DE102012213937A1 - Mirror exchange array of set structure for illumination optics used in e.g. scanner for performing microlithography, has single mirrors of mirror exchange array unit that are set with high reflecting coating portion - Google Patents

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Abstract

The mirror exchange array (33) has several individual mirrors (21) and mirror exchange array unit that is provided for changing mirror sub-array. The mirror sub-arrays are located on a common carrier. The single mirrors of mirror exchange array unit are provided with high reflecting coating portion (21a) for reflecting specific range of incident angles from various mirror sub-arrays within mirror array unit.

Description

Die Erfindung betrifft eine Spiegel-Austauscharray zum Einsatz in einem Spiegel-Array. Ferner betrifft die Erfindung ein Set mit dem Spiegel-Array und mit mehreren derartigen Spiegel-Austauscharrays, eine Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Set und eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik.The invention relates to a mirror exchange array for use in a mirror array. Furthermore, the invention relates to a set with the mirror array and with a plurality of such mirror replacement arrays, an illumination optical unit with such a set and a projection exposure apparatus with such a lighting optical unit.

Ein Spiegel-Array zum Einsatz innerhalb einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage ist aus der WO 2009/100856 A1 bekannt.A mirror array for use within an illumination optical system of a projection exposure apparatus is known from US Pat WO 2009/100856 A1 known.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, den Aufbau des Spiegel-Arrays mit mehreren Spiegel-Unterarrays für eine vereinfachte Wartung der Beleuchtungsoptik zu nutzen.It is an object of the present invention to utilize the construction of the mirror array with multiple mirror sub-arrays for simplified maintenance of the illumination optics.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Spiegel-Austauscharray mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.This object is achieved by a mirror exchange array with the features specified in claim 1.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass ein Spiegel-Austauscharray mit einer bezogen auf die Einfallswinkel breitbandigen hochreflektierenden Beschichtung die Möglichkeit schafft, einheitliche Austauschkomponenten für das Spiegel-Array zur Verfügung zu stellen, die in der Fertigung wesentlich kostengünstiger sind, als die spezialisiert für das Spiegel-Array exakt hinsichtlich ihrer hochreflektierenden Beschichtung abgestimmten Spiegel-Unterarrays. Eines der Spiegel-Austauscharrays kann jedes der Spiegel-Unterarrays ersetzen, unabhängig davon, an welcher Stelle des Spiegel-Arrays das Spiegel-Unterarray angeordnet ist, also insbesondere auch unabhängig davon, welche hochreflektierende Spezialbeschichtung das Spiegel-Unterarray aufweist. Die hochreflektierende Beschichtung des Spiegel-Austauscharrays ist so ausgeführt, dass sie alle Einfallswinkel abdeckt, die im Betrieb des Spiegel-Arrays an den verschiedenen Spiegel-Unterarrays auftreten können. Die Einfallswinkel-Bandbreite der hochreflektierenden Beschichtung der Einzelspiegel des Spiegel-Austauscharrays kann im Bereich von 5°, im Bereich von 10°, im Bereich von 15°, im Bereich von 20°, im Bereich von 25° liegen oder sogar noch höher sein. Diese Bandbreite ist deutlich höher als die Bandbreite von hochreflektierenden Beschichtungen bekannter Spiegel-Unterarrays. Das Spiegel-Austauscharray entspricht hinsichtlich seines Aufbaus und seiner Abmessungen, abgesehen von der Ausführung der hochreflektierenden Beschichtung, den Spiegel-Unterarrays des Spiegel-Arrays.According to the invention, it has been recognized that a mirror exchange array with a broadband high-reflection coating, based on the angle of incidence, makes it possible to provide uniform replacement components for the mirror array, which are considerably less expensive to manufacture than those specialized for the mirror array exactly matched to their highly reflective coating matched mirror subarrays. One of the mirror exchange arrays can replace any of the mirror subarrays, regardless of where in the mirror array the mirror subarray is arranged, thus in particular also independent of which special high reflection coating the mirror subarray has. The highly reflective coating of the mirror exchange array is designed to cover all angles of incidence that can occur in the operation of the mirror array on the various mirror subarrays. The incident angle bandwidth of the highly reflective coating of the single mirrors of the mirror exchange array may be in the range of 5 °, in the range of 10 °, in the range of 15 °, in the range of 20 °, in the range of 25 ° or even higher. This bandwidth is significantly higher than the range of highly reflective coatings of known mirror subarrays. The mirror exchange array, with regard to its construction and dimensions, apart from the design of the highly reflective coating, corresponds to the mirror subarrays of the mirror array.

Eine Ausführung nach Anspruch 2 ermöglicht eine einfache Austauschbarkeit der Spiegel-Unterarrays durch Spiegel-Austauscharrays. Die steckbare Gestaltung kann so sein, dass hierüber auch elektrische Signalverbindungen geschaffen werden.An embodiment according to claim 2 enables a simple interchangeability of the mirror subarrays by mirror exchange arrays. The pluggable design can be such that this also electrical signal connections are created.

Die Vorteile eines Sets nach Anspruch 3, entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße Spiegel-Austauscharray bereits erläutert wurden. Beim Ausfall von Einzelspiegeln bestimmter Spiegel-Unterarrays steht schnell Ersatz durch jeweils ein Spiegel-Austauscharray zur Verfügung.The advantages of a kit according to claim 3, correspond to those which have already been explained above with reference to the mirror exchange array according to the invention. In the case of the failure of individual mirrors of certain mirror subarrays, replacement by a mirror exchange array is quickly available.

Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 4 und einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 5 entsprechen denen, die vorstehend im Zusammenhang mit dem Spiegel-Austauscharray und dem Set bereits erläutert wurden.The advantages of an illumination optical system according to claim 4 and a projection exposure apparatus according to claim 5 correspond to those which have already been explained above in connection with the mirror replacement array and the set.

Beim Spiegel-Array kann es sich vorzugsweise um ein Mikrospiegel-Array mit einer Vielzahl von Mikrospiegeln handeln. Es kann sich insbesondere um ein mikroelektromechanisches System (MEMS) handeln. Derartige Systeme ermöglichen eine besonders flexible und präzise Anordnung und Verlagerung der einzelnen Spiegel-Elemente. Für weitere Vorteile sei beispielsweise auf die WO 2009/100 856 A1 bzw. die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.The mirror array may preferably be a micromirror array having a plurality of micromirrors. In particular, it may be a microelectromechanical system (MEMS). Such systems enable a particularly flexible and precise arrangement and displacement of the individual mirror elements. For further benefits, for example, on the WO 2009/100 856 A1 or the DE 10 2008 009 600 A1 directed.

Bei einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 6 kommen die Vorteile des Spiegel-Austauscharrays besonders gut zum Tragen. Die EUV-Lichtquelle kann eine Nutzwellenlänge im Bereich zwischen 5 mit und 30 nm, insbesondere im Bereich von 13 nm, haben. Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage ermöglicht die Herstellung hoch aufgelöster Strukturen, insbesondere die Herstellung von Halbleiterbauelementen, beispielsweise Mikrochips, mit Mikro- bzw. Nanometer-Auflösung.In a projection exposure apparatus according to claim 6, the advantages of the mirror replacement array come particularly well. The EUV light source may have a useful wavelength in the range between 5 and 30 nm, in particular in the range of 13 nm. The EUV projection exposure system enables the production of high-resolution structures, in particular the production of semiconductor devices, for example microchips, with micro or nanometer resolution.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert. In dieser zeigen:Embodiments of the invention are explained below with reference to the drawings. In this show:

1 schematisch einen Meridionalschnitt durch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie; 1 schematically a meridional section through a projection exposure system for EUV projection lithography;

2 schematisch eine Aufsicht auf einen Ausschnitt eines als Spiegel-Array aus Einzelspiegeln aufgebauten Feldfacetten-Spiegels als Teil einer Beleuchtungsoptik zum Einsatz in der Projektionsbelichtungsanlage nach 1; 2 schematically a plan view of a section of a constructed as a mirror array of individual mirrors field facet mirror as part of an illumination optical system for use in the projection exposure system according to 1 ;

3 eine Ansicht eines Ausschnitts einer Einzelspiegel-Zeile eines Spiegel-Unterarrays bzw. eines Spiegel-Austauscharrays des Facettenspiegels nach 2 aus Blickrichtung III in 2; 3 a view of a section of a single-mirror row of a mirror subarray and a mirror exchange array of the facet mirror after 2 from viewing direction III in 2 ;

4 und 5 stark schematisch verschiedene Formen einer aus den Einzelspiegeln der in der 3 dargestellten Einzelspiegel-Zeile gebildeten Zeilen-Reflexionsfläche in verschiedenen Konfigurationen; 4 and 5 very schematically different forms one of the individual mirrors of the 3 illustrated single-row mirror row reflective surface in various configurations;

6 perspektivisch ein Spiegel-Austauscharray für den Feldfacetten-Spiegel nach 2; 6 perspective a mirror exchange array for the field facet mirror after 2 ;

7 perspektivisch vier der Spiegel-Austauscharrays bzw. gleichartig aufgebauter Spiegel-Unterarrays, aufgesteckt auf einem Unterarray-Träger des Spiegel-Arrays; und 7 in perspective, four of the mirror exchange arrays or identically structured mirror subarrays, mounted on a subarray support of the mirror array; and

8 eine weitere Ausführung der Beleuchtungsoptik, wobei ein Strahlengang einiger Beleuchtungsstrahlen von EUV-Beleuchtungslicht zwischen einem Zwischenfokus und einem Objektfeld näher im Detail dargestellt ist. 8th a further embodiment of the illumination optics, wherein a beam path of some illumination beams of EUV illumination light between an intermediate focus and an object field is shown in more detail in detail.

1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikro-Lithographie. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes und in der Zeichnung nicht dargestelltes Retikel, das von einem ebenfalls nicht dargestellten Retikelhalter gehalten ist. Eine Projektionsoptik 7 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 8 in der Bildebene 9 angeordneten Wafers, der in der Zeichnung ebenfalls nicht dargestellt ist und von einem ebenfalls nicht dargestellten Waferhalter gehalten ist. 1 schematically shows in a meridional section a projection exposure system 1 for micro-lithography. A lighting system 2 the projection exposure system 1 has next to a radiation source 3 an illumination optics 4 for the exposure of an object field 5 in an object plane 6 , One is exposed in the object field 5 arranged and not shown in the drawing reticle, which is held by a reticle holder, also not shown. A projection optics 7 serves to represent the object field 5 in a picture field 8th in an image plane 9 , A structure on the reticle is imaged onto a photosensitive layer in the area of the image field 8th in the picture plane 9 arranged wafer, which is also not shown in the drawing and is held by a wafer holder, also not shown.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gasdischarge-produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser-produced plasma) handeln. Beispielsweise kann Zinn mittels einem bei einer Wellenlänge von 10,6 μm, das heißt im Infrarot-Bereich, arbeitenden Kohlendioxidlaser zu einem Plasma angeregt werden. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist für die Strahlungsquelle 3 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6,859,515 B2 . EUV-Strahlung 10, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 11 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 11 propagiert die EUV-Strahlung 10 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 12, bevor sie auf einen Feldfacetten-Spiegel 13 trifft. Der Feldfacetten-Spiegel 13 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist. Der Feldfacetten-Spiegel 13 ist als Spiegel-Array ausgeführt, wie nachfolgend noch näher erläutert wird.At the radiation source 3 It is an EUV radiation source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. It can be a plasma source, for example a GDPP source (plasma generation by gas discharge, gasdischarge-produced plasma) or an LPP source. Source (plasma generation by laser, laser-produced plasma) act. For example, tin can be excited into a plasma by means of a carbon dioxide laser operating at a wavelength of 10.6 μm, that is to say in the infrared range. Also, a radiation source based on a synchrotron is for the radiation source 3 used. Information about such a radiation source is the expert, for example in the US Pat. No. 6,859,515 B2 , EUV radiation 10 coming from the radiation source 3 emanating from a collector 11 bundled. A corresponding collector is from the EP 1 225 481 A known. After the collector 11 propagates the EUV radiation 10 through an intermediate focus in a Zwischenfokusebene 12 before moving to a field facet mirror 13 meets. The field facet mirror 13 is in a plane of illumination optics 4 arranged to the object level 6 is optically conjugated. The field facet mirror 13 is designed as a mirror array, as will be explained in more detail below.

Der Feldfacetten-Spiegel 13 kann beispielsweise so ausgeführt sein, wie in der DE 10 2006 036 064 A1 beschrieben.The field facet mirror 13 can be carried out, for example, as in the DE 10 2006 036 064 A1 described.

Die EUV-Strahlung 10 wird nachfolgend auch als Beleuchtungslicht oder als Abbildungslicht bezeichnet.The EUV radiation 10 is hereinafter also referred to as illumination light or as imaging light.

Nach dem Feldfacetten-Spiegel 13 wird die EUV-Strahlung 10 von einem Pupillenfacettenspiegel 14 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 14 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 optisch konjugiert ist. Mit Hilfe des Pupillenfacettenspiegels 14 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 15 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs bezeichneten Spiegeln 16, 17 und 18 werden nachfolgend noch näher beschriebene Feld-Einzelfacetten 19, die auch als Subfelder oder als Einzelspiegel-Gruppen bezeichnet werden, des Feldfacetten-Spiegels 13 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der letzte Spiegel 18 der Übertragungsoptik 15 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing Incidence-Spiegel”).After the field facet mirror 13 becomes the EUV radiation 10 from a pupil facet mirror 14 reflected. The pupil facet mirror 14 is in a pupil plane of the illumination optics 4 arranged to a pupil plane of the projection optics 7 is optically conjugated. With the help of the pupil facet mirror 14 and an imaging optical assembly in the form of a transmission optics 15 with mirrors in the order of the beam path 16 . 17 and 18 will be described in more detail below field single facets 19 , also referred to as subfields or as single mirror groups, of the field facet mirror 13 in the object field 5 displayed. The last mirror 18 the transmission optics 15 is a grazing incidence mirror.

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der 1 ein kartesisches xyz-Koordinatensystem als globales Koordinatensystem für die Beschreibung der Lageverhältnisse von Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 9 eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach unten, also senkrecht zur Objektebene 6 und zur Bildebene 9.To facilitate the description of positional relationships is in the 1 a Cartesian xyz coordinate system as a global coordinate system for the description of the positional relationships of components of the projection exposure apparatus 1 between the object plane 6 and the picture plane 9 located. The x-axis runs in the 1 perpendicular to the drawing plane into this. The y-axis runs in the 1 to the right. The z-axis runs in the 1 down, that is perpendicular to the object plane 6 and to the picture plane 9 ,

Bei der Projektionsbelichtung werden der Retikelhalter und der Waferhalter synchronisiert zueinander in y-Richtung gescannt. Auch ein kleiner Winkel zwischen der Scanrichtung und der y-Richtung ist möglich.In the projection exposure, the reticle holder and the wafer holder are scanned synchronously with each other in the y direction. Even a small angle between the scanning direction and the y-direction is possible.

2 zeigt Details des Aufbaus des Feldfacetten-Spiegels 13 in einer stark schematischen Darstellung. Eine Gesamtreflexionsfläche 20 des Feldfacetten-Spiegels 13 ist zeilen- und spaltenweise unterteilt in ein Raster aus im Folgenden als Einzelspiegel 21 bezeichneten Spiegel-Elementen. Der Feldfacetten-Spiegel 13 ist somit als Spiegel-Array mit einer Vielzahl von Einzelspiegeln 21 ausgebildet. Die Einzelspiegel 21 weisen jeweils eine Einzelreflexions-Fläche 20a auf. Zur Reflexion der EUV-Strahlung 10 weisen die Einzelspiegel 21 eine hochreflektierende Beschichtung mit einem Mehr- bzw. Viellagensystem 21a auf. 2 shows details of the construction of the field facet mirror 13 in a very schematic representation. A total reflection surface 20 of the field facet mirror 13 is divided into rows and columns into a grid from below as individual mirrors 21 designated mirror elements. The field facet mirror 13 is thus as a mirror array with a variety of individual mirrors 21 educated. The individual mirrors 21 each have a single reflection surface 20a on. For reflection of EUV radiation 10 show the individual mirrors 21 a highly reflective coating with a multi or multi-layer system 21a on.

Die Einzelreflexions-Flächen 20a der individuellen Einzelspiegel 21 sind zumindest abschnittsweise plan. Zumindest ein Teil der Einzelspiegel 21 kann auch eine vollständig plan ausgebildete Einzelreflexion-Fläche 20a aufweisen. Es ist auch möglich, dass sämtliche Einzelspiegel 21 eine vollständig plan ausgebildete Einzelreflexions-Fläche 20a aufweisen. Eine Einzelspiegel-Zeile 22 weist eine Mehrzahl der direkt nebeneinander liegenden Einzelspiegel 21 auf. In einer Einzelspiegel-Zeile 22 können mehrere zehn bis mehrere hundert der Einzelspiegel 21 vorgesehen sein. Im Beispiel nach 2 sind die Einzelspiegel 21 quadratisch. Auch andere Formen von Einzelspiegeln, die eine möglichst lückenlose Belegung der Gesamt-Reflexionsfläche 20 ermöglichen, können eingesetzt sein. Derartige alternative Einzelspiegel-Formen sind aus der mathematischen Theorie der Parkettierung bekannt.The single reflection surfaces 20a the individual individual mirror 21 are at least partially plan. At least part of the individual mirrors 21 can also have a completely plan trained single reflection surface 20a exhibit. It is also possible that all individual mirrors 21 a completely plan trained single reflection surface 20a exhibit. A single-mirror line 22 has a plurality of directly adjacent individual mirrors 21 on. In a single-mirror line 22 can be several tens to several hundred of the individual mirrors 21 be provided. In the example below 2 are the individual mirrors 21 square. Other forms of individual mirrors, the most complete possible occupancy of the total reflection surface 20 can be used. Such alternative single mirror shapes are known from the mathematical theory of tiling.

Der Feldfacetten-Spiegel 13 kann beispielsweise so ausgeführt sein, wie in der DE 10 2006 036 064 A1 beschrieben.The field facet mirror 13 can be carried out, for example, as in the DE 10 2006 036 064 A1 described.

Eine Einzelspiegel-Spalte 23 hat, je nach Ausführung des Feldfacetten-Spiegels 13, ebenfalls eine Mehrzahl von Einzelspiegeln 21. Pro Einzelspiegel-Spalte 23 sind beispielsweise einige zehn Einzelspiegel 21 vorgesehen.A single mirror column 23 has, depending on the design of the field facet mirror 13 , also a plurality of individual mirrors 21 , Per single-mirror column 23 For example, there are a few tens of individual mirrors 21 intended.

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der 2 ein kartesisches xyz-Koordinatensystem als lokales Koordinatensystem des Feldfacetten-Spiegels 13 eingezeichnet. Entsprechende lokale xyz-Koordinatensysteme finden sich auch in den nachfolgenden Figuren, die Facetten-Spiegel oder einen Ausschnitt hiervon in Aufsicht zeigen. In der 2 verläuft die x-Achse horizontal nach rechts parallel zu den Einzelspiegel-Zeilen 22. Die y-Achse läuft in der 2 nach oben parallel zu den Einzelspiegel-Spalten 23. Die z-Achse steht senkrecht auf der Zeichenebene der 2 und läuft aus dieser heraus.To facilitate the description of positional relationships is in the 2 a Cartesian xyz coordinate system as the local coordinate system of the field facet mirror 13 located. Corresponding local xyz coordinate systems can also be found in the following figures, which show faceted mirrors or a section thereof in a top view. In the 2 the x-axis runs horizontally to the right parallel to the individual mirror lines 22 , The y-axis runs in the 2 upwards parallel to the individual mirror columns 23 , The z-axis is perpendicular to the plane of the 2 and runs out of this.

In x-Richtung hat die Gesamtreflexionsfläche 20 des Feldfacetten-Spiegels 13 eine Erstreckung von x0. In y-Richtung hat die Gesamtreflexionsfläche 20 des Feldfacetten-Spiegels 13 eine Erstreckung von y0.In the x-direction has the total reflection surface 20 of the field facet mirror 13 an extension of x 0 . In the y-direction has the total reflection surface 20 of the field facet mirror 13 an extension of y 0 .

Je nach Ausführung des Feldfacetten-Spiegels 13 haben die Einzelspiegel 21 x/y-Erstreckungen im Bereich beispielsweise von 600 μm × 600 μm bis beispielsweise 2 mm × 2 mm. Es handelt sich insbesondere um sogenannte Mikrospiegel. Die Mikrospiegel können auch Abmessungen und/oder eine Anordnung auf dem Feldfacetten-Spiegel 13 aufweisen, derart, dass sie eine Beugungsstruktur für Strahlung in einem vorgegebenen Wellenlängenbereich bilden. Sie können insbesondere derart ausgebildet und/oder angeordnet sein, dass sie eine Beugungsstruktur für Strahlung im Infrarot-Wellenlängenbereich, insbesondere für Strahlung mit einer Wellenlänge von 10,6 μm, bilden. Sie können hierfür insbesondere Abmessungen aufweisen, welche im Bereich der zu beugenden Wellenlängen, insbesondere im Infrarot-Bereich, insbesondere im Bereich von 780 nm bis 1 mm, liegen. Die Einzelspiegel 21 können so geformt sein, dass sie eine bündelnde Wirkung für das Beleuchtungslicht 10 haben. Eine derartige bündelnde Wirkung der Einzelspiegel 21 ist besonders beim Einsatz einer divergenten Beleuchtung des Feldfacetten-Spiegels 13 mit dem Beleuchtungslicht 3 von Vorteil. Der gesamte Feldfacetten-Spiegel 13 hat eine x0/y0-Erstreckung, die je nach Ausführung beispielsweise 300 mm × 300 mm oder 600 mm × 600 mm beträgt. Die Feld-Einzel-facetten 19 haben typische x/y-Erstreckungen von 25 mm × 4 mm oder von 104 mm × 8 mm. Je nach dem Verhältnis zwischen der Größe der jeweiligen Feld-Einzelfacetten 19 und der Größe der Einzelspiegel 21, die diese Feld-Einzelfacetten 19 aufbauen, weist jede der Feld-Einzelfacetten 19 eine entsprechende Anzahl von Einzelspiegeln 21 auf.Depending on the version of the field facet mirror 13 have the individual mirrors 21 x / y extensions in the range, for example, of 600 μm × 600 μm to, for example, 2 mm × 2 mm. These are in particular so-called micromirrors. The micromirrors may also have dimensions and / or an arrangement on the field facet mirror 13 such that they form a diffraction structure for radiation in a predetermined wavelength range. In particular, they may be designed and / or arranged such that they form a diffraction structure for radiation in the infrared wavelength range, in particular for radiation having a wavelength of 10.6 μm. For this purpose, they may in particular have dimensions which lie in the region of the wavelengths to be diffracted, in particular in the infrared range, in particular in the range from 780 nm to 1 mm. The individual mirrors 21 can be shaped to have a focusing effect on the illumination light 10 to have. Such a bundling effect of the individual mirror 21 especially when using a divergent illumination of the field facet mirror 13 with the illumination light 3 advantageous. The entire field facet mirror 13 has an x 0 / y 0 extension which, depending on the design, is for example 300 mm × 300 mm or 600 mm × 600 mm. The field single facets 19 have typical x / y dimensions of 25 mm x 4 mm or 104 mm x 8 mm. Depending on the relationship between the size of the respective field single facets 19 and the size of the individual mirror 21 who have used this field single facets 19 build, assigns each of the field single facets 19 a corresponding number of individual mirrors 21 on.

Jeder der Einzelspiegel 21 ist zur individuellen Ablenkung von auftreffendem Beleuchtungslicht 10 jeweils mit einem Aktor bzw. Aktuator 24 verbunden, wie in der 2 anhand zweier in einer Ecke links unten der Gesamtreflexionsfläche 20 angeordneten Einzelspiegel 21 gestrichelt angedeutet und näher in der 3 anhand eines Ausschnitts einer Einzelfacetten-Zeile 22 dargestellt. Die Aktuatoren 24 sind auf der einer reflektierenden Seite der Einzelspiegel 21 abgewandten Seite jedes der Einzelspiegel 21 angeordnet. Die Aktuatoren 24 können beispielsweise als Piezo-Aktuatoren ausgeführt sein. Ausgestaltungen derartiger Aktuatoren sind vom Aufbau von Mikrospiegel-Arrays her bekannt.Each of the individual mirrors 21 is for the individual distraction of incident illumination light 10 each with an actuator or actuator 24 connected, as in the 2 based on two in a corner to the bottom left of the total reflection surface 20 arranged individual mirrors 21 indicated by dashed lines and closer in the 3 based on a section of a single facet line 22 shown. The actuators 24 are on the one reflective side of the individual mirror 21 opposite side of each of the individual mirrors 21 arranged. The actuators 24 For example, they can be designed as piezoactuators. Embodiments of such actuators are known from the structure of micromirror arrays ago.

Die Aktuatoren 24 einer Einzelspiegel-Zeile 22 sind jeweils über Signalleitungen 25 mit einem Zeilen-Signalbus 26 verbunden. Jeweils einem der Zeilen-Signalbusse 26 ist einer Einzelspiegel-Zeile 22 zugeordnet. Die Zeilen-Signalbusse 26 der Einzelspiegel-Zeilen 22 sind ihrerseits mit einem Haupt-Signalbus 27 verbunden. Letzterer steht mit einer Steuereinrichtung 28 des Feldfacetten-Spiegels 13 in Signalverbindung. Die Steuereinrichtung 28 ist insbesondere zur reihenweise, also zeilen- oder spaltenweise gemeinsamen Ansteuerung der Einzelspiegel 21 ausgeführt.The actuators 24 a single-mirror line 22 are each via signal lines 25 with a line signal bus 26 connected. Each one of the line signal buses 26 is a single-mirror line 22 assigned. The line signal buses 26 the single-mirror lines 22 are in turn with a main signal bus 27 connected. The latter is connected to a control device 28 of the field facet mirror 13 in signal connection. The control device 28 is in particular the rows, so line or column-wise common control of the individual mirror 21 executed.

Jeder der Einzelspiegel 21 ist individuell unabhängig um zwei senkrecht aufeinander stehende Kippachsen verkippbar, wobei eine erste dieser Kippachsen parallel zur x-Achse und die zweite dieser beiden Kippachsen parallel zur y-Achse verläuft. Die beiden Kippachsen liegen in den Einzel-Gesamtreflexionsflächen der jeweiligen Einzelspiegel 21.Each of the individual mirrors 21 is independently tiltable about two mutually perpendicular tilt axes, with a first of these tilt axes parallel to the x-axis and the second of these two tilt axes parallel to the y-axis. The two tilt axes lie in the individual total reflection surfaces of the respective individual mirrors 21 ,

Zusätzlich ist mittels der Aktuatoren 24 noch eine individuelle Verlagerung der Einzelspiegel 21 in z-Richtung möglich. Die Einzelspiegel 21 sind also separat voneinander ansteuerbar längs einer Flächennormalen der Gesamtreflexionsfläche 20 verlagerbar. Hierdurch kann die Topographie der Gesamtreflexionsfläche 20 insgesamt verändert werden. Dies ist stark schematisch beispielhaft anhand der 4 und 5 dargestellt. Dadurch können auch Konturen der Gesamtreflexionsfläche 20 mit großen Pfeilhöhen, also großen Variationen in der Topografie der Gesamtreflexionsfläche 20, in Form von insgesamt in einer Ebene angeordneten Spiegelabschnitten nach Art von Fresnel-Linsen gefertigt werden. Außerdem kann auf diese Weise eine Beugungsstruktur, insbesondere ein Beugungsgitter, auf der Gesamtreflexionsfläche 20 des Spiegel-Arrays 13 ausgebildet werden.In addition, by means of the actuators 24 still an individual shift of the individual mirror 21 in z-direction possible. The individual mirrors 21 are ie separately controllable along a surface normal of the total reflection surface 20 displaced. This allows the topography of the total reflection surface 20 be changed altogether. This is very schematically exemplified by the 4 and 5 shown. This also allows contours of the total reflection surface 20 with large arrow heights, ie large variations in the topography of the total reflection surface 20 be made in the form of a total arranged in a plane mirror sections on the type of Fresnel lenses. In addition, in this way, a diffraction structure, in particular a diffraction grating, on the total reflection surface 20 of the mirror array 13 be formed.

Bei der Anordnung nach 3 sind die Einzelspiegel 21 jeweils alternierend in einer vorderen und hinteren Position angeordnet, wobei diese beiden Positionen jeweils um den vorgegebenen Versatz V in Richtung der Flächennormalen der Einzelspiegel 21 gegeneinander versetzt sind. Eine derartig versetzte Anordnung kann hierbei sowohl für die Einzelspiegel-Zeilen 22 als auch für die Einzelspiegel-Spalten 23 vorgesehen sein. Die Gesamtreflexionsfläche 20 des Spiegels 13 weist somit ein schachbrettartiges Muster mit vorderen und hinteren Einzelspiegeln 21 auf. Hierbei können sämtliche Einzelspiegel 21 jeweils eine plane Einzel-Reflexionsfläche aufweisen.In the arrangement according to 3 are the individual mirrors 21 each arranged alternately in a front and rear position, wherein these two positions in each case by the predetermined offset V in the direction of the surface normal of the individual mirror 21 offset from each other. Such a staggered arrangement can in this case both for the individual mirror rows 22 as well as for the individual mirror columns 23 be provided. The total reflection area 20 of the mirror 13 thus has a checkered pattern with front and rear individual mirrors 21 on. Here, all individual mirrors 21 each have a flat single-reflection surface.

4 zeigt Einzel-Reflexionsflächen 20a der Einzelspiegel 21 eines Ausschnitts einer Einzelspiegel-Zeile 22, wobei alle Einzelspiegel 21 dieser Einzelspiegel-Zeile 22 über die Steuereinrichtung 28 und die Aktuatoren 24 in die gleiche absolute z-Position gestellt sind. Im Falle einer vollständig planen Ausbildung der Einzelspiegel-Reflexionsflächen sämtlicher Einzelspiegel 21 resultiert eine plane Zeilen-Reflexionsfläche der Einzelspiegel-Zeile 22. Entsprechend kann auch eine plane Spalten-Reflexionsfläche der Einzelspiegel-Spalte 23 erreicht werden. 4 shows single reflection surfaces 20a the individual mirror 21 a section of a single-mirror line 22 , where all individual mirrors 21 this single-mirror line 22 via the control device 28 and the actuators 24 are placed in the same absolute z-position. In the case of a completely planar design of the individual mirror reflection surfaces of all individual mirrors 21 results in a flat line reflection surface of the single-mirror line 22 , Accordingly, a plane column reflection surface of the individual mirror column can also be used 23 be achieved.

5 zeigt eine Ansteuerung der Einzelspiegel 21 der Einzelspiegel-Zeile 22, bei der der mittige Einzelspiegel 21 m gegenüber benachbarten Einzelspiegeln 21 r1, 21 r2, 21 r3 in negativer z-Richtung versetzt eingestellt ist. Hierdurch ergibt sich eine Stufenanordnung, die zu einem entsprechenden Phasenversatz des auf die Einzelspiegel-Zeile 22 nach 5 auftreffenden Beleuchtungslichts 10 führt. Der Phasenversatz liegt insbesondere für Strahlung im Infrarot-Bereich bei einer viertel Wellenlänge. Der Spiegel 13 weist somit eine sogenannte λ/4-Struktur für Strahlung im Infrarot-Bereich, insbesondere für Strahlung mit einer Wellenlänge von 10,6 μm, auf. Das von den beiden mittigen Einzelspiegeln 21 m reflektierte Beleuchtungslicht 10 wird dabei am stärksten phasenverzögert. Die randseitigen Einzelspiegel 21 r3 erzeugen die geringste Phasenverzögerung. Die zwischenliegenden Einzelspiegel 21 r1, 21 r2 erzeugen entsprechend stufenweise eine, ausgehend von der Phasenverzögerung durch die mittigen Einzelspiegel 21 m, zunehmend geringere Phasenverzögerung. Die Einzelspiegel 21 sind insbesondere derart eingestellt, dass zu jedem Einzelspiegel 21 mindestens ein weiterer Einzelspiegel 21 existiert, derart, dass die Einzel-Reflexionsflächen dieser beiden Einzelspiegel 21 in Richtung ihrer Flächennormalen um einen vorgegebenen Versatz V versetzt ist. Der Versatz V liegt hierbei insbesondere im Bereich einer viertel Wellenlänge im Infrarot-Bereich. Der Versatz V liegt insbesondere im Bereich von 1 μm bis 10 μm. Er kann insbesondere 2,65 μm betragen. Es ist jedoch auch denkbar, Einzelspiegel 21 paarweise mit einem hiervon abweichenden Versatz V anzuordnen. Allgemein ist der Versatz V vorzugsweise größer als eine vorgegebene Wellenlänge von Strahlung im UV-Bereich, insbesondere größer als 100 nm. Der Versatz V ist insbesondere derart gewählt, dass ein vorgegebener Wellenlängen-Anteil, der auf den Spiegel 13 auftreffenden Strahlung 10, insbesondere ein Infrarotanteil, insbesondere mit einer Wellenlänge von 10,6 μm, ausgelöscht wird. 5 shows a control of the individual mirrors 21 the single-mirror line 22 in which the central single mirror 21 m opposite adjacent individual mirrors 21 r1 , 21 r2 , 21 r3 is set offset in the negative z-direction. This results in a step arrangement which results in a corresponding phase offset of the individual mirror line 22 to 5 incident illumination light 10 leads. The phase shift is in particular for radiation in the infrared range at a quarter wavelength. The mirror 13 thus has a so-called λ / 4 structure for radiation in the infrared range, in particular for radiation with a wavelength of 10.6 microns on. That of the two central individual mirrors 21 m reflected illumination light 10 is thereby phase-delayed the most. The marginal single mirror 21 r3 generate the least phase delay. The intermediate individual mirror 21 r1 , 21 r2 generate a corresponding stepwise, starting from the phase delay through the central individual mirror 21 m , increasingly lower phase delay. The individual mirrors 21 are in particular adjusted such that for each individual mirror 21 at least one more individual mirror 21 exists, such that the individual reflection surfaces of these two individual mirrors 21 is offset in the direction of their surface normal by a predetermined offset V. The offset V is in this case in particular in the range of a quarter wavelength in the infrared range. The offset V is in particular in the range of 1 .mu.m to 10 .mu.m. In particular, it can be 2.65 μm. However, it is also conceivable single mirror 21 to arrange in pairs with a deviating V offset. Generally, the offset V is preferably greater than a predetermined wavelength of radiation in the UV range, in particular greater than 100 nm. The offset V is in particular selected such that a predetermined wavelength component which is incident on the mirror 13 incident radiation 10 , In particular, an infrared component, in particular with a wavelength of 10.6 microns, is extinguished.

In alternativen Ausführungsformen sind die Einzelspiegel 21 nicht in z-Richtung verstellbar. Sie sind mit einem vorgegebenen Versatz-Muster, insbesondere entsprechend den unter Bezugnahme auf die 3 und 4 beschriebenen Ausführungsformen, angeordnet. Für weitere Details der Anordenbarkeit der Einzelspiegel 21 und der sich daraus ergebenden Vorteile sei auf die WO 2009/100 856 A1 verwiesen.In alternative embodiments, the individual mirrors 21 not adjustable in z-direction. They are with a given offset pattern, in particular as with reference to the 3 and 4 described embodiments arranged. For more details on the disposability of the individual mirrors 21 and the resulting benefits are on the WO 2009/100 856 A1 directed.

7 verdeutlicht in einem Detail-Ausschnitt den näheren Aufbau des als Spiegel-Array ausgeführten Feldfacetten-Spiegels 13. Dieser ist unterteilt in eine Mehrzahl von Spiegel-Unterarrays 29, die jeweils eine Mehrzahl der Einzelspiegel 21 aufweisen. Bei der Ausführung nach den 2 und 7 weist jedes der Unterarrays 29 acht Einzelspiegel-Zeilen zu je acht der Einzelspiegel 21 auf, ist jeweils also als 8 × 8-Unterarray aufgebaut. Benachbarte der Unterarrays 29 grenzen über Zwischenräume 30 aneinander an. Diese Zwischenräume 30 haben in der Gesamtreflexionsfläche 20 des Spiegel-Arrays 13 nur eine sehr geringe Ausdehnung im Bereich beispielsweise von 100 μm. Die Zwischenräume 30 können parallel zur x- bzw. zur y-Richtung verlaufen, wie beim Beispiel nach 2 angedeutet, können alternativ aber auch einen Winkel hierzu einnehmen, wie die 7 zeigt. Dieser Winkel zwischen von den Zwischenräumen 30 vorgegebenen Grenzlinien und der Scanrichtung y kann im Bereich von 45° liegen, alternativ aber auch einen anderen Wert einnehmen, beispielsweise 37°. 7 illustrates in a detail section the closer structure of the field array mirror designed as a mirror array 13 , This is subdivided into a plurality of mirror subarrays 29 , each a plurality of individual mirrors 21 exhibit. In the execution of the 2 and 7 assigns each of the subarrays 29 eight single-mirror rows of eight each of the individual mirrors 21 on, is therefore each constructed as an 8 × 8 subarray. Neighboring the subarrays 29 borders across spaces 30 to each other. These spaces 30 have in the total reflection area 20 of the mirror array 13 only a very small extent in the range for example of 100 microns. The gaps 30 can run parallel to the x or y direction, as in the example below 2 indicated, but may alternatively take an angle to this, as the 7 shows. This angle between the spaces 30 predetermined boundary lines and the scan direction y may be in the range of 45 °, but alternatively take another value, for example 37 °.

Das gesamte Spiegel-Array 13, also der Feldfacetten-Spiegel, hat eine Mehrzahl derartiger Unterarrays 29, von denen in der 7 beispielhaft vier quadratisch angeordnete Unterarrays 29 dargestellt sind. Diese Unterarrays 29 sind auf einem gemeinsamen Unterarray-Träger 31 steckbar angeordnet. Die steckbare Ausgestaltung der Unterarrays 29 ist so, dass diese auf der vom Betrachter der 7 abgewandten Seite Ausnehmungen aufweisen, die zu noppenartigen Erhöhungen 32 auf dem Träger 31 passen. Aufgrund der steckbaren Anordnung der Unterarrays 29 auf dem Träger 31 lassen sich die Unterarrays 29 vom Träger 32 bei Bedarf lösen. Aufgrund der komplementären Gestaltung der Erhöhungen 32 zu den unterseitigen Ausnehmungen an den Unterarrays 29 ist eine exakte Positionierung gewährleistet. Über entsprechende Kontaktelemente ist eine Signalverbindung der Unterarrays 29 und der Aktoren 24 mit der Steuereinrichtung 28 gegeben.The entire mirror array 13 , So the field facet mirror, has a plurality of such subarrays 29 of which in the 7 exemplarily four square-arranged subarrays 29 are shown. These subarrays 29 are on a common subarray carrier 31 pluggable arranged. The pluggable design of the subarrays 29 is such that these are on the viewer 's 7 side facing recesses, which are knob-like elevations 32 on the carrier 31 fit. Due to the pluggable arrangement of the subarrays 29 on the carrier 31 let the subarrays go 29 from the carrier 32 solve if necessary. Due to the complementary design of the elevations 32 to the lower side recesses on the subarrays 29 an exact positioning is guaranteed. Via corresponding contact elements is a signal connection of the subarrays 29 and the actors 24 with the control device 28 given.

6 zeigt ein Spiegel-Austauscharray 33 zum Austausch gegen eines der Spiegel-Unterarrays 29 nach 7. Das Spiegel-Austauscharray 33 ist abgesehen von einer anderen Ausführung des Viellagensystems 21a zur reflektieren Beschichtung auf den Einzelspiegeln 21 des Spiegel-Austauscharrays 33 genauso ausgeführt wie jeweils eines Spiegel-Unterarrays 29. 6 shows a mirror exchange array 33 to replace one of the mirror subarrays 29 to 7 , The mirror exchange array 33 is apart from another implementation of the multi-tier system 21a for reflecting coating on the individual mirrors 21 of the mirror exchange array 33 just like a mirror subarray 29 ,

8 verdeutlicht bei einer Ausführung der Beleuchtungsoptik 34, die an Stelle der Beleuchtungsoptik 4 bei der Projektionsbelichtungsanlage 1 nach 1 zum Einsatz kommen kann, einen Strahlengang ausgewählter Einzelstrahlen 35 der EUV-Strahlung 10. Dargestellt ist der Strahlengang der Einzelstrahlen 35 ausgehend vom Zwischenfokus in der Zwischenfokusebene 12 bis zum Objektfeld 5, das in der 8 beispielhaft als rechteckiges Objektfeld dargestellt ist. Auch ein gebogenes Objektfeld 5 kann von der Beleuchtungsoptik 34 beleuchtet werden. 8th clarified in an embodiment of the illumination optics 34 , in place of the illumination optics 4 at the projection exposure machine 1 to 1 can be used, a beam path of selected individual beams 35 the EUV radiation 10 , Shown is the beam path of the individual beams 35 starting from the intermediate focus in the intermediate focus plane 12 to the object field 5 that in the 8th is exemplified as a rectangular object field. Also a curved object field 5 can from the illumination optics 34 be illuminated.

Dem Strahlengang der verschiedenen Einzelstrahlen 35 nach 8 ist zu entnehmen, dass diese an den Einzelspiegeln 21 der Spiegel-Unterarrays 29 des Spiegel-Arrays 13 mit deutlich unterschiedlichen Einfallswinkeln reflektiert werden. Entsprechend sind die Spiegel-Unterarrays 29 des Spiegel-Arrays 13 hinsichtlich ihrer hochreflektierenden Viellagensysteme 21a die Einfallswinkel der Einzelstrahlen 35 auf dem jeweiligen Spiegel-Unterarray 29 optimiert. In der Regel ist der Beleuchtungsstrahlengang so, dass randseitige Einzelspiegel 21 des Spiegel-Arrays 13 mit von einem mittleren Einfallswinkel der EUV-Strahlung 10 auf dem Feldfacetten-Spiegel 13 am stärksten abweichenden Einfallswinkeln beaufschlagt werden. Bei Einzelspiegeln der randseitigen Spiegel-Unterarrays 29 kann es also entweder zu Einfallswinkeln relativ nahe an der senkrechten Inzidenz oder zu Einfallswinkeln kommen, die am stärksten von der senkrechten Inzidenz abweichen. Entsprechend ergeben sich Unterschiede in der Auslegung der Schichtstärken und gegebenenfalls auch in den Schichtabfolgen zwischen den hochreflektierenden Viellagensystemen 21a auf den Einzelspiegeln 21 der verschiedenen Spiegel-Unterarrays 29. Einzelspiegel 21 eines Spiegel-Unterarrays 29a, welches mit Einzelstrahlen 35a beaufschlagt wird, kann hinsichtlich der hochreflektierenden Viellagensysteme 21a auf den Einzelspiegeln 21 beispielsweise ausgelegt sein auf Einfallswinkel im Bereich von α = 20°. Einfallswinkel eines Spiegel-Unterarrays 29b, welches mit Einzelstrahlen 35b beaufschlagt wird, kann wiederum mit Einzelspiegeln 21 mit hochreflektierenden Viellagensystemen 21a ausgerüstet sein, welche für Einfallswinkel im Bereich von β = 15° ausgelegt sind. Da die Einzelspiegel 21 jeweils eines der Spiegel-Unterarrays 29 nur mit einer vergleichsweise kleinen Bandbreite an Einfallswinkeln α bzw. β beaufschlagt werden, können die jeweiligen Viellagensysteme 21a dieser Spiegel-Unterarrays exakt abgestimmt sein auf die Position der Spiegel-Unterarrays 29 innerhalb der Beleuchtungsoptik 34 und sogar exakt abgestimmt sein auf die Position der Einzelspiegel 21 innerhalb der jeweiligen Spiegel-Unterarrays 29. In der Praxis ist das gesamte Spiegel-Array 13 daher aufgebaut aus Spiegel-Unterarrays 29, deren hochreflektierende Beschichtungen bzw. deren Viellagensysteme 21a sich jeweils voneinander unterscheiden.The beam path of the various individual beams 35 to 8th it can be seen that these at the individual mirrors 21 the mirror subarrays 29 of the mirror array 13 be reflected with significantly different angles of incidence. Accordingly, the mirror subarrays 29 of the mirror array 13 in terms of their highly reflective multi-layer systems 21a the angles of incidence of the individual rays 35 on the respective mirror subarray 29 optimized. As a rule, the illumination beam path is such that peripheral individual mirrors 21 of the mirror array 13 with a mean angle of incidence of the EUV radiation 10 on the field facet mirror 13 be applied to the most different angles of incidence. For single mirrors of the marginal mirror subarrays 29 Thus, angles of incidence may be relatively close to the vertical incidence or angles of incidence which deviate most strongly from the vertical incidence. Accordingly, there are differences in the design of the layer thicknesses and possibly also in the layer sequences between the highly reflective multilayer systems 21a on the individual mirrors 21 the different mirror subarrays 29 , individual mirrors 21 a mirror subarray 29a , which with single rays 35a can be applied, in terms of highly reflective multi-layer systems 21a on the individual mirrors 21 for example, be designed for angles of incidence in the range of α = 20 °. Incidence angle of a mirror subarray 29b , which with single rays 35b can be applied, in turn, with individual mirrors 21 with highly reflective multilayer systems 21a be equipped, which are designed for angles of incidence in the range of β = 15 °. Because the individual mirror 21 one of each of the mirror subarrays 29 can be acted upon only with a comparatively small bandwidth at angles of incidence α or β, the respective multi-layer systems 21a these mirror subarrays must be exactly matched to the position of the mirror subarrays 29 within the illumination optics 34 and even be exactly tuned to the position of the individual mirrors 21 within the respective mirror subarrays 29 , In practice, the entire mirror array 13 therefore constructed from mirror subarrays 29 , their highly reflective coatings or their multi-layer systems 21a each differ from each other.

Entsprechend klein kann eine Akzeptanzbandbreite dieser Viellagensysteme 21a für den jeweiligen Einfallswinkel gestaltet sein. Für das Spiegel-Unterarray 29a und 29b kann die Akzeptanzbandbreite der Einfallswinkel beispielsweise bei +/–1° liegen. Das Viellagensystem 21a der Einzelspiegel 21 des Spiegel-Unterarrays 29a ist also nicht für die Einfallswinkel geeignet, mit denen das Spiegel-Unterarray 29b beaufschlagt wird, und umgekehrt.An acceptance bandwidth of these multi-layer systems can be correspondingly small 21a be designed for the respective angle of incidence. For the mirror subarray 29a and 29b For example, the acceptance bandwidth of the angle of incidence may be +/- 1 °. The multi-day system 21a the individual mirror 21 of the mirror subarray 29a So it is not suitable for the angles of incidence with which the mirror sub-array 29b is applied, and vice versa.

Das Spiegel-Austauscharray 33 hat im Gegensatz zu den Spiegel-Unterarrays 29 ein Breitband-Viellagensystem, welches für eine deutlich größere Akzeptanzbandbreite an Einfallswinkeln für die EUV-Strahlung 10 ausgelegt ist. Das Spiegel-Austauscharray 33 ist mit einem Breitband-Viellagensystem auf den Einzelspiegeln 21 ausgestattet, welches eine Einfallswinkel-Akzeptanzbandbreite von mindestens 5° hat. Die Einfalls-Akzeptanzbandbreite des Viellagensystems 21a der Einzelspiegel 21 des Spiegel-Austauscharrays 33 kann deutlich höher sein, zum Beispiel 10°, 15°, 20° oder sogar noch höher. Das Spiegel-Austauscharray 33 kann daher zum Austausch für alle der Spiegel-Unterarrays 29 des Spiegel-Arrays 13, also des Feldfacetten-Spiegels 13 genutzt werden. Das Spiegel-Austauscharray 33 kann also beispielsweise zum Austausch gegen das Spiegel-Unterarray 29a oder zum Austausch gegen das Spiegel-Unterarray 29b oder auch zum Austausch gegen ein anderes Spiegel-Unterarray 29 des Spiegel-Arrays 13 eingesetzt werden.The mirror exchange array 33 has unlike the mirror subarrays 29 a broadband multilayer system, which allows for a much wider acceptance bandwidth at angles of incidence for the EUV radiation 10 is designed. The mirror exchange array 33 is with a broadband multilayer system on the individual mirrors 21 equipped with an incident angle acceptance bandwidth of at least 5 °. The imaginary acceptance bandwidth of the multi-tier system 21a the individual mirror 21 of the mirror exchange array 33 can be significantly higher, for example 10 °, 15 °, 20 ° or even higher. The mirror exchange array 33 can therefore be exchanged for all of the mirror subarrays 29 of the mirror array 13 , so the field facet mirror 13 be used. The mirror exchange array 33 So, for example, can replace the mirror subarray 29a or to replace the mirror subarray 29b or to exchange for another mirror subarray 29 of the mirror array 13 be used.

Das Viellagensystem 21a des Spiegel-Austauscharrays 33 stellt also eine Beschichtung dar, die für eine Bandbreite von Einfallswinkeln ausgelegt ist, die von den verschiedenen Spiegel-Unterarrays 29 innerhalb des Spiegel-Arrays 13 reflektiert werden. The multi-day system 21a of the mirror exchange array 33 Thus, it represents a coating designed for a range of angles of incidence from the various mirror subarrays 29 within the mirror array 13 be reflected.

Übliche Viellagensystem bestehen aus einer periodischen Anordnung von Molybdän und Silizium. Durch die Wahl der Schichtdicken kann die Reflektivität für einen bestimmten, vorgegebenen Einfallswinkel maximiert werden. Die Reflektivität für genau diesen Einfallswinkel steigt, wenn die Anzahl der periodischen Lagen erhöht wird.Common multilayer systems consist of a periodic arrangement of molybdenum and silicon. By choosing the layer thicknesses, the reflectivity for a given, predetermined angle of incidence can be maximized. The reflectivity for precisely this angle of incidence increases as the number of periodic layers is increased.

Bei typischerweise ungefähr 50 Lagen geht die Reflektivität in die Sättigung. Dieses bedeutet, daß das Hinzufügen weiterer Lagen zu denn Viellagensystem zu keiner signifikanten Veränderung der Reflektivität für diesen Einfallswinkel führt. Parallel zur Verbesserung der Reflektivität für diesen Einfallswinkel verringert sich der Einfallswinkelbereich, in dem die Reflektivität oberhalb eines gewissen Schwellwertes liegt, zum Beispiel oberhalb von 90%, 75% oder 50% der maximalen Reflektivität.At typically about 50 layers, the reflectivity saturates. This means that adding more layers to the multilayer system will not result in any significant change in reflectivity for this angle of incidence. In parallel with the improvement of the reflectivity for this angle of incidence, the angle of incidence range in which the reflectivity is above a certain threshold value is reduced, for example above 90%, 75% or 50% of the maximum reflectivity.

Für Viellagensysteme aus einer periodischen Anordnung zweier oder mehrerer Materialen bezeichnet man eine Viellagen-System daher als schmalbandig, wenn das Hinzufügen weiterer Lagen nicht mehr zu einer relevanten Veränderung der Schichteigenschaften führt. Führt das Hinzufügen weiterer periodischer Lagen dagegen zu einer relevanten Veränderung der Schichteigenschaften, bezeichnet man dieses Viellagensystem als breitbandig.For multi-layer systems consisting of a periodic arrangement of two or more materials, a multilayer system is therefore termed narrow-band if the addition of further layers no longer leads to a relevant change in the layer properties. In contrast, the addition of further periodic layers leads to a relevant change in the layer properties, called this multilayer system as broadband.

Werden zwei verschiedene Viellagensystem aus den selben Materialen, die so ausgelegt sind, daß für im wesentlichen den selben Einfallswinkel der Maximum der Reflektivität vorliegt, so können gemäß der obigen Definition entweder eine breitbandige und eine schmalbandige oder aber zwei schmalbandige Viellagensystem vorliegen – abhängig davon, ob die Anzahl der Lagen bereits jeweils so groß ist, dass Sättigung vorliegt. Im zweiten Fall wäre das Viellagensystem mit der kleineren Lagenzahl breitbandiger und das mit der größeren Lagenzahl schmalbandiger.If two different multilayer systems made of the same materials, which are designed so that there is a maximum of the reflectivity for substantially the same angle of incidence, then according to the above definition either a broadband and a narrowband or two narrow-band multi-layer system are present - depending on whether the number of layers is already so large that there is saturation. In the second case, the multilayer system with the smaller number of layers would be broadband and the narrowband with the larger number of layers.

Viellagensysteme können auch dadurch breitbandiger ausgelegt werden, indem sie nicht als Monostack, sondern als Bistack, Tristack usw. ausgelegt sind. Solche Viellagensysteme sind zum Beispiel aus der DE 101 55 711 A1 bekannt. Bei diesen besteht das Viellagensystem nicht aus einer periodischen Abfolge von zwei Lagen, sondern aus einer periodischen Abfolge von drei, vier usw. Lagen.Multi-media systems can also be designed broadband by not as monostack, but as a bistro, Tristack, etc. are designed. Such multilayer systems are for example from DE 101 55 711 A1 known. In these, the multi-layer system does not consist of a periodic sequence of two layers, but of a periodic sequence of three, four, etc. layers.

Viellagensysteme können auch mit einem sogenannten „z-Grating” versehen sein. Hierbei wird von einer periodischen Abfolge von Lagen abgewichen, so dass es zu einer z-Abhängigkeit der Lagendicken kommt, wobei mit z die Richtung entlang der Normalen bezeichnet wird. Diese Viellagensysteme können so ausgelegt werden, dass die Reflektivität für einen bestimmten Einfallswinkel erhöht wird. Diese Viellagensysteme können so ausgelegt werden, daß der nutzbare Einfallswinkelbereich vergrößert wird.Multi-layer systems can also be provided with a so-called "z-grating". In this case, a periodic sequence of layers is deviated, so that there is a z-dependence of the layer thicknesses, where z denotes the direction along the normal. These multi-layer systems can be designed to increase the reflectivity for a given angle of incidence. These multi-layer systems can be designed to increase the usable angle of incidence range.

Unter nutzbarem Einfallswinkelbereich wird häufig der Winkelbereich verstanden, in dem PV = (max – min)/(max + min) < 20% beträgt. wobei PV ein Maß für eine Reflektivitäts-Variation darstellt, „max” die maximale Reflektivität des Viellagensystems und „min” die minimale Reflektivität des Viellagenssystems im Winkelbereich ist.Usable incident angle range is often understood as the angular range in which PV = (max - min) / (max + min) <20%. wherein PV represents a measure of a reflectivity variation, "max" is the maximum reflectivity of the multilayer system, and "min" is the minimum reflectivity of the multilayer system in the angular range.

Für weitere Details der Verlagerbarkeit der Einzelspiegel 21 des Spiegel-Arrays sowie der Einstellung eines vorgegebenen Beleuchtungssettings sei auf die WO 2009/100 856 A1 bzw. DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.For further details of the displaceability of the individual mirrors 21 of the mirror array and the setting of a given lighting setting is on the WO 2009/100 856 A1 respectively. DE 10 2008 009 600 A1 directed.

Soweit bei einer Inspektion der Projektionsbelichtungsanlage 1 z. B. festgestellt wird, dass bestimme Einzelspiegel 21 von Spiegel-Unterarrays 29 nicht mehr die geforderten Reflektivitäts-Spezifikationen und/oder Verlagerungs-Spezifikationen erfüllen, kann das jeweilige Spiegel-Unterarray 29 durch ein bereit gehaltenes Spiegel-Austauscharray 33 ersetzt werden. Hierzu wird einfach das Spiegel-Unterarray 29 durch das Spiegel-Austauscharray 33 ersetzt, indem dieses Spiegel-Unterarray 29 vom Träger 31 abgesteckt wird und dass Spiegel-Austauscharray an dessen Stelle auf den Träger 31 aufgesteckt wird.So much for an inspection of the projection exposure system 1 z. B. is determined that certain individual levels 21 from mirror subarrays 29 no longer meet the required reflectivity specifications and / or displacement specifications, the respective mirror sub-array 29 by a ready held mirror exchange array 33 be replaced. This is simply the mirror subarray 29 through the mirror exchange array 33 replaced by this mirror subarray 29 from the carrier 31 is staked and that mirror replacement array in its place on the carrier 31 is plugged.

Um diese Austauschbarkeit zu gewährleisten, gehört zum Ausstattungsumfang der Projektions-Belichtungsanlage 1 ein Set, zu dem neben dem Spiegel-Array 13 auch mehrere gleichartig, also insbesondere mit gleicher hochreflektierender Beschichtung der Einzelspiegel 21 mit einem Breitband-Viellagensystem, ausgeführte Spiegel-Austauscharrays 33 gehören.To ensure this interchangeability, belongs to the scope of equipment of the projection exposure system 1 a set, in addition to the mirror array 13 also several similar, ie in particular with the same highly reflective coating of the individual mirror 21 with a broadband multi-layer system, executed mirror exchange arrays 33 belong.

Nach dem Austausch auch gegebenenfalls mehrerer Spiegel-Unterarrays durch Spiegel-Austauscharrays 33 wird die Performance der Beleuchtungsoptik 4 bzw. 34 neu eingemessen, sodass gegebene Anforderungen insbesondere an die Uniformity und an weitere Beleuchtungsparameter, zum Beispiel Pol-Balance und Telezentrie, erfüllt sind. Details zu diesen Beleuchtungsparametern sind erläutert beispielsweise in der EP 0 952 491 A2 , der DE 10 2008 007 449 A1 und der DE 10 2009 045 491 A After replacement, if appropriate, also several mirror subarrays by mirror exchange arrays 33 becomes the performance of the illumination optics 4 respectively. 34 newly measured, so that given requirements in particular to the uniformity and other lighting parameters, such as pole balance and telecentricity, are met. Details about these illumination parameters are explained, for example, in US Pat EP 0 952 491 A2 , of the DE 10 2008 007 449 A1 and the DE 10 2009 045 491 A

Mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens ein Teil des Retikels im Objektfeld 5 auf einen Bereich einer lichtempfindlichen Schicht auf dem Wafer im Bildfeld 8 zur lithographischen Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils, insbesondere eines Halbleiterbauteils, beispielsweise eines Mikrochips, abgebildet. Je nach Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner oder als Stepper werden das Retikel und der Wafer zeitlich synchronisiert in der y-Richtung kontinuierlich im Scannerbetrieb oder schrittweise im Stepperbetrieb verfahren.With the help of the projection exposure system 1 becomes at least a part of the reticle in the object field 5 to a portion of a photosensitive layer the wafer in the image field 8th for the lithographic production of a microstructured or nanostructured component, in particular a semiconductor component, for example a microchip. Depending on the version of the projection exposure system 1 As a scanner or as a stepper, the reticle and the wafer are synchronized in the y-direction continuously in scanner operation or stepwise in stepper mode.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • WO 2009/100856 A1 [0002, 0009, 0040, 0056] WO 2009/100856 A1 [0002, 0009, 0040, 0056]
  • DE 102008009600 A1 [0009, 0056] DE 102008009600 A1 [0009, 0056]
  • US 6859515 B2 [0020] US Pat. No. 685,951 B2 [0020]
  • EP 1225481 A [0020] EP 1225481A [0020]
  • DE 102006036064 A1 [0021, 0028] DE 102006036064 A1 [0021, 0028]
  • DE 10155711 A1 [0053] DE 10155711 A1 [0053]
  • EP 0952491 A2 [0059] EP 0952491 A2 [0059]
  • DE 102008007449 A1 [0059] DE 102008007449 A1 [0059]
  • DE 102009045491 A [0059] DE 102009045491 A [0059]

Claims (6)

Spiegel-Austauscharray (33) – mit einer Vielzahl von Einzelspiegeln (21), – wobei das Spiegel-Austauscharray (33) zum Austausch eines Spiegel-Unterarrays (29) als Teil eines Spiegel-Arrays (13) ausgebildet ist, welches eine Mehrzahl derartiger Spiegel-Unterarrays (29) aufweist, die auf einem gemeinsamen Unterarray-Träger (31) angeordnet sind, – wobei die Einzelspiegel (21) des Spiegel-Austauscharrays (33) eine hochreflektierende Beschichtung (21a) tragen, die für eine Bandbreite von Einfallswinkeln ausgelegt sind, welche von den verschiedenen Spiegel-Unterarrays (29) innerhalb des Spiegel-Arrays (13) reflektiert werden.Mirror exchange array ( 33 ) - with a plurality of individual mirrors ( 21 ), Wherein the mirror exchange array ( 33 ) for exchanging a mirror subarray ( 29 ) as part of a mirror array ( 13 ), which comprises a plurality of such mirror subarrays ( 29 ) supported on a common subarray support ( 31 ), the individual mirrors ( 21 ) of the mirror exchange array ( 33 ) a highly reflective coating ( 21a ) which are designed for a range of angles of incidence which are different from the different mirror subarrays ( 29 ) within the mirror array ( 13 ) are reflected. Austauscharray nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dieses auf den Unterarray-Träger (31) steckbar ausgestaltet ist.Replacement array according to Claim 1, characterized in that it is applied to the subarray support ( 31 ) is designed pluggable. Set – mit einem Spiegel-Array (13) mit einer Mehrzahl von Spiegel-Unterarrays (29), die auf einem gemeinsamen Unterarray-Träger (31) angeordnet sind, – mit mehreren gleichartig aufgebauten Spiegel-Austauscharrays (33) nach Anspruch 1 oder 2.Set - with a mirror array ( 13 ) with a plurality of mirror subarrays ( 29 ) supported on a common subarray support ( 31 ) are arranged, - with a plurality of identically constructed mirror exchange arrays ( 33 ) according to claim 1 or 2. Beleuchtungsoptik (4; 34) zur Beleuchtung eines Objektfeldes (5) mit mindestens einem Set nach Anspruch 3.Illumination optics ( 4 ; 34 ) for illuminating an object field ( 5 ) with at least one set according to claim 3. Projektionsbelichtungsanlage – mit einer Beleuchtungsoptik (4; 34) nach Anspruch 4, – mit einer Projektionsoptik (7) zur Abbildung des Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (8).Projection exposure system - with an illumination optics ( 4 ; 34 ) according to claim 4, - with a projection optics ( 7 ) for mapping the object field ( 5 ) in an image field ( 8th ). Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine EUV-Lichtquelle (3).Projection exposure apparatus according to claim 5, characterized by an EUV light source ( 3 ).
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015135966A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
DE102016201564A1 (en) 2016-02-02 2017-08-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for producing a reflective optical element and reflective optical element
DE102021210492A1 (en) 2021-09-21 2023-03-23 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV illumination device and method for operating a microlithographic projection exposure system designed for operation in EUV

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0952491A2 (en) 1998-04-21 1999-10-27 Asm Lithography B.V. Lithography apparatus
EP1225481A2 (en) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Collector for an illumination system with wavelength of 193 nm
DE10155711A1 (en) 2001-11-09 2003-05-22 Fraunhofer Ges Forschung Mirror for the EUV spectral region used in X-ray techniques comprises a layer arrangement having a number of partial layer systems applied on a substrate
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
DE102006036064A1 (en) 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a projection exposure apparatus with wavelengths ≦ 193 nm
DE102006056035A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Illumination optics for EUV projection microlithography, illumination system with such illumination optics, projection exposure apparatus with such an illumination system, method for producing a microstructured component and microstructured component produced by the method
DE102008007449A1 (en) 2008-02-01 2009-08-13 Carl Zeiss Smt Ag Illumination optics for illuminating an object field of a projection exposure apparatus for microlithography
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
DE102008009600A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field
DE102009017095A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-28 Carl Zeiss Smt Ag Mirror for the EUV wavelength range, projection objective for microlithography with such a mirror and projection exposure apparatus for microlithography with such a projection objective
DE102009045491A1 (en) 2009-10-08 2010-11-25 Carl Zeiss Smt Ag Illumination lens for illumination of object field of projection lens of illumination system for extreme UV-projection microlithography during manufacturing e.g. nano structured component, has aperture shading distribution of facets
DE102009032779A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 Carl Zeiss Smt Ag Mirror for the EUV wavelength range, projection objective for microlithography with such a mirror and projection exposure apparatus for microlithography with such a projection objective
DE102009054653A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror for the EUV wavelength range, substrate for such a mirror, use of a quartz layer for such a substrate, projection lens for microlithography with such a mirror or such a substrate and Projektionsichtung for microlithography with such a projection lens
DE102011006100A1 (en) * 2011-03-25 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror array

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0952491A2 (en) 1998-04-21 1999-10-27 Asm Lithography B.V. Lithography apparatus
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
EP1225481A2 (en) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Collector for an illumination system with wavelength of 193 nm
DE10155711A1 (en) 2001-11-09 2003-05-22 Fraunhofer Ges Forschung Mirror for the EUV spectral region used in X-ray techniques comprises a layer arrangement having a number of partial layer systems applied on a substrate
DE102006036064A1 (en) 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a projection exposure apparatus with wavelengths ≦ 193 nm
DE102006056035A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Illumination optics for EUV projection microlithography, illumination system with such illumination optics, projection exposure apparatus with such an illumination system, method for producing a microstructured component and microstructured component produced by the method
DE102008007449A1 (en) 2008-02-01 2009-08-13 Carl Zeiss Smt Ag Illumination optics for illuminating an object field of a projection exposure apparatus for microlithography
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
DE102008009600A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field
DE102009017095A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-28 Carl Zeiss Smt Ag Mirror for the EUV wavelength range, projection objective for microlithography with such a mirror and projection exposure apparatus for microlithography with such a projection objective
DE102009032779A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 Carl Zeiss Smt Ag Mirror for the EUV wavelength range, projection objective for microlithography with such a mirror and projection exposure apparatus for microlithography with such a projection objective
DE102009045491A1 (en) 2009-10-08 2010-11-25 Carl Zeiss Smt Ag Illumination lens for illumination of object field of projection lens of illumination system for extreme UV-projection microlithography during manufacturing e.g. nano structured component, has aperture shading distribution of facets
DE102009054653A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror for the EUV wavelength range, substrate for such a mirror, use of a quartz layer for such a substrate, projection lens for microlithography with such a mirror or such a substrate and Projektionsichtung for microlithography with such a projection lens
DE102011006100A1 (en) * 2011-03-25 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror array

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015135966A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
US10133183B2 (en) 2014-03-14 2018-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
DE102016201564A1 (en) 2016-02-02 2017-08-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for producing a reflective optical element and reflective optical element
WO2017134020A1 (en) 2016-02-02 2017-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for producing a reflective optical element and reflective optical element
US11073765B2 (en) 2016-02-02 2021-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for producing a reflective optical element and reflective optical element
DE102021210492A1 (en) 2021-09-21 2023-03-23 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV illumination device and method for operating a microlithographic projection exposure system designed for operation in EUV

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