DE102017103908A1 - Verfahren zum Anbringen einer Halbleiterschicht auf einem Träger - Google Patents
Verfahren zum Anbringen einer Halbleiterschicht auf einem Träger Download PDFInfo
- Publication number
- DE102017103908A1 DE102017103908A1 DE102017103908.2A DE102017103908A DE102017103908A1 DE 102017103908 A1 DE102017103908 A1 DE 102017103908A1 DE 102017103908 A DE102017103908 A DE 102017103908A DE 102017103908 A1 DE102017103908 A1 DE 102017103908A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- carrier
- layer
- semiconductor
- protective layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 143
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910020658 PbSn Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150071746 Pbsn gene Proteins 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KIZFHUJKFSNWKO-UHFFFAOYSA-M calcium monohydroxide Chemical compound [Ca]O KIZFHUJKFSNWKO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
Abstract
Beschrieben wird ein Verfahren. Das Verfahren umfasst das Anordnen einer Halbleiteranordnung mit einem ersten Träger und einer auf dem ersten Träger angeordneten Halbleiterschicht an einem zweiten Träger, wobei der zweite Träger eine Schutzschicht auf Oberflächenbereichen aufweist, die nicht durch die Halbleiteranordnung bedeckt sind. Das Verfahren umfasst außerdem das Trennen des ersten Trägers von der Halbleiterschicht, wobei das Trennen des ersten Trägers von der Halbleiterschicht einen Belichtungsprozess aufweist, in dem die Halbleiteranordnung und die Schutzschicht belichtet werden, und Entfernen der Schutzschicht nach dem Belichtungsprozess. Die Schutzschicht ist dazu ausgebildet, während des Belichtungsprozesses einen Phasenübergang zu vollziehen.
Description
- Diese Beschreibung betrifft allgemein ein Verfahren zum Anbringen einer Halbleiterschicht auf einem Träger, insbesondere ein Verfahren, das einen lichtinduzierten Abhebeprozess umfasst.
- Ein Halbleiterkörper kann auf einem Träger angebracht werden durch Herstellen der Halbleiterschicht auf einer Opferschicht, Anbringen der Halbleiterschicht an dem Träger und Entfernen der Opferschicht von der Halbleiterschicht durch einen Laser-Abhebeprozess. Bei dieser Art von Prozess sind die Opferschicht und die Halbleiterschicht so gewählt, dass sie Laserlicht, das in dem Abhebeprozess verwendet wird, unterschiedlich absorbieren, so dass sich die Opferschicht von der Halbleiterschicht trennt, wenn die Anordnung mit der Opferschicht und der Halbleiterschicht mit dem Laserlicht belichtet wird.
- In solchen Fällen allerdings, in denen die Halbleiterschicht kleiner ist als der Träger, so dass Oberflächenbereiche des Trägers über die Anordnung mit der Opferschicht und der Halbleiterschicht hinausragen, kann das Laserlicht diese Oberflächenbereiche aufheizen, was dazu führen kann, dass diese Oberflächenbereiche beschädigt werden.
- Es besteht daher ein Bedürfnis, zu verhindern, dass solche Oberflächenbereiche des Trägers, die über die Anordnung mit der Opferschicht und der Halbleiterschicht hinausragen, beschädigt werden.
- Ein Beispiel betrifft ein Verfahren. Das Beispiel umfasst das Anbringen einer Halbleiteranordnung mit einem ersten Träger und einer auf dem ersten Träger angeordneten Halbleiterschicht an einem zweiten Träger, wobei der zweite Träger eine Schutzschicht auf solchen Oberflächenbereichen aufweist, die nicht durch die Halbleiteranordnung bedeckt sind. Das Verfahren umfasst außerdem das Trennen des ersten Trägers von der Halbleiterschicht, wobei das Trennen des ersten Trägers von der Halbleiterschicht einen Belichtungsprozess umfasst, in dem die Halbleiteranordnung und die Schutzschicht belichtet, und das Entfernen der Schutzschicht nach dem Belichtungsprozess. Die Schutzschicht ist dazu ausgebildet, während des Belichtungsprozesses einen Phasenübergang zu vollziehen.
- Beispiele sind nachfolgend anhand von Zeichnungen erläutert. Die Zeichnungen dienen zum Veranschaulichen bestimmter Prinzipien, so dass nur solche Aspekte, die zum Verständnis dieser Prinzipien notwendig sind, dargestellt sind. Die Zeichnungen sind nicht maßstabsgerecht. In den Zeichnungen bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Merkmale.
-
1A bis1C veranschaulichen ein Beispiel eines Verfahrens zum Anbringen einer Halbleiterschicht an einem Träger; -
2A bis2E veranschaulichen ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen der in1A gezeigten Anordnung; -
3A bis3B veranschaulichen das Herstellen einer Befestigungsschicht mit mehreren separaten Segmenten; -
4 zeigt ein Beispiel eines Trägers; -
5 zeigt ein weiteres Beispiel des Trägers; -
6 zeigt noch ein weiteres Beispiel des Trägers; und -
7 zeigt eine vertikale Schnittansicht einer Anordnung mit einer strukturierten Schutzschicht. - In der nachfolgenden detaillierten Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen. Die Zeichnungen bilden einen Teil der Beschreibung und zeigen zur Veranschaulichung Beispiele, wie die Erfindung verwendet und realisiert werden kann. Selbstverständlich können Merkmale der verschiedenen hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden, sofern nicht explizit etwas anderes angegeben ist.
-
1A bis1C veranschaulichen ein Beispiel eines Verfahrens zum Anbringen einer Halbleiterschicht an einem Träger. Die Halbleiterschicht kann auch als Halbleiter-Die oder Halbleiterchip bezeichnet werden. Bezugnehmend auf1A umfasst das Verfahren das Anbringen einer Halbleiteranordnung10 , die einen ersten Träger12 und eine an dem ersten Träger12 befestigte Halbleiterschicht11 umfasst, an einen zweiten Träger20 . Die Halbleiteranordnung10 wird derart an dem zweiten Träger20 angeordnet, dass die Halbleiterschicht11 dem zweiten Träger zugewandt ist, während der erste Träger12 dem zweiten Träger20 abgewandt ist. Das heißt, die Halbleiterschicht11 grenzt an die Befestigungsschicht30 an und der erste Träger12 ist von der Befestigungsschicht20 durch die Halbleiterschicht11 getrennt.1A zeigt eine vertikale Schnittansicht einer Anordnung, die die Halbleiteranordnung10 und den zweiten Träger20 umfasst, nachdem die Halbleiteranordnung10 an dem zweiten Träger20 angebracht wurde. Bei dem in1A gezeigten Beispiel wurde die Halbleiteranordnung10 unter Verwendung einer zwischen der Halbleiteranordnung10 und dem zweiten Träger20 angeordneten Befestigungsschicht30 an dem zweiten Träger20 angebracht. Die Befestigungsschicht30 kann eine Lotschicht umfassen und verbindet die Halbleiteranordnung10 mechanisch mit dem zweiten Träger20 . Beispiele der Befestigungsschicht30 sind weiter unten weiter im Detail erläutert. - Eine Dicke der Halbleiterschicht
11 ist beispielsweise zwischen 1 Mikrometer (µm) und 200 Mikrometern. Eine Dicke des Trägers12 ist beispielsweise zwischen 10 Mikrometern und 1000 Mikrometern (= 1 Millimeter). Die „Dicke“ ist die Abmessung in einer Richtung senkrecht zu der Oberfläche201 des zweiten Trägers20 . - Gemäß einem Beispiel umfasst der erste Träger
20 eine Saphirschicht oder besteht aus einer Saphirschicht. Die Halbleiterschicht11 kann wenigstens eines von monokristallinem GaN (Galliumnitrid), InGaN (Indium-Galliumnitrid) und AlGaN (Aluminium-Galliumnitrid) umfassen. Gemäß einem Beispiel umfasst die Halbleiterschicht11 zwei oder mehr Unterschichten aus unterschiedlichen Materialien, wobei ein Material jeder dieser Unterschichten ausgewählt ist aus monokristallinem GaN, monokristallinem InGaN und monokristallinem AlGaN. Gemäß einem Beispiel ist wenigstens ein Halbleiterbauelement in der Halbleiterschicht11 integriert. Beispiele des wenigstens einen in der Halbleiterschicht11 integrierten Halbleiterbauelements umfassen, sind jedoch nicht beschränkt auf, eine LED (Light Emitting Diode), einen lateralen Leistungstransistor, wie beispielsweise einen HEMT (High Electron Mobility Transistor) oder eine beliebige andere Art von integrierter Schaltung. - Bezug nehmend auf die
1A und1B umfasst das Verfahren außerdem das Trennen des ersten Trägers12 von der Halbleiterschicht11 . Bezug nehmend auf1A umfasst das Trennen der ersten Trägers12 von der Halbleiterschicht11 einen Belichtungsprozess, in dem die Halbleiteranordnung10 belichtet wird. Das in diesem Prozess verwendete Licht ist derart gewählt, dass es durch den ersten Träger12 hindurchgeht und durch den ersten Träger12 in geringerem Umfang absorbiert wird als durch den Träger12 . Dies bewirkt, dass sich die Halbleiterschicht11 an eine Grenzfläche zwischen dem ersten Träger12 und der Halbleiterschicht11 stark erhitzt, wobei dieses Erhitzen der Halbleiterschicht11 thermische Spannungen bewirkt, wobei diese Spannungen bewirken, dass sich der Träger12 von der Halbleiterschicht11 trennt, so dass der erste Träger12 abgehoben werden kann. Gemäß einem Beispiel ist das Licht Laserlicht mit einer Wellenlänge zwischen 200 Nanometern und 300 Nanometern und einer Energie, die ausgewählt ist aus einem Bereich zwischen 0,5 J/cm2 und 2 J/cm2. Laserlicht mit einer aus diesem Bereich ausgewählten Wellenlänge, das auch als UV-Licht bezeichnet werden kann, wird durch Saphir schwach absorbiert, was durch den relativ hohen Bandabstand (etwa 9,9 eV) von Saphir bedingt ist. GaN hat beispielsweise einen wesentlichen geringeren Bandabstand (etwa 3,4 eV) als Saphir, so dass, wenn es mit dieser Art von Laserlicht belichtet wird, GaN Laserlicht des zuvor erläuterten Typs in wesentlich stärkerem Umfang absorbiert als Saphir, so dass eine GaN-Schicht, welche ein Beispiel der Halbleiterschicht11 ist, sich stärker erhitzt als eine Saphirschicht, welche ein Beispiel des ersten Trägers12 ist. - Bei dem in
1A bis1C gezeigten Beispiel ist die Halbleiteranordnung11 in einer zu der in den1A bis1C gezeigten Zeichenebene senkrechten horizontalen Ebene kleiner als der zweite Träger20 , so dass Bereiche einer Oberfläche 211 des zweiten Trägers20 über die Halbleiteranordnung11 hinausragen. Der Bereich, der im Belichtungsprozess belichtet wird, kann größer sein, als die Größen der Halbleiteranordnung10 . Hierdurch können auch Abschnitte der Oberfläche102 , die nicht durch die Halbleiteranordnung10 bedeckt sind, in diesem Prozess belichtet werden. Um zu verhindern, dass solche belichteten Oberflächenbereiche des zweiten Trägers20 beschädigt werden, indem sie dem Licht ausgesetzt sind, wird eine Schutzschicht40 auf solchen Oberflächenbereichen herstellt. Gemäß einem Beispiel ist ein Material der Schutzschicht40 an die Art des Lichts und die Lichtenergie in dem Belichtungsprozess derart angepasst, dass die Schutzschicht40 während des Belichtungsprozesses schmilzt und damit die Lichtenergie wenigstens teilweise absorbiert und die Oberfläche201 davor schützt, übermäßig aufgeheizt zu werden. - Gemäß einem Beispiel ist ein Material der Schutzschicht
40 , die auch als Opferschicht bezeichnet werden kann, derart, dass es einen Schmelzpunkt im Bereich zwischen 400 °C und 700 °C hat. Gemäß einem Beispiel umfasst die Schutzschicht40 wenigstens eines von Aluminium (Al), Zinn (Sn), Blei (Pb) und Zink (Zn). „Wenigstens eines von“ bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Schutzschicht eines dieser Materialien oder eine Legierung, die eine beliebige Kombination dieser Materialien umfasst, enthalten kann. Zusätzlich kann die Legierung wenigstens eines von Kupfer (Cu), Silber (Ag) und Indium (In) enthalten. Beispiele solcher Legierungen enthalten, sind jedoch nicht darauf beschränkt, Aluminium-Kupfer (AlCu), Blei-Indium-Silber (PbInAg), Blei-Zinn (PbSn) oder ähnliches. Bezug nehmend auf1C wird die Schutzschicht 40 nach dem Abhebeprozess entfernt. Das Entfernen der Schutzschicht40 kann einen Ätzprozess, wie beispielsweise einen Nassätzprozess umfasst. Eine Schutzschicht40 , die Aluminium enthält, kann beispielsweise unter Verwendung eines alkalischen Ätzmittels oder von Phosphorsäure (H3PO4) geätzt werden. Beispiele eines alkalischen Ätzmittels umfassen, sind jedoch nicht darauf beschränkt, KOH (Kaliumhydroxid), CaOH (Calciumhydroxid) oder NH4OH (Ammoniumhydroxid-Lösung). Wenn die Schutzschicht Zinn (Sn) enthält, kann sie unter Verwendung von Flusssäure (HF) und Salpetersäure (HNO3) geätzt werden. - Die
2A bis2E veranschaulichen ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen der Schutzschicht40 und Anbringen der Halbleiteranordnung10 an dem zweiten Träger20 . Jede der2A bis2E zeigt eine vertikale Schnittansicht der Anordnung während verschiedener Prozessschritte.2A zeigt den zweiten Träger 20 vor Herstellen der Schutzschicht40 und nachdem eine Kontaktschicht40 auf der Oberfläche201 des zweiten Trägers20 hergestellt wurde. Diese Kontaktschicht31 dient zum Anbringen der Halbleiteranordnung10 an dem zweiten Träger20 und bildet einen Teil der Befestigungsschicht30 nachdem die Halbleiteranordnung10 an dem zweiten Träger20 angebracht wurde. Gemäß einem Beispiel umfasst die Kontaktschicht 31 einen Schichtstapel mit zwei oder mehr übereinander geschichteten Schichten. Gemäß einem Beispiel umfasst der Schichtstapel eine erste Schicht 311 auf der Oberfläche 201, eine zweite Schicht 312 auf der ersten Schicht 311 und eine dritte Schicht 313 auf der zweiten Schicht 312. Gemäß einem Beispiel umfasst die erste Schicht 311 Titan (Ti), die zweite Schicht 312 umfasst wenigstens eines von Platin (Pt) und Nickel (Ni), und die dritte Schicht 313 umfasst wenigstens eines von Gold (Au) und Silber (Ag). - Bezug nehmend auf die
2B und2C kann das Herstellen der Schutzschicht40 das Abscheiden einer Schicht40' , die das Material der Schutzschicht 40 umfasst, auf der gesamten Oberfläche201 und der Kontaktschicht31 (wie in2B dargestellt) und das Strukturieren diese Schicht40' derart, dass sie wenigstens von der Kontaktschicht31 entfernt wird (wie in2C dargestellt), umfassen. Das Strukturieren der Schicht40' kann einen Ätzprozess unter Verwendung einer Ätzmaske50 umfassen. Diese Ätzmaske50 ist in2C noch auf der Schutzschicht40 vorhanden dargestellt und wird nach dem Strukturierungsprozess entfernt. Gemäß einem in2C gezeigten Beispiel wird die Schutzschicht40 derart hergestellt, dass es einen Spalt zwischen der Kontaktschicht31 und der Schutzschicht40 gibt. - Bezug nehmend auf
2G umfasst das Verfahren außerdem das Anordnen der Halbleiteranordnung10 auf der Kontaktschicht31 . Gemäß einem in2D gezeigten Beispiel wird eine Lotschicht32 auf der Halbleiterschicht11 vor dem Anordnen der Halbleiteranordnung10 auf der Kontaktschicht31 hergestellt. Bei diesem Beispiel wird die Halbleiteranordnung10 derart auf der Kontaktschicht31 angeordnet, dass die Lotschicht32 an die Kontaktschicht31 angrenzt. Die Lotschicht32 umfasst ein Lot, das dazu ausgebildet ist, eine Metalllegierung mit dem Material der Kontaktschicht 31 in einem Temperaturprozess zu bilden. Eine Temperatur und Dauer dieses Temperaturprozesses sind so gewählt, dass die Lotschicht32 schmilzt. Wenn, wie dies in2A in gestrichelten Linien dargestellt ist, die Kontaktschicht31 mehrere Unterschichten umfasst, ist eine oberste Unterschicht, welche die dritte Schicht 313 in2A ist, so gewählt, dass sie eine Metalllegierung mit dem Lot der Lotschicht32 in dem Temperaturprozess bildet. Gemäß einem Beispiel umfasst das Lot wenigstens eine der folgenden Legierungen: Blei-Zinn (PbSn), Gold-Zinn (AuSn), Blei-Silber-Indium (PbAgIn) oder ähnliches. -
2E veranschaulicht die Anordnung nach dem Temperaturprozess. Bei diesem Beispiel wurde die Befestigungsschicht30 aus der Kontaktschicht31 und der Lotschicht32 gebildet. Gemäß einem Beispiel umfasst die Befestigungsschicht30 die erste Unterschicht 311 und die zweite Unterschicht 312 der vorherigen Kontaktschicht31 und eine Schicht, die eine Metalllegierung umfasst, die aus der dritten Unterschicht 313 und der Lotschicht32 in dem Temperaturprozess resultiert. Diese Metalllegierung verbindet die Halbleiterschicht11 mechanisch fest mit dem zweiten Träger20 . Wie in2E gezeigt ist, kann sich die Halbleiteranordnung10 in lateralen Richtungen über die Befestigungsschicht30 hinaus erstrecken, so dass die Halbleiteranordnung 10 einen Spalt zwischen der Schutzschicht40 und der Befestigungsschicht30 überdeckt, wenn ein solcher Spalt vorhanden ist. - Wie oben erläutert, verbindet die Befestigungsschicht die Halbleiteranordnung
10 mechanisch mit dem zweiten Träger20 . Gemäß einem Beispiel verbindet die Befestigungsschicht30 die Halbleiteranordnung10 nicht nur mechanisch mit dem zweiten Träger20 , sondern verbindet die Halbleiteranordnung10 auch elektrisch mit dem zweiten Träger20 . Die Befestigungsschicht30 kann mehrere separate Segmente30' umfassen, wobei jedes dieser Segmente eine separate elektrische Verbindung zwischen der Halbleiteranordnung10 und dem zweiten Träger20 bildet. - Die
3A und3B veranschaulichen ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen einer Befestigungsschicht30 mit mehreren Segmenten30' . Dieses Verfahren basiert auf dem anhand der2A bis2B erläuterten Verfahren und unterscheidet sich von diesem Verfahren dadurch, dass sowohl die Kontaktschicht31 als auch die Lotschicht32 mit mehreren Segmenten31' ,32' hergestellt werden. Diese Segmente werden derart hergestellt, dass dann, wenn die Halbleiteranordnung10 auf dem zweiten Träger20 angeordnet wird, jedes Segment32' der Lotschicht32 an ein jeweiliges Segment31' der Kontaktschicht31 angrenzt. Dies ist in3A veranschaulicht. -
3B zeigt die Anordnung nach dem Temperaturprozess. Bei diesem Prozess bilden jedes Segment32' der Lotschicht32 und das jeweilige Segment31' der Kontaktschicht31 eines von mehreren Segmenten30' der Befestigungsschicht30 . Jedes dieser Segmente30' kann an eine erste elektronische Schaltung, die in der Halbleiteranordnung10 integriert ist und an eine zweite elektronische Schaltung, die in dem zweiten Träger20 integriert ist, angeschlossen werden, so dass unterschiedliche Teile oder Schaltungsknoten der ersten und zweiten elektronischen Schaltung durch die mehreren Kontaktsegmente30' miteinander verbunden werden können. Allerdings sind diese ersten und zweiten elektronischen Schaltungen nicht dargestellt und, wie sie an die Segmente30' angeschlossen sind, ist in den3A und3B nicht dargestellt. - Die zweite Kontaktschicht
20 ist in den zuvor erläuterten Figuren nur schematisch dargestellt. Einige speziellere Beispiele, wie der zweite Träger20 realisiert werden kann, sind in den3 bis5 gezeigt und nachfolgend erläutert. In jedem dieser Beispiele umfasst der zweite Träger20 einen Halbleiterkörper (Halbleiter-Die) 21. In diesem Halbleiterkörper können Halbleiterbauelemente integriert sein. In diesem Halbleiterkörper21 integrierte Halbleiterbauelemente sind allerdings in den3 bis5 nicht gezeigt. Gemäß einem Beispiel bilden diese Halbleiterbauelemente eine elektronische Schaltung, die in der fertigen Anordnung elektrisch an die in der Halbleiterschicht11 integrierten Bauelemente oder die in der Halbleiterschicht11 integrierte elektronische Schaltung angeschlossen ist. Gemäß einem Beispiel umfasst der Halbleiterkörper21 eines von monokristallinem Silizium (Si) und monokristallinem Siliziumcarbid (SiC). - Gemäß einem in
4 gezeigten Beispiel wird eine Isolationsschicht oder Passivierungsschicht22 auf dem Halbleiterkörper21 hergestellt. Bei diesem Beispiel wird die Oberfläche201 des Trägers20 durch eine Oberfläche der Isolations- oder Passivierungsschicht22 gebildet. Gemäß einem Beispiel umfasst die Isolations- oder Passivierungsschicht22 wenigstens eines von einem Oxid, einem Nitrid und einem Imid. - Bezug nehmend auf
5 kann der Träger20 eine Verdrahtungsanordnung23 in der Isolations- oder Passivierungsschicht22 umfassen. Diese Verdrahtungsanordnung kann mehrere Leiter und mehrere elektrisch leitende Vias umfassen. Die Leiter können in verschiedenen Schichten angeordnet sein, die im Wesentlichen parallel zur Oberfläche201 sind. Jedes der Vias kann zwei oder mehr der Leiter verbinden. Gemäß einem Beispiel verbindet die Verdrahtungsanordnung23 Halbleiterbauelemente, die in dem Halbleiterkörper21 integriert sind. - Gemäß einem weiteren in
6 gezeigten Beispiel umfasst der Träger 20 außerdem wenigstens ein Kontaktpad24 auf der Oberfläche201 . Dieses Kontaktpad 24 ist an die Verdrahtungsanordnung23 angeschlossen und ist über die Verdrahtungsanordnung23 an eine elektronische Schaltung angeschlossen, die in dem Halbleiterkörper21 integriert ist. Der Kontaktpad24 kann eine von mehreren unterschiedlichen Funktionen haben. Gemäß einem Beispiel ist der Kontaktpad24 an einen Leistungsversorgungspin, der dazu ausgebildet ist, Leistung für die elektronische Schaltung zu erhalten, angeschlossen oder bildet diesen. Gemäß einem weiteren Beispiel bildet der Kontaktpad24 einen Eingangs- oder Ausgangspin, der dazu ausgebildet ist, ein Eingangssignal für die elektronische Schaltung zu erhalten oder ein Ausgangssignal von der elektronischen Schaltung auszugeben, oder ist an diesen angeschlossen. Gemäß einem weiteren Beispiel dient der Kontaktpad24 dazu, die in dem Halbleiterkörper21 integrierte elektronische Schaltung an Halbleiterbauelemente oder eine elektronische Schaltung, die in der Halbleiterschicht11 integriert sind/ist, anzuschließen. Zum Anschließen der in dem Halbleiterkörper21 integrierten Halbleiterbauelemente oder elektronischen Schaltung an Halbleiterbauelemente oder eine elektronische Schaltung, die in der Halbleiterschicht11 integriert sind/ist über den Kontaktpad24 können Bonddrähte oder ähnliches zwischen dem Kontaktpad24 und einem entsprechenden Kontaktpad (in den Figuren nicht dargestellt) der Halbleiterschicht11 gebildet werden. Solche Bonddrähte können zusätzlich oder alternativ zu Verbindungen, die durch die Befestigungsschicht 30 gebildet werden, verwendet werden. - Gemäß einem Beispiel ist, wie in
6 gezeigt ist, der wenigstens eine Kontaktpad24 während des Abhebeprozesses ebenfalls durch die Schutzschicht40 bedeckt. Gemäß einem weiteren Beispiel, das in6 in gestrichelten Linien dargestellt ist, ist der Kontaktpad24 auf einem Abschnitt der Oberfläche201 angeordnet, der während des Abhebeprozesses nicht Licht ausgesetzt ist. Bei diesem Beispiel kann die Schutzschicht40 so strukturiert werden, dass sie während des Abhebeprozesses den Kontaktpad nicht bedeckt. -
7 zeigt eine vertikale Schnittansicht der Gesamtanordnung bei einem Beispiel, bei dem die Schutzschicht40 derart strukturiert wurde, dass sie die Oberfläche201 des Trägers20 nicht vollständig bedeckt, sondern nur solche Abschnitte bedeckt, die während des Abhebeprozesses Licht ausgesetzt sind. Wie in gestrichelten Linien in7 dargestellt ist, können ein oder mehrere Kontaktpads 241, 242 in solchen Abschnitten der Oberfläche201 angeordnet sein, die nicht belichtet werden und die daher nicht durch die Schutzschicht bedeckt sind.
Claims (20)
- Verfahren, das aufweist: Anbringen einer Halbleiteranordnung, die einen ersten Träger und eine auf dem ersten Träger angeordnete Halbleiterschicht aufweist, an einem zweiten Träger, wobei der zweite Träger eine Schutzschicht auf Oberflächenbereichen aufweist, die nicht durch die Halbleiteranordnung bedeckt sind; Trennen des ersten Trägers von der Halbleiterschicht, wobei das Trennen des ersten Trägers von der Halbleiterschicht einen Belichtungsprozess aufweist, in dem die Halbleiteranordnung und die Schutzschicht mit Licht belichtet werden; und Entfernen der Schutzschicht nach dem Belichtungsprozess, wobei die Schutzschicht dazu ausgebildet ist, während des Belichtungsprozesses einen Phasenübergang zu vollziehen.
- Verfahren nach
Anspruch 1 , bei dem der Phasenübergang ein Schmelzen aufweist. - Verfahren nach
Anspruch 1 oder2 , bei dem das Licht Laserlicht ist. - Verfahren nach
Anspruch 3 , bei dem das Laserlicht eine Wellenlänge aufweist, die ausgewählt ist aus einem Bereich zwischen 200 Nanometern und 400 Nanometern. - Verfahren nach
Anspruch 3 oder4 , bei dem das Laserlicht eine Energie zwischen 0,5 J/cm2 und 2 J/cm2 aufweist. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Belichtungsprozess Laserimpulse mit einer Dauer aufweist, die ausgewählt sind aus einem Bereich zwischen 10 Nanosekunden (ns) und 20 Nanosekunden.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Schutzschicht einen Schmelzpunkt zwischen 300 °C und 900 °C aufweist.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Schutzschicht wenigstens eines von Aluminium (Al), Zinn (Sn), Blei (Pd) und Zink (Zn) aufweist.
- Verfahren nach
Anspruch 8 , bei dem die Schutzschicht eine Legierung aufweist, die zwei oder mehr Elemente aufweist, die ausgewählt sind aus der Gruppe, die besteht aus: Aluminium (Al), Zinn (Sn), Blei (Pd) und Zink (Zn. - Verfahren nach
Anspruch 9 , bei dem die Legierung zusätzlich wenigstens eines von Silber (Ag), Kupfer (Cu) und Indium (In) aufweist. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Entfernen der Schutzschicht einen Nassätzprozess aufweist.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der erste Träger Saphir aufweist.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem Halbleiterschicht wenigstens eines von monokristallinem GaN und monokristallinem InGaN aufweist.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Anbringen der Halbleiteranordnung an dem zweiten Träger ein Löten der Halbleiterschicht an den ersten Träger aufweist.
- Verfahren nach
Anspruch 14 , bei dem das Löten der Halbleiterschicht an den ersten Träger aufweist: Anordnen einer Lotschicht, die auf der Halbleiterschicht angeordnet ist, auf einer Kontaktschicht, die auf dem ersten Träger angeordnet ist, und Aufheizen wenigstens der Lotschicht, so dass die Lotschicht schmilzt. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, das weiterhin aufweist: Herstellen der Schutzschicht auf dem ersten Träger vor Anordnen der Halbleiteranordnung an dem ersten Träger.
- Verfahren nach
Anspruch 16 , bei dem das Herstellen der Schutzschicht aufweist: Abscheiden einer Schicht, die ein Schutzmaterial aufweist, auf der Oberfläche des ersten Trägers; und Strukturieren der Schicht, die das Schutzmaterial aufweist, derart, dass das Schutzmaterial von einem Anordnungsbereich des zweiten Trägers entfernt wird. - Verfahren nach
Anspruch 17 , bei dem das Strukturieren der Schicht, die das Schutzmaterial aufweist, einen Ätzprozess unter Verwendung einer Ätzmaske aufweist. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der zweite Träger ein Halbleitermaterial aufweist.
- Verfahren nach
Anspruch 19 , bei dem die Halbleiterschicht wenigstens eines von monokristallinem Silizium (Si), monokristallinem Silizumkarbid (SiC) und monokristallinem III-V-Halbeitermaterial aufweist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017103908.2A DE102017103908B4 (de) | 2017-02-24 | 2017-02-24 | Verfahren zum Anbringen einer Halbleiterschicht auf einem Träger |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017103908.2A DE102017103908B4 (de) | 2017-02-24 | 2017-02-24 | Verfahren zum Anbringen einer Halbleiterschicht auf einem Träger |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102017103908A1 true DE102017103908A1 (de) | 2018-08-30 |
DE102017103908B4 DE102017103908B4 (de) | 2023-05-17 |
Family
ID=63112209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102017103908.2A Active DE102017103908B4 (de) | 2017-02-24 | 2017-02-24 | Verfahren zum Anbringen einer Halbleiterschicht auf einem Träger |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102017103908B4 (de) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020146893A1 (en) | 1996-08-27 | 2002-10-10 | Seiko Epson Corporation | Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same |
JP2012169632A (ja) | 2007-11-08 | 2012-09-06 | Applied Materials Inc | パルス列アニーリング方法および装置 |
US9214353B2 (en) | 2012-02-26 | 2015-12-15 | Solexel, Inc. | Systems and methods for laser splitting and device layer transfer |
US9558958B2 (en) | 2010-03-12 | 2017-01-31 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming sacrificial protective layer to protect semiconductor die edge during singulation |
-
2017
- 2017-02-24 DE DE102017103908.2A patent/DE102017103908B4/de active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020146893A1 (en) | 1996-08-27 | 2002-10-10 | Seiko Epson Corporation | Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same |
JP2012169632A (ja) | 2007-11-08 | 2012-09-06 | Applied Materials Inc | パルス列アニーリング方法および装置 |
US9558958B2 (en) | 2010-03-12 | 2017-01-31 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming sacrificial protective layer to protect semiconductor die edge during singulation |
US9214353B2 (en) | 2012-02-26 | 2015-12-15 | Solexel, Inc. | Systems and methods for laser splitting and device layer transfer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102017103908B4 (de) | 2023-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102019115275B4 (de) | Halbleiter-Interconnect-Struktur und Verfahren | |
DE60219779T2 (de) | Flussmittelfreie flip-chip-verbindung | |
EP1118127B1 (de) | Verfahren zum herstellen eines thermoelektrischen wandlers | |
EP1774599B1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterchips in dünnfilmtechnik und halbleiterchip in dünnfilmtechnik | |
DE102013208818A1 (de) | Zuverlässige Bereichsverbindungsstellen für Leistungshalbleiter | |
DE10003671A1 (de) | Halbleiter-Bauelement | |
DE102014115775B4 (de) | Halbleiterbauelemente und Verfahren zu deren Ausbildung | |
DE10356885B4 (de) | Verfahren zum Gehäusen von Bauelementen und gehäustes Bauelement | |
DE102007007142A1 (de) | Nutzen, Halbleiterbauteil sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE112013006790B4 (de) | Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung | |
DE102015111492B4 (de) | Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen | |
DE112019005011T5 (de) | Halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauteils | |
DE112019005745T5 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE102012111520B4 (de) | Leiterrahmen-freies und Die-Befestigungsprozess-Material-freies Chipgehäuse und Verfahren zum Bilden eines Leiterrahmen-freien und Die-Befestigungsprozess-Material-freien Chipgehäuses | |
DE102015214222A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement | |
DE102010061573B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE112017002080T5 (de) | Halbleiterbauteil, leistungsmodul und herstellungsverfahren für das halbleiterbauteil | |
DE102013106309A1 (de) | Vorrichtungskontakt, Gehäuse einer elektrischen Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses einer elektrischen Vorrichtung | |
DE102016101526A1 (de) | Herstellung eines Multichip-Bauelements | |
DE102013108813B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE102017103908B4 (de) | Verfahren zum Anbringen einer Halbleiterschicht auf einem Träger | |
DE102006044690A1 (de) | Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen | |
EP2223333A2 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterchips und halbleiterchip | |
DE102013112636A1 (de) | Integrierte schaltung, halbleiternacktchipanordnung und verfahren zum herstellen einer integrierten schaltung | |
DE212021000165U1 (de) | Halbleiterbauteil |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R082 | Change of representative |