterdrückt. Die Oberfläche von Elementen, außer der von dem Metallelement 2, so wie die des Drahtes 1, des lichtemittierenden Elements 3, des Verbindungselements 5 oder der Basis 4 (Harzformteil), und die Oberfläche des Metallelements 2, die nicht mit der silberhaltigen Schicht versehen ist, kann bedeckt sein. Der Schutzfilm ist ein lichtdurchlässiges Element. Daher kann das Reflexionsvermögen der Oberflächenschicht 13 des Drahtes 1 auf einem hohen Niveau gehalten werden. Beispiele für das Material des Schutzfilms umfassen Oxide, so wie Al₂O₃, SiO₂, TiO₂, ZrO₂, ZnO, Nb₂O₅, MgO, In₂O₃, Ta₂O₅, HfO₂, SeO, Y₂O₃ und SnO₂, Nitride, so wie AIN, TiN und ZrN, und Fluoride, so wie ZnF₂ und SrF₂. Diese können alleine oder in Gemischen verwendet werden. Alternativ können sie gestapelt sein.
Da die Hauptkomponente der Oberflächenschicht 13 des Drahtes 1 Silber ist, unterdrückt das Bedecken der Oberfläche des Drahtes 1 mit einem Schutzfilm die Sulfidierung und Oxidation der Oberflächenschicht 13. Weiterhin, in dem Fall, in dem die Oberfläche des Metallelements 2 Silber enthält, wird das Bedecken der Oberfläche mit dem Schutzfilm verhindern, dass das Silber aufgrund von Sulfidierung oder Oxidation anläuft.
Der Schutzfilm wird vorzugsweise kontinuierlich von der Oberfläche des Metallelements 2, einschließlich der Au- oder Ag-haltigen Schicht, zu den Oberflächen des Drahtes 1, des lichtemittierenden Elements 3, des Verbindungselements 5, der Basis 4, usw. bereitgestellt.
Der Schutzfilm kann durch Sputtern oder durch chemische Gasphasenabscheidung gebildet werden, besonders bevorzugt wird er durch Atomlagenabscheidung (ALD) gebildet. Das ALD-Verfahren bildet einen sehr gleichmäßigen Schutzfilm, und der gebildete Schutzfilm ist dichter als ein Schutzfilm, der durch ein anderes Filmbildungsverfahren erhalten wird; also kann eine Sulfidierung der Ag-haltigen Schicht auf der Oberfläche des Drahtes 1 oder des Elements 2 sehr effektiv verhindert werden.
Die lichtemittierende Vorrichtung 100 kann neben den oben beschriebenen verschiedene andere Elemente aufweisen. Zum Beispiel kann eine Zener-Diode als ein Schutzelement montiert werden.
In den Beispielen 1 bis 4 wurde der Draht 1, der in Tabelle 1 gezeigt ist, hergestellt, und die in den 1 A und 1 B gezeigte lichtemittierende Vorrichtung 100 wurde hergestellt.
In den Beispielen 1 bis 4 wurden im Handel erhältliche Kupferdrähte mit einem Durchmesser von 25 µm als das Kernmaterial 11 gekauft, um den Einfluss der Wärmebehandlung während des Drahtziehens zu vermeiden. Nach dem Entfetten des Kupferdrahtes wurde die Säure-Neutralisationsbehandlung mit einer 10%-igen wässrigen Schwefelsäurelösung durchgeführt.
Als nächstes wurde die Zwischenschicht 12 durch Plattieren unter Verwendung der folgenden Badzusammensetzung aufgebracht.
(Pd-Plattierungslösung)

Tetraammin-Palladiumchlorid, Pd-Metall = 5 g / L
Ammoniumnitrat = 150 g / L
3 Natriumpyridinsulfonat = 3 g / L
Anpassen mit pH 8,5 Ammoniakwasser

²

Nach dem Palladiumplattieren wurde das Produkt mit Wasser gespült und dann wurde die Oberflächenschicht 13 durch Plattieren unter Verwendung der folgenden Badzusammensetzung aufgebracht.
(Ag-Plattierungslösung)

Kaliumsilbercyanid = 70 g / L
Kaliumcyanid = 120 g / L
Kaliumcarbonat = 30 g / L

²

1

Die Plattierungsdicke der Zwischenschicht 12 (Palladiumplattierung) und der Oberflächenschicht 13 (Silberplattierung) wurden durch Variieren der Plattierungsdauer eingestellt. Die Plattierungsdicke von jeder Schicht wurde an beliebigen Stellen beobachtet, indem der hergestellte Draht 1 mit einer FIB-SEM-Vorrichtung fotografiert wurde, wobei drei SEM-Mikroaufnahmen mit einer Stärke von 100.000 erzeugt wurden. In den drei Photographien wurde der Durchschnittswert der maximalen und minimalen Filmdicke verwendet als die Filmdicke der Zwischenschicht 12 (Palladiumplattierung) und der Oberflächenschicht 13 (Silberplattierung).
Die 3 A und 3 B zeigen SEM-Mikroaufnahmen der Oberfläche des Drahtes in Beispiel 1. Auch ist eine Querschnittsbeobachtungsphotographie durch FIB-SEM in 4 gezeigt.
Als nächstes wurde das Metallelement 2 (ein Paar von Leiterrahmen) hergestellt durch das Aufbringen einer Nickelplattierungsschicht in einer Dicke von 2 µm auf der Oberfläche eines Basismaterials aus Olin 194 Kupferlegierung (hergestellt von Mitsubishi Shindoh Co., Ltd.), dann das Aufbringen einer Palladiumplattierungsschicht mit einer Dicke von 0,03 µm, einer Goldplattierungsschicht mit einer Dicke von 0,004 µm und einer Silberplattierungsschicht mit einer Dicke von 2,5 µm - in dieser Reihenfolge - durch Galvanisieren.
Dann wurde ein Gehäuse 10, in dem diese Leitungen (in den 1 A und 1 B gezeigt) in der Basis 4 eingebettet waren, durch Spritzpressen geformt. Bis die lichtemittierende Vorrichtung 100 in einzelne Abschnitte aufgeteilt ist, durchläuft sie verschiedene Schritte in dem Zustand einer Anordnung von Gehäusen 10, in denen eine Vielzahl von Basen 4 auf einem Leiterrahmen ausgebildet ist, in dem eine Vielzahl von Paaren von Leitungen verbunden sind, aber aus Gründen der Einfachheit wird nur die eine lichtemittierende Vorrichtung 100 (Einzahl) beschrieben, die in den 1 A und 1 B gezeigt ist.
Das Gehäuse 10 des Beispiels weist einen ausgesparten Abschnitt auf, und das Metallelement 2 ist auf der Bodenfläche des ausgesparten Abschnitts freigelegt. Auf dem Metallelement 2 wurde ein lichtdurchlässiges Harz als das Verbindungselement 5 verwendet, und ein Lichtemissionselement 3 mit positiven und negativen Elektroden auf seiner oberen Oberfläche wurde angeordnet und verbunden. Danach wurden das Metallelement 2 und die Kontaktelektroden des lichtemittierenden Elements 3 durch den wie oben beschrieben hergestellten Draht 1 verbunden. Das Gehäuse 10 wurde auf einen Auflagetisch gelegt, und der Auflagetisch wurde dem folgenden Drahtverbindungsschritt unterworfen, während er auf 180°C (Heizgerät-Temperatur) erhitzt wurde.
Ein Beispiel für die Verbindungsbedingungen für den Draht 1 wird im Folgenden angegeben. Die Verbindungsbedingungen (Fast-Bonding-Bedingungen) beim Verbinden des Drahtes 1 auf der Kontaktelektrode 31 sind derart, dass die Gewichtung 70 g beträgt, die Oszillationsfrequenz der Ultraschallwelle 150 kHz beträgt und die Anwendungszeit der Ultraschallwelle 30 msec beträgt.
Die Verbindungsbedingungen beim Verlängern des Drahts 1, der mit der Kontaktelektrode 31 verbunden ist, und beim Verbinden desselben mit dem Verbindungsabschnitt auf dem Metallelement 2 (die zweiten Bonding-Bedingungen) sind derart, dass die Gewichtung 65 g beträgt, die Oszillationsfrequenz der Ultraschallwelle 60 kHz beträgt und die Anwendungszeit der Ultraschallwelle 10 msec beträgt.
Danach wurde ein Schutzfilm aus SiO₂ in einer Dicke von 60 nm durch ALD gebildet, um ein Versiegelungselement 6 aus einem lichtdurchlässigen Harz zu bilden, das einen YAG-Phosphor in dem ausgesparten Abschnitt enthält.
Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse der Messung des Gesamtlichtstroms für die auf diese Weise hergestellte lichtemittierende Vorrichtung.
Ebenfalls in Tabelle 1 dargestellt ist die Aufrechterhaltungsquote des anfänglichen Gesamtlichtstroms und des Gesamtlichtstroms nach einem Emissions-Zuverlässigkeitstest (Sulfidierungstest) bei einem Strom von 65 mA. Die Bedingungen für den Sulfidierungstest waren so gewählt, dass die lichtemittierende Vorrichtung in eine Atmosphäre aus einem Mischgas aus H₂S und NO₂ gebracht wurde. Genauer gesagt handelt es sich um einen Test, bei dem die lichtemittierende Vorrichtung 100 für 600 Stunden in einer Atmosphäre mit einer Temperatur von 40°C und einer relativen Luftfeuchtigkeit von 75% bei einer Konzentration von H₂S (2 ppm) und NO₂ (4 ppm) gelagert wird. Die Lichtstrom-Aufrechterhaltungsquote ist das Leistungsverhältnis - bezogen auf die Leistung - vor diesem Sulfidierungstest.
Wie in Beispiel 1, wurden in den Beispielen 2 bis 4, wie in Tabelle 1 gezeigt, Drähte 1 mit verschiedenen Plattierungsspezifikationen hergestellt, und lichtemittierende Vorrichtungen 100 wurden auf ähnliche Weise hergestellt.
Außerdem wurde in Vergleichsbeispiel 1 eine lichtemittierende Vorrichtung auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer dass Golddraht mit einem Durchmesser von 18 µm verwendet wurde.
In Vergleichsbeispiel 2 wurde eine lichtemittierende Vorrichtung auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass nur eine Palladiumplattierung (40 nm) auf dem Kernmaterial Kupfer aufgebracht wurde. In Vergleichsbeispiel 3, wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde nur eine Silberplattierung (300 nm) auf dem Kernmaterial Kupfer aufgebracht, und eine lichtemittierende Vorrichtung 100 wurde in ähnlicher Weise hergestellt.

Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse der Messung des Gesamtlichtstroms der auf diese Weise hergestellten lichtemittierenden Vorrichtungen. Tabelle 1

	Kernmaterial / Durchmesser	Zwischenschicht / Dicke	Oberflächenschicht / Dicke	Ursprünglicher Gesamtlichtstrom	Relativer anfänglicher Gesamtlichtstrom	Lichtstrom-Aufrechterhaltungsquote
	Beispiele
1	Cu 25 µm	Pd 45 nm	Ag 80 nm	34,91 Im	100,5%	87,1%
2	Cu 25 µm	Pd 30 nm	Ag 300 nm	34,91 Im	100,7%	87,6%
3	Cu 25 µm	Pd 75 nm	Ag 50 nm	34,90 Im	100,5%	87,9%
4	Cu 25 µm	Pd 100 nm	Ag 300 nm	34,97 Im	100,7%	88,2%

	Vergleichsbeispiele
1	Au 18 µm	-	-	34,73 Im	100,0%	63,3%
2	Cu 25 µm	Pd 40 nm	-	34,24 Im	98,6%	84,6%
3	Cu 25 µm	-	Ag 300 nm	34,95 Im	100,6%	79,4%

Wie in Tabelle 1 gezeigt, zeigt sich bei den lichtemittierenden Vorrichtungen der Beispiele 1 bis 4, unabhängig von der Dicke der Oberflächenschicht 13 (Silberplattierung), in jedem Fall ein hoher anfänglicher Gesamtlichtstrom, und eine hohe Lichtstrom-Aufrechterhaltungsquote konnte aufrechterhalten werden. Wenn jedoch bei den lichtemittierenden Vorrichtungen in den Vergleichsbeispielen nur Golddraht wie in Vergleichsbeispiel 1 vorlag und keine Silberdeckschicht 13 wie in Vergleichsbeispiel 2, oder wenn die Oberflächenschicht 13 (Silberplattierung) dünn war, konnte nur ein niedriger anfänglicher Gesamtlichtstrom erzielt werden. Wenn unterdessen die Silberdeckschicht wie in Vergleichsbeispiel 3 dicker gebildet wurde, konnte ein hoher anfänglicher Gesamtlichtstrom erzielt werden, aber der Langzeit-Zuverlässigkeitstest zeigte eine Abnahme des Gesamtlichtstroms.
In allen Beispielen 1 bis 4 wurde festgestellt, dass das Reflexionsvermögen der silberhaltigen Schicht verbessert wurde, die Lichtabnahmeeffizienz der lichtemittierenden Vorrichtung erhöht wurde und die Gesamtlichtstrom-Aufrechterhaltungsquote, wie durch einen Emissionszuverlässigkeitstest angezeigt, ebenfalls stabil war.
Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann für Hintergrundbeleuchtungsvorrichtungen für Flüssigkristallanzeigen, verschiedene Beleuchtungsvorrichtungen, großformatige Displays, verschiedene Displays für Werbung und Zielführung, und Projektoren sowie für Bildscanner für Geräte wie digitale Videokameras, Faxgeräte, Kopiergeräte und Scanner verwendet werden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2007080990 [0003]
JP 2012 [0004]
JP 039079 [0004]

Claims

Lichtemittierende Vorrichtung, Folgendes umfassend: ein lichtemittierendes Element mit einer Kontaktelektrode; ein Metallelement, das über einen Draht mit der Kontaktelektrode verbunden ist, wobei der Draht eine Schichtstruktur aufweist, mit mindestens einem Kernmaterial, das Kupfer als eine Hauptkomponente enthält, eine Zwischenschicht, die Palladium als eine Hauptkomponente enthält, und eine Oberflächenschicht, die Silber als eine Hauptkomponente enthält, wobei die Zwischenschicht zwischen dem Kernmaterial und der Oberflächenschicht angeordnet ist.
Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Dicke der Zwischenschicht zwischen 30 nm und 100 nm und eine Dicke der Oberflächenschicht zwischen 40 nm und 300 nm beträgt.
Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Zwischenschicht ferner mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Cu, Te, Ge, Se, Au und Ag enthält.
Lichtemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Oberflächenschicht ferner mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Pd, Au, Se, S, C, N und O enthält.
Lichtemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Oberflächenschicht der Kontaktelektrode aus mindestens einem Element, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus AI, Pd, Pt, Rh und Ru besteht.
Lichtemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei eine Oberfläche des Metallelements mindestens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Ag, Au, Pd, Rh und Pt einschließt.