DE102013110024A1 - Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel - Google Patents
Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel Download PDFInfo
- Publication number
- DE102013110024A1 DE102013110024A1 DE102013110024.4A DE102013110024A DE102013110024A1 DE 102013110024 A1 DE102013110024 A1 DE 102013110024A1 DE 102013110024 A DE102013110024 A DE 102013110024A DE 102013110024 A1 DE102013110024 A1 DE 102013110024A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- radiation
- substrate
- organic layer
- layer
- emitting component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 152
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 54
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Abstract
Description
- Die vorliegende Anmeldung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement mit einem organischen Schichtenstapel.
- Die Effizienz von organischen strahlungsemittierenden Bauelementen wie beispielsweise OLEDs ist oftmals durch die Auskoppeleffizienz der erzeugten Strahlung begrenzt.
- Eine Aufgabe ist es, ein strahlungsemittierendes Bauelement anzugeben, das sich durch eine hohe Auskoppeleffizienz auszeichnet und gleichzeitig einfach herstellbar ist.
- Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein strahlungsemittierendes Bauelement gemäß dem Patentanspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist das Bauelement einen organischen Schichtenstapel auf. Der organische Schichtenstapel umfasst insbesondere einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich. Beispielsweise ist der aktive Bereich zwischen einer ersten Transportschicht eines ersten Ladungstyps und einer zweiten Transportschicht eines vom ersten Ladungstyp verschiedenen zweiten Ladungstyps angeordnet. Beispielsweise ist die erste Transportschicht eine Elektronentransportschicht und die zweite Transportschicht eine Löchertransportschicht oder umgekehrt.
- Beispielsweise enthält der aktive Bereich organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle ("small molecules") oder Kombinationen daraus.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist das Bauelement ein Substrat auf, auf dem der organische Schichtenstapel angeordnet ist. Das Substrat stützt den organischen Schichtenstapel mechanisch und kann starr oder flexibel ausgebildet sein. Eine vom organischen Schichtenstapel abgewandte Grenzfläche des Substrats ist beispielsweise als eine Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden Bauelements ausgebildet. Das Substrat ist beispielsweise für die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung transparent oder zumindest transluzent.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist das Bauelement eine erste Elektrodenschicht auf. Die erste Elektrodenschicht ist insbesondere auf einer dem Substrat zugewandten Seite des organischen Schichtenstapels ausgebildet. Zweckmäßigerweise weist das Bauelement auf der der ersten Elektrodenschicht abgewandten Seite des organischen Schichtenstapels eine zweite Elektrodenschicht auf. Im Betrieb des strahlungsemittierenden Bauelements können über die erste Elektrodenschicht und die zweite Elektrodenschicht Elektronen und Löcher von verschiedenen Seiten in den aktiven Bereich injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist das Bauelement eine Auskoppelstruktur auf. Die Auskoppelstruktur ist insbesondere auf einer dem organischen Schichtenstapel zugewandten Seite des Substrats angeordnet. Die Auskoppelstruktur ist dafür vorgesehen, im organischen Schichtenstapel, insbesondere im aktiven Bereich erzeugte Strahlung umzulenken, beispielsweise aufgrund von Streuung und/oder Beugung.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist das strahlungsemittierende Bauelement eine optische Zusatzschicht auf. Die optische Zusatzschicht ist insbesondere zwischen dem Substrat und der Auskoppelstruktur angeordnet. Die optische Zusatzschicht ist dafür vorgesehen, insbesondere zusätzlich zur Auskoppelstruktur, die Strahlungsauskoppeleffizienz für im Betrieb im strahlungsemittierenden Bauelement erzeugte Strahlung zu erhöhen.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist die optische Zusatzschicht einen Brechungsindex auf, der kleiner als der Brechungsindex des Substrats ist. Weiterhin ist der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht kleiner als der Brechungsindex des organischen Schichtenstapels.
- Je niedriger der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht ist, desto größer ist derjenige Strahlungsanteil, der an der optischen Zusatzschicht aufgrund von Totalreflexion in Richtung des organischen Schichtenstapels zurückreflektiert wird. Dieser Strahlungsanteil kann an der Auskoppelstruktur umgelenkt werden und nachfolgend zumindest teilweise unter einem kleineren Winkel zur Normalen auf dem organischen Schichtenstapel erneut auf die optische Zusatzschicht auftreffen. Der insgesamt durch die optische Zusatzschicht hindurchtretende Strahlungsanteil weist also einen verringerten Anteil an in großem Winkel auftreffender Strahlung zugunsten eines erhöhten Strahlungsanteils an Strahlung, die in einem kleinen Winkel zur Normalen verläuft, auf.
- Als kleine Winkel werden im Zweifel insbesondere Winkel angesehen, die kleiner sind als der Grenzwinkel für Totalreflexion an der auf der der organischen Schichtenfolge abgewandten Grenzfläche des Substrats. Große Winkel sind entsprechend Winkel, die größer oder gleich dem Grenzwinkel für Totalreflexion an diese Grenzfläche sind.
- Im kleinen Winkel zur Normalen in dem Substrat verlaufende Strahlung wird also aus dem Substrat zumindest teilweise ausgekoppelt. Durch den verringerten Strahlungsanteil, der in großen Winkeln auf die Grenzfläche auftrifft und dort totalreflektiert würde, wird insgesamt die Auskoppeleffizienz des strahlungsemittierenden Bauelements erhöht.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements bildet die optische Zusatzschicht einen winkelselektiven Spiegel, der nur solches im organischen Schichtenstapel im Betrieb erzeugtes Licht passieren lässt, das auf an der der organischen Schichtenfolge abgewandten Grenzfläche des Substrats aus dem Substrat ausgekoppelt werden kann. Das bedeutet insbesondere, dass die winkelabhängige Reflektivität der optischen Zusatzschicht für Strahlung, die in einem Einkoppelwinkel in das Substrat eingekoppelt würde, bei dem die Strahlung nicht mehr an der Grenzfläche ausgekoppelt werden kann, mindestens 50 % beträgt. Vorzugsweise beträgt die Reflektivität für diesen Strahlungsanteil gemittelt mindestens 80 %.
- Mit anderen Worten ist die optische Zusatzschicht so ausgebildet, dass Strahlung, die an der Grenzfläche des Substrat totalreflektiert würde und folglich nicht aus dem Substrat austreten könnte, bereits an dem winkelselektiven Spiegel reflektiert wird. Folglich kann dieser Strahlungsanteil mittels der Auskoppelstruktur umgelenkt werden und nachfolgend in einem kleinen Winkel zur Normalen auf die optische Zusatzschicht auftreffen und nach dem Durchtritt durch das Substrat an der Grenzfläche ausgekoppelt werden.
- In mindestens einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist das Bauelement einen organischen Schichtenstapel auf, der auf einem Substrat angeordnet ist. Auf einer dem organischen Schichtenstapel zugewandten Seite des Substrats ist eine Auskoppelstruktur angeordnet. Zwischen dem Substrat und der Auskoppelstruktur ist eine optische Zusatzschicht angeordnet. Die optische Zusatzschicht weist einen Brechungsindex auf, der kleiner als der Brechungsindex des Substrats ist, oder die optische Zusatzschicht bildet einen winkelselektiven Spiegel, der nur solches im organischen Schichtenstapel im Betrieb erzeugtes Licht passieren lässt, das an einer der organischen Schichtenfolge abgewandten Grenzfläche des Substrats aus dem Substrat ausgekoppelt werden kann.
- Mittels der optischen Zusatzschicht wird derjenige Strahlungsanteil minimiert, der unter einem so großen Winkel auf die der organischen Schichtenfolge abgewandten Grenzfläche des Substrats auftrifft, dass dieser dort totalreflektiert wird. Zumindest ein Teil dieses Strahlungsanteils wird bereits an der optischen Zusatzschicht reflektiert und kann dadurch der Auskoppelstruktur erneut zugeführt werden. Dadurch erhöht sich insgesamt die Wechselwirkung des auszukoppelnden Lichts mit der Auskoppelstruktur. Auf eine weitere Auskoppelstruktur auf der der organischen Schichtenfolge abgewandten Seite des Substrats, beispielsweise eine Strukturierung der Grenzfläche des Substrats, kann verzichtet werden. Die Grenzfläche des Substrats kann beispielsweise abgesehen von fertigungsbedingten Rauigkeiten eben ausgebildet sein. Auf eine aufwändige Strukturierung der Grenzfläche des Substrats, beispielsweise zum Ausbilden von Mikrolinsen, kann verzichtet werden.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements steht die optische Zusatzschicht in unmittelbarem Kontakt mit dem Substrat. Zwischen der optischen Zusatzschicht und dem Substrat ist also keine weitere Schicht angeordnet.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements steht die erste Elektrodenschicht in unmittelbarem Kontakt zu der optischen Zusatzschicht und/oder zu der Auskoppelstruktur. Beispielsweise grenzt die ersten Elektrodenschicht auf der dem Substrat zugewandten Seite an die optische Zusatzschicht und auf der dem Substrat abgewandten Seite an die Auskoppelstruktur unmittelbar an.
- Alternativ ist beispielsweise die Auskoppelstruktur zwischen der ersten Elektrodenschicht und der optischen Zusatzschicht angeordnet. In diesem Fall grenzt die erste Elektrodenschicht nur an die Auskoppelstruktur und nicht an die optische Zusatzschicht unmittelbar an.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements ist der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht kleiner oder gleich 1,49. Eine derartige optische Zusatzschicht weist beispielsweise einen Brechungsindex auf, der kleiner ist als der Brechungsindex von Glas, der typischerweise 1,5 oder mehr beträgt.
- Je niedriger der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht ist, desto geringer ist derjenige Strahlungsanteil, der zwar durch die optische Zusatzschicht hindurchtritt, nachfolgend jedoch unter einem Winkel auf die Grenzfläche des Substrats auftrifft, der größer ist als der Grenzwinkel für Totalreflexion und deshalb nicht aus dem Substrat ausgekoppelt werden kann.
- Vorzugsweise liegt der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht zwischen einschließlich 1 und einschließlich 1,4.
- Ein Brechungsindex von 1 ist durch eine als Vakuumspalt ausgeführte optische Zwischenschicht realisierbar. Mit einem Gas, beispielsweise Luft, kann ein Brechungsindex von näherungsweise 1 erzielt werden.
- Durch Festkörpermaterialien, insbesondere durch Materialien mit einer porösen Struktur, kann der Idealfall eines Brechungsindizes von n = 1 angenähert werden.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements liegt der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht zwischen einschließlich 1,02 und einschließlich 1,3.
- Eine optische Zusatzschicht mit einem Brechungsindex in diesem Bereich kann beispielsweise durch eine dielektrische Schicht gebildet sein, die eine Struktur mit Kavitäten aufweist. Beispielsweise kann die optische Zusatzschicht eine Struktur mit so genannten Nanorods aufweisen, wobei zwischen den Nanorods Kavitäten ausgebildet sind. Solche Nanorods können beispielsweise durch eine Abscheidung des Materials für die optische Zusatzschicht unter einem großen Winkel zur Normalen, beispielsweise einem Winkel von 45° oder mehr, hergestellt werden. Die Kavitäten können mit einem Gas, beispielsweise Luft, befüllt oder evakuiert sein.
- Beispielsweise eignet sich als dielektrische Schicht ein Oxid, etwa Titanoxid oder Siliziumoxid.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements ist ein maximaler Durchlasswinkel des winkelselektiven Spiegels bezogen auf die Normale zur optischen Zusatzschicht so klein, dass die durch die optische Zusatzschicht hindurchtretende Strahlung in einem Einkoppelwinkel in das Substrat eingekoppelt wird, der kleiner oder gleich dem Grenzwinkel für Totalreflexion an der der organischen Schichtenfolge abgewandten Grenzfläche des Substrats ist. Der Einkoppelwinkel ist also derjenige Winkel, in dem die Strahlung in dem Substrat verläuft. Der maximale Durchlasswinkel des winkelselektiven Spiegels ist im Zweifel derjenige Winkel, bei dem die winkelabhängige Reflektivität die Hälfte der maximalen Reflektivität beträgt. Beispielsweise ist der maximale Durchlasswinkel 40°.
- Mittels eines derartigen winkelselektiven Spiegels ist gewährleistet, dass nur Strahlung durch die optische Zusatzschicht hindurchtreten kann, die beim Auftreffen auf die Grenzfläche des Substrats zumindest teilweise durch die Grenzfläche hindurch aus dem Substrat ausgekoppelt wird. Strahlung, die an der Grenzfläche totalreflektiert würde, wird dagegen bereits an der optischen Zusatzschicht reflektiert und kann so der Auskoppelstruktur erneut zugeführt werden. Der winkelselektive Spiegel ist beispielsweise durch eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten der optischen Zusatzschicht gebildet. Durch geeignete Wahl der Anzahl der Schichten, der Brechungsindizes der Schichten und deren Schichtdicke ist ein solcher winkelselektiver Spiegel auf einfache und zuverlässige Weise realisierbar.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements ist die Auskoppelstruktur mittels Streustellen gebildet. Die Streustellen weisen einen Brechungsindex auf, der größer oder kleiner ist als der Brechungsindex des an die Streustellen angrenzenden Materials. Beispielsweise beträgt die Differenz dieser Brechungsindizes mindestens 0,05.
- Die Streustellen sind beispielsweise in den organischen Schichtenstapel und/oder in einer zwischen dem organischen Schichtenstapel und dem Substrat angeordneten Auskoppelschicht ausgebildet. Beispielsweise sind die Streustellen in der ersten Transportschicht und/oder in der zweiten Transportschicht ausgebildet. In diesem Fall kann auf eine zusätzlich zu den Transportschichten vorgesehene Schicht für die Auskoppelstruktur verzichtet werden. Alternativ oder ergänzend kann eine separat zu den Transportschichten vorgesehene Auskoppelschicht vorgesehen sein. Eine derartige Auskoppelschicht ist insbesondere auch unabhängig von ihrer elektrischen Leitfähigkeit zur Ausbildung einer möglichst effizienten Auskoppelstruktur optimierbar.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements ist die Auskoppelstruktur mittels einer lateralen Strukturierung des organischen Schichtenstapels gebildet. Beispielsweise ist die Strukturierung mittels zumindest einer Ausnehmung in dem organischen Schichtenstapel gebildet. Die Ausnehmung kann sich in vertikaler Richtung, also in einer senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des organischen Schichtenstapels verlaufenden Richtung, vollständig oder nur bereichsweise durch den organischen Schichtenstapel hindurch erstrecken.
- Die zumindest eine Ausnehmung ist beispielsweise mittels eines Füllmaterials befüllt, wobei das Füllmaterial einen größeren Brechungsindex oder einen kleineren Brechungsindex aufweist als das Material des organischen Schichtenstapels. Material des organischen Schichtenstapels weist typischerweise einen Brechungsindex von etwa 1,8 auf. Als Brechungsindex für den organischen Schichtenstapel kann im Zweifel der über die einzelnen Schichten des organischen Schichtenstapels gemittelte Brechungsindex herangezogen werden.
- Der Brechungsindexunterschied zwischen dem Füllmaterial und dem Material des organischen Schichtenstapels beträgt vorzugsweise mindestens 0,05. Eine effiziente Strahlungsumlenkung mittels der Auskoppelstruktur ist somit vereinfacht erzielbar.
- In lateraler Richtung, also parallel zur Haupterstreckungsebene des organischen Schichtenstapels, ist die geometrische Ausgestaltung der Strukturierung in weiten Grenzen variierbar. Beispielsweise weist die Strukturierung eine gitterförmige Struktur auf.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements ist der organische Schichtenstapel mittels der zumindest einen Ausnehmung in zumindest zwei lateral voneinander getrennte Teilbereiche unterteilt. Beispielsweise entstehen mittels einer gitterförmigen Strukturierung matrixartig nebeneinander angeordnete Teilbereiche, wobei zwischen benachbarten Teilbereichen jeweils eine grabenförmige Ausnehmung verläuft.
- Davon abweichend kann die zumindest eine Ausnehmung jedoch auch derart ausgebildet sein, dass der organische Schichtenstapel in Draufsicht auf das strahlungsemittierende Bauelement eine zusammenhängende Fläche bildet.
- Die lateral voneinander beabstandeten Teilbereiche können über die erste Elektrodenschicht und weiterhin auch über die zweite Elektrodenschicht elektrisch leitend miteinander verbunden sein.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements weist die optische Zusatzschicht eine Dicke von mindestens 0,2 μm, bevorzugt von mindestens 0,5 μm auf. Es hat sich gezeigt, dass eine optische Zusatzschicht in dieser Dicke die Auskoppeleffizienz besonders effektiv steigern kann.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements ist die der organischen Schichtenfolge abgewandte Grenzfläche des Substrats frei von einer Auskoppelstruktur. Insbesondere ist die Grenzfläche frei von einer gezielt eingebrachten Strukturierung.
- Es hat sich gezeigt, dass das strahlungsemittierende Bauelement insbesondere aufgrund der Auskoppelstruktur und der optischen Zusatzschicht eine derart hohe Auskoppeleffizienz aufweisen kann, dass auf weitere Auskoppelstrukturen verzichtet werden kann.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Bauelements enthält das Substrat ein Glas oder besteht aus Glas. Ein derartiges Substrat zeichnet sich durch eine hohe mechanische Stabilität und optische Transparenz aus. Davon abweichend kann aber auch ein flexibles Substrat, beispielsweise eine flexible Kunststofffolie, Anwendung finden.
- Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
- Es zeigen:
- Die
1A und1B ein erstes Ausführungsbeispiel für ein strahlungsemittierendes Bauelement in schematischer Schnittansicht (1A ) und zugehöriger Draufsicht (1B ); -
2A ein zweites Ausführungsbeispiel für ein strahlungsemittierendes Bauelement in schematischer Schnittansicht; -
2B ein Ausführungsbeispiel für einen schematischen Verlauf der Reflektivität R des winkelselektiven Spiegels als Funktion des Auftreffwinkels θ; und -
3 ein drittes Ausführungsbeispiel für ein strahlungsemittierendes Bauelement in schematischer Schnittansicht. - Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.
- Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente und insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
- Ein erstes Ausführungsbeispiel für ein strahlungsemittierendes Bauelement ist in
1A in schematischer Schnittansicht dargestellt. - Das strahlungsemittierende Bauelement
1 ist exemplarisch als eine organische Leuchtdiode ausgebildet. Das strahlungsemittierende Bauelement weist einen organischen Schichtenstapel2 auf. Der organische Schichtenstapel umfasst einen aktiven Bereich20 , der zwischen einer ersten Transportschicht21 und einer zweiten Transportschicht22 angeordnet ist. Beispielsweise ist die erste Transportschicht21 als Löchertransportschicht und die zweite Transportschicht22 als Elektronentransportschicht ausgebildet oder umgekehrt. Für den organischen Schichtenstapel, insbesondere für den aktiven Bereich20 , eignen sich beispielsweise die im allgemeinen Teil der Beschreibung angegebenen Materialien. - Der organische Schichtenstapel
2 ist auf einem Substrat4 angeordnet, beispielsweise einem Glas-Substrat oder einem flexiblen Substrat, beispielsweise einer flexiblen Kunststoff-Folie. - Der organische Schichtenstapel
2 ist zwischen einer ersten Elektrodenschicht61 , beispielsweise einer Kathode, und einer zweiten Elektrodenschicht62 , beispielsweise einer Anode, angeordnet. Diese Elektrodenschichten sind zur Injektion von Ladungsträgern in den aktiven Bereich vorgesehen. Die Elektrodenschichten sind beispielsweise an einem Seitenbereich des strahlungsemittierenden Bauelements für eine externe elektrische Kontaktierung zugänglich (zur vereinfachten Darstellung nicht explizit gezeigt). - Eine dem organischen Schichtenstapel
2 abgewandte Grenzfläche40 des Substrats4 bildet eine Strahlungsaustrittsfläche für das strahlungsemittierende Bauelement1 . Die erste Elektrodenschicht61 ist zweckmäßigerweise für die im aktiven Bereich20 erzeugte Strahlung durchlässig ausgebildet. Beispielsweise enthält die erste Elektrodenschicht61 ein TCO(Transparent Conductive Oxide)-Material, beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO). - Die zweite Elektrodenschicht
62 kann für die im aktiven Bereich20 erzeugte Strahlung für eine beidseitige Strahlungsemission des Bauelements1 strahlungsdurchlässig oder für den Fall einer Strahlungsemission in nur eine Richtung reflektierend ausgebildet sein. - Das strahlungsemittierende Bauelement weist weiterhin eine Auskoppelstruktur
5 auf. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Auskoppelstruktur durch eine laterale Strukturierung mittels Ausnehmungen50 gebildet. Die Ausnehmungen50 erstrecken sich in dem gezeigten Ausführungsbeispiel vollständig durch den organischen Schichtenstapel2 hindurch. Es ist jedoch auch denkbar, dass sich diese Ausnehmungen in vertikaler Richtung nur teilweise durch den organischen Schichtenstapel hindurch erstrecken. Wie in1B dargestellt, ist die Strukturierung in Draufsicht auf das strahlungsemittierende Bauelement durch grabenförmige Ausnehmungen gebildet, wobei erste Gräben entlang einer ersten Richtung parallel zueinander verlaufen und in einer senkrecht dazu verlaufenden Richtung zweite Gräben zueinander parallel verlaufen, sodass der organische Schichtenstapel2 in matrixförmig nebeneinander angeordnete Teilbereiche25 unterteilt ist. Die geometrische Anordnung der Ausnehmungen50 ist jedoch in weiten Grenzen variierbar. Beispielsweise kann die Auskoppelstruktur5 so ausgebildet sein, dass der organische Schichtenstapel2 in Draufsicht auf das Bauelement zusammenhängend ausgebildet ist. - In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind die lateral voneinander beabstandeten Teilbereiche
25 über die erste Elektrodenschicht61 und die zweite Elektrodenschicht62 elektrisch leitend miteinander verbunden. - Die Ausnehmungen
50 sind mit einem Füllmaterial befüllt, das einen kleineren Brechungsindex oder einen größeren Brechungsindex aufweist als die der organischen Schichtenstapel2 . Durch die so in lateraler Richtung auftretenden Brechungsindex-Inhomogenitäten kann die im aktiven Bereich20 in laterale Richtung emittierte Strahlung umgelenkt werden. - Zwischen dem Substrat
4 und dem organischen Schichtenstapel2 ist eine optische Zusatzschicht3 angeordnet. Weiterhin steht die optische Zusatzschicht3 in direktem Kontakt mit der ersten Elektrodenschicht61 . Die erste Elektrodenschicht steht weiterhin in direktem Kontakt mit der Auskoppelstruktur5 . - Die optische Zusatzschicht
3 weist beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 0,2 μm und 10 μm, bevorzugt zwischen einschließlich 0,5 μm und 5 μm auf. - In dem gezeigten Ausführungsbeispiel weist die optische Zusatzschicht
3 einen Brechungsindex auf, der kleiner ist als der Brechungsindex des Substrats4 . Beispielsweise weist ein Glas-Substrat einen Brechungsindex von 1,5 auf. Der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht ist kleiner oder gleich 1,49, bevorzugt zwischen einschließlich 1 und einschließlich 1,4. Ein Brechungsindex von 1 ist durch eine optische Zusatzschicht erzielbar, die als ein evakuierter Zwischenraum ausgebildet ist. Bei einer optischen Zusatzschicht aus fester Materie kann der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht sehr nahe an den Idealwert eines Brechungsindizes von 1 angenähert sein. Beispielsweise kann der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht zwischen einschließlich 1,02 und einschließlich 1,3 liegen. - Für einen Brechungsindex in diesem Bereich eignet sich beispielsweise eine dielektrische Schicht mit in der Schicht eingebrachten Kavitäten. Beispielsweise kann die optische Zusatzschicht eine Nanorod-Struktur mit zwischen den Nanorods ausgebildeten Kavitäten sein. Beispielsweise eignet sich ein Oxid, etwa Siliziumoxid oder Titanoxid, als dielektrisches Material für die optische Zusatzschicht
3 . - Für den Idealfall eines Brechungsindizes von n = 1 für die optische Zusatzschicht
3 kann nur derjenige Strahlungsanteil der im aktiven Bereich20 emittierten Strahlung durch die optische Zusatzschicht hindurchtreten, der auch an der Grenzfläche40 aus dem Substrat zumindest teilweise ausgekoppelt werden kann. Strahlungsanteile, die mit einem Winkel zur Normalen auf die Grenzfläche40 auftreffen, der größer ist als der Grenzwinkel für Totalreflexion, können dagegen die optische Zusatzschicht3 nicht passieren, sondern werden bereits an dieser optischen Zusatzschicht3 reflektiert und können so der Auskoppelstruktur5 zugeführt werden. Bei einem Glas-Substrat beträgt der Grenzwinkel für Totalreflexion beispielsweise zu Luft etwa 41,8°. - Dadurch wird insgesamt die Wechselwirkung zwischen der im aktiven Bereich
20 erzeugten Strahlung und der Auskoppelstruktur5 erhöht und die Auskoppeleffizienz aus dem strahlungsemittierenden Bauelement gesteigert. Eine zusätzliche Auskoppelstrukturierung auf der Grenzfläche40 ist also nicht erforderlich und kann zur Reduzierung der Herstellungskosten weggelassen werden. Grundsätzlich ist jedoch auch denkbar, dass die Grenzfläche zur noch weitergehenden Steigerung der Auskoppeleffizienz mit einer weiteren Auskoppelstrukturierung versehen ist. - Das in der
2A dargestellte zweite Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den1A und1B beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist durch die optische Zwischenschicht3 ein winkelselektiver Spiegel gebildet. Für diesen Zweck weist die optische Zusatzschicht3 eine Mehrzahl von Schichten30 auf, wobei jeweils aneinander angrenzende Schichten voneinander verschiedene Brechungsindizes aufweisen. Durch geeignete Einstellung der Parameter der Schichten30 , insbesondere deren Schichtdicke und deren Brechungsindex sowie durch die Anzahl der Schichten30 , ist ein wellenselektiver Spiegel realisierbar, dessen Reflektivität für Strahlung, die in einem kleinen Winkel zur Normalen auf die optische Zusatzschicht auftrifft, niedriger ist als für Strahlung, die in einem großen Winkel zur Normalen auf die optische Zusatzschicht3 auftrifft. Ein Strahlungsanteil, der in einem großen Winkel zur Normalen emittiert wird und an der optischen Zusatzschicht3 reflektiert wird, ist durch einen Pfeil82 in2A veranschaulicht. Dieser Strahlungsanteil kann nach der Reflexion an der Auskoppelstruktur5 umgelenkt werden und nachfolgend aus dem Bauelement1 austreten. - Vorzugsweise lässt die optische Zusatzschicht nur Strahlung passieren, die an der Grenzfläche
40 ausgekoppelt werden kann. Insbesondere ist ein Einkoppelwinkel72 , mit dem die emittierte Strahlung in das Substrat4 eingekoppelt wird, kleiner als der Grenzwinkel73 für Totalreflexion an der Grenzfläche40 . So ist gewährleistet, dass nur Strahlung auf die Grenzfläche40 auftreffen kann, die zumindest teilweise an der Grenzfläche ausgekoppelt wird und nur zu einem gewissen Anteil an der Grenzfläche in das Substrat zurückreflektiert wird. - Der Strahlungsanteil, der mit einem Einkoppelwinkel
72 in das Substrat eingekoppelt wird, der kleiner ist als der Grenzwinkel für Totalreflexion73 , ist in2A anhand eines Pfeils81 veranschaulicht. - Im Unterschied zu dem im Zusammenhang mit
1 beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel kann der Brechungsindex von einer oder mehreren der Schichten30 der optischen Zusatzschicht3 auch größer oder gleich dem Brechungsindex des Substrats4 sein. - Ein Ausführungsbeispiel für die Winkelabhängigkeit der Reflektivität R der optischen Zusatzschicht ist in
2B schematisch dargestellt. Hierbei ist vereinfachend der Idealfall gezeigt, dass die Reflektivität des winkelselektiven Spiegels für senkrecht auftreffende Strahlung, also θ = 0°, 0 beträgt und für θ = 90° einen Wert von 1, also 100 %, annimmt. Selbstverständlich kann die Reflektivität für kleine Winkel auch größer als 0 und für große Winkel auch kleiner als 1 sein. Vorzugsweise beträgt die Reflektivität für θ = 0° höchstens 0,1. Weiterhin beträgt die Reflektivität für Winkel von θ ≥ 50° vorzugsweise mindestens 0,8. In kleinen Winkeln zur Normalen verlaufende Strahlung wird von der optischen Zusatzschicht also nicht oder nur unwesentlich am Eintritt in das Substrat gehindert, während Strahlung in großen Winkeln zur Normalen effizient zurückreflektiert wird. - In dem gezeigten Ausführungsbeispiel weist der winkelselektive Spiegel einen maximalen Durchlasswinkel θM von etwa 35° auf. Dadurch wird Strahlung, die in einem vergleichsweise großen Winkel, insbesondere einem Winkel größer dem Winkel für Totalreflexion, auf die Grenzfläche
40 auftreffen würde, bereits an der optischen Zusatzschicht reflektiert und somit nicht in das Substrat4 eingekoppelt. - Selbstverständlich kann der maximale Durchlasswinkel des winkelselektiven Spiegels auch größer oder kleiner als 35° sein. Vorzugsweise beträgt der maximale Durchlasswinkel zwischen einschließlich 25° und einschließlich 50°.
- Das in
3 dargestellte dritte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit1 beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist die Auskoppelstruktur5 durch Streustellen52 gebildet. Die Streustellen52 sind in diesem Ausführungsbeispiel in einer Auskoppelschicht51 angeordnet. Diese Auskoppelschicht51 ist außerhalb des zwischen der ersten Elektrodenschicht61 und der zweiten Elektrodenschicht62 angeordneten elektrisch leitfähigen Materials angeordnet und kann daher auch elektrisch isolierend ausgebildet sein. Auf eine laterale Strukturierung der organischen Schicht zur Ausbildung einer Auskoppelstruktur kann in diesem Fall verzichtet werden. Eine solche Strukturierung kann jedoch auch zusätzlich vorgesehen sein. - Weiterhin können die Streustellen
52 auch innerhalb des organischen Schichtenstapels, beispielsweise in der ersten Transportschicht21 oder in der zweiten Transportschicht22 oder in der ersten Elektrodenschicht61 angeordnet sein. Eine zusätzliche Auskoppelschicht ist in diesem Fall nicht zwingend erforderlich, kann jedoch ergänzend vorgesehen sein. Selbstverständlich eignet sich die beschriebene Ausgestaltung der Auskoppelstruktur mittels Streustellen auch für das im Zusammenhang mit2A beschriebene zweite Ausführungsbeispiel. - Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Claims (15)
- Strahlungsemittierendes Bauelement (
1 ) mit einem organischen Schichtenstapel (2 ), der auf einem Substrat (4 ) angeordnet ist, wobei – auf einer dem organischen Schichtenstapel zugewandten Seite des Substrats eine Auskoppelstruktur (5 ) angeordnet ist; – zwischen dem Substrat und der Auskoppelstruktur eine optische Zusatzschicht (3 ) angeordnet ist; und – die optische Zusatzschicht einen Brechungsindex aufweist, der kleiner als der Brechungsindex des Substrats ist, oder die optische Zusatzschicht einen winkelselektiven Spiegel bildet, der nur solches im organischen Schichtenstapel im Betrieb erzeugtes Licht passieren lässt, das an einer der organischen Schichtenfolge abgewandten Grenzfläche (40 ) des Substrats aus dem Substrat ausgekoppelt werden kann. - Strahlungsemittierendes Bauelement nach Anspruch 1, wobei die optische Zusatzschicht in unmittelbarem Kontakt mit dem Substrat steht.
- Strahlungsemittierendes Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine auf einer dem Substrat zugewandten Seite des organischen Schichtenstapels angeordnete erste Elektrodenschicht in unmittelbarem Kontakt zu der optischen Zusatzschicht und/oder zu der Auskoppelstruktur steht.
- Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht kleiner oder gleich 1,49 ist.
- Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht zwischen einschließlich 1 und einschließlich 1,4 liegt.
- Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Brechungsindex der optischen Zusatzschicht zwischen einschließlich 1,02 und einschließlich 1,3 liegt.
- Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein maximaler Durchlasswinkel des winkelselektiven Spiegels bezogen auf die Normale zur optischen Zusatzschicht so klein ist, dass die durch die optische Zusatzschicht hindurch tretende Strahlung in einem Einkoppelwinkel (
72 ) in das Substrat eingekoppelt wird, der kleiner oder gleich dem Grenzwinkel (73 ) für Totalreflexion an der der organischen Schichtenfolge abgewandten Grenzfläche des Substrats ist. - Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Auskoppelstruktur mittels Streustellen (
5 ) gebildet ist. - Strahlungsemittierendes Bauelement nach Anspruch 8, wobei die Streustellen in dem organischen Schichtenstapel und/oder in einer zwischen dem organischen Schichtenstapel und dem Substrat angeordneten Auskoppelschicht (
51 ) ausgebildet sind. - Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Auskoppelstruktur mittels einer lateralen Strukturierung des organischen Schichtenstapels gebildet ist.
- Strahlungsemittierendes Bauelement nach Anspruch 10, wobei die Strukturierung durch zumindest eine Ausnehmung (
50 ) in dem organischen Schichtenstapel gebildet ist und der organische Schichtenstapel mittels der zumindest einen Ausnehmung in zumindest zwei lateral voneinander getrennte Teilbereiche (3 ) unterteilt ist. - Strahlungsemittierendes Bauelement nach Anspruch 2 oder einem auf Anspruch 2 rückbezogenen Anspruch, wobei die Teilbereiche (
25 ) über die erste Elektrodenschicht (61 ) elektrisch leitend miteinander verbunden sind. - Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die optische Zusatzschicht eine Dicke von mindestens 0,5µm aufweist.
- Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine der organischen Schichtenfolge abgewandte Grenzfläche des Substrats frei von einer Auskoppelstruktur ist.
- Strahlungsemittierendes Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Substrat ein Glas enthält oder aus Glas besteht.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013110024.4A DE102013110024B9 (de) | 2013-09-12 | 2013-09-12 | Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel |
PCT/EP2014/068263 WO2015036253A1 (de) | 2013-09-12 | 2014-08-28 | Strahlungsemittierendes bauelement mit organischem schichtenstapel |
US14/917,048 US10263219B2 (en) | 2013-09-12 | 2014-08-28 | Radiation-emitting component with organic layer stack |
KR1020167008699A KR20160056904A (ko) | 2013-09-12 | 2014-08-28 | 유기 층 스택을 구비한 방사선 방출 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013110024.4A DE102013110024B9 (de) | 2013-09-12 | 2013-09-12 | Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013110024A1 true DE102013110024A1 (de) | 2015-03-12 |
DE102013110024B4 DE102013110024B4 (de) | 2023-08-31 |
DE102013110024B9 DE102013110024B9 (de) | 2023-11-09 |
Family
ID=51422086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013110024.4A Active DE102013110024B9 (de) | 2013-09-12 | 2013-09-12 | Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10263219B2 (de) |
KR (1) | KR20160056904A (de) |
DE (1) | DE102013110024B9 (de) |
WO (1) | WO2015036253A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210098966A1 (en) * | 2018-05-11 | 2021-04-01 | University Of Washington | Laser With Perovskite Gain Layer |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60301466T2 (de) * | 2002-10-01 | 2006-06-08 | Eastman Kodak Co. | Organische leuchtvorrichtung mit verbessertem lichtextraktionswirkungsgrad |
WO2006091614A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-31 | Eastman Kodak Company | Oled device having improved light output |
WO2010016763A1 (en) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Electric transport component, method of manufacturing the same, as well as electro-optical device and opto-electrical device |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1074054A2 (de) | 1998-12-17 | 2001-02-07 | Seiko Epson Corporation | Lichtemittierende vorrichtung |
JP2002008868A (ja) | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Seiko Epson Corp | 面発光装置 |
US6963168B2 (en) | 2000-08-23 | 2005-11-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL display device having certain relationships among constituent element refractive indices |
JP2003142262A (ja) | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、膜状部材、積層膜、低屈折率膜、多層積層膜、電子機器 |
JP3773865B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2006-05-10 | 三洋電機株式会社 | 導光板および表示装置 |
JP4693593B2 (ja) | 2004-11-16 | 2011-06-01 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
DE102007058453A1 (de) | 2007-09-10 | 2009-03-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
WO2011055440A1 (ja) | 2009-11-05 | 2011-05-12 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
JP5297991B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2013-09-25 | 株式会社日立製作所 | 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置 |
DE102011079004A1 (de) | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen lichtemittierenden bauelements |
DE102011079063A1 (de) * | 2011-07-13 | 2013-01-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements |
WO2013038971A1 (ja) | 2011-09-12 | 2013-03-21 | シャープ株式会社 | 発光デバイス、表示装置、及び照明装置 |
JP2014224836A (ja) | 2011-09-16 | 2014-12-04 | シャープ株式会社 | 発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置 |
US9054338B2 (en) * | 2011-09-30 | 2015-06-09 | General Electric Company | OLED devices comprising hollow objects |
JP2015008036A (ja) | 2011-10-31 | 2015-01-15 | シャープ株式会社 | 有機発光素子 |
DE102012204934A1 (de) | 2012-03-28 | 2013-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements |
-
2013
- 2013-09-12 DE DE102013110024.4A patent/DE102013110024B9/de active Active
-
2014
- 2014-08-28 US US14/917,048 patent/US10263219B2/en active Active
- 2014-08-28 KR KR1020167008699A patent/KR20160056904A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-08-28 WO PCT/EP2014/068263 patent/WO2015036253A1/de active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60301466T2 (de) * | 2002-10-01 | 2006-06-08 | Eastman Kodak Co. | Organische leuchtvorrichtung mit verbessertem lichtextraktionswirkungsgrad |
WO2006091614A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-31 | Eastman Kodak Company | Oled device having improved light output |
WO2010016763A1 (en) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Electric transport component, method of manufacturing the same, as well as electro-optical device and opto-electrical device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102013110024B4 (de) | 2023-08-31 |
KR20160056904A (ko) | 2016-05-20 |
US10263219B2 (en) | 2019-04-16 |
WO2015036253A1 (de) | 2015-03-19 |
US20160204386A1 (en) | 2016-07-14 |
DE102013110024B9 (de) | 2023-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2596534B1 (de) | Strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung von strahlungsemittierenden bauelementen | |
EP1977457B1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip | |
EP1845564A2 (de) | Strahlungsemittierender Körper und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Körpers | |
DE102015108532A1 (de) | Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte | |
DE102011015821A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
DE102006051745A1 (de) | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers | |
DE102005048408A1 (de) | Dünnfilm-Halbleiterkörper | |
EP3381061A1 (de) | Leuchtdiodenchip mit einer reflektierenden schichtenfolge | |
DE102010032497A1 (de) | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips | |
EP2067179A1 (de) | Led-halbleiterkörper und verwendung eines led-halbleiterkörpers | |
DE112019004265T5 (de) | Lichtemittierendes element und elektronikeinrichtung | |
DE102011111604B4 (de) | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement | |
DE102016113274B4 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
WO2018114807A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips | |
DE102013110024B9 (de) | Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel | |
EP2313935A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip | |
DE102006041460A1 (de) | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Vorrichtung mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip | |
DE102011010504A1 (de) | Optoelektrischer Halbleiterchip | |
DE10162914B4 (de) | Lichtemittierendes Halbleiterbauelement | |
EP1563552A1 (de) | Optoelektronisches bauelement mit elektrisch leitfähigem organischem material sowie verfahren zur herstellung des bauelementes | |
DE102008021621A1 (de) | Strahlung emittierender Dünnfilm-Halbleiterchip | |
DE102014105799A1 (de) | Licht emittierendes Halbleiterbauelement | |
WO2019020424A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip, hochvolthalbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips | |
DE102012111573A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements | |
DE102019212944A1 (de) | Halbleiterbauelement, vorrichtung mit einem halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R163 | Identified publications notified | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: OSRAM OLED GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93055 REGENSBURG, DE Effective date: 20150209 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE Effective date: 20150209 Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE Effective date: 20150209 |
|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: PICTIVA DISPLAYS INTERNATIONAL LIMITED, IE Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OLED GMBH, 93049 REGENSBURG, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0051520000 Ipc: H10K0050800000 |
|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H10K0050800000 Ipc: H10K0050850000 |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division |