DE102017202431B3 - Steuergerät mit einem Kühlrippen aufweisenden Gehäuse und Verfahren zum Verschließen eines Gehäuses - Google Patents

Steuergerät mit einem Kühlrippen aufweisenden Gehäuse und Verfahren zum Verschließen eines Gehäuses Download PDF

Info

Publication number
DE102017202431B3
DE102017202431B3 DE102017202431.3A DE102017202431A DE102017202431B3 DE 102017202431 B3 DE102017202431 B3 DE 102017202431B3 DE 102017202431 A DE102017202431 A DE 102017202431A DE 102017202431 B3 DE102017202431 B3 DE 102017202431B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
housing wall
heat sink
control unit
mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102017202431.3A
Other languages
English (en)
Inventor
Udo Hennel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102017202431.3A priority Critical patent/DE102017202431B3/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102017202431B3 publication Critical patent/DE102017202431B3/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/041Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295Organic, e.g. plastic containing a filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/20436Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing
    • H05K7/20445Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing the coupling element being an additional piece, e.g. thermal standoff
    • H05K7/20463Filling compound, e.g. potted resin
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/20845Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for automotive electronic casings
    • H05K7/20854Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Steuergerät für ein Fahrzeug, insbesondere ein Kraftfahrzeug. Das Steuergerät weist wenigstens einen Halbleiterbaustein und ein Gehäuse auf. Das Gehäuse umschließt einen Hohlraum, wobei der Halbleiterbaustein in dem Hohlraum angeordnet ist. Das Gehäuse ist mit der Mold-Masse wenigstens teilweise oder vollständig gefüllt, wobei der Halbleiterbaustein in die Mold-Masse eingebettet ist. Das Gehäuse weist eine Gehäusewand auf, mittels der Kühlrippen ausgeformt sind, sodass von dem Halbleiterbaustein erzeugte Verlustwärme über die Mold-Masse bis hin zu den Kühlrippen in der Gehäusewand gelangen kann.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein Steuergerät für ein Fahrzeug, insbesondere ein Kraftfahrzeug. Das Steuergerät weist wenigstens einen Halbleiterbaustein und ein Gehäuse auf. Das Gehäuse umschließt einen Hohlraum, wobei der Halbleiterbaustein in dem Hohlraum angeordnet ist.
  • Aus der DE 10 2015 200 219 A1 ist ein Elektronikmodul bekannt, bei dem auf einer Außenfläche einer Leiterplatte angeordnete elektronische Bauelemente vollständig mit einer Schutzmasse bedeckt sind.
  • Aus der DE 102 47 828 A1 ist ein wärmeableitendes Gehäuse bekannt, bei dem ein in dem Gehäuse angeordneter Kühlkörper teilweise mit einer Gehäuse-Kunststoffschale durch Umspritzen fest verbunden ist.
  • Aus der DE 10 2012 204 630 A1 ist ein Steuergerät mit einem Leiterplattensubstrat bekannt, das von einem Moldkern umschlossen ist, wobei der Moldkern von einer thermoplastischen Umhüllung umschlossen ist.
  • Aus der DE 103 45 302 A1 ist ein elektronisches Gerät bekannt, bei dem ein ein elektronisches Bauteil umschließendes Gehäuse Anteile aus Kunststoff und Anteile aus Metall aufweist und so eine EMV Schirmung gewährleistet ist.
  • Aus der DE 199 10 500 A1 ist ein elektronisches Gerät bekannt, bei dem mit einer Leiterplatte als SMD-Bauteile verlötete Kühlkörper wenigstens teilweise in eine Vergussmasse eingebettet sind.
  • Aus der DE 44 16 403 A1 ist eine Kühlvorrichtung für eine Leiterplatte bekannt, bei der die Kühlvorrichtung durch einen thermisch leitfähigen elektrisch isolierenden Kunststoff gebildet ist.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Erfindungsgemäß ist das Gehäuse mit wenigstens einer Mold-Masse, insbesondere Vergussmasse, wenigstens teilweise oder vollständig gefüllt. Das Gehäuse weist eine Gehäusewand auf, wobei der Halbleiterbaustein mit der Gehäusewand mittels der Mold-Masse wärmeleitfähig verbunden ist. Das Steuergerät weist auch einen Metallkühlkörper auf, welcher Kühlrippen aufweist. In einer anderen Ausführung als der Erfindung ist der Metallkühlkörper mit der Gehäusewand wärmeleitfähig verbunden, insbesondere mittels eines Wärmeleitklebstoffs auf die Gehäusewand aufgeklebt. Der Halbleiterbaustein kann so in dem Gehäuse dicht versiegelt sein, wobei Verlustwärme durch die Gehäusewand hindurch zu dem Kühlkörper, insbesondere einer Wärmekontaktfläche des Kühlkörpers, geleitet werden kann, und so von dem Kühlkörper abgestrahlt oder mittels der Kühlrippen durch Konvektion abgeführt werden kann. Das Steuergerät lässt sich so vorteilhaft besonders aufwandsgünstig bereitstellen.
  • Das Steuergerät der eingangs genannten Art weist in einer erfindungsgemäßen Ausführungsform - zusätzlich oder unabhängig von dem auf die Gehäusewand aufgeklebten Kühlkörper - ein Gehäuse auf, welches mit der wenigstens einen Mold-Masse wenigstens teilweise oder vollständig gefüllt ist und eine Gehäusewand aufweist. Der Halbleiterbaustein ist mit der Gehäusewand mittels der Mold-Masse wärmeleitfähig verbunden. Bevorzugt sind mittels der Gehäusewand Kühlrippen ausgeformt, sodass von dem Halbleiterbaustein erzeugte Verlustwärme über die Mold-Masse bis hin zu den Kühlrippen in der Gehäusewand gelangen kann.
  • Bevorzugt weist die Gehäusewand eine gleichmäßig über die Gehäusewand verteilte Wanddicke auf. Bevorzugt sind die Kühlrippen in der Gehäusewand jeweils innen hohl ausgebildet.
  • Dadurch kann die Gehäusewand vorteilhaft aufwandsgünstig - beispielsweise als Gehäuseschale - bereitgestellt werden.
  • Bevorzugt sind die Kühlrippen im der Gehäusewand und/oder die Kühlrippen des Kühlkörpers jeweils als sich längserstreckender Steg ausgebildet. Bevorzugt erstrecken sich die Kühlrippen im der Gehäusewand und/oder die Kühlrippen des Kühlkörpers parallel zueinander.
  • Bevorzugt kontaktiert die Mold-Masse die Gehäusewand unmittelbar, sodass die Verlustwärme von der Mold-Masse an die Gehäusewand weitergeleitet werden kann. Vorteilhaft sind in dieser Ausführungsform durch die Gehäusewand selbst Kühlrippen ausgeformt, sodass durch die Gehäusewand selbst ein Kühlrippen aufweisender Kühlkörper ausgeformt sein kann. Die Gehäusewand kann beispielsweise eine Halbschale des Gehäuses ausbilden, sodass nach einem Zusammenfügen und Verschweißen der beiden Halbschalen unter Ausbildung des Gehäuses so keine weiteren Durchbrüche mehr in der Gehäusewand ausgebildet sein brauchen, durch die ein Kühlkörper beispielsweise hindurchragt, oder in die ein Kühlkörper, den Durchbruch abdichtend, eingefügt ist.
  • Die Gehäusewand ist bevorzugt durch eine Kunststoffwand gebildet. Der Kunststoff ist bevorzugt ein Thermoplast, beispielsweise PET (PET=Poly-Ethylen-Terephtalat), PMMA (Poly-Methyl-Meth-Acrylat), PPS (PPS = Poly-Propylen-Sulfid) oder ABS-Kunststoff (ABS = Acrylnitril-Butadien-Styrol). Bevorzugt beträgt eine Dicke der Gehäusewand zwischen 0,3 und 3 Millimeter.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Halbleiterbaustein mit wenigstens einem Kühlkörper, insbesondere Metallkühlkörper, insbesondere Aluminiumkühlkörper oder Kupferkühlkörper wärmeleitfähig verbunden, wobei der Kühlkörper Kühlrippen aufweist, und in dem Gehäuse aufgenommen ist. Bevorzugt ragen die Kühlrippen in die durch die Gehäusewand gebildeten Rippen hinein.
  • Bevorzugt bilden die in der Gehäusewand ausgeformten Kühlrippen jeweils eine - insbesondere an den zuvor erwähnten Hohlraum anschließende - Hohlform. Bevorzugt ist in der Hohlform der Kühlrippe der Gehäusewand wenigstens eine oder nur eine Kühlrippe, oder ein Teil der Kühlrippen des Kühlkörpers aufgenommen. In der Ausführungsform in der ein Teil der Kühlrippen des Kühlkörpers gemeinsam in einer Kühlrippe der Gehäuseschale aufgenommen sind, können beispielsweise zwei Kühlrippen des Metallkühlkörpers in einer in der Gehäusewand ausgeformten Kühlrippe aufgenommen sein. Die nach Außen in Erscheinung tretenden Kühlrippen sind dann im Vergleich zu der Zahl der Kühlrippen des Metallkühlkörpers reduziert. Bevorzugt weist der Kühlkörper, insbesondere Metallkühlkörper, in dieser Ausführungsform eine größere Wärmeleitfähigkeit auf, als die Mold-Masse, in welche der Metallkühlkörper zusammen mit dem Halbleiterbaustein eingebettet ist. Vorteilhaft kann in dieser Ausführungsform der Kühlkörper nicht unmittelbar von außen zugänglich sein, da die Kühlrippen jeweils durch die Gehäusewand nachgeformt sind, und so nach außen hin die Form der Kühlrippen wiedergeben. Die Gehäusewand kann so vorteilhaft eine geschlossene Oberfläche bilden, sodass vorteilhaft keine Medien wie Öl, Wasser oder Feuchtigkeit in das Gehäuse eindringen können. Bevorzugt ist die Form der Kühlrippen durch die Gehäusewand nachgebildet oder nachgeformt, sodass sich die Form der Kühlrippen an einer Oberfläche der Gehäusewand nach außen hin abzeichnet. Vorteilhaft kann so das Steuergerät keine nach außen weisenden scharfen Kanten, insbesondere Kanten des Metallkühlkörpers, aufweisen, durch die eine Verletzungsgefahr gebildet sein kann.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist der Kühlkörper eine zu dem Halbleiterbaustein weisende Wärmekontaktfläche auf, wobei zwischen der Wärmekontaktfläche und dem Halbleiterbaustein Mold-Masse als Wärmeleitmittel angeordnet ist. Der Kühlkörper ist so - bevorzugt gemeinsam mit dem Halbleiterbaustein, weiter bevorzugt mit einem mit dem Halbleiterbaustein verbundenen Schaltungsträger - vollständig in die Mold-Masse eingebettet.
  • In einer anderen Ausführungsform ist der Kühlkörper, insbesondere die zu dem Halbleiterbaustein weisende Wärmekontaktfläche des Kühlkörpers, mittels eines von der Mold-Masse verschiedenen wärmeleitfähigen Klebstoffs mit dem Halbleiterbaustein wärmeleitfähig verbunden. Vorteilhaft kann so der Kühlkörper als Bestandteil einer vormontierten Elektronikbaugruppe, umfassend einen Schaltungsträger, den wenigstens einen Halbleiterbaustein und den mit dem Halbleiterbaustein wärmeleitfähig verbundenen, insbesondere verklebten, Kühlkörper umfassen. Die Elektronikbaugruppe kann dann in ein insbesondere zweischalig ausgebildetes Gehäuse eingefügt werden, woraufhin das Gehäuse verschlossen, bevorzugt Randnähte der Gehäuseschalen miteinander verschweißt werden können. Anschließend kann der in dem Gehäuse verbleibende Hohlraum mittels einer Mold-Masse ausgefüllt werden.
  • Bevorzugt weist die Mold-Masse Partikel, insbesondere Keramikpartikel, auf und ist so mit den Partikeln gefüllt. Ein Füllgrad der Mold-Masse, und so ein Gewichtsanteil der Keramikpartikel in einem Matrixmaterial der Mold-Masse, beträgt bevorzugt zwischen 70 und 90 Prozent, weiter bevorzugt 80 Prozent.
  • Die Keramikpartikel sind beispielsweise Karbidpartikel, Boridpartikel, Nitride oder Oxide. Beispiele für Oxidpartikel sind Partikel aus Aluminiumoxid, Titandioxid, Berylliumoxid oder Siliziumoxid. Die Boridpartikel sind beispielsweise Partikel aus Titandiborid oder Magnesiumdiborid.
  • Die Karbidpartikel sind beispielsweise aus Siliziumcarbid, aus Borkarbid, aus Molybdänkarbid oder aus Wolframcarbid gebildet.
  • Die Nitridpartikel sind beispielsweise Partikel aus Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid oder Bornitrid.
  • Das Matrixmaterial der Mold-Masse ist bevorzugt Epoxidharz.
  • Die Füllpartikel sind in einer vorteilhaften Ausführungsform durch Kohlenstoffpartikel, insbesondere Kohlenstoff-Nanoröhren, gebildet. Auf die Weise kann die Mold-Masse vorteilhaft eine große Wärmeleitfähigkeit aufweisen, welche beispielsweise größer sein kann, als eine Wärmeleitfähigkeit eines Metallkühlkörpers. Auf diese Weise kann in dem Steuergerät vorteilhaft der in dem Gehäuse aufgenommene Metallkühlkörper entfallen. Die Mold-Masse wirkt so vorteilhaft als Wärmespreizmittel, wobei von der Elektronikbaugruppe, insbesondere dem Halbleiterbaustein, erzeugte Verlustwärme in der Mold-Masse zu der Gehäusewand hin verteilt weitergeleitet werden kann.
  • Bevorzugt ist der von dem Gehäuse umschlossene Hohlraum mit zwei zueinander verschiedenen Mold-Massen gefüllt. Weiter bevorzugt sind in der Gehäusewand ausgeformte Kühlrippen jeweils wenigstens teilweise oder vollständig mit einer Mold-Masse gefüllt sind, welche eine größere spezifische Wärmeleitfähigkeit aufweist als eine zu der Mold-Masse verschiedene weitere Mold-Masse, in welcher der Halbleiterbaustein oder zusätzlich der Schaltungsträger eingebettet ist.
  • Bevorzugt sind wenigstens oder nur die in der Gehäusewand ausgebildeten Kühlrippen mit einer Mold-Masse aufgefüllt, welche Kohlenstoffpartikel aufweist und der übrige die elektronischen Komponenten umgebende Hohlraum mit einer mit Keramikpartikeln gefüllten Mold-Masse oder einer Mold-Masse ohne Füllpartikel gefüllt. Die Kohlenstoffpartikel weisen bevorzugt eine spezifische Wärmeleitfähigkeit von bis zu 6000 Watt pro Meter und Kelvin auf. Die Keramikpartikel weisen beispielsweise eine spezifische Wärmeleitfähigkeit zwischen 30 und 40 Watt pro Meter und Kelvin auf. Der Metallkühlkörper, beispielsweise Aluminiumkühlkörper weist eine spezifische Wärmeleitfähigkeit zwischen 150 und 230 Watt pro Meter und Kelvin auf. Auf diese Weise kann von dem Halbleiterbaustein aufwandsgünstig und effizient Verlustwärme - entweder über den Metallkühlkörper in der zuvor erwähnten Variante - oder über die mit Kohlenstoffpartikeln gefüllte Mold-Masse an die Kühlrippen in der Gehäusewand weitergeleitet werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Gehäusewand durch einen thermisch geformten Kunststoff gebildet. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Gehäusewand mittels Spritzgießen oder Tiefziehen erzeugt. Auf diese Weise kann die Gehäusewand vorteilhaft aufwandsgünstig bereitgestellt werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist das Gehäuse, insbesondere die Gehäusewand aus wenigstens zwei, oder nur zwei Gehäuseschalen gebildet. Bevorzugt sind Randbereiche der Gehäuseschalen miteinander verbunden. Die Randbereiche der Gehäuseschalen sind bevorzugt miteinander verschweißt, miteinander verklebt, oder formschlüssig, beispielsweise mittels einer an die Gehäuseschale angeformte Nut und einer an einer weiteren Gehäuseschale angeformten Feder miteinander steckverbunden oder rastverbunden. Vorteilhaft kann das Gehäuse so aufwandsgünstig bereitgestellt werden. Die Elektronikbaugruppe, insbesondere der zuvor erwähnte Schaltungsträger mit dem Halbleiterbaustein, kann zwischen zwei Gehäuseschalen eingefügt werden und nach einem Verschließen der Gehäuseschalen zwischen den Gehäuseschalen aufgenommen sein.
  • In einer anderen Ausführungsform ist die Gehäuseschale einstückig ausgebildet und weist eine Öffnung auf, durch die elektronische Komponenten umfassend wenigstens eine Verlustwärme erzeugende elektronische Komponente, insbesondere den Halbleiterbaustein, und/oder eine Vergussmasse eingeführt werden können. Bevorzugt sind in der Gehäuseschale wenigstens zwei insbesondere sich zueinander parallel erstreckende Kühlrippen ausgebildet, welche im Bereich der Verlustwärme erzeugenden elektronischen Komponente, insbesondere des Halbleiterbausteins angeordnet sind und mit der Komponente wenigstens über die Vergussmasse oder zusätzlich einen Kühlrippen aufweisenden Kühlkörper wärmeleitfähig verbunden sind. Bevorzugt ist eine Kühlrippe des Kühlkörpers in der Kühlrippe der Gehäuseschale wenigstens teilweise oder vollständig aufgenommen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Gehäuseschalen mittels wenigstens eines oder nur eines Schwenkgelenks miteinander verbunden. Vorteilhaft kann so das Gehäuse nach Einfügen des Schaltungsträgers durch Schwenken der Gehäuseschalen um das Schwenkgelenk zugeklappt werden und der Schaltungsträger so in dem Gehäuse eingeschlossen werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist das Steuergerät einen elektrischen Steckanschluss auf. Der Steckanschluss ist bevorzugt mit dem Schaltungsträger verbunden. In einer anderen Ausführungsform kann der Steckanschluss mit dem Gehäuse verbunden sein, bevorzugt in der Gehäusewand ausgeformt sein. Der Steckanschluss weist bevorzugt Steckkontakte auf, welche beispielsweise in das Kunststoffmaterial der Gehäusewand eingebettet sind. Bevorzugt weisen die Steckkontakte im Bereich eines in das Gehäuse ragenden Endes einen Schneid-Klemm-Kontakt auf, welcher ausgebildet ist, mit einem entsprechenden, mit dem Schaltungsträger verbundenen, Gegenkontakt beim Zusammenfügen der Gehäuseschalen elektrisch und mechanisch verbunden zu werden.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Verschließen eines Gehäuses, insbesondere eines Gehäuses für ein Steuergerät gemäß der vorbeschriebenen Art. Bei dem Verfahren wird ein mit einem Schaltungsträger verbundener Halbleiterbaustein mit einem Kühlrippen aufweisenden Kühlkörper wärmeleitfähig verbunden, insbesondere verklebt. Der Schaltungsträger wird in einem weiteren Schritt in einem Gehäuse umfassend wenigstens zwei Gehäuseschalen angeordnet. Die Gehäuseschalen werden an Rändern der Gehäuseschalen dicht miteinander verbunden, sodass der Kühlkörper gemeinsam mit dem Schaltungsträger in dem Gehäuse aufgenommen ist. Bevorzugt ist eine Form der Kühlrippen im Bereich des Kühlkörpers durch die Gehäusewand nachgeformt, sodass die die Kühlrippen abformenden Teile der Gehäusewand nach außen aus dem Gehäuse jeweils Gehäusewandrippen bildend herausragen. In einem weiteren Schritt wird das Gehäuse mit Mold-Masse gefüllt, wobei die Mold-Masse wenigstens die Kühlrippen des Kühlkörpers im Inneren des Gehäuses mit der Gehäusewand, bevorzugt mit den Gehäusewandrippen, wärmeleitfähig verbindet.
  • Die Erfindung wird nun im Folgenden anhand von Figuren und weiteren Ausführungsbeispielen beschrieben. Weitere vorteilhafte Ausführungsvarianten ergeben sich aus den in den Figuren und in den abhängigen Ansprüchen beschriebenen Merkmalen.
    • 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein Steuergerät, bei dem eine einen Kühlkörper und einen Halbleiterbaustein umfassende Elektronikbaugruppe zwischen zwei Gehäuseschalen aufgenommen ist;
    • 2 zeigt eine ansonsten bekannte Ausführung eines Steuergeräts, bei dem eine einen Halbleiterbaustein umfassende Elektronikbaugruppe zwischen zwei Gehäuseschalen aufgenommen ist und ein Kühlkörper von außen auf die Gehäuseschale mittels eines insbesondere wärmeleitfähigen Klebstoffs aufgeklebt ist;
    • 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein Steuergerät, bei dem ein Halbleiterbaustein zwischen zwei Gehäuseschalen aufgenommen ist und in der Gehäuseschale Kühlrippen ausgeformt sind, welche mittels einer Mold-Masse mit dem Halbleiterbaustein wärmeleitfähig verbunden sind.
  • 1 zeigt - schematisch - ein Ausführungsbeispiel für ein Steuergerät 1. Das Steuergerät 1 umfasst ein Gehäuse 2. Das Gehäuse 2 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel eine Gehäuseschale 3 und eine Gehäuseschale 4, welche gemeinsam zusammengefügt das Gehäuse 2 bilden.
  • Das Steuergerät 1 weist in diesem Ausführungsbeispiel auch einen Schaltungsträger 6 auf, welcher in dem Gehäuse 2, insbesondere in einem von dem Gehäuse 2 umschlossenen Hohlraum, angeordnet ist.
  • Das Steuergerät 1 weist auch einen Halbleiterschalter 5 auf, welcher mit einem Schaltungsträger 6 verbunden ist. Der Schaltungsträger 6, welcher in diesem Ausführungsbeispiel eine elektronische Baugruppe bildet, ist gemeinsam mit dem Halbleiterschalter 5 in einem von dem Gehäuse 2 umschlossenen Hohlraum angeordnet. Das Steuergerät 1 weist auch einen Halbleiterschalter 7, einen Kondensator 8 und einen Kondensator 9 auf, welche jeweils mit dem Schaltungsträger 6 verbunden sind. Der Halbleiterbaustein 5 bildet in diesem Ausführungsbeispiel einen Inverter, welcher beispielsweise eine B6-Brücke aufweist. Der Halbleiterbaustein 7 bildet in diesem Ausführungsbeispiel einen Gate-Treiber, welcher ausgangsseitig mit dem Halbleiterbaustein 5 verbunden ist. Das Steuergerät 1 bildet in diesem Ausführungsbeispiel ein Steuergerät für eine elektrische Maschine, insbesondere einen Elektromotor und/oder Generator.
  • Das Steuergerät 1 weist in diesem Ausführungsbeispiel Kühlkörper auf, welche jeweils im Bereich von Verlustwärme erzeugenden elektronischen Bauteilen angeordnet sind, und welche in dem Gehäuse 2 umfassend die Gehäuseschalen 3 und 4 gemeinsam mit dem Schaltungsträger 6 aufgenommen sind. Die Gehäuseschalen 3 und 4 sind jeweils ausgebildet, eine Kontur, insbesondere eine dreidimensionale Raumform, oder eine Topografie wenigstens eines Teils oder aller der mit dem Schaltungsträger 6 verbundenen elektronischen Komponenten nachzuformen und so nach außen hin als dreidimensionale Struktur abzubilden.
  • Mit dem Halbleiterbaustein 5 ist in diesem Ausführungsbeispiel ein Kühlkörper 11, insbesondere Aluminiumkühlkörper, wärmeleitfähig verbunden. Der Kühlkörper 11 weist in diesem Ausführungsbeispiel fünf Kühlrippen auf, von denen zueinander benachbarte Kühlrippen 16, 17 und 18 beispielhaft bezeichnet sind. Die Gehäuseschale 3 weist im Bereich des Kühlkörpers 11 jeweils hohl ausgeformte Kühlrippen auf, welche jeweils ausgebildet sind, eine der Kühlrippen des Kühlkörpers 11 wenigstens teilweise oder vollständig aufzunehmen.
  • In der Gehäuseschale 3 ist eine Kühlrippe 19 ausgeformt, welche ausgebildet ist, die Kühlrippe 16 des Kühlkörpers 11 aufzunehmen. Zu der Kühlrippe 19 benachbart ist eine Kühlrippe 20 ausgeformt, welche ausgebildet ist, die Kühlrippe 17 zu umschließen und aufzunehmen. Zu der Kühlrippe 20 der Gehäuseschale 3 benachbart ist eine Kühlrippe 21 ausgeformt, welche ausgebildet ist, die Kühlrippe 18 des Kühlkörpers 11 aufzunehmen.
  • Mit dem Schaltungsträger 6 ist in diesem Ausführungsbeispiel auch auf einer zu dem Halbleiterbaustein 5 gegenüberliegenden Seite ein weiterer Kühlkörper 12 mit dem Schaltungsträger 6 wärmeleitfähig verbunden, welcher ausgebildet ist, von dem Halbleiterbaustein 5 erzeugte Verlustwärme, durch den Schaltungsträger 6 hindurch aufzunehmen und abzuführen. Der Kühlkörper 12 weist wie der Kühlkörper 11 fünf Kühlrippen auf, von denen zueinander benachbarte Kühlrippen als Kühlrippen 22, 23 und 24 bezeichnet sind. Die Gehäuseschale 4 weist eine in der Gehäuseschale 4 ausgeformte Kühlrippe 25 auf, welche ausgebildet ist, die Kühlrippe 22 aufzunehmen. Eine in der Gehäuseschale 4 ausgeformte Kühlrippe 26 ist im Inneren hohl ausgebildet, sodass darin die Kühlrippe 23 aufgenommen werden kann. Die Kühlrippe 24 ist in einer der Kühlrippe 24 entsprechenden Hohlform der Gehäuseschale 4 aufgenommen, wobei die Hohlform selbst eine nach außen ragende Kühlrippe 27 ausbildet.
  • Ein zwischen den Gehäuseschalen 3 und 4 eingeschlossener Hohlraum, welcher nach einem Einfügen der mit dem Schaltungsträger 6 verbundenen elektronischen Komponenten verblieben ist, ist in diesem Ausführungsbeispiel mit einer Mold-Masse 40 ausgefüllt. Die Mold-Masse 40 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel als Matrixmaterial Epoxidharz und als Füllpartikel Keramikpartikel, beispielsweise Aluminiumoxid-Partikel. Die Mold-Masse 40 kann so von den Halbleiterbausteinen und von anderen elektronischen Komponenten erzeugte Verlustwärme innerhalb des Steuergeräts 1 verteilen. Weiter vorteilhaft sind die elektronischen Komponenten so vor Umwelteinflüssen, vor Feuchtigkeit oder eindringenden Medien wie Öl oder Wasser geschützt.
  • Mit dem Kondensator 8, insbesondere einer Außenfläche des Kondensators 8, ist in diesem Ausführungsbeispiel der Kühlkörper 13 mittels eines Wärmeleitklebstoffs 39 wärmeleitfähig verbunden. Der Kühlkörper 13 weist in diesem Ausführungsbeispiel drei Kühlrippen auf, von denen eine Kühlrippe 28 beispielhaft bezeichnet ist. Die Kühlrippe 28 ist in einer in der Gehäuseschale 3 ausgeformten hohlen Kühlrippe 29 aufgenommen. Mit dem Kondensator 9 ist ein Kühlkörper 14 wärmeleitfähig verbunden, von dessen Kühlrippen eine Kühlrippe 30 beispielhaft bezeichnet ist. Die Kühlrippe 30 ist in einer hohl ausgebildeten Kühlrippe 31, welche in der Gehäuseschale 3 ausgeformt ist, aufgenommen.
  • Von dem Halbleiterbaustein 7 erzeugte Verlustwärme kann durch den Schaltungsträger hindurch bis hin zu dem Kühlkörper 15 geleitet werden, welcher mit dem Schaltungsträger 6 wärmeleitfähig verbunden ist. Der Kühlkörper 15 weist Kühlrippen auf, von denen eine Kühlrippe 32 beispielhaft bezeichnet ist. Die Kühlrippe 32 ist in einer in der Gehäuseschale 4 ausgeformten hohlen Kühlrippe 33 aufgenommen.
  • Die Schicht zwischen den Kühlrippen der Kühlkörper und den entsprechenden, hohl ausgebildeten Kühlrippen der Gehäuseschalen erstreckenden Spalte sind in diesem Ausführungsbeispiel mit der Mold-Masse 40 ausgefüllt, sodass die an den Kühlkörper geleitete Verlustwärme über die Mold-Masse 40 weiter an die Gehäuseschale abgegeben werden kann. Ein sich zwischen dem Kühlkörper 11, insbesondere einer Wärmekontaktfläche 46 des Kühlkörpers 11, und dem Halbleiterbaustein 5 erstreckender Spalt 37 ist in diesem Ausführungsbeispiel ebenfalls mittels der Mold-Masse 40 ausgefüllt. Die Mold-Masse 40 wirkt so aus Wärmeleitmittel zwischen dem Halbleiterbaustein und dem Kühlkörper. Die Verlustwärme erzeugenden elektrischen Komponenten, wie die Halbleiterbausteine oder die Kondensatoren, können jeweils mittels Mold-Masse und/oder wärmeleitfähigen Klebstoffs mit dem jeweiligen Kühlkörper wärmeleitfähig verbunden sein.
  • Mit dem Schaltungsträger 6 sind in diesem Ausführungsbeispiel auch weitere elektronische Komponenten verbunden, von denen ein Widerstand 10 beispielhaft bezeichnet ist. Die Gehäuseschale 4 weist im Bereich des Widerstands 10 eine entsprechend geformte Hohlform auf, welche ausgebildet ist, den Widerstand 10 aufzunehmen. Die Gehäuseschale 4 formt so die dreidimensionale Struktur der mit dem Schaltungsträger 6 verbundenen elektronischen Komponenten nach, sodass ein sich zwischen der Gehäuseschale 4 und dem Schaltungsträger 6, beziehungsweise den mit dem Schaltungsträger 6, verbundenen elektronischen Komponenten verbleibender Hohlraum möglichst klein ausgebildet ist.
  • Die Gehäuseschalen 3 und 4 können in einer anderen Ausführungsform ausgebildet sein, wenigstens oder nur die Topografie, und so die dreidimensionale Struktur, der Kühlrippen der Kühlkörper nachzuformen und so selbst hohl ausgeformte Kühlrippen auszuformen, welche die von den Verlustwärme erzeugenden Komponenten oder zusätzlich von den Kühlkörpern weitergeleitete Verlustwärme aufnehmen und nach außen hin in Form von Konvektion abgeben können.
  • Das Steuergerät 1 weist in diesem Ausführungsbeispiel auch einen Steckanschluss 34 auf. Der Steckanschluss 34 weist elektrische Kontakte auf, von denen ein Kontaktstift 35 beispielhaft bezeichnet ist. Die Kontaktstifte ragen jeweils in den von den Gehäuseschalen 3 und 4 angeschlossenen Hohlraum hinein und sind dort mit einem Träger 36 verbunden. Die Kontaktstifte sind jeweils mit dem Schaltungsträger elektrisch verbunden. Das Steuergerät 1 kann so von außen über den Steckanschluss 34 elektrisch kontaktiert werden. Der Steckanschluss 34 ist beispielsweise durch ein Kunststoffbauteil, insbesondere einen Kunststoffkragen, gebildet. Die Gehäuseschalen 3 und 4 sind jeweils ausgebildet, den Steckanschluss 34 wenigstens auf einem Längsabschnitt zu umgreifen. Die Gehäuseschalen 3 und 4 können mit dem Steckanschluss 34 dicht verklebt sein oder mittels der Mold-Masse 40 mit dem Steckanschluss 34 dicht und fest verbunden sein, wobei ein Spalt 38 in einem Überlappungsbereich zwischen der Gehäuseschale und dem Steckanschluss 34 mit der Mold-Masse 40 ausgefüllt ist.
  • Die Gehäuseschalen 3 und 4 sind in diesem Ausführungsbeispiel mittels eines Schwenkscharniers 45 miteinander verbunden.
  • Gemäß einem Verfahren zum Erzeugen des Steuergeräts 1 können die Gehäuseschalen 3 und 4 aufgeklappt werden, woraufhin die Elektronikbaugruppe, umfassend den Schaltungsträger 6 und die mit dem Schaltungsträger 6 verbundenen elektronischen Komponenten zwischen die Gehäuseschalen 3 und 4 eingefügt werden kann. Die Gehäuseschalen 3 und 4 können dann aufeinander zugeklappt werden, und dabei den Steckanschluss 34 umgreifen. Der sich zwischen den Gehäuseschalen 3 und 4 erstreckende, verbleibende Hohlraum kann dann mittels der Mold-Masse 40 ausgefüllt werden, welche nach einem Verfestigen die elektronischen Komponenten und den Schaltungsträger 6 einbettet.
  • 2 zeigt - schematisch - eine ansonsten bekannte Ausführung eines Steuergerät 47. Der Schaltungsträger 6 und die mit dem Schaltungsträger 6 verbundenen elektronischen Komponenten, insbesondere der Halbleiterbaustein 5, der Halbleiterbaustein 7 und die Kondensatoren 8 und 9, und der beispielhaft bezeichnete Widerstand 10 sind bei dem in 2 gezeigten Steuergerät 47 zwischen zwei Gehäuseschalen 48 und 49 angeschlossen. Ein zwischen den Gehäuseschalen verbleibender Hohlraum ist mit Mold-Masse 40 ausgefüllt. Die Gehäuseschalen 48 und 49 sind in diesem Beispiel an einem Randbereich mittels einer Fügenaht 44 - beispielsweise erzeugt durch Laserschweißen oder Heißprägen - miteinander dicht verbunden. Die Gehäuseschalen 48 und 49 weisen - anders als die Gehäuseschalen 3 und 4 des Steuergeräts 1 in 1 - keine Kühlrippen auf. Die Gehäuseschale 48 ist im Bereich des Halbleiterbausteins 5 flach ausgebildet und dort mittels eines wärmeleitfähigen Klebstoffs 43 mit dem in 1 bereits beschriebenen Kühlkörper 11 wärmeleitfähig verbunden. Der Kühlkörper 12 ist im Bereich des Halbleiterbausteins 5 von außen mittels wärmeleitfähigen Klebstoffs auf die Gehäuseschale 49 aufgeklebt, und kann so von dem Halbleiterbaustein 5 erzeugte Verlustwärme durch den Schaltungsträger 6 hindurch, und weiter über die Mold-Masse 40 und die Gehäuseschale 49 und den wärmeleitfähigen Klebstoff empfangen. Die Kühlrippen 16, 17 und 18 des Kühlkörpers 11 und die Kühlrippen 22, 23 und 24 des Kühlkörpers 12 ragen dabei frei nach außen ab, und können so an eine Umgebungsluft mittels Konvektion Verlustwärme abgeben.
  • Der Kühlkörper 13 ist im Bereich des Kondensators 8 auf die Gehäuseschale 48 aufgeklebt und der Kühlkörper 15 ist im Bereich des Halbleiterbausteins 7 auf die Gehäuseschale 49 mittels wärmeleitfähigen Klebstoffs 42 aufgeklebt. Der Kühlkörper 14 ist im Bereich des Kondensators 9 auf die Gehäuseschale 48 aufgeklebt. Die Kühlrippe 32 des Kühlkörpers 5 und die Kühlrippe 28 des Kühlkörpers 13 und die Kühlrippe 31 des Kühlkörpers 14 ragen dabei frei nach außen ab, und können so von einem das Steuergerät 47 umgebenden Medium, beispielsweise eine Umgebungsluft, unmittelbar kontaktiert werden.
  • 3 zeigt - schematisch - ein Ausführungsbeispiel für ein Steuergerät 50. Das Steuergerät 50 weist in diesem Ausführungsbeispiel zwei Gehäuseschalen 51 und 52 auf, welche mittels eines Scharniers, insbesondere eines Schwenkscharniers 53, miteinander schwenkbar verbunden sind. In der Gehäuseschale 51 sind in diesem Ausführungsbeispiel vier jeweils hohl ausgebildete Kühlrippen 54, 55, 56 und 57 ausgeformt, welche jeweils benachbart zueinander beabstandet in der Gehäuseschale 51 ausgeformt sind. Die Kühlrippen 54, 55, 56 und 57 können beispielsweise mittels Tiefziehen oder Spritzgießen in der Gehäuseschalle 51 erzeugt sein. Der von den Kühlrippen umschlossene Hohlraum ist in diesem Ausführungsbeispiel des Steuergeräts 50 wenigstens im Bereich der Kühlrippen mittels einer Mold-Masse 60 ausgefüllt. Die Mold-Masse 60 weist eine Wärmekontaktfläche 67 auf, welche ins Innere des von den Gehäuseschalen 51 und 52 gebildeten Gehäuses weist. Die Mold-Masse 60 ist in diesem Ausführungsbeispiel mittels Kohlenstoffpartikel, insbesondere Kohlenstoffstaub, oder Kohlenstoffnanoröhren gefüllt. Ein Matrixmaterial der Mold-Masse 60 ist beispielsweise Epoxidharz. Die Mold-Masse 60 weist in diesem Ausführungsbeispiel eine größere spezifische Wärmeleitfähigkeit auf, als ein Metall, insbesondere Aluminium. Auf diese Weise kann mittels der Mold-Masse 60 sehr effizient Verlustwärme in die Kühlrippen 54, 55, 56 und 57 geleitet werden.
  • In dem durch die Gehäuseschalen 51 und 52 gebildeten Gehäuse ist in diesem Ausführungsbeispiel ein Schaltungsträger 65 aufgenommen, welcher mit einem Halbleiterbaustein 61 verbunden ist. An die Gehäuseschale 51 ist in diesem Ausführungsbeispiel ein Steckanschluss 71 in Form eines Steckerkragens angeformt. Der Steckanschluss 71 weist einen Steckkontakt 62 auf, welcher in einem Durchbruch der Gehäuseschale 51 angeordnet ist und von der Gehäuseschale 51 - beispielsweise durch Umspritzen - dicht wenigstens auf einem Längsabschnitt umschlossen ist. Der Steckanschluss 62 weist in diesem Ausführungsbeispiel an einem in das Gehäuse ragenden Endabschnitt einen Schneid-Klemm-Kontakt 63 auf, welcher ausgebildet ist, einen entsprechenden elektrischen Gegenkontakt, insbesondere einen Drahtabschnitt oder einen Abschnitt eines Metallblechs, auch Lead-Frame genannt, elektrisch zu kontaktieren.
  • Der Gegenkontakt 64 ist in diesem Ausführungsbeispiel mit dem Schaltungsträger 65 verbunden und ist über den Schaltungsträger 65, insbesondere eine Leiterbahn oder eine elektrisch leitfähige Schicht des Schaltungsträgers 65 mit dem Halbleiterbaustein 61 verbunden. Der Halbleiterbaustein 61 bildet beispielsweise einen Inverter, insbesondere eine B6-Brücke, oder einen integrierten Schaltkreis, beispielsweise ein ASIC (ASIC = Application-Specific-Integrated-Circuit) oder ein FPGA (FPGA = Field-Programmable-gate-Array) oder einen Mikroprozessor oder Mikrocontroller.
  • Zum Erzeugen des Steuergeräts 50 kann der Schaltungsträger 65 in die Gehäuseschale 51 eingebracht werden und wird dabei der elektrische Anschluss 64 mit dem Schneid-Klemm-Kontakt 63 des Kontaktstifts 62 elektrisch, beispielsweise unter Ausbildung einer Kaltschweißverbindung, verbunden werden. Die Gehäuseschale 52 kann dabei von einer aufgeklappten Schwenkposition, dargestellt durch die aufgeklappte Gehäuseschale 52', um eine Schwenkachse des Scharniers 53 schwenkend auf die Gehäuseschale 51 zubewegt werden, sodass eine elektronische Baugruppe, umfassend den Schaltungsträger 65 und mit dem Schaltungsträger 65 verbundene elektronische Komponenten wie den Halbleiterbaustein 61, zwischen den Gehäuseschalen 51 und 52 eingeschlossen wird. Die Gehäuseschale 52, insbesondere ein Randabschnitt 68 der Gehäuseschale 52, kann dann - beispielsweise mittels Laserschweißen, insbesondere Laserdurchstrahlschweißen, Infrarotschweißen, Heißgasschweißen, Heizspiegelschweißen, Ultraschallschweißen - verbunden werden. In dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel wird die Gehäuseschale 52 mittels eines von einem Laser 69 erzeugten Laserstrahls 70, mit der Gehäuseschale 51, in diesem Ausführungsbeispiel mit einem Teil des Steckanschlusses 65 verschweißt. Die so mediendicht miteinander verbundenen Gehäuseschalen 51 und 52 umschließen dann den Schaltungsträger 65 und den Halbleiterbaustein 61, ein zwischen den Gehäuseschalen verbleibender, die elektronische Baugruppe umgebender Hohlraum 58 kann dann mittels einer Mold-Masse 40 ausgefüllt werden. Die Mold-Masse 40 ist von der Mold-Masse 60 verschieden und ist beispielsweise mit Keramikpartikeln gefüllt. Die Mold-Masse 60 weist beispielsweise eine größere spezifische Wärmeleitfähigkeit auf als die Mold-Masse 40.
  • Das Steuergerät 50 ist somit mittels zwei zueinander verschiedener Mold-Massen 40 und 60 gefüllt, wobei die Mold-Massen zueinander verschiedene Füllpartikel aufweisen.
  • Ein sich zwischen der Wärmekontaktfläche 67 der Mold-Masse 60 und dem Halbleiterbaustein 61 erstreckender Spalt 59 kann ebenfalls mittels der Mold-Masse 40 ausgefüllt werden. Auf diese Weise kann von dem Halbleiterbaustein 61 erzeugte Verlustwärme über die sich im Spalt 59 befindende Mold-Masse 40 weiter über die Wärmekontaktfläche 67 der Mold-Masse 60, und durch die Mold-Masse 60 selbst an die Kühlrippen 54, 55, 56 und 57, welche und er Gehäuseschale 51 ausgeformt sind, abgegeben werden. Die Verlustwärme kann dann durch die Kühlrippen, welche in der Gehäuseschale 51 ausgeformt sind, hindurchgeleitet werden und weiter an eine Umgebungsluft abgegeben werden. Die Gehäuseschale 51 kann in einer Variante des Steuergeräts 50 - anders als zuvor beschrieben - von dem Steckanschluss 65 getrennt sein, und an einer gestrichelt dargestellten Schnittstelle 66 mit dem Steckanschluss 65 verklebt oder verschweißt sein.

Claims (12)

  1. Steuergerät (1, 50) für ein Fahrzeug, mit wenigstens einem Halbleiterbaustein (5, 7, 61) und einem Gehäuse (2), wobei das Gehäuse (2) einen Hohlraum (58) umschließt und der Halbleiterbaustein (5, 7, 61) in dem Hohlraum (58) angeordnet ist, das Gehäuse (2) mit wenigstens einer Mold-Masse (40, 60) wenigstens teilweise oder vollständig gefüllt ist und eine Gehäusewand (3, 4, 51, 52) aufweist, und der Halbleiterbaustein (5, 7, 61) mit der Gehäusewand (3, 4, 51, 52) mittels der Mold-Masse wärmeleitfähig verbunden ist, wobei mittels der Gehäusewand (3, 4, 51, 52) Kühlrippen (54, 55, 56, 57, 19, 20, 21, 25, 26, 27) ausgeformt sind, so dass von dem Halbleiterbaustein (5, 7, 61) erzeugte Verlustwärme über die Mold-Masse (40, 60) bis hin zu den Kühlrippen (54, 55, 56, 57, 19, 20, 21, 25, 26, 27) in der Gehäusewand (3, 4, 51, 52) gelangen kann, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlraum (58) mit zwei zueinander verschiedenen Mold-Massen (40, 60) gefüllt ist, wobei in der Gehäusewand (51) ausgeformte Kühlrippen (54, 55, 56, 57) jeweils wenigstens teilweise oder vollständig mit einer Mold-Masse (60) gefüllt sind, welche eine größere spezifische Wärmeleitfähigkeit aufweist als eine zu der Mold-Masse (60) verschiedene weitere Mold-Masse (40), in welcher der Halbleiterbaustein (61) eingebettet ist.
  2. Steuergerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens oder nur die in der Gehäusewand (51) ausgebildeten Kühlrippen (51, 52, 53, 54) mit einer Mold-Masse (60) aufgefüllt sind, welche Kohlenstoffpartikel aufweist und der übrige die elektronischen Komponenten umgebende Hohlraum (58) mit einer mit Keramikpartikeln gefüllten Mold-Masse (40) oder einer Mold-Masse ohne Füllpartikel gefüllt ist.
  3. Steuergerät (1, 50) für ein Fahrzeug, mit wenigstens einem Halbleiterbaustein (5, 7, 61) und einem Gehäuse (2), wobei das Gehäuse (2) einen Hohlraum (58) umschließt und der Halbleiterbaustein (5, 7, 61) in dem Hohlraum (58) angeordnet ist, wobei das Gehäuse (2) mit wenigstens einer Mold-Masse (40, 60) wenigstens teilweise oder vollständig gefüllt ist und eine Gehäusewand (3, 4, 51, 52) aufweist, und der Halbleiterbaustein (5, 7, 61) mit der Gehäusewand (3, 4, 51, 52) mittels der Mold-Masse (40, 60) wärmeleitfähig verbunden ist, wobei mittels der Gehäusewand (3, 4, 51, 52) Kühlrippen (54, 55, 56, 57, 19, 20, 21, 25, 26, 27) ausgeformt sind, so dass von dem Halbleiterbaustein (5, 7, 61) erzeugte Verlustwärme über die Mold-Masse (40, 60) bis hin zu den Kühlrippen (54, 55, 56, 57, 19, 20, 21, 25, 26, 27) in der Gehäusewand (3, 4, 51, 52) gelangen kann, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterbaustein (5, 7) mindestens mit einem Kühlkörper (11, 12), wärmeleitfähig verbunden ist, wobei der Kühlkörper (11, 12) Kühlrippen (16, 17, 18, 22, 23, 24) aufweist, und der Kühlkörper (11, 12) in dem Gehäuse (2) aufgenommen ist, wobei die Kühlrippen (16, 17, 18, 22, 23, 24) in die durch die Gehäusewand (3, 4, 51, 52) gebildeten Kühlrippen (54, 55, 56, 57, 19, 20, 21, 25, 26, 27) hineinragen, wobei die Gehäusewand (3, 4, 51, 52) aus wenigstens zwei oder nur zwei Gehäuseschalen (3, 4, 51, 52) gebildet ist, deren Randbereiche miteinander verbunden sind, und wobei die Gehäuseschalen (3, 4, 51, 52) mittels eines Schwenkgelenks (45, 53) miteinander verbunden sind.
  4. Steuergerät (1, 50) für ein Fahrzeug, mit wenigstens einem Halbleiterbaustein (5, 7, 61) und einem Gehäuse (2), wobei das Gehäuse (2) einen Hohlraum (58) umschließt und der Halbleiterbaustein (5, 7) in dem Hohlraum (58) angeordnet ist, wobei das Gehäuse (2) mit wenigstens einer Mold-Masse (40, 60) wenigstens teilweise oder vollständig gefüllt ist und eine Gehäusewand (3, 4, 51, 52) aufweist, und der Halbleiterbaustein (5, 7, 61) mit der Gehäusewand (3, 4, 51, 52) mittels der Mold-Masse (40, 60) wärmeleitfähig verbunden ist, wobei mittels der Gehäusewand (3, 4, 51, 52) Kühlrippen (54, 55, 56, 57, 19, 20, 21, 25, 26, 27) ausgeformt sind, so dass von dem Halbleiterbaustein (5, 7, 61) erzeugte Verlustwärme über die Mold-Masse (40, 60) bis hin zu den Kühlrippen (54, 55, 56, 57, 19, 20, 21, 25, 26, 27) in der Gehäusewand (3, 4, 51, 52) gelangen kann, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterbaustein (5) mindestens mit einem Kühlkörper (11, 12), insbesondere einem Metallkühlkörper, wärmeleitfähig verbunden ist, wobei der Kühlkörper (11, 12) Kühlrippen (16, 17, 18, 22, 23, 24) aufweist, und der Kühlkörper (11, 12) in dem Gehäuse (2) aufgenommen ist, wobei die Kühlrippen (16, 17, 18, 22, 23, 24) in die durch die Gehäusewand (3, 4) gebildeten Kühlrippen (19, 20, 21, 25, 26, 27) hineinragen und der Kühlkörper (11, 12) eine zu dem Halbleiterbaustein (5) weisende Wärmekontaktfläche (46) aufweist, wobei zwischen der Wärmekontaktfläche (46) und dem Halbleiterbaustein (5) Mold-Masse (40) als Wärmeleitmittel angeordnet ist.
  5. Steuergerät (1, 50) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil der Kühlrippen (16, 17, 18, 22, 23, 24) des Kühlkörpers (11, 12) gemeinsam in einer Kühlrippe (19, 20, 21, 25, 26, 27) der Gehäusewand (3, 4) aufgenommen ist.
  6. Steuergerät (1, 50) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Mold-Masse (40, 60) mit Partikeln, insbesondere Keramikpartikeln oder Kohlenstoffpartikeln, gefüllt ist.
  7. Steuergerät (1, 50) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gehäusewand (3, 4, 51, 52) aus einem thermisch geformten, durch Spritzgießen oder Tiefziehen erzeugten Kunststoff gebildet ist.
  8. Steuergerät (1, 50) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Dicke der Gehäusewand (3, 4, 51, 52) zwischen 0,3 und 3 Millimeter beträgt.
  9. Steuergerät (1, 50) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Gehäusewand (3, 4, 51, 52) aus wenigstens zwei oder nur zwei Gehäuseschalen gebildet ist, deren Randbereiche miteinander verbunden sind.
  10. Steuergerät (1, 50) nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Gehäuseschalen (3, 4, 52) mittels eines Schwenkgelenks (45, 53) miteinander verbunden sind.
  11. Steuergerät (1, 50) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Steuergerät (1, 50) einen elektrischen Steckanschluss (34, 71), aufweist, welcher mit dem Gehäuse (2) verbunden ist.
  12. Verfahren zum Verschließen eines Gehäuses (2), insbesondere eines Gehäuses (2) für ein Steuergerät (1, 50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 3 bis 10, bei dem ein mit einem Schaltungsträger (6) verbundener Halbleiterbaustein (5) mit einem Kühlrippen (16, 17, 18, 22, 23, 24) aufweisenden Kühlkörper (11, 12) wärmeleitfähig verbunden wird, wobei der Schaltungsträger (6) in einem Gehäuse (2) umfassend Gehäuseschalen (3, 4) angeordnet wird, und die Gehäuseschalen (3, 4) an Rändern der Gehäuseschalen (3, 4) dicht miteinander verbunden werden, so dass der Schaltungsträger (6) und der Kühlkörper (11, 12) in dem Gehäuse (2) aufgenommen sind, wobei eine Form der Kühlrippen (16, 17, 18, 22, 23, 24) im Bereich des Kühlkörpers (11, 12) die Gehäusewand (3, 4) nachgeformt ist, so dass die die Kühlrippen (16, 17, 18, 22, 23, 24) abformenden Teile der Gehäusewand (3, 4) nach außen Gehäusewandrippen (19, 20, 21, 25, 26, 27) bildend aus dem Gehäuse (2) herausragen, und das Gehäuse (2) mit Mold-Masse (40) gefüllt wird, wobei die Mold-Masse (40) wenigstens die Kühlrippen (16, 17, 18, 22, 23, 24) des Kühlkörpers (11, 12) im Inneren des Gehäuses (2) mit der Gehäuseschale (3, 4) wärmeleitfähig verbindet.
DE102017202431.3A 2017-02-15 2017-02-15 Steuergerät mit einem Kühlrippen aufweisenden Gehäuse und Verfahren zum Verschließen eines Gehäuses Active DE102017202431B3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017202431.3A DE102017202431B3 (de) 2017-02-15 2017-02-15 Steuergerät mit einem Kühlrippen aufweisenden Gehäuse und Verfahren zum Verschließen eines Gehäuses

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017202431.3A DE102017202431B3 (de) 2017-02-15 2017-02-15 Steuergerät mit einem Kühlrippen aufweisenden Gehäuse und Verfahren zum Verschließen eines Gehäuses

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102017202431B3 true DE102017202431B3 (de) 2018-07-05

Family

ID=62568394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017202431.3A Active DE102017202431B3 (de) 2017-02-15 2017-02-15 Steuergerät mit einem Kühlrippen aufweisenden Gehäuse und Verfahren zum Verschließen eines Gehäuses

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102017202431B3 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020215142A1 (de) 2020-12-01 2022-06-02 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leistungshalbleitermodul und Antriebsstrang für ein Fahrzeug aufweisend ein derartiges Leistungshalbleitermodul

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4416403A1 (de) 1994-05-09 1995-11-23 Schweizer Electronic Ag Kühlvorrichtung für eine Leiterplatte und Verfahren zum Herstellen einer solchen Kühlvorrichtung
DE19910500A1 (de) 1999-03-10 2000-10-05 Bosch Gmbh Robert Elektrisches Gerät
DE10247828A1 (de) 2002-10-14 2004-05-06 Siemens Ag Wärmeableitendes und wärmeausstrahlendes Gehäuse aus Kunststoff mit umspritztem Kühlkörper und Verfahren zu dessen Fertigung
DE10345302A1 (de) 2003-09-30 2005-04-21 Hella Kgaa Hueck & Co Elektronisches Gerät sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE102012204630A1 (de) 2012-03-22 2013-09-26 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur thermoplastischen Umspritzung und thermoplastische Umspritzung
DE102015200219A1 (de) 2015-01-09 2016-07-14 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Elektronikmoduls insbesondere eines Getriebesteuermoduls

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4416403A1 (de) 1994-05-09 1995-11-23 Schweizer Electronic Ag Kühlvorrichtung für eine Leiterplatte und Verfahren zum Herstellen einer solchen Kühlvorrichtung
DE19910500A1 (de) 1999-03-10 2000-10-05 Bosch Gmbh Robert Elektrisches Gerät
DE10247828A1 (de) 2002-10-14 2004-05-06 Siemens Ag Wärmeableitendes und wärmeausstrahlendes Gehäuse aus Kunststoff mit umspritztem Kühlkörper und Verfahren zu dessen Fertigung
DE10345302A1 (de) 2003-09-30 2005-04-21 Hella Kgaa Hueck & Co Elektronisches Gerät sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE102012204630A1 (de) 2012-03-22 2013-09-26 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur thermoplastischen Umspritzung und thermoplastische Umspritzung
DE102015200219A1 (de) 2015-01-09 2016-07-14 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Elektronikmoduls insbesondere eines Getriebesteuermoduls

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020215142A1 (de) 2020-12-01 2022-06-02 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leistungshalbleitermodul und Antriebsstrang für ein Fahrzeug aufweisend ein derartiges Leistungshalbleitermodul
DE102020215142B4 (de) 2020-12-01 2022-09-22 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leistungshalbleitermodul und Antriebsstrang für ein Fahrzeug aufweisend ein derartiges Leistungshalbleitermodul

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014112330B4 (de) Überspritzte Substrat-Chip-Anordnung mit Wärmesenke, Motorsteuermodul und zugehöriges Herstellverfahren
DE102007029664B4 (de) Elektronische Steuervorrichtung
DE19855389C2 (de) Elektronische Vorrichtung
DE102005037488B4 (de) Kühlanordnung und deren Verwendung sowie Kompaktantrieb und Umrichter mit einer derartigen Kühlanordnung
DE102008007825A1 (de) Umrichtermotor
EP2327286B1 (de) Schaltungsgehäuse mit wärmekopplungselement
DE102018217456B4 (de) Elektronische Steuervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Steuervorrichtung
DE10247828B4 (de) Wärmeableitendes und -abstrahlendes Kuststoffgehäuse mit Kühl-/Tragrippen und umpritztem Kühlkörper und Verfahren zu dessen Fertigung
WO2006024626A2 (de) Elektrische baugruppe
DE102015200868A1 (de) Steuerelektronik
DE102017202431B3 (de) Steuergerät mit einem Kühlrippen aufweisenden Gehäuse und Verfahren zum Verschließen eines Gehäuses
DE19722357C1 (de) Steuergerät
DE102015223243A1 (de) Gehäuse für einen Radarsensor und ein solcher Radarsensor
DE4240755A1 (de) Steuergerät, insbesondere für ein Kraftfahrzeug
DE102010008074A1 (de) Gehäuse mit Kühlvorrichtung
DE102014211438A1 (de) Steuergerät mit wärmeleitfähiger Gehäusewand
DE102014211443A1 (de) Steuergerät mit wärmeleitfähiger Gehäusewand
EP2222150B1 (de) Leiterplatte mit Kühlkörper
EP3289839A1 (de) Elektronische baugruppe, insbesondere für ein getriebesteuermodul
EP1270167B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Gerätegehäuses
DE10065857B4 (de) Wärmeübertragungsanordnung für ein Kuststoffgehäuse elektronischer Baugruppen
DE102011113929B4 (de) Elektromechanischer Schaltungsaufbau
WO2010076100A1 (de) Elektrische schaltungsanordnung sowie verfahren zum herstellen einer elektrischen schaltungsanordnung
DE102017220211B4 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zur fertigung derselben
EP2805589B1 (de) Elektrogerät

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final