Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, in welchem ein Objektfeld einer nachfolgenden abbildenden Optik anordenbar ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein nach einem solchen Herstellungsverfahren hergestelltes mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement. Ferner betrifft die Erfindung einen Pupillenfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes, in welchem ein Objektfeld einer nachfolgenden abbildenden Optik anordenbar ist.The invention relates to an illumination optics for EUV projection lithography for illuminating a lighting field, in which an object field of a subsequent imaging optics can be arranged. Furthermore, the invention relates to an illumination system with such an illumination optical system, a projection exposure apparatus with such an illumination system, a method for producing a microstructured or nanostructured component using such a projection exposure apparatus, and a microstructured or nanostructured component produced by such a fabrication method. Furthermore, the invention relates to a pupil facet mirror for use in an illumination optical system for EUV projection lithography for illuminating an illumination field, in which an object field of a subsequent imaging optics can be arranged.
Beleuchtungsoptiken mit zwischen verschiedenen Ausleuchtungs-Kipp-stellungen verlagerbaren ersten Facetten, nämlich verlagerbaren Feldfacetten, sind bekannt aus der US 6,658,084 B2 und der US 7,196,841 B2 . Weitere Beleuchtungsoptiken sind bekannt aus der EP 2 333 611 B1 und aus der US 2012/0105818 A1 .Illumination optics with first facets which can be displaced between different illumination tilt positions, namely displaceable field facets, are known from US Pat US 6,658,084 B2 and the US 7,196,841 B2 , Other illumination optics are known from the EP 2 333 611 B1 and from the US 2012/0105818 A1 ,
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie zu schaffen, mit der eine flexible Vorgabe von Beleuchtungswinkelverteilungen zur Ausleuchtung des Objekt- bzw. Beleuchtungsfeldes möglich ist.An object of the invention is to provide an illumination optics for EUV projection lithography, with which a flexible specification of illumination angle distributions for illuminating the object or illumination field is possible.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.This object is achieved by an illumination optical system with the features specified in claim 1.
Die Zuordnung der Auswahl-Pupillenfacetten, die über die verschiedenen Ausleuchtungs-Kippstellungen der Feldfacetten angesteuert werden können, zu Gruppen, in denen unterschiedliche Anzahlen von Pupillenfacetten vorliegen, führt zur Möglichkeit, in vorgegebenen Bereichen des Pupillenfacettenspiegels, in denen diese Gruppen angeordnet sind, ein vorgegebenes Maß einer Packungsdichte einzuhalten. Eine kleinere Anzahl von Auswahl-Pupillenfacetten innerhalb einer der vorgegebenen Gruppen kann dann vorgegeben sein, wenn diese Anzahl in einem entsprechend kleinen Flächenbereich auf dem Träger des Pupillenfacettenspiegels untergebracht werden muss. Eine Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten, die insbesondere in einem äußeren Ringbereich, also im Bereich der größten Abstände um das Zentrum des Trägers des Pupillenfacettenspiegels angeordnet sind, kann dann mit einer geringen Beleuchtungswinkel-Variation vorgegeben werden. Die Anzahl der Pupillenfacetten in der inneren Gruppe kann also größer sein als die Anzahl der Pupillenfacetten in der äußeren Gruppe, beispielsweise 1,5 mal oder auch 2 mal so groß.The assignment of the selection pupil facets, which can be controlled via the different illumination tilting positions of the field facets, to groups in which different numbers of pupil facets are present, leads to the possibility of a predetermined range in predetermined areas of the pupil facet mirror in which these groups are arranged Compliance with a packing density. A smaller number of selection pupil facets within one of the predetermined groups can then be predefined if this number must be accommodated in a correspondingly small surface area on the support of the pupil facet mirror. A group of the selection pupil facets, which are arranged in particular in an outer ring area, that is to say in the region of the greatest distances around the center of the support of the pupil facet mirror, can then be predetermined with a low illumination angle variation. The number of pupil facets in the inner group can thus be greater than the number of pupil facets in the outer group, for example 1.5 times or even twice as large.
Ein Unterschied in der Symmetrieanordnung nach Anspruch 2 ermöglicht insbesondere, die verschiedenen Gruppen mit unterschiedlicher Packungsdichte anzuordnen. Wenn in der äußeren Gruppe eine Symmetrieanordnung mit einer höheren Packungsdichte vorliegt, kann dort pro Flächeneinheit eine größere Anzahl der Pupillenfacetten untergebracht werden. Die Anordnungs-Symmetrien können beispielsweise verschieden mehrzählig ausgeführt sein. Die innere Gruppe kann eine vierzählige und die äußere Gruppe kann eine sechszählige Anordnungs-Symmetrie aufweisen. Grundsätzlich können Pupillenfacetten-Gruppen mit unterschiedlichen Anordnungs-Symmetrien auch dann zum Einsatz kommen, wenn sich die Anzahlen der Pupillenfacetten in diesen Gruppen nicht voneinander unterscheidet.A difference in the symmetry arrangement according to claim 2 makes it possible, in particular, to arrange the different groups with different packing densities. If there is a symmetry arrangement with a higher packing density in the outer group, a larger number of pupil facets can be accommodated there per unit area. The arrangement symmetries can be embodied differently, for example. The inner group may have a four-membered and the outer group may have a sechzählige arrangement symmetry. In principle, pupil facet groups with different arrangement symmetries can also be used if the numbers of pupil facets in these groups do not differ from one another.
Eine Unterteilung in drei Gruppen nach Anspruch 3 ermöglicht eine besonders flexible Auswahl von denjenigen Pupillenfacetten, die zur Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes beitragen und damit eine entsprechend flexible Vorgabe eines Beleuchtungssettings. Wenn in der äußeren Gruppe weniger Pupillenfacetten vorliegen als in der inneren Gruppe, können diejenigen Pupillenfacetten der inneren Gruppe, die über Ausleuchtungskanäle Feldfacetten zugeordnet sind, die durch Umschalten Beleuchtungslicht auf Pupillenfacetten der äußeren Gruppe lenken können, die kleinsten Abstände zum Zentrum des Trägers des Pupillenfacettenspiegels aufweisen, also radial innen liegen. Die verbleibenden Pupillenfacetten in der innern Gruppe liegen dann in der inneren Gruppe radial außen, so dass insgesamt die Beleuchtungssettings mit großen Beleuchtungswinkeln bevorzugt eingestellt werden können.A subdivision into three groups according to claim 3 enables a particularly flexible selection of those pupil facets that contribute to the illumination of the illumination field and thus a correspondingly flexible specification of a lighting setting. If there are fewer pupil facets in the outer group than in the inner group, those pupil facets of the inner group associated with illumination channels can have field facets that can direct illuminating light to pupil facets of the outer group by switching them to the smallest distances from the center of the pupil facet mirror support , so lie radially inward. The remaining pupil facets in the inner group then lie radially outward in the inner group, so that overall the illumination settings with large illumination angles can preferably be set.
Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 4 und einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 5 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden.The advantages of an optical system according to claim 4 and a projection exposure apparatus according to claim 5 correspond to those which have already been explained above with reference to the illumination optics according to the invention.
Die Vorteile eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 6 und eines Bauelements nach Anspruch 7 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik sowie die erfindungsgemäßen Verfahren bereits diskutiert wurden. Es lassen sich auf die herzustellende Bauteilstruktur exakt angepasste Beleuchtungen vorgeben, sodass insbesondere Halbleiterchips mit extrem feinen und insbesondere komplexen Strukturen hergestellt werden können.The advantages of a production method according to claim 6 and a component according to claim 7 correspond to those which have already been discussed above with reference to the illumination optics according to the invention and the inventive methods. It is possible to specify precisely adapted illuminations to the component structure to be produced, so that in particular semiconductor chips with extremely fine and in particular complex structures can be produced.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Pupillenfacettenspiegel bereitzustellen, der sehr flexibel über verschiedene Ausleuchtungs-Kippstellungen eines im Strahlengang der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage vorgelagerten Feldfacettenspiegels beleuchtet werden kann.It is a further object of the present invention to provide a pupil facet mirror which is very flexible over various types Illumination tilting positions of a field facet mirror located in the beam path of the illumination optics of the projection exposure apparatus can be illuminated.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch einen Pupillenfacettenspiegel mit den im Anspruch 8 angegebenen Merkmalen. Die Vorteile diese Pupillenfacettenspiegels entsprechen denen, die vorstehend im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Der erfindungsgemäße Pupillenfacettenspiegel kann in allen Merkmalskombinationen auftreten, die vorstehend im Zusammenhang mit der Beleuchtungsoptik angesprochen sind. Der erfindungsgemäße Pupillenfacettenspiegel kann Bestandteil einer Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie sein, wie vorstehend bereits erläutert.This object is achieved by a pupil facet mirror with the features specified in claim 8. The advantages of these pupil facet mirrors correspond to those which have already been explained above in connection with the illumination optics according to the invention. The pupil facet mirror according to the invention can occur in all feature combinations which have been mentioned above in connection with the illumination optics. The pupil facet mirror according to the invention can be part of an illumination optics for EUV projection lithography, as already explained above.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:
1 schematisch und in Bezug auf eine Beleuchtungsoptik im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie; 1 schematically and with respect to a lighting system in the meridional section, a projection exposure apparatus for microlithography;
2 eine Aufsicht auf eine Facettenanordnung eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1; 2 a plan view of a facet arrangement of a field facet mirror of the illumination optics of the projection exposure system according to 1 ;
2a in einer Seitenansicht eine der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels mit drei schematisch angedeuteten Ausleuchtungs-Kippstellungen; 2a in a side view, one of the field facets of the field facet mirror with three schematically indicated illumination tilt positions;
3 in einer zu 2 ähnlichen Darstellung eine Facettenanordnung einer weiteren Ausführung eines Feldfacettenspiegels; 3 in one too 2 similar representation of a facet arrangement of another embodiment of a field facet mirror;
4 eine Aufsicht auf eine Facettenanordnung eines Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1, 4 a plan view of a facet arrangement of a pupil facet mirror of the illumination optics of the projection exposure system according to 1 .
5 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführungsform eines Pupillenfacettenspiegels; 5 in one too 4 a similar embodiment of another embodiment of a pupil facet mirror;
6 in einem Pupillenkoordinaten-Diagramm eine äußere Berandung für eine innere Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten, die einer Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacetten zugeordnet sind, am Beispiel eines x-Dipolsettings; 6 in a pupil coordinate diagram, an outer boundary for an inner group of selection pupil facets associated with an illumination tilt position of the field facets, using the example of an x-dipole setting;
7 in einer zur 6 ähnlichen Darstellung eine Berandung einer Anordnung einer zwischenliegenden Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten, die einer weiteren der Ausleuchtungs-Kippstellungen der Feldfacetten zugeordnet sind, ebenfalls dargestellt am Beispiel eines x-Dipolsettings; und 7 in a to 6 similar representation, a boundary of an arrangement of an intermediate group of selection pupil facets, which are associated with another of the illumination tilting positions of the field facets, also shown using the example of an x-Dipolsettings; and
8 ebenfalls in einer zur 6 ähnlichen Darstellung eine Berandung einer Anordnung einer äußeren Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten, die einer weiteren der Ausleuchtungs-Kippstellungen der Feldfacetten zugeordnet sind, ebenfalls dargestellt am Beispiel eines x-Dipolsettings. 8th also in a zur 6 Similarly, a boundary of an arrangement of an outer group of selection pupil facets, which are associated with a further of the illumination tilting positions of the field facets, also shown using the example of an x-Dipolsettings.
Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie dient zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten elektronischen Halbleiter-Bauelements. Eine Lichtquelle 2 emittiert zur Beleuchtung genutzte EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gas discharge produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einen Synchrotron basiert, ist für die Lichtquelle 2 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Lichtquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6 859 515 B2 . Zur Beleuchtung und Abbildung innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird EUV-Beleuchtungslicht bzw. Beleuchtungsstrahlung 3 genutzt. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 durchläuft nach der Lichtquelle 2 zunächst einen Kollektor 4, bei dem es sich beispielsweise um einen genesteten Kollektor mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Mehrschalen-Aufbau oder alternativ um einen ellipsoidal geformten Kollektor handeln kann. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 4 durchtritt das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst eine Zwischenfokusebene 5, was zur Trennung des EUV-Beleuchtungslichts 3 von unerwünschten Strahlungs- oder Partikelanteilen genutzt werden kann. Nach Durchlaufen der Zwischenfokusebene 5 trifft das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst auf einen Feldfacettenspiegel 6.A projection exposure machine 1 for microlithography is used to produce a micro- or nanostructured electronic semiconductor device. A light source 2 emits EUV radiation used for illumination in the wavelength range, for example between 5 nm and 30 nm. For the light source 2 it can be a GDPP source (plasma discharge by gas discharge, gas discharge produced plasma) or an LPP source (plasma generation by laser, laser produced plasma). Also a radiation source based on a synchrotron is for the light source 2 used. Information about such a light source is the expert, for example in the US 6,859,515 B2 , For illumination and imaging within the projection exposure system 1 becomes EUV illumination light or illumination radiation 3 used. The EUV lighting light 3 goes through the light source 2 first a collector 4 , which may be, for example, a nested collector with a known from the prior art multi-shell structure or alternatively an ellipsoidal shaped collector. A corresponding collector is from the EP 1 225 481 A known. After the collector 4 passes through the EUV illumination light 3 first an intermediate focus level 5 , what about the separation of the EUV illumination light 3 can be used by unwanted radiation or particle fractions. After passing through the Zwischenfokusebene 5 meets the EUV lighting light 3 first on a field facet mirror 6 ,
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der Zeichnung jeweils ein kartesisches globales xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben.To facilitate the description of positional relationships, a Cartesian global xyz coordinate system is shown in the drawing. The x-axis runs in the 1 perpendicular to the drawing plane and out of it. The y-axis runs in the 1 to the right. The z-axis runs in the 1 up.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen bei einzelnen optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird in den nachfolgenden Figuren jeweils auch ein kartesisches lokales xyz- oder xy-Koordinatensystem verwendet. Die jeweiligen lokalen xy-Koordinaten spannen, soweit nichts anderes beschrieben ist, eine jeweilige Hauptanordnungsebene der optischen Komponente, beispielsweise eine Reflexionsebene, auf. Die x-Achsen des globalen xyz-Koordinatensystems und der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme verlaufen parallel zueinander. Die jeweiligen y-Achsen der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme haben einen Winkel zur y-Achse des globalen xyz-Koordinatensystems, die einem Kippwinkel der jeweiligen optischen Komponente um die x-Achse entspricht.To facilitate the description of positional relationships in individual optical components of the projection exposure apparatus 1 In each of the following figures, a Cartesian local xyz or xy coordinate system is used. Unless otherwise described, the respective local xy coordinates span a respective main assembly plane of the optical component, for example a reflection plane. The x-axes of the xyz global coordinate system and the local xyz or xy coordinate systems are parallel. The respective y-axes of the local xyz or xy coordinate systems have one Angle to the y-axis of the global xyz coordinate system, which corresponds to a tilt angle of the respective optical component about the x-axis.
2 zeigt beispielhaft eine Facettenanordnung von Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels 6. Die Feldfacetten 7 sind rechteckig und haben jeweils das gleiche x/y-Aspektverhältnis. Das x/y-Aspektverhältnis kann beispielsweise 12/5, kann 25/4 oder kann 104/8 betragen. 2 shows by way of example a facet arrangement of field facets 7 of the field facet mirror 6 , The field facets 7 are rectangular and each have the same x / y aspect ratio. The x / y aspect ratio may be 12/5, 25/4, or 104/8, for example.
Die Feldfacetten 7 geben eine Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 6 vor und sind in vier Spalten zu je sechs bis acht Feldfacettengruppen 8a, 8b gruppiert. Die Feldfacettengruppen 8a haben jeweils sieben Feldfacetten 7. Die beiden zusätzlichen randseitigen Feldfacettengruppen 8b der beiden mittleren Feldfacettenspalten haben jeweils vier Feldfacetten 7. Zwischen den beiden mittleren Facettenspalten und zwischen der dritten und vierten Facettenzeile weist die Facettenanordnung des Feldfacettenspiegels 6 Zwischenräume 9 auf, in denen der Feldfacettenspiegel 6 durch Haltespeichen des Kollektors 4 abgeschattet ist. Innerhalb eines zentralen Bereichs des Facettenspiegels 6, der in der 2 durch eine kreisförmige, gestrichelte Begrenzungslinie 9a angedeutet ist, wird der Feldfacettenspiegel 6 ebenfalls nicht ausgeleuchtet. Zwischen der inneren Begrenzungslinie 9a und einer weiteren, mittleren und ebenfalls kreisförmigen Begrenzungslinie 9b liegt ein Bereich größter Beleuchtungsintensität des Feldfacettenspiegels mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3. Außerhalb der mittleren Begrenzungslinie 9b fällt die Beleuchtungsintensität kontinuierlich ab und erreicht am Rand des Feldfacettenspiegels 6 einen Wert, der etwa einer Hälfte der Beleuchtungsintensität im Bereich der Begrenzungslinie 9a entspricht oder auch noch geringer sein kann, beispielsweise 20% der Beleuchtungsintensität im Bereich der Begrenzungslinie 9a. Auch innerhalb des Bereiches größter Beleuchtungsintensität zwischen der inneren Begrenzungslinie 9a und der mittleren Begrenzungslinie 9b kann vom Zentrum aus ein Intensitätsabfall vorliegen.The field facets 7 give a reflection surface of the field facet mirror 6 and are in four columns of six to eight field facet groups 8a . 8b grouped. The field facet groups 8a each have seven field facets 7 , The two additional marginal field facet groups 8b The two middle field facet columns each have four field facets 7 , Between the two middle facet columns and between the third and fourth facet line has the facet arrangement of the field facet mirror 6 interspaces 9 in which the field facet mirror 6 by holding spokes of the collector 4 is shadowed. Within a central area of the facet mirror 6 , the Indian 2 by a circular, dashed boundary line 9a is indicated, the field facet mirror 6 also not lit. Between the inner boundary line 9a and another, middle and also circular boundary line 9b is a range of maximum illumination intensity of the field facet mirror with the EUV illumination light 3 , Outside the middle boundary line 9b the illumination intensity decreases continuously and reaches at the edge of the field facet mirror 6 a value that is about one half of the illumination intensity in the area of the boundary line 9a corresponds or may be even lower, for example, 20% of the illumination intensity in the region of the boundary line 9a , Also within the range of maximum illumination intensity between the inner boundary line 9a and the middle boundary line 9b there may be a drop in intensity from the center.
3 zeigt eine weitere Ausführung eines Feldfacettenspiegels 6. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den Feldfacettenspiegel 6 nach 2 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nur erläutert, soweit sie sich von den Komponenten des Feldfacettenspiegels 6 nach 2 unterscheiden. Der Feldfacettenspiegel 6 nach 3 hat eine Feldfacettenanordnung mit gebogenen Feldfacetten 7. Diese Feldfacetten 7 sind in insgesamt fünf Spalten mit jeweils einer Mehrzahl von Feldfacettengruppen 8 angeordnet. Die Feldfacettenanordnung ist in eine kreisförmige Begrenzung einer Trägerplatte 9c des Feldfacettenspiegels eingeschrieben. 3 shows a further embodiment of a field facet mirror 6 , Components corresponding to those described above with reference to the field facet mirror 6 to 2 have the same reference numerals and are only explained as far as they differ from the components of the field facet mirror 6 to 2 differ. The field facet mirror 6 to 3 has a field facet arrangement with curved field facets 7 , These field facets 7 are in a total of five columns, each with a plurality of field facet groups 8th arranged. The field facet assembly is in a circular boundary of a carrier plate 9c of the field facet mirror inscribed.
Die Feldfacetten 7 der Ausführung nach 3 haben alle die gleiche Fläche und das gleiche Verhältnis von Breite in x-Richtung und Höhe in y-Richtung, welches dem x/y-Aspektverhältnis der Feldfacetten 7 der Ausführung nach 2 entspricht.The field facets 7 according to the execution 3 all have the same area and the same ratio of width in the x-direction and height in the y-direction, which corresponds to the x / y aspect ratio of the field facets 7 according to the execution 2 equivalent.
Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 6 trifft das in Strahlbüschel bzw. Teilbündel, die den einzelnen Feldfacetten 7 zugeordnet sind, aufgeteilte EUV-Beleuchtungslicht 3 auf einen Pupillenfacettenspiegel 10.After reflection at the field facet mirror 6 this is in the bundle of rays or sub-bundles, which are the individual field facets 7 allocated, split EUV lighting light 3 on a pupil facet mirror 10 ,
Zumindest einigen der Feldfacetten 7 der jeweiligen Ausführung des Feldfacettenspiegels 6 sind über jeweils einen Objektfeld-Ausleuchtungskanal genau drei der Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10 zugeordnet, wie nachfolgend noch erläutert wird.At least some of the field facets 7 the respective embodiment of the field facet mirror 6 are each about an object field illumination channel exactly three of the pupil facets 11 of the pupil facet mirror 10 assigned, as will be explained below.
4 zeigt in einem Ausschnitt eine beispielhafte Facettenanordnung von runden Pupillenfacetten 11 des Pupillenfacettenspiegels 10, die nachfolgend noch näher erläutert wird. Jedem von einer der Feldfacetten 7 reflektierten Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 ist mindestens eine Pupillenfacette 11 derart zugeordnet, dass jeweils ein beaufschlagtes Facettenpaar mit einer der Feldfacetten 7 und einer der Pupillenfacetten 11 einen Objektfeld-Ausleuchtungskanal für das zugehörige Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 vorgibt. Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten 11 zu den Feldfacetten 7 erfolgt abhängig von einer gewünschten Beleuchtung durch die Projektionsbelichtungsanlage 1. 4 shows in a section of an exemplary faceted arrangement of round pupil facets 11 of the pupil facet mirror 10 , which will be explained in more detail below. Each one of the field facets 7 reflected sub-beams of the EUV illumination light 3 is at least one pupil facet 11 assigned such that in each case an acted facet pair with one of the field facets 7 and one of the pupil facets 11 an object field illumination channel for the associated sub-beam of the EUV illumination light 3 pretends. The channel-wise assignment of the pupil facets 11 to the field facets 7 occurs depending on a desired illumination by the projection exposure system 1 ,
Über den Pupillenfacettenspiegel 10 (vgl. 1) und eine nachfolgende, aus drei EUV-Spiegeln 12, 13, 14 bestehenden Übertragungsoptik 15 werden die Feldfacetten 7 in eine Objektebene 16 der Projektionsbelichtungsanlage 1 abgebildet. Der EUV-Spiegel 14 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Grazing-Incidence-Spiegel) ausgeführt. In der Objektebene 16 ist ein Retikel 17 angeordnet, von dem mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 ein Ausleuchtungsbereich in Form eines Beleuchtungsfeldes ausgeleuchtet wird, das mit einem Objektfeld 18 einer nachgelagerten Projektionsoptik 19 der Projektionsbelichtungsanlage 1 zusammenfällt. Die Objektebene 16 ist also die Objektebene der Projektionsoptik 19. Die Objektfeld-Ausleuchtungskanäle werden im Objektfeld 18 überlagert. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 wird vom Retikel 17 reflektiert. Das Retikel 17 wird von einem Retikelhalter 17a getragen, der über einen Retikelverlagerungsantrieb angetrieben verlagerbar ist.About the pupil facet mirror 10 (see. 1 ) and a subsequent one, from three EUV mirrors 12 . 13 . 14 existing transmission optics 15 become the field facets 7 in an object plane 16 the projection exposure system 1 displayed. The EUV level 14 is designed as a grazing incidence mirror. In the object plane 16 is a reticle 17 arranged, of which with the EUV illumination light 3 an illumination area is illuminated in the form of a lighting field, which is illuminated with an object field 18 a downstream projection optics 19 the projection exposure system 1 coincides. The object plane 16 So is the object plane of the projection optics 19 , The object field illumination channels are in the object field 18 superimposed. The EUV lighting light 3 is from the reticle 17 reflected. The reticle 17 is from a reticle holder 17a supported, which is driven displaceable via a Retikelverlagerungsantrieb.
Die Projektionsoptik 19 bildet das Objektfeld 18 in der Objektebene 16 in ein Bildfeld 20 in einer Bildebene 21 ab. In dieser Bildebene 21 ist ein Wafer 22 angeordnet, der eine lichtempfindliche Schicht trägt, die während der Projektionsbelichtung mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 belichtet wird. Der Wafer 22 wird von einem Waferhalter 22a getragen, der über eine Waferverlagerungsantrieb angetrieben verlagerbar ist. Bei der Projektionsbelichtung werden sowohl der Retikelhalter 17a als auch der Waferhalter 22a in y-Richtung synchronisiert gescannt. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Die Scanrichtung y wird nachfolgend auch als Objektverlagerungsrichtung bezeichnet.The projection optics 19 forms the object field 18 in the object plane 16 in a picture field 20 in an image plane 21 from. In this picture plane 21 is a wafer 22 arranged carrying a photosensitive layer, which during the projection exposure with the Projection exposure system 1 is exposed. The wafer 22 is from a wafer holder 22a supported, which is displaceable driven via a wafer displacement drive. In the projection exposure, both the reticle holder 17a as well as the wafer holder 22a scanned synchronized in y-direction. The projection exposure machine 1 is designed as a scanner. The scanning direction y is also referred to below as the object displacement direction.
Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 10 und die Spiegel 12 bis 14 der Übertragungsoptik 15 sind Bestandteile einer Beleuchtungsoptik 23 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Gemeinsam mit der Projektionsoptik 19 bildet die Beleuchtungsoptik 23 ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1.The field facet mirror 6 , the pupil facet mirror 10 and the mirrors 12 to 14 the transmission optics 15 are components of a lighting system 23 the projection exposure system 1 , Together with the projection optics 19 forms the illumination optics 23 an illumination system of the projection exposure apparatus 1 ,
Der Feldfacettenspiegel 6 stellt einen ersten Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 23 dar. Die Feldfacetten 7 stellen erste Facetten der Beleuchtungsoptik 23 dar.The field facet mirror 6 represents a first facet mirror of the illumination optics 23 dar. The field facets 7 represent the first facets of the illumination optics 23 represents.
Der Pupillenfacettenspiegel 10 stellt einen zweiten Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 23 dar. Die Pupillenfacetten 11 stellen zweite Facetten der Beleuchtungsoptik 23 dar. Die Pupillenfacetten 11 können rund oder auch mehreckig ausgeführt sein.The pupil facet mirror 10 represents a second facet mirror of the illumination optics 23 dar. The pupil facets 11 represent second facets of the illumination optics 23 dar. The pupil facets 11 can be round or even polygonal.
4 zeigt eine Aufsicht des in etwa kreisförmigen Pupillenfacettenspiegels 10. Der Pupillenfacettenspiegel 10 ist in drei Spiegelbereiche 24, 25, 26 unterteilt, die zu verschiedenen Beleuchtungswinkelbereichen gehören, mit denen das Objektfeld 18 mit dem Beleuchtungslicht 3 beleuchtet wird. Der äußere, ringförmige Spiegelbereich 24 deckt die größten Beleuchtungswinkel ab. Der innere, ebenfalls ringförmige Spiegelbereich 25, der nach innen hin direkt an den äußeren Spiegelbereich angrenzt, deckt einen inneren Bereich von Beleuchtungswinkeln ab. Der innerste, kreisförmige Spiegelbereich 26 stellt einen Zentrumsbereich des Pupillenfacettenspiegels 10 dar. 4 shows a plan view of the approximately circular pupil facet mirror 10 , The pupil facet mirror 10 is in three mirror areas 24 . 25 . 26 which belong to different illumination angle ranges, with which the object field 18 with the illumination light 3 is illuminated. The outer annular mirror area 24 covers the largest illumination angles. The inner, also annular mirror area 25 which adjoins the outer mirror area inwardly, covers an inner area of illumination angles. The innermost, circular mirror area 26 represents a center area of the pupil facet mirror 10 represents.
Im innersten Spiegelbereich 26 des Pupillenfacettenspiegels 10 ist eine innerste Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten 11a angeordnet. Diese innersten Auswahl-Pupillenfacetten 11a sind einer der Ausleuchtungs-Kippstellungen der Feldfacetten 7 zugeordnet. Im inneren Spiegelbereich 25 ist eine innere Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten 11b angeordnet, die einer weiteren der Ausleuchtungs-Kippstellungen der Feldfacetten 7 zugeordnet sind. Im äußeren Spiegelbereich 24 ist eine äußere Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten 11c angeordnet, die einer weiteren der Ausleuchtungs-Kippstellungen der Feldfacetten 7 zugeordnet sind.In the innermost mirror area 26 of the pupil facet mirror 10 is an innermost group of selection pupil facets 11a arranged. These innermost pick pupil facets 11a are one of the illumination tilt positions of the field facets 7 assigned. In the inner mirror area 25 is an inner set of selection pupil facets 11b arranged another of the illumination tilt positions of the field facets 7 assigned. In the outer mirror area 24 is an outer group of selection pupil facets 11c arranged another of the illumination tilt positions of the field facets 7 assigned.
Sei Sigma (σ) der maximale Abbildungswinkel von Abbildungsstrahlen, den die Projektionsoptik 19 abzubilden vermag. In diesem Fall liegt eine äußere Berandung 27 des äußeren Spiegelbereichs 24 bei 1,0 Sigma. Eine Bereichsgrenze 28 zwischen dem äußeren Spiegelbereich 24 und dem inneren Spiegelbereich 25 liegt bei 0,9 Sigma. Eine innere Bereichsgrenze 29 zwischen dem innersten Spiegelbereich 26 und dem inneren Spiegelbereich 25 liegt bei 0,2 Sigma.Let Sigma (σ) be the maximum imaging angle of imaging rays, that of the projection optics 19 can map. In this case, there is an outer boundary 27 the outer mirror area 24 at 1.0 sigma. A range limit 28 between the outer mirror area 24 and the inner mirror area 25 is 0.9 sigma. An inner boundary area 29 between the innermost mirror area 26 and the inner mirror area 25 is 0.2 sigma.
Die Anzahl der Pupillenfacetten 11b in der inneren Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten zwischen den Begrenzungen 28 und 29 unterscheidet sich von der Anzahl der Pupillenfacetten 11c in der äußeren Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten zwischen der äußeren Bereichsgrenze 28 und der Berandung 27.The number of pupil facets 11b in the inner group of selection pupil facets between the boundaries 28 and 29 differs from the number of pupil facets 11c in the outer group of the selection pupil facets between the outer range boundary 28 and the boundary 27 ,
Im innersten Spiegelbereich 26 können zwischen 0% und 15% der Pupillenfacetten 11 angeordnet sein. Im inneren Spiegelbereich 25 können zwischen 60% und 90% der Pupillenfacetten 11 angeordnet sein. Im äußersten Spiegelbereich 24 können zwischen 5% und 30% der Pupillenfacetten 11 angeordnet sein.In the innermost mirror area 26 can be between 0% and 15% of the pupil facets 11 be arranged. In the inner mirror area 25 can be between 60% and 90% of the pupil facets 11 be arranged. In the extreme mirror area 24 can be between 5% and 30% of the pupil facets 11 be arranged.
Die Pupillenfacetten 11b in der inneren Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten haben eine Symmetrie der Anordnung, die sich von einer Symmetrie der Anordnung der Pupillenfacetten 11c der äußeren Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten unterscheidet. Bei der dargestellten Ausführung nach 4 sind die Pupillenfacetten 11b der inneren Gruppe auf einen quadratischen Gitter angeordnet. Die Pupillenfacetten 11c der äußeren Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten sind auf einem hexagonalem Gitter angeordnet. Die Pupillenfacetten 11a der innersten Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten sind auf einen hexagonalen Gitter angeordnet.The pupil facets 11b in the inner group of the selection pupil facets have a symmetry of the arrangement, which differs from a symmetry of the arrangement of the pupil facets 11c the outer group of selection pupil facets is different. In the illustrated embodiment according to 4 are the pupil facets 11b the inner group is arranged on a square grid. The pupil facets 11c The outer group of selection pupil facets are arranged on a hexagonal lattice. The pupil facets 11a The innermost group of selection pupil facets are arranged on a hexagonal lattice.
Die Anordnungs-Symmetrien der inneren Gruppe einerseits und der äußeren Gruppe andererseits der Auswahl-Pupillenfacetten können sich auch in anderer Weise unterscheiden. Beispielsweise können diese Gruppen unterschiedliche Parkettierungen der gesamten Reflexionsfläche des Pupillenfacettenspiegels 10 aufweisen. Die Möglichkeiten für derartige Parkettierungen sind dem Fachmann aus der mathematischen Theorie bekannt.The arrangement symmetries of the inner group on the one hand and the outer group on the other hand, the selection pupil facets may also differ in other ways. For example, these groups may have different tilings of the entire reflection surface of the pupil facet mirror 10 exhibit. The possibilities for such tilings are known to those skilled in the mathematical theory.
Die Anordnungs-Symmetrie der inneren Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten kann beispielsweise n-zählig und die Anordnungs-Symmetrie der äußeren Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten kann m-zähig sein, wobei gilt: n ≠ m.For example, the arrangement symmetry of the inner group of the selection pupil facets may be n-fold, and the arrangement symmetry of the outer group of the selection pupil facets may be m-shaped, where n ≠ m.
5 zeigt schematisch eine weitere Ausführung eines Pupillenfacettenspiegels 10 mit insgesamt hexagonal angeordneten Pupillenfacetten 11. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 4 und insbesondere unter Bezugnahme auf die 4 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. Die Pupillenfacetten 11 sind wiederum unterteilt in verschiedene Gruppen von Auswahl-Pupillenfacetten. 5 shows schematically a further embodiment of a pupil facet mirror 10 with a total of hexagonal pupil facets 11 , Components which correspond to those described above with reference to 1 to 4 and in particular with reference to 4 already described, bear the same reference numbers and will not be discussed again in detail. The pupil facets 11 are in turn subdivided into different groups of selection pupil facets.
Eine innere Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten 11b ist in einem inneren Spiegelbereich 25 zwischen einer inneren Berandung 30 und einer inneren Bereichsgrenze 31 angeordnet. Die Auswahl-Pupillenfacetten 11b der inneren Gruppe sind einer weiteren Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacetten 7 zugeordnet.An inner group of selection pupil facets 11b is in an inner mirror area 25 between an inner boundary 30 and an inner boundary area 31 arranged. The selection pupil facets 11b of the inner group are another illumination tilt position of the field facets 7 assigned.
Eine äußere Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten 11c ist in einem äußeren Spiegelbereich 24 zwischen einer äußeren Bereichsgrenze 32 und der äußeren Berandung 27 angeordnet. Die Auswahl-Pupillenfacetten 11c der äußeren Gruppe sind einer weiteren Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacetten 7 zugeordnet.An outer group of selection pupil facets 11c is in an outer mirror area 24 between an outer range limit 32 and the outer boundary 27 arranged. The selection pupil facets 11c the outer group are another illumination tilt position of the field facets 7 assigned.
Zwischen der inneren Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten 11b und der äußeren Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten 11c ist eine zwischenliegende Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten 11d angeordnet. Diese Auswahl-Pupillenfacetten 11d liegen zwischen der inneren Bereichsgrenze 31 und der äußeren Bereichsgrenze 32. Die zwischenliegende Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten 11d liegt in einem Spiegelbereich 33 zwischen dem inneren Spiegelbereich 25 und dem äußeren Spiegelbereich 24. Die Auswahl-Pupillenfacetten 11d sind einer weiteren Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacetten 7 zugeordnet.Between the inner group of selection pupil facets 11b and the outer group of selection pupil facets 11c is an intermediate group of selection pupil facets 11d arranged. This selection pupil facets 11d lie between the inner boundary area 31 and the outer range limit 32 , The intermediate group of pick pupil facets 11d lies in a mirror area 33 between the inner mirror area 25 and the outer mirror area 24 , The selection pupil facets 11d are another illumination tilt position of the field facets 7 assigned.
Eine Zuordnung einer jeweiligen Auswahl-Pupillenfacette 11x (x = a, b...) zu einer Gruppe von Auswahl-Pupillenfacetten ist immer dann gegeben, wenn mehr als 50% der Reflexionsfläche der jeweiligen Pupillenfacette 11x im jeweiligen Bereich um das Zentrum Z des Pupillenfacettenspiegels 10 angeordnet ist.An assignment of a respective selection pupil facet 11x (x = a, b ...) to a group of selection pupil facets is always given if more than 50% of the reflection surface of the respective pupil facet 11x in the respective area around the center Z of the pupil facet mirror 10 is arranged.
Die innere Berandung 30 liegt etwa bei Sigma = 0,22. Die innere Bereichsgrenze 31 liegt etwa bei Sigma = 0,67. Die äußere Bereichsgrenze 32 liegt etwa bei Sigma = 0,92. Die äußere Berandung 27 liegt beim Pupillenfacettenspiegel 10 nach 5 etwa bei Sigma = 0,99.The inner boundary 30 is about Sigma = 0.22. The inner range limit 31 is about Sigma = 0.67. The outer range limit 32 is about Sigma = 0.92. The outer boundary 27 lies with the pupil facet mirror 10 to 5 at Sigma = 0.99.
Die Anzahl der Pupillenfacetten 11b in der inneren Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten unterscheidet sich von der Anzahl der Pupillenfacetten 11c in der äußeren Gruppe der Auswahl-Pupillenfacetten. Bei der Anordnung nach 5 ist die Anzahl der Pupillenfacetten 11c in der äußeren Gruppe etwa 2/3 der Anzahl der Pupillenfacetten 11b in der inneren Gruppe. Die Anzahl der Pupillenfacetten 11b in der inneren Gruppe und die Anzahl der Pupillenfacetten 11d in der zwischenliegenden Gruppe kann gleich sein.The number of pupil facets 11b in the inner group of the selection pupil facets is different from the number of pupil facets 11c in the outer group of selection pupil facets. In the arrangement according to 5 is the number of pupil facets 11c in the outer group about 2/3 of the number of pupil facets 11b in the inner group. The number of pupil facets 11b in the inner group and the number of pupil facets 11d in the intermediate group may be the same.
6 bis 8 zeigen die Verhältnisse bei der Ansteuerung entsprechender Auswahl-Kippstellungen der Feldfacetten 7 zur Erzeugung von x-Dipolen unter Ausnutzung der Pupillenfacetten der jeweiligen Gruppen der Auswahl-Pupillenfacetten in den Spiegelbereichen 25, 33 und 24. 6 to 8th show the conditions in the control of appropriate selection tilt positions of the field facets 7 for generating x-dipoles utilizing the pupil facets of the respective groups of the selection pupil facets in the mirror regions 25 . 33 and 24 ,
Dargestellt sind jeweils die äußeren Berandungen von über die Feldfacetten 7 ausgeleuchteten Pupillenfacetten 11b (6) 11d (7) und 11c (8) bei x-Dipolsettings, also bei der Ausleuchtung zweier Polbereiche, die zueinander spiegelsymmetrisch angeordnet und in der Pupillenkoordinate Simga x von einander beabstandet sind.Shown are the outer borders of the field facets 7 illuminated pupil facets 11b ( 6 ) 11d ( 7 ) and 11c ( 8th ) in x-dipole settings, that is to say in the illumination of two pole regions which are arranged mirror-symmetrically with respect to one another and are spaced apart from one another in the pupil coordinate Simga x.
Die in den 6 bis 8 dargestellten Ausleuchtungen können für gemischte x-Dipolsettings durch entsprechende Vorgabe der Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacetten 7 miteinander beliebig kombiniert werden.The in the 6 to 8th Illuminations shown for mixed x-Dipolsettings by appropriate specification of the illumination tilt position of the field facets 7 be combined with each other as desired.
Die Reflexionsflächen der Feldfacetten 7 sind jeweils kippbar zwischen drei Ausleuchtungs-Kippstellungen. Hierzu ist jede der Feldfacetten 7 mit einem Kippaktor 35 mechanisch verbunden, der in der 2 schematisch dargestellt ist. Tatsächlich sind die Kippaktoren 35 auf der den Reflexionsflächen der Feldfacetten 7 abgewandten Seite des Feldfacettenspiegels 6 angeordnet. Die Kippaktoren 35 sind zur Verkippung der Feldfacetten 7 unabhängig voneinander über eine zentrale Steuereinrichtung 36 ansteuerbar, die mit den Kippaktoren über eine Multipol-Signalleitung 37 verbunden ist, was in der 2 ebenfalls schematisch für den einzigen dargestellten Kippaktor 35 gezeigt ist.The reflection surfaces of the field facets 7 are each tiltable between three illumination tilt positions. For this purpose, each of the field facets 7 with a tilt actuator 35 mechanically connected, in the 2 is shown schematically. Actually, the tilting actuators 35 on the reflection surfaces of the field facets 7 opposite side of the field facet mirror 6 arranged. The tilting actuators 35 are for tilting the field facets 7 independently of each other via a central control device 36 can be controlled with the tilt actuators via a multipole signal line 37 what is connected in the 2 also schematically for the single illustrated Kippaktor 35 is shown.
In einer ersten Ausleuchtungs-Kippstellung wird ein auf die Feldfacette 7 auftreffendes Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 in Richtung einer der ersten Auswahlfacetten reflektiert.In a first illumination tipping position, one becomes on the field facet 7 incident partial bundle of the EUV illumination light 3 reflected in the direction of one of the first selection facets.
In einer zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung der jeweiligen Feldfacette 7 wird das Teilbündel längs eines weiteren Objektfeld-Ausleuchtungskanals in Richtung einer der zweiten Auswahlfacetten des Pupillenfacettenspiegels 10 reflektiert.In a second illumination tilt position of the respective field facet 7 the sub-beam is moved along another object field illumination channel in the direction of one of the second selection facets of the pupil facet mirror 10 reflected.
Zwei Ausleuchtungs-Kippstellungen sind durch zwei gegenüberliegende Endanschläge EA (vgl. 2a) einer Kippmechanik der Feldfacette 7 exakt definiert.Two illumination tilt positions are by two opposite end stops EA (see. 2a ) of a tilting mechanism of the field facet 7 exactly defined.
In einer dritten Ausleuchtungs-Kippstellung, die in einem Kippwinkelbereich zwischen der ersten Ausleuchtungs-Kippstellung und der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacette 7 liegt, wird das EUV-Teilbündel längs eines dritten Objektfeld-Ausleuchtungskanals in Richtung einer dritten Auswahlfacette reflektiert.In a third illumination tilt position, which is in a tilt angle range between the first Illumination tilt position and the second illumination tilt position of the field facet 7 is located, the EUV sub-beam is reflected along a third object field illumination channel towards a third Auswahlfacette.
2a zeigt in einer Seitenansicht eine der Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels. Durchgezogen ist die dritte Ausleuchtungs-Kippstellung dargestellt. Strichpunktiert ist die erste Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacette dargestellt, in der die Feldfacette 7 um eine zur y-Achse parallele Achse mittels des Kippaktors 35 im Uhrzeigersinn um einen Kippwinkel α verkippt ist. Die Kippachse ist in der 2a bei 38 eingezeichnet. Die Kippachse 38 kann in der Reflexionsfläche der Feldfacette 7 liegen. Gestrichelt ist in der 2a die zweite Ausleuchtungs-Kippstellung der Feldfacette 7 dargestellt, in der diese um einen Kippwinkel β entgegen dem Uhrzeigersinn um die Kippachse 38 verkippt ist. Schematisch dargestellt sind in der 2a die Endanschläge EA, die die erste und die zweite Ausleuchtungs-Kippstellung in ihrer Position definieren. Die Feldfacette 7 liegt in der ersten und in der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung mit ihrer der Reflexionsfläche abgewandten Rückwand am jeweiligen Endanschlag EA an. Ein Kippwinkelbereich zwischen der ersten Ausleuchtungs-Kippstellung und der zweiten Ausleuchtungs-Kippstellung entspricht dem Intervall zwischen den beiden Kippwinkeln α und β. α und β können den gleichen Absolutbetrag haben. 2a shows in a side view one of the field facets 7 of the field facet mirror. Pulled the third illumination tilt position is shown. Dash-dotted the first illumination tilt position of the field facet is shown, in which the field facet 7 about an axis parallel to the y-axis by means of the tilting actuator 35 is tilted clockwise by a tilt angle α. The tilting axis is in the 2a at 38 located. The tilt axis 38 can in the reflection surface of the field facet 7 lie. Dashed is in the 2a the second illumination tilt position of the field facet 7 shown in this by a tilt angle β counterclockwise about the tilt axis 38 is tilted. Schematically represented in the 2a the end stops EA, which define the first and the second illumination tilt position in position. The field facet 7 lies in the first and in the second illumination tilting position with its rear wall remote from the reflection surface at the respective end stop EA. A tilt angle range between the first illumination tilt position and the second illumination tilt position corresponds to the interval between the two tilt angles α and β. α and β can have the same absolute value.
Eine entsprechende Ausgestaltung einer kippbaren Feldfacette mit als Endanschlägen dienenden Aktoren ist beispielsweise bekannt aus den 13 und 14 der US 7 196 841 B2 .A corresponding embodiment of a tiltable Feldfacette with serving as end stops actuators is known for example from the 13 and 14 of the US Pat. No. 7,196,841 B2 ,
Durch Vorgabe der jeweiligen Ausleuchtungs-Kippstellung lässt sich ein bestimmtes Beleuchtungssetting zur Beleuchtung des Retikels 17 mit der Beleuchtungsoptik 23 vorgeben. Beispiele derartiger Beleuchtungssettings sind bekannt aus der DE 10 2008 021 833 A1 .By specifying the respective illumination tilt position, a specific illumination setting can be used to illuminate the reticle 17 with the illumination optics 23 pretend. Examples of such lighting settings are known from the DE 10 2008 021 833 A1 ,
Bei der Projektionsbelichtung werden das Retikel 17 und der Wafer 22, der eine für das EUV-Beleuchtungslicht 3 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Retikels 17 auf den Wafer 22 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Schließlich wird die mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 22 entwickelt. Auf diese Weise wird das mikro- bzw. nanostrukturierte Bauteil, beispielsweise ein Halbleiterchip, hergestellt.In the projection exposure, the reticle 17 and the wafer 22 , one for the EUV lighting light 3 photosensitive coating carries provided. Subsequently, at least a portion of the reticle 17 on the wafer 22 with the help of the projection exposure system 1 projected. Finally, with the EUV illumination light 3 exposed photosensitive layer on the wafer 22 developed. In this way, the micro- or nanostructured component, for example a semiconductor chip, is produced.
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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US 6658084 B2 [0002] US 6658084 B2 [0002]
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US 7196841 B2 [0002, 0061] US 7196841 B2 [0002, 0061]
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EP 2333611 B1 [0002] EP 2333611 B1 [0002]
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US 2012/0105818 A1 [0002] US 2012/0105818 A1 [0002]
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US 6859515 B2 [0022] US Pat. No. 685,951 B2 [0022]
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DE 102008021833 A1 [0062] DE 102008021833 A1 [0062]
