DE102014109515A1 - An ein Wärmeabstrahlelement anzubringende Halbleitervorrichtung - Google Patents

An ein Wärmeabstrahlelement anzubringende Halbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102014109515A1
DE102014109515A1 DE201410109515 DE102014109515A DE102014109515A1 DE 102014109515 A1 DE102014109515 A1 DE 102014109515A1 DE 201410109515 DE201410109515 DE 201410109515 DE 102014109515 A DE102014109515 A DE 102014109515A DE 102014109515 A1 DE102014109515 A1 DE 102014109515A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heat
section
elements
connection
base section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE201410109515
Other languages
English (en)
Other versions
DE102014109515B4 (de
Inventor
c/o DENSO CORPORATION Fujita Toshihiro
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Publication of DE102014109515A1 publication Critical patent/DE102014109515A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102014109515B4 publication Critical patent/DE102014109515B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4018—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by the type of device to be heated or cooled
    • H01L2023/4031—Packaged discrete devices, e.g. to-3 housings, diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
    • H01L2023/405—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/40139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous strap daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73221—Strap and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Eine Halbleitervorrichtung (10) enthält ein Halbleitermodul (11 bis 18) und ein Presselement (26, 27, 28), das das Halbleitermodul an ein Wärmeabstrahlelement (7) presst. Das Halbleitermodul enthält Wärmeerzeugungselement (56, 57, 61 bis 66, 71 bis 73, 161 bis 164, 171, 172), die durch Erregung Wärme erzeugen, drei oder mehrere leitfähige Elemente (31 bis 41, 501 bis 506, 508, 509, 601 bis 608, 701, 801 bis 808, 901 bis 906), die jeweils an wenigstens einem der Wärmeerzeugungselemente montiert sind, und ein Formteil (20, 21), das integral die Wärmeerzeugungselemente und leitfähigen Elemente formt. Das Halbleitermodul weist einen zur Wärmeabgabe fähigen Bereich auf, in dem ein aufbringender Druck durch das Presselement gleich oder größer als ein vorbestimmter Druck ist. Das leitfähige Element, das an dem Wärmeerzeugungselement montiert ist, das außerhalb des zur Wärmeabgabe fähigen Bereichs angeordnet ist, weist eine solche Form auf, die wenigstens ein Teil des leitfähigen Elements in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich enthalten ist.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine an ein Wärmeabstrahlelement anzubringende Halbleitervorrichtung.
  • HINTERGRUND
  • Herkömmlich ist ein Anbringen einer Halbleitervorrichtung an einem kühlenden Kühlkörper beispielsweise durch Schrauben bekannt. Beispielsweise sind in der JP-A-2007-165426 Schraubenbefestigungsabschnitte in der Nähe der Enden in einer langen Seitenrichtung einer Halbleitervorrichtung vorgesehen und die Halbleitervorrichtung ist durch Schrauben an einen kühlenden Kühlkörper fixiert.
  • Allerdings kann bei einem Fall, bei dem eine Halbleitervorrichtung und ein gekühlter Kühlkörper mittels Schrauben in der Nähe der Enden bei einer langen Seitenrichtung, wie in der JP-A-2007-165426 beschrieben, fixiert werden, ein aufzubringender Druck bei einem mittleren Abschnitt der Halbleitervorrichtung weit entfernt von den Schrauben nicht ausreichend sein, wobei die Halbleitervorrichtung und der kühlende Kühlkörper nicht eng miteinander in Kontakt stehen und eine Wärmeabstrahlung nicht ausreichend sein kann.
  • KURZFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, die eine in Folge einer Erregung eines Wärmeerzeugungselements erzeugte Wärme wirksam abstrahlen kann, und die verkleinert werden kann.
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält ein Halbleitermodul und ein Presselement, das das Halbleitermodul an das Wärmeabstrahlelement presst bzw. drückt. Das Halbleitermodul enthält eine Mehrzahl von Wärmeerzeugungselementen, die in Folge einer Erregung Wärme erzeugen, drei oder mehrere leitfähige Elemente, die jeweils an wenigstens einem der Wärmeerzeugungselemente montiert ist, und ein Formteil, das integral die Wärmeerzeugungselemente und die leitfähigen Elemente formt. Das Halbleitermodul weist einen zur Wärmeabgabe fähigen Bereich auf, in dem ein aufzubringender Druck durch das Presselement gleich oder größer als ein vorbestimmter Druck ist. Wenigstens eines der leitfähigen Elemente ist an das Wärmeerzeugungselement montiert, das außerhalb dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich angeordnet ist. Das wenigstens eine der leitfähigen Elemente weist eine solche Form auf, dass wenigstens ein Teil des leitfähigen Elements in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich enthalten ist.
  • Die Wärme, die durch das Wärmeerzeugungselement erzeugt wird, das außerhalb des zur Wärmeabgabe fähigen Bereichs angeordnet ist, wird über das leitfähige Element übertragen und von dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich zu dem Wärmeabstrahlelement abgestrahlt. Demgemäß kann die Wärme, die durch das Wärmeerzeugungselement erzeugt wird, das außerhalb des zur Wärmeabgabe fähigen Bereichs angeordnet ist, ausreichend abgestrahlt werden, wobei viele Wärmeerzeugungselemente bezüglich des einen Presselements angeordnet sein können und das Halbleitermodul kann verkleinert werden. Zudem kann verglichen mit einem Fall, bei dem alle Wärmeerzeugungselement in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich angeordnet sind, die Flexibilität der Anordnung verbessert werden. Ferner kann die Anzahl des Presselements verringert werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • Zusätzliche Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Berücksichtigung der beigefügten Figuren ersichtlicher. In den Figuren zeigt:
  • 1 ein Blockdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration einer Motoransteuervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
  • 2 eine Seitenansicht, die eine an einem Kühlkörper angebrachte Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform darstellt;
  • 3 eine Draufsicht, die eine interne Konfiguration eines Halbleitermoduls gemäß der ersten Ausführungsform darstellt;
  • 4 ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration des Halbleitermoduls gemäß der ersten Ausführungsform darstellt;
  • 5 eine Draufsicht, die eine interne Konfiguration eines Halbleitermoduls gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
  • 6 eine Draufsicht, die eine interne Konfiguration eines Halbleitermoduls gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
  • 7 ein Schaltungsdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration des Halbleitermoduls gemäß der dritten Ausführungsform darstellt;
  • 8 eine Draufsicht, die eine interne Konfiguration eines Halbleitermoduls gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
  • 9 ein Schaltungsdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration des Halbleitermoduls gemäß der vierten Ausführungsform darstellt;
  • 10 eine Draufsicht, die eine interne Konfiguration eines Halbleitermoduls gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
  • 11 ein Schaltungsdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration des Halbleitermoduls gemäß der fünften Ausführungsform darstellt;
  • 12 eine Draufsicht, die eine interne Konfiguration eines Halbleitermoduls gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
  • 13 ein Schaltungsdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration des Halbleitermoduls gemäß der sechsten Ausführungsform darstellt;
  • 14 eine Draufsicht, die eine interne Konfiguration eines Halbleitermoduls gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
  • 15 ein Schaltungsdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration des Halbleitermoduls gemäß der siebten Ausführungsform darstellt;
  • 16 eine Draufsicht, die eine interne Konfiguration eines Halbleitermoduls gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt; und
  • 17 ein Schaltungsdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration des Halbleitermoduls gemäß der achten Ausführungsform darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • (Erste Ausführungsform)
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird mit Bezug auf die 1 bis 7 beschrieben. Die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann beispielsweise an eine Motoransteuervorrichtung angewandt werden. Zunächst wird eine Schaltungskonfiguration einer Motoransteuervorrichtung, an der ein Halbleitermodul gemäß der vorliegenden Ausführungsform angewandt wird, mit Bezug auf 1 beschrieben.
  • Eine Motoransteuervorrichtung 1 enthält eine Halbleitervorrichtung 10 (siehe 2), einen Kondensator 78 und einen Controller 100. Die Motoransteuervorrichtung 1 wandelt eine Gleichstromleistung einer Batterie 50 als eine Leistungszufuhrquelle in eine Dreiphasen-Wechselstromleistung um, und steuert einen Motor 5 als eine Last an. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Motor 5 ein bürstenloser Dreiphasen-Motor.
  • Die Halbleitervorrichtung 10 enthält ein Halbleitermodul 11 und Presselemente 26, 27 (siehe 2). Das Halbleitermodul 11 enthält eine Leistungszufuhrrelaysektion 55, eine Wechselrichtersektion 60 und eine Motorrelaysektion 70. Die Leistungszufuhrrelaysektion 55 enthält zwei Leistungszufuhrrelays 56, 57, die in Reihe verbunden sind. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist jedes der Leistungszufuhrrelays 56, 57 ein metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), der eine Art von Feldeffekttransistor ist. Eine Source und eine Drain jedes der Leistungszufuhrrelays 56, 57 werden aufgrund eines Gate-Potenzials verbunden oder unterbrochen. Demgemäß verbindet die Leistungszufuhrrelaysektion 55 elektrisch die Batterie 50 und die Wechselrichtersektion 60 oder unterbricht sie.
  • Das Leistungszufuhrrelay 56 ist so vorgesehen, dass es einen in Richtung des Motors 5 fließenden elektrischen Strom unterbricht, wenn ein Unterbrechungsfehler oder ein Kurzschluss auftritt. Das Leistungszufuhrrelay 57 ist derart verbunden, dass es eine Richtung einer parasitären Diode, die dem Leistungszufuhrrelay 57 zugeordnet ist, in eine umgekehrte Richtung einer parasitären Diode ist, die dem Leistungszufuhrrelay 56 zugeordnet ist. Demgemäß wird, selbst wenn die Batterie 50 oder der Kondensator 78 fehlerhaft in eine umgekehrte Richtung verbunden ist, ein Fluss eines umgekehrten elektrischen Stroms von der Wechselrichtersektion 60 in Richtung der Batterie 50 beschränkt.
  • Die Wechselrichtersektion 60 enthält sechs Schaltelemente 61 bis 66, die eine Brückenschaltung ausbilden. Jedes der Schaltelemente 61 bis 66 ist ein MOSFET, der eine Art von Feldeffekttransistor ist, ähnlich zu den Leistungszufuhrrelays 56, 57, und eine Source und eine Drain werden aufgrund eines Gate-Potenzials verbunden oder unterbrochen. Die Schaltelemente 61, 62, 63 sind an einer Hochpotenzialseite der Brückenschaltung angeordnet und bilden einen oberen Zweig. Die Schaltelemente 64, 65, 66 sind an einer Niederspannungsseite der Brückenschaltung angeordnet und bilden einen unteren Zweig.
  • Die Motorrelaysektion 70 enthält Motorrelays 71, 72, 73 als Lastrelays. Die Motorrelays 71, 72, 73 sind zwischen Verbindungspunkten der Schaltelemente 61, 62, 63 und der Schaltelemente 64, 65, 66 von entsprechenden Phasen und entsprechenden Phasenwicklungen des Motors 5 verbunden. Die Motorrelays 71, 72, 73 sind derart vorgesehen, dass sie den Fluss des elektrischen Stroms für jede Phase unterbrechen, wenn ein Unterbrechungsfehler oder ein Kurzschluss auftritt. Jedes der Motorrelays 71, 72, 73 ist ein MOSFET, der eine Art von Feldeffekttransistor ist, ähnlich zu den Leistungszufuhrrelays 56, 57 und den Schaltelementen 61 bis 66, und eine Source und eine Drain werden aufgrund eines Gate-Potenzials verbunden oder unterbrochen. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Leistungszufuhrrelays 56, 57, die Schaltelemente 61 bis 66 und die Motorrelays 71 bis 73 die Wärmeerzeugungselemente. Bei der nachstehenden Beschreibung werden wenigstens ein Teil von den Leistungszufuhrrelays 56, 57, den Schaltelementen 61 bis 66 und den Motorrelays 71 bis 73 manchmal kollektiv als Wärmeerzeugungselemente bezeichnet.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform bilden die Wechselrichtersektion 60 und die Motorrelaysektion 70 eine U-Phasenschaltung 91, eine V-Phasenschaltung 92 und eine W-Phasenschaltung 93. Die U-Phasenschaltung 91 enthält die Schaltelemente 61, 64 und das Motorrelay 71. Die Drain des Schaltelements 61 ist mit einer Hochpotenzialleitung verbunden, die mit einer Hochpotenzialseite der Batterie 50 verbunden ist, und die Source des Schaltelements 61 ist mit der Drain des Schaltelements 64 verbunden. Die Source des Schaltelements 64 ist mit der Masse über einen Shunt-Widerstand 74 verbunden. Der Verbindungspunkt des Schaltelements 61 und des Schaltelements 64 ist mit einer U-Phasenwicklung des Motors 5 über das Motorrelay 71 verbunden.
  • Die V-Phasenschaltung 92 enthält die Schaltelemente 62, 65 und das Motorrelay 72. Die Drain des Schaltelements 62 ist mit der Hochpotenzialleitung verbunden, die mit der Hochpotenzialseite der Batterie 50 verbunden ist, und die Source des Schaltelements 62 ist mit der Drain des Schaltelements 65 verbunden. Die Source des Schaltelements 65 ist mit der Masse über einen Shunt-Widerstand 75 verbunden. Der Verbindungspunkt des Schaltelements 62 und des Schaltelements 65 ist mit einer V-Phasenwicklung des Motors 5 über das Motorrelay 72 verbunden.
  • Die W-Phasenschaltung 93 enthält die Schaltelemente 63, 66 und das Motorrelay 73. Die Drain des Schaltelements 63 ist mit der Hochpotenzialleitung verbunden, die mit der Hochpotenzialseite der Batterie 50 verbunden ist, und die Source des Schaltelements 63 ist mit der Drain des Schaltelements 66 verbunden. Die Source des Schaltelements 66 ist mit der Masse über einen Shunt-Widerstand 76 verbunden. Der Verbindungspunkt des Schaltelements 63 und des Schaltelements 66 ist mit einer W-Phasenwicklung des Motors 5 über ein Motorrelay 73 verbunden.
  • Die Shunt-Widerstände 74 bis 76 erfassen elektrische Ströme, die zu den entsprechenden Phasen des Motors 5 zugeführt werden. Insbesondere erfasst der Shunt-Widerstand 74 einen zu der U-Phasenwicklung zugeführten elektrischen Strom, der Shunt-Widerstand 75 erfasst einen zu der V-Phasenwicklung zugeführten elektrischen Strom und der Shunt-Widerstand 76 erfasst einen zu der W-Phasenwicklung zugeführten elektrischen Strom.
  • Der Kondensator 78 ist zwischen einer Hochpotenzialelektrode der Batterie 50 und der Wechselrichtersektion 60 verbunden. Der Kondensator 78 reduziert ein Rauschen, das von anderen Vorrichtungen übertragen wird, die sich die Batterie 50 teilen. Zudem verringert der Kondensator 78 das Rauschen, das von der Motoransteuervorrichtung 1 zu anderen Vorrichtungen übertragen wird, die sich die Batterie 50 teilen. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Kondensator 78 ein Aluminiumelektrolytkondensator. Der Kondensator 78 ist auf einem Leistungssubstrat 3 (siehe 2) montiert.
  • Der Controller 100 enthält einen Vor-Treiber 101, eine maßgefertigte IC 102 und einen Mikrocomputer 104. Elektronische Komponenten, die den Controller 100 ausbilden, wie z. B. der Vor-Treiber 101, die maßgefertigte IC 102 und der Mikrocomputer 104, sind auf einem Steuersubstrat 4 (siehe 2) montiert. Die maßgeschneiderte IC 102 enthält einen Erfassungsspannungsverstärker 107 als einen funktionalen Block. Der Erfassungsspannungsverstärker 107 erfasst Spannungen über die Shunt-Widerstände 74 bis 76 und gibt verstärkte Spannungen zu dem Mikrocomputer 104 aus.
  • Der Mikrocomputer 104 erfasst den elektrischen Strom, der zu den entsprechenden Phasen des Motors 5 zugeführt wird, basierend auf den Spannungen über die Shunt-Widerstände 74 bis 76, die von dem Erfassungsspannungsverstärker 107 eingegeben werden. Zudem empfängt der Mikrocomputer 104 verschiedene Signale, wie z. B. ein Drehwinkelsignal des Motors 5. Der Mikrocomputer 104 steuert die Wechselrichtersektion 60 über den Vor-Treiber 101 basierend auf den Eingabesignalen. Insbesondere schaltet der Mikrocomputer 104 die Schaltelemente 61 bis 66 durch Verändern der Gate-Spannungen der Schaltelemente 61 bis 66 ein bzw. aus. Auf ähnliche Weise schaltet der Mikrocomputer 104 die Leistungszufuhrrelays 56, 57 und die Motorrelays 71, 72, 73 durch Verändern der Gate-Spannungen ein bzw. aus.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform werden die Leistungszufuhrrelaysektion 55, die Wechselrichtersektion 60 und die Motorrelaysektion 70 als ein Halbleitermodul 11 modularisiert. Das Halbleitermodul 11 wird mit Bezug auf 2 bis 4 beschrieben. 2 zeigt eine Seitenansicht, die einen Zustand darstellt, bei dem das Halbleitermodul 11 an einen Kühlkörper 7 angebracht ist. 3 zeigt eine Draufsicht, die eine interne Konfiguration eines Halbleitermoduls 11 bei Betrachtung von einer durch den Pfeil III in 2 gezeigten Richtung darstellt. 4 zeigt ein Schaltungsdiagramm, das hauptsächlich Beziehungen zwischen Anschlüssen und Schaltungen in dem Halbleitermodul 11 darstellen.
  • Das Halbleitermodul 11 enthält einen Leiterrahmen 30 und ein Formteil 20, das den Leiterrahmen 30 formt. Der Leiterrahmen 30 besteht aus einem Material, wie z. B. einer Kupferplatte, mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit und einer hohen thermischen Leitfähigkeit. Das Halbleitermodul 11 ist in einer Plattenform als Ganzes ausgebildet. Das Formteil 20 umfasst Einführlöcher 201, 202.
  • Das Halbleitermodul 11 ist an dem Kühlkörper 7 als Wärmeabstrahlelement mit den in die Einführlöcher 201, 202 eingefügten Presselemente 26, 27 fixiert. Die Presselemente 26, 27 sind beispielsweise Schrauben. Das Halbleitermodul 11 ist derart a den Kühlkörper 7 fixiert, dass eine lange Seite 205 des Formteils 20 dem Leistungssubstrat 3 zugewandt ist und die andere lange Seite 206 des Formteils 20 dem Steuersubstrat 4 zugewandt ist.
  • Obwohl nicht dargestellt, liegt auf einer Oberfläche des Halbleitermoduls 11, die dem Kühlkörper 7 zugewandt ist, ein Teil des Leiterrahmens 30 von dem Formteil 20 des Halbleitermoduls 11 als Metallwärmeabstrahlabschnitt frei. Mit anderen Worten, das Halbleitermodul 11 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist halb geformt. Der Metallwärmeabstrahlabschnitt des Halbleitermoduls 11 steht mit dem Kühlkörper 7 über das Wärmeabstrahlblech 8 in Kontakt. Dadurch kann das Halbleitermodul 11 wirksam Wärme abstrahlen.
  • Wie in 3 dargestellt, enthält der Leiterrahmen 30 Anschlussflächen bzw. Erhebungen 31 bis 41 als leitfähige Elemente. Die Anschlussflächen 31 bis 35 sind um das Presselement 26 angeordnet und die Anschlussflächen 36 bis 41 sind um das Presselement 27 angeordnet.
  • Die Anschlussfläche 31 enthält einen Basisabschnitt 311, einen hervorstehenden Abschnitt 312 und einen Leistungsanschluss 313. In 3 wird durch gestrichelte Linien eine Grenze zwischen dem Basisabschnitt 311 und dem hervorstehenden Abschnitt 312 und eine Grenze zwischen dem Basisabschnitt 311 und dem Leistungsanschluss 313 dargestellt. Der Basisabschnitt 311 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Leistungszufuhrrelay 56 ist an dem Basisabschnitt 311 montiert. Die Source des Leistungszufuhrrelays 56 ist an einer oberen Oberfläche gegenüberliegend von dem Basisabschnitt 311 ausgebildet. Die Drain des Leistungszufuhrrelays 56 ist an einer Oberfläche ausgebildet, die dem Basisabschnitt 311 zugewandt ist, und ist mit dem Basisabschnitt 311 verbunden. Das Gate des Leistungszufuhrrelays 56 ist mit einem Gate-Anschluss 475 durch einen Draht verbunden. Wenn ein Gate-Signal von dem Steuersubstrat 4 zu dem Gate des Leistungszufuhrrelays 56 über den Gate-Anschluss 475 übertragen wird, wird das Leistungszufuhrrelay 56 ein-/ausgeschalten. Anordnungen des Gates, der Source und der Drain des Leistungszufuhrrelays 57, der Schaltelemente 61 bis 66 und der Motorrelays 71 bis 73 und Verbindungsbeziehungen zwischen den Gates und dem Gate-Terminal 475 sind ähnlich wie bei dem Leistungszufuhrrelay 56.
  • Der hervorstehende Abschnitt 312 steht von einem Ende des Basisabschnitts 311 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Der Leistungsanschluss 313 steht von einem Ende des Basisabschnitts 311 benachbart zu der langen Seite 205 hervor. Der Leistungsanschluss 313 ist mit einer Hochpotenzialseite der Batterie 50 über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Anschlussfläche 32 enthält einen Basisabschnitt 321, einen hervorstehenden Abschnitt 322 und einen Leistungsanschluss 323. Der Basisabschnitt 321 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Leistungszufuhrrelay 57 ist an dem Basisabschnitt 321 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 322 steht von einem Ende des Basisabschnitts 321 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Der Leistungsanschluss 323 steht von einem Ende des Basisabschnitts 321 benachbart zu der langen Seite 205 hervor. Der Leistungsanschluss 323 ist mit der Wechselrichtersektion 60 über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Eine nicht-montierte Anschlussfläche 43 enthält einen Basisabschnitt 431, einen hervorstehenden Abschnitt 432 und einen Steueranschluss 434. Der hervorstehende Abschnitt 432 steht von einem Ende des Basisabschnitts 431 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Der Steueranschluss 434 steht von einem Ende des Basisabschnitts 431 benachbart zu der langen Seite 206 hervor und ist mit dem Steuersubstrat 4 verbunden. Auf der nicht-montierten Anschlussfläche 43 ist kein Wärmeerzeugungselement montiert. Dadurch ist die nicht-montierte Anschlussfläche 43 nicht in einem Konzept der leitfähigen Elemente bei der vorliegenden Offenbarung enthalten. Die Source des Leistungszufuhrrelays 56, die Source des Leistungszufuhrrelays 57 und die nicht-montierte Anschlussfläche 43 sind durch ein Verdrahtungselement 81 verbunden. Das Verdrahtungselement 81 ist beispielsweise ein Kupferclip bzw. -schelle.
  • Die Anschlussfläche 33 enthält einen Basisabschnitt 331, einen hervorstehenden Abschnitt 332 und einen Leistungsanschluss 333. Der Basisabschnitt 331 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Motorrelay 71 ist auf dem Basisabschnitt 331 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 332 steht von einem Ende des Basisabschnitts 331 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Der Leistungsanschluss 333 steht von einem Ende des Basisabschnitts 331 benachbart zu der langen Seite 205 hervor. Der Leistungsanschluss 333 ist mit der U-Phasenwicklung des Motors 5 über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Anschlussfläche 34 enthält einen Basisabschnitt 341, einen hervorstehenden Abschnitt 342 und einen Leistungsanschluss 343. Der Basisabschnitt 341 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Schaltelement 61 ist auf dem Basisabschnitt 341 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 342 steht von einem Ende des Basisabschnitts 341 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Der Leistungsanschluss 341 ist mit der Leistungszufuhrrelaysektion 55 über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Anschlussfläche 35 enthält einen Basisabschnitt 351, einen hervorstehenden Abschnitt 352 und einen Steueranschluss 354. Der Basisabschnitt 351 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Schaltelement 64 ist auf dem Basisabschnitt 351 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 352 steht von einem Ende des Basisabschnitts 351 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Der Steueranschluss 354 steht von einem Ende des Basisabschnitts 351 benachbart zu der langen Seite 206 hervor und ist mit dem Steuersubstrat 4 verbunden.
  • Die Source des Motorrelays 71, die Source des Schaltelements 61 und das mit der Drain des Schaltelements 64 verbundenen Anschlussfläche 35 sind durch ein Verdrahtungselement 82 verbunden. Die Source des Schaltelements 64 ist mit einem Masseanschluss 441 über den Shunt-Widerstand 74 verbunden. Der Masseanschluss 441 ist mit der Masse über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Anschlussfläche 36 enthält einen Basisabschnitt 361, einen hervorstehenden Abschnitt 362 und einen Leistungsanschluss 363. Der Basisabschnitt 361 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Motorrelay 72 ist auf dem Basisabschnitt 361 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 362 steht von einem Ende des Basisabschnitts 361 benachbart zu dem Presselement 27 hervor. Der Leistungsanschluss 363 steht von einem Ende des Basisabschnitts 361 benachbart zu der langen Seite 205 hervor. Der Leistungsanschluss 363 ist mit der V-Phasenwicklung des Motors 5 über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Anschlussfläche 37 enthält einen Basisabschnitt 371, einen hervorstehenden Abschnitt 372 und einen Leistungsanschluss 373. Der Basisabschnitt 371 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Schaltelement 62 ist auf dem Basisabschnitt 371 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 362 steht von einem Ende des Basisabschnitts 371 benachbart zu dem Presselement 27 hervor. Der Leistungsanschluss 373 steht von einem Ende des Basisabschnitts 371 benachbart zu der langen Seite 205 hervor. Der Leistungsanschluss 373 ist mit der Leistungszufuhrrelaysektion 55 über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Anschlussfläche 38 enthält einen Basisabschnitt 381, einen hervorstehenden Abschnitt 382 und einen Steueranschluss 384. Der Basisabschnitt 381 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Schaltelement 65 ist auf dem Basisabschnitt 381 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 382 steht von einem Ende des Basisabschnitts 381 benachbart zu dem Presselement 27 hervor. Der Steueranschluss 384 steht von einem Ende des Basisabschnitts 381 benachbart zu der langen Seite 206 hervor und ist mit dem Steuersubstrat 4 verbunden.
  • Die Source des Motorrelays 72, die Source des Schaltelements 62 und die mit der Drain des Schaltelements 65 verbundenen Anschlussfläche 38 sind durch ein Verdrahtungselement 83 verbunden. Die Source des Schaltelements 65 ist mit einem Masseanschluss 442 über den Shunt-Widerstand 75 verbunden. Der Masseanschluss 442 ist mit der Masse über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Anschlussfläche 39 enthält einen Basisabschnitt 391, einen hervorstehenden Abschnitt 392 und einen Leistungsanschluss 393. Der Basisabschnitt 391 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Motorrelay 73 ist auf dem Basisabschnitt 391 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 392 steht von einem Ende des Basisabschnitts 391 benachbart zu dem Presselement 27 hervor. Der Leistungsanschluss 393 steht von einem Ende des Basisabschnitts 391 benachbart zu der langen Seite 205 hervor. Der Leistungsanschluss 393 ist mit der W-Phasenwicklung des Motors 5 über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Anschlussfläche 40 enthält einen Basisabschnitt 401, einen hervorstehenden Abschnitt 402 und einen Leistungsanschluss 403. Der Basisabschnitt 401 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Schaltelement 63 ist auf dem Basisabschnitt 401 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 402 steht von einem Ende des Basisabschnitts 401 benachbart zu dem Presselement 27 hervor. Der Leistungsanschluss 403 steht von einem Ende des Basisabschnitts 401 benachbart zu der langen Seite 205 hervor. Der Leistungsanschluss 403 ist mit der Leistungszufuhrrelaysektion 55 über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Anschlussfläche 41 enthält einen Basisabschnitt 411, einen hervorstehenden Abschnitt 412 und einen Steueranschluss 414. Der Basisabschnitt 411 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und das Schaltelement ist auf dem Basisabschnitt 411 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 412 steht von einem Ende des Basisabschnitts 411 benachbart zu dem Presselement 27 hervor. Der Steueranschluss 414 steht von einem Ende des Basisabschnitts 414 benachbart zu der langen Seite 206 hervor und ist mit dem Steuersubstrat 4 verbunden.
  • Die Source des Motorrelays 73, die Source des Schaltelements 63 und die mit der Drain des Schaltelements 66 verbundenen Anschlussfläche 41 sind durch ein Verdrahtungselement 84 verbunden. Die Source des Schaltelements 66 ist mit einem Masseanschluss 443 über den Shunt-Widerstand 76 verbunden. Der Masseanschluss 443 ist mit der Masse über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Leistungsanschlüsse 313, 323, 343, 363, 373, 393, 403, 441–443 stehen von der langen Seite 205 des Formteils 20 hervor und sind mit dem Leistungssubstrat 3 verbunden. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist ein oberes Ende des Leistungsanschlusses 313 näher als ein Basisende des Leistungsanschlusses 313. Allerdings kann der Leistungsanschluss 313 irgendeine Form aufweisen. Die anderen Leistungsanschlüsse 323, 333, 343, 363, 373, 393, 403, 441–443 können auch irgendeine Form aufweisen. Die Steueranschlüsse 354, 384, 414, 434 stehen von der langen Seite 206 des Formteils 20 hervor und sind mit dem Steuersubstrat 4 verbunden. Die Steueranschlüsse 354, 384, 414, 434 sind näher als die Leistungsanschlüsse 313, 323, 333, 343, 363, 373, 393, 403, 441–443.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Leistungszufuhrrelays 56, 57, die Schaltelemente 61, 64 und das Motorrelay 71, die den Wärmeerzeugungselementen entsprechen, um das Presselement 26 herum angeordnet. Zudem sind die Schaltelemente 62, 63, 65, 66 und die Motorrelays 72, 73 um das Presselement 27 angeordnet.
  • Das Halbleitermodul 11 ist mit dem Kühlkörper 7 unter Verwendung der Presselemente 26, 27 fixiert. Ein aufzubringender Druck zwischen dem Halbleitermodul 11 und dem Kühlkörper 7 ist größer an Positionen, die näher zu den Presselementen 26, 27 sind, und der aufzubringende Druck ist kleiner an Positionen, die weiter entfernt von den Presselementen 26, 27 liegen. Mit anderen Worten, ein Kontaktgrad zwischen dem Halbleitermodul 11 und dem Kühlkörper 7 und eine Wärmeabstrahleigenschaft ist höher an Positionen, die näher an den Presselementen 26, 27 sind, und der Kontaktgrad der Wärmeabstrahleigenschaft ist geringer an Positionen, die weiter entfernt von den Presselementen 26, 27 liegen.
  • Dadurch wird von einem Aspekt der Wärmeabstrahleigenschaft bevorzugt, dass die Wärmeerzeugungselemente, wie z. B. die Leistungszufuhrrelays 56, 57, die Schaltelemente 61 bis 66 und die Motorrelays 71 bis 73 näher zu den Presselementen 26, 27 angeordnet sind. Insbesondere wird bevorzugt, alle Wärmeerzeugungselemente in einem durch eine gestrichelt-gepunktete Linie in 3 dargestellten Wärmeabstrahlbereich R1 anzuordnen, in dem der aufzubringende Druck durch die Presselemente 26, 27 gleich oder größer als ein vorbestimmter Druck ist.
  • Andererseits gibt es bei einem Fall, bei dem einige Wärmeerzeugungselemente (beispielsweise drei oder mehrere Wärmeerzeugungselemente) bezüglich eines der Presselemente 26, 27 wie bei der vorliegenden Ausführungsform angeordnet sind, eine Möglichkeit, dass nicht alle Wärmeerzeugungselemente an dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 aufgrund einer Beschränkung der Anordnung angeordnet werden können. Wie in 3 dargestellt, sind bei der vorliegenden Ausführungsform die Wärmeerzeugungselemente außer die Schaltelemente 61, 62 außerhalb des wärmeabstrahlenden möglichen Bereichs R1 angeordnet.
  • Ein Presselement kann an einer Position hinzugefügt werden, an der ein Kontaktgrad nicht ausreicht, so dass der aufzubringende Druck bei einem Bereich, bei dem die Leistungszufuhrrelays 56, 57, die Schaltelemente 61 bis 66 und die Motorrelays 71 bis 73 montiert sind, gleich oder größer als der vorbestimmte Druck ist. Allerdings nimmt, falls das Presselement hinzugefügt wird, die Anzahl der Komponenten zu und eine Größe des Halbleitermoduls 11 erhöht sich, da ein Einführungsloch auch hinzugefügt wird, in dem das Presselement eingefügt wird.
  • Dadurch fokussiert sich die vorliegende Ausführungsform darauf, dass die Wärmeabstrahleigenschaft sichergestellt werden kann, falls ein Flächendruck wenigstens eines Teils der Anschlussfläche 31 gleich oder größer als der vorbestimmte Druck ist, und wenigstens ein Teil der Anschlussfläche 31, auf dem das Leistungszufuhrrelay 56, das das außerhalb des zur Wärmeabgabe fähigen Bereichs R1 angeordnete Wärmeerzeugungselement ist, montiert ist, ist in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 enthalten. Insbesondere steht der hervorstehende Abschnitt 312 von dem Ende des Basisabschnitts 311 der Anschlussfläche 31 benachbart zu dem Presselement 26 hervor, und ein Teil des hervorstehenden Abschnitts 312 ist in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 enthalten. Mit anderen Worten, ein Teil der Anschlussfläche 31 ist in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 enthalten, da der hervorstehende Abschnitt 312 ausgebildet ist.
  • Die Anschlussfläche 31 besteht aus einem Material mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit und einer hohen thermischen Leitfähigkeit. Dadurch wird, wenn wenigstens ein Teil der Anschlussfläche 31 in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 enthalten ist, selbst wenn das Leistungszufuhrrelay 56, das auf der Anschlussfläche 31 montiert ist, außerhalb des zur Wärmeabgabe fähigen Bereichs R1 angeordnet ist, eine durch das Leistungszufuhrrelay 56 erzeugte Wärme über die Anschlussfläche 31 übertragen, und die Wärme kann wirksam von einer Position abgestrahlt werden, an der der aufzubringende Druck durch das Presselement 26 größer in Richtung des Kühlkörpers 7 ist. Der aufzubringende Druck durch das Presselement 26 ist größer an einer Position, die näher zu dem Presselement 26 liegt, und der hervorstehende Abschnitt 312 steht von dem Ende des Basisabschnitts 311 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Dadurch ist der hervorstehende Abschnitt 312 an einer Position angeordnet, an der der aufzubringende Druck durch das Presselement 26 größer ist. Demgemäß kann die durch das Leistungszufuhrrelay 56 erzeugte Wärme mit hoher Wirksamkeit abgestrahlt werden.
  • Außerdem ist ein Bereich des hervorstehenden Abschnitts 312 in der Anschlussfläche 31 schmäler als der Basisabschnitt 311. Da der Bereich des hervorstehenden Abschnitts 312 in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 kleiner ist, können einige Wärmeerzeugungselemente um das Presselement 26 angeordnet sein, und das Halbleitermodul 11 kann verkleinert werden. Das Gleiche gilt für die anderen Anschlussflächen 32 bis 41.
  • Zudem weisen alle Anschlussflächen 31, 32, 33, 34, 35, die entsprechend dem Presselement 26 angeordnet sind, jeweils die hervorstehenden Abschnitte 312, 322, 332, 342, 352 auf. Die hervorstehenden Abschnitte 312, 322, 332, 342, 352 sind so ausgebildet, dass sie das Presselement 26 umgeben. Auf ähnliche Weise weisen alle Anschlussflächen 36, 37, 38, 39, 40, 41, die entsprechend dem Presselement 27 angeordnet sind, jeweils die hervorstehenden Abschnitte 362, 372, 382, 392, 402, 412 auf. Die hervorstehenden Abschnitte 362, 372, 382, 392, 402, 412 sind so ausgebildet, dass sie das Presselement 27 umgeben. Demgemäß kann der Bereich der Anschlussfläche 31 bis 41, auf dem die Wärmeerzeugungselemente montiert sind, hauptsächlich in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 entsprechend jedem der Presselemente 26, 27 gesichert werden. Dadurch können einige Wärmeerzeugungselemente bezüglich jedes Presselements 26, 27 angeordnet sein. Demgemäß kann die Halbleitervorrichtung 10 verkleinert werden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist das Halbleitermodul 11 an den Kühlkörper 7 mit zwei Presselementen 26, 27 fixiert. Da der aufzubringende Druck durch die zwei Presselemente 26, 27 an einer Region zwischen den zwei Presselementen 26, 27 wirkt, ist der aufzubringende Druck an der Region zwischen den zwei Presselementen 26, 27 relativ groß. Die Schaltelemente 61, 62, die in der Region zwischen den Presselementen 26, 27 angeordnet sind, sind vollständig in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 enthalten. Dadurch werden der hervorstehende Abschnitt 342 in der Anschlussfläche 34, auf dem das Schaltelement 61 montiert ist, und der hervorstehende Abschnitt 372 in der Anschlussfläche 37, auf dem das Schaltelement 62 montiert ist, nicht immer erforderlich. Selbst bei einem Fall, bei dem die Schaltelemente 61, 62 vollständig in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 enthalten sind, wenn die hervorstehenden Abschnitte 342, 372 an Positionen ausgebildet sind, an denen der aufzubringende Druck größer ist, kann die Warme mit hoher Wirksamkeit abgestrahlt werden.
  • Ein Teil eines Wärmeerzeugungselements kann in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 enthalten sein. In diesem Fall ist ein Teil einer Anschlussfläche, auf dem das Wärmeerzeugungselement montiert ist, in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 enthalten. Dadurch ist ein hervorstehender Abschnitt nicht immer erforderlich. Allerdings wird bevorzugt, dass der hervorstehende Abschnitt derart ausgebildet ist, dass die Anschlussfläche an einer Position angeordnet ist, an der der aufzubringende Druck größer ist.
  • Der vorbestimmte Druck, der den zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 definiert, ist ein Druck, der das Halbleitermodul 11 in engem Kontakt mit dem Kühlkörper 7 über das Wärmeabstrahlblech 8 auf einen Grad bringen kann, der eine Wärmeabstrahlung von den Leistungszufuhrrelays 56, 57, den Schaltelementen 61 bis 66 und den Motorrelays 71 bis 73 zu dem Kühlkörper 7 ermöglicht. Beispielsweise kann, wenn das Wärmeabstrahlblech 8 eine Luftschicht enthält, der vorbestimmte Druck ein Druck sein, der die Luftschicht komprimiert. Der vorbestimmte Druck hängt von einer Ebenheit des Halbleitermoduls 11, einer Ebenheit des Kühlkörpers 7, einer Konfiguration eines Wärmeabstrahlblechs 8 und dergleichen ab, und der vorbestimmte Druck kann geeignet eingestellt werden.
  • Wie vorstehend beschrieben, enthält die Halbleitervorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform das Halbleitermodul 11 und die Druckelemente 26, 27. Das Halbleitermodul 11 enthält Wärmeerzeugungselemente 56, 57, 61–66, 71–73, die Wärme in Folge einer Erregung erzeugen, die Anschlussflächen 31 bis 41, die jeweils mit wenigstens einem der Wärmeerzeugungselemente 56, 57, 61–66, 71–73 montiert sind, und das Formteil 20, das integral die Wärmeerzeugungselemente 56, 57, 61–66, 71–73 und die Anschlussflächen 31 bis 41 formt.
  • Die Presselemente 26, 27 pressen bzw. drücken das Halbleitermodul 11 an den Kühlkörper 7. Bei der vorliegenden Ausführungsform weist jeder der Anschlussflächen 31, 32, 33, 35, 36, 38, 39, 40, 41, die mit den Wärmeerzeugungselementen 56, 57, 61–66, 71–73 montiert sind, die außerhalb des zur Wärmeabgabe fähigen Bereichs R1 angeordnet sind, in dem der aufzubringende Druck durch die Presselemente 26, 27 gleich oder größer als der vorbestimmte Druck ist, eine solche Form auf dass ein Teil jeder der Anschlussflächen 31, 32, 33, 35, 36, 38, 39, 40, 41 in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 enthalten ist.
  • Die Wärme, die durch die Wärmeerzeugungselemente 56, 57, 63–66, 71–73 erzeugt wird, die außerhalb des zur Wärmeabgabe fähigen Bereichs R1 angeordnet sind, wird über die Anschlussflächen 31, 32, 33, 35, 36, 38, 39, 40, 41 übertragen, auf denen die Wärmeerzeugungselemente 56, 57, 63–66, 71–73 montiert sind, und wird von dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 an den Kühlkörper 7 abgestrahlt. Da die Wärme, die durch die Wärmeerzeugungselemente 56, 57, 63–66, 71–73 erzeugt wird, die außerhalb des zur Wärmeabgabe fähigen Bereichs R1 angeordnet sind, wirksam abgestrahlt werden kann, können einige Wärmeerzeugungselemente 56, 57, 63–66, 71–73 bezüglich der Presselemente 26, 27 angeordnet sein, und das Halbleitermodul 11 kann verkleinert werden. Zudem kann, verglichen mit einem Fall, bei dem alle Wärmeerzeugungselemente 56, 57, 63–66, 71–73 in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 angeordnet sind, eine Flexibilität der Anordnung erhöht werden. Ferner kann die Anzahl der Presselemente reduziert werden, und die Anzahl der für das Anbringen der Presselemente erforderlichen Handlungen kann reduziert werden.
  • Die Anschlussfläche 31 enthält den Basisabschnitt 311, auf den das Wärmeerzeugungselement 56 montiert ist, und der hervorstehende Abschnitt 312 steht von dem Ende des Basisabschnitts 311 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Da der hervorstehende Abschnitt 312 von dem Ende des Basisabschnitts 311 benachbart zu dem Presselement 26 in Richtung des Presselements 26 hervorsteht, ist wenigstens ein Teil des hervorstehenden Abschnitts 312 in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 enthalten.
  • Bei einem Fall, bei dem der hervorstehende Abschnitt 312 so ausgebildet ist, dass er in Richtung des Presselements 26 hervorsteht, kann der hervorstehende Abschnitt 312 an einer Position angeordnet sein, an der der aufzubringende Druck durch das Presselement 26 größer ist. Dadurch kann die durch das Wärmeerzeugungselement 56 erzeugte Wärme an den Kühlkörper 7 über die Anschlussfläche 31 mit hoher Wirksamkeit abgestrahlt werden. Das Gleiche gilt für die anderen Anschlussflächen 32 bis 41.
  • Alle Anschlussflächen 31 bis 41 weisen jeweils hervorstehende Abschnitte 312, 322, 332, 342, 352, 362, 372, 382, 392, 402, 412 auf. Insbesondere sind die hervorstehenden Abschnitte 312, 322, 332, 342, 352 so angeordnet, dass sie das Presselement 26 umgeben, und die hervorstehenden Abschnitte 362, 372, 382, 392, 402, 412 sind so angeordnet, dass sie das Presselement 27 umgeben. Demgemäß können einige Anschlussflächen 31 bis 41 in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R1 angeordnet sein, und einige Wärmeerzeugungselemente 56, 57, 61–66, 71–73 können so angeordnet sein, dass sie Wärme abstrahlen können.
  • Außerdem ist der Bereich des hervorstehenden Abschnitts 312 in der Anschlussfläche 31 kleiner als der Bereich des Basisabschnitts 311. Da der Bereich des hervorstehenden Abschnitts 312 innerhalb eines Bereichs einer möglichen Wärmeabstrahlung verkleinert wird, können einige Anschlussflächen 31 bis 41 bezüglich der Presselemente 26, 27 angeordnet sein. Demgemäß können einige Wärmeerzeugungselemente 56, 57, 61–66, 71–73 bezüglich der Presselemente 26, 27 derart angeordnet sein, dass sie eine Wärme abstrahlen können, und das Halbleitermodul 11 kann verkleinert werden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist ein Wärmeerzeugungselement 56 in dem Basisabschnitt 311 montiert. Dadurch kann die durch das Wärmeerzeugungselement 56 erzeugte Wärme mit hoher Genauigkeit abgestrahlt werden. Das gleiche gilt für die anderen Anschlussflächen 31 bis 41.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Ein Halbleitermodul 12 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird mit Bezug auf 5 beschrieben. Das Halbleitermodul 12 ist verschieden von dem Halbleitermodul 11 gemäß der ersten Ausführungsform in der Form der Anschlussflächen. Bezüglich der Wärmewerte der Schaltelemente 61 bis 66 und der Motorrelays 71 bis 73, die die Wechselrichtersektion 60 bilden, sind im Allgemeinen die Wärmewerte der Motorrelays 61 bis 73 die größten, die Wärmewerte der an der Hochpotenzialseite der angeordneten Schaltelemente 61 bis 63 die nächstkommenden, und die Wärmewerte der an der Niedrigpotenzialseite angeordneten Schaltelemente 64 bis 66 sind die kleinsten. Dadurch ist bei der vorliegenden Ausführungsform der Bereich der hervorstehenden Abschnitte in den Anschlussflächen, die mit den Wärmeerzeugungselementen montiert sind, zum Erhöhen einer Wärmeabstrahlwirksamkeit erhöht.
  • Wie in 5 dargestellt, steht ein hervorstehender Abschnitt 335 in der Anschlussfläche 33, auf dem das Motorrelay 71 montiert ist, von einem Ende des Basisabschnitts 331 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Zudem steht ein hervorstehender Abschnitt 345 in der Anschlussfläche 34, auf dem das Schaltelement 61 montiert ist, von einem Ende des Basisabschnitts 341 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Der hervorstehende Abschnitt 352 in der Anschlussfläche 35, auf dem das Schaltelement 64 montiert ist, ist ähnlich zu dem hervorstehenden Abschnitt 352 gemäß der ersten Ausführungsform. Da die Wärmewerte des Motorrelays 71, des Schaltelements 61 und des Schaltelements 64 in dieser Reihenfolge abnehmen, nehmen die Bereiche der hervorstehenden Abschnitte 335, 345, 352 in dieser Reihenfolge ab.
  • Auf ähnliche Weise steht ein hervorstehender Abschnitt 365 in der Anschlussfläche 36, auf dem das Motorrelay 72 montiert ist, von einem Ende des Basisabschnitts 361 benachbart zu dem Presselement 27 hervor. Zudem steht ein hervorstehender Abschnitt 375 in der Anschlussfläche 37, auf dem das Schaltelement 62 montiert ist, von einem Ende des Basisabschnitts 371 benachbart zu dem Presselement 27 hervor. Der hervorstehende Abschnitt 382 in der Anschlussfläche 38, auf dem das Schaltelement 65 montiert ist, ist ähnlich wie der hervorstehende Abschnitt 382 gemäß der ersten Ausführungsform. Da die Werte der Motorrelays 72, des Schaltelements 62 und des Schaltelements 65 in dieser Reihenfolge abnehmen, nehmen die Bereiche der hervorstehenden Abschnitte 365, 375, 382 in dieser Reihenfolge ab.
  • Auf ähnliche Weise steht ein hervorstehender Abschnitt 395 in der Anschlussfläche 39, auf dem das Motorrelay 73 montiert ist, von einem Ende des Basisabschnitts 391 benachbart zu dem Presselement 27 hervor. Ein hervorstehender Abschnitt 405 in der Anschlussfläche 40, auf dem das Schaltelement 63 montiert ist, steht von einem Ende des Basisabschnitts 401 benachbart von dem Presselement 27 hervor. Der hervorstehende Abschnitt 412 in der Anschlussfläche 41, auf dem das Schaltelement 66 montiert ist, ist ähnlich wie der hervorstehende Abschnitt 412 gemäß der ersten Ausführungsform. Da die Wärmewerte des Motorrelays 73 des Schaltelements 63 und des Schaltelements 66 in dieser Reihenfolge abnehmen, nehmen die Bereiche der hervorstehenden Abschnitte 395, 405, 412 in dieser Reihenfolge ab. Bei der vorliegenden Ausführungsform weist jeder hervorstehende Abschnitt 335, 345, 365, 375, 395, 405 eine gestufte Form auf.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform werden Bereiche der hervorstehenden Abschnitte in den Anschlussflächen entsprechend der Wärmewerte der Wärmeerzeugungselemente, die auf den Anschlussflächen montiert sind, eingestellt. Dadurch kann die durch die Wärmeerzeugungselemente erzeugte Wärme mit hoher Genauigkeit abgestrahlt werden. Ferner können die gleichen Wirkungen wie die bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform erhalten werden.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Ein Halbleitermodul 13 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird mit Bezug auf die 6 und 7 beschrieben. Wie in 6 dargestellt, ist bei dem Halbleitermodul 13 die Wechselrichtersektion 60 als ein Modul modularisiert. Die Leistungszufuhrrelaysektion und die Motorrelaysektion können als andere Module modularisiert werden oder es kann darauf verzichtet werden.
  • Das Halbleitermodul 13 enthält einen Leiterrahmen 500 und ein Formteil 21, das den Leiterrahmen 500 formt. Der Leiterrahmen 500 besteht aus einem Material, wie z. B. einer Kupferplatte, mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit und einer hohen thermischen Leitfähigkeit. Das Halbleitermodul 13 ist in einer Plattenform als Ganzes geformt. Das Formteil 21 weist ein Einführungsloch 211 auf. Das Halbleitermodul 13 ist an den Kühlkörper 7 mit einem in das Durchführungsloch 211 eingeführten Presselement 28 fixiert. Das Presselement 28 ist beispielsweise eine Schraube ähnlich wie die Presselemente 26, 27.
  • Der Leiterrahmen 500 enthält Anschlussflächen 501 bis 506 als leitfähige Elemente. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Anschlussflächen 501 bis 506 um das Presselement 28 herum angeordnet. Die Anschlussfläche 501 enthält einen Basisabschnitt 511, einen hervorstehenden Abschnitt 512, einen Leistungsanschluss 513 und einen Steueranschluss 514. Das Schaltelement 61 ist auf dem Basisabschnitt 511 montiert. Die Anschlussfläche 503 enthält einen Basisabschnitt 521, einen hervorstehenden Abschnitt 522 und einen Leistungsanschluss 523. Das Schaltelement 62 ist auf dem Basisabschnitt 521 montiert. Eine Anschlussfläche 503 enthält einen Basisabschnitt 531, einen hervorstehenden Abschnitt 532 und einen Leistungsanschluss 533. Das Schaltelement 31 ist so montiert, dass es den Basisabschnitt 531 und den hervorstehenden Abschnitt 532 spreizt.
  • Die Anschlussfläche 504 enthält einen Basisabschnitt 541, einen hervorstehenden Abschnitt 542 und einen Leistungsanschluss 543. Das Schaltelement 64 ist auf dem Basisabschnitt 541 montiert. Die Anschlussfläche 505 enthält einen Basisabschnitt 551, einen hervorstehenden Abschnitt 552 und einen Leistungsanschluss 553. Das Schaltelement 65 ist auf dem Basisabschnitt 551 montiert. Die Anschlussfläche 506 enthält einen Basisabschnitt 561, einen hervorstehenden Abschnitt 562, einen Leistungsanschluss 563 und einen Steueranschluss 564. Das Schaltelement ist auf dem Basisabschnitt 561 montiert.
  • Der Basisabschnitt 511 in der Anschlussfläche 501 weist im Wesentlichen eine rechteckige Form auf, und der hervorstehende Abschnitt 512 steht von einem Ende des Basisabschnitts 511 benachbart zu dem Presselement 26 hervor. Ein Bereich des hervorstehenden Abschnitts 512 ist kleiner als ein Bereich des Basisabschnitts 511. Das Gleiche gilt für die anderen Anschlussflächen 502 bis 506.
  • Die Leistungsanschlüsse 513, 523, 533 sind mit der Hochpotenzialseite der Batterie 50 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Der Leistungsanschluss 543 ist mit der U-Phasenwicklung des Motors 5 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Der Leistungsanschluss 553 ist mit der V-Phasenwicklung des Motors 5 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Der Leistungsanschluss 563 ist mit der W-Phasenwicklung des Motors 5 über das Leistungssubstrat 3 verbunden.
  • Die Source des Schaltelements 61 ist mit der Anschlussfläche 504 durch ein Verdrahtungselement 181 verbunden. Die Source des Schaltelements 62 ist mit dem Leistungsanschluss 553 in der Anschlussfläche 505 über ein Verdrahtungselement 162 verbunden. Die Source des Schaltelements 63 ist mit dem Leistungsanschluss 563 in der Anschlussfläche 506 über das Verdrahtungselement 183 verbunden.
  • Die Source des Schaltelements 64 ist mit einem Masseanschluss 571 durch einen Shunt-Widerstand 184 verbunden. Die Source des Schaltelements 65 ist mit einem Masseanschluss 572 durch einen Shunt-Widerstand 185 verbunden. Die Source des Schaltelements 66 ist mit einem Masseanschluss 572 durch einen Shunt-Widerstand 186 verbunden. Die Masseanschlüsse 571 bis 573 sind mit der Masse über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Die Masseanschlüsse 572, 573 sind integral mit den Steueranschlüssen 574, 575 ausgebildet. Die Steueranschlüsse 514, 564, 574, 575 sind mit dem Steuersubstrat 4 verbunden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die die Wechselrichtersektion 60 bildenden Schalterelemente 61 bis 66 die Wärmeerzeugungselemente. Wenigstens ein Teil jede der Anschlussflächen 501 bis 506, auf denen die Schaltelemente 61 bis 66 montiert sind, ist in einem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R3 enthalten, in dem ein aufzubringender Druck durch das Presselement 28 gleich oder größer als ein vorbestimmter Druck ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Anzahl der Presselemente 28 zum Fixieren des Halbleitermoduls 13 an den Kühlkörper 7 eins. Dadurch ist der zur Wärmeabgabe fähige Bereich R3 im Wesentlichen eine kreisförmige Region. Die Wärme, die durch Schalten der Schaltelemente 61 bis 66 erzeugt wird, die die Wechselrichtersektion 60 ausbilden, wird von dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R3 entsprechend dem einen Presselement 28 abgestrahlt. Demgemäß kann die durch die Schaltelemente 61 bis 66 erzeugte Wärme wirksam abgestrahlt werden. Zudem kann das die Wechselrichtersektion 60 ausbildende Halbleitermodul 13 verkleinert werden. Ferner können die gleichen Wirkungen wie die bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform erhalten werden.
  • (Vierte Ausführungsform)
  • Ein Halbleitermodul 14 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird mit Bezug auf 8 und 9 beschrieben. Die vorliegende Ausführungsform ist eine Abwandlung der dritten Ausführungsform. Eine Anschlussfläche 508 ist anstelle der Anschlussflächen 501 bis 503 vorgesehen und eine Anschlussfläche 509 ist anstelle der Anschlussfläche 504 vorgesehen. Die Anschlussflächen 505, 506 sind ähnlich wie die Anschlussflächen 505, 506 gemäß der dritten Ausführungsform. Wie in 8 dargestellt, enthält ein Leiterrahmen 510 bei dem Halbleitermodul 14 die Anschlussflächen 505, 506, 508, 509. Die Anschlussflächen 505, 506, 508, 509 sind um das Presselement 28 angeordnet.
  • Die Anschlussfläche 508 enthält einen Basisabschnitt 581, einen hervorstehenden Abschnitt 585 und einen Leistungsanschluss 583. Die Schaltelemente 61 bis 63 sind auf der Anschlussfläche 508 montiert. Insbesondere sind die Schaltelemente 61, 62 auf dem Basisabschnitt 581 montiert, und das Schaltelement 63 ist derart montiert, dass sie den Basisabschnitt 581 und den hervorstehenden Abschnitt 582 spreizt. Bei der vorliegenden Ausführungsform weisen die Drains der Schaltelemente 61 bis 63 das gleiche Potenzial auf. Dadurch sind die Schaltelemente 61 bis 63 auf einem Anschlussfläche 508 montiert. Der hervorstehende Abschnitt 582 wird durch Vorsehen eines bogenförmigen ausgeschnittenen Abschnitts 584 bei einem Ende der Anschlussfläche 508 benachbart zu dem Presselement 28 ausgebildet. Die Anschlussfläche 509 enthält einen Basisabschnitt 591, einen hervorstehenden Abschnitt 592, einen Leistungsabschnitt 593 und einen Steueranschluss 594. Das Schaltelement 64 ist auf dem Basisabschnitt 591 montiert.
  • Der Basisabschnitt 581 in der Anschlussfläche 508 weist im Wesentlichen eine rechteckige Form auf, und der hervorstehende Abschnitt 582 steht von einem Ende des Basisabschnitts 581 benachbart zu dem Presselement 28 hervor. Ein Bereich des hervorstehenden Abschnitts 582 ist kleiner als ein Bereich des Basisabschnitts 581. Das Gleiche gilt für die Anschlussfläche 509.
  • Der Leistungsanschluss 583 ist mit der Hochpotenzialseite der Batterie 50 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Der Leistungsanschluss 593 ist mit der U-Phasenwicklung des Motors 5 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Die Source des Schaltelements 61 ist mit dem Leistungsanschluss 593 in der Anschlussfläche 509 durch ein Verdrahtungselement 191 verbunden. Die Source des Schaltelements 62 ist mit dem Leistungsanschluss 553 in der Anschlussfläche 505 durch ein Verdrahtungselement 192 verbunden. Die Source des Schaltelements 63 ist mit dem Leistungsanschluss 563 in der Anschlussfläche 506 durch ein Verdrahtungselement 193 verbunden.
  • Die Source des Schaltelements 63 ist mit einem Masseanschluss 576 durch einen Shunt-Widerstand 194 verbunden. Die Source des Schaltelements 65 ist mit einem Masseanschluss 577 durch einen Shunt-Widerstand 195 verbunden. Die Source des Schaltelements 66 ist mit dem Masseanschluss 577 durch einen Shunt-Widerstand 196 verbunden. Die Masseanschlüsse 576, 577 sind mit der Masse über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Die Schaltelemente 65, 66 teilen sich den Masseanschluss 577. Der Masseanschluss 577 ist integral mit einem Steueranschluss 578 ausgebildet. Die Steueranschlüsse 578, 594 sind mit dem Steuersubstrat 4 verbunden.
  • Wenigstens ein Teil jede der Anschlussflächen 505, 506, 508, 509, auf denen die Schaltelemente 61 bis 66 montiert sind, ist in einem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R4 enthalten, in dem ein aufzubringender Druck durch das Presselement 28 gleich oder größer als ein vorbestimmter Druck ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind mehr als ein Wärmeerzeugungselement 61 bis 63 auf der Anschlussfläche 508 montiert. Demgemäß kann das Halbleitermodul 14 verkleinert werden. Zudem kann die Anzahl der Anschlüsse reduziert werden. Ferner können die gleichen Effekte wie die bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen erhalten werden.
  • (Fünfte Ausführungsform)
  • Ein Halbleitermodul 15 gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird mit Bezug auf 10 und 11 beschrieben. Wie in 10 dargestellt, sind bei dem Halbleitermodul 15 die Leistungszufuhrrelaysektion 55 und die Wechselrichtersektion 60 als ein Modul modularisiert. Die Motorrelaysektion kann als ein anderes Modul modularisiert werden oder es kann darauf verzichtet werden. Ein Leiterrahmen 600 in dem Halbleitermodul 15 enthält Anschlussflächen 601 bis 608.
  • Die Anschlussfläche 601 enthält einen Basisabschnitt 611, einen hervorstehenden Abschnitt 612 und einen Leistungsanschluss 613. Das Leistungszufuhrrelay 56 ist auf dem Basisabschnitt 611 montiert. Die Anschlussfläche 602 enthält einen Basisabschnitt 621, einen hervorstehenden Abschnitt 622 und einen Leistungsanschluss 623. Das Leistungszufuhrrelay 57 ist auf dem Basisabschnitt 621 montiert.
  • Die Anschlussfläche 603 enthält einen Basisabschnitt 631, einen hervorstehenden Abschnitt 632 und einen Leistungsanschluss 633. Das Schaltelement 61 ist auf dem Basisabschnitt 631 montiert. Die Anschlussfläche 604 enthält einen Basisabschnitt 641, einen hervorstehenden Abschnitt 642 und einen Leistungsanschluss 643. Das Schaltelement 62 ist auf dem Basisabschnitt 541 montiert. Die Anschlussfläche 605 enthält einen Basisabschnitt 651, einen hervorstehenden Abschnitt 652 und einen Leistungsanschluss 653. Das Schaltelement 63 ist auf dem Basisabschnitt 651 montiert.
  • Die Anschlussfläche 606 enthält ein Basisabschnitt 661, einen hervorstehenden Abschnitt 662, einen Leistungsanschluss 663 und einen Steueranschluss 664. Das Schaltelement 64 ist auf dem Basisabschnitt 661 montiert. Die Anschlussfläche 607 enthält einen Basisabschnitt 671, einen hervorstehenden Abschnitt 672 und einen Leistungsanschluss 673. Das Schaltelement 65 ist auf dem Basisabschnitt 671 montiert. Die Anschlussfläche 608 enthält einen Basisabschnitt 681, einen hervorstehenden Abschnitt 682, einen Leistungsanschluss 683 und einen Steueranschluss 684. Das Schaltelement 66 ist auf dem Basisabschnitt 681 montiert.
  • Der Basisabschnitt 612 in der Anschlussfläche 601 weist eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, und der hervorstehende Abschnitt 612 steht von einem Ende des Basisabschnitts 611 benachbart zu dem Presselement 28 hervor. Ein Bereich des hervorstehenden Abschnitts 612 ist kleiner als ein Bereich des Basisabschnitts 611. Das Gleiche gilt auch für die anderen Anschlussflächen 602 bis 608.
  • Die Source des Leistungszufuhrrelays 56 und die Source des Leistungszufuhrrelays 57 sind durch ein Verdrahtungselement 261 verbunden. Die Source des Schaltelements 61 ist mit dem Leistungsanschluss 673 in der Anschlussfläche 607, auf dem das Schaltelement 65 montiert ist, durch ein Verdrahtungselement 262 verbunden. Die Source des Schaltelements 62 ist mit dem Leistungsanschluss 673 in der Anschlussfläche 606, auf dem das Schaltelement 64 montiert ist, durch ein Verdrahtungselement 263 verbunden. Die Source des Schaltelements 63 ist mit dem Leistungsanschluss 683 in der Anschlussfläche 608, auf dem das Schaltelement 66 montiert ist, durch ein Verdrahtungselement 264 verbunden.
  • Die Source des Schaltelements 64 ist mit einem Masseanschluss 691 durch einen Shunt-Widerstand 265 verbunden. Die Source des Schaltelements 65 ist mit einem Masseanschluss 692 durch einen Shunt-Widerstand 266 verbunden. Die Source des Schaltelements 66 ist mit einem Masseanschluss 693 durch einen Shunt-Widerstand 267 verbunden. Die Masseanschlüsse 691 bis 693 sind mit der Masse über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Die Masseanschlüsse 691 bis 693 sind jeweils mit den Steueranschlüssen 694 bis 696 verbunden.
  • Der Leistungsanschluss 613 ist mit der Hochpotenzialseite der Batterie 50 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Der Leistungsanschluss 623 ist mit der Wechselrichtersektion 60 verbunden. Die Leistungsanschlüsse 633, 643, 653 sind mit der Leistungszufuhrrelaysektion 55 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Die Masseanschlüsse 691 bis 693 sind mit der Masse über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Der Masseanschluss 363 ist mit der U-Phasenwicklung des Motors 5 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Der Leistungsanschluss 673 ist mit der V-Phasenwicklung des Motors 5 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Der Leistungsanschluss 683 ist mit der W-Phasenwicklung des Motors 5 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Die Steueranschlüsse 664, 684, 694 bis 696 sind mit dem Steuersubstrat 4 verbunden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Schaltelemente 61 bis 66, die die Wechselrichtersektion 60 ausbilden, und die Leistungszufuhrrelays 56, 57, die zwischen der Wechselrichtersektion 60 und der Batterie 50 verbunden sind, Wärmeerzeugungselemente. Jede Anschlussfläche 601 bis 608, auf dem die Schaltelemente 61 bis 66 und die Leistungszufuhrrelays 56, 57 montiert sind, weisen eine solche Form auf, dass sie wenigstens ein Teil jede der Anschlussflächen 601 bis 608 in einem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R5 entsprechend dem einen Restelement 28 enthalten.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird die Wärme, die durch Schalten der Schaltelemente 61 bis 66, die die Wechselrichtersektion 60 ausbilden, und die Leistungszufuhrrelays 56, 57 erzeugen, von dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R5 entsprechend dem einen Presselement 28 abgestrahlt. Demgemäß kann die durch die Schaltelemente 61 bis 66 und die Leistungszufuhrrelays 56 bis 57 erzeugte Wärme wirksam abgestrahlt werden. Zudem kann das Halbleitermodul 15 verkleinert werden. Ferner können die gleichen Wirkungen wie die bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen erhalten werden.
  • (Sechste Ausführungsform)
  • Ein Halbleitermodul 16 gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird beschrieben mit Bezug auf die 12 und 13. Die vorliegende Ausführungsform ist eine Abwandlung der fünften Ausführungsform, und eine Anschlussfläche 701 ist anstelle der Anschlussflächen 601, 603, 604, 605 vorgesehen. Die anderen Anschlussflächen 602, 606 bis 608 sind ähnlich wie die Anschlussflächen 602, 606 bis 608 gemäß der fünften Ausführungsform. Wie in 12 dargestellt, enthält ein Leiterrahmen 610 bei dem Halbleitermodul 16 die Anschlussflächen 602, 606, 607, 608, 701. Die Anschlussflächen 602, 606, 607, 608, 701 sind um das Presselement 28 herum angeordnet.
  • Die Anschlussfläche 701 enthält einen Basisabschnitt 711, einen hervorstehenden Abschnitt 712 und einen Leistungsanschluss 713. Das Leistungszufuhrrelay 56 und die Schaltelemente 61 bis 63 sind auf der Anschlussfläche 701 montiert. Insbesondere sind die Schaltelemente 61, 63 auf dem Basisabschnitt 711 montiert, und das Leistungszufuhrrelay 56 und das Schaltelement 62 sind so angeordnet, dass sie den Basisabschnitt 711 und den hervorstehenden Abschnitt 712 spreizen. Da die Drains des Leistungszufuhrrelays 56 und der Schaltelemente 61 bis 63 das gleiche Potenzial aufweisen, sind das Leistungszufuhrrelay 56 und die Schaltelemente 61 bis 63 auf einer Anschlussfläche 701 montiert. Der vorstehende Abschnitt 712 ist durch Vorsehen eines bogenförmigen herausgeschnitten Abschnitts 714 bei einem Ende der Anschlussfläche 701 benachbart zu dem Presselement 28 ausgebildet.
  • Der Basisabschnitt 711 in der Anschlussfläche 701 weist im Wesentlichen eine rechteckige Form auf, und der hervorstehende Abschnitt 712 steht von einem Ende des Basisabschnitts 711 benachbart zu dem Presselement 28 hervor. Der Leistungsanschluss 713 ist mit der Hochpotenzialseite der Batterie 50 über das Leistungssubstrat 3 verbunden. Wenigstens ein Teil jede der Anschlussflächen 602, 606, 607, 608, 609, 701, auf dem die Leistungszufuhrrelays 56, 57 und die Schaltelemente 61 bis 66 montiert sind, ist in einem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R6 enthalten, in dem ein aufzubringender Druck durch das Presselement 28 gleich oder größer als ein vorbestimmter Druck ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform werden mehr als ein Wärmeerzeugungselement 56, 61 bis 63 auf der Anschlussfläche 701 montiert. Demgemäß kann das Halbleitermodul 16 verkleinert werden. Zudem kann die Anzahl der Anschlüsse reduziert werden. Darüber hinaus können die gleichen Wirkungen wie die bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen erhalten werden.
  • (Siebte Ausführungsform)
  • Ein Halbleitermodul 17 gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird mit Bezug auf 14 und 15 beschrieben. Das Halbleitermodul 17 wird auf einen Motor 6 mit einer Bürste als Last angewandt. Wie in 15 dargestellt, enthält eine Wechselrichtersektion 160 vier Schaltelemente 161 bis 164, die eine H-Brückenschaltung ausbilden. Die Schaltelemente 161, 162 sind an einer Hochpotenzialseite der H-Brückenschaltung angeordnet. Die Schaltelemente 163, 164 sind an einer Niedrigpotenzialseite der H-Brückenschaltung angeordnet.
  • Eine Motorrelaysektion 170 enthält Motorrelays 171, 172 als Lastrelays. Das Motorrelay 171 ist zwischen einem Verbindungspunkt der Schaltelemente 161, 163 und einer Wicklung des Motors 6 verbunden. Das Motorrelay 172 ist zwischen einem Verbindungspunkt der Schaltelemente 162, 164 und der Wicklung des Motors 6 verbunden. Die Leistungszufuhrrelaysektion 55 ist ähnlich wie die Leistungszufuhrrelaysektion 55 gemäß der ersten Ausführungsform und ist zwischen der Batterie 50 und der Wechselrichtersektion 160 angeordnet.
  • Jedes Schaltelement 161 bis 164 und Motorrelay 171, 172 ist ein MOSFET ähnlich wie die Leistungszufuhrrelays 56, 57. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Leistungszufuhrrelays 56, 57, die Schaltelemente 161, 164 und die Motorrelays 171, 172 die Wärmeerzeugungselemente.
  • Wie in 14 dargestellt, enthält ein Leiterrahmen 800 in dem Halbleitermodul 17 Anschlussflächen 801 bis 808. Die Anschlussfläche 801 enthält einen Basisabschnitt 811, einen hervorstehenden Abschnitt 812 und einen Leistungsanschluss 813. Das Leistungszufuhrrelay 56 ist auf der Basis 811 montiert. Die Anschlussfläche 802 enthält einen Basisabschnitt 821, einen hervorstehenden Abschnitt 822 und einen Leistungsanschluss 823. Das Leistungszufuhrrelay 57 ist auf dem Basisabschnitt 821 montiert.
  • Die Anschlussfläche 803 enthält einen Basisabschnitt 831, einen hervorstehenden Abschnitt 832 und einen Leistungsanschluss 833. Das Schaltelement 161 ist auf dem Basisabschnitt 831 montiert. Die Anschlussfläche 804 enthält einen Basisabschnitt 841, einen hervorstehenden Abschnitt 842 und einen Leistungsabschnitt 843. Das Schaltelement 162 ist auf dem Basisabschnitt 841 montiert. Die Anschlussfläche 805 enthält einen Basisabschnitt 851, einen hervorstehenden Abschnitt 852 und einen Steueranschluss 854. Das Schaltelement 163 ist auf dem Basisabschnitt 851 montiert. Die Anschlussfläche 806 enthält einen Basisabschnitt 861, einen hervorstehenden Abschnitt 862 und einen Steueranschluss 864. Das Schaltelement 164 ist auf dem Basisabschnitt 861 montiert.
  • Die Anschlussfläche 807 enthält einen Basisabschnitt 871, einen hervorstehenden Abschnitt 872 und einen Leistungsanschluss 873. Das Motorrelay 171 ist auf dem Basisabschnitt 871 montiert. Die Anschlussfläche 808 enthält einen Basisabschnitt 881, einen hervorstehenden Abschnitt 882 und einen Leistungsanschluss 883. Das Motorrelay 172 ist auf dem Basisabschnitt 881 montiert.
  • Der Basisabschnitt 811 in der Anschlussfläche 801 weist im Wesentlichen eine rechteckige Form auf, und der hervorstehende Abschnitt 812 steht von einem Ende des Basisabschnitts 811 benachbart zu dem Presselement 28 hervor. Ein Bereich des hervorstehenden Abschnitts 812 ist kleiner als ein Bereich des Basisabschnitts 811. Das Gleiche gilt auch für die anderen Anschlussflächen 802 bis 808.
  • Die Source des Leistungszufuhrrelays 56 und die Source des Leistungszufuhrrelays 57 sind durch ein Verdrahtungselement 281 verbunden. Die Source des Motorrelays 171, die Source des Schaltelements 161 und die Anschlussfläche 805 sind durch ein Verdrahtungselement 282 verbunden. Die Source des Motorrelays 172, die Source des Schaltelements 162 und die Anschlussfläche 806 sind durch ein Verdrahtungselement 283 verbunden. Die Source des Schaltelements 163 ist mit einem Masseanschluss 891 durch ein Verdrahtungselement 284 verbunden. Die Source des Schaltelements 164 ist mit einem Masseanschluss 892 durch ein Verdrahtungselement 285 verbunden.
  • Der Leistungsanschluss 813 ist mit einer Hochpotenzialseite der Batterie 50 verbunden. Die Leistungsanschlüsse 833, 843 sind mit der Leistungszufuhrrelaysektion 55 verbunden. Die Leistungsanschlüsse 873, 883 sind mit der Wicklung des Motors 6 verbunden. Die Masseanschlüsse 891, 892 und die Leistungsanschlüsse 823 sind mit der Masse verbunden. Die Steueranschlüsse 854, 864 sind mit dem Steuersubstrat 4 verbunden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Schaltelemente 161 bis 164, die die Wechselrichtersektion 160 ausbilden, die Leistungszufuhrrelays 56, 57, die zwischen der Wechselrichtersektion 160 und der Batterie 50 verbunden sind, und die Motorrelays 171, 172, die zwischen der Wechselrichtersektion 160 und dem Motor 6 verbunden sind, Wärmeerzeugungselemente. Jede Anschlussfläche 801 bis 808, auf dem die Schaltelemente 161, 164, die Leistungszufuhrrelays 56, 57 und die Motorrelays 171, 172 montiert sind, weisen eine solche Form auf, dass wenigstens ein Teil jede der Anschlussflächen 801, 808 in einem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R7 entsprechend des einen Presselements 28 enthalten ist.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird die Wärme, die durch Schalten der Schaltelemente 161 bis 166, die die Wechselrichtersektion 160 ausbilden, die Leistungszufuhrrelays 56, 57 und die Motorrelays 171, 172 erzeugen, von dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R7 entsprechend dem einen Presselement 28 abgestrahlt. Demgemäß kann die durch die Schaltelemente 161 bis 166, die Leistungszufuhrrelays 56, 57 und die Motorrelays 171, 172 erzeugte Wärme wirksam abgestrahlt werden. Zudem kann das Halbleitermodul 17 verkleinert werden. Demgemäß können die gleichen Wirkungen wie die bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen erhalten werden.
  • (Achte Ausführungsform)
  • Ein Halbleitermodul 18 gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird mit Bezug auf die 16 und 17 beschrieben. Das Halbleitermodul 18 wird auf den Motor 6 mit Bürsten ähnlich wie bei der siebten Ausführungsform angewandt. Wie in 17 dargestellt, unterscheidet sich die vorliegende Ausführungsform von der siebten Ausführungsform darin, dass auf die Motorrelaysektion verzichtet wird. Die Motorrelaysektion kann als anderes Modul modularisiert werden oder es kann auf sie verzichtet werden.
  • Wie in 16 dargestellt, enthält ein Leiterrahmen 900 in dem Halbleitermodul 18 Anschlussflächen 901 bis 906. Die Anschlussfläche 901 enthält einen Basisabschnitt 911, einen hervorstehenden Abschnitt 912, und einen Leistungsanschluss 913. Das Leistungszufuhrrelay 56 ist auf dem Basisabschnitt 911 montiert. Die Anschlussfläche 902 enthält einen Basisabschnitt 921, einen hervorstehenden Abschnitt 922 und einen Leistungsanschluss 923. Das Leistungszufuhrrelay 57 ist auf dem Basisabschnitt 921 montiert.
  • Die Anschlussfläche 903 enthält einen Basisabschnitt 931, einen hervorstehenden Abschnitt 932 und einen Leistungsanschluss 933. Das Schaltelement 161 ist auf dem Basisabschnitt 931 montiert. Die Anschlussfläche 904 enthält einen Basisabschnitt 941, einen hervorstehenden Abschnitt 942 und einen Leistungsanschluss 943. Das Schaltelement 162 ist auf dem Basisabschnitt 941 montiert. Die Anschlussfläche 905 enthält einen Basisabschnitt 951, einen hervorstehenden Abschnitt 952, einen Leistungsanschluss 953 und einen Steueranschluss 954. Das Schaltelement 163 ist auf dem Basisabschnitt 151 montiert. Die Anschlussfläche 906 enthält einen Basisabschnitt 961, einen hervorstehenden Abschnitt 962, einen Leistungsanschluss 963 und einen Steueranschluss 964. Das Schaltelement 964 ist auf dem Basisabschnitt 961 montiert.
  • Der hervorstehende Abschnitt 912 in der Anschlussfläche 901 steht von einem Ende des Basisabschnitts 911 benachbart zu dem Presselement 28 hervor. Ein Bereich des hervorstehenden Abschnitts 912 ist kleiner als ein Bereich des Basisabschnitts 911. Das Gleiche gilt auch für die anderen Anschlussflächen 902 bis 906.
  • Die Source des Leistungszufuhrrelays 56 und die Source des Leistungszufuhrrelays 57 sind durch ein Verdrahtungselement 291 verbunden. Die Source des Schaltelements 161 und die Anschlussfläche 905 sind durch ein Verdrahtungselement 292 verbunden. Die Source des Schaltelements 162 und der Anschlussfläche 906 sind durch ein Verdrahtungselement 293 verbunden. Die Source des Schaltelements 163 ist mit einem Masseanschluss 971 durch ein Verdrahtungselement 294 verbunden. Die Source des Schaltelements 164 ist mit einem Masseanschluss 972 durch ein Verdrahtungselement 295 verbunden.
  • Der Leistungsanschluss 913 ist mit der Hochpotenzialseite der Batterie 50 verbunden. Die Leistungsanschlüsse 933, 943 sind mit der Leistungszufuhrrelaysektion 55 verbunden. Die Leistungsanschlüsse 953, 963 sind mit der Wicklung des Motors 6 verbunden. Die Masseanschlüsse 971, 972 und der Leistungsanschluss 923 sind mit der Masse verbunden. Die Steueranschlüsse 954, 964 sind mit dem Steuersubstrat 4 verbunden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Schaltelemente 161 bis 166, die die Wechselrichtersektion 60 ausbilden, und die Leistungszufuhrrelays 56, 57, die zwischen der Wechselrichtersektion 166 und der Batterie 50 verbunden sind, Wärmeerzeugungselemente. Jede Anschlussfläche 901 bis 906, auf dem die Schaltelemente 161 bis 164 und die Leistungszufuhrrelays 56, 57 montiert sind, weisen eine solche Form auf, dass wenigstens ein Teil jede der Anschlussflächen 901 bis 906 in einem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R8 entsprechend des einen Presselements 28 enthalten.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird die Wärme, die durch Schalten der Schaltelemente 161 bis 166, die die Wechselrichtersektion 160 ausbilden, und die Leistungszufuhrrelays 56, 57 erzeugen, von dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich R8 entsprechend des einen Presselements 28 abgestrahlt. Demgemäß kann die durch die Schaltelemente 161 bis 164 und die Leistungszufuhrrelays 56, 57 erzeugte Wärme wirksam abgestrahlt werden. Zudem kann das Halbleitermodul 18 verkleinert werden. Ferner können die gleichen Wirkungen, wie die bei den vorstehenden Ausführungsformen erhalten werden.
  • (Weitere Ausführungsformen)
  • Die Anordnung der Schaltelemente, die jeweils die Phasenschaltungen in der Wechselrichtersektion, der Leistungszufuhrrelaysektion und der Motorrelaysektion bilden, die Formen der Leiterrahmen und dergleichen sind nicht auf die Anordnung und die Formen der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind die vorstehenden Abschnitte hauptsächlich in den im Wesentlichen rechteckigen Formen ausgebildet. Die vorstehenden Abschnitte bei der zweiten Ausführungsform sind in gestufter Form ausgebildet, und die hervorstehenden Abschnitte in den vierten bis sechsten Ausführungsformen sind so ausgebildet, dass sie bogenförmige Abschnitte aufweisen. Allerdings können hervorstehende Abschnitte bei einer weiteren Ausführungsform irgendwelche Formen aufweisen. Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind die Basisabschnitte im Wesentlichen in einer rechteckigen Form ausgebildet. Allerdings können die Basisabschnitte bei einer weiteren Ausführungsform irgendwelche Formen aufweisen.
  • Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind die Presselemente Schrauben. Bei einer weiteren Ausführungsform weist ein Presselement eine andere Konfiguration, wie z. B. eine Feder auf. Bei dem vorliegenden Fall, weist ein Formteil keine Einführlöcher auf. Bei einem Fall, bei dem das Presselement aus der Feder ausgebildet ist, wird bevorzugt, dass ein Abschnitt eines Halbleitermoduls, an dem die Schraube angeordnet ist, in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen gepresst wird, und nicht auf den gesamten Bereich des Halbleitermoduls gepresst wird. In diesem Fall kann eine Ausgestaltung der Feder verglichen mit einem Fall, bei dem der gesamte Bereich des Halbleitermoduls gepresst bzw. gedrückt wird, vereinfacht werden. Unter Berücksichtigung der Zuverlässigkeit der Wärmeerzeugungselemente wird bevorzugt, die Wärmeerzeugungselemente an Positionen um einen vorbestimmten Abstand von einer Position anzuordnen, bei der ein aufzubringender Druck durch die Federn direkt wirkt.
  • Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind fünf, sechs oder acht Anschlussflächen bezüglich eines Presselements vorgesehen. Bei einer weiteren Ausführungsform kann die Anzahl der Anschlussflächen, die bezüglich eines Presselements vorgesehen sind, irgendeine Anzahl von drei oder mehr aufweisen.
  • Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind ein, drei oder vier Wärmeerzeugungselemente auf einer Anschlussfläche als leitfähiges Element montiert. Bei einer weiteren Ausführungsform kann die Anzahl der Wärmeerzeugungselemente, die auf einer Anschlussfläche montiert sind, irgendeine sein.
  • Beispielsweise können zehn Wärmeerzeugungselemente bei der ersten Ausführungsform, die die Leistungszufuhrrelays, die Schaltelemente und die Motorrelays enthalten, bezüglich des einen Presselements angeordnet sein.
  • Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind sowohl die Leistungszufuhrrelays, die Schaltelemente als auch die Motorrelays als die Wärmeerzeugungselemente ein MOSFET. Bei einer weiteren Ausführungsform können sowohl die Leistungszufuhrrelays, die Schaltelemente als auch die Motorrelays eine andere Konfiguration, wie z. B. einen IGBT, aufweisen. Zudem kann bei einer weiteren Ausführungsform ein Wärmeerzeugungselement irgendeine elektronische Komponente, wie z. B. ein Widerstand, eine Diode oder eine Spule sein, solange das Wärmeerzeugungselement auf einer Anschlussfläche montiert ist.
  • Die Halbleitermodule gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind halb geformt, in dem ein Teil der Anschlussflächen außerhalb des Formteils als der Metallwärmeabstrahlabschnitt freiliegt, und sind an den Kühlkörper über das Wärmeabstrahlblech fixiert. Bei einer weiteren Ausführungsform kann ein Wärmeabstrahlgel anstelle des Wärmeabstrahlblechs verwendet werden. Das Halbleitermodul kann voll geformt sein, in dem der Metallwärmeabstrahlabschnitt nicht freiliegt. Bei diesem Fall kann auf das Wärmeabstrahlblech und das Wärmeabstrahlgel verzichtet werden.
  • Bei der ersten bis sechsten Ausführungsform sind die Source der Schaltelemente auf der Niedrigpotenzialseite mit der Masse über die Shunt-Widerstände verbunden. Bei einer weiteren Ausführungsform kann die Source der Schaltelemente auf der Niedrigpotenzialseite durch Elemente ähnlich wie die Verdrahtungselemente verbunden sein. In diesem Fall können die Shunt-Widerstände außerhalb der Halbleitermodule angeordnet sein oder es kann auf sie verzichtet werden.
  • Die Motoransteuervorrichtung gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen enthält das Leistungssubstrat und das Steuersubstrat. Bei einer weiteren Ausführungsform kann die Anzahl des Substrats eins sein. Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind die Leistungsanschlüsse und die Masseanschlüsse mit der Hochpotenzialseite der Batterie, des Motorrelays, der Wicklung des Motors oder der Masse über das Leistungssubstrat verbunden. Bei einer weiteren Ausführungsform können die Leistungsanschlüsse und die Masseanschlüsse direkt mit der Hochpotenzialseite der Batterie, des Motorrelays, der Wicklung des Motors oder der Masse verbunden sein, ohne über dem Leistungssubstrat verbunden zu sein.
  • Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind die Halbleitervorrichtungen auf die Motoransteuervorrichtung angewandt. Bei einer weiteren Ausführungsform kann das Halbleitermodul direkt auf eine Vorrichtung außer auf die Motoransteuervorrichtung angewandt werden.
  • Während die vorliegende Offenbarung mit Bezug auf deren Ausführungsform beschrieben wurde, soll verstanden werden, dass die Offenbarung nicht auf die Ausführungsform und Konstruktion beschränkt ist. Die vorliegende Offenbarung beabsichtigt verschiedene Abwandlungen und äquivalente Anordnungen abzudecken.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2007-165426 A [0002, 0003]

Claims (9)

  1. Halbleitervorrichtung (10), aufweisend: ein Halbleitermodul (11 bis 18), das eine Mehrzahl von Wärmeerzeugungselementen (56, 57, 61 bis 66, 71 bis 73, 161 bis 164, 171, 172), die in Folge einer Erregung Wärme erzeugen, drei oder mehrere leitfähige Elemente (31, 41, 501 bis 506, 508, 509, 601 bis 608, 701, 801 bis 808, 901 bis 906), die jeweils an wenigstens einem der Wärmeerzeugungselemente montiert sind, und ein Formteil (20, 21) enthält, das integral mit den Wärmeerzeugungselementen und den leitfähigen Elementen geformt ist, und ein Presselement (26, 27, 28), welches das Halbleitermodul an ein Wärmeabstrahlelement (7) presst, wobei das Halbleitermodul einen zur Wärmeabgabe fähigen Bereich aufweist, in dem ein aufzubringender Druck durch das Pressteil gleich oder größer als ein vorbestimmter Druck ist, wenigstens ein leitfähiges Elemente an dem Wärmeerzeugungselement montiert ist, das außerhalb des zur Wärmeabgabe fähigen Bereichs angeordnet ist, und das wenigstens eine leitfähige Elemente eine solche Form aufweist, dass wenigstens ein Teil des leitfähigen Elements in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich enthalten ist.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei das wenigstens eine leitfähige Elemente einen Basisabschnitt enthält, auf dem das Wärmeerzeugungselement montiert ist und einen hervorstehenden Abschnitt von einem Ende des dem Presselement benachbarten Basisabschnitts hervorsteht.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei jedes der leitfähigen Elemente den hervorstehenden Abschnitt enthält.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, oder 3, wobei ein Bereich des hervorstehenden Abschnitts kleiner als ein Bereich des Basisabschnitts ist.
  5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei wenigstens ein leitfähiges Element (31 bis 41, 501 bis 506, 509, 601 bis 608, 801 bis 808, 901 bis 906) mit lediglich einem der Wärmeerzeugungselemente montiert ist.
  6. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei wenigstens ein leitfähiges Element (508, 701) mit mehr als einem der Wärmeerzeugungselemente montiert ist.
  7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Wärmeerzeugungselemente eine Mehrzahl von Schaltelementen (61 bis 66, 161 bis 164) enthält, die eine Wechselrichtersektion (60, 160) ausbilden, und jedes der leitfähigen Elemente (501 bis 506, 508, 509), die mit den Schaltelementen montiert sind, eine solche Form aufweisen, dass wenigstens ein Teil jedes der leitfähigen Elemente in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich entsprechend dem Presselement (28) enthalten ist.
  8. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Wärmeerzeugungselemente eine Mehrzahl von Schaltelementen (61 bis 66, 161 bis 164), die eine Wechselrichtersektion (60, 160) ausbilden, und ein Leistungszufuhrrelay (56, 57) enthalten, das zwischen der Wechselrichtersektion und einer Leistungszufuhrquelle (50) verbunden ist, und jedes der leitfähigen Elemente (601 bis 608, 701), die mit den Schaltelementen und dem Leistungszufuhrrelay montiert sind, eine solche Form aufweist, dass wenigstens ein Teil jedes der leitfähigen Elemente in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich entsprechend dem Presselement (28) enthalten ist.
  9. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Wärmeerzeugungselemente eine Mehrzahl von Schaltelementen (161 bis 164), die eine Wechselrichtersektion (60) ausbilden, ein Leistungszufuhrrelay (56, 57), das zwischen der Wechselrichtersektion und der Leistungszufuhrquelle (50) verbunden ist, und ein Lastrelay (171, 172) enthalten, das zwischen der Wechselrichtersektion und einer Last (6) verbunden ist, und jedes der leitfähigen Elemente, die mit den Schaltelementen, dem Leistungszufuhrrelay und dem Lastrelay montiert sind, eine solche Form aufweisen, dass wenigstens ein Teil jedes der leitfähigen Elemente in dem zur Wärmeabgabe fähigen Bereich entsprechend dem Presselement (28) enthalten ist.
DE102014109515.4A 2013-08-02 2014-07-08 An ein Wärmeabstrahlelement anzubringende Halbleitervorrichtung Active DE102014109515B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013161220A JP6020379B2 (ja) 2013-08-02 2013-08-02 半導体装置
JP2013-161220 2013-08-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102014109515A1 true DE102014109515A1 (de) 2015-02-05
DE102014109515B4 DE102014109515B4 (de) 2021-04-22

Family

ID=52342053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014109515.4A Active DE102014109515B4 (de) 2013-08-02 2014-07-08 An ein Wärmeabstrahlelement anzubringende Halbleitervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9196561B2 (de)
JP (1) JP6020379B2 (de)
CN (1) CN104347602B (de)
DE (1) DE102014109515B4 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6308978B2 (ja) * 2015-06-16 2018-04-11 三菱電機株式会社 半導体装置
CN107408553B (zh) 2016-03-11 2019-07-26 新电元工业株式会社 半导体装置
US10186095B2 (en) * 2016-11-30 2019-01-22 JNL Technologies, Inc. Systems and methods related to door control networks
DE102017208147B4 (de) * 2017-05-15 2021-12-30 Schweizer Electronic Ag Elektronisches Bauteil und Leiterplatte mit diesem elektronischen Bauteil
WO2019092842A1 (ja) * 2017-11-10 2019-05-16 新電元工業株式会社 電子モジュール及び電子モジュールの製造方法
DE102018207308B4 (de) * 2018-05-09 2020-07-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit integriertem shunt-widerstand und verfahren zu dessen herstellung
JP7136056B2 (ja) * 2019-09-20 2022-09-13 トヨタ自動車株式会社 充電装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007165426A (ja) 2005-12-12 2007-06-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001320185A (ja) * 2000-05-11 2001-11-16 Toshiba Corp 電子部品のモジュール装置
JP3956886B2 (ja) * 2002-11-22 2007-08-08 株式会社豊田自動織機 半導体モジュールおよび半導体モジュール用リード
US7280359B2 (en) * 2003-12-11 2007-10-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Heat-radiating structure of electronic apparatus
US8120171B2 (en) * 2007-12-26 2012-02-21 Keihin Corporation Power drive unit including a heat sink and a fastener
JP5375874B2 (ja) * 2011-05-13 2013-12-25 株式会社デンソー モータ駆動装置
JP5397417B2 (ja) * 2011-05-30 2014-01-22 株式会社デンソー 半導体装置、および、それを用いた駆動装置
JP5267959B2 (ja) * 2011-05-30 2013-08-21 株式会社デンソー 半導体モジュール、及び、それを用いた駆動装置
JP2013089711A (ja) * 2011-10-17 2013-05-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP5477669B2 (ja) 2012-02-28 2014-04-23 株式会社デンソー 半導体モジュール
JP5569555B2 (ja) 2012-05-17 2014-08-13 株式会社デンソー 配線部材、および、これを用いた半導体モジュール

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007165426A (ja) 2005-12-12 2007-06-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015032688A (ja) 2015-02-16
CN104347602A (zh) 2015-02-11
JP6020379B2 (ja) 2016-11-02
US9196561B2 (en) 2015-11-24
US20150035136A1 (en) 2015-02-05
CN104347602B (zh) 2019-01-04
DE102014109515B4 (de) 2021-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014109515B4 (de) An ein Wärmeabstrahlelement anzubringende Halbleitervorrichtung
DE102011104928B4 (de) Kühlungsaufbau eines Kondensators und Umrichter damit
WO2014206665A1 (de) Elektrische schaltung und verfahren zum herstellen einer elektrischen schaltung zur ansteuerung einer last
DE112011101833T5 (de) Wechselrichtervorrichtung
DE112014006144B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleitervorrichtung, Leistungshalbleitervorrichtung und Leistungswandler, der diese verwendet
DE102013101857A1 (de) Halbleitermodul mit Schaltelementen
DE102012104376B4 (de) Halbleitermodul und Antriebsvorrichtung, die ein Halbeitermodul aufweist
DE102013104742B4 (de) Verdrahtungselement und Halbleitermodul mit demselben
DE112011105802T5 (de) Leistungsmodul, elektrischer Leistungsumwandler und Elektrofahrzeug
DE102008031491A1 (de) Kondensator mit direkter DC-Verbindung zum Substrat
DE19716113B4 (de) Elektrische Leistungsstrang-Baugruppe
DE102011005690A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102010061011A1 (de) Halbleiterbaugruppe und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102012104377A1 (de) Halbleitervorrichtung und Antriebsvorrichtung, die eine Halbleitervorrichtung aufweist
DE102020124764A1 (de) Intelligentes Hochspannungsrelais
DE102014208255B4 (de) Schaltungsanordnung, Stromwandler mit einer Schaltungsanordnung
DE102013222148A1 (de) Kälteplatte für die Verwendung in einem Elektro- oder Hybridfahrzeug
DE112018003628T5 (de) Leistungsumsetzungsvorrichtung
DE112021000451T5 (de) Leistungswandlungsvorrichtung
DE112017006284T5 (de) Elektrischer Verteilerkasten
EP3117458B1 (de) Elektrische bauteilanordnung
DE102014109874A1 (de) Elektronisches Element und elektronische Vorrichtung
DE102013204889A1 (de) Leistungsmodul mit mindestens einem Leistungsbauelement
DE102011000374A1 (de) Wasserdichte Struktur für Halbleitergehäuse
DE112018001775T5 (de) Schaltungseinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R084 Declaration of willingness to licence
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final