DE102011076658A1 - Illumination lens for use in projection illumination system for extreme UV-projection lithography for manufacturing e.g. semiconductor chip, has first selection facet comprising larger surface than surfaces of second and third facets - Google Patents

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Abstract

The lens (23) has a field facet mirror (6) comprising field facets with reflection surfaces for guiding partial beams of extreme UV-illumination light (3). A pupil field facet mirror (10) has pupil facets for guiding the partial beams reflected by the facets of the field mirror, such that object field illuminating channels are provided over the field and pupil facets. A first selection facet of the pupil facets has an optical total reflecting surface that is larger than optical total reflecting surfaces of second and third selection facets of the pupil facets. Independent claims are also included for the following: (1) a projection illumination system comprising an illumination system (2) a method for manufacturing a structured component.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, in welchem ein Objektfeld einer nachfolgenden abbildenden Optik anordenbar ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein nach einem solchen Herstellungsverfahren hergestelltes mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement. Ferner betrifft die Erfindung einen Pupillenfacettenspiegel als Teil einer Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, in welchem ein Objektfeld einer nachfolgenden abbildenden Optik anordenbar ist.The invention relates to an illumination optics for EUV projection lithography for illuminating a lighting field, in which an object field of a subsequent imaging optics can be arranged. Furthermore, the invention relates to an illumination system with such an illumination optical system, a projection exposure apparatus with such an illumination system, a method for producing a microstructured or nanostructured component using such a projection exposure apparatus, and a microstructured or nanostructured component produced by such a fabrication method. Furthermore, the invention relates to a pupil facet mirror as part of an illumination optics for EUV projection lithography for illuminating an illumination field, in which an object field of a subsequent imaging optics can be arranged.

Beleuchtungsoptiken mit zwischen verschiedenen Ausleuchtungs-Kipp-stellungen verlagerbaren ersten Facetten, nämlich verlagerbaren Feldfacetten, sind bekannt aus der US 6,658,084 B2 und der US 7,196,841 B2 .Illumination optics with first facets which can be displaced between different illumination tilt positions, namely displaceable field facets, are known from US Pat US 6,658,084 B2 and the US 7,196,841 B2 ,

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie zu schaffen, mit der eine flexible Vorgabe von Beleuchtungswinkelverteilungen zur Ausleuchtung des Objektfeldes möglich ist.An object of the invention is to provide an illumination optics for EUV projection lithography, with which a flexible specification of illumination angle distributions for illuminating the object field is possible.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.This object is achieved by an illumination optical system with the features specified in claim 1.

Der erste Facettenspiegel kann als in einer Feldebene der Beleuchtung angeordneter Feldfacettenspiegel und der zweite Facettenspiegel kann als in einer Pupillenebene der Beleuchtung angeordneter Pupillenfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik ausgeführt sein. Durch die Bereitstellung der dritten Auswahlfacetten ist eine Beleuchtung des zweiten Facettenspiegels über die ersten Facetten des ersten Facettenspiegels möglich, wobei die dritte Ausleuchtungs-Kippstellung des ersten Facettenspiegels in ihrer Kippposition nicht exakt definiert sein muss. Wird in der dritten Ausleuchtungs-Kippstellung des ersten Facettenspiegels eine der dritten Auswahlfacetten beleuchtet, kann eine gewisse Positionsunschärfe der nicht exakt definierten dritten Ausleuchtungs-Kippstellung der ersten Facette toleriert werden, da das von dieser ersten Facette in der dritten Ausleuchtungs-Kippstellung reflektierte EUV-Teilbündel in jedem Fall auf die jeweilige dritte Auswahlfacette der zweiten Facetten des zweiten Facettenspiegels trifft.The first facet mirror can be embodied as a field facet mirror arranged in a field plane of the illumination, and the second facet mirror can be embodied as a pupil facet mirror of the illumination optics arranged in a pupil plane of the illumination. By providing the third selection facets, it is possible to illuminate the second facet mirror via the first facets of the first facet mirror, wherein the third illumination tilt position of the first facet mirror does not have to be exactly defined in its tilted position. If one of the third selection facets is illuminated in the third illumination tilting position of the first facet mirror, a certain positional uncertainty of the not exactly defined third illumination tilting position of the first facet can be tolerated since the EUV partial bundle reflected by this first facet in the third illumination tilting position in any case meets the respective third selection facet of the second facets of the second facet mirror.

Die verschiedenen Auswahlfacetten-Typen des zweiten Facettenspiegels der Beleuchtungsoptik nach Anspruch 2, also die ersten Auswahlfacetten, die zweiten Auswahlfacetten und die dritten Auswahlfacetten, können hinsichtlich ihres Aspektverhältnisses an die jeweiligen Beleuchtungsverhältnisse und insbesondere an eine Genauigkeit einer Vorgabe der jeweiligen Ausleuchtungs-Kippstellungen angepasst sein. Dies erleichtert eine mechanische Auslegung des ersten Facettenspiegels mit den kippbar ausgeführten ersten Facetten.The various types of selection facets of the second facet mirror of the illumination optical system according to claim 2, ie the first selection facets, the second selection facets and the third selection facets, can be adapted with respect to their aspect ratio to the respective illumination conditions and in particular to an accuracy of specification of the respective illumination tilt positions. This facilitates a mechanical design of the first facet mirror with the tiltable executed first facets.

Eine Anordnung der dritten Auswahlfacette nach Anspruch 3 führt nicht zu unerwünscht großen Einflüssen einer Abweichung der exakten Position des Teilbündels auf der Gesamt-Reflexionsfläche der Auswahlfacette, da den Auswahlfacetten im Bereich des Zentrums des zweiten Facettenspiegels in der Regel kleine Beleuchtungswinkel zugeordnet sind und bei kleinen Beleuchtungswinkeln entsprechende Abweichungen aufgrund der Näherung kleiner Winkel nicht oder kaum stören.An arrangement of the third selection facet according to claim 3 does not lead to undesirably large influences of a deviation of the exact position of the sub-beam on the total reflection surface of the Auswahlfacette, since the Auswahlfacetten in the region of the center of the second facet mirror are usually associated with small illumination angle and small illumination angles corresponding deviations due to the approximation of small angles are not or hardly disturbing.

Eine Unterteilung der Gesamt-Reflexionsfläche der dritten Auswahlfacette nach Anspruch 4 vereinfacht die Gestaltung der Gesamt-Reflexionsfläche mit entsprechender abbildender Wirkung. Die Unterteilung kann durch eine Segmentierung geschehen. Insbesondere kann die Unterteilung in Teil-Reflexionsflächen geschehen, die nebeneinander längs einer Längserstreckung, also längs einer langen Seite der dritten Auswahlfacette, aufgereiht angeordnet sind.A subdivision of the total reflection surface of the third selection facet according to claim 4 simplifies the design of the total reflection surface with a corresponding imaging effect. The subdivision can be done by segmentation. In particular, the subdivision can take place in partial reflection surfaces, which are arranged side by side along a longitudinal extent, that is, along a long side of the third selection facet, lined up.

Eine abbildende Wirkung aller Teil-Reflexionsflächen nach Anspruch 5 führt zu einer gut reproduzierbaren Beleuchtung über die so ausgeführte dritte Auswahlfacette, auch wenn diese an unterschiedlichen Stellen vom Teilbündel beaufschlagt ist. Jede der Teil-Reflexionsflächen kann eine Abbildung der ersten Facetten in das gesamte Objektfeld bewerkstelligen.An imaging effect of all partial reflection surfaces according to claim 5 leads to a well reproducible illumination on the so executed third Auswahlfacette, even if it is acted upon at different points by the sub-beam. Each of the partial reflection surfaces can effect a mapping of the first facets into the entire object field.

Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 6 und einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 7 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden.The advantages of a lighting system according to claim 6 and a projection exposure apparatus according to claim 7 correspond to those which have already been explained above with reference to the illumination optical system according to the invention.

Bei einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 8 wird vermieden, dass aufgrund der größeren Ausdehnung der dritten Auswahlfacetten, die dazu führt, dass oftmals nur eine geringere Anzahl derartiger dritter Auswahlfacetten bereitgestellt werden kann, eine zu geringe Gesamt-Beleuchtungsintensität auf dem Objektfeld resultiert. Die dritten Auswahlfacetten werden in diesem Fall intensiver ausgeleuchtet. Eine geringere Anzahl dritter Auswahlfacetten führt dann zu einer Gesamt-Beleuchtungsintensität, die der Gesamt-Beleuchtungsintensität entspricht, die über die ersten Auswahlfacetten und/oder die zweiten Auswahlfacetten erreicht werden kann.In a projection exposure apparatus according to claim 8 it is avoided that, due to the greater extent of the third selection facets, which leads to the fact that often only a smaller number of such third selection facets can be provided, a too low overall illumination intensity results on the object field. The third selection facets are illuminated more intensely in this case. A smaller number of third selection facets then results in a total illumination intensity that corresponds to the total illumination intensity that can be achieved via the first selection facets and / or the second selection facets.

Eine Ausrichtung der dritten Auswahlfacetten nach Anspruch 9 führt, besonders dann, wenn die Gesamt-Reflexionsfläche der dritten Auswahlfacetten in eine Mehrzahl von Teil-Reflexionsflächen unterteilt sind, die jeweils das gesamte Objektfeld ausleuchten, scanintegriert zu geringeren Auswirkungen verschiedener Auftreffpunkte der Teilbündel auf den dritten Auswahlfacetten und sich hieraus ergebender Abweichungen im Beleuchtungswinkel. Alignment of the third selection facets according to claim 9, especially when the total reflection surface of the third selection facets are subdivided into a plurality of partial reflection surfaces, each illuminating the entire object field, leads to lower effects of different points of impact of the sub-beams on the third selection facets and resulting deviations in the illumination angle.

Die Vorteile eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 10 und eines Bauelements nach Anspruch 11 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik sowie die erfindungsgemäßen Verfahren bereits diskutiert wurden. Es lassen sich auf die herzustellende Bauteilstruktur exakt angepasste Beleuchtungen vorgeben, sodass insbesondere Halbleiterchips mit extrem feinen und insbesondere komplexen Strukturen hergestellt werden können.The advantages of a production method according to claim 10 and a component according to claim 11 correspond to those which have already been discussed above with reference to the illumination optics according to the invention and the methods according to the invention. It is possible to specify precisely adapted illuminations to the component structure to be produced, so that in particular semiconductor chips with extremely fine and in particular complex structures can be produced.

Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Pupillenfacettenspiegel bereitzustellen, der sehr flexibel über verschiedene Ausleuchtungs-Kippstellungen eines im Strahlengang der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage vorgelagerten Feldfacettenspiegels beleuchtet werden kann.It is a further object of the present invention to provide a pupil facet mirror which can be illuminated very flexibly via different illumination tilt positions of a field facet mirror located in front of the beam path of the illumination optics of the projection exposure apparatus.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch einen Pupillenfacettenspiegel mit den im Anspruch 12 angegebenen Merkmalen.This object is achieved by a pupil facet mirror having the features specified in claim 12.

Durch die Bereitstellung von Pupillenfacetten des ersten Aspekt-Typs ist eine Beleuchtung des Pupillenfacettenspiegels mit Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels möglich, die mindestens eine Ausleuchtungs-Kippstellung aufweisen, die in ihrer Kippposition nicht exakt definiert ist. Das Aspektverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Seitenlänge einer langen Dimension der Gesamt-Reflexionsfläche der Pupillenfacette zur Seitenlänge einer hierzu senkrechten kurzen Dimension der Gesamt-Reflexionsfläche. Die Gesamt-Reflexionsflächen der Pupillenfacetten des ersten Aspekt-Typs können rechteckig, abgerundet rechteckig, länglich gebogen oder auch elliptisch geformt sein. Das erste Aspektverhältnis der Gesamt-Reflexionsfläche einer der Pupillenfacetten des ersten Aspekt-Typs kann größer sein als 1,2, kann größer sein als 1,25, kann größer sein als 1,5, kann größer sein als 2, kann größer sein als 2,5, kann größer sein als 3, kann größer sein als 4, kann größer sein als 5 und kann auch noch größere Werte annehmen. Das weitere Aspektverhältnis der Pupillenfacetten des weiteren Aspekt-Typs, dass sich vom ersten Aspektverhältnis unterscheidet, kann genau gleich 1 sein, aber auch ungleich 1 sein. Die Pupillenfacetten des weiteren Aspekt-Typs können daher rund, quadratisch, rechteckig oder elliptisch sein, haben aber in jedem Fall ein anderes Aspektverhältnis als das erste Aspektverhältnis.By providing pupil facets of the first aspect type, it is possible to illuminate the pupil facet mirror with field facets of a field facet mirror which have at least one illumination tilting position which is not exactly defined in its tilted position. The aspect ratio is defined as the ratio of the side length of a long dimension of the total reflection surface of the pupil facet to the side length of a short dimension of the total reflection surface perpendicular thereto. The total reflection surfaces of the pupil facets of the first aspect type may be rectangular, rounded rectangular, elongatedly bent or even elliptically shaped. The first aspect ratio of the total reflection area of one of the pupil facets of the first aspect type may be greater than 1.2, may be greater than 1.25, may be greater than 1.5, may be greater than 2, may be greater than 2 , 5, may be greater than 3, may be greater than 4, may be greater than 5, and may take on even greater values. The further aspect ratio of the pupil facets of the further aspect type, which differs from the first aspect ratio, can be exactly 1, but also not equal to 1. The pupil facets of the further aspect type can therefore be round, square, rectangular or elliptical, but in any case have a different aspect ratio than the first aspect ratio.

Wird in der Ausleuchtungs-Kippstellung des Feldfacettenspiegels die Pupillenfacette des ersten Aspekt-Typs beleuchtet, kann eine gewisse Positionsunschärfe der nicht exakt definierten Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacette toleriert werden, da das von dieser Feldfacette in der nicht exakt definierten Ausleuchtungs-Kippstellung reflektierte EUV-Teilbündel in jedem Fall auf die Pupillenfacette des ersten Aspekt-Typs trifft.If the pupil facet of the first aspect type is illuminated in the illumination tilting position of the field facet mirror, a certain positional uncertainty of the not exactly defined illumination tilt position of the field facet can be tolerated, since the EUV partial bundle reflected by this field facet in the not exactly defined illumination tilt position in any case meets the pupil facet of the first aspect type.

Die dritten Auswahlfacetten der Beleuchtungsoptik können als Pupillenfacetten des Aspekt-Typs ausgeführt sein. Die zweiten Facetten können Teil einer Optik sein, die die ersten Facetten in das Objektfeld abbildet. Der zweite Facettenspiegel kann als erfindungsgemäßer Pupillenfacettenspiegel ausgeführt sein. Die größere optische Gesamt-Reflexionsfläche der dritten Auswahlfacetten führt wiederum dazu, dass Abweichungen in der exakten Kippposition der dritten Ausleuchtungs-Kippstellung der ersten Facetten nicht dazu führen, dass das hierdurch geführte Teilbündel nicht auf die dritte Auswahlfacette der zweiten Facetten trifft.The third selection facets of the illumination optics can be embodied as pupil facets of the aspect type. The second facets may be part of an optic that maps the first facets into the object field. The second facet mirror can be designed as a pupil facet mirror according to the invention. The larger overall optical reflection surface of the third selection facets, in turn, means that deviations in the exact tilting position of the third illumination tilting position of the first facets do not cause the partial bundle guided thereby not to strike the third selection facet of the second facets.

Die Positionsunschärfe der Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacette bzw. der dritten Ausleuchtungs-Kippstellung der ersten Facette kann asymmetrisch sein, kann also zu Richtungsabweichungen des reflektierten Teilbündels von einer Soll-Richtung führen, die insbesondere eine Vorzugsrichtung oder mehrere Vorzugsrichtungen aufweist.The positional uncertainty of the illumination tilt position of the field facet or of the third illumination tilt position of the first facet can be asymmetrical, ie can lead to deviations in the direction of the reflected sub-beam from a desired direction, which in particular has a preferred direction or a plurality of preferred directions.

Vorteile und vorteilhafte Weiterbildungen, die vorstehend im Zusammenhang mit den dritten Auswahlfacetten diskutiert wurden, können in dieser Form auch auf die Pupillenfacetten des Aspekt-Typs des erfindungsgemäßen Pupillenfacettenspiegels zutreffen.Advantages and advantageous developments discussed above in connection with the third selection facets can also apply in this form to the pupil facets of the aspect type of the pupil facet mirror according to the invention.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:

1 schematisch und in Bezug auf eine Beleuchtungsoptik im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie; 1 schematically and with respect to a lighting system in the meridional section, a projection exposure apparatus for microlithography;

2 eine Aufsicht auf eine Facettenanordnung eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1; 2 a plan view of a facet arrangement of a field facet mirror of the illumination optics of the projection exposure system according to 1 ;

2a in einer Seitenansicht eine der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels mit drei schematisch angedeuteten Ausleuchtungs-Kippstellungen; 2a in a side view, one of the field facets of the field facet mirror with three schematically indicated illumination tilt positions;

3 in einer zu 2 ähnlichen Darstellung eine Facettenanordnung einer weiteren Ausführung eines Feldfacettenspiegels; 3 in one too 2 similar representation of a facet arrangement of another embodiment of a field facet mirror;

4 eine Aufsicht auf eine Facettenanordnung eines Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1, 4 a plan view of a facet arrangement of a pupil facet mirror of the illumination optics of the projection exposure system according to 1 .

5 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführungsform eines Pupillenfacettenspiegels, wobei abweichend von der Darstellung nach 4 lediglich eine Pupillenfacette eines Aspekt-Typs, die gleichzeitig eine dritte Auswahlfacette ist, dargestellt ist; 5 in one too 4 a similar embodiment, a further embodiment of a pupil facet mirror, wherein, in deviation from the illustration according to 4 only one pupil facet of an aspect type which is simultaneously a third selection facet is shown;

6 schematisch einen Schnitt gemäß Linie VI-VI in 5 durch die Pupillenfacette des Aspekt-Typs; 6 schematically a section along line VI-VI in 5 through the pupil facet of the aspect type;

7 in einer zu 6 ähnlichen Darstellung eine Beleuchtungssituation der Pupillenfacette des Aspekt-Typs; 7 in one too 6 similar representation of a lighting situation of the pupil facet of the aspect type;

8 eine Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts eines Ausleuchtungskanals, zu dem die Pupillenfacette des Aspekt-Typs in der Beleuchtungssituation nach 7 gehört, über eine Objektfelddimension parallel zu einer Scanrichtung der Projektionsbelichtungsanlage; und 8th an intensity distribution of the illumination light of an illumination channel to which the pupil facet of the aspect type in the illumination situation after 7 heard about an object field dimension parallel to a scanning direction of the projection exposure apparatus; and

9 bis 12 in zu den 7 und 8 ähnlichen Darstellungen zwei weitere Beleuchtungssituationen der Pupillenfacette des Aspekt-Typs mit zugehörigen Beleuchtungs-Intensitätsverteilungen im Objektfeld. 9 to 12 in to the 7 and 8th Similar representations show two further illumination situations of the pupil facet of the aspect type with associated illumination intensity distributions in the object field.

Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie dient zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten elektronischen Halbleiter-Bauelements. Eine Lichtquelle 2 emittiert zur Beleuchtung genutzte EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gas discharge produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist für die Lichtquelle 2 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Lichtquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6 859 515 B2 . Zur Beleuchtung und Abbildung innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird EUV-Beleuchtungslicht bzw. Beleuchtungsstrahlung 3 genutzt. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 durchläuft nach der Lichtquelle 2 zunächst einen Kollektor 4, bei dem es sich beispielsweise um einen genesteten Kollektor mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Mehrschalen-Aufbau oder alternativ um einen ellipsoidal geformten Kollektor handeln kann. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 4 durchtritt das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst eine Zwischenfokusebene 5, was zur Trennung des EUV-Beleuchtungslichts 3 von unerwünschten Strahlungs- oder Partikelanteilen genutzt werden kann. Nach Durchlaufen der Zwischenfokusebene 5 trifft das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst auf einen Feldfacettenspiegel 6.A projection exposure machine 1 for microlithography is used to produce a micro- or nanostructured electronic semiconductor device. A light source 2 emits EUV radiation used for illumination in the wavelength range, for example between 5 nm and 30 nm. For the light source 2 it can be a GDPP source (plasma discharge by gas discharge, gas discharge produced plasma) or an LPP source (plasma generation by laser, laser produced plasma). Also, a radiation source based on a synchrotron is for the light source 2 used. Information about such a light source is the expert, for example in the US 6,859,515 B2 , For illumination and imaging within the projection exposure system 1 becomes EUV illumination light or illumination radiation 3 used. The EUV lighting light 3 goes through the light source 2 first a collector 4 , which may be, for example, a nested collector with a known from the prior art multi-shell structure or alternatively an ellipsoidally shaped collector. A corresponding collector is from the EP 1 225 481 A known. After the collector 4 passes through the EUV illumination light 3 first an intermediate focus level 5 , what about the separation of the EUV illumination light 3 can be used by unwanted radiation or particle fractions. After passing through the Zwischenfokusebene 5 meets the EUV lighting light 3 first on a field facet mirror 6 ,

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der Zeichnung jeweils ein kartesisches globales xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben.To facilitate the description of positional relationships, a Cartesian global xyz coordinate system is shown in the drawing. The x-axis runs in the 1 perpendicular to the drawing plane and out of it. The y-axis runs in the 1 to the right. The z-axis runs in the 1 up.

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen bei einzelnen optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird in den nachfolgenden Figuren jeweils auch ein kartesisches lokales xyz- oder xy-Koordinatensystem verwendet. Die jeweiligen lokalen xy-Koordinaten spannen, soweit nichts anderes beschrieben ist, eine jeweilige Hauptanordnungsebene der optischen Komponente, beispielsweise eine Reflexionsebene, auf. Die x-Achsen des globalen xyz-Koordinatensystems und der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme verlaufen parallel zueinander. Die jeweiligen y-Achsen der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme haben einen Winkel zur y-Achse des globalen xyz-Koordinatensystems, die einem Kippwinkel der jeweiligen optischen Komponente um die x-Achse entspricht.To facilitate the description of positional relationships in individual optical components of the projection exposure apparatus 1 In each of the following figures, a Cartesian local xyz or xy coordinate system is used. Unless otherwise described, the respective local xy coordinates span a respective main assembly plane of the optical component, for example a reflection plane. The x-axes of the xyz global coordinate system and the local xyz or xy coordinate systems are parallel. The respective y-axes of the local xyz or xy coordinate systems have an angle to the y-axis of the global xyz coordinate system, which corresponds to a tilt angle of the respective optical component about the x-axis.

2 zeigt beispielhaft eine Facettenanordnung von Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels 6. Die Feldfacetten 7 sind rechteckig und haben jeweils das gleiche x/y-Aspektverhältnis. Das x/y-Aspektverhältnis kann beispielsweise 12/5, kann 25/4 oder kann 104/8 betragen. 2 shows by way of example a facet arrangement of field facets 7 of the field facet mirror 6 , The field facets 7 are rectangular and each have the same x / y aspect ratio. The x / y aspect ratio may be 12/5, 25/4, or 104/8, for example.

Die Feldfacetten 7 geben eine Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 6 vor und sind in vier Spalten zu je sechs bis acht Feldfacettengruppen 8a, 8b gruppiert. Die Feldfacettengruppen 8a haben jeweils sieben Feldfacetten 7. Die beiden zusätzlichen randseitigen Feldfacettengruppen 8b der beiden mittleren Feldfacettenspalten haben jeweils vier Feldfacetten 7. Zwischen den beiden mittleren Facettenspalten und zwischen der dritten und vierten Facettenzeile weist die Facettenanordnung des Feldfacettenspiegels 6 Zwischenräume 9 auf, in denen der Feldfacettenspiegel 6 durch Haltespeichen des Kollektors 4 abgeschattet ist. Innerhalb eines zentralen Bereichs des Facettenspiegels 6, der in der 2 durch eine kreisförmige, gestrichelte Begrenzungslinie 9a angedeutet ist, wird der Feldfacettenspiegel 6 ebenfalls nicht ausgeleuchtet. Zwischen der inneren Begrenzungslinie 9a und einer weiteren, mittleren und ebenfalls kreisförmigen Begrenzungslinie 9b liegt ein Bereich größter Beleuchtungsintensität des Feldfacettenspiegels mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3. Außerhalb der mittleren Begrenzungslinie 9b fällt die Beleuchtungsintensität kontinuierlich ab und erreicht am Rand des Feldfacettenspiegels 6 einen Wert, der etwa einer Hälfte der Beleuchtungsintensität im Bereich der Begrenzungslinie 9a entspricht oder auch noch geringer sein kann, beispielsweise 20% der Beleuchtungsintensität im Bereich der Begrenzungslinie 9a. Auch innerhalb des Bereiches größter Beleuchtungsintensität zwischen der inneren Begrenzungslinie 9a und der mittleren Begrenzungslinie 9b kann vom Zentrum aus ein Intensitätsabfall vorliegen.The field facets 7 give a reflection surface of the field facet mirror 6 and are in four columns of six to eight field facet groups 8a . 8b grouped. The field facet groups 8a each have seven field facets 7 , The two additional marginal field facet groups 8b The two middle field facet columns each have four field facets 7 , Between the two middle facet columns and between the third and fourth facet line has the facet arrangement of the field facet mirror 6 interspaces 9 in which the field facet mirror 6 by holding spokes of the collector 4 is shadowed. Within a central area of the facet mirror 6 , the Indian 2 by a circular, dashed boundary line 9a is indicated, the field facet mirror 6 also not lit. Between the inner boundary line 9a and another, middle and also circular boundary line 9b is a range of maximum illumination intensity of the field facet mirror with the EUV illumination light 3 , Outside the middle boundary line 9b the illumination intensity decreases continuously and reaches at the edge of the field facet mirror 6 a value that is about one half of the illumination intensity in the area of the boundary line 9a corresponds or may be even lower, for example, 20% of the illumination intensity in the region of the boundary line 9a , Also within the range of maximum illumination intensity between the inner boundary line 9a and the middle boundary line 9b there may be a drop in intensity from the center.

3 zeigt eine weitere Ausführung eines Feldfacettenspiegels 6. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den Feldfacettenspiegel 6 nach 2 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nur erläutert, soweit sie sich von den Komponenten des Feldfacettenspiegels 6 nach 2 unterscheiden. Der Feldfacettenspiegel 6 nach 3 hat eine Feldfacettenanordnung mit gebogenen Feldfacetten 7. Diese Feldfacetten 7 sind in insgesamt fünf Spalten mit jeweils einer Mehrzahl von Feldfacettengruppen 8 angeordnet. Die Feldfacettenanordnung ist in eine kreisförmige Begrenzung einer Trägerplatte 9c des Feldfacettenspiegels eingeschrieben. 3 shows a further embodiment of a field facet mirror 6 , Components corresponding to those described above with reference to the field facet mirror 6 to 2 have the same reference numerals and are only explained as far as they differ from the components of the field facet mirror 6 to 2 differ. The field facet mirror 6 to 3 has a field facet arrangement with curved field facets 7 , These field facets 7 are in a total of five columns, each with a plurality of field facet groups 8th arranged. The field facet assembly is in a circular boundary of a carrier plate 9c of the field facet mirror inscribed.

Die Feldfacetten 7 der Ausführung nach 3 haben alle die gleiche Fläche und das gleiche Verhältnis von Breite in x-Richtung und Höhe in y-Richtung, welches dem x/y-Aspektverhältnis der Feldfacetten 7 der Ausführung nach 2 entspricht.The field facets 7 according to the execution 3 all have the same area and the same ratio of width in the x-direction and height in the y-direction, which corresponds to the x / y aspect ratio of the field facets 7 according to the execution 2 equivalent.

Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 6 trifft das in Strahlbüschel bzw. Teilbündel, die den einzelnen Feldfacetten 7 zugeordnet sind, aufgeteilte EUV-Beleuchtungslicht 3 auf einen Pupillenfacettenspiegel 10.After reflection at the field facet mirror 6 this is in the bundle of rays or sub-bundles, which are the individual field facets 7 allocated, split EUV lighting light 3 on a pupil facet mirror 10 ,

Zumindest einigen der Feldfacetten 7 der jeweiligen Ausführung des Feldfacettenspiegels 6 sind über jeweils einen Objektfeld-Ausleuchtungskanal genau drei der Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10 zugeordnet, wie nachfolgend noch erläutert wird.At least some of the field facets 7 the respective embodiment of the field facet mirror 6 are each about an object field illumination channel exactly three of the pupil facets 11 of the pupil facet mirror 10 assigned, as will be explained below.

4 zeigt in einem Ausschnitt eine beispielhafte Facettenanordnung von runden Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10, die nachfolgend noch näher erläutert wird. Jedem von einer der Feldfacetten 7 reflektierten Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 ist mindestens eine Pupillenfacette 11 derart zugeordnet, dass jeweils ein beaufschlagtes Facettenpaar mit einer der Feldfacetten 7 und einer der Pupillenfacetten 11 einen Objektfeld-Ausleuchtungskanal für das zugehörige Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 vorgibt. Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten 11 zu den Feldfacetten 7 erfolgt abhängig von einer gewünschten Beleuchtung durch die Projektionsbelichtungsanlage 1. 4 shows in a section of an exemplary faceted arrangement of round pupil facets 11 of the pupil facet mirror 10 , which will be explained in more detail below. Each one of the field facets 7 reflected sub-beams of the EUV illumination light 3 is at least one pupil facet 11 assigned such that in each case an acted facet pair with one of the field facets 7 and one of the pupil facets 11 an object field illumination channel for the associated sub-beam of the EUV illumination light 3 pretends. The channel-wise assignment of the pupil facets 11 to the field facets 7 occurs depending on a desired illumination by the projection exposure system 1 ,

Über den Pupillenfacettenspiegel 10 (vgl. 1) und eine nachfolgende, aus drei EUV-Spiegeln 12, 13, 14 bestehenden Übertragungsoptik 15 werden die Feldfacetten 7 in eine Objektebene 16 der Projektionsbelichtungsanlage 1 abgebildet. Der EUV-Spiegel 14 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Grazing-Incidence-Spiegel) ausgeführt. In der Objektebene 16 ist ein Retikel 17 angeordnet, von dem mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 ein Ausleuchtungsbereich in Form eines Beleuchtungsfeldes ausgeleuchtet wird, das mit einem Objektfeld 18 einer nachgelagerten Projektionsoptik 19 der Projektionsbelichtungsanlage 1 zusammenfällt. Die Objektebene 16 ist also die Objektebene der Projektionsoptik 19. Die Objektfeld-Ausleuchtungskanäle werden im Objektfeld 18 überlagert. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 wird vom Retikel 17 reflektiert. Das Retikel 17 wird von einem Retikelhalter 17a getragen.About the pupil facet mirror 10 (see. 1 ) and a subsequent one, from three EUV mirrors 12 . 13 . 14 existing transmission optics 15 become the field facets 7 in an object plane 16 the projection exposure system 1 displayed. The EUV level 14 is designed as a grazing incidence mirror. In the object plane 16 is a reticle 17 arranged, of which with the EUV illumination light 3 an illumination area is illuminated in the form of a lighting field, which is illuminated with an object field 18 a downstream projection optics 19 the projection exposure system 1 coincides. The object plane 16 So is the object plane of the projection optics 19 , The object field illumination channels are in the object field 18 superimposed. The EUV lighting light 3 is from the reticle 17 reflected. The reticle 17 is from a reticle holder 17a carried.

Die Projektionsoptik 19 bildet das Objektfeld 18 in der Objektebene 16 in ein Bildfeld 20 in einer Bildebene 21 ab. In dieser Bildebene 21 ist ein Wafer 22 angeordnet, der eine lichtempfindliche Schicht trägt, die während der Projektionsbelichtung mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 belichtet wird. Der Wafer 22 wird von einem Waferhalter 22a getragen. Bei der Projektionsbelichtung werden sowohl der Retikelhalter 17a als auch der Waferhalter 22a in y-Richtung synchronisiert gescannt. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Die Scanrichtung y wird nachfolgend auch als Objektverlagerungsrichtung bezeichnet.The projection optics 19 forms the object field 18 in the object plane 16 in a picture field 20 in an image plane 21 from. In this picture plane 21 is a wafer 22 which carries a photosensitive layer during projection exposure with the projection exposure apparatus 1 is exposed. The wafer 22 is from a wafer holder 22a carried. In the projection exposure, both the reticle holder 17a as well as the wafer holder 22a scanned synchronized in y-direction. The projection exposure machine 1 is designed as a scanner. The scanning direction y is also referred to below as the object displacement direction.

Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 10 und die Spiegel 12 bis 14 der Übertragungsoptik 15 sind Bestandteile einer Beleuchtungsoptik 23 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Gemeinsam mit der Projektionsoptik 19 bildet die Beleuchtungsoptik 23 ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1.The field facet mirror 6 , the pupil facet mirror 10 and the mirrors 12 to 14 the transmission optics 15 are components of a lighting system 23 the projection exposure system 1 , Together with the projection optics 19 forms the illumination optics 23 an illumination system of the projection exposure apparatus 1 ,

Der Feldfacettenspiegel 6 stellt einen ersten Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 23 dar. Die Feldfacetten 7 stellen erste Facetten der Beleuchtungsoptik 23 dar.The field facet mirror 6 represents a first facet mirror of the illumination optics 23 dar. The field facets 7 represent the first facets of the illumination optics 23 represents.

Der Pupillenfacettenspiegel 10 stellt einen zweiten Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 23 dar. Die Pupillenfacetten 11 stellen zweite Facetten der Beleuchtungsoptik 23 dar.The pupil facet mirror 10 represents a second facet mirror of the illumination optics 23 dar. The pupil facets 11 represent second facets of the illumination optics 23 represents.

4 zeigt eine Aufsicht des in etwa kreisförmigen Pupillenfacettenspiegels 10. Der Ausschnitt zeigt den Pupillenfacettenspiegel 10 im Bereich seines größten Durchmessers. Der Pupillenfacettenspiegel 10 ist in drei Spiegelbereiche 24, 25, 26 unterteilt, die zu verschiedenen Beleuchtungswinkelbereichen gehören, mit denen das Objektfeld 18 mit dem Beleuchtungslicht 3 beleuchtet wird. Der äußere, ringförmige Spiegelbereich 24 deckt die größten Beleuchtungswinkel ab. Der mittlere, ebenfalls ringförmige Spiegelbereich 25, der nach innen hin direkt an den äußeren Spiegelbereich angrenzt, deckt einen mittleren Bereich von Beleuchtungswinkeln ab. Der innere, kreisförmige Spiegelbereich 26 stellt einen Zentrumsbereich des Pupillenfacettenspiegels 10 dar. 4 shows a plan view of the approximately circular pupil facet mirror 10 , The detail shows the pupil facet mirror 10 in the region of its largest diameter. The pupil facet mirror 10 is in three mirror areas 24 . 25 . 26 which belong to different illumination angle ranges, with which the object field 18 with the illumination light 3 is illuminated. The outer annular mirror area 24 covers the largest illumination angles. The middle, also annular mirror area 25 which adjoins the outer mirror area inwardly, covers a middle range of illumination angles. The inner, circular mirror area 26 represents a center area of the pupil facet mirror 10 represents.

Die im äußeren Spiegelbereich 24 angeordneten Pupillenfacetten 11 stellen erste Pupillen-Auswahlfacetten 11a dar. Die im mittleren Spiegelbereich 25 angeordneten Pupillenfacetten 11 stellen zweite Pupillen-Auswahlfacetten 11b des Pupillenfacettenspiegels 10 dar. Die ersten und die zweiten Auswahlfacetten sind rund. Die im inneren Spiegelbereich 26 angeordneten Pupillenfacetten 11 sind dritte Pupillen-Auswahlfacetten 11c des Pupillenfacettenspiegels 10.The in the outer mirror area 24 arranged pupil facets 11 make first pupil selection facets 11a in the middle mirror area 25 arranged pupil facets 11 make second pupil selection facets 11b of the pupil facet mirror 10 The first and second selection facets are round. The inside mirror area 26 arranged pupil facets 11 are third pupil selection facets 11c of the pupil facet mirror 10 ,

Die dritten Auswahlfacetten 11c haben eine optische Gesamt-Reflexionsfläche, die größer ist als die runden Gesamt-Reflexionsflächen der ersten und der zweiten Auswahlfacetten. Bei der in der 4 dargestellten Ausführung sind die dritten Auswahlfacetten 11c rechteckig mit einem Aspektverhältnis von etwa 1:2,5. Lange Seiten 27 der dritten Auswahlfacetten 11c verlaufen parallel oder unter einem kleinen Winkel zur lokalen y-Achse. Diese lokale y-Achse entspricht optisch einer y-Achse des Objektfeldes 18 und entspricht optisch der Scanrichtung der Projektionsbelichtungsanlage 1. Die langen Seiten 27 der dritten Auswahlfacetten 11c verlaufen hinsichtlich ihrer optischen Wirkung also parallel oder unter einem kleinen Winkel zur Scanrichtung. Kurze Seiten 28 der dritten Auswahlfacetten 11c verlaufen entsprechend parallel oder unter einem kleinen Winkel zur x-Achse und damit senkrecht oder nahezu senkrecht zur Scanrichtung der Projektionsbelichtungsanlage 1.The third selection facets 11c have an overall optical reflection area larger than the total round reflection areas of the first and second selection facets. When in the 4 illustrated embodiment, the third selection facets 11c rectangular with an aspect ratio of about 1: 2.5. Long pages 27 the third selection facets 11c are parallel or at a small angle to the local y-axis. This local y-axis corresponds optically to a y-axis of the object field 18 and corresponds optically to the scanning direction of the projection exposure apparatus 1 , The long sides 27 the third selection facets 11c In terms of their optical effect, therefore, they run parallel or at a small angle to the scanning direction. Short pages 28 of the third selection facets 11c run correspondingly parallel or at a small angle to the x-axis and thus perpendicular or nearly perpendicular to the scanning direction of the projection exposure system 1 ,

Die dritten Auswahlfacetten 11c stellen gleichzeitig Pupillenfacetten eines Aspekt-Typs dar, deren Gesamt-Reflexionsfläche ein Aspektverhältnis hat, das größer ist als 1,1. Bei den dritten Auswahlfacetten 11c nach 4 beträgt dieses Aspektverhältnis 2,5.The third selection facets 11c simultaneously represent pupil facets of an aspect type whose total reflection surface has an aspect ratio greater than 1.1. In the third selection facets 11c to 4 this aspect ratio is 2.5.

Die Reflexionsflächen der Feldfacetten 7 sind jeweils kippbar zwischen drei Ausleuchtungs-Kippstellungen. Hierzu ist jede der Feldfacetten 7 mit einem Kippaktor 29 mechanisch verbunden, der in der 2 schematisch dargestellt ist. Tatsächlich sind die Kippaktoren 29 auf der den Reflexionsflächen der Feldfacetten 7 abgewandten Seite des Feldfacettenspiegels 6 angeordnet. Die Kippaktoren 29 sind zur Verkippung der Feldfacetten 7 unabhängig voneinander über eine zentrale Steuereinrichtung 30 ansteuerbar, die mit den Kippaktoren über eine Multipol-Signalleitung 31 verbunden ist, was in der 2 ebenfalls schematisch für den einzigen dargestellten Kippaktor 29 gezeigt ist.The reflection surfaces of the field facets 7 are each tiltable between three illumination tilt positions. For this purpose, each of the field facets 7 with a tilt actuator 29 mechanically connected, in the 2 is shown schematically. Actually, the tilting actuators 29 on the reflection surfaces of the field facets 7 opposite side of the field facet mirror 6 arranged. The tilting actuators 29 are for tilting the field facets 7 independently of each other via a central control device 30 can be controlled with the tilt actuators via a multipole signal line 31 what is connected in the 2 also schematically for the single illustrated Kippaktor 29 is shown.

In der ersten Ausleuchtungs-Kippstellung wird ein auf die Feldfacette 7 auftreffendes Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 in Richtung einer der ersten Auswahlfacetten 11a reflektiert. Die zugeordnete erste Auswahlfacette 11a für eine Bestimmte der Feldfacetten 7 ist in der 4 schraffiert hervorgehoben.In the first illumination tipping position, one becomes on the field facet 7 incident partial bundle of the EUV illumination light 3 towards one of the first selection facets 11a reflected. The assigned first selection facet 11a for a particular of the field facets 7 is in the 4 hatched highlighted.

In der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung der jeweiligen Feldfacette 7 wird das Teilbündel längs eines weiteren Objektfeld-Ausleuchtungskanals in Richtung einer der zweiten Auswahlfacetten 11b des Pupillenfacettenspiegels 10 reflektiert. Die der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung zugeordnete zweite Auswahlfacette 11b der gleichen Feldfacette 7 ist in der 4 ebenfalls schraffiert hervorgehoben.In the second illumination tilt position of the respective field facet 7 the sub-beam is moved along another object field illumination channel in the direction of one of the second selection facets 11b of the pupil facet mirror 10 reflected. The second selection facet associated with the second illumination tilt position 11b the same field facet 7 is in the 4 also hatched highlighted.

Die erste und die zweite Ausleuchtungs-Kippstellung sind durch zwei gegenüberliegende Endanschläge EA (vgl. 2a) einer Kippmechanik der Feldfacette 7 exakt definiert.The first and the second illumination tilt position are by two opposite end stops EA (see. 2a ) of a tilting mechanism of the field facet 7 exactly defined.

In der dritten Ausleuchtungs-Kippstellung, die in einem Kippwinkelbereich zwischen der ersten Ausleuchtungs-Kippstellung und der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacette 7 liegt, wird das EUV-Teilbündel längs eines dritten Objektfeld-Ausleuchtungskanals in Richtung einer der dritten Auswahlfacetten 11c reflektiert, die in der 4 ebenfalls schraffiert dargestellt ist.In the third illumination tilt position, which is in a tilt angle range between the first illumination tilt position and the second illumination tilt position of the field facet 7 is located, the EUV sub-beam along a third object field illumination channel in the direction of one of the third selection facets 11c reflected in the 4 also hatched.

2a zeigt in einer Seitenansicht eine der Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels. Durchgezogen ist die dritte Ausleuchtungs-Kippstellung dargestellt. Strichpunktiert ist die erste Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacette dargestellt, in der die Feldfacette 7 um eine zur y-Achse parallele Achse mittels des Kippaktors 29 im Uhrzeigersinn um einen Kippwinkel α verkippt ist. Die Kippachse ist in der 2a bei 31 eingezeichnet. Die Kippachse kann in der Reflexionsfläche der Feldfacette 7 liegen. Gestrichelt ist in der 2a die zweite Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacette 7 dargestellt, in der diese um einen Kippwinkel β entgegen dem Uhrzeigersinn um die Kippachse 31 verkippt ist. Schematisch dargestellt sind in der 2a die Endanschläge EA, die die erste und die zweite Ausleuchtungs-Kippstellung in ihrer Position definieren. Die Feldfacette 7 liegt in der ersten und in der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung mit ihrer der Reflexionsfläche abgewandten Rückwand am jeweiligen Endanschlag EA an. Ein Kippwinkelbereich zwischen der ersten Ausleuchtungs-Kippstellung und der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung entspricht der Addition der beiden Kippwinkel α und β. α und β können den gleichen Absolutbetrag haben. 2a shows in a side view one of the field facets 7 of the field facet mirror. Pulled the third illumination tilt position is shown. Dash-dotted the first illumination tilt position of the field facet is shown, in which the field facet 7 about an axis parallel to the y-axis by means of the tilting actuator 29 is tilted clockwise by a tilt angle α. The tilting axis is in the 2a at 31 located. The tilting axis can be in the reflection surface of the field facet 7 lie. Dashed is in the 2a the second illumination tilt position of the field facet 7 shown in this by a tilt angle β counterclockwise about the tilt axis 31 is tilted. Schematically represented in the 2a the end stops EA, which define the first and the second illumination tilt position in position. The field facet 7 lies in the first and in the second illumination tilting position with its rear wall remote from the reflection surface at the respective end stop EA. A tilt angle range between the first illumination tilt position and the second illumination tilt position corresponds to the addition the two tilt angles α and β. α and β can have the same absolute value.

Eine entsprechende Ausgestaltung einer kippbaren Feldfacette mit als Endanschlägen dienenden Aktoren ist beispielsweise bekannt aus den 13 und 14 der US 7 196 841 B2 .A corresponding embodiment of a tiltable Feldfacette with serving as end stops actuators is known for example from the 13 and 14 of the US Pat. No. 7,196,841 B2 ,

Beim Kippen längs des gesamten Kippwinkelbereiches der Feldfacette 7 zwischen der ersten Ausleuchtungs-Kippstellung und der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung überstreicht das von dieser Feldfacette 7 reflektierte EUV-Teilbündel einen Weg 32 auf dem Pupillenfacettenspiegel 10. Die der jeweiligen Feldfacette 7 zugeordnete dritte Auswahlfacette 11c liegt auf dem jeweiligen Weg 32 zwischen der dieser Feldfacette 7 zugeordneten ersten Auswahlfacette 11a und der dieser Feldfacette 7 zugeordneten zweiten Auswahlfacette 11b, wie in der 4 schematisch dargestellt ist.When tilting along the entire tilt angle range of the field facet 7 between the first illumination tilt position and the second illumination tilt position sweeps from this field facet 7 reflected EUV bundles a way 32 on the pupil facet mirror 10 , The of the respective field facet 7 associated third selection facet 11c lies on the respective way 32 between this field facet 7 associated first Auswahlfacette 11a and this field facet 7 associated second Auswahlfacette 11b , like in the 4 is shown schematically.

Die jeweilige dritte Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacette 7 ist nicht durch einen Anschlag definiert. Das längs des dritten Objektfeld-Ausleuchtungskanals geführte EUV-Teilbündel, dessen Bündelquerschnitt so klein ist, dass er insgesamt von einer der runden Pupillenfacetten 11a, 11b reflektiert werden kann, wird je nach den statistischen Randbedingungen des Kippvorgangs von einem beliebigen Bereich auf der zugeordneten dritten Auswahlfacette 11c reflektiert, jedoch immer insgesamt von genau der zugeordneten dritten Auswahlfacette 11c. Damit ist gewährleistet, dass über den dritten Objektfeld-Ausleuchtungskanal das Objektfeld 18 aus einer Richtung ausgeleuchtet wird, die einer Position der jeweiligen dritten Auswahlfacette 11c auf dem Pupillenfacettenspiegel 10 entspricht.The respective third illumination tilt position of the field facet 7 is not defined by a stop. The EUV sub-beam guided along the third object field illumination channel, whose bundle cross section is so small that it is in total of one of the round pupil facets 11a . 11b is reflected, depending on the statistical constraints of the tilting of any area on the associated third Auswahlfacette 11c reflected, but always in total of exactly the assigned third Auswahlfacette 11c , This ensures that the third object field illumination channel the object field 18 is illuminated from one direction, that of a position of the respective third selection facet 11c on the pupil facet mirror 10 equivalent.

Auch ein Verlauf der langen Seiten 27 und entsprechend auch der kurzen Seiten 28 der dritten Auswahlfacetten 11c unter anderen Winkeln zur y- bzw. x-Achse und insbesondere unter größeren Winkeln zu diesen Achsen ist möglich. Grundsätzlich verlaufen die langen Seiten 27 der dritten Auswahlfacetten 11c parallel oder angenähert parallel zur Richtung des jeweiligen Weges 32, der zwischen den ersten und zweiten Auswahlfacetten 11a, 11b vorgegeben ist, die dieser dritten Auswahlfacette 11c zugeordnet sind.Also a course of the long sides 27 and accordingly also the short sides 28 the third selection facets 11c at other angles to the y- or x-axis and in particular at larger angles to these axes is possible. Basically, the long sides run 27 the third selection facets 11c parallel or approximately parallel to the direction of the respective path 32 that is between the first and second selection facets 11a . 11b is given, that of this third Auswahlfacette 11c assigned.

Auch den anderen der dritten Auswahlfacetten 11c im inneren Spiegelbereich 26 sind jeweils Paare von ersten Auswahlfacetten 11a und zweiten Auswahlfacetten 11b zugeordnet, sodass diese Tripel von Auswahlfacetten 11a, 11b und 11c jeweils über ein und dieselbe Feldfacette 7 über deren drei Ausleuchtungs-Kippstellungen angesteuert werden können.Also the other of the third selection facets 11c in the inner mirror area 26 are each pairs of first selection facets 11a and second selection facets 11b associated with them, making these triples of selection facets 11a . 11b and 11c each over one and the same field facet 7 can be controlled via the three illumination tilt positions.

Das Größenverhältnis der Reflexionsflächen zwischen den dritten Auswahlfacetten 11c einerseits und den ersten und zweiten Auswahlfacetten 11a, 11b andererseits ist in der 4 nicht maßstabsgetreu dargestellt. Insgesamt ist etwa der Hälfte aller Feldfacetten 7 eine dritte Auswahlfacette 11c zugeordnet. Die Reflexionsfläche jeweils einer der dritten Auswahlfacetten 11c ist etwa doppelt so groß wie die Reflexionsfläche einer der ersten oder zweiten Auswahlfacetten 11a, 11b.The size ratio of the reflection surfaces between the third selection facets 11c on the one hand and the first and second selection facets 11a . 11b On the other hand, in the 4 not shown to scale. Overall, about half of all field facets 7 a third selection facet 11c assigned. The reflection surface in each case one of the third selection facets 11c is about twice the reflection area of one of the first or second selection facets 11a . 11b ,

Die Anzahl der dritten Auswahlfacetten 11c ist kleiner als die Anzahl der ersten und zweiten Auswahlfacetten 11a, 11b. Nicht alle der Feldfacetten 7 sind daher zwischen drei Ausleuchtungs-Kippstellungen verkippbar. Diejenigen der Feldfacetten 7, die zwischen den drei Ausleuchtungs-Kippstellungen verkippbar sind, sind auf dem Feldfacettenspiegel 6 zwischen den beiden Begrenzungslinien 9a, 9b, also im Bereich der höchsten Beleuchtungsintensitäts-Beaufschlagung durch das EUV-Beleuchtungslicht 3, angeordnet. Hierdurch ist sichergestellt, dass auch in dem Fall, in dem eine Beleuchtung des Objektfeldes 18 mit kleinen Beleuchtungswinkeln gewünscht ist, eine ausreichende gesamte Beleuchtungsintensität bereitgestellt werden kann.The number of third selection facets 11c is less than the number of first and second selection facets 11a . 11b , Not all of the field facets 7 are therefore tiltable between three illumination tilt positions. Those of the field facets 7 that are tiltable between the three illumination tilt positions are on the field facet mirror 6 between the two boundary lines 9a . 9b , ie in the area of the highest illumination intensity exposure by the EUV illumination light 3 arranged. This ensures that even in the case where a lighting of the object field 18 is desired with small illumination angles, a sufficient overall illumination intensity can be provided.

Etwa 50% aller Feldfacetten 7 sind zwischen den drei beschriebenen Ausleuchtungs-Kippstellungen verkippbar.About 50% of all field facets 7 are tiltable between the three described illumination tilt positions.

Anhand der 5 wird nachfolgend eine weitere Ausführung eines Pupillenfacettenspiegels 10 erläutert. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 4 und insbesondere unter Bezugnahme auf die 4 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.Based on 5 is a further embodiment of a pupil facet mirror below 10 explained. Components which correspond to those described above with reference to 1 to 4 and in particular with reference to 4 already described, bear the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Dargestellt ist in der 5 lediglich eine der dritten Auswahlfacetten 11c. Die anderen dritten Auswahlfacetten 11c sind genauso ausgeführt, wie die dargestellte dritte Auswahlfacette 11c, und sind angeordnet, wie in der 4 dargestellt. Die dritten Auswahlfacetten 11c des Pupillenfacettenspiegels 10 nach 5 sind senkrecht zu den langen Seiten 27 unterteilt in eine Mehrzahl von Facettensegmenten 33, 34, 35, 36, im dargestellten Ausführungsbeispiel also in vier Facettensegmente. Die Facettensegmente 33 bis 36 sind nebeneinander längs einer Längserstreckung, also längs der langen Seite 27, der dritten Auswahlfacette 11c aufgereiht angeordnet. Die Facettensegmente 33 bis 36 stellen Teil-Reflexionsflächen der Gesamt-Fläche der dritten Auswahlfacette 11c dar. Auch eine Unterteilung in eine andere Anzahl von Facettensegmenten, beispielsweise in zwei, drei, fünf oder noch mehr Facettensegmente, beispielsweise 8, 10 oder 20 Facettensegmente, ist möglich.Shown in the 5 only one of the third selection facets 11c , The other third selection facets 11c are performed the same as the illustrated third selection facet 11c , and are arranged as in the 4 shown. The third selection facets 11c of the pupil facet mirror 10 to 5 are perpendicular to the long sides 27 divided into a plurality of facet segments 33 . 34 . 35 . 36 in the illustrated embodiment, ie in four facet segments. The facet segments 33 to 36 are side by side along a longitudinal extent, ie along the long side 27 , the third choice facet 11c arranged in a row. The facet segments 33 to 36 represent partial reflection areas of the total area of the third selection facet 11c A subdivision into a different number of facet segments, for example in two, three, five or even more facet segments, for example 8, 10 or 20 facet segments, is also possible.

Jedes der Facettensegmente 33 bis 36 der dritten Auswahlfacette 11c nach 5 hat eine eigene abbildende Wirkung auf das EUV-Beleuchtungslicht 3, wie in der 6 schematisch durch eine konkave Krümmung der Facettensegmente 33 bis 36 dargestellt. Each of the facet segments 33 to 36 the third selection facet 11c to 5 has its own imaging effect on the EUV illumination light 3 , like in the 6 schematically by a concave curvature of the facet segments 33 to 36 shown.

7 zeigt eine erste Beleuchtungssituation einer der dritten Auswahlfacetten 11c mit dem Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3. Beleuchtet wird hierbei ausschließlich das Facettensegment 34. Eine Ausdehnung des Teilbündels in der y-Richtung entspricht einer y-Erstreckung der einzelnen Facettensegmente 33 bis 36, sodass in der Beleuchtungssituation nach 7 das Facettensegment 34 über seine gesamte y-Erstreckung durch das Teilbündel des Beleuchtungslichts 3 ausgeleuchtet wird. Aufgrund der Abbildung der dieses Teilbündel reflektierenden Feldfacette in das Objektfeld 18 ergibt sich längs der Scanrichtung y eine Intensitätsverteilung über das Objektfeld 18, die in der 8 schematisch dargestellt ist. 7 shows a first lighting situation of one of the third selection facets 11c with the sub-beam of the EUV illumination light 3 , Only the facet segment is illuminated here 34 , An extension of the sub-beam in the y-direction corresponds to a y-extent of the individual facet segments 33 to 36 , so in the lighting situation after 7 the facet segment 34 over its entire y-extension through the sub-beam of the illumination light 3 is illuminated. Due to the image of the field facet reflecting this sub-beam into the object field 18 along the scan direction y results in an intensity distribution over the object field 18 in the 8th is shown schematically.

9 zeigt eine weitere Beleuchtungssituation der gleichen dritten Auswahlfacette 11c, bedingt durch eine statistisch etwas andere dritte Ausleuchtungs-Kippstellung der zugehörigen Feldfacette 7. Das Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 trifft hierbei zum Teil auf das Facettensegment 34 und zum anderen Teil auf das benachbarte Facettensegment 35. Die sich ergebende Beleuchtungsintensität über das Objektfeld 18 ist in der 10 dargestellt. Eine in der 10 linke Hälfte 18a der gesamten y-Erstreckung des Objektfeldes 18 wird über das Facettensegment 35 ausgeleuchtet und eine rechte Hälfte 18b über das Facettensegment 34. 9 shows a further lighting situation of the same third Auswahlfacette 11c , due to a statistically slightly different third illumination tilt position of the associated field facet 7 , The partial bundle of the EUV illumination light 3 This partly applies to the facet segment 34 and the other part to the adjacent facet segment 35 , The resulting illumination intensity over the object field 18 is in the 10 shown. One in the 10 left half 18a the entire y-extent of the object field 18 is about the facet segment 35 lit and a right half 18b about the facet segment 34 ,

Eine statistisch vorkommende dritte Beleuchtungssituation der gleichen dritten Auswahlfacette 11c ist in der 11 dargestellt. In diesem Fall hat das Teilbündel 3 in der y-Richtung eine etwas größere Erstreckung als jedes der Facettensegmente 33 bis 36. Auch hier beleuchtet das Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 die beiden Facettensegmente 34 und 35, beleuchtet aufgrund seiner größeren y-Erstreckung allerdings teilweise gleiche Abbildungsabschnitte auf diesen beiden Facettensegmenten 34 und 35. Dies führt zu einem in der 12 dargestellten y-Intensitätsprofil, welches eine Intensitätsüberhöhung 37 in dem y-Bereich des Objektfeldes 18 aufweist, der das Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts sowohl aus Richtung des Facettensegments 34 als auch aus Richtung des Facettensegments 35 sieht. Solange das Teilbündel in der Beleuchtungssituation nach 11 in der y-Richtung integriert die gleiche y-Intensität aufweist, wie die Teilbündel in den Beleuchtungssituationen nach den 7 und 9, ergibt sich scanintegriert auch in der Beleuchtungssituation nach 11 die gleiche gesamte Beleuchtungsintensität auf dem Objektfeld 18.A statistically occurring third illumination situation of the same third selection facet 11c is in the 11 shown. In this case, the sub-bundle has 3 in the y-direction a slightly larger extension than each of the facet segments 33 to 36 , Here too, the sub-beam illuminates the EUV illumination light 3 the two facet segments 34 and 35 , due to its larger y-extension, however, partially illuminates identical imaging sections on these two facet segments 34 and 35 , This leads to a in the 12 shown y-intensity profile, which is an increase in intensity 37 in the y-range of the object field 18 comprising the sub-beam of the EUV illumination light both from the direction of the facet segment 34 as well as from the direction of the facet segment 35 sees. As long as the sub-beam in the lighting situation after 11 integrated in the y-direction has the same y-intensity as the sub-beams in the lighting situations after the 7 and 9 , results in scan integrated also in the lighting situation 11 the same total illumination intensity on the object field 18 ,

Durch Vorgabe der jeweiligen Ausleuchtungs-Kippstellung lässt sich ein bestimmtes Beleuchtungssetting zur Beleuchtung des Retikels 17 mit der Beleuchtungsoptik 23 vorgeben. Beispiele derartiger Beleuchtungssettings sind bekannt aus der DE 10 2008 021 833 A1 .By specifying the respective illumination tilt position, a specific illumination setting can be used to illuminate the reticle 17 with the illumination optics 23 pretend. Examples of such lighting settings are known from the DE 10 2008 021 833 A1 ,

Bei der Projektionsbelichtung werden das Retikel 17 und der Wafer 22, der eine für das EUV-Beleuchtungslicht 3 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Retikels 17 auf den Wafer 22 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Schließlich wird die mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 22 entwickelt. Auf diese Weise wird das mikro- bzw. nanostrukturierte Bauteil, beispielsweise ein Halbleiterchip, hergestellt.In the projection exposure, the reticle 17 and the wafer 22 , one for the EUV lighting light 3 photosensitive coating carries provided. Subsequently, at least a portion of the reticle 17 on the wafer 22 with the help of the projection exposure system 1 projected. Finally, with the EUV illumination light 3 exposed photosensitive layer on the wafer 22 developed. In this way, the micro- or nanostructured component, for example a semiconductor chip, is produced.

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Claims (12)

Beleuchtungsoptik (23) für die EUV-Projektionslithographie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, in welchem ein Objektfeld (18) einer nachfolgenden abbildenden Optik (19) anordenbar ist, – mit einem ersten Facettenspiegel (6) mit einer Mehrzahl von ersten Facetten (7) mit Reflexionsflächen zur reflektierenden Führung von Teilbündeln eines Bündels von EUV-Beleuchtungslicht (3), – mit einem nachgeordneten zweiten Facettenspiegel (10) mit einer Mehrzahl von zweiten Facetten (11) zur reflektierenden Führung der von den ersten Facetten (7) reflektierten Teilbündel, sodass über die ersten Facetten (7) und die über die reflektierte Bündelführung zugeordneten zweiten Facetten (10) Objektfeld-Ausleuchtungskanäle vorgegeben sind, denen jeweils eine erste und eine zweite Facette (7, 10) zugeordnet sind, – wobei die Reflexionsflächen zumindest einiger der ersten Facetten (7) jeweils kippbar sind zwischen – einer ersten Ausleuchtungs-Kippstellung zur Führung des auf die erste Facette (7) auftreffenden Teilbündels längs eines ersten Objektfeld-Ausleuchtungskanals in Richtung einer ersten Auswahlfacette (11a) der zweiten Facetten (11), – einer zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung zur Führung des auf die erste Facette (7) auftreffenden Teilbündels längs eines zweiten Objektfeld-Ausleuchtungskanals in Richtung einer zweiten Auswahlfacette (11b) der zweiten Facetten (11), – einer dritten Ausleuchtungs-Kippstellung zur Führung des auf die erste Facette (7) auftreffenden Teilbündels längs eines dritten Objektfeld-Ausleuchtungskanals in Richtung einer dritten Auswahlfacette (11c) der zweiten Facetten (11), – wobei die dritte Ausleuchtungs-Kippstellung in einem Kippwinkelbereich zwischen der ersten Ausleuchtungs-Kippstellung und der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung liegt, – wobei die dritten Auswahlfacetten (11c) eine optische Gesamt-Reflexionsfläche aufweisen, die größer ist als die optischen Gesamt-Reflexionsflächen der ersten und der zweiten Auswahlfacetten (11a, 11b).Illumination optics ( 23 ) for EUV projection lithography for illumination of a lighting field in which an object field ( 18 ) of a subsequent imaging optic ( 19 ) can be arranged, - with a first facet mirror ( 6 ) having a plurality of first facets ( 7 ) with reflection surfaces for the reflective guidance of partial bundles of a bundle of EUV illumination light ( 3 ), - with a downstream second facet mirror ( 10 ) having a plurality of second facets ( 11 ) for the reflective guidance of the first facets ( 7 ) reflected sub-bundles, so that over the first facets ( 7 ) and the second facets associated with the reflected beam guide ( 10 ) Object field illumination channels are given, to each of which a first and a second facet ( 7 . 10 ), wherein the reflection surfaces of at least some of the first facets ( 7 ) are each tiltable between - a first illumination tilt position for guiding the on the first facet ( 7 ) incident partial beam along a first object field illumination channel in the direction of a first Auswahlfacette ( 11a ) of the second facets ( 11 ), - a second illumination tilt position for guiding the person to the first facet ( 7 ) incident partial beam along a second object field illumination channel in the direction of a second Auswahlfacette ( 11b ) of the second facets ( 11 ), - a third illumination tilt position for guiding the person to the first facet ( 7 ) incident partial beam along a third object field illumination channel in the direction of a third Auswahlfacette ( 11c ) of the second facets ( 11 ), Wherein the third illumination tilt position lies in a tilt angle range between the first illumination tilt position and the second illumination tilt position, wherein the third selection facets ( 11c ) have a total optical reflection area greater than the total optical reflection areas of the first and second selection facets ( 11a . 11b ). Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die dritten Auswahlfacetten (11c) ein Aspektverhältnis aufweisen, dass sich vom Aspektverhältnis der ersten Auswahlfacetten (11a) und/oder vom Aspektverhältnis der zweiten Auswahlfacetten (11b) unterscheidet.Illumination optics according to claim 1, characterized in that the third selection facets ( 11c ) have an aspect ratio that depends on the aspect ratio of the first selection facets ( 11a ) and / or the aspect ratio of the second selection facets ( 11b ) is different. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die dritten Auswahlfacetten (11c) im Bereich eines Zentrums (26) des zweiten Facettenspiegels (10) angeordnet sind.Illumination optics according to claim 1 or 2, characterized in that the third selection facets ( 11c ) in the area of a center ( 26 ) of the second facet mirror ( 10 ) are arranged. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gesamt-Reflexionsfläche der dritten Auswahlfacetten (11c) in eine Mehrzahl von Teil-Reflexionsflächen (33 bis 36) unterteilt ist.Illumination optics according to one of claims 1 to 3, characterized in that the total reflection surface of the third selection facets ( 11c ) into a plurality of partial reflection surfaces ( 33 to 36 ) is divided. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass jede der Teil-Reflexionsflächen (33 bis 36) eine Abbildung der ersten Facetten (7) in das Objektfeld (18) bewerkstelligt oder zu dieser Abbildung beiträgt.Illumination optics according to one of claims 1 to 4, characterized in that each of the partial reflection surfaces ( 33 to 36 ) an illustration of the first facets ( 7 ) in the object field ( 18 ) or contributes to this figure. Beleuchtungssystem mit einer Beleuchtungsoptik (23) nach einem der Ansprüche 1 bis 5 und mit einer Projektionsoptik (19) zur Abbildung des Objektfeldes (18) in ein Bildfeld (20).Illumination system with illumination optics ( 23 ) according to one of claims 1 to 5 and with a projection optical system ( 19 ) for mapping the object field ( 18 ) in an image field ( 20 ). Projektionsbelichtungsanlage (1) – mit einem Beleuchtungssystem nach Anspruch 6, – mit einer EUV-Lichtquelle (2), – mit einem Objekthalter (17a) zum Halten eines abzubildenden Objekts (17) im Objektfeld (18), – mit einem Waferhalter (22a) zum Halten eines Substrats (22), auf das abgebildet wird, im Bildfeld (20).Projection exposure apparatus ( 1 ) - with an illumination system according to claim 6, - with an EUV light source ( 2 ), - with an object holder ( 17a ) for holding an object to be imaged ( 17 ) in the object field ( 18 ), - with a wafer holder ( 22a ) for holding a substrate ( 22 ), which is imaged on, in the image field ( 20 ). Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine Zuordnung der ersten Facetten (7) zu einer Beleuchtungsintensität einer EUV-Beleuchtung durch die Lichtquelle (2) auf dem ersten Facettenspiegel (6) derart, dass diejenigen ersten Facetten (7), die in die drei Ausleuchtungs-Kippstellungen kippbar sind, im Vergleich zu anderen ersten Facetten (7) mit höherer Beleuchtungsintensität ausgeleuchtet werden.Projection exposure apparatus according to claim 7, characterized by an assignment of the first facets ( 7 ) to an illumination intensity of an EUV illumination by the light source ( 2 ) on the first facet mirror ( 6 ) such that those first facets ( 7 ) which are tiltable in the three illumination tilt positions, compared to other first facets ( 7 ) are illuminated with higher illumination intensity. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 7 oder 8, gekennzeichnet durch eine Scan-Verlagerbarkeit des Objekthalters (17a) und des Waferhalters (22a), wobei eine Scanrichtung (y) des Objekthalters (17a) und des Waferhalters (22a) parallel zu oder unter einem kleinen Winkel zu einer langen Seite (27) der dritten Auswahlfacetten (11c) des zweiten Facettenspiegels (10) verläuft.Projection exposure apparatus according to claim 7 or 8, characterized by a scan displaceability of the object holder ( 17a ) and the wafer holder ( 22a ), wherein a scanning direction (y) of the object holder ( 17a ) and the wafer holder ( 22a ) parallel to or at a small angle to a long side ( 27 ) of the third selection facets ( 11c ) of the second facet mirror ( 10 ) runs. Verfahren zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Wafers (22), auf dem zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, – Bereitstellen eines Retikels (17), das abzubildende Strukturen aufweist, – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 7 bis 9, – Vorgeben einer Beleuchtungswinkelverteilung durch Verbringen der Feldfacetten (7) des Feldfacettenspiegels (6) in die jeweilige Ausleuchtungs-Kippstellung, – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (17) auf einen Bereich der Schicht des Wafers (22) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).Process for the production of structured components comprising the following steps: - providing a wafer ( 22 ), on which at least partially a layer of a photosensitive material is applied, - providing a reticle ( 17 ) having structures to be imaged, - providing a projection exposure apparatus ( 1 ) according to one of claims 7 to 9, - predetermining an illumination angle distribution by moving the field facets ( 7 ) of the field facet mirror ( 6 ) in the respective illumination tilt position, - Projecting at least a part of the reticle ( 17 ) on an area of the layer of the wafer ( 22 ) using the projection exposure apparatus ( 1 ). Strukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 10.Structured component produced by a method according to claim 10. Pupillenfacettenspiegel (10) als Teil einer Beleuchtungsoptik (23) für die EUV-Projektionslithographie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, in welchem ein Objektfeld (18) einer nachfolgenden abbildenden Optik (19) anordenbar ist, mit Pupillenfacetten (11c) eines ersten Aspekt-Typs, deren Gesamt-Reflexionsfläche ein erstes Aspektverhältnis hat, das größer ist als 1,1, und mit Pupillenfacetten (11a, 11b) eines weiteren Aspekt-Typs, deren Gesamt-Reflexionsfläche ein zweites Aspektverhältnis hat, das sich vom ersten Aspektverhältnis unterscheidet. Pupil facet mirror ( 10 ) as part of an illumination optics ( 23 ) for EUV projection lithography for illumination of a lighting field in which an object field ( 18 ) of a subsequent imaging optic ( 19 ) can be arranged, with pupil facets ( 11c ) of a first aspect type, the total reflection surface of which has a first aspect ratio greater than 1.1, and pupil facets (US Pat. 11a . 11b ) of another aspect type whose total reflection area has a second aspect ratio different from the first aspect ratio.
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