DE102016114478A1 - Verfahren zum herstellen eines trägers für ein optoelektronisches bauelement - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines trägers für ein optoelektronisches bauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102016114478A1
DE102016114478A1 DE102016114478.9A DE102016114478A DE102016114478A1 DE 102016114478 A1 DE102016114478 A1 DE 102016114478A1 DE 102016114478 A DE102016114478 A DE 102016114478A DE 102016114478 A1 DE102016114478 A1 DE 102016114478A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
leadframe
lead frame
screen
sections
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102016114478.9A
Other languages
English (en)
Inventor
Josef Hirn
Stephan Eicher
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102016114478.9A priority Critical patent/DE102016114478A1/de
Publication of DE102016114478A1 publication Critical patent/DE102016114478A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399—Material
    • H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81439—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement, wobei wenigstens ein Leiterrahmenabschnitt auf eine Auflage gelegt wird, wobei über den Leiterrahmenabschnitt eine Siebdruckmaske angeordnet wird, wobei die Siebdruckmaske wenigstens eine Ausnehmung aufweist, wobei über eine Oberseite der Siebdruckmaske Trägermaterial durch die Ausnehmung angrenzend an den Leiterahmen eingebracht wird, wobei die Siebdruckmaske entfernt wird und das Trägermaterial zu einem Trägerkörper ausgehärtet wird, wobei ein Träger mit einem Leiterrahmenabschnitt erhalten wird, der in den Trägerkörper wenigstens teilweise eingebettet ist. Zudem betrifft die Erfindung einen Träger für ein optoelektronisches Bauelement.

Description

  • BESCHREIBUNG
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 und einen Träger gemäß Patentanspruch 11.
  • Im Stand der Technik ist es bekannt, Leiterrahmenabschnitte mithilfe eines Moldprozesses in einen Träger einzubetten.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes und einfacheres Verfahren zum Herstellen des Trägers und einen verbesserten Träger bereitzustellen.
  • Die Aufgaben der Erfindung werden durch die unabhängigen Patentansprüche gelöst.
  • In den abhängigen Ansprüchen sind weitere Ausführungsformen der Erfindung angegeben.
  • Ein Vorteil des beschriebenen Verfahrens besteht darin, dass der Träger einfacher und kostengünstiger im Vergleich zu einem Moldprozess hergestellt werden kann. Dies wird dadurch erreicht, dass ein Leiterrahmenabschnitt mithilfe eines Siebdruckverfahrens in einen Trägerkörper wenigstens teilweise eingebettet wird. Somit kann ein Träger mit einem Leiterrahmenabschnitt und mit einem Trägerkörper einfach und kostengünstig hergestellt werden. Für das Siebdruckverfahren sind keine technisch aufwändigen Werkzeuge im Vergleich zu einem Spritzgussverfahren oder einem Transfermoldverfahren notwendig. Dadurch besteht eine hohe Designflexibilität bei der Ausbildung des Leiterrahmenabschnittes und bei der Ausbildung des Trägers. Durch die teilweise Einbettung des Leiterrahmenabschnittes in den Trägerkörper wird der Leiterrahmenabschnitt mechanisch mit dem Trägerkörper verbunden.
  • Eine Verbesserung des Verfahrens wird dadurch erreicht, dass zwischen einer Seite des Leiterrahmenabschnittes und der Auflage eine Zwischenschicht vorgesehen ist. Die Zwischenschicht kann beispielsweise in Form einer Folie ausgebildet sein. Die Zwischenschicht kann weicher als die Auflage sein. Die Zwischenschicht sorgt dafür, dass die Seite des Leiterrahmenabschnittes beim Auflegen auf die Auflage gegen eine mechanischen Beschädigung geschützt ist. Zudem deckt die Zwischenschicht die Seite des Leiterrahmenabschnittes gegen das Aufbringen von Trägermaterial ab. Dadurch wird sichergestellt, dass die von der Zwischenschicht bedeckte Seite des Leiterrahmenabschnittes frei von Trägermaterial bleibt. Auf diese Weise kann beispielsweise eine elektrisch leitende Seite des Leiterrahmenabschnittes oder eine reflektierende Seite des Leiterrahmenabschnittes gegen das Aufbringen von Trägermaterial geschützt werden. Somit kann auf einen Reinigungsprozess zum Entfernen von überschüssigem Trägermaterial in Form eines Deflashingschrittes verzichtet werden. Der Leiterrahmenabschnitt wird mit dem ausgehärteten Trägermaterial als Träger von der Zwischenschicht wieder abgenommen. Die Zwischenschicht verbleibt somit nicht auf dem Leiterrahmenabschnitt.
  • Eine weitere Ausführungsform weist den Vorteil auf, dass eine zweite Seite des Leiterrahmenabschnittes gegen ein Aufbringen von Trägermaterial geschützt ist. Dies wird dadurch erreicht, dass die Siebdruckmaske direkt auf der zweiten Seite des Leiterrahmenabschnittes aufliegt und die zweite Seite des Leiterrahmenabschnittes gegen ein Aufbringen von Trägermaterial schützt. Zudem kann durch das Auflegen der Siebdruckmaske auf den Leiterrahmenabschnitt der Leiterrahmenabschnitt gegen die Aufläge gedrückt werden und gegen ein Verschieben beim Einbringen des Trägermaterials geschützt werden.
  • Das beschriebene Verfahren eignet sich insbesondere dafür, zwei Leiterrahmenabschnitte in einen Trägerkörper wenigstens teilweise einzubetten und mit dem Trägerkörper mechanisch zu verbinden. Mithilfe des Siebdruckverfahrens ist es möglich, kleine seitliche Abstände zwischen den wenigstens zwei Leiterrahmenabschnitten zu realisieren. Dazu werden die zwei Leiterrahmenabschnitte in einem entsprechenden kleinen seitlichen Abstand zueinander auf der Auflage angeordnet. Beispielsweise kann der seitliche Abstand im Bereich von 200 µm und kleiner, insbesondere ein Bereich von 135 µm und kleiner ausgebildet sein. Zudem können die Leiterrahmenabschnitte als Teil eines Leiterrahmens miteinander verbunden sein und einen entsprechend kleinen Abstand aufweisen. Die mechanische Trennung der zwei Leiterrahmenabschnitte aus dem Leiterrahmen erfolgt bei dieser Ausführung bei einem späteren Vereinzelungsprozess. Dabei wird die Vereinzelung vorzugsweise nur im Trägermaterial ausgeführt.
  • In einer weiteren Ausführungsform wird ein vorteilhaftes Siebdruckverfahren bereitgestellt, indem der Leiterrahmenabschnitt eine seitliche Abstufung aufweist, wobei eine zweite Seite des Leiterrahmenabschnittes, über der die Siebdruckmaske angeordnet ist, eine kleinere Fläche als eine erste Seite des Leiterrahmenabschnittes aufweist. Dadurch wird erreicht, dass die Seitenkontur des wenigstens einen Leiterrahmenabschnittes ausgehend von einer Ausnehmung der Siebdruckmaske in Richtung auf die Auflage einen abnehmenden Querschnitt aufweist. Dadurch wird ein schnelleres und hohlraumfreieres Auffüllen der Seitenbereiche des Leiterrahmenabschnittes ermöglicht. Insbesondere bei der Anordnung mehrerer Leiterrahmenabschnitte nebeneinander ist ein Zwischenraum, der ausgehend von der Ausnehmung der Siebdruckmaske in Richtung auf die Auflage einen verjüngenden Querschnitt aufweist, von Vorteil. Zudem wird mehr Volumen des Trägers mit Trägermaterial und nicht mit Leiterrahmenmaterial ausgefüllt. Trotzdem weist wenigstens die Seite des Trägers an die die nicht abgestufte Oberfläche des Leiterrahmenabschnittes angrenzt, relativ viel Leiterrahmenoberfläche und damit eine hohe Reflektivität auf. Aufgrund der geringen Dicke der Leiterrahmenabschnitte wird bezogen auf die Fläche trotzdem relativ wenig Trägermaterial bezogen auf das Leiterrahmenmaterial eingebracht. Dadurch wird beim Aushärten des Trägermaterials bei einer Anordnung mit mehreren Leiterrahmenabschnitten eine geringere Krümmung des Gesamtträgers erhalten.
  • Versuche haben gezeigt, dass sich als Trägermaterial insbesondere Lötstopplack, keramische Pasten oder keramische Tinten eignen.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist der wenigstens eine Leiterrahmenabschnitt eine Dicke auf, die kleiner als 200 µm, insbesondere kleiner als 100 µm ist. Mithilfe des beschriebenen Siebdruckverfahrens kann ein stabiler Träger mit geringen Dicken hergestellt werden. Dadurch wird Trägermaterial für die Ausbildung des Trägerkörpers eingespart. Zudem kann aufgrund der geringen Dicke des Trägers eine schnellere und einfachere Vereinzelung eines Trägers aus einem Trägerverbund mit mehreren Trägern ermöglicht werden.
  • Der Träger eignet sich insbesondere für die Aufnahme des optoelektronischen Bauelementes, das auf dem Leiterrahmenabschnitt befestigt ist.
  • Eine Verbesserung der reflektiven Eigenschaft des Trägers kann durch das Aufbringen einer spiegelnden Schicht auf den Leiterrahmenabschnitt erreicht werden. Zudem wird die Reflektivität des Trägers durch reflektierendes Trägermaterial erhöht.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung:
  • 1 einen Querschnitt durch zwei Leiterrahmenabschnitte,
  • 2 zweite Seiten der Leiterrahmenabschnitte der 1,
  • 3 einen Querschnitt durch eine Vorrichtung zum Ausführen eines Siebdruckverfahrens,
  • 4 einen Teilausschnittes einer Siebdruckmaske,
  • 5 einen Querschnitt durch die Siebdruckvorrichtung nach dem Auffüllen mit Trägermaterial,
  • 6 eine Draufsicht auf einen Träger mit zwei Leiterrahmenabschnitten,
  • 7 einen Querschnitt durch den Träger der 6,
  • 8 einen Querschnitt durch den Träger der 7 mit einem montierten optoelektronischen Bauelement.
  • 1 zeigt in einer schematischen Darstellung eines Querschnittes durch zwei Leiterrahmenabschnitte 1. Die Leiterrahmenabschnitte 1 weisen im Querschnitt eine in Seitenbereichen abgestufte Rechteckform auf. Dabei weist eine erste Seitenfläche 3 eine größere Fläche als eine gegenüberliegende zweite Seitenfläche 4 auf. Der Abstand zwischen der ersten und der zweiten Seitenfläche 3, 4, d.h. die Dicke der Leiterrahmenabschnitte 1 kann z.B. kleiner sein als 0,2 mm, insbesondere kleiner als 0,1 mm sein. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch Leiterrahmenabschnitte 1 verwendet werden, die eine Dicke aufweisen, die im Bereich von 0,07 mm oder kleiner ist. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die Leiterrahmenabschnitte 1 aus verschiedenen Materialien, insbesondere aus elektrisch leitenden Materialien wie z.B. Metall, beispielsweise aus Kupfer bestehen. Die Leiterrahmenabschnitte 1 können z.B. aus einer Metallplatte mithilfe von Schneide-, Stanz- und/oder Ätzverfahren hergestellt sein.
  • Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auf der ersten Seitenfläche 3 eine erste Schicht 5 und/oder auf der zweiten Seitenfläche 4 eine zweite Schicht 6 ausgebildet sein. Die erste und/oder die zweite Schicht 5, 6 können eine höhere Reflexion für elektromagnetische Strahlung aufweisen als das Material des Leiterrahmenabschnittes 1. Die erste und/oder die zweite Schicht 5, 6 können beispielsweise eine Dicke aufweisen, die im Bereich von einigen Mikrometern, insbesondere im Bereich von 2 µm liegen kann. Als Material für die erste und die zweite Schicht 5, 6 kann beispielsweise Silber oder andere hochreflektierende Materialien verwendet werden. Zudem können die erste und/oder die zweite Schicht 5, 6 auch aus einem Stapel von mehreren Schichten bestehen, die eine erhöhte Reflektivität für elektromagnetische Strahlung bereitstellen. Als erste und/oder zweite Schicht 5, 6 können auch Reflexionsschichten aus dielektrischen Materialien verwendet werden.
  • 2 zeigt eine Draufsicht auf die zweite Seitenflächen 4 der Leiterrahmenabschnitte 1. In dieser Ansicht ist zu erkennen, dass die zweite Seitenfläche 4 auf allen vier Seiten der Leiterrahmenabschnitte 1 gegenüber den Seitenkanten der ersten Seitenfläche 3 nach innen zurückgesetzt ist. Die zweite Seitenfläche ist mittensymmetrisch gegenüber der ersten Seitenfläche angeordnet. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die Leiterrahmenabschnitte 1 auch eine erste und eine zweite Seitenfläche 3, 4 aufweisen, die gleich groß sind. Zudem kann abhängig von der gewählten Ausführungsform die zweite Seitenfläche 4 nur auf zwei gegenüberliegenden Seiten des Leiterrahmenabschnittes 1 zurückgesetzt gegenüber der ersten Seitenfläche 3 ausgebildet sein.
  • 3 zeigt in einer schematischen Darstellung einen Querschnitt durch eine Siebdruckvorrichtung 7, die eine plattenförmige Auflage 8 aufweist. Die Auflage 8 kann eine rechteckförmige oder quadratische Fläche aufweisen. Auf der Auflage 8 kann eine Zwischenschicht 9 beispielsweise in Form einer Folie angeordnet sein, die eine gesamte Oberseite der Auflage 8 bedeckt. Die Folie kann z.B. aus Polyethylen oder einem anderen Kunststoff bestehen. Die Zwischenschicht 9 kann weicher als die Auflage ausgebildet sein und beispielsweise aus Kunststoff oder Silikon bestehen. Die Zwischenschicht 9 bedeckt beispielsweise die gesamte Oberseite der Auflage 8. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auch auf die Zwischenschicht 9 verzichtet werden.
  • Auf der Zwischenschicht 9 sind mehrere Leiterrahmenabschnitte 1 mit der ersten Seitenfläche 3 aufgelegt. Die Leiterrahmenabschnitte 1 sind in der dargestellten Ausführungsform identisch ausgebildet und weisen die Form der Leiterrahmenabschnitte der 1 und 2 auf. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die Leiterrahmenabschnitte 1 auch unterschiedliche Formen aufweisen. Zudem können die Leiterrahmenabschnitte 1 in Form eines zusammenhängenden Leiterrahmens ausgebildet sein. Die ersten Seitenflächen 3 der Leiterrahmenabschnitte 1 liegen auf der Zwischenschicht 9 auf. Ist keine Zwischenschicht 9 vorgesehen, so liegen die ersten Seitenflächen 3 der Leiterrahmenabschnitte 1 direkt auf der Auflage 8 auf. Seitliche Abstände 10 zwischen zwei Leiterrahmenabschnitten 1 können kleine Werte aufweisen und insbesondere kleiner als 0,075 mm sein. Es sind seitliche Begrenzungselemente 11, 12 vorgesehen, die die Leiterrahmenabschnitte 1 seitlich begrenzen. Zudem sind auf den Begrenzungselementen 11, 12 Rahmenelemente 13, 14 angeordnet. Das erste und das zweite Begrenzungselement 11, 12 kann beispielsweise durch Elemente des Leiterrahmen gebildet werden. Zudem können abhängig von der gewählten Ausführungsform das erste Begrenzungselement 11 und das erste Rahmenelement 13 einteilig ausgebildet sein. Zudem können das zweite Begrenzungselement 12 und das zweite Rahmenelement 14 einteilig ausgebildet sein. Weiterhin können das erste und das zweite Begrenzungselement 11, 12 eine umlaufende Struktur bilden, die Leiterrahmenabschnitte umgrenzt. Ebenso können das erste und das zweite Rahmenelement 13, 14 eine umlaufende Struktur bilden.
  • Auf den Leiterrahmenabschnitten 1 ist eine Siebdruckmaske 15 aufgelegt. Die Siebdruckmaske 15 weist Ausnehmungen 16 auf, die zwischen benachbarten Leiterrahmenabschnitten 1 angeordnet sind. Weiterhin ist angrenzend an das erste Begrenzungselement 11 und das erste Rahmenelement 13 formbares Trägermaterial 17 angeordnet. Das Trägermaterial 17 kann beispielsweise entlang einer vorgegebenen Länge des ersten Rahmenelementes 13 in Form einer Materialwulst angeordnet sein. Zudem ist ein Rakel 18 vorgesehen, das mit einer Seitenkante auf der Siebdruckmaske in einem Bereich angrenzend an das erste Rahmenelement 13 aufliegt. Das Rakel 18 ist mit einer Seitenfläche in einem Winkel geneigt zur Ebene der Siebdruckmaske 15 angeordnet. Das Rakel 18 wird zum Einfüllen des Trägermaterials 17 in Zwischenräume 19 zwischen den Leiterrahmenabschnitten 1 bzw. zwischen den Leiterrahmenabschnitten 1 und dem ersten und dem zweiten Begrenzungselement 11, 12 von dem ersten Rahmenelement 13 in Richtung auf das zweite Rahmenelement 14 bewegt, wobei das Trägermaterial 17 in die Zwischenräume 19 hineingedrückt wird. Als Trägermaterial kann beispielsweise ein Lötstopplack, insbesondere auf Polyimid-Basis, eine keramische Paste oder eine keramische Tinte verwendet werden. Zudem kann das Trägermaterial reflektierende Partikel aufweisen, die z.B. Titanoxid aufweisen oder daraus gebildet sind.
  • Als Trägermaterial 17 kann beispielsweise eine Paste verwendet werden, die unter der Bezeichnung PSR-4000 LEW3 mit dem Härter CA-40 LEW3 von der Firma TAIYO INK verkauft wird. Zudem kann als Trägermaterial 17 eine keramische Tinte der Firma AIN, Japan verwendet werden. Auch diese Trägermaterialien 17 können reflektierende Partikel aufweisen.
  • 4 zeigt einen Ausschnitt der Siebdruckmaske 15 mit den Ausnehmungen 16 von oben.
  • 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Anordnung der 3 nach dem Ausfüllen der Zwischenräume 19 zwischen den Leiterrahmenabschnitten 1 mit dem Trägermaterial 17. Nach einem Aushärten des Trägermaterials 17 zu einem Trägerkörper wird die Anordnung mit dem Trägerkörper und den eingebetteten Leiterrahmenabschnitten 1 aus der Siebdruckvorrichtung 7 entnommen. Die Verwendung der Zwischenschicht 9 bietet die Möglichkeit, durch Ausbilden der Zwischenschicht 9 aus einem weicheren Material als die Auflage 8 die erste Seitenfläche 3 besser gegenüber einem Aufbringen von Trägermaterial 17 beim Siebdruckvorgang zu schützen. Zudem kann ein Ablösen des wenigstens teilweise ausgehärteten Trägerkörpers mit den Leiterrahmenabschnitten 1 mithilfe der Zwischenschicht 9 erreicht werden. Dazu ist die Zwischenschicht 9 beispielsweise aus einem Material hergestellt, das mit dem Trägermaterial 17 aufgefüllt ist.
  • Abhängig von der gewählten Ausführung kann das Auffüllen der Zwischenräume 19 auch in Schichten erfolgen, so dass mehrere Siebdruckschichten aufgebracht werden, die jeweils vor dem Aufbringen der nächsten Siebdruckschicht wenigstens teilweise ausgehärtet werden.
  • Zudem kann abhängig von der gewählten Ausführung beim Siebdruckverfahren ein Bandmaterial mit Leiterrahmenabschnitten kontinuierlich mit Trägermaterial bedruckt werden (reel to reel). Das Bandmaterial kann als Leiterrahmen ausgebildet sein und in Form einer Rolle vorliegen. Dazu ist eine Einrichtung zur Bewegung der Siebdruckmaske vorgesehen, die bewirkt, dass die Siebdruckmaske das Bandmaterial während des Bedruckens begleitet und nach dem Drucken wieder an seine Ausgangsposition zurückgeführt wird. Das mit Trägermaterial bedruckte Bandmaterial wird nach dem Aushärten des Trägermaterials in einzelne Träger zerteilt.
  • 6 zeigt eine Draufsicht auf einen Träger 20, der aus dem Trägerkörper herausgetrennt, insbesondere gesägt wurde. Der Träger 20 weist zwei Leiterrahmenabschnitte 1 auf, die in einen gemeinsamen Trägerkörper 21 eingebettet sind. Der dargestellte Träger 20 weist eine Rechteckform auf, wobei eine Längsseite eine Länge von 125 mm und eine Querseite eine Länge von 70 mm aufweisen kann. Bei Verwendung eines Trägermaterials mit reflektierenden Partikeln weist der Trägerkörper 21 eine reflektierende, insbesondere eine hoch reflektierende Eigenschaft für elektromagnetische Strahlung auf. Die seitliche Außenkontur des Trägers 20 wird durch die zwei Leiterrahmenabschnitte 4 festgelegt. Das Trägermaterial 21 ist nur in den Bereichen der Abstufung auf den Leiterrahmenabschnitten 4 und zwischen den Leiterrahmenabschnitten 4 angeordnet. Somit wird ein Träger 20 mit einem geringen Anteil an Trägermaterial 21 bereitgestellt. Abhängig von der gewählten Ausführung kann das Trägermaterial 21 auch auf wenigstens einer Seite oder auf allen Seiten über die Flächen der Leiterrahmenabschnitte 4 hinausragen.
  • 7 zeigt einen Querschnitt durch die Anordnung der 6. Die Dicke des Trägers 20 liegt in der dargestellten Ausführungsform im Bereich der Dicke der Leiterrahmenabschnitte 1. Die Dicke der Leiterrahmenabschnitte 1 kann, wie bereits oben ausgeführt, sehr gering sein und insbesondere eine Dicke von 0,07 mm oder weniger aufweisen. Der seitliche Abstand zwischen den zwei Leiterrahmenabschnitten 1 kann im Bereich von kleiner als 200 µm, insbesondere kleiner als 65 µm liegen. Ein zweiter seitlicher Abstand 22 zwischen Seitenkanten der zweiten Seitenflächen 4 kann im Bereich von kleiner als 400 µm, insbesondere kleiner als 300 µm liegen. Das Trägermaterial 21 schließt an Außenseiten bündig mit Außenkanten der Leiterrahmenabschnitte 4 ab und ragt seitlich nicht über die Leiterrahmenabschnitte hinaus. Je nach Ausführung bzw. Form der Vereinzelung der Träger 20 kann das Trägermaterial 21 auch seitlich über Außenkanten der Leiterrahmenabschnitte 4 hinausragen.
  • Die erste und die zweite Seitenfläche 3, 4 kann eine erste und eine zweite Schicht 5, 6 aufweisen, wie anhand von 1 erläutert. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die erste und die zweite Schicht 5, 6 vor dem Siebdruckverfahren oder nach dem Siebdruckverfahren aufgebracht werden. Die erste und die zweite Schicht 3, 4 kann somit entweder bündig mit einer Unterseite des Trägerkörpers 21 abschließen oder über die Unterseite des Trägerkörpers 21 hinausragen.
  • Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auch ein Trägerkörper 20 mit nur einem Leiterrahmenabschnitt 1 ausgebildet werden, der in einen Trägerkörper 21 eingebettet ist. Zudem kann abhängig von der gewählten Ausführungsform ein Träger 20 auch mehr als zwei Leiterrahmenabschnitte 1 aufweisen, die in einen gemeinsamen Trägerkörper 21 eingebettet sind. Der Träger 20 kann z.B. dazu verwendet werden, um auf dem Träger 20 ein optoelektronisches Bauelement zu montieren.
  • 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Träger 20, auf dem ein optoelektronisches Bauelement 23 montiert ist. Der Träger 20 weist zwei Leiterrahmenabschnitte 1 auf, die in dem Trägerkörper 21 eingebettet sind. Somit entspricht diese Ausführungsform des Trägers 20 der Ausführungsform der 6. Das optoelektronische Bauelement 23 ist auf den ersten Seitenflächen 3 und auf einer Oberseite des zwischen den Leiterrahmenabschnitten 1 angeordneten Trägerkörper 21 aufgebracht. Das Beuelement 23 kann z.B. mithilfe einer Klebeschicht auf dem Träger 20 befestigt sein. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement 23 als optischer Sensor oder als lichtemittierendes Bauelement ausgebildet sein. Das lichtemittierende Bauelement kann beispielsweise als Leuchtdiodenchip oder als Laserchip ausgebildet sein.
  • In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist das optoelektronische Bauelement 23 als Flipchip 24 ausgebildet, der in einen Moldkörper 25 eingebettet ist. Der Moldkörper 25 kann Silikon, Epoxidharz und/oder Kunststoff aufweisen oder daraus bestehen. Der Flipchip 24 weist eine kleinere Grundfläche als der Träger 20 auf. Der Moldkörper 25 kann die gleichen seitlichen Außenmaße wie der Träger 20 aufweisen und seitlich mit Außenkanten des Trägers 20 abschließen. Abhängig von der gewählten Ausführung kann der Moldkörper 25 auch den Träger 20 wenigstens seitlich bedecken und somit eine größere Grundfläche als der Träger 20 aufweisen. Zudem kann der Träger 20 auch in den Moldkörper 25 eingebettet sein. Der Flipchip 24 weist elektrische Kontakte 26, 27 auf, die abhängig von der gewählten Ausführungsform mit dem ersten und/oder mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 1 elektrisch leitend verbunden sind. Die elektrischen Kontakte 26, 27 des Flipchip 24 sind auf der Unterseite angeordnet und direkt mit den ersten Seitenflächen 3 der Leiterrahmenabschnitte 1 elektrisch leitend verbunden. Die elektrischen Kontakte 26, 27 des Flipchips können beispielsweise mit einer Lötverbindung mit den Leiterrahmenabschnitten 1 elektrisch leitend und mechanisch verbindend verbunden werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann der Flipchip 24 zuerst in den Moldkörper 25 eingebettet werden und anschließend auf dem Träger 20 montiert werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann der Flipchip 24 auch zuerst auf dem Träger 20 montiert werden und anschließend der Flipchip 24 mit dem Moldkörper 25 umgeben werden. Der Flipchip 24 kann z.B. als Saphir-Flipchip ausgebildet sein, der ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen oder zu empfangen. Das optoelektronische Bauelement 23 und insbesondere der Flipchip 24 können als optischer Sensor oder als optischer Sender, insbesondere als Leuchtdiode oder als Laserdiode ausgebildet sein. Das Bauelement 23 und insbesondere der Flipchip 24 kann als Volumenemitter oder als Flächenemitter ausgebildet sein.
  • Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Leiterrahmenabschnitt
    3
    erste Seitenfläche
    4
    zweite Seitenfläche
    5
    erste Schicht
    6
    zweite Schicht
    7
    Siebdruckvorrichtung
    8
    Auflage
    9
    Zwischenschicht
    10
    seitlicher Abstand
    11
    erstes Begrenzungselement
    12
    zweites Begrenzungselement
    13
    erstes Rahmenelement
    14
    zweites Rahmenelement
    15
    Siebdruckmaske
    16
    Ausnehmung
    17
    Trägermaterial
    18
    Rakel
    19
    Zwischenraum
    20
    Träger
    21
    Trägerkörper
    22
    zweiter seitlicher Abstand
    23
    optoelektronisches Bauelement
    24
    Flipchip
    25
    Moldkörper
    26
    erster elektrischer Kontakt
    27
    zweiter elektrischer Kontakt

Claims (15)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement, wobei wenigstens ein Leiterrahmenabschnitt auf eine Auflage gelegt wird, wobei über den Leiterrahmenabschnitt eine Siebdruckmaske angeordnet wird, wobei die Siebdruckmaske wenigstens eine Ausnehmung aufweist, wobei über eine Oberseite der Siebdruckmaske Trägermaterial durch die Ausnehmung angrenzend an den Leiterahmen eingebracht wird, wobei die Siebdruckmaske entfernt wird und das Trägermaterial zu einem Trägerkörper ausgehärtet wird, wobei ein Träger mit einem Leiterrahmenabschnitt erhalten wird, der in den Trägerkörper wenigstens teilweise eingebettet ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei zwischen der Auflage und einer ersten Seite des Leiterrahmenabschnittes eine Zwischenschicht, insbesondere in Form einer Folie vorgesehen ist, wobei der Leiterrahmenabschnitt mit der ersten Seite auf der Zwischenschicht aufliegt.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Siebdruckmaske auf einer zweiten Seite des Leiterrahmenabschnittes aufliegt und die zweite Seite des Leiterrahmenabschnittes gegen ein Aufbringen von Trägermaterial abdeckt.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei wenigstens zwei Leiterrahmenabschnitte auf der Auflage aufliegen, wobei über den zwei Leiterrahmenabschnitten die Siebdruckmaske angeordnet ist, wobei die Siebdruckmaske wenigstens zwei Ausnehmungen aufweist, wobei über die Oberseite der Siebdruckmaske Trägermaterial durch die Ausnehmungen angrenzend an die Leiterrahmenabschnitte eingebracht wird, wobei die Siebdruckmaske entfernt wird und das Trägermaterial zu einem Trägerkörper ausgehärtet wird, wobei ein Träger mit zwei Leiterrahmenabschnitten erhalten wird, die in den Trägerkörper wenigstens teilweise eingebettet sind.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die zwei Leiterrahmenabschnitte mit einem seitlichen Abstand im Bereich von 200µm und kleiner, insbesondere in einem Bereich von 135µm und kleiner auf der Auflage angeordnet werden.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der wenigstens eine Leiterrahmenabschnitt eine seitliche Abstufung aufweist, wobei eine zweite Seite des Leiterrahmenabschnittes, über der die Siebdruckmaske angeordnet ist, eine kleinere Fläche als eine erste Seite des Leiterrahmenabschnittes aufweist, wobei die erste Seite auf der Auflage angeordnet ist.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei als Trägermaterial Lötstopplack, keramische Paste oder eine keramische Tinte verwendet wird.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der wenigstens eine Leiterrahmenabschnitt eine Dicke kleiner als 200µm, insbesondere kleiner als 100µm aufweist.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei wenigstens eine Seite des wenigstens einen Leiterrahmenabschnittes mit einer spiegelnden Schicht versehen wird.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein optoelektronisches Bauelement auf einer Seite des Leiterrahmenabschnittes befestigt wird.
  11. Träger (20) für ein optoelektronisches Bauelement (23), wobei wenigstens ein Leiterrahmenabschnitt (1) in einen Trägerkörper (21) aus einem ausgehärteten Siebdruckmaterial wenigstens teilweise eingebettet ist.
  12. Träger nach Anspruch 11, wobei wenigstens zwei Leiterrahmenabschnitte (1) in den Trägerkörper (21) wenigstens teilweise eingebettet sind.
  13. Träger nach Anspruch 12, wobei die zwei Leiterrahmenabschnitte (1) mit einem seitlichen Abstand im Bereich von 200µm und kleiner, insbesondere mit einem seitlichen Abstand in einem Bereich von 135µm und kleiner angeordnet sind, und/oder wobei wenigstens ein Leiterrahmenabschnitt eine Dicke kleiner als 200µm, insbesondere kleiner als 100µm aufweist.
  14. Träger nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Siebdruckmaterial aus einem Lötstopplack, einer keramischen Paste oder einer keramische Tinte gebildet ist.
  15. Träger nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei ein optoelektronisches Bauelement (23), insbesondere ein lichtemittierendes Bauelement auf einer Seite des wenigstens einen Leiterrahmenabschnittes (1) angeordnet ist.
DE102016114478.9A 2016-08-04 2016-08-04 Verfahren zum herstellen eines trägers für ein optoelektronisches bauelement Ceased DE102016114478A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016114478.9A DE102016114478A1 (de) 2016-08-04 2016-08-04 Verfahren zum herstellen eines trägers für ein optoelektronisches bauelement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016114478.9A DE102016114478A1 (de) 2016-08-04 2016-08-04 Verfahren zum herstellen eines trägers für ein optoelektronisches bauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102016114478A1 true DE102016114478A1 (de) 2018-02-08

Family

ID=60996190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016114478.9A Ceased DE102016114478A1 (de) 2016-08-04 2016-08-04 Verfahren zum herstellen eines trägers für ein optoelektronisches bauelement

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102016114478A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018123031A1 (de) * 2018-09-19 2020-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und herstellungsverfahren für ein bauelement

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008024704A1 (de) * 2008-04-17 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
DE102014102184A1 (de) * 2014-02-20 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102014119390A1 (de) * 2014-12-22 2016-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008024704A1 (de) * 2008-04-17 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
DE102014102184A1 (de) * 2014-02-20 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102014119390A1 (de) * 2014-12-22 2016-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018123031A1 (de) * 2018-09-19 2020-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und herstellungsverfahren für ein bauelement

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013103015B4 (de) Gitter-Gehäuse auf Wafer-Ebene vom Fan-Out-Typ und Verfahren zum Herstellen eines Gitter-Gehäuses auf Wafer-Ebene vom Fan-Out-Typ
EP2449606B1 (de) Optoelektronisches bauteil
DE102009011975B4 (de) Halbleiteranordnung mit einem lagestabilen überdeckten Element
DE102011079708B4 (de) Trägervorrichtung, elektrische vorrichtung mit einer trägervorrichtung und verfahren zur herstellung dieser
DE102013213073A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
WO2008009282A2 (de) Widerstandsanordnung
DE112014007248T5 (de) Gekapseltes Schaltungsmodul und Herstellungsverfahren dafür
DE112017005112B4 (de) Sensor und Verfahren zum Hertsellen von Sensoren
DE102008049404A1 (de) Elektronische Schaltungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102012212968A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element
DE102014102293A1 (de) Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2017009285A1 (de) Bauelement und verfahren zur herstellung von bauelementen
DE112016001670B4 (de) auelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102013202910A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014113844B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102012109995A1 (de) Halbleiterbauelement mit Kontakt, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer externen elektrischen Kontaktierung eines Halbleiterbauelements
DE2413905C2 (de) Verfahren zur mechanischen Befestigung und elektrischen Kontaktierung elektronischer Bauelemente
WO2017194620A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102009029870A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung und Halbleiteranordnung
DE102016114478A1 (de) Verfahren zum herstellen eines trägers für ein optoelektronisches bauelement
WO2013045371A1 (de) Verfahren zur herstellung mindestens eines strahlungsemittierenden und/oder -empfangenden halbleiterbauteils und halbleiterbauteil
DE4443424B4 (de) Anordnungen aus einem mehrschichtigen Substrat und einem Leistungselement und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102017218365A1 (de) Die-Kontaktstelle, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102013221429A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102017106407A1 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R003 Refusal decision now final