DE102015117074B4 - Verfahren zur herstellung eines substrats - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Substrats, das Folgendes umfasst:Bestrahlen eines Einkristallsubstrats (10) mit einem Laserstrahl (20) oder einem Strahl geladener Partikel, während ein Bestrahlungspunkt des Strahls (20) bezüglich des Einkristallsubstrats (10) so bewegt wird, dass eine Bahn (31, 32, 33) des Bestrahlungspunkts auf einer Oberfläche des Einkristallsubstrats (10) ein Streifenmuster aus geraden Linien beschreibt und im Einkristallsubstrat (10) entlang der Bahn (31, 32, 33) nichtkristalline Bereiche (12) ausgebildet werden, wobeidie Bestrahlung mehrmals wiederholt wird, sodass sich Richtungen der Streifenmuster zwischen den mehreren Malen Bestrahlung voneinander unterscheiden, unddie Wiederholung der Bestrahlung einen Verzug des Einkristallsubstrats (10) ändert,dadurch gekennzeichnet, dassbei der mehrmaligen Bestrahlung in einer zur Oberfläche parallelen Ebene alle Richtungen der geraden Linien, die bei den mehreren Malen Bestrahlung beschrieben werden, nicht zu irgendeiner Richtung von Kristallachsen (a1, a2, a3) des Einkristallsubstrats (10) parallel sind.

Description

  • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SUBSTRATS
  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die Anmeldung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats.
  • BESCHREIBUNG DES STANDS DER TECHNIK
  • Die JP 2010 - 165 817 A offenbart eine Technik, bei der in einem Saphirsubstrat eigenschaftsmodifizierte Bereiche ausgebildet werden, indem das Saphirsubstrat mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, um dadurch einen Verzug des Saphirsubstrats zu steuern.
  • Außerdem offenbart die US 2013 / 0 161 797 A1 ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1.
  • KURZ DARSTELLUNG
  • Wenn der Verzug eines Substrats gesteuert wird, indem das Substrat wie in der JP 2010 - 165 817 A oder US 2013 / 0 161 797 A1 beschrieben mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, gibt es Fälle, in denen der Verzug des Substrats nicht wie beabsichtigt gesteuert werden kann. Daher wird in dieser Schrift eine Technik zur Verfügung gestellt, die den Verzug eines Substrats präzise steuert.
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats zur Verfügung gestellt. Das Verfahren umfasst das Bestrahlen eines Einkristallsubstrats mit einem Laserstrahl oder einem Strahl geladener Partikel, während ein Bestrahlungspunkt des Strahls bezüglich des Einkristallsubstrats so bewegt wird, dass eine Bahn des Bestrahlungspunkts auf einer Oberfläche des Einkristallsubstrats ein Streifenmuster aus geraden Linien beschreibt. Im Einkristallsubstrat werden entlang der Bahn nichtkristalline Bereiche ausgebildet. Die Bestrahlung wird mehrmals wiederholt, sodass sich Richtungen der Streifenmuster zwischen den mehreren Malen Bestrahlung voneinander unterscheiden. Die Wiederholung der Bestrahlung ändert einen Verzug des Einkristallsubstrats. Bei der mehrmaligen Bestrahlung sind in einer zur Oberfläche parallelen Ebene alle Richtungen der geraden Linien, die bei den mehreren Malen Bestrahlung beschrieben werden, nicht zu irgendeiner Richtung von Kristallachsen des Einkristallsubstrats parallel.
  • Das durch das obige Verfahren hergestellte Substrat kann ein Substrat sein, das sich nur aus einem Einkristall zusammensetzt, oder alternativ ein Mehrlagensubstrat, das ein Einkristallsubstrat und andere auf dem Einkristallsubstrat aufgeschichtete Lagen umfasst.
  • Die Erfinder haben festgestellt, dass es einen Unterschied bei einem Verzugsänderungsausmaß gibt zwischen einem Fall, in dem gerade Linien einer Bahn eines Bestrahlungspunkts zu Kristallachsen parallel sind, und einem Fall, in dem die geraden Linien nicht zu irgendeiner der Kristallachsen parallel sind. Wenn die Bahn des Bestrahlungspunkts eine zu einer Kristallachse parallele Richtung und eine nicht zu irgendeiner Kristallachse parallele Richtung umfasst, ändert sich daher das Verzugsänderungsausmaß abhängig von den Richtungen, und der Verzug des Substrats kann nicht präzise gesteuert werden. Wenn im Gegensatz dazu in der zur Oberfläche des Einkristallsubstrats parallelen Ebene wie oben beschrieben keine der Richtungen der geraden Linien, die bei den mehreren Malen Bestrahlung beschrieben werden, zu irgendeiner der Richtungen der Kristallachsen des Einkristallsubstrats parallel ist, kann das Verzugsänderungsausmaß mit Stabilität gesteuert werden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Perspektivansicht einer Trageplatte 10;
    • 2 ist eine Schnittansicht der Trageplatte 10 während eines einen nichtkristallinen Bereich ausbildenden Vorgangs;
    • 3 ist eine Schnittansicht der Trageplatte 10 nach dem den nichtkristallinen Bereich ausbildenden Vorgang;
    • 4 ist ein Schaubild zur Erläuterung von Bahnen 31 bis 33 gemäß einem Ausführungsbeispiel;
    • 5 ist ein Schaubild zur Erläuterung von Bahnen 41 und 42 gemäß einem Vergleichsbeispiel;
    • 6 ist ein Schaubild, das Umrisse auf einer oberen Fläche 10a der Trageplatte 10 zeigt, die gemäß einem Verfahren des Vergleichsbeispiels verzogen wurde;
    • 7 ist ein Schaubild, das Umrisse auf der oberen Fläche 10a der Trageplatte 10 zeigt, die gemäß einem Verfahren des Ausführungsbeispiels verzogen wurde;
    • 8 ist eine Schnittansicht der Trageplatte 10, nachdem auf die Trageplatte 10 ein Klebstoff 50 aufgebracht wurde;
    • 9 ist eine Schnittansicht eines Mehrlagensubstrats 70;
    • 10 ist eine Schnittansicht des Mehrlagensubstrats 70;
    • 11 ist eine Schnittansicht der Trageplatte 10 während eines einen nichtkristallinen Bereich bildenden Vorgangs gemäß einer Abwandlung;
    • 12 ist ein Schaubild zur Erläuterung von Bahnen gemäß einer Abwandlung;
    • 13 ist eine Schnittansicht eines Mehrlagensubstrats 70 nach einem Anklebevorgang gemäß einer Abwandlung; und
    • 14 ist eine Schnittansicht des Mehrlagensubstrats 70 nach dem den nichtkristallinen Bereich ausbildenden Vorgang gemäß der Abwandlung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • In einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel wird ein Halbleiterwafer auf eine Trageplatte geklebt, um den Halbleiterwafer zu verstärken, und der verstärkte Halbleiterwafer wird einer Bearbeitung unterzogen. 1 zeigt eine Trageplatte 10, die für das Verfahren dieses Ausführungsbeispiels genutzt wird. Die Halteplatte 10 besteht aus einkristallinem Saphir. Saphir hat eine hexagonale Kristallstruktur. Die Trageplatte 10 hat eine Scheibenform. Die Dickenrichtung der Trageplatte 10 entspricht einer c-Achse des hexagonalen Kristalls. Daher entsprechen eine obere Fläche 10a und eine untere Fläche 10b der Trageplatte 10 c-Ebenen des hexagonalen Kristalls. Das heißt, dass eine a1-Achse, eine a2-Achse und eine a3-Achse des hexagonalen Kristalls zu der oberen Fläche 10a und der unteren Fläche 10b parallel sind. Der Winkel zwischen der a1-Achse und der a2-Achse beträgt 120°, der Winkel zwischen der a2-Achse und der a3-Achse beträgt 120°, und der Winkel zwischen der a3-Achse und der a1-Achse beträgt 120°. In diesem Ausführungsbeispiel hat die Trageplatte 10 (d. h. der Saphir) einen linearen Ausdehnungskoeffizienten von 5,2 ppm/K. Die Trageplatte 10 ist im Wesentlichen transparent. Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements beschrieben, das die Trageplatte 10 nutzt.
  • Nichtkristallinen Bereich ausbildender Vorgang
  • Wie in 2 gezeigt ist, wird die obere Fläche 10a der Trageplatte 10 zunächst mit einem Laserstrahl 20 bestrahlt. In diesem Ausführungsbeispiel wird in der Trageplatte 10 unter Verwendung eines optischen Systems ein Brennpunkt des Laserstrahls 20 ausgebildet. Genauer wird der Brennpunkt des Laserstrahls 20 in einem Bereich 10d ausgebildet, der in der Dickenrichtung der Trageplatte 10 näher an der oberen Fläche 10a liegt als ein Mittenabschnitt 10c der Trageplatte 10. Der Laserstrahl 20 wird von einer Kurzpuls-Laserabstrahlvorrichtung wie einer Femtosekunden-Laservorrichtung abgegeben. Der Laserstrahl 20 wird in vorbestimmten Zeitintervallen, die jeweils länger als eine Femtosekunde sind, intermittierend auf die obere Fläche 10a aufgebracht. Während intermittierend mit dem Laserstrahl 20 bestrahlt wird, wird die Trageplatte 10 bezüglich der Laserabstrahlvorrichtung bewegt. Die Trageplatte 10 wird in einer Richtung entlang ihrer oberen Fläche 10a bewegt.
  • Wenn die Trageplatte 10 wie oben beschrieben mit dem Laserstrahl 20 bestrahlt wird, wird die kristalline Ausrichtung der Trageplatte 10 an den Stellen des Brennpunkts des Laserstrahls 20 gestört und es werden nichtkristalline Bereiche 12 (d. h. Kristallfehler) ausgebildet. Da die Trageplatte 10 mit dem Laserstrahl 20 intermittierend bestrahlt wird, während sie bewegt wird, werden die nichtkristallinen Bereiche 12 in der Trageplatte 10 in regelmäßigen Intervallen entlang einer Bahn des Bestrahlungspunkts des Laserstrahls 20 ausgebildet. Wenn die nichtkristallinen Bereiche 12 ausgebildet werden, dehnen sich Bereiche aus, die nicht kristallisiert sind. Da die nichtkristallinen Bereiche 12 in dem näher an der oberen Fläche 10a liegenden Bereich 10d ausgebildet werden, dehnt sich der näher an der oberen Fläche 10a liegende Bereich 10d aus, wenn die nichtkristallinen Bereiche 12 wie oben beschrieben ausgebildet werden, während sich ein näher an der unteren Fläche 10b liegender Bereich 10e nicht ausdehnt. Somit verzieht sich die Trageplatte 10, wie in 3 gezeigt ist, konvex zur Seite der oberen Fläche 10a hin. Wie in 3 gezeigt ist, werden die nichtkristallinen Bereiche 12 in ausreichenden Intervallen ausgebildet, sodass benachbarte nichtkristalline Bereiche 12 nicht miteinander verbunden sind.
  • Die oben genannte Bestrahlung mit dem Laserstrahl 12 erfolgt drei Mal. 4 zeigt die Bahnen der Bestrahlungspunkte des Laserstrahls 20 bei der ersten bis dritten Bestrahlung mit dem Laserstrahl 20. Bei der ersten Bestrahlung wird der Bestrahlungspunkt des Laserstrahls 20 bezüglich der Trageplatte 10 entlang einer Richtung D1 bewegt, die in einer zur oberen Fläche 10a parallelen Ebene bezüglich einer Richtung der Kristallachse a1 um einen Winkel X1 (30° in diesem Ausführungsbeispiel) im Gegenuhrzeigersinn verschoben ist. Der Bestrahlungspunkt des Laserstrahls 20 wird so bewegt, dass er die obere Fläche 10a der Trageplatte 10 mehrmals abtastet. Dadurch beschreibt die Bahn des Bestrahlungspunkts des Laserstrahls 20 bei der ersten Bestrahlung ein Streifenmuster aus geraden Linien, wie durch die Bahn 31 in 4 angegeben ist. Somit wird bei der ersten Bestrahlung entlang der Bahn 31 eine Vielzahl der nichtkristallinen Bereiche 12 ausgebildet. Bei der zweiten Bestrahlung wird der Bestrahlungspunkt des Laserstrahls 20 bezüglich der Trageplatte 10 entlang einer Richtung D2 bewegt, die in der zur oberen Fläche 10a parallelen Ebene bezüglich einer Richtung der Kristallachse a2 um einen Winkel X2 (30° in diesem Ausführungsbeispiel) im Gegenuhrzeigersinn verschoben ist. Der Bestrahlungspunkt des Laserstrahls wird so bewegt, dass er die obere Fläche 10a der Trageplatte 10 mehrmals abtastet. Dadurch beschreibt die Bahn des Bestrahlungspunkts des Laserstrahls 20 bei der zweiten Bestrahlung ein Streifenmuster aus geraden Linien, wie durch die Bahn 32 in 4 angegeben ist. Somit wird bei der zweiten Bestrahlung entlang der Bahn 32 eine Vielzahl der nichtkristallinen Bereiche 12 ausgebildet. Bei der dritten Bestrahlung wird der Bestrahlungspunkt des Laserstrahls 20 bezüglich der Trageplatte 10 entlang einer Richtung D3 bewegt, die in der zur oberen Fläche 10a parallelen Ebene bezüglich einer Richtung der Kristallachse a3 um einen Winkel X3 (30° in diesem Ausführungsbeispiel) im Gegenuhrzeigersinn verschoben ist. Der Bestrahlungspunkt des Laserstrahls 20 wird so bewegt, dass er die obere Fläche 10a der Trageplatte 10 mehrmals abtastet. Dadurch beschreibt die Bahn der Bestrahlungspunkte des Laserstrahls 20 bei der dritten Bestrahlung ein Streifenmuster aus geraden Linien, wie durch die Bahn 33 in 4 angegeben ist. Somit wird bei der dritten Bestrahlung entlang der Bahn 33 eine Vielzahl der nichtkristallinen Bereiche 12 ausgebildet.
  • Die in 4 gezeigte Bestrahlung mit dem Laserstrahl 20 kann in der Trageplatte 10 einen gleichmäßigen Verzug herbeiführen. Der Grund dafür wird im Folgenden beschrieben. Die Größe jedes nichtkristallinen Bereichs 12, der durch die geraden Linien der Bahn des Laserstrahlbestrahlungspunkts gebildet wird, ändert sich abhängig davon, ob die geraden Linien der Bahn zu irgendeiner Kristallachse parallel sind oder nicht. Wenn die geraden Linien der Bahn zu irgendeiner der Kristallachsen parallel sind, werden nämlich entlang der Bahn lange, nichtkristalline Bereiche ausgebildet. Das heißt, dass die Länge L1 jedes in 1 gezeigten nichtkristallinen Bereichs 12 lang ist. In diesem Fall ist der Verzug, der in der Trageplatte auftritt, in einer Richtung entlang der geraden Linien der Bahn klein. Wenn die geraden Linien der Bahn nicht zu irgendeiner der Kristallachsen parallel sind, ist dagegen die Größe jedes nichtkristallinen Bereichs 12 klein (d. h. die Länge L1 ist kurz). In diesem Fall ist der Verzug, der in der Trageplatte auftritt, in der Richtung entlang der geraden Linien der Bahn groß.
  • 5 zeigt Bahnen 41 und 42 des Laserstrahlbestrahlungspunkts gemäß einem Vergleichsbeispiel. In 5 erfolgt die Laserstrahlbestrahlung auf der Trageplatte 10 zwei Mal. Bei der ersten Laserstrahlbestrahlung wird der Bestrahlungspunkt des Laserstrahls 20 entlang der Kristallachse a2 bewegt. Bei der zweiten Bestrahlung wird der Bestrahlungspunkt des Laserstrahls 20 entlang einer zur Kristallachse a2 senkrechten Richtung D4 (d. h. einer zu den Kristallachsen a1, a2 und a3 nicht parallelen Richtung) bewegt. Bei diesem Verfahren ist der Verzug der Trageplatte 10 in einer Richtung entlang der Kristallachse a2 klein, aber in der Richtung D4 groß. Daher verzieht sich die Trageplatte 10, wie in 6 gezeigt ist, in einer elliptischen Form.
  • Wenn der Laserstrahl 20 im Gegensatz zum Vergleichsbeispiel wie in 4 gezeigt aufgestrahlt wird, ist keine der geraden Linien der Bahnen 31 bis 33 zu den Kristallachsen a1 bis a3 parallel. Daher ist der Verzug der Trageplatte 10 in sämtlichen Richtungen D1 bis D3 entlang der Bahnen 31 bis 33 groß. Das heißt, dass der Verzug in den Richtungen D1 bis D3 im Wesentlichen gleichmäßig auftritt. Infolgedessen verzieht sich die Trageplatte 10 zu einer vollständig runden Form, wie sie in 7 gezeigt ist. Insbesondere sind in diesem Ausführungsbeispiel die jeweiligen Winkel X1 bis X3 zwischen den Richtungen D1 bis D3 der Bahnen und den Kristallachsen a1 bis a3 im Wesentlichen zueinander gleich, wie in 4 gezeigt ist, weswegen die Verzugsausmaße in den Richtungen D1 bis D3 zueinander gleich sind. Daher wird der Verzug auf eine solche Weise verteilt, dass die Verteilung umso näher an einer vollständig runden Form liegt. Es ist am meisten vorzuziehen, dass die Winkel X1 bis X3 zueinander gleich sind. Die Differenz zwischen diesen Winkeln liegt vorzugsweise innerhalb von ± 5°. Wenn die Differenz zwischen den Winkeln X1 bis X3 innerhalb von ± 5° eingestellt wird, ist es möglich, die Trageplatte 10 dazu zu bringen, sich auf eine solche Weise zu verziehen, dass die Verzugverteilung im Wesentlichen nahe bei einer vollständig runden Form liegt.
  • Anklebevorgang
  • Als Nächstes wird das Ankleben eines Halbleitersubstrats an der verzogenen Trageplatte 10 unter Verwendung eines Klebstoffs beschrieben. Wie in 8 gezeigt ist, wird zunächst auf die untere Fläche 10b der Trageplatte 10 ein Klebstoff 50 aufgebracht. Der Klebstoff 50 ist ein thermoplastisches Polyimidharz. Nachdem der Klebstoff 50 auf die untere Fläche 10b der Trageplatte 10 aufgebracht wurde, wird die Trageplatte 10 erwärmt (einer Backbehandlung unterzogen). Dadurch wird aus dem Klebstoff 50 Lösungsmittel verdampft, um den Klebstoff 50 halb auszuhärten. Als Nächstes erfolgt eine Wärmebehandlung, um den Klebstoff zu imidisieren.
  • Als Nächstes wird die Trageplatte 10 zum Verkleben in einen Ofen (nicht gezeigt) gesetzt, und danach wird ein Halbleitersubstrat 60 auf dem Klebstoff 50 angeordnet. Das Halbleitersubstrat 60 besteht aus Silizium. Das Halbleitersubstrat 60 (d. h. das Silizium) hat einen linearen Ausdehnungskoeffizienten von 3,4 ppm/K. Das heißt, dass der lineare Ausdehnungskoeffizient des Halbleitersubstrats 60 kleiner als der lineare Ausdehnungskoeffizient der Trageplatte 10 ist. Wie in 9 gezeigt ist, wird ein Mehrlagensubstrat 70, das die Trageplatte 10, den Klebstoff 50 und das Halbleitersubstrat 60 umfasst, in seiner Dickenrichtung unter Verwendung einer Pressmaschine 90 unter Druck gesetzt, während das Mehrlagensubstrat 70 zudem erwärmt wird. Diese Druckbeaufschlagung planarisiert das Mehrlagensubstrat 70. Da das verzogene Tragesubstrat 10 flachgedrückt wird, wird in der Trageplatte 10 eine Spannung erzeugt. Um das Mehrlagensubstrat 70 herum wird eine Unterdruckatmosphäre ausgebildet. Der Klebstoff 50 erweicht durch das Erwärmen. Das Halbleitersubstrat 60 wird durch die Druckbeaufschlagung eng mit dem erweichten Klebstoff 50 verklebt. Der Unterdruck unterdrückt die Erzeugung von Hohlräumen in dem Klebstoff 50. Als Nächstes wird das Mehrlagensubstrat 70 allmählich abgekühlt. Wenn das Mehrlagensubstrat 70 auf eine Temperatur abgekühlt ist, die geringer als ein Glasübergangspunkt des Klebstoffs 50 ist, ist der Klebstoff 50 ausgehärtet. Auf diese Weise werden das Halbleitersubstrat 60 und die Trageplatte 10 aneinander befestigt. Das Abkühlen wird fortgesetzt, bis das Mehrlagensubstrat 70 auf Zimmertemperatur abgekühlt worden ist.
  • Wenn das Mehrlagensubstrat 10 abgekühlt wird, schrumpfen die Trageplatte 10 und das Halbleitersubstrat 60. Da der lineare Ausdehnungskoeffizient der Trageplatte 10 größer als der lineare Ausdehnungskoeffizient des Halbleitersubstrats 60 ist, schrumpft die Trageplatte 10 in einem größeren Umfang als das Halbleitersubstrat 60. Dadurch verzieht sich das Mehrlagensubstrat 70 konvex zur Seite des Halbleitersubstrats 60 hin. Da das Mehrlagensubstrat 70 jedoch durch die Pressmaschine 90 gehalten wird, tritt in dem Mehrlagensubstrat 70 kein Verzug auf. Daher wird in dem Mehrlagensubstrat 70 eine Spannung erzeugt, die das Mehrlagensubstrat 70 konvex zur Seite des Halbleitersubstrats 60 hin verzieht. Wie oben beschrieben wurde, ist in der Trageplatte 10 bereits eine Spannung erzeugt worden, als die verzogene Trageplatte 10 gepresst wurde. Diese Spannung ist eine Spannung, die die Trageplatte 10 dazu bringt, sich in einer Richtung entgegengesetzt zu der Spannung zu verziehen, die durch die Differenz beim linearen Ausdehnungskoeffizienten hervorgerufen wird. Daher hebt die Spannung in der Trageplatte 10 die Spannung auf, die durch die Differenz beim linearen Ausdehnungskoeffizienten verursacht wird.
  • Wenn das Mehrlagensubstrat 70 auf die Zimmertemperatur abgekühlt worden ist, wird das Mehrlagensubstrat 70 dem Ofen entnommen. Wenn das Mehrlagensubstrat 70 auf die Zimmertemperatur abgekühlt worden ist, haben sich die Spannung innerhalb der Trageplatte 10 und die Spannung, die durch die Differenz beim linearen Ausdehnungskoeffizienten verursacht wird, im Wesentlichen vollständig miteinander aufgehoben. Daher ist das dem Ofen entnommene Mehrlagensubstrat 70, wie in 10 gezeigt ist, fast vollständig flach. Somit kann gemäß diesem Verfahren ein Mehrlagensubstrat 70 erzielt werden, das flach ist.
  • Da die Trageplatte 10 in dem den nichtkristallinen Bereich ausbildenden Vorgang in der vollständig runden Form verzogen wurde, wird der Verzug des Mehrlagensubstrats 70 ungeachtet der Richtungen beim Klebevorgang gleichmäßig korrigiert. Somit kann ein Mehrlagensubstrat 70 erzielt werden, das umso flacher ist.
  • Nachdem das flache Mehrlagensubstrat 70 wie oben beschrieben ausgebildet wurde, wird das Halbleitersubstrat 60 verschiedenen Prozessen unterzogen. Zum Beispiel wird eine Oberfläche des Halbleitersubstrats 60 geschliffen, um die Dicke des Halbleitersubstrats 60 zu verringern. Danach wird in dem Halbleitersubstrat 60 eine Diffusionsschicht ausgebildet, und auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 60 werden Elektroden und dergleichen ausgebildet, um dadurch Strukturen von Halbleiterelementen auszubilden. Als Nächstes wird der Klebstoff 50 durch die Trageplatte 10 hindurch mit einem Laserstrahl bestrahlt, um die Klebekraft des Klebstoffs 50 zu verringern. Danach wird das Halbleitersubstrat 60 von der Trageplatte 10 entfernt. Da auf der Oberfläche des Tragesubstrats 10 zu diesem Zeitpunkt keine dünne Schicht oder dergleichen vorhanden ist, die den Verzug verringert, kann der Klebstoff 50 effizient mit dem Laserstrahl bestrahlt werden. Danach wird das Halbleitersubstrat 60 einem Dicing unterzogen, um einzelne Halbleiterbauelemente fertig zu stellen. Die von dem Halbleitersubstrat 60 entfernte Trageplatte 10 verzieht sich, wie in 3 gezeigt ist, erneut. Die Trageplatte 10 kann zur Bearbeitung eines anderen Halbleitersubstrats 60 wiederverwendet werden.
  • Wie oben beschrieben wurde, wird die Trageplatte 10 gemäß diesem Verfahren dazu gebracht, sich im Voraus zu verziehen. Dann kann der Verzug der Trageplatte 10 den Verzug aufheben, der durch die Differenz beim linearen Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Trageplatte 10 und dem Halbleitersubstrat 60 verursacht wird. Daher ist es möglich, das flache Mehrlagensubstrat 70 zu erzielen. Da die Trageplatte 10 gemäß dem oben beschriebenen Verfahren insbesondere gleichmäßig in einer vollständig runden Form verzogen wird, kann der Verzug des Mehrlagensubstrats 70 gleichmäßig ohne lokale Verzugskonzentration korrigiert werden. Daher kann das Mehrlagensubstrat 70 erzielt werden, das umso flacher ist.
  • Die Größe jedes nichtkristallinen Bereichs 12 ist vorzugsweise so klein wie möglich. Indem die Größe jedes nichtkristallinen Bereichs 12 klein gehalten wird, kann verhindert werden, dass der Laserstrahl durch die nichtkristallinen Bereiche 12 gestreut wird, wenn die Trageplatte 10 vom Halbleitersubstrat 60 entfernt wird. Aus dem gleichen Grund wie oben werden Intervalle, in denen die nichtkristallinen Bereiche 12 ausgebildet werden, innerhalb eines Bereichs, der der Trageplatte 10 erlaubt, sich zu verziehen, vorzugsweise so groß wie möglich ausgebildet.
  • Wie in 2 gezeigt ist, wird in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel die Oberfläche (d. h. die obere Fläche 10a) der Trageplatte 10 auf einer Seite mit dem Laserstrahl 20 bestrahlt, auf der die nichtkristallinen Bereiche 12 ausgebildet werden. Wie in 11 gezeigt ist, kann alternativ eine Oberfläche (d. h. die untere Fläche 10b) der Trageplatte 10 auf einer Seite mit dem Laserstrahl 20 bestrahlt werden, die entgegengesetzt zu der Seite ist, auf der die nichtkristallinen Bereiche 12 ausgebildet werden.
  • In dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird das Halbleitersubstrat 60 an die untere Fläche 10b (d. h. die weiter von den nichtkristallinen Bereichen 12 weg liegende Oberfläche) der Trageplatte 10 geklebt. Wenn der lineare Ausdehnungskoeffizient des Halbleitersubstrats 60 größer als der lineare Ausdehnungskoeffizient der Trageplatte 10 ist, kann das Halbleitersubstrat 60 alternativ an die obere Fläche 10a (d. h. die näher an dem nichtkristallinen Bereich 12 liegende Oberfläche) der Trageplatte 10 geklebt werden. Somit kann ein Verzug des Mehrlagensubstrats korrigiert werden.
  • In dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird der Klebstoff 50 auf die Oberfläche der Trageplatte 10 aufgebracht und danach wird die Trageplatte 10 an das Halbleitersubstrat 60 geklebt. Alternativ kann der Klebstoff 50 auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats 60 aufgebracht werden und danach kann das Halbleitersubstrat 60 an die Trageplatte 10 geklebt werden.
  • In dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel erfolgt das Abtasten mit dem Laserstrahl 20 entlang der drei Richtungen D1 bis D3. Alternativ kann das Abtasten mit dem Laserstrahl 20 zum Beispiel, wie in 12 gezeigt ist, entlang der zwei Richtungen D5 und D6 erfolgen. In 12 ist die Richtung D5 im Wesentlichen senkrecht zur Richtung D6. Die Richtung D5 ist zu keiner der Kristallachsen a1 bis a3 parallel. Entsprechend ist die Richtung D6 zu keiner der Kristallachsen a1 bis a3 parallel. Daher ist es auch in diesem Fall möglich, die Trageplatte 10 dazu zu bringen, eine gleichmäßige Verzugsverteilung zu haben.
  • In dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ist die Kristallstruktur der Trageplatte 10 ein hexagonaler Kristall. Alternativ kann als die Trageplatte 10 ein Einkristall verwendet werden, der eine andere Kristallstruktur hat. Auch in diesem Fall ist es möglich, den Verzug der Trageplatte 10 dazu zu bringen, darin gleichmäßig verteilt zu sein, indem die Richtungen der geraden Linien der Bahn des Laserstrahls 12 auf Richtungen eingestellt werden, die in einer zur Oberfläche der Trageplatte 10 parallelen Ebene nicht zu irgendeiner der Kristallachsen parallel sind.
  • In dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel erfolgt der Klebevorgang nach dem den nichtkristallinen Bereich ausbildenden Vorgang. Alternativ kann der den nichtkristallinen Bereich ausbildende Vorgang nach dem Kleben erfolgen. Dieser Fall wird im Folgenden beschrieben. Wenn das Kleben vor dem den nichtkristallinen Bereich ausbildenden Vorgang erfolgt, wird auf ähnliche Weise wie in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ein flaches Halbleitersubstrat 60 an eine flache Trageplatte 10 geklebt. Wenn ein Mehrlagensubstrat 10 abgekühlt wird, tritt in dem Mehrlagensubstrat 70, wie in 13 gezeigt ist, aufgrund einer Differenz des linearen Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Trageplatte 10 und dem Halbleitersubstrat 60 ein Verzug auf. Da die Trageplatte 10 in einem größeren Umfang als das Halbleitersubstrat 60 schrumpft, verzieht sich das Mehrlagensubstrat 70 konvex zur Seite des Halbleitersubstrats 60 hin. Als Nächstes wird eine obere Fläche 10a der Trageplatte 10 auf ähnliche Weise wie in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel mit einem Laserstrahl 20 bestrahlt, um nichtkristalline Bereiche 12 auszubilden. Die Ausbildung der nichtkristallinen Bereiche 12 bringt einen Bereich nahe der oberen Fläche 10a der Trageplatte 10 dazu, sich auszudehnen. Wie in 14 gezeigt ist, wird auf diese Weise das Mehrlagensubstrat 70 planarisiert. Auch in diesem Verfahren kann ein flaches Mehrlagensubstrat 70 erzielt werden.
  • In dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel werden die nichtkristallinen Bereiche 12 in der Trageplatte 10 ausgebildet. Alternativ können die nichtkristallinen Bereiche 12 so ausgebildet werden, dass sie auf der Oberfläche der Trageplatte 10 freiliegen.
  • In dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel werden die nichtkristallinen Bereiche 12 durch den Laserstrahl 20 ausgebildet. Alternativ können die nichtkristallinen Bereiche 12 ausgebildet werden, indem die Trageplatte 10 durch Ioneninjektion, Ionendünnen oder dergleichen mit geladenen Partikeln bestrahlt wird. In diesem Fall wird unter Verwendung einer Maskenplatte oder dergleichen nur ein schmaler Bereich der Oberfläche der Trageplatte 10 mit den geladenen Partikeln bestrahlt, und ein Bestrahlungspunkt der geladenen Partikel kann wie in dem obigen Ausführungsbeispiel beschrieben bewegt werden.
  • Ein in dieser Schrift offenbartes Verfahren zur Herstellung eines Substrats hat die folgende Gestaltung.
  • Ein in dieser Schrift offenbartes Verfahren umfasst das Bestrahlen eines Einkristallsubstrats mit einem Laserstrahl oder einem Strahl geladener Partikel, während ein Bestrahlungspunkt des Strahls bezüglich des Einkristallsubstrats so bewegt wird, dass eine Bahn des Bestrahlungspunkts auf einer Oberfläche des Einkristallsubstrats ein Streifenmuster aus geraden Linien beschreibt. Im Einkristallsubstrat werden entlang der Bahn nichtkristalline Bereiche ausgebildet. Die Bestrahlung wird mehrmals wiederholt, sodass sich Richtungen der Streifenmuster zwischen den mehreren Malen Bestrahlung voneinander unterscheiden. Die Wiederholung der Bestrahlung ändert einen Verzug des Einkristallsubstrats. Bei der mehrmaligen Bestrahlung sind in einer zur Oberfläche parallelen Ebene alle Richtungen der geraden Linien, die bei den mehreren Malen Bestrahlung beschrieben werden, nicht zu irgendeiner Richtung von Kristallachsen des Einkristallsubstrats parallel.
  • In einem in dieser Schrift offenbarten Verfahren kann das Einkristallsubstrat eine erste Oberfläche und eine zur ersten Oberfläche entgegengesetzte Oberfläche umfassen. Bei der Bestrahlung können die nichtkristallinen Bereiche in einem Bereich ausgebildet werden, der in einer Dickenrichtung des Einkristallsubstrats näher an der ersten Oberfläche liegt als ein Zwischenabschnitt des Einkristallsubstrats. Das Verfahren kann außerdem das Ankleben eines Halbleitersubstrats an dem Einkristallsubstrat in einem erwärmten Zustand umfassen. Das Halbleitersubstrat kann in einem Fall, in dem ein linearer Ausdehnungskoeffizient des Einkristallsubstrats größer als ein linearer Ausdehnungskoeffizient des Halbleitersubstrats ist, an die zweite Oberfläche geklebt werden, und das Halbleitersubstrat kann in einem Fall, in dem der lineare Ausdehnungskoeffizient des Einkristallsubstrats kleiner als der lineare Ausdehnungskoeffizient des Halbleitersubstrats ist, an die erste Oberfläche geklebt werden.
  • Die Bestrahlung und das Ankleben können in beliebiger Reihenfolge erfolgen.
  • Gemäß der obigen Gestaltung kann ein Verzug, der beim Anklebevorgang im Halbleitersubstrat auftritt, mit einem Verzug aufgehoben werden, der beim Bestrahlungsvorgang im Einkristallsubstrat auftritt. Daher kann das Mehrlagensubstrat, das das Einkristallsubstrat und das Halbleitersubstrat umfasst, planarisiert werden.
  • In einem in dieser Schrift offenbarten Verfahren kann eine Kristallstruktur des Einkristallsubstrats ein hexagonaler Kristall sein. Die erste Oberfläche und die zweite Oberfläche können c-Ebenen sein.
  • In einem in dieser Schrift offenbarten Verfahren kann die Bestrahlung drei Mal wiederholt werden. Der Winkel zwischen einer Richtung des Streifenmusters der ersten Bestrahlung und einer a1-Achse des Einkristallsubstrats kann ein Winkel X1 sein. Der Winkel zwischen einer Richtung des Streifenmusters der zweiten Bestrahlung und einer a2-Achse des Einkristallsubstrats kann ein Winkel X2 sein. Der Winkel zwischen einer Richtung des Streifenmusters der dritten Bestrahlung und einer a3-Achse des Einkristallsubstrats kann ein Winkel X3 sein. Die Differenz zwischen dem Winkel X1 und dem Winkel X2 kann weniger als 5° betragen. Die Differenz zwischen dem Winkel X2 und dem Winkel X3 kann weniger als 5° betragen. Die Differenz zwischen dem Winkel X3 und dem Winkel X1 kann weniger als 5° betragen.
  • Wenn die Winkel X1, X2 und X3 im Wesentlichen zueinander gleich sind, kann die Trageplatte auf diese Weise dazu gebracht werden, sich gleichmäßiger (d. h. in einer vollständig runden Form) zu verziehen.

Claims (4)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Substrats, das Folgendes umfasst: Bestrahlen eines Einkristallsubstrats (10) mit einem Laserstrahl (20) oder einem Strahl geladener Partikel, während ein Bestrahlungspunkt des Strahls (20) bezüglich des Einkristallsubstrats (10) so bewegt wird, dass eine Bahn (31, 32, 33) des Bestrahlungspunkts auf einer Oberfläche des Einkristallsubstrats (10) ein Streifenmuster aus geraden Linien beschreibt und im Einkristallsubstrat (10) entlang der Bahn (31, 32, 33) nichtkristalline Bereiche (12) ausgebildet werden, wobei die Bestrahlung mehrmals wiederholt wird, sodass sich Richtungen der Streifenmuster zwischen den mehreren Malen Bestrahlung voneinander unterscheiden, und die Wiederholung der Bestrahlung einen Verzug des Einkristallsubstrats (10) ändert, dadurch gekennzeichnet, dass bei der mehrmaligen Bestrahlung in einer zur Oberfläche parallelen Ebene alle Richtungen der geraden Linien, die bei den mehreren Malen Bestrahlung beschrieben werden, nicht zu irgendeiner Richtung von Kristallachsen (a1, a2, a3) des Einkristallsubstrats (10) parallel sind.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Einkristallsubstrat (10) eine erste Oberfläche (10a) und eine zur ersten Oberfläche (10a) entgegengesetzte zweite Oberfläche (10b) umfasst, bei der Bestrahlung die nichtkristallinen Bereiche (12) in einem Bereich ausgebildet werden, der in einer Dickenrichtung des Einkristallsubstrats (10) näher an der ersten Oberfläche (10a) liegt als ein Zwischenabschnitt (10c) des Einkristallsubstrats (10), und das Verfahren außerdem das Ankleben eines Halbleitersubstrats (60) an dem Einkristallsubstrat (10) in einem erwärmten Zustand umfasst, wobei das Halbleitersubstrat (60) in einem Fall, in dem ein linearer Ausdehnungskoeffizient des Einkristallsubstrats (10) größer als ein linearer Ausdehnungskoeffizient des Halbleitersubstrats (60) ist, an die zweite Oberfläche (10b) geklebt wird, und das Halbleitersubstrat (60) in einem Fall, in dem der lineare Ausdehnungskoeffizient des Einkristallsubstrats (10) kleiner als der lineare Ausdehnungskoeffizient des Halbleitersubstrats (60) ist, an die erste Oberfläche (10a) geklebt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei eine Kristallstruktur des Einkristallsubstrats (10) ein hexagonaler Kristall ist und die erste Oberfläche (10a) und die zweite Oberfläche (10b) c-Ebenen sind.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Bestrahlung drei Mal wiederholt wird, der Winkel zwischen einer Richtung des Streifenmusters der ersten Bestrahlung und einer a1-Achse des Einkristallsubstrats (10) ein Winkel X1 ist, der Winkel zwischen einer Richtung des Streifenmusters der zweiten Bestrahlung und einer a2-Achse des Einkristallsubstrats (10) ein Winkel X2 ist, der Winkel zwischen einer Richtung des Streifenmusters der dritten Bestrahlung und einer a3-Achse des Einkristallsubstrats (10) ein Winkel X3 ist, die Differenz zwischen dem Winkel X1 und dem Winkel X2 weniger als 5° beträgt, die Differenz zwischen dem Winkel X2 und dem Winkel X3 weniger als 5° beträgt und die Differenz zwischen dem Winkel X3 und dem Winkel X1 weniger als 5° beträgt.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105931997B (zh) * 2015-02-27 2019-02-05 胡迪群 暂时性复合式载板
KR102466362B1 (ko) * 2016-02-19 2022-11-15 삼성전자주식회사 지지 기판 및 이를 사용한 반도체 패키지의 제조방법
CN207396531U (zh) 2017-01-31 2018-05-22 杭州探真纳米科技有限公司 一种悬臂末端纳米探针
JP7266036B2 (ja) * 2018-07-26 2023-04-27 日本碍子株式会社 仮固定基板、仮固定方法および電子部品の製造方法
CN111785814B (zh) * 2020-07-13 2021-10-26 福建晶安光电有限公司 一种衬底及其加工方法、发光二极管及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010165817A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Namiki Precision Jewel Co Ltd エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法
US20130161797A1 (en) * 2010-03-05 2013-06-27 Disco Corporation Single crystal substrate, manufacturing method for single crystal substrate, manufacturing method for single crystal substrate with multilayer film, and element manufacturing method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57162434A (en) * 1981-03-31 1982-10-06 Fujitsu Ltd Annealing method for single crystal wafer
EP0284818A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-05 BBC Brown Boveri AG Verfahren zum Herstellen eines Schichtverbunds sowie Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens
JPH07249573A (ja) * 1994-03-14 1995-09-26 Nippon Steel Corp 半導体基板の製造方法
JP2009252897A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Toyoda Gosei Co Ltd 接合体の製造方法及び接合体の製造装置
JP2011023438A (ja) * 2009-07-14 2011-02-03 Nippon Electric Glass Co Ltd 基板接合体の製造方法
WO2011087061A1 (ja) * 2010-01-15 2011-07-21 三菱化学株式会社 単結晶基板、それを用いて得られるｉｉｉ族窒化物結晶及びｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
TWI525664B (zh) * 2010-03-05 2016-03-11 Namiki Precision Jewel Co Ltd A crystalline film, a device, and a method for producing a crystalline film or device
TWI508327B (zh) * 2010-03-05 2015-11-11 Namiki Precision Jewel Co Ltd An internal modified substrate for epitaxial growth, a multilayer film internal modified substrate, a semiconductor device, a semiconductor bulk substrate, and the like
JP2011201759A (ja) * 2010-03-05 2011-10-13 Namiki Precision Jewel Co Ltd 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法
KR20110114972A (ko) * 2010-04-14 2011-10-20 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 기판의 가공 방법
EP2815004B1 (de) * 2012-03-21 2018-01-10 Freiberger Compound Materials GmbH Verfahren zur herstellung von iii-n-einkristallen, und iii-n-einkristall
US9455229B2 (en) * 2012-04-27 2016-09-27 Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha Composite substrate manufacturing method, semiconductor element manufacturing method, composite substrate, and semiconductor element
JP6030358B2 (ja) 2012-07-03 2016-11-24 東京応化工業株式会社 積層体
TWI543395B (zh) * 2013-04-01 2016-07-21 中國砂輪企業股份有限公司 圖案化光電基板及其製作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010165817A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Namiki Precision Jewel Co Ltd エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法
US20130161797A1 (en) * 2010-03-05 2013-06-27 Disco Corporation Single crystal substrate, manufacturing method for single crystal substrate, manufacturing method for single crystal substrate with multilayer film, and element manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016076650A (ja) 2016-05-12
US20160104620A1 (en) 2016-04-14
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CN105506745B (zh) 2017-12-15
US9330919B1 (en) 2016-05-03
DE102015117074A1 (de) 2016-04-14

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