DE102015108721B4 - Untersuchungsverfahren und Untersuchungsvorrichtung für ein Halbleiterelement - Google Patents

Untersuchungsverfahren und Untersuchungsvorrichtung für ein Halbleiterelement Download PDF

Info

Publication number
DE102015108721B4
DE102015108721B4 DE102015108721.9A DE102015108721A DE102015108721B4 DE 102015108721 B4 DE102015108721 B4 DE 102015108721B4 DE 102015108721 A DE102015108721 A DE 102015108721A DE 102015108721 B4 DE102015108721 B4 DE 102015108721B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor element
short
circuit
leakage current
vertex
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102015108721.9A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE102015108721A1 (de
Inventor
Yukihiko Wada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE102015108721A1 publication Critical patent/DE102015108721A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102015108721B4 publication Critical patent/DE102015108721B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2608Circuits therefor for testing bipolar transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
DE102015108721.9A 2014-06-06 2015-06-02 Untersuchungsverfahren und Untersuchungsvorrichtung für ein Halbleiterelement Active DE102015108721B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-117730 2014-06-06
JP2014117730A JP6180372B2 (ja) 2014-06-06 2014-06-06 半導体素子の検査方法および検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102015108721A1 DE102015108721A1 (de) 2015-12-10
DE102015108721B4 true DE102015108721B4 (de) 2018-07-12

Family

ID=54549025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015108721.9A Active DE102015108721B4 (de) 2014-06-06 2015-06-02 Untersuchungsverfahren und Untersuchungsvorrichtung für ein Halbleiterelement

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6180372B2 (enExample)
DE (1) DE102015108721B4 (enExample)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102469942B1 (ko) * 2016-04-19 2022-11-22 엘에스일렉트릭(주) 인버터 스위칭 소자의 온도추정을 위한 파라미터 결정장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5764179A (en) * 1980-10-06 1982-04-19 Mitsubishi Electric Corp Testing method for semiconductor device
JP2005345247A (ja) 2004-06-02 2005-12-15 Toyota Motor Corp 半導体素子の評価装置
JP2009069058A (ja) 2007-09-14 2009-04-02 Toyota Motor Corp トランジスタの検査方法と検査装置
JP2011169681A (ja) 2010-02-17 2011-09-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の試験装置
US20130027067A1 (en) 2011-07-28 2013-01-31 Integrated Technology Corporation Damage reduction method and apparatus for destructive testing of power semiconductors

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5764179A (en) * 1980-10-06 1982-04-19 Mitsubishi Electric Corp Testing method for semiconductor device
JP2005345247A (ja) 2004-06-02 2005-12-15 Toyota Motor Corp 半導体素子の評価装置
JP2009069058A (ja) 2007-09-14 2009-04-02 Toyota Motor Corp トランジスタの検査方法と検査装置
JP2011169681A (ja) 2010-02-17 2011-09-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の試験装置
US20130027067A1 (en) 2011-07-28 2013-01-31 Integrated Technology Corporation Damage reduction method and apparatus for destructive testing of power semiconductors

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015230279A (ja) 2015-12-21
JP6180372B2 (ja) 2017-08-16
DE102015108721A1 (de) 2015-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112016002719B4 (de) Treiber-steuerungsschaltung für leistungshalbleiter-element
EP3224631B1 (de) Verfahren zur bestimmung einer alterung von leistungshalbleitermodulen sowie vorrichtung und schaltungsanordnung
DE102014105719B4 (de) Schaltungsvorrichtung mit einer Thyristorschaltung sowie ein Verfahren zum Prüfen der Thyristorschaltung
DE69433701T2 (de) Gerät zur Prüfung der elektrischen Bauteile eines Wechselrichters
EP3161496B1 (de) Verfahren zur erlangung eines hinweises, insbesondere eines anfangshinweises auf eine mögliche fehlerhafte lastbedingung eines mehrphasigen elektromotors
DE102012213354B4 (de) Schaltung mit einem temperaturgeschützten elektronischen Schalter
EP3417305B1 (de) Batteriesensor, verfahren zum kalibrieren eines messwiderstands und verwendung
EP2541220B1 (de) Vorrichtung zur Messung einer Temperatur eines Leistungshalbleiters
DE102012109745B4 (de) Schaltungsanordnung
DE102011056547A1 (de) Testen einer Schutzvorrichtung gegen transiente Spannung
DE102016105831A1 (de) Stromversorgungsvorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung von Strom für ein elektronisches Gerät, um eine Überlastung wegen elektrischer Entladung zu verhindern
WO2010060458A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum detektieren einer defekten oled
WO2016142484A2 (de) Vorrichtung zum bestimmen eines schalterzustands, schaltervorrichtung, verfahren zum bestimmen eines schalterzustands und computerprogramm
DE102008051074B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Überwachen einer durch einen Leistungshalbleiterschalter angesteuerten Last
DE102019217098A1 (de) Steuergerät zur Bestimmung einer Totzeit für leistungselektronische Schalter
DE102006029190A1 (de) Überstrom-Erfassungsvorrichtung
EP4338289A1 (de) Überwachungsanordnung für eine elektrische komponente, halbleiterschalteranordnung mit überwachungsfunktion und energiesystem
DE102015108721B4 (de) Untersuchungsverfahren und Untersuchungsvorrichtung für ein Halbleiterelement
DE102015015479B3 (de) Schaltungsanordnung zum Ermitteln einer Stromstärke eines elektrischen Stroms
DE10132452B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Messen von Betriebstemperaturen eines elektrischen Bauteils
EP2117094B1 (de) Überwachungsschaltung und Verfahren zum Prüfen der Schaltung
DE10243603B4 (de) Verfahren zur Verwendung beim Trimmen, Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät zum Durchführen des Verfahrens und Halbleiter-Bauelement-Test-System
DE102023202744A1 (de) Gatter-Treiberschaltung, Testvorrichtung und Schaltverfahren
WO2018033374A1 (de) Schaltungsanordnung zur steuerung eines elektrischen verbrauchers
DE102008028423B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung von mindestens einer Einflussgröße eines Verbrennungsprozesses

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R084 Declaration of willingness to licence
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final