DE102014224768A1 - Organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur, Bauelement, Vorrichtung und Herstellung derselben - Google Patents

Organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur, Bauelement, Vorrichtung und Herstellung derselben Download PDF

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Abstract

Eine organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur umfasst eine organische Licht emittierende Einheit und eine die organische Licht emittierende Einheit bedeckende Filmstruktur. Die Filmstruktur umfasst einen ersten Film als untere Schicht, einen zweiten Film als obere Schicht und eine zwischen dem ersten und dem zweiten Film angeordnete Übergangsschicht. Der erste Film ist SiX oder SiXY, der zweite Film ist SiY oder SiXY und die Übergangsschicht umfasst mehrere SiXnYm-Schichten. Der erste und der zweite Film weisen unterschiedliche Materialien auf. Eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen zwei benachbarten SiXnYm-Schichten in der Übergangsschicht ist größer als eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem ersten Film und seiner benachbarten SiXnYm-Schicht oder eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem zweiten Film und seiner benachbarten SiXnYm-Schicht. Ein Wert m oder n liegt zwischen einschließlich 0 und 1.

Description

  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der chinesischen Patentanmeldung Nr. 201410307012.9 mit dem Titel „ORGANIC LIGHT EMITTING FILM PACKAGE STRUCTURE, DEVICE, APPARATUS, AND FABRICATION THEREOF”, die am 30. Juni 2014 beim chinesischen Patentamt eingereicht wurde und deren gesamte Offenbarung durch Bezugnahme in das vorliegende Dokument aufgenommen ist.
  • Die vorliegende Anmeldung bezieht sich auf eine organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur, ein Licht emittierendes Bauelement und eine Licht emittierende Vorrichtung, die dasselbe enthält, sowie auf ein Herstellungsverfahren derselben.
  • Existierende Filmpackungsstrukturen mit organischen Licht emittierenden Dioden (OLED, organic light-emitting diodes) weisen die folgenden drei Typen auf.
  • Der erste Typ ist ein anorganisches-anorganisches Package-on-Package (Packung-auf-Packung), das eine anorganische Schicht A mit einer porösen Struktur, die vorwiegend zum Ableiten von Spannungen konfiguriert ist, und eine dichte anorganische Schicht B, die vorwiegend zum Trennen von Wasserdampf und Sauerstoff konfiguriert ist, umfasst.
  • Der zweite Typ ist ein anorganisches-organisches Package-on-Package, das eine organische Schicht, die vorwiegend zum Ableiten von Spannungen konfiguriert ist, und eine dichte anorganische Schicht, die vorwiegend zum Trennen von Wasserdampf und Sauerstoff konfiguriert ist, umfasst.
  • Der dritte Typ ist ein Hybridpolymer-anorganisches Package-on-Package, das eine Hybridpolymerschicht, die vorwiegend zum Ableiten von Spannungen konfiguriert ist, und eine dichte anorganische Schicht, die vorwiegend zum Trennen von Wasserdampf und Sauerstoff konfiguriert ist, umfasst.
  • Ein vorhandenes Trennungsverfahren für eine OLED-Filmpackung umfasst: Abscheiden einer anorganischen Schicht mittels plasmagestützter chemischer Dampfabscheidung (PECVD – plasma enhanced chemical vapor deposition) auf einem vorbereiteten OLED-Bauelement, Abscheiden einer organischen Schicht mittels PECVD und Abscheiden von 3 bis 7 Schichten auf dieselbe Weise, um eine Filmpackungsstruktur zu bilden. Außerdem kann vor dem Abscheiden der Filme eine Schutzschicht abgeschieden werden, um einen Schaden am Bauelement zu verhindern.
  • Unter den obigen OLED-Filmpackungsstrukturen gibt es keine Packungsstruktur, die ein gutes umfassendes Verhalten in Bezug auf Spannungsbeständigkeit, Wasserdampfdurchlässigkeitsrate (WVTR – water vapor transmission rate) und Sauerstoffdurchlässigkeitsrate (OTR – oxygen transmission rate), Lichtdurchlässigkeit und Brechungsindex aufweist.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur, ein organisches Licht emittierendes Bauelement, eine Anzeigevorrichtung sowie ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht emittierenden Filmpackungsstruktur zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch eine organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur gemäß Anspruch 1, durch ein organisches Licht emittierendes Bauelement gemäß Anspruch 9, durch eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 10 sowie durch ein Verfahren gemäß Anspruch 11 gelöst.
  • Um die obigen Probleme zu lösen, liefern Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung eine organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur, ein organisches Licht emittierendes Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht emittierenden Filmpackungsstruktur. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst eine organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur eine organische Licht emittierende Einheit und eine Filmstruktur, die die organische Licht emittierende Einheit bedeckt. Die Filmstruktur umfasst einen ersten Film als untere Schicht, einen zweiten Film als obere Schicht und eine zwischen dem ersten Film und dem zweiten Film angeordnete Übergangsschicht. Der erste Film ist SiX oder SiXY, der zweite Film ist SiY oder SiXY und die Übergangsschicht umfasst mehrere SiXnYm-Schichten, wobei sich Material des ersten Films von Material des zweiten Films unterscheidet. Eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen zwei benachbarten SiXnYm-Schichten in der Übergangsschicht ist größer als eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem ersten Film und einer zu dem ersten Film benachbarten SiXnYm-Schicht oder eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem zweiten Film und einer zu dem zweiten Film benachbarten SiXnYm-Schicht. Ein Wert m oder ein Wert n liegen beide zwischen einschließlich 0 und 1. X ist O, C oder N, Y ist O, C oder N und X und Y sind unterschiedliche Atome.
  • Bei einem anderen Ausführungsbeispiel umfasst ein organisches Licht emittierendes Bauelement eine organische Licht emittierende Einheit und die oben beschriebene organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur.
  • Bei einem wieder anderen Ausführungsbeispiel umfasst eine Anzeigevorrichtung das oben beschriebene organische Licht emittierende Bauelement.
  • Bei manchen Ausführungsbeispielen umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht emittierenden Filmpackungsstruktur Folgende Schritte: Bereitstellen einer organischen Licht emittierenden Einheit; Bilden eines ersten Films einer Filmstruktur mittels PECVD auf der organischen Licht emittierenden Einheit; Bilden einer Übergangsschicht der Filmstruktur durch Anpassen eines Gasflusses eines eingebrachten Gases; und Bilden eines zweiten Films mittels PECVD auf der Übergangsschicht. Der erste Film ist SiX oder SiXY, der zweite Film ist SiY oder SiXY und die Übergangsschicht umfasst mehrere SiXnYm-Schichten, wobei der erste Film aus einem anderen Material gebildet ist als der zweite Film. Eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen zwei benachbarten SiXnYm-Schichten in der Übergangsschicht ist größer als eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem ersten Film und einer zu dem ersten Film benachbarten SiXnYm-Schicht oder eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem zweiten Film und einer zu dem zweiten Film benachbarten SiXnYm-Schicht. Ein Wert m und ein Wert n liegen beide zwischen einschließlich 0 und 1. X ist O, C oder N, Y ist O, C oder N und X und Y sind unterschiedliche Atome.
  • Anhand der technischen Lösungen der Anmeldung wird unter einer Bedingung, dass eine Spannung der Filme verbessert wird, eine umfassend gutes Verhalten der Filme gewährleistet.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine Querschnittsansicht einer Packungsstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anmeldung; und
  • 2 eine Querschnittsansicht einer Packungsstruktur gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Anmeldung.
  • Die folgende ausführliche Beschreibung bestimmter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung wird besser verständlich, wenn sie im Zusammenhang mit den beiliegenden Zeichnungen gelesen wird. Es versteht sich, dass die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele lediglich zum Beschreiben der Erfindung bereitgestellt werden und keine Einschränkung darstellen. Ferner sollte man beachten, dass der Zweckmäßigkeit der Beschreibung halber in den Zeichnungen lediglich Inhalte gezeigt sind, die für die vorliegende Erfindung relevant sind, und nicht alle Inhalte.
  • Die Angabe von Zahlenbereichen durch Endpunkte umfasst alle in diesem Bereich enthaltenen Zahlen (0 bis 1 umfasst z. B. 0,1, 0,15, 0,26 und 1,0) und jeglichen innerhalb dieses Bereichs liegenden Bereich.
  • Relative Begriffe wie z. B. „unten, untere(r, s)” und „oben, obere(r, s)” werden hierin dazu verwendet, eine Beziehung eines Elements, einer Schicht oder einer Region zu einem anderen Element, einer anderen Schicht oder einer anderen Region, wie in den Figuren veranschaulicht, zu beschreiben. Man wird verstehen, dass diese Begriffe verschiedene Ausrichtungen der Struktur zusätzlich zu der in den Figuren gezeigten Ausrichtung einschließen sollen.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird eine organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur bereitgestellt. Die organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur umfasst eine organische Licht emittierende Einheit und eine die organische Licht emittierende Einheit bedeckende Filmstruktur. Die Filmstruktur umfasst einen unten an der Filmstruktur angeordneten ersten Film, einen zweiten Film oben an der Filmstruktur und eine zwischen dem ersten Film und dem zweiten Film angeordnete Übergangsschicht. Der erste Film ist SiX oder SiXY, der zweite Film ist SiY oder SiXY und die Übergangsschicht umfasst mehrere SiXnYm-Schichten, wobei sich das Material des ersten Films von dem Material des zweiten Films unterscheidet. Eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen zwei benachbarten SiXnYm-Schichten in der Übergangsschicht ist größer als eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem ersten Film und einer zu dem ersten Film benachbarten SiXnYm-Schicht oder eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem zweiten Film und einer zu dem zweiten Film benachbarten SiXnYm-Schicht. Ein Wert m und ein Wert n liegen beide zwischen einschließlich 0 und 1. X ist O, C oder N, Y ist O, C oder N und X und Y sind unterschiedliche Atome. Si ist ein Siliziumatom, O ist ein Sauerstoffatom, C ist ein Kohlenstoffatom und N ist ein Stickstoffatom.
  • Um das Verständnis der Anmeldung zu fördern, sind vorzuziehende Ausführungsbeispiele bereitgestellt. Die nachstehenden vorzuziehenden Ausführungsbeispiele sollen die Erfindung lediglich veranschaulichen, wobei Ausführungsbeispiele der Anmeldung nicht auf die nachstehenden Ausführungsbeispiele beschränkt sind.
  • Erstes Vergleichsbeispiel
  • Als Erstes wird eine organische Licht emittierende Einheit mittels Verdampfung gebildet, und eine Pufferschicht wird mittels Vakuumverdampfung gebildet.
  • Als Zweites wird ein erster Film über der Pufferschicht mittels PECVD gebildet. Der erste Film kann eine organische-anorganische Hybridschicht, eine organische Schicht oder eine anorganische Schicht wie z. B. SiN, SiOC oder SiCN sein. Bei diesem Vergleichsbeispiel wird SiN als erster Film mit einer Dicke von 1 um angenommen.
  • Zuletzt wird über dem ersten Film ein zweiter Film mittels PECVD gebildet. Der zweite Film ist eine anorganische Schicht wie z. B. SiN oder SiO. Bei diesem Vergleichsbeispiel wird SiCN als zweiter Film mit einer Dicke von 1 um angenommen.
  • Zweites Vergleichsbeispiel
  • Als Erstes wird eine organische Licht emittierende Einheit mittels Verdampfung gebildet.
  • Nach der Verdampfung der organischen Licht emittierenden Einheit wird mittels Vakuumverdampfung eine Pufferschicht gebildet. Allgemein kann ein Puffermaterial ein organischer Film aus NPB, C60, CPB oder Alq3 sein.
  • Ein erster Film wird mittels PECVD gebildet. Der erste Film kann eine organische-anorganische Hybridschicht, eine organische Schicht oder eine anorganische Schicht wie z. B. SiN, SiOC oder SiCN sein. Bei diesem Vergleichsbeispiel wird SiN als erster Film mit einer Dicke von 0,4 um angenommen.
  • Eine Übergangsschicht wird durch Anpassen eines Gasflusses eines eingebrachten Gases gebildet. Insbesondere umfasst die Übergangsschicht Schichten aus SiC0,2N0,8, SiC0,4N0,6, SiC0,6N0,4 und SiC0,8N0,2, die von unten nach oben übereinander liegen, wobei jede dieser Schichten eine Dicke von 0,3 um aufweist.
  • Zuletzt wird ein zweiter Film mittels PECVD gebildet. Der zweite Film ist eine anorganische Schicht wie z. B. SiN oder SiO. Bei dem zweiten Vergleichsbeispiel wird SiCN als zweiter Film mit einer Dicke von 0,4 um angenommen.
  • Erstes Ausführungsbeispiel
  • 1 ist ein Diagramm einer Filmpackungsstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anmeldung.
  • Als Erstes wird mittels Verdampfung eine organische Licht emittierende Einheit (in 1 nicht gezeigt) gebildet. Ein Prozess zum Bilden der organischen Licht emittierenden Einheit ist hinreichend bekannt und wird hierin nicht beschrieben.
  • Nach der Verdampfung der organischen Licht emittierenden Einheit wird mittels Vakuumverdampfung eine Pufferschicht (in 1 nicht gezeigt) gebildet. Allgemein kann ein Puffermaterial ein organischer Film aus NPB, C60, CPB oder Alq3 sein.
  • Ein erster Film 101 wird mittels PECVD gebildet. Der erste Film 101 kann eine organische-anorganische Hybridschicht, eine organische Schicht oder eine anorganische Schicht wie z. B. SiN, SiOC oder SiCN sein. Bei dem Ausführungsbeispiel wird SiN als erster Film mit einer Dicke von 0,4 um angenommen.
  • Eine Übergangsschicht 102 wird durch Anpassen eines Gasflusses eines eingebrachten Gases N2 gebildet. Insbesondere umfasst die Übergangsschicht mehrere Schichten aus SiC0,1N0,9, SiC0,2N0,8, SiC0,8N0,2 und SiC0,9N0,1 die von unten nach oben übereinander liegen, wobei jede dieser Schichten eine Dicke von 0,3 um aufweist.
  • Zuletzt wird ein zweiter Film 103 mittels PECVD gebildet. Der zweite Film ist eine anorganische Schicht wie z. B. SiN oder SiO. Bei dem Ausführungsbeispiel wird SiCN als zweiter Film mit einer Dicke von 0,4 um angenommen.
  • Eine Differenz des Atomverhältnisses von C oder N zwischen zwei benachbarten Schichten in der Übergangsschicht ist größer als eine Differenz des Atomverhältnisses von C oder N zwischen dem ersten Film und seiner benachbarten Schicht in der Übergangsschicht oder eine Differenz des Atomverhältnisses von C oder N zwischen dem zweiten Film und seiner benachbarten Schicht in der Übergangsschicht. Bei dem Ausführungsbeispiel beträgt die Differenz des Atomverhältnisses von C zwischen dem ersten Film und seiner benachbarten Schicht in der Übergangsschicht 0,1, und die Differenz des Atomverhältnisses von N zwischen dem ersten Film und seiner benachbarten Schicht in der Übergangsschicht beträgt 0,1. Die Differenz des Atomverhältnisses von C zwischen zwei benachbarten Schichten SiC0,2N0,8 und SiC0,8N0,2 beträgt 0,6, und die Differenz von Atomverhältnissen von N zwischen zwei benachbarten Schichten SiC0,2N0,8 und SiC0,8N0,2 beträgt 0,6, die größer sind als die obigen Differenzen des Atomverhältnisses zwischen dem ersten Film und seiner benachbarten Schicht in der Übergangsschicht. Das Ausführungsbeispiel ist lediglich ein vorzuziehendes Ausführungsbeispiel, und die Struktur der Übergangsschicht kann von Fachleuten angepasst werden, solange die obige Bedingung erfüllt ist, d. h. dass die Differenz des Atomverhältnisses von C oder N zwischen zwei benachbarten Schichten in der Übergangsschicht größer ist als eine Differenz des Atomverhältnisses von C oder N zwischen dem ersten Film und seiner benachbarten Schicht in der Übergangsschicht oder eine Differenz des Atomverhältnisses von C oder N zwischen dem zweiten Film und seiner benachbarten Schicht in der Übergangsschicht. Außerdem ist bei der Anmeldung ein weiteres vorzuziehendes Entwurfsschema bereitgestellt, das heißt in der Übergangsschicht von oben nach unten oder von unten nach oben nimmt die Differenz des Atomverhältnisses zwischen zwei benachbarten Schichten in der Übergangsschicht allmählich zu und anschließend allmählich ab; die Filmpackungsstruktur kann seitens Fachleuten gemäß dem Entwurfsschema entworfen werden.
  • Zweites Ausführungsbeispiel
  • Als Erstes wird mittels Verdampfung eine organische Licht emittierende Einheit gebildet.
  • Nach der Verdampfung der organischen Licht emittierenden Einheit wird mittels Vakuumverdampfung eine Pufferschicht gebildet. Allgemein kann ein Puffermaterial ein organischer Film aus NPB, C60, CPB oder Alq3 sein.
  • Ein erster Film wird mittels PECVD gebildet. Der erste Film kann eine organische-anorganische Hybridschicht, eine organische Schicht oder eine anorganische Schicht wie z. B. SiN, SiOC oder SiCN sein. Bei dem Ausführungsbeispiel wird SiN als erster Film mit einer Dicke von 0,2 um angenommen.
  • Eine Übergangsschicht wird durch Anpassen eines Gasflusses eines eingebrachten Gases N2 gebildet. Insbesondere umfasst die Übergangsschicht Schichten aus SiC0,1N0,9, SiC0,2N0,8, SiC0,8N0,2 und SiC0,9N0,1, die von unten nach oben übereinander liegen, wobei jede dieser Schichten eine Dicke von 0,4 um aufweist.
  • Zuletzt wird ein zweiter Film mittels PECVD gebildet. Der zweite Film ist eine anorganische Schicht wie z. B. SiN oder SiO. Bei dem Ausführungsbeispiel wird SiCN als zweiter Film mit einer Dicke von 0,2 um angenommen.
  • Drittes Ausführungsbeispiel
  • 2 ist ein Diagramm einer Filmpackungsstruktur gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel.
  • Als Erstes wird mittels Verdampfung eine organische Licht emittierende Einheit gebildet.
  • Nach der Verdampfung der organischen Licht emittierenden Einheit wird mittels Vakuumverdampfung eine Pufferschicht gebildet. Allgemein kann ein Puffermaterial ein organischer Film aus NPB, C60, CPB oder Alq3 sein.
  • Ein erster Film 201 wird mittels PECVD gebildet. Der erste Film 201 kann eine organische-anorganische Hybridschicht, eine organische Schicht oder eine anorganische Schicht wie z. B. SiN, SiOC oder SiCN sein. Bei dem Ausführungsbeispiel wird SiO als erster Film mit einer Dicke von 0,4 um angenommen.
  • Eine Übergangsschicht 202 wird durch Anpassen eines Gasflusses eines eingebrachten Gases N2 gebildet. Insbesondere umfasst die Übergangsschicht Schichten aus SiO0,9N0,1, SiO0,8N0,2, SiO0,2N0,8 und SiO0,1N0,9, die von unten nach oben übereinander liegen, wobei jede dieser Schichten eine Dicke von 0,3 um aufweist.
  • Zuletzt wird ein zweiter Film 203 mittels PECVD gebildet. Der zweite Film 203 ist eine anorganische Schicht wie z. B. SiN oder SiO. Bei dem Ausführungsbeispiel wird SiN als zweiter Film mit einer Dicke von 0,4 um angenommen.
  • Viertes Ausführungsbeispiel
  • Als Erstes wird mittels Verdampfung eine organische Licht emittierende Einheit gebildet.
  • Nach der Verdampfung der organischen Licht emittierenden Einheit wird mittels Vakuumverdampfung eine Pufferschicht gebildet. Allgemein kann ein Puffermaterial ein organischer Film aus NPB, C60, CPB oder Alq3 sein.
  • Ein erster Film wird mittels PECVD gebildet. Der erste Film kann eine organische-anorganische Hybridschicht, eine organische Schicht oder eine anorganische Schicht wie z. B. SiN, SiOC oder SiCN sein. Bei dem Ausführungsbeispiel wird SiO als erster Film mit einer Dicke von 0,4 um angenommen.
  • Eine Übergangsschicht wird durch Anpassen eines Gasflusses eines eingebrachten Gases N2 gebildet. Insbesondere umfasst die Übergangsschicht Schichten aus SiO0,9N0,1, SiO0,7N0,3, SiO0,3N0,7 und SiO0,1N0,9, die von unten nach oben übereinander liegen, wobei jede dieser Schichten eine Dicke von 0,3 um aufweist.
  • Zuletzt wird ein zweiter Film mittels PECVD gebildet. Der zweite Film ist eine anorganische Schicht wie z. B. SiN oder SiO. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird SiN als zweiter Film mit einer Dicke von 0,4 um angenommen.
  • Fünftes Ausführungsbeispiel
  • Als Erstes wird mittels Verdampfung eine organische Licht emittierende Einheit gebildet.
  • Nach der Verdampfung der organischen Licht emittierenden Einheit wird mittels Vakuumverdampfung eine Pufferschicht gebildet. Allgemein kann ein Puffermaterial ein organischer Film aus NPB, C60, CPB oder Alq3 sein.
  • Ein erster Film wird mittels PECVD gebildet. Der erste Film kann eine organische-anorganische Hybridschicht, eine organische Schicht oder eine anorganische Schicht wie z. B. SiN, SiOC oder SiCN sein. Bei dem Ausführungsbeispiel wird SiO als erster Film mit einer Dicke von 0,4 um angenommen.
  • Eine Übergangsschicht wird durch Anpassen eines Gasflusses eines eingebrachten Gases N2 gebildet. Insbesondere umfasst die Übergangsschicht Schichten aus SiO0,9N0,1, SiO0,7N0,3, SiO0,2N0,8 und SiO0,1N0,9, die von unten nach oben übereinander liegen, wobei jede dieser Schichten eine Dicke von 0,3 um aufweist.
  • Zuletzt wird ein zweiter Film mittels PECVD gebildet. Der zweite Film ist eine anorganische Schicht wie z. B. SiN oder SiO. Bei dem Ausführungsbeispiel wird SiN als zweiter Film mit einer Dicke von 0,4 um angenommen.
  • Verhaltenstests
  • Verhaltenstests bezüglich sechs Aspekten einschließlich Spannung, WVTR und OTR, Anhaftungseigenschaft, Lichtdurchlässigkeit, Brechungsindex und Funktionstüchtigkeit werden an dem ersten Ausführungsbeispiel und dem ersten und dem zweiten Vergleichsbeispiel durchgeführt. Bezüglich Einzelheiten zu Testverfahren und -ergebnissen wird auf die folgenden Informationen und die folgende Tabelle verwiesen.
  • Spannung
  • Grenzflächen Spannung entsteht aufgrund von Differenzen bei Materialien oder Gitterstrukturen zwischen benachbarten Filmen; und je größer die strukturelle Differenz, desto größer kann die Grenzflächen Spannung werden. Eine Art und Weise, die Spannung zu verringern, kann dadurch erzielt werden, dass ähnliche Materialien oder Materialien mit ähnlichen Gitterstrukturen gewählt werden.
  • WVTR und OTR
  • Ein Ausmaß eines Verlustes an Ca-Film aufgrund des Wasserdampfes, der den Film passiert, wird durch einen Mocon-Maschinentest beobachtet.
  • Ein Mehrschichtfilm kann mittels einer Zuverlässigkeitsanalyse beobachtet werden, die an einer mit einer Filmpackung versehenen Probe durchgeführt wird (Zuverlässigkeitsanalyse gibt an: Platzieren der mit einer Filmpackung versehenen Probe im 60°C/90% RH oder 40°C/90% RH und Beobachten eines Garantiezeitraums der Probe).
  • Anhaftungseigenschaft
  • Eine mit einer Filmpackung versehene Probe wird in eine bestimmte Umgebung platziert (60°C/90% RH oder 40°C/90% RH oder eine andere Bedingung). Nach einem gewissen Zeitraum werden durch ein Mikroskop ein Ablösungsphänomen oder Lufttaschen des Films beobachtet. Je gravierender das Ablösungsphänomen, desto schlechter die Anhaftungseigenschaft.
  • Lichtdurchlässigkeit
  • Die Lichtdurchlässigkeit wird mittels eines Lichtdurchlässigkeitstesters getestet. Ein Glassubstrat wird mit einem Film beschichtet, zunächst wird eine Durchlässigkeit sichtbaren Lichts des Glassubstrats getestet, und anschließend wird die Durchlässigkeit sichtbaren Lichts des Glassubstrats als Referenz verwendet, um eine Durchlässigkeit des mit dem Film beschichteten Glassubstrats zu testen.
  • Brechungsindex
  • Mittels eines Ellipsometers wird an einem mit einem Film beschichteten Wafer ein Test durchgeführt.
  • Funktionstüchtigkeit
  • Während der Herstellung eines Films ist die Funktionstüchtigkeit gering, falls der Gasfluss in Echtzeit oder häufig eingestellt wird, und die Funktionstüchtigkeit ist hoch, falls der Gasfluss nicht eingestellt wird.
  • Tabelle 1 zeigt die Niveaus von Verhaltenstests des ersten und des zweiten Vergleichsbeispiels und des ersten Ausführungsbeispiels. Das Niveau 1 ist das schlechteste Verhalten, und das Niveau 5 ist das beste Verhalten. TABELLE 1
    Spannung WVTR und OTR Anhaftungseigenschaft Lichtdurchlässigkeit Brechungsindex Funktionstüchtigkeit
    erstes Vergleichsbeispiel Niveau 1 Niveau 4 Niveau 4 Niveau 4 Niveau 4 Niveau 4
    zweites Vergleichsbeispiel Niveau 4 Niveau 2 Niveau 2 Niveau 4 Niveau 4 Niveau 3
    erstes Ausführungsbeispiel Niveau 3 Niveau 3 Niveau 3 Niveau 4 Niveau 4 Niveau 3
    *In der obigen Tabelle ist das Verhalten durch Niveau 5 bis Niveau 1 von gut bis schlecht angegeben.
  • Folgendes kann man aus der obigen Tabelle 1 ersehen.
  • Spannung. Da bei dem ersten Vergleichsbeispiel zwei unterschiedliche Materialien direkt miteinander in Kontakt gebracht werden, entsteht zwischen denselben eine hohe Spannung. Sowohl bei dem zweiten Vergleichsbeispiel als auch bei dem ersten Ausführungsbeispiel liegt eine Übergangsschicht vor. Aufgrund eines gleichmäßigen Übergangs bei dem zweiten Vergleichsbeispiel schneidet das zweite Vergleichsbeispiel besser ab als das erste Ausführungsbeispiel. Deshalb gilt für Spannungsverhalten: zweites Vergleichsbeispiel > erstes Ausführungsbeispiel > erstes Vergleichsbeispiel. Mit anderen Worten weist das zweite Vergleichsbeispiel ein besseres Spannungsverhalten auf als das erste Ausführungsbeispiel, welches wiederum besser ist als das erste Vergleichsbeispiel.
  • WVTR und OTR. Eine äußerste Schicht ist eine Wasserdampfbarriere, und eine Fähigkeit der Wasserdampfbarriere hängt eng mit der Anzahl der Schichten derselben zusammen. Falls A0.9B0.1 als überlagerte Schichten von 0.9A und 0.1B betrachtet werden, so gilt für die gesamte Dicke der äußersten Schicht der Wasserdampfbarriere: erstes Vergleichsbeispiel (falls 300) > erstes Ausführungsbeispiel (100 + 90 + 80) > zweites Vergleichsbeispiel (100 + 80 + 60). Deshalb gilt für die Fähigkeit der Wasserdampfbarriere: erstes Vergleichsbeispiel > erstes Ausführungsbeispiel > zweites Vergleichsbeispiel.
  • Fähigkeit der Anhaftung an einem Bauelement. Die Fähigkeit der Anhaftung an einem Bauelement ist auf eine mit einem OLED-Bauelement zu kombinierende Schicht bezogen und ist auch auf die Dicke der zu kombinierenden Schicht bezogen, mit einem selben Prinzip wie die Wasserdampfdurchlässigkeit. Deshalb gilt für die Fähigkeit der Anhaftung an einem Bauelement: erstes Vergleichsbeispiel > erstes Ausführungsbeispiel > zweites Vergleichsbeispiel.
  • Brechungsindex und Lichtdurchlässigkeit. Für ein ganzes Bauelement ist unter Bedingungen, bei denen eine Dicke einer gesamten Packungsschicht dieselbe ist, und bei dem andere Bedingungen bezüglich einer Verdampfung dieselben sind, der Brechungsindex derselbe und auch die Lichtdurchlässigkeit ist dieselbe. Deshalb gilt bezüglich des Brechungsindizes und der Lichtdurchlässigkeit: erstes Vergleichsbeispiel = zweites Vergleichsbeispiel = erstes Ausführungsbeispiel. Mit anderen Worten sind der Brechungsindex und die Lichtdurchlässigkeit des ersten und des zweiten Vergleichsbeispiels und des ersten Ausführungsbeispiels gleich gut.
  • Funktionstüchtigkeit. Da bei dem zweiten Vergleichsbeispiel und bei dem ersten Ausführungsbeispiel der Gasfluss immer dann gesteuert werden muss, wenn es notwendig ist, ist die Funktionstüchtigkeit schlechter als bei dem ersten Vergleichsbeispiel. Deshalb gilt bezüglich der Funktionstüchtigkeit: erstes Vergleichsbeispiel > zweites Vergleichsbeispiel = erstes Ausführungsbeispiel.
  • Zusammengefasst schneidet die Struktur bei dem ersten Vergleichsbeispiel bezüglich WVTR und OTR, Anhaftungsfähigkeit, Funktionstüchtigkeit, Brechungsindex und Lichtdurchlässigkeit gut ab. Jedoch bringt die hohe Spannung zwischen Filmen bei dem ersten Vergleichsbeispiel schwerwiegende Probleme wie beispielsweise ein Abblättern von Filmen und Risse mit sich und bewirkt einen Ausfall der Packung.
  • Die Spannung zwischen Filmen der Struktur bei dem zweiten Vergleichsbeispiel ist stark verbessert. Jedoch sind andere Verhaltensweisen der Filme beträchtlich verschlechtert.
  • Die Spannung zwischen Filmen der Struktur bei dem Ausführungsbeispiel der Anmeldung ist verbessert und andere Verhaltensweisen der Filme sind gewährleistet.
  • Zusammengefasst liefert das Ausführungsbeispiel der Anmeldung für eine OLED-Packung im Vergleich zu dem ersten Vergleichsbeispiel und dem zweiten Vergleichsbeispiel eine Struktur mit einem besten umfassenden Verhalten.
  • Ferner wird ein organisches Licht emittierendes Bauelement gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anmeldung bereitgestellt, das eine organische Licht emittierende Einheit und die obige Filmstruktur umfasst.
  • Ferner wird gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anmeldung eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die das obige organische Licht emittierende Bauelement umfasst.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht emittierenden Filmpackungsstruktur bereitgestellt. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer organischen Licht emittierenden Einheit, die eine Mehrzahl von organischen Licht emittierenden Dioden und andere verwandte Komponenten aufweist; Bilden eines ersten Films einer Filmstruktur mittels PECVD auf der organischen Licht emittierenden Einheit; Bilden einer Übergangsschicht der Filmstruktur durch Anpassen eines Gasflusses eines eingebrachten Gases; und Bilden eines zweiten Films mittels PECVD auf der Übergangsschicht. Ein Prozess des Bildens der organischen Licht emittierenden Einheit ist hinreichend bekannt und wird hierin nicht beschrieben.
  • Der erste Film ist SiX oder SiXY, der zweite Film ist SiY oder SiXY und die Übergangsschicht umfasst mehrere SiXnYm-Schichten, wobei sich Material des ersten Films von Material des zweiten Films unterscheidet.
  • Eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen zwei benachbarten SiXnYm-Schichten in der Übergangsschicht ist größer als eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem ersten Film und einer zu dem ersten Film benachbarten SiXnYm-Schicht oder eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem zweiten Film und einer zu dem zweiten Film benachbarten SiXnYm-Schicht.
  • Ein Wert m und ein Wert n liegen beide zwischen einschließlich 0 und 1.
  • X ist O, C oder N, Y ist O, C oder N und X und Y sind unterschiedliche Atome.
  • Unter Bezugnahme auf 1 und 2 kann der erste Film ein SiN-Film oder ein SiO-Film sein. Der zweite Film kann SiCN oder SiN sein. Die SiXnYm-Schichten können SiCnVm-Schichten oder SiOnNm-Schichten sein.
  • Das Verfahren umfasst ferner ein Bilden einer Pufferschicht auf der organischen Licht emittierenden Einheit vor dem Bilden des ersten Films. Das Verfahren umfasst ferner ein Verdampfen der Pufferschicht nach Bildung der Filmstruktur (die den ersten Film, die Übergangsschicht und den zweiten Film aufweist) auf dem Puffer.
  • Die zuvor erwähnten Ausführungsbeispiele sind lediglich vorzuziehende Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und führen zu einem besseren Verständnis der vorliegenden Erfindung bei Fachleuten. Jedoch ist der Schutzumfang nicht auf diese beschränkt. Jegliche Modifikationen, jeglicher äquivalente Ersatz und jegliche Verbesserungen, die innerhalb der Wesensart und der Prinzipien der Anmeldung vorgenommen werden, sind in dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung enthalten.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • CN 201410307012 [0001]

Claims (12)

  1. Organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur, die eine organische Licht emittierende Einheit und eine die organische Licht emittierende Einheit bedeckende Filmstruktur aufweist, wobei die Filmstruktur einen ersten Film (101; 201) als unteren Film, einen zweiten Film (103; 203) als oberen Film und eine zwischen dem ersten Film und dem zweiten Film angeordnete Übergangsschicht (102; 202) aufweist, wobei der erste Film SiX oder SiXY ist, der zweite Film SiY oder SiXY ist und die Übergangsschicht eine Mehrzahl von SiXnYm-Schichten aufweist, wobei der erste Film aus einem anderen Material gebildet ist als der zweite Film, wobei eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen zwei benachbarten SiXnYm-Schichten in der Übergangsschicht größer ist als eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem ersten Film und einer zu dem ersten Film benachbarten SiXnYm-Schicht oder eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem zweiten Film und einer zu dem zweiten Film benachbarten SiXnYm-Schicht, wobei ein Wert m und ein Wert n zwischen einschließlich 0 und 1 liegen; wobei X O, C oder N ist, Y O, C oder N ist und X und Y unterschiedliche Atome sind.
  2. Organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur gemäß Anspruch 1, bei der eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen benachbarten SiXnYm-Schichten entlang einer Richtung von dem ersten Film (101; 201) zu dem zweiten Film (103; 203) oder entlang einer Richtung von dem zweiten Film zu dem ersten Film allmählich zunimmt und anschließend allmählich abnimmt.
  3. Organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur gemäß Anspruch 2, bei der der erste Film (101; 201) der Filmstruktur SiCN ist, der zweite Film (103; 203) der Filmstruktur SiN ist und die Übergangsschicht SiCnNm ist.
  4. Organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur gemäß Anspruch 3, bei der die Übergangsschicht (102; 202) eine SiC0,9N-Schicht, eine SiC0,8N-Schicht, eine SiC0,2N-Schicht und eine SiC0,1N-Schicht aufweist, die entlang der Richtung von dem ersten Film (101; 201) zu dem zweiten Film (103; 203) übereinander liegen.
  5. Organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur gemäß Anspruch 4, bei der eine Dicke der SiC0,1N-Schicht in einem Bereich zwischen 0,1 um und 0,5 um liegt, eine Dicke der SiC0,2N-Schicht in einem Bereich zwischen 0,1 um und 0,5 um liegt, eine Dicke der SiC0,8N-Schicht in einem Bereich zwischen 0,1 um und 0,5 um liegt, eine Dicke der SiC0,9N-Schicht in einem Bereich zwischen 0,1 um und 0,5 liegt, eine Dicke des ersten Films (101; 201) in einem Bereich zwischen 0,2 um und 0,9 um liegt und eine Dicke des zweiten Films (103; 203) in einem Bereich zwischen 0,2 um und 0,9 um liegt.
  6. Organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 2 bis 5, bei der der erste Film (101; 201) SiO ist, der zweite Film (103; 203) SiN ist und die Übergangsschicht (102; 202) SiOnNm ist.
  7. Organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur gemäß Anspruch 6, bei der die Übergangsschicht (102; 202) eine SiO0,9N0,1-Schicht, eine SiO0,8N0,2-Schicht, eine SiO0,2N0,8-Schicht und eine SiO0,1N0,9-Schicht aufweist, die entlang der Richtung von dem ersten Film (101; 201) zu dem zweiten Film (103; 203) übereinander liegen.
  8. Organische Licht emittierende Filmpackungsstruktur gemäß Anspruch 7, bei der eine Dicke der SiC0,1N0,9-Schicht in einem Bereich zwischen 0,05 um und 0,1 um liegt, eine Dicke der SiC0,2N0,8-Schicht in einem Bereich zwischen 0,05 um und 0,1 um liegt, eine Dicke der SiC0,8N0,2-Schicht in einem Bereich zwischen 0,05 um und 0,1 um liegt, eine Dicke der SiC0,9N0,1-Schicht in einem Bereich zwischen 0,05 um und 0,1 liegt, eine Dicke des ersten Films (101; 201) in einem Bereich zwischen 0,1 um und 0,2 um liegt und eine Dicke des zweiten Films (103; 203) in einem Bereich zwischen 0,1 um und 0,2 um liegt.
  9. Organisches Licht emittierendes Bauelement, das eine organische Licht emittierende Einheit und eine Filmstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 aufweist.
  10. Anzeigevorrichtung, die das organische Licht emittierende Bauelement gemäß Anspruch 9 aufweist.
  11. Verfahren zum Herstellen einer organischen Licht emittierenden Filmpackungsstruktur, das folgende Schritte aufweist: Bereitstellen einer organischen Licht emittierenden Einheit; Bilden eines ersten Films (101; 201) einer Filmstruktur mittels plasmagestützter chemischer Dampfabscheidung auf der organischen Licht emittierenden Einheit; Bilden einer Übergangsschicht (102; 202) der Filmstruktur durch Anpassen des Gasflusses eines eingebrachten Gases; Bilden eines zweiten Films (103; 203) mittels plasmagestützter chemischer Dampfabscheidung auf der Übergangsschicht, wobei der erste Film SiX oder SiXY ist, der zweite Film SiY oder SiXY ist und die Übergangsschicht eine Mehrzahl von SiXnYm-Schichten aufweist, wobei der erste Film mit einem anderen Material gebildet ist als der zweite Film; wobei eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen zwei benachbarten SiXnYm-Schichten in der Übergangsschicht größer ist als eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem ersten Film und einer zu dem ersten Film benachbarten SiXnYm-Schicht oder eine Differenz des Atomverhältnisses von X oder Y zwischen dem zweiten Film und einer zu dem zweiten Film benachbarten SiXnYm-Schicht; wobei ein Wert m und ein Wert n zwischen einschließlich 0 und 1 liegen; wobei X O, C oder N ist, Y O, C oder N ist und X und Y unterschiedliche Atome sind.
  12. Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 11, das ferner folgenden Schritt aufweist: Verdampfen einer Pufferschicht zwischen dem ersten Film (101; 201) und der organischen Licht emittierenden Einheit.
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