DE102013113123B4

DE102013113123B4 - Solarzellenherstellungsverfahren

Info

Publication number: DE102013113123B4
Application number: DE102013113123.9A
Authority: DE
Inventors: Peter Engelhart; Friederike Kersten
Original assignee: Hanwha Q Cells GmbH
Current assignee: Hanwha Q Cells GmbH
Priority date: 2013-11-27
Filing date: 2013-11-27
Publication date: 2021-11-18
Anticipated expiration: 2033-11-28
Also published as: DE102013113123A1; CN104681663A; MY183935A; TW201528540A; CN104681663B; TWI553899B

Abstract

Solarzellenherstellungsverfahren mit einem Temperschritt, bei dem ein Substrat (1) einem Temper-Temperaturverlauf (51, 52) ausgesetzt wird, wobei der Temper-Temperaturverlauf (51, 52) während einer Temperzeit von mindestens 3 Sekunden in einem Temperbereich zwischen einer Bereichsuntergrenze von 450 °C und einer Bereichsobergrenze von 600°C liegt, wobei ein Feuerschritt mit einer Feuerschritt-Aufheizphase und einer Feuerschritt-Abkühlphase vorgesehen ist, mittels dessen aus einer auf einer Oberfläche des Substrates aufgebrachten Metallisierungspaste eine Metallisierungsschicht erzeugt wird, wobei- der Temperschritt in eine Feuerschritt-Abkühlphase des Feuerschrittes derart integriert wird, dass der Temperschritt ein Plateau in dem Temperaturverlauf des Feuerschrittes ausbildet, der nach dem maximalen Temperaturwert des Feuerschrittes vorliegt oder- der Temperschritt nach dem Feuerschritt erfolgt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Solarzellenherstellungsverfahren.
Bei gegenwärtigen Solarzellenstrukturen kann eine Degradation auftreten, die sich durch einen plötzlichen Leistungs- beziehungsweise Effizienzabfall der Solarzelle bemerkbar macht. Diese Degradation findet in der Regel während des Betriebs der Solarzelle statt, wobei Betriebsparameter wie beispielsweise die Beleuchtungsstärke des einfallenden Lichts und die Betriebstemperatur für die Auslösung der Degradation eine wichtige Rolle spielen können. Die Degradation wird also im Betrieb der Solarzelle ausgelöst.
Als eine mögliche Ursache für Solarzellen-Degradation wurden unlängst rekombinationsaktive Defekte ermittelt, die sich aufgrund der Lichteinstrahlung im Inneren des Siliziums bilden. Dieser Effekt wird deshalb auch als lichtinduzierte Degradation (LID - light induced degradation) bezeichnet und tritt auf, weil sich insbesondere im kristallinen Siliziumvolumen Bor-Sauerstoff-Komplexe bilden. Dem kann bekannterweise vorgebeugt werden, indem für die Solarzellenherstellung Siliziumwafer mit geringen Anteilen an Bor und Sauerstoff verwendet werden.
Aber selbst bei Solarzellen aus derart in ihrem Bor- und Sauerstoffgehalt reduzierten Siliziumwafern treten weiterhin Degradationseffekte auf, beziehungsweise traten und treten weiterhin derartige Degradationseffekte bei Solarzellendesigns und in Ausmaßen auf, die sich nicht anhand des genannten Bor-Sauerstoff-Effektes erklären lassen. Dass es neben dem mittlerweile bekannten Bor-Sauerstoff-Degradationseffekt (BO-Degradation oder LID) einen weiteren Degradationseffekt gibt, kann beispielsweise aus der Veröffentlichung „Light Induced Degradation of Rear Passicated mc-Si Solar Cells", K. Ramspeck et al., in Proc. 27th EUPVSEC 2012, hergeleitet werden. Darin wird erläutert, dass auch multikristalline Siliziumsolarzellen (mc-Si Solarzellen) mit einem oberflächenpassivierten PERC-Design (PERC - passivated emitter and rear cell) eine lichtinduzierte Degradation erfahren, welche nicht mit dem bisherigen Bohr-Sauerstoff-Modell zu erklären ist. Durch den reduzierten Sauerstoffgehalt ist bei mc-Si Solarzellen der Effekt der BO-Degradation vergleichsweise gering. Es zeigen sich jedoch Degradationseffekte, die quantitativ die der bekannten BO-Degradation deutlich übersteigen können. In der besagten Veröffentlichung werden Degradationen des Wirkungsgrades von relativ 5-6 % bei einer LichtEinstrahlung von 400 Watt pro Quadratmeter (W/m²) und einer Zelltemperatur von 75 °C offenbart.
DE 10 2011 056 087 A betrifft die Zusammensetzung einer Siebdruckpaste, die Aluminium und Silizium enthält. Es wird ein Feuerschritt als Teil eines Metallisierungsverfahrens beschrieben, bei dem die Paste eingesetzt werden kann. Daraus ist zu entnehmen, dass die Temperatur während des Feuerschrittes in einem Bereich zwischen 600°C und 1000°C etwa 2 bis 60 Sekunden lang gehalten wird.
US 2012 / 0 152 344 A1 betrifft die Metallisierung von Solarzellen mittels Metallpasten. Hierzu werden Aluminiumpasten mit unterschiedlichen Zusammensetzungen vorgeschlagen und untersucht. Zudem wird ein Metallisierungsverfahren offenbart, bei dem mittels Siebdruck eine Silberpaste auf eine vorderseitige SiN-Antireflexionsschicht aufgebracht wird. Anschließend wird ein Feuerschritt durchgeführt.
DE 10 2006 012 920 B3 offenbart ein Verfahren zur Wirkungsgradstabilisierung mittels Temperaturbehandlung. Es wird die Erzeugung von Überschussminoritätsladungsträgern während der Temperaturbehandlung mittels Anlegen einer externen Spannung beschrieben. Die Tempertemperatur liegt bei 50°C bis 230°C.
DE 10 2010 023 221 A1 beschäftigt sich mit der Herstellung von Photovoltaikmodulen aus sogenannten String-Ribbon-Solarzellen. Diese werden einem Anlassprozess unterworfen, der einer Temperaturbehandlung (Temperaturanlassprozess) entspricht. Dies erfolgt bei einer Temperatur von 850°C bis 1000°C über eine Behandlungszeit von insgesamt bis zu 150 min. Der Anlassprozess kann an beliebiger Stelle im Herstellungsprozess von Photovoltaikmodulen durchgeführt werden kann.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Solarzellenherstellungsverfahren bereitzustellen, mit der auf zuverlässige Weise Solarzellen herstellbar sind, welche eine geringere oder gar keine Anfälligkeit für eine spätere Degradation aufweisen. Zudem soll ein Solarzellenbehandlungsverfahren vorgeschlagen werden, mit der Solarzellen behandelt werden können, um ihre Anfälligkeit für eine spätere Degradation nachträglich zu mindern oder zu heilen, nachdem diese Anfälligkeit in einem Prozessschritt während der Solarzellenherstellung erhöht wurde.
Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein Solarzellenherstellungsverfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen aufgeführt.
Um den hier relevanten Degenerationseffekt von dem mit LID bezeichneten Degradationsmechanismus abzugrenzen, wird nachfolgend von einem sogenannten eLID die Rede sein. Diese Bezeichnung soll für einen erweiterten lichtinduzierten Degradationseffekt stehen (eLID - enhanced light induced degradation). Wenngleich eLID auch bei Standartsolarzellen auftreten kann, tritt sie insbesondere auch bei auf multikristallinen Halbleitern basierenden Solarzellen auf, die bekannterweise einen geringeren Sauerstoffgehalt aufweisen und somit eine geringere LID-Anfälligkeit zeigen. Hohe eLID-Anfälligkeit weisen insbesondere neuere Solarzellenkonzepte auf, wie beispielsweise PERC-Solarzellen oder andere Solarzellenkonzepte mit Oberflächenpassivierungen, insbesondere auch solche Solarzellen, bei denen die Kontaktierung durch die Passivierschicht mittels Laser-gefeuerten Kontakten (LFC - laser fired contacts) erfolgt.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass die Anfälligkeit einer Solarzelle für die hier beschriebene Degradation, also ihre eLID-Anfälligkeit, zu einem sehr wesentlichen Grad von Herstellungsparametern bei der Solarzellenherstellung abhängt. Durch die Erfinder wurde also zunächst herausgefunden, dass die Degradation auf einen weiteren Degradationsmechanismus beruht, der von der bekannten Bor-Sauerstoff-Degradation abzugrenzen ist. Darüber hinaus ist den Erfindern gelungen, ein Verfahren zur wesentlichen Verringerung oder sogar Vermeidung dieser eLID-Anfälligkeit vorzuschlagen.
Ähnlich wie eine LID-Anfälligkeit führt eine eLID-Anfälligkeit dazu, dass die Solarzelle nach einer Bestrahlung oder Bestromung mit hoher Wahrscheinlichkeit eine Degradation erfährt. Während in den Begriffen LID bzw. eLID der Ausdruck „lichtinduziert“ steckt, kann die Degradation auch aufgrund einer Bestromung erfolgen, also indem an der Solarzelle eine Spannung angelegt und somit ein Strom in Durchlassrichtung induziert wird. Welche Beleuchtungsstärke oder welche Stromdichte notwendig ist, damit eine Degradation erfolgt, hängt hierbei unter anderem von der Betriebstemperatur, der Dauer der Bestrahlung oder Bestromung und von anderen Betriebs- und Herstellungsparametern der Solarzelle ab.
Die eLID selbst zeigt sich in einem Abfall des Wirkungsgrades der Solarzelle um mehrere Prozent, teilweise um mindestens 3%, 5%, 7%, 9% oder mehr. Dieser Wirkungsgradverfall geht üblicherweise mit einer Verminderung der Ladungsträgerlebensdauer um mindestens die Hälfte oder sogar um eine Größenordnung einher. Beispielsweise kann sich die Ladungsträgerlebensdauer von einigen hundert µs auf einige zehn µs verkürzen. Die Messung der Ladungsträgerlebensdauer an einem Substrat erfolgt vor einer Kontaktierung beziehungsweise einer Metallisierung des Substrates.
Ein wesentlicher Erfindungsaspekt liegt in der Erkenntnis, dass einzelne Prozessschritt während der Solarzellenherstellung dazu in der Lage sind, eine eLID-Anfälligkeit in der fertigen Solarzelle zu induzieren, das heißt, ihre eLID-Anfälligkeit zu steigern. Insbesondere der Feuerprozess oder Feuerschritt ist üblicherweise ein solcher kritischer Prozessschritt. Um eine Pastenmetallisierung durchzuführen, wird eine Metallisierungspaste auf einer Oberfläche eines Substrates aufgebracht und aus der Metallisierungspaste eine Metallisierungsschicht erzeugt, indem das Substrat einem Feuerschritt ausgesetzt wird. Dieser Feuerschritt ist es, der sehr häufig die spätere Solarzelle anfälliger für eLID macht. Es ist zum gegenwärtigen Zeitpunkt noch nicht klar, welcher Effekt für eLID verantwortlich ist. Während der Degradationsmechanismus bei LID auf die Ausbildung eines BO-Komplexes beruht, sind beim eLID möglicherweise mehrere unterschiedliche Mechanismen gleichzeitig am Werk.
Vorliegend wurde jedoch erkannt, dass es möglich ist, die aufgrund eines Prozessschrittes induzierte eLID-Anfälligkeit mittels eines geeigneten Temperschrittes wieder rückgängig zu machen. Mit anderen Worten, wird, nachdem das Substrat einem eLID-anfällig machenden Prozess ausgesetzt wurde, ein Temperschritt durchlaufen, um die eLID-Anfälligkeit quasi zu kurieren. Hierzu wird das Substrat während des Temperschrittes einem Temper-Temperaturverlauf ausgesetzt wird. Der Temper-Temperaturverlauf muss so gewählt sein, dass er während einer Temperzeit von mindestens 3 Sekunden in einem Temperbereich zwischen einer Bereichsuntergrenze von etwa 400 Grad Celsius (°C) und einer Bereichsobergrenze von etwa 700°C liegt. In gleicher weise kann eine fertige Solarzelle während des Solarzellenbehandlungsverfahrens einem solchen Temper-Temperaturverlauf ausgesetzt werden. Alles, was im Folgenden in Bezug auf einen Temper-Temperaturverlauf während des Solarzellenherstellungsverfahrens erläutert wird, kann entsprechend auch für das Solarzellenbehandlungsverfahren gelten, und umgekehrt.
Die Heilung der eLID-Anfälligkeit erfolgt also dadurch, dass das Substrat oder die fertige Solarzelle während einer Temperzeit bei einer Temperatur innerhalb des Temperbereichs gehalten wird. In bevorzugten Ausführungsformen liegt die Temperzeit bei mindestens 3, 4, 5, 7 oder 9 Sekunden. Die Bereichsuntergrenze beträgt hierbei vorzugsweise 400°C, 420°C, 450°C oder 480°C. Die Bereichsobergrenze liegt bevorzugterweise bei 550°C, 600°C, 650°C oder 700°C.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Temperschritt eine Aufheizphase und/oder eine Abkühlphase aufweist, wobei der Temper-Temperaturverlauf des Substrates während des Temperschrittes in der Aufheizphase und/oder in der Abkühlphase eine maximale Steigung von 100 Kelvin pro Sekunde (K/s), von 70 K/s, von 50 K/s, von 40 K/s oder von 30 K/s aufweist. Es kann in bestimmten Ausführungsformen von Vorteil sein, wenn die Aufheizphase eine maximale Steigung von 100 K/s, von 70 K/s, von 50 K/s, von 40 K/s oder von 30 K/s aufweist, während die Abkühlphase eine andere maximale Steigung von 100 K/s, von 70 K/s, von 50 K/s, von 40 K/s oder von 30 K/s aufweist. Es handelt sich hierbei um den Absolutwert der maximalen Steigung, insbesondere in der Abkühlphase, wo ansonsten die Steigung als negativ angesehen würde.
Dadurch, dass die zeitliche Temperaturänderung am Substrat oder an der Solarzelle unterhalb eines bestimmten Wertes bleibt, wird die eLID-Anfälligkeit der Solarzelle wesentlich verringert oder gänzlich verhindert. Der zeitliche Temper-Temperaturverlauf kann hierbei mit einem räumlichen Temperaturverlauf einhergehen, wenn beispielsweise das Substrat / die Solarzelle in einem Raum mit variierender Temperatur bewegt wird.
Insbesondere kann der gesamte Temperprozess ausgeführt werden, indem das Substrat / die Solarzelle einen Durchlaufofen durchläuft.
Es kann vorgesehen sein, dass das Substrat oder die Solarzelle während des Temperschrittes bis auf eine Maximaltemperatur erwärmt wird, welche größer ist, als 400°C, 430°C, 450°C, 470°C, 500°C oder 550°C.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass während des Solarzellenherstellungsverfahrens das Substrat einen Feuerschritt, eine Feuerschritt-Aufheizphase eines Feuerschrittes oder eine Feuerschritt-Abkühlphase eines Feuerschrittes durchläuft, mittels dessen aus einer auf einer Oberfläche des Substrates aufgebrachten Metallisierungspaste eine Metallisierungsschicht erzeugt wird. Bei einem Feuerschritt kann es sich, abhängig von den Prozessparametern, um einen eLID-anfällig machenden Prozess handeln. Das bedeutet, dass die hergestellte Solarzelle aufgrund dieses Feuerschrittes, oder speziell aufgrund des Durchlaufens der Aufheiz- oder Abkühlphase des Feuerschrittes eine höhere eLID-Anfälligkeit an den Tag legt. In diesem Fall kann es von Vorteil sein, wenn der Temperschritt nach dem Feuerschritt erfolgt, um die eLID-Anfälligkeit zu kurieren.
Wenn das Solarzellenherstellungsverfahren eine Feuerschritt-Aufheizphase umfasst, kann vorzugsweise vorgesehen sein, dass der Temperschritt in einer Feuerschritt-Abkühlphase des Feuerschrittes integriert wird. Beispielsweise kann der Temperschritt hier ein Plateau in dem Temperaturverlauf des Feuerschrittes ausbilden, der nach dem maximalen Temperaturwert des Feuerschrittes vorliegt.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Substrat oder die Solarzelle während des Temperschrittes beleuchtet und/oder bestromt wird. Das Beleuchten oder Bestromen des Substrates oder der Solarzelle kann den Heilungsprozess der eLID-Anfälligkeit unterstützen, oder es kann dazu dienen, das Substrat oder die Solarzelle während der Temper-Behandlung zu beobachten.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Substrat aus einem mono-, poly- oder multikristallinem Halbleiter gebildet ist. Das Substrat kann insbesondere aus Silizium gebildet sein.
Bei einer zweckmäßigen Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Substrat einseitig oder beidseitig mit einer oberflächenpassivierenden Passivierschicht bedeckt ist. Die Passivierschicht kann insbesondere auf der Substratoberfläche angeordnet sein, auf der die Metallpaste aufgebracht wird, um die Pastenmetallisierung zu erzeugen. In diesem Fall kann vor oder nach dem Feuerschritt zusätzlich eine Laserkontaktierung erfolgen (LFC). Als Passivierschichten kommen insbesondere Schichten aus Aluminiumoxid, Aluminiumoxynitrid, Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid in Frage. Es können auch mehrere Passivierschichten übereinander vorgesehen sein, beispielsweise eine chemisch passivierende und eine feldeffektpassivierende Passivierschicht.
Derartige Passivierschichten eignen sich als Rückseitenpassivierung und/oder als Vorderseitenpassivierung, wobei als Rückseitenpassivierung insbesondere Schichten aus Aluminiumoxid, Aluminiumoxynitrid und/oder Schichtstapel aus Aluminiumoxid, Aluminiumoxynitrid, Siliziumoxynitrid und/oder Siliziumnitrid in Frage kommen, während sich als Vorderseitenpassivierung und/oder als Antireflexionsbeschichtung Schichten aus Siliziumoxynitrid oder Siliziumnitrid eignen.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Figuren erläutert. Hierbei zeigen:

1a) bis e) schematische Zeichnungen, welche Schritte eines Herstellungsverfahrens einer Solarzelle veranschaulichen;
2 ein Diagramm in dem ein Temper-Temperaturverlauf dargestellt ist; und
3 ein Diagramm, in dem ein Temperaturverlauf während eines Feuerschrittes mit integriertem Temperschritt dargestellt ist.

Die 1a) bis 1e) zeigen unterschiedliche Schritte in einem Solarzellen-Herstellungsprozess. Insbesondere wird mittels dieser schematischen Abbildungen ein Temperschritt nach einem Prozessschritt zu Erzeugung einer Funktionsschicht veranschaulicht. Zunächst wird, wie in 1a) dargestellt, ein Substrat 1 bereitgestellt. Wie in der 1b) gezeigt, wird auf dem Substrat eine Funktionsschicht 2 erzeugt. Bei der Funktionsschicht kann es sich beispielsweise um eine Metallisierungsschicht, eine Passivierschicht, eine Dotierschicht oder dergleichen handeln, wobei auch mehrerer solcher Funktionsschichten vorhanden sein können. Das Substrat 1 mit der hier einseitig aufgebrachten Funktionsschicht 2 durchläuft anschließend einen Durchlaufofen 3, wo der Temperschritt durchgeführt wird.
Der hier dargestellte Durchlaufofen 3 weist vereinfacht gesehen drei Temperaturbereiche 31, 32, 33 auf. Das Substrat 1 tritt an einem Eingangsbereich 30 in den Durchlaufofen 3 ein, und verlässt ihn durch einen Ausgangsbereich 34, nachdem er alle drei Temperaturbereiche 31, 32, 33 durchlaufen hat. In einem ersten Temperaturbereich 31 wird das Substrat 1 erwärmt. Es durchläuft also eine Aufheizphase eines Temper-Temperaturverlaufs. In einem zweiten Temperaturbereich 32 erreicht das Substrat 1 eine Höchst- oder Maximaltemperatur. Schließlich erfährt das Substrat 1 eine Abkühlphase des Temper-Temperaturverlaufs, wenn es im Durchlaufofen 3 einen dritten Temperaturbereich 33 durchläuft.
Die 1c) veranschaulicht das Eindringen des Substrates 1 in den Durchlaufofen 3 und das Durchlaufen des ersten Temperaturbereichs 31. Danach befindet sich das Substrat 1 in dem zweiten Temperaturbereich 32, wie in der 1d) dargestellt. Hier erreicht das Substrat die Maximaltemperatur im Temperaturverlauf. Anschließend durchläuft das Substrat 1, wie in der 1e) veranschaulicht, den dritten Temperaturbereich, und kühlt dabei ab, um den Durchlaufofen 3 durch den Ausgangsbereich 34 zu verlassen.
Aufgrund des Durchlaufens des Durchlaufofens 3 erfährt das Substrat 1 eine Temperaturvariation, wie sie schematisch in der 2 dargestellt ist. Dort wird ein Diagramm gezeigt, bei dem entlang der x-Achse die Zeit und entlang der y-Achse die Temperatur aufgetragen ist. Dargestellt ist ein Temper-Temperaturverlauf 51 mit einer Aufheizphase 51a und einer Abkühlphase 51b. Aufgrund des Temper-Temperaturverlaufs 51 wird eine möglicherweise vorliegende eLID-Anfälligkeit der Solarzelle vermindert oder vollständig entfernt. Hierzu sollte die maximale Steigung der Aufheizphase 51a und/oder der Abkühlphase 51b einen Wett von etwa 100 K/s nicht überschreiten.
In der 3 wird ein weiteres Diagramm dargestellt, bei dem es sich um einen Temperaturverlauf 4 während eines Feuerschrittes handelt. Der Temperaturverlauf 4 weist eine Feuerschritt-Aufheizphase 4a und eine Feuerschritt-Abkühlphase 4b auf. Die Feuerschritt-Aufheizphase 4a und die Feuerschritt-Abkühlphase 4b können hierbei übliche Steigungen aufweisen. In diesem Fall ist die Wahrscheinlichkeit sehr hoch, dass aufgrund des Temperaturverlaufs 4 des Feuerschrittes die eLID-Anfälligkeit der hergestellten Solarzelle erhöht wird. Um dem entgegen zu wirken, wird wiederum ein Temperschritt eingeführt, der vorliegend jedoch in der Feuerschritt-Abkühlphase 4b des Feuerschrittes integriert ist. Mit anderen Worten, geht die Feuerschritt-Abkühlphase 4b in den Temperschritt über, während dessen das Substrat 1 während einer Temperzeit in einem Temperbereich zwischen einer Bereichsuntergrenze und einer Bereichsobergrenze gehalten wird. In dem in 3 dargestellten Fall, bildet ein weiterer Temper-Temperaturverlauf 52 des Temperschrittes mit seiner weiteren Abkühlphase 52b ein Plateau in der Abkühlphase 4b des Feuerschrittes.
Bezugszeichenliste

1: Substrat
2: Funktionsschicht
3: Durchlaufofen
30: Eingangsbereich
31: erster Temperaturbereich
32: zweiter Temperaturbereich
33: dritter Temperaturbereich
34: Ausgangsbereich
4: Temperaturverlauf eines Feuerschritts
4a: Aufheizphase des Feuerschritts
4b: Abkühlphase des Feuerschritts
51: Temper-Temperaturverlauf
51a: Aufheizphase
51b: Abkühlphase
52: weiterer Temper-Temperaturverlauf
52b: weitere Abkühlphase

Claims

Solarzellenherstellungsverfahren mit einem Temperschritt, bei dem ein Substrat (1) einem Temper-Temperaturverlauf (51, 52) ausgesetzt wird, wobei der Temper-Temperaturverlauf (51, 52) während einer Temperzeit von mindestens 3 Sekunden in einem Temperbereich zwischen einer Bereichsuntergrenze von 450 °C und einer Bereichsobergrenze von 600°C liegt, wobei ein Feuerschritt mit einer Feuerschritt-Aufheizphase und einer Feuerschritt-Abkühlphase vorgesehen ist, mittels dessen aus einer auf einer Oberfläche des Substrates aufgebrachten Metallisierungspaste eine Metallisierungsschicht erzeugt wird, wobei - der Temperschritt in eine Feuerschritt-Abkühlphase des Feuerschrittes derart integriert wird, dass der Temperschritt ein Plateau in dem Temperaturverlauf des Feuerschrittes ausbildet, der nach dem maximalen Temperaturwert des Feuerschrittes vorliegt oder - der Temperschritt nach dem Feuerschritt erfolgt.
Solarzellenherstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die Bereichsuntergrenze 480°C und/oder die Bereichsobergrenze 550°C beträgt.
Solarzellenherstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Temperschritt eine Abkühlphase (51b, 52b) aufweist, wobei der Temper-Temperaturverlauf (51, 52) des Substrates während des Temperschrittes in der Abkühlphase (51b, 52b) eine maximale Steigung von 100 K/s, von 70 K/s, von 50 K/s oder von 30 K/s aufweist.
Solarzellenherstellungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat während des Temperschrittes beleuchtet oder bestromt wird.
Solarzellenherstellungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat aus einem mono- oder multikristallinem Halbleiter gebildet ist.
Solarzellenherstellungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat einseitig oder beidseitig mit einer oberflächenpassivierenden Passivierschicht bedeckt wird.
Solarzellenherstellungsverfahren nach Anspruch 6, wobei eine Rückseitenpassivierung aus Aluminiumoxid, Aluminiumoxynitrid und/oder als Schichtstappel aus Aluminiumoxid, Aluminiumoxynitrid, Siliziumoxynitrid und/oder Siliziumnitrid erzeugt wird.
Solarzellenherstellungsverfahren nach Anspruch 6 oder 7, wobei eine Vorderseitenpassivierung aus Siliziumoxynitrid oder Siliziumnitrid erzeugt wird.
Solarzellenherstellungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei eine Antireflexionsbeschichtung aus Siliziumoxynitrid oder Siliziumnitrid erzeugt wird.