DE102018100067A1

DE102018100067A1 - Starre, organische flächenlichtquelle und ein verfahren zum herstellen einer starren, organischen flächenlichtquelle

Info

Publication number: DE102018100067A1
Application number: DE102018100067.7A
Authority: DE
Inventors: Julia Grosser; Simon Schicktanz
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Pictiva Displays International Ltd
Priority date: 2017-01-23
Filing date: 2018-01-03
Publication date: 2018-07-26
Anticipated expiration: 2038-01-04
Also published as: DE102018100067B4

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine starre, organische Flächenlichtquelle (100) bereitgestellt. Die starre, organische Flächenlichtquelle (100) weist ein Schichtsystem (110) mit einem optisch aktiven Bereich (111) auf. Das Schichtsystem (110) weist mehrere Schichten auf. Eine der mehreren Schichten ist eine Klebstoffschicht (116) mit einem Klebstoff. Die starre, organische Flächenlichtquelle (100) weist ferner eine Dünnschichtstruktur (120) auf, die auf dem Schichtsystem (110) und in physischen Kontakt mit der Klebstoffschicht (116) angeordnet ist. Die Dünnschichtstruktur (120) weist ein Metall auf oder ist daraus gebildet. Weiterhin ist die Dünnschichtstruktur (120) von dem Schichtsystem (110) elektrisch isoliert. Zusätzlich weist die Dünnschichtstruktur (120) mindestens auf oder über dem optisch aktiven Bereich (111) mindestens einen Hohlraum (122) oder eine Vielzahl an Hohlräumen auf. Der Hohlraum (122) oder die Hohlräume ist/sind derart ausgebildet und angeordnet, dass eine Verspannung des Schichtsystems (110) innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereiches kleiner oder gleich einem vorgegebenen Schwellenwert ist. Dabei ist der vorgegebene Schwellenwert, ein Wert oberhalb dessen sich wenigstens teilweise eine mit einer ersten Schicht des Schichtsystems körperlich verbundene, zweite Schicht des Schichtsystems von der ersten Schicht ablöst.

Description

Die Erfindung betrifft eine starre, organische Flächenlichtquelle und ein Verfahren zum Herstellen einer starren, organischen Flächenlichtquelle.
Organische, lichtemittierende Bauelemente, die ein organisches Material zum Emittieren eines Lichts aufweisen, finden zunehmend verbreitete Anwendung. Beispielsweise halten organische Leuchtdioden (organic light emitting diode - OLED) zunehmend Einzug in die Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquellen. Typischerweise weisen die organischen, lichtemittierenden Bauelemente ein Schichtsystem auf, das beispielsweise eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtstapel dazwischen aufweist. Der organische funktionelle Schichtenstapel kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Wie in 5 veranschaulicht ist, weist das organische, lichtemittierende Bauelement 500 außerdem in der Regel eine auf dem Schichtsystem 510 angeordnete Dünnschichtstruktur 520 auf. Diese Dünnschichtstruktur 520 weist üblicherweise Metall auf oder ist daraus gebildet und dient zum Abführen der von dem organischen, lichtemittierenden Bauelement 500 erzeugten Wärme und zum mechanischen Schützen des Schichtsystems 510. Bei Stressbedingungen, beispielsweise bei einer Erhöhung oder einer Abnahme der Temperatur der Dünnschichtstruktur beispielsweise aufgrund eines Lagertests, eines Vereinzelungsprozesses oder Umwelteinflüsse, dehnt sich die Dünnschichtstruktur mit Metall 520 aus bzw. zieht sich zusammen. Durch der Dehnung der Dünnschichtstruktur mit Metall 520 wirkt eine laterale Belastung auf das unter der Dünnschichtstruktur angeordnete Schichtsystem 510. Dies führt in der Regel zu einer Delamination des Schichtsystems 510 des organischen, lichtemittierenden Bauelements 500 (nicht dargestellt). Bei der Delamination löst sich typischerweise eine einzelne Schicht von den anderen Schichten des Schichtsystems ab. Beispielsweise wird sich eine Dünnfilmverkapselung oder eine der organischen Schichten des Schichtsystems von den anderen ablösen. Alternativ oder zusätzlich kann eine Stressbedingung bewirken, dass eine vorhandene Vorschädigung 550 in dem Schichtsystem weiter getrieben wird. Der Vereinzelungsprozess ist beispielsweise mittels Laserprozesse durchgeführt. Die Ausdehnung der Metallstruktur während des Vereinzelungsprozesses von organischen, lichtemittierenden Bauteilen wird herkömmlich durch Optimierung der Laserprozesse verringert jedoch nicht vermieden.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine starre, organische Flächenlichtquelle bereitzustellen, die ein Schichtsystem und eine auf dem Schichtsystem angeordnete Dünnschichtstruktur mit Metall aufweist, wobei die Dünnschichtstruktur derart strukturiert ist, dass die starre, organische Flächenlichtquelle unter Stressbedingungen frei oder im Wesentlichen frei von Delamination des Schichtsystems ist.
In verschiedenen Aspekten wird eine starre, organische Flächenlichtquelle bereitgestellt. Die starre, organische Flächenlichtquelle weist ein Schichtsystem mit einem optisch aktiven Bereich auf. Das Schichtsystem weist mehrere Schichten auf. Eine der mehreren Schichten ist eine Klebstoffschicht mit einem Klebstoff. Die starre, organische Flächenlichtquelle weist ferner eine Dünnschichtstruktur auf, die auf dem Schichtsystem und in physischen Kontakt mit der Klebstoffschicht angeordnet ist. Die Dünnschichtstruktur weist ein Metall auf oder ist daraus gebildet. Weiterhin ist die Dünnschichtstruktur von dem Schichtsystem elektrisch isoliert. Zusätzlich weist die Dünnschichtstruktur mindestens auf oder über dem optisch aktiven Bereich mindestens einen Hohlraum oder eine Vielzahl an Hohlräumen auf. Der Hohlraum oder die Hohlräume ist/sind derart ausgebildet und angeordnet, dass eine Verspannung des Schichtsystems innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereiches kleiner oder gleich einem vorgegebenen Schwellenwert ist. Dabei ist der vorgegebene Schwellenwert, ein Wert oberhalb dessen sich wenigstens teilweise eine mit einer ersten Schicht des Schichtsystems körperlich verbundene, zweite Schicht des Schichtsystems von der ersten Schicht ablöst.
Dies ermöglicht, dass die Dünnschichtstruktur mittels des mindestens einen Hohlraums einen Freiraum oder Entlastungsraum in ihrer Struktur aufweist. Durch den Freiraum oder Entlastungsraum wird die Dehnungslänge der Dünnschichtstruktur unter der Stressbedingung reduziert. Somit wird auch eine durch die Dehnung entstandene, mechanische Spannung in der Dünnschichtstruktur mit Hohlräumen im Vergleich zu einer durch die Dehnung entstandenen, mechanischen Spannung in der Dünnschichtstruktur ohne Hohlräumen reduziert. Dies bewirkt, dass die Dünnschichtstruktur während und/oder nach der Dehnung unter weniger mechanischen Beanspruchungen gesetzt ist, als wenn die Dünnschichtstruktur keine Hohlräume aufweist. Anschaulich wird somit die mittels der reduzierten Dehnung entstandene mechanische Belastung auf den unter der Dünnschichtstruktur liegenden Schichten, beispielsweise auf dem Schichtsystem, reduziert. Mit anderen Worten: Dies bewirkt eine Entlastung der Dünnschichtstruktur von den mechanischen Beanspruchungen aus der Dehnung aufgrund der reduzierten Dehnungslänge. Dies bewirkt ein Reduzieren der lateralen Belastung des Schichtsystems. Eine Delamination der Schichten des Schichtsystems wird daher verringert oder im Ganzen verhindert.
Der Begriff „starr“ bezüglich der Flächenlichtquelle wird hierin mit der Bedeutung verwendet, dass die Flächenlichtquelle während deren Betrieb, beispielsweise in einem Temperaturbereich von ungefähr -40 °C bis ungefähr 85 °C im Wesentlichen steif, nicht elastisch, nicht beweglich, nicht biegbar oder nicht knickbar ist.
Unter dem Begriff „organisch“, beispielsweise bezüglich einer Lichtquelle wird hierin verstanden, dass Licht aus der Lichtquelle mittels eines organischen halbleitenden Materials in der Lichtquelle unter Anlegung eines elektrischen Stroms erzeugt wird.
Unter dem Begriff „Flächenlichtquelle“ wird hierein eine Lichtquelle verstanden, die im Gegensatz zu einer Punktlichtquelle, beispielsweise eine anorganische Leuchtdiode (LED), bereits, d.h. von sich aus, eine diffus strahlende Fläche aufweist, ohne dass ein auf der Lichtquelle angeordnetes Material zur Lichtmischung nötig ist. Die Flächenlichtquelle weist eine Leuchtdichte auf, die unabhängig von der Beobachtungsentfernung ist. LEDs, als Chip oder mit Verguss, sind im Rahmen dieser Beschreibung keine Flächenlichtquelle im Sinne der Erfindung.
Der Begriff „Hohlraum“ wird im Rahmen dieser Beschreibung mit der Bedeutung verwendet, dass es sich um einen leeren oder mit etwas angefüllten, umschlossenen hohlen Raum im Innern von der Dünnschichtstruktur handelt. Der Hohlraum weist gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Volumen oder Hohlvolumen auf. Im Rahmen dieser Beschreibung kann der Hohlraum eine oder mehrere Öffnungen aufweisen, die einen Materialaustausch zwischen dem Hohlraum und der Umgebung erlaubt. Mit anderen Worten: ein Hohlraum ist nicht notwendigerweise vollständig von der umschließenden Struktur umgeben.
Unter dem Begriff „Verspannung“ wird hierin eine mechanische Spannung verstanden, die in dem Schichtsystem herrscht, an dem eine äußere Kraft angreift. Die äußere Kraft im Rahmen dieser Beschreibung wird durch die Dünnschichtstruktur mit Metall auf dem Schichtsystem ausgeübt bzw. bewirkt.
In einer Weiterbildung weist der mindestens eine Hohlraum eine Breite auf. Dabei ist/sind die Breite mindestens eines Hohlraums und/oder die Anzahl an Hohlräumen abhängig von der Dicke der Klebstoffschicht.
Die Klebstoffschicht kann abhängig von der Art des Klebstoffes und der Dicke der Klebstoffschicht einen Teil der durch die Stressbedingung entstandenen, mechanischen Spannung in der Dünnschichtstruktur kompensieren. Mit anderen Worten: Die Übertragung der durch die Stressbedingung entstandenen, mechanischen Spannung in der Dünnschichtstruktur auf das Schichtsystem kann mittels der Klebstoffschicht (abhängig von der Art des Klebstoffes und der Dicke der Klebstoffschicht) gemindert oder verhindert werden. Somit ist die Breite des Hohlraumes/der Hohlräume sowie die Anzahl und/oder Verteilung der Hohlräume abhängig von den Eigenschaften der Klebstoffschicht. Um die Dicke der Klebstoffschicht zu reduzieren kann somit beispielsweise der Volumenanteil an Hohlräumen an der Dünnschichtstruktur erhöht werden. Der Volumenanteil ergibt sich aus der gesamten, d.h. dem summierten oder integrierten Hohlraumvolumen aller Hohlräume der Dünnschichtstruktur. Der Volumenanteil bezieht sich dabei beispielsweise auf das makroskopische Volumen der Dünnschichtstruktur. Das makroskopische Volumen ergibt sich aus den makroskopischen Abmessungen der Dünnschichtstruktur, beispielsweise der Länge, Breite und Dicke einer Schichtförmigen Dünnschichtstruktur.
Umgekehrt kann die Anzahl an Hohlräumen und/oder deren jeweiliges Volumen reduziert werden, indem die Dicke der Klebstoffschicht erhöht wird.
Anschaulich wird somit die Belastung auf dem Schichtsystem durch die Dehnung der Dünnschichtstruktur mittels eines Hohlraums mit einer größeren Breite oder mittels einer höheren Anzahl an Hohlräumen bei einer gleich dicken Klebstoffschicht reduziert oder vermieden. Dies ermöglicht zudem eine Flächenlichtquelle, die durch die dünne Klebstoffschicht kompakt gehalten wird.
In noch einer Weiterbildung weist der Klebstoff der Klebstoffschicht einen druckempfindlichen Klebstoff (Pressure Sensitive Adhesive - PSA) auf oder ist daraus gebildet. Dies bewirkt ein vereinfachtes Aufkleben der Dünnschichtstruktur auf das Schichtsystem, bei dem ein Aufwärmen oder Erhitzen der Klebstoffschicht und/oder ein Verdampfen eines Lösungsmittels aus der Klebstoffschicht optional ist. Dies kann von Vorteil sein, wenn das Aufwärmen bzw. Erhitzen und/oder das Lösungsmittel andernfalls das organisch halbleitende Material der Lichtquelle beschädigen würde.
In noch einer Weiterbildung ist die Dünnschichtstruktur vollflächig auf dem Schichtsystem angeordnet. Dies ermöglicht eine bessere Abfuhr der durch das Schichtsystem erzeugten Wärme.
In noch einer Weiterbildung erstreckt sich der vorgegebene Temperaturbereich von ungefähr -40 °C bis ungefähr 85 °C. Dies ermöglicht den Einsatz der Lichtquelle in Automotive-Anwendungen.
In noch einer Weiterbildung ist/sind der mindestens eine Hohlraum oder einige Hohlräume der Vielzahl der Hohlräume in der Dünnschichtstruktur eingebettet. Dies ermöglicht eine Dünnschichtstruktur, die eine glatte Oberfläche aufweist. Eine glatte Oberfläche kann ästhetisch ansprechender sein, einen höheren mechanischen Schutz aufweisen und/oder weniger Verschmutzungen ansammeln. Alternativ oder zusätzlich wird ein hermetisch dichter Schutz der starren, organischen Flächenlichtquelle gegenüber externen Beschädigungen, beispielsweise Feuchtigkeit oder Wasser, bewirkt.
In noch einer Weiterbildung weist/weisen der mindestens eine Hohlraum oder einige der Hohlräume der Vielzahl an Hohlräumen eine Öffnung auf. Beispielsweise weist die Oberfläche der Dünnschichtstruktur mittels der einen oder mehreren Öffnung/en eine bzw. mehrere Perforationen auf. Die Perforationen können eine weitere Funktion aufweisen, beispielsweise als eine Führungsnut für eine Haltestruktur der Lichtquelle wirken. Alternativ oder zusätzlich kann mittels der Perforation/en eine Information dargestellt werden, beispielsweise eine Einbaurichtung der Lichtquelle und/oder eine Typenbezeichnung der Lichtquelle.
In noch einer Weiterbildung weist/weisen der mindestens eine Hohlraum oder einige der Hohlräume der Vielzahl an Hohlräumen mindestens zwei Öffnungen auf. Dies bewirk eine Dünnschichtstruktur mit einem oder mehreren sich durch ihre Dicke hindurch erstreckendes Loch bzw. Löcher, d.h. ein Durchgangsloch oder mehrere Durchgangslöcher aufweist. Ein Loch kann dabei in Aufsicht loch-, ring- oder grabenförmig ausgebildet sein. Dadurch weist die Dünnschichtstruktur mindestens einen Hohlraum auf, der leer von Material der Dünnschichtstruktur ist. Dies bewirkt eine Reduzierung der Längenausdehnung der Dünnschichtstruktur lateral über den optisch aktiven Bereich ragend.
In noch einer Weiterbildung ist der mindestens eine Hohlraum oder sind mindestens einige der Hohlräume der Vielzahl der Hohlräume linienförmig in der Ebene der Dünnschichtstruktur ausgebildet. Beispielsweise ist ein Hohlraum oder sind mehrere Hohlräume jeweils als Graben bzw. Grabstruktur in der Dünnschichtstruktur ausgebildet, beispielsweise als Schnittgraben. Mehrere linienförmige Hohlräume können zueinander versetzt, d.h. in einem Abstand zueinander, angeordnet sein, und/oder einander kreuzen.
In noch einer Weiterbildung ist der mindestens eine Hohlraum oder sind mindestens einige der Hohlräume der Vielzahl der Hohlräume mit dem Klebstoff der Klebstoffschicht mindestens teilweise gefüllt. Anschaulich ist die Klebstoffschicht elastisch ausgebildet. Die Klebstoffschicht bewirkt als Zwischenschicht zur Absorption oder Kompensierung lateraler Dehnungen der Dünnschichtstruktur. Dies ermöglicht eine Dünnschichtstruktur, die mittels des Klebstoffs der Klebstoffschicht in dem mindestens einen Hohlraum einen hermetisch dichte Schutz der starren, organischen Flächenlichtquelle bzw. des Schichtsystems der starren, organischen Flächenlichtquelle gegenüber externen Beschädigungen.
Beispielsweise ist die Dünnschichtstruktur direkt auf der Klebstoffschicht angeordnet. Der Hohlraum/die Hohlräume weisen jeweils eine Öffnung zur Klebstoffschicht auf, so dass Klebstoff der Klebstoffschicht durch die Öffnung/en in den mit der Öffnung verbundenen Hohlraum eindringen kann. Dadurch kann, beispielsweise zusätzlich oder alternativ zu einer Klebstoffverbindung der Klebstoffschicht mit der Dünnschichtstruktur, eine formschlüssige und/oder kraftschlüssige Verbindung zwischen der Klebstoffschicht und der Dünnschichtstruktur ausgebildet sein. Dies bewirkt ein schweres Delaminieren einer Schicht des Schichtsystems von den anderen Schichten. Dadurch kann die Haltbarkeit der Lichtquelle erhöht werden.
In noch einer Weiterbildung ist die Dünnschichtstruktur eine maschen-, gitter-, netz- oder siebförmige Struktur. Mit anderen Worten: die Dünnschichtstruktur kann eine maschen-, gitter-, netz- oder siebförmige Struktur sein. Die Struktur kann beispielsweise aus Metalldrähten gewebt sein, wobei die Hohlräume zwischen den Metalldrähten angeordnet sind bzw. von diesen umgeben sind. Alternativ oder zusätzlich kann die Dünnschichtstruktur ein Metallblech oder eine Metallfolie mit einer Vielzahl an Perforationen bzw. Hohlräumen sein. Derartige Strukturen können auf das Schichtsystem auflaminiert sein. Dies bewirkt eine einfach herstellbare Lichtquelle mit Dünnschichtstruktur. Die Dünnschichtstruktur kann durch die Vielzahl an Hohlräumen mechanisch elastisch sein und auf einfache Weise ein Überformen von Unebenheiten ermöglichen. Zudem kann mittels der Vielzahl an Hohlräumen in der Dünnschichtstruktur die Dicke der Klebstoffschicht gering gehalten werden, bei gleichzeitig guter Wärmeabfuhr und gutem mechanischen Schutz.
In einem anderen Aspekt kann ein Verfahren zum Herstellen einer starren, organischen Flächenlichtquelle bereitgestellt werden. Das Verfahren zum Herstellen einer starren, organischen Flächenlichtquelle weist ein Bereitstellen eines Schichtsystems mit einem optisch aktiven Bereich auf. Das Schichtsystem weist mehrere Schichten auf. Dabei ist eine der mehreren Schichten eine Klebstoffschicht mit einem Klebstoff ist. Das Verfahren weist ferner ein Ausbilden einer Dünnschichtstruktur auf dem Schichtsystem derart auf, dass die Dünnschichtstruktur im physischen Kontakt mit der Klebstoffschicht ist. Die Dünnschichtstruktur weist ein Metall auf oder ist daraus gebildet. Weiterhin ist die Dünnschichtstruktur von dem Schichtsystem elektrisch isoliert ist. Ferner weist die Dünnschichtstruktur mindestens auf oder über dem optisch aktiven Bereich mindestens einen Hohlraum oder eine Vielzahl an Hohlräumen auf. Der Hohlraum oder die Hohlräume derart ausgebildet und angeordnet wird/werden, dass eine Verspannung des Schichtsystems innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereiches kleiner oder gleich einem vorgegebenen Schwellenwert ist. Der vorgegebene Schwellenwert entspricht einem Wert oberhalb dessen sich wenigstens teilweise eine mit einer ersten Schicht des Schichtsystems körperlich verbundene, zweite Schicht des Schichtsystems von der ersten Schicht ablöst.
In einer Weiterbildung wird/werden der mindestens eine Hohlraum 122 oder die Vielzahl an Hohlräumen 122 mittels eines Laserprozesses in der Dünnschichtstruktur 120 ausgebildet.
In noch einer Weiterbildung des Verfahrens erstreckt sich der vorgegebene Temperaturbereich von ungefähr -40 °C bis ungefähr 85 °C.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen:

1 eine schematische Draufsicht und entsprechende schematische Querschnittsansicht entlang der Linien A-A einer starren, organischen, Flächenlichtquelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
2A, 2B, 2C schematische detaillierte Querschnittsansichten einer starren, organischen, Flächenlichtquelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
3 schematische Querschnittsansicht eines Schichtsystems einer starren, organischen, Flächenlichtquelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
4 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer starren, organischen Flächenlichtquelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen,
5 schematische Querschnittsansicht einer herkömmlichen, starren, organischen, Flächenlichtquelle.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In den Figuren sind identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe „verbunden“, „angeschlossen“ sowie „gekoppelt“ verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Im Rahmen dieser Beschreibung wird unter einer organischen Flächenlichtquelle ein organisches, lichtemittierendes Bauelement verstanden, das bereits, d.h. von sich aus, eine diffus strahlende Fläche aufweist, ohne dass ein auf der Lichtquelle angeordnetes Material zur Lichtmischung nötig ist. Die Flächenlichtquelle weist eine Leuchtdichte auf, die unabhängig von der Beobachtungsentfernung ist. Beispielsweise sind Lichtquellen mit einzelnen, erkennbaren, sichtbaren LEDs im Sinne der Erfindung keine Flächenlichtquelle. Die organische Flächenlichtquelle kann beispielsweise als ein Display oder ein Leuchtmodul ausgebildet sein, beispielsweise mit einer oder mehreren OLEDs (organischen Leuchtdioden).
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen, lichtemittierenden Bauelement ein Bauelement verstanden werden, das mittels eines organischen Halbleiterbauelements elektromagnetische Strahlung emittiert.
Ein organisches, lichtemittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein organisches elektromagnetische Strahlung emittierendes HalbleiterBauelement sein und/oder als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode und/oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das organische elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als organische, lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als organischer lichtemittierender Transistor ausgebildet sein. Das organische, lichtemittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von organischen, lichtemittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
Ein organisches, lichtemittierendes Bauelement ist als ein sogenannter Top-Emitter und/oder ein sogenannter Bottom-Emitter ausgebildet. Bei einem Bottom-Emitter wird elektromagnetische Strahlung aus dem elektrisch aktiven Bereich durch das Substrat emittiert. Bei einem Top-Emitter wird elektromagnetische Strahlung aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereichs emittiert und nicht durch den Substrat.
Das organische, lichtemittierende Bauelement weist beispielsweise ein, zwei, drei oder mehrere organische, lichtemittierende Bauelementsegmente auf.
Unter dem Begriff „Schichtsystem“ wird im Rahmen dieser Beschreibung ein Teil des organischen, lichtemittierenden Bauelements verstanden. Das Schichtsystem weist einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch auf oder ist daraus gebildet, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein.
Unter dem Begriff „Dünnschichtstruktur“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Struktur verstanden werden, die im Mikro- bzw. Nanometerbereich besteht. Die Dünnschichtstruktur weist im Rahmen dieser Beschreibung eine Dicke auf, die unter ungefähr 10 µm, beispielsweise zwischen ungefähr 10 nm bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise zwischen ungefähr 50 nm bis ungefähr 2500 nm, beispielsweise zwischen ungefähr 100 nm bis ungefähr 1000 nm liegt. Die Dünnschichtstruktur besitzt eine hohe Eigenspannung. Unter dem Begriff „Eigenspannung“ wird eine mechanische Spannung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden, die in der Dünnschichtstruktur herrscht, an der keine äußeren Kräfte angreifen und die sich im thermischen Gleichgewicht befindet. Die Eigenspannung kann temporär, latent oder permanent sein.
1 zeigt eine schematische Draufsicht und eine entsprechende schematische Querschnittsansicht entlang der Linien A-A einer starren, organischen, Flächenlichtquelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Wie in 1 veranschaulicht ist, weist die starre, organische Flächenlichtquelle 100 ein Schichtsystem 110 und eine auf dem Schichtsystem 110 angeordnete Dünnschichtstruktur 120 mit Metall auf. Dabei ist die Dünnschichtstruktur 120 von dem Schichtsystem 110 elektrisch isoliert. Elektrisch isoliert ist dabei insofern zu verstehen, als dass die Dünnschichtstruktur 120 nicht zur Bestromung der organischen Flächenlichtquelle 100 eingerichtet ist. Beispielsweise ist die Dünnschichtstruktur 120 nicht mit Elektroden des Schichtsystems 110 elektrisch leitend verbunden.
Weiterhin weist die Dünnschichtstruktur 120 mindestens auf oder über dem optisch aktiven Bereich 111 (nicht dargestellt) mindestens einen Hohlraum 122 oder eine Vielzahl an Hohlräumen 122 auf. Der Hohlraum 122 oder die Hohlräume 122 ist/sind derart ausgebildet und angeordnet, dass eine Verspannung des Schichtsystems 110 innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereiches kleiner oder gleich einem vorgegebenen Schwellenwert ist. Der vorgegebene Schwellenwert ist ein Wert oberhalb dessen sich wenigstens teilweise eine mit einer ersten Schicht des Schichtsystems 110 körperlich verbundene, zweite Schicht des Schichtsystems 110 von der ersten Schicht ablöst.
Die Dünnschichtstruktur 120 mit einem Metall dient als Wärmeabführende Abdeckung für das Schichtsystem. Mit anderen Worten: die Dünnschichtstruktur 120 ist derart ausgebildet, dass sie die thermische Energie aus dem Schichtsystem, beispielsweise aus dem organischen Material des Schichtsystems teilweise oder im Wesentlichen vollständig ableitet bzw. abführt. Alternativ oder zusätzlich bildet die Dünnschichtstruktur 120 eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, beispielsweise gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, aus.
Der mindestens eine Hohlraum oder die Vielzahl an Hohlräumen in der Dünnschichtstruktur 120 bilden einen Raum in der Dünnschichtstruktur 120. Der Raum ist frei von Material, aus dem die Dünnschichtstruktur 120 ausgebildet ist. Beispielsweise ist der Raum frei von Metall. Dies ermöglicht, dass die Dünnschichtstruktur 120 einen Freiraum oder Entlastungsraum in ihrer Struktur aufweist. In den Freiraum oder Entlastungsraum kann sich Material der Dünnschichtstruktur 120 bei einer Erwärmung ausdehnen bzw. erstrecken. Durch den Freiraum oder Entlastungsraum wird somit eine lateral das Schichtsystem 110 überüberragende Dehnung bzw. Erstreckung der Dünnschichtstruktur 120 reduziert. Zudem bewirkt der Freiraum oder Entlastungsraum, dass die Dünnschichtstruktur während und/oder nach der Dehnung unter weniger mechanischen Beanspruchung, beispielsweise mechanischer Spannung, gesetzt ist. Anschaulich wird somit die mittels der Dehnung entstandene mechanische Belastung auf die unter der Dünnschichtstruktur 120 liegenden Schichten, beispielsweise auf das Schichtsystem, reduziert. Mit anderen Worten: Dies bewirkt eine Entlastung der Dünnschichtstruktur 120 von mechanischen Beanspruchungen aus der Dehnung. Dies bewirkt ein Reduzieren der lateralen, mechanischen Belastung auf das/dem Schichtsystem. Eine Delamination der Schichten des Schichtsystems 110 wird daher verringert oder im Ganzen verhindert.
Die Dünnschichtstruktur 120 ist beispielsweise vollständig oder im Wesentlichen vollständig aus einem Metall, einer Metalllegierung und/oder einem Metall-Mehrschichtsystem gebildet. Die Dünnschichtstruktur 120 kann jedoch eine oder mehrere nicht-leitende Schicht/en aufweisen, beispielsweise eine (native) Oxidschicht, beispielsweise einer Oberfläche der Dünnschichtstruktur 120. Die Oxidschicht kann eine elektrostatische Isolierung der Kapazität, die durch Dünnschichtstruktur 120, die Klebstoffschicht und die Elektroden des Schichtsystems erzeugt wird, bewirken.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Dünnschichtstruktur 120 als eine Schicht, beispielsweise eine Folie, oder ein Blech ausgebildet. Beispielsweise ist die Dünnschichtstruktur 120 als eine Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie ausgebildet. Das Metall in der Dünnschichtstruktur 120 ist beispielsweise Aluminium, Nickel, Silber, Zink, Cadmium, Titan, Kupfer, Eisen, Gold, Magnesium, Chrom, ein Metalloxid oder eine metallische Legierung. Die metallische Legierung ist beispielsweise eine Nickel-, Kupfer-, Eisen-, Kupfer-Zink-Nickel-, Kupfer-Aluminium-Nickel-, Silber-Nickel-, Nickel-Titan-, Nickel-Titan-Kupfer-, Gold-Cadmium-basierende Legierung oder Kombinationen davon, beispielsweise ein Stahl, beispielsweise ein Edelstahl. Alternativ oder zusätzlich kann das Metall als Partikel in einem Matrixmaterial der Dünnschichtstruktur 120 eingesetzt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Dünnschichtstruktur 120 einen Ausdehnungskoeffizient auf. Der Ausdehnungskoeffizient beschreibt das Verhalten der Dünnschichtstruktur 120 bezüglich Veränderungen ihrer Abmessungen unter einer Stressbedingung. Der Ausdehnungskoeffizient ist von dem in der Dünnschichtstruktur 120 verwendeten Material, beispielsweise Metall, abhängig. Der Ausdehnungskoeffizient ist beispielsweise einen thermischen Ausdehnungskoeffizient. Der thermische Ausdehnungskoeffizient kann ein Längenausdehnungskoeffizient oder ein Raumausdehnungskoeffizient sein. Der thermische Längenausdehnungskoeffizient liegt beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 8.10^-6/K bis ungefähr 30.10^-6/K. Unter Stressbedingungen weist die Dünnschichtstruktur 120 eine Dehnung auf. Die Dehnung ist beispielsweise eine negative Dehnung, beispielsweise eine Schrumpfung oder eine Stauchung. Mit anderen Worten: die Dünnschichtstruktur weist eine Breite, eine Länge und eine Dicke auf. Die Breite und/oder die Länge der Dünnschichtstruktur 120 wird/werden unter einer Stressbedingung kleiner. Alternativ ist die Dehnung der Dünnschichtstruktur 120 eine positive Dehnung, beispielsweise eine Ausdehnung, eine Ausbreitung oder eine Vergrößerung. Mit anderen Worten: die Dünnschichtstruktur weist eine Breite und eine Länge auf, wobei die Breite und/oder die Länge der Dünnschichtstruktur 120 unter einer Stressbedingung größer wird/werden. Stressbedingungen sind beispielsweise eine Änderung der Temperatur, beispielsweise eine Kühlung oder eine Erhitzung der Dünnschichtstruktur 120, beispielsweise durch eine Änderung der Umgebungstemperatur der Flächenlichtquelle und/oder joulesche Wärme bzw. Stromwärme im Betrieb der organischen Flächenlichtquelle. Diese Stressbedingungen treten beispielsweise während eines Lagertests, eines Vereinzelungsprozesses, beispielsweise mittels eines Lasers, oder aufgrund von Umwelteinflüssen in dem vorgegebenen Temperaturbereich auf. Der vorgegebene Temperaturbereich erstreckt sich beispielsweise in einem Bereich von ungefähr -40 °C bis ungefähr 85 °C.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Dünnschichtstruktur 120 eine Dicke auf. Beispielsweise liegt die Dicke der Dünnschichtstruktur 120 in einem Bereich von ungefähr 10 µm, beispielsweise zwischen ungefähr 10 nm bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise zwischen ungefähr 50 nm bis ungefähr 2500 nm, beispielsweise zwischen ungefähr 100 nm bis ungefähr 1000 nm.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Dünnschichtstruktur 120 eine Fläche auf, die koplanar ist zu einer Fläche des Schichtsystems 110, beispielsweise koplanar zur Oberfläche des Schichtsystems 110. Die Dünnschichtstruktur 120 ist beispielsweise derart angeordnet und/oder ausgebildet, dass die Dünnschichtstruktur 120 bzw. die Fläche der Dünnschichtstruktur 120 das Schichtsystem teilweise bedeckt. Alternativ ist die Dünnschichtstruktur 120 vollflächig auf dem Schichtsystem 110 und/oder ausgebildet. Dies ermöglicht eine bessere Abfuhr der durch das Schichtsystem 110 erzeugten Wärme.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der mindestens eine Hohlraum 122 in der Dünnschichtstruktur 120 eine Breite B, eine Länge L und eine Tiefe T auf. Beispielsweise weist der mindestens eine Hohlraum 122 eine Breite B in einem Bereich von ungefähr 10 µm bis ungefähr 300 µm auf, beispielsweise von ungefähr 50 µm bis ungefähr 200 µm, beispielsweise von ungefähr 100 µm bis ungefähr 150 µm. Weiterhin weist der mindestens eine Hohlraum 122 eine Länge L auf, die in der gleichen Größenordnung als die Breite B ist. Beispielsweise liegt die Länge L in einem Bereich von ungefähr 10 µm bis ungefähr 300 µm, beispielsweise von ungefähr 50 µm bis ungefähr 200 µm, beispielsweise von ungefähr 100 µm bis ungefähr 150 µm. Alternativ weist der mindestens eine Hohlraum 122 weist eine Länge L auf, die in der Größenordnung der Fläche der Dünnschichtstruktur 120 ist.
Beispielsweise trennt der mindestens eine Hohlraum 122 lateral die Fläche der Dünnschichtstruktur 120 lateral teilweise oder im Ganzen durch. Dabei kann die Länge parallel zu einer der Kanten der Dünnschichtstruktur sein. Beispielsweise liegt die Länge L in einem Bereich von ungefähr 10 mm bis ungefähr 400 mm, beispielsweise von ungefähr 50 mm bis ungefähr 200 mm, beispielsweise von ungefähr 100 mm bis ungefähr 150 mm. Weitere mögliche Gestaltungen des mindestens einen Hohlraums oder der Vielzahl an Hohlräumen wird unten ausführlicher beschrieben (beispielsweise in der 2)
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Dünnschichtstruktur 120 eine Vielzahl an Hohlräumen. Dabei können die Hohlräume unterschiedliche Breiten B, unterschiedliche Längen L und/oder unterschiedliche Tiefen T aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann ein erster Hohlraum der Hohlräume die gleiche Breite B, die gleiche Länge L und/oder die gleiche Tiefe T wie ein zweiter Hohlraum der Hohlräume aufweisen. Alternativ oder zusätzlich liegt der Volumenanteil an Hohlräumen in Bezug auf das Volumen der Dünnschichtstruktur 120 beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 % bis ungefähr 50 %, beispielsweise von ungefähr 20 % bis ungefähr 40 %, beispielsweise von ungefähr 25 % bis ungefähr 30 %.
Wie in der entsprechenden schematischen Querschnittsansicht entlang der Linien A-A veranschaulicht ist, weist das Schichtsystem 110 einen optisch aktiven Bereich 111 auf. Weiterhin weist das Schichtsystem 110 mehrere Schichten auf. Beispielsweise weist das Schichtsystem 110 ein Substrat 112, einen organischen, lichtemittierenden Schichtenstapel 114 und eine Verkapselungsschicht 115 auf. Dabei ist auch eine der mehreren Schichten eine Klebstoffschicht 116 mit einem Klebstoff. Auf oder über dem Schichtsystem ist die Dünnschichtstruktur 120 in physischen Kontakt mit der Klebstoffschicht 116 angeordnet, beispielsweise mittels der Klebstoffschicht 116 auf oder über der Verkapselungsschicht 115. Die Dünnschichtstruktur 120 weist einen über oder auf dem optisch aktiven Bereich 111 angeordneten Hohlraum 122 auf. Der Hohlraum 122 weist in der Schnittansicht eine Breite B und eine Tiefe T auf. Die Tiefe T ist beispielsweise gleich groß zu der Dicke der Dünnschichtstruktur 120. Der Hohlraum 122 teilt die Dünnschichtstruktur 120 beispielsweise in zwei Abschnitte gleicher oder ungefähr gleicher Größe ein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Tiefe T des mindestens einen Hohlraums 122 kleiner als die Dicke der Dünnschichtstruktur 120. Mit anderen Worten: der mindestens eine Hohlraum 122 ist derart ausgebildet, dass er die Dünnschichtstruktur 120 in der vertikalen Richtung teilweise durchtrennt oder trennt. Alternativ ist die Tiefe des mindestens einen Hohlraums 122 gleich zu der Dicke der Dünnschichtstruktur 120. Mit anderen Worten: der mindestens eine Hohlraum 122 ist derart ausgebildet, dass er die Dünnschichtstruktur 120 in der vertikalen Richtung vollständig durchtrennt.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Klebstoffschicht 116 eine Dicke auf. Beispielsweise liegt die Dicke der Klebstoffschicht 116 in einem Bereich von ungefähr 10 µm bis ungefähr 300 µm auf, beispielsweise von ungefähr 50 µm bis ungefähr 200 µm, beispielsweise von ungefähr 100 µm bis ungefähr 150 µm.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine größere Reduzierung der Dehnungslänge der Dünnschichtstruktur 120 mittels einer größeren Breite mindestens eines Hohlraums 122, mittels einer größeren Anzahl an Hohlräumen 122 oder mittels einer größeren Dicke der Klebstoffschicht 116 erreicht. Die Klebstoffschicht kann abhängig von der Art des Klebstoffes und der Dicke der Klebstoffschicht einen Teil der durch die Stressbedingung entstandenen, mechanischen Spannung in der Dünnschichtstruktur kompensieren. Mit anderen Worten: Die Übertragung der durch die Stressbedingung entstandenen, mechanischen Spannung in der Dünnschichtstruktur auf das Schichtsystem kann mittels der Klebstoffschicht (abhängig von der Art des Klebstoffes und der Dicke der Klebstoffschicht) gemindert oder verhindert werden. Somit ist die Breite des Hohlraumes/der Hohlräume sowie die Anzahl und/oder Verteilung der Hohlräume abhängig von den Eigenschaften der Klebstoffschicht. Um die Dicke der Klebstoffschicht zu reduzieren kann somit beispielsweise der Volumenanteil an Hohlräumen an der Dünnschichtstruktur erhöht werden. Der Volumenanteil ergibt sich aus der gesamten, d.h. dem summierten oder integrierten Hohlraumvolumen aller Hohlräume der Dünnschichtstruktur. Der Volumenanteil bezieht sich dabei beispielsweise auf das makroskopische Volumen der Dünnschichtstruktur. Das makroskopische Volumen ergibt sich aus den makroskopischen Abmessungen der Dünnschichtstruktur, beispielsweise der Länge, Breite und Dicke einer Schichtförmigen Dünnschichtstruktur. Dabei ist die Breite B mindestens eines Hohlraums 122 beispielsweise abhängig von der Dicke der Klebstoffschicht 116. Beispielsweise je größer die Dicke der Klebstoffschicht 116 ist, desto kleiner kann die Breite B des mindestens einen Hohlraums 122 sein und umgekehrt. Dabei liegt das Verhältnis der Breite mindestens eines Hohlraum 122 zur Dicke der Klebstoffschicht beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1:10 bis ungefähr 1:1. Alternativ oder zusätzlich ist die Anzahl an Hohlräumen beispielsweise abhängig von der Dicke der Klebstoffschicht 116. Beispielsweise größer die Dicke der Klebstoffschicht 116 ist, desto kleiner kann die Anzahl an Hohlräumen 122 sein und umgekehrt. Alternativ oder zusätzlich ist die Anzahl an Hohlräumen beispielsweise abhängig von der Breite dieser Hohlräume. Anschaulich wird somit die Belastung auf dem/das Schichtsystem durch die Dehnung der Dünnschichtstruktur mittels eines Hohlraums mit einer größeren Breite oder mittels einer höheren Anzahl an Hohlräumen bei einer gleich dicken Klebstoffschicht reduziert oder vermieden. Dies ermöglicht zudem eine Flächenlichtquelle, die durch die dünne Klebstoffschicht kompakt gehalten wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Klebstoffschicht 116 einen Klebstoff auf oder ist daraus gebildet. Beispielsweise weist die Klebstoffschicht 116 einen Flüssigklebstoff auf oder ist daraus ausgebildet. Die Anwendung eines Flüssigklebstoffs bewirkt ein schnelles, einfaches Aufbringen des Klebstoffs auf das Schichtsystem 110 ohne genaues Positionieren der Klebstoffschicht 116 auf dem Schichtsystem 110. Dies ermöglicht eine Lufteinschluss-freie, Riss-freie und/oder homogene Beschichtung des Schichtsystems 110 mit der Klebstoffschicht 116. Alternativ weist die Klebstoffschicht 104 einen Schmelzklebstoff (auch als Hot-Melt bezeichnet) auf oder ist daraus ausgebildet. Dadurch, dass der Schmelzklebstoff erst mittels Aufschmelzens verarbeitbar ist, wird eine einfachere Handhabung des Klebstoffs ermöglicht. Dies bewirkt eine Klebstoffschicht 116, die frei von einem Verlaufen oder Auslaufen des Klebstoffs ist. Dadurch, dass der Schmelzklebstoff per se lösungsmittelfrei ausgebildet sein kann, wird ferner eine Klebstoffschicht ermöglicht, die frei von Ausgasen ist und einen geringen Schrumpf aufweist oder schrumpffrei ist. Alternativ oder zusätzlich weist die Klebstoffschicht 116 beispielsweise einen Druck-empfindlichen Klebstoff (Pressure Sensitive Adhesive - PSA) auf oder ist daraus gebildet, d.h. die Klebstoffschicht weist mittels Anwendung von Druck eine Klebeeigenschaft auf. Dies bewirkt ein vereinfachtes Aufkleben der Dünnschichtstruktur auf dem Schichtsystem, bei dem ein Aufwärmen oder Erhitzen der Klebstoffschicht 116 und/oder ein Verdampfen eines Lösungsmittels aus der Klebstoffschicht 116 optional ist.
Die Klebstoffschicht 116 kann auf dem Substrat 112 und/oder auf der Verkapselungsschicht 115 des Schichtsystems 110, beispielsweise vollflächig auf dem Substrat 112 und/oder auf der Verkapselungsschicht 115, angeordnet sein oder werden. Dabei kann die Klebstoffschicht eine geschlossene Schicht sein oder als geschlossene Schicht ausgebildet werden.
2A, 2B, 2C veranschaulichen schematische detaillierte Querschnittsansichten einer starren, organischen Flächenlichtquelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Die starre, organische Flächenlichtquelle kann einer der oben beschriebenen starren, organischen, Flächenlichtquellen entsprechen. Die Dünnschichtstruktur, die Klebstoffschicht und der mindestens eine Hohlraum können beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet, angeordnet und/oder ausgestaltet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen, wie in 2A veranschaulicht ist, ist/sind der mindestens eine Hohlraum 122a oder einige Hohlräume der Vielzahl an Hohlräumen in der Dünnschichtstruktur 120 eingebettet. Dies ermöglicht eine Dünnschichtstruktur, die eine glatte Oberfläche aufweist. Dies bewirkt einen hermetisch dichten Schutz der starren, organischen Flächenlichtquelle bzw. des Schichtsystems gegenüber externen Beschädigungen, beispielsweise einen Schutz vor Feuchtigkeit oder Wasser.
Der mindestens eine Hohlraum 122 weist beispielsweise eine Form in Aufsicht in beliebiger Gestaltungen auf. Dabei kann die Form des mindestens einen Hohlraums 122 kreisförmig, mehreckig, rechteckig, quadratisch, dreieckig, oval sein oder einer Freihand-gezeichneten Formen entsprechen. Die Hohlräume 122 der Vielzahl der Hohlräume weisen beispielsweise jeweils eine unterschiedliche Form auf. Alternativ weisen die Hohlräume 122 der Vielzahl der Hohlräume beispielsweise die gleiche Form auf. Alternativ oder zusätzlich weist ein erster Hohlraum der Vielzahl an Hohlräumen die gleiche Form oder eine unterschiedliche Form wie ein zweiter Hohlraum der Vielzahl an Hohlräume auf.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein Teil der Vielzahl an Hohlräumen in einer vorgegebenen Anordnung angeordnet sein. Beispielsweise können in Aufsicht kreisförmige Hohlräume linienförmig der als ein Linienzug angeordnet sein.
Alternativ oder zusätzlich, wie in 2B veranschaulicht ist, kann/können der mindestens eine Hohlraum 122b oder einige Hohlräume der Vielzahl an Hohlräumen eine Öffnung 124a aufweisen. Die Öffnung 124a ist beispielsweise eine freiliegende Öffnung. Beispielsweise weist die Oberfläche der Dünnschichtstruktur mittels der einen oder mehreren Öffnung/en eine bzw. mehrere Perforationen auf. Die Perforationen können eine weitere Funktion aufweisen, beispielsweise als eine Führungsnut für eine Haltestruktur der Lichtquelle wirken. Alternativ oder zusätzlich kann mittels der Perforation/en eine Information dargestellt werden, beispielsweise eine Einbaurichtung der Lichtquelle und/oder eine Typenbezeichnung der Lichtquelle. Alternativ kann die Öffnung 124a eine geschlossene Öffnung sein. Die Öffnung 124a ist beispielsweise mittels einen Deckel oder der Klebstoffschicht 116 geschlossen.
Alternativ oder zusätzlich, wie in 2C veranschaulicht ist, kann/können der mindestens eine Hohlraum 122c oder einige Hohlräume der Vielzahl an Hohlräumen mindestens zwei Öffnungen 124a, 124b aufweisen. Dies ermöglicht eine Dünnschichtstruktur mit einem durch ihre Dicke durchgehenden Loch. Dadurch weist die Dünnschichtstruktur mindestens einen Hohlraum, der leer von Material der Dünnschichtstruktur ist. Dies bewirkt eine starke Reduzierung der Längenausdehnung der Dünnschichtstruktur. Der mindestens eine Hohlraum 122 weist beispielsweise eine erste Öffnung 124a und eine zweite Öffnung 124b, die durchgehende Öffnungen darstellen. Die erste Öffnung 124a kann eine freiliegende Öffnung sein, während der zweite Öffnung 124b eine freiliegende oder geschlossene Öffnung sein kann. Alternativ oder zusätzlich kann der mindestens eine Hohlraum 122 mehr als zwei Öffnungen aufweisen, beispielsweise drei Öffnungen, die durch mindestens einen Kanal bzw. Hohlraum verbunden sind. Dies bewirk eine Dünnschichtstruktur mit einem oder mehreren sich durch ihre Dicke hindurch erstreckendes Loch bzw. Löcher, d.h. ein Durchgangsloch oder mehrere Durchgangslöcher aufweisen. Ein Loch kann dabei in Aufsicht loch-, ring- oder grabenförmig ausgebildet sein. Dadurch weist die Dünnschichtstruktur mindestens einen Hohlraum, der leer von Material der Dünnschichtstruktur ist. Dies bewirkt eine Reduzierung der Längenausdehnung der Dünnschichtstruktur lateral über den optisch aktiven Bereich ragend auf.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist/sind der mindestens eine Hohlraum 122 oder einige Hohlräume 122 der Vielzahl an Hohlräumen linienförmig in der Ebene der Dünnschichtstruktur 120 ausgebildet. Dabei kann die Linie, die der Hohlraum folgt, gerade, kreisförmig, spiralförmig, mäanderförmig, mehreckig sein oder einer Freihand-gezeichneten Formen entsprechen. Der linienförmige Hohlraum weist eine Breite und eine Tiefe auf. Beispielsweise ist der linienförmige Hohlraum eine Grabenstruktur. Wenn die Dünnschichtstruktur 120 eine Vielzahl an Hohlräumen aufweist, kann ein erster, linienförmiger Hohlraum parallel zu einem zweiten, linienförmigen Hohlraum sein. Alternativ oder zusätzlich kann der erste, linienförmige Hohlraum den zweiten, linienförmigen Hohlraum kreuzen, beispielsweise überkreuzen oder durchkreuzen. Der mindestens eine linienförmige Hohlraum kann in der Dünnschichtstruktur eingebettet sein oder eine oder mehrere Öffnungen aufweisen, die freiliegend oder geschlossen sein kann. Der mindestens eine linienförmige Hohlraum kann entlang der Kante der Dünnschichtstruktur durch die Dünnschichtstruktur gehen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Dünnschichtstruktur 120 eine maschen-, gitter-, netz- oder siebförmige Struktur.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist/sind der mindestens eine Hohlraum 122 oder einige der Hohlräume 122 der Vielzahl der Hohlräume mit dem Klebstoff der Klebstoffschicht 116 teilweise oder vollständig gefüllt. Der Klebstoff bewirkt als Stoff zur Absorption oder Kompensierung lateraler Dehnungen der Dünnschichtstruktur 120. Dies ermöglicht eine Dünnschichtstruktur 120, die mittels des Klebstoffs der Klebstoffschicht 116 in dem mindestens einen Hohlraum einen hermetisch dichte Schutz der starren, organischen Flächenlichtquelle 100 bzw. des Schichtsystems 110 der starren, organischen Flächenlichtquelle 100 gegenüber externen Beschädigungen.
3 veranschaulicht eine schematische Querschnittansicht eines Schichtsystems einer starren, organischen, Flächenlichtquelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das Schichtsystem 1 kann im Wesentlichen dem Schichtsystem gemäß den in 1 oder 2 ausgeführten Ausführungsbeispielen entsprechen.
Das Schichtsystem 1 kann transparent ausgebildet sein. Alternativ kann das Schichtsystem 1 transluzent oder undurchsichtig ausgebildet sein.
Das Schichtsystem 1 kann eine Halterstruktur 12 aufweisen. Die Halterstruktur 12 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die Halterstruktur 12 kann beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann die Halterstruktur 12 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Halterstruktur 12 ist mechanisch flexibel ausgebildet. Die Halterstruktur 12 kann das Substrat 112 gemäß den in 1 ausgeführten Ausführungsbeispielen entsprechen, d.h. identisch sein.
Auf der Halterstruktur 12 ist ein organischer, lichtemittierender Schichtenstapel ausgebildet. Der organische, lichtemittierende Schichtenstapel kann dem organischen, lichtemittierenden Schichtenstapel 114 gemäß den in 1 ausgeführten Ausführungsbeispielen entsprechen, d.h. identisch sein. Die organische, lichtemittierende Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht 14 auf, die einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten Kontaktabschnitt 18 und eine erste Elektrode 20 aufweist. Zwischen der Haltestruktur 12 und der ersten Elektrodenschicht 14 kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste Barrieredünnschicht, ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 20 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 20 der organischen, lichtemittierenden Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt. Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-ZinnOxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Über der ersten Elektrode 20 ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur beispielsweise eine organische, funktionelle Schichtenstruktur 22 ausgebildet. Die organische, funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische, funktionelle Schichtenstruktur 22 eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Elektronen. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische, funktionelle Schichtenstruktur 22 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen.
Über der organischen, funktionellen Schichtenstruktur 22 ist die zweite Elektrode 23 des organischen, lichtemittierenden Schichtenstapels ausgebildet, die elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist. Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 23 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode des organischen, lichtemittierenden Schichtenstapels. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode des organischen, lichtemittierenden Schichtenstapels.
Die organische, lichtemittierende Schichtenstruktur weist einen elektrisch und/oder optisch aktiven Bereich. Der elektrisch aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des Schichtsystems 1, in dem elektrischer Strom zum Betrieb der organischen Flächenlichtquelle fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet.
Das Schichtsystem 1 weist einen Kontaktbereich und einen optisch aktiven Bereich 40 auf. Der optisch aktiven Bereich 40 kann dem optisch aktiven Bereich 111 gemäß einer der in der 1 ausgeführten Ausführungsbeispiele entsprechen oder damit übereinstimmen. Der optisch aktive Bereich 40 kann auch als lichtemittierender Bereich bezeichnet werden. Der optisch aktive Bereich ist der Bereich des Schichtsystems 1, in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Der Kontaktbereich weist Komponenten des Schichtsystems 1 auf, die zum externen, elektrischen Kontaktieren des Schichtsystems 1 vorgesehen sind. Beispielsweise weist der Kontaktbereich den ersten Kontaktabschnitt 16, den zweiten Kontaktabschnitt 18 und Teile des Schichtsystems 1 auf, die auf und/oder über oder unter dem ersten Kontaktabschnitt 16 und dem zweiten Kontaktabschnitt 18 angeordnet sind. Beispielsweise weist der Kontaktbereich einen Teil der Halterstruktur 12, der Haftmittelschicht 36, der Verkapselungsschicht 24, des Abdeckkörpers 38, der ersten Elektrode 20, der zweiten Elektroden 23 und/oder der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 auf. Der optisch aktive Bereich 40 weist Komponenten des Schichtsystems 1 auf, die zum Emittieren eines Lichts vorgesehen sind. Der optisch aktive Bereich 40 weist mindestens die erste Elektrode 20, die zweite Elektrode 23 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 auf. Der Kontaktbereich weist keine Überschneidung mit dem optisch aktiven Bereich 40 auf.
Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 ist eine Verkapselungsschicht 24 des organischen, lichtemittierenden Schichtenstapels ausgebildet, die das Schichtsystem verkapselt. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf der Halterstruktur 12 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein.
Über der Verkapselungsschicht 24 ist optional ein Abdeckkörper 38 angeordnet. Der Abdeckkörper 38 kann der in 1 und 2 beschriebenen Dünnschichtstruktur 120 entsprechen, d.h. identisch sein. Alternativ kann die in 1 und 2 beschriebenen Dünnschichtstruktur 120 auf dem Abdeckkörper 38 mittels der Klebstoffschicht 116Der Abdeckkörper 38 wird auf oder über eine Haftmittelschicht 36 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 kann der in 1 und 2 beschriebenen Klebstoffschicht 116 entsprechen, d.h. identisch sein.
Der Abdeckkörper 38 weist beispielsweise Kunststoff, Glas und/oder Metall auf. Beispielsweise kann der Abdeckkörper 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie, und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Der Abdeckkörper 38 dient zum Schützen des Schichtsystems 1, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem Schichtsystems 1 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des Schichtsystems 1 entstehenden Wärme dienen.
Die Haftmittelschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 38 an der Verkapselungsschicht 24.
4 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 400 zum Herstellen einer starren, organischen Flächenlichtquelle gemäß verschiedener Ausführungsbeispiele. Die starre, organische Flächenlichtquelle kann im Wesentlichen gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet werden.
Das Verfahren 400 zum Herstellen einer starren, organischen Flächenlichtquelle weist ein Bereitstellen 402 eines Schichtsystems 110 mit einem optisch aktiven Bereich 111 auf. Das Schichtsystem 110 weist mehrere Schichten auf. Dabei ist eine der mehreren Schichten eine Klebstoffschicht 116 mit einem Klebstoff ist. Das Verfahren 400 weist ferner ein Ausbilden 404 einer Dünnschichtstruktur 120 auf dem Schichtsystem 110 derart auf, dass die Dünnschichtstruktur 120 im physischen Kontakt mit der Klebstoffschicht 116 ist. Die Dünnschichtstruktur 120 weist ein Metall auf oder ist daraus gebildet. Weiterhin ist die Dünnschichtstruktur 120 von dem Schichtsystem 110 elektrisch isoliert ist. Ferner weist die Dünnschichtstruktur 120 mindestens auf oder über dem optisch aktiven Bereich 111 mindestens einen Hohlraum 122 oder eine Vielzahl an Hohlräumen 122 auf. Der Hohlraum 122 oder die Hohlräume 122 derart ausgebildet und angeordnet ist/sind, dass eine Verspannung des Schichtsystems 110 innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereiches kleiner oder gleich einem vorgegebenen Schwellenwert ist. Der vorgegebene Schwellenwert entspricht einem Wert oberhalb dessen sich wenigstens teilweise eine mit einer ersten Schicht des Schichtsystems 110 körperlich verbundene, zweite Schicht des Schichtsystems 110 von der ersten Schicht ablöst. Der vorgegebene Temperaturbereich erstreckt sich beispielsweise von ungefähr -40 °C bis ungefähr 85 °C.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Bereitstellen 402 des Schichtsystems 110 ein Bereitstellen eines Substrats 112, ein Ausbilden eines organischen, lichtemittierenden Schichtenstapels 114 auf dem Substrat 112, ein Ausbilden einer Verkapselungsschicht 115 auf dem organischen, lichtemittierenden Schichtenstapel und ein Ausbilden der Klebstoffschicht 116 mit dem Klebstoff auf der Verkapselungsschicht 115 auf. Das Schichtsystem 110 und die Klebstoffschicht können beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet, angeordnet und/oder ausgestaltet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Ausbilden 404 der Dünnschichtstruktur 120 auf dem Schichtsystem 110 ein Aufbringen einer Schicht mit Metall auf das Schichtsystem 110 auf, beispielsweise als Folie, oder Blech, beispielsweise ein Aufbringen einer Metallschicht, beispielsweise einer Metallfolie. Die Dünnschichtstruktur 120 kann beispielsweise vor dem Aufbringen der Dünnschichtstruktur 120 einen Hohlraum oder eine Vielzahl an Hohlräumen aufweisen. Alternativ kann die Dünnschichtstruktur 120 beispielsweise vor und/oder während dem Aufbringen frei von Hohlräumen sein. Der mindestens eine Hohlraum 122 oder die Vielzahl an Hohlräumen 122 wird/werden beispielsweise vor oder nach dem Aufbringen 404 der Dünnschichtstruktur 120 mittels eines Laserprozesses ausgebildet. Die Dünnschichtstruktur und der mindestens eine Hohlraum können beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet, angeordnet und/oder ausgestaltet sein.
Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel kann eine starre, organische Flächenlichtquelle 100 aufweisen:

- ein Schichtsystem 110 mit einem optisch aktiven Bereich 111, wobei das Schichtsystem 110 mehrere Schichten aufweist, wobei eine der mehreren Schichten eine Klebstoffschicht 116 mit einem Klebstoff ist,
- eine Dünnschichtstruktur 120, die auf dem Schichtsystem 110 und in physischen Kontakt mit der Klebstoffschicht 116 angeordnet ist,

120

110

120

111

122

110

Gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel kann die starre, organische Flächenlichtquelle 100 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel derart ausgestaltet sein, dass der mindestens eine Hohlraum 122 eine Breite B aufweist, wobei die Breite B mindestens eines Hohlraums und/oder die Anzahl an Hohlräumen abhängig von der Dicke der Klebstoffschicht 116 ist/sind.
Gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel kann die starre, organische Flächenlichtquelle 100 gemäß dem ersten oder dem zweiten Ausführungsbeispiel derart ausgestaltet sein, dass der Klebstoff der Klebstoffschicht 116 einen druckempfindlichen Klebstoff aufweist oder daraus gebildet ist.
Gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel kann die starre, organische Flächenlichtquelle 100 gemäß einem des ersten bis dritten Ausführungsbeispiels derart ausgestaltet sein, dass die Dünnschichtstruktur 120 vollflächig auf dem Schichtsystem 110 angeordnet ist.
Gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel kann die starre, organische Flächenlichtquelle 100 gemäß einem des ersten bis vierten Ausführungsbeispiels derart ausgestaltet sein, dass der vorgegebene Temperaturbereich sich von ungefähr -40 °C bis ungefähr 85 °C erstreckt.
Gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel kann die starre, organische Flächenlichtquelle 100 gemäß einem des ersten bis fünften Ausführungsbeispiels derart ausgestaltet sein, dass der mindestens eine Hohlraum 122 oder einige der Hohlräume der Vielzahl der Hohlräume 122 in der Dünnschichtstruktur 120 eingebettet ist/sind.
Gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel kann die starre, organische Flächenlichtquelle 100 gemäß einem des ersten bis sechsten Ausführungsbeispiels derart ausgestaltet sein, dass der mindestens eine Hohlraum 122 oder einige der Hohlräume der Vielzahl der Hohlräume 122 eine Öffnung 124a aufweist/aufweisen.
Gemäß einem achten Ausführungsbeispiel kann die starre, organische Flächenlichtquelle 100 gemäß einem des ersten bis siebten Ausführungsbeispiels derart ausgestaltet sein, dass der mindestens eine Hohlraum 122 oder einige der Hohlräume 122 der Vielzahl der Hohlräume mindestens zwei Öffnungen 124a, 124b aufweist/aufweisen.
Gemäß einem neunten Ausführungsbeispiel kann die starre, organische Flächenlichtquelle 100 gemäß einem des ersten bis achten Ausführungsbeispiels derart ausgestaltet sein, dass der mindestens eine Hohlraum 122 oder mindestens einige der Hohlräume 122 der Vielzahl der Hohlräume linienförmig in der Ebene der Dünnschichtstruktur 120 ausgebildet ist/sind.
Gemäß einem zehnten Ausführungsbeispiel kann die starre, organische Flächenlichtquelle 100 gemäß einem des ersten bis neunten Ausführungsbeispiels derart ausgestaltet sein, dass der mindestens eine Hohlraum 122 oder mindestens einige der Hohlräume 122 der Vielzahl der Hohlräume mit dem Klebstoff der Klebstoffschicht 116 mindestens gefüllt ist/sind.
Gemäß einem elften Ausführungsbeispiel kann die starre, organische Flächenlichtquelle 100 gemäß einem des ersten bis zehnten Ausführungsbeispiels derart ausgestaltet sein, dass die Dünnschichtstruktur 120 eine maschen-, gitter-, netz- oder siebförmige Struktur ist.
Gemäß einem zwölften Ausführungsbeispiel kann ein Verfahren 400 zum Herstellen einer starren, organischen Flächenlichtquelle die Schritte aufweisen:

- Bereitstellen 402 eines Schichtsystems 110 mit einem optisch aktiven Bereich 111, wobei das Schichtsystem 110 mehrere Schichten aufweist, wobei eine der mehreren Schichten eine Klebstoffschicht 116 mit einem Klebstoff ist,
- Ausbilden 404 einer Dünnschichtstruktur 120 auf dem Schichtsystem 110 derart, dass die Dünnschichtstruktur 120 im physischen Kontakt mit der Klebstoffschicht 116 ist,

120

110

120

111

122

110

Gemäß einem dreizehnten Ausführungsbeispiel kann das Verfahren gemäß dem zwölften Ausführungsbeispiel derart ausgestaltet sein, dass der mindestens eine Hohlraum 122 oder die Vielzahl an Hohlräumen 122 mittels eines Laserprozesses in der Dünnschichtstruktur 120 ausgebildet wird/werden.
Gemäß einem vierzehnten Ausführungsbeispiel kann das Verfahren gemäß dem zwölften oder dreizehnten Ausführungsbeispiel derart ausgestaltet sein, dass der vorgegebene Temperaturbereich sich von ungefähr -40 °C bis ungefähr 85 °C erstreckt.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann mehrere unterschiedliche nebeneinander oder übereinander angeordnete organische Vorrichtungen in Form eines Displays oder eines Leuchtmittels verwendet werden.
Bezugszeichenliste

100, 500: starre, organische Flächenlichtquelle
1, 110, 510: Schichtsystem
111: optisch aktiver Bereich
112: Substrat
114: organischer, lichtemittierender Schichtenstapel
115: Verkapselungsschicht
116: Klebstoffschicht
120, 520: Dünnschichtstruktur
122, 122a, 122b, 122c: Hohlraum
124a, 124b: Öffnungen
400: Verfahren
402, 404: Verfahrensschritte
550: Vorschädigung
12: Haltestruktur
14: Elektrodenschicht
16, 18: Kontaktabschnitt
20, 23: Elektrode
21: elektrische Isolierungsbarriere
22: organische, funktionelle Schichtenstruktur
24: Verkapselungsschicht
32: Kontaktbereich
36: Haftmittelschicht
38: Abdeckkörper
40: optisch aktiver Bereich

Claims

Starre, organische Flächenlichtquelle (100) aufweisend: - ein Schichtsystem (110) mit einem optisch aktiven Bereich (111), wobei das Schichtsystem (110) mehrere Schichten aufweist, wobei eine der mehreren Schichten eine Klebstoffschicht (116) mit einem Klebstoff ist, - eine Dünnschichtstruktur (120), die auf dem Schichtsystem (110) und in physischen Kontakt mit der Klebstoffschicht (116) angeordnet ist, wobei die Dünnschichtstruktur (120) ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, wobei die Dünnschichtstruktur (120) von dem Schichtsystem (110) elektrisch isoliert ist, wobei die Dünnschichtstruktur (120) mindestens auf oder über dem optisch aktiven Bereich (111) mindestens einen Hohlraum (122) oder eine Vielzahl an Hohlräumen (122) aufweist, wobei der Hohlraum (122) oder die Hohlräume (122) derart ausgebildet und angeordnet ist/sind, dass eine Verspannung des Schichtsystems (110) innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereiches kleiner oder gleich einem vorgegebenen Schwellenwert ist, wobei oberhalb des vorgegebenen Schwellenwerts sich wenigstens teilweise eine mit einer ersten Schicht des Schichtsystems (110) körperlich verbundene, zweite Schicht des Schichtsystems (110) von der ersten Schicht ablöst.
Starre, organische Flächenlichtquelle (100) nach Anspruch 1, wobei der mindestens eine Hohlraum 122 eine Breite (B) aufweist, wobei die Breite (B) mindestens eines Hohlraums und/oder die Anzahl an Hohlräumen abhängig von der Dicke der Klebstoffschicht (116) ist/sind.
Starre, organische Flächenlichtquelle (100) nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei der Klebstoff der Klebstoffschicht (116) einen druckempfindlichen Klebstoff aufweist oder daraus gebildet ist.
Starre, organische Flächenlichtquelle (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Dünnschichtstruktur (120) vollflächig auf oder über dem Schichtsystem (110) angeordnet ist.
Starre, organische Flächenlichtquelle (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der vorgegebene Temperaturbereich sich von ungefähr -40 °C bis ungefähr 85 °C erstreckt.
Starre, organische Flächenlichtquelle (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der mindestens eine Hohlraum (122) oder einige der Hohlräume der Vielzahl der Hohlräume (122) in der Dünnschichtstruktur (120) eingebettet ist/sind.
Starre, organische Flächenlichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der mindestens eine Hohlraum (122) oder einige der Hohlräume der Vielzahl der Hohlräume (122) eine Öffnung (124a) aufweist/aufweisen.
Starre, organische Flächenlichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der mindestens eine Hohlraum (122) oder einige der Hohlräume (122) der Vielzahl der Hohlräume mindestens zwei Öffnungen (124a, 124b) aufweist/aufweisen.
Starre, organische Flächenlichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der mindestens eine Hohlraum (122) oder mindestens einige der Hohlräume (122) der Vielzahl der Hohlräume linienförmig in der Ebene der Dünnschichtstruktur (120) ausgebildet ist/sind.
Starre, organische Flächenlichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der mindestens eine Hohlraum (122) oder mindestens einige der Hohlräume (122) der Vielzahl der Hohlräume mit dem Klebstoff der Klebstoffschicht (116) mindestens gefüllt ist/sind.
Starre, organische Flächenlichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Dünnschichtstruktur (120) eine maschen-, gitter-, netz- oder siebförmige Struktur ist.
Verfahren (400) zum Herstellen einer starren, organischen Flächenlichtquelle, das Verfahren aufweisend: - Bereitstellen (402) eines Schichtsystems (110) mit einem optisch aktiven Bereich (111), wobei das Schichtsystem (110) mehrere Schichten aufweist, wobei eine der mehreren Schichten eine Klebstoffschicht (116) mit einem Klebstoff ist, - Ausbilden (404) einer Dünnschichtstruktur (120) auf dem Schichtsystem (110) derart, dass die Dünnschichtstruktur (120) im physischen Kontakt mit der Klebstoffschicht (116) ist, wobei die Dünnschichtstruktur (120) ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, wobei die Dünnschichtstruktur (120) von dem Schichtsystem (110) elektrisch isoliert ist, wobei die Dünnschichtstruktur (120) mindestens auf oder über dem optisch aktiven Bereich (111) mindestens einen Hohlraum (122) oder eine Vielzahl an Hohlräumen (122) aufweist, wobei der Hohlraum (122) oder die Hohlräume (122) derart ausgebildet und angeordnet wird/werden, dass eine Verspannung des Schichtsystems (110) innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereiches kleiner oder gleich einem vorgegebenen Schwellenwert ist, wobei oberhalb des vorgegebenen Schwellenwerts sich wenigstens teilweise eine mit einer ersten Schicht des Schichtsystems (110) körperlich verbundene, zweite Schicht des Schichtsystems (110) von der ersten Schicht ablöst.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei der mindestens eine Hohlraum (122) oder die Vielzahl an Hohlräumen (122) mittels eines Laserprozesses in der Dünnschichtstruktur (120) ausgebildet wird/werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 13, wobei der vorgegebene Temperaturbereich sich von ungefähr -40 °C bis ungefähr 85 °C erstreckt.