DE102012222012A1 - Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung - Google Patents

Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102012222012A1
DE102012222012A1 DE201210222012 DE102012222012A DE102012222012A1 DE 102012222012 A1 DE102012222012 A1 DE 102012222012A1 DE 201210222012 DE201210222012 DE 201210222012 DE 102012222012 A DE102012222012 A DE 102012222012A DE 102012222012 A1 DE102012222012 A1 DE 102012222012A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor device
insulating body
ceramic
semiconductor component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE201210222012
Other languages
English (en)
Other versions
DE102012222012B4 (de
Inventor
Ulrich Sagebaum
Karlheinz Augustin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron GmbH and Co KG
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron GmbH and Co KG
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron GmbH and Co KG, Semikron Elektronik GmbH and Co KG filed Critical Semikron GmbH and Co KG
Priority to DE102012222012.7A priority Critical patent/DE102012222012B4/de
Publication of DE102012222012A1 publication Critical patent/DE102012222012A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102012222012B4 publication Critical patent/DE102012222012B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3185—Partial encapsulation or coating the coating covering also the sidewalls of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401—Structure
    • H01L2224/2402—Laminated, e.g. MCM-L type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Substrat (2), wobei das Substrat (2) einen elektrisch nicht leitenden Isolierstoffkörper (4) und eine auf einer ersten Seite (22) des Isolierstoffkörpers (4) angeordnete und mit dem Isolierstoffkörper (4) verbundene elektrisch leitende erste Leiterbahn (5a) aufweist, wobei auf der ersten Leiterbahn (5a) ein erstes Leistungshalbleiterbauelement (T1), das einen ersten und einen zweiten Laststromanschluss (C, E) aufweist, angeordnet ist und der erste Laststromanschluss (C) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) mit der ersten Leiterbahn (5a) verbunden ist, wobei ein um den lateralen Rand (14) des Leistungshalbleiterbauelements (T1) umlaufender elektrisch nicht leitender Isolationskörper (12, 12') auf der ersten Leiterbahn (5a) angeordnet ist, wobei der Isolationskörper (12, 12') als keramischer Grünling (12') ausgebildet ist oder aus einer gebrannten Keramik (12) besteht. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer diesbezüglichen Leistungshalbleitereinrichtung (1). Die Erfindung schafft eine zuverlässige Leistungshalbleitereinrichtung (1) und ein Verfahren zu dessen Herstellung.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung.
  • Bei aus dem Stand der Technik bekannten Leistungshalbleitereinrichtungen sind im Allgemeinen auf einem Substrat Leistungshalbleiterbauelemente, wie z.B. Leistungshalbleiterschalter und Dioden angeordnet und mittels einer Leitungsschicht des Substrats und einer elektrischen Verbindungeinrichtung, die z.B. in Form von Bonddrähten und/oder einem Folienverbund vorliegen kann, miteinander elektrisch leitend verbunden.
  • Die Leistungshalbleiterschalter liegen im Allgemeinen in Form von Transistoren, wie z.B. IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), oder in Form von Thyristoren vor.
  • Aus der DE 10 2007 006 706 A1 ist eine Schaltungsanordnung mit einer Verbindungseinrichtung und einem Halbleiterbauelement bekannt, wobei zwischen der Verbindungseinrichtung und einem zugeordneten Rand des Halbleiterbauelements ein Isolierstoff angeordnet ist.
  • Aus der EP 1 772 902 A1 ist ein Leistungshalbleitermodul mit einem Leistungshalbleiterbauelement bekannt, wobei ein Isolationsformkörper derart angeordnet ist, dass er allseits an den Rändern des Leistungshalbleiterbauelements anliegt und dieses somit umschließt.
  • Die Leistungshalbleiterbauelemente sind bei techniküblichen Substraten auf der strukturierten elektrisch leitenden Metallschicht des Substrats angeordnet und ragen somit über Ihre gesamte Höhe einschließlich der im Allgemeinen zur Verbindung des Leistungshalbleiterbauelement mit dem Substrat verwendeten Verbindungsmittelschicht über die Leitungsschicht des Substrats hinaus. Die elektrische Verbindungeinrichtung ist mit der dem Substrat abgewandten Seite der Leistungshalbleiterbauelemente verbunden. Zur elektrischen Isolierung und/oder zum Schutz des jeweiligen lateralen Rands der Leistungshalbleiterbauelemente wird techniküblich ein um den jeweiligen lateralen Rand der Leistungshalbleiterbauelemente umlaufender Isolationskörper aus Silikon angeordnet, wobei die Verbindungeinrichtung über dem Isolationskörper aus Silikon angeordnet ist. Aufgrund der stark unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der im Allgemeinen im Wesentlichen aus Silizium bestehenden Leistungshalbleiterbauelemente und Silikon, kann eine im Betrieb der Leistungshalbleitereinrichtung auftretende Erwärmung der Leistungshalbleiterbauelemente und des Silikons dazu führen, dass der Isolationskörper gegen die elektrische Verbindungeinrichtung drückt und die Verbindung zwischen der elektrischen Verbindungeinrichtung und der dem Substrat abgewandten Seite der Leistungshalbleiterbauelemente beschädigt wird oder sich löst. Insbesondere, wenn die elektrische Verbindungeinrichtung als Folienverbund ausgebildet ist, kann dieses Problem in einem verstärkten Maße auftreten.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung eine zuverlässige Leistungshalbleitereinrichtung zu schaffen und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Substrat, wobei das Substrat einen elektrisch nicht leitenden Isolierstoffkörper und eine auf einer ersten Seite des Isolierstoffkörpers angeordnete und mit dem Isolierstoffkörper verbundene elektrisch leitende erste Leiterbahn aufweist, wobei auf der ersten Leiterbahn ein erstes Leistungshalbleiterbauelement, das einen ersten und einen zweiten Laststromanschluss aufweist, angeordnet ist und der erste Laststromanschluss des ersten Leistungshalbleiterbauelements mit der ersten Leiterbahn verbunden ist, wobei ein um den lateralen Rand des Leistungshalbleiterbauelements umlaufender elektrisch nicht leitender Isolationskörper auf der ersten Leiterbahn angeordnet ist, wobei der Isolationskörper als keramischer Grünling ausgebildet ist oder aus einer gebrannten Keramik besteht.
  • Weiterhin wird diese Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit folgenden Verfahrensschritten:
    • a) Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat einen elektrisch nicht leitenden Isolierstoffkörper und eine auf einer ersten Seite des Isolierstoffkörpers angeordnete und mit dem Isolierstoffkörper verbundene elektrisch leitende erste Leiterbahn aufweist,
    • b) Anordnen eines ersten Leistungshalbleiterbauelements, das einen ersten und einen zweiten Laststromanschluss aufweist, auf der ersten Leiterbahn,
    • c1) Aufbringen einer keramischen Suspension umlaufend und anliegend um den lateralen Rand des ersten Leistungshalbleiterbauelements auf der ersten Leiterbahn und Umwandeln der keramischen Suspension in einen keramischen Grünling durch Temperaturbeaufschlagung der keramischen Suspension, oder
    • c2) Anordnen eines keramischen Grünlings auf der ersten Leiterbahn, wobei der keramische Grünling eine derartige Form ausweist und derartig angeordnet wird, dass nach dem Anordnen der keramische Grünling umlaufend um den lateralen Rand des ersten Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist, oder
    • c3) Anordnen eines aus einer gebrannten Keramik bestehenden elektrisch nicht leitenden Isolationskörpers auf der ersten Leiterbahn, wobei der Isolationskörper eine derartige Form ausweist und derartig angeordnet wird, dass nach dem Anordnen der keramische Isolationskörper umlaufend um den lateralen Rand des ersten Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist.
  • Vorteilhafte Ausbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich analog zu vorteilhaften Ausbildungen der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung und umgekehrt.
  • Vorteilhafte Ausbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Es erweist sich als vorteilhaft, wenn der zweite Laststromanschluss des ersten Leistungshalbleiterbauelements mit einer elektrischen Verbindungseinrichtung verbunden ist, da mittels einer elektrischen Verbindungseinrichtung auf einfache Art und Weise eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem zweitem Laststromanschluss des ersten Leistungshalbleiterbauelements und einem weiteren Element der Leistungshalbleitereinrichtung ermöglicht wird.
  • Es erweist sich als vorteilhaft, wenn die elektrische Verbindungseinrichtung als Folienverbund, der eine erste metallische Folienschicht und eine mit der ersten metallischen Folienschicht verbundene elektrisch isolierende Folienschicht aufweist, ausgebildet ist. Ein Folienverbund ermöglicht eine besonders zuverlässige elektrische Verbindung des zweiten Laststromanschlusses des ersten Leistungshalbleiterbauelements mit einem weiteren Element der Leistungshalbleitereinrichtung.
  • Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn der zweite Laststromanschluss des ersten Leistungshalbleiterbauelements mit der elektrischen Verbindungseinrichtung verbunden ist, indem der zweite Laststromanschluss des ersten Leistungshalbleiterbauelements mit der ersten metallischen Folienschicht, mittels einer Löt-, Sinter- oder einer elektrisch leitfähigen Klebeverbindung, verbunden ist, da hierdurch eine besonders zuverlässige Verbindung des zweiten Laststromanschlusses des ersten Leistungshalbleiterbauelements mit der elektrischen Verbindungseinrichtung sichergestellt wird.
  • Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn am ersten Leistungshalbleiterbauelement und am Isolationskörper ein elektrisch nicht leitender erster Isolationsformkörper angeordnet ist, der das erste Leistungshalbleiterbauelement mit dem Isolationskörper mechanisch verbindet, da hierdurch eine zuverlässige mechanische Verbindung des ersten Leistungshalbleiterbauelements mit dem Isolationskörper ermöglicht wird und ein eventuell zwischen Isolationskörper und Leistungshalbleiterbauelement vorhandener Spalt durch den ersten Isolationsformkörper abgedeckt wird und vorzugsweise durch den ersten Isolationsformkörper aufgefüllt wird.
  • Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn der Isolationskörper als keramischer Grünling ausgebildet ist und am lateralen Rand des ersten Leistungshalbleiterbauelements umlaufend anliegend angeordnet ist. Durch diese Maßnahme wird auf einfache Art und Weise eine zuverlässige Anbindung des Isolationskörper an das Leistungshalbleiterbauelement ermöglicht. Insbesondere wird durch diese Maßnahme ein Spalt zwischen dem Isolationskörper und dem Leistungshalbleiterbauelement vermieden. Dadurch kann in der Regel auf die Verwendung des ersten Isolationsformkörpers verzichtet werden.
  • Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn der Isolationskörper eine Nase aufweist, die einen Randbereich der dem Isolierstoffkörper abgewandten Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements abdeckt. Durch diese Maßnahme wird der laterale Rand des ersten Leistungshalbleiterbauelements zuverlässig geschützt. Die Nase verläuft vorzugsweise umlaufend um den Randbereich der dem Isolierstoffkörper abgewandten Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements.
  • Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die orthogonal zur ersten Leiterbahn verlaufende maximale Höhenausdehnung des Isolationskörpers mindestens so groß ist, wie der Abstand zwischen der dem Isolierstoffkörper abgewandten Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements von der ersten Leiterbahn. Hierdurch wird eine hohe elektrische Isolationsfestigkeit erzielt.
  • Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn beim Verfahrensschritt c2) ein Anordnen eines keramischen Grünlings auf der ersten Leiterbahn erfolgt, wobei der keramische Grünling eine derartige Form ausweist und derartig angeordnet wird, dass nach dem Anordnen der keramische Grünling umlaufend um den lateralen Rand des ersten Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist, wobei anschließend, durch Druckbeaufschlagung des keramischen Grünlings, der keramische Grünling am lateralen Rand des ersten Leistungshalbleiterbauelements umlaufend anliegend angeordnet wird. Durch diese Maßnahme wird auf einfache Art und Weise eine zuverlässige Anbindung des Isolationskörper an das Leistungshalbleiterbauelement ermöglicht. Insbesondere wird durch diese Maßnahme ein Spalt zwischen dem Isolationskörper und dem Leistungshalbleiterbauelement vermieden.
  • Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn der zweite Laststromanschluss des ersten Leistungshalbleiterbauelements, mit einer elektrischen Verbindungseinrichtung mittels einer Sinterverbindung verbunden wird, wobei die zur Herstellung dieser Sinterverbindung notwendige Druck- und Temperaturbeaufschlagung der elektrischen Verbindungseinrichtung und des ersten Leistungshalbleiterbauelements in einem Prozessschritt mit der Druckbeaufschlagung des keramischen Grünlings erfolgt. Durch diese Maßnahme wir eine besonders rationelle Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung ermöglicht.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Dabei zeigen:
  • 1 eine schematisierte Schnittdarstellung einer Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung,
  • 2 eine schematisierte Detailansicht in Form einer Schnittdarstellung einer Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung,
  • 3 eine zu 2 zugehörige Detailansicht von oben auf eine Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung,
  • 4 eine schematisierte Detailansicht in Form einer Schnittdarstellung einer weiteren Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung,
  • 5 eine zu 5 zugehörige Detailansicht von oben auf eine weitere Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung und
  • 6 eine schematisierte Detailansicht in Form einer Schnittdarstellung einer weiteren Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung.
  • In 1 ist eine schematisierte Schnittdarstellung einer Ausbildung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 dargestellt. In 2 ist eine schematisierte Detailansicht in Form einer Schnittdarstellung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 und in 3 eine zu 2 zugehörige Detailansicht von oben auf die erfindungsgemäße Leistungshalbleitereinrichtung 1 dargestellt, wobei der in 2 dargestellte Schnitt entlang der in 3 dargestellten Line A verläuft.
  • Die erfindungsgemäße Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist ein Substrat 2 auf, das beim Ausführungsbeispiel in Form eines DCB-Substrats vorliegt. Das Substrat 2 weist einen Isolierstoffkörper 4 und eine auf einer ersten Seite 22 des Isolierstoffkörpers 4 angeordnete und mit dem Isolierstoffkörper 4 verbundene elektrisch leitende strukturierte erste Leitungsschicht 5 auf, die im Rahmen des Ausführungsbeispiels eine erste und eine zweite Leiterbahnen 5a und 5b ausbildet. Vorzugsweise weist das Substrat 2 eine elektrisch leitende, vorzugsweise unstrukturierte zweite Leitungsschicht 3 auf, wobei der Isolierstoffkörper 4 zwischen der strukturierten ersten Leitungsschicht 5 und der zweiten Leitungsschicht 3 angeordnet ist. Die strukturierte erste Leitungsschicht 5 des Substrats 2 kann z.B. aus Kupfer bestehen. Das Substrat 2 kann z.B., wie beim Ausführungsbeispiel, in Form eines DCB-Substrats oder in Form eines Insulated Metal Substrats vorliegen. Im Falle eines DCB-Substrat kann der erste Isolierstoffkörper 2 z.B. aus einer Keramik bestehen und die zweite Leitungsschicht 3 des ersten Substrats z.B. aus Kupfer bestehen. Im Falle eines Insulated Metal Substrats kann der erste Isolierstoffkörper 4 z.B. aus einer Schicht aus Polyimid oder Epoxy bestehen und die zweite Leitungsschicht 3 des ersten Substrats aus einem Metallformkörper bestehen. Der Metallformkörper kann z.B. aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehen.
  • Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass die Leiterbahnen des Substrats 2, d.h. beim Ausführungsbeispiel die erste und zweite Leiterbahn 5a und 5b, eine einzelne oder mehrere übereinanderliegende Beschichtungen (z.B. aus einem Edelmetall (z.B. Silber) oder aus einer Edelmetallverbindung), welche z.B. als Haftvermittlungsschichten und/oder Schutzschichten dienen können, aufweisen können. Die erste und/oder die zweite Leiterbahn 5a und 5b des Substrats 2 können somit jeweilig auch mehrere Schichten aufweisen.
  • Es sei weiterhin angemerkt, dass im einfachsten Falle das Substrat auch nur eine einzelne Leiterbahn und/oder ein einzelnes Leistungshalbleiterbauelement aufweisen kann.
  • Auf der ersten Leiterbahn 5a ist ein erstes Leistungshalbleiterbauelement T1, das einen ersten und einen zweiten Laststromanschluss C und E aufweist, angeordnet und der erste Laststromanschluss C des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 ist mit der ersten Leiterbahn 5a, z.B. mittels einer Löt-, Sinter-, oder einer elektrisch leitfähigen Klebeschicht 6a, verbunden. Auf der zweiten Leiterbahn 5b ist ein zweites Leistungshalbleiterbauelement D2, das einen ersten und einen zweiten Laststromanschluss A und K aufweist, angeordnet und der erste Laststromanschluss A des zweiten Leistungshalbleiterbauelements D2 ist mit der zweiten Leiterbahn 5b, z.B. mittels einer Löt-, Sinter-, oder einer elektrisch leitfähigen Klebeschicht 6b, verbunden.
  • Durch die Laststromanschlüsse fließen die Lastströme, welche im Gegensatz zu Steuerströmen eine hohe Stromstärke aufweisen können.
  • Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass im Rahmen des Ausführungsbeispiels das erste Leistungshalbleiterbauelement als Leistungshalbleiterschalter und insbesondere in Form eines IGBTs vorliegt und der erste Laststromanschluss C des Leistungshalbleiterschalters T1 in Form des Kollektors des IGBT und der zweite Laststromanschluss E des Leistungshalbleiterschalters T1 in Form des Emitters des IGBT vorliegt. Der Steueranschluss des Leistungshalbleiterschalter T1 liegt beim Ausführungsbeispiels in Form des Gate des jeweiligen IGBT vor und ist der Übersichtlichkeit halber in den Figuren nicht dargestellt.
  • Weiterhin sei an dieser Stelle angemerkt, dass im Rahmen des Ausführungsbeispiels das zweite Leistungshalbleiterbauelement D2 als Diode vorliegt und der erste Laststromanschluss K der Diode in Form der Kathode der Diode und der zweite Laststromanschluss A der Diode in Form der Anode der Diode vorliegt.
  • Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist eine elektrische Verbindungseinrichtung 11 auf, die den zweiten Laststromanschluss E des ersten Leistungshalbleiterbauelement T1 elektrisch leitend mit einem weiteren Element der Leistungshalbleitereinrichtung 1 verbindet, wobei beim Ausführungsbeispiel das weitere Element in Form des zweiten Laststromanschlusses K des zweiten Leistungshalbleiterbauelement D2 vorliegt. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels ist die elektrische Verbindungseinrichtung 11 als Folienverbund 11, der eine erste metallische Folienschicht 8 und eine mit der ersten metallischen Folienschicht 8 verbundene elektrisch isolierende Folienschicht 9 aufweist, ausgebildet. Vorzugsweise weist der Folienverbund 11 eine zweite metallische Folienschicht 10 auf, wobei zwischen der ersten und eine zweiten metallischen Folienschicht 8 und 10 die elektrisch isolierende Folienschicht 9 angeordnet ist. Die Folienschichten sind, mittels z.B. eine Klebeverbindung, miteinander verbunden. Die erste metallische Folienschicht 8 ist vorzugweise strukturiert ausgebildet und weist infolge ihrer Struktur Unterbrechungen 30 auf, so dass die erste metallische Folienschicht 8 voneinander elektrisch isoliert angeordnete Leitungsbahnen ausbildet, wobei beim Ausführungsbeispiel manche Leitungsbahnen zu Anschlussflächen reduziert ausgebildet sind. Die zweite metallische Folienschicht 10 kann ebenfalls strukturiert ausgebildet sein. Der zweite Laststromanschluss E des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 ist mit der ersten metallischen Folienschicht 8, mittels z.B. einer Löt-, Sinter-, oder einer elektrisch leitfähigen Klebeschicht 7a verbunden. Weiterhin ist der zweite Laststromanschluss K des zweiten Leistungshalbleiterbauelements D2 mit der ersten metallischen Folienschicht 8, mittels z.B. einer Löt-, Sinter-, oder einer elektrisch leitfähigen Klebeschicht 7b, verbunden. Die erste und zweite metallische Folienschicht 8 und 10 sind über elektrisch leitende Durchkontaktierungen 18 elektrisch leitend miteinander verbunden, so dass beim Ausführungsbeispiel der zweite Laststromanschluss E des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 über die zweite metallische Folienschicht 10 mit dem zweiten Laststromanschluss K des zweiten Leistungshalbleiterbauelements D2 elektrisch leitend verbunden ist.
  • Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass der Folienverbund 11 gegebenenfalls eine oder mehrere weitere strukturierte oder unstrukturierte metallische Folienschichten, die jeweilig über eine jeweilige weitere elektrisch isolierende Folienschicht voneinander getrennt sind, aufweisen kann. Im einfachsten Fall kann der Folienverbund 11 auch nur eine einzelne strukturierte oder eine einzelne unstrukturierte metallische Folienschicht aufweisen, die mit einer elektrisch isolierenden Folienschicht verbunden ist. Die metallischen Folienschichten können z.B. aus Kupfer bestehen. Die metallischen Folienschichten des Folienverbunds können jeweilig eine einzelne oder mehrere übereinanderliegende Beschichtungen (z.B. aus einem Edelmetall (z.B. Silber)- oder einer Edelmetallverbindung), welche z.B. als Haftvermittlungsschichten und/oder Schutzschichten dienen können, aufweisen. Die erste und/oder zweite metallische Folienschicht 8 und 10 des Folienverbunds 11 können somit jeweilig auch mehrere Schichten aufweisen. Weiterhin sei angemerkt, dass die Verbindungseinrichtung 11, insbesondere der Folienverbunds 11, die Leistungshalbleiterbauelemente der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 auch mit den Leiterbahnen des Substrats 2 elektrisch leitend verbinden können.
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 beschrieben. Die Erfindung ist beim Ausführungsbeispiel in analoger Form, wie 1 zeigt, auch beim zweiten Leistungshalbleiterbauelement D2 verwirklicht. Falls die Leistungshalbleitereinrichtung mehr als ein einzelnes Leistungshalbleiterbauelement aufweist, kann die Erfindung bei beliebig vielen der Leistungshalbleiterbauelemente der Leistungshalbleitereinrichtung verwirklicht sein. Das oben genannte gilt für alle Ausführungsbeispiele und Ausführungsvarianten der Erfindung, sowie auch für das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung.
  • Erfindungsgemäß ist ein um den lateralen Rand 14 des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 umlaufender elektrisch nicht leitender Isolationskörper 12 auf der ersten Leiterbahn 5a angeordnet, wobei der Isolationskörper 12 bei diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung aus einer gebrannten Keramik besteht. (Beim zweiten Leistungshalbleiterbauelement D2 ist der Isolationskörper 12 mit 12' bezeichnet und auf der zweiten Leiterbahn 5b angeordnet.) Eine gebrannte Keramik weist einen in der Größenordnung ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie Silizium auf, aus dem vorzugsweise im Wesentlichen das erste Leistungshalbleiterbauelement T1 besteht. Eine im Betrieb der Leistungshalbleitereinrichtung 1 auftretende Erwärmung des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 und des aus einer gebrannten Keramik bestehenden Isolationskörpers 12 führen nun nicht mehr wie beim Stand der Technik dazu, dass der Isolationskörper 12 gegen die elektrische Verbindungeinrichtung 11, d.h. insbesondere gegen den Folienverbund 11 drückt und die Verbindung zwischen der elektrischen Verbindungeinrichtung 11 und dem zweiten Laststromanschluss E des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 beschädigt wird oder sich löst.
  • Zur Herstellung einer gebrannten Keramik wird techniküblich zunächst eine keramische Suspension, die aus einem keramischen Granulat und einer Suspensions Matrix besteht zwischen 120 °C und 500°C erhitzt, so dass sich die keramische Suspension verfestigt und ein sogenannter keramischer Grünling entsteht. Ein keramischer Grünling wird fachspezifisch auch als keramischer Grünkörper bezeichnet. Gegebenenfalls wird techniküblich die keramische Suspension in eine Formvorrichtung gefüllt, so dass der keramische Grünling nach dem Erhitzten eine entsprechend der Formvorrichtung ausgebildete geometrische Form aufweist. Das keramische Granulat basiert vorzugsweise auf eine Si-, Al- und/oder Zr-Verbindung und die Suspensions Matrix basiert vorzugsweise auf einem Epoxid oder einem Silikat. Anschließend wird der keramische Grünling auf mindestens 1000°C erhitzt, so dass durch keramisches Sintern der Bestandteile des keramischen Gründlings eine gebrannte Keramik entsteht. Eine gebrannte Keramik besteht vorzugsweise aus Al2O3, AlN, Si3N4, SiO2 und/oder ZrO2.
  • Ein keramischer Grünling weist vorzugsweise einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 20·10–6 1/K bis 80·10–6 1/K auf. Eine gebrannte Keramik weist vorzugsweise einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 6·10–6 1/K bis 15·10–6 1/K auf. Ein keramischer Grünling oder eine gebrannte Keramik weist somit einen in der Größenordnung ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie Silizium auf.
  • Ein keramischer Grünling weist vorzugsweise einen Shore-Härte von 60A Shore bis 90A Shore auf. Eine gebrannte Keramik weist vorzugsweise eine Shore-Härte von größer als 95A Shore auf. Eine keramische Suspension weist vorzugsweise eine Shore-Härte von kleiner als 5A Shore auf.
  • Ein keramischer Grünling weist vorzugsweise eine Druckfestigkeit von 3·103 N/m2 bis 9·107 N/m2 auf. Eine gebrannte Keramik weist vorzugsweise eine Druckfestigkeit von größer als 4·108 N/m2 auf.
  • Eine keramische Suspension weist vorzugsweise eine Viskosität auf, die größer als 0,2 Pa·s ist.
  • Gegebenenfalls ist zwischen dem Isolationskörper 12 und dem ersten Leistungshalbleiterbauelement T1 ein Spalt vorhanden. Der Spalt ist in den Figuren nicht dargestellt.
  • Vorzugsweise ist am ersten Leistungshalbleiterbauelement T1 und am Isolationskörper 12 ein elektrisch nicht leitender erster Isolationsformkörper 13, z.B. aus Silikon angeordnet, der das erste Leistungshalbleiterbauelement T1 mit dem Isolationskörper 12 mechanisch verbindet. Der erster Isolationsformkörper 13 deckt einen eventuell zwischen dem Isolationskörper 12 und dem ersten Leistungshalbleiterbauelement T1 vorhandenen Spalt ab, wobei der erste Isolationsformkörper 13 den Spalt gegebenenfalls auch auffüllen kann. Der erster Isolationsformkörper 13 bedeckt vorzugsweise den Randbereich 20 des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1. Weiterhin ist vorzugsweise am Isolationskörper 12 und an der ersten Leiterbahn 5a ein elektrisch nicht leitender zweiter Isolationsformkörper 19, z.B. aus Silikon angeordnet ist, der den Isolationskörper 12 mit der ersten Leiterbahn 5a mechanisch verbindet. Der zweiter Isolationsformkörper 19 ist vorzugsweise umlaufend um den Rand des Isolationskörpers 12 angeordnet.
  • In 4 ist eine schematisierte Detailansicht in Form einer Schnittdarstellung einer weiteren Ausbildung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung dargestellt. In 5 ist eine zu 4 zugehörige Detailansicht von oben auf die weitere Ausbildung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung dargestellt, wobei der in 4 dargestellte Schnitt entlang der in 5 dargestellten Line B verläuft. Die Ausbildung der Erfindung gemäß 4 und 5 stimmt dabei mit der Ausbildung der Erfindung gemäß 1 bis 3 bis auf das Merkmal, dass bei der Ausbildung der Erfindung gemäß 4 und 5, der Isolationskörper als keramischer Grünling 12' ausgebildet ist, überein. Der keramische Grünling 12' ist dabei vorzugsweise am lateralen Rand 14 des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 umlaufend anliegend angeordnet.
  • Vorzugsweise weist der Isolationskörper 12' eine Nase 15 auf, die den Randbereich 20 der dem Isolierstoffkörper abgewandten Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 abdeckt. Es sei angemerkt, dass der Isolationskörper auch bei den anderen Ausführungsbeispielen der Erfindung eine entsprechende Nase aufweisen kann. Weiterhin sei angemerkt, dass auch bei diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem der Isolationskörper als keramischer Grünling ausgebildet ist, wie in 2 bezüglich des vorhergehenden Ausführungsbeispiels der Erfindung dargestellt, am ersten Leistungshalbleiterbauelement T1 und am Isolationskörper ein elektrisch nicht leitender erster Isolationsformkörper 13, z.B. aus Silikon angeordnet sein kann, der das erste Leistungshalbleiterbauelement T1 mit dem als keramischen Grünling ausgebildeten Isolationskörper 12' mechanisch verbindet. Der erste Isolationsformkörper 13 deckt, falls der keramische Grünling 12' nicht am lateralen Rand 14 des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 umlaufend anliegend angeordnet ist, einen eventuell zwischen dem Isolationskörper 12' und dem ersten Leistungshalbleiterbauelement T1 vorhandenen Spalt ab, wobei der erste Isolationsformkörper 13 den Spalt gegebenenfalls auch auffüllen kann. Der erste Isolationsformkörper 13 bedeckt vorzugsweise und gegebenenfalls zusätzlich zur Nase 15, falls der Isolationskörper 12' eine Nase 15 aufweist, den Randbereich 20 des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1. Weiterhin kann auch bei diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wie in 2 bezüglich des vorhergehenden Ausführungsbeispiels der Erfindung dargestellt, am Isolationskörper 12 und an der ersten Leiterbahn 5a ein elektrisch nicht leitender zweiter Isolationsformkörper 19, z.B. aus Silikon angeordnet ist, der den Isolationskörper 12 mit der ersten Leiterbahn 5a mechanisch verbindet. Der zweiter Isolationsformkörper 19 ist vorzugsweise umlaufend um den Rand des Isolationskörpers 12 angeordnet.
  • Im Folgenden wir ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung beschrieben.
  • In einem ersten Verfahrensschritt a) erfolgt ein Bereitstellen eines Substrats 2, wobei das Substrat 2 einen elektrisch nicht leitenden Isolierstoffkörper 4 und eine auf einer ersten Seite 22 des Isolierstoffkörpers 4 angeordnete und mit dem Isolierstoffkörper 4 verbundene elektrisch leitende erste Leiterbahn 5a aufweist.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt b) erfolgt ein Anordnen des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1, das einen ersten und einen zweiten Laststromanschluss C und E aufweist auf der ersten Leiterbahn 5a. Vorzugsweise wird zwischen dem ersten Laststromanschluss C des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 und der ersten Leiterbahn 5a ein Verbindungsmittel, das z.B. in Form eines Lots-, Sinterverbindungsmittels- oder eines elektrisch leitfähigen Klebstoffs vorliegen kann, angeordnet.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt c1) erfolgt ein Anordnen eines aus einer gebrannten Keramik bestehenden elektrisch nicht leitenden Isolationskörpers 12 auf der ersten Leiterbahn 5a, wobei der Isolationskörper 12 eine derartige Form ausweist und derartig angeordnet wird, dass nach dem Anordnen der keramische Isolationskörper 12 umlaufend um den lateralen Rand 14 des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 angeordnet ist. Anschließend erfolgt vorzugsweise ein Anordnen eines elektrisch nicht leitenden ersten Isolationsformkörpers 13 derart, dass der erste Isolationsformkörper 13 das erste Leistungshalbleiterbauelement T1 mit dem Isolationskörper 12 mechanisch verbindet und vorzugsweise ein Anordnen eines elektrisch nicht leitenden zweiten Isolationsformkörpers 19 derart, dass der zweite Isolationsformkörper 19 den Isolationskörper 12 mit der ersten Leiterbahn 5a mechanisch verbindet. Weiterhin erfolgt anschließend vorzugsweise ein Verbinden des zweiten Laststromanschlusses E mit der elektrischen Verbindungseinrichtung 11.
  • In einem hierzu alternativen Verfahrensschritt c2) erfolgt ein Anordnen eines keramischen Grünlings 12' auf der ersten Leiterbahn 5a, wobei der keramische Grünling 12' eine derartige Form ausweist und derartig angeordnet wird, dass nach dem Anordnen der keramische Grünling 12' umlaufend um den lateralen Rand 14 des Leistungshalbleiterbauelements T1 angeordnet ist, wobei vorzugsweise anschließend durch Druckbeaufschlagung (siehe Bezugszeichen D in 4) des keramischen Grünlings 12' der keramische Grünling 12' am lateralen Rand 14 des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 umlaufend anliegend angeordnet wird, wobei der keramische Grünling 12' einen elektrisch nicht leitenden Isolationskörper 12' darstellt. Die Druckbeaufschlagung erfolgt vorzugsweise mit einem Druck von mindestens 20 MPa. Vorzugsweise wird dabei zusätzlich eine Temperaturbeaufschlagung des keramischen Grünling 12' mit einer Temperatur von 120°C bis 500°C, insbesondere mit einer Temperatur von 120°C bis 300°C durchgeführt. Anschließend erfolgt vorzugsweise ein Anordnen eines elektrisch nicht leitenden ersten Isolationsformkörpers 13 derart, dass der erste Isolationsformkörper 13 das erste Leistungshalbleiterbauelement T1 mit dem Isolationskörper 12' mechanisch verbindet und vorzugsweise ein Anordnen eines elektrisch nicht leitenden zweiten Isolationsformkörpers 19 derart, dass der zweite Isolationsformkörper 19 den Isolationskörper 12 mit der ersten Leiterbahn 5a mechanisch verbindet. Anschließend erfolgt vorzugsweise ein Verbinden des zweiten Laststromanschlusses E mit der elektrischen Verbindungseinrichtung 11 mittels z.B. einer Löt-, Sinter- oder einer elektrisch leitfähigen Klebeverbindung. Im Falle einer Sinterverbindung kann die zur Herstellung der Sinterverbindung notwendige Druck- und Temperaturbeaufschlagung der elektrischen Verbindungseinrichtung 11 und des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 in einem Prozessschritt mit der Druckbeaufschlagung und gegebenenfalls mit der Temperaturbeaufschlagung des keramischen Grünlings 12' erfolgen.
  • In einem hierzu alternativen Verfahrensschritt c3), der in 6 dargestellt ist, erfolgt ein Aufbringen einer keramischen Suspension 12'' umlaufend und anliegend um den lateralen Rand 14 des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 auf der ersten Leiterbahn 5a und ein Umwandeln der keramischen Suspension 12'' in einen keramischen Grünling 12', der einen elektrisch nicht leitenden Isolationskörper 12' darstellt, durch Temperaturbeaufschlagung der keramischen Suspension 12''. Die Temperaturbeaufschlagung erfolgt vorzugsweise mit einer Temperatur von 120°C bis 500°C, insbesondere mit einer Temperatur von 120°C bis 300°C. Die keramische Suspension 12'' wird im Rahmen des Ausführungsbeispiels mittels eines Dispensers 15 umlaufend und anliegend um den lateralen Rand 14 des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 auf der ersten Leiterbahn 5a aufgebracht. Nach dem Umwandeln der keramischen Suspension 12'' in den keramischen Grünling 12' erfolgt vorzugsweise ein Verbinden des zweiten Laststromanschlusses E mit der elektrischen Verbindungseinrichtung 11 mittels z.B. einer Löt-, Sinter- oder einer elektrisch leitfähigen Klebeverbindung.
  • Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass vorzugsweise die orthogonal zur ersten Leiterbahn 5a verlaufende maximale Höhenausdehnung b des Isolationskörpers mindestens so groß ist, wie der Abstand a zwischen der dem Isolierstoffkörper 4 abgewandten Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 von der ersten Leiterbahn 5a. Vorzugsweise ist die orthogonal zur ersten Leiterbahn 5a verlaufende maximale Höhenausdehnung b des Isolationskörpers mindestens 110% größer, wie der Abstand a zwischen der dem Isolierstoffkörper 4 abgewandten Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 von der ersten Leiterbahn 5a. Hierdurch wird eine besonders hohe elektrische Isolationsfestigkeit erzielt.
  • Es sei angemerkt, dass bei den Ausführungsbeispielen, die dem Isolierstoffkörper 4 abgewandte Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements T1 den zweiten Laststromanschluss E bildet.
  • Die Leistungshalbleiterbauelemente können z.B. in Form von Leistungshalbleiterschalter oder Dioden vorliegen, wobei die Leistungshalbleiterschalter z.B. in Form von Transistoren, wie z.B. IGBTs oder MOSFETs, oder in Form von Thyristoren vorliegen können.
  • Weiterhin sei angemerkt, dass bei der Erfindung die Leistungshalbleiterbauelemente auch im Wesentlichen aus einem anderen Halbleitermaterial wie Silizium bestehen können.
  • Es sei angemerkt, dass in den Figuren gleiche Elemente mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102007006706 A1 [0004]
    • EP 1772902 A1 [0005]

Claims (11)

  1. Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Substrat (2), wobei das Substrat (2) einen elektrisch nicht leitenden Isolierstoffkörper (4) und eine auf einer ersten Seite (22) des Isolierstoffkörpers (4) angeordnete und mit dem Isolierstoffkörper (4) verbundene elektrisch leitende erste Leiterbahn (5a) aufweist, wobei auf der ersten Leiterbahn (5a) ein erstes Leistungshalbleiterbauelement (T1), das einen ersten und einen zweiten Laststromanschluss (C, E) aufweist, angeordnet ist und der erste Laststromanschluss (C) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) mit der ersten Leiterbahn (5a) verbunden ist, wobei ein um den lateralen Rand (14) des Leistungshalbleiterbauelements (T1) umlaufender elektrisch nicht leitender Isolationskörper (12, 12') auf der ersten Leiterbahn (5a) angeordnet ist, wobei der Isolationskörper (12, 12') als keramischer Grünling (12') ausgebildet ist oder aus einer gebrannten Keramik (12) besteht.
  2. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Laststromanschluss (E) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) mit einer elektrischen Verbindungseinrichtung (11) verbunden ist.
  3. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Verbindungseinrichtung (11) als Folienverbund (11), der eine erste metallische Folienschicht (8) und eine mit der ersten metallischen Folienschicht (8) verbundene elektrisch isolierende Folienschicht (9) aufweist, ausgebildet ist.
  4. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Laststromanschluss (E) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) mit der elektrischen Verbindungseinrichtung (11) verbunden ist, indem der zweite Laststromanschluss (E) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) mit der ersten metallischen Folienschicht (8), mittels einer Löt-, Sinter- oder einer elektrisch leitfähigen Klebeverbindung, verbunden ist.
  5. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass am Isolationskörper (12) ein elektrisch nicht leitender erster Isolationsformkörper (13) angeordnet ist, der das erste Leistungshalbleiterbauelement (T1) mit dem Isolationskörper (12) mechanisch verbindet.
  6. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolationskörper als keramischer Grünling (12') ausgebildet ist und am lateralen Rand (14) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) umlaufend anliegend angeordnet ist.
  7. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolationskörper (12, 12') eine Nase (15) aufweist, die einen Randbereich (20) der dem Isolierstoffkörper (4) abgewandten Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) abdeckt.
  8. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die orthogonal zur ersten Leiterbahn (5a) verlaufende maximale Höhenausdehnung (b) des Isolationskörpers (12, 12') mindestens so groß ist, wie der Abstand (a) zwischen der dem Isolierstoffkörper (4) abgewandten Seite des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) von der ersten Leiterbahn (5a).
  9. Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung (1) mit folgenden Verfahrensschritten: a) Bereitstellen eines Substrats (2), wobei das Substrat (2) einen elektrisch nicht leitenden Isolierstoffkörper (4) und eine auf einer ersten Seite (22) des Isolierstoffkörpers (4) angeordnete und mit dem Isolierstoffkörper (4) verbundene elektrisch leitende erste Leiterbahn (5a) aufweist, b) Anordnen eines ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1), das einen ersten und einen zweiten Laststromanschluss (C, E) aufweist, auf der ersten Leiterbahn (5a), c1) Aufbringen einer keramischen Suspension (12'') umlaufend und anliegend um den lateralen Rand (14) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) auf der ersten Leiterbahn (5a) und Umwandeln der keramischen Suspension (12'') in einen keramischen Grünling (12') durch Temperaturbeaufschlagung der keramischen Suspension (12'), oder c2) Anordnen eines keramischen Grünlings (12') auf der ersten Leiterbahn (5a), wobei der keramische Grünling (12') eine derartige Form ausweist und derartig angeordnet wird, dass nach dem Anordnen der keramische Grünling (12') umlaufend um den lateralen Rand (14) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) angeordnet ist, oder c3) Anordnen eines aus einer gebrannten Keramik (12) bestehenden elektrisch nicht leitenden Isolationskörpers (12) auf der ersten Leiterbahn (5a), wobei der Isolationskörper (12) eine derartige Form ausweist und derartig angeordnet wird, dass nach dem Anordnen der keramische Isolationskörper (12) umlaufend um den lateralen Rand (14) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) angeordnet ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass beim Verfahrensschritt c2) ein Anordnen eines keramischen Grünlings (12') auf der ersten Leiterbahn (5a) erfolgt, wobei der keramische Grünling (12') eine derartige Form ausweist und derartig angeordnet wird, dass nach dem Anordnen der keramische Grünling (12') umlaufend um den lateralen Rand (14) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) angeordnet ist, wobei anschließend, durch Druckbeaufschlagung des keramischen Grünlings (12'), der keramische Grünling (12') am lateralen Rand (14) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) umlaufend anliegend angeordnet wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Laststromanschluss (E) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1), mit einer elektrischen Verbindungseinrichtung (11) mittels einer Sinterverbindung verbunden wird, wobei die zur Herstellung dieser Sinterverbindung notwendige Druck- und Temperaturbeaufschlagung der elektrischen Verbindungseinrichtung (11) und des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) in einem Prozessschritt mit der Druckbeaufschlagung des keramischen Grünlings (12') erfolgt.
DE102012222012.7A 2012-11-30 2012-11-30 Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung Active DE102012222012B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012222012.7A DE102012222012B4 (de) 2012-11-30 2012-11-30 Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012222012.7A DE102012222012B4 (de) 2012-11-30 2012-11-30 Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102012222012A1 true DE102012222012A1 (de) 2014-06-18
DE102012222012B4 DE102012222012B4 (de) 2017-04-06

Family

ID=50821289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102012222012.7A Active DE102012222012B4 (de) 2012-11-30 2012-11-30 Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102012222012B4 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220111482A1 (en) * 2020-10-13 2022-04-14 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus with contact extension or adjustable stop
DE102022125597A1 (de) 2022-10-05 2024-04-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Anordnung und Leistungshalbleitermodul hiermit

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001037288A1 (en) * 1999-11-16 2001-05-25 Abb Research Ltd. An arrangement for electrically insulating a high voltage component
WO2005096374A1 (de) * 2004-03-15 2005-10-13 Siemens Aktiengesellschaft Elektrotechnisches erzeugnis mit einem elektrischen bauelement und einer vergussmasse zur elektrischen isolierung des bauelements sowie verfahren zum herstellen des erzeugnisses
EP1772902A1 (de) 2005-10-05 2007-04-11 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Leistungshalbleitermodul mit Isolationszwischenlage und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102007006706A1 (de) 2007-02-10 2008-08-21 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung mit Verbindungseinrichtung sowie Herstellungsverfahren hierzu
US20090081585A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 International Business Machines Corporation Functionalized carbosilane polymers and photoresist compositions containing the same
DE102009000888A1 (de) * 2009-02-16 2010-08-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Halbleiteranordnung
DE102010062547A1 (de) * 2010-12-07 2012-06-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001037288A1 (en) * 1999-11-16 2001-05-25 Abb Research Ltd. An arrangement for electrically insulating a high voltage component
WO2005096374A1 (de) * 2004-03-15 2005-10-13 Siemens Aktiengesellschaft Elektrotechnisches erzeugnis mit einem elektrischen bauelement und einer vergussmasse zur elektrischen isolierung des bauelements sowie verfahren zum herstellen des erzeugnisses
EP1772902A1 (de) 2005-10-05 2007-04-11 Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung Leistungshalbleitermodul mit Isolationszwischenlage und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102007006706A1 (de) 2007-02-10 2008-08-21 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung mit Verbindungseinrichtung sowie Herstellungsverfahren hierzu
US20090081585A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 International Business Machines Corporation Functionalized carbosilane polymers and photoresist compositions containing the same
DE102009000888A1 (de) * 2009-02-16 2010-08-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Halbleiteranordnung
DE102010062547A1 (de) * 2010-12-07 2012-06-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Keramik. Internet : Wikipedia, 2012. - ISBN isbn. http://de.wikipedia.org/wiki/Keramik [abgerufen am 07.02.2013] *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220111482A1 (en) * 2020-10-13 2022-04-14 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus with contact extension or adjustable stop
US11904429B2 (en) * 2020-10-13 2024-02-20 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus with contact extension or adjustable stop
DE102022125597A1 (de) 2022-10-05 2024-04-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Anordnung und Leistungshalbleitermodul hiermit

Also Published As

Publication number Publication date
DE102012222012B4 (de) 2017-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014213564B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102013104739B4 (de) Metall-Keramik-Substrate sowie Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates
DE102007006706B4 (de) Schaltungsanordnung mit Verbindungseinrichtung sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102014212376B4 (de) Halbleitervorrichtung
EP1772900B1 (de) Herstellungsverfahren einer Anordnung mit Leistungshalbleiterbauelementen, welches einen Schritt Drucksintern beinhaltet
DE102014008587B4 (de) Leistungs-Halbleiterschaltung
DE102005047567B3 (de) Leistungshalbleitermodul mit Isolationszwischenlage und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102012222791A1 (de) Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiters und Halbleiterbauelement mit erhöhter Stabilität gegenüber thermomechanischen Einflüssen
WO2013013964A1 (de) Trägervorrichtung, elektrische vorrichtung mit einer trägervorrichtung und verfahren zur herstellung dieser
DE102012212968A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element
DE102016212506A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE102014115815B4 (de) Verfahren zur herstellung eines schaltungsträgers, verfahren zur herstellung einer halbleiteranordung, verfahren zum betrieb einer halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung eines halbleitermoduls
DE102012113012B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Vorrichtung
DE102012222012B4 (de) Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung
EP2704194B1 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
WO2013156568A2 (de) Schaltungsanordnung zur thermisch leitfähigen chipmontage und herstellungsverfahren
DE102013216003A1 (de) Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE102008026347B4 (de) Leistungselektronische Anordnung mit einem Substrat und einem Grundkörper
DE102013102637B4 (de) Metall-Keramik-Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines derartigen Metall-Keramik-Substrates und Anordnung von derartigen Metall-Keramik-Substraten
DE102012213555B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
EP3611761A1 (de) Verfahren und metallsubstrat zum kontaktieren eines leistungshalbleiters durch ein kontaktierungsmittel mit zumindest einem kontaktierungsfreien bereich als belastungsreduzierende struktur
DE102015120154B4 (de) Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Substrat und einem Leistungshalbleiterbauelement
DE102022213499A1 (de) Elektronikanordnung und Verfahren zum Ausbilden einer Elektronikanordnung
DE102016119597B4 (de) Doppelseitig kühlbares elektronikmodul und verfahren zu dessen herstellung
DE102022121193A1 (de) Elektronische struktur und verfahren zu deren herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final