DE102016201317A1 - Illumination optics for EUV projection lithography - Google Patents

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    • G03F7/70116Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets

Abstract

Eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie dient zur Beleuchtung eines Objektfeldes mit Beleuchtungslicht. Die Beleuchtungsoptik hat einen Feldfacettenspiegel (6) mit einer Mehrzahl von Feldfacetten (7). Ein Pupillenfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik gehört zu einer Übertragungsoptik, die die Feldfacetten (7) einander überlagernd in das Objektfeld abbildet. Die Beleuchtungsoptik ist so ausgelegt, dass im Bereich von Pupillenfacetten Bilder einer Lichtquelle zur Erzeugung des Beleuchtungslichts entstehen. Die Feldfacetten (7) sind jeweils mit einem Aktor (7a) verbunden und umstellbar zwischen verschiedenen Beleuchtungs-Schaltstellungen. Jede der Beleuchtungs-Schaltstellungen gibt eine definierte Verkippung der Feldfacette (7) vor. In jeder der Beleuchtungs-Schaltstellungen ist die jeweilige Feldfacette (7) über einen Ausleuchtungskanal zur Führung eines Beleuchtungslicht-Teilbündels genau einer der Pupillenfacetten zugeordnet. Die Anzahl der Beleuchtungs-Schaltstellungen mindestens zweier der umstellbaren Feldfacetten (7) ist unterschiedlich. Eine Maximalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen und eine Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen sind unterschiedlich und unterscheiden sich um nicht mehr als zwei. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, bei der ein Wechsel zwischen verschiedenen, vorgegebenen Beleuchtungssettings mit geringem Aufwand möglich ist.An illumination optics for EUV projection lithography is used to illuminate an object field with illumination light. The illumination optics has a field facet mirror (6) with a plurality of field facets (7). A pupil facet mirror of the illumination optics belongs to a transmission optical system which images the field facets (7) over one another in the object field. The illumination optics is designed in such a way that images of a light source for generating the illumination light are formed in the area of pupil facets. The field facets (7) are each connected to an actuator (7a) and can be switched between different lighting switching positions. Each of the lighting switching positions predefines a defined tilt of the field facet (7). In each of the illumination switching positions, the respective field facet (7) is assigned to exactly one of the pupil facets via an illumination channel for guiding an illumination light partial bundle. The number of lighting switching positions of at least two of the convertible field facets (7) is different. A maximum number of lighting switch positions and a minimum number of lighting switch positions are different and do not differ by more than two. The result is an illumination optics, in which a change between different, predetermined lighting settings is possible with little effort.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauelements mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit einem derartigen Herstellungsverfahren strukturiertes Bauelement. The invention relates to an illumination optics for EUV projection lithography. Furthermore, the invention relates to an optical system with such an illumination optical system, a projection exposure apparatus with such an optical system, a method for producing a microstructured or nanostructured component with such a projection exposure apparatus, and a component structured with such a production method.

Eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungsoptik ist bekannt aus der WO 2014/075902 A1 Zur flexiblen Vorgabe von Beleuchtungssettings, also von Beleuchtungswinkelverteilungen zur Beleuchtung von Strukturen, die bei der Projektionslithographie abgebildet werden, kommen verkippbare erste Facetten zum Einsatz. Gefordert ist ein Wechsel zwischen verschiedenen Beleuchtungssettings. A projection exposure apparatus with an illumination optics is known from US Pat WO 2014/075902 A1 For the flexible specification of illumination settings, ie illumination angle distributions for illuminating structures which are imaged in projection lithography, tiltable first facets are used. What is required is a change between different lighting settings.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass ein Wechsel zwischen verschiedenen, vorgegebenen Beleuchtungssettings mit geringem Aufwand möglich ist. It is an object of the present invention to further develop an illumination optical system of the type mentioned at the outset such that a change between different, predetermined illumination settings is possible with little effort.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen. This object is achieved by an illumination optical system with the features specified in claim 1.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es für eine variable Vorgabe verschiedene Beleuchtungssettings von Vorteil ist, wenn ein Feldfacettenspiegel bereit gestellt wird, dessen Feldfacetten in unterschiedliche Anzahlen von Beleuchtungs-Schaltstellungen verkippbar sind. Zusätzlich wurde erkannt, dass es gleichzeitig vorteilhaft ist, wenn sich die verschiedenen Schaltstellungs-Anzahlen der Feldfacetten möglichst wenig unterscheiden. Dies bringt gegenüber prinzipiell auch möglichen Konfigurationen, bei denen wenige Feldfacetten in sehr viele Beleuchtungs-Schaltstellungen umstellbar sind und alle anderen Feldfacetten in wenige Schaltstellungen oder gar nicht umstellbar sind, Handhabungsvorteile. Insbesondere das Vermessen aller möglichen Ausleuchtungskanäle ist vereinfacht, wenn die Maximalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen sich von der Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen um nicht mehr als zwei unterscheidet. Der Pupillenfacettenspiegel ist in einer Pupillenebene einer nachgeschalteten Projektionsoptik einer für die Projektionslithographie zum Einsatz kommenden Projektionsbelichtungsanlage oder in einer hierzu konjugierten Pupillenebene angeordnet, die in die Pupillenebene der nachgeschalteten Projektionsoptik abgebildet wird. Neben den Beleuchtungs-Schaltstellungen kann es noch andere, nicht zur Beleuchtung dienende Schaltstellungen geben. Derartige andere, nicht zur Beleuchtung dienende Schaltstellungen sind allerdings nicht zwingend. Beim Feldfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik können alle Feldfacetten zwischen verschiedenen Beleuchtungsstellungen umstellbar sein.According to the invention, it has been recognized that it is advantageous for a variable specification of different illumination settings when a field facet mirror is provided whose field facets can be tilted into different numbers of illumination switching positions. In addition, it was recognized that it is advantageous at the same time if the different switching position numbers of the field facets differ as little as possible. In principle, this also brings about possible configurations in which a few field facets can be converted into a large number of illumination switching positions and all other field facets can be converted into a few switch positions or not at all, handling advantages. In particular, the measurement of all possible illumination channels is simplified if the maximum number of lighting switch positions differs from the minimum number of lighting switch positions by no more than two. The pupil facet mirror is arranged in a pupil plane of a downstream projection optical system of a projection exposure apparatus used for projection lithography or in a pupil plane conjugate thereto, which is imaged into the pupil plane of the downstream projection optics. In addition to the lighting switch positions, there may be other non-lighting switching positions. Such other, not used for lighting switch positions, however, are not mandatory. In the field facet mirror of the illumination optics all field facets between different lighting positions can be switched.

Ein Anzahlunterschied nach Anspruch 2 hat sich insbesondere zur Vereinfachung einer Vermessung aller Ausleuchtungskanäle als besonders geeignet herausgestellt.A number difference according to claim 2 has been found to be particularly suitable for simplifying a survey of all illumination channels.

Eine Minimalanzahl nach Anspruch 3 ermöglicht schon eine Auslegung der Beleuchtungsoptik, mit der eine vorteilhaft große Anzahl von Beleuchtungssetting-Varianten vorgebbar ist. Die Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen kann auch zwei, drei oder fünf betragen oder kann größer sein. Ein Schaltverhältnis aus einer Gesamtanzahl der Pupillenfacetten und einer Gesamtanzahl der Feldfacetten kann lediglich geringfügig kleiner sein als die Maximalanzahl der Beleuchtungs-Schaltstellungen. Es kann beispielsweise lediglich eine kleine Teilmenge aller Feldfacetten, z. B. höchstens 20 %, 15 %, 10 %, 5 % oder noch weniger, eine Anzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen haben, die kleiner ist als die Maximalanzahl.A minimum number according to claim 3 already allows a design of the illumination optics with which an advantageously large number of illumination setting variants can be predetermined. The minimum number of lighting switching positions may also be two, three or five or may be greater. A duty ratio of a total number of pupil facets and a total number of field facets may be only slightly smaller than the maximum number of illumination switching positions. For example, it may only be a small subset of all field facets, e.g. At most 20%, 15%, 10%, 5% or even less, have a number of lighting switch positions that is less than the maximum number.

Ein Satz Beleuchtungssettings nach Anspruch 4 ermöglicht eine Vermessung aller Ausleuchtungskanäle. Ein Beleuchtungssetting stellt dabei eine Anordnungs-Verteilung der Pupillenfacetten dar, die bei dem vorgegebenen Satz an Beleuchtungs-Schaltstellungen der Feldfacetten, also bei vorgegebener Schaltstellungs- bzw. Kippstellungs-Konfiguration der Feldfacetten eine Beleuchtungswinkel-Verteilung einer Beleuchtung des Objektfeldes ergibt. Der Beleuchtungssetting-Satz wird zu Metrologiezwecken beim Ausmessen der Ausleuchtungskanäle genutzt.A set of illumination settings according to claim 4 allows a survey of all illumination channels. An illumination setting represents an arrangement distribution of the pupil facets which, given the set of illumination switching positions of the field facets, that is to say for a given switching position or tilt configuration of the field facets, results in an illumination angle distribution of illumination of the object field. The lighting setting set is used for metrology purposes when measuring the illumination channels.

Der Beleuchtungssetting-Satz kann so ausgewählt sein, dass mindestens eine der Feldfacetten beim Wechsel zwischen zwei Beleuchtungssettings des Beleuchtungssetting-Satzes nicht umgestellt, also nicht geschaltet, wird. Der Beleuchtungssetting-Satz kann dabei so ausgewählt sein, dass zu jedem der Beleuchtungssettings ein weiteres der Beleuchtungssettings existiert, wobei mindestens eine der Feldfacetten beim Wechsel zwischen diesen beiden Beleuchtungssettings des Beleuchtungssetting-Satzes nicht umgestellt, also nicht geschaltet, wird. Bei derart ausgewählten Beleuchtungssetting-Sätzen wird ein Intensitätsabgleich bei der Ausleuchtungskanal-Vermessung vereinfacht. Wenn das Schaltverhältnis lediglich geringfügig kleiner ist als die Maximalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen, kann ein Beleuchtungssetting-Satz vorgegeben werden, bei dem die verschiedenen Beleuchtungssettings eine gewisse Anzahl gemeinsamer Pupillenfacetten haben, wodurch eine absolute Helligkeit von Einzelmessungen zueinander kalibriert werden kann.The lighting setting set may be selected such that at least one of the field facets is not changed, ie not switched, when changing between two lighting settings of the lighting setting set. The lighting setting set can be selected such that for each of the lighting settings there is another one of the lighting settings, wherein at least one of the field facets is not switched, ie not switched, when changing between these two lighting settings of the lighting setting set. With illumination setting sets selected in this way, intensity compensation in the illumination channel measurement is simplified. If the switching ratio is only slightly smaller than the maximum number of lighting switching positions, an illumination setting set can be specified in which the different lighting settings have a certain number of common lighting settings Pupillenfacetten have, whereby an absolute brightness of individual measurements can be calibrated to each other.

Eine Anzahlbedingung nach Anspruch 5 führt zu einer vorteilhaften niedrigen Anzahl der Beleuchtungssettings im Beleuchtungssetting-Satz.A number condition according to claim 5 results in a favorable low number of lighting settings in the lighting set set.

Eine Ausgestaltung nach Anspruch 6 nutzt elegant schon für die Projektionsbelichtung vorzugebende Beleuchtungssettings auch zur Vermessung der Ausleuchtungskanäle. Ein zur Projektionsbelichtung zum Einsatz kommendes Beleuchtungssetting wird auch als Projektions-Beleuchtungssetting bezeichnet. Zum Beleuchtungssetting-Satz können zwei Projektionsbelichtungs-Settings oder auch mehr Projektionsbelichtungs-Settings gehören. Die Anzahl der Projektionsbelichtungs-Settings innerhalb eines Beleuchtungssetting-Satzes kann um eins kleiner sein als die Anzahl aller Beleuchtungssettings des Beleuchtungssetting-Satzes. Prinzipiell können auch alle Beleuchtungssettings des Beleuchtungssetting-Satzes als Projektions-Beleuchtungssettings genutzt werden.An embodiment according to claim 6 uses elegant already prescribed for the projection exposure lighting settings for measuring the illumination channels. An illumination setting used for projection exposure is also referred to as a projection illumination setting. The lighting setting set may include two projection exposure settings or more projection exposure settings. The number of projection exposure settings within a lighting setting set may be one less than the number of all illumination settings of the lighting setting set. In principle, all the illumination settings of the illumination setting set can also be used as projection illumination settings.

Eine Ausführung nach Anspruch 7 stellt eine Vermessung aller Ausleuchtungskanäle unabhängig von der Gestaltung der Projektionsbelichtungs-Beleuchtungssettings sicher. Ein Beleuchtungssetting, welches nicht zur Projektionsbelichtung zum Einsatz kommt und zu einem Beleuchtungssetting-Satz gehört, wird als Metrologie-Beleuchtungssetting bezeichnet. An embodiment according to claim 7 ensures a measurement of all the illumination channels regardless of the design of the projection exposure illumination settings. An illumination setting that is not used for projection exposure and that belongs to a lighting setting set is called a metrology lighting setting.

Ein Beleuchtungssetting-Satz nach Anspruch 8 hat sich für spezifische Anforderungen, die an die Metrologie bei der Ausleuchtungskanal-Vermessung gestellt werden, als besonders geeignet herausgestellt. Hierüber kann insbesondere ein unerwünschter Crosstalk zwischen Ausleuchtungskanälen detektiert werden. Beleuchtungssettings nach Anspruch 9 haben sich für die Projektionsbelichtung als besonders geeignet herausgestellt. Insbesondere können zwei, drei, vier, fünf, sechs oder auch alle dieser Settings vorgebbar sein. Auch Multipol-Settings mit mehr als zwei Polen sind als vorgebbare Beleuchtungssettings möglich. Die Pole der Dipol- beziehungsweise Multipol-Settings können als „Leaflets“ geformt sein. Der Winkel α der +/–α-Dipolsettings, der eine Umfangsposition der Pole in Umfangsrichtung um das Zentrum des zweiten Facettenspiegels vorgibt, kann 25° oder auch 45° betragen. Grundsätzlich kann der Winkel α in einem Bereich zwischen 20° und 45° liegen. Entsprechendes gilt für einen in gleicher Weise definierten Winkel α eines Quadrupolsettings, der in einem Bereich zwischen 10° und 22,5° liegen kann. Entsprechendes gilt für ein Hexapolsetting mit sechs Beleuchtungspolen, also mit Beleuchtungslicht beaufschlagten zweiten Facetten auf dem zweiten Facettenspiegel. Auch konventionelle Beleuchtungssettings können realisiert sein, bei denen der zweite Facettenspiegel über seine gesamte Nutzfläche, die von der Anordnung der zweiten Facetten vorgegeben wird, im Mittel gleichmäßig ausgeleuchtet wird.An illumination setting set according to claim 8 has been found to be particularly suitable for specific requirements placed on the metrology in the illumination channel measurement. In particular, an undesirable crosstalk between illumination channels can be detected via this. Lighting settings according to claim 9 have been found to be particularly suitable for the projection exposure. In particular, two, three, four, five, six, or even all of these settings can be predefinable. Multipole settings with more than two poles are also possible as presettable lighting settings. The poles of the dipole or multipole settings can be shaped as "leaflets". The angle α of the +/- α-dipole rings, which defines a peripheral position of the poles in the circumferential direction about the center of the second facet mirror, can be 25 ° or even 45 °. In principle, the angle α can be in a range between 20 ° and 45 °. The same applies to an equally defined angle α of a Quadrupolsettings, which may be in a range between 10 ° and 22.5 °. The same applies to a Hexapolsetting with six illumination poles, so acted upon with illumination light second facets on the second facet mirror. Conventional illumination settings can also be implemented, in which the second facet mirror is uniformly illuminated over its entire usable area, which is determined by the arrangement of the second facets.

Die Vorteile eines optischen Systems nach den Ansprüchen 10 oder 11, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 13 und eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 14 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Das hergestellte Bauteil kann ein Mikrochip, insbesondere ein Speicherchip oder ein sonstiger Halbleiterchip sein.The advantages of an optical system according to claims 10 or 11, a projection exposure apparatus according to claim 12, a manufacturing method according to claim 13 and a micro- or nanostructured component according to claim 14 correspond to those which have already been explained above with reference to the illumination optics according to the invention. The produced component may be a microchip, in particular a memory chip or another semiconductor chip.

Die Projektionsbelichtungsanlage kann einen Objekthalter mit einem Objektverlagerungsantrieb zur Verlagerung des abzubildenden Objektes längs einer Objektverlagerungsrichtung aufweisen. Die Projektionsbelichtungsanlage kann einen Waferhalter mit einem Waferverlagerungsantrieb zur Verlagerung eines Wafers, auf den eine Struktur des abzubildenden Objektes abzubilden ist, längs einer Bildverlagerungsrichtung aufweisen. Die Objektverlagerungsrichtung kann parallel zur Bildverlagerungsrichtung verlaufen.The projection exposure apparatus can have an object holder with an object displacement drive for displacing the object to be imaged along an object displacement direction. The projection exposure apparatus may include a wafer holder having a wafer displacement drive for displacing a wafer on which a pattern of the object to be imaged is to be taken along an image displacement direction. The object displacement direction may be parallel to the image displacement direction.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:

1 schematisch und in Bezug auf eine Beleuchtungsoptik im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie; 1 schematically and with respect to a lighting system in the meridional section, a projection exposure apparatus for microlithography;

2 eine Ansicht einer Facettenanordnung eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 in einer Ausführung „Rechteckfeld“; 2 a view of a facet arrangement of a field facet mirror of the illumination optics of the projection exposure system according to 1 in a version "rectangular field";

3 in einer zu 2 ähnlichen Darstellung eine Facettenanordnung einer weiteren Ausführung eines Feldfacettenspiegels in einer Ausführung „Bogenfeld“; 3 in one too 2 similar representation of a facet arrangement of another embodiment of a field facet mirror in an embodiment "arc field";

4 stark schematisch und beispielhaft eine Ansicht einer Facettenanordnung eines Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1, wobei über die Facetten des Feldfacettenspiegels mit Beleuchtungslicht beaufschlagte Facetten, die eine Facetten-Gruppe bilden, gestrichelt hervorgehoben sind, am Beispiel eines Beleuchtungssettings „konventionell mit kleinen Beleuchtungswinkeln“, wobei zusätzlich mit einer Kreuzschraffur die bei einem weiteren Metrologie-Beleuchtungssetting beaufschlagten Pupillenfacetten hervorgehoben sind, welches zum Vermessen weiterer Ausleuchtungskanäle der Beleuchtungsoptik zum Einsatz kommt; 4 strongly schematically and by way of example a view of a facet arrangement of a pupil facet mirror of the illumination optics of the projection exposure apparatus according to FIG 1 , Wherein facets of the field facet mirror illuminated by illumination facets, which form a facet group, are highlighted by dashed lines, using the example of a lighting setting "conventional with small illumination angles", which are additionally highlighted with a cross-hatching acted upon in another metrology illumination setting pupil facets which is used for measuring further illumination channels of the illumination optics;

5 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung den Pupillenfacettenspiegel mit einer Beaufschlagung der Pupillenfacetten zur Erzeugung des Beleuchtungssettings „annulare Beleuchtungswinkelverteilung mit mittleren Beleuchtungswinkeln“; 5 in one too 4 similar representation of the pupil facet mirror with an exposure of the pupil facets to produce the illumination setting "annulare illumination angle distribution with average illumination angles";

6 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung den Pupillenfacettenspiegel mit einer Beaufschlagung der Pupillenfacetten zur Erzeugung des Beleuchtungssettings „annulare Beleuchtungswinkelverteilung mit großen Beleuchtungswinkeln“; 6 in one too 4 similar representation of the pupil facet mirror with an exposure of the pupil facets to produce the illumination setting "annulare illumination angle distribution with large illumination angles";

7 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung den Pupillenfacettenspiegel mit einer Beaufschlagung der Pupillenfacetten zur Erzeugung des Beleuchtungssettings „y-Dipol“, wobei zusätzlich mit einer Kreuzschraffur die bei einem weiteren Metrologie-Beleuchtungssetting beaufschlagten Pupillenfacetten hervorgehoben sind, welches zum Vermessen weiterer Ausleuchtungskanäle der Beleuchtungsoptik zum Einsatz kommt; 7 in one too 4 similar representation of the pupil facet mirror with an exposure of the pupil facets to produce the illumination setting "y-dipole", which additionally highlighted with a crosshatch acted upon in another metrology illumination setting pupil facets, which is used to measure other illumination channels of the illumination optics used;

8 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung den Pupillenfacettenspiegel mit einer Beaufschlagung der Pupillenfacetten zur Erzeugung des Beleuchtungssettings „x-Dipol“; 8th in one too 4 similar representation of the pupil facet mirror with an exposure of the pupil facets to produce the illumination setting "x-dipole";

9 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung den Pupillenfacettenspiegel mit einer Beaufschlagung der Pupillenfacetten zur Erzeugung des Beleuchtungssettings „+25°-Dipol“; 9 in one too 4 similar representation of the pupil facet mirror with an exposure of the pupil facets to produce the illumination setting "+ 25 ° dipole";

10 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung den Pupillenfacettenspiegel mit einer Beaufschlagung der Pupillenfacetten zur Erzeugung des Beleuchtungssettings „–25°-Dipol“; 10 in one too 4 similar representation of the pupil facet mirror with an exposure of the pupil facets to produce the illumination setting "-25 ° dipole";

11 bis 20 am Beispiel einer weiteren Ausführung einer Beleuchtungsoptik mit einem Pupillenfacettenspiegel mit einer kleineren Anzahl von Pupillenfacetten Beaufschlagungen der Pupillenfacetten zur Erzeugung von acht verschiedenen Projektions-Beleuchtungssettings und von vier verschiedenen Metrologie-Beleuchtungssettings, die zum Vermessen aller Ausleuchtungskanäle dieses Pupillenfacettenspiegels und eines zugehörigen Feldfacettenspiegels bestimmt sind, wobei die 19 und 20 zwei Kombinationen der Beleuchtungssettings wiedergeben, die einen Beleuchtungssetting-Satz ergeben, innerhalb dem alle Feldfacetten in allen ihren verschiedenen Beleuchtungs-Schaltstellungen vorliegen. 11 to 20 Example of a further embodiment of an illumination optical system with a pupil facet mirror with a smaller number of pupil facets, exposing the pupil facets to produce eight different projection illumination settings and four different metrology illumination settings, which are intended to measure all the illumination channels of this pupil facet mirror and an associated field facet mirror the 19 and 20 represent two combinations of lighting settings that provide a lighting set set within which all field facets are present in all their different lighting switch positions.

Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie dient zur Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten elektronischen Halbleiter-Bauelements. Eine Lichtquelle 2 emittiert zur Beleuchtung genutzte EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gas discharge produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron oder einem Freie Elektronen Laser (FEL) basiert, ist für die Lichtquelle 2 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Lichtquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6 859 515 B2 . Zur Beleuchtung und Abbildung innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird EUV-Beleuchtungslicht beziehungsweise Beleuchtungsstrahlung in Form eines Beleuchtungslicht- bzw. Abbildungslicht-Bündels 3 genutzt. Das Abbildungslicht-Bündel 3 durchläuft nach der Lichtquelle 2 zunächst einen Kollektor 4, bei dem es sich beispielsweise um einen genesteten Kollektor mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Mehrschalen-Aufbau oder alternativ um einen, dann hinter der Lichtquelle 2 angeordneten ellipsoidal geformten Kollektor handeln kann. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 4 durchtritt das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst eine Zwischenfokusebene 5, was zur Trennung des Abbildungslicht-Bündels 3 von unerwünschten Strahlungs- oder Partikelanteilen genutzt werden kann. Nach Durchlaufen der Zwischenfokusebene 5 trifft das Abbildungslicht-Bündel 3 zunächst auf einen Feldfacettenspiegel 6. Der Feldfacettenspiegel 6 stellt einen ersten Facettenspiegel der Projektionsbelichtungsanlage 1 dar. A projection exposure machine 1 for microlithography is used to produce a micro- or nanostructured electronic semiconductor device. A light source 2 emits EUV radiation used for illumination in the wavelength range, for example between 5 nm and 30 nm. For the light source 2 it can be a GDPP source (plasma discharge by gas discharge, gas discharge produced plasma) or an LPP source (plasma generation by laser, laser produced plasma). Also, a radiation source based on a synchrotron or a free electron laser (FEL) is for the light source 2 used. Information about such a light source is the expert, for example in the US 6,859,515 B2 , For illumination and imaging within the projection exposure system 1 becomes EUV illumination light or illumination radiation in the form of an illumination light or imaging light bundle 3 used. The picture light bundle 3 goes through the light source 2 first a collector 4 , which is, for example, a nested collector with a known from the prior art multi-shell structure or alternatively to one, then behind the light source 2 arranged ellipsoidal shaped collector can act. A corresponding collector is from the EP 1 225 481 A known. After the collector 4 passes through the EUV illumination light 3 first an intermediate focus level 5 What the separation of the picture light bundle 3 can be used by unwanted radiation or particle fractions. After passing through the Zwischenfokusebene 5 meets the picture light bundle 3 first on a field facet mirror 6 , The field facet mirror 6 represents a first facet mirror of the projection exposure apparatus 1 represents.

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der Zeichnung jeweils ein kartesisches globales xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben.To facilitate the description of positional relationships, a Cartesian global xyz coordinate system is shown in the drawing. The x-axis runs in the 1 perpendicular to the drawing plane and out of it. The y-axis runs in the 1 to the right. The z-axis runs in the 1 up.

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen bei einzelnen optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird in den nachfolgenden Figuren jeweils auch ein kartesisches lokales xyz- oder xy-Koordinatensystem verwendet. Die jeweiligen lokalen xy-Koordinaten spannen, soweit nichts anderes beschrieben ist, eine jeweilige Hauptanordnungsebene der optischen Komponente, beispielsweise eine Reflexionsebene, auf. Die x-Achsen des globalen xyz-Koordinatensystems und der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme verlaufen parallel zueinander. Die jeweiligen y-Achsen der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme haben einen Winkel zur y-Achse des globalen xyz-Koordinatensystems, die einem Kippwinkel der jeweiligen optischen Komponente um die x-Achse entspricht. To facilitate the description of positional relationships in individual optical components of the projection exposure apparatus 1 In each of the following figures, a Cartesian local xyz or xy coordinate system is used. Unless otherwise described, the respective local xy coordinates span a respective main assembly plane of the optical component, for example a reflection plane. The x-axes of the xyz global coordinate system and the local xyz or xy coordinate systems are parallel. The respective y-axes of the local xyz or xy coordinate systems have an angle to the y-axis of the global xyz coordinate system, which corresponds to a tilt angle of the respective optical component about the x-axis.

2 zeigt beispielhaft eine Facettenanordnung von Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels 6 in einer Ausführung „Rechteckfeld“. Die Feldfacetten 7 sind rechteckig und haben jeweils das gleiche x/y-Aspektverhältnis. Das x/y-Aspektverhältnis kann beispielsweise 12/5, kann 25/4, kann 104/8, kann 20/1 oder kann 30/1 betragen. 2 shows by way of example a facet arrangement of field facets 7 of the field facet mirror 6 in a version "rectangular field". The field facets 7 are rectangular and each have the same x / y Aspect ratio. The x / y aspect ratio may be, for example, 12/5, 25/4, 104/8, 20/1, or 30/1.

Die Feldfacetten 7 geben eine Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 6 vor und sind in vier Spalten zu je sechs bis acht Feldfacettengruppen 8a, 8b gruppiert. Die Feldfacettengruppen 8a haben jeweils sieben Feldfacetten 7. Die beiden zusätzlichen randseitigen Feldfacettengruppen 8b der beide mittleren Feldfacettenspalten haben jeweils vier Feldfacetten 7. Zwischen den beiden mittleren Facettenspalten und zwischen der dritten und vierten Facettenzeile weist die Facettenanordnung des Feldfacettenspiegels 6 Zwischenräume 9 auf, in denen der Feldfacettenspiegel 6 durch Haltespeichen des Kollektors 4 abgeschattet ist. Soweit eine LPP-Quelle als die Lichtquelle 2 zum Einsatz kommt, kann sich eine entsprechende Abschattung auch durch einen Zinntröpfchen-Generator ergeben, der benachbart zum Kollektor 4 angeordnet und in der Zeichnung nicht dargestellt ist.The field facets 7 give a reflection surface of the field facet mirror 6 and are in four columns of six to eight field facet groups 8a . 8b grouped. The field facet groups 8a each have seven field facets 7 , The two additional marginal field facet groups 8b the two middle field facet columns each have four field facets 7 , Between the two middle facet columns and between the third and fourth facet line has the facet arrangement of the field facet mirror 6 interspaces 9 in which the field facet mirror 6 by holding spokes of the collector 4 is shadowed. As far as an LPP source as the light source 2 is used, a corresponding shading may also result from a tin droplet generator adjacent to the collector 4 arranged and not shown in the drawing.

3 zeigt eine weitere Ausführung „Bogenfeld“ eines Feldfacettenspiegels 6. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den Feldfacettenspiegel 6 nach 2 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nur erläutert, soweit sie sich von den Komponenten des Feldfacettenspiegels 6 nach 2 unterscheiden. 3 shows a further embodiment "arc field" of a field facet mirror 6 , Components corresponding to those described above with reference to the field facet mirror 6 to 2 have the same reference numerals and are only explained as far as they differ from the components of the field facet mirror 6 to 2 differ.

Der Feldfacettenspiegel 6 nach 3 hat eine Feldfacettenanordnung mit gebogenen Feldfacetten 7. Diese Feldfacetten 7 sind in insgesamt fünf Spalten mit jeweils einer Mehrzahl von Feldfacettengruppen 8 angeordnet. Die Feldfacettenanordnung ist in eine kreisförmige Begrenzung einer Trägerplatte 6a des Feldfacettenspiegels eingeschrieben.The field facet mirror 6 to 3 has a field facet arrangement with curved field facets 7 , These field facets 7 are in a total of five columns, each with a plurality of field facet groups 8th arranged. The field facet assembly is in a circular boundary of a carrier plate 6a of the field facet mirror inscribed.

Die Feldfacetten 7 der Ausführung nach 3 haben alle die gleiche Fläche und das gleiche Verhältnis von Breite in x-Richtung und Höhe in y-Richtung, welches dem x/y-Aspektverhältnis der Feldfacetten 7 der Ausführung nach 2 entspricht. The field facets 7 according to the execution 3 all have the same area and the same ratio of width in the x-direction and height in the y-direction, which corresponds to the x / y aspect ratio of the field facets 7 according to the execution 2 equivalent.

Die Feldfacetten 7 sind umstellbar zwischen jeweils verschiedenen Kippstellungen, die nachfolgend auch als Beleuchtungs-Schaltstellungen bezeichnet sind. Hierzu ist jede der Feldfacetten jeweils mit einem Aktor 7a verbunden, was in der 2 äußerst schematisch dargestellt ist. Die Aktoren 7a aller verkippbaren Feldfacetten 7 können über eine zentrale Steuereinrichtung 7b, die in der 2 ebenfalls schematisch dargestellt ist, angesteuert werden. The field facets 7 are switchable between each different tilt positions, which are also referred to below as lighting switch positions. For this purpose, each of the field facets is each with an actuator 7a connected, what in the 2 is shown very schematically. The actors 7a all tiltable field facets 7 can via a central control device 7b in the 2 is also shown schematically, are controlled.

Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 6 trifft das in Abbildungslicht-Teilbündel, die den einzelnen Feldfacetten 7 zugeordnet sind, aufgeteilte Abbildungslicht-Bündel 3 auf einen Pupillenfacettenspiegel 10. Das jeweilige Abbildungslicht-Teilbündel des gesamten Abbildungslicht-Bündels 3 ist längs jeweils eines Abbildungslichtkanals geführt, der auch als Ausleuchtungskanal bezeichnet ist.After reflection at the field facet mirror 6 This hits the imaging light sub-beam that matches the individual field facets 7 assigned, split image light bundles 3 on a pupil facet mirror 10 , The respective imaging light sub-beam of the entire imaging light beam 3 is guided along each of an imaging light channel, which is also referred to as illumination channel.

4 zeigt stark schematisch eine beispielhafte Facettenanordnung von Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10. Der Pupillenfacettenspiegel 10 stellt einen zweiten Facettenspiegel der Projektionsbelichtungsanlage 1 dar. Die Pupillenfacetten 11 sind auf einer Trägerplatte 10a des Pupillenfacettenspiegels 10 angeordnet. Die Pupillenfacetten 11 sind um ein Zentrum herum zeilen- und spaltenweise in einem x/y-Raster angeordnet. Die Pupillenfacetten 11 haben quadratische Reflexionsflächen. Auch andere Formen von Reflexionsflächen sind möglich, zum Beispiel rechteckig, rund oder mehreckig, zum Beispiel sechseckig oder achteckig. Auch rautenförmig angeordnete Pupillenfacetten 11 sind möglich. 4 shows very schematically an exemplary facet arrangement of pupil facets 11 of the pupil facet mirror 10 , The pupil facet mirror 10 represents a second facet mirror of the projection exposure apparatus 1 dar. The pupil facets 11 are on a backing plate 10a of the pupil facet mirror 10 arranged. The pupil facets 11 are arranged around a center line by line and column in an x / y grid. The pupil facets 11 have square reflecting surfaces. Other forms of reflective surfaces are possible, for example, rectangular, round or polygonal, for example, hexagonal or octagonal. Also diamond-shaped pupil facets 11 are possible.

Jedem von einer der Feldfacetten 7 in einer der Kippstellungen reflektierten Abbildungslicht-Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 ist genau eine Pupillenfacette 11 zugeordnet, so dass jeweils ein beaufschlagtes Facettenpaar mit genau einer der Feldfacetten 7 und genau einer der Pupillenfacetten 11 den Abbildungslichtkanal für das zugehörige Abbildungslicht-Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 vorgibt. In jeder Kippstellung der jeweiligen Feldfacette 7 ist dieser Feldfacette 7 also genau eine Pupillenfacette 11 zum Ablenken des EUV-Beleuchtungslichts 3 in Richtung dieser Pupillenfacette 11 zugeordnet. Jede der Kippstellungen bzw. Beleuchtungs-Schaltstellungen der Feldfacette 7 gibt eine definierte Verkippung der Feldfacette 7 vor. In den Beleuchtungs-Schaltstellungen ist die jeweilige Feldfacette 7 über genau einen Ausleuchtungskanal zur Führung eines Beleuchtungslicht-Teilbündels genau einer der Pupillenfacetten 11 zugeordnet.Each one of the field facets 7 in one of the tilt positions reflected imaging light sub-beam of EUV illumination light 3 is exactly a pupil facet 11 assigned, so that in each case an acted facet pair with exactly one of the field facets 7 and exactly one of the pupil facets 11 the imaging light channel for the associated imaging light sub-beam of the EUV illumination light 3 pretends. In each tilt position of the respective field facet 7 is this field facet 7 exactly one pupil facet 11 for deflecting the EUV illumination light 3 in the direction of this pupil facet 11 assigned. Each of the tilt positions or lighting switch positions of the field facet 7 gives a defined tilt of the field facet 7 in front. In the lighting switch positions is the respective field facet 7 via exactly one illumination channel for guiding an illumination light partial bundle exactly one of the pupil facets 11 assigned.

Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten 11 zu den Feldfacetten 7 erfolgt abhängig von einer gewünschten Beleuchtung durch die Projektionsbelichtungsanlage 1. Aufgrund der möglichen Feldfacetten-Kippstellungen kann jede der Feldfacetten 7 also verschiedene Abbildungslichtkanäle vorgeben. Jeder der Feldfacetten 7 ist über alle ihre Kippstellungen eine Menge von der Anzahl der Kippstellungen entsprechenden Pupillenfacetten 11 zugeordnet. The channel-wise assignment of the pupil facets 11 to the field facets 7 occurs depending on a desired illumination by the projection exposure system 1 , Due to the possible field facet tilt positions, each of the field facets 7 So specify different imaging light channels. Each of the field facets 7 is over all their tilt positions a lot of the number of tilt positions corresponding pupil facets 11 assigned.

Die Anzahl der Beleuchtungs-Schaltstellungen von mindestens zwei der Feldfacetten 7 ist unterschiedlich. Beispielsweise kann beim Feldfacettenspiegel 6 nach 2 die Feldfacette 7 1 so mit einem Aktor 7a ausgerüstet sein, dass diese Feldfacette 7 1 in genau drei Beleuchtungs-Schaltstellungen umstellbar ist, also genau drei verschiedenen Pupillenfacetten 11 über jeweilige Ausleuchtungskanäle zuordenbar ist. Eine andere Feldfacette, beispielsweise die Feldfacette 7 2 des Feldfacettenspiegels 6 nach 2 kann durch Ausrüstung mit einem entsprechenden Aktor 7a in genau vier Beleuchtungs-Schaltstellungen umstellbar und entsprechend vier verschiedenen Pupillenfacetten 11 über jeweilige Ausleuchtungskanäle zuordenbar sein.The number of illumination switching positions of at least two of the field facets 7 is different. For example, in the field facet mirror 6 to 2 the field facet 7 1 so with an actor 7a be equipped that this field facet 7 1 is adjusted in exactly three lighting switch positions, exactly three different pupil facets 11 can be assigned via respective illumination channels. Another field facet, such as the field facet 7 2 of the field facet mirror 6 to 2 can by equipment with a corresponding actuator 7a adjustable in exactly four lighting switch positions and corresponding to four different pupil facets 11 be assigned via respective illumination channels.

Beim Feldfacettenspiegel 6 nach 2 ist ein Teil der Feldfacetten 7 in genau drei Beleuchtungs-Schaltstellungen umstellbar und der Rest der Feldfacetten 7 ist in genau vier Beleuchtungs-Schaltstellungen umstellbar. Insgesamt acht der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 6 sind in vier Beleuchtungs-Schaltstellungen umstellbar. Alle anderen Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels 6 sind in drei Beleuchtungs-Schaltstellungen umstellbar. Die Maximalanzahl der Beleuchtungs-Schaltstellungen aller Feldfacetten 7 ist bei dieser Ausführung vier. Die Feldfacette 7 2 ist ein Beispiel für eine Feldfacette mit dieser Maximalanzahl vier an Beleuchtungs-Schaltstellungen. Die Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen ist bei dieser Ausführung des Feldfacettenspiegels drei. Die Feldfacette 7 1 ist ein Beispiel für eine derartige Feldfacette mit der Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen. Bei dieser Ausführung unterscheidet sich die Maximalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen und die Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen um genau eins.At the field facet mirror 6 to 2 is a part of the field facets 7 adjustable in exactly three lighting switch positions and the rest of the field facets 7 is convertible into exactly four lighting switch positions. A total of eight of the field facets of the field facet mirror 6 can be switched to four lighting switch positions. All other field facets 7 of the field facet mirror 6 are convertible into three lighting switch positions. The maximum number of illumination switching positions of all field facets 7 is four in this embodiment. The field facet 7 Fig. 2 is an example of a field facet having this maximum number four of lighting switch positions. The minimum number of illumination switching positions is three in this embodiment of the field facet mirror. The field facet 7 Figure 1 is an example of such a field facet with the minimum number of illumination switching positions. In this embodiment, the maximum number of lighting switch positions and the minimum number of lighting switch positions differs by exactly one.

Bei alternativen Ausführungen des Feldfacettenspiegels 6 kann die Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen sich auch von drei unterscheiden, beträgt dabei jeweils mindestens eins. Die Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen der Feldfacetten 7 kann zwei betragen, kann drei betragen, kann vier betragen oder kann noch größer sein. Bei allen Ausführungen des Feldfacettenspiegels 6 unterscheidet sich die Maximalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen und die Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen um nicht mehr als den Wert zwei.In alternative embodiments of the field facet mirror 6 If the minimum number of lighting switch positions can also differ from three, this amounts to at least one each. The minimum number of illumination switching positions of the field facets 7 can be two, can be three, can be four or even larger. For all versions of the field facet mirror 6 the maximum number of lighting switch positions and the minimum number of lighting switch positions differ by no more than two.

In der 4 sind diejenigen Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10 hervorgehoben, die aufgrund einer momentanen Kippstellung der Feldfacetten 7 mit dem Beleuchtungslicht 3 beaufschlagt sind. Es ergibt sich ein entsprechendes Beleuchtungssetting, also eine Verteilung der mit dem Beleuchtungslicht 3 beaufschlagten Pupillenfacetten 11 über den gesamten Pupillenfacettenspiegel 10. Ein jeweiliges Beleuchtungssetting ist definiert durch einen fest vorgegebenen Satz an Beleuchtungs-Schaltstellungen der Feldfacetten 7, in denen jede der Feldfacetten 7 in genau einer Beleuchtungs-Schaltstellung vorliegt. Dieses Beleuchtungssetting entspricht einer Beleuchtungswinkelverteilung, die über die Projektionsbelichtungsanlage 1 vorgegeben werden kann. In the 4 are those pupil facets 11 of the pupil facet mirror 10 highlighted due to a momentary tilting of the field facets 7 with the illumination light 3 are charged. This results in a corresponding illumination setting, ie a distribution of the illumination light 3 applied pupil facets 11 over the entire pupil facet mirror 10 , A respective illumination setting is defined by a fixed set of illumination switching positions of the field facets 7 in which each of the field facets 7 is present in exactly one lighting switching position. This illumination setting corresponds to an illumination angle distribution that passes through the projection exposure apparatus 1 can be specified.

Die mit dem Beleuchtungslicht 3 beaufschlagten Pupillenfacetten 11 bilden bei jedem Beleuchtungssetting mindestens eine zusammenhängende Pupillenfacetten-Gruppe. Grundsätzlich können, je nach den momentanen Kippstellungen der Feldfacetten 7, auch Beleuchtungssettings mit nicht zusammenhängenden Verteilungen von mit dem Beleuchtungslicht 3 beaufschlagten Pupillenfacetten 11 realisiert werden. Auch Mischformen von Beleuchtungssettings mit mindestens einer zusammenhängenden Pupillenfacetten-Gruppe und mit mindestens einer isoliert beaufschlagten Pupillenfacette 11 sind möglich. Ein derartiges, isoliert beaufschlagte Pupillenfacetten 11 aufweisendes Beleuchtungssetting kann in Fällen realisiert werden, in denen eine deutlich größere Anzahl von Pupillenfacetten im Vergleich zur Anzahl der Feldfacetten vorliegt, wobei mit der geringeren Anzahl der Feldfacetten die Pupillenfacetten auf dem Pupillenfacettenspiegel 10 zum Beispiel möglichst gleich verteilt beaufschlagt werden sollen. Sofern das Beleuchtungssetting mindestens eine zusammenhängende Pupillenfacetten-Gruppe aufweist, kann diese Pupillenfacetten-Gruppe mindestens zwei Pupillenfacetten 11 beinhalten. The with the illumination light 3 applied pupil facets 11 At least one contiguous pupil facet group is formed in each illumination setting. Basically, depending on the current tilt positions of the field facets 7 Also, lighting arrangements with unrelated distributions of with the illumination light 3 applied pupil facets 11 will be realized. Also mixed forms of illumination settings with at least one contiguous pupil facet group and with at least one pupil facet acted upon in isolation 11 are possible. Such a pupil facets acted upon in isolation 11 having illumination setting can be realized in cases where there are a significantly larger number of pupil facets compared to the number of field facets, with the smaller number of field facets the pupil facets on the pupil facet mirror 10 for example, should be applied as equally distributed. If the illumination setting has at least one contiguous pupil facet group, this pupil facet group can have at least two pupil facets 11 include.

Über den Pupillenfacettenspiegel 10 (1) und eine nachfolgende, aus drei EUV-Spiegeln 12, 13, 14 bestehenden Übertragungsoptik 15 werden die Feldfacetten 7 in eine Objektebene 16 der Projektionsbelichtungsanlage 1 abgebildet. Der EUV-Spiegel 14 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Grazing-Incidence-Spiegel) ausgeführt. In der Objektebene 16 ist ein Retikel 17 angeordnet, von dem mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 ein Ausleuchtungsbereich ausgeleuchtet wird, der mit einem Objektfeld 18 einer nachgelagerten Projektionsoptik 19 der Projektionsbelichtungsanlage 1 zusammenfällt. Der Ausleuchtungsbereich wird auch als Beleuchtungsfeld bezeichnet. Das Objektfeld 18 ist je nach der konkreten Ausführung einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage 1 rechteckig oder bogenförmig. Die Abbildungslichtkanäle werden im Objektfeld 18 überlagert. Die Übertragungsoptik 15, zu der der Pupillenfacettenspiegel 10 gehört, bildet die Feldfacetten 7 also einander überlagernd in das Objektfeld 18 ab. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 wird vom Retikel 17 reflektiert. Das Retikel 17 wird von einem Objekthalter 17a gehaltert, der längs der Verlagerungsrichtung y mit Hilfe eines schematisch angedeuteten Objektverlagerungsantriebs 17b angetrieben verlagerbar ist.About the pupil facet mirror 10 ( 1 ) and a subsequent one, from three EUV mirrors 12 . 13 . 14 existing transmission optics 15 become the field facets 7 in an object plane 16 the projection exposure system 1 displayed. The EUV level 14 is designed as a grazing incidence mirror. In the object plane 16 is a reticle 17 arranged, of which with the EUV illumination light 3 an illumination area is illuminated, with an object field 18 a downstream projection optics 19 the projection exposure system 1 coincides. The illumination area is also called a lighting field. The object field 18 is depending on the specific design of a lighting optics of the projection exposure system 1 rectangular or arcuate. The image light channels are in the object field 18 superimposed. The transmission optics 15 to which the pupil facet mirror 10 belongs, forms the field facets 7 thus superimposing each other in the object field 18 from. The EUV lighting light 3 is from the reticle 17 reflected. The reticle 17 is from an object holder 17a held along the displacement direction y by means of a schematically indicated object displacement drive 17b is driven displaced.

Auf die weitere Übertragungsoptik 15 kann verzichtet werden, sofern der Pupillenfacettenspiegel 10 direkt in einer Eintrittspupille der Projektionsoptik 19 angeordnet ist. On the further transmission optics 15 may be waived if the pupil facet mirror 10 directly in an entrance pupil of the projection optics 19 is arranged.

Die Projektionsoptik 19 bildet das Objektfeld 18 in der Objektebene 16 in ein Bildfeld 20 in einer Bildebene 21 ab. In dieser Bildebene 21 ist ein Wafer 22 angeordnet, der eine lichtempfindliche Schicht trägt, die während der Projektionsbelichtung mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 belichtet wird. Der Wafer 22, also das Substrat, auf welches abgebildet wird, wird von einem Wafer- beziehungsweise Substrathalter 22a gehaltert, der längs der Verlagerungsrichtung y mit Hilfe eines ebenfalls schematisch angedeuteten Waferverlagerungsantriebs 22b synchron zur Verlagerung des Objekthalters 17a verlagerbar ist. Bei der Projektionsbelichtung werden sowohl das Retikel 17 als auch der Wafer 22 in der y-Richtung synchronisiert gescannt. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Die Scanrichtung y ist die Objektverlagerungsrichtung.The projection optics 19 forms the object field 18 in the object plane 16 in a picture field 20 in an image plane 21 from. In this picture plane 21 is a wafer 22 which carries a photosensitive layer during projection exposure with the projection exposure apparatus 1 is exposed. The wafer 22 That is, the substrate to be imaged on is from a wafer or substrate holder 22a held along the displacement direction y by means of a likewise schematically indicated Waferverlagerungsantriebs 22b synchronous to the displacement of the object holder 17a is relocatable. In the projection exposure, both the reticle 17 as well as the wafer 22 scanned synchronized in the y-direction. The projection exposure machine 1 is designed as a scanner. The scanning direction y is the object displacement direction.

Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 10 und die Spiegel 12 bis 14 der Übertragungsoptik 15 sind Bestandteile einer Beleuchtungsoptik 23 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Gemeinsam mit der Projektionsoptik 19 bildet die Beleuchtungsoptik 23 ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1. Die Beleuchtungsoptik 23 ist so ausgelegt, dass im Bereich der Pupillenfacetten 11 Bilder der Lichtquelle 2 entstehen.The field facet mirror 6 , the pupil facet mirror 10 and the mirrors 12 to 14 the transmission optics 15 are components of a lighting system 23 the projection exposure system 1 , Together with the projection optics 19 forms the illumination optics 23 an illumination system of the projection exposure apparatus 1 , The illumination optics 23 is designed so that in the area of the pupil facets 11 Pictures of the light source 2 arise.

Die 4 bis 10 zeigen verschiedene Beleuchtungssettings, also verschiedene Gruppierungen von auf dem Pupillenfacettenspiegel 10 mit dem Beleuchtungslicht 3 über eine entsprechende Vorgabe von Feldfacetten-Kippspiegeln beaufschlagte Pupillenfacetten 11, wobei die beaufschlagten Pupillenfacetten 11 hervorgehoben sind. The 4 to 10 show different lighting settings, so different groupings of on the pupil facet mirror 10 with the illumination light 3 via a corresponding specification of field facet tilting mirrors acted upon pupil facets 11 , wherein the applied pupil facets 11 are highlighted.

Der Pupillenfacettenspiegel 10 hat bei der Ausführung nach 4 insgesamt einhundertzweiundfünfzig Pupillenfacetten 11. Einem derartigen Pupillenfacettenspiegel 10 ist eine Ausführung des Feldfacettenspiegels 6 mit insgesamt 48 Feldfacetten 7 zugeordnet, von denen z. B. vierzig Feldfacetten 7 in drei Kippstellungen und acht Feldfacetten 7 in vier Kippstellungen umstellbar sind.The pupil facet mirror 10 has in the execution after 4 a total of one hundred and fifty-two pupil facets 11 , Such a pupil facet mirror 10 is an embodiment of the field facet mirror 6 with a total of 48 field facets 7 assigned, of which z. For example, forty field facets 7 in three tilt positions and eight field facets 7 can be changed to four tilt positions.

4 zeigt ein Beleuchtungssetting „konventionelle Beleuchtung mit kleinem maximalen Beleuchtungswinkel“. Die mit jeweils einem Beleuchtungslicht-Teilbündel beaufschlagen Pupillenfacetten 11 sind durch eine Schrägschraffur hervorgehoben. Der maximale Beleuchtungswinkel wird durch die am weitesten von einem Zentrum 24 des Pupillenfacettenspiegels 11 entfernten, beaufschlagten Pupillenfacetten 11 vorgegeben. Dieses Beleuchtungssetting nach 4 wird über jeweils eine erste Beleuchtungs-Schaltstellung der Feldfacetten 7 erzeugt. 4 shows a lighting setting "conventional lighting with a small maximum illumination angle". The pupil facets, each with an illumination light sub-beam, act on the pupil 11 are highlighted by a diagonal hatching. The maximum illumination angle is the farthest from a center 24 of the pupil facet mirror 11 removed, impinged pupil facets 11 specified. This lighting setting after 4 is in each case via a first lighting switching position of the field facets 7 generated.

5 zeigt ein Beleuchtungssetting „annulare Beleuchtungswinkelverteilung mit mittlerem maximalen Beleuchtungswinkel“. Mit dem Beleuchtungslicht 3 wird dabei ein Ring von Pupillenfacetten 11 beaufschlagt, wobei sowohl innerhalb dieses Rings als auch außerhalb dieses Rings unbeaufschlagte Pupillenfacetten 11 verbleiben. Dieses Beleuchtungssetting nach 4 wird über jeweils eine zweite Beleuchtungs-Schaltstellung der Feldfacetten 7 erzeugt. 5 shows an illumination setting "annulare illumination angle distribution with mean maximum illumination angle". With the illumination light 3 becomes a ring of pupil facets 11 applied, both within this ring and outside of this ring unbeaten Pupillenfacetten 11 remain. This lighting setting after 4 is in each case via a second illumination switching position of the field facets 7 generated.

6 zeigt den Pupillenfacettenspiegel 10 mit einem Beleuchtungssetting „annulare Beleuchtung mit maximalem Beleuchtungswinkel“. Mit dem Beleuchtungslicht 3 beaufschlagt wird hierbei ein äußerer Ring der Pupillenfacetten 11 auf dem Pupillenfacettenspiegel 10. Dieses Beleuchtungssetting nach 4 wird über jeweils eine dritte Beleuchtungs-Schaltstellung der Feldfacetten 7 erzeugt. 6 shows the pupil facet mirror 10 with an illumination setting "annular illumination with maximum illumination angle". With the illumination light 3 In this case, an outer ring of the pupil facets is acted upon 11 on the pupil facet mirror 10 , This lighting setting after 4 is in each case a third lighting switching position of the field facets 7 generated.

In der 4 sind zudem acht randseitige Pupillenfacetten 11 durch eine Kreuzschraffur hervorgehoben. Diese acht randseitigen Pupillenfacetten 11 können über die jeweils vierte Beleuchtungs-Schaltstellung der Feldfacetten nach Art der Feldfacette 7 2 beaufschlagt werden.In the 4 are also eight marginal pupil facets 11 highlighted by cross-hatching. These eight marginal pupil facets 11 can on the respective fourth illumination switching position of the field facets on the type of field facet 7 2 be charged.

Ein entsprechendes Setting, bei dem diese vierte Beleuchtungs-Schaltstellung dieser acht Feldfacetten nach Art der Feldfacette 7 2 vorliegt, ist kein Beleuchtungssetting, das während einer tatsächlichen Projektionsbelichtung zum Einsatz kommt, also kein Projektions-Beleuchtungssetting. Ein derartiges, nicht bei der Projektionsbelichtung, sondern ausschließlich zum Vermessen der Ausleuchtungskanäle zum Einsatz kommendes Beleuchtungssetting wird nachfolgend auch als Metrologie-Beleuchtungssetting bezeichnet.A corresponding setting in which this fourth illumination switching position of these eight field facets in the manner of the field facet 7 2 is not a lighting setting used during an actual projection exposure, so no projection lighting setting. Such a lighting setting which is not used in the projection exposure, but exclusively for measuring the illumination channels is also referred to below as the metrology lighting setting.

Die drei Projektions-Beleuchtungssettings nach den 4 bis 6 entsprechen den dort durch die Schrägschraffur hervorgehobenen Pupillenfacetten 11 und das weitere Beleuchtungssetting mit einer Beaufschlagung der acht durch die Kreuzschraffur in der 4 hervorgehobenen Pupillenfacetten 11 stellen einen Satz von Beleuchtungssettings dar, innerhalb dessen alle Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels 6 in allen ihren verschiedenen möglichen Beleuchtungs-Schaltstellungen vorliegen.The three projection lighting settings after the 4 to 6 correspond to the pupil facets highlighted there by the oblique hatching 11 and the further lighting setting with the application of the eight by the cross hatching in the 4 highlighted pupil facets 11 represent a set of lighting settings within which all field facets 7 of the field facet mirror 6 present in all their different possible lighting switching positions.

Die Anzahl der Beleuchtungssettings innerhalb dieses Beleuchtungssetting-Satzes, vier, ist gleich der Maximalanzahl der Beleuchtungs-Schaltstellungen der Feldfacetten 7.The number of lighting settings within this lighting setting set, four, is equal to the maximum number of lighting switch positions of the field facets 7 ,

Anhand der 7 bis 10 wird nachfolgend ein weiterer derartiger Beleuchtungssetting-Satz beschrieben, innerhalb dem alle Feldfacetten in allen ihren drei bzw. vier vorhandenen Beleuchtungs-Schaltstellungen vorliegen. 7 zeigt ein Beleuchtungssetting „y-Dipol“. Beaufschlagt werden hierbei zwei in der y-Richtung voneinander beabstandete Pupillenfacetten-Gruppen 25, 26, deren äußere Berandungsform an diejenige eines Laubbaum-Blatts erinnert, weswegen eine derartige Pupillenfacetten-Gruppe auch als „Leaflet“ bezeichnet ist. Based on 7 to 10 In the following, another such illumination setting set is described, within which all field facets are present in all their three or four existing illumination switching positions. 7 shows a lighting setting "y-dipole". In this case, two pupil facet groups which are spaced apart from one another in the y direction are acted upon 25 . 26 whose outer boundary shape is reminiscent of that of a deciduous tree leaf, for which reason such a pupil facet group is also referred to as "leaflet".

8 zeigt ein Beleuchtungssetting „x-Dipol“ mit voneinander in der x-Richtung beabstandeten Leaflets. 8th shows an illumination setting "x-dipole" with spaced apart in the x-direction leaflets.

9 zeigt ein Beleuchtungssetting „+25°-Dipol“ mit voneinander im Vergleich zum x-Dipol nach 7 um 25° im Uhrzeigersinn in Umfangsrichtung um das Zentrum 24 des Pupillenfacettenspiegels 10 verdrehten Leaflets, also Pupillenfacetten-Gruppen 25, 26. 9 shows a lighting setting "+ 25 ° dipole" with each other in comparison to the x-dipole 7 25 ° clockwise in the circumferential direction around the center 24 of the pupil facet mirror 10 twisted leaflets, ie pupil facet groups 25 . 26 ,

10 zeigt ein Beleuchtungssetting „–25°-Dipol“ mit im Vergleich zum Beleuchtungssetting nach 9 um –50° in Umfangsrichtung verdrehten Leaflets. 10 shows a lighting setting "-25 ° dipole" with compared to the lighting setting 9 Leaflets twisted by -50 ° in the circumferential direction.

Auch andere Dipol-Winkel sind möglicht, zum Beispiel +45° oder –45°. Ein +α/–α-Dipolsetting wird nachfolgend kurz auch als α-Dipolsetting bezeichnet. Other dipole angles are also possible, for example + 45 ° or -45 °. A + α / -α-dipole setting is also referred to below as α-dipole setting.

In der 7 sind wiederum durch eine Kreuzschraffur hervorgehoben insgesamt 40 Pupillenfacetten 11, die in einer weiteren, vierten Schaltstellung der Feldfacetten 7 mit Beleuchtungslicht beaufschlagt werden. Das zugehörige Beleuchtungssetting ist wiederum kein Projektions-Beleuchtungssetting, wie vorstehend anhand der 7 bis 10 erläutert, sondern ein Metrologie-Beleuchtungssetting. Einem entsprechenden Beleuchtungssetting-Satz mit vier Projektions-Beleuchtungssettings und einem Metrologie-Beleuchtungssetting kann eine Ausführung des Feldfacettenspiegels 6 mit insgesamt 48 Feldfacetten 7 zugeordnet sein, von denen acht Feldfacetten 7 in vier Kippstellungen und vierzig Feldfacetten 7 in fünf Kippstellungen umstellbar sind.In the 7 are again highlighted by a crosshatch highlighted a total of 40 pupil facets 11 , in a further, fourth switching position of the field facets 7 be illuminated with illumination light. The associated illumination setting is again not a projection illumination setting, as described above with reference to FIG 7 to 10 but a metrology lighting setting. A corresponding illumination setting set with four projection illumination settings and one metrology illumination setting can be an embodiment of the field facet mirror 6 with a total of 48 field facets 7 be assigned, of which eight field facets 7 in four tilt positions and forty field facets 7 can be changed to five tilt positions.

Anhand der 11 bis 20 werden nachfolgend weitere Varianten von Beleuchtungssettings und Beleuchtungssetting-Sätzen beschrieben. Die 11 bis 18 zeigen dabei verschiedene Projektions-Beleuchtungssettings. Die 19 und 20 zeigen zwei komplette Sätze von Beleuchtungssettings, innerhalb derer alle Feldfacetten diese Beleuchtungssettings erzeugenden Feldfacetten in allen ihren verschiedenen Beleuchtungs-Schaltstellungen vorliegen.Based on 11 to 20 In the following, further variants of illumination settings and illumination setting sentences are described. The 11 to 18 show different projection lighting settings. The 19 and 20 show two complete sets of illumination settings, within which all field facets present these illumination setting generating field facets in all their different illumination switching positions.

Eine Beleuchtungsoptik zur Erzeugung der Beleuchtungssettings nach den 11 bis 20 hat einen Feldfacettenspiegel 6 mit achtundvierzig Feldfacetten und den in den 11 bis 20 gezeigten Pupillenfacettenspiegel 10 mit einhundertsechsunddreißig Pupillenfacetten 11. Von den achtundvierzig Feldfacetten des zugehörigen Feldfacettenspiegels sind vierzig Feldfacetten zwischen drei verschiedenen Beleuchtungs-Schaltstellungen und acht Feldfacetten zwischen zwei verschiedenen Beleuchtungs-Schaltstellungen umstellbar.An illumination optics for generating the illumination settings according to 11 to 20 has a field facet mirror 6 with forty - eight field facets and those in the 11 to 20 pupil facet mirror shown 10 with one hundred and thirty-six pupil facets 11 , Of the forty-eight field facets of the associated field facet mirror, forty field facets can be switched between three different lighting switch positions and eight field facets between two different lighting switch positions.

Die Projektions-Beleuchtungssettings nach den 11 bis 17 entsprechen grundsätzlich denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 4 bis 10 bereits erläutert wurden.The projection lighting settings after the 11 to 17 basically correspond to those described above with reference to the 4 to 10 already explained.

Die 18 zeigt ein weiteres Projektions-Beleuchtungssetting nach Art eines konventionellen Beleuchtungssettings mit möglichst gleichmäßig ausgeleuchteter Pupille. Die über die jeweiligen Feldfacetten der Ausleuchtungskanäle beim Beleuchtungssetting nach 18 beleuchteten Pupillenfacetten 11 sind über die Facetten-Anordnung des Pupillenfacettenspiegels 10 gleichmäßig verteilt.The 18 shows a further projection illumination setting in the manner of a conventional illumination setting with pupil illuminated as evenly as possible. The over the respective field facets of the illumination channels in the lighting setting after 18 illuminated pupil facets 11 are about the facet arrangement of the pupil facet mirror 10 equally distributed.

Die 19 zeigt eine Überlagerung des Projektions-Beleuchtungssettings „konventionelle Beleuchtung mit kleinem maximalen Beleuchtungswinkel“ nach 11, in der 19 dargestellt durch unschraffierte Pupillenfacetten 11 mit dem weiteren Projektions-Beleuchtungssetting „annulare Beleuchtung mit maximalem Beleuchtungswinkel“ nach 13, dargestellt durch dicht schraffierte Pupillenfacetten 11 und mit einem Metrologie-Beleuchtungssetting, welches dem Beleuchtungssetting „annulare Beleuchtungswinkelverteilung mit mittlerem maximalen Beleuchtungswinkel“ nach 12 ähnlich ist, aber mit diesem nicht exakt übereinstimmt und in der 19 durch eine weniger dichte Schraffur angedeutet ist. Das Metrologie-Beleuchtungssetting nach 19 unterscheidet sich vom Projektions-Beleuchtungssetting nach 12 dadurch, dass vier Pupillenfacetten 11 1, die beim Projektions-Beleuchtungssetting nach 12 mit Beleuchtungslicht 3 beaufschlagt werden, beim Metrologie-Beleuchtungssetting nach 19 nicht mit Beleuchtungslicht beaufschlagt werden. Zudem werden vier weitere Pupillenfacetten 11 2, die beim Projektions-Beleuchtungssetting nach 12 nicht mit Beleuchtungslicht beaufschlagt werden, beim Metrologie-Beleuchtungssetting nach 19 mit dem Beleuchtungslicht 3 beaufschlagt.The 19 shows a superimposition of the projection illumination setting "conventional illumination with a small maximum illumination angle" 11 , in the 19 represented by unshaded pupil facets 11 with the further projection illumination setting "annular illumination with maximum illumination angle" 13 represented by densely hatched pupil facets 11 and with a metrology illumination setting, which corresponds to the illumination setting "annular illumination angle distribution with mean maximum illumination angle" 12 is similar, but with this does not match exactly and in the 19 is indicated by a less dense hatching. The metrology lighting setting after 19 differs from the projection lighting setting 12 in that four pupil facets 11 1 , following the projection lighting setting 12 with illumination light 3 Follow the metrology lighting setting 19 are not exposed to illumination light. In addition, four more pupil facets 11 2 , following the projection lighting setting 12 are not exposed to illumination light, according to the metrology lighting setting 19 with the illumination light 3 applied.

Die Beleuchtungssettings des Beleuchtungssetting-Satzes nach 19 sind so ausgewählt, dass jeweils mindestens eine der Feldfacetten beim Wechsel zwischen zwei dieser Beleuchtungssettings nicht umgestellt, also nicht geschaltet wird. Beim Wechsel zwischen dem Projektions-Beleuchtungssetting nach 11 und dem Metrologie-Beleuchtungssetting nach 19 müssen beispielsweise die Feldfacetten, die zu den Ausleuchtungskanälen von vier Pupillenfacetten 11 3 gehören, nicht geschaltet werden. Dies ist in der 19 dadurch angedeutet, dass diese vier Pupillenfacetten 11 3 diagonal unterteilt sind und eine Hälfte dieser unterteilten Feldfacetten unschraffiert und die andere Hälfte weniger dicht schraffiert ist. Diese Pupillenfacetten 11 3 gehören also in beleuchtetem Zustand sowohl zum Projektions-Beleuchtungssetting nach 11 als auch zum Metrologie-Beleuchtungssetting nach 19. Weiterhin müssen beim Wechsel zwischen dem Metrologie-Beleuchtungssetting nach 19 und dem Projektions-Beleuchtungssetting nach 13 die Feldfacetten, die zu den Ausleuchtungskanälen der vier Pupillenfacetten 11 2 gehören, nicht geschaltet werden. Die Pupillenfacetten 11 2 gehören also in beleuchtetem Zustand sowohl zum Metrologie-Beleuchtungssetting nach 19 als auch zum Projektions-Beleuchtungssetting nach 13. Die acht Pupillenfacetten 11 2 und 11 3 gehören zu den acht Feldfacetten, die zwischen genau zwei Beleuchtungs-Schaltstellungen umstellbar sind.The lighting settings of the lighting set set behind 19 are selected so that in each case at least one of the field facets is not changed when switching between two of these lighting settings, that is not switched. When switching between the projection illumination setting 11 and the metrology lighting setting 19 For example, the field facets corresponding to the illumination channels of four pupil facets 11 3 belong, not be switched. This is in the 19 indicated that these four pupil facets 11 3 are diagonally divided and half of these subdivided field facets are unshaded and the other half is less densely hatched. These pupil facets 11 Thus, in illuminated condition, 3 belong to both the projection lighting setting 11 as well as to the metrology lighting setting 19 , Furthermore, when switching between the metrology lighting settings, you must 19 and the projection illumination setting 13 the field facets leading to the illumination channels of the four pupil facets 11 2 belong, not be switched. The pupil facets 11 2 therefore belong to the metrology lighting setting in the illuminated state 19 as well as to the projection lighting setting 13 , The eight pupil facets 11 2 and 11 3 belong to the eight field facets, which can be switched between exactly two lighting switch positions.

Bei der Durchführung einer Ausleuchtungskanal-Vermessung mit Einsatz des Beleuchtungssetting-Satzes nach 19 ermöglichen die Überlapp-Pupillenfacetten 11 3 bzw. 11 2 einen Intensitätsabgleich der Messbilder, die zu den beiden Beleuchtungssettings gehören, bei denen diese Pupillenfacetten 11 3 bzw. 11 2 mit dem Beleuchtungslicht 3 beaufschlagt werden. Hierüber ist eine Kalibrierung der verschiedenen Einzelmessungen beim Ausmessen der Ausleuchtungskanäle möglich.When performing an illumination channel survey using the lighting set set 19 allow the overlap pupil facets 11 3 or 11 FIG. 2 shows an intensity comparison of the measurement images which belong to the two illumination settings in which these pupil facets. FIG 11 3 or 11 2 with the illumination light 3 be charged. This calibration of the various individual measurements when measuring the illumination channels is possible.

Innerhalb der Beleuchtungssettings des Beleuchtungssetting-Satzes nach 19 liegen alle Feldfacetten 7 in allen ihren verschiedenen Schaltstellungen vor.Inside the lighting settings of the lighting setting set 19 are all field facets 7 in all their different switch positions.

20 zeigt in zur 19 ähnlicher Darstellung einen weiteren Beleuchtungssetting-Satz, diesmal mit drei Metrologie-Beleuchtungssettings. Eines dieser drei Metrologie-Beleuchtungssettings ist durch unschraffiert dargestellte Pupillenfacetten veranschaulicht, das zweite durch dicht schraffierte Pupillenfacetten und das dritte durch weniger dicht schraffierte Pupillenfacetten. Pupillenfacetten, die zu zwei der drei Metrologie-Beleuchtungssettings nach 20 gehören, sind wiederum entsprechend diagonal unterteilt und tragen hälftig die jeweilige Zuordnung „unschraffiert“, „dicht schraffiert“ oder „weniger dicht schraffiert“ der drei Metrologie-Beleuchtungssettings. 20 shows in to 19 Similarly, another set of illumination settings, this time with three metrology lighting settings. One of these three metrology lighting settings is illustrated by unshaded pupil facets, the second by densely hatched pupil facets, and the third by less densely hatched pupil facets. Pupil facets following to two of the three metrology lighting settings 20 are in turn divided accordingly diagonally and bear in half the respective assignment "unshaded", "densely hatched" or "less densely hatched" of the three metrology lighting settings.

Jedes der Metrologie-Beleuchtungssettings des Beleuchtungssetting-Satzes nach 20 gehört zu einer Anordnungs-Verteilung der Pupillenfacetten 11, bei der eine zu einem Ausleuchtungskanal des jeweiligen Beleuchtungssettings gehörende Pupillenfacette 11 ausschließlich von direkt über Seitenflächen, also nicht über Ecken, benachbarten Pupillenfacetten 11 umgeben ist, die nicht zu einem Ausleuchtungskanal dieses Beleuchtungssettings gehören. Die Metrologie-Beleuchtungssettings nach der 20 haben also jeweils keine zusammenhängende Pupillenfacetten-Gruppe. Prinzipiell könnte eines der Metrologie-Beleuchtungssettings nach 20 auch als die Pupille gleichmäßig füllendes Beleuchtungssetting entsprechend dem Projektions-Beleuchtungssetting nach 18 genutzt werden.Each of the lighting settings set's metrology lighting settings behind 20 belongs to an arrangement distribution of the pupil facets 11 in which a pupil facet belonging to an illumination channel of the respective illumination setting 11 exclusively from directly over side surfaces, so not over corners, adjacent pupil facets 11 is surrounded, which do not belong to an illumination channel of this lighting setting. The metrology lighting settings after the 20 So each has no connected pupil facet group. In principle, one of the metrology lighting settings could 20 also as the pupil evenly filling lighting setting according to the projection lighting setting 18 be used.

Auch bei den drei Metrologie-Beleuchtungssettings nach 20 gibt es jeweils vier gemeinsame Pupillenfacetten zwischen zwei der drei Metrologie-Beleuchtungssettings. Beim Beleuchtungssetting-Satz nach 20 ist es sogar so, dass es zwischen jeder Paarung der drei Metrologie-Beleuchtungssettings genau vier gemeinsame Pupillenfacetten 11 gibt, so dass beim Beleuchtungssetting-Satz nach 20 insgesamt zwölf zu zwei der Metrologie-Beleuchtungssettings gehörende Pupillenfacetten 11 vorliegen, die in der 20 mit 11 4 gekennzeichnet sind.Also with the three metrology lighting settings 20 There are four common pupil facets between each of two of the three metrology lighting settings. Follow the lighting setting set 20 In fact, there are exactly four common pupil facets between each pairing of the three metrology lighting settings 11 so that after the lighting set set after 20 a total of twelve pupil facets belonging to two of the metrology illumination settings 11 present in the 20 With 11 4 are marked.

Bei der Projektionsbelichtung werden zunächst das Retikel 17 und der Wafer 22, der eine für das Beleuchtungslicht 3 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird ein Abschnitt des Retikels 17 auf den Wafer 22 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Schließlich wird die mit dem Beleuchtungslicht 3 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 22 entwickelt. Auf diese Weise wird ein mikro- beziehungsweise nanostrukturiertes Bauteil, beispielsweise ein Halbleiterchip, hergestellt.In the projection exposure, first the reticle 17 and the wafer 22 , one for the illumination light 3 photosensitive coating carries provided. Subsequently, a section of the reticle 17 on the wafer 22 with the help of the projection exposure system 1 projected. Finally, the one with the illumination light 3 exposed photosensitive layer on the wafer 22 developed. In this way, a micro- or nanostructured component, for example a semiconductor chip, is produced.

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Claims (14)

Beleuchtungsoptik (23) für die EUV-Projektionslithographie zur Beleuchtung eines Objektfeldes (18) mit Beleuchtungslicht (3), – mit einem Feldfacettenspiegel (6) mit einer Mehrzahl von Feldfacetten (7), – mit einem Pupillenfacettenspiegel (10) mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten (11), – wobei der Pupillenfacettenspiegel (10) zu einer Übertragungsoptik (15) gehört, die die Feldfacetten (7) einander überlagernd in das Objektfeld (18) abbildet, – wobei die Beleuchtungsoptik (23) so ausgelegt ist, dass im Bereich der Pupillenfacetten (11) Bilder einer Lichtquelle (2) zur Erzeugung des Beleuchtungslichts (3) entstehen, – wobei die Feldfacetten (7) jeweils mit einem Aktor (7a) verbunden sind und umstellbar sind zwischen verschiedenen Beleuchtungs-Schaltstellungen, wobei jede der Beleuchtungs-Schaltstellungen eine definierte Verkippung der Feldfacette (7) vorgibt, wobei in jeder der Beleuchtungs-Schaltstellungen die jeweilige Feldfacette (7) über einen Ausleuchtungskanal zur Führung eines Beleuchtungslicht-Teilbündels genau einer der Pupillenfacetten (11) zugeordnet ist, – wobei die Anzahl der Beleuchtungs-Schaltstellungen mindestens zweier der umstellbaren Feldfacetten (7) unterschiedlich ist, – wobei mindestens eine der Feldfacetten (7 2) eine Maximalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen aller Feldfacetten (7) hat, – wobei mindestens eine der Feldfacetten (7 1) eine Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen aller Feldfacetten (7) hat, – wobei die Minimalanzahl mindestens eins beträgt, – wobei die Maximalanzahl größer ist als die Minimalanzahl, – wobei sich die Maximalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen und die Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen um nicht mehr als zwei unterscheiden. Illumination optics ( 23 ) for EUV projection lithography for illuminating an object field ( 18 ) with illumination light ( 3 ), - with a field facet mirror ( 6 ) with a plurality of field facets ( 7 ), - with a pupil facet mirror ( 10 ) having a plurality of pupil facets ( 11 ), - whereby the pupil facet mirror ( 10 ) to a transmission optics ( 15 ), which covers the field facets ( 7 ) overlapping each other in the object field ( 18 ), the illumination optics ( 23 ) is designed so that in the area of the pupil facets ( 11 ) Images of a light source ( 2 ) for generating the illumination light ( 3 ), the field facets ( 7 ) each with an actuator ( 7a ) and are switchable between different lighting switch positions, each of the lighting switch positions a defined tilt of the field facet ( 7 ), wherein in each of the lighting switch positions the respective field facet ( 7 ) via an illumination channel for guiding an illumination light partial bundle exactly one of the pupil facets ( 11 ), the number of illumination switching positions of at least two of the convertible field facets ( 7 ), wherein at least one of the field facets ( 7 2 ) a maximum number of lighting switching positions of all field facets ( 7 ), at least one of the field facets ( 7 1 ) a minimum number of lighting switching positions of all field facets ( 7 ), wherein the minimum number is at least one, wherein the maximum number is greater than the minimum number, wherein the maximum number of lighting switch positions and the minimum number of lighting switch positions differ by no more than two. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Maximalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen und die Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen um genau eins unterscheiden.Illumination optics according to claim 1, characterized in that the maximum number of lighting switching positions and the minimum number of lighting switching positions differ by exactly one. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Minimalanzahl an Beleuchtungs-Schaltstellungen vier beträgt.Illumination optics according to claim 1 or 2, characterized in that the minimum number of lighting switching positions is four. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch einen Satz Beleuchtungssettings, – wobei jedes der Beleuchtungssettings definiert ist durch einen fest vorgegebenen Satz an Beleuchtungs-Schaltstellungen der Feldfacetten (7), in denen jede der Feldfacetten (7) in genau einer Schaltstellung vorliegt, – wobei der Satz der Beleuchtungssettings so ausgewählt ist, dass innerhalb des Beleuchtungssetting-Satzes alle Feldfacetten (7) in allen ihren verschiedenen Beleuchtungs-Schaltstellungen vorliegen.Illumination optics according to one of Claims 1 to 3, characterized by a set of illumination settings, wherein each of the illumination settings is defined by a fixed set of illumination switching positions of the field facets ( 7 ) in which each of the field facets ( 7 ) is in exactly one switching position, - wherein the set of illumination settings is selected such that within the illumination setting set all field facets ( 7 ) are present in all their different lighting switching positions. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl der Beleuchtungssettings im Beleuchtungssetting-Satz gleich der Maximalanzahl der Beleuchtungs-Schaltstellungen der Feldfacetten (7) ist.Illumination optics according to Claim 4, characterized in that the number of illumination settings in the illumination setting set is equal to the maximum number of illumination switching positions of the field facets ( 7 ). Beleuchtungsoptik nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass zum Beleuchtungssetting-Satz mindestens ein Beleuchtungssetting gehört, welches zur Projektionsbelichtung zum Einsatz kommt.Illumination optics according to claim 4 or 5, characterized in that the illumination setting set includes at least one illumination setting which is used for projection exposure. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass zum Beleuchtungssetting-Satz mindestens ein Beleuchtungssetting gehört, welches nicht zur Projektionsbelichtung zum Einsatz kommt.Illumination optics according to one of claims 4 to 6, characterized in that the illumination setting set includes at least one illumination setting which is not used for projection exposure. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Beleuchtungssetting des Beleuchtungssetting-Satzes zu einer Anordnungs-Verteilung der Pupillenfacetten (11) gehört, bei der eine zu einem Ausleuchtungskanal des jeweiligen Beleuchtungssettings gehörende Pupillenfacette (11) ausschließlich von Pupillenfacetten (11) umgeben ist, die nicht zu einem Ausleuchtungskanal dieses Beleuchtungssettings gehören.Illumination optics according to one of claims 4 to 7, characterized in that each illumination setting of the illumination setting set results in an arrangement distribution of the pupil facets ( 11 ), in which a pupil facet belonging to an illumination channel of the respective illumination setting ( 11 ) exclusively of pupil facets ( 11 ) that does not belong to an illumination channel of this illumination setting. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass zum Beleuchtungssetting-Satz zumindest ein Projektions-Beleuchtungssetting aus folgenden Beleuchtungssettings gehört: – annulare Beleuchtung mit kleinen Beleuchtungswinkeln, – annulare Beleuchtung mit mittleren Beleuchtungswinkeln, – annulare Beleuchtung mit großen Beleuchtungswinkeln, – x-Dipolsetting, – y-Dipolsetting – +α-Dipolsetting, – –α-Dipolsetting, – Quadrupolsetting, – Hexapolsetting, – konventionelles Setting. Illumination optics according to one of Claims 4 to 8, characterized in that at least one projection illumination setting belongs to the illumination setting set from the following illumination settings: - annular illumination with small illumination angles, - annular illumination with medium illumination angles, - annular illumination with large illumination angles, - x Dipolesetting, - y-dipole setting - + α-dipole setting, - -α-dipole setting, - quadrupole setting, - hexapole setting, - conventional setting. Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik (23) nach einem der Ansprüche 1 bis 9 und einer Projektionsoptik (19) zur Abbildung des Objektfeldes (18) in ein Bildfeld (20).Optical system with illumination optics ( 23 ) according to one of claims 1 to 9 and a projection optics ( 19 ) for mapping the object field ( 18 ) in an image field ( 20 ). Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 9 und einer EUV-Lichtquelle (2) für das Beleuchtungslicht (3). Optical system with an illumination optics according to one of Claims 1 to 9 and an EUV light source ( 2 ) for the illumination light ( 3 ). Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem optischen System nach Anspruch 10 und einer Lichtquelle (2) für das Beleuchtungslicht (3). Projection exposure apparatus ( 1 ) with an optical system according to claim 10 and a light source ( 2 ) for the illumination light ( 3 ). Verfahren zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Wafers (22), auf dem zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, – Bereitstellen eines Retikels als Objekt (17), das abzubildende Strukturen aufweist, – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 12, – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (17) auf einen Bereich der Schicht des Wafers (22) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).Process for the production of structured components comprising the following steps: - providing a wafer ( 22 ), on which at least partially a layer of a photosensitive material is applied, - providing a reticle as object ( 17 ) having structures to be imaged, - providing a projection exposure apparatus ( 1 ) according to claim 12, - projecting at least a part of the reticle ( 17 ) on an area of the layer of the wafer ( 22 ) using the projection exposure apparatus ( 1 ). Strukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 13.Structured component produced by a method according to claim 13.
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