DE102014210523A1 - Spannungsarmes Verkleben von Sensorchips - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft einen Sensor (7) zum Ausgeben eines Sensorsignals (10, 11, 12) basierend auf einer zu erfassende Messgröße (9), umfassend: – einen Verdrahtungsträger (26), und – eine wenigstens teilweise über einen Kleber (33) auf dem Verdrahtungsträger (26) aufgeklebte und verdrahtete Sensorschaltung (25) zum Ausgeben des Sensorsignals (10, 11, 12) basierend auf der zu erfassenden Messgröße (9), – wobei ein Elastizitätsmodul des Klebers (33) von einem Elastizitätsmodul des Verdrahtungsträgers (26) abhängig ist.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Sensor zum Ausgeben eines Sensorsignals basierend auf einer zu erfassenden Messgröße.
- Aus der
WO 2010/037 810 A1 - Es ist Aufgabe der Erfindung, den bekannten Sensor zu verbessern.
- Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst einen Sensor zum Ausgeben eines Sensorsignals basierend auf einer zu erfassenden Messgröße, einen Verdrahtungsträger und eine wenigstens teilweise über einen Kleber auf dem Verdrahtungsträger aufgeklebte und verdrahtete Sensorschaltung zum Ausgeben des Sensorsignals basierend auf der zu erfassenden Messgröße, wobei ein Elastizitätsmodul des Klebers von einem Elastizitätsmodul des Verdrahtungsträgers abhängig ist.
- Dem angegebenen Sensor liegt die Überlegung zugrunde, dass sich der die Sensorschaltung tragende Verdrahtungsträger über die Zeit verwölben könnte. Diese Verwölbungen können beispielsweise durch mechanische Verspannungen auftreten, die beim Aushärten einer Schutzmasse und/oder des Klebers entstehen, in der die Sensorschaltung zum Schutz vor Verwitterungen oder anderen äußeren Einflüssen eingehaust werden kann.
- Diese Verwölbungen wirken jedoch auf die Sensorschaltung und könnten die Erfassung der Messgröße beeinflussen, indem sie die Messgröße mit einem Fehler überlagern. Aus diesem Grunde wird im Rahmen des angegebenen Sensors vorgeschlagen, den Kleber dazu zu verwenden, zumindest einen Teil der Sensorschaltung mechanisch vom Verdrahtungsträger zu entkoppeln.
- Dies wird dadurch erreicht, dass das Elastizitätsmodul des Klebers in Abhängigkeit des Elastizitätsmoduls des Verdrahtungsträgers gewählt wird. Der Kleber sollte dabei möglichst das elastischste Bauteil in dieser Verbindung sein. Auf diese Weise wirkt der Kleber wie eine mechanische Entkopplung, die mechanische Verspannungen, wie die oben genannten Verwölbungen des Verdrahtungsträgers nicht an die Sensorschaltung weiterleitet.
- Andererseits sollte der Kleber aber nicht zu weich sein, weil der Kleber ansonsten ein zu schlechtes Fließverhalten besitzen würde, was zu einer besonders schlechten Langzeitstabilität der mechanischen Verbindung zwischen der Sensorschaltung und dem Verdrahtungsträger führen würde.
- In einer Weitebildung des angegebenen Sensors ist das Elastizitätsmodul des Verdrahtungsträgers 5 bis 25 mal, vorzugsweise 10 bis 20 mal und besonders bevorzugt 15 mal größer, als das Elastizitätsmodul des Klebers. In diesen Bereichen werden eine optimale mechanische Entkopplung der oben genannten Verwölbungen des Verdrahtungsträgers von der Sensorschaltung sowie eine hohe Langzeitstabilität der mechanischen Verbindung zwischen der Sensorschaltung und dem Verdrahtungsträger erreicht.
- In einer besonderen Weiterbildung des angegebenen Sensors ist der Kleber elektrisch leitfähig. Auf diese Weise ist eine elektrische Leitung zwischen Verdrahtungsträger und Sensorschaltung praktisch kostenlos hergestellt. Diese elektrische Leitung kann daher beispielsweise als Potenzialausgleich verwendet werden.
- In einer anderen Weiterbildung des angegebenen Sensors ist der Kleber wärmeleitfähig. Auf diese Weise kann bei der Erzeugung des Sensorsignals entstehende Abwärme aus der Sensorschaltung über den Verdrahtungsträger abgeführt werden, wodurch andere technische Maßnahmen zum Kühlen der Sensorschaltung zumindest kleiner ausfallen können.
- In einer noch anderen Weiterbildung des angegebenen Sensors weist der Kleber eine Schichtdicke auf, die eine vorbestimmte Schichtdicke unterschreitet. Auf diese Weise kann beim Abdrücken der Bauelemente der Sensorschaltung auf den Verdrahtungsträger vermieden werden, dass der Kleber in die Seitenbereiche des Bauelementes gedrückt wird, die auf diese Weise dann nach oben, vom Verdrahtungsträger weggedrückt werden könnten, was zu oben genannten und zu vermeidenden mechanischen Verspannungen führen würde.
- In einer weiteren Weiterbildung umfasst der angegebene Sensor eine die Sensorschaltung einhausende Schutzmasse. Diese Schutzmasse könnte, wie bereits erläutert die Sensorschaltung vor Verwitterung und anderen die Sensorschaltung beschädigenden Einflüssen schützen.
- In einer zusätzlichen Weiterbildung des angegebenen Sensors ist ein Elastizitätsmodul der Schutzmasse vom Elastizitätsmodul des Klebers abhängig. Auch hier sollte das Elastizitätsmodul des Klebers weiterhin so gewählt werden, dass er das elastischste Bauteil gegenüber dem Verdrahtungsträger und der Schutzmasse darstellt.
- Jedoch sollte die Schutzmasse zur Vermeidung von mechanischen Spannungen aus dem Verdrahtungsträger gegenüber diesem ebenfalls härter ausgebildet sein. Im Rahmen der oben genannten Angaben für das Verhältnis zwischen dem Elastizitätsmodul des Verdrahtungsträgers zum Elastizitätsmodul des Klebers sollte das Elastizitätsmodul der Schutzmasse 1 bis 5 mal, vorzugsweise 1,5 bis 3 mal und besonders bevorzugt 2 mal größer gewählt werden, als das Elastizitätsmodul des Klebers.
- In einer bevorzugten Weiterbildung des angegebenen Sensors sollte ein thermischer Ausdehnungskoeffizient der Schutzmasse zusätzlich von einem Ausdehnungskoeffizient wenigstens eines Schaltungselements der Sensorschaltung abhängig sein, so dass Wärmebewegungen der Schutzmasse so abgestimmt werden können, dass Auswirkungen auf die Sensorschaltung bei der Erzeugung des Sensorsignals möglichst gering sind.
- Das Schaltungselement, das in der Sensorschaltung dabei am meisten berücksichtigt werden sollte, der Messaufnehmer zum Erzeugen eines Gebersignals in Abhängigkeit der zu erfassenden Messgröße sein.
- Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei:
-
1 eine schematische Ansicht eines Fahrzeuges mit einer Fahrdynamikregelung, -
2 eine schematische Darstellung eines Inertialsensors in dem Fahrzeug der1 , -
3 eine schematische Darstellung eines alternativen Inertialsensors in dem Fahrzeug der1 , -
4 eine schematische Ansicht eines Inertialsensors in SMD-Bauart in einem ersten Herstellungszustand, -
5 eine schematische Ansicht eines Inertialsensors in SMD-Bauart in einem zweiten Herstellungszustand, -
6 eine schematische Ansicht eines Inertialsensors in SMD-Bauart in einem hergestellten Zustand, -
7 eine schematische Ansicht eines Inertialsensors in Satellitenbauart in einem ersten Herstellungszustand, -
8 eine schematische Ansicht eines Inertialsensors in Satellitenbauart in einem zweiten Herstellungszustand, -
9 eine schematische Ansicht eines Inertialsensors in Satellitenbauart in einem hergestellten Zustand, und -
10 eine Abfolge von Schritten für ein Herstellungsverfahren zum Herstellen eines Inertialsensors zeigen. - In den Figuren werden gleiche technische Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen und nur einmal beschrieben.
- Es wird auf
1 Bezug genommen, die eine schematische Ansicht eines Fahrzeuges1 mit einer an sich bekannten Fahrdynamikregelung zeigt. Details zu dieser Fahrdynamikregelung können beispielsweise derDE 10 2011 080 789 A1 entnommen werden. - Das Fahrzeug
1 umfasst ein Chassis2 und vier Räder3 . Jedes Rad3 kann über eine ortsfest am Chassis2 befestigte Bremse4 gegenüber dem Chassis2 verlangsamt werden, um eine Bewegung des Fahrzeuges1 auf einer nicht weiter dargestellten Straße zu verlangsamen. - Dabei kann es in einer dem Fachmann bekannten Weise passieren, dass das die Räder
3 des Fahrzeugs1 ihre Bodenhaftung verlieren und sich das Fahrzeug1 sogar von einer beispielsweise über ein nicht weiter gezeigtes Lenkrad vorgegebenen Trajektorie durch Untersteuern oder Übersteuern wegbewegt. Dies wird durch an sich bekannte Regelkreise wie ABS (Antiblockiersystem) und ESP (elektronisches Stabilitätsprogramm) vermieden. In derartigen Regelkreisen werden durch Sensoren Messdaten erfasst. Regler vergleichen die Messdaten dann mit Solldaten und führen die Messdaten mittels Stellgliedern an die Solldaten heran. - In der vorliegenden Ausführung weist das Fahrzeug
1 als Sensoren Drehzahlsensoren5 an den Rädern3 auf, die als Messdaten jeweils Drehzahlen6 der Räder3 erfassen. Ferner weist das Fahrzeug1 als Sensor einen Inertialsensor7 auf, der als Messdaten Fahrdynamidaten8 des Fahrzeuges1 erfasst aus denen beispielsweise eine Nickrate, eine Wankrate, eine in2 gezeigte Gierrate10 , eine in2 gezeigte Querbeschleunigung11 , eine in2 gezeigte Längsbeschleunigung12 und/oder eine Vertikalbeschleunigung in einer dem Fachmann an sich bekannten Weise ausgegeben werden kann. - Basierend auf den erfassten Drehzahlen
6 und Fahrdynamikdaten8 kann ein Regler9 in einer dem Fachmann bekannten Weise bestimmen, ob das Fahrzeug1 auf der Fahrbahn rutscht oder sogar von der oben genannten vorgegebenen Trajektorie abweicht und entsprechen mit einem an sich bekannten Reglerausgangssignal13 darauf reagieren. Das Reglerausgangssignal13 kann dann von einer Stelleinrichtung14 verwendet werden, um mittels Stellsignalen15 Stellglieder, wie die Bremsen4 anzusteuern, die auf das Rutschen und die Abweichung von der vorgegebenen Trajektorie in an sich bekannter Weise reagieren. - Der Regler
9 kann beispielsweise in eine an sich bekannte Motorsteuerung des Fahrzeuges1 integriert sein. Auch können der Regler9 und die Stelleinrichtung14 als eine gemeinsame Regeleinrichtung ausgebildet und optional in die zuvor genannte Motorsteuerung integriert sein. - Anhand des in
1 gezeigten Inertialsensors7 soll die vorliegende Erfindung näher verdeutlicht werden, auch wenn die vorliegende Erfindung an beliebigen elektronischen Vorrichtungen und insbesondere an beliebigen Sensoren, wie den Drehzahlsensoren5 , Magnetfeldsensoren, Körperschallsensoren oder Temperatursensoren umsetzbar ist. - Für die in
1 erläuterte Fahrdynamikregelung muss, wie beispielsweise in derDE 10 2006 053 308 A1 ausgeführt, mindestens die Gierrate10 erfasst werden. Auch die Erfassung der Querbeschleunigung11 ist im Rahmen der Fahrdynamikregelung sinnvoll. Jedoch können mit dem Inertialsensor7 applikationsabhängig Drehraten und Beschleunigungen in beliebigen Raumrichtungen erfasst werden. Dabei soll nachstehend der Übersichtlichkeit halber angenommen werden, dass für jede Drehrate und für jede Beschleunigung ein eigener Messaufnehmer notwendig ist, wobei die einzelnen Messaufnehmer in dem Inertialsensor7 der2 zu einem Sensorcluster15 zusammengefasst sind. - Der Inertialsensor
7 der2 soll beispielhaft als sechsachsiger Inertialsensor ausgebildet sein, der in der Lage ist, die Drehraten und Beschleunigungen in allen drei Raumrichtungen zu erfassen. Hierzu müsste der Sensorcluster15 unter der zuvor genannten Voraussetzung sechs verschiedene Messaufnehmer umfassen. Der Übersichtlichkeit halber sind in2 jedoch nur drei der Messaufnehmer in dem Sensorcluster15 dargestellt, und zwar im Einzelnen ein Gierratenmessaufnehmer16 , einen Querbeschleunigungsmessaufnehmer17 und einen Längsbeschleunigungsmessaufnehmer18 . - Jeder der Messaufnehmer
16 ,17 ,18 ist über Verdrahtungen19 an eine eigene Ansteuer- und Auswerteschaltung20 angeschlossen, über die der jeweilige Messaufnehmer16 ,17 ,18 an die jeweilige Ansteuer- und Auswerteschaltung20 ein nicht weiter indiziertes von der jeweiligen zu erfassenden Messgröße10 ,11 ,12 abhängiges Messsignal ausgibt. - Die einzelnen Signalaufbereitungsschaltungen
20 in dem Inertialsensor7 bestimmen aus dem jeweils empfangenen Messsignal aus den einzelnen Messaufnehmern16 ,17 ,18 die jeweilige Messgröße10 ,11 ,12 und geben sie als digitale Daten über Verdrahtungen an eine Datenschnittstelle21 aus. - Die Datenschnittstelle
21 moduliert die empfangenen digitalen Daten dann gemäß einem bestimmten Muster und überträgt sie als die Fahrdynamikdaten8 an den Regler9 . Das Modulationsmuster hängt dabei von der verwendeten Schnittstelle ab. Im Automobilbereich sind verschiedene Schnittstellen gängig, wie beispielsweise eine Schnittstelle zu einem Controller Area Network Bus, CAN-Bus genannt. Sensordaten, wie die Messgrößen10 ,11 ,12 aus dem Inertialsensor7 können jedoch in besonders effizienter Weise mit einer sogenannten Peripheral Sensor Interface5 Schnittstelle, PSI5-Schnittstelle genannt, über eine Zweidrahtleitung22 an den Regler9 übertragen werden, weshalb die Datenschnittstelle21 in besonders günstiger Weise als PSI5-Schnittstelle21 ausgebildet sein kann. Nähere Informationen hierzu können dem einschlägigen Standard entnommen werden. - Einer der Hauptvorteile der PSI5-Schnittstelle ist, dass sie sich beispielsweise gegenüber einem CAN-Bus vollständig ohne einen Mikrocontroller realisieren lässt, wodurch deutliche Kostenvorteile bei der Herstellung und Wartung von Sensoren zu erwarten sind.
- Die einzelnen Komponenten des Inertialsensors
7 können in einem Gehäuse23 aufgenommen und mit einem Abschirmblech24 gegen elektromagnetische Störstrahlung abgeschirmt sein. - Es wird auf
3 Bezug genommen, die eine Alternative für den Inertialsensor7 zeigt. Während der Inertialsensor7 der2 als Satellit ausgeführt ist, der an einer beliebigen Stelle im Fahrzeug1 positioniert werden kann und seine Fahrdynamikdaten8 über das Datenkabel22 an den Regler9 sendet, ist der Inertialsensor7 der3 als elektronische Baugruppe in Form eines Surface-mounted device, nachstehend SMD-Baugruppe genannt, ausgebildet. - Der Inertialsensor
7 der3 ist rein illustrativ als zweiachsiger Inertialsensor ausgebildet, der einen Gierratenmessaufnehmer16 und einen Querbeschleunigungsmessaufnehmer17 umfasst. Die einzelnen Signalverarbeitungsschaltungen20 sind in einem gemeinsamen ASIC verschaltet. Der Gierratenmessaufnehmer16 , der Querbeschleunigungsmessaufnehmer17 und der gemeinsame ASIC20 bilden eine Sensorschaltung25 , die auf einem Verdrahtungsträger26 in Form einer Leiterplatte getragen und über Bonddrähte27 sowie Leiterbahnen des Verdrahtungsträgers26 verschaltet ist. - Die Sensorschaltung
25 ist in einer Schutzmasse28 eingehaust, die alternativ oder zusätzlich zum Schutz der Sensorschaltung25 zu einem Gehäuse, wie dem Gehäuse23 der2 vorhanden sein könnte. Dabei könnte die Sensorschaltung25 gegenüber der Schutzmasse28 über eine mechanische Entkopplungsmasse, nachstehend Globetop-Masse29 genannt mechanisch entkoppelt sein. - Die elektronische Kontaktierung mit dem Regler
9 kann über Lötkugeln30 erfolgen. - Nachstehend soll anhand der
4 bis6 die Herstellung des Inertialsensors7 der3 in der SMD-Baugruppenvariante näher erläutert werden. - Zunächst ist für die Sensorschaltung
25 ein geeigneter Verdrahtungsträger26 zu wählen. Hauptkriterium sollte die möglichst stressarme Verkapselung in der Schutzmasse28 sein. - Aus Kostengründen kommt als Verdrahtungsträger
26 in der Regel ein Leadframe zum Einsatz, der in4 mit dem Bezugszeichen26 versehen ist. Für die zuvor erwähnt stressarme Verkapselung sollte die Materialstärke31 des Leadframes26 so ausgeführt sein, dass der Leadframe26 eine ausreichende Steifigkeit aufweist, um eine Verwölbung durch weitere Prozessschritte und nachfolgende Temperatureinflüsse zu minimieren. Dabei haben sich Materialstärken31 zwischen 0,2mm und 0,4 mm als besonders geeignet herausgestellt. Das Material des Leadframes26 sollte so gewählt werden, dass der Ausdehnungskoeffizient des Materials des Leadframes26 ähnlich dem Ausdehnungskoeffizienten der Bauelemente der Sensorschaltung25 ist, die in der Regel aus Halbleitern aufgebaut sind. Auf diese Weise können temperaturbedingte mechanische Spannungen so gering wie möglich gehalten werden. - Neben dem zuvor genannten Hauptkriterium der stressarmen Verkapselung für die Auswahl und Dimensionierung des Leadframes
26 sollten noch folgende Kriterien mit berücksichtigt werden: - – die Wärmeleitfähigkeit des Materials des Leadframes
26 zur Ableitung von Verlustleistung, die beispielsweise in den im ASIC untergebrachten Signalverarbeitungsschaltungen20 entsteht, - – die Kaltumformbarkeit des Materials des Leadframes
26 zum Biegen von Kontaktpins, - – die Korrosionsbeständigkeit des Materials des Leadframes
26 gegen Umwelteinflüsse, - – die Schweißbarkeit des Materials des Leadframes
26 durch Widerstandsschweißen zur Kontaktierung des Abschirmblechs24 und der Steckerkontakte sowie - – die Galvanisierbarkeit des Materials des Leadframes
26 zur Verbesserung der Oberflächeneigenschaften. - Die Oberfläche des Leadframes
26 kann zudem beschichtet werden. Diese Oberflächenbeschichtung sollte so ausgeführt sein, dass an den elektrisch zu kontaktierenden Stellen32 eine sogenannte spot-Beschichtung vorhanden ist. Hierbei handelt es sich um eine lokal begrenzte Beschichtung an den Stellen32 , an denen die elektronischen Bauelemente der Sensorschaltung25 mit dem Leadframe kontaktiert werden. Diese spot-Beschichtung kann sich aus einer auch als Diffusionsbarriere dienenden Haftvermittlungsschicht, einem sogenannten sehr dünn aufgetragenem Kupfer Flash und der Endmetallisierung Nickel/Gold oder Silber zusammensetzen. Die zu kontaktierenden Stellen32 können alle Kontaktstellen auf dem Leadframe26 umfassen, an denen eine elektrische Kontaktierung stattfinden soll. Das heißt, an Stellen32 , an denen ein nachstehend zu beschreibender Kleber33 aufgetragen und/oder die nachstehend noch näher zu beschreibenden Verdrahtungen19 elektrisch angebunden werden. - Auf die zu kontaktierenden Stellen
32 kann dann der zuvor erwähnte Kleber33 aufgebracht werden. Der Kleber33 zum Aufbringen der elektronischen Bauelemente16 ,17 ,20 der Sensorschaltung25 auf dem Trägersubstrat sollte elektrisch leitfähig sein. Auf diese Weise könnte beispielsweise der ASIC mit den Signalverarbeitungsschaltungen20 über seine Chiprückseite an ein Massepotenzial angeschlossen werden. Der Kleber33 kann aber auch nichtleitend ausgebildet werden, insbesondere dann, wenn kein Potenzialausgleich erforderlich ist. Ferner sollte der Kleber33 eine gute Wärmeleitfähigkeit aufweisen, um aus der Sensorschaltung25 sich in Wärme niederschlagende Verlustleistung abzuleiten. Das Elastizitätsmodul des ausgehärteten Klebers33 sollte in einem Bereich liegen, indem sich Verwölbungen der elektronischen Bauelemente16 ,17 ,20 der Sensorschaltung25 so gering wie möglich auswirkt. Auch die Menge des Klebers33 sollte so dosiert werden, dass gerade die Chiprückseite vollständig benetzt ist, so dass der Kleber33 nicht in die Randbereiche der elektronischen Bauelemente16 ,17 ,20 der Sensorschaltung25 gedrückt werden kann, denn das würde dazu führen, dass deren Seitenflächen nach oben, und damit vom Leadframe26 weggedrückt werden. Eine weitere wichtige Eigenschaft des einzusetzenden Klebers33 könnte ein geringes Ausgas- sowie Ausblutverhalten sein, um die nachfolgend elektrisch zu kontaktierenden Stellen32 auf dem Leadframe sowie elektrisch zu kontaktierenden Stellen auf den elektronischen Bauelementen16 ,17 ,20 der Sensorschaltung25 nicht zu kontaminieren und somit die Qualität der kontaktierenden Stellen32 negativ zu beeinflussen. - Um einer Kontamination entgegenzuwirken und um eine Reinheit der Oberfläche zu gewährleisten könnte vor einem elektrischen Verschalten der elektronischen Bauelemente
16 ,17 ,20 der Sensorschaltung25 beispielsweise durch Drahtbonden eine H2-Plasma Reinigung durchgeführt werden. Hierdurch würden von den Stellen, die mit den als Drahtbonds ausgebildeten Verdrahtungen19 elektrisch verbunden werden, organische sowie anorganische Verunreinigungen abgelöst, um eine ausreichende Haftung der Bonddrähte19 beispielsweise auf dem Leadframe26 zu erreichen. Um die Haftung der Bonddrähte19 mit einem Golddraht zu steigern könnte das an sich bekannte dreistufige SOB-Verfahren (Stitch on Bump) angewendet werden. - Nach dem elektrischen Verschalten mit den Verdrahtungen
19 können zumindest die Messaufnehmer16 ,17 , wie in5 gezeigt, mit der mechanischen Entkopplungsmasse29 eingehüllt werden. Als mechanische Enkopplungsmasse29 könnte ein weicher silikonartiger Verguss verwendet werden, der zumindest die stressempfindlichen Messaufnehmer16 ,17 von der Schutzmasse28 mechanisch entkoppelt. Das Material sollte dabei nur über die stressempfindlichen Messaufnehmer16 ,17 aufgetragen werden, so dass deren Oberfläche benetzt ist und die Bonddrähte19 zum ASIC mit den Signalverarbeitungsschaltungen20 aus der mechanischen Entkopplungsmasse29 herausragen. Um bei der Verarbeitung der mechanischen Entkopplungsmasse29 ohne zusätzliche Barriere gegen das Weglaufen des Materials auszukommen, sollte als mechanische Entkopplungsmasse29 ein rheologisch thixotrop eingestelltes Material eingesetzt werden. - Anschließend könnte die Sensorschaltung
25 in der Schutzmasse28 eingehaust oder verkapselt werden. Optional könnten die Oberflächeneigenschaften des Leadframes26 , die Oberflächeneigenschaften der Messaufnehmer16 ,17 , die Oberflächeneigenschaften des ASIC mit den Signalverarbeitungsschaltungen20 und/oder die Oberflächeneigenschaften der mechanischen Entkopplungsmasse29 zur Vorbereitung auf diese Verkapselung verbessert werden. Hierzu könnten zunächst im Rahmen eines kurzen, zusätzlichen H2-Plasma-Reinigungsprozesses Kontaminationen und zu dicke Oxidschichten beseitigt werden. Im Anschluss daran könnte eine Plasma-Aktivierung mittels eines Argon- und/oder Stickstoffplasmas durchgeführt werden. Hierdurch wird die Oberflächenenergie der jeweiligen behandelten Oberfläche erhöht, wodurch die Haftung der Schutzmasse28 an der jeweiligen behandelten Oberfläche verbessert wird. - Als Schutzmasse
28 könnte beispielsweise Epoxid-Material gewählt werden, in dem die Sensorschaltung durch Spritzpressen verkapselt werden kann. Dieser Prozess wird auch Transfer Molding genannt. Um den Stresseintrag beim Verkapseln durch das Spritzpressen möglichst gering zu halten, sollte die Schutzmasse28 so gewählt werden, dass sie einen möglichst geringen Stressindex besitzt. Der Stressindex ist abhängig vom Ausdehnungskoeffizienten der Schutzmasse28 und der von der Schutzmasse28 eingekapselten Materialen, das heißt der Materialien der Sensorschaltung25 . Da die Sensorschaltung25 zum Großteil aus Halbleitern besteht, gilt auch hier, den Ausdehnungskoeffizienten der Schutzmasse28 dem von Halbleitern anzugleichen. Einen weiteren wichtigen Einflussfaktor stellt das Elastizitätsmodul der Schutzmasse28 dar. Je kleiner das Elastizitätsmodul der Schutzmasse28 ist, desto elastischer ist die Schutzmasse28 und desto geringer ist der Stresseintrag auf die Sensorschaltung25 . Die Schutzmasse28 sollte so um den Leadframe26 dimensioniert werden, dass es Verwölbungen durch die Kombination aus Leadframe26 und aufgeklebten elektronischen Bauelementen16 ,17 ,20 der Sensorschaltung25 entgegen wirkt und somit den mechanischen Stress während der Herstellung und über Lebensdauer des Inertialsensors7 gering hält. - Nach Verkapselung durch Spritzpressen ist der Inertialsensors
7 in der SMD-Baugruppenvariante, wie in6 gezeigt, nach vereinfachtem Prozessfluss fertiggestellt. - Nachstehend soll anhand der
7 bis9 die Herstellung des Inertialsensors7 der2 in der Satellitenvariante näher erläutert werden. - Die Satellitenvariante des Inertialsensors
7 sieht gegenüber der SMD-Baugruppenvariante noch das Aufbringen passiver Bauelemente34 , zwei Widerstands-Schweißprozesse zum Anbringen der Abschirmplatte24 und Steckerkontakte35 vor. Final folgt dann ein weiterer Einhausungspozess, um Rahmen dessen das Gehäuse23 zur Montage am Chassis2 oder Fahrgestell des Fahrzeuges1 erzeugt werden kann. Dieser weitere Einhausungsprozess kann als Spritzguß-Prozess, auch Injection Molding genannt, ausgeführt werden. - Für das Aufbringen der passiven Bauelemente
34 , von denen in7 der Übersichtlichkeit halber nur eines dargestellt ist kann der gleiche leitfähige Kleber33 verwendet werden, wie zum Aufbringen der Sensorschaltung25 auf den Leadframe26 . Auf diese Weise wären auch die passiven Bauelemente34 gleich elektrisch mit dem Leadframe26 kontaktiert. In7 wurde der Gierratenmessaufnehmer16 rein der Übersichtlichkeit halber weggelassen. - Beim Gehäuse
23 sollte wieder auf die Eigenschaften Ausdehnungskoeffizient und Elastizitätsmodul geachtet werden. Alternativ wäre auch die Verwendung eines vorgespritzen Gehäuses23 denkbar, in dem der Verbund aus Leadframe26 , Schutzmasse28 , Abschirmplatte24 und Steckerkontakte35 fixiert wird und anschließend mit einer sogenannten Vergussmasse, wie beispielsweise einem Elektrogießharz ausgegossen wird. - In
10 sind die Schritte zur beispielhaften Herstellung des Inertialsensors7 noch einmal schematisch aufgelistet. Dabei deutet der Streifen36 an, dass die Schritte zur SMD-Bauteilvariante des Inertialsensors7 gehören, während der Streifen37 andeutet, dass die Schritte zur Satellitenvariante des Inertialsensors7 gehören. Die Schritte38 bis48 müssen nicht zwangsweise in der gezeigten Reihenfolge ausgeführt werden und sind ferner auch nicht alle zwangsläufig durchzuführen, um zum fertigen Inertialsensor7 zu kommen. - Das Herstellungsverfahren beginnt in beiden Fällen mit Schritt
38 , in dem der Verdrahtungsträger26 hergestellt wird. In dem Fall, dass der Verdrahtungsträger26 ein Leadframe ist, handelt es sich um einen Stanzprozess, im Rahmen dessen aus einem leitfähigen Blech die Leiterbahnen27 des Verdrahtungsträgers26 herausgestanzt werden. - An den Schritt
38 schließt sich Schritt39 an, in dem auf den hergestellten Verdrahtungsträger26 die einzelnen elektronischen Bauelemente16 ,17 und20 der Sensorschaltung25 durch verkleben mit dem Kleber33 aufgebracht werden. - Danach werden der Verdrahtungsträger
26 und die darauf aufgebrachten elektronischen Bauelemente16 ,17 und20 in Schritt40 an den Stellen32 der Plasma-Reinigung unterzogen, an denen die elektrische Verdrahtung mit den Bonddrähten19 erfolgen soll. - In Schritt
41 erfolgt dann die elektrische Verdrahtung der Sensorschaltung25 mit den Bonddrähten19 . - Der sich daran anschließende Schritt
42 ist im Regelfall nur für die Satellitenvariante des Inertialsensors7 wichtig, im Rahmen dessen der Verdrahtungsträger26 mit den passiven Bauelementen34 bestückt wird. - Hierauf können dann in Schritt
43 zumindest die Messaufnehmer16 ,17 mit der mechanischen Entkopplungsmasse29 eingehaust werden, vor allem wenn diese vor mechanischem Stress geschützt werden sollten. - Um die Haftung der Schutzmasse
28 an der Sensorschaltung25 , dem Verdrahtungsträger26 und den passiven Bauelementen35 zu verbessern, kann dann in Schritt44 die oben genannte Plasma-Aktivierung erfolgen. - Schließlich kann in Schritt
45 der Inertialsensor7 zumindest in der SMD-Bauteilvariante mit der Schutzmasse28 durch Spritzpressen eingehaust werden. - Um den Inertialsensor
7 in der Satellitenvariante herzustellen muss schließlich noch in Schritt46 die Abschirmplatte24 und in Schritt47 die Steckerkontakte35 angeschweißt werden und in Schritt48 in dem Gehäuse23 eingehaust werden. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- WO 2010/037810 A1 [0002]
- DE 102011080789 A1 [0031]
- DE 102006053308 A1 [0038]
Claims (10)
- Sensor (
7 ) zum Ausgeben eines Sensorsignals (10 ,11 ,12 ) basierend auf einer zu erfassenden Messgröße (9 ), umfassend: – einen Verdrahtungsträger (26 ), und – eine wenigstens teilweise über einen Kleber (33 ) auf dem Verdrahtungsträger (26 ) aufgeklebte und verdrahtete Sensorschaltung (25 ) zum Ausgeben des Sensorsignals (10 ,11 ,12 ) basierend auf der zu erfassenden Messgröße (9 ), – wobei ein Elastizitätsmodul des Klebers (33 ) von einem Elastizitätsmodul des Verdrahtungsträgers (26 ) abhängig ist. - Sensor (
7 ) nach Anspruch 1, wobei das Elastizitätsmodul des Verdrahtungsträgers (26 ) 5 bis 25 mal, vorzugsweise 10 bis 20 mal und besonders bevorzugt 15 mal größer ist, als das Elastizitätsmodul des Klebers (33 ). - Sensor (
7 ) nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Kleber (33 ) elektrisch leitfähig ist. - Sensor (
7 ) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Kleber (33 ) wärmeleitfähig ist. - Sensor (
7 ) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Kleber (33 ) eine Schichtdicke aufweist, die eine vorbestimmte Schichtdicke unterschreitet. - Sensor (
7 ) nach einem der vorstehenden Ansprüche, umfassend eine die Sensorschaltung (25 ) einhausende Schutzmasse (28 ). - Sensor (
7 ) nach Anspruch 6, wobei ein Elastizitätsmodul der Schutzmasse (28 ) vom Elastizitätsmodul des Klebers (33 ) abhängig ist. - Sensor (
7 ) nach Anspruch 6 oder 7, wobei das Elastizitätsmodul der Schutzmasse (28 ) 1 bis 5 mal, vorzugsweise 1,5 bis 3 mal und besonders bevorzugt 2 mal größer ist, als das Elastizitätsmodul des Klebers (33 ). - Sensor (
7 ) nach einem der vorstehenden Ansprüche 6 bis 8, wobei ein thermischer Ausdehnungskoeffizient der Schutzmasse (28 ) von einem Ausdehnungskoeffizient wenigstens eines Schaltungselements (16 ,17 ,20 ) der Sensorschaltung (25 ) abhängig ist. - Sensor (
7 ) nach Anspruch 9, wobei das Schaltungselement (16 ,17 ,20 ) ein Messaufnehmer (16 ,17 ) zum Erzeugen eines Gebersignals (19 ) in Abhängigkeit der zu erfassenden Messgröße (9 ) ist.
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DE102014210523.4A DE102014210523A1 (de) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | Spannungsarmes Verkleben von Sensorchips |
Applications Claiming Priority (1)
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DE102014210523.4A DE102014210523A1 (de) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | Spannungsarmes Verkleben von Sensorchips |
Publications (1)
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DE102014210523A1 true DE102014210523A1 (de) | 2015-12-03 |
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Family Applications (1)
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DE102014210523.4A Withdrawn DE102014210523A1 (de) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | Spannungsarmes Verkleben von Sensorchips |
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---|---|
DE (1) | DE102014210523A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020144408A1 (en) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | Tactotek Oy | Electrical node, method for manufacturing electrical node and multilayer structure comprising electrical node |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10313022A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
DE102006053308A1 (de) | 2006-11-13 | 2008-05-15 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Fahrdynamikregelung eines Fahrzeugs |
WO2010037810A1 (de) | 2008-10-02 | 2010-04-08 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren zur herstellung eines geschwindigkeits-sensorelements |
DE102011080789A1 (de) | 2010-08-10 | 2012-02-16 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren und System zur Regelung der Fahrstabilität |
DE102013102973A1 (de) * | 2012-03-27 | 2013-10-02 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterpackages und Verfahren zu deren Ausbildung |
DE102013214915A1 (de) * | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verdrahtungseinrichtung zum Verdrahten einer elektronischen Vorrichtung |
DE102012223982A1 (de) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe |
-
2014
- 2014-06-03 DE DE102014210523.4A patent/DE102014210523A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10313022A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
DE102006053308A1 (de) | 2006-11-13 | 2008-05-15 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Fahrdynamikregelung eines Fahrzeugs |
WO2010037810A1 (de) | 2008-10-02 | 2010-04-08 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren zur herstellung eines geschwindigkeits-sensorelements |
DE102011080789A1 (de) | 2010-08-10 | 2012-02-16 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren und System zur Regelung der Fahrstabilität |
DE102013102973A1 (de) * | 2012-03-27 | 2013-10-02 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterpackages und Verfahren zu deren Ausbildung |
DE102013214915A1 (de) * | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verdrahtungseinrichtung zum Verdrahten einer elektronischen Vorrichtung |
DE102012223982A1 (de) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe |
Non-Patent Citations (12)
Title |
---|
Abdullah, I.; Ahmad, I.; Talib, M. Z. M.; Kamarudin, M.N. B. C., "Reduction of warpage occurrence on stack-die QFN using FEA and statistical method," Electronic Manufacturing Technology Symposium (IEMT), 2008 33rd IEEE/CPMT International , vol., no., pp.1,5, 4-6 Nov. 2008doi: 10.1109/IEMT.2008.5507788URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5507788&isnumber=5507772 * |
EPO-TEK® Selector Guide http://www.epotek.com/site/files/brochures/pdfs/selector_guide.pdf PDF-Datum: 11.4.2014 [rech. 14.4.2014] * |
Ghodssi, Reza; Lin, Pinyen [Hrsg.] : MEMS Materials and Processes Handbook [Elektronische Ressource]. Boston, MA : Springer, 2011. ISBN: 9780387473185Chapter 12MEMS Packaging MaterialsAnn Garrison Darrin and Robert Osiander |
Ghodssi, Reza; Lin, Pinyen [Hrsg.] : MEMS Materials and Processes Handbook [Elektronische Ressource]. Boston, MA : Springer, 2011. ISBN: 9780387473185Chapter 12MEMS Packaging MaterialsAnn Garrison Darrin and Robert Osiander * |
Helge Kristiansen: Some examples of microsystem packaging research issues, PDF-Datum: 30.3.2005 http://tid.uio.no/kurs/fys4260/Adhesives_in_electronics.pdf [rech. 15.4.2015] * |
Jing Song; Qing-An Huang; Ming Li; Jie-ying Tang, "Effect of Die-Bonding Process on MEMS Device Performance: System-Level Modeling and Experimental Verification," Microelectromechanical Systems, Journal of , vol.18, no.2, pp.274,286, April 2009doi: 10.1109/JMEMS.2008.2011105URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=4768698&isnumber=4808224 * |
Kirt R. Williams, Packaging for MEMS, PDF-Datum 6.4.2011, http://www.me.berkeley.edu/ME219/Lectures_2011/MEMS_Packaging_Kirt_Williams.pdf [rech. 14.4.2015] * |
Kong, J.W.Y.; Jang-Kyo Kim; Yuen, M.M.F., "Warpage in plastic packages: effects of process conditions, geometry and materials," Electronics Packaging Manufacturing, IEEE Transactions on , vol.26, no.3, pp.245,252, July 2003doi: 10.1109/TEPM.2003.820806URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=1256729&isnumber=28106 * |
Seungbae Park; Dapeng Liu; Yeonsung Kim; Hohyung Lee; Zhang, S., "Stress evolution in an encapsulated MEMS package due to viscoelasticity of packaging materials," Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2012 IEEE 62nd , vol., no., pp.70,75, May 29 2012-June 1 2012doi: 10.1109/ECTC.2012.6248808URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6248808&isnumber=6248788 * |
SOBIA BUSHRA: Investigation of Wafer Level Au-Si Eutectic Bonding of Shape Memory Alloy (SMA) with Silicon, 2011 http://www.diva-portal.org/smash/get/diva2:471694/FULLTEXT01.pdf [rech. 15.4.2015] |
SOBIA BUSHRA: Investigation of Wafer Level Au-Si Eutectic Bonding of Shape Memory Alloy (SMA) with Silicon, 2011 http://www.diva-portal.org/smash/get/diva2:471694/FULLTEXT01.pdf [rech. 15.4.2015] * |
Wilde J.: Lecture Notes for Assembly and Packaging Technology 2012/13 URL: http://electures.informatik.uni-freiburg.de/portal/download/5111/25926/AVT_SS2013.pdf[rech. 14.4.2015] * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020144408A1 (en) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | Tactotek Oy | Electrical node, method for manufacturing electrical node and multilayer structure comprising electrical node |
KR20210116463A (ko) * | 2019-01-11 | 2021-09-27 | 택토텍 오와이 | 전기 노드, 전기 노드를 제조하기 위한 방법 및 전기 노드를 포함하는 다층 구조 |
US11166364B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-11-02 | Tactotek Oy | Electrical node, method for manufacturing electrical node and multilayer structure comprising electrical node |
US11166363B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-11-02 | Tactotek Oy | Electrical node, method for manufacturing electrical node and multilayer structure comprising electrical node |
KR102575494B1 (ko) | 2019-01-11 | 2023-09-07 | 택토텍 오와이 | 전기 노드, 전기 노드를 제조하기 위한 방법 및 전기 노드를 포함하는 다층 구조 |
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