DE102017220265A1

DE102017220265A1 - Illumination intensity correction device for specifying an illumination intensity over an illumination field of a lithographic projection exposure apparatus

Info

Publication number: DE102017220265A1
Application number: DE102017220265.3A
Authority: DE
Inventors: Ramon van Gorkom; Martin Endres
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2017-11-14
Filing date: 2017-11-14
Publication date: 2019-05-16
Also published as: US20200272060A1; KR20200079328A; WO2019096604A1; US10877379B2

Abstract

Eine Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung (24) dient zur Vorgabe einer Beleuchtungsintensität über ein Beleuchtungsfeld (18) einer lithografischen Projektionsbelichtungsanlage. Die Korrekturvorrichtung (24) hat eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten, stabförmigen Einzelblenden (27). Ein Verlagerungsantrieb dient zur Verlagerung mindestens einiger der Einzelblenden (27) zumindest längs ihrer jeweiligen Stabachse (28). Freie Enden der Einzelblenden (27) sind mit Hilfe des Verlagerungsantriebes (29) individuell zur Vorgabe einer längs einer Korrekturdimension (x) quer zu den Stabachsen (28) wirkenden Intensitätskorrektur einer Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes (18) in eine vorgegebene Verlagerungsposition verlagerbar. Die Einzelblenden (27) gehören zu mindestens drei Abstands-Blendengruppen (I bis IV) und haben jeweils einen anderen Abstand (abis a) zu einer Blenden-Referenzebene (16). Letztere ist aufgespannt von einer Stab-Referenzachse (y) parallel zu den Stabachsen (28) und einer Korrektur-Referenzachse (x) längs der Korrekturdimension und gibt eine Anordnungsebene für das Beleuchtungsfeld (18) vor. Es resultiert eine Korrekturvorrichtung mit verbesserter Korrekturgenauigkeit.An illumination intensity correction device (24) serves for specifying an illumination intensity over an illumination field (18) of a lithographic projection exposure apparatus. The correction device (24) has a plurality of juxtaposed, rod-shaped individual apertures (27). A displacement drive serves to displace at least some of the individual apertures (27) at least along their respective rod axis (28). Free ends of the individual diaphragms (27) are individually displaceable by means of the displacement drive (29) to predefine an intensity correction of illumination of the illumination field (18) acting along a correction dimension (x) transversely to the rod axes (28) into a predetermined displacement position. The individual diaphragms (27) belong to at least three distance diaphragm groups (I to IV) and each have a different distance (abis a) to a diaphragm reference plane (16). The latter is spanned by a rod reference axis (y) parallel to the rod axes (28) and a correction reference axis (x) along the correction dimension and specifies an arrangement plane for the illumination field (18). The result is a correction device with improved correction accuracy.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung zur Vorgabe einer Beleuchtungsintensität über ein Beleuchtungsfeld einer lithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Ferner betrifft die Erfindung eine Beleuchtungsoptik zur Führung von Beleuchtungslicht hin zu einem Beleuchtungsfeld einer lithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsintensitäts-Korrektureinrichtung, ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit einem derartigen Herstellungsverfahren strukturiertes Bauelement.The invention relates to an illumination intensity correction device for specifying an illumination intensity over an illumination field of a lithographic projection exposure apparatus. Furthermore, the invention relates to an illumination optical system for guiding illumination light toward an illumination field of a lithographic projection exposure apparatus having such an illumination intensity correction device, an illumination system having such illumination optical system, a projection exposure apparatus having such an illumination system, a method for producing a microstructured or nanostructured component Such a projection exposure apparatus as well as a component structured with such a production method.

Aus der WO 2009/074 211 A1 ist eine Korrekturvorrichtung bekannt, mittels der über eine Querkoordinate quer zu einer Verlagerungsrichtung eines bei der Projektionsbelichtung verlagerten Objektes innerhalb bestimmter Toleranzgrenzen eine uniforme Intensitätsverteilung in einem Beleuchtungsfeld einstellbar ist. Eine weitere Korrekturvorrichtung ist bekannt aus der US 2015/0015865 A1 .From the WO 2009/074 211 A1 a correction device is known, by means of which a uniform intensity distribution in an illumination field can be set within a certain tolerance limits via a transverse coordinate transverse to a displacement direction of an object displaced during the projection exposure. Another correction device is known from the US 2015/0015865 A1 ,

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine Korrekturgenauigkeit im Vergleich zum Stand der Technik verbessert ist.It is an object of the present invention to develop an illumination intensity correction apparatus of the type mentioned in the introduction such that a correction accuracy is improved in comparison to the prior art.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Korrekturvorrichtung mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.This object is achieved by a correction device with the features specified in claim 1.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass ein Abstand von freien Enden der Einzelblenden, die zur Intensitätskorrektur verwendet werden, zur Blenden-Referenzebene und damit zur Anordnungsebene für das Beleuchtungsfeld nicht zwingend so klein wie möglich zur Anordnungsebene des Beleuchtungsfeldes, also zur Objektebene, gehalten sein muss, sondern dass es möglich ist, diesen Abstand der freien Enden der Einzelblenden zur Anordnungsebene des Beleuchtungsfeldes als Korrekturfreiheitsgrad zu nutzen. Durch Vorgabe des Abstandes der jeweiligen Einzelblende zur Anordnungsebene des Beleuchtungsfeldes lässt sich die Wirkung einer Intensitätskorrektur dieser Einzelblende auf Beleuchtungs-Einzelfelder, die im Beleuchtungsfeld überlagert werden und unterschiedliche Feldkrümmungen aufweisen, beeinflussen. Derartige Beleuchtungs-Einzelfelder können sich als Bilder von Feldfacetten einer Beleuchtungsoptik ergeben, die zur Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes herangezogen wird. Je nach Feldkrümmung der Beleuchtungs-Einzelfelder und je nach Abstand des freien Endes der jeweiligen Einzelblende zur Anordnungsebene des Beleuchtungsfeldes kann die Wirkung der Korrekturvorrichtung dann so ausgelegt werden, dass sie z.B. eine Telezentrie der Beleuchtung und/oder eine Feldabhängigkeit der Beleuchtung möglichst wenig beeinflusst. Ein unerwünschter Einfluss unterschiedlicher Feldkrümmungen derartiger Beleuchtungs-Einzelfelder auf die Wirkung der Beleuchtungsintensitäts-Korrektureinrichtung lässt sich somit vorteilhaft verringern. Mit der Korrekturvorrichtung kann sowohl eine Feldabhängigkeit einer Beleuchtungsintensität als auch eine Feldabhängigkeit einer Beleuchtungswinkelverteilung innerhalb vorgegebener Toleranzwerte gehalten werden.According to the invention, it has been recognized that a distance from free ends of the individual diaphragms used for intensity correction to the diaphragm reference plane and thus to the plane of arrangement for the illumination field need not necessarily be kept as small as possible relative to the plane of arrangement of the illumination field, ie to the object plane that it is possible to use this distance of the free ends of the individual apertures to the arrangement plane of the illumination field as a correction degree of freedom. By specifying the distance of the respective individual diaphragm to the arrangement plane of the illumination field, the effect of an intensity correction of this individual diaphragm on individual lighting fields which are superimposed in the illumination field and have different field curvatures can be influenced. Such lighting individual fields can result as images of field facets of a lighting optical system, which is used to illuminate the illumination field. Depending on the field curvature of the individual illumination fields and the distance of the free end of the respective individual diaphragm to the plane of arrangement of the illumination field, the effect of the correction device can then be designed so as to be e.g. a telecentricity of the lighting and / or a field dependence of the lighting influenced as little as possible. An undesirable influence of different field curvatures of such individual lighting fields on the effect of the illumination intensity correction device can thus be advantageously reduced. With the correction device, both a field dependence of an illumination intensity and a field dependence of an illumination angle distribution can be kept within predefined tolerance values.

Die Variation von Feldkrümmungswerten der Beleuchtungs-Einzelfelder führt dazu, dass im Bereich einer Feldebene nicht für alle Koordinaten der Korrekturdimension gleichzeitig alle Beleuchtungs-Einzelfelder längs einer Feldkante perfekt überlagert werden können. Die Abweichung der Überlagerungsqualität von einer perfekten Überlagerung ist korreliert mit dem Beleuchtungswinkel, aus dem die jeweiligen Feldpunkte beleuchtet werden, ist also korreliert mit einer Pupillenposition. Durch die Verwendung des zusätzlichen Korrekturfreiheitsgrades, also des Abstandes der freien Enden der Einzelblenden zur Anordnungsebene des Beleuchtungsfeldes, lässt sich gewährleisten, dass die Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung eine Intensität der Beleuchtung mit geringer oder verschwindender Beleuchtungswinkelabhängigkeit schwächt.The variation of field curvature values of the individual illumination fields leads to the fact that in the region of a field plane not all illumination individual fields along a field edge can be superimposed perfectly for all coordinates of the correction dimension at the same time. The deviation of the overlay quality from a perfect overlay is correlated with the illumination angle from which the respective field points are illuminated, that is correlated with a pupil position. By using the additional correction degree of freedom, ie the distance of the free ends of the individual apertures to the arrangement plane of the illumination field, it is possible to ensure that the illumination intensity correction device weakens an intensity of the illumination with little or no illumination angle dependency.

Insgesamt kann ein unerwünschter Einfluss der Korrekturvorrichtung auf eine Telezentrie der Beleuchtung verringert werden. Zur Definition der Telezentrie wird verwiesen auf die DE 10 2009 045 491 A1 .Overall, an undesirable influence of the correction device on a telecentricity of the illumination can be reduced. For the definition of telecentricity reference is made to the DE 10 2009 045 491 A1 ,

Die Telezentrie ist eine Messgröße für eine Beleuchtungswinkel-Schwerpunktlage der Energie bzw. Intensität der Beleuchtungslichtbeaufschlagung des Objektfeldes und/oder des Bildfeldes.The telecentricity is a measured variable for an illumination angle center of gravity of the energy or intensity of the illumination light exposure of the object field and / or the image field.

In jedem Feldpunkt des ausgeleuchteten Feldes ist ein Schwerstrahl eines diesem Feldpunkt zugeordneten Lichtbüschels definiert. Der Schwerstrahl hat dabei die energiegewichtete Richtung des von diesem Feldpunkt ausgehenden Lichtbüschels. Im Idealfall verläuft bei jedem Feldpunkt der Schwerstrahl parallel zum von der Beleuchtungsoptik bzw. der Projektionsoptik vorgegebenen Hauptstrahl.In each field point of the illuminated field, a heavy beam of a light tuft associated with this field point is defined. The heavy beam has the energy-weighted direction of the outgoing light beam from this field point. In the ideal case, at each field point the gravity jet runs parallel to the main beam predetermined by the illumination optics or the projection optics.

Die Richtung des Hauptstrahls ${\vec{s}}_{0} (x, y)$

ist anhand der Designdaten der Beleuchtungsoptik bzw. der Projektionsoptik bekannt. Der Hauptstrahl ist an einem Feldpunkt definiert durch die Verbindungslinie zwischen dem Feldpunkt und dem Mittelpunkt der Eintrittspupille der Projektionsoptik. Bei telezentrischer Beleuchtung kann der Hauptstrahl senkrecht auf der Feldebene stehen. Die Richtung des Schwerstrahls an einem Feldpunkt x, y im Feld in der jeweiligen Feldebene, beispielsweise in der Anordnungsebene des Retikels beziehungsweise der Maske, berechnet sich zu:

\vec{s} (x, y) = \frac{1}{\tilde{E} (x, y)} \int d u d v (\begin{matrix} u (x, y, u, v) \\ v (x, y, u, v) \end{matrix}) E (u, v, x, y)

The direction of the main jet

{\vec{s}}_{0} (x . y)

is known from the design data of the illumination optics or the projection optics. The main beam is defined at a field point by the connecting line between the field point and the center of the entrance pupil of the projection optics. With telecentric illumination, the main beam can be perpendicular standing on the field level. The direction of the heavy beam at a field point x, y in the field in the respective field plane, for example in the arrangement plane of the reticle or the mask, is calculated as:

\vec{s} (x . y) = \frac{1}{\tilde{e} (x . y)} \int d u d v (\begin{matrix} u (x . y . u . v) \\ v (x . y . u . v) \end{matrix}) e (u . v . x . y)

E (u,v,x,y) ist die Energieverteilung für den Feldpunkt x,y in Abhängigkeit von den Pupillenkoordinaten u,v, also in Abhängigkeit vom Beleuchtungswinkel, den der entsprechende Feldpunkt x, y sieht. Ẽ(x,y) = ∫ dudvE(u,v,x,y) ist dabei die Gesamtenergie, mit der der Punkt x,y beaufschlagt wird.E (u, v, x, y) is the energy distribution for the field point x, y as a function of the pupil coordinates u, v, ie as a function of the angle of illumination that the corresponding field point x, y sees. Ẽ (x, y) = ∫ dudvE (u, v, x, y) is the total energy with which the point x, y is applied.

Ein z. B. mittiger Bildfeldpunkt x₀, y₀ sieht die Strahlung von Strahlungs-Teilbündeln aus Richtungen u, v, die z.B. durch eine Position jeweiliger Pupillenfacetten auf einem Pupillenfacettenspiegel definiert sein können. Der Schwerstrahl s verläuft dann bei dieser Beleuchtung nur dann längs des Hauptstrahls, wenn sich die verschiedenen Energien bzw. Intensitäten der den Pupillenfacetten zugeordneten Strahlungs-Teilbündel zu einer über alle Pupillenfacetten integrierten Schwerstrahlrichtung zusammensetzen, die parallel zu einer Hauptstrahlrichtung des Beleuchtungslichts verläuft. Dies ist nur im Idealfall so. In der Praxis existiert eine Abweichung zwischen der Schwerstrahlrichtung $\vec{s} (x, y)$

und der Hauptstrahlrichtung

{\vec{s}}_{0} (x, y),

die als Telezentriefehler

{\vec{t}}_{0} (x, y)

bezeichnet wird:

\vec{t} (x, y) = \vec{s} (x, y) - {\vec{s}}_{0} (x, y)

A z. B. central image field point x ₀ , y ₀ sees the radiation of partial radiation bundles from directions u, v, which may be defined for example by a position of respective pupil facets on a Pupillenfacettenspiegel. In this illumination, the heavy beam s then runs along the main beam only when the various energies or intensities of the partial beam bundles associated with the pupil facets are combined to form a heavy-beam direction integrated over all pupil facets, which runs parallel to a main beam direction of the illumination light. This is only in the ideal case. In practice, there is a deviation between the direction of gravity

\vec{s} (x . y)

and the main beam direction

{\vec{s}}_{0} (x . y) .

as a telecentric error

{\vec{t}}_{0} (x . y)

referred to as:

\vec{t} (x . y) = \vec{s} (x . y) - {\vec{s}}_{0} (x . y)

Korrigiert werden muss im praktischen Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 nicht der lokale Telezentriefehler an einem bestimmten Bildfeldort (x, y), sondern der bei x = x₀ scanintegrierte Telezentriefehler. Dieser ergibt sich zu: $\vec{T} (x_{0}) = \frac{\int d y \tilde{E} (x_{0}, y) \vec{t} (x_{0}, y)}{\int d y \tilde{E} (x_{0}, y)} .$

Corrected must be in practical operation of the projection exposure system 1 not the local telecentricity error at a specific image field location (x, y), but the telecentricity error integrated at x = x ₀ scan. This results to:

\vec{T} (x_{0}) = \frac{\int d y \tilde{e} (x_{0} . y) \vec{t} (x_{0} . y)}{\int d y \tilde{e} (x_{0} . y)},

Es wird also der Telezentriefehler korrigiert, den ein durch das Bildfeld in der Bildebene während des Scannens laufender Punkt (x, z. B. xo) auf dem Wafer energiegewichtet aufintegriert erfährt. Unterschieden wird dabei zwischen einem x-Telezentriefehler und einem y-Telezentriefehler. Der x-Telezentriefehler T_x ist als Abweichung des Schwerstrahls vom Hauptstrahl senkrecht zur Scanrichtung, also über die Feldhöhe, definiert. Der y-Telezentriefehler T_y ist als die Abweichung des Schwerstrahls vom Hauptstrahl in Scanrichtung definiert.Thus, the telecentricity error is corrected which a point (x, eg xo) passing through the image field in the image plane during the scan experiences in an energy-weighted manner integrated on the wafer. A distinction is made between an x-telecentricity error and a y-telecentricity error. The x-telecentricity error T _x is defined as the deviation of the heavy beam from the main beam perpendicular to the scan direction, ie over the field height. The y-telecentricity error T _y is defined as the deviation of the centroid ray from the principal ray in the scan direction.

Die Stabachsen der Einzelblenden, also deren jeweilige Längsachsen, können parallel zu einer Verlagerungsrichtung eines bei einer Beleuchtung durch das Beleuchtungsfeld verlagerten Objektes verlaufen. Ein derartiger paralleler Verlauf der Stabachsen zu einer Objektverlagerungsrichtung ist allerdings nicht zwingend.The rod axes of the individual apertures, that is to say their respective longitudinal axes, can run parallel to a direction of displacement of an object displaced when illuminated by the illumination field. However, such a parallel course of the rod axes to an object displacement direction is not mandatory.

Bei montierter Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung kann die Blenden-Referenzebene mit einer Objektebene, also mit einer Anordnungsebene des Beleuchtungsfeldes, zusammenfallen.When the illumination intensity correction device is mounted, the diaphragm reference plane can coincide with an object plane, that is, with an arrangement plane of the illumination field.

Die Einzelblenden können als plane Blenden ausgeführt sein. Eine aufgrund dieses planen Blendenverlaufs definierte Einzelblendenebene kann parallel zur Anordnungsebene für das Beleuchtungsfeld verlaufen. Dies ist aber nicht zwingend.The individual apertures can be designed as flat apertures. A single diaphragm plane defined on the basis of this plane diaphragm course can run parallel to the arrangement plane for the illumination field. This is not mandatory.

Abstandsverläufe nach den Ansprüchen 2 und 3, also eine Vergrößerung eines Einzelblenden-Abstandes zu den Rändern der Korrekturvorrichtung hin nach Anspruch 2 oder eine Verkleinerung des Einzelblenden-Abstandes zu den Rändern der Korrekturrichtung hin nach Anspruch 3 hat sich je nach dem Einfluss der Beleuchtungsoptik auf die Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes hin als besonders geeignet herausgestellt. Ein Abstand der Einzelblenden kann bei einer Anordnung nach Anspruch 2 ausgehend von Zentralabschnitt der Korrekturvorrichtung monoton oder auch streng monoton steigen. Ein Abstand der Einzelblenden kann bei einer Anordnung nach Anspruch 3 ausgehend von Zentralabschnitt der Korrekturvorrichtung monoton oder auch streng monoton fallen.Distance progressions according to claims 2 and 3, ie an enlargement of a single aperture distance to the edges of the correction device towards claim 2 or a reduction of the individual aperture distance to the edges of the correction direction towards according to claim 3, depending on the influence of the illumination optics on the Illumination of the illumination field out proved to be particularly suitable. In the case of an arrangement according to claim 2, a spacing of the individual diaphragms can rise monotonically or else strictly monotonically starting from the central portion of the correction device. A distance of the individual apertures may fall monotonously or else strictly monotonically in an arrangement according to claim 3, starting from the central portion of the correction device.

Ein bogenförmiger Verlauf des Abstandes nach Anspruch 4 ist gut an typische zu kompensierende Abweichungen bei der Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes angepasst. Ein derartiger Verlauf kann konvex oder konkav sein und kann beispielsweise parabolisch sein. Ein solcher näherungsweise bogenförmiger Verlauf ergibt sich, indem die Abstandswerte der jeweiligen Einzelblenden, die den verschiedenen Abstands-Blendengruppen angehören, über die Korrekturdimension über eine Näherungsfunktion beispielsweise über einen Least Square Fit beschrieben werden. Die Näherungsfunktion hat dann den bogenförmigen Verlauf.An arcuate course of the distance according to claim 4 is well adapted to typical deviations to be compensated for the illumination of the illumination field. Such a course may be convex or concave and, for example, may be parabolic. Such an approximately arcuate profile is obtained by describing the distance values of the respective individual apertures which belong to the different distance aperture groups via the correction dimension via an approximation function, for example via a least square fit. The approximation function then has the arcuate course.

Ein alternierender Abstand nach Anspruch 5 ermöglicht es, die Einzelblenden z.B. im Zentralabschnitt längs der Korrekturdimension einander überlappend anzuordnen. Dies stellt sicher, dass das Beleuchtungsfeld über die gesamte Korrekturdimension mit den Einzelblenden beeinflusst werden kann.An alternating distance according to claim 5 makes it possible to use the individual apertures e.g. in the central portion along the correction dimension to arrange overlapping each other. This ensures that the illumination field can be influenced by the individual apertures over the entire correction dimension.

Eine Anpassung der Einzelblenden nach Anspruch 6 ermöglicht eine besonders präzise Beleuchtungsintensitätsvorgabe. Eine Stirnkante der Einzelblenden kann schräg zulaufend ausgeführt sein, z.B. unter einem Winkel von 45° zur Stabachse. Eine Stirnkante der Einzelblenden kann bogenförmig ausgeführt sein.An adaptation of the individual apertures according to claim 6 enables a particularly precise illumination intensity specification. A front edge of the Single apertures can be made tapered, for example at an angle of 45 ° to the rod axis. An end edge of the individual apertures can be arcuate.

Eine Kühleinrichtung nach Anspruch 7 ermöglicht eine Tolerierung einer hohen thermischen Last auf den Einzelblenden. Die Kühleinrichtung kann als Wasserkühlung ausgeführt sein.A cooling device according to claim 7 allows tolerating a high thermal load on the individual panels. The cooling device can be designed as water cooling.

Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 8 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Korrekturvorrichtung bereits erläutert wurden.The advantages of a lighting optical system according to claim 8 correspond to those which have already been explained above with reference to the correction device.

Eine Korrekturvorrichtung nach Anspruch 9 ist hinsichtlich einer beleuchtungsrichtungsunabhängigen Beleuchtungsintensitäts-Vorgabewirkung besonders präzise. Bei dem Abstand der Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung zur Feldebene der Beleuchtungsoptik handelt es sich um den Abstand der am weitesten von dieser Feldebene beabstandeten Einzelblende der Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung. Der Abstand zwischen einer Korrekturebene, in der die Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung angeordnet ist, und der Feldebene der Beleuchtungsoptik kann weniger als 10 mm oder auch weniger als 8 mm betragen.A correction device according to claim 9 is particularly precise with respect to an illumination direction independent illumination intensity predetermining effect. The distance of the illumination intensity correction device to the field plane of the illumination optical system is the distance of the individual diaphragm of the illumination intensity correction device that is furthest from this field plane. The distance between a correction plane in which the illumination intensity correction device is arranged and the field plane of the illumination optical system can be less than 10 mm or even less than 8 mm.

Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 10 und einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Korrekturvorrichtung und die Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Bei der Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage kann es sich um eine EUV-Lichtquelle handeln. Hier kommen die Vorteile der Korrekturvorrichtung besonders gut zu tragen.The advantages of a lighting system according to claim 10 and a projection exposure apparatus according to claim 11 correspond to those which have already been explained above with reference to the correction device and the illumination optics. The light source of the projection exposure apparatus may be an EUV light source. Here are the advantages of the correction device to wear particularly well.

Bei einer scannenden Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12 kommen die Vorteile der Korrekturvorrichtung besonders gut zum Tragen.In a scanning projection exposure apparatus according to claim 12, the advantages of the correction device are particularly useful.

Ein Verlagerungsantrieb nach Anspruch 13 ermöglicht es beispielsweise, der Korrekturvorrichtung zusätzlich die Funktion einer mitlaufenden Scanblende zu geben, sodass auch diese mitlaufende Scanblende durch die Korrekturvorrichtung ersetzt werden kann, was eine Bauraumkonkurrenz zusätzlich entspannt und eine Anordnung der Korrekturvorrichtung sehr nahe an der Feldebene der Beleuchtungsoptik ermöglicht.A displacement drive according to claim 13 makes it possible, for example, to give the correction device the additional function of a tracking scan aperture, so that this tracking scan aperture can also be replaced by the correction device, which additionally relaxes a design space competition and enables an arrangement of the correction device very close to the field plane of the illumination optics ,

Die Vorteile eines Verfahrens nach Anspruch 14 und eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements nach Anspruch 15 entsprechen denen, die vorstehend bereits erläutert wurden. Hergestellt werden kann insbesondere ein Halbleiterchip, beispielsweise ein Speicherchip.The advantages of a method according to claim 14 and of a microstructured or nanostructured component according to claim 15 correspond to those which have already been explained above. In particular, a semiconductor chip, for example a memory chip, can be produced.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:

1 schematisch und in Bezug auf eine Beleuchtungsoptik im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie;
2 eine Ausschnittsvergrößerung aus 1 im Bereich einer Retikel- bzw. Objektebene;
3 ebenfalls schematisch im Meridionalschnitt eine weitere Ausführung einer Beleuchtungsoptik, die anstelle der Beleuchtungsoptik nach 1 bei der Projektionsbelichtungsanlage zum Einsatz kommen kann;
4 schematisch eine Aufsicht auf ein Objektfeld der Beleuchtungsoptik nach den 1 oder 3 zusammen mit einer Fingerblende einer nur insoweit dargestellten Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung, wobei zwei Feldfacetten-Bilder im Objektfeld, also zwei Beleuchtungs-Einzelfelder, mit sehr stark übertriebener Krümmung dargestellt sind;
5 zwei Abschnitte eines Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik nach den 1 oder 3, die jeweils mehrere Pupillenfacetten aufweisen, über die eine Abbildung der beiden Feldfacetten erfolgen kann, die zu den beiden Facettenbildern mit Feldkrümmungen nach 4 führt;
6A schematisch eine Aufsicht auf einen gesamten Pupillenfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik nach 1 oder 3, wobei zusätzlich, angedeutet über unterschiedliche Schraffuren, der Wert einer Krümmung fc eines Facettenbildes, also eines Beleuchtungs-Einzelfeldes angegeben ist, welches über den jeweiligen Abschnitt des Pupillenfacettenspiegels abgebildet wird;
6B in einem Diagramm für eine weitere Ausführung der Beleuchtungsoptik eine Abhängigkeit der Krümmung fc von Beleuchtungs-Einzelfeldern von einer y-Koordinate des Pupillenfacettenspiegels;
7 in einer Ansicht gemäß Blickrichtung VII in 2 eine Variante einer Abstands-Anordnung von Einzelblenden der Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung zu einer Anordnungsebene eines Objekt- bzw. Beleuchtungsfeldes der Beleuchtungsoptik; und
8 in einer zu 7 ähnlichen Darstellung eine weitere Variante einer Abstands-Anordnung der Einzelblenden einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsintensitäts-Korrektur-vorrichtung.

Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:

1 schematically and with respect to a lighting system in the meridional section, a projection exposure apparatus for microlithography;
2 an excerpt from 1 in the area of a reticle or object plane;
3 also schematically in the meridional section a further embodiment of an illumination optical system, which instead of the illumination optics according to 1 can be used in the projection exposure system;
4 schematically a plan view of an object field of the illumination optical system according to 1 or 3 together with a finger aperture of an illumination intensity correction device shown only insofar as two field facet images in the object field, ie two individual illumination fields, are shown with a very greatly exaggerated curvature;
5 two sections of a pupil facet mirror of the illumination optics after the 1 or 3 , each having a plurality of pupil facets, via which a mapping of the two field facets can take place, following the two facet images with field curvatures 4 leads;
6A schematically a plan view of an entire pupil facet mirror of the illumination optical system 1 or 3 , wherein in addition, indicated by different hatching, the value of a curvature fc of a facet image, ie a lighting single field is indicated, which is imaged on the respective portion of the pupil facet mirror;
6B in a diagram for a further embodiment of the illumination optics, a dependence of the curvature fc of illumination single fields of a y-coordinate of the pupil facet mirror;
7 in a view according to viewing direction VII in 2 a variant of a spacing arrangement of individual apertures of the illumination intensity correction device to an arrangement plane of an object or illumination field of the illumination optical system; and
8th in one too 7 a similar representation of a further variant of a spacing arrangement of the individual apertures of a further embodiment of the illumination intensity correction device.

Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie dient zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten elektronischen Halbleiter-Bauelements. Eine Lichtquelle 2 emittiert zur Beleuchtung genutzte EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gas discharge produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist für die Lichtquelle 2 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Lichtquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6 859 515 B2 . Zur Beleuchtung und Abbildung innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird EUV-Beleuchtungslicht bzw. Beleuchtungsstrahlung in Form eines Abbildungslicht-Bündels 3 genutzt. Das Abbildungslicht-Bündel 3 durchläuft nach der Lichtquelle 2 zunächst einen Kollektor 4, bei dem es sich beispielsweise um einen genesteten Kollektor mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Mehrschalen-Aufbau oder alternativ um einen, dann hinter der Lichtquelle 2 angeordneten ellipsoidal geformten Kollektor handeln kann. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 4 durchtritt das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst eine Zwischenfokusebene 5, was zur Trennung des Abbildungslicht-Bündels 3 von unerwünschten Strahlungs- oder Partikelanteilen genutzt werden kann. Nach Durchlaufen der Zwischenfokusebene 5 trifft das Abbildungslicht-Bündel 3 zunächst auf einen Feldfacettenspiegel 6. Feldfacetten des Feldfacettenspiegels sind nicht dargestellt. Derartige Feldfacetten können rechteckig oder bogenförmig sein, wie beispielsweise in der US 2015/0015865 A1 bzw. den dort angegebenen Referenzen beschrieben. A projection exposure machine 1 for microlithography is used to produce a micro- or nanostructured electronic semiconductor device. A light source 2 emits EUV radiation used for illumination in the wavelength range, for example between 5 nm and 30 nm. For the light source 2 it can be a GDPP source (plasma discharge by gas discharge, gas discharge produced plasma) or an LPP source (plasma generation by laser, laser produced plasma). Also, a radiation source based on a synchrotron is for the light source 2 used. Information about such a light source is the expert, for example in the US 6,859,515 B2 , For illumination and imaging within the projection exposure system 1 becomes EUV illumination light or illumination radiation in the form of an imaging light beam 3 used. The picture light bundle 3 goes through the light source 2 first a collector 4 , which is, for example, a nested collector with a known from the prior art multi-shell structure or alternatively to one, then behind the light source 2 arranged ellipsoidal shaped collector can act. A corresponding collector is from the EP 1 225 481 A known. After the collector 4 passes through the EUV illumination light 3 first an intermediate focus level 5 What the separation of the picture light bundle 3 can be used by unwanted radiation or particle fractions. After passing through the Zwischenfokusebene 5 meets the picture light bundle 3 first on a field facet mirror 6 , Field facets of the field facet mirror are not shown. Such field facets may be rectangular or arcuate, such as in the US 2015/0015865 A1 or the references given there.

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der Zeichnung jeweils ein kartesisches globales xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben.To facilitate the description of positional relationships, a Cartesian global xyz coordinate system is shown in the drawing. The x-axis runs in the 1 perpendicular to the drawing plane and out of it. The y-axis runs in the 1 to the right. The z-axis runs in the 1 up.

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen bei einzelnen optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird in den nachfolgenden Figuren jeweils auch ein kartesisches lokales xyz- oder xy-Koordinatensystem verwendet. Die jeweiligen lokalen xy-Koordinaten spannen, soweit nichts anderes beschrieben ist, eine jeweilige Hauptanordnungsebene der optischen Komponente, beispielsweise eine Reflexionsebene, auf. Die x-Achsen des globalen xyz-Koordinatensystems und der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme verlaufen parallel zueinander. Die jeweiligen y-Achsen der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme haben einen Winkel zur y-Achse des globalen xyz-Koordinatensystems, die einem Kippwinkel der jeweiligen optischen Komponente um die x-Achse entspricht.To facilitate the description of positional relationships in individual optical components of the projection exposure apparatus 1 In each of the following figures, a Cartesian local xyz or xy coordinate system is used. Unless otherwise described, the respective local xy coordinates span a respective main assembly plane of the optical component, for example a reflection plane. The x-axes of the xyz global coordinate system and the local xyz or xy coordinate systems are parallel. The respective y-axes of the local xyz or xy coordinate systems have an angle to the y-axis of the global xyz coordinate system, which corresponds to a tilt angle of the respective optical component about the x-axis.

Die Feldfacetten haben jeweils das gleiche x/y-Aspektverhältnis. Das x/y-Aspektverhältnis kann beispielsweise 12/5, kann 25/4, kann 104/8, kann 20/1 oder kann 30/1 betragen.The field facets each have the same x / y aspect ratio. The x / y aspect ratio may be, for example, 12/5, 25/4, 104/8, 20/1, or 30/1.

Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 6 trifft das in Abbildungslicht-Teilbündel, die den einzelnen Feldfacetten zugeordnet sind, aufgeteilte Abbildungslicht-Bündel 3 auf einen Pupillenfacettenspiegel 10. Das jeweilige Abbildungslicht-Teilbündel des gesamten Abbildungslicht-Bündels 3 ist längs jeweils eines Abbildungslichtkanals geführt.After reflection at the field facet mirror 6 the image light bundles split into imaging light sub-bundles associated with the individual field facets 3 on a pupil facet mirror 10 , The respective imaging light sub-beam of the entire imaging light beam 3 is guided along each of a picture light channel.

6A zeigt eine beispielhafte Facettenanordnung von runden Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10, der beispielhaft mit runder Randkontur dargestellt ist. Die Pupillenfacetten 11 sind um ein Zentrum herum angeordnet. Je nach Ausführung einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage 1 kann im Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 10 eine Öffnung 10a vorliegen oder nicht. Wenn die Öffnung 10a vorliegt, kann der Platz in der Öffnung 10a zum Beispiel für Sensoren genutzt werden. Wenn keine Öffnung vorliegt, also auch im Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 10 die Pupillenfacetten 11 vorliegen, können auch bei einer obskurierten Ausführung einer nachfolgenden Projektionsoptik die im normalerweise geblockten Zentrum der Pupille, also im Bereich der dann nicht vorliegenden Öffnung 10a, vorhandenen Pupillenfacetten für eine Dunkelfeldbeleuchtung genutzt werden, wobei über diese zentralen Pupillenfacetten transportiertes Licht nur in höherer Beugungsordnung zur Abbildung bei der Projektionsbelichtung beiträgt. 6A shows an exemplary facet arrangement of round pupil facets 11 of the pupil facet mirror 10 , which is shown by way of example with round edge contour. The pupil facets 11 are arranged around a center. Depending on the design of the illumination optics of the projection exposure system 1 can be in the center of the pupil facet mirror 10 an opening 10a present or not. If the opening 10a is present, the place in the opening 10a for example, be used for sensors. If there is no opening, so also in the center of the pupil facet mirror 10 the pupil facets 11 may be present, even in an obscured execution of a subsequent projection optics in the normally blocked center of the pupil, ie in the region of the then not present opening 10a existing pupil facets are used for a dark field illumination, whereby light transported via these central pupil facets only contributes to imaging in the projection exposure in a higher diffraction order.

Jedem von einer der Feldfacetten reflektierten Abbildungslicht-Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 ist eine Pupillenfacette 11 zugeordnet, so dass jeweils ein beaufschlagtes Facettenpaar mit einer der Feldfacetten und einer der Pupillenfacetten 11 den Abbildungslicht- bzw. Ausleuchtungskanal für das zugehörige Abbildungslicht-Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 vorgibt. Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten 11 zu den Feldfacetten erfolgt abhängig von einer gewünschten Beleuchtung durch die Projektionsbelichtungsanlage 1.Each imaging light sub-beam of the EUV illumination light reflected from one of the field facets 3 is a pupil facet 11 assigned so that in each case an acted facet pair with one of the field facets and one of the pupil facets 11 the imaging light or illumination channel for the associated imaging light sub-beam of the EUV illumination light 3 pretends. The channel-wise assignment of the pupil facets 11 to the field facets is dependent on a desired illumination by the projection exposure system 1 ,

Über den Pupillenfacettenspiegel 10 und eine nachfolgende, aus drei EUV-Spiegeln 12, 13, 14 bestehenden Übertragungsoptik 15 werden die Feldfacetten in eine Objektebene 16 der Projektionsbelichtungsanlage 1 abgebildet. Der EUV-Spiegel 14 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Grazing-Incidence-Spiegel) ausgeführt. In der Objektebene 16 ist ein Retikel 17 angeordnet, von dem mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 ein Ausleuchtungsbereich ausgeleuchtet wird, der mit einem Objektfeld 18 einer nachgelagerten Projektionsoptik 19 der Projektionsbelichtungsanlage 1 zusammenfällt. Der Ausleuchtungsbereich wird auch als Beleuchtungsfeld bezeichnet. Das Objektfeld 18 ist je nach der konkreten Ausführung einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage 1 rechteckig oder bogenförmig. Die Abbildungslichtkanäle werden im Objektfeld 18 überlagert. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 wird vom Retikel 17 reflektiert. Das Retikel 17 wird von einem Objekthalter 17a gehaltert, der längs der Verlagerungsrichtung y mit Hilfe eines schematisch angedeuteten Objektverlagerungsantriebs 17b angetrieben verlagerbar ist.About the pupil facet mirror 10 and a subsequent one, from three EUV mirrors 12 . 13 . 14 existing transmission optics 15 the field facets become an object plane 16 the projection exposure system 1 displayed. The EUV level 14 is designed as a grazing incidence mirror. In the object plane 16 is a reticle 17 arranged, of which with the EUV illumination light 3 illuminated a lighting area that is, with an object field 18 a downstream projection optics 19 the projection exposure system 1 coincides. The illumination area is also called a lighting field. The object field 18 is depending on the specific design of a lighting optics of the projection exposure system 1 rectangular or arcuate. The image light channels are in the object field 18 superimposed. The EUV lighting light 3 is from the reticle 17 reflected. The reticle 17 is from an object holder 17a held along the displacement direction y by means of a schematically indicated object displacement drive 17b is driven displaced.

Die Projektionsoptik 19 bildet das Objektfeld 18 in der Objektebene 16 in ein Bildfeld 20 in einer Bildebene 21 ab. In dieser Bildebene 21 ist ein Wafer 22 angeordnet, der eine lichtempfindliche Schicht trägt, die während der Projektionsbelichtung mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 belichtet wird. Der Wafer 22, also das Substrat, auf welches abgebildet wird, wird von einem Wafer- bzw. Substrathalter 22a gehaltert, der längs der Verlagerungsrichtung y mit Hilfe eines ebenfalls schematisch angedeuteten Waferverlagerungsantriebs 22b synchron zur Verlagerung des Objekthalters 17a verlagerbar ist. Bei der Projektionsbelichtung werden sowohl das Retikel 17 als auch der Wafer 22 in der y-Richtung synchronisiert gescannt. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Die Scanrichtung y ist die Objektverlagerungsrichtung.The projection optics 19 forms the object field 18 in the object plane 16 in a picture field 20 in an image plane 21 from. In this picture plane 21 is a wafer 22 which carries a photosensitive layer during projection exposure with the projection exposure apparatus 1 is exposed. The wafer 22 That is, the substrate to be imaged on is from a wafer or substrate holder 22a held along the displacement direction y by means of a likewise schematically indicated Waferverlagerungsantriebs 22b synchronous to the displacement of the object holder 17a is relocatable. In the projection exposure, both the reticle 17 as well as the wafer 22 scanned synchronized in the y-direction. The projection exposure machine 1 is designed as a scanner. The scanning direction y is the object displacement direction.

Benachbart zur Objektebene 16 angeordnet ist eine Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung 24, die nachfolgend noch näher erläutert wird. Die Korrekturvorrichtung 24, die auch als UNICOM bezeichnet wird, dient unter anderem zur Einstellung einer scanintegrierten, also in y-Richtung integrierten, Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts über das Objektfeld 18. Die Korrekturvorrichtung 24 wird von einer Steuereinrichtung 25 angesteuert. Beispiele einer Feld-Korrektur-Vorrichtung sind bekannt aus der WO 2009/074 211 A1 , der EP 0 952 491 A2 , der DE 10 2008 013 229 A1 und aus der US 2015/0015865 A1 .Adjacent to the object plane 16 arranged is an illumination intensity correction device 24 , which will be explained in more detail below. The correction device 24 , which is also called UNICOM, is used, among other things, to set a scan-integrated intensity distribution of the illumination light over the object field, that is integrated in the y direction 18 , The correction device 24 is from a controller 25 driven. Examples of a field correction device are known from the WO 2009/074 211 A1 , the EP 0 952 491 A2 , the DE 10 2008 013 229 A1 and from the US 2015/0015865 A1 ,

Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 10, die Spiegel 12 bis 14 der Übertragungsoptik 15 sowie die Korrekturvorrichtung 24 sind Bestandteile der Beleuchtungsoptik 26 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Gemeinsam mit der Projektionsoptik 19 bildet die Beleuchtungsoptik 26 ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1.The field facet mirror 6 , the pupil facet mirror 10 , the mirror 12 to 14 the transmission optics 15 as well as the correction device 24 are components of the lighting optics 26 the projection exposure system 1 , Together with the projection optics 19 forms the illumination optics 26 an illumination system of the projection exposure apparatus 1 ,

2, 4 und 5 zeigen die Korrekturvorrichtung 24 stärker im Detail. 2 . 4 and 5 show the correction device 24 stronger in detail.

Die 2 zeigt eine im Vergleich zur 1 vergrößerte Darstellung mit einigen zusätzlichen Details, die nicht maßstabsgetreu zur 1 ist.The 2 shows one compared to 1 enlarged illustration with some additional details that are not to scale 1 is.

Die 4 zeigt schematisch eine Aufsicht auf das Objektfeld 18, zusammen mit einer beispielhaft dargestellten, fingerförmigen Einzelblende 27 der Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung 24. Diese Aufsicht nach 4 zeigt beispielhaft zwei Feldfacetten-Bilder FFI1, FFI2, die zu zwei verschiedenen Ausleuchtungskanälen der Beleuchtungsoptik 26 gehören. Diese Feldfacetten-Bilder FFI1, FFI2 stellen Beleuchtungs-Einzelfelder des insgesamt durch Überlagerung aller Feldfacetten-Bilder entstehenden Beleuchtungsfeldes 18 dar.The 4 schematically shows a plan view of the object field 18 , together with an exemplified, finger-shaped single panel 27 the illumination intensity correction device 24 , This supervision after 4 shows by way of example two field faceted images FFI1 . FFI2 leading to two different illumination channels of the illumination optics 26 belong. These field faceted pictures FFI1 . FFI2 provide individual illumination fields of the overall resulting by superposition of all field facet images illumination field 18 represents.

Das Feldfacettenbild FFI1 entsteht durch Abbildung einer der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 6 über eine der Pupillenfacetten 11 eines ersten Pupillenfacettenabschnitts PFA1 (vgl. die 5, die abschnittsweise eine weitere Ausführung eines Pupillenfacettenspiegels 10 mit elliptischer Randkontur zeigt) des Pupillenfacettenspiegels 10. Bei dem Pupillenfacettenabschnitt PFA1 handelt es sich um einen in der 5 unteren Abschnitt des Pupillenfacettenspiegels 10 mit denjenigen Pupillenfacetten 11 mit kleinster y-Pupillenkoordinate y_PF .The field facet image FFI1 arises by mapping one of the field facets of the field facet mirror 6 over one of the pupil facets 11 a first pupil facet section PFA1 (see the 5 , the sections another embodiment of a Pupillenfacettenspiegels 10 with elliptical edge contour shows) of the pupil facet mirror 10 , In the pupil facet section PFA1 it is one in the 5 lower portion of the pupil facet mirror 10 with those pupil facets 11 with the smallest y-pupil coordinate y _PF ,

Das zweite in der 4 dargestellte Feldfacettenbild FFI2 entsteht durch Abbildung einer anderen der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 6 über einen Ausleuchtungskanal mit einer Pupillenfacette 11 aus einem zweiten, in der 5 oben dargestellten Pupillenfacettenabschnitt PFA2. Zum Pupillenfacettenabschnitt PFA2 gehören diejenigen Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10 mit den größten y-Pupillenkoordinaten y_PF .The second in the 4 illustrated field facet image FFI2 is formed by mapping another of the field facets of the field facet mirror 6 via an illumination channel with a pupil facet 11 from a second, in the 5 Pupil facet section shown above PFA2 , To the pupil facet section PFA2 include those pupil facets 11 of the pupil facet mirror 10 with the largest y-pupil coordinates y _PF ,

Krümmungen der beiden Feldfacettenbilder FFI1, FFI2 sind in der 4 als resultierende Krümmungen nach Abzug eines Mittelwerts der Krümmungen aller Facettenbilder dargestellt. Eine in der 4 nach oben (positive y-Werte) ausgebauchte Krümmung wie beim Feldfacettenbild FFI1 wird nachfolgend als Feldkrümmung fc mit kleinem Absolutwert und eine Feldkrümmung, die in der 4 nach unten (kleine y-Werte) ausgebaucht ist, wird als Feldkrümmung fc mit großem Absolutwert verstanden.Curvatures of the two field facet images FFI1 . FFI2 are in the 4 as resulting curvatures after subtraction of an average of the curvatures of all the facet images. One in the 4 upward (positive y values) bulged curvature as in the field facet image FFI1 is hereinafter referred to as a field curvature fc with a small absolute value and a field curvature, which in the 4 is bulged down (small y-values), is called field curvature fc understood with a high absolute value.

6A deutet an, wie abhängig von der Führung der Ausleuchtungskanäle über den Pupillenfacettenspiegel 10 aufgrund der Faltgeometrie der jeweiligen Ausleuchtungskanäle eine unterschiedliche Krümmung fc der Beleuchtungs-Einzelfelder, also der Bilder der jeweils über den Ausleuchtungskanal abgebildeten Feldfacetten, resultiert. Bei kleinsten y-Koordinaten y_PF des Pupillenfacettenspiegels 10 ist diese Feldkrümmung fc minimal und steigt dann mit zunehmender y-Koordinate y_PF des Pupillenfacettenspiegels 10 streng monoton und in etwa linear an und hat bei den größten y-Koordinatenwerten y_PF des Pupillenfacettenspiegels 10 den größten Wert der Feldkrümmung. 6A indicates how dependent on the guidance of the illumination channels over the pupil facet mirror 10 Due to the folding geometry of the respective illumination channels, a different curvature fc of the individual illumination fields, that is to say of the images of the field facets imaged via the illumination channel, respectively, results. At smallest y-coordinates y _PF of the pupil facet mirror 10 is this field curvature fc minimal and then increases with increasing y-coordinate y _PF of the pupil facet mirror 10 strictly monotone and about linear and has the largest y coordinate values y _PF of the pupil facet mirror 10 the greatest value of field curvature.

Wie im Zusammenhang mit den 4 und 5 bereits erläutert, haben daher Ausleuchtungskanäle, die über den in der 6 unteren Abschnitt des Pupillenfacettenspiegels 10 (kleine y-Koordinatenwerte) geführt werden, eine andere Feldkrümmung als diejenigen Feldfacettenbilder FFI, die vom in der 6 oberen Abschnitt des Pupillenfacettenspiegels 10 geführt werden.As related to the 4 and 5 have already been explained, therefore, have illumination channels over the in the 6 lower portion of the pupil facet mirror 10 (small y-coordinate values), a field curvature different from those of the field facet images FFI from the in the 6 upper portion of the pupil facet mirror 10 be guided.

6B zeigt anhand eines Diagramms die Abhängigkeit der Krümmung fc der Beleuchtungs-Einzelfelder von der y-Koordinate y_PF des Pupillenfacettenspiegels 10 für eine andere Auslegung der Beleuchtungsoptik, die zu einer im Vergleich zur 6A gegenläufigen fc (y_PF)-Abhängigkeit führt. Jeder Datenpunkt im Diagramm der 6B stellt dabei die Feldkrümmung fc genau eines Beleuchtungs-Einzelfeldes dar. Bei kleinsten y-Koordinaten y_PF des Pupillenfacettenspiegels 10 ist die Feldkrümmung fc bei der Ausführung nach 6B im Mittel maximal und fällt im Mittel dann hin zu größeren y-Koordinaten y_PF des Pupillenfacettenspiegels 10 ab. Der fallende Verlauf des Mittelwertes der Feldkrümmung fc mit zunehmender y-Koordinate y_PF ist in etwa linear. Eine Streuung der Feldkrümmungen fc nimmt mit zunehmender y-Koordinate y_PF zu. 6B shows by means of a diagram the dependence of the curvature fc of the lighting individual fields of the y-coordinate y _PF of the pupil facet mirror 10 for a different interpretation of the illumination optics, which compared to one 6A opposite fc (y _PF ) dependence leads. Each data point in the diagram of 6B represents the field curvature fc of exactly one illumination single field. For the smallest y-coordinates y _PF of the pupil facet mirror 10 is the field curvature fc in the execution after 6B on average maximum and then falls on average then to larger y-coordinates y _PF of the pupil facet mirror 10 from. The decreasing profile of the mean value of field curvature fc with increasing y-coordinate y _PF is approximately linear. A scattering of the field curvatures fc increases with increasing y-coordinate y _PF to.

Die Korrekturvorrichtung 24 hat eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten stabförmigen Einzelblenden 27. In den schematischen Darstellungen nach den 7 und 8 mit Blickrichtung jeweils längs der Stabachsen sind neun derartige Einzelblenden 27 dargestellt. In der Praxis ist die Anzahl der Einzelblenden 27 jedoch viel höher und kann größer sein als 10, kann größer sein als 25, kann größer sein 50 und kann auch größer sein als 100. Entsprechend ist eine x-Erstreckung der jeweiligen Einzelblende 27 um ein Vielfaches kleiner als die x-Erstreckung des Beleuchtungsfeldes 18. Benachbarte der Einzelblenden 27 können in der x-Dimension miteinander überlappen. Ein derartiger Überlapp ist kleiner als eine Hälfte einer x-Erstreckung der Einzelblenden 27.The correction device 24 has a plurality of juxtaposed rod-shaped individual apertures 27 , In the schematic representations after the 7 and 8th with view in each case along the rod axes are nine such individual apertures 27 shown. In practice, the number of individual apertures 27 however, much higher and may be greater than 10, may be greater than 25, may be greater 50 and may be greater than 100. Accordingly, an x-extension of the respective individual panel 27 many times smaller than the x-extension of the illumination field 18 , Neighboring the individual panels 27 can overlap each other in the x-dimension. Such an overlap is smaller than one half of an x-extension of the individual apertures 27 ,

Die Einzelblenden 27 haben Stabachsen 28, also Mittellängsachsen der stabförmigen Einzelblenden 27, die parallel zueinander längs der y-Richtung verlaufen. Die Einzelblenden 27 sind quer zu den Stabachsen 28, also längs der x-Richtung, nebeneinander aufgereiht angeordnet, wie die Ansichten der beiden alternativen Anordnungen nach den 7 und 8 verdeutlichen, die die Einzelblenden 27 aus einer Blickrichtung parallel zu den Stabachsen zeigen.The individual panels 27 have bar axes 28 , ie central longitudinal axes of the rod-shaped individual apertures 27 which run parallel to each other along the y-direction. The individual panels 27 are transverse to the bar axes 28 , So along the x-direction, juxtaposed arranged as the views of the two alternative arrangements according to the 7 and 8th clarify the individual screens 27 from a line of sight parallel to the rod axes point.

Längs ihrer jeweiligen Stabachse sind die Einzelblenden 27 mit Hilfe jeweils eines zugeordneten Verlagerungsantriebs bzw. Verlagerungsaktors 29 verlagerbar. In der 2 ist einer derartiger Verlagerungsantrieb 29 für eine der Einzelblenden 27 schematisch dargestellt. Jede der Einzelblenden 27 hat einen eigenen Verlagerungsantrieb 29, wobei die verschiedenen Verlagerungsantriebe 29 unabhängig voneinander zur individuellen Vorgabe einer y-Position freier Enden 30 der Einzelblenden ansteuerbar sind. Diese Verlagerbarkeit dient zur Vorgabe einer längs einer Intensitäts-Korrekturdimension x quer zu den Stabachsen 28 wirkenden Intensitätskorrektur der Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes 18.Along their respective rod axis are the individual apertures 27 with the help of a respective associated displacement drive or displacement actuator 29 displaced. In the 2 is such a displacement drive 29 for one of the individual apertures 27 shown schematically. Each of the individual screens 27 has its own displacement drive 29 , where the different displacement drives 29 independent of each other for individual specification of a y-position free ends 30 the individual apertures can be controlled. This displaceability serves to specify one along an intensity correction dimension x transversely to the rod axes 28 acting intensity correction of the illumination of the illumination field 18 ,

Der Intensitätskorrektur-Verlagerungsaktor 29 dient zur Verlagerung der jeweiligen Einzelblende 27 zwischen verschiedenen Intensitätskorrektur-Verlagerungspositionen. Die Verlagerung in die jeweilige Intensitätskorrektur-Verlagerungsposition dient zur individuellen Vorgabe einer scanintegrierten Intensitätskorrektur einer Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes 18.The intensity correction displacement factor 29 serves to relocate the respective individual panel 27 between different intensity correction shift positions. The displacement into the respective intensity correction displacement position serves for the individual specification of a scan-integrated intensity correction of an illumination of the illumination field 18 ,

Verschiedene Intensitätskorrektur-Verlagerungspositionen unterscheiden sich darin, wie weit die jeweilige Einzelblende 27 in der y-Richtung in das Beleuchtungsfeld 18, also in das hiermit zusammenfallende Bündel des Beleuchtungslichts 3, eingefahren ist.Different intensity correction displacement positions differ in how far the respective individual aperture 27 in the y-direction in the illumination field 18 , ie in the bundle of illumination light that coincides with this 3 , retracted.

Alle Einzelblenden 27 werden in das EUV-Beleuchtungslicht 3 von ein und derselben Seite her eingeschoben.All single screens 27 be in the EUV lighting light 3 inserted from one and the same side.

Mithilfe der Steuereinrichtung 25 können die Einzelblenden 27 unabhängig voneinander in der y-Richtung in eine vorgegebene Position eingestellt werden. Je nachdem in welcher Feldhöhe, also in welcher x-Position, ein Objektpunkt auf dem Retikel 17 das Objektfeld 18 passiert, wird der Scanweg dieses Objektpunktes in y-Richtung und damit die integrierte Intensität der an dieser x-Position überlagerten Abbildungslicht-Teilbündel des gesamten Abbildungslicht-Bündels 3, die dieser Objektpunkt erfährt, von der y-Position der jeweiligen Einzelblende 27 bestimmt. Auf diese Weise kann über eine Vorgabe der y-Positionen der Einzelblenden 27 eine vorgegebene Verteilung der das Retikel 17 beleuchtenden Intensität des Abbildungslicht-Teilbündels 3 erreicht werden.Using the controller 25 can the individual screens 27 be set independently in the y-direction in a predetermined position. Depending on which field height, ie in which x-position, an object point on the reticle 17 the object field 18 the scanning path of this object point in the y-direction and thus the integrated intensity of the imaging light sub-beams of the entire imaging light bundle superimposed on this x-position, is effected 3 which this object point experiences, from the y-position of the respective individual aperture 27 certainly. In this way it is possible to specify the y-positions of the individual apertures via a specification 27 a predetermined distribution of the reticle 17 illuminating intensity of the picture light sub-beam 3 be achieved.

Die Verlagerungsgenauigkeit des Intensitätskorrektur-Verlagerungsaktors 29 längs der y-Richtung ist im Vergleich zur y-Erstreckung des Beleuchtungsfeldes 18 von etwa 8 mm sehr hoch und kann eine Genauigkeit von beispielsweise weniger als 10 µm, zum Beispiel im Bereich von 5 µm oder sogar noch darunter, erreichen.The displacement accuracy of the intensity correction displacement actuator 29 along the y-direction is compared to the y-extension of the illumination field 18 of about 8 mm very high and can achieve an accuracy of, for example, less than 10 microns, for example in the range of 5 microns or even lower.

Die Intensitätskorrektur-Verlagerungsaktoren 29 können ausgeführt sein als Linearaktoren mit piezoelektrischem Wirkprinzip, mit elektrostatischem Wirkprinzip, mit elektromagnetischem Wirkprinzip, mit magnetostriktivem Wirkprinzip oder mit thermoelektrischem Wirkprinzip.The intensity correction displacement factors 29 can be designed as linear actuators with piezoelectric operating principle, with electrostatic action principle, with electromagnetic action principle, with magnetostrictive operating principle or with thermoelectric operating principle.

Der Verlagerungsantrieb 29 für die Einzelblenden 27 kann so ausgeführt sein, dass er eine Verlagerungsgeschwindigkeit zumindest einiger der Einzelblenden 27 ermöglicht, die so schnell ist, wie eine Objektverlagerungsgeschwindigkeit des Objektverlagerungsantriebs 17b.The displacement drive 29 for the individual screens 27 may be configured to have a displacement speed of at least some of the individual apertures 27 which is as fast as an object displacement speed of the object displacement actuator 17b ,

Die freien Enden 30 der Einzelblenden 27 können an eine Berandungsform des Beleuchtungsfeldes 18 angepasst geformt sein, können beispielsweise also zur Anpassung an ein bogenförmiges Beleuchtungsfeld 18 komplementär gebogen geformt sein.The free ends 30 the individual screens 27 can be connected to a boundary shape of the illumination field 18 adapted to be shaped, so for example, to adapt to an arcuate illumination field 18 be formed complementarily curved.

Die Stirnkanten der freien Enden 30 der Einzelblenden 27 sind zum Beleuchtungsfeld 18 angepasst schräg zulaufend ausgeführt. Je nach der x-Position der jeweiligen Intensitätskorrektur-Einzelblende 27 kann die Stirnkante z.B. unter einem Winkel von 30°, 40°, 45°, 50° oder 60° zur Stabachse schräg zulaufend ausgeformt sein. Alternativ oder zusätzlich können die Stirnkanten 30 angepasst an das bogenförmige Beleuchtungsfeld 18 auch bogenförmig gekrümmt ausgeführt sein.The front edges of the free ends 30 the individual screens 27 are to the lighting field 18 adapted tapered running. Depending on the x position of the respective intensity correction single iris 27 For example, the front edge may be formed at an angle of 30 °, 40 °, 45 °, 50 ° or 60 ° to the rod axis tapered. Alternatively or additionally, the front edges 30 adapted to the arcuate illumination field 18 be executed arcuate curved.

Die Einzelblenden 27 gehören jeweils zu mehreren Abstands-Blendengruppen. Bei der Ausführung nach 7 liegen vier derartige Abstands-Blendengruppen I bis IV vor, wobei in der 7 diejenigen Einzelblenden 27, die zu einer dieser Abstands-Blendengruppen I bis IV gehören, mit der entsprechenden römischen Ziffer indiziert sind. Die freien Enden 30 der Einzelblenden 27_I bis 27_IV jeder der Abstands-Blendengruppen I bis IV haben einen anderen Abstand a_I bis a_IV zu einer Blenden-Referenzebene, die bei den dargestellten Ausführungen mit der Objektebene 16 zusammenfällt. Die Blenden-Referenzebene ist aufgespannt von einer Stab-Referenzachse parallel zu den Stabachsen 28, also parallel zur y-Achse und einer Korrektur-Referenzachse längs der Korrekturdimension x. Die Blenden-Referenzebene gibt eine Anordnungsebene, nämlich die Objektebene 16, für das Beleuchtungsfeld 18 vor.The individual panels 27 each belong to several distance aperture groups. In the execution after 7 there are four such spacing aperture groups I to IV before, being in the 7 those individual screens 27 leading to one of these distance aperture groups I to IV are indexed with the corresponding Roman numeral. The free ends 30 the individual screens 27 _I to 27 _IV each of the spacing aperture groups I to IV have a different distance a _I to a _IV to an aperture reference plane, which in the illustrated embodiments with the object plane 16 coincides. The diaphragm reference plane is spanned by a rod reference axis parallel to the rod axes 28 , ie parallel to the y-axis and a correction reference axis along the correction dimension x. The iris reference plane gives an arrangement plane, namely the object plane 16 , for the lighting field 18 in front.

Bei den dargestellten Ausführungen verlaufen die Stabachsen 28 parallel zur Objektverlagerungsrichtung y. Dies ist allerdings nicht zwingend. Die Stabachsen 28 können auch unter einem Winkel zur Objektverlagerungsrichtung y verlaufen.In the illustrated embodiments, the rod axes run 28 parallel to the object displacement direction y. However, this is not mandatory. The bar axes 28 may also be at an angle to the object displacement direction y.

Gesehen in der x-Dimension hat die Einzelblenden-Anordnung der Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung 24 einen Zentralabschnitt 31, dem die über die x-Dimension gesehenen mittleren drei Einzelblenden 27, nämlich eine Einzelblende 27_II , gehörend zur Abstands-Blendengruppe II und dieser in positiver x-Richtung und in negativer x-Richtung jeweils direkt benachbart zwei Einzelblenden 27_I der Abstands-Blendengruppe I angehören. Ausgehend von dem Zentralabschnitt 31 steigt ein Abstand der jeweiligen Blendengruppe zur Blenden-Referenzebene 16, gesehen längs der Korrekturdimension, also gesehen einerseits in positiver x-Richtung und andererseits in negativer x-Richtung mit steigendem Abstand der jeweiligen Einzelblenden 27 zum Zentralabschnitt 31 an. Die dem Zentralabschnitt 31 in positiver x-Richtung und in negativer x-Richtung direkt benachbarten Einzelblenden 27_II gehören zur Blendengruppe II und haben den Abstand an zur Objektebene 16, der größer ist als der Abstand a_I . Die sich hieran in positiver und negativer x-Richtung jeweils anschließenden Einzelblenden 27_III haben zur Objektebene 16 einen Abstand am, der wiederum größer ist als der Abstand an. Die sich dann wiederum anschließenden Einzelblenden 27_IV haben einen Abstand a_lV , der wiederum größer ist als der Abstand am.Seen in the x-dimension, the single-aperture array has the illumination intensity correction device 24 a central section 31 to which the middle three individual apertures seen over the x-dimension 27 namely a single panel 27 _II , belonging to the distance aperture group II and this in the positive x-direction and in the negative x-direction each directly adjacent two individual apertures 27 _I the distance aperture group I belong. Starting from the central section 31 increases a distance of the respective aperture group to the aperture reference plane 16 , Seen along the correction dimension, that is seen on the one hand in the positive x-direction and on the other hand in a negative x-direction with increasing distance of the respective individual apertures 27 to the central section 31 on. The central section 31 in positive x-direction and in negative x-direction directly adjacent single apertures 27 _II belong to the aperture group II and have the distance to the object plane 16 which is larger than the distance a _I , The individual apertures connected thereto in positive and negative x-direction in each case 27 _III have to the object level 16 a distance at, which in turn is greater than the distance at. The then subsequent single panels 27 _IV have a distance a _lV , which in turn is greater than the distance at.

Der Abstand a_I bis a_IV der jeweiligen Einzelblende 27_I bis 27_IV zur Blendenreferenzebene 16 kann, ausgehend von Zentralabschnitt 31 monoton oder auch streng monoton mit steigendem Abstand der jeweiligen Einzelblende 27 zum Zentralabschnitt 31 steigen.The distance a _I to a _IV the respective individual panel 27 _I to 27 _IV to the iris reference level 16 can, starting from central section 31 monotonic or strictly monotonic with increasing distance of the respective individual aperture 27 to the central section 31 climb.

Bei einer nicht dargestellten Ausführung der Abstands-Anordnung der Einzelblenden zur Blendenreferenzebene 16 haben alle Einzelblenden 27 einen monotonen Abstandsverlauf, ausgehend von einem minimalen Abstand a_min in der Feldmitte (zentraler x-Wert des Beleuchtungsfeldes) hin zu einem maximalen Abstand a_max am Feldrand (minimaler/maximaler x-Wert des Beleuchtungsfeldes 18).In an embodiment, not shown, of the spacing arrangement of the individual apertures to the aperture reference plane 16 have all single screens 27 a monotone pitch, starting from a minimum distance a _min in the middle of the field (central x-value of the illumination field) towards a maximum distance a _max at the edge of the field (minimum / maximum x-value of the illumination field 18 ).

8 zeigt eine weitere Ausführung der Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung 24, die anstelle der Ausführung der 7 in Abhängigkeit von den Anforderungen an die Intensitätskorrektur, die mit der Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung 24 bewerkstelligt werden soll, zum Einsatz kommen kann. Bei der Ausführung nach 8 haben die Einzelblenden des Zentralabschnitts 31 den größten Abstand a_IV bzw. a_III zur Blendenebene 16. Der Abstand der weiteren Einzelblenden 27_III , 27_II , 27_I zur Blenden-Referenzebene, also zur Objektebene 16, verringert sich ausgehend von Zentralabschnitt 31, gesehen längs der Korrekturdimension, gesehen also einerseits längs positiver x-Richtung und andererseits längs negativer x-Richtung, mit steigendem Abstand der jeweiligen Einzelblende 27 zum Zentralabschnitt 31. Die längs der Korrekturdimension x äußersten Einzelblenden 27_I haben bei der Ausführung der Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung 24 also den geringsten Abstand a_I zur Blendenebene 16. 8th shows another embodiment of the illumination intensity correcting device 24 that instead of the execution of 7 depending on the intensity correction requirements associated with the illumination intensity correction device 24 can be accomplished, can be used. In the execution after 8th have the individual apertures of the central section 31 the biggest distance a _IV or. a _III to the aperture plane 16 , The distance between the further individual apertures 27 _III . 27 _II . 27 _I to the aperture reference plane, ie to the object plane 16 , decreases starting from central section 31 Seen along the correction dimension, so seen on the one hand along the positive x-direction and the other along the negative x-direction, with increasing distance of the respective individual aperture 27 to the central section 31 , The most extreme individual apertures along the correction dimension x 27 _I have in the execution of the illumination intensity correction device 24 So the smallest distance a _I to the aperture plane 16 ,

Auch diese Abstandsverringerung nach außen bei der Ausführung nach 8 kann monoton oder streng monoton verlaufen. Also this reduction in distance to the outside in the execution 8th can be monotonous or strictly monotonous.

Im Mittel, also beispielsweise angenähert über eine Näherungsfunktion (zum Beispiel Least Square Fit), hat ein Abstand der jeweiligen Einzelblenden 27 der verschiedenen Blendengruppen I bis IV, gesehen längs der Korrekturdimension x einen im Mittel bogenförmigen Verlauf. Diese Bogenform kann in Bezug auf die Blendenebene 16 konkav sein wie bei der Ausführung nach 7, oder kann konvex sein, wie bei der Ausführung nach 8. Dieser bogenförmige Verlauf kann beispielsweise parabolisch sein.On average, that is, for example, approximately via an approximation function (for example Least Square Fit), has a distance of the respective individual apertures 27 the different aperture groups I to IV , Seen along the correction dimension x an arcuate course in the middle. This arch shape may be in relation to the aperture plane 16 concave as in the execution after 7 , or may be convex, as in the execution after 8th , This arcuate course can be parabolic, for example.

Im Zentralabschnitt 31 liegen bei den Ausführungen nach den 7 und 8 jeweils zwei Abstands-Blendengruppen vor. Bei der Ausführung nach 7 sind dies die Blendengruppen I und II und bei der Ausführung nach 8 die Blendengruppen III und IV. Die Einzelblenden 27, die zu diesen Abstands-Blendengruppen gehören, haben in Zentralabschnitt 31 einen alternierenden Abstand zur Blenden-Referenzebene 16.In the central section 31 lie in the statements after the 7 and 8th each two distance aperture groups before. In the execution after 7 these are the aperture groups I and II and in the execution after 8th the aperture groups III and IV , The individual panels 27 that belong to these distance aperture groups have in central section 31 an alternate distance to the aperture reference plane 16 ,

Auch bei der Auswahl nach 8 können alle Einzelblenden 27 einen monotonen oder streng monotonen Abstandsverlauf abhängig von der jeweiligen x-Koordinate der Einzelblende aufweisen, wobei eine in der x-Dimension gesehen zentral angeordnete Einzelblende 27 den maximalen Abstand a_max zur Blendenreferenzebene 16 hat und dieser Einzelblenden-Abstand a sich hin zu den Rändern (minimaler/maximaler x-Wert des Beleuchtungsfeldes 18) zu einem minimalen Abstandswert a_min verringert.Also when choosing 8th can all single screens 27 have a monotonous or strictly monotonous distance course depending on the respective x-coordinate of the individual diaphragm, wherein viewed in the x-dimension centrally arranged single diaphragm 27 the maximum distance a _max to the iris reference level 16 and this single-aperture distance a is toward the edges (minimum / maximum x-value of the illumination field 18 ) to a minimum distance value a _min reduced.

Der Verlagerungsaktor 29 kann so gestaltet sein, dass die jeweilige Einzelblende 27 gesteuert auch längs der z-Richtung verlagerbar ist. Hierüber lässt sich der Abstand a des freien Endes 30 der jeweiligen Einzelblende 27 zur Blendenebene 16 insbesondere fein vorgeben.The displacement factor 29 can be designed so that the respective individual panel 27 controlled also along the z-direction is displaced. This can be the distance a of the free end 30 the respective individual panel 27 to the aperture plane 16 especially pretend fine.

Zur Kühlung mindestens einiger Einzelblenden 27 der Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung 24 kann eine Kühleinrichtung 32 vorgesehen sein, die in der 2 schematisch angedeutet ist. Es kann sich hierbei um eine aktive und/oder um eine passive Kühleinrichtung handeln. For cooling at least some single screens 27 the illumination intensity correction device 24 can be a cooling device 32 be provided in the 2 is indicated schematically. This may be an active and / or a passive cooling device.

Anhand der 3 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer Beleuchtungsoptik 33 für die EUV-Projektionslithografie beschrieben, die anstelle der Beleuchtungsoptik 26 nach 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1, 2 sowie 4 bis 8 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.Based on 3 Below is another embodiment of a lighting optical system 33 for the EUV projection lithography, instead of the illumination optics 26 to 1 can be used. Components and functions corresponding to those described above with reference to FIGS 1 . 2 and 4 to 8 have the same reference numerals and will not be discussed again in detail.

Zur effizienten Sammlung des EUV-Beleuchtungslichts 3, welches von einer in der 3 nicht dargestellten Lichtquelle ausgeht, dient bei der Beleuchtungsoptik 33 ein ellipsoidal ausgeführter Kollektor 4. Letzterer führt das Beleuchtungslicht 3 über einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 5 hin zum Feldfacettenspiegel 6, von dem aus das in Ausleuchtungskanäle aufgeteilte Licht dann auf den Pupillenfacettenspiegel 10 trifft.For efficient collection of EUV lighting 3 , which of one in the 3 is not shown, is used in the illumination optical system 33 an ellipsoidal collector 4 , The latter leads the illumination light 3 about an intermediate focus in a Zwischenfokusbene 5 towards the field facet mirror 6 from which the light divided into illumination channels is then applied to the pupil facet mirror 10 meets.

Anschließend wird das in die Ausleuchtungskanäle aufgeteilte Beleuchtungslicht 3 vom Pupillenfacettenspiegel 10 hin zu einem Kondensorspiegel 34 und von dort zum Objektfeld 18 reflektiert. In der 3 ist bei 35 ein für die Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung 24 reservierter Bauraum unterhalb der Objektebene 16, also hin zu kleineren z-Werten, angedeutet.Subsequently, the illumination light divided into the illumination channels becomes 3 from the pupil facet mirror 10 towards a condenser mirror 34 and from there to the object field 18 reflected. In the 3 is at 35 for the illumination intensity correcting device 24 reserved space below the object level 16 , ie towards smaller z-values, indicated.

Bei der Projektionsbelichtung werden zunächst das Retikel 17 und der Wafer 22, der eine für das Beleuchtungslicht 3 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird ein Abschnitt des Retikels 17 auf den Wafer 22 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Schließlich wird die mit dem Beleuchtungslicht 3 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 22 entwickelt. Auf diese Weise wird ein mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil beispielsweise ein Halbleiterchip hergestellt.In the projection exposure, first the reticle 17 and the wafer 22 , one for the illumination light 3 photosensitive coating carries provided. Subsequently, a section of the reticle 17 on the wafer 22 with the help of the projection exposure system 1 projected. Finally, the one with the illumination light 3 exposed photosensitive layer on the wafer 22 developed. In this way, a micro- or nanostructured component, for example, a semiconductor chip is produced.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

WO 2009/074211 A1 [0002, 0039]
US 2015/0015865 A1 [0002, 0030, 0039]
DE 102009045491 A1 [0007]
US Pat. No. 685,951 B2 [0030]
EP 1225481A [0030]
EP 0952491 A2 [0039]
DE 102008013229 A1 [0039]

Claims

Illumination intensity correction device (24) for specifying an illumination intensity over an illumination field (18) of a lithographic projection exposure apparatus; - With a plurality of juxtaposed, rod-shaped individual apertures (27) with mutually parallel rod axes (28) which are arranged side by side transversely to the rod axes; - With a displacement drive (29) for displacing at least some of the individual apertures (27) at least along their respective rod axis (28), - wherein free ends (30) of the individual apertures (27) by means of the displacement drive (29) individually for specifying a longitudinal along a Correction dimension transversely to the rod axes (28) acting intensity correction of illumination of the illumination field (18) are displaceable in a predetermined intensity correction displacement position, - wherein the individual apertures (27) to at least three distance aperture groups (I; II; III; IV), wherein the free ends of the individual diaphragms (27 _I , 27 _II , 27 _III , 27 _IV ) of each of the spacer diaphragm groups (I to IV) have a different distance (a _I , a _II , a _III , a _IV ) to a diaphragm reference plane (16), wherein the diaphragm reference plane (16) is spanned by a rod reference axis (y) parallel to the rod axes (28) and a correction reference axis (x) along the correction dimension and an ano tion level for the illumination field (18) pretends.

Correction device after Claim 1 , characterized in that a distance (a) of the respective distance diaphragm group (II to IV) to the diaphragm reference plane (16), starting from a central portion (31) of the correction device (24), seen along the correction dimension (x), with increasing distance of the individual apertures (27 _II , 27 _III , 27 _IV ) to the central portion (31) increases.

Correction device after Claim 1 , characterized in that a distance (a) of the respective distance diaphragm group (II to IV) to the diaphragm reference plane (16), starting from a central portion (31) of the correction device (24), as seen along the correction dimension (x), with increasing distance of the individual apertures (27 _III , 27 _II , 27 _I ) reduced to the central portion (31).

Correction device according to one of Claims 1 to 3 , characterized in that a distance (a) of the respective distance diaphragm group (II to IV) to the diaphragm reference plane (16), seen along the correction dimension (x), an approximately arcuate course.

Correction device according to one of Claims 1 to 4 Characterized by at least two distance-aperture groups (I, II; II, IV) in the central portion (31) of the correction device (24), wherein the single aperture (27 _I, 27 _II, 27 _III, 27 _IV) associated with this Spacer Aperture groups (I, II, III, IV) have an alternating distance (a _I , a _II , a _III , a _IV ) to the aperture reference plane (16).

Correction device according to one of Claims 1 to 5 , characterized in that ends (30) of the individual apertures (27) are shaped adapted to a boundary shape of the illumination field (18).

Correction device according to one of Claims 1 to 6 characterized by a cooling device (32) for cooling at least some of the individual apertures (27).

Illumination optics (26, 33) for guiding illuminating light (3) towards an illumination field (18) of a lithographic projection exposure apparatus (1), characterized by an illumination intensity correction device (24) according to any one of Claims 1 to 7 ,

Lighting optics after Claim 8 , characterized in that the illumination intensity correction device (24) to a field plane (16) of the illumination optical system (26) by no more than 20 mm apart.

Lighting system with an illumination optics (26) after Claim 8 or 9 and a projection optical system (19) for imaging an object field (18) which at least partially coincides with the illumination field and in which an object (17) to be imaged can be arranged, into an image field (20).

Projection exposure system (1) with a lighting system according to Claim 10 and a light source (2) for the illumination light (3).

Projection exposure system (1) according to Claim 11 characterized by - an object holder (17a) having an object displacement drive (17b) for displacing the object to be imaged (17) along an object displacement direction (y) running along the bar axes (28) of the individual apertures (27), - a wafer holder (22a) with a wafer displacement drive (22b) for displacing a wafer (22), on which a structure (32) of the object to be imaged (17) is to be imaged, along an image displacement direction (y), which runs parallel to the object displacement direction.

Projection exposure system according to Claim 12 characterized in that the displacement drive (29) for the individual apertures (27) is adapted to allow a displacement speed of at least some of the individual apertures (27) as fast as an object displacement speed of the object displacement actuator (17b).

Method for producing structured components, comprising the following steps: providing a wafer (22) on which at least partially a layer of a photosensitive material is applied, providing a reticle as an object (17) having structures to be imaged, providing a projection exposure apparatus ( 1) after one of Claims 11 to 13 Projecting at least part of the reticle onto a region of the layer of the wafer by means of the projection exposure apparatus.

Structured component, produced by a method according to Claim 14 ,